JPH11295712A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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Publication number
JPH11295712A
JPH11295712A JP9765198A JP9765198A JPH11295712A JP H11295712 A JPH11295712 A JP H11295712A JP 9765198 A JP9765198 A JP 9765198A JP 9765198 A JP9765198 A JP 9765198A JP H11295712 A JPH11295712 A JP H11295712A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
substrate
light
shielding layer
display device
Prior art date
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Pending
Application number
JP9765198A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiko Yanagawa
和彦 柳川
Keiichiro Ashizawa
啓一郎 芦沢
Masayuki Hikiba
正行 引場
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP9765198A priority Critical patent/JPH11295712A/en
Publication of JPH11295712A publication Critical patent/JPH11295712A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent light from leaking from an outer periphery of an effective display area of a liquid crystal display device. SOLUTION: This liquid crystal display device is constituted by being provided with at least an electrode group and a wiring electrode group for the picture element selection on an inner surfaces of at least one of a couple of substrates SUB2, SUB1, and plural color filters divided by inner surface shading layers BM on an inner surface of the other substrate, a liquid crystal panel PNL holding a liquid crystal layer LC in the space between the pair of opposing substrates, and a driving circuit for impressing a voltage for picture element selection to the electrode group through the wiring electrode group. In this case, the inner surface shading layers BM of the other substrate are formed also in the periphery of an effective display area on the substrate, and also an outside surface shading layer FMS is also provided which is formed in the area spanning to the position corresponding to the outer peripheral side end face of the inner surface shading layers BM from the end face of the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に有効表示領域の周辺からの光漏れを防止して表
示品質を向上させた液晶表示装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device having improved display quality by preventing light leakage from a periphery of an effective display area.

【0002】[0002]

【従来の技術】ノート型コンピユータやディスプレイモ
ニター用の高精細かつカラー表示が可能な表示装置とし
て液晶表示装置が広く採用されている。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display device has been widely used as a display device capable of high-definition and color display for a notebook computer or a display monitor.

【0003】液晶表示装置には平行配置された多数の電
極を形成した一対の基板を、当該電子銃が交差する如く
貼り合わせ、貼り合わせ間隙に液晶を挟持した単純マト
リクス型の液晶表示装置(一般に、STN型液晶表示装
置と称する)と、単位画素毎に画素選択用のスイッチン
グ素子を設けたアクティブマトリクス型液晶表示装置と
がある。
In a liquid crystal display device, a pair of substrates having a large number of electrodes arranged in parallel are bonded so that the electron guns cross each other, and a liquid crystal display device of a simple matrix type (generally, a liquid crystal is sandwiched in a bonding gap). , STN type liquid crystal display devices) and active matrix type liquid crystal display devices provided with switching elements for pixel selection for each unit pixel.

【0004】特に、アクティブマトリクス型液晶表示装
置としては、ツイステッドネマチック(TN)方式に代
表されるように、画素選択用の電極群が上下一対の基板
のそれぞれに形成した液晶パネルを用いた、所謂縦電界
方式液晶表示装置(一般に、TN方式液晶表示装置と称
する)と、画素選択用の電極群が上下一対の基板の一方
のみに形成されている液晶パネルを用いた、所謂横電界
方式液晶表示装置(一般に、IPS方式液晶表示装置と
称する)とがある。
[0004] In particular, as a so-called active matrix type liquid crystal display device, a so-called twisted nematic (TN) system is used, which is a so-called liquid crystal panel using a pixel selection electrode group formed on each of a pair of upper and lower substrates. A so-called horizontal electric field type liquid crystal display using a vertical electric field type liquid crystal display device (generally called a TN type liquid crystal display device) and a liquid crystal panel in which an electrode group for pixel selection is formed on only one of a pair of upper and lower substrates. Device (generally referred to as an IPS mode liquid crystal display device).

【0005】前者のTN方式液晶表示装置を構成する液
晶パネルは、一対(2枚)の基板内で液晶が90°ねじ
れて配向されており、その液晶パネルの上下基板の外面
に吸収軸方向をクロスニコル配置し、かつ入射側の吸収
軸をラビング方向に平行または直交させた2枚の偏光板
を積層している。ラビング方向と偏光板の吸収軸が平行
な場合は‘O’モード、垂直な場合は‘E’モードと呼
ばれる。
In a liquid crystal panel constituting the former TN mode liquid crystal display device, the liquid crystal is twisted by 90 ° in a pair of (two) substrates, and the absorption axis directions are arranged on the outer surfaces of the upper and lower substrates of the liquid crystal panel. Two polarizing plates are arranged in a crossed Nicols state and the absorption axes on the incident side are parallel or perpendicular to the rubbing direction. When the rubbing direction is parallel to the absorption axis of the polarizing plate, it is called an "O" mode, and when it is perpendicular, it is called an "E" mode.

【0006】このようなTN方式の液晶表示装置は、電
圧無印加時で入射光は入射側偏光板で直線偏光となり、
この直線偏光は液晶層のねじれに沿って伝播し、出射側
偏光板の透過軸が当該直線偏光の方位角と一致している
場合は直線偏光は全て出射して白表示となる(所謂、ノ
ーマリオープン配置)。
In such a TN type liquid crystal display device, when no voltage is applied, incident light becomes linearly polarized light by an incident side polarizing plate.
The linearly polarized light propagates along the twist of the liquid crystal layer, and when the transmission axis of the exit-side polarizing plate matches the azimuth of the linearly polarized light, all of the linearly polarized light is emitted to form a white display (a so-called “no”). Mari open arrangement).

【0007】また、電圧印加時は、液晶層を構成する液
晶分子軸の平均的な配向方向を示す単位ベクトルの向き
(ダイレクター)は基板面と垂直な方向を向き、入射側
直線偏光の方位角は変わらないため出射側偏光板の吸収
軸と一致するため黒表示となる。(1991年、工業調
査会発行「液晶の基礎と応用」参照)。
When a voltage is applied, the direction (director) of a unit vector indicating the average alignment direction of the liquid crystal molecular axes constituting the liquid crystal layer is oriented in a direction perpendicular to the substrate surface, and the azimuth of the incident side linearly polarized light. Since the angle does not change, it coincides with the absorption axis of the exit-side polarizing plate, so that black display is performed. (See "Basics and Applications of Liquid Crystals" published by the Industrial Research Council in 1991).

【0008】一方、一対の基板の一方にのみ画素選択用
の電極群や電極配線群を形成し、当該基板上で隣接する
電極間(画素電極と対向電極の間)に電圧を印加して液
晶層を基板面と平行な方向にスイッチングするIPS方
式の液晶表示装置では、電圧無印加時に黒表示となるよ
うに偏光板が配置されている(所謂、ノーマリクローズ
配置)。
On the other hand, an electrode group for pixel selection and an electrode wiring group are formed only on one of a pair of substrates, and a voltage is applied between adjacent electrodes (between a pixel electrode and a counter electrode) on the substrate by applying a voltage. In an IPS type liquid crystal display device in which layers are switched in a direction parallel to the substrate surface, a polarizing plate is arranged so as to display black when no voltage is applied (a so-called normally closed arrangement).

【0009】このIPS方式液晶表示装置の液晶層は、
初期状態で基板面と平行なホモジニアス配向で、かつ基
板と平行な平面で液晶層のダイレクターは電圧無印加時
で電極配線方向と平行または幾分角度を有し、電圧印加
時で液晶層のダイレクターの向きが電圧の印加に伴い電
極配線方向と垂直な方向に移行し、液晶層のダイレクタ
ー方向が電圧無印加時のダイレクター方向に比べて45
°電極配線方向に傾斜したとき、当該電圧印加時の液晶
層は、まるで1/2波長板のように偏光の方位角を90
°回転させ、出射側偏向板の透過軸と偏光の方位角が一
致して白表示となる。
The liquid crystal layer of this IPS mode liquid crystal display device is
In the initial state, the director of the liquid crystal layer is in a homogeneous orientation parallel to the substrate surface, and in a plane parallel to the substrate, the director of the liquid crystal layer is parallel or somewhat angled with the electrode wiring direction when no voltage is applied, and the liquid crystal layer is oriented when the voltage is applied. The direction of the director shifts in a direction perpendicular to the electrode wiring direction with the application of the voltage, and the director direction of the liquid crystal layer is 45 times smaller than the director direction when no voltage is applied.
° When tilted in the electrode wiring direction, the liquid crystal layer at the time of applying the voltage has an azimuth of 90 degrees of polarization as if it were a half-wave plate.
And the azimuth of the polarized light coincides with the transmission axis of the exit-side polarizing plate, and a white display is obtained.

【0010】このIPS方式液晶表示装置は、視野角に
おいても色相やコントラストの変化が少なく、広視野角
化が図られるという特徴を有している(特開平5−50
5247号公報参照)。
The IPS mode liquid crystal display device has a feature that a change in hue and contrast is small even at a viewing angle, and a wide viewing angle is achieved (Japanese Patent Laid-Open No. 5-50).
No. 5247).

【0011】上記IPS方式液晶表示装置では、基板と
平行な電界を形成する必要があるため、画素電極と基準
電極とを一方の基板上に櫛歯状に形成した構造が採用さ
れる。そして、画素電極にはスイッチング素子(一般
に、薄膜トランジスタ素子:TFT、以下スイッチング
素子を薄膜トランジスタTFTとして説明する)を通じ
て映像信号線より信号電圧が供給され、基準電極には基
準信号線から基準電圧が供給される。
In the IPS mode liquid crystal display device, since it is necessary to form an electric field parallel to the substrate, a structure in which a pixel electrode and a reference electrode are formed in a comb shape on one substrate is employed. A signal voltage is supplied from a video signal line to a pixel electrode through a switching element (generally, a thin film transistor: TFT; the switching element is hereinafter described as a thin film transistor TFT), and a reference voltage is supplied from a reference signal line to a reference electrode. You.

【0012】TFTはフォトリソグラフィー技法を複数
工程用いて形成されるが、上記の基準信号線は、TFT
のフォトリソグラフィーの工程数を低減させるため、映
像信号線の延在方向と垂直な方向、走査信号線と平行な
方向、画素電極及び基準電極と垂直な方向に形成され
る。
A TFT is formed by using a plurality of steps of a photolithography technique.
In order to reduce the number of photolithography steps, a direction perpendicular to the extending direction of the video signal line, a direction parallel to the scanning signal line, and a direction perpendicular to the pixel electrode and the reference electrode are formed.

