JPH11202787A - Liquid crystal display device - Google Patents
Liquid crystal display deviceInfo
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- JPH11202787A JPH11202787A JP10004891A JP489198A JPH11202787A JP H11202787 A JPH11202787 A JP H11202787A JP 10004891 A JP10004891 A JP 10004891A JP 489198 A JP489198 A JP 489198A JP H11202787 A JPH11202787 A JP H11202787A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に係
り、特に表示部のケースにネジを用いることなく液晶表
示モジュールを取り付けることにより、外形寸法を小さ
くした液晶表示装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a liquid crystal display device having a reduced external dimension by attaching a liquid crystal display module without using a screw in a case of a display unit.
【0002】[0002]
【従来の技術】ノート型コンピュータやコンピュータモ
ニター用の高精細表示が可能な液晶表示装置では、液晶
パネルおよびこの液晶パネルを駆動する駆動回路基板と
前記液晶パネルを背面から照明する光源(所謂、バック
ライト)を積層して上フレームと下フレームとで挟み込
んで固定して液晶表示モジュールとし、これを上記ノー
ト型コンピュータやコンピュータモニターの表示部ケー
スに固定している。2. Description of the Related Art In a liquid crystal display device capable of high-definition display for a notebook computer or a computer monitor, a liquid crystal panel, a driving circuit board for driving the liquid crystal panel, and a light source for illuminating the liquid crystal panel from behind (a so-called back light). (Lights) are laminated, sandwiched and fixed between an upper frame and a lower frame to form a liquid crystal display module, which is fixed to the display case of the notebook computer or the computer monitor.
【0003】上記表示部のケースへの液晶表示モジュー
ルの固定は、液晶表示モジュールの平行する二辺に突設
したタブにネジ穴を形成し、このネジ穴とケースに形成
したボスとにネジを介して固定するのが一般的である。[0003] To fix the liquid crystal display module to the case of the display section, a screw hole is formed in a tab protruding from two parallel sides of the liquid crystal display module, and a screw is formed between the screw hole and a boss formed in the case. It is common to fix via
【0004】図22は従来の液晶表示装置における液晶
表示モジュールの固定構造を説明する表示部の平面図、
図23は図22のA−A線に沿った部分断面図であっ
て、ノート型コンピュータの表示部を例としたものであ
る。FIG. 22 is a plan view of a display section for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a conventional liquid crystal display device.
FIG. 23 is a partial cross-sectional view taken along the line AA of FIG. 22 and illustrates a display unit of a notebook computer as an example.
【0005】図22と図23において、表示部は底面を
囲む側壁を有するケースCASEとこのケースCASE
内に実装した液晶表示モジュールMDLとから構成され
る。液晶表示モジュールMDLは、第1の基板SUB1
と第2の基板SUB2の間に液晶層を挟持し、表面と裏
面のそれぞれに貼付した偏光板POL1,POL2から
なる液晶パネルPNLと、この液晶パネルPNLの背面
に設置したバックライトBLを上フレームSHD1と下
フレームSHD2とでゴムクッションGC等のスペーサ
を介して固定してなる。なお、液晶パネルを駆動するた
めの回路を搭載した駆動回路基板等は図示を省略してあ
る。In FIGS. 22 and 23, the display unit has a case CASE having a side wall surrounding a bottom surface, and the case CASE.
And a liquid crystal display module MDL mounted therein. The liquid crystal display module MDL includes a first substrate SUB1
A liquid crystal panel PNL composed of polarizing plates POL1 and POL2 with a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate SUB2 and adhered to the front and rear surfaces, respectively, and a backlight BL installed on the rear surface of the liquid crystal panel PNL as an upper frame. The SHD1 and the lower frame SHD2 are fixed via a spacer such as a rubber cushion GC. A drive circuit board and the like on which a circuit for driving the liquid crystal panel is mounted are not shown.
【0006】そして、この液晶表示モジュールMDLの
対向する平行な二辺のそれぞれに上フレームSHD1と
下フレームSHDから突設したネジ穴を有する4個のタ
ブTAB1,TAB2とTAB3,TAB4を備え、こ
の4個のタブをケースCASEの底面に形成したボスB
OSに形成したネジ受け穴とを合わせ、ネジSCR1,
SCR2,SCR3,SCR4で固定してある。The liquid crystal display module MDL is provided with four tabs TAB1, TAB2, TAB3, and TAB4 having screw holes protruding from the upper frame SHD1 and the lower frame SHD on each of two opposing parallel sides thereof. Boss B with four tabs formed on the bottom of case CASE
Align the screw receiving holes formed in the OS with the screws SCR1,
Fixed at SCR2, SCR3, SCR4.
【0007】なお、HNG1,HNG2はノート型コン
ピュータの本体の回動可能に取り付けるためのヒンジで
ある。HNG1 and HNG2 are hinges for rotatably mounting the main body of the notebook computer.
【0008】バックライトは液晶に生成した画像を可視
化するための背面照明装置であり、薄型化が要求される
ノート型コンピュータでは、バックライトとして導光板
の側縁に線状光源を配置した、所謂サイドエッジ型が採
用されており、またモニター用液晶表示装置でも奥行き
を短縮するためにはサイドエッジ型が用いられる。A backlight is a backlighting device for visualizing an image generated on a liquid crystal. In a notebook computer which is required to be thin, a so-called backlight in which a linear light source is arranged on a side edge of a light guide plate is used. A side edge type is employed, and a side edge type is also used in a liquid crystal display device for a monitor in order to reduce the depth.
【0009】しかし、コンピュータモニター等の大型の
液晶表示装置では、さらに高輝度照明光を得るために直
下型バックライトを採用する場合が多い。However, large-sized liquid crystal display devices such as a computer monitor often employ a direct-type backlight to obtain higher-luminance illumination light.
【0010】何れの形式のバックライトも、液晶パネル
と共にモジュール化し、これを表示部のケースに収納し
て固定している。[0010] Each type of backlight is modularized together with a liquid crystal panel, and is housed and fixed in a case of a display unit.
【0011】上記したように、この種の液晶表示装置
は、基本的には少なくとも一方が透明なガラス等からな
る二枚の基板の間に液晶層を挟持した所謂液晶パネルを
構成し、この液晶パネルの周縁に組み込んだ駆動回路か
ら上記液晶パネルを構成する二枚の基板の一方または双
方に形成した画素形成用の各種電極に所要の電圧等を印
加することで画像表示を行う。As described above, this type of liquid crystal display device basically constitutes a so-called liquid crystal panel in which a liquid crystal layer is sandwiched between two substrates at least one of which is made of transparent glass or the like. Image display is performed by applying a required voltage or the like to various electrodes for pixel formation formed on one or both of the two substrates constituting the liquid crystal panel from a driving circuit incorporated in the periphery of the panel.
【0012】この画像形成は、上記液晶パネルの基板に
形成した画素形成用の各種電極に選択的に電圧を印加し
て所定画素の点灯と消灯を行う形式、上記各種電極と画
素選択用のアクティブ素子を形成してこのアクティブ素
子を選択することにより所定画素の点灯と消灯を行う形
式とに分類される。This image formation is performed by selectively applying a voltage to various electrodes for pixel formation formed on the substrate of the liquid crystal panel to turn on and off a predetermined pixel. By forming an element and selecting this active element, the method is classified into a type of turning on and off a predetermined pixel.
【0013】後者の形式の液晶表示装置はアクティブマ
トリクス型と称し、コントラスト性能、高速表示性能等
から液晶表示装置の主流となっている。従来のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、一方の基板に形成した
電極と他方の基板に形成した電極との間に液晶層の配向
方向を変えるための電界を印加する、所謂縦電界方式を
採用していた。The latter type of liquid crystal display device is called an active matrix type, and is the mainstream of the liquid crystal display device because of its contrast performance, high-speed display performance and the like. A conventional active matrix type liquid crystal display device employs a so-called vertical electric field method in which an electric field for changing the orientation direction of a liquid crystal layer is applied between an electrode formed on one substrate and an electrode formed on the other substrate. I was
【0014】また、近年、液晶層に印加する電界の方向
を基板面とほぼ平行な方向とする、所謂横電界方式(I
PS方式とも言う)の液晶表示装置が実現された。この
横電界方式の液晶表示装置としては、二枚の基板の一方
に櫛歯電極を用いて非常に広い視野角を得るようにした
ものが知られている(特公昭63−21907号公報、
米国特許第4345249号明細書)。In recent years, the direction of an electric field applied to a liquid crystal layer is set to a direction substantially parallel to the substrate surface.
A liquid crystal display device of the PS type is also realized. As this in-plane switching mode liquid crystal display device, a device in which a very wide viewing angle is obtained by using a comb electrode on one of two substrates is known (Japanese Patent Publication No. 63-21907,
U.S. Pat. No. 4,345,249).
【0015】[0015]
【発明が解決しようとする課題】このような液晶パネル
は年々画面サイズが大型化しており、限られた表示部の
ケース内に収納するために、その所謂額縁の狭幅化が要
望されている。The screen size of such a liquid crystal panel has been increasing year by year, and a so-called narrow frame has been demanded in order to accommodate the liquid crystal panel in a limited display case. .
【0016】前記図20、図21に示した従来の固定構
造では、取り付け強度の点から、一般的にM3.0やM
3.5のネジが使用されている。このため、限られたサ
イズの表示部に液晶表示モジュールを取り付けるための
タブの大きさを小さくすることには制限があり、結果と
して額縁の幅をある程度以下とすることができないとい
う問題があった。In the conventional fixing structure shown in FIGS. 20 and 21, from the viewpoint of mounting strength, M3.0 or M3.0 is generally used.
3.5 screws are used. For this reason, there is a limitation in reducing the size of the tab for attaching the liquid crystal display module to the display unit of a limited size, and as a result, there has been a problem that the width of the picture frame cannot be reduced to some extent. .
【0017】また、従来のネジを用いるものでは、当該
ネジを受けるボスの強度を確保する必要があるために、
薄型化が困難であるという問題もあった。In the case of using a conventional screw, it is necessary to ensure the strength of the boss receiving the screw.
There is also a problem that it is difficult to reduce the thickness.
【0018】本発明の目的は、上記従来技術の問題を解
消し、ネジを用いることなく液晶表示モジュールを表示
部のケースに固定することにより、液晶パネルが画面が
大型化した場合にも額縁の狭幅化で対応できるようにし
た液晶表示装置を提供することにある。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art, and to fix the liquid crystal display module to the case of the display unit without using screws, so that even if the liquid crystal panel becomes large in size, the frame can be formed. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal display device that can respond to the narrowing.
【0019】[0019]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明では、液晶表示モジュールの平行する二辺に
外方にネジ穴を有しないタブを突設すると共に、表示部
のケース、またはケース内に設置した補強部材の前記タ
ブに対応する位置にタブ受け穴を形成して、上記タブを
タブ受け穴に係合することにより、ネジ無しで液晶表示
モジュールを固定する構造とした。In order to achieve the above object, according to the present invention, a tab having no screw holes is provided on two parallel sides of a liquid crystal display module, and a case of a display unit, Alternatively, a tab receiving hole is formed at a position corresponding to the tab of the reinforcing member installed in the case, and the tab is engaged with the tab receiving hole, thereby fixing the liquid crystal display module without screws.
【0020】すなわち、本発明は、下記(1)〜(3)
の構成としたことに特徴を有する。 (1)対向配置された少なくとも一方に画素選択用の電
極を有する一対の透明基板の間に液晶層を挟持してなる
液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応じた電圧を印
加するための駆動回路手段と、前記液晶パネルの背面に
設置されたバックライトとを上フレームおよびこの上フ
レームと連接する下フレームにより固定してなる液晶表
示モジュールを表示部を構成するケースに実装した液晶
表示装置において、前記液晶表示モジュールは、前記上
フレームと下フレームの何れか一方または双方の平行す
る二辺に外方に突設した少なくとも各1つのタブを備
え、前記ケースは、底面とこの底面に臨んだタブ受け穴
を形成した少なくとも一対の対向側壁を有し、前記タブ
受け穴に前記タブを係合させることによって、前記液晶
表示モジュールを前記ケースに固定したことを特徴とす
る。That is, the present invention provides the following (1) to (3)
It is characterized by having the configuration of (1) A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them opposed to each other, and a drive for applying a voltage according to a display signal to the panel. A liquid crystal display device in which a liquid crystal display module in which a circuit means and a backlight installed on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame is mounted on a case forming a display unit. The liquid crystal display module includes at least one tab protruding outward on two parallel sides of one or both of the upper frame and the lower frame, and the case faces the bottom surface and the bottom surface. The liquid crystal display module has at least a pair of opposing side walls formed with tab receiving holes. Characterized by being fixed to the case.
【0021】なお、上記タブは各辺あたり1個でもよい
が、2個形成することで確実な固定ができる。また、こ
のタブは各辺当たり3個、あるいは一方の辺と他方の辺
とでタブの数を異ならせてもよい。The number of the tabs may be one per each side, but by forming two tabs, reliable fixing can be achieved. Further, the number of the tabs may be three on each side, or the number of tabs may be different between one side and the other side.
【0022】この構成では、ケースの弾性を利用して外
側に湾曲させた応対で液晶表示モジュールのタブを当該
ケースに形成したタブ受け穴に係合させればよい。In this configuration, the tab of the liquid crystal display module may be engaged with the tab receiving hole formed in the case by a response curved outward using the elasticity of the case.
【0023】これにより、液晶パネルが画面が大型化し
た場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点数を削減し
て組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提供できる。Accordingly, even when the screen size of the liquid crystal panel becomes large, it is possible to cope with the narrow frame, and it is possible to provide a liquid crystal display device in which the number of parts is reduced and the assembling process is simplified.
【0024】(2)対向配置された少なくとも一方に画
素選択用の電極を有する一対の透明基板の間に液晶層を
挟持してなる液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応
じた電圧を印加するための駆動回路手段と、前記液晶パ
ネルの背面に設置されたバックライトとを上フレームお
よびこの上フレームと連接する下フレームにより固定し
てなる液晶表示モジュールを表示部を構成するケースに
実装した液晶表示装置において、前記液晶表示モジュー
ルは、前記上フレームと下フレームの何れか一方または
双方の平行する二辺に外方に突設した少なくとも1つの
タブを備え、前記ケースは、底面とこの底面に臨んだ側
壁を有すると共に、その1つの側壁にタブ受け穴を備
え、前記タブ受け穴を備えた側壁と前記底面を挟んで対
向する側壁の内側に、タブ受け穴を備えて前記ケースに
固定した補強部材を有し、前記側壁のタブ受け穴と前記
補強部材のタブ受け穴に前記液晶表示モジュールのタブ
を係合させることによって、前記液晶表示モジュールを
前記ケースに固定したことを特徴とする。(2) A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them facing each other, and applying a voltage corresponding to a display signal to the panel. Liquid crystal display module comprising a liquid crystal display module in which a driving circuit means for fixing a liquid crystal display module and a backlight installed on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame. In the display device, the liquid crystal display module includes at least one tab projecting outward on two sides parallel to one or both of the upper frame and the lower frame, and the case has a bottom surface and a bottom surface. A side wall provided with a tab receiving hole on one side wall, and a side wall provided with the tab receiving hole and an inner side wall opposed to each other across the bottom surface. The liquid crystal display module has a reinforcing member fixed to the case with a tab receiving hole, and the tab of the liquid crystal display module is engaged with the tab receiving hole of the side wall and the tab receiving hole of the reinforcing member. It is characterized by being fixed to the case.
