JPH11283918A - Liquid processing system - Google Patents

Liquid processing system

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JPH11283918A
JPH11283918A JP10185098A JP10185098A JPH11283918A JP H11283918 A JPH11283918 A JP H11283918A JP 10185098 A JP10185098 A JP 10185098A JP 10185098 A JP10185098 A JP 10185098A JP H11283918 A JPH11283918 A JP H11283918A
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JP
Japan
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processing
liquid
resist
floor
storage tank
Prior art date
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Application number
JP10185098A
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Japanese (ja)
Inventor
Kazuo Sakamoto
和生 坂本
Akihiro Fujimoto
昭浩 藤本
Nobukazu Ishizaka
信和 石坂
Izumi Hasegawa
泉 葉瀬川
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Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate processing system, capable of as much reducing installation objects as possible inside a clean room and supplying processing liquid, while preventing the alteration of the processing liquid such as resist liquid or the like. SOLUTION: In this liquid processing system, at the supplying of the resist liquid to a resist application device, an endless belt 90 is turned, a box 84 housing a resist liquid storage tank 85 is elevated to a position near the lower side of the floor surface 81 of the clean room 80, and the resist liquid is supplied to the application device by a pump 92. On the other hand, at the exchanging of the resist liquid storage tank 85, the belt 90 is turned in reverse, the box 84 is lowered to the position of the floor surface 82 downstairs, and the resist liquid storage tank 85 is exchanged with the new one.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置の
ような処理液を供給して処理を行う処理装置とこの処理
装置に処理液を供給する処理液供給系とを備えた液体処
理システムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus for supplying a processing liquid such as a resist coating apparatus for applying a resist liquid to a substrate to be processed such as a semiconductor wafer, and a processing liquid supplied to the processing apparatus. And a processing liquid supply system.

【0002】[0002]

【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おけるフォトリソグラフィー工程においては、塗布・現
像処理システムにおいて、半導体ウエハ(以下、「ウエ
ハ」という)の表面にレジスト膜を形成するレジスト塗
布処理と、レジスト塗布後のウエハに対して露光処理を
行った後に当該ウエハを現像する現像処理とを行ってい
る。
2. Description of the Related Art For example, in a photolithography process in a semiconductor device manufacturing process, in a coating and developing system, a resist coating process for forming a resist film on a surface of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as a "wafer") and a resist coating process. After the exposure processing is performed on the subsequent wafer, a development processing for developing the wafer is performed.

【0003】上記のレジスト塗布処理においては、スピ
ンコーティング法等により、ウエハ表面にレジスト液を
均一に塗布している。具体的には、スピンチャックによ
りウエハを保持した状態でウエハを回転させ、ウエハの
上方に配置したレジストノズルからウエハ表面の中央に
レジスト液を滴下している。これにより、滴下したレジ
スト液が遠心力によってウエハの径方向外方に向かって
広がり、その後レジスト液の滴下は停止するが、回転速
度を落としつつウエハの回転を継続し、ウエハ表面に広
がったレジスト液を振り切って乾燥している。
In the above-described resist coating process, a resist solution is uniformly applied to the wafer surface by a spin coating method or the like. More specifically, the wafer is rotated while the wafer is held by a spin chuck, and a resist liquid is dropped onto the center of the wafer surface from a resist nozzle disposed above the wafer. As a result, the dropped resist solution spreads radially outward of the wafer due to centrifugal force, and then the dropping of the resist solution stops, but the rotation of the wafer is continued while the rotation speed is reduced, and the resist spread on the wafer surface. Shake off liquid and dry.

【0004】また、上記のような塗布・現像処理システ
ムを設置するクリーンルーム内には、製造工程で直接必
要としないもの、例えば、レジスト液、現像液、排液等
のタンク等を極力配置することなく、これらのものは、
床下に配置したいといった要望がある。
In a clean room in which the above-mentioned coating / developing processing system is installed, those which are not directly required in the manufacturing process, such as tanks for resist solution, developing solution, drainage, etc., should be arranged as much as possible. Without these things
There is a request to place it under the floor.

【0005】このようなことから、レジストノズルへの
レジスト液の供給方法の一例としては、クリーンルーム
の階下の床面にレジスト液貯留タンクが配置してあり、
この階下の床面に設けたポンプによってレジスト液貯留
タンクから、レジスト塗布装置に隣接したバッファータ
ンクにレジスト液を揚げ、クリーンルームの床面に設け
たポンプによりバッファータンクからレジストノズルに
レジスト液を供給するようにしている。また、一つのレ
ジスト液貯留タンクが空になると、このクリーンルーム
の階下の床面で作業員が新しいレジスト液貯留タンクと
交換するようにしている。
[0005] For this reason, as an example of a method of supplying a resist solution to a resist nozzle, a resist solution storage tank is disposed on the floor below a clean room floor.
The resist liquid is lifted from the resist liquid storage tank to the buffer tank adjacent to the resist coating device by a pump provided on the floor below this floor, and the resist liquid is supplied from the buffer tank to the resist nozzle by the pump provided on the clean room floor. Like that. When one of the resist solution storage tanks is emptied, an operator replaces the new resist solution storage tank on the floor below the clean room.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようなレジスト液の供給方法にあっては、階下のポンプ
によりレジスト液を加圧してクリーンルーム内のバッフ
ァータンクに揚げる際、階下の床面からクリーンルーム
の床面までの高さが約10mであり比較的高いことか
ら、階下のポンプの揚程圧力を比較的高くしなければな
らず、レジスト液は、比較的高い圧力により加圧されな
がらバッファータンクに揚げられている。その結果、バ
ッファータンクに供給して静置されたレジスト液は、高
い圧力を加圧された影響により、気体に接触すると、溶
媒と溶剤に分離して変質するといった虞れがある。
However, in the above-described method for supplying a resist solution, when the resist solution is pressurized by a downstairs pump and lifted to a buffer tank in the clean room, the cleanroom is cleaned from the floor downstairs. Since the height to the floor is about 10m and relatively high, the lifting pressure of the downstairs pump must be relatively high, and the resist solution is stored in the buffer tank while being pressurized by the relatively high pressure. Fried. As a result, when the resist solution supplied to the buffer tank and left still is exposed to a gas under the influence of the high pressure, there is a possibility that the resist solution is separated into solvents and deteriorates when it comes into contact with the gas.

【0007】また、クリーンルーム内のポンプにより、
階下のレジスト液貯留タンクからバッファータンクにレ
ジスト液を吸引して揚げることも考えられるが、吸引に
よるポンプの揚程能力は、約1m程度であるため、実現
性に乏しい。
[0007] In addition, the pump in the clean room
It is conceivable to suck and lift the resist solution from the resist solution storage tank downstairs to the buffer tank, but the pump's lifting capacity by suction is about 1 m, which is not feasible.

