JPH06148085A - ウェハ異物検査方法およびウェハ異物検査装置 - Google Patents
ウェハ異物検査方法およびウェハ異物検査装置Info
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- JPH06148085A JPH06148085A JP30227692A JP30227692A JPH06148085A JP H06148085 A JPH06148085 A JP H06148085A JP 30227692 A JP30227692 A JP 30227692A JP 30227692 A JP30227692 A JP 30227692A JP H06148085 A JPH06148085 A JP H06148085A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】散乱光または反射光の干渉によるウェハ表面の
異物検査精度の劣化を防止するウェハ異物検査方法およ
びウェハ異物検査装置を提供する。 【構成】ステージ２を所定の平面内で移動するためのス
ピンモータ３およびモータ４が配設されている。ウェハ
１はステージ２上に載置され、ウェハ１の上方側部には
波長の異なるレーザ装置１７，１８が配設されている。
レーザ装置１７，１８に対向してシャッタ１５，１６お
よびミラー１３．１４が配設されている。シャッタ１
５，１６を駆動するためのシャッタ駆動回路１９，２０
が配設されている。ウェハ１の上方には異物の散乱光ま
たは反射光を集光するための対物レンズ６，光ファイバ
ー７，フォトマルチプライヤ８およびアンプ９が配設さ
れ、またウェハ１の異物を判別するための演算処理回路
１０，ＣＲＴ１１およびプリンタ１２が配設されてい
る。
異物検査精度の劣化を防止するウェハ異物検査方法およ
びウェハ異物検査装置を提供する。 【構成】ステージ２を所定の平面内で移動するためのス
ピンモータ３およびモータ４が配設されている。ウェハ
１はステージ２上に載置され、ウェハ１の上方側部には
波長の異なるレーザ装置１７，１８が配設されている。
レーザ装置１７，１８に対向してシャッタ１５，１６お
よびミラー１３．１４が配設されている。シャッタ１
５，１６を駆動するためのシャッタ駆動回路１９，２０
が配設されている。ウェハ１の上方には異物の散乱光ま
たは反射光を集光するための対物レンズ６，光ファイバ
ー７，フォトマルチプライヤ８およびアンプ９が配設さ
れ、またウェハ１の異物を判別するための演算処理回路
１０，ＣＲＴ１１およびプリンタ１２が配設されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウェハ異物検査方法お
よびウェハ異物検査装置に係り、特に半導体装置におけ
るウェハ処理工程でのウェハ表面の異物の検査に適用し
て有効な技術に関する。
よびウェハ異物検査装置に係り、特に半導体装置におけ
るウェハ処理工程でのウェハ表面の異物の検査に適用し
て有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造のウェハ処理工程にお
けるウェハ表面の異物検査は、歩留り向上のために重要
である。図３は、従来のウェハ異物検査装置の構成図で
ある。
けるウェハ表面の異物検査は、歩留り向上のために重要
である。図３は、従来のウェハ異物検査装置の構成図で
ある。
【０００３】図３に示すように、ステージ２上にウェハ
１が載置されており、ステージ２を回転および移動する
ためのスピンモータ３およびモータ４が配設されてい
る。ウェハ１に対向して配設されたレーザ装置１０１か
らの光束はウェハ１の所定の部位に照射しつつステージ
２を適宜移動させることにより、ウェハ１の全面がレー
ザ装置１０１からの光によって走査される。
１が載置されており、ステージ２を回転および移動する
ためのスピンモータ３およびモータ４が配設されてい
る。ウェハ１に対向して配設されたレーザ装置１０１か
らの光束はウェハ１の所定の部位に照射しつつステージ
２を適宜移動させることにより、ウェハ１の全面がレー
ザ装置１０１からの光によって走査される。
【０００４】この時、ウェハ１におけるレーザ装置１０
１からの光の照射部位から発生される散乱光または反射
光は対物レンズ６および光ファイバー７を介してフォト
マルチプライヤ８に入射される。フォトマルチプライヤ
８では散乱光または反射光の光量に対応して電気信号に
変換され、アンプ９により増幅され演算処理回路１１０
に入力される。演算処理回路１１０では入力された電気
信号と所定の閾値と比較することにより、ウェハ１の所
定の部位における異物の大きさ等が判別され、異物から
の散乱光または反射光が検出された時のステージ２の位
置などからウェハ１における異物の位置が把握される。
１からの光の照射部位から発生される散乱光または反射
光は対物レンズ６および光ファイバー７を介してフォト
