JPH11296441A - 誤り訂正回路 - Google Patents

誤り訂正回路

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JPH11296441A
JPH11296441A JP10101491A JP10149198A JPH11296441A JP H11296441 A JPH11296441 A JP H11296441A JP 10101491 A JP10101491 A JP 10101491A JP 10149198 A JP10149198 A JP 10149198A JP H11296441 A JPH11296441 A JP H11296441A
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JP
Japan
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data
area
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check
error
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Withdrawn
Application number
JP10101491A
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English (en)
Inventor
Ikuo Kanekawa
幾夫 金川
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Oki Electric Industry Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイナミックRAMに対するパーシャルライ
トを短時間で行う。 【解決手段】 主記憶装置50中にダイナミックRAM
で構成された記憶アレイ部51には、データ領域51a
及びチェックビット領域51bばかりでなく、データM
Dを書込む際に、パーシャルライトで書込んだか否かを
示す書込み情報SPWを格納する履歴ビット領域51c
が設定されている。パーシャルライトで書込みを行う場
合には、チェックビットMCが生成されず、リフレッシ
ュを行う際に、書込み情報SPWを参照して、パーシャ
ルライトで書込まれたデータMDに対する正しいチェッ
クビットMCが生成され、該チェックビットMCがチェ
ックビット領域51bに書込まれる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ダイナミックラン
ダムアクセスメモリ(以下、ダイナミックRAMとい
う)を使用した電子計算機等の主記憶装置に設けられ、
該ダイナミックRAMに格納されたデータの誤り訂正を
行う誤り訂正回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図2は、従来の誤り訂正回路を示す構成
図である。電子計算機等は、中央処理装置1と該中央処
理装置1に複数バイトからなるバスB等で接続された主
記憶装置10とを備えている。主記憶装置10は、ダイ
ナミックRAMで構成され、記憶素子がアレイ化された
記憶アレイ部11と、誤り訂正回路20を備えている。
【0003】記憶アレイ部11には、それぞれバスBと
同じビット長の複数バイトのデータMDを格納するデー
タ領域11aが設定されると共に、各データMDのエラ
ーチェックを行うための複数のチェックビットMCを格
納するチェックビット領域11bとが設定されている。
記憶アレイ部11には、中央処理装置1からアドレスが
与えられる構成になっている。データ誤り訂正回路20
は、そのチェックビット領域11bを含む構成であり、
該チェックビットMCを生成してこのチェックビット領
域11bに与えるチェックビット生成回路21と、記憶
アレイ部11から読出したデータMDとチェックビット
MCとからシンドロームS22を生成するシンドローム
生成回路22とを備えている。シンドローム生成回路2
2の出力側には、誤り検出訂正回路23が接続されてい
る。誤り検出訂正回路23の出力側は、バスBを介して
中央処理装置1に接続されると共に2入力セレクタ24
の一方の入力ポートに接続されている。セレクタ24の
他方の入力ポートは、バスBに接続されている。セレク
タ24の選択信号入力ポートには、パトロールチェック
回路25からのパトロールチェック信号PCHKが入力され
ると共に、バスBを介し、記憶アレイ部11の部分的な
書込み(以下、パーシャルライトという)を指示するパ
ーシャルライト指示信号PWが入力される構成になって
いる。
【0004】次に、図2の誤り訂正回路の動作を説明す
る。図2中の記憶アレイ部11に対して、パーシャルラ
