JPH11295233A - パーティクル検査装置 - Google Patents
パーティクル検査装置Info
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- JPH11295233A JPH11295233A JP10099018A JP9901898A JPH11295233A JP H11295233 A JPH11295233 A JP H11295233A JP 10099018 A JP10099018 A JP 10099018A JP 9901898 A JP9901898 A JP 9901898A JP H11295233 A JPH11295233 A JP H11295233A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】厚み方向の情報を得て表面異物の検査精度を上
げる。 【構成】 ２波長のレーザー源６，７を用いて、表面異
物３１の存在と厚み方向の情報例えば膜中異物３２の存
在とを２波長のレーザーの反射量により連立式により割
り出し、表面異物の検査精度を向上させる。２波長レー
ザーの反射量を別々に測定する。
げる。 【構成】 ２波長のレーザー源６，７を用いて、表面異
物３１の存在と厚み方向の情報例えば膜中異物３２の存
在とを２波長のレーザーの反射量により連立式により割
り出し、表面異物の検査精度を向上させる。２波長レー
ザーの反射量を別々に測定する。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、半導体回路形成用
基板のパーティクル検査装置に関し、特に、基板中の異
物の深さ方向の第２異物の存在をその表面上の第１異物
から区別して両方の情報例えばそれらの粒径を知ること
ができるパーティクル検査装置に関する。
基板のパーティクル検査装置に関し、特に、基板中の異
物の深さ方向の第２異物の存在をその表面上の第１異物
から区別して両方の情報例えばそれらの粒径を知ること
ができるパーティクル検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化に伴い、配線パタ
ーン、ゲートパターン等の微細化が要請されている。パ
ターン上に異物があると、その異物によるパターン間の
電気的接合（ショート）、その異物による層間絶縁膜の
平坦性が悪化して上層パターンの断線等の事故が発生す
る。
ーン、ゲートパターン等の微細化が要請されている。パ
ターン上に異物があると、その異物によるパターン間の
電気的接合（ショート）、その異物による層間絶縁膜の
平坦性が悪化して上層パターンの断線等の事故が発生す
る。
【０００３】半導体装置の高集積化に伴い、これまでは
問題視していなかった微少の異物でも、断線等の事故の
発生に厳しく影響する。このような影響の現れを阻止す
るために、より微少な異物の検出を可能にする検査方法
が求められている。より微少な異物の検出のためには、
より波長の短いレーザーを使用すればよい。例えば、Ａ
ｒレーザーは、０．１μmの粒子の検出が可能である。
しかし、Ｓｉ基板上にＳｉＯ2、ＳｉＮのような膜があ
ると、レーザーの膜による反射、吸収、屈折のために、
異物からの散乱反射光の量はその膜からの散乱反射光の
量に隠されてしまい、即ち、その膜からの散乱反射光の
量がノイズになってしまうので、高精度の異物検査を行
うことが困難になっている。
問題視していなかった微少の異物でも、断線等の事故の
発生に厳しく影響する。このような影響の現れを阻止す
るために、より微少な異物の検出を可能にする検査方法
が求められている。より微少な異物の検出のためには、
より波長の短いレーザーを使用すればよい。例えば、Ａ
ｒレーザーは、０．１μmの粒子の検出が可能である。
しかし、Ｓｉ基板上にＳｉＯ2、ＳｉＮのような膜があ
ると、レーザーの膜による反射、吸収、屈折のために、
異物からの散乱反射光の量はその膜からの散乱反射光の
量に隠されてしまい、即ち、その膜からの散乱反射光の
量がノイズになってしまうので、高精度の異物検査を行
うことが困難になっている。
【０００４】異物に基づく集光量の最大電圧をＶ１で表
しノイズによる最大電圧をＶ２で表すと、Ｖ１／Ｖ２が
１より大きくならなければ、ノイズと異物との区別がで
きない。この値は、現実的には３以上であることが好ま
しい。このような現実に対応するためには、膜厚、膜の
材料に対応して、レーザー波長を変えることが要請され
る。しかし、レーザー波長を変えるだけでは、膜厚、膜
の材料により吸収率、反射率が異なるという問題に対処
できない。
しノイズによる最大電圧をＶ２で表すと、Ｖ１／Ｖ２が
１より大きくならなければ、ノイズと異物との区別がで
きない。この値は、現実的には３以上であることが好ま
しい。このような現実に対応するためには、膜厚、膜の
材料に対応して、レーザー波長を変えることが要請され
る。しかし、レーザー波長を変えるだけでは、膜厚、膜
の材料により吸収率、反射率が異なるという問題に対処
できない。
【０００５】波長を短くするとウエハ表面部を形成する
シリコン膜の透過光量が急激に減少することがあり、膜
中の欠陥の存在を検出することができなくなる。膜圧、
粒子径の２変数により影響される散乱光強度から微小な
粒径の粒子の存在を確かに知るためには、少なくとも２
波長の検出用のレーザを用いる必要がある。そのような
２波長レーザ用いた粒子検出方法が、特開平６−１４０
８５号により知られている。
シリコン膜の透過光量が急激に減少することがあり、膜
中の欠陥の存在を検出することができなくなる。膜圧、
粒子径の２変数により影響される散乱光強度から微小な
粒径の粒子の存在を確かに知るためには、少なくとも２
波長の検出用のレーザを用いる必要がある。そのような
２波長レーザ用いた粒子検出方法が、特開平６−１４０
８５号により知られている。
【０００６】この公知方法は、膜厚の変動に基づく干渉
によるウエハ表面の異物の検査精度の劣化を防止するこ
とができる。しかし、この方法は、膜厚の変動に対処し
た情報を得ることができるが、膜中の深さ方向のデータ
を得ることができない。膜厚変動よりも重要なデータ
は、膜中の異物例えば膜中の欠陥である空孔の存否であ
る。このような空孔からの光散乱は局所的であるが、そ
の強度が大きいために、膜厚変動よりもより重要な検査
対象である。空孔からの光散乱が起きる場合は、膜厚情
報は実質的には得られない。膜厚情報を削除して表面部
の異物の存在を確実に知ることができる検査方法が求め
られている。
