JPH11283211A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 正確なトラック幅が得られ、然も所期のギャ
ップ深さが得られる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供
し、製造工程の歩留りを改善する。 【解決手段】 本発明の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて
は、上部コア層は、媒体対向面から非磁性高硬度層のデ
プスエンド規制面まで拡がるフロント第１コア層と、媒
体対向面からフロント第１コア層の上面を経て上部絶縁
層の上面に拡がる第２コア層とから構成される。フロン
ト第１コア層は、レジスト層を用いたエッチングによっ
て形成され、該レジスト層は、露光工程及び現像処理工
程によって形成される。露光工程においては、媒体対向
面Ｆとなる位置の近傍にてトラック幅と同一幅Ｗを有す
ると共に、後方両側部に一対の突出部831、831を有し
て、トラック幅方向の幅が後方側に徐々に拡大する平面
形状を有するマスク膜83aが採用される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、誘導型ヘッド素子
を具えた薄膜磁気ヘッド、或いは誘導型ヘッド素子及び
磁気抵抗効果型(ＭＲ)ヘッド素子を一体に具えた複合型
薄膜磁気ヘッド素子の製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピュータの外部記憶装置とし
てのハードディスクドライブ装置等においては、信号記
録用の誘導型ヘッド素子と、信号再生用の磁気抵抗効果
型ヘッド素子(以下、ＭＲヘッド素子という)とを一体に
具えた複合型薄膜磁気ヘッドが注目されている。複合型
薄膜磁気ヘッドにおいては、近年、益々、高記録密度化
が進んでトラック幅が狭小化し、これに応じて、記録媒
体と対向すべき媒体対向面における上部コア層のトラッ
ク幅方向の幅が狭小化している。しかしながら、幅の狭
い上部コア層を精度良く形成することは困難であり、正
確なトラック幅が得られないことが問題となっている。
そこで、正確なトラック幅を得るべく、２層構造の上部
コア層(96)を具えた図３６及び図３７に示す複合型薄膜
磁気ヘッドが提案されている(特開平７−２２５９１
７)。

【０００３】該複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、図示
の如く基板(１)上に、ＭＲヘッド素子として、下部シー
ルド層(２)、下部絶縁層(31)、ＭＲ素子層(４)、電極層
(図示省略)及び上部絶縁層(32)が順次積層されている。
ＭＲヘッド素子上には、誘導型ヘッド素子として、下部
コア層(５)が形成されている。該下部コア層(５)は、基
板(１)側に形成された幅広のシールド部(51)と、その反
対側に形成されて、記録媒体と対向すべき媒体対向面の
近傍にてトラック幅と同一幅を有する細幅のコア部(52)
とから構成され、誘導型ヘッド素子の磁気コアとしての
機能を発揮すると同時に、誘導型ヘッド素子とＭＲヘッ
ド素子の間の磁気シールドとしての機能を兼ね具えてい
る。

【０００４】下部コア層(５)上には、ギャップスペーサ
層(６)及び下部絶縁層(15)が形成され、下部絶縁層(15)
は、ＭＲ素子層(４)側の前方端に、基板(１)に対して垂
直なデプスエンド規制面ＤＥ′を有している。下部絶縁
層(15)上には、コイル層(７)が形成され、コイル層(７)
を覆って上部絶縁層(12)が形成されている。ギャップス
ペーサ層(６)及び上部絶縁層(12)の表面には、上部コア
層(96)が形成されている。上部コア層(96)は、基板(１)
側に形成されたフロント第１コア層(97a)及びバック第
１コア層(97b)と、その反対側に形成された第２コア層
(98)とから構成されている。フロント第１コア層(97a)
は、媒体対向面Ｆから下部絶縁層(15)のデプスエンド規
制面ＤＥ′まで拡がる領域に形成される一方、バック第
１コア層(97b)は、下部絶縁層(15)の後方端面から後方
に拡がる領域に形成されている。下部絶縁層(15)の上面
は、フロント第１コア層(97a)及びバック第１コア層(97
b)のトラック幅方向の両側に拡がる領域にて、これらの
第１コア層(97a)(97b)よりも低く形成される一方、フロ
ント第１コア層(97a)とバック第１コア層(97b)の間に拡
がる領域にて、これらの第１コア層(97a)(97b)よりも高
く形成されている。第２コア層(98)は、媒体対向面Ｆか
らフロント第１コア層(97a)、上部絶縁層(12)及びバッ
ク第１コア層(97b)の上面に拡がっている。