【0013】このような液晶表示装置に用いられる液晶
パネルは、有効表示領域外の周辺からの光漏れを防止す
ることが表示品質上必要である。このため、遮光層を周
辺部に形成する手法が一般に用いられている。また、こ
の遮光層と、液晶パネル上部のフレームを重畳させて遮
光することも行われている。
In a liquid crystal panel used in such a liquid crystal display device, it is necessary for display quality to prevent light leakage from the periphery outside the effective display area. For this reason, a method of forming a light-shielding layer in a peripheral portion is generally used. Further, the light shielding layer is superimposed on the frame above the liquid crystal panel to shield the light.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】液晶パネルとフレーム
の間には、液晶パネルを固定するための粘着スペーサ
(以下、粘着テープと言う)が介挿されているのが普通
である。このため、液晶パネルとフレーム間の距離が、
周辺の遮光を困難にするという問題があった。
Generally, an adhesive spacer (hereinafter referred to as an adhesive tape) for fixing the liquid crystal panel is interposed between the liquid crystal panel and the frame. For this reason, the distance between the liquid crystal panel and the frame is
There is a problem that it is difficult to shade the surrounding area.

【0015】図14は従来の液晶表示装置の液晶パネル
とフレームの組立て構造の一例を説明する要部断面図で
ある。下基板SUB1と上基板SUB2の間に液晶層L
Cを挟持してなる液晶パネルPNLと、この液晶パネル
PNLの背面に設置したバックライトBLを、図示しな
い駆動回路基板、その他の構成部材と共にフレームSH
Dで固定して液晶表示装置を構成している。
FIG. 14 is a sectional view of an essential part for explaining an example of an assembling structure of a liquid crystal panel and a frame of a conventional liquid crystal display device. Liquid crystal layer L between lower substrate SUB1 and upper substrate SUB2
C and a backlight BL installed on the back of the liquid crystal panel PNL together with a drive circuit board (not shown) and other components.
The liquid crystal display device is constituted by fixing at D.

【0016】なお、液晶パネルPNLを構成する一対の
基板(下基板SUB1と上基板SUB2)の周縁はシー
ル材SLで封止されている。また、図では上基板SUB
2の内面に遮光層であるブラックマトリクスBMで区画
された複数のカラーフィルタFILが形成されている。
一対の基板の内面には、この他に液晶表示装置の表示形
式によって異なる電極、配線電極、あるいは偏光板、そ
の他の機能部材群が形成または積層されているが、ここ
では図示を省略してある。
The periphery of a pair of substrates (lower substrate SUB1 and upper substrate SUB2) constituting the liquid crystal panel PNL is sealed with a sealing material SL. Also, in the figure, the upper substrate SUB
A plurality of color filters FIL partitioned by a black matrix BM, which is a light-shielding layer, are formed on the inner surface of the second filter 2.
On the inner surfaces of the pair of substrates, other electrodes, wiring electrodes, or polarizing plates, and other functional member groups that are different depending on the display format of the liquid crystal display device are formed or laminated, but are not shown here. .

【0017】図14において、バックライトBLからの
斜め方向の漏れ光は、図示したように液晶パネルPNL
のブラックマトリクスBMの外周側端面とフレームSH
Dの窓の内端を結ぶ直線方向から漏れ始める。フレーム
SHDとカラーフィルタFILが形成された上基板SU
B2との間に粘着テープBATが介在する場合のバック
ライトBLからの漏れ光をL1 、上基板SUB2の表面
との成す角度をαとする。もし、この粘着テープBAT
が無い場合には、液晶パネルの上基板SUB2と仮想線
で示したフレームSHD’とは上下で接することになる
ため、バックライトBLからの斜め方向の漏れ光L2
上基板SUB2の表面との成す角度がβの光となり、β
<<αで漏れ光L2 は視角方向(液晶パネルの面と略直
角方向)からは視認困難なものとなるため、特別な遮光
手段は必要ない。
In FIG. 14, the light leaked from the backlight BL in the oblique direction is, as shown in FIG.
Of the black matrix BM and the frame SH
It starts to leak from the direction of the straight line connecting the inner ends of the windows of D. Upper substrate SU on which frame SHD and color filter FIL are formed
Let L 1 be the light leaked from the backlight BL when the adhesive tape BAT is interposed between B1 and B2, and let α be the angle formed by the surface of the upper substrate SUB2. If this adhesive tape BAT
If not, it becomes into contact with the upper and lower and upper substrate SUB2 of the liquid crystal panel and the frame SHD 'shown in phantom, the leakage light L 2 in an oblique direction from the backlight BL is the surface of the upper substrate SUB2 Becomes the light of β, β
<< leakage light L 2 at α since becomes visible difficult from viewing angle direction (the plane substantially perpendicular direction of the liquid crystal panel), a special light shielding means is not necessary.

【0018】しかし、図示したように、粘着テープBA
Tを設けて液晶パネルPNLとフレームSHDの位置ず
れ解消の対策としたものでは、液晶パネルPNLの有効
表示領域周辺におけるバックライトBLからの漏れ光を
1 は視角方向に近い角度αで出射するため、周辺の遮
光が困難になるという問題があった。
However, as shown, the adhesive tape BA
Provided T is obtained by the measures of the displacement resolution of the liquid crystal panel PNL and the frame SHD, L 1 and leakage light from the backlight BL in the effective display region around the liquid crystal panel PNL is emitted at an angle α close to the viewing angle direction Therefore, there has been a problem that it is difficult to shield the surrounding area.

【0019】その解決策として、フレームSHDの窓の
内端をより有効表示領域に近づければよい。しかし、こ
の方法では、フレームと液晶パネルPNLの合わせ裕度
が問題となり、有効領域から液晶パネルPNLの基板の
端面までの寸法を小さくする、所謂狭額縁化に対応でき
ない。
As a solution, the inner edge of the window of the frame SHD should be closer to the effective display area. However, according to this method, the alignment tolerance between the frame and the liquid crystal panel PNL becomes a problem, and it is not possible to cope with the so-called narrowing of the frame, that is, to reduce the dimension from the effective area to the end face of the substrate of the liquid crystal panel PNL.

【0020】他の解決策として、ブラックマトリクスB
Mを液晶パネルPNLの基板の端面まで形成するという
技術が公知である。しかしこの方法では、ブラックマト
リクスBMが金属材料で構成されている場合には、金属
端が大気中に露出するため、電触による信頼性の低下を
招くという問題があった。また、ブラックマトリクスを
有機樹脂材料で形成した場合には、液晶パネルの製作時
の基板切断時の応力で基板の端面で剥がれが発生し、遮
光ができなくなるという問題があった。
As another solution, a black matrix B
A technique of forming M up to the end face of the substrate of the liquid crystal panel PNL is known. However, in this method, when the black matrix BM is made of a metal material, the metal edge is exposed to the air, and thus there is a problem that the reliability is reduced due to electric contact. In addition, when the black matrix is formed of an organic resin material, there is a problem that peeling occurs at the end face of the substrate due to stress at the time of cutting the substrate when manufacturing the liquid crystal panel, and light cannot be blocked.

【0021】本発明の目的は、上記従来技術の諸問題を
解消し、ブラックマトリクスを液晶パネルの基板端面に
露出させることなく、かつ粘着テープが無い場合と同等
の有効表示領域周辺での遮光性能を向上させて高品質の
画像表示を可能とした液晶表示装置を提供することにあ
る。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, to prevent the black matrix from being exposed on the end face of the substrate of the liquid crystal panel, and to provide a light shielding performance around an effective display area equivalent to that without an adhesive tape. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device capable of displaying a high quality image by improving image quality.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は下記の(1)〜(8)に記載の構成とした
点に特徴を有する。
Means for Solving the Problems In order to achieve the above-mentioned object, the present invention is characterized by having the following constitutions (1) to (8).

【0023】(1)一対の基板の少なくとも一方の基板
の内面に画素選択用の電極群および配線電極群を有し、
他方の基板の内面に内面遮光層で区画された複数色のカ
ラーフィルタを有し、当該一対の基板の対向間隙に液晶
層を挟持した液晶パネルと、前記配線電極群を介して前
記電極群に画素選択用の電圧を印加する駆動回路とを少
なくとも具備してなり、前記他方の基板の前記内面遮光
層を、当該基板の有効表示領域の周囲にも形成すると共
に、前記他方の基板の外面に、当該基板の端面から少な
くとも前記内面遮光層の外周側端面に対応する位置に至
る領域に外面遮光層を形成した。
(1) An electrode group for selecting pixels and a wiring electrode group are provided on the inner surface of at least one of the pair of substrates,
A liquid crystal panel having a plurality of color filters separated by an inner light-shielding layer on the inner surface of the other substrate, and a liquid crystal panel sandwiching a liquid crystal layer in an opposing gap between the pair of substrates, and the electrode group via the wiring electrode group; A drive circuit for applying a voltage for pixel selection, and the inner surface light-shielding layer of the other substrate is also formed around an effective display area of the substrate, and on the outer surface of the other substrate. An outer light-shielding layer was formed at least in a region from an end surface of the substrate to a position corresponding to an outer-side end surface of the inner light-shielding layer.

【0024】この構成により、有効表示領域外周におけ
るバックライトからの漏れ光による画面表示の視認性低
下が防止され、高品質の表示画像を得ることができる。
With this configuration, it is possible to prevent the visibility of the screen display from being degraded due to the leakage light from the backlight at the outer periphery of the effective display area, and to obtain a high quality display image.

【0025】(2)一対の基板の一方の基板の内面にの
み画素選択用の電極群と配線電極群およびスイッチング
素子群を有し、他方の基板の内面に内面遮光層で区画さ
れた複数色のカラーフィルタを有し、当該一対の基板の
対向間隙に液晶層を挟持した液晶パネルと、前記配線電
極群を介して前記スイッチング素子群に画素選択用の電
圧を選択的に印加する駆動回路とを少なくとも具備して
なり、前記他方の基板の前記内面遮光層を、当該基板の
有効表示領域の周囲にも形成すると共に、前記他方の基
板の外面に、当該基板の端面から少なくとも前記内面遮
光層の外周側端面に対応する位置に至る領域に外面遮光
層を形成した。
(2) Pixel selection electrodes, wiring electrodes, and switching elements are provided only on the inner surface of one of the pair of substrates, and a plurality of colors are defined on the inner surface of the other substrate by an inner light-shielding layer. A liquid crystal panel having a color filter, and a liquid crystal layer sandwiched between opposing gaps of the pair of substrates; and a drive circuit for selectively applying a pixel selection voltage to the switching element group via the wiring electrode group. At least the inner light-shielding layer of the other substrate is also formed around an effective display area of the other substrate, and at least the inner light-shielding layer is formed on an outer surface of the other substrate from an end surface of the substrate. The outer light-shielding layer was formed in a region reaching a position corresponding to the outer peripheral side end surface of the above.