によるウエハ表面の異物の検査精度の劣化を防止するこ
とができる。しかし、この方法は、膜厚の変動に対処し
た情報を得ることができるが、膜中の深さ方向のデータ
を得ることができない。膜厚変動よりも重要なデータ
は、膜中の異物例えば膜中の欠陥である空孔の存否であ
る。このような空孔からの光散乱は局所的であるが、そ
の強度が大きいために、膜厚変動よりもより重要な検査
対象である。空孔からの光散乱が起きる場合は、膜厚情
報は実質的には得られない。膜厚情報を削除して表面部
の異物の存在を確実に知ることができる検査方法が求め
られている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
技術的背景に基づいてなされたものであり、本発明の目
的は、膜中異物の情報を得て表面部の異物の検出を確実
に行うことができるパーティクル検査装置を提供するこ
とにある。
技術的背景に基づいてなされたものであり、本発明の目
的は、膜中異物の情報を得て表面部の異物の検出を確実
に行うことができるパーティクル検査装置を提供するこ
とにある。
【０００８】本発明の他の目的は、膜厚方向の情報を削
除して表面部の異物の検出を確実に行うことができるパ
ーティクル検査装置を提供することにある。
除して表面部の異物の検出を確実に行うことができるパ
ーティクル検査装置を提供することにある。
【０００９】本発明の更に他の目的は、膜中異物と膜表
面異物の両方の検出を確実に行うことができるパーティ
クル検査装置を提供することにある。
面異物の両方の検出を確実に行うことができるパーティ
クル検査装置を提供することにある。
【００１０】本発明の更に他の目的は、膜中異物の情報
を得て０．１μｍ以下の表面異物を検出することができ
るパーティクル検査装置を提供することにある。
を得て０．１μｍ以下の表面異物を検出することができ
るパーティクル検査装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明によるパーティク
ル検査装置は、第１レーザーの発振源である第１レーザ
ー源と、第２レーザーの発振源である第２レーザー源
と、その第１レーザーとその第２レーザーを半導体回路
形成用基板の同一点に照射するための光学系と、その第
１レーザーの波長とその第２レーザーの波長とが異なり
その基板からの第１レーザーの反射量と第２レーザーの
反射量を測定するための反射量測定手段とからなるパー
ティクル検査装置であり、その基板は基板本体とこれに
形成された形成膜とからなり、その反射量測定手段は、
その形成膜の上面の第１異物及び第２異物により散乱さ
れる第１レーザーの第１レーザー散乱光量とその形成膜
の中の第２異物により散乱される第２レーザーの第２レ
ーザー散乱光量をそれぞれに測定する測定手段とを備
え、更に、その第１レーザー散乱光量とその第２レーザ
ー散乱光量とを既知値とし、第１異物により散乱される
散乱光量と第２異物により散乱される散乱光量を未知数
とする連立方程式からそれらの未知数を計算により概ね
割り出す計算器とからなるものである。
ル検査装置は、第１レーザーの発振源である第１レーザ
ー源と、第２レーザーの発振源である第２レーザー源
と、その第１レーザーとその第２レーザーを半導体回路
形成用基板の同一点に照射するための光学系と、その第
１レーザーの波長とその第２レーザーの波長とが異なり
その基板からの第１レーザーの反射量と第２レーザーの
反射量を測定するための反射量測定手段とからなるパー
ティクル検査装置であり、その基板は基板本体とこれに
形成された形成膜とからなり、その反射量測定手段は、
その形成膜の上面の第１異物及び第２異物により散乱さ
れる第１レーザーの第１レーザー散乱光量とその形成膜
の中の第２異物により散乱される第２レーザーの第２レ
ーザー散乱光量をそれぞれに測定する測定手段とを備
え、更に、その第１レーザー散乱光量とその第２レーザ
ー散乱光量とを既知値とし、第１異物により散乱される
散乱光量と第２異物により散乱される散乱光量を未知数
とする連立方程式からそれらの未知数を計算により概ね
割り出す計算器とからなるものである。
【００１２】その反射量測定手段は、第１レーザーの反
射量のみを測定する第１測定手段と第２レーザーの反射
量のみを測定する第２測定手段とを備え、その第１測定
手段とその第２レーザーの反射量のみを測定する第２測
定手段とは別個に設けられていることが、検査速度を速
くする点で好ましい。また、計算器は第２異物の深さ方
向の情報を計算することができることが、膜厚変動によ
る影響を少なくする点で特に好ましい。
射量のみを測定する第１測定手段と第２レーザーの反射
量のみを測定する第２測定手段とを備え、その第１測定
手段とその第２レーザーの反射量のみを測定する第２測
定手段とは別個に設けられていることが、検査速度を速
くする点で好ましい。また、計算器は第２異物の深さ方
向の情報を計算することができることが、膜厚変動によ
る影響を少なくする点で特に好ましい。
【００１３】半導体形成用基板の表面異物検査は、膜厚
変動、膜中異物の情報を得なければその検査精度が劣化
する。膜厚変動による光反射量の変動が膜中異物の存否
による変動よりも少なくなるように、膜厚形成技術の改
良を行うことが容易であるから、膜中の欠陥である異物
の検出が重要な課題であり、本発明はこの課題をよりよ
い検査精度で解決することができる。
変動、膜中異物の情報を得なければその検査精度が劣化
する。膜厚変動による光反射量の変動が膜中異物の存否
による変動よりも少なくなるように、膜厚形成技術の改
良を行うことが容易であるから、膜中の欠陥である異物
の検出が重要な課題であり、本発明はこの課題をよりよ
い検査精度で解決することができる。
【００１４】用いるレーザーのうち少なくとも一方のレ
ーザーの波長が短くなればより粒径が小さい表面異物の
検査が可能になる。この場合、波長が短くなれなるほど
膜中吸収率が高くなる性質の利用により、膜表面の情報
を確実に得ることができるので、膜厚変動による誤情報
を削除することができる。例えば、用いる２つのレーザ
ーのうちの一方のレーザーの波長の値は、第１異物の粒
径の値よりも小さく、好ましくは、そのレーザー波長は
第１異物の粒径の４分の１以下であることが好ましい。
ーザーの波長が短くなればより粒径が小さい表面異物の
検査が可能になる。この場合、波長が短くなれなるほど
膜中吸収率が高くなる性質の利用により、膜表面の情報
を確実に得ることができるので、膜厚変動による誤情報
を削除することができる。例えば、用いる２つのレーザ
