JPH11284328A - Solder reflow method and apparatus - Google Patents

Solder reflow method and apparatus

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JPH11284328A
JPH11284328A JP8225698A JP8225698A JPH11284328A JP H11284328 A JPH11284328 A JP H11284328A JP 8225698 A JP8225698 A JP 8225698A JP 8225698 A JP8225698 A JP 8225698A JP H11284328 A JPH11284328 A JP H11284328A
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潤一郎 吉江
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the heat influence on a BGA substrate by irradiating parallel heat beams on the substrate with a plurality of solder balls disposed thereon, using a plane heat type light heater to weld and connect the plurality of solder balls to solder ball set positions on the substrate. SOLUTION: A first and second plane heat type light heaters 101, 102 constitute a solder reflow apparatus, the first plane heat type light heater 101 has a first light source 103 capable of the plane heating within an irradiation range and can change the heating condition by changing the tilt angle, using a first angle adjuster 105, the first plane heat type light heating heater 101 can change the heating condition by changing the tilt angle, using a second angle adjuster 106, a substrate position detecting sensor detects the substrate carried by a substrate carrier mechanism to control the outputs of the light sources 103, 104 to fuse and connect solder balls. Thus it is possible to suppress the heat influence on the BGA substrate.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ハンダリフロー方
法及びハンダリフロー装置に関する。
[0001] The present invention relates to a solder reflow method and a solder reflow apparatus.

【0002】[0002]

【背景技術】電子機器が小型化、軽量化、多機能化され
るのに伴い、それに使用する電子部品も同様に、小型
化、軽量化、多機能化されてきている。そのため、特
に、BGA(Ball Grid Arrei)パッケ
ージや、フリップチップ接合を用いた半導体装置等の高
密度実装が開発されている。
2. Description of the Related Art As electronic devices have become smaller, lighter, and more multifunctional, electronic components used therein have also become smaller, lighter, and multifunctional. For this reason, in particular, high-density mounting of a BGA (Ball Grid Array) package, a semiconductor device using flip chip bonding, and the like has been developed.

【0003】BGAパッケージは、プリント配線基板
や、窒化アルミニウム等の高熱伝導性セラミックス更に
は、ポリイミド樹脂等の高耐熱樹脂等を用いた、基板や
パッケージ基材の入出力部分に、半田ボールや、はんだ
メッキを施した銅ボール等で形成されたバンブを配置
し、これを溶融してパッケージの入出力部を配線基板の
端子に接続することを特徴とするものである。このよう
な技術の出現により、BGAパッケージは、QFP(Q
uad Flat Package)を用いてプリント
配線基板に接続するのに比較して、小型化、高集積化が
容易に可能となる優れたパッケージである。
A BGA package uses a printed wiring board, a high heat conductive ceramic such as aluminum nitride, and a high heat resistant resin such as a polyimide resin. A bump formed of a solder-plated copper ball or the like is arranged, and is melted to connect an input / output unit of a package to a terminal of a wiring board. With the advent of such technology, BGA packages have become QFP (Q
This is an excellent package that can be easily reduced in size and highly integrated, as compared with connecting to a printed wiring board by using a flat board (uad Flat Package).

【0004】上記のごときBGAパッケージの作成に
は、基板へのバンプ形成が重要な作業となる。一般にB
GA基板を作成するために、基板へのバンプ形成は、例
えば、特開平9−82713号公報の従来の技術に開示
されているように、ハンダボールをヘッドに保持してワ
ークの電極上に搭載した後、ワークを加熱炉で加熱して
ハンダボールを溶融個化させ電極上にバンプ(突出電
極)を形成する。
[0004] In the production of the BGA package as described above, formation of bumps on a substrate is an important operation. Generally B
In order to form a GA substrate, bumps are formed on the substrate by, for example, holding a solder ball on a head and mounting it on a work electrode, as disclosed in the prior art of Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-82713. After that, the work is heated in a heating furnace to melt and separate the solder balls to form bumps (protruding electrodes) on the electrodes.

【0005】さらに詳述すると、従来BGA基板のバン
プ形成は、BGA基板のバンプ形成箇所に、フラックス
を塗布し、その上にハンダ粒子を整列載置し、フラック
スの粘性を利用して仮固定する、次にハンダボールが搭
載されたBGA基板はリフロー炉に搬送される。リフロ
ー炉ではハンダ粒子を溶融しBGA基板にバンプを形成
する。
More specifically, in the bump formation of a conventional BGA substrate, a flux is applied to a bump formation portion of a BGA substrate, solder particles are aligned and mounted thereon, and temporarily fixed by utilizing the viscosity of the flux. Next, the BGA substrate on which the solder balls are mounted is transferred to a reflow furnace. In the reflow furnace, the solder particles are melted to form bumps on the BGA substrate.

【0006】バンプ形成装置には、基板取り出し装置、
フラックス塗布装置、ハンダ粒子整列搭載装置、リフロ
ー炉などが設置されている。
The bump forming apparatus includes a substrate take-out apparatus,
A flux coating device, a solder particle aligning and mounting device, a reflow furnace, and the like are installed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】BGA用基板に載置さ
れるハンダ粒子を、溶融固化するためのリフロー炉は、
バンプ形成装置の中でも、フラックス塗布装置、半田粒
子整列搭載装置等と比較したときに、大型となってしま
う。バンプ形成装置に占めるリフロー装置の占有面積
を、いかに減少させるかが生産工場への設備配置の上か
らの大きな課題であった。
SUMMARY OF THE INVENTION A reflow furnace for melting and solidifying solder particles placed on a BGA substrate is described below.
Among the bump forming apparatuses, when compared to a flux coating apparatus, a solder particle aligning and mounting apparatus, and the like, the size becomes large. How to reduce the area occupied by the reflow apparatus in the bump forming apparatus has been a major issue from the viewpoint of the arrangement of the equipment in the production factory.

【0008】また、BGA用基板に載置されるハンダ粒
子を、溶融固化するためには、リフロー炉の長い炉内を
BGA用基板が通過しなければならないため、BGA用
基板への熱影響が大きく、BGA用基板が機能劣化を起
したり、不良となってしまう等の課題があった。
[0008] Further, in order to melt and solidify the solder particles placed on the BGA substrate, the BGA substrate must pass through a long furnace of the reflow furnace. There is a problem that the BGA substrate deteriorates in function or becomes defective.

【0009】さらに、リフロー炉の炉内を加熱するため
には、大きなエネルギを必要とするため、使用エネルギ
をいかに抑制するかも大きな課題であった。
Further, since a large amount of energy is required to heat the inside of the reflow furnace, it is also a major problem how to suppress the energy used.

