JPH11288917A - 基板の処理方法とその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 １つのチャンバー内で基板の各種処理をイン
ライン方式にて十分に達成できるようにする。 【解決手段】 下位に他の処理部３１〜３３がある上位
の処理部３２〜３４での処理に際し、前記下部の処理部
３１〜３３との間を、支持体３まわりで、チャンバー１
内面との間に処理材などの下方への流下隙間Ｓを残した
環状の隔壁７ａ〜７ｃによりほぼ遮断して、前記上位の
処理部３２〜３４での処理を行うことにより、上記の目
的を達成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶、半導体のガ
ラス板やウエハなど各種の基板を作製する工程において
複数の処理が１つのチャンバーで順次に行えるインライ
ン方式の基板の処理方法およびその装置に関するもので
ある。

【０００２】

【従来の技術】このような基板の処理には、例えば、ウ
エハを研磨材であるスラリーを塗布しながらウエハ表面
を機械的に研磨する、いわゆるＣＭＰと言われる工程が
ある。

【０００３】この工程では、最終的に研磨、洗浄、乾燥
の各処理をしたウエハが作製される。

【０００４】このＣＭＰの工程の、例えば、複数種類の
洗浄と乾燥とを順次連続して行うインライン方式の基板
処理装置として、従来、図３に示すような処理装置が知
られている。このものは、１つの装置に、各処理工程を
行うそれぞれに専用のチャンバーを有している。具体的
には、荒洗浄用のチャンバーａ、中仕上げ洗浄用のチャ
ンバーｂ、仕上げ洗浄用のチャンバーｃ、および乾燥用
のチャンバーｄを備え、ローダｅによって供給される基
板ｆを移載ロボットｒにより取り扱って、前記各チャン
バーａ〜ｄ内に順次に持ち運んで、それぞれが分担する
各処理に供し、所定の処理が終了した基板ｆをアンロー
ダｇに持ち運んで、取出し、ウエハ収納カセットなどに
収納している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の装
置のように各工程に専用のチャンバーａ〜ｄを用いるの
では、装置が複雑かつ大型化し、設備費がかさむし、近
時強く望まれる省スペース化が図れない。

【０００６】これに対処するには、図４に示すように１
つのチャンバーｊ内に、荒洗浄部ｋ、中仕上げ洗浄部
ｌ、仕上げ洗浄部ｍ、および乾燥部ｎを上下に配列し、
基板ｆを支持体ｏにより支持してそれら各処理部であ
る、荒洗浄部ｋ、中仕上げ洗浄部ｌ、仕上げ洗浄部ｍ、
および乾燥部ｎに順次に移動させ、各移動位置で各処理
に供することが考えられる。

【０００７】ところが、研磨後の基板ｆは、研磨材の残
り液や研磨かすなどが大量に付着しており、その基板ｆ
を同じチャンバーｊ内で各種の洗浄をすると、この洗浄
により基板ｆから落ちた異物はチャンバーｊの底部出口
ｐから処理材とともに流出するものの、その一部はチャ
ンバーｊの側壁内面や底部に付着する。このチャンバー
ｊ内に付着して残る異物は、各処理のために基板ｆを回
転させる支持体ｏがまわりの空気を乱すことによって、
汚れたミストとしてチャンバーｊ内に舞い上がり、基板
ｆへの再付着が生じる。このため、所定の洗浄効果が得
られない問題があり、これがまだ解決されていない。

【０００８】本発明の目的は、１つのチャンバー内で基
板の各種処理をインライン方式にて十分に達成できる基
板の処理方法およびその装置を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記のような目的を達成
するために、本発明の処理方法は、１つのチャンバー内
で、基板を支持体上に載せて、チャンバー内に上下に複
数配した処理部に順次に移動させ、各移動位置にて基板
を回転させながら各処理部での処理に供し所定の処理を
行うのに、下位に他の処理部がある上位の処理部での処
理に際し、その下位の処理部との間を、支持体まわり
で、チャンバー内面との間に処理材の下方への流下隙間
を残した環状の隔壁によりほぼ遮断して、前記上位の処
理部での処理を行うことを１つの特徴としている。