ーのうちの一方のレーザーの波長の値は、第１異物の粒
径の値よりも小さく、好ましくは、そのレーザー波長は
第１異物の粒径の４分の１以下であることが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に、添付図面を参照して本発
明のパーティクル検査装置を説明する。 図１、本発明
の第１の実施形態によるパーティクル検査装置を示して
いる。移動体１は、Ｘ−Ｙ駆動手段２により２次元面上
で任意の位置に移動することができる。移動体１上に半
導体回路構成用基板３が、固定され支持されている。半
導体回路構成用基板３は、基板４と基板面上に形成され
たシリコン膜５とから形成されている。シリコン膜５
は、酸化シリコン、窒化シリコンなどにより形成されて
いる。
明のパーティクル検査装置を説明する。 図１、本発明
の第１の実施形態によるパーティクル検査装置を示して
いる。移動体１は、Ｘ−Ｙ駆動手段２により２次元面上
で任意の位置に移動することができる。移動体１上に半
導体回路構成用基板３が、固定され支持されている。半
導体回路構成用基板３は、基板４と基板面上に形成され
たシリコン膜５とから形成されている。シリコン膜５
は、酸化シリコン、窒化シリコンなどにより形成されて
いる。
【００１６】レーザー源は、短波長レーザー源６と長波
長レーザー源７とから構成されている。短波長レーザー
源６から取り出されるレーザーの波長は、長波長レーザ
ー源７から取り出されるレーザーの波長よりも短い。慣
用されるレーザー源の波長は、３３７ｎｍ、４８８ｎ
ｍ、５３２ｎｍ、８１０ｎｍ等が知られている。短波長
レーザー源６と長波長レーザー源７からそれぞれに取り
出される第１レーザービーム８と第２レーザービーム９
は、透過型反射鏡１１により１光束の合成ビーム１２に
合成される。
長レーザー源７とから構成されている。短波長レーザー
源６から取り出されるレーザーの波長は、長波長レーザ
ー源７から取り出されるレーザーの波長よりも短い。慣
用されるレーザー源の波長は、３３７ｎｍ、４８８ｎ
ｍ、５３２ｎｍ、８１０ｎｍ等が知られている。短波長
レーザー源６と長波長レーザー源７からそれぞれに取り
出される第１レーザービーム８と第２レーザービーム９
は、透過型反射鏡１１により１光束の合成ビーム１２に
合成される。
【００１７】透過型反射鏡１１としては、慣用のビーム
スプリッッタを用いることができる。第１レーザービー
ム８は透過型反射鏡１１をそのまま透過し、第２レーザ
ービーム９は透過型反射鏡１１で全反射する。短波長レ
ーザー源６と透過型反射鏡１１との間には、第１焦点調
整レンズ１３が介設されている。長波長レーザー源７と
透過型反射鏡１１との間には、第２焦点調整レンズ１４
が介設されている。合成ビーム１２は、シャッタ１５を
透過して通過するがシャッタ１５が動作して閉じられて
いる間は、シャッタ１５を通過しない。
スプリッッタを用いることができる。第１レーザービー
ム８は透過型反射鏡１１をそのまま透過し、第２レーザ
ービーム９は透過型反射鏡１１で全反射する。短波長レ
ーザー源６と透過型反射鏡１１との間には、第１焦点調
整レンズ１３が介設されている。長波長レーザー源７と
透過型反射鏡１１との間には、第２焦点調整レンズ１４
が介設されている。合成ビーム１２は、シャッタ１５を
透過して通過するがシャッタ１５が動作して閉じられて
いる間は、シャッタ１５を通過しない。
【００１８】合成ビーム１２は、シリコン膜５にその上
面に直交して入射する。合成ビーム１２は、入射点又は
点状の入射領域Ｐ（以下入射点という）で集光される必
要はないが、数十μm程度の断面積を持つように集光す
ることはできる。集光の程度は、第１焦点調整レンズ１
３と第２焦点調整レンズ１４のそれぞれの位置移動によ
って調整することができる。
面に直交して入射する。合成ビーム１２は、入射点又は
点状の入射領域Ｐ（以下入射点という）で集光される必
要はないが、数十μm程度の断面積を持つように集光す
ることはできる。集光の程度は、第１焦点調整レンズ１
３と第２焦点調整レンズ１４のそれぞれの位置移動によ
って調整することができる。
【００１９】点Ｐで乱反射した乱反射光のコーン状の乱
反射束は、入射点Ｐをドーム型に囲むように端部が設け
られた多数の光導波管（光ファイバー）１７に入射され
る。多数本の光導波管は、１束として集合体を形成して
いる。
反射束は、入射点Ｐをドーム型に囲むように端部が設け
られた多数の光導波管（光ファイバー）１７に入射され
る。多数本の光導波管は、１束として集合体を形成して
いる。
【００２０】全ての光導波管１７の他端部は、光伝送管
１８に光学的に接続されている。光導波管１７に入射す
る入射光は、光伝送管１８に侵入する。光伝送管１８
は、光電子増倍管１９に接続されている。即ち、光導波
管１７に入射した光は概ねその全量が、光伝送管１８の
光電面に入射することになる。
１８に光学的に接続されている。光導波管１７に入射す
る入射光は、光伝送管１８に侵入する。光伝送管１８
は、光電子増倍管１９に接続されている。即ち、光導波
管１７に入射した光は概ねその全量が、光伝送管１８の
光電面に入射することになる。
【００２１】光電子増倍管１９と光伝送管１８との間に
分光器２１が介設されている。分光器２１は、波長が異
なる第１レーザと第２レーザーを空間的に分離すること
ができる。分光器２１としては、例えば、プリズムを用
いることができる。分光器としては、プリズム以外にも
各種のものが知られ、例えば、波長分離用格子、共振用
平行平面板を用いることができる。光電子増倍管１９
は、第１光電子増倍管２２と第２光電子増倍管２３とか
ら構成されている。分光器２１で分離された第１レーザ
ーと第２レーザーは、それぞれに第１光電子増倍管２２
と第２光電子増倍管２３に入射する。
分光器２１が介設されている。分光器２１は、波長が異
なる第１レーザと第２レーザーを空間的に分離すること
ができる。分光器２１としては、例えば、プリズムを用
いることができる。分光器としては、プリズム以外にも
各種のものが知られ、例えば、波長分離用格子、共振用
平行平面板を用いることができる。光電子増倍管１９
は、第１光電子増倍管２２と第２光電子増倍管２３とか
ら構成されている。分光器２１で分離された第１レーザ
ーと第２レーザーは、それぞれに第１光電子増倍管２２
と第２光電子増倍管２３に入射する。
【００２２】第１光電子増倍管２２と第２光電子増倍管
２３は、これらに入射する光量にそれぞれに比例する第
１電圧信号２４と第２電圧信号２５を出力することがで