【0026】この構成により、有効表示領域外周におけ
るバックライトからの漏れ光による画面表示の視認性低
下が防止され、高品質の表示画像を得ることができる。
With this configuration, it is possible to prevent the visibility of the screen display from being degraded due to the leakage light from the backlight in the outer periphery of the effective display area, and to obtain a high quality display image.

【0027】(3)(1)または(2)おける前記液晶
パネルの有効表示領域の外周に内端を有する窓を設けた
フレームを備え、前記上基板の前記内面遮光層を、当該
他方の基板の有効表示領域の周囲にも形成すると共に、
前記他方の基板の外面に、前記フレームの窓の内端から
前記内面遮光層の外周側端面に対応する位置に至る領域
に外面遮光層を形成した。
(3) A frame provided with a window having an inner end on the outer periphery of the effective display area of the liquid crystal panel in (1) or (2), wherein the inner light-shielding layer of the upper substrate is provided on the other substrate. Around the effective display area of
On the outer surface of the other substrate, an outer light-shielding layer was formed in a region from the inner end of the window of the frame to a position corresponding to the outer-side end surface of the inner light-shielding layer.

【0028】この構成により、フレームによる漏れ光の
遮光と共に液晶パネルの有効表示領域外周におけるバッ
クライトからの漏れ光による画面表示の視認性低下が防
止され、高品質の表示画像を得ることができる。
With this configuration, it is possible to prevent the leakage of light from the frame and to prevent the visibility of the screen display from being degraded due to the leakage of light from the backlight in the outer periphery of the effective display area of the liquid crystal panel, so that a high quality display image can be obtained.

【0029】(4)(1)、(2)または(3)におけ
る前記表面遮光層を金属材料で形成し、前記内面遮光層
を有機材料で形成した。
(4) The surface light-shielding layer in (1), (2) or (3) was formed of a metal material, and the inner surface light-shielding layer was formed of an organic material.

【0030】有機材料と金属材料とでは、フォトリソグ
ラフィー工程での薬液がことなるため、前記他方の基板
の内面に形成するブラックマトリクスやカラーフィルタ
のパターニングと外面に成膜した表面遮光層のパターニ
ング工程での相互の影響がなく、所望のパターンを安定
して作成できる。特に、内面に金属膜を有しない横電界
方式の当該他方の基板では効果が大きい。
Since the organic material and the metal material use different chemicals in the photolithography process, the patterning of the black matrix or color filter formed on the inner surface of the other substrate and the patterning process of the surface light-shielding layer formed on the outer surface are performed. Thus, a desired pattern can be stably created without any mutual influences. In particular, the effect is great for the other substrate of the horizontal electric field type having no metal film on the inner surface.

【0031】(5)(1)〜(4)の何れかにおける前
記表面遮光層を覆って透明導電膜を前記上基板の表面の
全面に形成した。
(5) A transparent conductive film is formed on the entire surface of the upper substrate so as to cover the surface light-shielding layer in any one of (1) to (4).

【0032】(6)(1)〜(4)の何れかにおける前
記表面遮光層を前記透明導電層の上層に形成した。
(6) The surface light-shielding layer in any one of (1) to (4) was formed on the transparent conductive layer.

【0033】(7)(5)または(6)における前記表
面遮光層を金属材料により形成した。(8)(5)また
は(6)における前記透明導電層を前記フレームと電気
的に接続した。
(7) The surface light-shielding layer in (5) or (6) is formed of a metal material. (8) The transparent conductive layer in (5) or (6) was electrically connected to the frame.

【0034】上記(6)〜(8)の構成により、バック
ライトからの光漏れが防止されると共に液晶パネルの画
面における静電気の帯電を防止でき、高画質の画像表示
を得ることができる。
According to the above constitutions (6) to (8), light leakage from the backlight can be prevented, and at the same time, electrostatic charge on the screen of the liquid crystal panel can be prevented, so that a high-quality image display can be obtained.

【0035】[0035]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、実施例を参照して詳細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to examples.

【0036】〔実施例1〕(クレーム1に対応) 図1は本発明による液晶表示装置の第1実施例の構成を
模式的に示す要部断面図、図2は図1の液晶表示装置の
全体の構成を模式的に示す断面図である。
Embodiment 1 (corresponding to claim 1) FIG. 1 is a cross-sectional view of a principal part schematically showing a configuration of a first embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of the liquid crystal display device of FIG. It is sectional drawing which shows the whole structure typically.

【0037】図1と図2において、SHDはフレーム
(一般には金属製)、BATは粘着テープ、FSMは外
面遮光膜、SUB2は上基板、BMは内面遮光膜(ブラ
ックマトリクス)、LCは液晶層、SUB1は下基板、
SLシール材、BLはバックライトを示す。そして、P
NLは液晶パネルである。
In FIGS. 1 and 2, SHD is a frame (generally made of metal), BAT is an adhesive tape, FSM is an outer light-shielding film, SUB2 is an upper substrate, BM is an inner light-shielding film (black matrix), and LC is a liquid crystal layer. , SUB1 is a lower substrate,
SL seal material and BL indicate a backlight. And P
NL is a liquid crystal panel.

【0038】液晶パネルPNLは、一方の基板である下
基板SUB1と他方の基板である上基板SUB2からな
る一対の基板SUB1,SUB2、およびこの一対の基
板SUB1,SUB2の対向間隙に挟持してシール材S
Lで封止された液晶層LCを有している。下基板SUB
1と上基板SUB2の内面には、液晶表示装置の動作方
式に応じた電極群、配線電極群、スイッチング素子、そ
の他の機能部材がそれぞれの基板に形成されているが、
ここでは図示を省略してある。
The liquid crystal panel PNL has a pair of substrates SUB1 and SUB2 composed of a lower substrate SUB1 which is one substrate and an upper substrate SUB2 which is the other substrate, and a seal sandwiched between opposing gaps of the pair of substrates SUB1 and SUB2. Material S
It has a liquid crystal layer LC sealed with L. Lower substrate SUB
1 and an inner surface of the upper substrate SUB2, an electrode group, a wiring electrode group, a switching element, and other functional members corresponding to the operation mode of the liquid crystal display device are formed on each substrate.
Here, illustration is omitted.

【0039】そして、この液晶パネルPNLの背面には
照明用のバックライトBLが配置され、液晶パネルPN
Lの上基板SUB2の周辺に粘着テープBATを介挿し
て図示しない駆動回路基板等と共にフレームSHDで一
体に固定されている。このバックライトBLからの光で
液晶パネルPNLを照明して当該液晶パネルPNLに形
成した画像を可視化する。なお、液晶パネルPNLとバ
ックライトBLの間にも適宜のスペーサが介挿される
が、図示は省略してある。
A backlight BL for illumination is arranged on the back of the liquid crystal panel PNL.
L is integrally fixed with a drive circuit board and the like (not shown) by a frame SHD around an upper substrate SUB2 through an adhesive tape BAT. The light from the backlight BL illuminates the liquid crystal panel PNL to visualize the image formed on the liquid crystal panel PNL. Although an appropriate spacer is interposed between the liquid crystal panel PNL and the backlight BL, it is not shown.

【0040】図1に示した表面遮光層FSMは、液晶パ
ネルPNLを構成する上基板SUB2の基板端面から少
なくともブラックマトリクスBMの端面に至る領域に形
成され、かつ画素単位で液晶の挙動を制御しうる表示領
域(有効表示領域)に対応する位置には形成されていな
い。
The surface light-shielding layer FSM shown in FIG. 1 is formed in a region from the substrate end surface of the upper substrate SUB2 constituting the liquid crystal panel PNL to at least the end surface of the black matrix BM, and controls the behavior of the liquid crystal in pixel units. It is not formed at a position corresponding to a possible display area (effective display area).

【0041】図3は本実施例の効果を模式的に説明する
液晶表示装置の要部断面図であって、上記実施例の構成
により、内面遮光層であるブラックマトリクスBLと表
面遮光層FSMにより遮光がなされ、前記図20に示し
たバックライトBLから光L1 は有効表示領域に達せ
ず、有効領域に漏れ始めるバックライトBLからの光L
2 の角度βは小さくなり、表面遮光層FSMの有効表示
領域側の端面の位置とフレームSHDの端面が上基板S
UB2に垂直な方向の位置が同一である場合に最大とな
るが、この光L2 は視角方向から大きくずれ、通常の視
角からは視認困難となる。
FIG. 3 is a cross-sectional view of a principal part of a liquid crystal display device schematically illustrating the effect of the present embodiment. In the structure of the above-described embodiment, a black matrix BL as an inner light shielding layer and a surface light shielding layer FSM are used. shading is performed, the light L 1 from the backlight BL shown in FIG. 20 does not reach the effective display area, the light L from the backlight BL begins to leak in the effective region
2 becomes small, and the position of the end face of the front light shielding layer FSM on the effective display area side and the end face of the frame SHD are the upper substrate S
UB2 direction perpendicular position but becomes maximum when the same, the light L 2 is deviated from the viewing angle direction, the invisibility from normal viewing angle.

【0042】図3の構成から明らかなように、ブラック
マトリクスBMの外周側端縁を液晶パネルPNLの外周
側に延長させて外面遮光層FSMとの重なり量を増加さ
せれば上記の光L2 が有効表示領域に出射するのを防止
できる。
As is apparent from the configuration shown in FIG. 3, if the outer peripheral edge of the black matrix BM is extended toward the outer peripheral side of the liquid crystal panel PNL to increase the amount of overlap with the outer light-shielding layer FSM, the light L 2 is increased. Can be prevented from being emitted to the effective display area.

【0043】この実施例により、液晶表示装置の有効表
示領域周辺の光漏れを抑制して高品質の画像表示を得る
ことができる。
According to this embodiment, light leakage around the effective display area of the liquid crystal display device can be suppressed and a high quality image display can be obtained.

【0044】〔実施例2〕図4は本発明による液晶表示
装置の第2実施例の構成を模式的に示す要部断面図であ
る。図1における表面遮光層FMSは、必ずしもフレー
ムSHDの窓の内端から液晶パネルの基板端縁まで形成
されている必要はない。したがって、本実施例では、表
面遮光層FMSを、少なくともフレームSHDの窓の内
端から液晶パネルの上基板SUB2の内面の有効表示領
域の外周に形成されているブラックマトリクスの外周縁
に至る領域(図4のDで示した範囲)に形成した。
[Embodiment 2] FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a main part of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention. The surface light-shielding layer FMS in FIG. 1 does not necessarily need to be formed from the inner end of the window of the frame SHD to the edge of the substrate of the liquid crystal panel. Therefore, in the present embodiment, the surface light-shielding layer FMS is provided at least from the inner edge of the window of the frame SHD to the outer edge of the black matrix formed on the outer edge of the effective display area on the inner surface of the upper substrate SUB2 of the liquid crystal panel ( (The range indicated by D in FIG. 4).