【0008】さらに、クリーンルーム内の設置物を少な
くする観点から、クリーンルーム内のバッファータンク
を廃止することも考えられるが、この場合には、レジス
ト塗布装置の作動状況に応じて、クリーンルーム内のポ
ンプと階下のポンプをシーケンシャルに制御しなければ
ならず複雑な制御が必要であり、また、クリーンルーム
のポンプに残圧が残ることがあり、吐出精度が悪化する
場合が生じる。
Further, from the viewpoint of reducing the number of installations in the clean room, it is conceivable to abolish the buffer tank in the clean room. The downstairs pumps must be controlled sequentially, and complicated control is required. In addition, residual pressure may remain in the clean room pump, and the discharge accuracy may deteriorate.

【0009】本発明はかかる事情に鑑みたものであっ
て、処理液タンクが床下に設置された場合であっても、
処理液の変質を防止しつつ処理装置に処理液を供給する
ことができる液体処理システムを提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of such circumstances, and even when the processing liquid tank is installed under the floor,
It is an object of the present invention to provide a liquid processing system capable of supplying a processing liquid to a processing apparatus while preventing deterioration of the processing liquid.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、被処理体に対して所定の液処理を施す処
理装置と、前記処理装置に処理液を供給するポンプと、
前記処理装置が設置された床面の下方に配置される処理
液貯留タンクと、前記処理液貯留タンクから前記ポンプ
に連通する供給管と、前記床面の下方の所定位置と前記
床面の近傍位置との間で前記タンクを昇降させる昇降手
段とを具備することを特徴とする液体処理システムを提
供する。
In order to solve the above problems, the present invention provides a processing apparatus for performing a predetermined liquid processing on an object to be processed, a pump for supplying a processing liquid to the processing apparatus,
A processing liquid storage tank disposed below the floor on which the processing apparatus is installed, a supply pipe communicating from the processing liquid storage tank to the pump, a predetermined position below the floor, and a vicinity of the floor. Lifting means for raising and lowering the tank with respect to a position.

【0011】このような構成によれば、処理装置が設置
された床面の下方に処理液貯留タンクが配置されるとと
もに、処理液貯留タンクを、前記床面の下方の所定位置
と前記床面の近傍位置との間で昇降させる昇降手段が設
けられているため、処理液の供給の際には、昇降手段に
より処理液貯留タンクを処理装置が設置された床面の近
傍位置に移動させ、ポンプを駆動させることにより、処
理液を処理液貯留タンクから供給管およびポンプを介し
て処理ユニットに供給することができる。したがって、
ポンプの高い加圧力により処理液を揚げる必要がなく、
また、バッファータンクも不要であるため、処理液が分
離して変質するといったことがない。
According to such a configuration, the processing liquid storage tank is arranged below the floor on which the processing apparatus is installed, and the processing liquid storage tank is moved to a predetermined position below the floor and the floor. Since the elevating means for elevating between the vicinity of the processing liquid is provided, when the processing liquid is supplied, the elevating means moves the processing liquid storage tank to a position near the floor on which the processing apparatus is installed, By driving the pump, the processing liquid can be supplied from the processing liquid storage tank to the processing unit via the supply pipe and the pump. Therefore,
There is no need to lift the processing liquid due to the high pressure of the pump,
Further, since a buffer tank is not required, the treatment liquid is not separated and deteriorated.

【0012】すなわち、処理装置がクリーンルームの床
面に設置され、処理液貯留タンクがクリーンルームの床
下に設置された場合の従来の問題点を、以上のような構
成により解決することができる。
That is, the conventional problems in the case where the processing apparatus is installed on the floor of a clean room and the processing liquid storage tank is installed under the floor of the clean room can be solved by the above configuration.

【0013】また、前記昇降手段により昇降される前記
タンクが、前記床下の所定位置に到達したこと、およ
び、前記床面近傍位置に到達したことを検出する位置検
出器を有することにより、処理液貯留タンクを交換する
ため処理液貯留タンクを床下の所定位置に下降した時点
を検出することができ、処理液を処理ユニットに供給す
るため処理液貯留タンクを床面の近傍位置に上昇した時
点を検出することができる。
[0013] Further, by providing a position detector for detecting that the tank raised and lowered by the raising and lowering means has reached a predetermined position under the floor and has reached a position near the floor surface, The time when the processing liquid storage tank is lowered to a predetermined position below the floor for replacing the storage tank can be detected, and the time when the processing liquid storage tank is raised to a position near the floor surface to supply the processing liquid to the processing unit can be detected. Can be detected.

【0014】さらに、前記処理液貯留タンク内の処理液
の液位を検出するための液位センサーを有することによ
り、処理液貯留タンクを交換するタイミングを検知する
ことができ、また処理液を処理ユニットに供給する際に
処理液の液位をモニターすることができる。
Further, by having a liquid level sensor for detecting the liquid level of the processing liquid in the processing liquid storage tank, it is possible to detect the timing of replacing the processing liquid storage tank and to process the processing liquid. The liquid level of the processing liquid can be monitored when supplying the processing liquid to the unit.

【0015】さらにまた、前記昇降手段が、前記処理液
貯留タンクを収納して昇降するボックスを有することに
より、処理液貯留タンクを安定して昇降することができ
る。また、前記液位センサーをタンクとともにボックス
内に設けることにより、タンクが昇降しても確実に液位
を把握することができる。
Further, the lifting means has a box for storing and raising and lowering the processing liquid storage tank, so that the processing liquid storage tank can be raised and lowered stably. Also, by providing the liquid level sensor in the box together with the tank, the liquid level can be reliably grasped even when the tank moves up and down.

【0016】さらにまた、前記供給管が伸縮性を有して
いることにより、処理液貯留タンクとポンプとを供給管
により連結した状態で、処理液貯留タンクを容易に昇降
することができる。ここでいう伸縮性は、処理液貯留タ
ンクが上昇した状態ではらせん状をなし、下降した状態
ではそのらせんが延びるような場合が例示される。
Furthermore, since the supply pipe has elasticity, the processing liquid storage tank can be easily moved up and down while the processing liquid storage tank and the pump are connected by the supply pipe. The elasticity here is exemplified by a case where the processing liquid storage tank has a spiral shape when the processing liquid storage tank is raised and extends when the processing liquid storage tank is lowered.

