JP3340394B2 - Chemical supply system, substrate processing system and substrate processing method - Google Patents
Chemical supply system, substrate processing system and substrate processing methodInfo
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Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イスやLCD基板等の製造プロセスにおいて、レジスト
液等の薬液を各処理ユニットに供給する薬液供給システ
ムおよび基板処理システムおよび基板処理方法に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical solution supply system, a substrate processing system, and a substrate processing method for supplying a chemical solution such as a resist solution to each processing unit in a manufacturing process of, for example, a semiconductor device or an LCD substrate. />
【0002】[0002]
【従来の技術】例えば半導体デバイスの製造プロセスに
おいては、被処理基板である半導体ウエハにフォトレジ
スト液を塗布し、回路パターンを縮小してフォトレジス
ト膜を露光し、これを現像処理することによって回路パ
ターンに対応したレジストパターンを形成する、いわゆ
るフォトリソグラフィ技術が採用されている。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing process, for example, a photoresist liquid is applied to a semiconductor wafer as a substrate to be processed, a circuit pattern is reduced, a photoresist film is exposed, and a circuit is developed by developing the photoresist film. A so-called photolithography technique for forming a resist pattern corresponding to the pattern is employed.
【0003】このような処理工程においては、半導体ウ
エハを洗浄ユニットにて洗浄した後、半導体ウエハにア
ドヒージョン処理ユニットにて疎水化処理を施し、冷却
処理ユニットにて冷却した後、レジスト塗布ユニットに
てフォトレジスト膜すなわち感光膜を塗布形成する。そ
して、フォトレジスト膜を熱処理ユニットにて加熱して
ベーキング処理を施した後、露光ユニットにて所定のパ
ターンを露光し、そして、露光後の半導体ウエハを現像
ユニットにて現像液を塗布して所定のレジストパターン
を形成した後に、ベーキング処理を施して高分子化のた
めの熱変成、半導体ウエハとレジストパターンとの密着
性を強化している。In such a processing step, after cleaning a semiconductor wafer with a cleaning unit, the semiconductor wafer is subjected to a hydrophobic treatment in an adhesion processing unit, cooled in a cooling processing unit, and then cooled in a resist coating unit. A photoresist film, that is, a photosensitive film is applied and formed. Then, after the photoresist film is heated in a heat treatment unit and subjected to a baking treatment, a predetermined pattern is exposed in an exposure unit, and the exposed semiconductor wafer is coated with a developing solution in a developing unit. After the formation of the resist pattern, a baking treatment is performed to enhance the thermal denaturation for polymerization and the adhesion between the semiconductor wafer and the resist pattern.
【0004】このような塗布・現像処理システムにおい
て、例えば、レジスト液ををレジスト塗布処理ユニット
に供給する際には、レジスト液は、レジスト液貯留タン
クからリキッドエンドタンクを介してポンプにより吸引
され、レジスト塗布処理ユニットに供給される。In such a coating and developing system, for example, when supplying a resist solution to a resist coating unit, the resist solution is sucked by a pump from a resist solution storage tank via a liquid end tank, It is supplied to the resist coating unit.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レジス
ト液には種々の原因によりN2ガス等のガスが混入して
おり、レジスト液が塗布処理ユニットに到達して圧力が
下がった時、N2ガスがレジスト液内で発泡し、このN
2ガスの気泡により塗布ムラが生じるおそれがある。However, a gas such as N 2 gas is mixed in the resist solution for various reasons. When the resist solution reaches the coating unit and the pressure drops, the N 2 gas Bubbling in the resist solution, this N
The coating unevenness may occur due to bubbles of the two gases.
【0006】特に、レジスト液がポンプにより吸引され
てレジスト塗布処理ユニットに圧送される際、上述した
ように、レジスト液内にN2ガス等が混入していると、
レジスト液がポンプを通過する時に、N2ガスの気泡が
より一層増幅されるといったことがあり、塗布ムラが促
進されるおそれがある。[0006] Particularly, when the resist solution is pumped into the resist coating unit is sucked by the pump, as described above, the N 2 gas or the like is mixed in the resist-liquid,
When the resist solution passes through the pump, bubbles of the N 2 gas may be further amplified, and application unevenness may be promoted.
【0007】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、レジスト液等の薬液をポンプにより吸引し
て処理ユニットに圧送する際、薬液内の気泡を極力除去
することができる薬液供給システムおよび基板処理シス
テムおよび基板処理方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and has been made in consideration of the above circumstances, and when a chemical solution such as a resist solution is suctioned by a pump and pressure-fed to a processing unit, a chemical solution supply capable of removing bubbles in the chemical solution as much as possible. It is an object to provide a system, a substrate processing system, and a substrate processing method .
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第1の観点によれば、薬液タンクから処理
ユニットに薬液を圧送して供給するための薬液供給シス
テムであって、前記薬液タンクから薬液流路を介して供
給された薬液を貯留するためのバッファタンクと、この
バッファタンクの下流側に配置され、このバッファタン
クから薬液を吸引して前記処理ユニットに薬液を吐出す
るためのポンプと、前記バッファタンク内を減圧して、
薬液内に混入した気体を排出するための脱気手段と、前
記ポンプを所定時間駆動して所定量の薬液を前記バッフ
ァタンクから前記処理ユニットに薬液を吐出させるとと
もに、前記バッファタンク内に所定量の薬液が貯留され
ている際に、前記脱気手段により前記バッファタンク内
を減圧させて薬液内混入気体を脱気させる制御手段とを
具備することを特徴とする薬液供給システムが提供され
る。According to a first aspect of the present invention, there is provided a chemical solution supply system for pressure-feeding and supplying a chemical solution from a chemical tank to a processing unit. A buffer tank for storing a chemical supplied from the chemical tank via a chemical liquid flow path, and a buffer disposed downstream of the buffer tank, which sucks the chemical from the buffer tank and discharges the chemical to the processing unit. And a pump for reducing the pressure in the buffer tank,
A degassing means for discharging gas mixed in the chemical solution, and driving the pump for a predetermined time to discharge a predetermined amount of the chemical solution from the buffer tank to the processing unit, and a predetermined amount of the chemical solution in the buffer tank. And a control means for depressurizing the inside of the buffer tank by the degassing means to degas the gas mixed in the chemical liquid when the chemical liquid is stored.
【0009】本発明の第2の観点によれば、薬液タンク
から薬液を圧送する薬液供給システムから供給された薬
液を用いて、各処理ユニットが基板の処理を行う基板処
理システムであって、前記薬液供給システムは、前記薬
液タンクから薬液流路を介して供給された薬液を貯留す
るためのバッファタンクと、このバッファタンクの下流
側に配置され、このバッファタンクから薬液を吸引して
前記処理ユニットに薬液を吐出するためのポンプと、前
記バッファタンク内を減圧して、薬液内に混入した気体
を排出するための脱気手段と、前記ポンプを所定時間駆
動して所定量の薬液を前記バッファタンクから前記処理
ユニットに薬液を吐出させるとともに、前記バッファタ
ンク内に所定量の薬液が貯留されている際に、前記脱気
手段により前記バッファタンク内を減圧させて薬液内混
入気体を脱気させる制御手段とを具備することを特徴と
する基板処理システムが提供される。According to a second aspect of the present invention, there is provided a substrate processing system in which each processing unit processes a substrate by using a chemical supplied from a chemical supply system for pumping a chemical from a chemical tank. The chemical liquid supply system is provided with a buffer tank for storing the chemical liquid supplied from the chemical liquid tank via the chemical liquid flow path, and is disposed downstream of the buffer tank, and sucks the chemical liquid from the buffer tank to form the processing unit. A pump for discharging a chemical solution to the buffer tank; a degassing means for reducing the pressure in the buffer tank to discharge gas mixed in the chemical solution; The chemical solution is discharged from the tank to the processing unit, and when a predetermined amount of the chemical solution is stored in the buffer tank, the degassing means removes the buffer. The substrate processing system characterized by comprising a control means for the inside Fatanku by vacuum to degas the liquid medicine in the mixed gas is provided.