【0045】本実施例によっても、前記第1実施例と同
様にバックライトからの光漏れを防止でき、高品質の画
像表示を得ることができる。
According to the present embodiment, similarly to the first embodiment, light leakage from the backlight can be prevented, and a high-quality image display can be obtained.

【0046】〔実施例3〕本実施例は、第1実施例ある
いは第2実施例における表面遮光層FSMを金属材料で
形成すると共に、ブラックマトリクスBMを有機材料で
形成したものである。
[Embodiment 3] In this embodiment, the surface light shielding layer FSM in the first embodiment or the second embodiment is formed of a metal material, and the black matrix BM is formed of an organic material.

【0047】特に、横電界方式の液晶表示装置では、そ
の液晶パネルを構成する上基板SUB2側にはもともと
金属材料を用いた機能層を有していない。すなわち、横
電界方式の上基板SUB2は、一般にカラーフィルタ基
板(C/F基板)と称し、その内面には有機材料のカラ
ーフィルタとブラックマトリクスを有している。
In particular, in the liquid crystal display device of the horizontal electric field type, the upper substrate SUB2 constituting the liquid crystal panel does not originally have a functional layer using a metal material. That is, the upper substrate SUB2 of the horizontal electric field method is generally called a color filter substrate (C / F substrate), and has a color filter of an organic material and a black matrix on its inner surface.

【0048】通常、金属材料と有機材料とでは、フォト
リソグラフィー技法を用いたパターニングの際のエッチ
ング液が異なるものであり、金属材料用のエッチング液
が有機材料をエッチングすることがなく、またその逆も
ない。
Usually, an etching solution for patterning using a photolithography technique is different between a metal material and an organic material. An etching solution for a metal material does not etch an organic material, and vice versa. Nor.

【0049】したがって、本実施例によれば、ブラック
マトリクスBMを有機材料で形成し、表面遮光層FMS
を金属材料で形成することで、パターニング工程におけ
る相互のエッチングがなられることの弊害がなく、それ
ぞれ目的の形状に正確なパターニングがなされる。
Therefore, according to the present embodiment, the black matrix BM is formed of an organic material, and the surface light shielding layer FMS
Is formed of a metal material, there is no adverse effect that mutual etching is performed in the patterning step, and accurate patterning is performed in each target shape.

【0050】〔実施例4〕図5は本発明による液晶表示
装置の第4実施例の構成を模式的に示す要部断面図であ
る。
[Embodiment 4] FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a main part of a liquid crystal display according to a fourth embodiment of the present invention.

【0051】本実施例が、図1で説明した第1実施例と
の相違する点は、液晶パネルPNLの上基板SUB2上
に形成される表面遮光層FMSの上層の全面を覆って透
明導電膜の層TCLを形成した点にある。
This embodiment is different from the first embodiment described with reference to FIG. 1 in that a transparent conductive film is formed so as to cover the entire upper surface of the surface light shielding layer FMS formed on the upper substrate SUB2 of the liquid crystal panel PNL. In that the layer TCL is formed.

【0052】本実施例により、液晶パネルPNLの表面
における静電気の帯電を防止でき、バックライトからの
光漏れを防止できると共に、高品質の画像表示を得るこ
とができる。
According to this embodiment, it is possible to prevent static electricity from being charged on the surface of the liquid crystal panel PNL, prevent light leakage from the backlight, and obtain a high-quality image display.

【0053】フレームSHDは一般に金属材料からなる
ため、粘着テープBATを導電性として透明導電膜の層
TCLとの電気的接続を行うことにより、透明導電膜の
層TCLに帯電する静電気はフレームSHDを介して接
地に流れ、液晶パネルPNLの表示面に静電気が帯電す
ることによる弊害を完全に防止できる。
Since the frame SHD is generally made of a metal material, by making the adhesive tape BAT conductive and electrically connecting it to the layer TCL of the transparent conductive film, the static electricity charged on the layer TCL of the transparent conductive film reduces the frame SHD. Thus, it is possible to completely prevent the adverse effects caused by static electricity being charged on the display surface of the liquid crystal panel PNL.

【0054】〔実施例5〕図6は本発明による液晶表示
装置の第5実施例の構成を模式的に示す要部断面図であ
る。
[Embodiment 5] FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a main part of a fifth embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.

【0055】本実施例は、図5で説明した第4実施例に
おける透明導電膜の層TCLを表面遮光層FSMの下層
に形成したものである。すなわち、液晶パネルPNLの
上基板SUB2の全面を覆って透明導電膜の層TCLを
形成した後、第4実施例と同様に、液晶パネルPNLの
外周上に表面遮光層FSMを形成した。
In this embodiment, the transparent conductive film layer TCL in the fourth embodiment described with reference to FIG. 5 is formed below the surface light-shielding layer FSM. That is, after forming the layer TCL of the transparent conductive film over the entire surface of the upper substrate SUB2 of the liquid crystal panel PNL, the surface light shielding layer FSM was formed on the outer periphery of the liquid crystal panel PNL in the same manner as in the fourth embodiment.

【0056】本実施例によれば、フレームSHDと液晶
パネルPNLの外縁とを極めて接近させた(所謂、狭額
縁化)場合での透明導電膜の層TCLを伝播して有効表
示領域に漏れでる光も完全に遮光でき、第4実施例より
もさらに高品質の画像表示を得ることができる。
According to the present embodiment, when the frame SHD and the outer edge of the liquid crystal panel PNL are extremely close to each other (so-called narrower frame), the light propagates through the transparent conductive layer TCL and leaks to the effective display area. Light can also be completely blocked, and a higher quality image display than in the fourth embodiment can be obtained.

【0057】また、本実施例によっても、フレームSH
Dは一般に金属材料からなるため、粘着テープBATを
導電性として透明導電膜の層TCLとの電気的接続を行
うことにより、透明導電膜の層TCLに帯電する静電気
はフレームSHDを介して接地に流れ、液晶パネルPN
Lの表示面に静電気が帯電することによる弊害を完全に
防止できる。
Also in this embodiment, the frame SH
Since D is generally made of a metal material, by making the adhesive tape BAT conductive and making an electrical connection with the transparent conductive film layer TCL, static electricity charged on the transparent conductive film layer TCL is grounded via the frame SHD. Flow, liquid crystal panel PN
The problem caused by the electrification of the display surface of L with static electricity can be completely prevented.

【0058】〔実施例6〕本実施例は、前記第4実施例
における表面遮光層FMSを金属材料で形成した点を除
いて第4実施例と同様の構成としたものである。
[Embodiment 6] This embodiment is the same as the fourth embodiment except that the surface light-shielding layer FMS in the fourth embodiment is formed of a metal material.

【0059】〔実施例7〕本実施例は、前記第5実施例
における表面遮光層FMSを金属材料で形成した点を除
いて第5実施例と同様の構成としたものである。
[Embodiment 7] This embodiment has the same configuration as that of the fifth embodiment except that the surface light-shielding layer FMS in the fifth embodiment is formed of a metal material.

【0060】上記の第6および第7実施例によれば、前
記透明導電膜の層TCLの外周を覆ってフレームSHD
と粘着テープBATを介して積層される表面遮光層FM
Sが低抵抗となるため、液晶パネルPNLの表示面に静
電気が帯電することによる弊害を完全に防止できる。
According to the sixth and seventh embodiments, the frame SHD is formed so as to cover the outer periphery of the transparent conductive layer TCL.
Surface light-shielding layer FM laminated with adhesive tape BAT
Since S has a low resistance, it is possible to completely prevent adverse effects caused by static electricity being charged on the display surface of the liquid crystal panel PNL.

【0061】また、上記した表面遮光層FSMを金属材
料で形成したことで、電磁波漏洩の対策となり、所謂E
MIを低減できる。
Further, by forming the above-mentioned surface light-shielding layer FSM with a metal material, it becomes a measure against electromagnetic wave leakage, so-called E
MI can be reduced.

【0062】以上説明した各実施例では、偏光板、配向
膜、スイッチング素子(TFT等)の構造、その他の構
成は省略しているが、実際の液晶表示素子としてはこれ
らを具備するものであることはいうまでもない。
In each of the embodiments described above, the structure of the polarizing plate, the alignment film, the switching element (TFT, etc.) and other structures are omitted, but the actual liquid crystal display element includes these. Needless to say.

【0063】なお、表面遮光層FMSの形成は、スパッ
タ法、CVD法、塗布法等を用いることができる。そし
て、そのパターニングには、レジスト塗布+フォトリソ
グラフィー技法を用いることができる。また、マスクス
パッタ法によって、直接的に目的の形状とすることもで
きる。
The surface light-shielding layer FMS can be formed by a sputtering method, a CVD method, a coating method or the like. Then, for the patterning, a resist coating + photolithography technique can be used. Further, a target shape can be directly obtained by a mask sputtering method.

【0064】表面遮光層FMSの形成に有機材料を用い
た場合には、直接描画あるいは版を用いた印刷によって
液晶パネルの表面に直接形成することも可能である。ま
た、表面遮光層FMSを透明導電膜上に形成する場合に
は、当該表面遮光層を形成しない領域にマスクを載せた
後、透明導電層に電圧を印加しながら電解メッキを行
い、その後マスクを取り外すことにより、所定の形状に
表面遮光層を形成することもできる。
When an organic material is used for forming the surface light-shielding layer FMS, it can be formed directly on the surface of the liquid crystal panel by direct drawing or printing using a plate. When the surface light-shielding layer FMS is formed on the transparent conductive film, a mask is placed on a region where the surface light-shielding layer is not formed, and then electrolytic plating is performed while applying a voltage to the transparent conductive layer. By removing it, the surface light-shielding layer can be formed in a predetermined shape.

【0065】次に、本発明を適用する液晶表示装置の一
例として、横電界方式の液晶表示装置の詳細について説
明する。なお、本発明は、他の方式の液晶表示装置(縦
電界方式や単純マトリクス方式、その他)にも同様に適
用できるものであることは言うまでもない。
Next, as an example of a liquid crystal display device to which the present invention is applied, details of a horizontal electric field type liquid crystal display device will be described. It is needless to say that the present invention can be similarly applied to other types of liquid crystal display devices (vertical electric field type, simple matrix type, etc.).