【００１０】このようにすると、１つのチャンバー内
で、支持体が最下位の処理部から最上位の処理部へ順次
に移動して各処理部での処理を行うときの処理部が、下
位に他の処理部がある上位の処理部であって、ここでの
処理のために支持体が回転して処理を終えている下位の
処理部の空気を乱しても、これら下位の処理部と上位の
処理部との間を、支持体まわりでチャンバーの内面との
間に処理材などの流下隙間を残した状態でほぼ遮断する
ことと、この遮断によって作る流下隙間は狭くてよい上
に、上位の処理部での処理に供される処理材などが流下
して、下位の処理部から上位の処理部への流下隙間を通
じた空気の動きを抑えられることとによって、前記乱れ
た空気が下位の処理部での処理によって基板から落ちて
チャンバー内に残るなどした異物を汚れたミストとして
伴い上位の処理部に舞い上がるようなことを防止するの
で、１つのチャンバー内で、下位の処理部での処理から
上位の処理部での処理へとインライン方式にて順次に移
りながら、上位の処理部での処理に下位の処理部からの
影響を受けることなく所定の処理を順次に達成していく
ことができ、十分な処理効果が得られる。

【００１１】処理は通常、処理液を処理材として供給し
て行う湿式処理と、湿式処理後の基板を乾燥させる乾式
処理であり、基板表面の異物の湿式処理による洗浄除去
と、洗浄後の基板を乾式処理にて乾燥させることによ
る、洗浄後の基板への異物の付着防止とが図れる。湿式
処理は洗浄などの進行状態に応じた複数の種類行うのが
好適である。前記処理に併せ、チャンバー下部への吸引
を行うと、チャンバー内を前記流下隙間を通じて上部か
ら下部に通り抜ける空気流ができ、これが基板を乾燥さ
せる処理材として働くので、乾式処理の効率を高める
し、洗浄によって基板から除去されチャンバー内に残る
異物などを下位の処理部から上位の処理部に舞い上がら
せないように働くのは勿論、この異物をチャンバー内か
ら吸引除去することができ好適である。 隔壁は、複数
組できる下位の処理部と上位の処理部との各間のそれぞ
れに予め設けておくと、処理が上位の処理部に順次に移
っていっても、隔壁をいちいち必要位置へ移動させる必
要がないし、この移動によって下位の処理部での空気を
乱すようなことも回避できる。

【００１２】本発明の基板の処理装置は、処理対象の基
板を上部から出し入れする１つのチャンバーと、このチ
ャンバー内に上下に配されて、処理材を供給して処理を
行う処理部を含む複数の処理部と、チャンバー内に受け
入れた基板を載せて上下動し基板を各処理部に順次に移
動させて、各移動位置にて各処理部での処理に供する支
持体と、下位の処理部と上位の処理部との間で、上位の
処理部での処理位置に移動してきた支持体の外まわりに
接触ないしはこれに近い近接状態となるとともに、チャ
ンバーの内面との間に処理材の下流隙間を残すように配
された環状の隔壁と、チャンバーの下部に設けられた処
理材の出口と、支持体が隔壁との所定の関係位置になっ
たことを条件に、この隔壁の上の処理部での処理を行わ
せる制御手段とを備えたことを１つの特徴としている。

【００１３】これにより、１つのチャンバー内に上下に
配された複数の処理部による、上位の処理部と下位の処
置部とを隔壁により遮断しながらの、上記インライン方
式での処理が、予め設定されたプログラムに基づいた制
御手段による的確な動作制御のもとに自動的に確実に達
成される。特に、処理液を処理材として供給して処理を
行う湿式の処理部と、乾燥を行う乾式の処理部を備える
場合、この乾式の処理部を最上位に配していると、湿式
の処理を行った後の基板を最終的に乾式の処理部で乾燥
させて後、チャンバー上部から直ぐに取り出せるので好
都合である。