【0010】本発明によれば、処理ユニットに薬液を吐
出するためのポンプが、薬液内混入気体(例えば、N2
ガス)を脱気するための脱気手段を備えたバッファタン
クの下流側に設けられているので、薬液がポンプに吸引
される前に、脱気手段により薬液内混入気体(例えば、
N2ガス)が既に十分に脱気されており、その後、薬液
がポンプに吸引された時に、薬液内混入気体(例えば、
N2ガス)の気泡の増幅がほとんど生じない。したがっ
て、薬液内に気泡が存在することによる悪影響、例え
ば、例えば、塗布処理ユニットにおいて、レジスト液内
の気泡によって生じる塗布ムラを有効に防止することが
できる。According to the present invention, the pump for discharging the chemical to the processing unit is provided with a gas (for example, N 2 ) mixed in the chemical.
Gas) is provided on the downstream side of the buffer tank provided with a degassing means for degassing the gas, so that the gas mixed in the chemical solution (for example,
N 2 gas) has already been sufficiently degassed, and then when the chemical solution is sucked into the pump, the gas mixed in the chemical solution (for example,
Bubbles amplification of N 2 gas) hardly occurs. Therefore, it is possible to effectively prevent adverse effects caused by the presence of bubbles in the chemical solution, for example, coating unevenness caused by bubbles in the resist solution in, for example, a coating processing unit.
【0011】この場合に、前記薬液流路に介装された薬
液流路開閉弁をさらに具備し、前記制御手段が、薬液の
所定量ごとの吐出が終了する度ごとに、前記薬液タンク
から前記バッファタンクに薬液を導入して補填するよう
に、前記薬液流路開閉弁を開に切り換えるようにするこ
とにより、バッファタンク内には常に一定量の薬液を保
持するようにすることができる。In this case, the apparatus further comprises a chemical liquid passage opening / closing valve interposed in the chemical liquid flow passage, wherein the control means causes the chemical liquid tank to be discharged from the chemical liquid tank every time discharge of a predetermined amount of the chemical liquid is completed. By switching the chemical liquid flow path opening / closing valve to open so that the chemical liquid is introduced into the buffer tank and supplemented, a constant amount of the chemical liquid can be always held in the buffer tank.
【0012】また、前記脱気手段は、前記バッファタン
クに分岐管を介して接続された配管と、この配管に介装
された配管開閉弁と、この配管を介してバッファタンク
内を吸引する吸引手段とを有し、前記制御手段は、前記
バッファタンク内に所定量の薬液が貯留されている際
に、前記配管開閉弁を開にして前記吸引手段により前記
バッファタンク内を吸引させ、薬液内混入気体を前記分
岐管を介して前記配管に排出させるようにすることによ
り、配管開閉弁の切換によって容易に薬液の脱気を行う
ことができる。The degassing means includes a pipe connected to the buffer tank via a branch pipe, a pipe opening / closing valve interposed in the pipe, and a suction for sucking the inside of the buffer tank through the pipe. The control means, when a predetermined amount of the drug solution is stored in the buffer tank, the pipe opening and closing valve is opened to cause the suction means to suck the inside of the buffer tank, By discharging the mixed gas to the pipe via the branch pipe, the chemical solution can be easily degassed by switching the pipe open / close valve.
【0013】さらに、前記吸引手段を、前記配管にガス
を通流させ、前記分岐管に吸引力を及ぼす構成にするこ
とにより、簡易に薬液内混入気体(例えば、N2ガス)
を排出することができる。[0013] Further, by forming the suction means so that gas flows through the pipe and exerts a suction force on the branch pipe, a gas (for example, N 2 gas) mixed in a chemical solution can be easily obtained.
Can be discharged.
【0014】さらにまた、前記薬液の前記バッファタン
クへの導入を、薬液流路開閉弁を開にし、前記脱気手段
により前記バッファタンク内を減圧させることにより行
うことにより、特別な供給系を用いることなく、バッフ
ァタンクに薬液を供給することができる。Furthermore, a special supply system is used by introducing the chemical liquid into the buffer tank by opening the chemical liquid flow path opening / closing valve and reducing the pressure in the buffer tank by the deaeration means. A chemical solution can be supplied to the buffer tank without any need.
【0015】さらにまた、前記バッファタンク内の薬液
の液位を検出して、検出信号を前記制御手段に入力する
液位検出器をさらに具備することにより、処理ユニット
に所定量の薬液の吐出が行われる度ごとに、その減少量
を容易に把握ことができ、バッファタンクに、吐出され
た量に応じた薬液を補充することができる。Further, the apparatus further comprises a liquid level detector for detecting a liquid level of the chemical in the buffer tank and inputting a detection signal to the control means, so that a predetermined amount of the chemical can be discharged to the processing unit. Every time it is performed, the amount of decrease can be easily grasped, and the buffer tank can be replenished with a chemical solution corresponding to the discharged amount.
【0016】さらにまた、前記制御手段が、前記吐出手
段による薬液の所定量ごとの吐出が終了した後、前記液
位検出器が薬液の高液位レベルを検出するまで、前記薬
液流路開閉弁を開にし、薬液を導入して補填するように
することにより、常に必要量の薬液をバッファタンクに
保持させておくことができる。Further, after the control means completes the discharge of the predetermined amount of the chemical by the discharge means, the chemical liquid passage opening / closing valve is maintained until the liquid level detector detects the high liquid level of the chemical. Is opened, and a chemical solution is introduced and compensated, whereby a required amount of the chemical solution can be always held in the buffer tank.
【0017】さらにまた、前記バッファタンク内の薬液
が所定の高液位レベルを超えてオーバーフローした場合
に、これを検出するためのオーバーフロー検出器をさら
に具備し、前記制御手段は、前記薬液流路開閉弁を閉に
するとともに、前記ポンプを駆動して、オーバーフロー
した薬液を前記処理ユニットのダミーディスペンサに排
出するようにしたので、バッファタンクに必要量以上の
薬液が供給されるトラブルが生じても、余分な薬液がダ
ミーディスペンサに排出され、処理に対する悪影響が生
じない。Further, when the chemical in the buffer tank overflows beyond a predetermined high liquid level, the apparatus further comprises an overflow detector for detecting the overflow, and the control means comprises: Since the on-off valve is closed and the pump is driven to discharge the overflowing chemical solution to the dummy dispenser of the processing unit, even if a problem occurs in which a buffer solution is supplied with a chemical solution in an amount larger than a necessary amount, As a result, the excess chemical solution is discharged to the dummy dispenser, so that no adverse effect on the processing occurs.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態について説明する。図1ないし図3は、本発
明の実施に用いられる半導体ウエハ(以下、「ウエハ」
という)の塗布・現像処理システム1の全体構成を示す
図であって、図1は平面、図2は正面、図3は背面をそ
れぞれ示している。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings. FIGS. 1 to 3 show a semiconductor wafer (hereinafter, referred to as “wafer”) used in the embodiment of the present invention.