イトでデータMDの書込みを行う場合、該記憶アレイ部
11に対してバイト単位のアクセスを行う。このパーシ
ャルライトで書込んだデータMDと、パーシャルライト
で書込みを行わなかったバイト位置のデータMDとにつ
いては、正しいチェックビットを生成しておく必要があ
る。そのため、従来の誤り訂正回路では、パーシャルラ
イトを行う場合に、次のような(a)ライト動作、
(b)誤り検出/訂正動作、(c)チェックビット生成
動作、及び(d)ライト動作を行う。以下、その概要を
説明する。 (a)リード動作 記憶部アレイ部11から、アドレスで指定されたデータ
MDと該データMDに対応して格納されたチェックビッ
トMCを読出す。このデータMDは、シンドローム生成
回路22及び誤り検出訂正回路23に与えられ、チェッ
クビットMCはシンドローム生成回路22に与えられ
る。
【0005】(b)誤り検出/訂正動作 シンドローム生成回路22は、データMD及びチェック
ビットMCに対応するシンドロームS22を生成する。
誤り検出訂正回路23は、シンドロームS22とデータ
MDとを比較し、リードしたデータMDに1ビット誤り
があればそれを訂正し、2ビット誤りがあれば誤り検出
のみを行う。つまり、いわゆる「1ビット誤り訂正、2
ビット誤り検出」を行う。訂正されたデータMDは、セ
レクタ24の一方の入力ポートに入力される。 (c)チェックビット生成動作 セレクタ24の他方の入力ポートには、中央処理装置1
から新たなデータMDが与えられると共に、選択信号ポ
ートには、パーシャルライト指示信号PWが与えられ
る。セレクタ24は、パーシャルライト指示信号PWが
与えられたときに、該新たなデータMDを選択し、デー
タ領域11aに与える。一方、チェックビット生成回路
21は、その新たなデータMDに対応するチェックビッ
トMCを生成してチェックビット領域11bに与える。
【0006】(d)ライト動作 記憶部アレイ11は、バスBを介して与えられたアドレ
スに対応するデータ領域11aのバイト位置に、新たな
データMDを書込むと共に、チェックビットMCを該デ
ータMDに対応させてチェックビット領域11bに書込
む。以上がパーシャルライトの動作である。一方、図2
の誤り訂正回路は、ダイナミックRAMのリフレッシュ
を行うときにも誤り検出及び訂正を行う。このときの誤
り検出及び訂正は、パトロールチェックとして一般的に
公知になっている。パトロールチェック回路25は、こ
のパトロールチェックにおける制御を行う回路である。
記憶アレイ部11から読出したデータMDに1ビット誤
りがある場合に、セレクタ24はパーシャルライト指示
信号PWによらず、パトロールチェック回路25からの
パトロールチェック信号PCHKに基づき、誤り検出訂正回
路23で訂正されたデータMDを選択する。これ以外の
動作は、パーシャルライトの場合と同様である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
誤り訂正回路では、次のような課題があった。パーシャ
ルライトを行うときに、前述の(a)のリード動作と、
(b)の誤り検出/訂正動作と、(c)のチェックビッ
ト生成動作と、(d)のライト動作ととからなる、いわ
ゆるリード・モディファイ・ライト動作が必要である。
そのため、メモリサイクルタイムが増加し、主記憶装置
10の高速化の妨げになっていた。
【0008】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明は、記憶素子がアレイ化されたダイナミック
RAMを有し、該アレイ中に、複数のデータを格納する
データ領域と該各データに対応してそれぞれ生成された
エラーチェック用のチェックビットを格納するチェック
ビット領域とを持つ記憶装置に設けられ、前記アレイか
ら前記対応するチェックビットと共に読出された前記デ
ータに対し、該チェックビットを参照して該データの誤
りを検出し、該誤りが訂正可能な場合には該データを訂
正する誤り訂正回路において、次のような書込み情報生
成手段、チェックビット生成手段、履歴領域、誤り検出
訂正手段及び選択手段を設けている。
【0009】前記書込み情報生成手段は、前記データ領
域に前記データを書込む際に、前記アレイに対するパー
シャルライトによって行ったか否かを示す書込み情報を
生成する手段である。チェックビット生成手段は、前記
データ領域に前記データを書込む際に、前記アレイに対
するパーシャルライトによって行う場合は前記チェック
ビットを生成せず、該パーシャルライト以外によって行
うときには該チェックビットを生成して前記チェックビ
ット領域に与える手段である。
【0010】履歴領域は、前記記憶装置の前記アレイ中
に、前記データ領域及び前記チェックビット領域とは独
立して設定され、前記格納されたデータごとの前記書込
み情報を格納するものである。誤り検出訂正手段は、前