【0025】なお、上記タブは(1)と同様に、各辺あ
たり1個でもよいが、2個形成することで確実な固定が
できる。また、このタブは各辺当たり3個、あるいは一
方の辺と他方の辺とでタブの数を異ならせてもよい。The number of the tabs may be one for each side as in the case of (1), but by forming two tabs, the tab can be securely fixed. Further, the number of the tabs may be three on each side, or the number of tabs may be different between one side and the other side.
【0026】この構成では、先にケースに組み込む前の
補強部材のタブ受け穴に液晶表示モジュールの一方の辺
側のタブを係合させた後、ケースに形成したタブ受け穴
に他方の辺側のタブを係合させ、補強部材を固定する。In this configuration, the tab on one side of the liquid crystal display module is engaged with the tab receiving hole of the reinforcing member before being incorporated in the case first, and then the other side is inserted into the tab receiving hole formed in the case. And the reinforcing member is fixed.
【0027】これにより、液晶パネルが画面が大型化し
た場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点数を削減し
て組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提供できる。This makes it possible to provide a liquid crystal display device which can cope with an increase in the size of the screen of the liquid crystal panel by reducing the frame width, simplifying the assembling process by reducing the number of parts.
【0028】(3)対向配置された少なくとも一方に画
素選択用の電極を有する一対の透明基板の間に液晶層を
挟持してなる液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応
じた電圧を印加するための駆動回路手段と、前記液晶パ
ネルの背面に設置されたバックライトとを上フレームお
よびこの上フレームと連接する下フレームにより固定し
てなる液晶表示モジュールを表示部を構成するケースに
実装した液晶表示装置において、前記液晶表示モジュー
ルは、前記上フレームと下フレームの何れか一方または
双方の平行する各側面のそれぞれに突設した少なくとも
1つのタブを備え、前記底面を挟んで対向する平行な側
壁の内側にタブ受け穴を備えて前記ケースに固定した一
対の補強部材を有し、前記一対の補強部材のタブ受け穴
に前記液晶表示モジュールのタブを係合させることによ
って、前記液晶表示モジュールを前記ケースに固定した
ことを特徴とする。(3) A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them facing each other, and applying a voltage corresponding to a display signal to the panel. Liquid crystal display module comprising a liquid crystal display module in which a driving circuit means for fixing a liquid crystal display module and a backlight installed on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame. In the display device, the liquid crystal display module includes at least one tab protruding from each of parallel side surfaces of one or both of the upper frame and the lower frame, and has parallel side walls facing each other with the bottom surface interposed therebetween. A pair of reinforcing members fixed to the case with tab receiving holes provided inside the case, and the liquid crystal display module is provided in the tab receiving holes of the pair of reinforcing members. By engaging the tab of Yuru, characterized in that fixing the liquid crystal display module to said casing.
【0029】なお、上記タブは(1)(2)と同様に、
各辺あたり1個でもよいが、2個形成することで確実な
固定ができる。また、このタブは各辺当たり3個、ある
いは一方の辺と他方の辺とでタブの数を異ならせてもよ
い。The tabs are similar to the tabs (1) and (2).
One piece may be provided for each side, but two pieces can be securely fixed. Further, the number of the tabs may be three on each side, or the number of tabs may be different between one side and the other side.
【0030】この構成では、先にケースに組み込む前の
補強部材のタブ受け穴に液晶表示モジュールの各辺のタ
ブを係合させた後、ケースに補強部材を固定する。In this configuration, the tabs on each side of the liquid crystal display module are engaged with the tab receiving holes of the reinforcing member before being incorporated into the case, and then the reinforcing member is fixed to the case.
【0031】これにより、液晶パネルが画面が大型化し
た場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点数を削減し
て組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提供できる。This makes it possible to provide a liquid crystal display device which can cope with the case where the screen of the liquid crystal panel has a large screen by reducing the width of the frame, reduce the number of parts, and simplify the assembling process.
【0032】[0032]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につ
き、実施例を参照して詳細に説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to examples.
【0033】図1は本発明による液晶表示装置第1実施
例における液晶表示モジュールの固定構造を説明する表
示部の平面図、図2は図1のA−A線に沿った部分断面
図であって、ノート型コンピュータの表示部に本発明を
適用したものである。FIG. 1 is a plan view of a display unit for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a partial cross-sectional view taken along line AA of FIG. The present invention is applied to a display portion of a notebook computer.
【0034】図1と図2において、表示部は前記従来例
と同様に底面を囲む側壁を有するケースCASEとこの
ケースCASE内に実装した液晶表示モジュールMDL
とから構成される。液晶表示モジュールMDLは、第1
の基板SUB1と第2の基板SUB2の間に液晶層を挟
持し、表面と裏面のそれぞれに貼付した偏光板POL
1,POL2からなる液晶パネルPNLと、この液晶パ
ネルPNLの背面に設置したバックライトBLを上フレ
ームSHD1と下フレームSHD2とでゴムクッション
GC等のスペーサを介して固定してなる。なお、液晶パ
ネルを駆動するための回路を搭載した駆動回路基板等は
図示を省略してある。In FIGS. 1 and 2, the display unit has a case CASE having a side wall surrounding the bottom surface as in the conventional example, and a liquid crystal display module MDL mounted in the case CASE.
It is composed of The liquid crystal display module MDL has the first
Polarizer POL having a liquid crystal layer sandwiched between the substrate SUB1 and the second substrate SUB2, and attached to the front and back surfaces, respectively.
A liquid crystal panel PNL comprising POL1 and POL2 and a backlight BL installed on the back of the liquid crystal panel PNL are fixed to the upper frame SHD1 and the lower frame SHD2 via a spacer such as a rubber cushion GC. A drive circuit board and the like on which a circuit for driving the liquid crystal panel is mounted are not shown.
【0035】そして、この液晶表示モジュールMDLの
対向する平行な二辺のそれぞれに上フレームSHD1と
下フレームSHDから突設した4個のタブTAB1,T
AB2とTAB3,TAB4を備えている。この4個の
タブをある程度柔軟性を持つ材料から構成したケースC
ASEの内壁に形成したタブ受け穴ALCに係合して固
定する。Then, four tabs TAB1 and TAB1 protruding from the upper frame SHD1 and the lower frame SHD on each of two opposite parallel sides of the liquid crystal display module MDL.
AB2, TAB3, and TAB4 are provided. Case C in which these four tabs are made of a material having some flexibility
The ASE is engaged with and fixed to the tab receiving hole ALC formed in the inner wall of the ASE.
【0036】本実施例のタブTAB1,TAB2とTA
B3,TAB4は従来のネジ孔を必要としないため、そ
の突出長さを従来よりも短くすることができ、例えば従
来のタブが約7mm程度であったものに対し、約3mm
程度にすることができる。The tabs TAB1, TAB2 and TA of this embodiment
Since B3 and TAB4 do not require a conventional screw hole, their protruding length can be made shorter than before. For example, the conventional tab has a diameter of about 7 mm, which is about 3 mm.
Degree.
【0037】なお、HNG1,HNG2はノート型コン
ピュータの本体を回動可能に取り付けるためのヒンジで
ある。HNG1 and HNG2 are hinges for rotatably mounting the main body of the notebook computer.
【0038】この実施例では、ケースCASEの内壁に
形成したタブ受け穴ALCと液晶表示モジュールMDL
のタブTABの係合は、当該ケースCASEのタブ受け
穴ALCの片方に液晶表示モジュールMDLの一方側の
タブTABを係合させ、次にケースCASEを背面側に
湾曲させ、ケースCASEの柔軟性を利用して液晶表示
モジュールMDLの残りの側のタブTABを液晶表示モ
ジュールMDLの他方に係合させる。In this embodiment, the tab receiving hole ALC formed in the inner wall of the case CASE and the liquid crystal display module MDL
The tab TAB of the liquid crystal display module MDL is engaged with one of the tab receiving holes ALC of the case CASE, and then the case CASE is bent to the rear side, and the flexibility of the case CASE is adjusted. The tab TAB on the remaining side of the liquid crystal display module MDL is engaged with the other side of the liquid crystal display module MDL using the above.
【0039】これにより、液晶パネルが画面が大型化し
た場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点数を削減し
て組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提供できる。This makes it possible to provide a liquid crystal display device in which the frame width can be reduced even when the size of the screen of the liquid crystal panel is increased, and the number of components is reduced and the assembly process is simplified.
【0040】図3は本発明による液晶表示装置第2実施
例における液晶表示モジュールの固定構造を説明する表
示部の平面図、図4は図3のB−B線に沿った部分断面
図であって、第1実施例と同様に、ノート型コンピュー
タの表示部に本発明を適用したものである。なお、図3
のA−A線断面は図2と同様である。FIG. 3 is a plan view of a display unit for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a partial cross-sectional view taken along line BB of FIG. As in the first embodiment, the present invention is applied to a display unit of a notebook computer. Note that FIG.
2 is the same as FIG.
【0041】図3と図4において、液晶表示モジュール
MDLの基本構成は第1実施例と同様であるので説明は
省略する。この実施例では、ケースCASEの一方の側
壁(図の右側)の内方に前記図2と同様のタブ受け穴を
形成し、他方の側壁(図の左側)には補強部材ST2を
備え、この補強部材ST2にタブ受け穴ALCを形成し
てある。補強部材ST2に形成したタブ受け穴ALCは
貫通穴として示してあるが、貫通しない穴としてもよ
い。In FIGS. 3 and 4, the basic configuration of the liquid crystal display module MDL is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted. In this embodiment, a tab receiving hole similar to that of FIG. 2 is formed inside one side wall (right side in the figure) of the case CASE, and a reinforcing member ST2 is provided in the other side wall (left side in the figure). A tab receiving hole ALC is formed in the reinforcing member ST2. Although the tab receiving holes ALC formed in the reinforcing member ST2 are shown as through holes, they may be holes that do not penetrate.
【0042】また、液晶表示モジュールMDLの対向す
る平行な二辺のそれぞれに上フレームSHD1から突設
した4個のタブTAB1,TAB2とTAB3,TAB
4を備えている。この4個のタブの一方側のタブTAB
1,TAB2はケースCASEの一方の側壁に形成した
タブ受け穴に係合させ、他方のタブTAB3,TAB4
は補強部材ST2に形成したタブ受け穴ALCに係合さ
せる。Also, four tabs TAB1, TAB2 and TAB3, TAB protruding from the upper frame SHD1 on two opposite parallel sides of the liquid crystal display module MDL.
4 is provided. Tab TAB on one side of these four tabs
1, TAB2 is engaged with a tab receiving hole formed on one side wall of the case CASE, and the other tabs TAB3, TAB4
Is engaged with the tab receiving hole ALC formed in the reinforcing member ST2.
【0043】この実施例では、最初に補強部材ST2の
タブ受け穴ALCに液晶表示モジュールMDLのタブT
AB3,TAB4を係合させ後、タブTAB1,TAB
2をケースCASEに形成したタブ受け穴に係合させ、
補強部材ST2をケースCASEに固定する。In this embodiment, first, the tab T of the liquid crystal display module MDL is inserted into the tab receiving hole ALC of the reinforcing member ST2.
After engaging AB3 and TAB4, tabs TAB1 and TAB
2 is engaged with the tab receiving hole formed in the case CASE,
The reinforcing member ST2 is fixed to the case CASE.
【0044】この実施例によっても、液晶パネルが画面
が大型化した場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点
数を削減して組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提
供できる。According to this embodiment, even when the size of the screen of the liquid crystal panel is increased, the frame width can be reduced, and the number of components can be reduced and the assembly process can be simplified to provide a liquid crystal display device.
【0045】図5は本発明による液晶表示装置第3実施
例における液晶表示モジュールの固定構造を説明する表
示部の平面図、図6は図5のA−A線に沿った部分断面
図であって、第1および第2実施例と同様に、ノート型
コンピュータの表示部に本発明を適用したものである。FIG. 5 is a plan view of a display portion for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a partial cross-sectional view taken along line AA of FIG. As in the first and second embodiments, the present invention is applied to the display unit of a notebook computer.
【0046】図5と図6において、液晶表示モジュール
MDLの基本構成は第1実施例と同様であるので説明は
省略する。この実施例では、ケースCASEの一方の側
壁(図の右側)の内方と他方の側壁(図の左側)の内方
とに補強部材ST1,ST2を備え、この補強部材ST
1とSY2にタブ受け穴ALCを形成してある。なお、
補強部材ST1,ST2に形成したタブ受け穴ALCは
貫通穴として示してあるが、貫通しない穴としてもよ
い。In FIGS. 5 and 6, the basic structure of the liquid crystal display module MDL is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted. In this embodiment, reinforcing members ST1 and ST2 are provided inside one side wall (right side in the figure) and inside the other side wall (left side in the figure) of the case CASE.
1 and SY2 are formed with tab receiving holes ALC. In addition,
Although the tab receiving holes ALC formed in the reinforcing members ST1 and ST2 are shown as through holes, they may be holes that do not penetrate.
【0047】また、液晶表示モジュールMDLの対向す
る平行な二辺のそれぞれに上フレームSHD1から突設
した4個のタブTAB1,TAB2とTAB3,TAB
4を備えている。この4個のタブTAB1,TAB2と
タブTAB3,TAB4を補強部材ST1,ST2に形
成したタブ受け穴ALCにそれぞれ係合させた後、両補
強部材ST1,ST2をケースCASEに固定する。Also, four tabs TAB1, TAB2 and TAB3, TAB protruding from the upper frame SHD1 on each of two opposing parallel sides of the liquid crystal display module MDL.
4 is provided. After the four tabs TAB1, TAB2 and the tabs TAB3, TAB4 are respectively engaged with the tab receiving holes ALC formed in the reinforcing members ST1, ST2, the two reinforcing members ST1, ST2 are fixed to the case CASE.
【0048】この実施例によっても、液晶パネルが画面
が大型化した場合にも額縁の狭幅化で対応でき、部品点
数を削減して組立て工程を簡素化した液晶表示装置を提
供できる。According to this embodiment, even when the size of the screen of the liquid crystal panel is increased, the width of the frame can be reduced, and the number of components can be reduced and the assembly process can be simplified to provide a liquid crystal display device.
【0049】なお、上記各実施例におけるタブの形状は
任意であり、それを上フレームか下フレーム、または上
下フレームの何れかに形成することができ、各実施例を
組み合わせて適用できる。The shape of the tab in each of the above embodiments is arbitrary, and it can be formed on either the upper frame, the lower frame, or the upper and lower frames, and the embodiments can be combined and applied.
【0050】このように、本発明の各実施例によれば、
表示部のケースに液晶表示モジュールを固定する際にネ
ジを使用しないため、ネジおよびネジ穴の形成に必要な
スペースを不要とし、額縁の狭幅化、あるいは同一画面
サイズでは小型化が容易となると共に、表示部の薄型化
も達成できる。As described above, according to each embodiment of the present invention,
Since no screws are used when fixing the liquid crystal display module to the display case, the space required for forming screws and screw holes is not required, making it easier to reduce the width of the frame or reduce the size of the same screen size. At the same time, the display portion can be made thinner.
【0051】図7は本発明による液晶表示装置の全体例
を説明するノート型コンピュータの斜視図である。FIG. 7 is a perspective view of a notebook computer for explaining an overall example of a liquid crystal display device according to the present invention.