【0010】そこで本発明は、装置の小型化が容易で、
ハンダ粒子を溶融固化するときのBGA用基板への熱影
響を抑えることが可能であり、さらに、効率的な加熱が
可能となるハンダリフロー方法及びハンダリフロー装置
を提供することを目的とする。
Therefore, the present invention makes it easy to reduce the size of the device.
It is an object of the present invention to provide a solder reflow method and a solder reflow device that can suppress the thermal influence on the BGA substrate when the solder particles are melted and solidified, and that can perform efficient heating.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1記載のハンダリ
フロー方法は、複数のハンダボールが配置された基板に
面加熱型光加熱ヒータを用いて熱光線を平行照射するこ
とによって、前記基板のハンダボール配置位置に前記複
数のハンダボールを溶融接続させるハンダボール溶融接
続工程を有することを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a solder reflow method, wherein a substrate on which a plurality of solder balls are arranged is irradiated with a heat beam in parallel by using a surface heating type light heater, whereby the substrate is reflowed. A solder ball fusion connection step of melting and connecting the plurality of solder balls to a solder ball arrangement position.

【0012】ここで、基板とは、ガラスエポキシ、有機
プラスチックのフイルムまたはシートまたはアルミナ、
炭化珪素等のセラミックス類、シリコン等の材料を用い
て形成された配線基板である。
Here, the substrate is glass epoxy, organic plastic film or sheet or alumina,
The wiring board is formed using ceramics such as silicon carbide and a material such as silicon.

【0013】また、面加熱型光加熱ヒータとは、加熱用
光源から放射された熱光線を反射し平行照射させる反射
鏡を有する面加熱型光加熱ヒータあるいは、加熱用光源
から放射された熱光線を、レンズを用いて光軸を変化さ
せ、平行照射させる面加熱型光加熱ヒータまたは、加熱
用光源から放射された熱光線を反射する反射鏡と、レン
ズを用いて光軸を変化させ、平行照射させる面加熱型光
加熱ヒータである。
A surface heating type light heater is a surface heating type light heater having a reflecting mirror for reflecting and irradiating a heat ray emitted from a heating light source in parallel, or a heat ray emitted from the heating light source. A surface heating type light heater that changes the optical axis using a lens and performs parallel irradiation, or a reflecting mirror that reflects heat rays emitted from a heating light source, and a lens that changes the optical axis and uses This is a surface heating type light heater to be irradiated.

【0014】さらに、平行照射するとは、光源各点から
出発する光を幾何光学的に扱うときに、反射鏡または、
レンズ等を通過した各光線を平行光線又は略平行光線と
して照射することである。
Further, the parallel irradiation means that when the light starting from each point of the light source is treated geometrically, a reflecting mirror or
Irradiating each light beam that has passed through a lens or the like as a parallel light beam or a substantially parallel light beam.

【0015】また、溶融接続させるとは、ハンダ溶融温
度温度を確保して、ハンダボールが加熱され、ハンダボ
ールのハンダが、ハンダボール配置位置に固着し、ハン
ダボールとハンダボール配置位置の電極とを電気的、機
械的に接続させることである。
[0015] The term "fusion connection" means that the solder ball is heated while the solder melting temperature is maintained, the solder of the solder ball is fixed at the solder ball arrangement position, and the solder ball and the electrode at the solder ball arrangement position are connected to each other. Are electrically and mechanically connected to each other.

【0016】上記説明したヒータを用いてBGA用基板
のボール載置面を熱光線により面照射することで、照射
された熱光線によりBGA基板は加熱され、ハンダボー
ルも加熱することができる。
By irradiating the ball mounting surface of the BGA substrate with a heat beam using the heater described above, the BGA substrate is heated by the irradiated heat beam and the solder balls can also be heated.

【0017】照射した熱光線によりBGA基板上に搭載
された該複数のハンダボールが、溶融温度に達すること
により、BGA基板のハンダボール配置位置に、ハンダ
ボールは溶融接続し、BGA基板に突起電極が形成され
る。
When the plurality of solder balls mounted on the BGA substrate reach the melting temperature by the radiated heat rays, the solder balls are melt-connected to the positions of the solder balls on the BGA substrate, and the bump electrodes are connected to the BGA substrate. Is formed.

【0018】その結果、本発明のハンダリフロー方法に
よれば、ハンダリフロー装置の小型化を容易にし、ハン
ダボールを溶融固化するときのBGA用基板への熱影響
を抑えることが可能となり、且つ効率的な加熱を可能に
する。
As a result, according to the solder reflow method of the present invention, it is possible to easily reduce the size of the solder reflow device, to suppress the thermal effect on the BGA substrate when the solder balls are melted and solidified, and to improve the efficiency. Enables effective heating.

【0019】請求項2のハンダリフロー方法は、請求項
1記載のハンダリフロー装置において、前記面加熱型光
加熱ヒータの平行照射された熱光線に対して前記基板を
直角に配置した状態で前記ハンダボール溶融接続工程を
実施することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the solder reflow apparatus according to the first aspect, wherein the substrate is disposed at a right angle to a heat beam irradiated in parallel by the surface heating type light heater. A ball fusion connection step is performed.

【0020】ここで、直角とは、光源各点から出発する
光を幾何光学的に扱うときに、反射鏡または、レンズ等
を通過した各光線が平行光線となって、照射される。こ
の平行光線に対して、基板の受光面を直角に配置するこ
とであり、直角としたのは、平行光線に直角に基板を配
置することにより、基板の受光範囲において、均一な光
エネルギを受けることが可能となり、よって均一な加熱
が可能となるためである。
Here, the term "perpendicular" means that when the light starting from each point of the light source is treated geometrically, each light beam that has passed through a reflecting mirror or a lens becomes a parallel light beam. The light receiving surface of the substrate is disposed at a right angle to the parallel light beam. The reason for making the right angle is that the light receiving area of the substrate receives uniform light energy by arranging the substrate at a right angle to the parallel light beam. This makes it possible to perform uniform heating.

【0021】配置される面加熱型光加熱ヒータは、加熱
用光源から放射された熱光線を反射し平行照射させる反
射鏡を有する構造のヒータであり、先述した平行光線と
直角方向に基板を載置することにより、照射範囲内に載
置されるBGA基板のボール載置面は、熱光線による加
熱温度ばらつきを抑えることが可能となり、BGA基板
への均質な突起電極の形成が可能となる。
The surface heating type light heater arranged is a heater having a reflecting mirror for reflecting and parallelly irradiating a heat ray radiated from the heating light source, and mounts the substrate in a direction perpendicular to the above-mentioned parallel ray. With this arrangement, the ball mounting surface of the BGA substrate placed in the irradiation range can suppress the variation in the heating temperature due to the heat rays, and the uniform bump electrodes can be formed on the BGA substrate.

【0022】請求項3のハンダリフロー方法は、請求項
1に記載のハンダリフロー方法において、前記面加熱型
光加熱ヒータの平行照射された熱光線に対して前記基板
を斜めに配置した状態で前記ハンダボール溶融接続工程
を実施することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the solder reflow method according to the first aspect, wherein the substrate is disposed obliquely with respect to the parallel-irradiated heat ray of the surface heating type light heater. A solder ball fusion connection step is performed.