きる。第１電圧信号２４と第２電圧信号２５は、ＣＰＵ
２６に入力される。ＣＰＵ２６は、演算回路２７を備え
ている。ＣＰＵ２６とシャッタ１５との間に、シャッタ
駆動手段２８が介設されている。
２３は、これらに入射する光量にそれぞれに比例する第
１電圧信号２４と第２電圧信号２５を出力することがで
きる。第１電圧信号２４と第２電圧信号２５は、ＣＰＵ
２６に入力される。ＣＰＵ２６は、演算回路２７を備え
ている。ＣＰＵ２６とシャッタ１５との間に、シャッタ
駆動手段２８が介設されている。
【００２３】ＣＰＵ２６は、これに入力されるプログラ
ムに従って、Ｘ−Ｙ駆動手段２をデジタルに駆動する。
またＣＰＵ２６は、その１回の駆動に対応させてシャッ
タ駆動手段２８を動作させ、シャッタ１５の一定時間の
１回の開動作を指示する。
ムに従って、Ｘ−Ｙ駆動手段２をデジタルに駆動する。
またＣＰＵ２６は、その１回の駆動に対応させてシャッ
タ駆動手段２８を動作させ、シャッタ１５の一定時間の
１回の開動作を指示する。
【００２４】図２は、合成ビーム１２が集光されシリコ
ン膜５に入射して正反射し又は乱反射する様子を示す幾
何光学図である。この図は、シリコン膜５の表面に異物
である異物微粒子３１が付着し、シリコン膜５中に欠陥
である空孔粒子３２が存在する場合を示示している。
ン膜５に入射して正反射し又は乱反射する様子を示す幾
何光学図である。この図は、シリコン膜５の表面に異物
である異物微粒子３１が付着し、シリコン膜５中に欠陥
である空孔粒子３２が存在する場合を示示している。
【００２５】合成ビーム１２は、空気と酸化シリコンの
シリコン膜５との第１境界面で正反射する第１正反射光
１２ａと、その境界面で屈折してシリコン膜５中で入射
しシリコン膜５と基板４との第２境界面で正反射し第２
反射面で再度屈折し空気中で進行する第２正反射光１２
ｂと、異物微粒子３１で乱反射する第１乱反射光１２ｃ
と、空孔粒子３２で乱反射する第２乱反射光１２ｄとに
分かれる。
シリコン膜５との第１境界面で正反射する第１正反射光
１２ａと、その境界面で屈折してシリコン膜５中で入射
しシリコン膜５と基板４との第２境界面で正反射し第２
反射面で再度屈折し空気中で進行する第２正反射光１２
ｂと、異物微粒子３１で乱反射する第１乱反射光１２ｃ
と、空孔粒子３２で乱反射する第２乱反射光１２ｄとに
分かれる。
【００２６】シリコン膜５の膜厚は、一定であると仮定
する。パルスである合成ビーム１２の光量２Ｑは、一定
である。光量２Ｑは、第１レーザー光量と第２レーザー
光量との和である。第１レーザー光量と第２レーザー光
量は等しいものとする。第１レーザーの第１境界面での
反射率Ｋ１と第２レーザーの第１境界面での反射率Ｋ２
とは異なる。
する。パルスである合成ビーム１２の光量２Ｑは、一定
である。光量２Ｑは、第１レーザー光量と第２レーザー
光量との和である。第１レーザー光量と第２レーザー光
量は等しいものとする。第１レーザーの第１境界面での
反射率Ｋ１と第２レーザーの第１境界面での反射率Ｋ２
とは異なる。
【００２７】第１レーザーが第１境界面で反射する光量
Ｑ１は概ね一定であり、Ｑ１＝Ｋ１Ｑ。第２レーザーが
第１境界面で反射する光量Ｑ２は概ね一定であり、Ｑ２
＝Ｋ２Ｑ。第１正反射光１２ａの光量も第１乱反射光１
２ｃの光量も一定である。シリコン膜５中では、第１レ
ーザーの減衰率Ｌ１と第２レーザーの減衰率Ｌ２は異な
る。
Ｑ１は概ね一定であり、Ｑ１＝Ｋ１Ｑ。第２レーザーが
第１境界面で反射する光量Ｑ２は概ね一定であり、Ｑ２
＝Ｋ２Ｑ。第１正反射光１２ａの光量も第１乱反射光１
２ｃの光量も一定である。シリコン膜５中では、第１レ
ーザーの減衰率Ｌ１と第２レーザーの減衰率Ｌ２は異な
る。
【００２８】第１レーザーがシリコン膜５中を通ってシ
リコン膜５から出る光量Ｑ３は概ね一定であり、Ｑ３＝
Ｌ１（Ｑ−Ｋ１Ｑ）＝Ｌ１Ｑ（１−Ｋ１）。第２レーザ
ーがシリコン膜５中を通ってシリコン膜５から出る光量
Ｑ４は概ね一定であり、Ｑ４＝Ｌ２（Ｑ−Ｋ２Ｑ）＝Ｌ
２Ｑ（１−Ｋ２）。異物微粒子３１で乱反射する第１レ
ーザーの光量Ｑ５をＸ１で表し、異物微粒子３１で乱反
射する第２レーザーの光量Ｑ６をＸ２で表す。
リコン膜５から出る光量Ｑ３は概ね一定であり、Ｑ３＝
Ｌ１（Ｑ−Ｋ１Ｑ）＝Ｌ１Ｑ（１−Ｋ１）。第２レーザ
ーがシリコン膜５中を通ってシリコン膜５から出る光量
Ｑ４は概ね一定であり、Ｑ４＝Ｌ２（Ｑ−Ｋ２Ｑ）＝Ｌ
２Ｑ（１−Ｋ２）。異物微粒子３１で乱反射する第１レ
ーザーの光量Ｑ５をＸ１で表し、異物微粒子３１で乱反
射する第２レーザーの光量Ｑ６をＸ２で表す。
【００２９】空孔粒子３２で乱反射する第１レーザーの
光量Ｑ７をＹ１で表し、空孔粒子３２で乱反射する第２
レーザーの光量Ｑ８をＹ２で表す。第１レーザーのシリ
コン膜５中での可変減衰率をＶ１で表し、第２レーザー
のシリコン膜５中での可変減衰率をＶ２で表す。シリコ
ン膜５から出る第１レーザーの光量は、Ｖ１Ｙ１であ
る。シリコン膜５から出る第２レーザーの光量は、Ｖ２
Ｙ２である。第１光電子増倍管２２と第２光電子増倍管
２３とで測定される第１レーザーの光量と第２レーザー
の光量をそれぞれに、Ｑ１とＱ２で表すと、以下の連立
式が得られる。 Ｑ１＝Ｋ１Ｑ＋Ｌ１（Ｑ−Ｋ１Ｑ）＋Ｘ１＋Ｖ１Ｙ１． Ｑ２＝Ｋ２Ｑ＋Ｌ２（Ｑ−Ｋ２Ｑ）＋Ｘ２＋Ｖ２Ｙ２．
光量Ｑ７をＹ１で表し、空孔粒子３２で乱反射する第２
レーザーの光量Ｑ８をＹ２で表す。第１レーザーのシリ
コン膜５中での可変減衰率をＶ１で表し、第２レーザー
のシリコン膜５中での可変減衰率をＶ２で表す。シリコ
ン膜５から出る第１レーザーの光量は、Ｖ１Ｙ１であ
る。シリコン膜５から出る第２レーザーの光量は、Ｖ２
Ｙ２である。第１光電子増倍管２２と第２光電子増倍管
２３とで測定される第１レーザーの光量と第２レーザー
の光量をそれぞれに、Ｑ１とＱ２で表すと、以下の連立
式が得られる。 Ｑ１＝Ｋ１Ｑ＋Ｌ１（Ｑ−Ｋ１Ｑ）＋Ｘ１＋Ｖ１Ｙ１． Ｑ２＝Ｋ２Ｑ＋Ｌ２（Ｑ−Ｋ２Ｑ）＋Ｘ２＋Ｖ２Ｙ２．
【００３０】ここで、光量Ｘ１と光量Ｘ２は、比例定数
ｋを用いれば、Ｘ１＝ｋＸ２、光量Ｙ１と光量Ｙ２は比
例定数ｓを用いて、Ｙ１＝ｓＹ２。その連立式中の変数
は、Ｘ１とＹ１のみである。従って、測定値Ｑ１とＱ２
を連立式に代入すれば、異物微粒子３１と空孔粒子３２
で反射して第１光電子増倍管２２と第２光電子増倍管２
３とに入射する第１レーザーの光量と第２レーザーの光
量とが計算により求めることができる。
ｋを用いれば、Ｘ１＝ｋＸ２、光量Ｙ１と光量Ｙ２は比
例定数ｓを用いて、Ｙ１＝ｓＹ２。その連立式中の変数