【0017】本発明は、前記処理液が被処理体に塗布さ
れるレジスト液であり、前記処理装置がレジスト液を基
板に塗布するレジスト塗布装置である場合に特に有効で
ある。
The present invention is particularly effective when the processing liquid is a resist liquid applied to an object to be processed and the processing apparatus is a resist coating apparatus for applying a resist liquid to a substrate.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図に基
づいて説明する。図1ないし図3は、各々本発明の実施
の形態が採用された半導体ウエハ(以下、「ウエハ」と
いう)の塗布・現像処理システム1の全体構成の図であ
って、図1は平面、図2は正面、図3は背面を夫々示し
ている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIGS. 1 to 3 are views showing the overall configuration of a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as "wafer") coating / developing processing system 1 to which an embodiment of the present invention is applied. FIG. 2 shows the front, and FIG. 3 shows the back.

【0019】この塗布現像処理システム1は、図1に示
すように、被処理基板としてウエハWをウエハカセット
CRで複数枚、例えば25枚単位で外部からシステムに
搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハ
カセットCRに対してウエハWを搬入・搬出したりする
ためのカセットステーション10と、塗布現像工程の中
で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーシ
ョン11と、この処理ステーション11に隣接して設け
られる露光装置(図示せず)との間でウエハWを受け渡
しするためのインターフェイス部12とを一体に接続し
た構成を有している。
In the coating and developing system 1, as shown in FIG. 1, a plurality of wafers W as substrates to be processed are loaded into the system in a wafer cassette CR, for example, in units of 25 wafers, or unloaded from the system. A cassette station 10 for loading and unloading wafers W into and out of the wafer cassette CR, and various single-wafer processing units for performing predetermined processing on the wafers W one by one in a coating and developing process. A configuration in which a processing station 11 arranged in multiple stages and an interface unit 12 for transferring a wafer W between an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 11 are integrally connected. have.

【0020】前記カセットステーション10では、図1
に示すように、カセット載置台20上の位置決め突起2
0aの位置に、複数個例えば4個までのウエハカセット
CRが、夫々のウエハ出入口を処理ステーション11側
に向けてX方向に一列に載置され、このカセット配列方
向(X方向)およびウエハカセットCR内に収納された
ウエハのウエハ配列方向(Z方向:垂直方向)に移動可
能なウエハ搬送体21が各ウエハカセットCRに選択的
にアクセスするようになっている。
In the cassette station 10, FIG.
As shown in FIG.
At a position 0a, a plurality of wafer cassettes CR, for example, up to four wafer cassettes CR are placed in a line in the X direction with their respective wafer entrances facing the processing station 11 side. A wafer carrier 21 that can move in the wafer arrangement direction (Z direction: vertical direction) of the wafers stored in the cassette selectively accesses each wafer cassette CR.

【0021】さらにこのウエハ搬送体21は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション11側の第3の処理ユニット群G3の多段ユニッ
ト部に属するアライメントユニット(ALIM)および
イクステンションユニット(EXT)にもアクセスでき
るようになっている。
Further, the wafer transfer body 21 is configured to be rotatable in the θ direction, and as will be described later, an alignment unit (ALIM) belonging to the multi-stage unit section of the third processing unit group G 3 on the processing station 11 side. And an extension unit (EXT).

【0022】前記処理ステーション11には、図1に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構22が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが1組または複数の組に亘って多段に配置されてい
る。
As shown in FIG. 1, the processing station 11 is provided with a vertical transfer type main wafer transfer mechanism 22 equipped with a wafer transfer device, and all the processing units are surrounded by one or more sets. Are arranged in multiple stages.

【0023】主ウエハ搬送機構22は、図3に示すよう
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置46と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置46は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体49は前記モータによって回転
される別の回転軸(図示せず)に接続するように構成し
てもよい。
As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is provided with a wafer transfer device 46 inside a cylindrical support 49 so as to be vertically movable (Z direction). The cylindrical support 49 is connected to a rotation shaft of a motor (not shown), and is rotated integrally with the wafer transfer device 46 about the rotation shaft by the rotation driving force of the motor, whereby the wafer transfer is performed. The device 46 is rotatable in the θ direction. Note that the cylindrical support 49 may be configured to be connected to another rotating shaft (not shown) rotated by the motor.

【0024】ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。
The wafer transfer device 46 includes a plurality of holding members 48 movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and the transfer of the wafer W between the processing units is realized by these holding members 48. .

【0025】また、図1に示すように、この例では、5
つの処理ユニット群G1、G2、G3、G4、G5が配置可
能な構成であり、第1および第2の処理ユニット群
1、G2の多段ユニットは、システム正面(図1におい
て手前)側に配置され、第3の処理ユニット群G3の多
段ユニットはカセットステーション10に隣接して配置
され、第4の処理ユニット群G4の多段ユニットはイン
ターフェイス部12に隣接して配置され、第5の処理ユ
ニット群G5の多段ユニットは背面側に配置されること
が可能である。
In this example, as shown in FIG.
One processing unit group G 1 , G 2 , G 3 , G 4 , G 5 can be arranged, and the multi-stage units of the first and second processing unit groups G 1 , G 2 are arranged in front of the system (FIG. 1). , The multi-stage unit of the third processing unit group G 3 is arranged adjacent to the cassette station 10, and the multi-stage unit of the fourth processing unit group G 4 is arranged adjacent to the interface section 12. The multi-stage units of the fifth processing unit group G5 can be arranged on the back side.

【0026】図2に示すように、第1の処理ユニット群
1では、カップCP内でウエハWをスピンチャックに
載せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニッ
ト、例えばレジスト塗布装置ユニット(COT)および
現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられて
いる。第2の処理ユニット群G2でも、2台のスピンナ
型処理ユニット、例えばレジスト塗布装置ユニット(C
OT)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段
に重ねられている。これらレジスト塗布装置ユニット
(COT)は、レジスト液の排液が機械的にもメンテナ
ンスの上でも面倒であることから、このように下段に配
置するのが好ましい。しかし、必要に応じて適宜上段に
配置することももちろん可能である。
As shown in FIG. 2, in the first processing unit group G 1 , two spinner type processing units, for example, a resist coating device unit, which place a wafer W on a spin chuck in a cup CP and perform a predetermined process. (COT) and the developing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom. Second processing even unit group G 2, two spinner-type processing units, for example, a resist coating unit Unit (C
OT) and the developing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom. The resist coating unit (COT) is preferably disposed in the lower stage because the drainage of the resist solution is troublesome both mechanically and for maintenance. However, it is of course possible to appropriately arrange the upper stage as needed.

