JPH11283533A - 漏洩電界低減装置 - Google Patents
漏洩電界低減装置Info
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- JPH11283533A JPH11283533A JP8600498A JP8600498A JPH11283533A JP H11283533 A JPH11283533 A JP H11283533A JP 8600498 A JP8600498 A JP 8600498A JP 8600498 A JP8600498 A JP 8600498A JP H11283533 A JPH11283533 A JP H11283533A
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- crt
- leakage electric
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＲＴの管面から放射される漏洩電界を低減
する。 【解決手段】 漏洩する電界を検出するためにキャビネ
ット２７内側のＣＲＴ１０表示部前面に配置した、出力
端子を持ちそれ以外は外部と絶縁された電界検出導線２
０と、電界検出導線２０のインピータンスを高くするた
めに一方を電界検出導線２０からの端子に接続し、他方
を接地した高抵抗２４と、検出された電界が劣化しない
よう電界検出導線２０の近傍に配置したインピーダンス
変換回路２３と、検出された電界信号２１の位相を反転
し増幅して電界キャンセルパルス２２を生成する反転増
幅回路２５と、反転増幅回路２５により生成されたキャ
ンセルパルス２２を高圧に重畳するために高圧に接続し
たコンデンサ１９を内部に持つフライバックトランス２
６とから構成される。
する。 【解決手段】 漏洩する電界を検出するためにキャビネ
ット２７内側のＣＲＴ１０表示部前面に配置した、出力
端子を持ちそれ以外は外部と絶縁された電界検出導線２
０と、電界検出導線２０のインピータンスを高くするた
めに一方を電界検出導線２０からの端子に接続し、他方
を接地した高抵抗２４と、検出された電界が劣化しない
よう電界検出導線２０の近傍に配置したインピーダンス
変換回路２３と、検出された電界信号２１の位相を反転
し増幅して電界キャンセルパルス２２を生成する反転増
幅回路２５と、反転増幅回路２５により生成されたキャ
ンセルパルス２２を高圧に重畳するために高圧に接続し
たコンデンサ１９を内部に持つフライバックトランス２
６とから構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、漏洩電界低減装置
に係り、特に、ＣＲＴディスプレイの前面より放射され
る漏洩低周波電界を低減する漏洩電界低減装置に関す
る。
に係り、特に、ＣＲＴディスプレイの前面より放射され
る漏洩低周波電界を低減する漏洩電界低減装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のＣＲＴディスプレイは、図２に示
すように、水平偏向回路８から得られる約１０００Ｖの
水平偏向パルス７が印加される水平偏向ヨーク１と、ガ
ラスバルブ２と、内装導電膜３と、数万Ｖの直流電圧が
内装導電膜３へ印加されるフライバックトランス４と、
アノード５とで構成され、水平偏向ヨーク１と内装導電
膜３の静電結合により形成された浮遊静電容量６を介し
て水平偏向ヨ−ク１に印加されている水平偏向パルス７
が内装導電膜３へ伝わり、高圧に重畳されるため、図３
に示すような水平偏向パルス７による水平偏向パルス波
形ａと画面の表示パターンによって水平周期毎に引き起
こされる高圧変動波形ｂを合成した信号ｃとなり、この
合成信号ｃがＣＲＴ管面より漏洩電界９として放射され
る。
すように、水平偏向回路８から得られる約１０００Ｖの