FIG. 1 is a plan view, FIG. 2 is a front view, and FIG. 3 is a rear view.
【0019】この塗布現像処理システム1は、図1に示
すように、被処理基板としてウエハWをウエハカセット
CRで複数枚、例えば25枚単位で外部からシステムに
搬入したり、あるいはシステムから搬出したり、ウエハ
カセットCRに対してウエハWを搬入・搬出したりする
ためのカセットステーション10と、塗布現像工程の中
で1枚ずつウエハWに所定の処理を施す枚葉式の各種処
理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーシ
ョン11と、この処理ステーション11に隣接して設け
られる露光装置(図示せず)との間でウエハWを受け渡
しするためのインターフェイス部12とを一体に接続し
た構成を有している。In the coating and developing system 1, as shown in FIG. 1, a plurality of wafers W as substrates to be processed are loaded into the system in a wafer cassette CR, for example, in units of 25 wafers, or unloaded from the system. A cassette station 10 for loading and unloading wafers W into and out of the wafer cassette CR, and various single-wafer processing units for performing predetermined processing on the wafers W one by one in a coating and developing process. A configuration in which a processing station 11 arranged in multiple stages and an interface unit 12 for transferring a wafer W between an exposure apparatus (not shown) provided adjacent to the processing station 11 are integrally connected. have.
【0020】前記カセットステーション10では、図1
に示すように、カセット載置台20上の位置決め突起2
0aの位置に、複数個例えば4個までのウエハカセット
CRが、それぞれのウエハ出入口を処理ステーション1
1側に向けてX方向に一列に載置され、このカセット配
列方向(X方向)およびウエハカセットCR内に収納さ
れたウエハのウエハ配列方向(Z方向:垂直方向)に移
動可能なウエハ搬送体21が各ウエハカセットCRに選
択的にアクセスするようになっている。In the cassette station 10, FIG.
As shown in FIG.
At a position 0a, a plurality of wafer cassettes CR, for example, up to four,
A wafer carrier mounted in a line in the X direction toward one side and movable in the cassette arrangement direction (X direction) and the wafer arrangement direction (Z direction: vertical direction) of the wafers stored in the wafer cassette CR. Reference numeral 21 selectively accesses each wafer cassette CR.
【0021】さらにこのウエハ搬送体21は、θ方向に
回転自在に構成されており、後述するように処理ステー
ション11側の第3の処理ユニット群G3に属するアラ
イメントユニット(ALIM)およびイクステンション
ユニット(EXT)にもアクセスできるようになってい
る。The wafer transfer body 21 is rotatable in the θ direction. As will be described later, an alignment unit (ALIM) and an extension unit (ALIM) belonging to a third processing unit group G3 on the processing station 11 side are provided. EXT).
【0022】前記処理ステーション11には、図1に示
すように、ウエハ搬送装置を備えた垂直搬送型の主ウエ
ハ搬送機構22が設けられ、その周りに全ての処理ユニ
ットが1組または複数の組に亘って多段に配置されてい
る。As shown in FIG. 1, the processing station 11 is provided with a vertical transfer type main wafer transfer mechanism 22 equipped with a wafer transfer device, and all the processing units are surrounded by one or more sets. Are arranged in multiple stages.
【0023】主ウエハ搬送機構22は、図3に示すよう
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転軸に接続されてお
り、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中
心としてウエハ搬送装置46と一体に回転し、それによ
りこのウエハ搬送装置46は、θ方向に回転自在となっ
ている。なお筒状支持体49は前記モータによって回転
される別の回転軸(図示せず)に接続するように構成し
てもよい。As shown in FIG. 3, the main wafer transfer mechanism 22 is provided with a wafer transfer device 46 inside a cylindrical support 49 so as to be vertically movable (Z direction). The cylindrical support 49 is connected to a rotation shaft of a motor (not shown), and is rotated integrally with the wafer transfer device 46 about the rotation shaft by the rotation driving force of the motor, whereby the wafer transfer is performed. The device 46 is rotatable in the θ direction. Note that the cylindrical support 49 may be configured to be connected to another rotating shaft (not shown) rotated by the motor.
【0024】ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。The wafer transfer device 46 includes a plurality of holding members 48 movable in the front-rear direction of the transfer base 47, and the transfer of the wafer W between the processing units is realized by these holding members 48. .
【0025】また、図1に示すように、この例では、5
つの処理ユニット群G1、G2、G3、G4、G5が配
置可能な構成であり、第1および第2の処理ユニット群
G1、G2は、システム正面(図1において手前)側に
配置され、第3の処理ユニット群G3はカセットステー
ション10に隣接して配置され、第4の処理ユニット群
G4はインターフェイス部12に隣接して配置される。
また、第5の処理ユニット群G5は背面側に配置される
ことが可能である。In this example, as shown in FIG.
One of the processing unit groups G1, G2, G3, G4, and G5 can be arranged. The first and second processing unit groups G1 and G2 are arranged on the system front (front side in FIG. 1) side. The processing unit group G3 is disposed adjacent to the cassette station 10, and the fourth processing unit group G4 is disposed adjacent to the interface unit 12.
Further, the fifth processing unit group G5 can be arranged on the back side.
【0026】第1の処理ユニット群G1は、図2に示す
ように、カップCP内でウエハWをスピンチャックに載
せて所定の処理を行う2台のスピンナ型処理ユニット、
例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現像ユニ
ット(DEV)が下から順に2段に重ねられている。第
2の処理ユニット群G2も、2台のスピンナ型処理ユニ
ット、例えばレジスト塗布ユニット(COT)および現
像ユニット(DEV)が下から順に2段に重ねられてい
る。これらレジスト塗布ユニット(COT)は、レジス
ト液の排液が機械的にもメンテナンスの上でも面倒であ
ることから、このように下段に配置するのが好ましい。
しかし、必要に応じて上段に配置することももちろん可
能である。As shown in FIG. 2, the first processing unit group G1 includes two spinner-type processing units for performing a predetermined processing by placing a wafer W on a spin chuck in a cup CP;
For example, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom. Also in the second processing unit group G2, two spinner type processing units, for example, a resist coating unit (COT) and a developing unit (DEV) are stacked in two stages from the bottom. These resist coating units (COTs) are preferably arranged in such a lower stage because drainage of the resist solution is troublesome both mechanically and in terms of maintenance.
However, it is of course possible to dispose it on the upper stage as needed.
