JPH11284402A - 積層型誘電体フィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】同一の通過帯域特性の積層型誘電体フィルタに
おいて、共振素子間の誘導結合を変化させることなく、
減衰ピークの位置を調整できるようにして、目的の特性
を簡単に得るようにする。 【解決手段】外周面に入力端子、出力端子及びアース電
極が形成された積層体１２と、該積層体１２内に設けら
れた２本の共振素子１４ａ及び１４ｂと、入力側の共振
素子１４ａと出力側の共振素子１４ｂとの間に設けら
れ、これら共振素子１４ａ及び１４ｂに対して容量結合
された結合調整電極７０と、入力端子と結合調整電極７
０間に容量を形成するための入力側調整電極６６と、出
力端子と結合調整電極７０間に容量を形成するための出
力側調整電極６８とを設けて構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層型誘電体フィ
ルタに関し、特に、携帯用電話機等の高周波回路無線機
器に利用する高周波回路フィルタや、アンテナデュプレ
クサ等に使用される積層型誘電体フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、積層型誘電体フィルタの構成と
しては、外周面に入力端子、出力端子及びアース電極が
形成された誘電体層内に一端部がアース電極に接続され
る１／４波長型ストリップライン共振器からなる複数の
共振素子が所定間隔で形成された積層型誘電体フィルタ
が知られている（例えば特開平６−１２０７０３号公
報、特開平６−１２０７０４号公報参照）。

【０００３】これらの積層型誘電体フィルタにおいて
は、前記誘電体層内において前記共振素子の開放端側と
対向する内層アース電極を設けるようにしているため、
積層型誘電体フィルタ全体の長さを短くすることができ
る。

【０００４】特に、誘電体層内に、前記複数の共振素子
に対して容量結合された結合調整電極を設けるようにし
た場合においては、積層型誘電体フィルタを小型化して
もフィルタの特性が広帯域化しすぎることがない積層型
誘電体フィルタを得ることができる。また、共振素子と
結合調整電極間の静電容量値を調整することによって、
高周波側に減衰ピークをもったフィルタや低周波側に減
衰ピークをもったフィルタを選択的に得ることができ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の積層
型誘電体フィルタにおいては、同一の通過帯域特性の場
合、共振素子間の誘導結合を変化させることにより、減
衰ピークの位置を調整していた。

【０００６】共振素子間の誘電結合を調整するために
は、共振素子間の距離を変化させることが効果的であ
り、よく用いられる手法である。この手法で共振素子間
の誘導結合を変化させた場合、それに見合うように結合
容量を調整する必要がある。

【０００７】しかし、誘導結合が変化したために必要な
結合容量をとることができなくなったり、逆に結合調整
電極を、その製造精度を超えるほど小さくしなければな
らない場合が少なくない。

【０００８】本発明は、このような課題を考慮してなさ
れたものであり、同一の通過帯域特性の積層型誘電体フ
ィルタにおいて、共振素子間の距離を変化させることな
く、換言すれば、共振素子間の誘導結合を変化させるこ
となく、減衰ピークの位置を調整することができ、目的
の特性を簡単に得ることができる積層型誘電体フィルタ
を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明に係る積層型誘電
体フィルタは、外周面に入力端子、出力端子及びアース
電極が形成された誘電体層と、前記誘電体層内に設けら
れた複数の片側短絡型の共振素子と、前記誘電体層内で
あって、前記複数の共振素子のうち、入力側の共振素子
と別の共振素子との間に設けられ、これら共振素子に対
して容量結合された結合調整電極と、前記入力端子に接
続され、少なくとも該入力端子と前記結合調整電極間に
容量を形成するための調整電極とを設けて構成する。

【００１０】これにより、前記結合調整電極と入力側の
共振素子との間、並びに前記結合調整電極と別の共振素
子との間にそれぞれ容量が形成される。等価回路的に
は、これら容量の合成容量が前記入力側の共振素子と前
記別の共振素子との間に形成される誘導結合と並列に接
続されたかたちになるため、前記容量によって前記誘導
結合度を調整することができ、所望の帯域幅を有するフ
ィルタを得ることができる。

【００１１】前記容量の調整は、入力側の共振素子と結
合調整電極との重なり面積及びこれらの間の距離及び／
又はこれらの間の誘電体の比誘電率εｒ、並びに前記出
力側の共振素子と結合調整電極との重なり面積、これら
の間の距離及び／又はこれらの間の誘電体の比誘電率ε
ｒを変化させることによって容易に行うことができる。

【００１２】また、前記結合調整容量による合成容量が
共振素子間の誘導結合と並列に接続されたかたちになる
ことから、隣接する共振素子間には並列共振回路が挿入
接続されたことになる。この容量とインダクタンスとか
らなる並列共振回路のインピーダンスは並列共振点の前
後で誘導性から容量性へと変化するため、隣接する共振
素子と結合調整容量間にそれぞれ形成される容量の値を
調整することにより、共振素子間の結合を誘導性にも容
量性にもすることができる。

【００１３】いま、共振素子間の結合を誘導性にした場
合を考えると、通過帯域の高周波側に並列共振点が存在
するから、高周波側に減衰ピークをもったフィルタが得
られ、また、共振素子間の結合を容量性にすると、通過
帯域の低周波側に並列共振点が存在することになり、低
周波側に減衰ピークをもったフィルタが得られ、いずれ
の場合もフィルタの減衰特性を改善することができる。

【００１４】そして、本発明においては、前記結合調整
電極に加えて、少なくとも前記入力端子と前記結合調整
電極間に容量を形成するための調整電極を設けるように
している。これにより、前記調整電極と結合調整電極と
の間に容量が形成され、等価回路的には、入力端子と結
合調整電極間に容量が形成されたかたちとなる。この容
量は、入力側の共振素子を飛び越して、入力側の共振素
子の前段と後段とを結合する飛び越し容量となるため、
この飛び越し容量を調整することによって前記減衰ピー
クの位置を更に細かに調整することができ、目的の周波
数特性を有するフィルタを容易に得ることができる。

【００１５】即ち、同一の通過帯域特性の積層型誘電体
フィルタにおいて、共振素子間の距離を変化させること
なく、換言すれば、共振素子間の誘導結合を変化させる
ことなく、減衰ピークの位置を調整することができる。
この場合、共振素子間の誘導結合が変化しないため、結
合調整電極をほとんど変化させることなく、減衰ピーク
の位置を調整することができる。これは、所望の周波数
特性を有するフィルタを容易に作製することができるこ
とにつながり、積層型誘電体フィルタの製造工程の簡単
化、製造コストの低廉化を同時に実現させることができ
る。

【００１６】そして、前記構成において、前記入力端子
に接続され、前記入力側の共振素子と容量結合される入
力用電極を前記誘電体層内に設けるようにしてもよい。
この場合、入力側の共振素子と入力用電極との距離を小
さくすることで、これらの間に形成される静電容量の容
量値を大きくすることができ、信号波形に現れるリップ
ルを小さくすることができる。

【００１７】また、前記構成において、前記誘電体層内
であって、前記複数の共振素子のうち、出力側の共振素
子と別の共振素子との間に設けられ、これら共振素子に
対して容量結合された結合調整電極と、前記出力端子に
接続され、少なくとも前記出力用電極と前記結合調整電
極間に容量を形成するための電極とを設けるようにして
もよい。

【００１８】この場合、上述の入力端子と結合調整電極
との間に調整電極を設けた本発明と同様に、前記調整電
極と結合調整電極との間に容量が形成され、等価回路的
には、出力端子と結合調整電極間に容量が形成されたか
たちとなる。この容量は、出力側の共振素子を飛び越し
て、出力側の共振素子の前段と後段とを結合する飛び越
し容量となるため、この飛び越し容量を調整することに
よって前記減衰ピークの位置を更に細かに調整すること
ができ、目的の周波数特性を有するフィルタを容易に得
ることができる。

【００１９】また、前記構成において、前記出力端子に
接続され、前記出力側の共振素子と容量結合される出力
用電極を前記誘電体層内に設けるようにしてもよい。こ
の場合、出力側の共振素子と出力用電極との距離を小さ
くすることで、これらの間に形成される静電容量の容量
値を大きくすることができ、信号波形に現れるリップル
を小さくすることができる。

【００２０】また、前記構成において、前記アース電極
と接続され、前記共振素子の開放端側と対向する内層ア
ース電極を前記誘電体層内に設けるようにしてもよい。
この場合、各共振素子の開放端側と内層アース電極との
間に形成される静電容量も共振素子を等価変換したとき
の並列共振回路の静電容量に付加されることになるた
め、共振周波数を同一とすれば、並列共振回路のインダ
クタンスは小さくて済むことになり、その結果、共振素
子の長さもより小さくなり、積層型誘電体フィルタ全体
の長さを短くすることができる。

【００２１】この場合に、積層型誘電体フィルタを小型
化するために、内層アース電極と各共振素子との対向面
積を増加させていくと、共振素子同士がますます強く誘
導結合して、フィルタの特性を広帯域化させすぎるとい
う問題が生じるが、本発明においては、上述した結合調
整電極を設けるようにしているため、この結合調整電極
と共振素子間に形成される容量によって、共振素子間に
形成される誘導結合を抑制することができ、所望の帯域
幅を有するフィルタを得ることができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る積層型誘電体
フィルタを例えばバンドパスフィルタに適用したいくつ
かの実施の形態例を図１〜図４７を参照しながら説明す
る。

【００２３】まず、第１の実施の形態に係るフィルタ１
０Ａは、図１に示すように、複数枚の板状の誘電体層が
積層、焼成されて構成された積層体１２内に、１／４波
長型ストリップライン共振器を構成する２本の共振素子
１４ａ及び１４ｂが形成された構成を有する。

【００２４】具体的には、前記積層体１２は、図１に示
すように、上から順に、第１の誘電体層１６と、第２の
誘電体層１８が複数枚重ねられて構成された誘電体層群
２０と、第３〜第８の誘電体層２２〜３２と、第９の誘
電体層３４が複数枚重ねられて構成された誘電体層群３
６と、第１０の誘電体層３８とが積み重ねられて構成さ
れている。

【００２５】また、図２に示すように、前記積層体１２
の外周面のうち、例えばその左側面に入力端子部４０が
配され、右側面に出力端子部４２が配され、これら入力
端子部４０及び出力端子部４２を除く全面にアース電極
４４が形成されている。

【００２６】入力端子部４０は、積層体１２の左側面の
中央部分において、積層体１２の高さ方向に沿って形成
された短冊状の入力端子４６と、該入力端子４６とアー
ス電極４４とを絶縁するための領域（電極膜が形成され
ていない領域であり、以下、単に入力側絶縁領域４８と
記す）とで構成され、出力端子部４２は、積層体１２の
右側面の中央部分において、積層体１２の高さ方向に沿
って形成された短冊状の出力端子５０と、該出力端子５
０とアース電極４４とを絶縁するための領域（この領域
も導電膜が形成されていない領域であり、以下、単に出
力側絶縁領域５２と記す）とで構成されている。

【００２７】図２の例では、前記入力側絶縁領域４８と
出力側絶縁領域５２を、積層体１２の上面の一部並びに
下面の一部にも配した場合を示している。

【００２８】そして、この第１の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ａにおいては、第６の誘電体層２８の上面に２
枚の短冊状の共振素子１４ａ及び１４ｂがそれぞれ長手
方向を一方向に揃えられて形成されている。これら共振
素子１４ａ及び１４ｂは、一方が入力側の共振素子１４
ａ、他方が出力側の共振素子１４ｂとされ、更に、各一
端部がアース電極４４（第６の誘電体層２８の側面に形
成されたアース電極４４）に接続されて、各他端部が開
放端とされている。

【００２９】前記第６の誘電体層２８の下層に位置する
第７の誘電体層３０の一主面には、一端が入力端子４６
（図２参照）に接続され、かつ、前記入力側の共振素子
１４ａと容量結合される入力用電極６０と、一端が出力
端子５０（図２参照）に接続され、かつ、前記出力側の
共振素子１４ｂと容量結合される出力用電極６２とが形
成されている。

【００３０】入力用電極６０は、入力側の共振素子１４
ａと平面的に重なる短冊状の入力用電極本体６０ａと、
該入力用電極本体６０ａと入力端子４６とを電気的に接
続するための引き回し電極６０ｂとが一体に形成されて
構成されている。出力用電極６２も同様の構成を有し、
出力側の共振素子１４ｂと平面的に重なる短冊状の出力
用電極本体６２ａと、該出力用電極本体６２ａと出力端
子５０とを電気的に接続するための引き回し電極６２ｂ
とが一体に形成されて構成されている。