【0052】このノート型コンピュータ(可搬型パソコ
ン)はキーボード部(本体部)と、このキーボード部に
ヒンジで連結した表示部から構成される。キーボード部
にはキーボードとホスト(ホストコンピュータ)、CP
U等の信号生成機能を収納し、表示部には液晶パネルP
NLを有し、その周辺に駆動回路基板PCB1,PCB
2、コントロールチップTCONを搭載したPCB3、
およびバックライト電源であるインバータ電源基板など
が実装される。This notebook computer (portable personal computer) comprises a keyboard section (main body section) and a display section connected to the keyboard section by a hinge. Keyboard and host (host computer), CP
U and other signal generation functions, and the display unit has a liquid crystal panel P
NL, and drive circuit boards PCB1 and PCB
2, PCB3 with control chip TCON,
In addition, an inverter power supply board serving as a backlight power supply is mounted.
【0053】そして、上記液晶表示パネルPNL、各種
回路基板PCB1,PCB2,PCB3、インバータ電
源基板、およびバックライトを一体化した液晶表示モジ
ュールを前記した各実施例の何れかの構造で固定してあ
る。これにより、額縁の狭幅化を図ったノート型コンピ
ュータが得られる。Then, the liquid crystal display panel PNL, the various circuit boards PCB1, PCB2, PCB3, the inverter power supply board, and the liquid crystal display module integrated with the backlight are fixed by any one of the structures of the above embodiments. . Thus, a notebook computer with a narrower frame can be obtained.
【0054】次に、本発明の液晶表示装置の詳細を図8
〜図21により説明する。Next, the details of the liquid crystal display device of the present invention are shown in FIG.
This will be described with reference to FIG.
【0055】図8は本発明の液晶表示装置の一例である
アクティブ・マトリクス方式カラー液晶表示装置の一画
素とブラックマトリクスBMの遮光領域およびその周辺
を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing one pixel of an active matrix type color liquid crystal display device which is an example of the liquid crystal display device of the present invention, a light shielding region of the black matrix BM, and its periphery.
【0056】図8に示すように、各画素は走査信号配線
(ゲート信号線又は水平信号線)GLと、対向電圧信号
線(対向電極配線)CLと、隣接する2本の映像信号配
線(ドレイン信号線又は垂直信号線)DLとの交差領域
内(4本の信号線で囲まれた領域内)に配置されてい
る。As shown in FIG. 8, each pixel has a scanning signal line (gate signal line or horizontal signal line) GL, a counter voltage signal line (counter electrode line) CL, and two adjacent video signal lines (drain). The signal line or the vertical signal line) is arranged in an intersecting region with the DL (in a region surrounded by four signal lines).
【0057】各画素は薄膜トランジスタTFT、蓄積容
量Cstg、画素電極PX及び対向電極CTを含む。走
査信号線GL、対向電圧信号線CLは、同図では左右方
向に延在し、上下方向に複数本配置されている。映像信
号線DLは上下方向に延在し、左右方向に複数本配置さ
れている。画素電極PXは薄膜トランジスタTFTと接
続され、対向電極CTは対向電圧信号線CLと一体にな
っている。Each pixel includes a thin film transistor TFT, a storage capacitor Cstg, a pixel electrode PX, and a counter electrode CT. The scanning signal lines GL and the counter voltage signal lines CL extend in the left-right direction in FIG. The video signal lines DL extend in the up-down direction, and a plurality of video signal lines DL are arranged in the left-right direction. The pixel electrode PX is connected to the thin film transistor TFT, and the counter electrode CT is integrated with the counter voltage signal line CL.
【0058】画素電極PXと対向電極CTは互いに対向
し、各画素電極PXと対向電極CTとの間の電界により
液晶LCの配向状態を制御し、透過光を変調して表示を
制御する。画素電極PXと対向電極CTは櫛歯状に構成
され、それぞれ同図の上下方向に長細い電極となってい
る。The pixel electrode PX and the counter electrode CT are opposed to each other, and the alignment state of the liquid crystal LC is controlled by the electric field between each pixel electrode PX and the counter electrode CT, and the transmitted light is modulated to control the display. The pixel electrode PX and the counter electrode CT are formed in a comb-like shape, and each is an electrode that is elongated in the vertical direction in FIG.
【0059】1画素内の対向電極CTの本数O(櫛歯の
本数)は、画素電極PXの本数P(櫛歯の本数)とO=
P+1の関係を必ず持つように構成する(本実施例で
は、O=2、P=1)。これは、対向電極CTと画素電
極PXを交互に配置し、かつ、対向電極CTを映像信号
線DLに必ず隣接させるためである。The number O (the number of comb teeth) of the counter electrode CT in one pixel is equal to the number P (the number of comb teeth) of the pixel electrode PX and O =
It is configured to always have the relationship of P + 1 (O = 2, P = 1 in this embodiment). This is because the counter electrode CT and the pixel electrode PX are alternately arranged, and the counter electrode CT is always adjacent to the video signal line DL.
【0060】これにより、対向電極CTと画素電極PX
の間の電界が、映像信号線DLから発生する電界から影
響を受けないように、対向電極CTで映像信号線DLか
らの電気力線をシールドすることができる。Thus, the counter electrode CT and the pixel electrode PX are
The electric field lines from the video signal line DL can be shielded by the counter electrode CT so that the electric field between them is not affected by the electric field generated from the video signal line DL.
【0061】対向電極CTは、対向電圧信号線CLによ
り常に外部から電位を供給されているため、電位は安定
している。そのため、映像信号線DLに隣接しても、電
位の変動が殆どない。又、これにより、画素電極PXの
映像信号線DLからの幾何学的な位置が遠くなるので、
画素電極PXと映像信号線DLの間の寄生容量が大幅に
減少し、画素電極電位Vsの映像信号電圧による変動も
制御できる。Since the potential of the counter electrode CT is always supplied from the outside by the counter voltage signal line CL, the potential is stable. Therefore, there is almost no change in potential even adjacent to the video signal line DL. In addition, since the geometric position of the pixel electrode PX from the video signal line DL becomes farther,
The parasitic capacitance between the pixel electrode PX and the video signal line DL is greatly reduced, and the fluctuation of the pixel electrode potential Vs due to the video signal voltage can be controlled.
【0062】これらにより、上下方向に発生するクロス
トーク(縦スミアと呼ばれる画質不良)を抑制すること
ができる。Thus, it is possible to suppress crosstalk (defective image quality called vertical smear) occurring in the vertical direction.
【0063】画素電極PXと対向電極CTの電極幅W
p,Wcはそれぞれ6μmとし、後述の液晶層の最大設
定厚みを超える4.5μmよりも十分大きく設定する。
製造上の加工ばらつきを考慮すると20%以上のマージ
ンを持った方が好ましいので、望ましくは5.4μmよ
りも十分大きくしたほうが良い。The electrode width W between the pixel electrode PX and the counter electrode CT
Each of p and Wc is set to 6 μm, which is set sufficiently larger than 4.5 μm which exceeds the maximum set thickness of the liquid crystal layer described later.
It is preferable to have a margin of 20% or more in consideration of processing variations in manufacturing. Therefore, it is preferable that the margin be sufficiently larger than 5.4 μm.
【0064】これにより、液晶層に印加される基板面に
平行な電界成分が基板面に垂直な方向の電界成分よりも
大きくなり、液晶を駆動する電圧の上昇を抑制すること
ができる。又、各電極の電極幅Wp,Wcの最大値は、
画素電極PXと対向電極CTの間の間隔Lよりも小さい
事が好ましい。Thus, the electric field component applied to the liquid crystal layer parallel to the substrate surface becomes larger than the electric field component in the direction perpendicular to the substrate surface, and it is possible to suppress an increase in the voltage for driving the liquid crystal. The maximum value of the electrode width Wp, Wc of each electrode is
It is preferable that the distance be smaller than the distance L between the pixel electrode PX and the counter electrode CT.
【0065】これは、電極の間隔が小さすぎると電気力
線の湾曲が激しくなり、基板面に平行な電界成分よりも
基板面に垂直な電界成分の方が大きい領域が増大するた
め、基板面に平行な電界成分を効率良く液晶層に印加で
きないからである。従って、画素電極PXと対向電極C
Tの間の間隔Lはマージンを20%とると7.2μmよ
り大きいことが必要である。本実施例では、対角約1
4.5cm(5.7インチ)で640×480ドットの
解像度で構成したので、画素ピッチは約60μmであ
り、画素を2分割することにより、間隔L>7.2μm
を実現した。This is because, if the distance between the electrodes is too small, the curvature of the lines of electric force becomes severe, and the area where the electric field component perpendicular to the substrate surface is larger than the electric field component parallel to the substrate surface increases. This is because an electric field component parallel to the above cannot be efficiently applied to the liquid crystal layer. Therefore, the pixel electrode PX and the counter electrode C
The interval L between T needs to be larger than 7.2 μm if the margin is 20%. In this embodiment, the diagonal is about 1
Since the pixel pitch is about 60 μm because the resolution is 4.5 cm (5.7 inches) and the resolution is 640 × 480 dots, the distance L> 7.2 μm by dividing the pixel into two.
Was realized.
【0066】又、映像信号線DLの電極幅は断線を防止
するために、画素電極PXと対向電極CTに比較して若
干広い8μmとし、映像信号線DLと対向電極CTとの
間隔は短絡を防止するために約1μmの間隔を開けると
共に、ゲート絶縁膜の上側に映像信号線DLを下側に対向
電極CTを形成して、異層になるように配置している。The electrode width of the video signal line DL is set to 8 μm, which is slightly wider than the pixel electrode PX and the counter electrode CT in order to prevent disconnection, and the interval between the video signal line DL and the counter electrode CT is short-circuited. In order to prevent this, an interval of about 1 μm is provided, a video signal line DL is formed on the upper side of the gate insulating film, and a counter electrode CT is formed on the lower side.
【0067】一方、画素電極PXと対向電極CTの間の
電極間隔は、用いる液晶材料によって変える。これは、
液晶材料によって最大透過率を達成する電界強度が異な
るため、電極間隔を液晶材料に応じて設定し、用いる映
像信号駆動回路(信号側ドライバ)の耐圧で設定される
信号電圧の最大振幅の範囲で、最大透過率が得られるよ
うにするためである。後述の液晶材料を用いると電極間
隔は、約15μmとなる。On the other hand, the electrode interval between the pixel electrode PX and the counter electrode CT changes depending on the liquid crystal material used. this is,
Since the electric field strength that achieves the maximum transmittance varies depending on the liquid crystal material, the electrode spacing is set according to the liquid crystal material, and within the range of the maximum amplitude of the signal voltage set by the withstand voltage of the video signal driving circuit (signal side driver) used. , So that the maximum transmittance can be obtained. When a liquid crystal material described later is used, the electrode interval is about 15 μm.
【0068】本構成例では、平面的に、ブラックマトリ
クスBMがゲート配線GL上、対向電圧信号線CL、薄
膜トランジスタTFT上、ドレイン配線DL上、ドレイ
ン配線DLと対向電極CT間に形成している。In this configuration example, the black matrix BM is formed on the gate line GL, the counter voltage signal line CL, the thin film transistor TFT, the drain line DL, and between the drain line DL and the counter electrode CT in plan view.
【0069】《マトリクス部(画素部)の断面構造》図
9は図8のFーF切断線における薄膜トランジスタTF
Tの断面図、図10は図8のGーG切断線における蓄積
容量Cstgの断面図、図11は横電界方式の液晶表示
基板の画像表示領域における1画素の電極近傍の断面図
と基板周辺部の断面図である。<< Cross-Sectional Structure of Matrix (Pixel) >> FIG. 9 shows a thin film transistor TF taken along the line FF in FIG.
FIG. 10 is a cross-sectional view of the storage capacitor Cstg taken along the line GG in FIG. 8, and FIG. 11 is a cross-sectional view of the vicinity of an electrode of one pixel in an image display area of a horizontal electric field type liquid crystal display substrate and the periphery of the substrate It is sectional drawing of a part.
【0070】図11に示すように、液晶層LCを基準に
して下部透明ガラス基板SUB1側には薄膜トランジス
タTFT、蓄積容量Cstg(図示せず)及び電極群C
T、PXが形成され、上部透明ガラス基板SUB2側に
はカラーフィルタFIL、遮光用ブラックマトリクスB
Mのパターンが形成されている。尚、公知ではないが、
同一出願人による、特願平7ー198349号に提案さ
れたように、遮光用ブラックマトリクスBMのパターン
を下部透明ガラス基板SUB1側に形成することも可能
である。As shown in FIG. 11, a thin film transistor TFT, a storage capacitor Cstg (not shown) and an electrode group C are provided on the lower transparent glass substrate SUB1 side with respect to the liquid crystal layer LC.
T, PX are formed, and a color filter FIL and a black matrix B for shading are formed on the upper transparent glass substrate SUB2 side.
An M pattern is formed. Although not publicly known,
As proposed in Japanese Patent Application No. 7-198349 by the same applicant, it is also possible to form the pattern of the light-shielding black matrix BM on the lower transparent glass substrate SUB1 side.
【0071】又、透明ガラス基板SUB1、SUB2の
それぞれの内側(液晶LC側)の表面には、液晶の初期
配向を制御する配向膜ORI11、ORI12が設けら
れており、透明ガラス基板SUB1、SUB2のそれぞ
れの外側の表面には、偏光軸が直交して配置(クロスニ
コル配置)された偏光板POL1、POL2が設けられ
ている。On the inner surface (on the liquid crystal LC side) of each of the transparent glass substrates SUB1 and SUB2, there are provided alignment films ORI11 and ORI12 for controlling the initial alignment of the liquid crystal, and the transparent glass substrates SUB1 and SUB2 are provided with alignment films ORI11 and ORI12. Polarizing plates POL1 and POL2 whose polarization axes are orthogonally arranged (crossed Nicol arrangement) are provided on the outer surfaces of each.
【0072】次に、下側透明ガラス基板SUB1側(T
FT基板)の構成を詳しく説明する。Next, the lower transparent glass substrate SUB1 side (T
The configuration of the FT substrate will be described in detail.
【0073】TFT基板 《薄膜トランジスタ》薄膜トランジスタTFTは、ゲー
ト電極GTに正のバイアスを印加すると、ソース−ドレ
イン間のチャネル抵抗が小さくなり、バイアスを零にす
ると、チャネル抵抗は大きくなるように動作する。 TFT Substrate << Thin Film Transistor >> The thin film transistor TFT operates so that the channel resistance between the source and the drain decreases when a positive bias is applied to the gate electrode GT, and the channel resistance increases when the bias is set to zero.
【0074】薄膜トランジスタTFTは、図10に示す
ように、ゲート電極GT、ゲート絶縁膜GI、i型(真
性:intrinsic、導電型決定不純物がドープさ
れていない)非晶質シリコン(Si)からなるi型半導
体層AS、一対のソース電極SD1、ドレイン電極SD
2を有する。As shown in FIG. 10, the thin-film transistor TFT has a gate electrode GT, a gate insulating film GI, and an i-type (intrinsic, not doped with a conductivity type determining impurity) amorphous silicon (Si) film. Type semiconductor layer AS, a pair of source electrode SD1, drain electrode SD
2
【0075】尚、ソース、ドレインは本来その間のバイ
アス極性によって決まるもので、この液晶表示装置の回
路ではその極性は動作中反転するので、ソース、ドレイ
ンは動作中入れ替わると理解されたい。しかし、以下の
説明では、便宜上一方をソース、他方をドレインと固定
して表現する。It should be understood that the source and the drain are originally determined by the bias polarity between them, and in the circuit of this liquid crystal display device, the polarity is inverted during the operation, so that the source and the drain are understood to be switched during the operation. However, in the following description, one is fixed and the other is fixed as a drain for convenience.