マルチプライヤ８に入射される。フォトマルチプライヤ
８では散乱光または反射光の光量に対応して電気信号に
変換され、アンプ９により増幅され演算処理回路１１０
に入力される。演算処理回路１１０では入力された電気
信号と所定の閾値と比較することにより、ウェハ１の所
定の部位における異物の大きさ等が判別され、異物から
の散乱光または反射光が検出された時のステージ２の位
置などからウェハ１における異物の位置が把握される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、ウェ
ハ１の表面の異物はレーザ装置１０１からの光の照射部
位から発生される散乱光または反射光により判別され
る。ところがウェハ１の表面の異物の大きさにより散乱
光の強度が変化し、ウェハ１上に形成した膜の厚さによ
り反射光の強度が変化してしまう。
ハ１の表面の異物はレーザ装置１０１からの光の照射部
位から発生される散乱光または反射光により判別され
る。ところがウェハ１の表面の異物の大きさにより散乱
光の強度が変化し、ウェハ１上に形成した膜の厚さによ
り反射光の強度が変化してしまう。
【０００６】図４はウェハ１の表面の異物の大きさ（粒
径）と散乱光の強度の関係を示す図である。図４に示す
ように、散乱光の強度は異物の大きさ（粒径）の一定の
周期で変化している。これは散乱光は定在波として互い
に干渉し合うためである。
径）と散乱光の強度の関係を示す図である。図４に示す
ように、散乱光の強度は異物の大きさ（粒径）の一定の
周期で変化している。これは散乱光は定在波として互い
に干渉し合うためである。
【０００７】図５は、ウェハ１の表面に形成したシリコ
ン窒化膜の膜厚と、波長が４８８ｎｍのＡｒレーザをウ
ェハ１の表面に照射したときの反射光の強度との関係を
示す図である。図４に示すように反射光の強度は、シリ
コン窒化膜の膜厚の一定の周期（１２２ｎｍ）でもって
変化している。これはシリコン窒化膜上で反射した光
と、シリコン窒化膜の下地であるシリコン基板表面上で
反射した光とが干渉し合うためである。
ン窒化膜の膜厚と、波長が４８８ｎｍのＡｒレーザをウ
ェハ１の表面に照射したときの反射光の強度との関係を
示す図である。図４に示すように反射光の強度は、シリ
コン窒化膜の膜厚の一定の周期（１２２ｎｍ）でもって
変化している。これはシリコン窒化膜上で反射した光
と、シリコン窒化膜の下地であるシリコン基板表面上で
反射した光とが干渉し合うためである。
【０００８】ところが、ウェハ１の表面の異物はこれら
の散乱光または反射光の強度を所定の閾値で比較するこ
とにより判別されるので干渉により光の強度が弱められ
るとウェハ１の表面の異物の判別が不可能となる。一方
ウェハ１の表面上に付着する異物の大きさおよびウェハ
１の表面に形成する膜の膜厚は様々であるので単独のレ
ーザ装置１０１からの光をウェハ１に照射する限りどう
してもウェハ１の表面の異物の正確な検査を行うことが
できない。
の散乱光または反射光の強度を所定の閾値で比較するこ
とにより判別されるので干渉により光の強度が弱められ
るとウェハ１の表面の異物の判別が不可能となる。一方
ウェハ１の表面上に付着する異物の大きさおよびウェハ
１の表面に形成する膜の膜厚は様々であるので単独のレ
ーザ装置１０１からの光をウェハ１に照射する限りどう
してもウェハ１の表面の異物の正確な検査を行うことが
できない。
【０００９】そこで本発明は、散乱光または反射光の干
渉によるウェハ表面の異物の検査精度の劣化を防止する
ウェハ異物検査方法およびウェハ異物検査装置を提供す
ることを目的とする。
渉によるウェハ表面の異物の検査精度の劣化を防止する
ウェハ異物検査方法およびウェハ異物検査装置を提供す
ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によれ
ば、波長の異なる複数個の光源のうちいずれかの光源か
らの光をウェハ表面に照射して、その散乱光または反射
光を検出することにより、前記ウェハ表面の異物を検査
することを特徴とするウェハ異物検査方法によって解決
される。
ば、波長の異なる複数個の光源のうちいずれかの光源か
らの光をウェハ表面に照射して、その散乱光または反射
光を検出することにより、前記ウェハ表面の異物を検査
することを特徴とするウェハ異物検査方法によって解決
される。
【００１１】また上記課題は本発明によれば、波長の異
なる複数個の光源からの光を各々所定の光量で、ほぼ同
じ方向からウェハ表面の同一の領域を照射して、その散
乱光または反射光を検出することにより、前記ウェハ表
面の異物を検査することを特徴とするウェハ異物検査方
法によって解決される。
なる複数個の光源からの光を各々所定の光量で、ほぼ同
じ方向からウェハ表面の同一の領域を照射して、その散
乱光または反射光を検出することにより、前記ウェハ表
面の異物を検査することを特徴とするウェハ異物検査方
法によって解決される。
【００１２】また上記課題は本発明によれば、波長の異