【００３１】前記第７の誘電体層３０の下層に位置する
第８の誘電体層３２の一主面には、一端がアース電極４
４と接続され、かつ、前記入力側の共振素子１４ａの開
放端側と対向する第１の内層アース電極６４ａが形成さ
れ、一端がアース電極４４と接続され、かつ、前記出力
側の共振素子１４ｂの開放端側と対向する第２の内層ア
ース電極６４ｂが形成されている。

【００３２】前記２本の共振素子１４ａ及び１４ｂが形
成された前記第６の誘電体層２８の上層に位置する第５
の誘電体層２６の一主面には、この第１の実施の形態に
係るフィルタ１０Ａの特徴の一つである入力側調整電極
６６と出力側調整電極６８が形成されている。

【００３３】この例では、図３に示すように、入力側調
整電極６６は、一端が入力端子４６に接続され、先端が
入力側の共振素子１４ａの幅方向中央部分に対応する位
置まで延在されて形成され、出力側調整電極６８は、一
端が出力端子５０に接続され、先端が出力側の共振素子
１４ｂの幅方向中央部分に対応する位置まで延在させて
形成されている。

【００３４】前記第５の誘電体層２６の上層に位置する
第４の誘電体層２４の一主面には、結合調整電極７０が
形成されている。この結合調整電極７０は、アース電極
４４、入力端子４６及び出力端子５０に対して電位的に
フローティング状態とされ、入力側の共振素子１４ａに
対応する短冊状の第１の電極本体７０ａと出力側の共振
素子１４ｂに対応する短冊状の第２の電極本体７０ｂと
が、その間に形成されたリード電極７０ｃによって電気
的に接続された形状を有する。

【００３５】前記第４の誘電体層２４の上層に位置する
第３の誘電体層２２の一主面には、一端がアース電極４
４と接続され、かつ、前記入力側の共振素子１４ａの開
放端側と対向する第１の内層アース電極７２ａが形成さ
れ、一端がアース電極４４と接続され、かつ、前記出力
側の共振素子１４ｂの開放端側と対向する第２の内層ア
ース電極７２ｂが形成されている。

【００３６】第１の実施の形態に係るフィルタ１０Ａ
は、基本的には以上のように構成されるものであるが、
ここで、各電極の電気的な結合について図４〜図６を参
照しながら説明する。

【００３７】まず、図４に示すように、入力側の共振素
子１４ａの開放端と各第１の内層アース電極６４ａ及び
７２ａとの間、並びに出力側の共振素子１４ｂの開放端
と各第２の内層アース電極６４ｂ及び７２ｂとの間には
それぞれ静電容量Ｃ₁ 、Ｃ₂、Ｃ₃ 及びＣ₄ が形成され
ている。

【００３８】前記入力側の共振素子１４ａと出力側の共
振素子１４ｂ同士は互いに誘導結合され、これにより、
等価回路上では、インダクタンスＬ（図１５参照）が挿
入されたかたちとなる。

【００３９】また、図５に示すように、前記入力側の共
振素子１４ａと入力側調整電極６６との間、並びに前記
出力側の共振素子１４ｂと出力側調整電極６８との間に
はそれぞれ静電容量Ｃ₅ 及びＣ₆ が形成されている。

【００４０】前記入力側の共振素子１４ａと入力用電極
６０との間、並びに出力側の共振素子１４ｂと出力用電
極６２との間にはそれぞれ静電容量Ｃ₇ 及びＣ₈ が形成
され、前記入力側の共振素子１４ａと結合調整電極７０
との間、並びに出力側の共振素子１４ｂと結合調整電極
７０との間にはそれぞれ静電容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀が形成さ
れている。

【００４１】更に、前記入力側調整電極６６と結合調整
電極７０との間、並びに前記出力側調整電極６８と結合
調整電極７０との間にはそれぞれ静電容量Ｃ₁₁及びＣ₁₂
が形成されている。

【００４２】従って、第１の実施の形態に係るフィルタ
１０Ａの等価回路は、図６に示すようになり、バンドパ
スフィルタを構成することとなる。

【００４３】なお、図６において、静電容量Ｃ₃₀₀ は、
入力側の共振素子１４ａと入力用電極６０間の静電容量
Ｃ₇ と、入力側の共振素子１４ａと入力側調整電極６６
間の静電容量Ｃ₅ との合成容量を示し、静電容量Ｃ₃₀₁
は、出力側の共振素子１４ｂと出力用電極６２間の静電
容量Ｃ₈ と、出力側の共振素子１４ｂと出力側調整電極
６８間の静電容量Ｃ₆ との合成容量を示す。

【００４４】また、静電容量Ｃ₁₃及びインダクタンスＬ
₁ は入力側の共振素子１４ａを等価変換したときの静電
容量及びインダクタンスであり、静電容量Ｃ₁₄及びイン
ダクタンスＬ₂ は出力側の共振素子１４ｂを等価変換し
たときの静電容量及びインダクタンスである。

【００４５】このように、第１の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ａにおいては、第４の誘電体層２４の一主面に
結合調整電極７０を形成するようにしたので、該結合調
整電極７０と入力側の共振素子１４ａとの間、並びに前
記結合調整電極７０と出力側の共振素子１４ｂとの間に
それぞれ静電容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀が形成される。

【００４６】等価回路的には、図６に示すように、これ
ら容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀の合成容量が前記入力側の共振素子
１４ａと出力側の共振素子１４ｂとの間に形成されるイ
ンダクタンスＬと並列に接続されたかたちになるため、
前記容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀によって前記誘導結合度を調整す
ることができ、所望の帯域幅を有するフィルタを得るこ
とができる。

【００４７】前記容量Ｃ₉ の調整は、入力側の共振素子
１４ａと結合調整電極７０との重なり面積、これらの間
の距離及び／又はこれらの間の誘電体の比誘電率εｒを
変化させることによって容易に行うことができ、前記容
量Ｃ₁₀の調整は、前記出力側の共振素子１４ｂと結合調
整電極７０との重なり面積、これらの間の距離及び／又
はこれらの間の誘電体の比誘電率εｒを変化させること
によって容易に行うことができる。

【００４８】また、前記結合調整電極７０による合成容
量が２本の共振素子１４ａ及び１４ｂ間のインダクタン
スＬと並列に接続されたかたちになることから、隣接す
る各共振素子１４ａ及び１４ｂ間には並列共振回路８０
が挿入接続されたことになる。この合成容量Ｃ₉ 及びＣ
₁₀とインダクタンスＬとからなる並列共振回路８０のイ
ンピーダンスは並列共振点の前後で誘導性から容量性へ
と変化するため、隣接する各共振素子１４ａ及び１４ｂ
と結合調整電極７０間にそれぞれ形成される容量Ｃ₉ 及
びＣ₁₀の値を調整することにより、各共振素子１４ａ及
び１４ｂ間の結合を誘導性にも容量性にもすることがで
きる。

【００４９】いま、各共振素子１４ａ及び１４ｂ間の結
合を誘導性にした場合を考えると、通過帯域の高周波側
に並列共振点が存在するから、高周波側に減衰ピークを
もったフィルタが得られ、また、各共振素子１４ａ及び
１４ｂ間の結合を容量性にすると、通過帯域の低周波側
に並列共振点が存在することになり、低周波側に減衰ピ
ークをもったフィルタが得られ、いずれの場合もフィル
タの減衰特性を改善することができる。

【００５０】そして、この第１の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ａにおいては、前記結合調整電極７０に加え
て、第５の誘電体層２６の一主面に入力側調整電極６６
と出力側調整電極６８を設けるようにしている。

【００５１】これにより、前記入力側調整電極６６と結
合調整電極７０との間、並びに出力側調整電極６８と結
合調整電極７０との間にそれぞれ容量Ｃ₁₁及びＣ₁₂が形
成され、等価回路的には、入力端子４６と結合調整電極
７０との間、並びに出力端子５０と結合調整電極７０と
の間にそれぞれ容量Ｃ₁₁及びＣ₁₂が形成されたかたちと
なる。

【００５２】容量Ｃ₁₁は、入力側の共振素子１４ａを飛
び越して、入力側の共振素子１４ａの前段と後段とを結
合する飛び越し容量Ｃ₁₁となり、容量Ｃ₁₂は、出力側の
共振素子１４ｂを飛び越して、出力側の共振素子１４ｂ
の前段と後段とを結合する飛び越し容量Ｃ₁₂となるた
め、これらの飛び越し容量Ｃ₁₁及びＣ₁₂を調整すること
によって減衰ピークの位置を更に細かに調整することが
でき、目的の周波数特性を有するフィルタ１０Ａを容易
に得ることができる。

【００５３】即ち、同一の通過帯域特性の積層型誘電体
フィルタにおいて、共振素子１４ａ及び１４ｂ間の距離
を変化させることなく、換言すれば、各共振素子１４ａ
及び１４ｂ間のインダクタンスＬを変化させることな
く、減衰ピークの位置を調整することができる。

【００５４】この場合、共振素子１４ａ及び１４ｂ間の
インダクタンスＬが変化しないため、結合調整電極７０
の面積等をほとんど変化させることなく、減衰ピークの
位置を調整することができる。これは、所望の周波数特
性を有するフィルタ１０Ａを容易に作製することができ
ることにつながり、積層型誘電体フィルタの製造工程の
簡単化、製造コストの低廉化を同時に実現させることが
できる。

【００５５】ここで、１つの実験例を示す。この実験例
は、比較例、第１の実施例及び第２の実施例において、
それぞれ結合調整電極７０を調整して共振素子１４ａ及
び１４ｂ間の結合を誘導性にしたときの各周波数特性、
特に減衰ピークの推移をみたものである。比較例の特性
を図７に示し、第１の実施例の特性を図８に示し、第２
の実施例の特性を図９に示す。

【００５６】比較例は、第１の実施の形態に係るフィル
タ１０Ａにおいて、第５の誘電体層２６の一主面に入力
側調整電極６６及び出力側調整電極６８を形成しない構
成のものであり、第１の実施例は、第１の実施の形態に
係るフィルタ１０Ａにおいて、第５の誘電体層２６の一
主面に幅の広い入力側調整電極６６及び出力側調整電極
６８を形成して各飛び越し容量Ｃ₁₁及びＣ₁₂を大きくし
たものであり、第２の実施例は、第１の実施の形態に係
るフィルタ１０Ａにおいて、幅の狭い入力側調整電極６
６及び出力側調整電極６８を形成して各飛び越し容量Ｃ
₁₁及びＣ₁₂を小さくしたものである。

【００５７】比較例、第１の実施例及び第２の実施例は
共に、通過帯域の中心周波数が約１８５０ＭＨｚのバン
ドパスの周波数特性を有するが、比較例は約２９６０Ｍ
Ｈｚに減衰ピークを有し、第１の実施例は約２１００Ｍ
Ｈｚに減衰ピークを有し、第２の実施例は約２２００Ｍ
Ｈｚに減衰ピークを有する。即ち、入力側調整電極６６
と結合調整電極７０間の容量Ｃ₁₁及び／又は出力側調整
電極６８と結合調整電極７０間の容量Ｃ₁₂を調整するこ
とにより、減衰ピークの位置を自由に変更できることが
わかる。

【００５８】容量Ｃ₁₁の調整は、入力側調整電極６６と
結合調整電極７０との重なり面積やこれらの間の距離を
変化させることによって容易に行うことができ、容量Ｃ
₁₂の調整は、出力側調整電極６８と結合調整電極７０と
の重なり面積やこれらの間の距離を変化させることによ
って容易に行うことができる。

【００５９】特に、この第１の実施の形態では、入力側
調整電極６６と出力側調整電極６８を他の電極と独立に
形成するようにしているため、各容量Ｃ₁₁及びＣ₁₂の調
整のための自由度（各調整電極６６及び６８の設計の自
由度）が大きくなり、減衰ピークの調整を容易に行うこ
とが可能となる。これは、目的の周波数特性を有するフ
ィルタを簡単に得ることができることにつながる。

【００６０】また、第１の実施の形態に係るフィルタ１
０Ａにおいては、第７の誘電体層３０の一主面に入力用
電極６０と出力用電極６２を形成するようにしたので、
入力側の共振素子１４ａと入力用電極６０との距離及び
／又は出力側の共振素子１４ｂと出力用電極６２との距
離を小さくすることで、これらの間に形成される静電容
量Ｃ₇ 及びＣ₈ の容量値を大きくすることができ、信号
波形に現れるリップルを小さくすることができる。