は、Ｘ１とＹ１のみである。従って、測定値Ｑ１とＱ２
を連立式に代入すれば、異物微粒子３１と空孔粒子３２
で反射して第１光電子増倍管２２と第２光電子増倍管２
３とに入射する第１レーザーの光量と第２レーザーの光
量とが計算により求めることができる。
【００３１】空孔粒子３２で乱反射する光量Ｖ１Ｙ１と
光量Ｖ２Ｙ２は異なる。次式、 Ｚ＝ｌｎ（Ｖ１Ｙ１／Ｖ２Ｙ２）＝ｌｎ（ｓＶ１／Ｖ
２） で定義される無次元量Ｚは、深さに対応する減衰率Ｖ１
とＶ２により表される値であるから、この無次元量Ｚは
空孔粒子３２のシリコン膜５中での深さを示す情報であ
る。このように異物微粒子３１と空孔粒子３２が同時に
存在していても、２波長光束を用いることにより、シリ
コン膜５の表面の異物とシリコン膜５中の欠陥の存在を
区別して知ることができ、しかも、その欠陥の深さをも
知ることができる。
光量Ｖ２Ｙ２は異なる。次式、 Ｚ＝ｌｎ（Ｖ１Ｙ１／Ｖ２Ｙ２）＝ｌｎ（ｓＶ１／Ｖ
２） で定義される無次元量Ｚは、深さに対応する減衰率Ｖ１
とＶ２により表される値であるから、この無次元量Ｚは
空孔粒子３２のシリコン膜５中での深さを示す情報であ
る。このように異物微粒子３１と空孔粒子３２が同時に
存在していても、２波長光束を用いることにより、シリ
コン膜５の表面の異物とシリコン膜５中の欠陥の存在を
区別して知ることができ、しかも、その欠陥の深さをも
知ることができる。
【００３２】更に、計算により求められる反射量Ｘ１と
Ｙ１から、異物及び欠陥の粒径を知ることができる。即
ち、反射量は、粒径から光散乱理論により計算される。
膜厚が一定でない場合でも、３波長光束を用れば、連立
式は３式から構成され、膜厚情報が得られ、欠陥と異物
の両方の存在及びそれらの粒径を区別して知ることがで
きる。
Ｙ１から、異物及び欠陥の粒径を知ることができる。即
ち、反射量は、粒径から光散乱理論により計算される。
膜厚が一定でない場合でも、３波長光束を用れば、連立
式は３式から構成され、膜厚情報が得られ、欠陥と異物
の両方の存在及びそれらの粒径を区別して知ることがで
きる。
【００３３】シリコン膜５の完全鏡面でない表面で乱反
射する表面乱反射量は、反射率と屈折率が大きい場合に
多くなる。異物による乱反射量よりもノイズである表面
乱反射量が多すぎる場合は、検査精度が低下する。この
ような場合は、表面乱反射量を少なくするために、より
長い波長のレーザーを用いることが好ましい。
射する表面乱反射量は、反射率と屈折率が大きい場合に
多くなる。異物による乱反射量よりもノイズである表面
乱反射量が多すぎる場合は、検査精度が低下する。この
ような場合は、表面乱反射量を少なくするために、より
長い波長のレーザーを用いることが好ましい。
【００３４】レーザーの波長を短くしたためシリコン膜
５の内部吸収量が多くなれば、表面近くの情報しか得ら
れなくなり、深さ方向の情報を削除することが可能であ
る。波長が長くなれば、検出可能な粒子の粒径は大きく
なる。一般に、パーティクルの存在は、図３に示すよう
に、その粒径が波長の４分の１程度であれば、明瞭に検
出することができる。
５の内部吸収量が多くなれば、表面近くの情報しか得ら
れなくなり、深さ方向の情報を削除することが可能であ
る。波長が長くなれば、検出可能な粒子の粒径は大きく
なる。一般に、パーティクルの存在は、図３に示すよう
に、その粒径が波長の４分の１程度であれば、明瞭に検
出することができる。
【００３５】このため、Ｓｉ上では、０．１μm径の異
物は、波長が４８８ｎｍであるＡｒレーザーを用いるこ
とが好ましい。波長が３３７ｎｍであるＮ２レーザーを
用いれば、０．１μm以下の粒径の異物の検出が可能で
ある。各種の波長のレーザーを用いて散乱量を制御する
ことにより、検査精度を上げることができる。１．３μ
mのレーザーはＳｉを透過する。
物は、波長が４８８ｎｍであるＡｒレーザーを用いるこ
とが好ましい。波長が３３７ｎｍであるＮ２レーザーを
用いれば、０．１μm以下の粒径の異物の検出が可能で
ある。各種の波長のレーザーを用いて散乱量を制御する
ことにより、検査精度を上げることができる。１．３μ
mのレーザーはＳｉを透過する。
【００３６】８１０ｎｍのレーザーは５μm程度の深さ
で吸収されてしまい、５３２ｎｍのレーザーは０．５μ
m程度の深さで吸収されてしまうので、深さ方向の情報
を知るためには波長を長くする必要がある、波長がより
長いとより微少な粒径の異物を検出することが困難であ
る。
で吸収されてしまい、５３２ｎｍのレーザーは０．５μ
m程度の深さで吸収されてしまうので、深さ方向の情報
を知るためには波長を長くする必要がある、波長がより
長いとより微少な粒径の異物を検出することが困難であ
る。
【００３７】２波長レーザーのそれぞれの波長を変更す
ることにより、検査精度を上げることができる。即ち、
２波長レーザーの使用は、深さ方向の情報を得ることが
できるだけではなく、検査精度を向上させることができ
る。また、使用するレーザーの波長が長い場合シリコン
膜５中の欠陥の情報を取り込む。
ることにより、検査精度を上げることができる。即ち、
２波長レーザーの使用は、深さ方向の情報を得ることが
できるだけではなく、検査精度を向上させることができ
る。また、使用するレーザーの波長が長い場合シリコン
膜５中の欠陥の情報を取り込む。
【００３８】その波長を短くしてシリコン膜５中の欠陥
の情報を削除することにより、表面の異物のみの検査を
行って表面異物の検査精度を上げることができる。この
ように、第１レーザーの波長の変更と第２レーザーの波
長の変更とを同時に行うことにより、表面異物と内部異
物の存在及びそれらの粒径を知る検査の精度を向上させ
ることができる。
の情報を削除することにより、表面の異物のみの検査を
行って表面異物の検査精度を上げることができる。この
ように、第１レーザーの波長の変更と第２レーザーの波
長の変更とを同時に行うことにより、表面異物と内部異
物の存在及びそれらの粒径を知る検査の精度を向上させ
ることができる。
【００３９】図４は、集光手段の他の実施の形態を示し
ている。図に示す集光手段は、多数の小さい集光レンズ
４１が用いられている。多数の集光レンズ４１は、合成
ビーム１２の入射点Ｐを中心とする球面上に配置されて
いる。それぞれの集光レンズ４１の光軸は、入射点Ｐを
通過する。
ている。図に示す集光手段は、多数の小さい集光レンズ
４１が用いられている。多数の集光レンズ４１は、合成
ビーム１２の入射点Ｐを中心とする球面上に配置されて
いる。それぞれの集光レンズ４１の光軸は、入射点Ｐを