なる第１の光源と第２の光源と、該第１の光源と第２の
光源のいずれか一方の光源を選択する光源選択手段と、
該光源選択手段により選択された前記第１の光源または
第２の光源からの光をウェハ表面に照射し、その散乱光
または反射光を検出する光検出手段とを、備えてなるこ
とを特徴とするウェハ異物検査装置によって解決され
る。
なる第１の光源と第２の光源と、該第１の光源と第２の
光源のいずれか一方の光源を選択する光源選択手段と、
該光源選択手段により選択された前記第１の光源または
第２の光源からの光をウェハ表面に照射し、その散乱光
または反射光を検出する光検出手段とを、備えてなるこ
とを特徴とするウェハ異物検査装置によって解決され
る。
【００１３】上記課題は本発明によれば、波長の異なる
第１の光源と第２の光源と、該第１の光源と第２の光源
からの光のウェハ表面に照射するその光量を制御するた
めの光量制御手段と、該光量制御手段により制御された
前記第１の光源と第２の光源からの光を前記ウェハ表面
に照射し、その散乱光または反射光を検出する光検出手
段とを備え、前記第１の光源と第２の光源からの光が前
記ウェハ表面の同一の領域を同時に照射し、かつ前記第
１の光源と第２の光源からの光の前記ウェハ表面に照射
する際の光軸がほぼ同一となるように前記第１の光源と
第２の光源とが配置されてなることを特徴とするウェハ
異物検査装置によって好適に解決される。
第１の光源と第２の光源と、該第１の光源と第２の光源
からの光のウェハ表面に照射するその光量を制御するた
めの光量制御手段と、該光量制御手段により制御された
前記第１の光源と第２の光源からの光を前記ウェハ表面
に照射し、その散乱光または反射光を検出する光検出手
段とを備え、前記第１の光源と第２の光源からの光が前
記ウェハ表面の同一の領域を同時に照射し、かつ前記第
１の光源と第２の光源からの光の前記ウェハ表面に照射
する際の光軸がほぼ同一となるように前記第１の光源と
第２の光源とが配置されてなることを特徴とするウェハ
異物検査装置によって好適に解決される。
【００１４】
【作用】本発明によれば、図１に示すように波長の異な
る第１の光源１７と第２の光源１８とこれらの第１の光
源１７と第２の光源１８によりウェハ１へ照射する光の
強度を制御するためシャッタ１５，１６およびシャッタ
駆動回路１９，２０とウェハ１へ照射した光の反射光ま
たは散乱光を検出するための対物レンズ６および光ファ
イバー７が配設されている。第１の光源１７と第２の光
源１８の波長が互いに異なるのでシャッタ１５，１６お
よびシャッタ駆動回路１９，２０によりウェハ１へ照射
した光の散乱光または反射光の干渉による影響の少ない
波長を有する第１の光源１７または第２の光源１８から
の光をウェハ１へ照射することにより精度の良いウェハ
異物検査ができる。
る第１の光源１７と第２の光源１８とこれらの第１の光
源１７と第２の光源１８によりウェハ１へ照射する光の
強度を制御するためシャッタ１５，１６およびシャッタ
駆動回路１９，２０とウェハ１へ照射した光の反射光ま
たは散乱光を検出するための対物レンズ６および光ファ
イバー７が配設されている。第１の光源１７と第２の光
源１８の波長が互いに異なるのでシャッタ１５，１６お
よびシャッタ駆動回路１９，２０によりウェハ１へ照射
した光の散乱光または反射光の干渉による影響の少ない
波長を有する第１の光源１７または第２の光源１８から
の光をウェハ１へ照射することにより精度の良いウェハ
異物検査ができる。
【００１５】特に、第１の光源１７と第２の光源１８の
ウェハ１に照射する光の強度をシャッタ１５，１６およ
びシャッタ駆動回路１９，２０により最適に選択し、か
つ第１の光源１７と第２の光源１８のウェハ１に照射す
る光軸をほぼ同一にすることにより、反射光または散乱
光の干渉による影響を小さくすることができ、かつ第１
の光源１７と第２の光源１８による各々の散乱光または
反射光の方向をほぼ同一にすることができるので精度の
よいウェハ異物検査をすることができる。
ウェハ１に照射する光の強度をシャッタ１５，１６およ
びシャッタ駆動回路１９，２０により最適に選択し、か
つ第１の光源１７と第２の光源１８のウェハ１に照射す
る光軸をほぼ同一にすることにより、反射光または散乱
光の干渉による影響を小さくすることができ、かつ第１
の光源１７と第２の光源１８による各々の散乱光または
反射光の方向をほぼ同一にすることができるので精度の
よいウェハ異物検査をすることができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１７】図１は本発明に係るウェハ異物検査装置の
第１実施例構成図である。図１に示すように回転可能な
スピンモータ３および水平移動が可能なモータ４が配設
されており、ステージ２がこのスピンモータ３およびモ
ータ４により所定の平面内において回転および水平移動
可能となる。ステージ２上には鏡面、エピタキャシャル
面またはパターニング後の面を有するウェハ１が着脱自