記記憶装置から前記対応するチェックビット及び前記書
込み情報と共に読出された前記データに対して該書込み
情報に基いた判定を行い、該データが前記パーシャルラ
イトによって書込まれたと判定した場合には該データを
そのまま出力し、該パーシャルライト以外で書込まれた
と判定した場合には、該チェックビットを参照して適宜
前記誤りの検出及び訂正を行うものである。選択手段
は、外部から与えられた新たなデータを前記ダイナミッ
クRAMに書込む場合に、該新たなデータを前記データ
領域に与え、該ダイナミックRAMに対するリフレッシ
ュを行うときには前記誤り検出訂正手段から出力された
データを該データ領域に与える手段である。
【0011】本発明によれば、以上のように誤り訂正回
路を構成したので、パーシャルライトでは、データをデ
ータ領域に書込むが、チェックビットの生成が行われ
ず、そのパーシャルライトの書込み情報が履歴領域に書
込まれる。パーシャルライトでデータ領域に書込まれた
データは、誤り検出訂正手段で訂正されずに出力され、
ダイナミックRAMのリフレッシュを行うときに、選択
手段により、再びデータ領域に書込まれる。このときに
は、チェックビットが生成されて、データがデータ領域
に再び書込まれるのと同時に、チェックビット領域に書
込まれる。従って、前記課題を解決できるのである。
【0012】
【発明の実施の形態】図1は、本発明の実施形態を示す
誤り訂正回路の構成図である。この誤り訂正回路30
は、中央処理装置40と主記憶装置50とを有する例え
ば電子計算機に設けられたものであり、その主記憶装置
50に組み込まれている。中央処理装置40と主記憶装
置50との間は、複数バイトからなるバスBで接続され
ている。主記憶装置50は、ダイナミックRAMで構成
され、記憶素子がアレイ化された記憶アレイ部51を備
えている。記憶アレイ部51には、それぞれバスBと同
じビット長の複数バイトのデータMDを格納するデータ
領域(MD領域)51aと、各データMDのエラーチェ
ックを行うための複数のチェックビットMCを格納する
チェックビット領域(MC領域)51bとが、従来と同
様に設定され、さらに、従来には設定されていなかっ
た、書込み情報であるパーシャルライトの履歴ビットS
PWを格納する履歴ビット領域(PW領域)51cが設
定されている。
【0013】誤り訂正回路30は、記憶アレイ51のチ
ェックビット領域51bと履歴ビット領域51cとを含
む構成になっており、書込み情報生成手段である2入力
ANDゲート31と、チェックビット生成手段であるチ
ェックビット生成回路32とを有している。ANDゲー
ト31の出力側が履歴ビット領域51cに接続され、チ
ェックビット生成回路32の出力側が、チェックビット
領域51bに接続されている。記憶アレイ部51の出力
側には、シンドローム生成回路33及び誤り検出訂正手
段である誤り検出訂正回路34が設けられている。記憶
アレイ部51のデータ領域51a、チェックビット領域
51b及び履歴ビット領域51cの出力側は、シンドロ
ーム生成回路33の入力側に接続され、該データ領域5
1a及び履歴ビット領域51cの出力側とこのシンドロ
ーム生成回路33の出力側とが、誤り検出訂正手段であ
る誤り検出訂正回路34の入力側に接続されている。
【0014】誤り検出訂正回路34の出力側は、バスB
に接続されると共に、選択手段である2入力セレクタ3
5の一方の入力ポートに接続されている。セレクタ35
の他方の入力ポートは、バスBに接続されている。セレ
クタ35の選択信号ポートには、パトロールチェック回
路36の出力端子が接続され、該パトロールチェック回
路36から、パトロールチェック信号PCHKが入力される
ようになっている。セレクタ35の出力側が、記憶アレ
イ部51中のデータ領域51aに接続されている。パト
ロールチェック回路36の出力するパトロールチェック
信号PCHKは、ANDゲート31の他方の入力端子に、反
転されて入力されるようになっている。ANDゲート3
1の出力側は、履歴ビット領域51cばかりでなく、チ
ェックビット生成回路32の入力側にも接続されてい
る。
【0015】次に、図1の主記憶装置50に組み込まれ
た誤り訂正回路30の動作を、(1)パーシャルライト
動作と、(2)フルライト(全バイト位置に書込む)動
作と、(3)リード及び誤り検出訂正動作と、(4)パ
トロールチェック動作とに分けて説明する。
【0016】(1)パーシャルライト動作 パーシャルライトを行うとき、パトロールチェック回路
36は“0”のパトロールチェック信号PCHKを出力し、
主記憶装置50には、中央処理装置40からバスBを介
して、データ領域51aに書込むデータMDと“1”の
パーシャルライト指示信号PWとがアドレスADと共に
与えられる。セレクタ35は、“1”のパトロールチェ
ック信号PCHKが与えられていないので、バスBから与え
られたデータMDを選択してデータ領域51aに与え