【0076】《ゲート電極GT》ゲート電極GTは走査
信号線GLと連続して形成されており、走査信号線GLの
一部の領域がゲート電極GTとなるように構成されてい
る。このゲート電極GTは薄膜トランジスタTFTの能
動領域を超える部分であり、i型半導体層ASを完全に
覆うよう(下方から見て)それより大きめに形成されて
いる。<< Gate Electrode GT >> The gate electrode GT is formed continuously with the scanning signal line GL, and a part of the scanning signal line GL is configured as the gate electrode GT. The gate electrode GT is a portion exceeding the active region of the thin film transistor TFT, and is formed larger than that so as to completely cover the i-type semiconductor layer AS (as viewed from below).
【0077】これにより、ゲート電極GTはそれ自身の
役割の他に、i型半導体層ASに外光やバックライト光
が当たらないように工夫されている。本例では、ゲート
電極GTは単層の導電膜g1で形成されている。この導
電膜g1としては、例えばスパッタで形成されたアルミ
ニウム(Al)膜が用いられ、その上にはAlの陽極酸
化膜AOFが設けられている。Thus, in addition to the role of the gate electrode GT itself, the gate electrode GT is designed so that external light and backlight do not hit the i-type semiconductor layer AS. In this example, the gate electrode GT is formed of a single-layer conductive film g1. As the conductive film g1, for example, an aluminum (Al) film formed by sputtering is used, and an anodic oxide film AOF of Al is provided thereon.
【0078】《走査信号線GL》走査信号線GLは導電
膜g1で構成されている。この走査信号線GLの導電膜
g1はゲート電極GTの導電膜g1と同一製造工程で形
成され、かつ、一体に構成されている。この走査信号線
GLにより、外部回路からゲート電圧Vgをゲート電極
GTに供給する。<< Scanning Signal Line GL >> The scanning signal line GL is formed of the conductive film g1. The conductive film g1 of the scanning signal line GL is formed in the same manufacturing process as the conductive film g1 of the gate electrode GT, and is integrally formed. Through this scanning signal line GL, a gate voltage Vg is supplied from an external circuit to the gate electrode GT.
【0079】又、走査信号線GL上にもAlの陽極酸化
膜AOFが設けられている。尚、映像信号線DLと交差
する部分は映像信号線DLとの短絡の確率を小さくする
ため細くし、又、短絡してもレーザトリミングで切り離
すことができるように二股にしている。An anodic oxide film AOF of Al is also provided on the scanning signal line GL. The portion that intersects with the video signal line DL is made thin to reduce the probability of short-circuit with the video signal line DL, and is made bifurcated so that even if it is short-circuited, it can be separated by laser trimming.
【0080】《対向電極CT》対向電極CTはゲート電
極GT及び走査信号線GLと同層の導電膜g1で構成さ
れている。又、対向電極CT上にもAlの陽極酸化膜A
OFが設けられている。対向電極CTは、陽極酸化膜A
OFで完全に覆われていることから、映像信号線と限り
なく近づけても、それらが短絡してしまうことがなくな
る。<< Counter Electrode CT >> The counter electrode CT is formed of the same conductive film g1 as the gate electrode GT and the scanning signal line GL. Also, an anodic oxide film A of Al is formed on the counter electrode CT.
An OF is provided. The counter electrode CT has an anodic oxide film A
Since they are completely covered with the OF, even if they are brought as close as possible to the video signal lines, they will not be short-circuited.
【0081】又、それらを交差させて構成させることも
できる。対向電極CTには対向電圧Vcomが印加され
るように構成されている。本実施例では、対向電圧Vc
omは映像信号線DLに印加される最小レベルの駆動電
圧Vdminと最大レベルの駆動電圧Vdmaxとの中
間直流電位から、薄膜トランジスタ素子TFTをオフ状
態にするときに発生するフィードスルー電圧ΔVs分だ
け低い電位に設定されるが、映像信号駆動回路で使用さ
れる集積回路の電源電圧を約半分に低減したい場合は、
交流電圧を印加すれば良い。Further, they may be configured to cross each other. The counter electrode CT is configured to apply a counter voltage Vcom. In this embodiment, the counter voltage Vc
om is a potential lower than an intermediate DC potential between the minimum level drive voltage Vdmin and the maximum level drive voltage Vdmax applied to the video signal line DL by a feedthrough voltage ΔVs generated when the thin film transistor element TFT is turned off. However, if you want to reduce the power supply voltage of the integrated circuit used in the video signal drive circuit to about half,
An AC voltage may be applied.
【0082】《対向電圧信号線CL》対向電圧信号線C
Lは導電膜g1で構成されている。この対向電圧信号線
CLの導電膜g1はゲート電極GT、走査信号線GL及
び対向電極CTの導電膜g1と同一製造工程で形成さ
れ、かつ、対向電極CTと一体に構成されている。<< Counter Voltage Signal Line CL >> Counter Voltage Signal Line C
L is composed of the conductive film g1. The conductive film g1 of the counter voltage signal line CL is formed in the same manufacturing process as the conductive film g1 of the gate electrode GT, the scanning signal line GL, and the counter electrode CT, and is formed integrally with the counter electrode CT.
【0083】この対向電圧信号線CLにより、外部回路
から対向電圧Vcomを対向電極CTに供給する。又、
対向電圧信号線CL上にもAlの陽極酸化膜AOFが設
けられている。尚、映像信号線DLと交差する部分は、
走査信号線GLと同様に映像信号線DLとの短絡の確率
を小さくするため細くし、又、短絡しても、レーザトリ
ミングで切り離すことができるように二股にすることも
できる。The counter voltage Vcom is supplied from the external circuit to the counter electrode CT through the counter voltage signal line CL. or,
An anodic oxide film AOF of Al is also provided on the counter voltage signal line CL. Note that the portion that intersects with the video signal line DL is
Like the scanning signal line GL, it may be made thinner to reduce the probability of short-circuiting with the video signal line DL, or it may be split into two parts so that even if it is short-circuited, it can be separated by laser trimming.
【0084】《絶縁膜GI》絶縁膜GIは、薄膜トラン
ジスタTFTにおいて、ゲート電極GTと共に半導体層
ASに電界を与えるためのゲート絶縁膜として使用され
る。絶縁膜GIはゲート電極GT及び走査信号線GLの
上層に形成されている。<< Insulating Film GI >> The insulating film GI is used as a gate insulating film for applying an electric field to the semiconductor layer AS together with the gate electrode GT in the thin film transistor TFT. The insulating film GI is formed above the gate electrode GT and the scanning signal line GL.
【0085】絶縁膜GIとしては例えばプラズマCVD
で形成された窒化シリコン膜が選ばれ、120〜270
nmの厚さに(本実施例では、240nm)形成され
る。As the insulating film GI, for example, plasma CVD
The silicon nitride film formed by
It is formed to a thickness of nm (240 nm in this embodiment).
【0086】このゲート絶縁膜GIは、マトリクス部A
Rの全体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子
DTM、GTMを露出するよう除去されている。また、
絶縁膜GIは走査信号線GL及び対向電圧信号線CLと
映像信号線DLの電気的絶縁にも寄与している。The gate insulating film GI is formed in the matrix portion A
R is formed so as to surround the entirety of R, and the peripheral portion is removed so as to expose the external connection terminals DTM and GTM. Also,
The insulating film GI also contributes to electrical insulation between the scanning signal lines GL and the counter voltage signal lines CL and the video signal lines DL.
【0087】《i型半導体層AS》i型半導体層AS
は、非晶質シリコンで、20〜220nmの厚さ(本例
では、200nm程度の膜厚)で形成される。層d0は
オーミックコンタクト用のリン(P)をドープしたN
(+)型非晶質シリコン半導体層であり、下側にi型半
導体層ASが存在し、上側に導電膜d1(d2)が存在
するところのみに残されている。<< i-type semiconductor layer AS >> i-type semiconductor layer AS
Is amorphous silicon and is formed with a thickness of 20 to 220 nm (in this example, a thickness of about 200 nm). The layer d0 is made of N doped with phosphorus (P) for ohmic contact.
This is a (+) type amorphous silicon semiconductor layer, which is left only where the i-type semiconductor layer AS exists below and the conductive film d1 (d2) exists above.
【0088】i型半導体層ASは走査信号線GL及び対
向信号線CLと映像信号線DLとの交差部の両者間にも
設けられている。この交差部のi型半導体層ASは交差
部における走査信号線GL及び対向信号線CLと映像信
号線DLとの短絡を低減する。The i-type semiconductor layer AS is also provided between the scanning signal line GL and the intersection of the opposite signal line CL and the video signal line DL. The i-type semiconductor layer AS at the intersection reduces a short circuit between the scanning signal line GL and the opposing signal line CL and the video signal line DL at the intersection.
【0089】《ソース電極SDI、ドレイン電極SD
2》ソース電極SDI、ドレイン電極SD2のそれぞれ
は、N(+)型半導体層d0に接触する導電膜d1とそ
の上に形成された導電膜d2とから構成されている。<< Source electrode SDI, drain electrode SD
2 >> Each of the source electrode SDI and the drain electrode SD2 is composed of a conductive film d1 in contact with the N (+) type semiconductor layer d0 and a conductive film d2 formed thereon.
【0090】導電膜d1はスパッタで形成したクロム
(Cr)膜を用い、50〜100nmの厚さに(本実施
例では、60nm程度)で形成される。Cr膜は膜厚を
厚く形成するとストレスが大きくなるので、200nm
程度の膜厚を越えない範囲で形成する。Cr膜はN
(+)型半導体層d0との接着性を良好にし、導電膜d
2のAlがN(+)型半導体層d0に拡散することを防
止する、所謂バリア層の目的で使用される。The conductive film d1 is formed with a thickness of 50 to 100 nm (about 60 nm in this embodiment) using a chromium (Cr) film formed by sputtering. Since the stress increases when the Cr film is formed to have a large thickness, the Cr film has a thickness of 200 nm.
It is formed in a range that does not exceed a certain thickness. Cr film is N
To improve the adhesion to the (+) type semiconductor layer d0,
2 is used for the purpose of a so-called barrier layer that prevents Al from diffusing into the N (+) type semiconductor layer d0.
【0091】導電膜d1として、Cr膜の他に高融点金
属(Mo、Ti、Ta、W)膜、高融点金属シリサイド
(MoSi2 、TiSi2 、TaSi2 、WSi2 )膜
を用いても良い。As the conductive film d1, a refractory metal (Mo, Ti, Ta, W) film or a refractory metal silicide (MoSi 2 , TiSi 2 , TaSi 2 , WSi 2 ) film may be used in addition to the Cr film. .
【0092】導電膜d2はAlのスパッタリングで30
0〜500nmの厚さに(400nm程度)形成され
る。Al膜はCr膜に比べてストレスが小さく、厚い膜
厚に形成することが可能で、ソース電極SD1、ドレイ
ン電極SD2および映像信号線DLの抵抗値を低減した
り、ゲート電極GTやi型半導体層ASに起因する段差
乗り越えを確実にする(ステップカバレージを良くす
る)働きがある。The conductive film d2 has a thickness of 30
It is formed to a thickness of about 0 to 500 nm (about 400 nm). The Al film has a smaller stress than the Cr film and can be formed to have a large thickness, and can reduce the resistance values of the source electrode SD1, the drain electrode SD2 and the video signal line DL, and can reduce the gate electrode GT and the i-type semiconductor. There is a function of ensuring the overcoming of the step caused by the layer AS (improving the step coverage).
【0093】導電膜d1、導電膜d2を同じマスクパタ
ーンでパターニングした後、同じマスクを用いて、或い
は導電膜d1、導電膜d2をマスクとして、N(+)型
半導体層d0が除去される。つまり、i型半導体層AS
上に残っているN(+)型半導体層d0は導電膜d1、
導電膜d2以外の部分がセルフアラインで除去される。
このとき、N(+)型半導体層d0はその厚さ分は全て
除去されるようエッチングされるので、i型半導体層A
Sも若干その表面部分がエッチングされるが、その程度
はエッチング時間で制御すればよい。After patterning the conductive films d1 and d2 with the same mask pattern, the N (+) type semiconductor layer d0 is removed using the same mask or using the conductive films d1 and d2 as a mask. That is, the i-type semiconductor layer AS
The remaining N (+) type semiconductor layer d0 is a conductive film d1,
Portions other than the conductive film d2 are removed by self-alignment.
At this time, since the N (+)-type semiconductor layer d0 is etched so as to completely remove its thickness, the i-type semiconductor layer A is removed.
Although the surface portion of S is also slightly etched, its degree may be controlled by the etching time.
【0094】《映像信号線DL》映像信号線DLはソー
ス電極SD1、ドレイン電極SD2と同層の第2導電膜
d2、第3導電膜d3で構成されている。又、映像信号
線DLはドレイン電極SD2と一体に形成されている。<< Video Signal Line DL >> The video signal line DL is composed of the second conductive film d2 and the third conductive film d3 in the same layer as the source electrode SD1 and the drain electrode SD2. The video signal line DL is formed integrally with the drain electrode SD2.
【0095】《画素電極PX》画素電極PXはソース電
極SD1、ドレイン電極SD2と同層の第2導電膜d
2、第3導電膜d3で構成されている。又、画素電極P
Xはソース電極SD1と一体に形成されている。<< Pixel Electrode PX >> The pixel electrode PX is a second conductive film d of the same layer as the source electrode SD1 and the drain electrode SD2.
2, the third conductive film d3. Also, the pixel electrode P
X is formed integrally with the source electrode SD1.
【0096】《蓄積容量Cstg》画素電極PXは、薄
膜トランジスタTFTと接続される端部と反対側の端部
において、対向電圧信号線CLと重なるように形成され
ている。この重ね合せは、図10からも明らかなよう
に、画素電極PXを一方の電極PL2とし、対向電圧信
号線CLを他方の電極PL1とする蓄積容量(静電容量
素子)Cstgを構成する。この蓄積容量Cstgの誘
電体膜は、薄膜トランジスタTFTのゲート絶縁膜とし
て使用される絶縁膜GI及び陽極酸化膜AOFで構成さ
れている。<< Storage Capacitor Cstg >> The pixel electrode PX is formed so as to overlap the counter voltage signal line CL at the end opposite to the end connected to the thin film transistor TFT. This superposition constitutes a storage capacitor (capacitance element) Cstg having the pixel electrode PX as one electrode PL2 and the counter voltage signal line CL as the other electrode PL1, as is apparent from FIG. The dielectric film of the storage capacitor Cstg includes an insulating film GI used as a gate insulating film of the thin film transistor TFT and an anodic oxide film AOF.
【0097】図8に示したように、平面的には蓄積容量
Cstgは対向電圧信号線CLの導電膜g1の部分に形
成されている。As shown in FIG. 8, the storage capacitor Cstg is formed in the conductive film g1 of the counter voltage signal line CL in plan view.
【0098】この場合、この蓄積容量Cstgは、その
絶縁膜GIに対して下側に位置づけられる電極の材料が
Alで形成され、かつ、その表面が陽極化成されたもの
であることから、ALの所謂ヒロック等が原因する点欠
陥(上側に位置づけられる電極との短絡)による弊害を
発生し難くくする蓄積容量を得ることができる。In this case, the storage capacitor Cstg is made of Al because the material of the electrode positioned below the insulating film GI is made of Al and the surface is anodized. It is possible to obtain a storage capacitor which is less likely to cause adverse effects due to a point defect (short-circuit with an electrode positioned on the upper side) caused by a so-called hillock or the like.