【0023】ここで、斜めに配置とは、光源各点から出
発する光を幾何光学的に扱うときに、反射鏡または、レ
ンズ等を通過した各光線が平行光線となって照射され
る。この平行光線に対して、基板の受光面を斜めに配置
することであり、斜めに配置することとしたのは、平行
光線に対して斜めに基板を配置することにより、基板の
受光範囲において、光源からの距離を変化させることが
可能となり、光源各点より出発した光線の基板上に到達
までの距離が近いほど、強い光エネルギを得ることが可
能となり、光源各点より出発した光線の基板上に到達ま
での距離が遠いほど、弱い光エネルギを得ることとな
る。よって平行光線に対して斜めに基板を配置すること
で、光源からの光線到達距離を変えることが可能とな
り、基板の加熱温度を受光面内で変化させることが可能
となるためである。
Here, the oblique arrangement means that when light starting from each point of the light source is treated geometrically, each light beam that has passed through a reflecting mirror, a lens, or the like is emitted as parallel light beams. The light receiving surface of the substrate is obliquely arranged with respect to the parallel light, and the oblique arrangement is performed by arranging the substrate obliquely with respect to the parallel light so that the light receiving range of the substrate is It is possible to change the distance from the light source, and the closer the distance of the light beam starting from each point of the light source to reaching the substrate is, the stronger the light energy can be obtained. The farther the distance is, the lower the light energy is obtained. Therefore, by arranging the substrate obliquely with respect to the parallel light beam, it is possible to change the light reaching distance from the light source, and to change the heating temperature of the substrate within the light receiving surface.

【0024】請求項4のハンダリフロー方法は、請求項
1乃至請求項3のいずれかに記載のハンダリフロー方法
において、該基板を移動させながら前記ハンダボール溶
融接続工程を実施することを特徴とする。
A solder reflow method according to a fourth aspect of the present invention is the solder reflow method according to any one of the first to third aspects, wherein the solder ball fusion connection step is performed while moving the substrate. .

【0025】移動とは基板の照射範囲を相対的に移動さ
せることをさし、基板の受光範囲において、光源からの
距離が変化する場合には、光源からの距離の変化方向
に、基板を移動することが望ましい。
The term “movement” refers to relatively moving the irradiation range of the substrate. When the distance from the light source changes in the light receiving range of the substrate, the substrate is moved in the direction of the change in the distance from the light source. It is desirable to do.

【0026】面加熱型光加熱ヒータから基板までの距離
を変化させた照射範囲を、基板が移動することにより、
BGA基板のボール載置面は、熱光線により、徐々に与
熱され基板面に温度差をつけ、ハンダボール配置位置
に、溶融接続することが可能となる。
By moving the substrate in an irradiation range in which the distance from the surface heating type light heater to the substrate is changed,
The ball mounting surface of the BGA substrate is gradually heated by a heat ray to give a temperature difference to the substrate surface, and it is possible to perform a fusion connection at a solder ball arrangement position.

【0027】さらに、傾斜方向を逆転することにより、
急激にハンダボールを溶融し基板を除冷することも可能
となる。
Further, by reversing the inclination direction,
It is also possible to rapidly melt the solder balls and cool the substrate.

【0028】請求項5記載の半田リフロー装置は、熱光
線を平行照射することができる面加熱型光加熱ヒータ
と、この面加熱型光加熱ヒータを保持するための面加熱
型光加熱ヒータ保持部と、ハンダボールが配置された基
板を載置するための基板載置部と、を有することを特徴
とする。
According to a fifth aspect of the present invention, in the solder reflow apparatus, a surface heating type light heater capable of irradiating heat rays in parallel, and a surface heating type light heater holding portion for holding the surface heating type light heater. And a substrate mounting portion for mounting the substrate on which the solder balls are arranged.

【0029】半田リフロー装置は、BGA基板搬送機構
と、BGA搬送機構と継接する基板載置部と、基板載置
部と対向して、面型加熱ヒータが配置される。
In the solder reflow apparatus, a BGA substrate transfer mechanism, a substrate mounting portion connected to the BGA transfer mechanism, and a surface heater are arranged opposite to the substrate mounting portion.

【0030】半田リフロー装置は複数のハンダボールが
搭載された基板を基板載置部の基板載置範囲に載置する
ことで、予め設定した、加熱用光源から放射された熱光
線を反射し平行照射させる反射鏡を有する面加熱型光加
熱ヒータの加熱範囲内に載置されることとなり、熱光線
により前記基板上に搭載された複数のハンダボールを、
基板のハンダボール配置位置に、溶融接続することが可
能となる。
The solder reflow device mounts a substrate on which a plurality of solder balls are mounted in a substrate mounting range of the substrate mounting portion, thereby reflecting a predetermined heat ray radiated from a heating light source to be parallelized. A plurality of solder balls mounted on the substrate by heat rays will be placed within the heating range of the surface heating type light heater having a reflecting mirror to be irradiated,
It becomes possible to perform a fusion connection to the solder ball arrangement position of the substrate.

【0031】請求項6記載の半田リフロー装置は、請求
項5記載のハンダリフロー装置において、前記基板を搬
送するための搬送機構と、前記基板載置部の基板載置範
囲に前記基板を位置決めする位置決め機構と、をさらに
有することを特徴とする。
According to a sixth aspect of the present invention, in the solder reflow apparatus according to the fifth aspect, a transport mechanism for transporting the substrate and positioning the substrate in a substrate mounting range of the substrate mounting portion. And a positioning mechanism.

【0032】半田リフロー装置は複数のハンダボールが
搭載された基板の搬送機構により、基板載置部に搬送さ
れ、基板載置部の基板載置範囲に載置することで、予め
設定した、加熱用光源から放射された熱光線を反射し平
行照射させる反射鏡を有する面加熱型光加熱ヒータの加
熱範囲内に載置されることとなり、熱光線により前記基
板上に搭載された複数のハンダボールを、基板のハンダ
ボール配置位置に、溶融接続することが可能となる。複
数のハンダボールを溶融接続した基板は搬送機構によ
り、基板載置部より排出され、検査装置や、基板ストッ
ク装置等に搬送される。
The solder reflow device is transported to a substrate mounting portion by a substrate transport mechanism on which a plurality of solder balls are mounted, and is mounted on a substrate mounting area of the substrate mounting portion, thereby setting a predetermined heating. And a plurality of solder balls mounted on the substrate by the heat beam, which are placed within a heating range of a surface heating type light heater having a reflecting mirror for reflecting and irradiating the heat beam emitted from the light source for parallel irradiation. Can be melt-connected to the solder ball arrangement position of the substrate. The substrate in which a plurality of solder balls are connected by fusion is discharged from the substrate mounting portion by a transport mechanism, and transported to an inspection device, a substrate stock device, or the like.

【0033】請求項7記載の半田リフロー装置は、請求
項5記載のハンダリフロー装置において、前記面加熱型
光加熱ヒータ保持部に、面加熱型光加熱ヒータの傾斜角
度を調整するための機能を有することを特徴とする。
According to a seventh aspect of the present invention, in the solder reflow apparatus according to the fifth aspect, the surface heating type light heater holding portion has a function for adjusting an inclination angle of the surface heating type light heater. It is characterized by having.