水平偏向パルス７が印加される水平偏向ヨーク１と、ガ
ラスバルブ２と、内装導電膜３と、数万Ｖの直流電圧が
内装導電膜３へ印加されるフライバックトランス４と、
アノード５とで構成され、水平偏向ヨーク１と内装導電
膜３の静電結合により形成された浮遊静電容量６を介し
て水平偏向ヨ−ク１に印加されている水平偏向パルス７
が内装導電膜３へ伝わり、高圧に重畳されるため、図３
に示すような水平偏向パルス７による水平偏向パルス波
形ａと画面の表示パターンによって水平周期毎に引き起
こされる高圧変動波形ｂを合成した信号ｃとなり、この
合成信号ｃがＣＲＴ管面より漏洩電界９として放射され
る。
【０００３】近年低周波電界は人体への影響が懸念され
てきており、スウェーデンのＴＣＯ規格により放射電界
値が規制されいる。この規格を取得するためには、２ｋ
Ｈｚから４００ｋＨｚの電界放射量が、１Ｖ／ｍ以下で
なくてはならないが、通常ＣＲＴ管面からは上記ＴＣＯ
規格値を越える電界が放射されており、ＣＲＴ表示面に
は安易にシールドできないため、ＣＲＴディスプレイを
ＴＣＯ規格に適合させる事は大変困難であった。
てきており、スウェーデンのＴＣＯ規格により放射電界
値が規制されいる。この規格を取得するためには、２ｋ
Ｈｚから４００ｋＨｚの電界放射量が、１Ｖ／ｍ以下で
なくてはならないが、通常ＣＲＴ管面からは上記ＴＣＯ
規格値を越える電界が放射されており、ＣＲＴ表示面に
は安易にシールドできないため、ＣＲＴディスプレイを
ＴＣＯ規格に適合させる事は大変困難であった。
【０００４】このような課題を解決する手段は、ＣＲＴ
前面に透明な導電性フィルタを設置し、接地することに
より、ＣＲＴ管面から放射される電界を遮蔽し、漏洩電
界を低減し、かつＣＲＴ前面に１０２Ωの透明な導電性
のコーティングを施す事でも同様の効果は得られる。
前面に透明な導電性フィルタを設置し、接地することに
より、ＣＲＴ管面から放射される電界を遮蔽し、漏洩電
界を低減し、かつＣＲＴ前面に１０２Ωの透明な導電性
のコーティングを施す事でも同様の効果は得られる。
【０００５】また、別の手段として、水平偏向パルスを
位相反転し補正した後、高圧へ注入する事で、高圧に重
畳された水平偏向ヨークからの誘導信号成分をキャンセ
ルし、漏洩電界を低減し、図４に示すように、ＣＲＴ１
０を囲むＣＲＴディスプレイ１１の前面外側にフレーム
１２に固定された透明な導電性のコーティングが施され
た導電性フィルタ１３が設置されており、その導電性フ
ィルタは接地されてるか、あるいはＣＲＴ管面１４に１
０２Ωの抵抗値を持つ透明な導電塗装１５が施されてお
り、導電塗装１５は接地されている。上記手段によりＣ
ＲＴ管面より放射される電界が遮蔽され、漏洩電界が低
減する。
位相反転し補正した後、高圧へ注入する事で、高圧に重
畳された水平偏向ヨークからの誘導信号成分をキャンセ
ルし、漏洩電界を低減し、図４に示すように、ＣＲＴ１
０を囲むＣＲＴディスプレイ１１の前面外側にフレーム
１２に固定された透明な導電性のコーティングが施され
た導電性フィルタ１３が設置されており、その導電性フ
ィルタは接地されてるか、あるいはＣＲＴ管面１４に１
０２Ωの抵抗値を持つ透明な導電塗装１５が施されてお
り、導電塗装１５は接地されている。上記手段によりＣ
ＲＴ管面より放射される電界が遮蔽され、漏洩電界が低
減する。
【０００６】従来の別の方法は、図５に示すように、水
平偏向回路８より生成された水平偏向パルス７が水平偏
向ヨーク１へ供給されて、かつキャンセルパルス発生回
路１８においては、水平偏向パルス７とは位相が反転し
たキャンセルパルス１６を生成し、コンデンサ１９を介
して高圧へ重畳される。このキャンセルパルス１６によ
り漏洩電界の水平偏向パルス７からの誘導成分がキャン
セルされ、ＣＲＴ管面からは高圧変動による電界信号１
７のみが放射され、漏洩電界が低減される。