【0099】《保護膜PSV1》薄膜トランジスタTF
T上には保護膜PSV1が設けられている。保護膜PS
V1は主に薄膜トランジスタTFTを湿気等から保護す
るために形成されており、透明性が高くしかも耐湿性の
良いものを使用する。この保護膜PSV1は例えばプラ
ズマCVD装置で形成した酸化シリコン膜や窒化シリコ
ン膜で形成されており、500nm程度の膜厚で形成す
る。<< Protective Film PSV1 >> Thin Film Transistor TF
On T, a protective film PSV1 is provided. Protective film PS
V1 is formed mainly to protect the thin film transistor TFT from moisture and the like, and uses a material having high transparency and good moisture resistance. The protective film PSV1 is formed of, for example, a silicon oxide film or a silicon nitride film formed by a plasma CVD apparatus, and has a thickness of about 500 nm.
【0100】保護膜PSV1は、マトリクス部ARの全
体を囲むように形成され、周辺部は外部接続端子DT
M、GTMを露出するよう除去されている。この保護膜
PSV1とゲート絶縁膜GIの厚さ関係に関しては、前
者は保護効果を考え厚くされ、後者はトランジスタの相
互コンダクタンスgmを考慮して薄くされる。The protective film PSV1 is formed so as to surround the entire matrix part AR, and the peripheral part is connected to the external connection terminal DT.
M and GTM have been removed to expose. Regarding the thickness relationship between the protective film PSV1 and the gate insulating film GI, the former is made thicker in consideration of the protective effect, and the latter is made thinner in consideration of the transconductance gm of the transistor.
【0101】カラーフィルタ基板 次に、図11、図14により上側透明ガラス基板SUB
2側(カラーフィルタ基板)の構成を詳しく説明する。[0102] The color filter substrate Next, FIG. 11, the upper transparent glass substrate SUB by 14
The configuration of the two sides (color filter substrate) will be described in detail.
【0102】《遮光膜BM》上部透明ガラス基板SUB
2側には、不要な間隙部(画素電極PXと対向電極CT
の間以外の隙間)からの透過光が表示面側に出射して、
コントラスト比等を低下させないように遮光膜BM(所
謂、ブラックマトリクス)を形成している。遮光膜BM
は、外部光又はバックライト光がi型半導体層ASに入
射しないようにする役割も果たしている。即ち、薄膜ト
ランジスタTFTのi型半導体層ASは上下にある遮光
膜BM及び大きめのゲート電極GTによってサンドイッ
チにされ、外部の自然光やバックライト光が当たらなく
なる。<< Light shielding film BM >> Upper transparent glass substrate SUB
On the second side, an unnecessary gap (pixel electrode PX and counter electrode CT)
Transmitted light from the gap other than the gap between
A light-shielding film BM (a so-called black matrix) is formed so as not to lower the contrast ratio and the like. Light shielding film BM
Also serves to prevent external light or backlight light from entering the i-type semiconductor layer AS. That is, the i-type semiconductor layer AS of the thin film transistor TFT is sandwiched between the upper and lower light-shielding films BM and the large gate electrode GT, so that external natural light or backlight does not shine.
【0103】図8に示す遮光膜BMの閉じた角形の輪郭
線は、その内側が遮光膜BMが形成されない開口を示し
ている。この輪郭線のパターンは1例である。The closed rectangular outline of the light shielding film BM shown in FIG. 8 indicates an opening on the inside of which the light shielding film BM is not formed. This contour pattern is an example.
【0104】横電界方式の液晶表示装置では、可能な限
り高抵抗なブラックマトリクスが適していることから、
一般に樹脂組成物を用いる。この抵抗規格については、
公知ではないが、同一出願人による特願平7−1919
94号に記載がある。即ち、液晶組成物LCの比抵抗値
が10のN乗を10N と記述すると10N Ω・cm以上、か
つ、ブラックマトリクスBMの比抵抗値が10のM乗を
10M と記述すると10MΩ・cm以上とし、かつ、N≧
9、M≧6を満足する関係とする。或いは、N≧13、
M≧7を満足する関係とすることが望ましい。In a horizontal electric field type liquid crystal display device, a black matrix having the highest possible resistance is suitable.
Generally, a resin composition is used. For this resistance standard,
Although it is not publicly known, Japanese Patent Application No. 7-1919 filed by the same applicant
No. 94. That is, if the specific resistance of the liquid crystal composition LC is described as 10 N as 10 N , then the specific resistance of the black matrix BM is 10 N Ω · cm or more, and the specific resistance of the black matrix BM is 10 M
When written as 10 M and 10 M Ω · cm or more and, N ≧
9, a relationship that satisfies M ≧ 6. Alternatively, N ≧ 13,
It is desirable that the relationship satisfy M ≧ 7.
【0105】又、液晶表示装置の表面反射を低減する目
的からも、ブラックマトリクスの形成材料に樹脂組成物
を用いることが望ましい。Further, from the viewpoint of reducing the surface reflection of the liquid crystal display device, it is desirable to use a resin composition as a material for forming the black matrix.
【0106】さらに、Cr等の金属膜をブラックマトリ
クスに用いる場合と比較して、金属膜のエッチング工程
が不要なため、カラーフィルタ基板の製造工程を簡略化
できる。金属膜を使用する場合の製造工程は、1)金属
膜成膜、2)レジスト塗布、3)露光、4)現像、5)
金属膜エッチング、6)レジスト剥離、である。Further, as compared with the case where a metal film such as Cr is used for the black matrix, the step of etching the metal film is unnecessary, so that the manufacturing process of the color filter substrate can be simplified. When a metal film is used, the manufacturing steps are: 1) metal film formation, 2) resist coating, 3) exposure, 4) development, 5)
Metal film etching, 6) resist stripping.
【0107】一方、樹脂を使用する場合の製造工程は、
1)樹脂塗布、2)露光、3)現像、であり、著しく工
程を短縮できる。On the other hand, when a resin is used, the manufacturing process is as follows.
1) resin application, 2) exposure, and 3) development, and the process can be significantly shortened.
【0108】しかし、樹脂組成物は金属膜と比較して遮
光性が低い。樹脂の膜厚を厚くすると遮光性は向上する
が、ブラックマトリクスの膜厚ばらつきは増加する。こ
れは、例えば±10%の膜厚ばらつきがある場合、ブラ
ックマトリクスの膜厚が1.0μm時は±0.1μm、
2μm時は±0.2μmになるためである。However, the resin composition has a lower light-shielding property than the metal film. Increasing the thickness of the resin improves the light-shielding properties, but increases the variation in the thickness of the black matrix. This means that, for example, when there is a thickness variation of ± 10%, when the thickness of the black matrix is 1.0 μm, ± 0.1 μm,
This is because when it is 2 μm, it becomes ± 0.2 μm.
【0109】又、ブラックマトリクスの膜厚を厚くする
と、カラーフィルタ基板の膜厚ばらつきが増加し、液晶
表示基板のギャップ精度を向上することが困難になる。
以上の理由により、樹脂の膜厚は、2μm以下にするこ
とが望ましい。When the thickness of the black matrix is increased, the variation in the thickness of the color filter substrate increases, and it becomes difficult to improve the gap accuracy of the liquid crystal display substrate.
For the above reasons, it is desirable that the thickness of the resin is 2 μm or less.
【0110】膜厚1μmでOD値を約4.0以上にする
ためには、例えばカーボンの含有量を増加して黒色化す
る場合、ブラックマトリクスBMの比抵抗値は約106
Ω・cm以下となり、現状では使用できない。尚、OD
値は、吸光係数に膜厚を掛けた値と定義できる。In order to increase the OD value to about 4.0 or more at a film thickness of 1 μm, for example, when blackening is performed by increasing the carbon content, the specific resistance value of the black matrix BM is about 10 6
Ω · cm or less and cannot be used at present. OD
The value can be defined as the value obtained by multiplying the extinction coefficient by the film thickness.
【0111】このため、本実施例では、この遮光膜BM
の材料として、黒色の無機顔料をレジスト材に混入した
樹脂組成物を用い、1.3±0.1μm程度の厚さで形
成している。無機顔料の例としては、パラジウムや無電
解メッキしたNiなどがある。更に、ブラックマトリク
スBMの比抵抗値は約109 Ω・cmとし、OD値約
2.0とした。For this reason, in this embodiment, the light shielding film BM
Is formed of a resin composition obtained by mixing a black inorganic pigment into a resist material, and is formed to a thickness of about 1.3 ± 0.1 μm. Examples of the inorganic pigment include palladium and electroless plated Ni. Further, the specific resistance of the black matrix BM was set to about 10 9 Ω · cm, and the OD value was set to about 2.0.
【0112】この樹脂組成物ブラックマトリクスBMを
使用した場合の光透過量の計算結果を下記に示す。The calculation result of the light transmission amount when this resin composition black matrix BM is used is shown below.
【0113】OD値=log(100/Y) Y=∫A(λ)・B(λ)・C(λ)dλ/∫A(λ)
・C(λ)dλ ここで、Aは視感度、Bは透過率、Cは光源スペクト
ル、λは入射光の波長を示す。OD value = log (100 / Y) Y = ∫A (λ) · B (λ) · C (λ) dλ / ∫A (λ)
C (λ) dλ Here, A is the visibility, B is the transmittance, C is the light source spectrum, and λ is the wavelength of the incident light.
【0114】OD値2.0の膜で遮光した場合は、上記
数1から、Y=1%を得て、入射光強度4000cd/
m2 を仮定すると、約40cd/m2 の光が透過してく
ることになる。この光強度は、十分に人間が視認できる
明るさである。When light is shielded by a film having an OD value of 2.0, Y = 1% is obtained from the above equation (1), and the incident light intensity is 4000 cd /
Assuming m 2 , about 40 cd / m 2 of light will be transmitted. This light intensity is sufficiently bright to be visually recognized by humans.
【0115】遮光膜BMは周辺部にも額縁状に形成さ
れ、そのパターンはドット状に複数の開口を設けた図8
に示すマトリクス部のパターンと連続して形成されてい
る。The light-shielding film BM is also formed in a frame shape at the peripheral portion, and its pattern is a pattern shown in FIG.
Are formed continuously with the pattern of the matrix section shown in FIG.
【0116】《カラーフィルタFIL》カラーフィルタ
FILは画素に対向する位置に赤、緑、青の繰り返しで
ストライプ状に形成される。カラーフィルタFILは遮
光膜BMのエッジ部分と重なるように形成されている。<< Color Filter FIL >> The color filter FIL is formed in a stripe shape by repeating red, green, and blue at positions facing the pixels. The color filter FIL is formed so as to overlap the edge portion of the light shielding film BM.
【0117】本発明では、この重なる部分の平面レイア
ウトを規定するものである。詳細は後述する。In the present invention, the plane layout of the overlapping portion is defined. Details will be described later.
【0118】カラーフィルタFILは例えば次のように
形成することができる。まず、上部透明ガラス基板SU
B2の表面にアクリル系樹脂等の染色基材を形成し、フ
ォトリソグラフィ技術で赤色フィルタ形成領域以外の染
色基材を除去する。この後、染色基材を赤色染料で染
め、固着処理を施して赤色フィルタRを形成する。次
に、同様な工程を施すことによって、緑色フィルタG、
青色フィルタBを順次形成する。The color filter FIL can be formed, for example, as follows. First, the upper transparent glass substrate SU
A dye base such as an acrylic resin is formed on the surface of B2, and the dye base other than the red filter formation region is removed by photolithography. Thereafter, the dyed base material is dyed with a red dye and subjected to a fixing treatment to form a red filter R. Next, the green filter G,
Blue filters B are sequentially formed.
【0119】《オーバーコート膜OC》オーバーコート
膜OCはカラーフィルタFILの染料の液晶LCへの漏
洩を防止、及びカラーフィルタFIL、遮光膜BMによ
る段差の平坦化のために設けられている。オーバーコー
ト膜OCは例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明
樹脂材料で形成される。<< Overcoat Film OC >> The overcoat film OC is provided to prevent the dye of the color filter FIL from leaking to the liquid crystal LC, and to flatten the steps formed by the color filter FIL and the light shielding film BM. The overcoat film OC is formed of, for example, a transparent resin material such as an acrylic resin or an epoxy resin.
【0120】液晶層及び偏光板 次に、液晶層、配向膜、偏光板等について説明する。[0120] The liquid crystal layer and the polarizing plate Subsequently, the liquid crystal layer, orientation film, described polarizing plate or the like.
【0121】《液晶層》液晶材料LCとしては、誘電率
異方性△εが正でその値が13.2、屈折率異方性△n
が0.081(589nm、20°C)のネマチック液
晶と、誘電率異方性△εが負でその値が−7.3、屈折
率異方性△nが0.053(589nm、20°C)の
ネマチック液晶を用いた。<< Liquid Crystal Layer >> As the liquid crystal material LC, the dielectric anisotropy Δ △ is positive and the value is 13.2, and the refractive index anisotropy Δn
Is 0.081 (589 nm, 20 ° C.), a dielectric anisotropy Δ △ is negative and the value is −7.3, and a refractive index anisotropy Δn is 0.053 (589 nm, 20 ° C.). The nematic liquid crystal of C) was used.
【0122】液晶層の厚み(ギャップ)は、誘電率異方
性△εが正の場合2.8μm超4.5μm未満とした。
これは、リターデションΔn・dは0.25μm超0.
32μm未満の時、可視光の範囲内で波長依存性が殆ど
ない誘電率特性が得られ、誘電率異方性△εが正を有す
る液晶の大部分が複屈折率異方性△nが0.07超0.
09未満であるためである。The thickness (gap) of the liquid crystal layer was more than 2.8 μm and less than 4.5 μm when the dielectric anisotropy Δε was positive.
This is because the retardation Δn · d exceeds 0.25 μm.
When it is less than 32 μm, a dielectric constant characteristic having almost no wavelength dependence within the visible light range is obtained, and most of the liquid crystal having a positive dielectric anisotropy Δ △ has a birefringence anisotropy Δn of 0. 0.07 or more
This is because it is less than 09.
【0123】一方、誘電率異方性△εが負の場合は、液
晶層の厚み(ギャップ)は、4.2μm超8.0μm未
満とした。これは誘電率異方性△εが正の液晶と同様
に、リターデションΔn・dを0.25μm超0.32
μm未満に抑えるためで、誘電率異方性△εが負を有す
る液晶の大部分が複屈折異方性△nが0.04超0.0
6未満であるためである。On the other hand, when the dielectric anisotropy Δ △ was negative, the thickness (gap) of the liquid crystal layer was set to more than 4.2 μm and less than 8.0 μm. This is because, like the liquid crystal having a positive dielectric anisotropy Δε, the retardation Δn · d exceeds 0.25 μm by 0.32 μm.
Most of the liquid crystal having a negative dielectric anisotropy Δ △ has a birefringence anisotropy Δn of more than 0.04 to suppress the dielectric anisotropy Δ △ is negative.
This is because it is less than 6.
【0124】又、後述の配向膜と偏光板の組み合わせに
より、液晶分子がラビング方向から電界方向に45°回
転したとき最大透過率を得ることができる。尚、液晶層
の厚み(ギャップ)はポリマビーズで制御している。Further, the maximum transmittance can be obtained when the liquid crystal molecules are rotated by 45 ° from the rubbing direction to the electric field direction by a combination of an alignment film and a polarizing plate described later. The thickness (gap) of the liquid crystal layer is controlled by polymer beads.