【００６１】また、この第１の実施の形態に係るフィル
タ１０Ａにおいては、第８の誘電体層３２の一主面に第
１及び第２の内層アース電極６４ａ及び６４ｂを形成
し、第３の誘電体層２２の一主面に第１及び第２の内層
アース電極７２ａ及び７２ｂを形成するようにしたの
で、各共振素子１４ａ及び１４ｂの開放端側と第１及び
第２の内層アース電極６４ａ及び６４ｂ並びに７２ａ及
び７２ｂとの間に形成される静電容量Ｃ₂ 及びＣ₄ 並び
にＣ₁ 及びＣ₃ も各共振素子１４ａ及び１４ｂを等価変
換したときの並列共振回路の静電容量Ｃ₁₃及びＣ₁₄に付
加されることになるため、共振周波数を同一とすれば、
並列共振回路のインダクタンスは小さくて済むことにな
り、その結果、共振素子１４ａ及び１４ｂの長さもより
小さくなり、第１の実施の形態に係るフィルタ１０Ａ全
体の長さを短くすることができる。

【００６２】この場合に、第１の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ａを小型化するために、第１及び第２の内層ア
ース電極６４ａ及び６４ｂ並びに７２ａ及び７２ｂと各
共振素子１４ａ及び１４ｂとの対向面積を増加させて共
振素子長を短縮していくと、共振素子１４ａ及び１４ｂ
同士がますます強く誘導結合して、フィルタ１０Ａの特
性を広帯域化させすぎるという問題が生じるが、この第
１の実施の形態においては、第４の誘電体層２４の一主
面に結合調整電極７０を設けるようにしているため、こ
の結合調整電極７０と共振素子１４ａ及び１４ｂ間に形
成される静電容量Ｃ₉ 及びＣ₁₀によって、共振素子１４
ａ及び１４ｂ間に形成されるインダクタンスＬを抑制す
ることができ、所望の帯域幅を有するフィルタ１０Ａを
得ることができる。

【００６３】なお、上記の例では、入力側調整電極６６
及び出力側調整電極６８の形状を短冊状としたが、その
他、ハンマー形状など種々の形状が考えられる。

【００６４】次に、第２の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｂについて図１０及び図１１を参照しながら説明す
る。なお、図１及び図５と対応するものについては同符
号を記してその重複説明を省略する。

【００６５】この第２の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｂは、図１０に示すように、前記第１の実施の形態に係
るフィルタ１０Ａ（図１参照）とほぼ同様の構成を有す
るが、２本の共振素子１４ａ及び１４ｂが形成された第
６の誘電体層２８の上層である第５の誘電体層２６の一
主面に結合調整電極７０が形成され、該第５の誘電体層
２６の上層の第４の誘電体層２４の一主面に入力側調整
電極６６と出力側調整電極６８が形成されている点で異
なる。

【００６６】この第２の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｂにおいて、入力側調整電極６６及び出力側調整電極６
８の形成面に対して直交する方向に切断した場合の断面
構成を図１１に示す。なお、内層アース電極６４ａ、６
４ｂ、７２ａ及び７２ｂの形成面に対して直交する方向
に切断した場合の断面構成は図４とほぼ同じ構成とな
り、等価回路も図６とほぼ同じになる。

【００６７】この第２の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｂにおいても、図１に示す第１の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ａと同様に、入力側調整電極６６と結合調整電
極７０との間、並びに出力側調整電極６８と結合調整電
極７０との間にそれぞれ静電容量Ｃ₁₁及びＣ₁₂が形成さ
れ、等価回路的には、図６に示すように、入力側の共振
素子１４ａの前段と後段とを結合する飛び越し容量Ｃ₁₁
と、出力側の共振素子１４ｂの前段と後段とを結合する
飛び越し容量Ｃ₁₂が形成されたかたちとなる。そのた
め、これらの飛び越し容量Ｃ₁₁及びＣ₁₂を調整すること
によって、各共振素子１４ａ及び１４ｂ間のインダクタ
ンスＬを変化させることなく、減衰ピークの位置を更に
細かく調整することができ、目的の周波数特性を有する
フィルタを容易に得ることができる。

【００６８】次に、第３の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｃについて図１２〜図１５を参照しながら説明する。
なお、図１０と対応するものについては同符号を記して
その重複説明を省略する。

【００６９】この第３の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｃは、図１２に示すように、第２の実施の形態に係るフ
ィルタ１０Ｂ（図１０参照）とほぼ同様の構成を有する
が、一主面に入力用電極６０及び出力用電極６２が形成
された第７の誘電体層３０と、一主面に第１及び第２の
内層アース電極６４ａ及び６４ｂが形成された第８の誘
電体層３２との間に、例えば第１１の誘電体層８２が挿
入され、該第１１の誘電体層８２の一主面に上述の２本
の共振素子１４ａ及び１４ｂ（第６の誘電体層２８に形
成された２本の共振素子）とは別に２本の共振素子８４
ａ及び８４ｂが形成されている点で異なる。

【００７０】即ち、この第３の実施の形態に係るフィル
タ１０Ｃは、上下一対の共振素子（１４ａ、８４ａ）及
び（１４ｂ、８４ｂ）が２組並設されて１／４波長型ス
トリップライン共振器が構成されている。

【００７１】従って、図１３に示すように、下方に位置
する入力側の共振素子８４ａの開放端と第１の内層アー
ス電極６４ａとの間、並びに下方に位置する出力側の共
振素子８４ｂの開放端と第２の内層アース電極６４ｂと
の間にそれぞれ静電容量Ｃ₁₇及びＣ₁₈が形成されたかた
ちとなり、また、図１４に示すように、前記入力側の共
振素子８４ａと入力用電極６０との間、並びに前記出力
側の共振素子８４ｂと出力用電極６２との間にそれぞれ
静電容量Ｃ₁₉及びＣ₂₀が形成されたかたちとなる。

【００７２】また、前記入力側の共振素子８４ａと出力
側の共振素子８４ｂ同士は互いに誘導結合され、これに
より、等価回路上では、インダクタンスＬ₃ （図１５参
照）が挿入されたかたちとなる。

【００７３】この第３の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｃにおいては、すべての入力側の共振素子１４ａ及び８
４ａは１組の入力側の共振器３００ａ（図１５参照）と
して考えることができ、すべての出力側の共振素子１４
ｂ及び８４ｂも１組の出力側の共振器３００ｂとして考
えることができる。

【００７４】従って、第３の実施の形態に係るフィルタ
１０Ｃの等価回路は、図１５に示すようになり、バンド
パスフィルタを構成することとなる。

【００７５】なお、図１５において、静電容量Ｃ
₃₁₀ は、入力側の共振素子１４ａ及び８４ａと入力用電
極６０間の静電容量Ｃ₇ 及びＣ₁₉（図１４参照）の合成
容量を示し、静電容量Ｃ₃₁₁ は、出力側の共振素子１４
ｂ及び８４ｂと出力用電極６２間の静電容量Ｃ₈ 及びＣ
₂₀の合成容量を示す。

【００７６】インダクタンスＬ₁₀₀ は、入力側の共振素
子１４ａ及び８４ａと出力側の共振素子１４ｂ及び８４
ｂ間のインダクタンスＬ及びＬ₃ （図１４参照）の合成
インダクタンスを示す。

【００７７】また、静電容量Ｃ₃₁₂ は、入力側の共振素
子１４ａ及び８４ａと各第１の内層アース電極７２ａ及
び６４ａ間の静電容量Ｃ₁ 及びＣ₁₇（図１３参照）の合
成容量を示し、静電容量Ｃ₃₁₃ は、出力側の共振素子１
４ｂ及び８４ｂと各第２の内層アース電極７２ｂ及び６
４ｂ間の静電容量Ｃ₃ 及びＣ₁₈の合成容量を示す。

【００７８】また、静電容量Ｃ₃₁₄ 及びインダクタンス
Ｌ₁₀₁ は１組の入力側の共振器３００ａを等価変換した
ときの静電容量及びインダクタンスであり、静電容量Ｃ
₃₁₅及びインダクタンスＬ₁₀₂ は１組の出力側の共振器
３００ｂを等価変換したときの静電容量及びインダクタ
ンスである。

【００７９】この第３の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｃにおいても、前記第１の実施の形態に係るフィルタ１
０Ａと同様に、入力側調整電極６６と結合調整電極７０
との間、並びに出力側調整電極６８と結合調整電極７０
との間にそれぞれ静電容量Ｃ ₁₁及びＣ₁₂が形成され、等
価回路的には、図１５に示すように、入力側の共振素子
１４ａの前段と後段とを結合する飛び越し容量Ｃ₁₁と、
出力側の共振素子１４ｂの前段と後段とを結合する飛び
越し容量Ｃ₁₂が形成されたかたちとなるため、これらの
飛び越し容量Ｃ₁₁及びＣ₁₂を調整することによって、各
共振素子間の誘導結合を変化させることなく、減衰ピー
クの位置を更に細かく調整することができ、目的の周波
数特性を有するフィルタ１０Ｃを容易に得ることができ
る。

【００８０】次に、第４の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｄについて図１６〜図１８を参照しながら説明する。
なお、図１２と対応するものについては同符号を記して
その重複説明を省略する。

【００８１】この第４の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｄは、図１６に示すように、第３の実施の形態に係るフ
ィルタ１０Ｃ（図１２参照）とほぼ同様の構成を有する
が、一主面に入力側の共振素子８４ａ及び出力側の共振
素子８４ｂが形成された第１１の誘電体層８２と、一主
面に第１及び第２の内層アース電極６４ａ及び６４ｂが
形成された第８の誘電体層３２との間に、例えば第１２
の誘電体層８６と第１３の誘電体層８８が挿入され、前
記第１２の誘電体層８６の一主面に上述の結合調整電極
７０（第５の誘電体層２６に形成された結合調整電極７
０）とは別の結合調整電極９０が形成され、第１３の誘
電体層８８の一主面に上述の入力側調整電極６６及び出
力側調整電極６８（第４の誘電体層２４に形成された入
力側調整電極６６及び出力側調整電極６８）とは別の入
力側調整電極９２及び出力側調整電極９４が形成されて
いる点で異なる。

【００８２】従って、図１７に示すように、下方に位置
する入力側の共振素子８４ａと結合調整電極９０との
間、並びに下方に位置する出力側の共振素子８４ｂと結
合調整電極９０との間にはそれぞれ静電容量Ｃ₂₃及びＣ
₂₄が形成され、下方に位置する入力側調整電極９２と結
合調整電極９０との間、並びに下方に位置する出力側調
整電極９４と結合調整電極９０との間にはそれぞれ静電
容量Ｃ₂₅及びＣ₂₆が形成されることになる。

【００８３】この第４の実施の形態に係るフィルタの等
価回路は図１８のようになる。この図１８において、静
電容量Ｃ₃₂₀ は、上方に位置する入力側の共振素子１４
ａの前段と後段とを結合する飛び越し容量Ｃ₁₁と、下方
に位置する入力側の共振素子８４ａの前段と後段とを結
合する飛び越し容量Ｃ₂₅との合成容量を示し、Ｃ
₃₂₁は、上方に位置する出力側の共振素子１４ｂの前段
と後段とを結合する飛び越し容量Ｃ₁₂と、下方に位置す
る出力側の共振素子８４ｂの前段と後段とを結合する飛
び越し容量Ｃ₂₆との合成容量を示す。

【００８４】また、静電容量Ｃ₃₂₂ は、上方に位置する
入力側の共振素子１４ａと結合調整電極７０間の静電容
量Ｃ₉ と、下方に位置する入力側の共振素子８４ａと結
合調整電極９０間の静電容量Ｃ₂₃との合成容量を示し、
静電容量Ｃ₃₂₂ は、上方に位置する出力側の共振素子１
４ｂと結合調整電極７０間の静電容量Ｃ₁₀と、下方に位
置する出力側の共振素子８４ｂと結合調整電極９０間の
静電容量Ｃ₂₄との合成容量を示す。

【００８５】このように、この第４の実施の形態に係る
フィルタ１０Ｄにおいては、上述の飛び越し容量Ｃ₁₁、
Ｃ₁₂、Ｃ₂₅及びＣ₂₆（合成容量Ｃ₃₂₀ 及びＣ₃₂₁ ）を調
整することによって、上方に位置する各共振素子１４ａ
及び１４ｂ間並びに下方に位置する共振素子８４ａ及び
８４ｂ間のインダクタンスＬ並びにＬ₃ を変化させるこ
となく、減衰ピークの位置を更に細かく調整することが
でき、目的の周波数特性を有するフィルタ１０Ｄを容易
に得ることができる。この場合、第１の実施の形態に係
るフィルタ１０Ａよりも更に細かい調整を行うことがで
きる。