在に配置されている。
第１実施例構成図である。図１に示すように回転可能な
スピンモータ３および水平移動が可能なモータ４が配設
されており、ステージ２がこのスピンモータ３およびモ
ータ４により所定の平面内において回転および水平移動
可能となる。ステージ２上には鏡面、エピタキャシャル
面またはパターニング後の面を有するウェハ１が着脱自
在に配置されている。
【００１８】ステージ２の上方側部には波長が４８８ｎ
ｍのＡｒレーザ光を出射するレーザ装置１７および波長
が６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ光を出射するレーザ装
置１８が配設されている。レーザ装置１７の出射面と対
向して、レーザ光の遮蔽および通過光量を制御するため
のシャッタ１５，シャッタ１５の開閉を制御するための
シャッタ駆動回路１９およびレーザ光の光路の変更する
ためのミラー１３が配設されている。同様にレーザ装置
１８の出射面と対向して、レーザ光の遮蔽および通過す
る光量を制御するためのシャッタ１６，シャッタ１６の
開閉を制御するためのシャッタ駆動回路２０およびレー
ザ光の光路を変更するためのミラー１４が配設されてい
る。レーザ装置１７，１８から出射された光はウェハ１
の同一の場所を照射し、光軸がほぼ一致するようにレー
ザ装置１７，１８およびミラー１３，１４が配設されて
いる。
ｍのＡｒレーザ光を出射するレーザ装置１７および波長
が６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザ光を出射するレーザ装
置１８が配設されている。レーザ装置１７の出射面と対
向して、レーザ光の遮蔽および通過光量を制御するため
のシャッタ１５，シャッタ１５の開閉を制御するための
シャッタ駆動回路１９およびレーザ光の光路の変更する
ためのミラー１３が配設されている。同様にレーザ装置
１８の出射面と対向して、レーザ光の遮蔽および通過す
る光量を制御するためのシャッタ１６，シャッタ１６の
開閉を制御するためのシャッタ駆動回路２０およびレー
ザ光の光路を変更するためのミラー１４が配設されてい
る。レーザ装置１７，１８から出射された光はウェハ１
の同一の場所を照射し、光軸がほぼ一致するようにレー
ザ装置１７，１８およびミラー１３，１４が配設されて
いる。
【００１９】レーザ装置１７，１８により照射されたウ
ェハ１の表面からの散乱光または反射光を集光するため
の対物レンズ６がウェハ１の上方に円形ドーム状に従来
装置と同様に配設され、この対物レンズ６には光ファイ
バー７が接続されている。光ファイバー７はウェハ１の
表面からの散乱光または反射光を電気信号に変換するた
めのフォトマルチプライヤ８に接続され、フォトマルチ
プライヤ８は電気信号を増幅するためのアンプ９に接続
されている。このアンプ９には、散乱光または反射光の
光量を所定の閾値と比較することによりウェハ１の所定
の部位における異物の有無および大きさを判別するため
の演算処理回路１０が接続されている。
ェハ１の表面からの散乱光または反射光を集光するため
の対物レンズ６がウェハ１の上方に円形ドーム状に従来
装置と同様に配設され、この対物レンズ６には光ファイ
バー７が接続されている。光ファイバー７はウェハ１の
表面からの散乱光または反射光を電気信号に変換するた
めのフォトマルチプライヤ８に接続され、フォトマルチ
プライヤ８は電気信号を増幅するためのアンプ９に接続
されている。このアンプ９には、散乱光または反射光の
光量を所定の閾値と比較することによりウェハ１の所定
の部位における異物の有無および大きさを判別するため
の演算処理回路１０が接続されている。
【００２０】演算処理回路１０は、ウェハ１の異物の判
別結果を出力するためのＣＲＴ１１およびプリンタ１２
に接続されている。
別結果を出力するためのＣＲＴ１１およびプリンタ１２
に接続されている。
【００２１】次に、上述したウェハ異物検査装置を用い
たウェハ異物検査方法について説明する。
たウェハ異物検査方法について説明する。
【００２２】まず、ＣＲＴ１１によりレーザ装置１７ま
たは１８の中から例えば、レーザ装置１７を選択する。
すると演算処理回路１０によりシャッタ駆動回路１９が
駆動され、シャッタ１５が全開される。レーザ装置１７
からの光がシャッタ１５を通過し、ミラー１３で反射さ
れウェハ１の所定の部位に照射する。ステージ２を適宜
移動させることにより、ウェハ１の全面がレーザ装置１
７からの光によって走査される。
たは１８の中から例えば、レーザ装置１７を選択する。
すると演算処理回路１０によりシャッタ駆動回路１９が
駆動され、シャッタ１５が全開される。レーザ装置１７
からの光がシャッタ１５を通過し、ミラー１３で反射さ
れウェハ１の所定の部位に照射する。ステージ２を適宜
移動させることにより、ウェハ１の全面がレーザ装置１
７からの光によって走査される。
【００２３】この時、ウェハ１におけるレーザ装置１７
からの光の照射部位から発生される散乱光または反射光