【0027】図3に示すように、第3の処理ユニット群
3では、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を
行うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行う
クーリングユニット(COL)、レジストの定着性を高
めるためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユ
ニット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニッ
ト(ALIM)、イクステンションユニット(EX
T)、露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニ
ット(PREBAKE)および露光処理後の加熱処理を
行うポストベーキングユニット(POBAKE)が、下
から順に例えば8段に重ねられている。第4の処理ユニ
ット群G4でも、オーブン型の処理ユニット、例えばク
ーリングユニット(COL)、イクステンション・クー
リングユニット(EXTCOL)、イクステンションユ
ニット(EXT)、クーリングユニット(COL)、プ
リベーキングユニット(PREBAKE)およびポスト
ベーキングユニット(POBAKE)が下から順に、例
えば8段に重ねられている。
As shown in FIG. 3, in the third processing unit group G 3 , an oven-type processing unit that performs a predetermined process by placing the wafer W on the mounting table SP, for example, a cooling unit (COL) that performs a cooling process , An adhesion unit (AD) for performing a so-called hydrophobizing process for improving the fixability of a resist, an alignment unit (ALIM) for positioning, and an extension unit (EX)
T), a pre-baking unit (PREBAKE) for performing a heating process before the exposure process and a post-baking unit (POBAKE) for performing a heating process after the exposure process are stacked in, for example, eight stages from the bottom. Fourth processing even unit group G 4, oven-type processing units, for example, a cooling unit (COL), an extension and cooling unit (EXTCOL), extension unit (EXT), a cooling unit (COL), prebaking units (PREBAKE ) And a post-baking unit (POBAKE) are stacked in order from the bottom, for example, in eight stages.

【0028】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット(PREBAKE)、ポストベーキン
グユニット(POBAKE)およびアドヒージョンユニ
ット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、ラ
ンダムな多段配置としてもよい。
As described above, the cooling unit (COL) and the extension cooling unit (EXTCOL) having a low processing temperature are arranged in the lower stage, and the baking unit (PREBAKE), the post-baking unit (POBAKE) and the adhesion having a high processing temperature are arranged. By arranging the units (AD) in the upper stage, thermal mutual interference between the units can be reduced. Of course, a random multi-stage arrangement may be used.

【0029】前記インターフェイス部12は、図1に示
すように、奥行方向(X方向)については、前記処理ス
テーション11と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。そしてこのイン
ターフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアッ
プカセットCRと、定置型のバッファカセットBRが2
段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置23が配
置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体24が設け
られている。このウエハ搬送体24は、X方向、Z方向
に移動して両カセットCR、BRおよび周辺露光装置2
3にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体
24は、θ方向にも回転自在となるように構成されてお
り、前記処理ステーション11側の第4の処理ユニット
群G4の多段ユニットに属するイクステンションユニッ
ト(EXT)や、さらには隣接する露光装置側のウエハ
受け渡し台(図示せず)にもアクセスできるようになっ
ている。
As shown in FIG. 1, the interface section 12 has the same size in the depth direction (X direction) as the processing station 11, but is set smaller in the width direction. A portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are provided in front of the interface section 12.
On the other hand, a peripheral exposing device 23 is arranged on the back side, and a wafer carrier 24 is provided on the central part. The wafer carrier 24 moves in the X and Z directions to move the cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 2.
3 is accessed. The wafer transfer body 24 is configured to be rotatable also in the θ direction, and includes an extension unit (EXT) belonging to a multi-stage unit of the fourth processing unit group G4 on the processing station 11 side, and further, The wafer delivery table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side can also be accessed.

【0030】また前記塗布現像処理システム1では、図
1に示すように、既述の如く主ウエハ搬送機構22の背
面側にも破線で示した第5の処理ユニット群G5の多段
ユニットが配置できるようになっているが、この第5の
処理ユニット群G5の多段ユニットは、案内レール25
に沿って主ウエハ搬送機構22からみて、側方へシフト
できるように構成されている。したがって、この第5の
処理ユニット群G5の多段ユニットを図示の如く設けた
場合でも、前記案内レール25に沿ってスライドするこ
とにより、空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構
22に対して背後からメンテナンス作業が容易に行える
ようになっている。なお第5の処理ユニット群G5の多
段ユニットは、そのように案内レール25に沿った直線
状のスライドシフトに限らず、図1中の一点鎖線の往復
回動矢印で示したように、システム外方へと回動シフト
させるように構成しても、主ウエハ搬送機構22に対す
るメンテナンス作業のスペース確保が容易である。
Further, in the coating and developing system 1, as shown in FIG. 1, a multi-stage unit of the fifth processing unit group G5 shown by a broken line is also arranged on the back side of the main wafer transfer mechanism 22 as described above. Although the multi-stage unit of the fifth processing unit group G5 can be
, And can be shifted to the side as viewed from the main wafer transfer mechanism 22. Therefore, even when provided as a multi-stage unit of the fifth processing unit group G 5 shown, by sliding along the guide rail 25, the space portion can be secured, to the main wafer transfer mechanism 22 The maintenance work can be easily performed from behind. The multi-stage unit of the fifth processing unit group G5 is not limited to such a linear slide shift along the guide rail 25, but may be a system as shown by a reciprocating rotation arrow indicated by a chain line in FIG. Even if it is configured to rotate outward, it is easy to secure a space for maintenance work on the main wafer transfer mechanism 22.

【0031】次に、レジスト塗布装置ユニット(CO
T)について説明する。図4および図5は、レジスト塗
布装置ユニット(COT)の全体構成を示す略断面図お
よび略平面図である。
Next, a resist coating unit (CO
T) will be described. 4 and 5 are a schematic cross-sectional view and a schematic plan view showing the entire configuration of the resist coating unit (COT).

【0032】このレジスト塗布装置ユニット(COT)
の中央部には環状のカップCPが配置され、カップCP
の内側にはスピンチャック52が配置されている。スピ
ンチャック52は真空吸着によってウエハWを固定保持
した状態で駆動モータ54によって回転駆動される。駆
動モータ54は、ユニット底板50の開口に昇降移動可
能に配置され、たとえばアルミニウムからなるキャップ
状のフランジ部材58を介してたとえばエアシリンダか
らなる昇降駆動手段60および昇降ガイド手段62と結
合されている。駆動モータ54の側面にはたとえばSU
Sからなる筒状の冷却ジャケット64が取り付けられ、
フランジ部材58は、この冷却ジャケット64の上半部
を覆うように取り付けられている。
This resist coating unit (COT)
An annular cup CP is arranged at the center of the
The spin chuck 52 is arranged inside the. The spin chuck 52 is rotationally driven by a drive motor 54 in a state where the wafer W is fixedly held by vacuum suction. The drive motor 54 is disposed at an opening of the unit bottom plate 50 so as to be able to move up and down, and is connected to a lift drive means 60 and a lift guide means 62 such as an air cylinder via a cap-like flange member 58 made of, for example, aluminum. . On the side of the drive motor 54, for example, SU
A cylindrical cooling jacket 64 made of S is attached,
The flange member 58 is attached so as to cover the upper half of the cooling jacket 64.

【0033】レジスト液塗布時、フランジ部材58の下
端は、ユニット底板50の開口の外周付近でユニット底
板50に密着し、これによりユニット内部が密閉され
る。スピンチャック52と主ウエハ搬送機構22との間
でウエハWの受け渡しが行われる時は、昇降駆動手段6
0が駆動モータ54ないしスピンチャック52を上方へ
持ち上げることでフランジ部材58の下端がユニット底
板50から浮くようになっている。
When the resist solution is applied, the lower end of the flange member 58 is in close contact with the unit bottom plate 50 near the outer periphery of the opening of the unit bottom plate 50, thereby sealing the inside of the unit. When the transfer of the wafer W is performed between the spin chuck 52 and the main wafer transfer mechanism 22,
0 lifts the drive motor 54 or the spin chuck 52 upward, so that the lower end of the flange member 58 floats from the unit bottom plate 50.

【0034】ウエハWの表面にレジスト液を供給するた
めのレジストノズル66は、レジスト液供給管68を介
して、後述するレジスト液供給部に接続されている。こ
のレジストノズル66はノズルスキャンアーム70の先
端部にノズル保持体73を介して着脱可能に取り付けら
れている。このノズルスキャンアーム70は、ユニット
底板50の上に一方向(Y方向)に敷設されたガイドレ
ール71上で水平移動可能な垂直支持部材72の上端部
に取り付けられており、図示しないY方向駆動機構によ
って垂直支持部材72と一体にY方向に移動するように
なっている。
A resist nozzle 66 for supplying a resist solution to the surface of the wafer W is connected via a resist solution supply pipe 68 to a resist solution supply section described later. The resist nozzle 66 is detachably attached to the tip of the nozzle scan arm 70 via a nozzle holder 73. The nozzle scan arm 70 is attached to the upper end of a vertical support member 72 that can move horizontally on a guide rail 71 laid in one direction (Y direction) on the unit bottom plate 50, and is driven in a Y direction (not shown). The mechanism moves in the Y direction integrally with the vertical support member 72 by a mechanism.

【0035】また、ノズルスキャンアーム70は、レジ
ストノズル待機部74でレジストノズル66を選択的に
取り付けるため、Y方向と直角なX方向にも移動可能で
あり、図示しないX方向駆動機構によってX方向にも移
動するようになっている。
The nozzle scan arm 70 can also be moved in the X direction perpendicular to the Y direction in order to selectively mount the resist nozzle 66 in the resist nozzle standby section 74. Is also going to move.

【0036】さらに、レジストノズル待機部74でレジ
ストノズル66の吐出口が溶媒雰囲気室の口75に挿入
され、この中で溶媒の雰囲気に晒されることで、ノズル
先端のレジスト液が固化または劣化しないようになって
いる。
Further, in the resist nozzle standby section 74, the discharge port of the resist nozzle 66 is inserted into the port 75 of the solvent atmosphere chamber, and is exposed to the solvent atmosphere therein, so that the resist liquid at the nozzle tip does not solidify or deteriorate. It has become.

【0037】さらにまた、レジストノズルスキャンアー
ム70のノズル保持体73には、ウエハ表面へのレジス
ト液の供給に先立ってウエハ表面にウエハ表面を濡らす
ための液剤例えばシンナーを供給するシンナーノズル7
6が取り付けられている。このシンナーノズル76は図
示しないシンナー供給管を介して図示しないシンナー供
給部に接続されている。シンナーノズル76とレジスト
ノズル66はレジストノズルスキャンアーム70のY移
動方向に沿う直線上に各々の吐出口が位置するように取
り付けられている。
Further, the nozzle holder 73 of the resist nozzle scan arm 70 has a thinner nozzle 7 for supplying a liquid agent, for example, a thinner, for wetting the wafer surface on the wafer surface before supplying the resist liquid to the wafer surface.
6 is attached. The thinner nozzle 76 is connected to a thinner supply unit (not shown) via a thinner supply pipe (not shown). The thinner nozzle 76 and the resist nozzle 66 are attached such that each discharge port is located on a straight line along the Y movement direction of the resist nozzle scan arm 70.

【0038】ガイドレール71上には、リンスノズルス
キャンアーム78が設けられ、このリンスノズルスキャ
ンアーム78の先端部に、サイドリンス用のリンスノズ
ル77が取り付けられている。このリンスノズル77
は、カップCPの側方に設定されたリンスノズル待機位
置(実線の位置)とスピンチャック52に設置されてい
るウエハWの周辺部の真上に設定されたリンス液吐出位
置(点線の位置)との間で並進または直線移動するよう
になっている。
A rinse nozzle scan arm 78 is provided on the guide rail 71, and a rinse nozzle 77 for side rinsing is attached to the end of the rinse nozzle scan arm 78. This rinse nozzle 77
Are the rinse nozzle standby position (solid line position) set on the side of the cup CP and the rinse liquid discharge position (dotted line position) set just above the periphery of the wafer W installed on the spin chuck 52. It translates or moves linearly between and.

【0039】次に、このように構成されたレジスト塗布
装置ユニット(COT)のレジスト塗布の動作を説明す
る。
Next, the resist coating operation of the resist coating unit (COT) configured as described above will be described.

【0040】主ウエハ搬送機構22の保持部材48によ
ってレジスト塗布装置ユニット(COT)内のカップC
Pの真上までウエハWが搬送されると、そのウエハW
は、例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段60およ
び昇降ガイド手段62によって上昇してきたスピンチャ
ック52によって真空吸着される。主ウエハ搬送機構2
2はウエハWをスピンチャック52に真空吸着せしめた
後、保持部材48をレジスト塗布装置ユニット(CO
T)内から引き戻し、レジスト塗布装置ユニット(CO
T)へのウエハWの受け渡しを終える。
The cup C in the resist coating unit (COT) is held by the holding member 48 of the main wafer transfer mechanism 22.
When the wafer W is transported right above P, the wafer W
Is sucked in vacuum by the spin chuck 52 which has been lifted by the lift drive means 60 and lift guide means 62, for example, which are air cylinders. Main wafer transfer mechanism 2
After the wafer W is vacuum-sucked to the spin chuck 52, the holding member 48 is moved to the resist coating unit (CO).
T) Pull back from inside, resist coating unit (CO
The delivery of the wafer W to T) is completed.

【0041】次いで、スピンチャック52はウエハWが
カップCP内の定位置まで下降し、駆動モータ54によ
ってスピンチャック52の回転駆動が開始される。その
後、レジストノズル待機部74からのノズル保持体73
の移動が開始される。このノズル保持体73の移動はY
方向に沿って行われる。
Next, the spin chuck 52 moves the wafer W down to a fixed position in the cup CP, and the drive motor 54 starts rotating the spin chuck 52. Thereafter, the nozzle holder 73 from the resist nozzle standby unit 74
Starts moving. The movement of the nozzle holder 73 is Y
Done along the direction.

【0042】シンナーノズル77の吐出口がスピンチャ
ック52の中心(ウエハWの中心)上に到達したところ
でシンナーを回転するウエハWの表面に供給する。ウエ
ハ表面に供給された溶剤は遠心力によってウエハ中心か
らその周囲全域にむらなく広がる。
When the discharge port of the thinner nozzle 77 reaches the center of the spin chuck 52 (the center of the wafer W), the thinner is supplied to the surface of the rotating wafer W. The solvent supplied to the wafer surface spreads uniformly from the center of the wafer to the entire area around the wafer due to centrifugal force.

【0043】続いて、ノズル保持体73は、レジストノ
ズル66の吐出口がスピンチャック52の中心(ウエハ
Wの中心)上に到達するまでY方向に移動され、レジス
トノズル66の吐出口からレジスト液が、回転するウエ
ハWの表面の中心に滴下されてウエハ表面へのレジスト
塗布が行われる。
Subsequently, the nozzle holder 73 is moved in the Y direction until the discharge port of the resist nozzle 66 reaches the center of the spin chuck 52 (the center of the wafer W). Is dropped at the center of the surface of the rotating wafer W, and the resist is applied to the surface of the wafer.

【0044】次に、図1、図6および図7を参照して、
レジスト液をレジスト塗布装置に供給する供給機構につ
いて説明する。図6は、塗布・現像処理システムを設置
したクリーンルームおよびその階下の断面図であり、処
理液貯留タンクが上昇した状態を示す図であり、図7
は、塗布現像処理システムを設置したクリーンルームお
よびその階下の断面図であり、処理液貯留タンクが下降
した状態を示す図である。
Next, referring to FIG. 1, FIG. 6 and FIG.
A supply mechanism for supplying the resist liquid to the resist coating device will be described. FIG. 6 is a cross-sectional view of a clean room in which the coating / developing processing system is installed and the lower floor thereof, showing a state where the processing liquid storage tank is raised.
1 is a cross-sectional view of a clean room in which a coating and developing processing system is installed and a floor below the clean room, showing a state where a processing liquid storage tank is lowered.

【0045】図6および図7に示すように、クリーンル
ーム80の床面81と、階下の床面82との間には、複
数のガイドレール83が立設されており、これらのガイ
ドレール83に沿って、ボックス84が昇降自在に設け
られている。
As shown in FIGS. 6 and 7, a plurality of guide rails 83 are erected between the floor surface 81 of the clean room 80 and the floor surface 82 below the floor. Along the box 84, a box 84 is provided so as to be movable up and down.

【0046】このボックス84内には、レジスト液貯留
タンク85が収納されている。このレジスト液貯留タン
ク85は、図7に示すように、ボックス84が階下の床
面82に降下した状態で作業者が交換するようになって
いる。また、ボックス84内には、レジスト液貯留タン
ク85の液位を計測するための液位計86も収納されて
いる。この液位計86内の液位は、タンク85内のレジ
スト液の液位と同じさになるように構成されており、ま
た、液位計86の液位の上部位置および下部位置を検知
するための液位センサー87a,87bが設けられてい
る。これにより、レジスト液貯留タンク85内の液位が
計測されている。
The box 84 accommodates a resist solution storage tank 85. As shown in FIG. 7, the operator replaces the resist liquid storage tank 85 with the box 84 lowered to the floor surface 82 below the floor. The box 84 also houses a liquid level meter 86 for measuring the liquid level in the resist liquid storage tank 85. The liquid level in the liquid level meter 86 is configured to be the same as the liquid level of the resist liquid in the tank 85, and the upper and lower positions of the liquid level of the liquid level meter 86 are detected. Level sensors 87a and 87b are provided. Thereby, the liquid level in the resist liquid storage tank 85 is measured.

【0047】ボックス84を昇降するための昇降機構8
8がクリーンルーム80の床面81の下側に設けられ、
この昇降機構88内には、図示しないモーターおよびプ
ーリーが設けられている。また、階下の床面82には、
図示しないプーリーを収納した下部昇降機構89が設け
られている。この昇降機構88の図示しないプーリー
と、下部昇降機構89の図示しないプーリーとに、無端
状のベルト90が掛け渡され、この無端状のベルト90
の一部にボックス84が保持されている。これにより、
昇降機構88内の図示しないモーターが駆動されると、
昇降機構88の図示しないプーリーが回転し、このプー
リーと下部昇降機構89の図示しないプーリーとに掛け
渡された無端状のベルト90が回動して、ボックス84
が昇降されるようになっている。
Elevating mechanism 8 for elevating and lowering box 84
8 is provided below the floor 81 of the clean room 80,
A motor and a pulley (not shown) are provided in the elevating mechanism 88. In addition, on the floor surface 82 downstairs,
A lower elevating mechanism 89 containing a pulley (not shown) is provided. An endless belt 90 is wrapped around a pulley (not shown) of the elevating mechanism 88 and a pulley (not shown) of the lower elevating mechanism 89.
The box 84 is held in a part of. This allows
When a motor (not shown) in the elevating mechanism 88 is driven,
A pulley (not shown) of the elevating mechanism 88 rotates, and an endless belt 90 wrapped around this pulley and a pulley (not shown) of the lower elevating mechanism 89 rotates to form a box 84.
Is raised and lowered.

【0048】このボックス84は、これら昇降機構88
およびベルト90等により、図6に示すように、クリー
ンルーム80の床面81の下側近傍位置と、図7に示す
ように、階下の床面82の位置とを昇降するよになって
いる。また、ボックス84が床面81の下側近傍位置に
到達したことを検出する位置検出器91aと、ボックス
84が階下の床面82の位置に到達したことを検出する
位置検出器91bとが設けられている。なお、上述した
液位計86の液位データ、昇降機構88の制御信号、お
よび位置検出器91a,91bの位置データは、レジス
ト塗布装置の図示しないユニットコントローラと送受し
て制御されるように構成されている。
The box 84 is provided with a lifting mechanism 88
The belt 90 and the like move up and down the position near the lower side of the floor 81 of the clean room 80 as shown in FIG. 6 and the position of the floor 82 below the floor as shown in FIG. Further, a position detector 91a for detecting that the box 84 has reached a position near the lower side of the floor 81 and a position detector 91b for detecting that the box 84 has reached the position of the floor 82 below the floor are provided. Have been. The above-described liquid level data of the liquid level meter 86, the control signal of the lifting / lowering mechanism 88, and the position data of the position detectors 91a and 91b are transmitted and received to and from a unit controller (not shown) of the resist coating apparatus. Have been.

【0049】また、図1、図6および図7に示すよう
に、レジスト塗布装置(COT)のレジストノズル66
(図4,図5)にレジスト液を給送するためのポンプ9
2が設けられ、このポンプ92は、伸縮性の供給管93
によりボックス84内の液位計86を介してレジスト液
貯留タンク85に連通されている。この伸縮性の供給管
93は、図6に示すようにボックス84が床面81の下
側近傍位置に上昇される時には、らせん状に自己収縮し
て短くなる一方、ボックス84が階下の床面82の位置
に下降される時には、図7に示すように伸張して長くな
るように構成されている。なお、この供給管93は、必
ずしも伸縮性を有していなくてもよく、その場合には、
例えば、ボックス84の昇降時に供給管93が巻回され
るように構成されていてもよい。
As shown in FIGS. 1, 6 and 7, the resist nozzle 66 of the resist coating device (COT) is used.
(FIGS. 4 and 5) Pump 9 for feeding resist solution
The pump 92 is provided with an elastic supply pipe 93.
Is connected to a resist liquid storage tank 85 via a liquid level meter 86 in a box 84. When the box 84 is raised to a position near the lower side of the floor surface 81 as shown in FIG. When it is lowered to the position 82, it is configured to be elongated as shown in FIG. Note that the supply pipe 93 does not necessarily have to have elasticity, in which case,
For example, the supply pipe 93 may be wound when the box 84 is moved up and down.

【0050】以上のような構成の供給機構においては、
レジスト塗布装置(COT)のレジストノズル66(図
4,図5)にレジスト液を供給する際には、図6に示す
ように、昇降機構88内の図示しないモーターが駆動さ
れ、昇降機構88の図示しないプーリーが回転され、無
端状のベルト90が回動され、ボックス84がクリーン
ルーム80の床面81の下側近傍位置まで上昇され、こ
の下側近傍位置への到達が位置検出器91aにより検出
される。
In the supply mechanism configured as described above,
When the resist liquid is supplied to the resist nozzle 66 (FIGS. 4 and 5) of the resist coating device (COT), a motor (not shown) in the elevating mechanism 88 is driven as shown in FIG. The pulley (not shown) is rotated, the endless belt 90 is rotated, the box 84 is raised to a position near the lower side of the floor surface 81 of the clean room 80, and the arrival to this lower side is detected by the position detector 91a. Is done.

【0051】この状態で、ポンプ92が駆動されて、レ
ジスト液がレジスト液貯留タンク85からレジスト塗布
装置(COT)のレジストノズル66(図4,図5)に
給送される。この際、液位計86の液位センサー87
a,87bにより、レジスト液貯留タンク85内の液位
が計測され、レジスト液貯留タンク85が空に近づく
か、または空になると、信号が図示しないユニットコン
トローラに送信される。
In this state, the pump 92 is driven, and the resist solution is fed from the resist solution storage tank 85 to the resist nozzle 66 (FIGS. 4 and 5) of the resist coating device (COT). At this time, the liquid level sensor 87 of the liquid level meter 86
The liquid level in the resist liquid storage tank 85 is measured by a and 87b, and when the resist liquid storage tank 85 approaches or becomes empty, a signal is transmitted to a unit controller (not shown).

【0052】これにより、レジスト液貯留タンク85を
交換する場合には、図7に示すように、ボックス84が
階下の床面82の位置まで降下される。この際、位置検
出器91bにより階下の床面82への到達が検出され
る。この状態で、レジスト液貯留タンク85が作業者に
より新しいものと交換される。
As a result, when replacing the resist liquid storage tank 85, the box 84 is lowered to the position of the floor surface 82 below the floor, as shown in FIG. At this time, the arrival at the floor surface 82 below the floor is detected by the position detector 91b. In this state, the operator replaces the resist liquid storage tank 85 with a new one.

【0053】このように、本実施の形態では、従来のよ
うに、クリーンルームの階下の床面82に配置したレジ
スト液貯留タンク85から階下ポンプの高い加圧力によ
りレジスト液を揚げる必要がなく、また、バッファータ
ンクも不要であるため、レジスト液が溶媒と溶剤に分離
して変質するといったことがない。したがって、何等問
題なくクリーンルームに極力余分なものを配置しないと
いう従来の要求を実現することができる。
As described above, in this embodiment, there is no need to lift the resist solution from the resist solution storage tank 85 disposed on the floor surface 82 below the clean room by the high pressure of the downstairs pump as in the prior art. Also, since a buffer tank is not required, the resist solution is not separated into solvents and deteriorated. Therefore, it is possible to realize the conventional requirement that extraneous materials should not be disposed in the clean room without any problem.

【0054】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態
では、半導体ウエハにレジスト液を塗布する塗布装置に
ついて説明したが、半導体ウエハ以外の他の被処理基
板、例えばLCD基板にレジスト液を塗布する場合にも
本発明を適用できる。さらに、処理液はレジスト液以外
の他のものであってもよい。
Note that the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications are possible. For example, in the above embodiment, the coating apparatus for applying a resist liquid to a semiconductor wafer has been described. However, the present invention can be applied to a case where a resist liquid is applied to a substrate to be processed other than the semiconductor wafer, for example, an LCD substrate. . Further, the processing liquid may be other than the resist liquid.

【0055】[0055]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理装置が設置された床面の下方に処理液貯留タンクが
配置されるとともに、処理液貯留タンクを、前記床面の
下方の所定位置と前記床面の近傍位置との間で昇降させ
る昇降手段が設けられているため、処理液の供給の際に
は、昇降手段により処理液貯留タンクを処理装置が設置
された床面の近傍位置に移動させ、ポンプを駆動させる
ことにより、処理液を処理液貯留タンクから供給管およ
びポンプを介して処理ユニットに供給することができ
る。したがって、ポンプの高い加圧力により処理液を揚
げる必要がなく、また、バッファータンクも不要である
ため、処理液が分離して変質するといったことがない。
As described above, according to the present invention,
Elevating means for disposing a processing liquid storage tank below the floor on which the processing apparatus is installed, and for raising and lowering the processing liquid storage tank between a predetermined position below the floor and a position near the floor When the processing liquid is supplied, the processing liquid storage tank is moved to a position near the floor on which the processing apparatus is installed by the elevating means, and the pump is driven to process the processing liquid. The liquid can be supplied from the liquid storage tank to the processing unit via a supply pipe and a pump. Therefore, there is no need to raise the processing liquid by a high pressure of the pump, and no buffer tank is required, so that the processing liquid does not separate and deteriorate.

【0056】すなわち、本発明によれば、処理装置がク
リーンルームの床面に設置され、処理液貯留タンクがク
リーンルームの床下に設置された場合の従来の問題点を
解決することができる。
That is, according to the present invention, the conventional problems in the case where the processing apparatus is installed on the floor of a clean room and the processing liquid storage tank is installed under the floor of the clean room can be solved.

【0057】本発明は、前記処理液が被処理体に塗布さ
れるレジスト液であり、前記処理装置がレジスト液を基
板に塗布するレジスト塗布装置である場合に特に有効で
ある。
The present invention is particularly effective when the processing liquid is a resist liquid to be applied to an object to be processed and the processing apparatus is a resist coating apparatus for applying a resist liquid to a substrate.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成の平面図。
FIG. 1 is a plan view of the overall configuration of a semiconductor wafer coating and developing processing system according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す塗布現像処理システムの正面図。FIG. 2 is a front view of the coating and developing system shown in FIG.

【図3】図1に示す塗布現像処理システムの背面図。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing system shown in FIG. 1;

【図4】図1に示した塗布現像処理システムに装着した
レジスト塗布装置の全体構成の断面図。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the overall configuration of a resist coating apparatus mounted on the coating and developing processing system shown in FIG.

【図5】図4に示したレジスト塗布装置の平面図。5 is a plan view of the resist coating device shown in FIG.

【図6】塗布現像処理システムを設置したクリーンルー
ムおよびその階下の断面図であり、処理液貯留タンクが
上昇した状態を示す図。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a clean room in which a coating and developing processing system is installed and a floor below the clean room, showing a state where a processing liquid storage tank is raised.

【図7】塗布現像処理システムを設置したクリーンルー
ムおよびその階下の断面図であり、処理液貯留タンクが
下降した状態を示す図。
FIG. 7 is a sectional view of a clean room in which a coating and developing processing system is installed and a lower floor thereof, showing a state in which a processing liquid storage tank is lowered.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……塗布・現像処理システム 80……クリーンルーム 81……クリーンルームの床面 82……階下の床面 83……ガイドレール 84……ボックス 85……レジスト液貯留タンク(処理液貯留タンク) 86……液位計 88……昇降機構 90……ベルト 92……ポンプ 93……供給管 W……半導体ウエハ COT……レジスト塗布装置 1 Coating / Development Processing System 80 Clean Room 81 Clean Room Floor 82 Floor Downstairs 83 Guide Rail 84 Box 85 Resist Liquid Storage Tank (Treatment Liquid Storage Tank) 86 … Level gauge 88… Lift mechanism 90… Belt 92… Pump 93… Supply pipe W… Semiconductor wafer COT… Resist coating device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 葉瀬川 泉 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 東京 エレクトロン九州株式会社熊本事業所内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Izumi Hasegawa 2655 Tsukure, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Prefecture Inside the Tokyo Electron Kyushu Kumamoto Office

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理体に対して所定の液処理を施す処
理装置と、 前記処理装置に処理液を供給するポンプと、 前記処理装置が設置された床面の下方に配置される処理
液貯留タンクと、 前記処理液貯留タンクから前記ポンプに連通する供給管
と、 前記床面の下方の所定位置と前記床面の近傍位置との間
で前記タンクを昇降させる昇降手段とを具備することを
特徴とする液体処理システム。
1. A processing apparatus for performing a predetermined liquid processing on an object to be processed, a pump for supplying a processing liquid to the processing apparatus, and a processing liquid disposed below a floor on which the processing apparatus is installed. A storage tank, a supply pipe communicating from the processing liquid storage tank to the pump, and elevating means for elevating the tank between a predetermined position below the floor surface and a position near the floor surface. A liquid processing system characterized by the above-mentioned.
【請求項2】 前記処理装置は、クリーンルームの床面
に設置され、前記タンクはクリーンルームの床下に設置
されることを特徴とする請求項1に記載の液体処理シス
テム。
2. The liquid processing system according to claim 1, wherein the processing device is installed on a floor of a clean room, and the tank is installed under a floor of the clean room.
【請求項3】 前記昇降手段により昇降される前記タン
クが、前記床下の所定位置に到達したこと、および、前
記床面近傍位置に到達したことを検出する位置検出器を
有することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいず
れか1項に記載の液体処理システム。
3. The apparatus according to claim 1, further comprising a position detector for detecting that the tank moved up and down by the elevating means has reached a predetermined position under the floor and has reached a position near the floor surface. The liquid processing system according to claim 1.
【請求項4】 前記処理液貯留タンク内の処理液の液位
を検出するための液位センサーを有することを特徴とす
る請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の液体
処理システム。
4. The liquid processing system according to claim 1, further comprising a liquid level sensor for detecting a liquid level of the processing liquid in the processing liquid storage tank. .
【請求項5】 前記昇降手段は、前記処理液貯留タンク
を収納して昇降するボックスを有していることを特徴と
する請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の液
体処理システム。
5. The liquid processing system according to claim 1, wherein the elevating means includes a box that accommodates the processing liquid storage tank and moves up and down. .
【請求項6】 前記液位検出センサーは、前記ボックス
内に設けられていることを特徴とする請求項5に記載の
液体処理システム。
6. The liquid processing system according to claim 5, wherein the liquid level detection sensor is provided in the box.
【請求項7】 前記供給管は、伸縮性を有していること
を特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に
記載の処理装置。
7. The processing apparatus according to claim 1, wherein the supply pipe has elasticity.
【請求項8】 前記処理液が被処理体に塗布されるレジ
スト液であり、前記処理ユニットがレジスト液を基板に
塗布するレジスト塗布装置であることを特徴とする請求
項1ないし請求項7のいずれか1項に記載の液体処理シ
ステム。
8. The resist processing apparatus according to claim 1, wherein the processing liquid is a resist liquid applied to a target object, and the processing unit is a resist coating apparatus that applies the resist liquid to a substrate. The liquid treatment system according to claim 1.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000059001A3 (en) * 1999-03-26 2001-02-22 Infineon Technologies Ag Device for treating wafers
JP2015034016A (en) * 2013-08-08 2015-02-19 東京エレクトロン株式会社 Bottle replacement device, substrate processing device, and bottle replacement method

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