【００１４】支持体が、基板を載せるテーブルと、この
テーブルの下に設けられた円盤とを備え、隔壁による遮
断は、円盤とチャンバー内面との間で行うと、支持体ま
わりでの下位の処理部と上位の処置部との間の隔壁によ
る遮断を、支持体の基板を支持するテーブルの下の円盤
まわりにてなし、遮断位置が基板から下方に離れた位置
となるので、処理に供している基板が下位の処理部から
影響されるのをより確実に防止できるし、基板を処理材
で処理するのに処理材が前記遮断によって基板まわりに
滞留して基板から離れず、洗浄などの処理の妨げとなる
ようなことを防止することができる。これを満足するの
に、制御手段は、円盤の外周エッジ端と、隔壁の内周エ
ッジ端とがほぼ同一レベルになる特定の関係位置のとき
に、この隔壁の上の処理部での処理を行わせるのが、円
盤、つまり支持体と隔壁とが上位の処理部での処理のた
めの所定の接触ないしは近接状態を得た状態となるので
好適である。円盤と隔壁との上面が、中央側から外周側
に向かって下に傾斜していると、基板を処理した処理材
がこれらの上面まで流下したとき、その傾斜に沿って隔
壁の外周部から流下隙間へと流下するので、基板に対す
る処理材離れをさらによくすることができるし、流下隙
間からの処理材の流下が活発化する分だけ、下位の処理
部から上位の処理部への空気の流下隙間を通じた動きを
より抑えやすくなる。この意味で、円盤の中央頂部がテ
ーブルの中央部下にだけ位置しているのがより好適であ
る。

【００１５】なお、隔壁が、処理部上下に位置する各間
のそれぞれに配置されており、前記出口を通じた吸引手
段を備えているのが、上記の方法での特徴を発揮する上
でさらに好適である。

【００１６】本発明の上記各特徴は、単独で、あるいは
種々な組合せで複合して用いられることができる。本発
明のそれ以上の目的および特徴は、以下の詳細な説明お
よび図面の記載によって明らかになる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
てその実施例とともに図を参照しながら説明し、本発明
の理解に供する。

【００１８】本実施の形態の基板の処理方法は、液晶の
ガラス板や半導体ウエハなどの基板２を３段階の洗浄処
理および１段階の乾燥処理を行う複数の処理を、１つの
チャンバー内で相互の処理の影響なくインライン方式に
て行う場合の一例である。しかし、これに限られること
はなく、１つのチャンバー内で、相互の処理の影響なく
インライン方式で行う、各種な組み合わせの処理一般に
適用することができ、処理の組合せ数も複数あれば有効
であり、２以上の組合せでよい。

【００１９】図１に示す基板２の処理装置を参照しなが
ら説明すると、本実施の形態では１つのチャンバー１内
で、基板２を支持体３上に載せて、チャンバー１内に上
下に複数配した処理部３１〜３４に順次に移動させ、各
移動位置にて基板２を回転させながら各処理部３１〜３
４での処理に供し所定の処理を行う。特にこの際、下位
に他の処理部がある上位の処理部、つまり、処理部３１
に対しては処理部３２、処理部３２に対しては処理部３
３、処理部３３に対しては処理部３４である。

【００２０】これら上位の各処理部３２〜３４それぞれ
での処理に際し、それらの下位となる処理部３１〜３３
のいずれかとの間を、図２に示すように支持体３まわり
で、チャンバー１の内面との間に処理液や乾燥用の空気
などの処理材の下方への流下隙間Ｓを残した環状の隔壁
７ａ〜７ｃによりほぼ遮断して、前記上位の処理部３２
〜３４での処理を行う。