【００８６】次に、第５の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｅについて図１９及び図２０を参照しながら説明す
る。なお、図１と対応するものについては同符号を記し
てその重複説明を省略する。

【００８７】この第５の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｅは、図１９及び図２０に示すように、第１の実施の形
態に係るフィルタ１０Ａ（図１参照）とほぼ同じ構成を
有するが、結合調整電極７０の形状がほぼ逆Ｕ字状とさ
れて、第１の電極本体７０ａと第２の電極本体７０ｂと
を結ぶリード電極７０ｃが各共振素子１４ａ及び１４ｂ
の開放端側に寄って形成されている点で異なる。

【００８８】従って、内層アース電極６４ａ（７２ａ）
及び６４ｂ（６４ｂ）の形成面に対して直交する方向に
切断した場合の断面構成は図４とほぼ同じになり、入力
側調整電極６６及び出力側調整電極６８の形成面に対し
て直交する方向に切断した場合の断面構成も図５とほぼ
同じ構成となる。等価回路も図６とほぼ同じになる。

【００８９】この第５の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｅにおいても、第１の実施の形態に係るフィルタ１０Ａ
と同様に、入力側調整電極６６と結合調整電極７０との
間、並びに出力側調整電極６８と結合調整電極７０との
間にそれぞれ静電容量Ｃ₁₁及びＣ₁₂が形成され、等価回
路的には、図６に示すように、入力側の共振素子１４ａ
の前段と後段とを結合する飛び越し容量Ｃ₁₁と、出力側
の共振素子１４ｂの前段と後段とを結合する飛び越し容
量Ｃ₁₂が形成されたかたちとなるため、これらの飛び越
し容量Ｃ₁₁及びＣ₁₂を調整することによって、各共振素
子１４ａ及び１４ｂ間の誘導結合を変化させることな
く、減衰ピークの位置を更に細かく調整することがで
き、目的の周波数特性を有するフィルタを容易に得るこ
とができる。

【００９０】特に、この第５の実施の形態に係るフィル
タ１０Ｅにおいては、結合調整電極７０のリード電極７
０ｃを各共振素子１４ａ及び１４ｂの開放端側に寄って
形成して、該リード電極７０ｃが入力側調整電極６６及
び出力側調整電極６８に平面的に重ならないようにして
いるため、これら電極の積層ずれ等があっても結合調整
電極７０と入力側調整電極６６間の容量Ｃ₁₁及び結合調
整電極７０と出力側調整電極６８間の容量Ｃ₁₂は変化し
ない。その結果、前記電極の積層ずれが生じても特性は
変化せず、歩留まりの向上等の効果を得ることができ
る。

【００９１】次に、第６の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｆについて図２１を参照しながら説明する。なお、図
１０と対応するものについては同符号を記してその重複
説明を省略する。

【００９２】この第６の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｆは、図２１に示すように、第２の実施の形態に係るフ
ィルタ１０Ｂ（図１０参照）とほぼ同じ構成を有する
が、結合調整電極７０の形状がほぼ逆Ｕ字状とされて、
第１の電極本体７０ａと第２の電極本体７０ｂとを結ぶ
リード電極７０ｃが各共振素子１４ａ及び１４ｂの開放
端側に寄って形成されている点で異なる。

【００９３】この第６の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｆにおいても、第２の実施の形態に係るフィルタ１０Ｂ
と同様に、入力側の共振素子１４ａの前段と後段とを結
合する飛び越し容量Ｃ₁₁と、出力側の共振素子１４ｂの
前段と後段とを結合する飛び越し容量Ｃ₁₂が形成された
かたちとなるため、これらの飛び越し容量Ｃ₁₁及びＣ ₁₂
を調整することによって、各共振素子１４ａ及び１４ｂ
間の誘導結合を変化させることなく、減衰ピークの位置
を更に細かく調整することができ、目的の周波数特性を
有するフィルタ１０Ｆを容易に得ることができる。

【００９４】また、結合調整電極７０のリード電極７０
ｃを各共振素子１４ａ及び１４ｂの開放端側に寄って形
成して、該リード電極７０ｃが入力側調整電極６６及び
出力側調整電極６８に平面的に重ならないようにしてい
るため、これら電極の積層ずれが生じても特性は変化せ
ず、歩留まりの向上等の効果を得ることができる。

【００９５】次に、第７の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｇについて図２２〜図２８を参照しながら説明する。

【００９６】この第７の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｇは、図２２に示すように、複数枚の板状の誘電体層が
積層、焼成されて構成された積層体１００内に、１／４
波長型ストリップライン共振器を構成する３本の共振素
子１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃが形成された構成を
有する。

【００９７】具体的には、前記積層体１００は、図２２
に示すように、上から順に、第１の誘電体層１０４と、
第２の誘電体層１０６が複数枚重ねられて構成された誘
電体層群１０８と、第３〜第９の誘電体層１１０〜１２
２と、第１０の誘電体層１２４が複数枚重ねられて構成
された誘電体層群１２６と、第１１の誘電体層１２８と
が積み重ねられて構成されている。

【００９８】なお、入力端子部４０及び出力端子部４２
の構成並びにアース電極４４の形成状態は、図２３に示
すように、第１の実施の形態に係るフィルタ１０Ａ（図
２参照）とほぼ同じであるため、その詳細な説明は省略
する。

【００９９】そして、この第７の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ｇにおいては、第６の誘電体層１１６の上面に
３本の短冊状の共振素子１０２ａ、１０２ｂ及び１０２
ｃがそれぞれ長手方向を一方向に揃えられて形成されて
いる。これら共振素子１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃ
のうち、入力端子４６に最も近い方が入力側の共振素子
１０２ａ、出力端子５０に最も近い方が出力側の共振素
子１０２ｃとされている。また、これら共振素子１０２
ａ、１０２ｂ及び１０２ｃは、各一端部がアース電極４
４に接続されて、各他端部が開放端とされている。

【０１００】前記第６の誘電体層１１６の下層に位置す
る第７の誘電体層１１８の一主面には、一端が入力端子
４６に接続され、かつ、前記入力側の共振素子１０２ａ
と容量結合される入力用電極１３０と、第２及び第３の
共振素子１０２ｂ及び１０２ｃと容量結合される結合調
整電極１３２が形成されている。

【０１０１】前記第７の誘電体層１１８の下層に位置す
る第８の誘電体層１２０の一主面には、図２５にも示す
ように、一端が出力端子５０に接続され、先端が出力側
の共振素子１０２ｃの幅方向中央部分に対応する位置ま
で延在されて形成された出力側調整電極１３４が形成さ
れている。

【０１０２】前記第８の誘電体層１２０の下層に位置す
る第９の誘電体層１２２の一主面には、一端がアース電
極４４と接続され、かつ、前記３本の共振素子１０２
ａ、１０２ｂ及び１０２ｃの各開放端側と対向する第１
〜第３の内層アース電極１３６ａ、１３６ｂ及び１３６
ｃが形成されている。

【０１０３】前記３本の共振素子１０２ａ、１０２ｂ及
び１０２ｃが形成された前記第６の誘電体層１１６の上
層に位置する第５の誘電体層１１４の一主面には、一端
が出力端子５０に接続され、かつ、前記出力側の共振素
子１０２ｃと容量結合される出力用電極１３８と、第１
及び第２の共振素子１０２ａ及び１０２ｂと容量結合さ
れる結合調整電極１４０が形成されている。

【０１０４】前記第５の誘電体層１１４の上層に位置す
る第４の誘電体層１１２の一主面には、図２４に示すよ
うに、一端が入力端子４６に接続され、先端が入力側の
共振素子１０２ａの幅方向中央部分に対応する位置まで
延在されて形成された入力側調整電極１４２が形成され
ている。

【０１０５】前記第４の誘電体層１１２の上層に位置す
る第３の誘電体層１１０の一主面には、一端がアース電
極４４と接続され、かつ、前記３本の共振素子１０２
ａ、１０２ｂ及び１０２ｃの各開放端側と対向する第１
〜第３の内層アース電極１４４ａ、１４４ｂ及び１４４
ｃが形成されている。

【０１０６】第７の実施の形態に係るフィルタ１０Ｇ
は、基本的には以上のように構成されるものであるが、
ここで、各電極の電気的な結合について図２６〜図２８
を参照しながら説明する。

【０１０７】まず、図２６に示すように、入力側の共振
素子１０２ａの開放端と上下の第１の内層アース電極１
４４ａ及び１３６ａとの間、中央の共振素子１０２ｂの
開放端と上下の第２の内層アース電極１４４ｂ及び１３
６ｂとの間並びに出力側の共振素子１０２ｃの開放端と
上下の第３の内層アース電極１４４ｃ及び１３６ｃとの
間にはそれぞれ静電容量Ｃ₃₁、Ｃ₃₂、Ｃ₃₃、Ｃ₃₄、Ｃ₃₅
及びＣ₃₆が形成されている。

【０１０８】前記入力側の共振素子１０２ａ、前記中央
の共振素子１０２ｂ及び前記出力側の共振素子１０２ｃ
同士は互いに誘導結合され、これにより、等価回路上で
はインダクタンスＬ₆ 及びＬ₇ が挿入されたかたちにな
る（図２８参照）。

【０１０９】また、図２７に示すように、前記入力側の
共振素子１０２ａと入力用電極１３０との間、中央の共
振素子１０２ｂと下側の結合調整電極１３２との間、出
力側の共振素子１０２ｃと下側の結合調整電極１３２と
の間にはそれぞれ静電容量Ｃ ₄₁、Ｃ₄₂及びＣ₄₃が形成さ
れ、前記出力側の共振素子１０２ｃと出力用電極１３８
との間、中央の共振素子１０２ｂと上側の結合調整電極
１４０との間、入力側の共振素子１０２ａと上側の結合
調整電極１４０との間にはそれぞれ静電容量Ｃ ₄₄、Ｃ₄₅
及びＣ₄₆が形成されている。

【０１１０】更に、入力側調整電極１４２と上側の結合
調整電極１４０との間並びに出力側調整電極１３４と下
側の結合調整電極１３２との間には、それぞれ静電容量
Ｃ₄₇及びＣ₄₈が形成されている。

【０１１１】従って、第７の実施の形態に係るフィルタ
１０Ｇの等価回路は、図２８に示すようになり、バンド
パスフィルタを構成することとなる。なお、図２８にお
いて、静電容量Ｃ₅₁及びインダクタンスＬ₈ はそれぞれ
入力側の共振素子１０２ａを等価変換したときの静電容
量及びインダクタンスであり、静電容量Ｃ₅₂及びインダ
クタンスＬ₉ はそれぞれ中央の共振素子１０２ｂを等価
変換したときの静電容量及びインダクタンスであり、静
電容量Ｃ₅₃及びインダクタンスＬ₁₀はそれぞれ出力側の
共振素子１０２ｃを等価変換したときの静電容量及びイ
ンダクタンスである。

【０１１２】このように、第７の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ｇにおいては、第５の誘電体層１１４の一主面
に入力側の共振素子１０２ａと中央の共振素子１０２ｂ
に対応する結合調整電極１４０を形成し、第７の誘電体
層１１８の一主面に出力側の共振素子１０２ｃと中央の
共振素子１０２ｂに対応する結合調整電極１３２を形成
するようにしたので、入力側の共振素子１０２ａと上側
の結合調整電極１４０との間、上側の結合調整電極１４
０と中央の共振素子１０２ｂとの間、下側の結合調整電
極１３２と中央の共振素子１０２ｂとの間、並びに前記
結合調整電極１３２と出力側の共振素子１０２ｃとの間
にそれぞれ容量Ｃ₄₆、Ｃ₄₅、Ｃ₄₂及びＣ ₄₃が形成され
る。

【０１１３】等価回路的には、図２８に示すように、前
記入力側の共振素子１０２ａと中央の共振素子１０２ｂ
との間に前記容量Ｃ₄₆及びＣ₄₅の合成容量とインダクタ
ンスＬ₆ とが並列に接続され、前記出力側の共振素子１
０２ｃと中央の共振素子１０２ｂとの間に前記容量Ｃ₄₃
及びＣ₄₂の合成容量とインダクタンスＬ₇ とが並列に接
続されたかたちになるため、前記容量Ｃ₄₆、Ｃ₄₅、Ｃ₄₃
及びＣ₄₂によって前記誘導結合度を調整することがで
き、所望の帯域幅を有するフィルタ１０Ｇを得ることが
できる。