【０００５】フロント第１コア層(97a)は、記録媒体上
のトラック幅と同一幅を有すると共に、第２コア層(98)
は、媒体対向面Ｆの近傍にて記録媒体上のトラック幅と
同一幅を有し、第２コア層(98)、フロント第１コア層(9
7a)、ギャップスペーサ層(６)、及び下部コア層(５)の
コア部(52)のトラック幅方向の両側面は、図３６に示す
如く媒体対向面Ｆの近傍にて、同一の垂直面に揃ってい
る。そして、上部コア層(96)の第２コア層(98)を覆っ
て、保護層(13)が形成されている。

【０００６】図３８乃至図５０は、上記複合型薄膜磁気
ヘッドのフロント第１コア層(97a)及びバック第１コア
層(97b)の形成工程を表わしている。尚、複合型薄膜磁
気ヘッドの製造方法においては、基板(１)となるウエハ
(10)上に、多数のヘッドを同時に形成するのであるが、
図３８乃至図５０は、１つのヘッドについての具体的工
程を表わしている。図３８、図３９(図３８Ａ−Ａ線に
沿う断面)及び図４０(図３８Ｂ−Ｂ線に沿う断面)に示
す如く、ウエハ(10)上には、下部シールド層(２)、下部
絶縁層(31)、ＭＲ素子層(４)、電極層(図示省略)、上部
絶縁層(32)、下部磁性層(500)及びギャップスペーサ層
(６)が順次形成されている。先ず、ギャップスペーサ層
(６)の全表面に、上部磁性層(970)を形成する。ここ
で、上部コア層(96)は、図３６に示す如くフロント第１
コア層(97a)と第２コア層(98)とからなる２層構造を有
しており、然もギャップスペーサ層(６)の表面は、図３
９及び図４０に示す如く平面に形成されているので、上
部磁性層(970)は薄く成膜される。次に、上部磁性層(97
0)の全表面にレジスト(85)を塗布する。ここで、上部磁
性層(970)は、上述の如く薄く形成されているので、後
のエッチング工程におけるエッチングの深さは浅く、レ
ジスト(85)は薄く塗布される。又、上部磁性層(970)の
表面は平面に形成されているので、レジスト(85)の膜厚
は、上部磁性層(970)の全表面で略均一となる。

【０００７】続いて、レジスト(85)上に、該レジスト(8
5)と僅かな間隙を設けてフォトマスク(86)をセットす
る。フォトマスク(86)は、平板状の透明ガラス板(87)
と、該透明ガラス板(87)の下面に形成されたマスク膜(8
8)とから構成され、マスク膜(88)は、媒体対向面Ｆとな
る位置から所定のギャップ深さＧ１だけ後退した位置よ
り前方に拡がるフロントマスク膜(88a)と、バック第１
コア層(97b)を形成すべき位置に形成されたバックマス
ク膜(88b)とから構成されている。フロントマスク膜(88
a)は、媒体対向面Ｆとなる位置の近傍にてトラック幅と
同一幅を有する一方、バックマスク膜(88b)は、バック
第１コア層(97b)に応じた平面形状を有している。