【0125】又、液晶材料LCは、ネマチック液晶であ
れば、特に限定したものではない。誘電率異方性△ε
は、その値が大きいほうが、駆動電圧が低減でき、屈折
率異方性△nは小さいほうが液晶層の厚み(ギャップ)
を厚くでき、液晶の封入時間が短縮され、かつギャップ
ばらつきを少なくすることができる。The liquid crystal material LC is not particularly limited as long as it is a nematic liquid crystal. Dielectric anisotropy △ ε
The larger the value, the lower the driving voltage, and the smaller the refractive index anisotropy Δn, the smaller the thickness (gap) of the liquid crystal layer.
Can be made thicker, the liquid crystal filling time can be shortened, and the gap variation can be reduced.
【0126】《配向膜》配向膜ORIとしてはポリイミ
ドを用いる。ラビング方向RDRは上下基板で互いに平
行にし、かつ、印加電界方向EDRとのなす角度φLC
は75°とする。図12にその関係を示す。<< Orientation Film >> Polyimide is used as the orientation film ORI. The rubbing direction RDR is parallel to each other between the upper and lower substrates, and the angle φLC between the applied electric field direction EDR and the angle φLC.
Is 75 °. FIG. 12 shows the relationship.
【0127】尚、ラビング方向RDRと印加電界方向E
DRとのなす角度は、液晶材料の誘電率異方性△εが正
であれば、45°以上90°未満、誘電率異方性△εが
負であれば、0°を超え45°以下であれば良い。The rubbing direction RDR and the applied electric field direction E
The angle with DR is 45 ° or more and less than 90 ° when the dielectric anisotropy △ ε of the liquid crystal material is positive, and is more than 0 ° and 45 ° or less when the dielectric anisotropy △ ε is negative. Is fine.
【0128】《偏光板》偏光板POLとしては、日東電
工社製G1220DU(商品名)を用い、図10に示し
たように、下側の偏光板POL1の偏光透過軸MAX1
をラビング方向RDRと一致させ、上側の偏光板POL
2の偏光透過軸MAX2をそれに直交させる。<< Polarizing Plate >> As the polarizing plate POL, G1220DU (trade name) manufactured by Nitto Denko Corporation was used. As shown in FIG. 10, the polarization transmission axis MAX1 of the lower polarizing plate POL1 was used.
With the rubbing direction RDR, and the upper polarizer POL
The polarization transmission axis MAX2 is orthogonal to it.
【0129】これにより、本発明の画素に印加される電
圧(画素電極PXと対向電極CTの間の電圧)を増加さ
せるに伴い、透過率が上昇するノーマリークローズ特性
を得ることができる。As a result, it is possible to obtain a normally closed characteristic in which the transmittance increases as the voltage applied to the pixel of the present invention (the voltage between the pixel electrode PX and the counter electrode CT) increases.
【0130】更に、本発明で開示される横電界方式と称
される液晶表示装置では、上側の基板SUB2側の表面
の外部から静電気等の高い電位が加わった場合に、表示
の異常が発生する。このため、上側の偏光板POL2の
更に上側或いは表面にシート抵抗が1×108 Ω/□以
下の透明導電膜の層を形成すること、或いは偏光板と前
記透明基板の間にシート抵抗1×108 Ω/□以下のI
TO等の透明導電膜の層を形成すること、或いは偏光板
の粘着層にITO、SnO2 、In2 O3 等の導電性粒
子を混ぜ、シート抵抗を1×108 Ω/□以下とするこ
とが必要になる。この対策については、公知ではないが
同一出願人による特願平7−264443号において、
シールド機能向上につき詳しい記載がある。Further, in the liquid crystal display device referred to as the in-plane switching method disclosed in the present invention, when a high potential such as static electricity is applied from the outside of the surface on the upper substrate SUB2 side, display abnormality occurs. . Therefore, a layer of a transparent conductive film having a sheet resistance of 1 × 10 8 Ω / □ or less is formed further above or on the surface of the upper polarizing plate POL2, or a sheet resistance of 1 × is provided between the polarizing plate and the transparent substrate. I of 10 8 Ω / □ or less
Forming a layer of a transparent conductive film such as TO, or mixing conductive particles such as ITO, SnO 2 , and In 2 O 3 with the adhesive layer of the polarizing plate to reduce the sheet resistance to 1 × 10 8 Ω / □ or less. It becomes necessary. Regarding this measure, it is not publicly known, but in Japanese Patent Application No. 7-264443 filed by the same applicant,
There is a detailed description of the improvement of the shield function.
【0131】《マトリクス周辺の構成》図13は上下の
ガラス基板SUB1、SUB2を含む表示パネルPNL
のマトリクス(AR)周辺の要部平面図である。又、図
14は左側に走査回路が接続された外部接続端子GTM
付近の断面図である。<< Configuration around Matrix >> FIG. 13 shows a display panel PNL including upper and lower glass substrates SUB1 and SUB2.
2 is a plan view of a main part around a matrix (AR) of FIG. FIG. 14 shows an external connection terminal GTM to which a scanning circuit is connected on the left side.
It is sectional drawing of a vicinity.
【0132】このパネルの製造では、小さいサイズであ
ればスループット向上のため1枚のガラス基板では複数
個分のデバイスを同時に加工してから分割し、大きいサ
イズであれば製造設備の共用のため、どの品種でも標準
化された大きさのガラス基板を加工してから各品種に合
ったサイズに小さくし、いずれの場合も一通りの工程を
経てからガラスを切断する。In the manufacture of this panel, if the size is small, a plurality of devices are simultaneously processed on a single glass substrate and then divided in order to improve the throughput. If the size is large, manufacturing equipment is shared. For each type, a glass substrate of a standardized size is processed and then reduced to a size suitable for each type. In each case, the glass is cut after passing through a single process.
【0133】図13、図14は後者の例を示すもので、
図13、図14の両図とも上下基板SUB1、SUB2
の切断後を表わしており、LNは両基板の切断前の縁を
示す。いずれの場合も、完成状態では外部接続端子群T
g、Td及び端子CTMが存在する(図で上辺と左辺
の)部分はそれらを露出するように上側基板SUB2の
大きさが下側基板SUB1よりも内側に制限されてい
る。FIGS. 13 and 14 show examples of the latter.
13 and 14, the upper and lower substrates SUB1 and SUB2 are used.
LN indicates the edge of both substrates before cutting. In any case, in the completed state, the external connection terminal group T
The size of the upper substrate SUB2 is limited to the inside of the lower substrate SUB1 so that g, Td, and the terminal CTM are present (the upper side and the left side in the figure) so as to expose them.
【0134】端子群Tg、Tdは、それぞれ後述する走
査回路接続用端子GTM、映像信号回路接続用端子DT
Mとそれらの引出し配線部を集積回路チップCHIが搭
載されたテープキャリアパッケージTCP(図15、図
16参照)の単位に複数本まとめて名付けたものであ
る。The terminal groups Tg and Td are respectively a scanning circuit connection terminal GTM and a video signal circuit connection terminal DT described later.
M and a plurality of lead wiring portions are collectively named for a unit of a tape carrier package TCP (see FIGS. 15 and 16) on which the integrated circuit chip CHI is mounted.
【0135】各群のマトリクス部から外部接続端子部に
至るまでの引出し配線は、両端に近づくにつれ傾斜して
いる。これは、パッケージTCPの配列ピッチ及び各パ
ッケージTCPにおける接続端子ピッチに表示パネルP
NLの端子DTM、GTMに合わせるためである。The lead wiring from the matrix section of each group to the external connection terminal section is inclined as approaching both ends. This is because the display panel P is set in the arrangement pitch of the package TCP and the connection terminal pitch in each package TCP.
This is for adjusting to the terminals DTM and GTM of the NL.
【0136】又、対向電極端子CTMは、対向電極CT
に対向電圧を外部から与えるための端子である。マトリ
クス部の対向電極信号線CLは、走査回路用端子GTM
の反対側(図では右側)に引出し、各対向電圧信号線を
共通バスラインCBで一纏めにして、対向電極端子CT
Mに接続している。The counter electrode terminal CTM is connected to the counter electrode CT.
Is a terminal for applying a counter voltage from the outside. The counter electrode signal line CL in the matrix portion is connected to a scanning circuit terminal GTM.
, And the common voltage signal lines are grouped together by a common bus line CB to form a common electrode terminal CT
M.
【0137】透明ガラス基板SUB1、SUB2の間に
は、その縁に沿って、液晶封入口INJを除き、液晶L
Cを封止するようにシールパターンSLが形成される。
シール材は例えばエポキシ樹脂から成る。Between the transparent glass substrates SUB1 and SUB2, along the edge thereof, except for the liquid crystal filling port INJ, the liquid crystal L
A seal pattern SL is formed so as to seal C.
The sealing material is made of, for example, an epoxy resin.
【0138】配向膜ORI1、ORI2の層は、シール
パターンSLの内側に形成される。偏光板POL1、P
OL2はそれぞれ下部透明ガラス基板SUB1、上部透
明ガラス基板SUB2の外側の表面に構成されている。The layers of the alignment films ORI1 and ORI2 are formed inside the seal pattern SL. Polarizing plates POL1, P
OL2 is formed on the outer surfaces of the lower transparent glass substrate SUB1 and the upper transparent glass substrate SUB2, respectively.
【0139】エッチングLCは液晶分子の向きを設定す
る下部配向膜ORI1と上部配向膜ORI2との間でシ
ールパターンSLで仕切られた領域に封入されている。
下部配向膜ORI1は下部透明ガラス基板SUB1側の
保護膜PSV1の上部に形成される。The etching LC is sealed in a region partitioned by the seal pattern SL between the lower alignment film ORI1 and the upper alignment film ORI2 for setting the direction of the liquid crystal molecules.
The lower alignment film ORI1 is formed above the protective film PSV1 on the lower transparent glass substrate SUB1 side.
【0140】この液晶表示装置は、下部透明ガラス基板
SUB1側、上部透明ガラス基板SUB2側で別個に種
々の層を積み重ね、シールパターンSLを基板SUB2
側に形成し、下部透明ガラス基板SUB1と上部透明ガ
ラス基板SUB2とを重ね合わせ、シールパターンSL
の開口部INJから液晶LCを注入し、注入口INJを
エポキシ樹脂などで封止し、上下基板を切断することに
よって組み立てられる。In this liquid crystal display device, various layers are separately stacked on the lower transparent glass substrate SUB1 side and the upper transparent glass substrate SUB2 side, and the seal pattern SL is formed on the substrate SUB2.
Side, the lower transparent glass substrate SUB1 and the upper transparent glass substrate SUB2 are overlapped with each other to form a seal pattern SL
The liquid crystal LC is injected from the opening INJ, the inlet INJ is sealed with an epoxy resin or the like, and the upper and lower substrates are cut to be assembled.
【0141】《表示装置全体等価回路》図16は本発明
による液晶表示装置の周辺回路の概要説明図であって、
同図に示すように、液晶表示基板は画像表示部がマトリ
クス状に配置された複数の画素の集合により構成され、
各画素は前記液晶表示基板の背部に配置されたバックラ
イトからの透過光を独自に変調制御できるように構成さ
れている。<< Equivalent Circuit of Entire Display Device >> FIG. 16 is a schematic explanatory diagram of peripheral circuits of a liquid crystal display device according to the present invention.
As shown in the figure, the liquid crystal display substrate is constituted by a set of a plurality of pixels in which an image display unit is arranged in a matrix,
Each pixel is configured to independently control the modulation of transmitted light from a backlight disposed behind the liquid crystal display substrate.
【0142】液晶表示基板の構成要素の1つであるアク
ティブ・マトリクス基板SUB1上には、有効画素領域
ARにx方向(行方向)に延在し、y方向(列方向)に並
設されたゲート信号線GLと対向電圧信号線CLとそれ
ぞれ絶縁されてy方向に延在し、x方向に並設されたド
レイン信号線DLが形成されている。An active pixel area is provided on an active matrix substrate SUB1, which is one of the components of the liquid crystal display substrate.
The gate signal line GL and the counter voltage signal line CL, which extend in the x direction (row direction) and are arranged in parallel in the y direction (column direction), extend in the y direction while being insulated from the AR, and extend in the x direction. The provided drain signal line DL is formed.
【0143】ここで、ゲート信号線GL、対向電圧信号
線CL、ドレイン信号線DLのそれぞれによって囲まれ
る矩形状の領域に単位画素が形成される。Here, a unit pixel is formed in a rectangular area surrounded by each of the gate signal line GL, the counter voltage signal line CL, and the drain signal line DL.
【0144】液晶表示基板には、その外部回路として垂
直走査回路V及び映像信号駆動回路Hが備えられ、前記
垂直走査回路Vによって前記ゲート信号線GLのそれぞ
れに順次走査信号(電圧)が供給され、そのタイミング
に合わせて映像信号駆動回路Hからドレイン信号線DL
に映像信号(電圧)を供給するようになっている。The liquid crystal display substrate is provided with a vertical scanning circuit V and a video signal driving circuit H as external circuits, and the vertical scanning circuit V sequentially supplies a scanning signal (voltage) to each of the gate signal lines GL. From the video signal drive circuit H to the drain signal line DL in accordance with the timing.
Is supplied with a video signal (voltage).
【0145】尚、垂直走査回路V及び映像信号駆動回路
Hは、液晶駆動電源回路3から電源が供給されるととも
に、CPU1からの画像情報がコントローラ2によって
それぞれ表示データ及び制御信号に分けられて入力され
るようになっている。The vertical scanning circuit V and the video signal driving circuit H are supplied with power from the liquid crystal driving power supply circuit 3 and input image information from the CPU 1 after being divided into display data and control signals by the controller 2. It is supposed to be.
【0146】《駆動方法》図17は本発明の液晶表示装
置の駆動波形図である。対向電圧をVCHとVCLの2
値の交流矩形波にし、それに同期させて走査信号VG
(i−1)、VG(i)の非選択電圧を1走査期間毎
に、VCHとVCLの2値で変化させる。対向電圧の振
幅幅と非選択電圧の振幅値は同一にする。<< Driving Method >> FIG. 17 is a driving waveform diagram of the liquid crystal display device of the present invention. The opposite voltage is VCH and VCL.
Value AC rectangular wave and the scanning signal VG
(I-1) The non-selection voltage of VG (i) is changed by two values of VCH and VCL every scanning period. The amplitude width of the counter voltage and the amplitude value of the non-selection voltage are the same.
【0147】映像信号電圧は、液晶層に印加したい電圧
から、対向電圧の振幅の1/2を差し引いた電圧であ
る。The video signal voltage is a voltage obtained by subtracting half of the amplitude of the counter voltage from the voltage to be applied to the liquid crystal layer.
【0148】対向電圧は直流でも良いが、交流化するこ
とで映像信号電圧の最大振幅を低減でき、映像信号駆動
回路(信号側ドライバ)に耐圧の低いものを用いること
が可能になる。The counter voltage may be DC, but by converting it to AC, the maximum amplitude of the video signal voltage can be reduced, and a video signal drive circuit (signal side driver) having a low withstand voltage can be used.
【0149】《蓄積容量Cstgの働き》蓄積容量Cs
tgは、画素に書き込まれた(薄膜トランジスタTFT
がオフした後の)映像情報を長く蓄積するために設けら
れる。<< Function of Storage Capacitance Cstg >> Storage Capacitance Cs
tg is written to the pixel (thin film transistor TFT
Is provided for long storage of video information (after the power is turned off).
【0150】本発明で用いている電界を基板面と平行に
印加する方式では、電界を基板面に垂直に印加する方式
と異なり、画素電極と対向電極で構成される容量(所謂
液晶容量)が殆ど無いため、蓄積Cstgは必須の構成
要素である。In the method of applying an electric field parallel to the substrate surface used in the present invention, unlike the method of applying the electric field perpendicular to the substrate surface, the capacitance (the so-called liquid crystal capacitance) formed by the pixel electrode and the counter electrode is different. Since there is almost no storage, the storage Cstg is an essential component.