【００２１】この処理において、１つのチャンバー１内
で、支持体３が図１に示すように最下位の処理部３１か
ら最上位の処理部３４へ順次に移動して各処理部３１〜
３４での処理を行うときの処理部が、下位に他の処理部
３１〜３３のいずれかがある上位の処理部３２〜３４の
いずれかであって、ここでの処理のために支持体３が回
転して処理を終えている下位の処理部３１〜３３のいず
れかの空気を乱しても、上記のようにこれら下位の処理
部３１〜３３と上位の処理部３２〜３４との間を、支持
体３まわりでチャンバー１の内面との間に処理材などの
流下隙間Ｓを残した状態でほぼ遮断することと、この遮
断によって作る流下隙間Ｓは狭くてよい上に、上位の各
処理部３２〜３４での処理に供される処理材などが流下
して、下位の各処理部３１〜３３から上位の各処理部３
２〜３４への空気の動きを抑えられることとによって、
前記乱れた空気が下位の各処理部３１〜３３での処理に
よって基板２から除去されてチャンバー１内に残るなど
した異物を汚れたミストとして伴い上位の処理部３２〜
３４に舞い上がるようなことを防止することができる。

【００２２】この結果、１つのチャンバー１内で、下位
の処理部３１〜３３それぞれでの処理から上位の処理部
３２〜３４それぞれでの処理へとインライン方式にて順
次に移りながら、上位の処理部３２〜３４での処理に下
位の処理部３１〜３３からの影響を受けることなく所定
の処理を順次に達成していくことができ、十分な処理効
果が得られる。これによって、チャンバーが処理の数だ
け必要であった従来のものに比し、装置が簡単かつ小型
になり、省スペース化が図れ、処理の種類数が多いほど
有利である。

【００２３】本実施の形態で行う、洗浄処理は、処理液
を処理材として供給して行う湿式処理の一例であり、１
つの実施例として最下位の処理部３１からその上に続く
処理部３２、３３で行う。乾燥処理は処理液を用いない
で湿式処理後の基板２を乾燥させる乾式処理の一例であ
り、１つの実施例として最上位の処理部３４で行う。

【００２４】他の湿式処理および乾式処理の組合せでも
よい。乾燥処理は支持体３により基板２を高速回転させ
て、水切りを行うとともにまわりの空気との接触を図る
ことだけでも達成される。しかし、外気を取り入れた
り、熱風を供給したりすると乾燥速度を上げやすく、基
板２などに支障が生じなれば有効である。

【００２５】このような湿式と乾式の組合せの処理では
特に、基板２の表面の異物の湿式処理による洗浄除去
と、洗浄後の基板２を乾式処理にて乾燥させることによ
る、洗浄後の基板２への異物の付着防止とが図れる。し
かも、本実施の形態の３段階の洗浄のように湿式処理は
複数の種類行うのが好適である。本実施の形態の３段階
の洗浄処理は、処理部３１での、洗浄液ノズル５ａ、５
ｂから基板２の表裏に洗浄液を供給しながら、回転して
いる荒洗浄用ブラシ６を基板２の表裏に当てがって、基
板２の表裏に付着している主として研磨材や研磨粉など
の異物を除去する荒仕上げ洗浄工程、処理部３２での洗
浄液ノズル５ｃ、５ｄにより基板２の表面に洗浄液を供
給して基板２の洗浄を行う中仕上げ洗浄工程、および処
理部３３での超音波洗浄を行う超音波洗浄用ノズル４と
洗浄液ノズル５ｅ、５ｆから基板２の表裏に洗浄液を供
給して微細なパーティクルを除去する最終的な洗浄を行
う仕上げ洗浄工程である。仕上げ洗浄工程はそのまま乾
燥させても基板２の品質を損うことのない、例えば純水
を処理材とするのが好適である。