平偏向回路８より生成された水平偏向パルス７が水平偏
向ヨーク１へ供給されて、かつキャンセルパルス発生回
路１８においては、水平偏向パルス７とは位相が反転し
たキャンセルパルス１６を生成し、コンデンサ１９を介
して高圧へ重畳される。このキャンセルパルス１６によ
り漏洩電界の水平偏向パルス７からの誘導成分がキャン
セルされ、ＣＲＴ管面からは高圧変動による電界信号１
７のみが放射され、漏洩電界が低減される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法は、ＣＲＴディスプレイ前面に取り付ける透明な導
電性フィルタは大変高価であり、かつＣＲＴ管面に１０
２Ωの導電性のコーティングを施すことにおいても、抵
抗値を一定にし、むら無くコーティングする特殊な技術
が必要であるため高価になり、さらにＣＲＴ表示面にフ
ィルタの設置、あるいはコーティングを施すため、ＣＲ
Ｔに表示されるイメージの輝度低下あるいは色変化を生
じてしまう。
方法は、ＣＲＴディスプレイ前面に取り付ける透明な導
電性フィルタは大変高価であり、かつＣＲＴ管面に１０
２Ωの導電性のコーティングを施すことにおいても、抵
抗値を一定にし、むら無くコーティングする特殊な技術
が必要であるため高価になり、さらにＣＲＴ表示面にフ
ィルタの設置、あるいはコーティングを施すため、ＣＲ
Ｔに表示されるイメージの輝度低下あるいは色変化を生
じてしまう。
【０００８】一方、第２の方法の各信号成分の波形は、
図６に示すように、漏洩電界波形ｃは水平偏向パルス波
形ａと高圧変動波形ｂが合成されたものであり、この漏
洩電界波形ｃに対し、水平偏向パルス波形成分のみのキ
ャンセルパルスｄを重畳するとキャンセル後の漏洩電界
波形ｅは高圧変動による成分が残ってしまい、十分に漏
洩電界が低減できない。
図６に示すように、漏洩電界波形ｃは水平偏向パルス波
形ａと高圧変動波形ｂが合成されたものであり、この漏
洩電界波形ｃに対し、水平偏向パルス波形成分のみのキ
ャンセルパルスｄを重畳するとキャンセル後の漏洩電界
波形ｅは高圧変動による成分が残ってしまい、十分に漏
洩電界が低減できない。
【０００９】また、キャンセルパルスの波高値は、漏洩
電界をキャンセルするのに最適な値に調整する必要があ
り、キャンセルパルスの波高値が最適な値を越えて注入
されると、キャンセルパルスが漏洩電界として放射さ
れ、漏洩電界の増加を招いてしまう。
電界をキャンセルするのに最適な値に調整する必要があ
り、キャンセルパルスの波高値が最適な値を越えて注入
されると、キャンセルパルスが漏洩電界として放射さ
れ、漏洩電界の増加を招いてしまう。
【００１０】そこで、本発明の目的は、安価で効果的な
ＣＲＴ管面からの漏洩電界の低減を実現する漏洩電界低
減装置を提供することにある。
ＣＲＴ管面からの漏洩電界の低減を実現する漏洩電界低
減装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに、本発明の漏洩電界低減装置は、ＣＲＴと、このＣ
ＲＴの前面に設置しＣＲＴ管面からの漏洩電界を検出す
る検出手段と、この検出手段により検出した電界波形の
劣化を防ぐ上記検出手段の近傍に設置したインピータン
ス変換回路と、このインピーダンス変換回路からの出力
信号を反転増幅してキャンセルパルスを生成する反転増
幅回路と、この反転増幅回路で増幅されたキャンセルパ
ルスを高圧へ重畳するコンデンサを内部に有するフライ
バックトランスとを備え、上記キャンセルパルスをフラ
イバックトランス内部のコンデンサを介して高圧へ重畳
することで、上記漏洩電界を低減することを特徴とす
る。
めに、本発明の漏洩電界低減装置は、ＣＲＴと、このＣ
ＲＴの前面に設置しＣＲＴ管面からの漏洩電界を検出す
る検出手段と、この検出手段により検出した電界波形の
劣化を防ぐ上記検出手段の近傍に設置したインピータン