【0034】面加熱型光加熱ヒータ保持部に、傾斜角度
調整機能を有することで、面加熱ヒータと、基板に、傾
斜角度を付与することにより、基板上の照射範囲に温度
差が生じさせることが可能となる。生じた温度差が、基
板の移動方向に生じさせるように、傾斜角度調整機能を
配置することで、基板までの距離を変化させた照射範囲
を、基板が移動することにより、BGA基板のボール載
置面は、熱光線により、徐々に与熱され基板面に温度差
をつけ、ハンダボール配置位置に、溶融接続することが
可能となる。
By providing the surface heating type light heater holding portion with an inclination angle adjusting function, by applying an inclination angle to the surface heater and the substrate, a temperature difference is caused in an irradiation range on the substrate. Becomes possible. The tilt angle adjustment function is arranged so that the generated temperature difference is caused in the moving direction of the substrate, so that the irradiation range in which the distance to the substrate is changed is moved by the substrate, and the ball mounting of the BGA substrate is performed. The mounting surface is gradually heated by the heat ray to give a temperature difference to the substrate surface, and it is possible to perform a fusion connection at a solder ball arrangement position.

【0035】さらに、傾斜方向を逆転することにより、
急激にハンダボールを溶融し基板を除冷することも可能
となる。
Further, by reversing the inclination direction,
It is also possible to rapidly melt the solder balls and cool the substrate.

【0036】請求項8記載の半田リフロー装置は、請求
項5乃至請求項7のいずれかに記載のハンダリフロー装
置において、前記面加熱型光加熱ヒータはライン型であ
ることを特徴とする。
According to an eighth aspect of the present invention, in the solder reflow apparatus according to any one of the fifth to seventh aspects, the surface heating type light heater is a line type.

【0037】面加熱型光加熱ヒータは加熱用光源から放
射された熱光線を反射し平行照射させる反射鏡を有する
面加熱型光加熱ヒータであり、BGA基板の幅よりも大
きな幅を有するライン型の反射鏡と、ライン型の発光部
を有することで、基板上に搭載された複数のハンダボー
ルを、基板のハンダボール配置位置に、溶融接続するこ
とが可能となる。
The surface heating type optical heater is a surface heating type optical heater having a reflecting mirror for reflecting and irradiating a heat ray emitted from a heating light source in parallel, and is a line type having a width larger than the width of the BGA substrate. And a line-type light-emitting portion, it is possible to melt-connect a plurality of solder balls mounted on the substrate to the positions of the solder balls on the substrate.

【0038】請求項9記載の半田リフロー装置は、請求
項5乃至請求項8のいずれかに記載のハンダリフロー装
置において、前記加熱用光源は、近赤外光線、赤外線等
の熱光線を放射するヒータであることを特徴とする。
According to a ninth aspect of the present invention, in the solder reflow apparatus according to any one of the fifth to eighth aspects, the heating light source emits a heat ray such as a near infrared ray or an infrared ray. It is a heater.

【0039】面加熱型光加熱ヒータは加熱用光源から放
射された熱光線を反射し平行照射させる反射鏡を有する
面加熱型光加熱ヒータであり、加熱用光源から放射され
る熱光線は、近赤外光線、赤外線等の熱光線が用いられ
る。好ましくは、近赤外線により加熱可能な、ハロゲン
光線を発生するヒータが好ましい。
The surface heating type light heater is a surface heating type light heater having a reflecting mirror for reflecting and parallelly irradiating the heat light emitted from the heating light source. Heat rays such as infrared rays and infrared rays are used. Preferably, a heater that can be heated by near infrared rays and generates a halogen beam is preferable.

【0040】以上述べたごとく本発明によれば、少ない
スペースで、同等の品質を有するBGA基板を得る事が
可能となり、更に加熱範囲をリフロー炉を用いる方法と
比較して抑える事が可能となる為、使用エネルギーを抑
制することができるという効果を有する。
As described above, according to the present invention, a BGA substrate having the same quality can be obtained in a small space, and the heating range can be suppressed as compared with the method using a reflow furnace. Therefore, there is an effect that the energy used can be suppressed.

【0041】[0041]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例について図
面に基づいて説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0042】図1は実施例のハンダリフロー方法によっ
て製造されるBGA基板の説明面図であり、(a)はB
GA基板の断面図、(b)はBGA基板の平面図であ
る。このBGA基板10は、BGA用基板1、半導体チ
ップ3、ワイヤ4、封止樹脂部5及び複数のハンダボー
ル配置位置2を有している。
FIG. 1 is an explanatory view of a BGA substrate manufactured by the solder reflow method of the embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view of a GA substrate, and FIG. 2B is a plan view of a BGA substrate. The BGA substrate 10 has a BGA substrate 1, a semiconductor chip 3, wires 4, a sealing resin portion 5, and a plurality of solder ball arrangement positions 2.

【0043】BGA基板10は、BGA用基板1に半導
体チップ3を搭載し、半導体チップ3の電極9と、BG
A用基板1の接続部6とを、ワイヤ4により継接しスル
ーホール8等によりBGA用基板1の表面のハンダボー
ル配置位置2と接続する。半導体チップ3と、ワイヤ4
と、接続部6とは、封止樹脂によって封止し、封止樹脂
部5を形成する。ハンダボール配置位置2にはハンダボ
ール7を載置し、ハンダボール配置位置2と、ハンダボ
ール7とを熱により半田付することで、形成される。
The BGA substrate 10 has the semiconductor chip 3 mounted on the BGA substrate 1 and the electrodes 9 of the semiconductor chip 3 and the BG
The connection portion 6 of the A substrate 1 is connected with the wire 4 and connected to the solder ball arrangement position 2 on the surface of the BGA substrate 1 by a through hole 8 or the like. Semiconductor chip 3 and wire 4
And the connection part 6 are sealed with a sealing resin to form the sealing resin part 5. Solder balls 7 are placed at solder ball arrangement positions 2, and solder balls 7 are soldered to solder ball arrangement positions 2 by heat.

【0044】図2は実施例のハンダリフロー装置を説明
するための概略図である。ハンダリフロー装置100
は、第1の面加熱型光加熱ヒータ101、第2の面加熱
型光加熱ヒータ102、第1の光源103、第2の光源
104、第1の角度調整部105、第2の角度調整部1
06、第1の保持軸107、第1の位置調整機構10
9、第2の保持軸108、第2の位置調整機構110、
基板搬送機構111、第1のセンサ112、第2のセン
サ113、第3のセンサ114、より形成される。面加
熱型光加熱ヒータは、光源から放射された熱光線を反射
し平行照射させる反射鏡を有する面加熱型光加熱ヒータ
を用いた。
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining the solder reflow device of the embodiment. Solder reflow device 100
Are a first surface heating light heater 101, a second surface heating light heater 102, a first light source 103, a second light source 104, a first angle adjustment unit 105, and a second angle adjustment unit. 1
06, first holding shaft 107, first position adjusting mechanism 10
9, the second holding shaft 108, the second position adjusting mechanism 110,
It is formed of a substrate transport mechanism 111, a first sensor 112, a second sensor 113, and a third sensor 114. As the surface heating type light heater, a surface heating type light heater having a reflecting mirror for reflecting and parallelly irradiating the heat ray emitted from the light source was used.