【0066】図7は本発明を適用する横電界方式カラー
液晶表示装置の一画素の周辺を示す平面図である。各画
素は走査信号配線(ゲート信号線又は水平信号線)GL
と、対向電圧信号線(対向電極配線)CLと、隣接する
2本の映像信号配線(ドレイン信号線又は垂直信号線)
DLとの交差領域内(4本の信号線で囲まれた領域内)
に配置されている。
FIG. 7 is a plan view showing the periphery of one pixel of a horizontal electric field type color liquid crystal display device to which the present invention is applied. Each pixel has a scanning signal line (gate signal line or horizontal signal line) GL
, A counter voltage signal line (counter electrode line) CL, and two adjacent video signal lines (drain signal line or vertical signal line)
In the intersection area with DL (in the area surrounded by four signal lines)
Are located in

【0067】各画素は薄膜トランジスタTFT、蓄積容
量Cstg、画素電極PX及び対向電極CTを含む。走
査信号線GL、対向電圧信号線CLは、同図では左右方
向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信
号線DLは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置さ
れている。画素電極PXは薄膜トランジスタTFTと接
続され、対向電極CTは対向電圧信号線CLと一体にな
っている。
Each pixel includes a thin film transistor TFT, a storage capacitor Cstg, a pixel electrode PX, and a counter electrode CT. The scanning signal lines GL and the counter voltage signal lines CL extend in the left-right direction in FIG. The video signal lines DL extend in the up-down direction, and a plurality of video signal lines DL are arranged in the left-right direction. The pixel electrode PX is connected to the thin film transistor TFT, and the counter electrode CT is integrated with the counter voltage signal line CL.

【0068】画素電極PXと対向電極CTは互いに対向
し、各画素電極PXと対向電極CTとの間の電界により
液晶LCの配向状態を制御し、透過光を変調して表示を
制御する。画素電極PXと対向電極CTは櫛歯状に構成
され、それぞれ同図の上下方向に長細い電極となってい
る。
The pixel electrode PX and the counter electrode CT are opposed to each other, and the alignment state of the liquid crystal LC is controlled by the electric field between each pixel electrode PX and the counter electrode CT, and the transmitted light is modulated to control the display. The pixel electrode PX and the counter electrode CT are formed in a comb-like shape, and each is an electrode that is elongated in the vertical direction in FIG.

【0069】1画素内の対向電極CTの本数O(櫛歯の
本数)は、画素電極PXの本数P(櫛歯の本数)とO=
P+1の関係を必ず持つように構成する(本実施例で
は、O=2、P=1)。これは、対向電極CTと画素電
極PXを交互に配置し、かつ、対向電極CTを映像信号
線DLに必ず隣接させるためである。
The number O (number of comb teeth) of the counter electrode CT in one pixel is equal to the number P (number of comb teeth) of the pixel electrode PX and O =
It is configured to always have the relationship of P + 1 (O = 2, P = 1 in this embodiment). This is because the counter electrode CT and the pixel electrode PX are alternately arranged, and the counter electrode CT is always adjacent to the video signal line DL.

【0070】これにより、対向電極CTと画素電極PX
の間の電界が、映像信号線DLから発生する電界から影
響を受けないように、対向電極CTで映像信号線DLか
らの電気力線をシールドすることができる。
Thus, the counter electrode CT and the pixel electrode PX are
The electric field lines from the video signal line DL can be shielded by the counter electrode CT so that the electric field between them is not affected by the electric field generated from the video signal line DL.

【0071】対向電極CTは、対向電圧信号線CLによ
り常に外部から電位を供給されているため、電位は安定
している。そのため、映像信号線DLに隣接しても、電
位の変動が殆どない。又、これにより、画素電極PXの
映像信号線DLからの幾何学的な位置が遠くなるので、
画素電極PXと映像信号線DLの間の寄生容量が大幅に
減少し、画素電極電位Vsの映像信号電圧による変動も
制御できる。
Since the potential of the counter electrode CT is always supplied from the outside by the counter voltage signal line CL, the potential is stable. Therefore, there is almost no change in potential even adjacent to the video signal line DL. In addition, since the geometric position of the pixel electrode PX from the video signal line DL becomes farther,
The parasitic capacitance between the pixel electrode PX and the video signal line DL is greatly reduced, and the fluctuation of the pixel electrode potential Vs due to the video signal voltage can be controlled.

【0072】これらにより、上下方向に発生するクロス
トーク(縦スミアと呼ばれる画質不良)を抑制すること
ができる。
Thus, crosstalk (defective image quality called vertical smear) occurring in the vertical direction can be suppressed.

【0073】画素電極PXと対向電極CTの電極幅W
p,Wcはそれぞれ6μmとし、後述の液晶層の最大設
定厚みを超える4.5μmよりも十分大きく設定する。
製造上の加工ばらつきを考慮すると20%以上のマージ
ンを持った方が好ましいので、望ましくは5.4μmよ
りも十分大きくしたほうが良い。
The electrode width W between the pixel electrode PX and the counter electrode CT
Each of p and Wc is set to 6 μm, which is set sufficiently larger than 4.5 μm which exceeds the maximum set thickness of the liquid crystal layer described later.
It is preferable to have a margin of 20% or more in consideration of processing variations in manufacturing. Therefore, it is preferable that the margin be sufficiently larger than 5.4 μm.

【0074】これにより、液晶層に印加される基板面に
平行な電界成分が基板面に垂直な方向の電界成分よりも
大きくなり、液晶を駆動する電圧の上昇を抑制すること
ができる。又、各電極の電極幅Wp,Wcの最大値は、
画素電極PXと対向電極CTの間の間隔Lよりも小さい
事が好ましい。
Thus, the electric field component applied to the liquid crystal layer parallel to the substrate surface becomes larger than the electric field component in the direction perpendicular to the substrate surface, and it is possible to suppress an increase in the voltage for driving the liquid crystal. The maximum value of the electrode width Wp, Wc of each electrode is
It is preferable that the distance be smaller than the distance L between the pixel electrode PX and the counter electrode CT.

【0075】これは、電極の間隔が小さすぎると電気力
線の湾曲が激しくなり、基板面に平行な電界成分よりも
基板面に垂直な電界成分の方が大きい領域が増大するた
め、基板面に平行な電界成分を効率良く液晶層に印加で
きないからである。従って、画素電極PXと対向電極C
Tの間の間隔Lはマージンを20%とると7.2μmよ
り大きいことが必要である。本実施例では、対角約1
4.5cm(5.7インチ)で640×480ドットの
解像度で構成したので、画素ピッチは約60μmであ
り、画素を2分割することにより、間隔L>7.2μm
を実現した。
This is because, if the distance between the electrodes is too small, the curvature of the lines of electric force becomes severe, and the region where the electric field component perpendicular to the substrate surface is larger than the electric field component parallel to the substrate surface is increased. This is because an electric field component parallel to the above cannot be efficiently applied to the liquid crystal layer. Therefore, the pixel electrode PX and the counter electrode C
The interval L between T needs to be larger than 7.2 μm if the margin is 20%. In this embodiment, the diagonal is about 1
Since the pixel pitch is about 60 μm because the resolution is 4.5 cm (5.7 inches) and the resolution is 640 × 480 dots, the distance L> 7.2 μm by dividing the pixel into two.
Was realized.

【0076】又、映像信号線DLの電極幅は断線を防止
するために、画素電極PXと対向電極CTに比較して若
干広い8μmとし、映像信号線DLと対向電極CTとの
間隔は短絡を防止するために約1μmの間隔を開けると
共に、ゲート絶縁膜の上側に映像信号線DLを下側に対向
電極CTを形成して、異層になるように配置している。
The electrode width of the video signal line DL is set to 8 μm, which is slightly wider than the pixel electrode PX and the counter electrode CT in order to prevent disconnection, and the interval between the video signal line DL and the counter electrode CT is short-circuited. In order to prevent this, an interval of about 1 μm is provided, a video signal line DL is formed on the upper side of the gate insulating film, and a counter electrode CT is formed on the lower side.

【0077】一方、画素電極PXと対向電極CTの間の
電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、
液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度が異な
るため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映
像信号駆動回路(信号側ドライバ)の耐圧で設定される
信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるよ
うにするためである。後述の液晶材料を用いると電極間
隔は、約15μmとなる。
On the other hand, the electrode interval between the pixel electrode PX and the counter electrode CT changes depending on the liquid crystal material used. this is,
Since the electric field strength that achieves the maximum transmittance varies depending on the liquid crystal material, the electrode spacing is set according to the liquid crystal material, and within the range of the maximum amplitude of the signal voltage set by the withstand voltage of the video signal driving circuit (signal side driver) used. , So that the maximum transmittance can be obtained. When a liquid crystal material described later is used, the electrode interval is about 15 μm.

【0078】本構成例では、平面的に、ブラックマトリ
クスBMがゲート配線GL上、対向電圧信号線CL、薄
膜トランジスタTFT上、ドレイン配線DL上、ドレイ
ン配線DLと対向電極CT間に形成している。
In this configuration example, a black matrix BM is formed on the gate line GL, the counter voltage signal line CL, the thin film transistor TFT, the drain line DL, and between the drain line DL and the counter electrode CT in plan view.

【0079】図8は図7のFーF切断線における薄膜ト
ランジスタTFTの断面図、図9は図7のGーG切断線
における蓄積容量Cstgの断面図である。
FIG. 8 is a sectional view of the thin film transistor TFT taken along the line FF in FIG. 7, and FIG. 9 is a sectional view of the storage capacitor Cstg taken along the line GG in FIG.

【0080】図7〜図9を参照して説明すると、薄膜ト
ランジスタTFTは、ゲート電極GTに正のバイアスを
印加すると、ソース−ドレイン間のチャネル抵抗が小さ
くなり、バイアスを零にすると、チャネル抵抗は大きく
なるように動作する。
Referring to FIGS. 7 to 9, in the thin film transistor TFT, when a positive bias is applied to the gate electrode GT, the channel resistance between the source and the drain becomes small, and when the bias is made zero, the channel resistance becomes small. Work to be bigger.

【0081】薄膜トランジスタTFTは、ゲート電極G
T、ゲート絶縁膜GI、i型(真性:intrinsi
c、導電型決定不純物がドープされていない)非晶質シ
リコン(Si)からなるi型半導体層AS、一対のソー
ス電極SD1、ドレイン電極SD2を有する。
The thin film transistor TFT has a gate electrode G
T, gate insulating film GI, i-type (intrinsic: intrinsic
c, an i-type semiconductor layer AS made of amorphous silicon (Si not doped with a conductivity type determining impurity), a pair of source electrode SD1, and a drain electrode SD2.

【0082】なお、ソース、ドレインは本来その間のバ
イアス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の
回路ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドレ
インは動作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下
の説明では、便宜上一方をソース、他方をドレインと固
定して表現する。
It should be understood that the source and the drain are originally determined by the bias polarity between them, and in the circuit of this liquid crystal display device, the polarity is inverted during the operation, and therefore, it should be understood that the source and the drain are switched during the operation. However, in the following description, one is fixed and the other is fixed as a drain for convenience.