【００２６】処理部３１では荒洗浄用ブラシ６を基板２
の表裏に働かせるために、支持体３が下降してきたとき
タイミングを合わせて下降してきた基板２の下に進出し
て、さらに下降する支持体３から基板２を受け取って、
支持体３から浮かせて支持し、荒洗浄用ブラシ６を用い
た荒洗浄仕上げに供する進退サポータ３９を設け、この
荒洗浄仕上げの処理後、支持体３が上昇して基板２を受
け取った直ぐ後のタイミングで進退サポータ３９が後退
して、支持体３のそれ以上の上昇を妨げないようにして
ある。

【００２７】上記のように、処理液を処理材として供給
して処理を行う湿式の処理部３１〜３３と、乾燥を行う
乾式の処理部３４を備える場合、この乾式の処理部３４
を最上位に配していると、下位の処理部３１〜３３から
の影響が防止されるとともに、湿式の処理を行った後の
基板２を最終的に乾式の処理部で乾燥させて後直ぐに、
チャンバー１の上部の受け入れ口４１から取り出せるの
で好都合である。

【００２８】前記処理に併せ、適当な吸引源１７により
チャンバー１下部の処理材の出口１ａなどを通じて下方
へ吸引を行うと、チャンバー１内を前記流下隙間Ｓを通
じて上部から下部に通り抜ける空気流ができ、これが上
記したように基板２を乾燥させる処理材として働くの
で、乾式処理の効率を高めるし、チャンバー１内に残る
洗浄によって基板２から除去された異物などを下位の処
理部３１〜３３から上位の処理部３２〜３４に舞い上が
らせないように働くのは勿論、この異物をチャンバー１
内から吸引除去することもでき好適である。

【００２９】本実施の形態では隔壁７ａ〜７ｃは上記し
たように３枚あり、複数組できる下位の処理部３１〜３
３と上位の処理部３２〜３４との各間のそれぞれに予め
設けてあるので、処理が上位の処理部３２〜３４に順次
に移っていっても、隔壁をいちいち必要位置へ移動させ
る必要がないし、この移動によって下位の処理部での空
気を乱すようなことも回避できる。しかし、これに限ら
れることはなく、場合によっては必要位置に移動させて
隔壁の設置数を少なくすることもできる。隔壁の移動は
支持体３と一体にして行うこともできる。この場合、隔
壁は支持体３と一体に上下動するが回転はしないように
することもできる。

【００３０】図１に示す本発明の実施の形態の基板の処
理装置は、上記のような処理方法を自動的に達成するた
め、上記に加えさらに、支持体３は螺子軸１５の上端に
取り付けたホルダ１１の上に固定され、螺子軸１５はナ
ットユニット１６に設けられた回転できるナット１６ａ
に螺合して支持し、モータ１３からプーリ・ベルト伝動
機構１４でナット１６ａに正逆の回転を与えることによ
って、螺子軸１５を２本のガイド１２に沿って昇降させ
られるようにしてあり、ホルダ１１に設けたモータ８に
より支持体３をホルダ１１上で回転駆動するようにして
ある。この回転駆動は一方向でよいが、場合によっては
正逆切換えて回転させることにより基板２の洗浄効果や
乾燥効果を高めるようにもできる。

【００３１】各洗浄液ノズル５ａ〜５ｆのそれぞれは支
持体３の昇降経路外に設けて、所定位置例えば基板２の
中央位置に洗浄液を供給できる向きに設定しており、支
持体３の昇降など他の邪魔にならないので１つの実施例
としてはこれを固定して設けている。荒洗浄用ブラシ６
は支持体３の昇降経路に進出して基板２に働くので、回
転駆動に加え、進退させるモータ１９（便宜上１つのも
ので示す）に連結し、荒洗浄を行うときだけ進出させ回
転させるようにしてある。また、超音波洗浄ノズル４
も、支持体３の昇降経路に進出して働くので、超音波駆
動源および進退させるモータ１８（便宜上１つのもので
示す）に連結し、仕上げ洗浄するときだけ進出して働か
せるようにしてある。また、各洗浄液ノズル５ａ〜５ｆ
への洗浄液供給ラインに、洗浄液の供給、供給停止を行
う電磁動作するバルブＶ１〜Ｖ３が設けられている。供
給、供給停止は供給源の動作、動作停止など他の方法に
よっても行えるがここではバルブで代表して示す。進退
サポータ３９にも進退用のモータ２０が接続されてい
る。