【0027】第3の処理ユニット群G3は、図3に示す
ように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニット、例えば冷却処理を行うク
ーリングユニット(COL)、レジストの定着性を高め
るためのいわゆる疎水化処理を行うアドヒージョンユニ
ット(AD)、位置合わせを行うアライメントユニット
(ALIM)、イクステンションユニット(EXT)、
露光処理前の加熱処理を行うプリベーキングユニット
(PREBAKE)および露光処理後の加熱処理を行う
ポストベーキングユニット(POBAKE)が、下から
順に例えば8段に重ねられている。第4の処理ユニット
群G4も、オーブン型の処理ユニット、例えばクーリン
グユニット(COL)、イクステンション・クーリング
ユニット(EXTCOL)、イクステンションユニット
(EXT)、クーリングユニット(COL)、プリベー
キングユニット(PREBAKE)およびポストベーキ
ングユニット(POBAKE)が下から順に、例えば8
段に重ねられている。As shown in FIG. 3, the third processing unit group G3 is an oven-type processing unit for performing a predetermined process by mounting the wafer W on the mounting table SP, for example, a cooling unit (COL) for performing a cooling process, An adhesion unit (AD) for performing a so-called hydrophobizing process for improving the fixability of the resist, an alignment unit (ALIM) for positioning, an extension unit (EXT),
A pre-baking unit (PREBAKE) for performing a heating process before the exposure process and a post-baking unit (POBAKE) for performing a heating process after the exposure process are stacked in, for example, eight stages from the bottom. The fourth processing unit group G4 is also an oven-type processing unit, for example, a cooling unit (COL), an extension cooling unit (EXTCOL), an extension unit (EXT), a cooling unit (COL), and a prebaking unit (PREBAKE). And the post-baking unit (POBAKE) is, for example, 8
It is piled up on the steps.
【0028】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、イクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高いベ
ーキングユニット(PREBAKE)、ポストベーキン
グユニット(POBAKE)およびアドヒージョンユニ
ット(AD)を上段に配置することで、ユニット間の熱
的な相互干渉を少なくすることができる。もちろん、こ
れ以外の多段配置としてもよい。As described above, the cooling unit (COL) and the extension cooling unit (EXTCOL) having a low processing temperature are arranged in the lower stage, and the baking unit (PREBAKE), the post-baking unit (POBAKE) and the adhesion having a high processing temperature are provided. By arranging the units (AD) in the upper stage, thermal mutual interference between the units can be reduced. Of course, other multi-stage arrangements may be used.
【0029】前記インターフェイス部12は、図1に示
すように、奥行方向(X方向)については、前記処理ス
テーション11と同じ寸法を有するが、幅方向について
はより小さなサイズに設定されている。そしてこのイン
ターフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアッ
プカセットCRと、定置型のバッファカセットBRが2
段に配置され、他方、背面部には周辺露光装置23が配
置され、さらに、中央部には、ウエハ搬送体24が設け
られている。このウエハ搬送体24は、X方向、Z方向
に移動して両カセットCR、BRおよび周辺露光装置2
3にアクセスするようになっている。前記ウエハ搬送体
24は、θ方向にも回転自在となるように構成されてお
り、前記処理ステーション11側の第4の処理ユニット
群G4の多段ユニットに属するイクステンションユニッ
ト(EXT)や、さらには隣接する露光装置側のウエハ
受け渡し台(図示せず)にもアクセスできるようになっ
ている。As shown in FIG. 1, the interface section 12 has the same size in the depth direction (X direction) as the processing station 11, but is set smaller in the width direction. A portable pickup cassette CR and a stationary buffer cassette BR are provided in front of the interface section 12.
On the other hand, a peripheral exposing device 23 is arranged on the back side, and a wafer carrier 24 is provided on the central part. The wafer carrier 24 moves in the X and Z directions to move the cassettes CR and BR and the peripheral exposure device 2.
3 is accessed. The wafer transfer body 24 is configured to be rotatable also in the θ direction, and includes an extension unit (EXT) belonging to a multi-stage unit of the fourth processing unit group G4 on the processing station 11 side, and further, The wafer delivery table (not shown) on the adjacent exposure apparatus side can also be accessed.
【0030】また前記塗布現像処理システム1では、図
1に示すように、記述の如く主ウエハ搬送機構22の背
面側にも破線で示した第5の処理ユニット群G5を配置
することができるようになっているが、この第5の処理
ユニット群G5は、案内レール25に沿って主ウエハ搬
送機構22からみて、側方へシフトできるように構成さ
れている。したがって、この第5の処理ユニット群G5
を図示の如く設けた場合でも、前記案内レール25に沿
ってスライドすることにより、空間部が確保されるの
で、主ウエハ搬送機構22に対して背後からメンテナン
ス作業が容易に行えるようになっている。なお、第5の
処理ユニット群G5は第4または第3の処理ユニット群
G3,G4と同様に、オープン型のユニットが多段に積
層されて構成されている。また、第5の処理ユニット群
G5は、上述のように案内レール25に沿った直線状の
スライドシフトに限らず、図1中の一点鎖線の往復回動
矢印で示したように、システム外方へと回動シフトさせ
るように構成しても、主ウエハ搬送機構22に対するメ
ンテナンス作業のスペース確保が容易である。Further, in the coating and developing system 1, as shown in FIG. 1, a fifth processing unit group G5 indicated by a broken line can be arranged on the back side of the main wafer transfer mechanism 22 as described above. However, the fifth processing unit group G5 is configured to be able to shift to the side as viewed from the main wafer transfer mechanism 22 along the guide rail 25. Therefore, the fifth processing unit group G5
Is provided as shown in the figure, a space is secured by sliding along the guide rail 25, so that maintenance work can be easily performed from behind the main wafer transfer mechanism 22. . The fifth processing unit group G5, like the fourth or third processing unit group G3, G4, is configured by stacking open units in multiple stages. In addition, the fifth processing unit group G5 is not limited to the linear slide shift along the guide rail 25 as described above. Even if it is configured to be rotationally shifted to, it is easy to secure a space for maintenance work on the main wafer transfer mechanism 22.
【0031】次に、本実施の形態に係る塗布・現像処理
システムに装着されるレジスト塗布処理ユニット(CO
T)について説明する。図4および図5は、レジスト塗
布処理ユニット(COT)の全体構成を示す概略断面図
および概略平面図である。Next, a resist coating unit (CO) mounted in the coating and developing system according to the present embodiment.
T) will be described. 4 and 5 are a schematic cross-sectional view and a schematic plan view showing the entire configuration of the resist coating unit (COT).
【0032】このレジスト塗布処理ユニット(COT)
の中央部には、環状のカップCPが配置され、カップC
Pの内側には、スピンチャック51が配置されている。
スピンチャック51は、真空吸着によってウエハWを保
持しながら駆動モータ52によって回転され、この駆動
モータ52は、エアシリンダ54によって昇降されるフ
ランジ53に固定されている。This resist coating unit (COT)
An annular cup CP is disposed at the center of
A spin chuck 51 is disposed inside P.
The spin chuck 51 is rotated by a drive motor 52 while holding the wafer W by vacuum suction, and the drive motor 52 is fixed to a flange 53 that is raised and lowered by an air cylinder 54.
【0033】ウエハWの表面にレジスト液を供給するた
めのレジスト液吐出ノズル55は、レジスト供給管56
を介してレジスト供給部(図示略)に接続されている。
このレジスト液吐出ノズル54は、レジスト液吐出ノズ
ルスキャンアーム57の先端部にノズル保持体58を介
して着脱可能に取り付けられている。このレジスト液吐
出ノズルスキャンアーム57は、一方向(Y方向)に敷
設されたガイドレール59上で水平移動可能な垂直支持
部材60の上端部に取り付けられており、図示しないY
方向駆動機構によって垂直支持部材60と一体にY方向
に移動されるようになっている。A resist liquid discharge nozzle 55 for supplying a resist liquid to the surface of the wafer W is provided with a resist supply pipe 56.
To a resist supply unit (not shown).