【０１１４】前記容量Ｃ₄₆、Ｃ₄₅、Ｃ₄₃及びＣ₄₂の調整
は、入力側の共振素子１０２ａと上側の結合調整電極１
４０との重なり面積及びこれらの間の距離、中央の共振
素子１０２ｂと上側の結合調整電極１４０との重なり面
積及びこれらの間の距離、中央の共振素子１０２ｂと下
側の結合調整電極１３２との重なり面積及びこれらの間
の距離、並びに出力側の共振素子１０２ｃと下側の結合
調整電極１３２との重なり面積及びこれらの間の距離を
変化させることによって容易に行うことができる。

【０１１５】また、前記上側の結合調整電極１４０によ
る合成容量が入力側の共振素子１０２ａと中央の共振素
子１０２ｂ間のインダクタンスＬ₆ と並列に接続された
かたちになり、前記下側の結合調整電極１３２による合
成容量が出力側の共振素子１０２ｃと中央の共振素子１
０２ｂ間のインダクタンスＬ₇ と並列に接続されたかた
ちになることから、隣接する入力側の共振素子１０２ａ
と中央の共振素子１０２ｂ間、及び隣接する出力側の共
振素子１０２ｃと中央の共振素子１０２ｂ間にはそれぞ
れ並列共振回路１５０及び１５２が挿入接続されたこと
になる。これら並列共振回路１５０及び１５２のインピ
ーダンスはそれぞれ並列共振点の前後で誘導性から容量
性へと変化するため、隣接する入力側の共振素子１０２
ａ及び中央の共振素子１０２ｂと上側の結合調整電極１
４０間、並びに隣接する出力側の共振素子１０２ｃ及び
中央の共振素子１０２ｂと下側の結合調整電極１３２間
にそれぞれ形成される容量Ｃ₄₆及びＣ₄₅並びにＣ₄₃及び
Ｃ₄₂の値を調整することにより、各共振素子１０２ａ及
び１０２ｂ間並びに１０２ｃ及び１０２ｂ間の結合を誘
導性にも容量性にもすることができる。

【０１１６】いま、各共振素子１０２ａ及び１０２ｂ間
並びに１０２ｃ及び１０２ｂ間の結合を誘導性にした場
合を考えると、通過帯域の高周波側に並列共振点が存在
するから、高周波側に減衰ピークをもったフィルタが得
られ、また、各共振素子１０２ａ及び１０２ｂ間並びに
１０２ｃ及び１０２ｂ間の結合を容量性にすると、通過
帯域の低周波側に並列共振点が存在することになり、低
周波側に減衰ピークをもったフィルタが得られ、いずれ
の場合もフィルタの減衰特性を改善することができる。

【０１１７】そして、この第７の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ｇにおいては、前記結合調整電極１４０に加え
て、第４の誘電体層１１２の一主面に入力側調整電極１
４２を設け、第８の誘電体層１２０の一主面に出力側調
整電極１３４を設けるようにしている。

【０１１８】これにより、前記入力側調整電極１４２と
上側の結合調整電極１４０との間、並びに下側の結合調
整電極１３２と出力側調整電極１３４との間にそれぞれ
容量Ｃ₄₇及びＣ₄₈が形成され、等価回路的には、図２８
に示すように、入力端子４６と上側の結合調整電極１４
０との間、並びに出力端子５０と下側の結合調整電極１
３２との間にそれぞれ容量Ｃ₄₇及びＣ₄₈が形成されたか
たちとなる。

【０１１９】容量Ｃ₄₇は、入力側の共振素子１０２ａを
飛び越して、入力側の共振素子１０２ａの前段と後段と
を結合する飛び越し容量Ｃ₄₇となり、容量Ｃ₄₈は、出力
側の共振素子１０２ｃを飛び越して、出力側の共振素子
１０２ｃの前段と後段とを結合する飛び越し容量Ｃ₄₈と
なるため、これらの飛び越し容量Ｃ₄₇及びＣ₄₈を調整す
ることによって減衰ピークの位置を更に細かく調整する
ことができ、目的の周波数特性を有するフィルタ１０Ｇ
を容易に得ることができる。

【０１２０】即ち、同一の通過帯域特性の積層型誘電体
フィルタにおいて、共振素子１０２ａ、１０２ｂ及び１
０２ｃ間の距離を変化させることなく、換言すれば、各
共振素子１０２ａ、１０２ｂ及び１０２ｃ間のインダク
タンスＬ₆ 及びＬ₇ を変化させることなく、減衰ピーク
の位置を調整することができる。

【０１２１】この場合、共振素子１０２ａ、１０２ｂ及
び１０２ｃ間のインダクタンスＬ₆及びＬ₇ が変化しな
いため、上側の結合調整電極１４０及び下側の結合調整
電極１３２の形状等をほとんど変化させることなく、減
衰ピークの位置を調整することができる。これは、所望
の周波数特性を有するフィルタを容易に作製することが
できることにつながり、積層型誘電体フィルタの製造工
程の簡単化、製造コストの低廉化を同時に実現させるこ
とができる。

【０１２２】容量Ｃ₄₇の調整は、入力側調整電極１４２
と上側の結合調整電極１４０との重なり面積及びこれら
の間の距離を変化させることによって容易に行うことが
でき、容量Ｃ₄₈の調整は、出力側調整電極１３４と下側
の結合調整電極１３２との重なり面積及びこれらの間の
距離を変化させることによって容易に行うことができ
る。

【０１２３】特に、この第７の実施の形態では、入力側
調整電極１４２と出力側調整電極１３４を他の電極と独
立に形成するようにしているため、各容量Ｃ₄₇及びＣ₄₈
の調整のための自由度（各結合調整電極１４２及び１３
４の設計の自由度）が大きくなり、減衰ピークの調整を
容易に行うことが可能となる。これは、目的の周波数特
性を有するフィルタ１０Ｇを簡単に得ることができるこ
とにつながる。

【０１２４】また、第７の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｇにおいては、第７の誘電体層１１８の一主面に入力
用電極１３０を形成し、第５の誘電体層１１４の一主面
に出力用電極１３８を形成するようにしたので、入力側
の共振素子１０２ａと入力用電極１３０との距離及び／
又は出力側の共振素子１０２ｃと出力用電極１３８との
距離を小さくすることで、これらの間に形成される静電
容量Ｃ₄₁及びＣ₄₄の容量値を大きくすることができ、信
号波形に現れるリップルを小さくすることができる。

【０１２５】また、この第７の実施の形態に係るフィル
タ１０Ｇにおいては、第３の誘電体層１１０の一主面に
第１〜第３の内層アース電極１４４ａ〜１４４ｃを形成
し、第９の誘電体層１２２の一主面に第１〜第３の内層
アース電極１３６ａ〜１３６ｃを形成するようにしたの
で、各共振素子１０２ａ〜１０２ｃの開放端側と各第１
〜第３の内層アース電極１４４ａ〜１４４ｃ並びに１３
６ａ〜１３６ｃとの間に形成される静電容量Ｃ₃₁、
Ｃ₃₂、Ｃ₃₃、Ｃ₃₄、Ｃ₃₅及びＣ₃₆も各共振素子１０２ａ
〜１０２ｃを等価変換したときの並列共振回路の静電容
量Ｃ₅₁、Ｃ₅₂及びＣ₅₃に付加されることになるため、共
振周波数を同一とすれば、各並列共振回路のインダクタ
ンスは小さくて済むことになり、その結果、共振素子１
０２ａ〜１０２ｃの長さもより小さくなり、第７の実施
の形態に係るフィルタ１０Ｇ全体の長さを短くすること
ができる。

【０１２６】この場合に、第７の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ｇを小型化するために、第１〜第３の内層アー
ス電極１４４ａ〜１４４ｃ並びに１３６ａ〜１３６ｃと
各共振素子１０２ａ〜１０２ｃとの対向面積を増加させ
ていくと、共振素子１０２ａ〜１０２ｃ同士がますます
強く誘導結合して、フィルタの特性を広帯域化させすぎ
るという問題が生じるが、この第７の実施の形態におい
ては、上側の結合調整電極１４０及び下側の結合調整電
極１３２を設けるようにしているため、これら結合調整
電極１４０及び１３２と共振素子１０２ａ〜１０２ｃ間
に形成される容量Ｃ₄₆、Ｃ₄₅、Ｃ₄₂及びＣ₄₃によって、
共振素子１０２ａ〜１０２ｃ間に形成されるインダクタ
ンスＬ₆ 及びＬ₇ を抑制することができ、所望の帯域幅
を有するフィルタ１０Ｇを得ることができる。

【０１２７】次に、第８の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｈについて図２９及び図３０を参照しながら説明す
る。なお、図２２と対応するものについては同符号を記
してその重複説明を省略する。

【０１２８】この第８の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｈは、図２９に示すように、前記第７の実施の形態に係
るフィルタ１０Ｇ（図２２参照）とほぼ同様の構成を有
するが、３本の共振素子１０２ａ〜１０２ｃが形成され
た第６の誘電体層１１６の上層である第５の誘電体層１
１４の一主面に入力側調整電極１４２が形成され、該第
５の誘電体層１１４の上層である第４の誘電体層１１２
の一主面に結合調整電極１４０と出力用電極１３８が形
成され、前記第６の誘電体層１１６の下層である第７の
誘電体層１１８の一主面に出力側調整電極１３４が形成
され、前記第７の誘電体層１１８の下層である第８の誘
電体層１２０の一主面に結合調整電極１３２と入力用電
極１３０が形成されている点で異なる。

【０１２９】この第８の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｈにおいて、入力側調整電極１４２及び出力側調整電極
１３４の形成面に対して直交する方向に切断した場合の
断面構成を図３０に示す。各電極の電気的な結合は、第
７の実施の形態に係るフィルタ１０Ｇ（図２７参照）と
ほぼ同じであるが、前記入力側の共振素子１０２ａと入
力側調整電極１４２との間、並びに前記出力側の共振素
子１０２ｂと出力側調整電極１３４との間にはそれぞれ
静電容量Ｃ₅₄及びＣ₅₅が形成されている。なお、内層ア
ース電極１４４ａ〜１４４ｃ並びに１３６ａ〜１３６ｃ
の形成面に対して直交する方向に切断した場合の断面構
成は図２６とほぼ同じ構成となる。等価回路も図２８と
ほぼ同じになるが、前記入力側の共振素子１０２ａと入
力側調整電極１４２間の容量Ｃ₅₄が入力用電極１３０と
入力側の共振素子１０２ａ間に形成される容量Ｃ₄₁と並
列に挿入されたかたちになり、前記出力側の共振素子１
０２ｃと出力側調整電極１３４間の容量Ｃ₅₅が出力用電
極１３８と出力側の共振素子１０２ｃ間に形成される容
量Ｃ₄₄と並列に挿入されたかたちになる。

【０１３０】このように、この第８の実施の形態に係る
フィルタ１０Ｈにおいても、図２２に示す第７の実施の
形態に係るフィルタ１０Ｇと同様に、入力側調整電極１
４２と上側の結合調整電極１４０との間、並びに出力側
調整電極１３４と下側の結合調整電極１３２との間にそ
れぞれ静電容量Ｃ₄₇及びＣ₄₈が形成されて、入力側の共
振素子１０２ａの前段と後段とを結合する飛び越し容量
Ｃ₄₇と、出力側の共振素子１０２ｃの前段と後段とを結
合する飛び越し容量Ｃ₄₈が形成されたかたちとなるた
め、これらの飛び越し容量Ｃ₄₇及びＣ₄₈を調整すること
によって、各共振素子１０２ａ〜１０２ｃ間のインダク
タンスＬ₆ 及びＬ₇ を変化させることなく、減衰ピーク
の位置を更に細かく調整することができ、目的の周波数
特性を有するフィルタ１０Ｈを容易に得ることができ
る。

【０１３１】次に、第９の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｉについて図３１〜図３４を参照しながら説明する。
なお、図２２と対応するものについては同符号を記して
その重複説明を省略する。