【0045】また、第1の面加熱型光加熱ヒータ10
1、第2の面加熱型光加熱ヒータ102はそれぞれ、図
示しない出力調整機能により加熱出力の変更が可能とな
っている。
The first surface heating type light heater 10
Each of the first and second surface heating type light heaters 102 can change the heating output by an output adjustment function (not shown).

【0046】第1の面加熱型光加熱ヒータ101の第1
の光源103及び、第2の面加熱型光加熱ヒータ102
の第2の光源104より照射される熱光線を説明するた
めに、第1の面加熱型光加熱ヒータ101の端部より出
射された熱光線を第1の光線116、第1の面加熱型光
加熱ヒータ101の他の端部より出射された熱光線を第
3の光線118、第2の面加熱型光加熱ヒータ102の
端部より出射された熱光線を第4の光線119、第2の
面加熱型光加熱ヒータ101の他の端部より出射された
熱光線を第6の光線120とする。
The first of the first surface heating type light heater 101
Light source 103 and second surface heating type light heater 102
In order to explain the heat beam emitted from the second light source 104, the heat beam emitted from the end of the first surface heating type light heater 101 is converted into a first light beam 116 and a first surface heating type light heater. The heat ray emitted from the other end of the light heater 101 is a third light ray 118, and the heat ray emitted from the end of the second surface heating type light heater 102 is a fourth light ray 119, The heat ray emitted from the other end of the surface heating type light heater 101 is referred to as a sixth ray 120.

【0047】さらに、第1の光線116の出発点を出射
点a、第1の光線116の基板搬送機構111上面への
到達点を受光点b、第3の光線118の出発点を出射点
e、第3の光線118の基板搬送機構111上面への到
達点を受光点f、第4の光線119の出発点を出射点
g、第4の光線119の基板搬送機構111上面への到
達点を受光点h、第6の光線120の出発点を出射点
k、第6の光線120の基板搬送機構111上面への到
達点を受光点m、として説明する。
Further, the starting point of the first light ray 116 is the emission point a, the arrival point of the first light ray 116 on the upper surface of the substrate transport mechanism 111 is the light receiving point b, and the starting point of the third light ray 118 is the emission point e. The light receiving point f indicates the point at which the third light beam 118 reaches the upper surface of the substrate transport mechanism 111, the emission point g indicates the starting point of the fourth light ray 119, and the point at which the fourth light ray 119 reaches the upper surface of the substrate transfer mechanism 111. The light receiving point h, the starting point of the sixth light ray 120 will be described as an emission point k, and the point at which the sixth light ray 120 reaches the upper surface of the substrate transport mechanism 111 will be described as a light receiving point m.

【0048】ハンダリフロー装置300の構造は、 B
GA用基板1を搬送する基板搬送機構111と、基板搬
送機構と対向して配置される第1の面加熱型光加熱ヒー
タ101、第2の面加熱型光加熱ヒータ102より構成
される。第1の面加熱型光加熱ヒータ101には第1の
光源103を有し照射範囲内での面加熱を可能としてい
る。第1の面加熱型光加熱ヒータ101は第1の角度調
整部105によって傾斜角度を変更し加熱条件を変える
ことが可能であり、さらに第1の保持軸107に継接さ
れた第1の位置調整機構109により、位置調整可能で
あり、さらに第1の位置調整機構109は装置本体に接
続されている。
The structure of the solder reflow device 300 is as follows:
It comprises a substrate transport mechanism 111 for transporting the GA substrate 1, a first surface heating type light heater 101 and a second surface heating type light heater 102 which are arranged to face the substrate transfer mechanism. The first surface heating type light heater 101 has a first light source 103 to enable surface heating within an irradiation range. The first surface heating type light heater 101 can change a heating condition by changing a tilt angle by a first angle adjusting unit 105, and further a first position connected to a first holding shaft 107. The position can be adjusted by the adjusting mechanism 109, and the first position adjusting mechanism 109 is connected to the apparatus main body.

【0049】また、第2の面加熱型光加熱ヒータ102
も第2の角度調整部106によって傾斜角度を変更し加
熱条件を変えることが可能であり、さらに第2の保持軸
108に継接された第2の位置調整機構110により、
位置調整可能であり、さらに第1の位置調整機構109
は装置本体に接続されている。
Further, the second surface heating type light heater 102
Also, the heating condition can be changed by changing the inclination angle by the second angle adjusting unit 106, and further by the second position adjusting mechanism 110 connected to the second holding shaft 108.
The position can be adjusted, and the first position adjusting mechanism 109 can be adjusted.
Is connected to the device body.

【0050】上記のように第1の面加熱型光加熱ヒータ
101および第2の面加熱型光加熱ヒータ102は、照
射角度や、照射距離を、変更可能な構造であるため、ハ
ンダボール形状や特性に対応する加熱条件の変更が容易
に可能となる。
As described above, the first surface heating type light heater 101 and the second surface heating type light heater 102 have a structure in which the irradiation angle and the irradiation distance can be changed. It is possible to easily change the heating conditions corresponding to the characteristics.

【0051】また、基板搬送機構111には、基板位置
検知出用に第1のセンサ112と、第2のセンサ113
と、第3のセンサ114と、を配置し基板の位置検出を
行い、センサよりの信号を用いて、図示しない制御装置
により第1の光源103および第2の光源104の出力
制御を行う。
The substrate transport mechanism 111 has a first sensor 112 and a second sensor 113 for detecting a substrate position.
And the third sensor 114 are arranged to detect the position of the substrate, and the output of the first light source 103 and the second light source 104 is controlled by a control device (not shown) using a signal from the sensor.

【0052】ハンダリフロー装置100の基板搬送機構
111は、図示しないハンダボール搭載装置の搬送機構
と接続され、さらにハンダボール搭載装置は図示しない
フラックス塗布装置と接続されさらに、フラックス塗布
装置は、図示しないBGA用基板供給装置と接続されて
おり、BGA用基板1は、ハンダリフロー装置100に
供給される。
The substrate transfer mechanism 111 of the solder reflow device 100 is connected to a transfer mechanism of a solder ball mounting device (not shown), and the solder ball mounting device is connected to a flux coating device (not shown). The flux coating device is not shown. The BGA substrate 1 is connected to the BGA substrate supply device, and is supplied to the solder reflow device 100.

【0053】また、ハンダリフローを終了したBGA基
板10は、基板搬送機構111により搬送され、第3の
センサ114上を通過し、図示しない収納部に収納され
る。
The BGA substrate 10 that has been subjected to the solder reflow is transported by the substrate transport mechanism 111, passes over the third sensor 114, and is stored in a storage unit (not shown).

【0054】上記に説明したハンダリフロー装置100
を用いて、BGA用基板1に搭載されたハンダボール7
を溶融し、BGA基板10を形成する方法について述べ
る。
The above-described solder reflow device 100
, The solder balls 7 mounted on the BGA substrate 1
Is melted to form the BGA substrate 10.

【0055】まず、第1のハンダリフロー方法として、
第1の光線116の出射点aから受光点bまでの距離
と、第3の光線118の出射点eから受光点fまでの距
離を等しくすることで第1の面加熱型光加熱ヒータ10
1の照射範囲内に載置されるBGA用基板1表面の、ハ
ンダボール7群は、均一な光エネルギを与えられること
になる。
First, as a first solder reflow method,
By making the distance from the emission point a of the first light ray 116 to the light receiving point b equal to the distance from the emission point e of the third light ray 118 to the light receiving point f, the first surface heating type light heater 10 can be used.
The solder balls 7 on the surface of the BGA substrate 1 placed in the irradiation range 1 are given uniform light energy.