【００３２】また、研磨後の基板２を供給するローダ３
７と洗浄、乾燥処理後の基板２をカセットに収納するア
ンローダ３８との間で基板２を取り扱い、チャンバー１
での処理に供する移載ロボット２１、および、処理部３
１での処理に続き、隔壁７ａ〜７ｃのそれぞれとの所定
の関係位置になったことを条件に、これら隔壁７ａ〜７
ｃの上の処理部３２〜３４での上記処理を行わせる制御
手段としての制御装置３５を備えている。移載ロボット
２１は対象取り扱いツールの一例として吸着ノズル２３
を持ったヘッド２２をＸ方向に移動させるとともに、所
定位置で吸着ノズル２３をＹ方向に昇降させて、必要な
作業を行う。必要な作業はローダ３７からの基板２の受
け取り、受け取った基板２をチャンバー１の上端の隔壁
７ｄが形成する受け入れ口４１上に臨出するように上昇
した支持体３の上に載置して処理に供すること、および
処理後の基板２を受け入れ口４１に臨出するまで持ち上
げた支持体３からピックアップし、これをアンローダ３
８に渡す作業である。しかし、移載ロボット２１はどの
ような動きをするものでもよく、基板２の処理のための
動作ができればよい。場合によっては複数のロボットや
装置が分担して動作するようにもできる。

【００３３】なお、本実施の形態では支持体３がチャン
バー１の上端の受け入れ口４１から臨出した状態で移載
ロボット２１と基板２を受け渡しすることも、下位の処
理部３１〜３４からの影響を受ける処理部であるとして
取り扱い、チャンバー１の上端に受け入れ口４１を形成
している隔壁７ｄと支持体３との間でも接触またはこれ
に近い状態にして、基板２の受け渡し部と下位の処理部
３４とを隔壁７ｄによって遮断した状態とし、移載ロボ
ット２１との基板２の受け渡し中に下位の処理部３１〜
３４からの影響がないようにしている。

【００３４】制御装置３５はマイクロコンピュータや専
用の制御装置など各種のものを用いることができる。制
御装置３５には上記制御のために、スタート信号、吸着
ノズル２３の位置信号、ヘッド２２の位置信号、支持体
３の位置信号、および、手動または危険時の自動的な動
作の停止信号などが入力側に接続されるとともに、外部
や内部の適当な記憶手段３６に記憶されたプログラムが
与えられ、バルブＶ１〜Ｖ３、モータ８のオン、オフ信
号、モータ１３、１８〜２０の正逆オン、オフ信号、移
載ロボット２１の動作信号、および吸引源１７のオン、
オフ信号などが出力側に接続される。

【００３５】これにより、１つのチャンバー１内に上下
に配された複数の処理部３１〜３４、基板２の受け渡し
部での、上位の処理部３２〜３４、基板２の受け渡し部
と下位の処理部３１〜３３、３４とを隔壁７ａ〜７ｄに
より遮断しながらの、上記インライン方式での処理が、
予め設定されたプログラムに基づいた制御装置３５によ
る的確な動作制御のもとに自動的に確実に達成される。