ス変換回路と、このインピーダンス変換回路からの出力
信号を反転増幅してキャンセルパルスを生成する反転増
幅回路と、この反転増幅回路で増幅されたキャンセルパ
ルスを高圧へ重畳するコンデンサを内部に有するフライ
バックトランスとを備え、上記キャンセルパルスをフラ
イバックトランス内部のコンデンサを介して高圧へ重畳
することで、上記漏洩電界を低減することを特徴とす
る。
【００１２】また、上述の課題を解決するために、本発
明の漏洩電界低減装置は、上記ＣＲＴ前面の表示領域周
囲に配置された導線もしくは導板で、かつ高抵抗により
接地された上記検出手段で構成されたことを特徴とす
る。
明の漏洩電界低減装置は、上記ＣＲＴ前面の表示領域周
囲に配置された導線もしくは導板で、かつ高抵抗により
接地された上記検出手段で構成されたことを特徴とす
る。
【００１３】さらに、上述の課題を解決するために、本
発明の漏洩電界低減装置は、上記ＣＲＴ前面に配置され
たプリント基板上のパターンにより形成される上記検出
手段で構成されたことを特徴とする。
発明の漏洩電界低減装置は、上記ＣＲＴ前面に配置され
たプリント基板上のパターンにより形成される上記検出
手段で構成されたことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一実施の形態によ
る漏洩電界低減装置を図面を参照して説明する。
る漏洩電界低減装置を図面を参照して説明する。
【００１５】図１は、本発明の一実施の形態による漏洩
電界低減装置のブロック構成図である。
電界低減装置のブロック構成図である。
【００１６】本発明の一実施の形態による漏洩電界低減
装置は、図１に示すように、漏洩する電界を検出するた
めにＣＲＴ１０のキャビネット２７内側のＣＲＴ１０表
示部前面に配置した、出力端子を持ちそれ以外は外部と
絶縁された電界検出導線２０と、電界検出導線２０のイ
ンピータンスを高くするために片側を電界検出導線２０
からの端子に接続し、片側を接地した高抵抗２４と、検
出された電界が劣化しないよう電界検出導線２０の近傍
に配置したインピーダンス変換回路２３と、検出された
電界信号２１の位相を反転し増幅して電界キャンセルパ
ルス２２を生成する反転増幅回路２５と、反転増幅回路
２５により生成されたキャンセルパルス２２を高圧に重
畳するために高圧に接続したコンデンサ１９を内部に持
つフライバックトランス２６とで構成される。
装置は、図１に示すように、漏洩する電界を検出するた
めにＣＲＴ１０のキャビネット２７内側のＣＲＴ１０表
示部前面に配置した、出力端子を持ちそれ以外は外部と
絶縁された電界検出導線２０と、電界検出導線２０のイ
ンピータンスを高くするために片側を電界検出導線２０
からの端子に接続し、片側を接地した高抵抗２４と、検
出された電界が劣化しないよう電界検出導線２０の近傍
に配置したインピーダンス変換回路２３と、検出された
電界信号２１の位相を反転し増幅して電界キャンセルパ
ルス２２を生成する反転増幅回路２５と、反転増幅回路
２５により生成されたキャンセルパルス２２を高圧に重
畳するために高圧に接続したコンデンサ１９を内部に持
つフライバックトランス２６とで構成される。
【００１７】次に、本発明の一実施の形態による漏洩電
界低減装置の動作を図面を参照して説明する。
界低減装置の動作を図面を参照して説明する。
【００１８】本発明の一実施の形態による漏洩電界低減
装置の動作は、図１に示すように、まず第１に、ＣＲＴ
１０管面より漏洩される電界はＣＲＴ１０表示面前面に
配置した電界検出導線２０により検出され、電界検出導
線２０はＣＲＴ１０前面の表示面外側に配置され、ＣＲ
Ｔ１０の外観を形成する非導電性のキャビネット２７の
内側に設置し、この時に漏洩電界を電界検出導線２０が
検出するのを妨げないよう、ＣＲＴ１０と電界検出導線
２０の間には導体がないよう設置し、かつ電界検出導線