【0083】ゲート電極GTは走査信号線GL(図7参
照)と連続して形成されており、走査信号線GLの一部
の領域がゲート電極GTとなるように構成されている。
このゲート電極GTは薄膜トランジスタTFTの能動領
域を超える部分であり、i型半導体層ASを完全に覆う
よう(下方から見て)それより大きめに形成されてい
る。
The gate electrode GT is formed continuously with the scanning signal line GL (see FIG. 7), and is configured so that a partial area of the scanning signal line GL becomes the gate electrode GT.
The gate electrode GT is a portion exceeding the active region of the thin film transistor TFT, and is formed larger than that so as to completely cover the i-type semiconductor layer AS (as viewed from below).

【0084】これにより、ゲート電極GTはそれ自身の
役割の他に、i型半導体層ASに外光やバックライト光
が当たらないように工夫されている。本例では、ゲート
電極GTは単層の導電膜g1で形成されている。この導
電膜g1としては、例えばスパッタで形成されたアルミ
ニウム(Al)膜が用いられ、その上にはAlの陽極酸
化膜AOFが設けられている。
Thus, in addition to the role of the gate electrode GT, the gate electrode GT is designed so that external light and backlight do not hit the i-type semiconductor layer AS. In this example, the gate electrode GT is formed of a single-layer conductive film g1. As the conductive film g1, for example, an aluminum (Al) film formed by sputtering is used, and an anodic oxide film AOF of Al is provided thereon.

【0085】図7に示した走査信号線GLは導電膜g1
で構成されている。この走査信号線GLの導電膜g1は
ゲート電極GTの導電膜g1と同一製造工程で形成さ
れ、かつ、一体に構成されている。この走査信号線GL
により、外部回路からゲート電圧Vgをゲート電極GT
に供給する。
The scanning signal line GL shown in FIG.
It is composed of The conductive film g1 of the scanning signal line GL is formed in the same manufacturing process as the conductive film g1 of the gate electrode GT, and is integrally formed. This scanning signal line GL
To apply a gate voltage Vg from an external circuit to the gate electrode GT.
To supply.

【0086】又、走査信号線GL上にもAlの陽極酸化
膜AOFが設けられている。なお、映像信号線DLと交
差する部分は映像信号線DLとの短絡の確率を小さくす
るため細くし、又、短絡してもレーザトリミングで切り
離すことができるように二股にしている。
Further, an anodic oxide film AOF of Al is also provided on the scanning signal line GL. The portion that intersects with the video signal line DL is made thin to reduce the probability of short-circuit with the video signal line DL, and is made bifurcated so that even if it is short-circuited, it can be separated by laser trimming.

【0087】図7に示した対向電極CTはゲート電極G
T及び走査信号線GLと同層の導電膜g1で構成されて
いる。又、対向電極CT上にもAlの陽極酸化膜AOF
が設けられている。対向電極CTは、陽極酸化膜AOF
で完全に覆われていることから、映像信号線と限りなく
近づけても、それらが短絡してしまうことがなくなる。
The counter electrode CT shown in FIG.
It is composed of a conductive film g1 of the same layer as T and the scanning signal line GL. Also, an anodic oxide film AOF of Al is formed on the counter electrode CT.
Is provided. The counter electrode CT is an anodic oxide film AOF
, So that even if they are brought as close as possible to the video signal lines, they will not be short-circuited.

【0088】又、それらを交差させて構成させることも
できる。対向電極CTには対向電圧Vcomが印加され
るように構成されている。本実施例では、対向電圧Vc
omは映像信号線DLに印加される最小レベルの駆動電
圧Vdminと最大レベルの駆動電圧Vdmaxとの中
間直流電位から、薄膜トランジスタ素子TFTをオフ状
態にするときに発生するフィードスルー電圧ΔVs分だ
け低い電位に設定されるが、映像信号駆動回路で使用さ
れる集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場合は、
交流電圧を印加すれば良い。
Further, they may be configured to cross each other. The counter electrode CT is configured to apply a counter voltage Vcom. In this embodiment, the counter voltage Vc
om is a potential lower than an intermediate DC potential between the minimum level drive voltage Vdmin and the maximum level drive voltage Vdmax applied to the video signal line DL by a feedthrough voltage ΔVs generated when the thin film transistor element TFT is turned off. However, if you want to reduce the power supply voltage of the integrated circuit used in the video signal drive circuit to about half,
An AC voltage may be applied.

【0089】対向電圧信号線CLは導電膜g1で構成さ
れている。この対向電圧信号線CLの導電膜g1はゲー
ト電極GT、走査信号線GL及び対向電極CTの導電膜
g1と同一製造工程で形成され、かつ、対向電極CTと
一体に構成されている。
The counter voltage signal line CL is formed of the conductive film g1. The conductive film g1 of the counter voltage signal line CL is formed in the same manufacturing process as the conductive film g1 of the gate electrode GT, the scanning signal line GL, and the counter electrode CT, and is formed integrally with the counter electrode CT.

【0090】この対向電圧信号線CLにより、外部回路
から対向電圧Vcomを対向電極CTに供給する。又、
対向電圧信号線CL上にもAlの陽極酸化膜AOFが設
けられている。なお、映像信号線DLと交差する部分
は、走査信号線GLと同様に映像信号線DLとの短絡の
確率を小さくするため細くし、又、短絡しても、レーザ
トリミングで切り離すことができるように二股にするこ
ともできる。
The counter voltage Vcom is supplied from an external circuit to the counter electrode CT through the counter voltage signal line CL. or,
An anodic oxide film AOF of Al is also provided on the counter voltage signal line CL. The portion that intersects with the video signal line DL is thinned to reduce the probability of a short circuit with the video signal line DL, as in the case of the scanning signal line GL. It can be bifurcated.

【0091】絶縁膜GIは、薄膜トランジスタTFTに
おいて、ゲート電極GTと共に半導体層ASに電界を与
えるためのゲート絶縁膜として使用される。絶縁膜GI
はゲート電極GT及び走査信号線GLの上層に形成され
ている。
The insulating film GI is used as a gate insulating film for applying an electric field to the semiconductor layer AS together with the gate electrode GT in the thin film transistor TFT. Insulating film GI
Are formed above the gate electrode GT and the scanning signal line GL.

【0092】絶縁膜GIとしては例えばプラズマCVD
で形成された窒化シリコン膜が選ばれ、120〜270
nmの厚さに(本実施例では、240nm)形成され
る。
As the insulating film GI, for example, plasma CVD
The silicon nitride film formed by
It is formed to a thickness of nm (240 nm in this embodiment).

【0093】このゲート絶縁膜GIは、マトリクス部A
Rの全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子
DTM、GTMを露出するよう除去されている。また、
絶縁膜GIは走査信号線GL及び対向電圧信号線CLと
映像信号線DLの電気的絶縁にも寄与している。
The gate insulating film GI is formed in the matrix portion A
R is formed so as to surround the entirety of R, and the peripheral portion is removed so as to expose the external connection terminals DTM and GTM. Also,
The insulating film GI also contributes to electrical insulation between the scanning signal lines GL and the counter voltage signal lines CL and the video signal lines DL.

【0094】i型半導体層ASは、非晶質シリコンで、
20〜220nmの厚さ(本例では、200nm程度の
膜厚)で形成される。層d0はオーミックコンタクト用
のリン(P)をドープしたN(+)型非晶質シリコン半
導体層であり、下側にi型半導体層ASが存在し、上側
に導電膜d1(d2)が存在するところのみに残されて
いる。
The i-type semiconductor layer AS is made of amorphous silicon.
It is formed with a thickness of 20 to 220 nm (in this example, a thickness of about 200 nm). The layer d0 is an N (+) type amorphous silicon semiconductor layer doped with phosphorus (P) for ohmic contact, and has an i-type semiconductor layer AS below and a conductive film d1 (d2) above. It is left only where you do.

【0095】i型半導体層ASは走査信号線GL及び対
向信号線CLと映像信号線DLとの交差部の両者間にも
設けられている。この交差部のi型半導体層ASは交差
部における走査信号線GL及び対向信号線CLと映像信
号線DLとの短絡を低減する。
The i-type semiconductor layer AS is also provided between the scanning signal line GL and the intersection of the opposing signal line CL and the video signal line DL. The i-type semiconductor layer AS at the intersection reduces a short circuit between the scanning signal line GL and the opposing signal line CL and the video signal line DL at the intersection.

【0096】ソース電極SDI、ドレイン電極SD2の
それぞれは、N(+)型半導体層d0に接触する導電膜
d1とその上に形成された導電膜d2とから構成されて
いる。
Each of the source electrode SDI and the drain electrode SD2 is composed of a conductive film d1 in contact with the N (+) type semiconductor layer d0 and a conductive film d2 formed thereon.

【0097】導電膜d1はスパッタで形成したクロム
(Cr)膜を用い、50〜100nmの厚さに(本実施
例では、60nm程度)で形成される。Cr膜は膜厚を
厚く形成するとストレスが大きくなるので、200nm
程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Cr膜はN
(+)型半導体層d0との接着性を良好にし、導電膜d
2のAlがN(+)型半導体層d0に拡散することを防
止する、所謂バリア層の目的で使用される。
The conductive film d1 is formed to have a thickness of about 50 to 100 nm (about 60 nm in this embodiment) using a chromium (Cr) film formed by sputtering. Since the stress increases when the Cr film is formed to have a large thickness, the Cr film has a thickness of 200 nm.
It is formed in a range that does not exceed a certain thickness. Cr film is N
To improve the adhesion to the (+) type semiconductor layer d0,
2 is used for the purpose of a so-called barrier layer that prevents Al from diffusing into the N (+) type semiconductor layer d0.

【0098】導電膜d1として、Cr膜の他に高融点金
属(Mo、Ti、Ta、W)膜、高融点金属シリサイド
(MoSi2 、TiSi2 、TaSi2 、WSi2 )膜
を用いても良い。
As the conductive film d1, a refractory metal (Mo, Ti, Ta, W) film or a refractory metal silicide (MoSi 2 , TiSi 2 , TaSi 2 , WSi 2 ) film may be used in addition to the Cr film. .

【0099】導電膜d2はAlのスパッタリングで30
0〜500nmの厚さに(本実施例では、400nm程
度)形成される。Al膜はCr膜に比べてストレスが小
さく、厚い膜厚に形成することが可能で、ソース電極S
D1、ドレイン電極SD2および映像信号線DLの抵抗
値を低減したり、ゲート電極GTやi型半導体層ASに
起因する段差乗り越えを確実にする(ステップカバレー
ジを良くする)働きがある。
The conductive film d2 has a thickness of 30
It is formed to a thickness of 0 to 500 nm (about 400 nm in this embodiment). The Al film has a smaller stress than the Cr film and can be formed to have a large thickness.
It has functions of reducing the resistance values of D1, the drain electrode SD2, and the video signal line DL, and ensuring the step over caused by the gate electrode GT and the i-type semiconductor layer AS (to improve the step coverage).