The resist liquid discharge nozzle 54 is detachably attached to the tip of a resist liquid discharge nozzle scan arm 57 via a nozzle holder 58. The resist solution discharge nozzle scan arm 57 is attached to the upper end of a vertical support member 60 that can move horizontally on a guide rail 59 laid in one direction (Y direction).
The directional drive mechanism is configured to move in the Y direction integrally with the vertical support member 60.
【0034】また、レジスト液吐出ノズルスキャンアー
ム57は、レジスト液吐出ノズル待機部61でレジスト
液吐出ノズル55を選択的に取り付けるため、Y方向と
直角なX方向にも移動されるようになっている。The resist liquid discharge nozzle scan arm 57 is also moved in the X direction perpendicular to the Y direction, since the resist liquid discharge nozzle 55 is selectively attached to the resist liquid discharge nozzle standby section 61. I have.
【0035】さらに、ノズル保持体58には、ウエハW
表面へのレジスト液の供給に先立ってウエハW表面を濡
らすための液剤例えばシンナーを供給するシンナーノズ
ル62が取り付けられている。Further, the wafer W is
Prior to the supply of the resist solution to the surface, a thinner nozzle 62 for supplying a liquid agent for wetting the surface of the wafer W, for example, a thinner, is attached.
【0036】さらにまた、ガイドレール59上には、リ
ンスノズルスキャンアーム63を支持しY方向に移動可
能な垂直支持部材64も設けられている。このリンスノ
ズルスキャンアーム63の先端部には、サイドリンス用
のリンスノズル65が取り付けられている。Further, on the guide rail 59, a vertical support member 64 which supports the rinse nozzle scan arm 63 and is movable in the Y direction is also provided. A rinsing nozzle 65 for side rinsing is attached to the tip of the rinsing nozzle scan arm 63.
【0037】このように構成されたレジスト塗布処理ユ
ニット(COT)においては、まず、スピンチャック5
1によりウエハWが回転され、シンナーノズル62がウ
エハWの中心に到達すると、回転するウエハWの表面に
シンナーが供給され、遠心力によってウエハWの中心か
らその周囲全域にむらなく広げられる。続いて、レジス
ト液吐出ノズル55がスピンチャック51の中心(ウエ
ハWの中心)に到達し、回転するウエハWの中心にレジ
スト液が滴下されてウエハWに塗布され、遠心力によっ
てウエハWの中心からその周囲全域にむらなく広げられ
る。これにより、ウエハW上にレジスト膜が均一に形成
される。In the thus configured resist coating unit (COT), first, the spin chuck 5
When the wafer W is rotated by 1 and the thinner nozzle 62 reaches the center of the wafer W, the thinner is supplied to the surface of the rotating wafer W, and the thinner is evenly spread from the center of the wafer W to the entire periphery thereof by centrifugal force. Subsequently, the resist liquid discharge nozzle 55 reaches the center of the spin chuck 51 (the center of the wafer W), and the resist liquid is dropped on the center of the rotating wafer W and is applied to the wafer W. From the entire area around it. Thereby, a resist film is uniformly formed on the wafer W.
【0038】次に、図6を参照しつつ、上記塗布処理ユ
ニット(COT)にレジスト液を供給するためのレジス
ト液供給システムを説明する。図6は、本発明の実施の
形態に係るレジスト液供給システムのブロック図であ
る。Next, a resist liquid supply system for supplying a resist liquid to the coating unit (COT) will be described with reference to FIG. FIG. 6 is a block diagram of the resist liquid supply system according to the embodiment of the present invention.
【0039】レジスト液タンク71から塗布処理ユニッ
ト(COT)に向けてレジスト液流路72が設けられて
いる。このレジスト液流路72において、レジスト液タ
ンク71の下流側には、リキッドエンドタンク73が設
けられ、その下流側に、レジスト液流路72を開閉する
ための開閉制御弁74が設けられ、さらにその下流側
に、レジスト液を一旦貯留して吐出するためのバッファ
タンク75が設けられている。A resist liquid flow path 72 is provided from the resist liquid tank 71 to the coating processing unit (COT). In the resist liquid flow path 72, a liquid end tank 73 is provided downstream of the resist liquid tank 71, and an open / close control valve 74 for opening and closing the resist liquid flow path 72 is provided downstream of the liquid end tank 73. On the downstream side, a buffer tank 75 for temporarily storing and discharging the resist liquid is provided.
【0040】このバッファタンク75の下流側に、レジ
スト液を吸引して圧送するためのポンプ76が設けら
れ、その下流側に、フィルター77および開閉制御弁7
8が設けられている。なお、レジスト液を圧送するため
の上記ポンプ76としては、ピストン式のシリンジポン
プ、ベローズポンプ、ダイアフラムポンプなどを用いる
ことができる。Downstream of the buffer tank 75, a pump 76 for sucking and pumping the resist solution is provided. Downstream of the pump 76, a filter 77 and an opening / closing control valve 7 are provided.
8 are provided. As the pump 76 for pumping the resist solution, a piston type syringe pump, bellows pump, diaphragm pump, or the like can be used.
【0041】また、バッファタンク75の上部には、上
方に向かう分岐管79が設けられており、この分岐管7
9は配管80に接続されている。この配管80には、開
閉制御弁81が介装されている。An upper branch pipe 79 is provided above the buffer tank 75.
9 is connected to the pipe 80. An open / close control valve 81 is interposed in the pipe 80.
【0042】配管80には図示しない駆動系により空気
が通流されており、開閉制御弁81が開になっている際
に、配管80を通流する空気により分岐管79内が負圧
になり、吸引力が作用する。したがって、この吸引力に
より、バッファタンク75内のレジスト液を脱気するこ
とができる。Air is passed through the pipe 80 by a drive system (not shown). When the on-off control valve 81 is open, the air flowing through the pipe 80 causes the inside of the branch pipe 79 to have a negative pressure. , Suction force acts. Therefore, the resist solution in the buffer tank 75 can be degassed by the suction force.
【0043】一方、上述した開閉制御弁74,78,8
1およびポンプ76に制御信号を送ってこれら切換制御
弁およびポンプを制御するためのコントロールユニット
90が設けられている。なお、このコントロールユニッ
ト90は、塗布処理ユニット(COT)を制御するため
のコントローラと兼用されていてもよい。On the other hand, the above-mentioned on-off control valves 74, 78, 8
1 and a control unit 90 for sending a control signal to the pump 76 to control the switching control valve and the pump. Note that the control unit 90 may also be used as a controller for controlling the coating processing unit (COT).
【0044】バッファタンク75の側壁外側には、バッ
ファタンク75内のレジスト液の高液位レベルを検出す
るための高液位検出センサー91と、レジスト液の低液
位レベルを検出するための低液位検出センサー92とが
設けられいてる。これら液位検出センサー91,92の
検出信号は、上記コントロールユニット90に入力され
るようになっている。さらに、これら液位検出センサー
91,92以外に、バッファタンク75内のレジスト液
が所定の高液位レベルを超えてオーバーフローすると、
これを検出するためのオーバーフロー用センサー93が
設けられている。On the outside of the side wall of the buffer tank 75, a high liquid level detecting sensor 91 for detecting a high liquid level of the resist liquid in the buffer tank 75, and a low liquid level detecting sensor 91 for detecting a low liquid level of the resist liquid. A liquid level detection sensor 92 is provided. The detection signals of the liquid level detection sensors 91 and 92 are input to the control unit 90. Further, in addition to the liquid level detection sensors 91 and 92, when the resist liquid in the buffer tank 75 overflows beyond a predetermined high liquid level,
An overflow sensor 93 for detecting this is provided.
【0045】このように構成されたレジスト液供給シス
テムにおいて、バッファタンク75にレジスト液を充填
する際には、コントロールユニット90からレジスト液
流路72の開閉制御弁74,81に制御信号が送られ
て、これら開閉制御弁74,81が開かれ、分岐管79
を介して及ぼされる吸引力により、レジスト液タンク7
1からバッファタンク75にレジスト液が充填される。
そして、高液位検出センサー91がレジスト液の高液位
を検出し、検出信号がコントロールユニット90に送ら
れた場合には、レジスト液が所定の高液位まで充填され
たとして、コントロールユニット90から開閉制御弁7
4,81に制御信号が送られ、これら開閉制御弁74,
81が閉じられ、バッファタンク75内へのレジスト液
の充填が完了する。In the resist liquid supply system configured as described above, when filling the buffer tank 75 with the resist liquid, a control signal is sent from the control unit 90 to the opening / closing control valves 74 and 81 of the resist liquid flow path 72. Then, the opening and closing control valves 74 and 81 are opened, and the branch pipe 79 is opened.
The resist solution tank 7 by the suction force exerted through the
From 1 the buffer liquid is filled in the buffer tank 75.
When the high liquid level detection sensor 91 detects the high liquid level of the resist liquid and a detection signal is sent to the control unit 90, it is determined that the resist liquid has been filled to a predetermined high liquid level. Open / close control valve 7
A control signal is sent to the open / close control valves 74,
81 is closed, and the filling of the buffer solution into the buffer tank 75 is completed.
【0046】次いで、バッファタンク75から塗布処理
ユニット(COT)にレジスト液を供給する際には、コ
ントロールユニット90からポンプ76に制御信号が送
られて、ポンプ76が所定時間駆動されると共に、コン
トロールユニット90から開閉制御弁78に制御信号が
送られて、所定時間開かれる。これにより、バッファタ
ンク75から塗布処理ユニット(COT)に所定量のレ
ジスト液が供給される。所定量のレジスト液の供給が完
了すると、コントロールユニット90からポンプ76に
制御信号が送られてポンプ76が停止されると共に、コ
ントロールユニット90から開閉制御弁78に制御信号
が送られて閉じられる。Next, when supplying the resist solution from the buffer tank 75 to the coating processing unit (COT), a control signal is sent from the control unit 90 to the pump 76 so that the pump 76 is driven for a predetermined time and the control signal is supplied. A control signal is sent from the unit 90 to the open / close control valve 78, and the unit is opened for a predetermined time. Thus, a predetermined amount of the resist solution is supplied from the buffer tank 75 to the coating processing unit (COT). When the supply of the predetermined amount of the resist solution is completed, a control signal is sent from the control unit 90 to the pump 76 to stop the pump 76, and a control signal is sent from the control unit 90 to the opening / closing control valve 78 to be closed.
【0047】このレジスト液の所定量ごとの吐出が完了
する度ごとに、レジスト液タンク71からバッファタン
ク75に、上述したように開閉制御弁74,81の開閉
によりレジスト液が補填される。Each time the discharge of a predetermined amount of the resist liquid is completed, the resist liquid is replenished from the resist liquid tank 71 to the buffer tank 75 by opening and closing the open / close control valves 74 and 81 as described above.
【0048】レジスト液の所定量ごとの吐出が完了し、
吐出した量に対応するレジスト液がバッファタンク75
に補填されると、バッファタンク75内の脱気が行われ
るようになっている。すなわち、レジスト液がバッファ
タンク75に補填されると、コントロールユニット90
から開閉制御弁81に制御信号が送られて開かれる。こ
れにより、バッファタンク75の上部が分岐管79を介
して配管80に連通されるため、配管80を通流する空
気により分岐管79に生じる負圧により、バッファタン
ク75内が減圧されて、レジスト液内に混入されたN2
ガスが配管80に放出される。When the discharge of the resist solution for each predetermined amount is completed,
The resist liquid corresponding to the discharged amount is stored in the buffer tank 75.
, The inside of the buffer tank 75 is evacuated. That is, when the buffer solution is filled with the resist solution, the control unit 90
Sends a control signal to the on / off control valve 81 to be opened. As a result, the upper portion of the buffer tank 75 is communicated with the pipe 80 via the branch pipe 79, so that the pressure inside the buffer tank 75 is reduced by the negative pressure generated in the branch pipe 79 by the air flowing through the pipe 80, N 2 mixed in the liquid
The gas is released to the pipe 80.
【0049】このように、本実施の形態では、ポンプ7
6の上流側に、N2ガスを脱気するための機能を備えた
バッファタンク75が設けられ、上記のように、レジス
ト液がポンプ76に吸引される前に、開閉制御弁81の
切り換えによりレジスト液内のN2ガスが既に十分に脱
気されてしまっているため、その後、レジスト液がポン
プ76に吸引された時に、レジスト液内のN2ガスの気
泡の増幅がほとんど生じない。したがって、塗布処理ユ
ニット(COT)において、レジスト内のN2ガスの気
泡による塗布ムラが生じることが防止される。As described above, in this embodiment, the pump 7
6, a buffer tank 75 having a function for degassing the N 2 gas is provided. As described above, before the resist solution is sucked by the pump 76, the opening and closing control valve 81 is switched. Since the N 2 gas in the resist solution has already been sufficiently degassed, the amplification of the N 2 gas bubbles in the resist solution hardly occurs when the resist solution is subsequently sucked into the pump 76. Thus, the coating unit (COT), uneven coating due to the air bubbles of the N 2 gas in the resist that occurs is prevented.
【0050】次に、バッファタンク75内のレジスト液
がオーバーフローした場合について説明する。上述した
オーバーフロー用センサー93によりレジスト液のオー
バーフローが検出されると、コントロールユニット90
からポンプ76および開閉制御弁78に制御信号が送ら
れて、ポンプ76が駆動されるとともに、開閉制御弁7
8が開かれる。これにより、オーバーフローしたレジス
ト液がバッファタンク75から吐出され、塗布処理ユニ
ット(COT)のダミーディスペンサに排出される。ま
た、このようなオーバーフローの際には、警報が作動す
るように構成されていてもよい。Next, a case where the resist solution in the buffer tank 75 overflows will be described. When the overflow sensor 93 detects the overflow of the resist solution, the control unit 90
Sends control signals to the pump 76 and the open / close control valve 78 to drive the pump 76 and
8 is opened. Thus, the overflowed resist solution is discharged from the buffer tank 75 and discharged to the dummy dispenser of the coating processing unit (COT). Further, an alarm may be activated when such an overflow occurs.
【0051】このように、オーバーフローしたレジスト
液は排出されるようになっており、バッファタンク75
に必要量以上のレジスト液が供給されるトラブルが生じ
ても、余分なレジスト液が排出されるので処理に対する
悪影響が生じない。As described above, the overflowed resist solution is discharged, and the buffer tank 75
Even if a trouble occurs in which more resist liquid is supplied than necessary, excess resist liquid is discharged, so that there is no adverse effect on processing.