通過する。
【００４０】１体の集光レンズ４１に対応して１束の光
導波管束４２が配置されている。光導波管束４２は、１
本又は複数本の光導波管の集合束である。各導波管の端
部の中心線は、点Ｐを通るように向きつけられている。
集光レンズ４１に入射したレーザーを分光器２１へ導く
手段は、図１で説明した手段に同じである。
導波管束４２が配置されている。光導波管束４２は、１
本又は複数本の光導波管の集合束である。各導波管の端
部の中心線は、点Ｐを通るように向きつけられている。
集光レンズ４１に入射したレーザーを分光器２１へ導く
手段は、図１で説明した手段に同じである。
【００４１】図４は、集光レンズ４１の焦点距離が異な
る２例を示している。集光レンズ４１を通過した乱反射
光が平行化される場合と集光レンズ４１を通過した乱反
射光が光導波管束４２に向かって集光される場合とが示
されている。
る２例を示している。集光レンズ４１を通過した乱反射
光が平行化される場合と集光レンズ４１を通過した乱反
射光が光導波管束４２に向かって集光される場合とが示
されている。
【００４２】第１レーザーと第２レーザーのシリコン膜
５上への照射は、別々にすることができる。この場合、
シャッタ１５を外して改めて独立に動作する２体のシャ
ッタ（図示せず）を第１レーザービーム８の光路と第２
レーザービーム９の光中に介設する。２体のシャッタ
は、シャッタ駆動手段２８により独立に開閉動作させら
れる。この場合、分光器２１は不要であり、光電子増倍
管１９は１つでよい。３波長レーザーを用いれば、膜厚
情報を得ることができるのでより検査精度が向上するこ
とはいうまでもない。なお、３波長、４波長のレーザー
から選択的に２波長のレーザー又は３波長のレーザーを
選んであるいは選択の切り替えを行って、深さ、膜厚の
情報の精度を上げることができる。
５上への照射は、別々にすることができる。この場合、
シャッタ１５を外して改めて独立に動作する２体のシャ
ッタ（図示せず）を第１レーザービーム８の光路と第２
レーザービーム９の光中に介設する。２体のシャッタ
は、シャッタ駆動手段２８により独立に開閉動作させら
れる。この場合、分光器２１は不要であり、光電子増倍
管１９は１つでよい。３波長レーザーを用いれば、膜厚
情報を得ることができるのでより検査精度が向上するこ
とはいうまでもない。なお、３波長、４波長のレーザー
から選択的に２波長のレーザー又は３波長のレーザーを
選んであるいは選択の切り替えを行って、深さ、膜厚の
情報の精度を上げることができる。
【００４３】散乱光量を測定する測定手段は、光量検出
手段である電子増倍管と光量検出手段光に散乱光を集め
て伝送する伝送手段と散乱光を捕捉する捕捉手段とから
なる。その捕捉手段として集光用レンズと光ファイバー
の組み合わせが例示されたが、集光用レンズは必要では
ない。その捕捉手段は、例えば、球面上に各開口面が配
置される光ファイバー束だけで形成することができる。
光電子増倍管の受光面を球面状に形成してその面で直接
に散乱光を受けるようにすれば、光伝送管（光ファイバ
ー）を用いる必要はない。
手段である電子増倍管と光量検出手段光に散乱光を集め
て伝送する伝送手段と散乱光を捕捉する捕捉手段とから
なる。その捕捉手段として集光用レンズと光ファイバー
の組み合わせが例示されたが、集光用レンズは必要では
ない。その捕捉手段は、例えば、球面上に各開口面が配
置される光ファイバー束だけで形成することができる。
光電子増倍管の受光面を球面状に形成してその面で直接
に散乱光を受けるようにすれば、光伝送管（光ファイバ
ー）を用いる必要はない。
【００４４】
【発明の効果】表面上の異物の検査精度が向上する。例
えば、（１）成膜ウエハーでも０．１μｍの異物を検査
することが可能となる。その理由として、２波長のレー
ザーの内１つを４８８ｎｍより短くすることで０．１ｎ
ｍの異物を検出する事が可能となる。また例えば、
（２）膜表面の荒れより発生するノイズについては他の
波長レーザーの乱反射からは波長が長いため表面による
乱反射量が少なくなるため、２波長の乱反射量の差より
ノイズを削除する事が可能となる。膜のみの異物を検査
することが可能となる。その理由として、２波長のレー
ザーにより、膜による散乱の減衰量から深さ方向のデー
ターを収集することが可能となる。たとえば１．３μｍ
のレーザーの場合、Ｓｉを透過するが、８１０ｎｍでは
５μｍ，５３２ｎｍでは０．５μｍ程度の深さで吸収さ
れてしまう為、深さ方向の情報を知るためには波長を長
くする必要があるが微少の粒径の異物を検査できないこ
とになる。 このように２波長を使用することで異物の
深さ方向を調べ、また波長を短くすることで深さ方向の
情報を減らしＳｉ基板内の欠陥を削除することが可能と
なり、膜の情報のみとなり、異物検査の信頼性を上げる
ことが可能となる。
えば、（１）成膜ウエハーでも０．１μｍの異物を検査
することが可能となる。その理由として、２波長のレー
ザーの内１つを４８８ｎｍより短くすることで０．１ｎ
ｍの異物を検出する事が可能となる。また例えば、
（２）膜表面の荒れより発生するノイズについては他の
波長レーザーの乱反射からは波長が長いため表面による
乱反射量が少なくなるため、２波長の乱反射量の差より
ノイズを削除する事が可能となる。膜のみの異物を検査
することが可能となる。その理由として、２波長のレー
ザーにより、膜による散乱の減衰量から深さ方向のデー
ターを収集することが可能となる。たとえば１．３μｍ
のレーザーの場合、Ｓｉを透過するが、８１０ｎｍでは
５μｍ，５３２ｎｍでは０．５μｍ程度の深さで吸収さ
れてしまう為、深さ方向の情報を知るためには波長を長
くする必要があるが微少の粒径の異物を検査できないこ
とになる。 このように２波長を使用することで異物の
深さ方向を調べ、また波長を短くすることで深さ方向の
情報を減らしＳｉ基板内の欠陥を削除することが可能と
なり、膜の情報のみとなり、異物検査の信頼性を上げる
ことが可能となる。
【図１】図１は、本発明によるパーティクル検査装置の
実施の形態を示す光学系のブロック図である。
実施の形態を示す光学系のブロック図である。
【図２】図２は、波長と光散乱との関係を示す光学図で
ある。
ある。
【図３】図３は、他の集光手段を示す断面図である。
【図４】図４は、他の集光手段を示す断面図である。
３：半導体回路構成基板 ４：基板 ５：シリコン膜 ６：短波長レーザー源（第１レーザー源） ７：長波長レーザー源７（第２レーザー源） １９：光電子増倍管 ２２：第１光電子増倍管 ２３：第２光電子増倍管 ２６：ＣＰＵ（計算器） ３１：異物微粒子（第１異物） ３２：空孔（第２異物、欠陥）