【0056】さらに第4の光線119の出射点gから受
光点hまでの距離と、第6の光線120の出射点kから
受光点mまでの距離を等しくすることで第2の面加熱型
光加熱ヒータ102の照射範囲内に載置されるBGA用
基板1表面の、ハンダボール7群は、均一な光エネルギ
を与えられる。
Further, by making the distance from the emission point g of the fourth light ray 119 to the light receiving point h equal to the distance from the emission point k of the sixth light ray 120 to the light receiving point m, the second surface heating type light can be obtained. The solder balls 7 on the surface of the BGA substrate 1 placed within the irradiation range of the heater 102 are given uniform light energy.

【0057】この時の基板搬送機構111の表面と、第
1の面加熱型光加熱ヒータ101および、基板搬送機構
111の表面と、第2の面加熱型光加熱ヒータ102の
位置関係は、基板搬送機構111の表面に対し、第1の
面加熱型光加熱ヒータ101は平行に配置されおり、さ
らに、基板搬送機構111の表面に対し、第2の面加熱
型光加熱ヒータ102も平行に配置されている。第1の
光線116と、第3の光線118と、第4の光線119
と、第6の光線120は、基板搬送機構111の表面
に、直角に照射される。このことから、第1の光線11
6の出射点aから受光点bの距離および、第3の光線1
18の出射点eから受光点fの距離、は約20mmの距
離を確保するように、第1の位置調整機構109により
位置調整を行い、さらに第4の光線119の出射点gか
ら第4の光線119の受光点hの距離および、第6の光
線120の出射点kから第6の光線120の受光点mの
距離は、約20mmの距離を確保するように、第2の位
置調整機構110により位置調整を行う。さらに各光線
の受光点の平均温度が240℃となるように図示しない
出力調整機構により、第1の面加熱型光加熱ヒータ10
1および第2の面加熱型光加熱ヒータ102の出力調整
を行う。
At this time, the positional relationship between the surface of the substrate transfer mechanism 111, the first surface heating type light heater 101, and the surface of the substrate transfer mechanism 111 and the second surface heating type light heater 102 is as follows. The first surface heating type light heater 101 is disposed parallel to the surface of the transfer mechanism 111, and the second surface heating type light heater 102 is further disposed parallel to the surface of the substrate transfer mechanism 111. Have been. A first ray 116, a third ray 118, and a fourth ray 119
Then, the sixth light beam 120 irradiates the surface of the substrate transport mechanism 111 at right angles. From this, the first ray 11
6, the distance from the emission point a to the light receiving point b, and the third light beam 1
The distance from the emission point e to the light receiving point f is adjusted by the first position adjustment mechanism 109 so as to secure a distance of about 20 mm. The distance between the light receiving point h of the light ray 119 and the distance from the emission point k of the sixth light ray 120 to the light receiving point m of the sixth light ray 120 are such that a distance of about 20 mm is secured. To adjust the position. Further, the first surface heating type light heater 10 is controlled by an output adjustment mechanism (not shown) so that the average temperature of the light receiving point of each light beam is 240 ° C.
The output of the first and second surface heating type light heaters 102 is adjusted.

【0058】このような設定を行い、基板搬送機構11
1で、BGA用基板1を搬送し、第1のセンサ112
を、BGA用基板1が通過しさらに、第2のセンサ11
3をBGA用基板1が通過した状態で、 BGA用基板
1の移動を停止し第2の面加熱型光加熱ヒータ102の
照射範囲内にBGA用基板1を載置する。同様に、第1
の面加熱型光加熱ヒータ101の照射範囲内にもBGA
用基板1を載置する。
The above setting is performed, and the substrate transfer mechanism 11 is set.
The first sensor 112 transports the BGA substrate 1
Through the BGA substrate 1 and the second sensor 11
3, the BGA substrate 1 stops moving, and the BGA substrate 1 is placed within the irradiation range of the second surface heating type light heater 102. Similarly, the first
BGA also within the irradiation range of the surface heating type light heater 101
The mounting substrate 1 is placed.

【0059】第1の面加熱型光加熱ヒータ101の照射
範囲内及び、第2の面加熱型光加熱ヒータ102の照射
範囲内にそれぞれBGA用基板1を載置した後に、第1
の光源103及び第2の光源104に通電し、ハンダ溶
融温度に上昇することで、ハンダボール7群を溶融して
BGA基板10を形成することが可能となる。
After placing the BGA substrate 1 within the irradiation range of the first surface heating type light heater 101 and the irradiation range of the second surface heating type light heater 102, respectively,
When the light source 103 and the second light source 104 are energized and the solder melting temperature rises, the group of solder balls 7 can be melted to form the BGA substrate 10.

【0060】この後第1の光源103及び第2の光源1
04の通電を停止し、基板搬送機構111により、BG
A基板10を搬送し、図示しない収納ストッカにBGA
基板10を収納する。
Thereafter, the first light source 103 and the second light source 1
04 is stopped, and the BG
A substrate 10 is transported and stored in a storage stocker (not shown)
The substrate 10 is stored.

【0061】また第2のハンダリフロー方法としては、
第1の角度調整部105により、第1の面加熱型光加熱
ヒータ101の取り付け角度を調整し、第1の光線11
6の出射点aから受光点bまでの距離よりも、第3の光
線118の出射点eから受光点fまでの距離を短くす
る。これにより、受光点bの光エネルギに比較して、受
光点fの光エネルギは強くなる。従って、BGA用基板
1が等速度で基板搬送機構111上を移動すれば、BG
A基板温度は徐々に上昇することになる。そこで、第1
の光線116の受光点bの測定温度を90℃、第3の光
線118の受光点fの平均温度を250℃となるように
第1の角度調整部105を調整した。このときの第1の
光線116の出射点aから受光点bまでの距離は、約2
0mmの距離を確保するように、第1の位置調整機構1
09により高さ調整を行った。
As a second solder reflow method,
The first angle adjusting unit 105 adjusts the mounting angle of the first surface heating type light heater 101, and adjusts the first light beam 11.
6, the distance from the emission point e of the third light beam 118 to the light reception point f is shorter than the distance from the emission point a to the light reception point b. Thus, the light energy at the light receiving point f becomes stronger than the light energy at the light receiving point b. Accordingly, if the BGA substrate 1 moves on the substrate transport mechanism 111 at a constant speed, the BG
The substrate A temperature gradually increases. Therefore, the first
The first angle adjustment unit 105 was adjusted so that the measured temperature of the light receiving point b of the light ray 116 was 90 ° C. and the average temperature of the light receiving point f of the third light ray 118 was 250 ° C. At this time, the distance from the emission point a of the first light ray 116 to the light receiving point b is about 2
First position adjusting mechanism 1 so as to secure a distance of 0 mm.
09, the height was adjusted.

