JPH11298277A - 電源電圧クランプ回路 - Google Patents
電源電圧クランプ回路Info
- Publication number
- JPH11298277A JPH11298277A JP10098855A JP9885598A JPH11298277A JP H11298277 A JPH11298277 A JP H11298277A JP 10098855 A JP10098855 A JP 10098855A JP 9885598 A JP9885598 A JP 9885598A JP H11298277 A JPH11298277 A JP H11298277A
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- JP
- Japan
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- power supply
- voltage
- circuit
- supply voltage
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- Pending
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- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ツェナーダイオードを、カード内に別部品と
して内蔵したり、ICを製造する際に新たなプロセス工
程を付加しIC内に内蔵するために実装面積の増大につ
ながる。 【解決手段】 前述の課題を解決するための方法とし
て、IC内に基準電圧発生回路11と、この基準電圧を
用いて電源電圧を検出する為の電圧検出回路12と、V
DDとVSS間に接続し電圧検出回路12の出力によっ
てオンオフするNチャネルあるいはPチャネルトランジ
スタよりなるクランプ回路13を構成し、電源電圧が設
定した検出電圧になった時にVDDとVSS間に接続し
たトランジスタをオンさせ電源電圧が設定電圧以上にな
らないようにする。本回路方式の電源電圧クランプ回路
を用いると、外付けあるいは内蔵のツェナーダイオード
が不要になる。
して内蔵したり、ICを製造する際に新たなプロセス工
程を付加しIC内に内蔵するために実装面積の増大につ
ながる。 【解決手段】 前述の課題を解決するための方法とし
て、IC内に基準電圧発生回路11と、この基準電圧を
用いて電源電圧を検出する為の電圧検出回路12と、V
DDとVSS間に接続し電圧検出回路12の出力によっ
てオンオフするNチャネルあるいはPチャネルトランジ
スタよりなるクランプ回路13を構成し、電源電圧が設
定した検出電圧になった時にVDDとVSS間に接続し
たトランジスタをオンさせ電源電圧が設定電圧以上にな
らないようにする。本回路方式の電源電圧クランプ回路
を用いると、外付けあるいは内蔵のツェナーダイオード
が不要になる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は非接触型ICカード
用半導体集積回路に関するものであり、特に電源電圧制
御に関するものである。
用半導体集積回路に関するものであり、特に電源電圧制
御に関するものである。
【0002】
【従来の技術】非接触型ICカードにおいては電源の供
給は電磁誘導によって行うが発生する電源電圧は大きく
変動する。特に発生する高電圧側の電圧を一定電圧にク
ランプする方法としてツェナーダイオードを、カード内
に別部品として外付けしたりあるいはICを製造する際
に新たなプロセス工程を付加しIC内に内蔵していた。
給は電磁誘導によって行うが発生する電源電圧は大きく
変動する。特に発生する高電圧側の電圧を一定電圧にク
ランプする方法としてツェナーダイオードを、カード内
に別部品として外付けしたりあるいはICを製造する際
に新たなプロセス工程を付加しIC内に内蔵していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】非接触型ICカードに
おいては変動する電源電圧を一定電圧にクランプするた
めに外付けのツェナーダイオードを用いるか、ツェナー
ダイオードをICに内蔵するためにICを製造する際ツ
ェナーダイオードのための新たなプロセス工程を付加す
る必要があった。
おいては変動する電源電圧を一定電圧にクランプするた
めに外付けのツェナーダイオードを用いるか、ツェナー
ダイオードをICに内蔵するためにICを製造する際ツ
ェナーダイオードのための新たなプロセス工程を付加す
る必要があった。
【0004】本発明はツェナーダイオードを用いずに電
源電圧をクランプする制御回路を提供する事であり、外
付けおよび内蔵のツェナーダイオードは必要なくなる。
源電圧をクランプする制御回路を提供する事であり、外
付けおよび内蔵のツェナーダイオードは必要なくなる。
【0005】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めの方法として、IC内に基準電圧発生回路11と、こ
の基準電圧を用いて電源電圧を検出する為の電圧検出回
路12と、VDDとVSS間に接続し電圧検出回路12
の出力によってオンオフするトランジスタによって構成
するスイッチング回路13よりなるクランプ回路を構成