【0052】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施
形態ではレジスト液を供給する場合について説明した
が、これに限定されることなく、その他の薬液、例えば
シンナー、現像液等を供給する場合にも適用することが
できる。さらに、被塗布体として半導体ウエハを用いた
が、これに限らず、例えばLCD用ガラス基板であって
もよい。The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, in the above embodiment, the case where the resist solution is supplied has been described. However, the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied to a case where another chemical solution, for example, a thinner, a developing solution or the like is supplied. Furthermore, although a semiconductor wafer is used as an object to be coated, the present invention is not limited to this, and may be, for example, an LCD glass substrate.
【0053】[0053]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
処理ユニットに薬液を吐出するためのポンプが、薬液内
混入気体(例えば、N2ガス)を脱気するための脱気手
段を備えたバッファタンクの下流側に設けられているの
で、薬液がポンプに吸引される前に、脱気手段により薬
液内混入気体(例えば、N2ガス)が既に十分に脱気さ
れており、その後、薬液がポンプに吸引された時に、薬
液内混入気体(例えば、N2ガス)の気泡の増幅がほと
んど生じない。したがって、薬液内に気泡が存在するこ
とによる悪影響、例えば、例えば、塗布処理ユニットに
おいて、レジスト液内の気泡によって生じる塗布ムラを
有効に防止することができる。As described above, according to the present invention,
Since the pump for discharging the chemical to the processing unit is provided downstream of the buffer tank provided with deaeration means for degassing the gas (for example, N 2 gas) mixed in the chemical, the chemical is pumped. Before being sucked into the gas, the gas (for example, N 2 gas) mixed in the chemical solution has already been sufficiently degassed by the degassing means, and then when the chemical solution is sucked into the pump, the gas mixed in the chemical solution (for example, N 2 gas) bubbles amplification of N 2 gas) hardly occurs. Therefore, it is possible to effectively prevent adverse effects caused by the presence of bubbles in the chemical solution, for example, coating unevenness caused by bubbles in the resist solution in, for example, a coating processing unit.
【図1】本発明の一実施の形態であるレジスト液供給シ
ステムが適用される半導体ウエハの塗布・現像処理シス
テムの全体構成の平面図。FIG. 1 is a plan view of the overall configuration of a semiconductor wafer coating / developing system to which a resist liquid supply system according to an embodiment of the present invention is applied.
【図2】図1に示す塗布現像処理システムの正面図。FIG. 2 is a front view of the coating and developing system shown in FIG.
【図3】図1に示す塗布現像処理システムの背面図。FIG. 3 is a rear view of the coating and developing system shown in FIG. 1;
【図4】図1に示した塗布現像処理システムに装着した
レジスト塗布処理ユニットの全体構成の断面図。FIG. 4 is a sectional view of the overall configuration of a resist coating unit mounted on the coating and developing system shown in FIG. 1;
【図5】図4に示したレジスト塗布処理ユニットの平面
図。FIG. 5 is a plan view of the resist coating unit shown in FIG. 4;
【図6】本発明の実施の形態に係るレジスト液供給シス
テムを示すブロック図。FIG. 6 is a block diagram showing a resist solution supply system according to the embodiment of the present invention.
71;レジスト液タンク(薬液タンク) 72;レジスト液流路(薬液流路) 74;開閉制御弁(薬液流路開閉弁) 75;バッファタンク 76;ポンプ 79;分岐管 80;配管 81;開閉制御弁(配管開閉弁) 90;コントロールユニット(制御手段) 91;高液位検出センサー 92;低液位検出センサー 93;オーバーフロー用センサー COT;レジスト塗布処理ユニット W;半導体ウエハ(基板) 71; resist liquid tank (chemical liquid tank) 72; resist liquid flow path (chemical liquid flow path) 74; open / close control valve (chemical liquid flow path opening / closing valve) 75; buffer tank 76; pump 79; branch pipe 80; pipe 81; Valve (pipe opening / closing valve) 90; control unit (control means) 91; high liquid level detection sensor 92; low liquid level detection sensor 93; overflow sensor COT; resist coating unit W; semiconductor wafer (substrate)
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI H01L 21/306 H01L 21/306 J (56)参考文献 特開 平4−70838(JP,A) 特開 平7−263335(JP,A) 特開 平9−213605(JP,A) 特開 平9−45615(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/027 Continuation of the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI H01L 21/306 H01L 21/306 J (56) References JP-A-4-70838 (JP, A) JP-A-7-263335 (JP, A JP-A-9-213605 (JP, A) JP-A-9-45615 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01L 21/027
Claims (15)
送して供給するための薬液供給システムであって、 前記薬液タンクから薬液流路を介して供給された薬液を
貯留するためのバッファタンクと、 このバッファタンクの下流側に配置され、このバッファ
タンクから薬液を吸引して前記処理ユニットに薬液を吐
出するためのポンプと、 前記バッファタンク内を減圧して、薬液内に混入した気
体を排出するための脱気手段と、 前記ポンプを所定時間駆動して所定量の薬液を前記バッ
ファタンクから前記処理ユニットに薬液を吐出させると
ともに、前記バッファタンク内に所定量の薬液が貯留さ
れている際に、前記脱気手段により前記バッファタンク
内を減圧させて薬液内混入気体を脱気させる制御手段と
を具備することを特徴とする薬液供給システム。1. A chemical liquid supply system for pumping and supplying a chemical liquid from a chemical liquid tank to a processing unit, comprising: a buffer tank for storing a chemical liquid supplied from the chemical liquid tank via a chemical liquid flow path; A pump arranged downstream of the buffer tank for sucking a chemical from the buffer tank and discharging the chemical to the processing unit; and depressurizing the inside of the buffer tank to discharge gas mixed in the chemical. And a degassing means for driving the pump for a predetermined time to discharge a predetermined amount of the chemical from the buffer tank to the processing unit, and when a predetermined amount of the chemical is stored in the buffer tank. Control means for depressurizing the inside of the buffer tank by the degassing means to degas the gas mixed in the chemical liquid. Stem.
弁をさらに具備し、 前記制御手段は、薬液の所定量ごとの吐出が終了する度
ごとに、前記薬液タンクから前記バッファタンクに薬液
を導入して補填するように、前記薬液流路開閉弁を開に
切り換えることを特徴とする請求項1に記載の薬液供給
システム。2. The apparatus according to claim 2, further comprising a chemical liquid passage opening / closing valve interposed in the chemical liquid flow passage, wherein the control means is configured to switch from the chemical liquid tank to the buffer tank every time discharge of a predetermined amount of the chemical liquid is completed. The chemical solution supply system according to claim 1, wherein the chemical solution flow path opening / closing valve is switched to open so that the chemical solution is introduced into and compensated for.
と、 この配管に介装された配管開閉弁と、 この配管を介してバッファタンク内を吸引する吸引手段
とを有し、 前記制御手段は、前記バッファタンク内に所定量の薬液
が貯留されている際に、前記配管開閉弁を開にして前記
吸引手段により前記バッファタンク内を吸引させ、薬液
内混入気体を前記分岐管を介して前記配管に排出させる
ことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の薬液
供給システム。3. The degassing means includes: a pipe connected to the buffer tank via a branch pipe; a pipe opening / closing valve provided on the pipe; and suction for suctioning the inside of the buffer tank via the pipe. The control means, when a predetermined amount of the drug solution is stored in the buffer tank, the pipe opening and closing valve is opened, and the suction means sucks the inside of the buffer tank, The chemical solution supply system according to claim 1, wherein the mixed gas is discharged to the pipe via the branch pipe.