【0062】この時、面加熱型光加熱ヒータを用いてい
ることにより、照射範囲内においては、光線の受光点に
おける基板搬送機構111上の温度は、基板搬送機構1
11表面で、搬送方向と直角方向においては、受光点と
均等な温度が確保できる。
At this time, since the surface heating type light heater is used, the temperature on the substrate transport mechanism 111 at the light receiving point of the light beam within the irradiation range is reduced by the substrate transport mechanism 1.
On the surface of the eleventh surface, a temperature equal to the light receiving point can be secured in the direction perpendicular to the transport direction.

【0063】さらに、第2の角度調整部106により、
第2の面加熱型光加熱ヒータ102の取り付け角度を調
整し、第4の光線119の出射点gから受光点hまでの
距離よりも、第6の光線120の出射点kから受光点m
までの距離を長くする。これにより、受光点gの光エネ
ルギに比較して、受光点mの光エネルギは強くなる。従
って、BGA用基板1が等速度で基板搬送機構111上
を移動すれば、BGA基板温度は徐々に下降することに
なる。そこで、第4の光線119の受光点hの平均測定
温度を170℃、第6の光線120の受光点mの平均測
定温度を80℃となるように第2の角度調整部106を
調整した。このときの、第6の光線120の出射点kか
ら受光点mは、約20mmの距離を確保するように、第
2の位置調整機構110により位置調整を行った。
Further, the second angle adjusting unit 106
The mounting angle of the second surface heating type light heater 102 is adjusted so that the distance from the emission point g of the fourth light ray 119 to the light reception point h is smaller than the distance from the emission point k of the sixth light ray 120 to the light reception point m.
Increase the distance to Thereby, the light energy at the light receiving point m becomes stronger than the light energy at the light receiving point g. Therefore, if the BGA substrate 1 moves on the substrate transport mechanism 111 at a constant speed, the BGA substrate temperature will gradually decrease. Therefore, the second angle adjustment unit 106 was adjusted so that the average measured temperature of the light receiving point h of the fourth light beam 119 was 170 ° C. and the average measured temperature of the light receiving point m of the sixth light ray 120 was 80 ° C. At this time, the position was adjusted by the second position adjusting mechanism 110 so that the distance from the emission point k of the sixth light ray 120 to the light receiving point m was about 20 mm.

【0064】この時、面加熱型光加熱ヒータを用いてい
ることにより、照射範囲内においては、光線の受光点に
おける基板搬送機構111上の温度は、基板搬送機構1
11表面で、搬送方向と直角方向においては、受光点と
均等な温度が確保できる。
At this time, since the surface heating type light heater is used, the temperature on the substrate transport mechanism 111 at the light receiving point of the light beam within the irradiation range is reduced by the substrate transport mechanism 1.
On the surface of the eleventh surface, a temperature equal to the light receiving point can be secured in the direction perpendicular to the transport direction.

【0065】基板搬送機構111の左側より基板搬送機
構111上を供給されたBGA用基板1が、第1のセン
サ112位置に達すると、該第1のセンサ112からの
信号によって第1の光源103に通電し第1の面加熱型
光加熱ヒータ101は加熱状態になる。さらに等速度で
BGA用基板1が移動することにより、BGA用基板1
と、BGA用基板1に載置されたハンダボール7は第1
の光線116の照射位置から徐々に加熱され、第3の光
線118の照射位置まで移動する間にハンダは溶融し、
BGA用基板1とハンダボール7とは、接続される。ハ
ンダボール7の溶融したBGA基板10が、さらに移動
して、第2のセンサ113の位置に達すると、第2の面
加熱型光加熱ヒータ102の第2の光源104に通電さ
れる。
When the BGA substrate 1 supplied on the substrate transport mechanism 111 from the left side of the substrate transport mechanism 111 reaches the position of the first sensor 112, the first light source 103 receives a signal from the first sensor 112. And the first surface heating type light heater 101 is in a heated state. Further, the BGA substrate 1 is moved at a constant speed, so that the BGA substrate 1 is moved.
And the solder balls 7 placed on the BGA substrate 1
Is gradually heated from the irradiation position of the light beam 116, and the solder melts while moving to the irradiation position of the third light beam 118,
The BGA substrate 1 and the solder balls 7 are connected. When the BGA substrate 10 in which the solder balls 7 have been melted further moves and reaches the position of the second sensor 113, the second light source 104 of the second surface heating type optical heater 102 is energized.

【0066】さらに、BGA用基板1と、BGA用基板
1に載置されたハンダボール7の移動にしたがって、第
4の光線119の照射位置から徐々に徐冷され、第6の
光線120の照射位置まで移動する間にハンダは固化し
て、BGA用基板1とハンダボール7とは、接続されB
GA基板10が完成する。
Further, as the BGA substrate 1 and the solder balls 7 mounted on the BGA substrate 1 move, the fourth light beam 119 is gradually cooled from the irradiation position, and the sixth light beam 120 is irradiated. While moving to the position, the solder solidifies, and the BGA substrate 1 and the solder balls 7 are connected to each other.
The GA substrate 10 is completed.

【0067】基板搬送機構111上を、 BGA基板1
0が等速度で移動し、第3のセンサ114上をBGA基
板10が通り過ぎた信号を第3のセンサ114より発信
し、第2の面加熱型光加熱ヒータ102の第2の光源1
04の通電を停止する。
On the substrate transport mechanism 111, the BGA substrate 1
0 moves at a constant speed, and a signal that the BGA substrate 10 has passed over the third sensor 114 is transmitted from the third sensor 114, and the second light source 1 of the second surface heating type optical heater 102 is transmitted.
04 is stopped.

【0068】その後、基板搬送機構111により、BG
A基板10を搬送し、図示しない収納ストッカにBGA
基板10を収納する。
After that, the BG is
A substrate 10 is transported and stored in a storage stocker (not shown).
The substrate 10 is stored.

【0069】以上に説明した第2のハンダリフロー方法
によれば、ハンダリフロー装置100の構成により、溶
融直後の急冷を防ぎ適正なハンダの固着条件を得ること
で好ましい。
According to the second solder reflow method described above, the configuration of the solder reflow apparatus 100 is preferable in that rapid cooling immediately after melting is prevented and proper solder fixing conditions are obtained.

【0070】上記説明における第1のセンサ112と、
第2のセンサ113と、第3のセンサ114とは、BG
A用基板1の供給状態により、変更可能なため、面加熱
型光加熱ヒータへの通電状態を変化させることで、面加
熱型光加熱ヒータの出力を余熱付与状態に設定し第1の
センサ112と、第2のセンサ113をBGA用基板1
が通過する信号で、実際の加熱状態に出力変更が可能で
あるため、電力消費が削減されエネルギを抑制する効果
を生む。また、出力遮断状態から、出力状態への変更も
可能であるため、BGA用基板1の供給状態によりセン
サの信号の処理方法を変更することで、さらに電力消費
が削減されエネルギを抑制する効果を生む。
The first sensor 112 in the above description,
The second sensor 113 and the third sensor 114 are BG
Since the power can be changed depending on the supply state of the substrate for A 1, the output of the surface heating type optical heater is set to the residual heat application state by changing the energization state to the surface heating type optical heater, and the first sensor 112 And the second sensor 113 is connected to the BGA substrate 1
It is possible to change the output to the actual heating state with a signal passing through, so that power consumption is reduced and an effect of suppressing energy is produced. In addition, since the output state can be changed from the output cutoff state, the signal processing method of the sensor is changed according to the supply state of the BGA substrate 1, thereby further reducing power consumption and suppressing energy. Spawn.