し、電源電圧が設定した検出電圧以上になった時にVD
DとVSS間に接続したトランジスタをオンさせ電源電
圧が設定電圧以上にならないようにする。本回路方式の
電源電圧クランプ回路を用いると、外付けあるいは内蔵
のツェナーダイオードが不要になる。
めの方法として、IC内に基準電圧発生回路11と、こ
の基準電圧を用いて電源電圧を検出する為の電圧検出回
路12と、VDDとVSS間に接続し電圧検出回路12
の出力によってオンオフするトランジスタによって構成
するスイッチング回路13よりなるクランプ回路を構成
し、電源電圧が設定した検出電圧以上になった時にVD
DとVSS間に接続したトランジスタをオンさせ電源電
圧が設定電圧以上にならないようにする。本回路方式の
電源電圧クランプ回路を用いると、外付けあるいは内蔵
のツェナーダイオードが不要になる。
【0006】
【発明の実施の形態】本発明の回路構成を図1に示す。
本発明は基準電圧発生回路11と電圧検出回路12とス
イッチング回路13とより成り、基準電圧発生回路11
の出力V1は、電圧検出回路12の入力とし、電圧検出
回路12の出力S1はスイッチング回路13の入力とす
る。
本発明は基準電圧発生回路11と電圧検出回路12とス
イッチング回路13とより成り、基準電圧発生回路11
の出力V1は、電圧検出回路12の入力とし、電圧検出
回路12の出力S1はスイッチング回路13の入力とす
る。
【0007】電圧検出回路12は差動増幅型コンパレー
タC1と、電源VDDと電源VSS間に直列に接続する
抵抗R1と抵抗R2により構成する。抵抗R1と抵抗R
2の抵抗比によって電源電圧が分圧されて発生するV2
を、差動増幅型コンパレータC1の一方の入力とする。
差動増幅型コンパレータC1のもう一方の入力は基準電
圧発生回路11の出力V1とし、差動増幅型コンパレー
タC1の出力を電圧検出回路12の出力S1とする。
タC1と、電源VDDと電源VSS間に直列に接続する
抵抗R1と抵抗R2により構成する。抵抗R1と抵抗R
2の抵抗比によって電源電圧が分圧されて発生するV2
を、差動増幅型コンパレータC1の一方の入力とする。
差動増幅型コンパレータC1のもう一方の入力は基準電
圧発生回路11の出力V1とし、差動増幅型コンパレー
タC1の出力を電圧検出回路12の出力S1とする。
【0008】スイッチング回路13は、インバータとN
型MOSトランジスタあるいはバッファとP型MOSト
ランジスタより成り、インバータあるいはバッファの入
力は電圧検出回路12の出力S1に接続し、インバータ
の出力はN型MOSトランジスタのゲート、バッファの
出力はP型MOSトランジスタのゲートに接続し、かつ
P型あるいはN型MOSトランジスタのソース、ドレイ
ンをそれぞれ電源VDD、VSSに接続する。
型MOSトランジスタあるいはバッファとP型MOSト
ランジスタより成り、インバータあるいはバッファの入
力は電圧検出回路12の出力S1に接続し、インバータ
の出力はN型MOSトランジスタのゲート、バッファの
出力はP型MOSトランジスタのゲートに接続し、かつ
P型あるいはN型MOSトランジスタのソース、ドレイ
ンをそれぞれ電源VDD、VSSに接続する。
【0009】図2、図3は本発明の回路構成を具体的に
トランジスタと抵抗とインバータとで現した例であり、
図2はスイッチング回路13にN型MOSトランジスタ
を用いた例である。図3はスイッチング回路13にP型
MOSトランジスタを用いた例である。
トランジスタと抵抗とインバータとで現した例であり、
図2はスイッチング回路13にN型MOSトランジスタ
を用いた例である。図3はスイッチング回路13にP型
MOSトランジスタを用いた例である。
【0010】図2、図3に示した基準電圧発生回路はカ
レントミラー方式を用いた例であり、電源VDDからみ
てマイナスの一定電圧を発生する。
レントミラー方式を用いた例であり、電源VDDからみ
てマイナスの一定電圧を発生する。
【0011】今VDD=0V、V1=−1VとしてVS
Sの−5Vを検出して電源電圧をクランプする場合を例
として動作を説明する。
Sの−5Vを検出して電源電圧をクランプする場合を例
として動作を説明する。
【0012】電圧検出回路12において差動増幅型コン
パレータC1はV1とV2を比較して出力S1にハイあ
るいはローを出力するが、R1とR2の比を1対4にし
てVSSの電圧を変化させた場合、V1とV2の電位関
係はVSSが−5Vを境に逆転するので、差動増幅型コ
ンパレータC1の出力S1は反転する。つまり−5Vを
境に差動増幅型コンパレータC1の出力S1の極性が変
化するので−5Vを検出できた事になる。
パレータC1はV1とV2を比較して出力S1にハイあ
るいはローを出力するが、R1とR2の比を1対4にし
てVSSの電圧を変化させた場合、V1とV2の電位関
係はVSSが−5Vを境に逆転するので、差動増幅型コ
ンパレータC1の出力S1は反転する。つまり−5Vを
境に差動増幅型コンパレータC1の出力S1の極性が変
化するので−5Vを検出できた事になる。
【0013】次に電圧検出回路12の出力をスイッチン
グ回路13に入力し、VSSが−5V以下になった時に
スイッチング回路13をオンさせVDD、VSS間に電
流を流すことによって電圧降下を生じさせVSSを−5
V以下にならないようにする。つまり電源電圧は−5V
にクランプされる。
グ回路13に入力し、VSSが−5V以下になった時に
スイッチング回路13をオンさせVDD、VSS間に電
流を流すことによって電圧降下を生じさせVSSを−5
V以下にならないようにする。つまり電源電圧は−5V
にクランプされる。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はツェナー
ダイオードを用いることなく電源電圧のクランプが可能
となり、外付けあるいはIC内蔵のツェナーダイオード
が不要にできる。また本発明は電圧検出回路のR1とR
2の比を変える事によってクランプ電圧を自由に設定可
能であり、融通性に富むものである。
ダイオードを用いることなく電源電圧のクランプが可能
となり、外付けあるいはIC内蔵のツェナーダイオード
が不要にできる。また本発明は電圧検出回路のR1とR
2の比を変える事によってクランプ電圧を自由に設定可
能であり、融通性に富むものである。
【図1】本発明の半導体集積回路の構成を示すブロック
図である。
図である。
【図2】本発明の半導体集積回路をトランジスタレベル
で記述した具体例1である。
で記述した具体例1である。
【図3】本発明の半導体集積回路をトランジスタレベル
で記述した具体例2である。
で記述した具体例2である。
11 基準電圧発生回路 12 電圧検出回路 13 スイッチング回路 V1 基準電圧 V2 電源電圧が抵抗により分圧された電圧 C1 差動増幅型コンパレータ S1 電圧検出回路の出力 MOST MOSトランジスタ
Claims (3)
- 【請求項1】 基準電圧発生回路11と、電圧検出回路
12と、スイッチング回路13とで構成する電源電圧ク
ランプ回路。 - 【請求項2】 電源VSSと電源VDD間に直列に接続
した抵抗R1と抵抗R2と、基準電圧発生回路11の出
力V1と、抵抗R1と抵抗R2の比によって発生するV
2とを入力とする差動増幅型コンパレータC1とにより
構成する請求項1に記載の電圧検出回路を有する電源電
圧クランプ回路。 - 【請求項3】 電圧検出回路12の出力を入力とし、電
源VSSと電源VDDの間に接続するMOSトランジス
タにより構成する請求項1に記載のスイッチング回路を
有する電源電圧クランプ回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10098855A JPH11298277A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 電源電圧クランプ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10098855A JPH11298277A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 電源電圧クランプ回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11298277A true JPH11298277A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14230858
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10098855A Pending JPH11298277A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 電源電圧クランプ回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11298277A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002006965A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Citizen Watch Co Ltd | レギュレータ回路およびこれを用いた回路 |
WO2003054918A3 (de) * | 2001-12-11 | 2003-12-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip und schaltungsanordnung mit programmierspannungsüberwachung und deren verwendung |
-
1998
- 1998-04-10 JP JP10098855A patent/JPH11298277A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002006965A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Citizen Watch Co Ltd | レギュレータ回路およびこれを用いた回路 |
WO2003054918A3 (de) * | 2001-12-11 | 2003-12-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip und schaltungsanordnung mit programmierspannungsüberwachung und deren verwendung |
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