【0151】又、蓄積容量Cstgは、薄膜トランジス
タTFTがスイッチングするとき、画素電極電位Vsに
対するゲート電位変化△Vgの影響を低減するようにも
働く。この様子を式で表わすと次のようになる。The storage capacitor Cstg also functions to reduce the effect of the gate potential change ΔVg on the pixel electrode potential Vs when the thin film transistor TFT switches. This situation is represented by the following equation.
【0152】△Vs=[Cgs/(Cgs+Cstg+
Cpix)]×ΔVg ここで、Cgsは薄膜トランジスタTFTのゲート電極
GTとソース電極SDIとの間に形成される寄生容量、
Cpixは画素電極PXと対向電極CTとの間に形成さ
れる容量、△VsはΔVgによる画素電極電位の変化
分、所謂フィードスルー電圧を表わす。ΔVs = [Cgs / (Cgs + Cstg +
Cpix)] × ΔVg where Cgs is a parasitic capacitance formed between the gate electrode GT and the source electrode SDI of the thin film transistor TFT,
Cpix represents a capacitance formed between the pixel electrode PX and the counter electrode CT, and ΔVs represents a change in pixel electrode potential due to ΔVg, a so-called feedthrough voltage.
【0153】この変化分△Vsは液晶LCに加わる直流
成分の原因となるが、保持容量Cstgを大きくする
程、その値を小さくすることができる。The change ΔVs causes a DC component applied to the liquid crystal LC, but the value can be reduced as the storage capacitance Cstg is increased.
【0154】液晶LCに印加される直流成分の低減は、
液晶LCの寿命を向上し、液晶表示画面の切り替え時に
前の画像が残る所謂焼き付きを低減することができる。The reduction of the DC component applied to the liquid crystal LC is as follows.
It is possible to improve the life of the liquid crystal LC and reduce so-called burn-in in which a previous image remains when the liquid crystal display screen is switched.
【0155】前述したように、ゲート電極GTはi型半
導体層ASを完全に覆うよう大きくされている分、ソー
ス電極SDI、ドレイン電極SD2とのオーバーラップ
面積が増え、従って寄生容量Cgsが大きくなり、画素
電極電位Vsはゲート(走査)信号Vgの影響を受けや
すくなるという逆効果が生じる。しかし、蓄積容量Cs
tgを設けることによりこのデメリットも解消する。As described above, since the gate electrode GT is made large so as to completely cover the i-type semiconductor layer AS, the area of overlap with the source electrode SDI and the drain electrode SD2 increases, and therefore the parasitic capacitance Cgs increases. The pixel electrode potential Vs has an adverse effect of being easily affected by the gate (scanning) signal Vg. However, the storage capacity Cs
By providing tg, this disadvantage is also eliminated.
【0156】《製造方法》次に、上述した液晶表示装置
の基板SUB1側の製造方法について説明する。<< Manufacturing Method >> Next, a method of manufacturing the liquid crystal display device on the substrate SUB1 side will be described.
【0157】図18、図19および図20は本発明によ
る液晶表示装置の製造工程の説明図であって、同図にお
いて、中央の文字は工程名の略称であり、図中左側は図
9に示した薄膜トランジスタTFT部分、右側は図ゲー
ト端子付近の断面形状でみた加工の流れを示す。また、
工程B、工程Dを除き工程A〜工程Iは各写真処理(フ
ォトリソグラフィ)に対応して区分けしたもので、各工
程のいずれの断面図も写真処理後の加工が終わりフォト
レジストを除去した段階を示している。FIG. 18, FIG. 19 and FIG. 20 are explanatory views of the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the present invention. In FIG. 18, the central letter is the abbreviation of the process name, and the left side in FIG. The right side of the thin film transistor TFT portion shown in the drawing shows the flow of processing viewed from the cross-sectional shape near the gate terminal. Also,
Except for Step B and Step D, Step A to Step I are divided corresponding to each photographic process (photolithography), and any cross-sectional view of each process is a stage where the processing after the photographic process is completed and the photoresist is removed. Is shown.
【0158】尚、写真処理とは本発明ではフォトレジス
トの塗布からマスクを使用した選択露光を経て、それを
現像するまでの一連作業を示すものとし、繰り返しの説
明は避ける。以下区分けした工程に従って説明する。In the present invention, photographic processing refers to a series of operations from application of a photoresist, through selective exposure using a mask to development of the photoresist, and a repetitive description will be omitted. Description will be given below according to the divided steps.
【0159】工程A(図18) AN635ガラス(商品名)からなる下部透明ガラス基
板SUB1上に膜厚が300nmのAl−Pd、Al−
W、Al−Ta、Al−Ti−Ta等からなる導電膜g
1をスパッタリングにより設ける。写真処理後、リン酸
と哨酸と氷酢酸との混酸液で導電膜g1を選択的にエッ
チングする。それによって、ゲート電極GT、走査信号
線GL、対向電極CT、対向電圧信号線CL、電極PL
1、ゲート端子GTM、共通バスラインCBの第1導電
層、対向電極端子CTMの第1導電層、ゲート端子GT
Mを接続する陽極酸化バスラインSHg(図示せず)及
び陽極酸化バスラインSHgに接続された陽極酸化パッ
ド(図示せず)を形成する。Step A (FIG. 18) A 300 nm thick Al-Pd or Al-Pd film is formed on a lower transparent glass substrate SUB1 made of AN635 glass (trade name).
Conductive film g made of W, Al-Ta, Al-Ti-Ta, etc.
1 is provided by sputtering. After the photographic processing, the conductive film g1 is selectively etched with a mixed acid solution of phosphoric acid, acid and glacial acetic acid. Thereby, the gate electrode GT, the scanning signal line GL, the counter electrode CT, the counter voltage signal line CL, and the electrode PL
1, gate terminal GTM, first conductive layer of common bus line CB, first conductive layer of counter electrode terminal CTM, gate terminal GT
An anodizing bus line SHg (not shown) connecting M and an anodizing pad (not shown) connected to the anodizing bus line SHg are formed.
【0160】工程B(図18) 直接描画による陽極酸化マスクAOの形成後、3%酒石
酸をアンモニアによりPH6.25±0.05に調整し
た溶液をエチレングリコール液で1:9に希釈した液か
らなる陽極酸化液中に基板SUB1を浸漬し、化成電流
密度が0.5mA/cm2 になるように調整する(定電
流化成)。Step B (FIG. 18) After the formation of the anodic oxidation mask AO by direct writing, a solution in which 3% tartaric acid was adjusted to PH 6.25 ± 0.05 with ammonia and diluted 1: 9 with ethylene glycol solution was used. The substrate SUB1 is immersed in an anodic oxidizing solution to adjust the formation current density to 0.5 mA / cm 2 (constant current formation).
【0161】次に、所定のアルミナ(Al2 O3 )の膜
厚が得られるのに必要な化成電圧125Vに達するまで
陽極酸化を行う。その後、この状態で数10分保持する
ことが望ましい(定電圧化成)。これは均一なAl2 O
3 膜を得る上で大事なことである。それによって、導電
膜g1が陽極酸化され、ゲート電極GT、走査信号線G
L、対向電極CT、対向電圧信号線CL及び電極PL1
上に膜厚が180bnmの陽極酸化膜AOFが形成され
る。Next, anodic oxidation is performed until the formation voltage 125 V necessary for obtaining a predetermined alumina (Al 2 O 3 ) film thickness is reached. Thereafter, it is desirable to maintain this state for several tens of minutes (constant voltage formation). This is a uniform Al 2 O
This is important for obtaining three films. Thereby, the conductive film g1 is anodized, and the gate electrode GT and the scanning signal line G
L, counter electrode CT, counter voltage signal line CL and electrode PL1
An anodic oxide film AOF having a thickness of 180 bnm is formed thereon.
【0162】工程C(図18) 膜厚が140nmのITO膜からなる透明導電膜g2を
スパッタリングにより設ける。写真処理後、エッチング
液として塩酸と硝酸との混酸液で透明導電膜g2を選択
的にエッチングすることにより、ゲート端子GTMの最
上層、ドレイン端子DTM及び対向電極端子CTMの第
2導電膜を形成する。Step C (FIG. 18) A transparent conductive film g2 made of an ITO film having a thickness of 140 nm is provided by sputtering. After the photographic processing, the transparent conductive film g2 is selectively etched with a mixed acid solution of hydrochloric acid and nitric acid as an etchant, thereby forming the uppermost layer of the gate terminal GTM, the drain terminal DTM, and the second conductive film of the counter electrode terminal CTM. I do.
【0163】工程D(図19) プラズマCVD装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が220nmの窒化Si膜を設
け、プラズマCVD装置にシランガス、水素ガスを導入
して、膜厚が200nmのi型非晶質Si膜を設けた
後、プラズマCVD装置にシランガス、水素ガス、ホス
フィンガスを導入して、膜厚が30nmのN(+)型非
晶質Si膜を設ける。Step D (FIG. 19) Ammonia gas, silane gas, and nitrogen gas are introduced into the plasma CVD apparatus to provide a 220-nm-thick Si nitride film, and silane gas and hydrogen gas are introduced into the plasma CVD apparatus to form a film. After an i-type amorphous Si film having a thickness of 200 nm is provided, a silane gas, a hydrogen gas, and a phosphine gas are introduced into a plasma CVD apparatus to form an N (+)-type amorphous Si film having a thickness of 30 nm.
【0164】工程E(図19) 写真処理後、ドライエッチングガスとしてSF6を使用
してN(+)型非晶質Si膜、i型非晶質Si膜を選択
的にエッチングすることにより、i型半導体層ASの島
を形成する。Step E (FIG. 19) After the photographic processing, the N (+)-type amorphous Si film and the i-type amorphous Si film are selectively etched using SF6 as a dry etching gas, whereby i An island of the type semiconductor layer AS is formed.
【0165】工程F(図19) 写真処理後、ドライエッチングガスとしてSF6を使用
して、窒化Si膜を選択的にエッチングする。Step F (FIG. 19) After the photographic processing, the Si nitride film is selectively etched using SF6 as a dry etching gas.
【0166】工程G(図20) 膜厚が60nmのCrからなる導電膜d1をスパッタリ
ングにより設け、さらに膜厚が400nmのAl−P
d、Al−Si、Al−Ta、Al−Ti−Ta等から
なる導電膜d2をスパッタリングにより設ける。写真処
理後、導電膜d2を工程Aと同様の液でエッチングし、
導電膜d1を硝酸第2セリウムアンモニウム溶液でエッ
チングし、映像信号線DL、ソース電極SD1、ドレイ
ン電極SD2、画素電極PX、電極PL2、共通バスラ
インCBの第2導電層、第3導電層及びドレイン端子D
TMを短絡するバスラインSHd(図示せず)を形成す
る。次に、ドライエッチング装置にSF6を導入して、
N(+)型非晶質Si膜をエッチングすることにより、
ソースとドレイン間のN(+)型半導体層d0を選択的
に除去する。Step G (FIG. 20) A conductive film d1 made of Cr and having a thickness of 60 nm is provided by sputtering, and an Al-P film having a thickness of 400 nm is further formed.
A conductive film d2 made of d, Al-Si, Al-Ta, Al-Ti-Ta, or the like is provided by sputtering. After the photographic processing, the conductive film d2 is etched with the same liquid as in Step A,
The conductive film d1 is etched with a ceric ammonium nitrate solution, and the video signal line DL, the source electrode SD1, the drain electrode SD2, the pixel electrode PX, the electrode PL2, the second conductive layer, the third conductive layer and the drain of the common bus line CB are formed. Terminal D
A bus line SHd (not shown) for short-circuiting TM is formed. Next, SF6 is introduced into the dry etching apparatus,
By etching the N (+) type amorphous Si film,
The N (+) type semiconductor layer d0 between the source and the drain is selectively removed.
【0167】工程H(図20) プラズマCVD装置にアンモニアガス、シランガス、窒
素ガスを導入して、膜厚が500nmの窒化Si膜を設
ける。写真処理後、ドレインエッチングガスとしてSF
6を使用した写真蝕刻技術で窒化Si膜を選択的にエッ
チングすることによって、保護膜PSV1を形成する。Step H (FIG. 20) An ammonia gas, a silane gas, and a nitrogen gas are introduced into a plasma CVD apparatus to form a 500-nm-thick Si nitride film. After photographic processing, SF is used as the drain etching gas.
The protective film PSV1 is formed by selectively etching the Si nitride film by a photolithography technique using No. 6.
【0168】《表示パネルPNLと駆動回路基板PCB
1》図21は図13に示した表示パネルPNLと図16
の映像信号駆動回路Hと垂直走査回路Vを接続した状態
を示す上面図である。<< Display Panel PNL and Drive Circuit Board PCB
1 >> FIG. 21 shows the display panel PNL shown in FIG. 13 and FIG.
FIG. 2 is a top view showing a state in which a video signal driving circuit H and a vertical scanning circuit V are connected.
【0169】CH1は表示パネルPNLを駆動させる駆
動ICチップ(下側の5個は垂直走査回路側の駆動IC
チップ、左側の10個の映像信号駆動回路側の駆動IC
チップ)である。TCPは図14、図15に示したよう
に駆動用ICチップCH1がテープ・オートメイティッ
ド・ボンディング(TAB)法により実装されたテープ
キャリアパッケージ、PCB1は上記TCPやコンデン
サ等が実装された駆動回路基板で、映像信号駆動回路用
と走査信号駆動回路用の2つに分割されている。CH1 is a driving IC chip for driving the display panel PNL (the lower five are driving ICs on the vertical scanning circuit side).
Chip, drive ICs on the left side of the 10 video signal drive circuits
Chip). TCP is a tape carrier package in which the driving IC chip CH1 is mounted by a tape automated bonding (TAB) method as shown in FIGS. 14 and 15, and PCB1 is a driving circuit in which the above-described TCP, capacitors, etc. are mounted. The substrate is divided into two, one for a video signal drive circuit and one for a scan signal drive circuit.
【0170】FGPはフレームグランドパッドであり、
シールドケースSHDに切り込んで設けられたバネ状の
破片が半田付けされる。FCは下側の駆動回路基板PC
B1と左側の駆動回路基板PCB1を電気的に接続する
フラットケーブルである。FGP is a frame ground pad.
A spring-shaped fragment provided by cutting into the shield case SHD is soldered. FC is the lower drive circuit board PC
This is a flat cable for electrically connecting B1 to the left drive circuit board PCB1.
【0171】フラットケーブルFCとしては図に示すよ
うに、複数のリード線(りん青銅の素材にSn鍍金を施
したもの)をストライプ状のポリエチレン層とポリビニ
ルアルコール層とでサンドイッチして支持したものを使
用する。As shown in the figure, the flat cable FC is formed by sandwiching and supporting a plurality of lead wires (phosphor bronze material plated with Sn) with a striped polyethylene layer and a polyvinyl alcohol layer. use.
【0172】《TCPの接続構造》前記した図15は、
走査信号駆動回路Vや映像信号駆動回路Hを構成する集
積回路チップCHIがフレキシブル配線基板に搭載され
たテープキャリアパッケージの断面構造を示す図であ
り、図14はそれを液晶表示パネルの、本例では走査信
号回路用端子GTMに接続した状態を示す要部断面図で
ある。<< Connection Structure of TCP >> FIG.