Claims (6)
- 【請求項１】第１レーザーの発振源である第１レーザー
源と、 第２レーザーの発振源である第２レーザー源
と、 前記第１レーザーと前記第２レーザーを半導体回
路形成用基板の同一点に照射するための光学系と、 前
記第１レーザーの波長と前記第２レーザーの波長とが異
なり前記基板からの前記第１レーザーの反射量と前記第
２レーザーの反射量を測定するための反射量測定手段と
からなるパーティクル検査装置において、 前記基板は
基板本体と前記基板本体に形成された形成膜とからな
り、 前記反射量測定手段は、 前記形成膜の上面の第１異物により散乱される前記第１
レーザーの第１レーザー散乱光量と前記形成膜の中の第
２異物により散乱される前記第２レーザーの第２レーザ
ー散乱光量をそれぞれに測定する測定手段とを備え、 更に、前記第１レーザー散乱光量と前記第２レーザー散
乱光量とを既知値とし、前記第１異物により散乱される
散乱光量と前記第２異物により散乱される散乱光量を未
知数とする連立方程式から前記未知数を計算により概ね
割り出す計算器とからなるパーティクル検査装置。 - 【請求項２】請求項１に記載のパーティクル検査装置お
いて、 前記反射量測定手段は、前記第１レーザーの反
射量のみを測定する第１測定手段と前記第２レーザーの
反射量のみを測定する第２測定手段とを備え、 前記第
１測定手段と前記第２レーザーの反射量のみを測定する
第２測定手段とは別個に設けられていることを特徴とす
るパーティクル検査装置。 - 【請求項３】請求項１に記載のパーティクル検査装置お
いて、 前記計算器は前記第２異物の深さ方向の情報を
計算することができることを特徴とするパーティクル検
査装置。 - 【請求項４】請求項１に記載のパーティクル検査装置お
いて、 前記第１レーザーの波長の値は前記第１異物の
粒径の値よりも小さいことを特徴とするパーティクル検
査装置。 - 【請求項５】請求項１に記載のパーティクル検査装置お
いて、 前記第１レーザーの波長の値は前記第１異物の
粒径の値よりも小さく、前記第２レーザーの波長の値は
前記第１異物の粒径の値よりも大きいことを特徴とする
パーティクル検査装置。 - 【請求項６】請求項１に記載のパーティクル検査装置お
いて、 前記第１レーザーの波長の値は４８８ｎｍより
も短いことを特徴とするパーティクル検査装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09901898A JP3166841B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | パーティクル検査装置 |
| US09/281,285 US6266137B1 (en) | 1998-04-10 | 1999-03-30 | Particle detecting apparatus using two light beams |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09901898A JP3166841B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | パーティクル検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11295233A true JPH11295233A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3166841B2 JP3166841B2 (ja) | 2001-05-14 |
Family
ID=14235450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09901898A Expired - Fee Related JP3166841B2 (ja) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | パーティクル検査装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6266137B1 (ja) |
| JP (1) | JP3166841B2 (ja) |
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| JP2008096430A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-04-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
| JP2009511878A (ja) * | 2005-10-06 | 2009-03-19 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | ウェハを検査する方法及びシステム |
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| JP2012525564A (ja) * | 2009-05-01 | 2012-10-22 | エックストラリス・テクノロジーズ・リミテッド | 粒子検出器の改良 |
| JP2013117398A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-13 | Tokyo Institute Of Technology | 膜材料の欠陥の光学的観察方法および装置 |
| US8804119B2 (en) | 2008-06-10 | 2014-08-12 | Xtralis Technologies Ltd | Particle detection |
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| US6774989B1 (en) * | 2002-01-16 | 2004-08-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Interlayer dielectric void detection |
| JP3779636B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2006-05-31 | 株式会社東芝 | 光学測定による残膜の判定方法 |