【0100】導電膜d1、導電膜d2を同じマスクパタ
ーンでパターニングした後、同じマスクを用いて、或い
は導電膜d1、導電膜d2をマスクとして、N(+)型
半導体層d0が除去される。つまり、i型半導体層AS
上に残っているN(+)型半導体層d0は導電膜d1、
導電膜d2以外の部分がセルフアラインで除去される。
このとき、N(+)型半導体層d0はその厚さ分は全て
除去されるようエッチングされるので、i型半導体層A
Sも若干その表面部分がエッチングされるが、その程度
はエッチング時間で制御すればよい。
After patterning the conductive films d1 and d2 with the same mask pattern, the N (+) type semiconductor layer d0 is removed using the same mask or using the conductive films d1 and d2 as a mask. That is, the i-type semiconductor layer AS
The remaining N (+) type semiconductor layer d0 is a conductive film d1,
Portions other than the conductive film d2 are removed by self-alignment.
At this time, since the N (+)-type semiconductor layer d0 is etched so as to completely remove its thickness, the i-type semiconductor layer A is removed.
Although the surface portion of S is also slightly etched, its degree may be controlled by the etching time.

【0101】映像信号線DLはソース電極SD1、ドレ
イン電極SD2と同層の第2導電膜d2、第3導電膜d
3で構成されている。又、映像信号線DLはドレイン電
極SD2と一体に形成されている。
The video signal line DL has the second conductive film d2 and the third conductive film d in the same layer as the source electrode SD1 and the drain electrode SD2.
3. The video signal line DL is formed integrally with the drain electrode SD2.

【0102】画素電極PXはソース電極SD1、ドレイ
ン電極SD2と同層の第2導電膜d2、第3導電膜d3
で構成されている。又、画素電極PXはソース電極SD
1と一体に形成されている。
The pixel electrode PX is composed of the second conductive film d2 and the third conductive film d3 in the same layer as the source electrode SD1 and the drain electrode SD2.
It is composed of The pixel electrode PX is connected to the source electrode SD
1 and are formed integrally.

【0103】画素電極PXは、薄膜トランジスタTFT
と接続される端部と反対側の端部において、対向電圧信
号線CLと重なるように形成されている。この重ね合せ
は、図9からも明らかなように、画素電極PXを一方の
電極PL2とし、対向電圧信号線CLを他方の電極PL
1とする蓄積容量(静電容量素子)Cstgを構成す
る。この蓄積容量Cstgの誘電体膜は、薄膜トランジ
スタTFTのゲート絶縁膜として使用される絶縁膜GI
及び陽極酸化膜AOFで構成されている。
The pixel electrode PX is a thin film transistor TFT
An end opposite to the end connected to the counter voltage signal line CL is formed to overlap with the opposite voltage signal line CL. As is apparent from FIG. 9, this superposition is performed by using the pixel electrode PX as one electrode PL2 and the counter voltage signal line CL as the other electrode PL.
A storage capacitance (capacitance element) Cstg is set to 1. The dielectric film of the storage capacitor Cstg is an insulating film GI used as a gate insulating film of the thin film transistor TFT.
And an anodic oxide film AOF.

【0104】図7に示したように、平面的には蓄積容量
Cstgは対向電圧信号線CLの導電膜g1の部分に形
成されている。
As shown in FIG. 7, the storage capacitor Cstg is formed in the conductive film g1 of the counter voltage signal line CL in plan view.

【0105】この場合、この蓄積容量Cstgは、その
絶縁膜GIに対して下側に位置づけられる電極の材料が
Alで形成され、かつ、その表面が陽極化成されたもの
であることから、ALの所謂ヒロック等が原因する点欠
陥(上側に位置づけられる電極との短絡)による弊害を
発生し難くくする蓄積容量を得ることができる。
In this case, the storage capacitor Cstg is made of Al because the material of the electrode positioned below the insulating film GI is formed of Al and the surface thereof is anodized. It is possible to obtain a storage capacitor which is less likely to cause adverse effects due to a point defect (short-circuit with an electrode positioned on the upper side) caused by a so-called hillock or the like.

【0106】図10は本発明による液晶表示装置の駆動
回路の概要説明図である。液晶表示装置は画像表示部が
マトリクス状に配置された複数の画素の集合により構成
され、各画素は液晶表示基板の背部に配置されたバック
ライトからの透過光を独自に変調制御できるように構成
されている。
FIG. 10 is a schematic explanatory diagram of a driving circuit of a liquid crystal display device according to the present invention. The liquid crystal display device is composed of a group of multiple pixels in which the image display section is arranged in a matrix, and each pixel is configured to independently control the transmitted light from the backlight arranged behind the liquid crystal display substrate Have been.

【0107】液晶パネルを構成する下基板(SUB1)
上には、有効表示領域ARにx方向(行方向)に延在
し、y方向(列方向)に並設されたゲート信号線GLと
対向電圧信号線CLとそれぞれ絶縁されてy方向に延在
し、x方向に並設されたドレイン信号線DLが形成され
ている。
Lower Substrate Constituting Liquid Crystal Panel (SUB1)
Above, the gate signal line GL and the counter voltage signal line CL, which extend in the x direction (row direction) in the effective display area AR and are juxtaposed in the y direction (column direction), are respectively insulated and extend in the y direction. Thus, drain signal lines DL arranged in parallel in the x direction are formed.

【0108】ここで、ゲート信号線GL、対向電圧信号
線CL、ドレイン信号線DLのそれぞれによって囲まれ
る矩形状の領域に単位画素が形成される。
Here, a unit pixel is formed in a rectangular area surrounded by each of the gate signal line GL, the counter voltage signal line CL, and the drain signal line DL.

【0109】液晶パネルには、その外部回路として垂直
走査回路V及び映像信号駆動回路Hが備えられ、前記垂
直走査回路Vによって前記ゲート信号線GLのそれぞれ
に順次走査信号(電圧)が供給され、そのタイミングに
合わせて映像信号駆動回路Hからドレイン信号線DLに
映像信号(電圧)を供給するようになっている。
The liquid crystal panel is provided with a vertical scanning circuit V and a video signal driving circuit H as external circuits, and the vertical scanning circuit V sequentially supplies a scanning signal (voltage) to each of the gate signal lines GL. The video signal drive circuit H supplies a video signal (voltage) to the drain signal line DL in accordance with the timing.

【0110】なお、垂直走査回路V及び映像信号駆動回
路Hは、液晶駆動電源回路3から電源が供給されるとと
もに、CPU1からの画像情報がコントローラ2によっ
てそれぞれ表示データ及び制御信号に分けられて入力さ
れるようになっている。
The vertical scanning circuit V and the video signal driving circuit H are supplied with power from the liquid crystal driving power supply circuit 3 and input image information from the CPU 1 after being divided into display data and control signals by the controller 2 respectively. It is supposed to be.

【0111】図11は本発明の液晶表示装置の駆動波形
図である。同図において、対向電圧をVCHとVCLの
2値の交流矩形波にし、それに同期させて走査信号VG
(i−1)、VG(i)の非選択電圧を1走査期間毎
に、VCHとVCLの2値で変化させる。対向電圧の振
幅幅と非選択電圧の振幅値は同一にする。
FIG. 11 is a driving waveform diagram of the liquid crystal display device of the present invention. In the figure, the counter voltage is a binary AC rectangular wave of VCH and VCL, and the scanning signal VG is synchronized with the rectangular wave.
(I-1) The non-selection voltage of VG (i) is changed by two values of VCH and VCL every scanning period. The amplitude width of the counter voltage and the amplitude value of the non-selection voltage are the same.

【0112】映像信号電圧は、液晶層に印加したい電圧
から、対向電圧の振幅の1/2を差し引いた電圧であ
る。
The video signal voltage is a voltage obtained by subtracting half the amplitude of the counter voltage from the voltage to be applied to the liquid crystal layer.

【0113】対向電圧は直流でも良いが、交流化するこ
とで映像信号電圧の最大振幅を低減でき、映像信号駆動
回路(信号側ドライバ)に耐圧の低いものを用いること
が可能になる。
The counter voltage may be DC, but by converting it to AC, the maximum amplitude of the video signal voltage can be reduced, and a video signal drive circuit (signal side driver) having a low withstand voltage can be used.

【0114】図12はモジュール化した液晶表示装置の
各構成部品を示す分解斜視図である。SHDは金属板か
ら成る枠状のフレーム(シールドケース、メタルフレー
ムとも言う)、WDはその表示窓、PNLは液晶パネ
ル、FMSは表面遮光層、SPSは光拡散板、GLBは
導光体、RFSは反射板、BLはバックライトの蛍光
管、MCAは下側ケース(バックライトケース)であ
り、図に示すような上下の配置関係で各部材が積み重ね
られてモジュールMDLが組み立てられる。
FIG. 12 is an exploded perspective view showing each component of the liquid crystal display device which has been modularized. SHD is a frame-like frame made of a metal plate (also referred to as a shield case or metal frame), WD is its display window, PNL is a liquid crystal panel, FMS is a surface light-shielding layer, SPS is a light diffusion plate, GLB is a light guide, and RFS. Denotes a reflector, BL denotes a fluorescent tube of a backlight, and MCA denotes a lower case (backlight case). The members are stacked in a vertical arrangement as shown in the figure to assemble a module MDL.

【0115】モジュールMDLはフレームSHDに設け
られた爪とフックによって全体が固定されるようになっ
ている。
The whole module MDL is fixed by claws and hooks provided on the frame SHD.

【0116】バックライトケースMCAは、バックライ
トBLを構成する冷陰極蛍光管LP、光拡散板SPS、
導光体GLB、反射板RFSを収納する形状になってお
り、導光体GLBの側面に配置された冷陰極蛍光管LP
の光を導光体GLB、反射板RFS、光拡散板SPSに
より表示面で一様な照明光にし、液晶パネルPNL側に
出射する。
The backlight case MCA comprises a cold cathode fluorescent lamp LP, a light diffusion plate SPS,
The cold cathode fluorescent tube LP has a shape for accommodating the light guide GLB and the reflection plate RFS, and is disposed on a side surface of the light guide GLB.
Is made uniform illumination light on the display surface by the light guide GLB, the reflection plate RFS, and the light diffusion plate SPS, and is emitted to the liquid crystal panel PNL side.