【００３６】支持体３は、基板２を載せるテーブル３ａ
と、このテーブル３ａの下に設けられた円盤３ｂとを備
え、隔壁７ａ〜７ｄによる遮断は、円盤３ｂとチャンバ
ー１の内面との間で行うようにしてある。これにより、
支持体３まわりでの下位の処理部３１〜３３、３４と上
位の処理部３２〜３４、基板２の受け渡し部との間の隔
壁７ａ〜７ｄによる遮断を、図２に示すように支持体３
の基板２を支持するテーブル３ａの下の円盤３ｂまわり
にてなし、遮断位置が基板２から下方に離れた位置とな
るので、処理に供している基板２が下位の処理部３１〜
３３から影響されるのをより確実に防止できるし、基板
２を洗浄液などの処理材で処理するのに処理材が前記遮
断によって基板２まわりに滞留して基板２から離れず、
洗浄などの処理の妨げとなるようなことを防止すること
ができる。これを満足するのに、制御装置３５は、図２
に示すように円盤３ｂの外周エッジ端３ｂ１と、隔壁７
ａ〜７ｄの内周エッジ端７ａ１〜７ｄ１とがレベルにな
ったときに、この隔壁７ａ〜７ｄの上の処理部３２〜３
４、基板２の受け渡し部での処理を行わせる。これによ
り、円盤３ｂ、つまり支持体３と隔壁７ａ〜７ｄとが上
位処理部３２〜３４、基板２の受け渡し部での処理のた
めに、下位の処理部３１〜３３、３４との遮断を行う所
定の接触状態、または、近接状態になっているからであ
る。

【００３７】円盤３ｂと隔壁７ａ〜７ｃとの上面が、図
１に示すように中央側から外周側に向かって下に傾斜し
ていると、基板２を処理した処理材がこれらの上面まで
流下ないしは落下したとき、その傾斜に沿って隔壁７ａ
〜７ｃの外周部から流下隙間Ｓへと流下するので、基板
２に対する処理材離れをさらによくすることができる
し、流下隙間Ｓからの処理材の流下が活発化する分だ
け、下位の処理部３１〜３３から流下隙間Ｓを通じた上
位の処理部３２〜３４への空気の動きをより抑えやすく
なる。この処理材離れと、下位処理部３１〜３３から上
位処理部３２〜３４への空気の進入防止の意味で、図１
に示すように円盤３ｂの中央頂がテーブル３ａの中央部
下にだけ位置するようにするのがより好適である。

【００３８】１つの実施例データを示すと、円盤３ｂ、
つまり支持体３と隔壁７ａ〜７ｄとの間は、０．０ｍｍ
の接触、または、０．１ｍｍから１０．０ｍｍ程度の隙
間のある近接状態とし、流下隙間Ｓは５ｍｍから１０ｍ
ｍ程度の隙間に設定して好適な結果が得られた。

【００３９】なお、円盤３ｂは回転せず、テーブル３ａ
だけが回転駆動される構成にすると、円盤３ｂの回転に
よる処理材の振り切り効果はないものの、円盤３ｂが回
転することによる下位処理部の空気を乱すことがなくな
る点で好適であり、これの本発明の範疇に属する。

【００４０】

【発明の効果】本発明の処理方法によれば、１つのチャ
ンバー内で、下位の処理部での処理から上位の処理部で
の処理へとインライン方式にて順次に移りながら、上位
の処理部での処理に下位の処理部からの影響を受けるこ
となく所定の処理を順次に達成していくことができ、十
分な処理効果が得られる。

【００４１】本発明の基板の処理装置によれば、１つの
チャンバー内に上下に配された複数の処理部による、上
位の処理部と下位の処置部とを隔壁により遮断しながら
の、上記インライン方式での処理が、予め設定されたプ
ログラムに基づいた制御手段による的確な動作制御のも
とに自動的に確実に達成される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る基板の処理方法および
装置を示す断面図。

【図２】図１の装置の上位の処理部と下位の処理部との
間を遮断した状態を示す断面図である。

【図３】従来の各処理に専用のチャンバーを用いる処理
方法およびその装置を示す概略構成図である。

【図４】図３の従来装置を改良するのに考えられる装置
例を示す断面図である。

【符号の説明】

１ チャンバー １ａ 出口 ２ 基板 ３ 支持体 ３ａ テーブル ３ｂ 円盤 ４ 超音波洗浄用ノズル ５ａ〜５ｆ 洗浄液ノズル ６ 荒洗浄用ブラシ ７ａ〜７ｄ 隔壁 ８、１３、１８〜２０ モータ １７ 吸引源 ２１ 移載ロボット ３５ 制御装置 ３７ ローダ ３８ アンローダ ４１ 受け入れ口 Ｖ１〜Ｖ３ バルブ