２０を高抵抗２４により接地することにより、ＣＲＴ１
０管面から検出する電界信号２１の劣化を防ぐと共に、
検出した電界信号２１の電圧平均値レベルをアース電位
に固定している。
装置の動作は、図１に示すように、まず第１に、ＣＲＴ
１０管面より漏洩される電界はＣＲＴ１０表示面前面に
配置した電界検出導線２０により検出され、電界検出導
線２０はＣＲＴ１０前面の表示面外側に配置され、ＣＲ
Ｔ１０の外観を形成する非導電性のキャビネット２７の
内側に設置し、この時に漏洩電界を電界検出導線２０が
検出するのを妨げないよう、ＣＲＴ１０と電界検出導線
２０の間には導体がないよう設置し、かつ電界検出導線
２０を高抵抗２４により接地することにより、ＣＲＴ１
０管面から検出する電界信号２１の劣化を防ぐと共に、
検出した電界信号２１の電圧平均値レベルをアース電位
に固定している。
【００１９】第２に、電界検出導線２０により検出され
た電界信号２１は電界検出電線２０に設けた端子から、
その近傍に設けたインピータンス変換回路２３に供給さ
れ、電界検出導線２０からインピータンス変換回路２３
まではハイインピータンスであった電界信号２１の通過
経路を、それ以降はインピータンスを下げ、検出された
電界信号２１が劣化なく、次の反転増幅回路２５まで到
達させる役目を果たす。
た電界信号２１は電界検出電線２０に設けた端子から、
その近傍に設けたインピータンス変換回路２３に供給さ
れ、電界検出導線２０からインピータンス変換回路２３
まではハイインピータンスであった電界信号２１の通過
経路を、それ以降はインピータンスを下げ、検出された
電界信号２１が劣化なく、次の反転増幅回路２５まで到
達させる役目を果たす。
【００２０】第３に、インピータンス変換回路２３を通
過した電界信号２１は反転増幅回路２５へ送出され、位
相の反転及び、漏洩電界を低減するのに十分なレベルま
で増幅され電界信号２１とは逆極性のキャンセルパルス
２２が生成される。この時、反転増幅回路２５により出
力されるキャンセルパルス２２は電界信号２１に対して
位相遅れがないようにするため、反転増幅回路２５には
位相補正回路が設けられる必要がある。
過した電界信号２１は反転増幅回路２５へ送出され、位
相の反転及び、漏洩電界を低減するのに十分なレベルま
で増幅され電界信号２１とは逆極性のキャンセルパルス
２２が生成される。この時、反転増幅回路２５により出
力されるキャンセルパルス２２は電界信号２１に対して
位相遅れがないようにするため、反転増幅回路２５には
位相補正回路が設けられる必要がある。
【００２１】第４に、反転増幅回路２５で生成されたキ
ャンセルパルス２２は、フライバックトランス２６内に
設けられたコンデンサ１９を介して、高圧へ重畳され、
それがＣＲＴ１０の内装導電膜３へ印加されることで漏
洩電界成分をキャンセルし、その結果、ＣＲＴ１０管面
からの漏洩電界を低減する。
ャンセルパルス２２は、フライバックトランス２６内に
設けられたコンデンサ１９を介して、高圧へ重畳され、
それがＣＲＴ１０の内装導電膜３へ印加されることで漏
洩電界成分をキャンセルし、その結果、ＣＲＴ１０管面
からの漏洩電界を低減する。
【００２２】従って、ＣＲＴ１０管面から放射される漏
洩電界は、電界検出導線２０により漏洩電界を検出し、
その検出電界を反転、増幅し、電界発生の源である高圧
へ注入することで、高圧に重畳されている電界発生成分
がキャンセルさることで低減することができる。
洩電界は、電界検出導線２０により漏洩電界を検出し、
その検出電界を反転、増幅し、電界発生の源である高圧
へ注入することで、高圧に重畳されている電界発生成分
がキャンセルさることで低減することができる。
【００２３】なお、本発明の一実施の形態では、コンデ
ンサ１９をフライバックトランス２６の内部に配置した
が、コンデンサ１９をフライバックトランス２６の外部
に配置することでも同様の効果が得られ、ＣＲＴ１０管