【0117】冷陰極蛍光管LPにはインバータ回路基板
が接続されており、当該冷陰極蛍光管LPの電源となっ
ている。
An inverter circuit board is connected to the cold cathode fluorescent tube LP, and serves as a power supply for the cold cathode fluorescent tube LP.

【0118】図13は本発明による液晶表示装置を実装
した電子機器の一例であるノート型パソコンの斜視図で
ある。このノート型コンピュータ(可搬型パソコン)は
キーボード部(本体部)と、このキーボード部にヒンジ
で連結した表示部から構成される。キーボード部にはキ
ーボードとホスト(ホストコンピュータ)、CPU等の
信号生成機能を収納し、表示部には液晶パネルPNLを
有し、その周辺に駆動回路基板PCB1,PCB2、コ
ントロールチップTCONやCPUからの信号を接続す
るコネクタCT等を搭載したPCB3、およびバックラ
イト電源であるインバータ電源基板などが実装される。
この液晶パネルPNLは前記した各実施例で説明した配
向膜を有している。
FIG. 13 is a perspective view of a notebook personal computer as an example of an electronic device on which the liquid crystal display device according to the present invention is mounted. The notebook computer (portable personal computer) includes a keyboard unit (main body unit) and a display unit connected to the keyboard unit by a hinge. The keyboard unit accommodates a keyboard and a signal generation function such as a host (host computer) and a CPU, and the display unit has a liquid crystal panel PNL, around which drive circuit boards PCB1 and PCB2, a control chip TCON and a CPU. A PCB 3 mounted with a connector CT or the like for connecting signals, an inverter power supply board serving as a backlight power supply, and the like are mounted.
This liquid crystal panel PNL has the alignment film described in each of the above embodiments.

【0119】そして、上記液晶パネルPNLに各種回路
基板PCB1,PCB2,PCB3、インバータ電源基
板、およびバックライトを一体化して液晶表示モジュー
ルMDLとして実装してある。
Then, various circuit boards PCB1, PCB2, PCB3, an inverter power supply board, and a backlight are integrated with the liquid crystal panel PNL and mounted as a liquid crystal display module MDL.

【0120】[0120]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶表示装置の有効表示領域外周での光漏れを減少する
ことができ、ブラックマトリクスを液晶パネルの基板端
面に露出させることなく、かつ粘着テープが無い場合と
同等の有効表示領域周辺での遮光性能を向上させ、ある
いは帯電防止やEMI対策を実現した高品質の画像表示
を可能とした液晶表示装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention,
The light leakage around the effective display area of the liquid crystal display device can be reduced, the black matrix is not exposed on the edge of the substrate of the liquid crystal panel, and the light shielding performance around the effective display area is the same as when there is no adhesive tape. Or a liquid crystal display device capable of displaying high-quality images with improved antistatic properties and EMI countermeasures can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明による液晶表示装置の第1実施例の構成
を模式的に示す要部断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a principal part schematically showing a configuration of a first embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】図1の液晶表示装置の全体の構成を模式的に示
す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the entire configuration of the liquid crystal display device of FIG.

【図3】本発明による液晶表示装置の第1実施例の効果
を模式的に説明する液晶表示装置の要部断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of an essential part of the liquid crystal display device, schematically illustrating the effect of the first embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図4】本発明による液晶表示装置の第2実施例の構成
を模式的に示す要部断面図である。
FIG. 4 is a sectional view schematically showing a main part of a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明による液晶表示装置の第4実施例の構成
を模式的に示す要部断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a main part of a liquid crystal display device according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】本発明による液晶表示装置の第5実施例の構成
を模式的に示す要部断面図である。
FIG. 6 is a sectional view schematically showing a main part of a liquid crystal display device according to a fifth embodiment of the present invention.

【図7】本発明を適用する横電界方式カラー液晶表示装
置の一画素の周辺を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing the periphery of one pixel of the in-plane switching mode color liquid crystal display device to which the present invention is applied.

【図8】図7のFーF切断線における薄膜トランジスタ
TFTの断面図である。
8 is a cross-sectional view of the thin-film transistor TFT taken along the line FF in FIG. 7;

【図9】図7のGーG切断線における蓄積容量Cstg
の断面図である。
9 is a diagram showing a storage capacitance Cstg along the line GG in FIG. 7;
FIG.

【図10】本発明による液晶表示装置の駆動回路の概要
説明図である。
FIG. 10 is a schematic explanatory diagram of a driving circuit of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図11】本発明の液晶表示装置の駆動波形図である。FIG. 11 is a driving waveform diagram of the liquid crystal display device of the present invention.

【図12】モジュール化した液晶表示装置の各構成部品
を示す分解斜視図である。
FIG. 12 is an exploded perspective view showing each component of a modularized liquid crystal display device.

【図13】本発明による液晶表示装置を実装した電子機
器の一例であるノート型パソコンの斜視図である。
FIG. 13 is a perspective view of a notebook personal computer as an example of an electronic device on which the liquid crystal display device according to the present invention is mounted.

【図14】従来の液晶表示装置の液晶パネルとフレーム
の組立て構造の一例を説明する要部断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view of a principal part explaining an example of an assembling structure of a liquid crystal panel and a frame of a conventional liquid crystal display device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

SHD フレーム BAT 粘着テープ SUB1 下基板 SUB2 上基板 BM ブラックマトリクス SL シール材 BL バックライト FSM 表面遮光層 LC 液晶層 FIL カラーフィルタ TCL 透明導電膜。 SHD frame BAT Adhesive tape SUB1 Lower substrate SUB2 Upper substrate BM Black matrix SL Seal material BL Backlight FSM Surface light-shielding layer LC Liquid crystal layer FIL Color filter TCL Transparent conductive film.

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G09F 9/00 315 G09F 9/00 315B 321 321D 348 348E 9/35 320 9/35 320 Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI G09F 9/00 315 G09F 9/00 315B 321 321D 348 348E 9/35 320 9/35 320

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】上下一対の基板の少なくとも一方の基板の
内面に画素選択用の電極群および配線電極群を有し、他
方の基板の内面に内面遮光層で区画された複数色のカラ
ーフィルタを有し、当該一対の基板の対向間隙に液晶層
を挟持した液晶パネルと、前記配線電極群を介して前記
電極群に画素選択用の電圧を印加する駆動回路とを少な
くとも具備する液晶表示装置において、 前記他方の基板の前記内面遮光層が、当該基板の有効表
示領域の周囲にも形成されており、 前記他方の基板の外面に、当該基板の端面から少なくと
も前記内面遮光層の外周側端面に対応する位置に至る領
域に形成した外面遮光層を有することを特徴とする液晶
表示装置。
A plurality of color filters partitioned by an inner light-shielding layer are provided on an inner surface of at least one of a pair of upper and lower substrates, the electrode group for selecting pixels and a wiring electrode group being provided on an inner surface of the other substrate. A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between opposing gaps of the pair of substrates, and a driving circuit for applying a pixel selection voltage to the electrode group via the wiring electrode group. The inner light-shielding layer of the other substrate is also formed around an effective display area of the substrate, and on the outer surface of the other substrate, at least from the end face of the substrate to the outer end face of the inner light-shielding layer. A liquid crystal display device comprising an outer light-shielding layer formed in a region reaching a corresponding position.
【請求項2】一対の基板の一方の基板の内面にのみ画素
選択用の電極群と配線電極群およびスイッチング素子群
を有し、他方の基板の内面に内面遮光層で区画された複
数色のカラーフィルタを有し、当該一対の基板の対向間
隙に液晶層を挟持した液晶パネルと、前記配線電極群を
介して前記スイッチング素子群に画素選択用の電圧を選
択的に印加する駆動回路とを少なくとも具備する液晶表
示装置において、 前記他方の基板の前記内面遮光層が、当該基板の有効表
示領域の周囲にも形成されており、 前記他方の基板の外面に、当該基板の端面から少なくと
も前記内面遮光層の外周側端面に対応する位置に至る領
域に形成した外面遮光層を有することを特徴とする液晶
表示装置。
2. An image display apparatus according to claim 1, further comprising: a pixel selecting electrode group, a wiring electrode group, and a switching element group provided only on an inner surface of one of the pair of substrates, and a plurality of colors of pixels divided by an inner light shielding layer on an inner surface of the other substrate. A liquid crystal panel having a color filter, a liquid crystal layer sandwiched between opposed gaps between the pair of substrates, and a drive circuit for selectively applying a pixel selection voltage to the switching element group via the wiring electrode group. In the liquid crystal display device provided at least, the inner surface light-shielding layer of the other substrate is also formed around the effective display area of the substrate, and the outer surface of the other substrate is at least the inner surface from an end surface of the substrate. A liquid crystal display device comprising an outer light-shielding layer formed in a region reaching a position corresponding to an outer peripheral end face of the light-shielding layer.
【請求項3】前記液晶パネルの有効表示領域の外周に内
端を有する窓を設けたフレームを備え、 前記他方の基板の前記内面遮光層が、当該基板の有効表
示領域の周囲にも形成されており、 前記他方の基板の外面に、前記フレームの窓の内端から
前記内面遮光層の外周側端面に対応する位置に至る領域
に形成した外面遮光層を有することを特徴とする請求項
1または2に記載の液晶表示装置。
3. A frame provided with a window having an inner end on an outer periphery of an effective display area of the liquid crystal panel, wherein the inner light-shielding layer of the other substrate is also formed around the effective display area of the substrate. 2. An outer light-shielding layer formed on an outer surface of the other substrate in a region from an inner end of a window of the frame to a position corresponding to an outer-side end surface of the inner light-shielding layer. Or the liquid crystal display device according to 2.
【請求項4】前記表面遮光層が金属材料で形成され、前
記内面遮光層が有機材料で形成されていることを特徴と
する請求項1、2または3に記載の液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the surface light-shielding layer is formed of a metal material, and the inner surface light-shielding layer is formed of an organic material.
【請求項5】前記表面遮光層を覆って透明導電膜が前記
上基板の表面の全面に形成されていることを特徴とする
請求項1〜4の何れかに記載の液晶表示装置。
5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a transparent conductive film is formed on the entire surface of the upper substrate so as to cover the surface light-shielding layer.
【請求項6】前記表面遮光層が前記透明導電層の上層に
形成されていることを特徴とする請求項1〜4に記載の
液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein said surface light-shielding layer is formed above said transparent conductive layer.
【請求項7】前記表面遮光層が金属材料により形成され
ていることを特徴とする請求項5または6に記載の液晶
表示装置。
7. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein said surface light-shielding layer is formed of a metal material.
【請求項8】前記透明導電層が前記フレームと電気的に
接続されていることを特徴とする請求項5または6に記
載の液晶表示装置。
8. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein said transparent conductive layer is electrically connected to said frame.
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