【０００８】次に、図３９及び図４０に矢印で示す如
く、フォトマスク(86)の透明ガラス板(87)の表面に対し
略垂直に光線を照射して、レジスト(85)の表面に露光を
施す。この際、レジスト(85)の膜厚は、上述の如く上部
磁性層(970)上で略均一となっているため、ハレーショ
ンは発生しない。そして、レジスト(85)の表面に現像処
理を施して、レジスト(85)を、図４２、図４３(図４２
Ａ−Ａ線に沿う断面)及び図４４(図４２Ｂ−Ｂ線に沿う
断面)に示す如く、フロント第１コア層(97a)に応じた平
面形状のフロントレジスト層(84a)、及びバック第１コ
ア層(97b)に応じた平面形状のバックレジスト層(84b)に
成形する。ここで、レジスト(85)の膜厚は小さく、然も
露光工程においてハレーションが発生しないので、媒体
対向面Ｆとなる位置の近傍にて所定の幅、即ちトラック
幅と同一幅を有するフロントレジスト層(84a)が得られ
ることになる。

【０００９】続いて、フロントレジスト層(84a)、バッ
クレジスト層(84b)、上部磁性層(970)、ギャップスペー
サ層(６)及び下部磁性層(500)の表面にイオンビームエ
ッチングを施して、図４５、図４６(図４５Ａ−Ａ線に
沿う断面)及び図４７(図４５Ｂ−Ｂ線に沿う断面)に示
す如く、フロントレジスト層(84a)及びバックレジスト
層(84b)の外周縁から外側に拡がる上部磁性層(970)、ギ
ャップスペーサ層(６)及び下部磁性層(500)の上層部を
削り取った後、フロントレジスト層(84a)及びバックレ
ジスト層(84b)を除去する。この様にして、上部磁性層
(970)を、フロント第１コア層(97a)及びバック第１コア
層(97b)に成形すると共に、下部磁性層(500)の上層部
を、下部コア層(５)のコア部(52)に成形して、該コア部
(52)とコア部(52)よりも大きな幅を有するシールド部(5
1)とを具えた下部コア層(５)を形成する。ここで、フロ
ントレジスト層(84a)は、上述の如く所定の幅を有して
いるので、媒体対向面Ｆとなる位置の近傍にて所期の
幅、即ちトラック幅と同一幅を有するフロント第１コア
層(97a)と下部コア層(５)のコア部(52)が得られること
になる。

【００１０】そして、図４８、図４９(図４８Ａ−Ａ線
に沿う断面)及び図５０(図４８Ｂ−Ｂ線に沿う断面)に
示す如く、下部絶縁層(15)、コイル層(７)、上部絶縁層
(12)及び第２コア層(98)を順次形成した後、両ヘッド素
子を覆って保護層(13)を成膜する。尚、図４８において
は、便宜上、上部絶縁層(12)及び保護層(13)の図示を省
略している。最後に、ＭＲ素子層(４)側の端面に、Ｆ−
Ｆ線で示す媒体対向面となる位置まで研磨を施した後、
ウエハ(10)をヘッド毎に分断して複合型薄膜磁気ヘッド
を完成する。上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
れば、上述の如く媒体対向面Ｆの近傍にて所期の幅を有
するフロント第１コア層(97a)が形成されるので、正確
なトラック幅を得ることが出来る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記複
合型薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、図３９及び
図４０に示す露光工程において、光線は、フォトマスク
(86)のフロントマスク膜(88a)の後方端部で、図４１に
破線の矢印で示す如く回折して、フロントマスク膜(88
a)の両角部(881)(881)の下方に存在するレジスト(85)の
表面に照射されるため、次の現像処理工程において、該
レジスト部分が除去されて、図４２に示す如く後方の両
角部(841)(841)の丸いフロントレジスト層(84a)が形成
されることになる。フロント第１コア層(97a)を形成す
る工程では、この様に後方の両角部(841)(841)の丸いフ
ロントレジスト層(84a)をマスクとしてイオンビームエ
ッチングが施されるため、図４５に示す如く後方の両角
部(971)(971)の丸いフロント第１コア層(97a)が形成さ
れることになる。この結果、図５１に示す如く、フロン
ト第１コア層(97a)の実効的なギャップ深さＧ２が、所
期のギャップ深さＧ１に比べて短くなって、製造工程の
歩留りが低下する問題がある。特に、１〜２μｍとトラ
ック幅方向の幅が狭く、０.２〜１μｍとギャップ深さ
が浅いフロント第１コア層を形成する場合、この問題は
顕著となる。本発明の目的は、正確なトラック幅が得ら
れ、然も所期のギャップ深さが得られる薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供し、製造工程の歩留りを改善すること
である。

【００１２】

【課題を解決する為の手段】本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法は、基板(１)上に磁気抵抗効果型ヘッド素
子を形成する工程と、該ヘッド素子上に誘導型ヘッド素
子を形成する工程とから構成される。誘導型ヘッド素子
形成工程は、磁気抵抗効果型ヘッド素子上に下部磁性層
(500)を形成する下部磁性層形成工程と、下部磁性層(50
0)の表面にギャップスペーサ層(６)を形成するギャップ
スペーサ層形成工程と、ギャップスペーサ層(６)の表面
に上部磁性層(910)を形成する上部磁性層形成工程と、
上部磁性層(910)の表面をレジスト(80)によって覆うレ
ジスト塗布工程と、レジスト(80)の表面に、所定の平面
形状を有するマスク膜(83a)を介して露光を施す露光工
程と、露光の施されたレジスト(80)の表面に現像処理を
施して、該レジスト(80)を、媒体対向面の近傍にて記録
媒体上のトラック幅と同一幅を有すると共に、媒体対向
面から所定のギャップ深さだけ後退した位置に後方端面
(802)を有して、トラック幅方向の両側面(801)(801)と
後方端面(802)とが互いに略垂直に交わるレジスト層(8
a)に成形するレジスト層形成工程と、レジスト層(8a)を
マスクとして、上部磁性層(910)、ギャップスペーサ層
(６)、及び下部磁性層(500)の上層部にエッチングを施
して、上部磁性層(910)を、媒体対向面の近傍にて記録
媒体上のトラック幅と同一幅を有すると共に、媒体対向
面から所定のギャップ深さだけ後退した位置に後方端面
を有して、トラック幅方向の両側面と後方端面とが互い
に略垂直に交わる第１コア層に成形すると共に、下部磁
性層(500)を、媒体対向面の近傍にて記録媒体上のトラ
ック幅と同一幅を有するコア部(52)に成形して、該コア
部(52)を具えた下部コア層(５)を形成するコア層形成工
程と、レジスト層(8a)を除去するレジスト層除去工程
と、下部コア層(５)の表面に、少なくとも第１コア層の
後方に拡がって、第１コア層の下面よりも高い位置に上
面を有する非磁性高硬度層を形成すると共に、第１コア
層の後方に形成された非磁性高硬度層の表面領域に、コ
イル層(７)を介して上部絶縁層(12)を形成する上部絶縁
層形成工程と、第１コア層の表面及び上部絶縁層(12)の
表面に、媒体対向面から第１コア層の上面を経て上部絶
縁層(12)の上面に拡がる第２コア層を形成して、第１コ
ア層と第２コア層とを具えた上部コア層を形成する第２
コア層形成工程とから構成される。前記露光工程におけ
るマスク膜(83a)は、少なくとも媒体対向面から所定の
ギャップ深さだけ後退した位置まで拡がり、媒体対向面
の近傍にて記録媒体上のトラック幅と同一幅を有する一
方、後方端部にてトラック幅方向の幅が後方側に徐々に
拡大して、後方端にてトラック幅よりも大きな幅を有す
る平面形状を有している。

【００１３】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、上部
コア層は第１コア層と第２コア層からなる２層構造を有
しており、然もギャップスペーサ層(６)の表面は平面に
形成されているので、上部磁性層形成工程において、上
部磁性層(910)は薄く形成される。一般に、レジスト層
を用いたエッチングにおいては、レジスト層はエッチン
グの深さに応じて厚く形成する必要がある。これに対
し、本発明の製造方法においては、上述の如く上部磁性
層(910)は薄く形成されるので、後のコア層形成工程に
おけるエッチング深さは浅い。従って、レジスト塗布工
程にて、レジスト(80)は、上部磁性層(910)の表面に薄
く塗布される。ここで、上部磁性層(910)の表面は平面
に形成されているので、レジスト(80)の膜厚は、上部磁
性層(910)の全表面で略均一となる。次に、レジスト(8
0)の表面に、マスク膜(83a)を介して露光を施す。この
際、光線は、マスク膜(83a)の外周縁から外側に拡がる
レジスト(80)の表面に照射されて、該レジスト部分に露
光が施されることになる。又、マスク膜(83a)の後方端
部では、光線は回折して、マスク膜(83a)の両角部の下
方に形成された空間へ向けて斜めに照射される。従っ
て、トラック幅を越えてトラック幅方向に拡がるマスク
膜突出部(831)(831)の下方に存在するレジスト部分に
も、露光が施されることになる。又、レジスト(80)の膜
厚は、上述の如く上部磁性層(910)の全表面で略均一と
なっているので、ハレーションは発生しない。