る。アドレスADで指定される書込みバイト位置にの
み、バスBから与えられたデータMDが与えられる。こ
れと同時に、ANDゲート31を介して“1”の信号が
履歴ビット領域51cに与えられ、この“1”がデータ
MDに対応した履歴ビットSPWとして書込まれる。こ
の様に、このパーシャルライト動作では、データ領域5
1aの書込みバイト位置に対する書込みは行われるが、
チェックビット領域51bに対する書込みは、行われな
い。即ち、従来のようなリード・モディファイ・ライト
動作は行われない。
【0017】(2)フルライト動作 中央処理装置40から与えられたデータMDを全バイト
に書込むフルライトでは、パトロールチェック回路36
は“0”のパトロールチェック信号PCHKを出力し、主記
憶装置50には中央処理装置40からバスBを介して、
データ領域51aに書込むデータMDと“0”のパーシ
ャルライト指示信号PWとが与えられる。セレクタ35
は、パトロールチェック信号PCHKが与えられていないの
で、バスBから与えられたデータMDを選択してデータ
領域51aに与える。このとき、ANDゲート31は
“0”を出力している。そのため、履歴ビット領域51
cには、“0”が履歴ビットSPWとして書込まれる。
また、ANDゲート31の出力する“0”及びセレクタ
35の出力するデータMDが、チェックビット生成回路
32に入力される。チェックビット生成回路32は、デ
ータMDと履歴ビットSPWに相当する“0”とを符号
化したチェックビットMCを生成し、チェックビット領
域51bに与える。その結果、チェックビット領域51
bには、チェックビットMCが書込まれる。
【0018】(3)リード及び誤り検出訂正動作 記憶アレイ部51に書込まれたデータMDを読出す場
合、該データMDに対応して書込まれたチェックビット
MC及び履歴ビットSPWも同時に読出す。データM
D、チェックビットMC及び履歴ビットSPWは、シン
ドローム生成回路33に入力され、データMDと履歴ビ
ットSPWとは、誤り検出訂正回路34に入力される。
シンドローム生成回路33は復号化を行い、シンドロー
ムS33を生成する。誤り検出訂正回路34は、シンド
ロームS33とデータMDとの比較を行って、該データ
MDの誤りを検出する。ここで、データMDに1ビット
誤りがあれば、誤り検出訂正回路34はその誤りを訂正
し、2ビットの誤りがあれば、誤り検出のみを行ってバ
スBに出力する。また、履歴ビットSPWが“1”の場
合には、そのデータMDがパーシャルライトで書込まれ
たことを示しているので、該データMDに対応するチェ
ックビットMCの値は正しくない。履歴ビットSPW
は、誤り検出訂正回路34でマスク信号として用いら
れ、該履歴ビットSPWが“1”の場合には、誤り検出
訂正回路34は誤り検出訂正動作は行わず、与えられた
データMDの内容をそのままバスBに出力する。
【0019】(4)パトロールチェック動作 パトロールチェック動作は、ダイナミックRAMのリフ
レッシュ時に行われるものであり、まず、前記(3)の
リード及び誤り検出訂正動作を行う。そして、履歴ビッ
トSPWが“0”かつ1ビット誤りを検出した場合、ま
たは履歴ビットSPWが“1”の場合には、パトロール
チェック回路36が“1”を出力しているので、セレク
タ35は、誤り検出訂正回路34が出力するデータMD
を選択する。チェックビット生成回路32は、セレクタ
35の出力するデータMDに対応するチェックビットM
Cを生成し直す。セレクタ35から出力されたデータM
Dと、生成し直されたチェックビットMCが、データ領
域51a及びチェックビット領域51bに格納される。
データ領域51a及びチェックビット領域51bに対す
る書込みと同時に、ANDゲート31が出力する“0”
が、書込み情報SPWとして履歴ビット領域51cに書
込まれる。この様に、パトロールチェック動作では、通
常の誤り検出訂正動作の他に、以前に行われたパーシャ
ルライト動作によって書替えられたデータMDに正しい
チェックビットMCを付加することを、ダイナミックR
AMのリフレッシュ動作時に行う。
【0020】以上のように、本実施形態の誤り訂正回路
では、パーシャルライト動作時に、従来の(a)〜
(d)のようなライト・モディファイ・ライトは行わ
ず、書込みバイト位置に対するデータMDの書込みのみ
を実施し、パトロールチェック動作が行われるダイナミ
ックRAMのリフレッシュ時に、新たに設けられた履歴
ビット領域51cに格納された履歴ビットSPWを参照
し、パーシャルライト動作時に書込まれたデータMDに
対する正しいチェックビットMCを生成して格納する。
そのため、パーシャルライト時のメモリサイクルタイム
の増加が抑制され、主記憶装置50を高速化できる。な
お、本発明は、上記実施形態に限定されず種々の変形が
可能である。例えば、パーシャルライト指示信号PW及