面より放射される電界を検出し反転増幅してキャンセル
パルスを生成しているため、ＣＲＴ１０管面より放射さ
れる電界と同じ周波数成分を持った逆極性のキャンセル
パルスにより放射電界が打ち消され効果的に漏洩電界が
低減でき、かつ漏洩電界が増加すれば、キャンセルパル
スもそれに追従して増加し、逆に漏洩電界が減少すれば
キャンセルパルスも減少するため漏洩電界の大きさに関
わらず漏洩電界を低減できる。
ンサ１９をフライバックトランス２６の内部に配置した
が、コンデンサ１９をフライバックトランス２６の外部
に配置することでも同様の効果が得られ、ＣＲＴ１０管
面より放射される電界を検出し反転増幅してキャンセル
パルスを生成しているため、ＣＲＴ１０管面より放射さ
れる電界と同じ周波数成分を持った逆極性のキャンセル
パルスにより放射電界が打ち消され効果的に漏洩電界が
低減でき、かつ漏洩電界が増加すれば、キャンセルパル
スもそれに追従して増加し、逆に漏洩電界が減少すれば
キャンセルパルスも減少するため漏洩電界の大きさに関
わらず漏洩電界を低減できる。
【００２４】次に、本発明の第２実施の形態による漏洩
電界低減装置を図面を参照して説明する。
電界低減装置を図面を参照して説明する。
【００２５】なお、電界検出用導線と同様の効果を出す
ために、ＣＲＴ１０前面に配置したプリント基板、たと
えば使用者がＣＲＴ１０の正面から表示画面等を調整す
るためのスイッチ等が配置されたプリント基板上に、電
界を検出するために十分な幅を持ったパターンを配置し
てもＣＲＴ１０からの漏洩電界を低減する。
ために、ＣＲＴ１０前面に配置したプリント基板、たと
えば使用者がＣＲＴ１０の正面から表示画面等を調整す
るためのスイッチ等が配置されたプリント基板上に、電
界を検出するために十分な幅を持ったパターンを配置し
てもＣＲＴ１０からの漏洩電界を低減する。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の漏洩電界
低減装置によれば、装置を構成する電界検出手段、イン
ピータンス変換回路、反転増幅回路が全て安価で実現で
きるため、安価な漏洩電界低減装置を実現する効果があ
る。
低減装置によれば、装置を構成する電界検出手段、イン
ピータンス変換回路、反転増幅回路が全て安価で実現で
きるため、安価な漏洩電界低減装置を実現する効果があ
る。
【００２７】また、本発明の漏洩電界低減装置によれ
ば、キャンセルパルスを漏洩電界そのものから生成して
いるため、キャンセルされた電界には従来特許にみられ
たような、高圧変動成分が残ることなく効果的に漏洩電
界を低減することができ、かつ構成としてネガティブフ
ィードバックが形成されているため、漏洩電界のレベル
に応じて、キャンセルパルスのレベルも変化し効果的に
漏洩電界を低減する効果がある。
ば、キャンセルパルスを漏洩電界そのものから生成して
いるため、キャンセルされた電界には従来特許にみられ
たような、高圧変動成分が残ることなく効果的に漏洩電
界を低減することができ、かつ構成としてネガティブフ
ィードバックが形成されているため、漏洩電界のレベル
に応じて、キャンセルパルスのレベルも変化し効果的に
漏洩電界を低減する効果がある。
【図１】本発明の第１実施の形態による漏洩電界低減装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図２】従来のＣＲＴディスプレイから放射される漏洩
電界の発生原理を示す構成図である。
電界の発生原理を示す構成図である。
【図３】従来のＣＲＴディスプレイから放射される漏洩
電界信号の波形図である。
電界信号の波形図である。
【図４】ＣＲＴディスプレイ漏洩電界を低減する手段を
示す略線図である。
示す略線図である。
【図５】ＣＲＴディスプレイ漏洩電界を低減する水平偏
向パルスからキャンセルパルスを生成する手段の構成図
である。