は対物レンズ６および光ファイバー７を介してフォトマ
ルチプライヤ８により電気信号に変換され、アンプ９に
より増幅される。この増幅された電気信号を演算処理回
路１０において所定の閾値と比較することにより、ウェ
ハ１の所定の部位における異物の有無および異物の大き
さが判別され、異物からの散乱光または反射光が検出さ
れた時のステージ２の位置により、ウェハ１における異
物の位置が判別される。このウェハ１の異物の有無、大
きさ、位置などがＣＲＴ１１およびプリンタ１２に出力
される。
からの光の照射部位から発生される散乱光または反射光
は対物レンズ６および光ファイバー７を介してフォトマ
ルチプライヤ８により電気信号に変換され、アンプ９に
より増幅される。この増幅された電気信号を演算処理回
路１０において所定の閾値と比較することにより、ウェ
ハ１の所定の部位における異物の有無および異物の大き
さが判別され、異物からの散乱光または反射光が検出さ
れた時のステージ２の位置により、ウェハ１における異
物の位置が判別される。このウェハ１の異物の有無、大
きさ、位置などがＣＲＴ１１およびプリンタ１２に出力
される。
【００２４】次に、ＣＲＴ１１により選択されていなか
ったレーザ装置１８を選択する。すると演算処理回路１
０がシャッタ駆動回路１９を駆動し、シャッタ１６を閉
じる。代わりにシャッタ駆動回路２０を駆動し、シャッ
タ１６を開く。レーザ装置１８から出射された光はシャ
ッタ１６を通過し、ミラー１４で反射されウェハ１の所
定の部位を照射する。ステージ２を適宜移動させ、レー
ザ装置１８から出射された光によりウェハ１の全面が走
査される。
ったレーザ装置１８を選択する。すると演算処理回路１
０がシャッタ駆動回路１９を駆動し、シャッタ１６を閉
じる。代わりにシャッタ駆動回路２０を駆動し、シャッ
タ１６を開く。レーザ装置１８から出射された光はシャ
ッタ１６を通過し、ミラー１４で反射されウェハ１の所
定の部位を照射する。ステージ２を適宜移動させ、レー
ザ装置１８から出射された光によりウェハ１の全面が走
査される。
【００２５】ウェハ１におけるレーザ装置１８からの光
の照射部位から発生される散乱光または反射光によりウ
ェハ１の異物の有無、大きさ、位置などが判別されＣＲ
Ｔ１１またはプリンタ１２に検査結果が出力される。
の照射部位から発生される散乱光または反射光によりウ
ェハ１の異物の有無、大きさ、位置などが判別されＣＲ
Ｔ１１またはプリンタ１２に検査結果が出力される。
【００２６】次に、レーザ装置１７および１８によるウ
ェハ１の異物の検査結果を比較し、異物の大きさ等によ
る干渉の影響を判断してＣＲＴ１１によりレーザ装置１
７と１８からの光によるウェハ１へ照射する各々の最適
な光量を指定する。すると演算処理回路１０によりレー
ザ装置１７および１８に対する指定に応じて、シャッタ
駆動回路１９と２０を各々駆動しシャッタ１５と１６の
絞りが調整され、ウェハ１上にレーザ装置１７および１
８からの光が指定した最適光量で照射する。ウェハ１に
照射された光のウェハ１の異物による散乱光または反射
光は干渉の影響を最小にすることができるので、精度の
良いウェハ１の異物検査ができる。
ェハ１の異物の検査結果を比較し、異物の大きさ等によ
る干渉の影響を判断してＣＲＴ１１によりレーザ装置１
７と１８からの光によるウェハ１へ照射する各々の最適
な光量を指定する。すると演算処理回路１０によりレー
ザ装置１７および１８に対する指定に応じて、シャッタ
駆動回路１９と２０を各々駆動しシャッタ１５と１６の
絞りが調整され、ウェハ１上にレーザ装置１７および１
８からの光が指定した最適光量で照射する。ウェハ１に
照射された光のウェハ１の異物による散乱光または反射
光は干渉の影響を最小にすることができるので、精度の
良いウェハ１の異物検査ができる。
【００２７】図２はウェハ異物検査装置の第２実施例構
成図である。
成図である。
【００２８】本第２実施例では、ウェハ１の上方側部お
よび上方には波長の異なるレーザ装置２５および２６が
配設され、レーザ装置２５および２６に対向してレーザ
光の遮蔽および通過光量を制御するためのシャッタ２１
および２２、シャッタ２１および２２の開閉を制御する
ためのシャッタ駆動回路２３および２４が配設されてい
る。レーザ装置２５および２６から出射された光の反射
および透過を行うためのビームスプリッタ３０が配設さ
れ、レーザ装置２５および２６からの光がウェハ１の表
面の同じ領域を照射し、かつ同一光軸となるようにレー
ザ装置２５，２６およびビームスプリッタ３０が配置さ
れている。
よび上方には波長の異なるレーザ装置２５および２６が
配設され、レーザ装置２５および２６に対向してレーザ
光の遮蔽および通過光量を制御するためのシャッタ２１
および２２、シャッタ２１および２２の開閉を制御する
ためのシャッタ駆動回路２３および２４が配設されてい
る。レーザ装置２５および２６から出射された光の反射
および透過を行うためのビームスプリッタ３０が配設さ