【０１３２】この第９の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｉは、図３１に示すように、第７の実施の形態に係るフ
ィルタ１０Ｇ（図２２参照）とほぼ同様の構成を有する
が、以下の点で構成が異なる。 （１）一主面に第１〜第３の内層アース電極１４４ａ〜
１４４ｃが形成された第３の誘電体層１１０と一主面に
入力側調整電極１４２が形成された第４の誘電体層１１
２との間に、第１２の誘電体層１６０が挿入され、該第
１２の誘電体層１６０の一主面に上述の３本の共振素子
１０２ａ〜１０２ｃ（第６の誘電体層１１６に形成され
た３本の共振素子１０２ａ〜１０２ｃ）とは別に３本の
共振素子１６２ａ〜１６２ｃが形成されている点。 （２）第５の誘電体層１１４の一主面に上述した結合調
整電極１４０と出力用電極１３８のほかに第１〜第３の
内層アース電極１６４ａ〜１６４ｃが形成されている
点。 （３）第７の誘電体層１１８の一主面に上述した結合調
整電極１３２と入力用電極１３０のほかに第１〜第３の
内層アース電極１６６ａ〜１６６ｃが形成されている
点。 （４）前記第８の誘電体層１２０と前記第９の誘電体層
１２２との間に、第１３の誘電体層１６８が挿入され、
該第１３の誘電体層１６８の一主面に上述の３本の共振
素子１０２ａ〜１０２ｃとは別に３本の共振素子１７０
ａ〜１７０ｃが形成されている点。

【０１３３】つまり、この第９の実施の形態に係るフィ
ルタ１０Ｉは、積層体１００の厚み方向に並ぶ３枚の共
振素子（１６２ａ、１０２ａ、１７０ａ）、（１６２
ｂ、１０２ｂ、１７０ｂ）及び（１６２ｃ、１０２ｃ、
１７０ｃ）が３組並設されて、１／４波長型ストリップ
ライン共振器が構成されている。

【０１３４】従って、図３２に示すように、上側に位置
する３本の共振素子１６２ａ〜１６２ｃと第１〜第３の
内層アース電極１４４ａ〜１４４ｃとの間、前記上側に
位置する３本の共振素子１６２ａ〜１６２ｃと第１〜第
３の内層アース電極１６４ａ〜１６４ｃとの間にそれぞ
れ静電容量Ｃ₆₁〜Ｃ₆₃並びにＣ₆₄〜Ｃ₆₆が形成され、中
央に位置する３本の共振素子１０２ａ〜１０２ｃと第１
〜第３の内層アース電極１６４ａ〜１６４ｃとの間、前
記中央に位置する３本の共振素子１０２ａ〜１０２ｃと
第１〜第３の内層アース電極１６６ａ〜１６６ｃとの間
にそれぞれ静電容量Ｃ₆₇〜Ｃ₆₉並びにＣ₇₀〜Ｃ₇₂が形成
され、下側に位置する３本の共振素子１７０ａ〜１７０
ｃと第１〜第３の内層アース電極１６６ａ〜１６６ｃと
の間、前記下側に位置する３本の共振素子１７０ａ〜１
７０ｃと第１〜第３の内層アース電極１３６ａ〜１３６
ｃとの間にそれぞれ静電容量Ｃ₇₃〜Ｃ₇₅並びにＣ₇₆〜Ｃ
₇₈が形成されたかたちとなる。

【０１３５】また、図３３に示すように、入力端子４６
と上方に位置する入力側の共振素子１６２ａとの間に入
力側調整電極１４２を通じて静電容量Ｃ₈₁が形成され、
出力端子５０と下方に位置する出力側の共振素子１７０
ｃとの間に出力側調整電極１３４を通じて静電容量Ｃ₈₂
が形成されたかたちとなる。

【０１３６】また、上方に位置する第１〜第３の共振素
子１６２ａ〜１６２ｃ同士は互いに誘導結合され、これ
により、等価回路上ではインダクタンスＬ₁₁及びＬ₁₂が
挿入されたかたちになる。これは、下方に位置する第１
〜第３の共振素子１７０ａ〜１７０ｃにおいても同様で
あり、等価回路上ではインダクタンスＬ₁₃及びＬ₁₄が挿
入されたかたちとなる（図３４参照）。

【０１３７】更に、下方に位置する入力側の共振素子１
７０ａと入力用電極１３０との間、下方に位置する中央
の共振素子１７０ｂと下側の結合調整電極１３２との
間、下方に位置する出力側の共振素子１７０ｃと下側の
結合調整電極１３２との間にはそれぞれ静電容量
Ｃ₁₀₁ 、Ｃ₁₀₂ 及びＣ₁₀₃ が形成され、上方に位置する
出力側の共振素子１６２ｃと出力用電極１３８との間、
上方に位置する中央の共振素子１６２ｂと上側の結合調
整電極１４０との間、上方に位置する入力側の共振素子
１６２ａと上側の結合調整電極１４０との間にはそれぞ
れ静電容量Ｃ₁₀₄ 、Ｃ_{10 5} 及びＣ₁₀₆ が形成されてい
る。

【０１３８】この第９の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｉにおいては、すべての入力側の共振素子１０２ａ、１
４４ａ及び１７０ａは１組の入力側の共振器４００ａ
（図３４参照）として考えることができ、すべての中央
の共振素子１０２ｂ、１４４ｂ及び１７０ｂも１組の中
央の共振器４００ｂとして考えることができる。出力側
も同様に、すべての出力側の共振素子１０２ｃ、１４４
ｃ及び１７０ｃは１組の出力側の共振器４００ｃとして
考えることができる。

【０１３９】従って、第９の実施の形態に係るフィルタ
１０Ｉの等価回路は、図３４に示すようになり、バンド
パスフィルタを構成することとなる。

【０１４０】なお、図３４において、静電容量Ｃ
₄₀₀ は、入力側の共振素子１０２ａ及び１７０ａと入力
用電極１３０間の静電容量Ｃ₄₁及びＣ₁₀₁ （図３３参
照）と、入力側の共振素子１６２ａと入力側調整電極１
４２間の静電容量Ｃ₈₁との合成容量を示し、静電容量Ｃ
₄₀₁ は、出力側の共振素子１０２ｃ及び１６２ｃと出力
用電極１３８間の静電容量Ｃ₄₄及びＣ₁₀₄ （図３３参
照）と、出力側の共振素子１７０ｃと出力側調整電極１
３４間の静電容量Ｃ₈₁との合成容量を示す。

【０１４１】また、静電容量Ｃ₄₀₂ は、入力側の共振素
子１０２ａ及び１６２ａと上側の結合調整電極１４０間
の静電容量Ｃ₄₆及びＣ₁₀₆ （図３３参照）の合成容量を
示し、静電容量Ｃ₄₀₃ は、出力側の共振素子１０２ｃ及
び１７０ｃと下側の結合調整電極１３２間の静電容量Ｃ
₄₃及びＣ₁₀₃ の合成容量を示す。

【０１４２】静電容量Ｃ₄₀₄ は、中央の共振素子１０２
ｂ及び１６２ｂと上側の結合調整電極１４０間の静電容
量Ｃ₄₅及びＣ₁₀₅ （図３３参照）の合成容量を示し、静
電容量Ｃ₄₀₅ は、中央の共振素子１０２ｂ及び１７０ｂ
と下側の結合調整電極１３２間の静電容量Ｃ₄₂及びＣ
₁₀₂ の合成容量を示す。

【０１４３】また、静電容量Ｃ₄₁₀ は、入力側の共振素
子１６２ａ、１０２ａ及び１７０ａと各第１の内層アー
ス電極１４４ａ、１６４ａ、１６６ａ及び１３６ａ間の
静電容量Ｃ₆₁、Ｃ₆₄、Ｃ₆₇、Ｃ₇₀、Ｃ₇₃及びＣ₇₆（図３
２参照）の合成容量を示し、静電容量Ｃ₄₁₁ は、中央の
共振素子１６２ｂ、１０２ｂ及び１７０ｂと各第２の内
層アース電極１４４ｂ、１６４ｂ、１６６ｂ及び１３６
ｂ間の静電容量Ｃ₆₂、Ｃ₆₅、Ｃ₆₈、Ｃ₇₁、Ｃ₇₄及びＣ₇₇
の合成容量を示し、静電容量Ｃ₄₁₂ は、出力側の共振素
子１６２ｃ、１０２ｃ及び１７０ｃと各第３の内層アー
ス電極１４４ｃ、１６４ｃ、１６６ｃ及び１３６ｃ間の
静電容量Ｃ₆₃、Ｃ₆₆、Ｃ₆₉、Ｃ₇₂、Ｃ₇₅及びＣ₇₈の合成
容量を示す。

【０１４４】インダクタンスＬ₂₀₁ は、入力側の共振素
子１０２ａ、１６２ａ及び１７０ａと中央の共振素子１
０２ｂ、１６２ｂ及び１７０ｂ間のインダクタンス
Ｌ₆ 、Ｌ ₁₁及びＬ₁₃（図３２参照）の合成インダクタン
スを示し、インダクタンスＬ₂₀₂は、中央の共振素子１
０２ｂ、１６２ｂ及び１７０ｂと出力側の共振素子１０
２ｃ、１６２ｃ及び１７０ｃ間のインダクタンスＬ₇ 、
Ｌ₁₂及びＬ₁₄の合成インダクタンスを示す。

【０１４５】また、静電容量Ｃ₄₂₀ 及びインダクタンス
Ｌ₂₀₃ は１組の入力側の共振器４００ａを等価変換した
ときの静電容量及びインダクタンスであり、静電容量Ｃ
₄₂₁及びインダクタンスＬ₂₀₄ は１組の中央の共振器４
００ｂを等価変換したときの静電容量及びインダクタン
スであり、静電容量Ｃ₄₂₃ 及びインダクタンスＬ₂₀₅は
１組の出力側の共振器４００ｃを等価変換したときの静
電容量及びインダクタンスである。

【０１４６】この第９の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｉにおいても、前記８の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｈと同様に、入力側調整電極１４２と上側の結合調整電
極１４０との間、並びに出力調整電極１３４と下側の結
合調整電極１３２との間にそれぞれ静電容量Ｃ₄₇及びＣ
₄₈が形成され、等価回路的には、図３４に示すように、
１組の入力側の共振器４００ａの各前段と各後段とを結
合する飛び越し容量Ｃ ₄₇と、１組の出力側の共振器４０
０ｃの各前段と各後段とを結合する飛び越し容量Ｃ₄₈が
形成されたかたちとなるため、これらの飛び越し容量Ｃ
₄₇及びＣ₄₈を調整することによって、各共振素子（１６
２ａ〜１６２ｃ、１０２ａ〜１０２ｃ、１７０ａ〜１７
０ｃ）間の誘導結合を変化させることなく、減衰ピーク
の位置を更に細かく調整することができ、目的の周波数
特性を有するフィルタ１０Ｉを容易に得ることができ
る。

【０１４７】次に、第１０の実施の形態に係るフィルタ
１０Ｊについて図３５〜図３７を参照しながら説明す
る。なお、図３１と対応するものについては同符号を記
してその重複説明を省略する。

【０１４８】この第１０の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｊは、図３５に示すように、第９の実施の形態に係る
フィルタ１０Ｉ（図３１参照）とほぼ同じ構成を有する
が、以下の点で構成が異なる。 （１）第４の誘電体層１１２の一主面に、結合調整電極
１４０、出力用電極１３８並びに第１及び第２の内層ア
ース電極１６４ａ及び１６４ｂが形成されている点。 （２）第５の誘電体層１１４の一主面に、入力側調整電
極１４２が形成されている点。 （３）第７の誘電体層１１８の一主面に、出力側調整電
極１３４が形成されている点。 （４）第８の誘電体層１２０の一主面に、結合調整電極
１３２、入力用電極１３０並びに第２及び第３の内層ア
ース電極１６６ｂ及び１６６ｃが形成されている点。

【０１４９】なお、内層アース電極（１４４ａ〜１４４
ｃ、１３６ａ〜１３６ｃ）の形成面に対して直交する方
向に切断した場合の断面構成を図３６に示し、入力側調
整電極１４２及び出力側調整電極１３４の形成面に対し
て直交する方向に切断した場合の断面構成を図３７に示
す。等価回路は図３４とほぼ同じになるが、前記入力側
の共振素子１０２ａと入力側調整電極１４２間の容量Ｃ
₅₄が入力用電極１３０と入力側の共振素子１０２ａ間に
形成される容量Ｃ₄₁と並列に挿入されたかたちになり、
前記出力側の共振素子１０２ｃと出力側調整電極１３４
間の容量Ｃ₅₅が出力用電極１３８と出力側の共振素子１
０２ｃ間に形成される容量Ｃ₄₄と並列に挿入されたかた
ちになる。

【０１５０】この第１０の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｊにおいても、第９の実施の形態に係るフィルタ１０
Ｉと同様に、入力側調整電極１４２と上側の結合調整電
極１４０との間、並びに出力側調整電極１３４と下側の
結合調整電極１３２との間にそれぞれ静電容量（飛び越
し容量）Ｃ₄₇及びＣ₄₈が形成されることから（図３４参
照）、これらの飛び越し容量Ｃ₄₇及びＣ₄₈を調整するこ
とによって、各共振素子（１６２ａ〜１６２ｃ、１０２
ａ〜１０２ｃ、１７０ａ〜１７０ｃ）間の誘導結合を変
化させることなく、減衰ピークの位置を更に細かく調整
することができ、目的の周波数特性を有するフィルタ１
０Ｊを容易に得ることができる。