FIG. 14 is a diagram showing a cross-sectional structure of a tape carrier package in which an integrated circuit chip CHI constituting a scanning signal driving circuit V and a video signal driving circuit H is mounted on a flexible wiring board, and FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view of a main part showing a state connected to a scanning signal circuit terminal GTM.
【0173】同図において、TTBは集積回路CHIの
入力端子・配線部であり、TTMは集積回路CHIの出
力端子・配線部であって、例えばCuから成り、それぞ
れの内側の先端部(通称インナーリード)には集積回路
CHIのボンディングパッドPADが所謂フェースダウ
ンボンディング法により接続される。In the figure, TTB is an input terminal / wiring portion of the integrated circuit CHI, and TTM is an output terminal / wiring portion of the integrated circuit CHI, which is made of, for example, Cu. The bonding pads PAD of the integrated circuit CHI are connected to the leads by a so-called face-down bonding method.
【0174】端子TTB、TTMの外側の先端部(通称
アウターリード)はそれぞれ半導体集積回路チップCH
Iの入力及び出力に対応し、半田付け等によりCRT/
TFT変換回路・電源回路SUPに、異方性導電膜AC
Fによって液晶表示パネルPNLに接続される。The outer ends (commonly called outer leads) of the terminals TTB and TTM are respectively connected to the semiconductor integrated circuit chips CH
Corresponds to input and output of I, CRT /
Anisotropic conductive film AC for TFT conversion circuit / power supply circuit SUP
F connects to the liquid crystal display panel PNL.
【0175】パッケージTCPは、その先端部がパネル
PNL側の接続端子GTMを露出した保護膜PSV1を
覆うようにパネルにPNLに接続されている。従って、
外側接続端子GTM(DTM)は保護膜PSV1かパッ
ケージTCPの少なくとも一方で覆われるので電触に対
して強くなる。The package TCP is connected to the panel so that the leading end thereof covers the protective film PSV1 exposing the connection terminal GTM on the panel PNL side. Therefore,
Since the outer connection terminal GTM (DTM) is covered with at least one of the protective film PSV1 and the package TCP, the outer connection terminal GTM (DTM) is resistant to electric contact.
【0176】BF1はポリイミド等からなるベースフィ
ルムであり、SRSは半田付けの際、半田が余計な所へ
付かないようにマスクするためのソルダレジスト膜であ
る。シールパターンSLの外側の上下ガラス基板の隙間
は、洗浄後にエポキシ樹脂EPX等により保護され、パ
ッケージTCPと上側基板SUB2の間には更にシリコ
ン樹脂SILが充填されて保護が多重化されている。BF1 is a base film made of polyimide or the like, and SRS is a solder resist film for masking so that the solder does not stick to unnecessary portions during soldering. The gap between the upper and lower glass substrates outside the seal pattern SL is protected by an epoxy resin EPX or the like after cleaning, and the space between the package TCP and the upper substrate SUB2 is further filled with a silicon resin SIL to multiplex protection.
【0177】《駆動回路基板PCB2》駆動回路基板P
CB2は、IC、コンデンサ、抵抗等の電子部品が搭載
されている。この駆動回路基板PCB2には、1つの電
圧源から複数の分圧した安定化された電圧源を得るため
の電源回路や、ホスト(上位演算処理装置)からのCR
T(陰極線管)用の情報をTFT液晶表示装置用の情報
に変換する回路を含む回路SUPが搭載されている。C
Jは外部と接続される図示しないコネクタが接続される
コネクタ接続部である。<< Drive Circuit Board PCB2 >> Drive Circuit Board P
The CB2 has electronic components such as an IC, a capacitor, and a resistor mounted thereon. The drive circuit board PCB2 includes a power supply circuit for obtaining a plurality of divided and stabilized voltage sources from one voltage source, and a CR (Crystal Control Unit) from a host (upper processing unit).
A circuit SUP including a circuit for converting information for T (cathode ray tube) into information for a TFT liquid crystal display device is mounted. C
J is a connector connection portion to which a connector (not shown) connected to the outside is connected.
【0178】駆動回路基板PCB1と駆動回路基板PC
B2とはフラットケーブルFC等のジョイナーJNによ
り電気的に接続されている。Drive circuit board PCB1 and drive circuit board PC
B2 is electrically connected by a joiner JN such as a flat cable FC.
【0179】なお、本発明による液晶表示装置は、上記
のようなディスクトップ型モニターに限らず、ノート型
等の可搬型パソコンの表示デバイスにも使用できること
は言うまでもない。It is needless to say that the liquid crystal display device according to the present invention can be used not only for the above-mentioned desktop monitor but also for a display device of a portable personal computer such as a notebook type.
【0180】また、繰り返しになるが、本発明は上記し
た横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に
限って適用されるものではなく、縦電界方式、あるいは
単純マトリクス方式の液晶表示装置における配向膜の液
晶配向制御能不要方法および装置としても同様に適用可
能である。Also, it should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned horizontal electric field type active matrix type liquid crystal display device, but is applicable to a vertical electric field type or simple matrix type liquid crystal display device. The present invention can be similarly applied to a method and an apparatus which do not require the liquid crystal alignment control ability.
【0181】[0181]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ネジを用いることなく液晶表示モジュールを表示部のケ
ースに固定することにより、液晶パネルが画面が大型化
した場合にも額縁の狭幅化で対応できるようにした液晶
表示装置を提供することができる。As described above, according to the present invention,
By fixing the liquid crystal display module to the case of the display portion without using a screw, it is possible to provide a liquid crystal display device that can cope with a case where a liquid crystal panel has a large screen by narrowing a frame. .
【図1】本発明による液晶表示装置第1実施例における
液晶表示モジュールの固定構造を説明する表示部の平面
図である。FIG. 1 is a plan view of a display unit for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a first embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図2】図1のA−A線に沿った部分断面図である。FIG. 2 is a partial sectional view taken along line AA of FIG.
【図3】本発明による液晶表示装置第2実施例における
液晶表示モジュールの固定構造を説明する表示部の平面
図である。FIG. 3 is a plan view of a display unit for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
【図4】図3のA−A線に沿った部分断面図である。FIG. 4 is a partial sectional view taken along the line AA of FIG. 3;
【図5】本発明による液晶表示装置第3実施例における
液晶表示モジュールの固定構造を説明する表示部の平面
図である。FIG. 5 is a plan view of a display unit illustrating a fixing structure of a liquid crystal display module in a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention.
【図6】図5のA−A線に沿った部分断面図である。FIG. 6 is a partial sectional view taken along line AA of FIG. 5;
【図7】本発明による液晶表示装置を実装したノート型
コンピュータの外観図である。FIG. 7 is an external view of a notebook computer on which the liquid crystal display device according to the present invention is mounted.
【図8】本発明のアクティブ・マトリクス方式カラー液
晶表示装置の一画素とブラックマトリクスBMの遮光領
域およびその周辺を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing one pixel of an active matrix type color liquid crystal display device of the present invention, a light shielding region of a black matrix BM, and its periphery.
【図9】図8のFーF切断線における薄膜トランジスタ
TFTの断面図である。9 is a cross-sectional view of the thin film transistor TFT taken along the line FF in FIG.
【図10】図8のGーG切断線における蓄積容量Cst
gの断面図である。FIG. 10 shows a storage capacitance Cst along a section line GG in FIG. 8;
It is sectional drawing of g.
【図11】横電界方式の液晶表示基板の画像表示領域に
おける1画素の電極近傍の断面図と基板周辺部の断面図
である。11A and 11B are a cross-sectional view of the vicinity of an electrode of one pixel and a cross-sectional view of a peripheral portion of the substrate in an image display area of a liquid crystal display substrate of a horizontal electric field type.
【図12】配向膜のラビング方向と印加電界方向EDR
とのなす角度の説明図である。FIG. 12 shows a rubbing direction of an alignment film and an applied electric field direction EDR.
FIG. 4 is an explanatory diagram of an angle formed by
【図13】上下の基板を含む表示パネルのマトリクス周
辺の要部平面図である。FIG. 13 is a plan view of a main part around a matrix of a display panel including upper and lower substrates.
【図14】左側に走査回路が接続された外部端子付近の
断面図である。FIG. 14 is a cross-sectional view near an external terminal to which a scanning circuit is connected on the left side.
【図15】ゲートTCPの出力側および入力側の断面構
造の説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram of a cross-sectional structure of an output side and an input side of a gate TCP.
【図16】本発明による液晶表示装置の周辺回路の概要
説明図である。FIG. 16 is a schematic explanatory diagram of a peripheral circuit of a liquid crystal display device according to the present invention.
【図17】本発明の液晶表示装置の駆動波形図である。FIG. 17 is a driving waveform diagram of the liquid crystal display device of the present invention.
【図18】本発明による液晶表示装置の製造工程の説明
図である。FIG. 18 is an explanatory diagram of the manufacturing process of the liquid crystal display device according to the present invention.
【図19】本発明による液晶表示装置の製造工程の図1
9に続く説明図である。FIG. 19 is a view showing a manufacturing process of the liquid crystal display device according to the present invention;
It is explanatory drawing following 9.
【図20】本発明による液晶表示装置の製造工程の図2
0に続く説明図である。FIG. 20 is a view showing a manufacturing process of the liquid crystal display device according to the present invention;
It is explanatory drawing following 0.
【図21】図17に示した表示パネルPNLと映像信号
駆動回路Hと垂直走査回路Vを接続した状態を示す上面
図である。21 is a top view illustrating a state where the display panel PNL, the video signal driving circuit H, and the vertical scanning circuit V illustrated in FIG. 17 are connected.
【図22】従来の液晶表示装置における液晶表示モジュ
ールの固定構造を説明する表示部の平面図である。FIG. 22 is a plan view of a display unit for explaining a fixing structure of a liquid crystal display module in a conventional liquid crystal display device.
【図23】図22のA−A線に沿った部分断面図であ
る。FIG. 23 is a partial sectional view taken along line AA of FIG. 22;
SUB1 第1の基板 SUB2 第2の基板 CASE ケース MDL 液晶表示モジュール POL1,POL2 偏光板 BL バックライト SHD1 上フレーム SHD2 下フレーム GC ゴムクッション PNL 液晶パネル TAB1〜TAB4 タブ ST1,ST2 補強部材 ALC タブ受け孔 HNG ヒンジ。 SUB1 First substrate SUB2 Second substrate CASE Case MDL Liquid crystal display module POL1, POL2 Polarizer BL Backlight SHD1 Upper frame SHD2 Lower frame GC Rubber cushion PNL Liquid crystal panel TAB1 to TAB4 Tab ST1, ST2 Reinforcement member ALC Tab receiving hole HNG Hinges.
Claims (3)
択用の電極を有する一対の透明基板の間に液晶層を挟持
してなる液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応じた
電圧を印加するための駆動回路手段と、前記液晶パネル
の背面に設置されたバックライトとを上フレームおよび
この上フレームと連接する下フレームにより固定してな
る液晶表示モジュールを表示部を構成するケースに実装
した液晶表示装置において、 前記液晶表示モジュールは、前記上フレームと下フレー
ムの何れか一方または双方の平行する二辺に外方に突設
した少なくとも各1つのタブを備え、 前記ケースは、底面とこの底面に臨んだタブ受け穴を形
成した少なくとも一対の対向側壁を有し、 前記タブ受け穴に前記タブを係合させることによって、
前記液晶表示モジュールを前記ケースに固定したことを
特徴とする液晶表示装置。1. A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them opposed to each other, and applying a voltage corresponding to a display signal to the panel. A liquid crystal display module in which a liquid crystal display module in which a driving circuit means of the above and a backlight provided on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame is mounted on a case constituting a display section. In the device, the liquid crystal display module includes at least one tab protruding outward on two parallel sides of one or both of the upper frame and the lower frame, and the case has a bottom surface and a bottom surface. By having at least a pair of opposed side walls formed with a facing tab receiving hole, by engaging the tab with the tab receiving hole,
A liquid crystal display device, wherein the liquid crystal display module is fixed to the case.
択用の電極を有する一対の透明基板の間に液晶層を挟持
してなる液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応じた
電圧を印加するための駆動回路手段と、前記液晶パネル
の背面に設置されたバックライトとを上フレームおよび
この上フレームと連接する下フレームにより固定してな
る液晶表示モジュールを表示部を構成するケースに実装
した液晶表示装置において、 前記液晶表示モジュールは、前記上フレームと下フレー
ムの何れか一方または双方の平行する二辺に外方に突設
した少なくとも1つのタブを備え、 前記ケースは、底面とこの底面に臨んだ側壁を有すると
共に、その1つの側壁にタブ受け穴を備え、 前記タブ受け穴を備えた側壁と前記底面を挟んで対向す
る側壁の内側に、タブ受け穴を備えて前記ケースに固定
した補強部材を有し、 前記側壁のタブ受け穴と前記補強部材のタブ受け穴に前
記液晶表示モジュールのタブを係合させることによっ
て、前記液晶表示モジュールを前記ケースに固定したこ
とを特徴とする液晶表示装置。2. A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them opposed to each other, and applying a voltage corresponding to a display signal to the panel. A liquid crystal display module in which a liquid crystal display module in which a driving circuit means of the above and a backlight provided on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame is mounted on a case constituting a display section. In the device, the liquid crystal display module includes at least one tab projecting outward on two sides parallel to one or both of the upper frame and the lower frame, and the case faces the bottom surface and the bottom surface. A tab receiving hole in one of the side walls, and a side wall facing the side wall provided with the tab receiving hole and the bottom surface interposed therebetween. The liquid crystal display module has a reinforcing member fixed to the case with a support hole, and the tab of the liquid crystal display module is engaged with the tab receiving hole of the side wall and the tab receiving hole of the reinforcing member. A liquid crystal display device fixed to the case.
択用の電極を有する一対の透明基板の間に液晶層を挟持
してなる液晶パネルと、前記パネルに表示信号に応じた
電圧を印加するための駆動回路手段と、前記液晶パネル
の背面に設置されたバックライトとを上フレームおよび
この上フレームと連接する下フレームにより固定してな
る液晶表示モジュールを表示部を構成するケースに実装
した液晶表示装置において、 前記液晶表示モジュールは、前記上フレームと下フレー
ムの何れか一方または双方の平行する各側面のそれぞれ
に突設した少なくとも1つのタブを備え、 前記底面を挟んで対向する平行な側壁の内側にタブ受け
穴を備えて前記ケースに固定した一対の補強部材を有
し、 前記一対の補強部材のタブ受け穴に前記液晶表示モジュ
ールのタブを係合させることによって、前記液晶表示モ
ジュールを前記ケースに固定したことを特徴とする液晶
表示装置。3. A liquid crystal panel having a liquid crystal layer sandwiched between a pair of transparent substrates having a pixel selection electrode on at least one of them opposed to each other, and applying a voltage according to a display signal to the panel. A liquid crystal display module in which a liquid crystal display module in which a driving circuit means of the above and a backlight provided on the back of the liquid crystal panel are fixed by an upper frame and a lower frame connected to the upper frame is mounted on a case constituting a display section. In the device, the liquid crystal display module includes at least one tab protruding from each of parallel sides of one or both of the upper frame and the lower frame; A pair of reinforcing members fixed to the case with tab receiving holes provided on an inner side thereof; and the liquid crystal display module is provided in the tab receiving holes of the pair of reinforcing members. The liquid crystal display module is fixed to the case by engaging a tab of a ruler.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10004891A JPH11202787A (en) | 1998-01-13 | 1998-01-13 | Liquid crystal display device |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11202787A true JPH11202787A (en) | 1999-07-30 |
Family
ID=11596309
Family Applications (1)
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Country | Link |
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