向パルスからキャンセルパルスを生成する手段の構成図
である。
【図６】ＣＲＴディスプレイ漏洩電界を低減する水平偏
向パルスからキャンセルパルスを生成する手段の各ブロ
ックでの波形図である。
向パルスからキャンセルパルスを生成する手段の各ブロ
ックでの波形図である。
１ 水平偏向ヨーク ２ ガラスバルブ ３ 内装導電膜 ５ アノード ６ 内装導電膜（浮遊静電容量） ７ 水平偏向パルス ８ 水平偏向回路 １０ ＣＲＴ １９ フライバックトランス（コンデンサ） ２０ 検出手段（電界検出用導線 ２１ 電界信号 ２２ キャンセルパルス ２３ インピータンス変換回路 ２４ 検出手段（高抵抗） ２５ 反転増幅回路 ２６ フライバックトランス ２７ キャビネット
Claims (3)
- 【請求項１】 ＣＲＴと、このＣＲＴの前面に設置しＣ
ＲＴ管面からの漏洩電界を検出する検出手段と、この検
出手段により検出した電界波形の劣化を防ぐ上記検出手
段の近傍に設置したインピータンス変換回路と、このイ
ンピーダンス変換回路からの出力信号を反転増幅してキ
ャンセルパルスを生成する反転増幅回路と、この反転増
幅回路で増幅されたキャンセルパルスを高圧へ重畳する
コンデンサを内部に有するフライバックトランスとを備
え、上記キャンセルパルスをフライバックトランス内部
のコンデンサを介して高圧へ重畳することで、上記漏洩
電界を低減することを特徴とする漏洩電界低減装置。 - 【請求項２】 上記ＣＲＴ前面の表示領域周囲に配置さ
れた導線もしくは導板で、かつ高抵抗により接地された
上記検出手段で構成されたことを特徴とする請求項１記
載の漏洩電界低減装置。 - 【請求項３】 上記ＣＲＴ前面に配置されたプリント基
板上のパターンにより形成される上記検出手段で構成さ
れたことを特徴とする請求項１記載の漏洩電界低減装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8600498A JPH11283533A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 漏洩電界低減装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8600498A JPH11283533A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 漏洩電界低減装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11283533A true JPH11283533A (ja) | 1999-10-15 |
Family
ID=13874546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8600498A Withdrawn JPH11283533A (ja) | 1998-03-31 | 1998-03-31 | 漏洩電界低減装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11283533A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010096098A (ko) * | 2000-04-17 | 2001-11-07 | 이형도 | 편향요크 |
-
1998
- 1998-03-31 JP JP8600498A patent/JPH11283533A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010096098A (ko) * | 2000-04-17 | 2001-11-07 | 이형도 | 편향요크 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |