JPH11298277A - 電源電圧クランプ回路 - Google Patents
電源電圧クランプ回路Info
- Publication number
- JPH11298277A JPH11298277A JP10098855A JP9885598A JPH11298277A JP H11298277 A JPH11298277 A JP H11298277A JP 10098855 A JP10098855 A JP 10098855A JP 9885598 A JP9885598 A JP 9885598A JP H11298277 A JPH11298277 A JP H11298277A
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- JP
- Japan
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- power supply
- voltage
- circuit
- supply voltage
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- Prior art date
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- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ツェナーダイオードを、カード内に別部品と
して内蔵したり、ＩＣを製造する際に新たなプロセス工
程を付加しＩＣ内に内蔵するために実装面積の増大につ
ながる。 【解決手段】 前述の課題を解決するための方法とし
て、ＩＣ内に基準電圧発生回路１１と、この基準電圧を
用いて電源電圧を検出する為の電圧検出回路１２と、Ｖ
ＤＤとＶＳＳ間に接続し電圧検出回路１２の出力によっ
てオンオフするＮチャネルあるいはＰチャネルトランジ
スタよりなるクランプ回路１３を構成し、電源電圧が設
定した検出電圧になった時にＶＤＤとＶＳＳ間に接続し
たトランジスタをオンさせ電源電圧が設定電圧以上にな
らないようにする。本回路方式の電源電圧クランプ回路
を用いると、外付けあるいは内蔵のツェナーダイオード
が不要になる。
して内蔵したり、ＩＣを製造する際に新たなプロセス工
程を付加しＩＣ内に内蔵するために実装面積の増大につ
ながる。 【解決手段】 前述の課題を解決するための方法とし
て、ＩＣ内に基準電圧発生回路１１と、この基準電圧を
用いて電源電圧を検出する為の電圧検出回路１２と、Ｖ
ＤＤとＶＳＳ間に接続し電圧検出回路１２の出力によっ
てオンオフするＮチャネルあるいはＰチャネルトランジ
スタよりなるクランプ回路１３を構成し、電源電圧が設
定した検出電圧になった時にＶＤＤとＶＳＳ間に接続し
たトランジスタをオンさせ電源電圧が設定電圧以上にな
らないようにする。本回路方式の電源電圧クランプ回路
を用いると、外付けあるいは内蔵のツェナーダイオード
が不要になる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は非接触型ＩＣカード
用半導体集積回路に関するものであり、特に電源電圧制
御に関するものである。
用半導体集積回路に関するものであり、特に電源電圧制
御に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非接触型ＩＣカードにおいては電源の供
給は電磁誘導によって行うが発生する電源電圧は大きく
変動する。特に発生する高電圧側の電圧を一定電圧にク
ランプする方法としてツェナーダイオードを、カード内
に別部品として外付けしたりあるいはＩＣを製造する際
に新たなプロセス工程を付加しＩＣ内に内蔵していた。
給は電磁誘導によって行うが発生する電源電圧は大きく
変動する。特に発生する高電圧側の電圧を一定電圧にク
ランプする方法としてツェナーダイオードを、カード内
に別部品として外付けしたりあるいはＩＣを製造する際
に新たなプロセス工程を付加しＩＣ内に内蔵していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】非接触型ＩＣカードに
おいては変動する電源電圧を一定電圧にクランプするた
めに外付けのツェナーダイオードを用いるか、ツェナー
ダイオードをＩＣに内蔵するためにＩＣを製造する際ツ
ェナーダイオードのための新たなプロセス工程を付加す
る必要があった。
おいては変動する電源電圧を一定電圧にクランプするた
めに外付けのツェナーダイオードを用いるか、ツェナー
ダイオードをＩＣに内蔵するためにＩＣを製造する際ツ
ェナーダイオードのための新たなプロセス工程を付加す
る必要があった。
【０００４】本発明はツェナーダイオードを用いずに電
源電圧をクランプする制御回路を提供する事であり、外
付けおよび内蔵のツェナーダイオードは必要なくなる。
源電圧をクランプする制御回路を提供する事であり、外
付けおよび内蔵のツェナーダイオードは必要なくなる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めの方法として、ＩＣ内に基準電圧発生回路１１と、こ
の基準電圧を用いて電源電圧を検出する為の電圧検出回
路１２と、ＶＤＤとＶＳＳ間に接続し電圧検出回路１２
の出力によってオンオフするトランジスタによって構成
するスイッチング回路１３よりなるクランプ回路を構成
し、電源電圧が設定した検出電圧以上になった時にＶＤ
ＤとＶＳＳ間に接続したトランジスタをオンさせ電源電
圧が設定電圧以上にならないようにする。本回路方式の
電源電圧クランプ回路を用いると、外付けあるいは内蔵