【0071】また、熱雰囲気型リフロー炉の如く、密閉
された装置内を基板が通過するものと異なり、開放構造
のため、リフロー状態を流動中に遮光フィルタ等の保護
手段を介して、目視による管理をも可能にする。
Unlike a hot atmosphere type reflow furnace in which a substrate passes through a sealed device, the structure is open, and the reflow condition is visually checked through a protection means such as a light-shielding filter while flowing in a reflow state. Enable management.

【0072】上記に説明したハンダリフロー装置100
の基板搬送機構111に、BGA基板の、大きさに合わ
せてガイド板を配置したり、パレットに載置したBGA
基板を、基板搬送機構111上を移動させても、ハンダ
リフロー装置100の作動効率を上げ、BGA基板の、
品質の均一化を図ることが可能となる。
The above-described solder reflow device 100
A guide plate is arranged in accordance with the size of the BGA substrate or the BGA
Even when the substrate is moved on the substrate transport mechanism 111, the operation efficiency of the solder reflow device 100 is increased, and the
It is possible to achieve uniform quality.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例のハンダリフロー方法によって製造され
るBGA基板の構造を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing a structure of a BGA substrate manufactured by a solder reflow method of an embodiment.

【図2】実施例のハンダリフロー装置を説明するための
概略図である。
FIG. 2 is a schematic diagram for explaining a solder reflow device of an embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 BGA用基板 2 ハンダボール配置位置 7 ハンダボール 10 BGA基板 100 ハンダリフロー装置 101 第1の面加熱型光加熱ヒータ 102 第2の面加熱型光加熱ヒータ 103 第1の光源 104 第2の光源 105 第1の角度調整部 106 第2の角度調整部 111 基板搬送機構 112 第1のセンサ 113 第2のセンサ 114 第3のセンサ 116 第1の光線 118 第3の光線 119 第4の光線 120 第6の光線 a 第1の光線の出射点 b 第1の光線の受光点 e 第3の光線の出射点 f 第3の光線の受光点 g 第4の光線の出射点 h 第4の光線の受光点 k 第6の光線の出射点 m 第6の光線の受光点 Reference Signs List 1 BGA substrate 2 Solder ball arrangement position 7 Solder ball 10 BGA substrate 100 Solder reflow device 101 First surface heating type light heater 102 Second surface heating type light heater 103 First light source 104 Second light source 105 First angle adjustment unit 106 Second angle adjustment unit 111 Substrate transport mechanism 112 First sensor 113 Second sensor 114 Third sensor 116 First ray 118 Third ray 119 Fourth ray 120 Sixth A Outgoing point of the first ray b Receiving point of the first ray e Outgoing point of the third ray f Receiving point of the third ray g Outgoing point of the fourth ray h Receiving point of the fourth ray k Outgoing point of sixth ray m Receiving point of sixth ray

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数のハンダボールが配置された基板に面
加熱型光加熱ヒータを用いて熱光線を平行照射すること
によって、前記基板のハンダボール配置位置に前記複数
のハンダボールを溶融接続させるハンダボール溶融接続
工程を有することを特徴とするハンダリフロー方法。
1. A substrate on which a plurality of solder balls are arranged is irradiated with a heat beam in parallel by using a surface heating type light heater to melt-connect the plurality of solder balls to the solder ball arrangement positions of the substrate. A solder reflow method comprising a solder ball fusion connection step.
【請求項2】請求項1に記載のハンダリフロー方法にお
いて、 前記面加熱型光加熱ヒータの平行照射された熱光線に対
して前記基板を直角に配置した状態で前記ハンダボール
溶融接続工程を実施することを特徴とするハンダリフロ
ー方法。
2. The solder ball reflow process according to claim 1, wherein the solder ball fusion connection step is performed in a state where the substrate is arranged at a right angle to the heat beam irradiated in parallel by the surface heating type light heater. A solder reflow method.
【請求項3】請求項1に記載のハンダリフロー方法にお
いて、 前記面加熱型光加熱ヒータの平行照射された熱光線に対
して前記基板を斜めに配置した状態で前記ハンダボール
溶融接続工程を実施することを特徴とするハンダリフロ
ー方法。
3. The solder reflow method according to claim 1, wherein the solder ball fusion connection step is performed in a state where the substrate is obliquely arranged with respect to the parallel-irradiated heat beam of the surface heating type light heater. A solder reflow method.
【請求項4】請求項1乃至3のいずれかに記載のハンダ
リフロー方法において、 該基板を移動させながら前記ハンダボール溶融接続工程
を実施することを特徴とするハンダリフロー方法。
4. The solder reflow method according to claim 1, wherein the solder ball fusion connection step is performed while moving the substrate.
【請求項5】熱光線を平行照射することができる面加熱
型光加熱ヒータと、この面加熱型光加熱ヒータを保持す
るための面加熱型光加熱ヒータ保持部と、ハンダボール
が配置された基板を載置するための基板載置部と、を有
することを特徴とする半田リフロー装置。
5. A surface heating type light heater capable of irradiating heat rays in parallel, a surface heating type light heater holding portion for holding the surface heating type light heater, and a solder ball. A solder reflow device, comprising: a substrate mounting portion for mounting a substrate.
【請求項6】請求項5記載のハンダリフロー装置におい
て、 前記基板を搬送するための搬送機構と、前記基板載置部
の基板載置範囲に前記基板を位置決めする位置決め機構
と、をさらに有することを特徴とするハンダリフロー装
置。
6. The solder reflow device according to claim 5, further comprising: a transfer mechanism for transferring the substrate; and a positioning mechanism for positioning the substrate in a substrate mounting range of the substrate mounting portion. A solder reflow device.
【請求項7】請求項5記載のハンダリフロー装置におい
て、 前記面加熱型光加熱ヒータ保持部は、面加熱型光加熱ヒ
ータの傾斜角度を調整するための機能を有することを特
徴とするハンダリフロー装置。
7. The solder reflow device according to claim 5, wherein the surface heating type light heater holding section has a function of adjusting an inclination angle of the surface heating type light heater. apparatus.
【請求項8】請求項5乃至7のいずれかに記載のハンダ
リフロー装置において、 前記面加熱光加熱ヒータはライン型であることを特徴と
するハンダリフロー装置。
8. The solder reflow device according to claim 5, wherein said surface heating light heater is of a line type.
【請求項9】請求項5乃至8のいずれかに記載のハンダ
リフロー装置において、 前記加熱用光源は、近赤外光線、赤外線等の熱光線を放
射するヒータであることを特徴とするハンダリフロー装
置。
9. The solder reflow device according to claim 5, wherein the heating light source is a heater that radiates heat rays such as near infrared rays and infrared rays. apparatus.
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