れ、レーザ装置２５および２６からの光がウェハ１の表
面の同じ領域を照射し、かつ同一光軸となるようにレー
ザ装置２５，２６およびビームスプリッタ３０が配置さ
れている。
【００２９】他は第１実施例と同様にウェハ１がステー
ジ２上に載置され、スピンモータ３，モータ４，対物レ
ンズ６，光ファイバー７，フォトマルチプライヤ８，ア
ンプ９，演算処理回路１０，ＣＲＴ１１およびプリンタ
１２がそれぞれ配設されている。
ジ２上に載置され、スピンモータ３，モータ４，対物レ
ンズ６，光ファイバー７，フォトマルチプライヤ８，ア
ンプ９，演算処理回路１０，ＣＲＴ１１およびプリンタ
１２がそれぞれ配設されている。
【００３０】次に、上述したウェハ異物検査装置を用い
たウェハ異物検査方法を説明する。
たウェハ異物検査方法を説明する。
【００３１】まずＣＲＴ１１によりレーザ装置２５か２
６のいずれかを指定し、演算処理回路１０により指定し
たレーザ装置２５または２６に対応するシャッタ駆動回
路２３または２４を駆動し、シャッタ２１または２２を
開く。
６のいずれかを指定し、演算処理回路１０により指定し
たレーザ装置２５または２６に対応するシャッタ駆動回
路２３または２４を駆動し、シャッタ２１または２２を
開く。
【００３２】レーザ装置２５を指定したときは、レーザ
装置２５から出射された光束がビームスプリッタ３０上
で反射され、ウェハ１上の所定の部位に照射しつつステ
ージ２を適宜移動させることにより、ウェハ１の全面が
レーザ装置２５から出射された光により走査される。ま
たレーザ装置２６を指定したときは、レーザ装置２６か
ら出射された光束がビームスプリッタ３０で透過され、
ウェハ１上の所定の部位に照射しつつ、ウェハ１の全面
がレーザ装置２６から出射された光により走査される。
演算処理回路１０により、ウェハ１上の所定の部位にお
ける異物の有無および大きさが判別され、異物からの散
乱光または反射光が検出された時のウェハ１の位置など
から、ウェハ１における異物の位置が把握される。
装置２５から出射された光束がビームスプリッタ３０上
で反射され、ウェハ１上の所定の部位に照射しつつステ
ージ２を適宜移動させることにより、ウェハ１の全面が
レーザ装置２５から出射された光により走査される。ま
たレーザ装置２６を指定したときは、レーザ装置２６か
ら出射された光束がビームスプリッタ３０で透過され、
ウェハ１上の所定の部位に照射しつつ、ウェハ１の全面
がレーザ装置２６から出射された光により走査される。
演算処理回路１０により、ウェハ１上の所定の部位にお
ける異物の有無および大きさが判別され、異物からの散
乱光または反射光が検出された時のウェハ１の位置など
から、ウェハ１における異物の位置が把握される。
【００３３】次に、指定したレーザ装置２５または２６
とは異なるレーザ装置２５または２６をＣＲＴ１１によ
り入力すると、演算処理回路１０によりシャッタ駆動回
路２３または２４が駆動され、シャッタ２１または２２
が開かれる。上述したと同様に、演算処理回路１０によ
りウェハ１上の所定の部位における異物の有無および大
きさが判別され、異物からの散乱光または反射光が検出
された時のウェハ１の位置などから、ウェハ１における
異物の位置が把握される。
とは異なるレーザ装置２５または２６をＣＲＴ１１によ
り入力すると、演算処理回路１０によりシャッタ駆動回
路２３または２４が駆動され、シャッタ２１または２２
が開かれる。上述したと同様に、演算処理回路１０によ
りウェハ１上の所定の部位における異物の有無および大
きさが判別され、異物からの散乱光または反射光が検出
された時のウェハ１の位置などから、ウェハ１における
異物の位置が把握される。
【００３４】次に、レーザ装置２５およびレーザ装置２
６によるウェハ１の表面異物検査を比較し、レーザ装置
２５およびレーザ装置２６の最適な光量を決定し、ＣＲ
Ｔ１１によりレーザ装置２５および２６の出力光量を入
力し、演算処理回路１０によりシャッタ駆動回路２３お
よび２４を駆動しシャッタ２１および２２の絞りを調整
する。レーザ装置２５およびレーザ装置２６から出射さ
れた光は、シャッタ２１および２２の絞りにより所定の
光量でウェハ１の所定の部位に照射され、ウェハ１上の
異物の大きさ等による干渉の影響の少ない精度の良い検
査を行うことができる。
６によるウェハ１の表面異物検査を比較し、レーザ装置
２５およびレーザ装置２６の最適な光量を決定し、ＣＲ
Ｔ１１によりレーザ装置２５および２６の出力光量を入
力し、演算処理回路１０によりシャッタ駆動回路２３お
よび２４を駆動しシャッタ２１および２２の絞りを調整
する。レーザ装置２５およびレーザ装置２６から出射さ
れた光は、シャッタ２１および２２の絞りにより所定の
光量でウェハ１の所定の部位に照射され、ウェハ１上の
異物の大きさ等による干渉の影響の少ない精度の良い検
査を行うことができる。
【００３５】本実施例では波長の異なる２つのレーザ装
置を用いたが波長の異なる３つ以上のレーザ装置を用い
ても勿論良い。
置を用いたが波長の異なる３つ以上のレーザ装置を用い
ても勿論良い。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば波
長の異なるレーザ装置によりウェハを照射して、その散
乱光または反射光を検出するので干渉による影響を少な
くし、精度の良いウェハ異物検査を行うことができる。
長の異なるレーザ装置によりウェハを照射して、その散
乱光または反射光を検出するので干渉による影響を少な
くし、精度の良いウェハ異物検査を行うことができる。
【図１】第１実施例によるウェハ異物検査装置構成図で
ある。
ある。
【図２】第２実施例によるウェハ異物検査装置構成図で
ある。
ある。
【図３】従来例によるウェハ異物検査装置構成図であ
る。
る。
【図４】従来例の問題点を説明するための図（Ｉ）であ
る。
る。
【図５】従来例の問題点を説明するための図（II）であ
る。
る。
１ ウェハ ２ ステージ ３ スピンモータ ４ モータ ６ 対物レンズ ７ 光ファイバー ８ フォトマルチプライヤ ９ アンプ １０ 演算処理回路 １１ ＣＲＴ １２ プリンタ １３，１４ ミラー １５，１６ シャッタ １７，１８ レーザ装置 １９，２０ シャッタ駆動回路 ２１，２２ シャッタ ２３，２４ シャッタ駆動回路 ２５，２６ レーザ装置 ３０ ビームスプリッタ １０１ レーザ装置 １１０ 演算処理回路
Claims (4)
- 【請求項１】 波長の異なる複数個の光源のうちいずれ
かの光源からの光をウェハ表面に照射して、その散乱光
または反射光を検出することにより、前記ウェハ表面の
異物を検査することを特徴とするウェハ異物検査方法。 - 【請求項２】 波長の異なる複数個の光源からの光を各
々所定の光量で、ほぼ同じ方向からウェハ表面の同一の
領域を照射して、その散乱光または反射光を検出するこ
とにより、前記ウェハ表面の異物を検査することを特徴
とするウェハ異物検査方法。 - 【請求項３】 波長の異なる第１の光源と第２の光源
と、 該第１の光源と第２の光源のいずれか一方の光源を選択
する光源選択手段と、 該光源選択手段により選択された前記第１の光源または
第２の光源からの光をウェハ表面に照射し、その散乱光
または反射光を検出する光検出手段とを、 備えてなることを特徴とするウェハ異物検査装置。 - 【請求項４】 波長の異なる第１の光源と第２の光源
と、 該第１の光源と第２の光源からの光をウェハ表面に照射
するその光量を制御するための光量制御手段と、 該光量制御手段により制御された前記第１の光源と第２
の光源からの光を前記ウェハ表面に照射し、その散乱光
または反射光を検出する光検出手段とを備え、 前記第１の光源と第２の光源からの光が前記ウェハ表面
の同一の領域を同時に照射し、かつ前記第１の光源と第
２の光源からの光の前記ウェハ表面に照射する際の光軸
がほぼ同一となるように前記第１の光源と第２の光源と
が配置されてなることを特徴とするウェハ異物検査装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30227692A JPH06148085A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | ウェハ異物検査方法およびウェハ異物検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30227692A JPH06148085A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | ウェハ異物検査方法およびウェハ異物検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06148085A true JPH06148085A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=17907060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30227692A Pending JPH06148085A (ja) | 1992-11-12 | 1992-11-12 | ウェハ異物検査方法およびウェハ異物検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06148085A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6266137B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-07-24 | Nec Corporation | Particle detecting apparatus using two light beams |
| JP2002296197A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 表面検査装置 |
| US7113624B2 (en) | 2002-10-15 | 2006-09-26 | Palo Alto Research Center Incorporated | Imaging apparatus and method employing a large linear aperture |
| US7145645B2 (en) | 1999-11-04 | 2006-12-05 | Regents Of The University Of Minnesota | Imaging of biological samples using electronic light detector |
| US7280261B2 (en) | 2004-12-20 | 2007-10-09 | Palo Alto Research Center Incorporated | Method of scanning and light collection for a rare cell detector |
| US7286224B2 (en) | 2004-12-21 | 2007-10-23 | Palo Alto Research Center Incorporated | Time-multiplexed scanning light source for multi-probe, multi-laser fluorescence detection systems |
| US7305112B2 (en) | 2002-10-15 | 2007-12-04 | The Scripps Research Institute | Method of converting rare cell scanner image coordinates to microscope coordinates using reticle marks on a sample media |
| JP2008096430A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-04-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
-
1992
- 1992-11-12 JP JP30227692A patent/JPH06148085A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6266137B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-07-24 | Nec Corporation | Particle detecting apparatus using two light beams |
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| JP4490598B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2010-06-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 表面検査装置 |
| US7113624B2 (en) | 2002-10-15 | 2006-09-26 | Palo Alto Research Center Incorporated | Imaging apparatus and method employing a large linear aperture |
| US7277569B2 (en) | 2002-10-15 | 2007-10-02 | Palo Alto Research Center Incorporated | Apparatus and method for detecting and locating rare cells |
| US7305112B2 (en) | 2002-10-15 | 2007-12-04 | The Scripps Research Institute | Method of converting rare cell scanner image coordinates to microscope coordinates using reticle marks on a sample media |
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| JP2008096430A (ja) * | 2006-09-13 | 2008-04-24 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査方法およびその装置 |
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