のツェナーダイオードが不要になる。
めの方法として、ＩＣ内に基準電圧発生回路１１と、こ
の基準電圧を用いて電源電圧を検出する為の電圧検出回
路１２と、ＶＤＤとＶＳＳ間に接続し電圧検出回路１２
の出力によってオンオフするトランジスタによって構成
するスイッチング回路１３よりなるクランプ回路を構成
し、電源電圧が設定した検出電圧以上になった時にＶＤ
ＤとＶＳＳ間に接続したトランジスタをオンさせ電源電
圧が設定電圧以上にならないようにする。本回路方式の
電源電圧クランプ回路を用いると、外付けあるいは内蔵
のツェナーダイオードが不要になる。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の回路構成を図１に示す。
本発明は基準電圧発生回路１１と電圧検出回路１２とス
イッチング回路１３とより成り、基準電圧発生回路１１
の出力Ｖ１は、電圧検出回路１２の入力とし、電圧検出
回路１２の出力Ｓ１はスイッチング回路１３の入力とす
る。
本発明は基準電圧発生回路１１と電圧検出回路１２とス
イッチング回路１３とより成り、基準電圧発生回路１１
の出力Ｖ１は、電圧検出回路１２の入力とし、電圧検出
回路１２の出力Ｓ１はスイッチング回路１３の入力とす
る。
【０００７】電圧検出回路１２は差動増幅型コンパレー
タＣ１と、電源ＶＤＤと電源ＶＳＳ間に直列に接続する
抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２により構成する。抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ
２の抵抗比によって電源電圧が分圧されて発生するＶ２
を、差動増幅型コンパレータＣ１の一方の入力とする。
差動増幅型コンパレータＣ１のもう一方の入力は基準電
圧発生回路１１の出力Ｖ１とし、差動増幅型コンパレー
タＣ１の出力を電圧検出回路１２の出力Ｓ１とする。
タＣ１と、電源ＶＤＤと電源ＶＳＳ間に直列に接続する
抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２により構成する。抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ
２の抵抗比によって電源電圧が分圧されて発生するＶ２
を、差動増幅型コンパレータＣ１の一方の入力とする。
差動増幅型コンパレータＣ１のもう一方の入力は基準電
圧発生回路１１の出力Ｖ１とし、差動増幅型コンパレー
タＣ１の出力を電圧検出回路１２の出力Ｓ１とする。
【０００８】スイッチング回路１３は、インバータとＮ
型ＭＯＳトランジスタあるいはバッファとＰ型ＭＯＳト
ランジスタより成り、インバータあるいはバッファの入
力は電圧検出回路１２の出力Ｓ１に接続し、インバータ
の出力はＮ型ＭＯＳトランジスタのゲート、バッファの
出力はＰ型ＭＯＳトランジスタのゲートに接続し、かつ
Ｐ型あるいはＮ型ＭＯＳトランジスタのソース、ドレイ
ンをそれぞれ電源ＶＤＤ、ＶＳＳに接続する。
型ＭＯＳトランジスタあるいはバッファとＰ型ＭＯＳト
ランジスタより成り、インバータあるいはバッファの入
力は電圧検出回路１２の出力Ｓ１に接続し、インバータ
の出力はＮ型ＭＯＳトランジスタのゲート、バッファの
出力はＰ型ＭＯＳトランジスタのゲートに接続し、かつ
Ｐ型あるいはＮ型ＭＯＳトランジスタのソース、ドレイ
ンをそれぞれ電源ＶＤＤ、ＶＳＳに接続する。
【０００９】図２、図３は本発明の回路構成を具体的に
トランジスタと抵抗とインバータとで現した例であり、
図２はスイッチング回路１３にＮ型ＭＯＳトランジスタ
を用いた例である。図３はスイッチング回路１３にＰ型
ＭＯＳトランジスタを用いた例である。
トランジスタと抵抗とインバータとで現した例であり、
図２はスイッチング回路１３にＮ型ＭＯＳトランジスタ
を用いた例である。図３はスイッチング回路１３にＰ型
ＭＯＳトランジスタを用いた例である。
【００１０】図２、図３に示した基準電圧発生回路はカ
レントミラー方式を用いた例であり、電源ＶＤＤからみ
てマイナスの一定電圧を発生する。
レントミラー方式を用いた例であり、電源ＶＤＤからみ
てマイナスの一定電圧を発生する。
【００１１】今ＶＤＤ＝０Ｖ、Ｖ１＝−１ＶとしてＶＳ
Ｓの−５Ｖを検出して電源電圧をクランプする場合を例
として動作を説明する。
Ｓの−５Ｖを検出して電源電圧をクランプする場合を例
として動作を説明する。
【００１２】電圧検出回路１２において差動増幅型コン
パレータＣ１はＶ１とＶ２を比較して出力Ｓ１にハイあ
るいはローを出力するが、Ｒ１とＲ２の比を１対４にし
てＶＳＳの電圧を変化させた場合、Ｖ１とＶ２の電位関
係はＶＳＳが−５Ｖを境に逆転するので、差動増幅型コ
ンパレータＣ１の出力Ｓ１は反転する。つまり−５Ｖを
境に差動増幅型コンパレータＣ１の出力Ｓ１の極性が変
化するので−５Ｖを検出できた事になる。
パレータＣ１はＶ１とＶ２を比較して出力Ｓ１にハイあ
るいはローを出力するが、Ｒ１とＲ２の比を１対４にし
てＶＳＳの電圧を変化させた場合、Ｖ１とＶ２の電位関
係はＶＳＳが−５Ｖを境に逆転するので、差動増幅型コ
ンパレータＣ１の出力Ｓ１は反転する。つまり−５Ｖを
境に差動増幅型コンパレータＣ１の出力Ｓ１の極性が変
化するので−５Ｖを検出できた事になる。
【００１３】次に電圧検出回路１２の出力をスイッチン
グ回路１３に入力し、ＶＳＳが−５Ｖ以下になった時に
スイッチング回路１３をオンさせＶＤＤ、ＶＳＳ間に電
流を流すことによって電圧降下を生じさせＶＳＳを−５
Ｖ以下にならないようにする。つまり電源電圧は−５Ｖ
にクランプされる。