びパトロールチェック信号PCHKは、正論理の信号で構成
したが、ANDゲート31を変更することで、負論理で
構成することが可能である。
【0021】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、誤り訂正回路に、書込み情報生成手段、チェック
ビット生成手段、履歴領域、誤り検出訂正手段及び選択
手段を設け、パーシャルライト動作時に、書込みバイト
位置に対するデータの書込みのみを実施し、パトロール
チェック動作が行われるダイナミックRAMのリフレッ
シュ時に、履歴領域に格納された書込み情報を参照し、
パーシャルライト動作時に書込まれたデータに対する正
しいチェックビットを生成して格納するようにしたの
で、従来のようなライト・モディファイ・ライトは行わ
ない。そのため、パーシャルライト時のメモリサイクル
タイムの増加が抑制され、メモリ装置を高速化できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態を示す誤り訂正回路の構成図
である。
【図2】従来の誤り訂正回路を示す構成図である。
【符号の説明】
30 誤り訂正回路 31 ANDゲート 32 チェックビット生成回路 34 誤り検出訂正回路 35 セレクタ 36 パトロールチェック回路 51 記憶アレイ部 51a データ領域 51b チェックビット領域 51c 履歴ビット領域

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 記憶素子がアレイ化されたダイナミック
    ランダムアクセスメモリを有し、該アレイ中に、複数の
    データを格納するデータ領域と該各データに対応してそ
    れぞれ生成されたエラーチェック用のチェックビットを
    格納するチェックビット領域とを持つ記憶装置に設けら
    れ、 前記アレイから前記対応するチェックビットと共に読出
    された前記データに対し、該チェックビットを参照して
    該データの誤りを検出し、該誤りが訂正可能な場合には
    該データを訂正する誤り訂正回路において、 前記データ領域に前記データを書込む際に、前記アレイ
    に対する部分的な書込みによって行ったか否かを示す書
    込み情報を生成する書込み情報生成手段と、 前記データ領域に前記データを書込む際に、前記アレイ
    に対する前記部分的な書込みによって行う場合は前記チ
    ェックビットを生成せず、該部分的な書込み以外によっ
    て行うときには該チェックビットを生成して前記チェッ
    クビット領域に与えるチェックビット生成手段と、 前記記憶装置の前記アレイ中に、前記データ領域及び前
    記チェックビット領域とは独立して設定され、前記格納
    されたデータごとの前記書込み情報を格納する履歴領域
    と、 前記記憶装置から前記対応するチェックビット及び前記
    書込み情報と共に読出された前記データに対して該書込
    み情報に基いた判定を行い、該データが前記部分的な書
    込みによって書込まれたと判定した場合には該データを
    そのまま出力し、該部分的な書込み以外で書込まれたと
    判定した場合には、該チェックビットを参照して適宜前
    記誤りの検出及び訂正を行う誤り検出訂正手段と、 外部から与えられた新たなデータを前記ダイナミックラ
    ンダムアクセスメモリに書込む場合に、該新たなデータ
    を前記データ領域に与え、該ダイナミックランダムアク
    セスメモリに対するリフレッシュを行うときには前記誤
    り検出訂正手段から出力されたデータを該データ領域に
    与える選択手段とを、 備えたことを特徴とする誤り訂正回路。
JP10101491A 1998-04-13 1998-04-13 誤り訂正回路 Withdrawn JPH11296441A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6657920B2 (en) 2001-09-20 2003-12-02 Hynix Semiconductor Inc. Circuit for generating internal address in semiconductor memory device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6657920B2 (en) 2001-09-20 2003-12-02 Hynix Semiconductor Inc. Circuit for generating internal address in semiconductor memory device

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Effective date: 20050705