【０１５１】次に、第１１の実施の形態に係るフィルタ
１０Ｋについて図３８〜図４３を参照しながら説明す
る。

【０１５２】第１１の実施の形態に係るフィルタ１０Ｋ
は、図３８に示すように、複数枚の板状の誘電体層が積
層、焼成されて構成された積層体２００内に、１／４波
長型ストリップライン共振器を構成する２本の共振素子
２０２ａ及び２０２ｂがそれぞれ別の誘電体層において
縦方向に並べられて形成された構成を有する。

【０１５３】具体的には、前記積層体２００は、図３８
に示すように、左（入力側）から順に、第１の誘電体層
２０４と、第２の誘電体層２０６が複数枚重ねられて構
成された誘電体層群２０８と、第３〜第６の誘電体層２
１０〜２１６と、第７の誘電体層２１８が複数枚重ねら
れて構成された誘電体層群２２０と、第８〜第１１の誘
電体層２２２〜２２８と、第１２の誘電体層２３０が複
数枚重ねられて構成された誘電体層群２３２と、第１３
の誘電体層２３４とが積み重ねられて構成されている。

【０１５４】また、図３９に示すように、前記積層体２
００の外周面のうち、例えばその左側面に入力端子部２
４０が配され、右側面に出力端子部２４２が配され、こ
れら入力端子部２４０及び出力端子部２４２を除く全面
にアース電極２４４が形成されている。

【０１５５】入力端子部２４０は、積層体２００の左側
面の中央部分において、積層体２００の高さ方向に沿っ
て形成された短冊状の入力端子２４６と、該入力端子２
４６とアース電極２４４とを絶縁するための入力側絶縁
領域２４８とで構成され、出力端子部２４２は、積層体
２００の右側面の中央部分において、積層体２００の高
さ方向に沿って形成された短冊状の出力端子２５０と、
該出力端子２５０とアース電極２４４とを絶縁するため
の出力側絶縁領域２５２とで構成されている。

【０１５６】図３９の例では、入力側絶縁領域２４８と
出力側絶縁領域２５２を、積層体２００の上面の一部並
びに下面の一部にも配した場合を示している。

【０１５７】そして、この第１１の実施の形態に係るフ
ィルタ１０Ｋにおいては、第４の誘電体層２１２と第１
０の誘電体層２２６の各一主面にそれぞれ１本の短冊状
の共振素子２０２ａ及び２０２ｂが形成されている。こ
れら共振素子２０２ａ及び２０２ｂは、一方が入力側の
共振素子２０２ａ、他方が出力側の共振素子２０２ｂと
され、更に、各一端部がアース電極２４４（第４の誘電
体層２１２及び第１０の誘電体層２２６の側面に形成さ
れたアース電極２４４）に接続されて、各他端部が開放
端とされている。

【０１５８】前記第４の誘電体層２１２の左側に位置す
る第３の誘電体層２１０の一主面には、第１のスルーホ
ール２６０を通じて入力端子２４６に接続され、かつ、
前記入力側の共振素子２０２ａと容量結合される入力用
電極２６２と、一端がアース電極２４４に接続され、か
つ、前記入力側の共振素子２０２ａの開放端側と対向す
る第１の内層アース電極２６４が形成されている。

【０１５９】前記第４の誘電体層２１２の右側に位置す
る第５の誘電体層２１４の一主面には、アース電極２４
４、入力端子２４６及び出力端子２５０に対して電位的
にフローティング状態とされ、入力側の共振素子２０２
ａに対応する短冊状の第１の結合電極本体２６６ａと、
一端がアース電極２４４に接続され、かつ、前記入力側
の共振素子２０２ａの開放端側と対向する第２の内層ア
ース電極２６８が形成されている。

【０１６０】前記第５の誘電体層２１４の右側に位置す
る第６の誘電体層２１６の一主面には、第２のスルーホ
ール２７０を通じて入力用電極２６２に接続され、か
つ、前記第１の結合電極本体２６６ａと容量結合される
入力側調整電極２７２が形成されている。

【０１６１】一方、前記第１０の誘電体層２２６の右側
に位置する第１１の誘電体層２２８の一主面には、第３
のスルーホール２７４を通じて出力端子２５０に接続さ
れ、かつ、前記出力側の共振素子２０２ｂと容量結合さ
れる出力用電極２７６と、一端がアース電極２４４に接
続され、かつ、前記出力側の共振素子２０２ｂの開放端
側と対向する第３の内層アース電極２７８が形成されて
いる。

【０１６２】また、前記第１０の誘電体層２２６の左側
に位置する第９の誘電体層２２４の一主面には、アース
電極２４４、入力端子２４６及び出力端子２５０に対し
て電位的にフローティング状態とされ、出力側の共振素
子２０２ｂに対応する短冊状の第２の結合電極本体２６
６ｂと、一端がアース電極２４４に接続され、かつ、前
記出力側の共振素子２０２ｂの開放端側と対向する第４
の内層アース電極２８０が形成されている。

【０１６３】前記第１の結合電極本体２６６ａと第２の
結合電極本体２６６ｂは第４のスルーホール２６６ｃを
通じて互いに電気的に接続され、これら第１の結合電極
本体２６６ａ、第２の結合電極本体２６６ｂ及び第４の
スルーホール２６６ｃにて結合調整電極２６６が構成さ
れる。

【０１６４】前記第９の誘電体層２２４の左側に位置す
る第８の誘電体層２２２の一主面には、第５のスルーホ
ール２８２を通じて出力用電極２７６に接続され、か
つ、前記第２の結合電極本体２６６ｂと容量結合される
出力側調整電極２８４が形成されている。

【０１６５】第１１の実施の形態に係るフィルタ１０Ｋ
は、基本的には以上のように構成されるものであるが、
ここで、各電極の電気的な結合について図４０〜図４３
を参照しながら説明する。

【０１６６】まず、図４０及び図４１に示すように、入
力側の共振素子２０２ａの開放端と第１及び第２の内層
アース電極２６４及び２６８との間、並びに出力側の共
振素子２０２ｂの開放端と第３及び第４の内層アース電
極２７８及び２８０との間にはそれぞれ静電容量Ｃ₂₀₀
及びＣ₂₀₁ 並びにＣ₂₀₂ 及びＣ₂₀₃ が形成されている。

【０１６７】また、図４０及び図４２に示すように、前
記入力側の共振素子２０２ａと入力用電極２６２との
間、並びに出力側の共振素子２０２ｂと出力用電極２７
６との間にはそれぞれ静電容量Ｃ₂₀₄ 並びにＣ₂₀₅ が形
成され、前記入力側の共振素子２０２ａと第１の結合電
極本体２６６ａとの間、並びに出力側の共振素子２０２
ｂと第２の結合電極本体２６６ｂとの間にはそれぞれ静
電容量Ｃ₂₀₆ 並びにＣ_{20 7} が形成されている。

【０１６８】また、前記入力側の共振素子２０２ａと出
力側の共振素子２０２ｂ同士は互いに誘導結合され、こ
れにより、等価回路上では、インダクタンスＬ₃₀（図４
３参照）が挿入されたかたちとなる。

【０１６９】更に、前記入力側調整電極２７２と第１の
結合電極本体２６６ａとの間、並びに前記出力側調整電
極２８４と第２の結合電極本体２６６ｂとの間にはそれ
ぞれ静電容量Ｃ₂₁₀ 並びにＣ₂₁₁ が形成されている。

【０１７０】従って、第１１の実施の形態に係るフィル
タ１０Ｋの等価回路は、図４３に示すようになり、バン
ドパスフィルタを構成することとなる。なお、図４３に
おいて、静電容量Ｃ₂₁₂ 及びインダクタンスＬ₃₁はそれ
ぞれ入力側の共振素子２０２ａを等価変換したときの静
電容量及びインダクタンスであり、静電容量Ｃ₂₁₃ 及び
インダクタンスＬ₃₂はそれぞれ出力側の共振素子２０２
ｂを等価変換したときの静電容量及びインダクタンスで
ある。

【０１７１】このように、第１１の実施の形態に係るフ
ィルタ１０Ｋにおいては、第６の誘電体層２１６の一主
面から第８の誘電体層２２２の一主面にかけて第１の結
合電極本体２６６ａ、第２の結合電極本体２６６ｂ及び
第４のスルーホール２６６ｃからなる結合調整電極２６
６を形成するようにしたので、第１の結合電極本体２６
６ａと入力側の共振素子２０２ａとの間、並びに第２の
結合電極本体２６６ｂと出力側の共振素子２０２ｂとの
間にそれぞれ静電容量Ｃ₂₀₆ 及びＣ₂₀₇ が形成される。
等価回路的には、図４３に示すように、これら静電容量
Ｃ₂₀₆ 及びＣ_{20 7} の合成容量が前記入力側の共振素子２
０２ａと出力側の共振素子２０２ｂとの間に形成される
インダクタンスＬ₃₀と並列に接続されたかたちになるた
め、前記容量Ｃ₂₀₆ 及びＣ₂₀₇ によって前記誘導結合度
を調整することができ、所望の帯域幅を有するフィルタ
１０Ｋを得ることができる。

【０１７２】前記容量Ｃ₂₀₆ 及びＣ₂₀₇ の調整は、入力
側の共振素子２０２ａと第１の結合電極本体２６６ａと
の重なり面積及びこれらの間の距離並びに出力側の共振
素子２０２ｂと第２の結合電極本体２６６ｂとの重なり
面積及びこれらの間の距離を変化させることによって容
易に行うことができる。

【０１７３】また、図４０及び図４２に示すように、こ
の第１１の実施の形態に係るフィルタ１０Ｋにおいて
は、入力側調整電極２７２と第１の結合電極本体２６６
ａとの間、並びに出力側調整電極２８４と第２の結合電
極本体２６６ｂとの間にそれぞれ静電容量Ｃ₂₁₀ 及びＣ
₂₁₁ が形成され、等価回路的には、図４３に示すよう
に、入力側の共振素子２０２ａの前段と後段とを結合す
る飛び越し容量Ｃ₂₁₀ と、出力側の共振素子２０２ｂの
前段と後段とを結合する飛び越し容量Ｃ₂₁₁ が形成され
たかたちとなるため、これらの飛び越し容量Ｃ₂₁₀ 及び
Ｃ₂₁₁ を調整することによって、各共振素子２０２ａ及
び２０２ｂ間のインダクタンスＬ₃₀を変化させることな
く、減衰ピークの位置を更に細かく調整することがで
き、目的の周波数特性を有するフィルタ１０Ｋを容易に
得ることができる。

【０１７４】次に、第１２の実施の形態に係るフィルタ
１０Ｌについて図４４〜図４７を参照しながら説明す
る。なお、図３８と対応するものについては同符号を記
してその重複説明を省略する。

【０１７５】この第１２の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｌは、図４４に示すように、第１１の実施の形態に係
るフィルタ１０Ｋ（図３８参照）とほぼ同じ構成を有す
るが、以下の点で構成が異なる。 （１）第３の誘電体層２１０の一主面に、第１のスルー
ホール２６０を通じて入力端子２４６に接続され、か
つ、第１の結合電極本体２６６ａと容量結合される入力
側調整電極２７２が形成されている点。 （２）第４の誘電体層２１２の一主面に、第２のスルー
ホール２７０を通じて入力端子２４６に接続され、か
つ、前記入力側の共振素子２０２ａと容量結合される入
力用電極２６２と、一端がアース電極２４４に接続さ
れ、かつ、前記入力側の共振素子２０２ａの開放端側と
対向する第１の内層アース電極２６４と、アース電極２
４４、入力端子２４６及び出力端子２５０に対して電位
的にフローティング状態とされ、入力側の共振素子２０
２ａに対応する短冊状の第１の結合電極本体２６６ａが
形成されている点。 （３）第５の誘電体層２１４と第９の誘電体層２２４の
各一主面にそれぞれ入力側の共振素子２０２ａと出力側
の共振素子２０２ｂが形成されている点。 （４）第６の誘電体層２１６の一主面に、入力側の共振
素子２０２ａの開放端側と対向する第２の内層アース電
極２６８が形成され、第８の誘電体層２２２の一主面
に、出力側の共振素子２０２ｂの開放端側と対向する第
４の内層アース電極２８０が形成されている点。 （５）第１０の誘電体層２２６の一主面に、第３のスル
ーホール２７４を通じて出力端子２５０に接続され、か
つ、前記出力側の共振素子２０２ｂと容量結合される出
力用電極２７６と、一端がアース電極２４４に接続さ
れ、かつ、前記出力側の共振素子２０２ｂの開放端側と
対向する第３の内層アース電極２７８と、アース電極２
４４、入力端子２４６及び出力端子２５０に対して電位
的にフローティング状態とされ、出力側の共振素子２０
２ｂに対応する短冊状の第２の結合電極本体２６６ｂが
形成されている点。 （６）第１１の誘電体層２２８の一主面に、第５のスル
ーホール２８２を通じて出力端子２５０に接続され、か
つ、第２の結合電極本体２６６ｂと容量結合される出力
側調整電極２８４が形成されている点。