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 １つのチャンバー内で、基板を支持体上
   に載せて、チャンバー内に上下に複数配した最下位の処
   理部から最上位の処理部に順次に移動させ、各移動位置
   にて基板を回転させながら各処理部での処理に供し所定
   の処理を行う基板の処理方法であって、 下位に他の処理部がある上位の処理部での処理に際し、
   その下位の処理部との間を、支持体まわりで、チャンバ
   ー内面との間に処理材などの下方への流下隙間を残した
   環状の隔壁によりほぼ遮断して、前記上位の処理部での
   処理を行うことを特徴とする基板の処理方法。
2. 【請求項２】 処理は、処理液を処理材として供給して
   行う湿式処理と、湿式処理後の基板を乾燥させる乾式処
   理である請求項１に記載の基板の処理方法。
3. 【請求項３】 湿式処理は複数の種類行う請求項１、２
   のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
4. 【請求項４】 処理に併せ、チャンバー下部への吸引を
   行う請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板の処理方
   法。
5. 【請求項５】 隔壁は、複数組できる下位の処理部と上
   位の処理部との各間のそれぞれに予め設けておく請求項
   １〜４のいずれか一項に記載の基板の処理方法。
6. 【請求項６】 処理対象の基板を上部から出し入れする
   １つのチャンバーと、このチャンバー内に上下に配され
   て、処理材を供給して処理を行う処理部を含む複数の処
   理部と、チャンバー内に受け入れた基板を載せて上下動
   し基板を各処理部に順次に移動させて、各移動位置にて
   基板を回転させながら各処理部での処理に供する支持体
   と、下位の処理部と上位の処理部との間で、上位の処理
   部での処理位置に移動してきた支持体の外まわりに接触
   ないしはこれに近い近接状態となるとともに、チャンバ
   ーの内面との間に処理材などの流下隙間を残すように配
   された環状の隔壁と、チャンバーの下部に設けられた処
   理材の出口と、支持体を最下位の処理部から最上位への
   処理部へ移動させながら各処理部での処理を行うのに、
   支持体が隔壁との所定の関係位置になったことを条件
   に、この隔壁の上の処理部での処理を行わせる制御手段
   とを備えたことを特徴とする基板の処理装置。
7. 【請求項７】 処理液を処理材として供給して処理を行
   う湿式の処理部と、乾燥を行う乾式の処理部を備え、乾
   式の処理部は最上位に配されている請求項６に記載の基
   板の処理装置。
8. 【請求項８】 支持体は、基板を載せるテーブルと、こ
   のテーブルの下に設けられた円盤とを備え、隔壁による
   遮断は円盤とチャンバー内面との間で行う請求項６、７
   のいずれか一項に記載の基板の処理装置。
9. 【請求項９】 制御手段は、円盤の外周エッジ端と、隔
   壁の内周エッジ端とがほぼ同一レベルになったときに、
   この隔壁の上の処理部での処理を行わせる請求項８に記
   載の基板の処理装置。
10. 【請求項１０】 円盤と隔壁との上面は、中央側から外
    周側に向かって下に傾斜している請求項９に記載の基板
    の処理装置。
11. 【請求項１１】 円盤の中央頂部がテーブルの中央部下
    にだけ位置している請求項１０に記載の基板の処理装
    置。
12. 【請求項１２】 隔壁は、処理部上下に位置する各間の
    それぞれに入配置されている請求項６〜１１のいずれか
    一項に記載の基板の処理装置。
13. 【請求項１３】 前記出口を通じた吸引手段を備えてい
    る請求項６〜１２のいずれか一項に記載の基板の処理装
    置。