させ、前記分岐管に吸引力を及ぼすことを特徴とする請
求項3に記載の薬液供給システム。4. The chemical solution supply system according to claim 3, wherein said suction means causes a gas to flow through said pipe to exert a suction force on said branch pipe.
は、薬液流路開閉弁を開にし、前記脱気手段により前記
バッファタンク内を減圧させることにより行われること
を特徴とする請求項2に記載の薬液供給システム。5. The method according to claim 2, wherein the introduction of the chemical solution into the buffer tank is performed by opening a chemical solution flow passage opening / closing valve and reducing the pressure in the buffer tank by the degassing means. The chemical solution supply system according to the above.
出して、検出信号を前記制御手段に入力する液位検出器
をさらに具備することを特徴とする請求項1ないし請求
項5のいずれか1項に記載の薬液供給システム。6. The liquid crystal display according to claim 1, further comprising a liquid level detector for detecting a liquid level of the chemical solution in the buffer tank and inputting a detection signal to the control means. 3. The chemical solution supply system according to claim 1.
液の所定量ごとの吐出が終了した後、前記液位検出器が
薬液の高液位レベルを検出するまで、前記薬液流路開閉
弁を開にし、薬液を導入して補填することを特徴とする
請求項6に記載の薬液供給システム。7. The control means, after the discharge of the predetermined amount of the chemical by the discharge means is completed, until the liquid level detector detects the high liquid level of the chemical, the chemical liquid flow path opening and closing valve. 7. The chemical solution supply system according to claim 6, wherein the chemical solution supply system is opened, and the chemical solution is introduced to make up for it.
液位レベルを超えてオーバーフローした場合に、これを
検出するためのオーバーフロー検出器をさらに具備し、 前記制御手段は、前記薬液流路開閉弁を閉にするととも
に、前記ポンプを駆動して、オーバーフローした薬液を
前記処理ユニットのダミーディスペンサに排出すること
を特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に
記載の薬液供給システム。8. When the chemical in the buffer tank overflows beyond a predetermined high liquid level, the apparatus further comprises an overflow detector for detecting the overflow, The chemical supply system according to any one of claims 1 to 7, wherein the valve is closed and the pump is driven to discharge the overflowed chemical to a dummy dispenser of the processing unit. .
液位レベルを超えてオーバーフローした場合に警報が作
動されるように構成されたことを特徴とする請求項8に
記載の薬液供給システム。 9. The method according to claim 9, wherein the chemical in the buffer tank has a predetermined height.
An alarm is generated when the liquid level overflows.
9. The apparatus according to claim 8, wherein
The chemical solution supply system according to the above.
内の薬液上方の空間を減圧することにより脱気することDegassing by depressurizing the space above the drug solution inside
を特徴とする請求項1ないし請求項9のいずれか1項にThe method according to any one of claims 1 to 9, wherein
記載の薬液供給システム。The chemical solution supply system according to the above.
給システムから供給された薬液を用いて、各処理ユニッ
トが基板の処理を行う基板処理システムであって、 前記薬液供給システムは、 前記薬液タンクから薬液流路を介して供給された薬液を
貯留するためのバッファタンクと、 このバッファタンクの下流側に配置され、このバッファ
タンクから薬液を吸引して前記処理ユニットに薬液を吐
出するためのポンプと、 前記バッファタンク内を減圧して、薬液内に混入した気
体を排出するための脱気手段と、 前記ポンプを所定時間駆動して所定量の薬液を前記バッ
ファタンクから前記処理ユニットに薬液を吐出させると
ともに、前記バッファタンク内に所定量の薬液が貯留さ
れている際に、前記脱気手段により前記バッファタンク
内を減圧させて薬液内混入気体を脱気させる制御手段と
を具備することを特徴とする基板処理システム。 11. A substrate processing system in which each processing unit processes a substrate using a chemical solution supplied from a chemical solution supply system for pumping a chemical solution from a chemical solution tank, wherein the chemical solution supply system comprises: A buffer tank for storing the chemical solution supplied via the chemical solution flow path; and a pump disposed downstream of the buffer tank, for sucking the chemical solution from the buffer tank and discharging the chemical solution to the processing unit. A degassing means for reducing the pressure in the buffer tank and discharging gas mixed in the chemical; and driving the pump for a predetermined time to discharge a predetermined amount of the chemical from the buffer tank to the processing unit. And when a predetermined amount of the chemical is stored in the buffer tank, the inside of the buffer tank is depressurized by the degassing means. The substrate processing system characterized by comprising a control means for degassing the liquid medicine in the entrained gas Te.
器に所定量移し替える工程と、Transferring a predetermined amount to a container, その移し替えた容器の処理液面上方の空間を所定時間おThe space above the processing liquid level of the transferred container is kept for a predetermined time.
よび/または所定圧力に減圧した後にその処理液を基板And / or after reducing the pressure to a predetermined pressure,
に供給して所定の処理を施す工程とを具備することを特And performing a predetermined process by supplying the
徴とする基板処理方法。Characteristic substrate processing method.
器に移し替える工程と、A process of transferring to a container, その移し替えた容器内の処理液の量を所定の量に設定すSet the amount of processing solution in the transferred container to a predetermined amount.
る工程と、Process この後、移し替えた容器内の処理液面上方の空間を所定After this, the space above the processing liquid level in the transferred container is
時間および/または所定圧力に減圧した後にその処理液The processing solution after the pressure has been reduced to a predetermined pressure for a time and / or
を基板に供給して所定の処理を施す工程とを具備するこSupplying the substrate to the substrate and performing a predetermined process.
とを特徴とする基板処理方法。And a substrate processing method.
器に移し替える工程と、A process of transferring to a container, その移し替えた容器内の処理液の量が所定の量より多いThe amount of the processing liquid in the transferred container is larger than a predetermined amount
場合、基板に処理液を供給するノズルから容器内の処理If the processing liquid in the container is
液が所定の量になるまで排出する工程と、Discharging the liquid until a predetermined amount is reached, この後、移し替えた容器内の処理液面上方の空間を所定After this, the space above the processing liquid level in the
時間および/または所定圧力に減圧した後にその処理液The processing solution after the pressure has been reduced to a predetermined pressure for a time and / or
をノズルから基板に供給して所定の処理を施す工程とをSupplying a predetermined process from the nozzle to the substrate.
具備することを特徴とする基板処理方法。A substrate processing method, comprising:
処理液を高液位High processing liquid level 検出センサーにて検出するまで供給するSupply until detected by detection sensor
工程と、Process and 別の容器内の処理液の量を高液位検出センサーより高いThe amount of processing solution in another container is higher than the high level detection sensor
位置に設けられたオーバーフローセンサーが検出した場When the overflow sensor provided at the position detects
合、基板に処理液を供給するノズルから容器内の処理液If the processing liquid in the container is
が高液位検出センサーの検出位置まで排出する工程と、Discharging to the detection position of the high liquid level detection sensor, この後、前記別の容器内の処理液面上方の空間を所定時After this, the space above the processing liquid surface in the another container is
間および/または所定圧力に減圧した後にその処理液をAnd / or after reducing the pressure to a predetermined pressure,
ノズルから基板に処理液を供給して所定の処理を施す工A process for supplying a processing liquid from a nozzle to a substrate to perform predetermined processing
程と、About を具備することを特徴とする基板処理方法。A substrate processing method, comprising:
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