【０１７６】前記第１の結合電極本体２６６ａと第２の
結合電極本体２６６ｂは、第５の誘電体層〜第１０の誘
電体層２１４〜２２６を貫通する第４のスルーホール２
６６ｃを通じて互いに電気的に接続され、これら第１の
結合電極本体２６６ａ、第２の結合電極本体２６６ｂ及
び第４のスルーホール２６６ｃにて結合調整電極２６６
が構成される。

【０１７７】なお、共振素子２０２ａ及び２０２ｂの形
成面に対して直交する方向に切断した場合の横断面構成
を図４５に示し、第１のスルーホール２６０及び第３の
スルーホール２７４を縦断する方向に切断した場合の縦
断面構成を図４６に示し、第４のスルーホール２６６ｃ
を縦断する方向に切断した場合の縦断面構成を図４７に
示す。

【０１７８】この第１２の実施の形態に係るフィルタ１
０Ｌにおいても、図３８に示す第１１の実施の形態に係
るフィルタ１０Ｋと同様に、入力側調整電極２７２と第
１の結合電極本体２６６ａとの間、並びに出力側調整電
極２８４と第２の結合電極本体２６６ｂとの間にそれぞ
れ静電容量Ｃ₂₁₀ 及びＣ₂₁₁ が形成され、等価回路的に
は、図４３の場合と同様に、入力側の共振素子２０２ａ
の前段と後段とを結合する飛び越し容量Ｃ₂₁₀ と、出力
側の共振素子２０２ｂの前段と後段とを結合する飛び越
し容量Ｃ₂₁₁ が形成されたかたちとなるため、これらの
飛び越し容量Ｃ ₂₁₀ 及びＣ₂₁₁ を調整することによっ
て、各共振素子２０２ａ及び２０２ｂ間のインダクタン
スＬ₃₀を変化させることなく、減衰ピークの位置を更に
細かく調整することができ、目的の周波数特性を有する
フィルタ１０Ｌを容易に得ることができる。

【０１７９】なお、この発明に係る積層型誘電体フィル
タは、上述の実施の形態に限らず、この発明の要旨を逸
脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろん
である。

【０１８０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る積層
型誘電体フィルタによれば、同一の通過帯域特性の積層
型誘電体フィルタにおいて、共振素子間の距離を変化さ
せることなく、換言すれば、共振素子間の誘導結合を変
化させることなく、減衰ピークの位置を調整することが
でき、目的の特性を簡単に得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態に係るフィルタの構成を示す
分解斜視図である。

【図２】第１の実施の形態に係るフィルタの外観を示す
斜視図である。

【図３】第１の実施の形態に係るフィルタにおいて、第
３〜第８の誘電体層に形成された電極のパターンを示す
説明図である。

【図４】第１の実施の形態に係るフィルタにおいて、内
層アース電極の形成面に対して直交する方向に切断した
場合の構成を示す断面図である。

【図５】第１の実施の形態に係るフィルタにおいて、入
力側調整電極及び出力側調整電極の形成面に対して直交
する方向に切断した場合の構成を示す断面図である。

【図６】第１の実施の形態に係るフィルタを示す等価回
路図である。

【図７】比較例において、その結合調整電極を調整して
共振素子間の結合を誘導性にしたときの周波数特性を示
す図である。

【図８】第１の実施例において、その結合調整電極を調
整して共振素子間の結合を誘導性にしたときの周波数特
性を示す図である。

【図９】第２の実施例において、その結合調整電極を調
整して共振素子間の結合を誘導性にしたときの周波数特
性を示す図である。

【図１０】第２の実施の形態に係るフィルタの構成を示
す分解斜視図である。

【図１１】第２の実施の形態に係るフィルタにおいて、
入力側調整電極及び出力側調整電極の形成面に対して直
交する方向に切断した場合の構成を示す断面図である。

【図１２】第３の実施の形態に係るフィルタの構成を示
す分解斜視図である。

【図１３】第３の実施の形態に係るフィルタにおいて、
内層アース電極の形成面に対して直交する方向に切断し
た場合の構成を示す断面図である。

【図１４】第３の実施の形態に係るフィルタにおいて、
入力側調整電極及び出力側調整電極の形成面に対して直
交する方向に切断した場合の構成を示す断面図である。

【図１５】第３の実施の形態に係るフィルタを示す等価
回路図である。

【図１６】第４の実施の形態に係るフィルタの構成を示
す分解斜視図である。

【図１７】第４の実施の形態に係るフィルタにおいて、
入力側調整電極及び出力側調整電極の形成面に対して直
交する方向に切断した場合の構成を示す断面図である。

【図１８】第４の実施の形態に係るフィルタを示す等価
回路図である。

【図１９】第５の実施の形態に係るフィルタの構成を示
す分解斜視図である。

【図２０】第５の実施の形態に係るフィルタにおいて、
第３〜第８の誘電体層に形成された電極のパターンを示
す説明図である。

【図２１】第６の実施の形態に係るフィルタの構成を示
す分解斜視図である。

【図２２】第７の実施の形態に係るフィルタの構成を示
す分解斜視図である。

【図２３】第７の実施の形態に係るフィルタの外観を示
す斜視図である。

【図２４】第７の実施の形態に係るフィルタにおいて、
第３〜第６の誘電体層に形成された電極のパターンを示
す説明図である。

【図２５】第７の実施の形態に係るフィルタにおいて、
第６〜第９の誘電体層に形成された電極のパターンを示
す説明図である。

【図２６】第７の実施の形態に係るフィルタにおいて、
内層アース電極の形成面に対して直交する方向に切断し
た場合の構成を示す断面図である。

【図２７】第７の実施の形態に係るフィルタにおいて、
入力側調整電極及び出力側調整電極の形成面に対して直
交する方向に切断した場合の構成を示す断面図である。

【図２８】第７の実施の形態に係るフィルタを示す等価
回路図である。

【図２９】第８の実施の形態に係るフィルタの構成を示
す分解斜視図である。

【図３０】第８の実施の形態に係るフィルタにおいて、
入力側調整電極及び出力側調整電極の形成面に対して直
交する方向に切断した場合の構成を示す断面図である。

【図３１】第９の実施の形態に係るフィルタの構成を示
す分解斜視図である。

【図３２】第９の実施の形態に係るフィルタにおいて、
内層アース電極の形成面に対して直交する方向に切断し
た場合の構成を示す断面図である。

【図３３】第９の実施の形態に係るフィルタにおいて、
入力側調整電極及び出力側調整電極の形成面に対して直
交する方向に切断した場合の構成を示す断面図である。

【図３４】第９の実施の形態に係るフィルタを示す等価
回路図である。

【図３５】第１０の実施の形態に係るフィルタの構成を
示す分解斜視図である。

【図３６】第１０の実施の形態に係るフィルタにおい
て、内層アース電極の形成面に対して直交する方向に切
断した場合の構成を示す断面図である。

【図３７】第１０の実施の形態に係るフィルタにおい
て、入力側調整電極及び出力側調整電極の形成面に対し
て直交する方向に切断した場合の構成を示す断面図であ
る。

【図３８】第１１の実施の形態に係るフィルタの構成を
示す分解斜視図である。

【図３９】第１１の実施の形態に係るフィルタの外観を
示す斜視図である。

【図４０】第１１の実施の形態に係るフィルタにおい
て、共振素子の形成面に対して直交する方向に切断した
場合の構成を示す断面図である。

【図４１】第１１の実施の形態に係るフィルタにおい
て、第１〜第４の内層アース電極の形成面に対して直交
する方向に切断した場合の構成を示す縦断面図である。

【図４２】第１１の実施の形態に係るフィルタにおい
て、第１及び第５のスルーホールを縦断する方向に切断
した場合の構成を示す縦断面図である。

【図４３】第１１の実施の形態に係るフィルタを示す等
価回路図である。

【図４４】第１２の実施の形態に係るフィルタの構成を
示す分解斜視図である。

【図４５】第１２の実施の形態に係るフィルタにおい
て、共振素子の形成面に対して直交する方向に切断した
場合の構成を示す横断面図である。

【図４６】第１２の実施の形態に係るフィルタにおい
て、第１及び第５のスルーホールを縦断する方向に切断
した場合の構成を示す縦断面図である。

【図４７】第１２の実施の形態に係るフィルタにおい
て、第４のスルーホールを縦断する方向に切断した場合
の構成を示す縦断面図である。

【符号の説明】

１０Ａ〜１０Ｌ…フィルタ １２…積層体 １４ａ…入力側の共振素子 １４ｂ…出力側の
共振素子 ４０…入力端子部 ４２…出力端子部 ４４…アース電極 ４６…入力端子 ５０…出力端子 ６０…入力用電極 ６２…出力用電極 ６４ａ…第１の内
層アース電極 ６４ｂ…第２の内層アース電極 ６６…入力側調整
電極 ６８…出力側調整電極 ７０…結合調整電
極 ７２ａ…第１の内層アース電極 ７２ｂ…第２の内
層アース電極 ８４ａ、８４ｂ…共振素子 ９０…結合調整電
極 ９２…入力側調整電極 ９４…出力側調整
電極 １００…積層体 １０２ａ〜１０２
ｃ…共振素子 １３０…入力用電極 １３２…結合調整
電極 １３４…出力側調整電極 １３６ａ〜１３６ｃ…第１〜第３の内層アース電極 １３８…出力用電極 １４０…結合調整
電極 １４２…入力側調整電極 １４４ａ〜１４４ｃ…第１〜第３の内層アース電極 １６２ａ〜１６２ｃ…共振素子 １６４ａ〜１６４ｃ…第１〜第３の内層アース電極 １６６ａ〜１６６ｃ…第１〜第３の内層アース電極 １７０ａ〜１７０ｃ…下側の３本の共振素子 ２００…積層体 ２０２ａ、２０２
ｂ…共振素子 ２６２…入力用電極 ２６４…第１の内
層アース電極 ２６６…結合調整電極 ２６８…第２の内
層アース電極 ２７２…入力側調整電極 ２７６…出力用電
極 ２７８…第３の内層アース電極 ２８０…第４の内
層アース電極 ２８４…出力側調整電極 Ｃ₁₁、Ｃ₁₂…飛び
越し容量 Ｃ₄₇、Ｃ₄₈…飛び越し容量

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】外周面に入力端子、出力端子及びアース電
   極が形成された誘電体層と、 前記誘電体層内に設けられた複数の片側短絡型の共振素
   子と、 前記誘電体層内であって、前記複数の共振素子のうち、
   入力側の共振素子と別の共振素子との間に設けられ、こ
   れら共振素子に対して容量結合された結合調整電極と、 前記入力端子に接続され、少なくとも該入力端子と前記
   結合調整電極間に容量を形成するための調整電極とを有
   することを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
2. 【請求項２】請求項１記載の積層型誘電体フィルタにお
   いて、 前記入力端子に接続され、前記入力側の共振素子と容量
   結合される入力用電極が前記誘電体層内に設けられてい
   ることを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
3. 【請求項３】請求項１又は２記載の積層型誘電体フィル
   タにおいて、 前記誘電体層内であって、前記複数の共振素子のうち、
   出力側の共振素子と別の共振素子との間に設けられ、こ
   れら共振素子に対して容量結合された結合調整電極と、 前記出力端子に接続され、少なくとも該出力端子と前記
   結合調整電極間に容量を形成するための電極とを有する
   ことを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
4. 【請求項４】請求項３記載の積層型誘電体フィルタにお
   いて、 前記出力端子に接続され、前記出力側の共振素子と容量
   結合される出力用電極が前記誘電体層内に設けられてい
   ることを特徴とする積層型誘電体フィルタ。
5. 【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層
   型誘電体フィルタにおいて、 前記アース電極と接続され、前記共振素子の開放端側と
   対向する内層アース電極が前記誘電体層内に設けられて
   いることを特徴とする積層型誘電体フィルタ。