グ回路１３に入力し、ＶＳＳが−５Ｖ以下になった時に
スイッチング回路１３をオンさせＶＤＤ、ＶＳＳ間に電
流を流すことによって電圧降下を生じさせＶＳＳを−５
Ｖ以下にならないようにする。つまり電源電圧は−５Ｖ
にクランプされる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はツェナー
ダイオードを用いることなく電源電圧のクランプが可能
となり、外付けあるいはＩＣ内蔵のツェナーダイオード
が不要にできる。また本発明は電圧検出回路のＲ１とＲ
２の比を変える事によってクランプ電圧を自由に設定可
能であり、融通性に富むものである。
ダイオードを用いることなく電源電圧のクランプが可能
となり、外付けあるいはＩＣ内蔵のツェナーダイオード
が不要にできる。また本発明は電圧検出回路のＲ１とＲ
２の比を変える事によってクランプ電圧を自由に設定可
能であり、融通性に富むものである。
【図１】本発明の半導体集積回路の構成を示すブロック
図である。
図である。
【図２】本発明の半導体集積回路をトランジスタレベル
で記述した具体例１である。
で記述した具体例１である。
【図３】本発明の半導体集積回路をトランジスタレベル
で記述した具体例２である。
で記述した具体例２である。
１１ 基準電圧発生回路 １２ 電圧検出回路 １３ スイッチング回路 Ｖ１ 基準電圧 Ｖ２ 電源電圧が抵抗により分圧された電圧 Ｃ１ 差動増幅型コンパレータ Ｓ１ 電圧検出回路の出力 ＭＯＳＴ ＭＯＳトランジスタ
Claims (3)
- 【請求項１】 基準電圧発生回路１１と、電圧検出回路
１２と、スイッチング回路１３とで構成する電源電圧ク
ランプ回路。 - 【請求項２】 電源ＶＳＳと電源ＶＤＤ間に直列に接続
した抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２と、基準電圧発生回路１１の出
力Ｖ１と、抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２の比によって発生するＶ
２とを入力とする差動増幅型コンパレータＣ１とにより
構成する請求項１に記載の電圧検出回路を有する電源電
圧クランプ回路。 - 【請求項３】 電圧検出回路１２の出力を入力とし、電
源ＶＳＳと電源ＶＤＤの間に接続するＭＯＳトランジス
タにより構成する請求項１に記載のスイッチング回路を
有する電源電圧クランプ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10098855A JPH11298277A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 電源電圧クランプ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10098855A JPH11298277A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 電源電圧クランプ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11298277A true JPH11298277A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14230858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10098855A Pending JPH11298277A (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 電源電圧クランプ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11298277A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002006965A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Citizen Watch Co Ltd | レギュレータ回路およびこれを用いた回路 |
| WO2003054918A3 (de) * | 2001-12-11 | 2003-12-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip und schaltungsanordnung mit programmierspannungsüberwachung und deren verwendung |
-
1998
- 1998-04-10 JP JP10098855A patent/JPH11298277A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002006965A (ja) * | 2000-06-20 | 2002-01-11 | Citizen Watch Co Ltd | レギュレータ回路およびこれを用いた回路 |
| WO2003054918A3 (de) * | 2001-12-11 | 2003-12-24 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterchip und schaltungsanordnung mit programmierspannungsüberwachung und deren verwendung |
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