| US6873725B2 (en) * | 2002-09-09 | 2005-03-29 | Coulter International Corp. | Simultaneous measurement and display of 3-D size distributions of particulate materials in suspensions |
| US6798526B2 (en) * | 2002-09-12 | 2004-09-28 | Seh America, Inc. | Methods and apparatus for predicting oxygen-induced stacking fault density in wafers |
| US7352456B2 (en) * | 2003-04-08 | 2008-04-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Method and apparatus for inspecting a substrate using a plurality of inspection wavelength regimes |
| EP1653223B1 (en) | 2004-10-28 | 2010-06-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Illumination utilizing a plurality of light sources |
| US7580128B2 (en) * | 2006-11-01 | 2009-08-25 | Finesse Solutions, Llc. | Linear optical loss probe |
| US8875562B2 (en) | 2010-02-17 | 2014-11-04 | Dow Global Technologies Llc | Filter and membrane defect detection system |
| KR101297246B1 (ko) | 2010-10-01 | 2013-08-20 | 주식회사 한비세트론 | 면역응집 산란광 및 자체발광 형광 바이오칩 측정장치 |
| CN103154711A (zh) | 2010-10-01 | 2013-06-12 | 陶氏环球技术有限责任公司 | 分析基体孔径的系统和方法 |
| US10460998B2 (en) | 2010-11-09 | 2019-10-29 | Nikon Corporation | Method for inspecting substrate, substrate inspection apparatus, exposure system, and method for producing semiconductor device |
| KR102492294B1 (ko) | 2016-11-02 | 2023-01-27 | 코닝 인코포레이티드 | 투명 기판 상의 결함 검사 방법 및 장치, 및 입사광 조사 방법 |
| KR102537558B1 (ko) | 2016-11-02 | 2023-05-26 | 코닝 인코포레이티드 | 투명 기판 상의 결함 검사 방법 및 장치 |
| US20230142459A1 (en) * | 2020-04-24 | 2023-05-11 | Asml Holding N.V. | Contaminant identification metrology system, lithographic apparatus, and methods thereof |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5520406A (en) | 1978-07-31 | 1980-02-13 | Toshiba Corp | Shape examination unit |
| JPH0261540A (ja) | 1988-08-29 | 1990-03-01 | Nikon Corp | 欠陥検査装置 |
| US5179422A (en) * | 1991-05-15 | 1993-01-12 | Environmental Research Institute Of Michigan | Contamination detection system |
| US5486919A (en) * | 1992-04-27 | 1996-01-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Inspection method and apparatus for inspecting a particle, if any, on a substrate having a pattern |
| JPH06148085A (ja) | 1992-11-12 | 1994-05-27 | Sony Corp | ウェハ異物検査方法およびウェハ異物検査装置 |
| JPH07294422A (ja) | 1994-04-27 | 1995-11-10 | Mitsubishi Materials Corp | 表面近傍結晶欠陥の検出方法およびその装置 |
| WO1996028721A1 (fr) | 1995-03-10 | 1996-09-19 | Hitachi, Ltd. | Procede d'inspection, appareil d'inspection et production d'un dispositif semi-conducteur faisant appel a ce procede et a cet appareil |
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| US6157444A (en) * | 1997-11-28 | 2000-12-05 | Hitachi, Ltd. | Defect inspection apparatus for silicon wafer |
-
1998
- 1998-04-10 JP JP09901898A patent/JP3166841B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1999
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