【００１４】この結果、レジスト層形成工程では、マス
ク膜(83a)の外周縁から外側に拡がるレジスト部分、及
び前記マスク膜突出部(831)(831)の下方に存在するレジ
スト部分が除去されて、媒体対向面の近傍にて記録媒体
上のトラック幅と同一幅を有すると共に、トラック幅方
向の両側面(801)(801)と後方端面(802)とが互いに略垂
直に交わるレジスト層(8a)が形成されることになる。こ
こで、レジスト(80)の膜厚が小さく、然も露光工程にお
いてハレーションが発生しないので、精度の高いレジス
ト層(8a)が得られる。

【００１５】コア層形成工程では、上記形状のレジスト
層(8a)をマスクとしてエッチングを施すので、上部磁性
層(910)は、トラック幅方向の両側面(911)(911)と後方
端面(912)とが互いに略垂直に交わる第１コア層(91a)に
成形されることになる。ここで、レジスト層(8a)は精度
良く形成されているので、第１コア層(91a)は、媒体対
向面の近傍にて所期の幅、即ちトラック幅と同一幅を有
することになる。又、下部磁性層(500)の上層部は、所
期の幅を有する下部コア層(５)のコア部(52)に成形され
る。一方、下部磁性層(500)の下層部にはエッチングを
施さないので、該下層部はＭＲヘッド素子上に残存す
る。この結果、媒体対向面の近傍にてトラック幅と同一
幅を有するコア部(52)と、該コア部(52)よりも大きな幅
を有するシールド部(51)を具えた下部コア層(５)が形成
されることになる。尚、下部コア層(５)のコア部(52)
は、誘導型ヘッド素子の磁気コアとして機能する一方、
シールド部(51)は、誘導型ヘッド素子とＭＲヘッド素子
の間の磁気シールドとして機能することになる。

【００１６】本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、上部
コア層(９)の下層部である第１コア層(91a)と、下部コ
ア層(５)の上層部であるコア部(52)とが記録媒体上に形
成されるトラック幅を規定する。ここで、上部コア層
(９)の第１コア層(91a)及び下部コア層(５)のコア部(5
2)は、上述の如く所期の幅に形成されるので、正確なト
ラック幅を得ることが出来る。又、上部コア層(９)の第
１コア層(91a)は、上述の如くトラック幅方向の両側面
(911)(911)と後方端面(912)とが互いに略垂直に交わる
形状を有しているので、第１コア層(91a)の両側部にお
いても、中央部と同一の所期のギャップ深さを得ること
が出来る。

【００１７】具体的には、前記上部絶縁層形成工程は、
第１コア層(91a)、ギャップスペーサ層(６)及び下部コ
ア層(５)の表面を覆って、非磁性高硬度層(11)を形成す
る第１工程と、非磁性高硬度層(11)の表面及び第１コア
層(91a)の表面に平面加工を施す第２工程と、前記平面
加工によって第１コア層(91a)の後方に形成された非磁
性高硬度層(11)の表面領域に、コイル層(７)を介して上
部絶縁層(12)を形成する第３工程とから構成される。

【００１８】上記具体的構成の第２工程においては、非
磁性高硬度層(11)の表面に平面加工を施して、非磁性高
硬度層(11)の表面から第１コア層(91a)の表面を露出さ
せ、更に非磁性高硬度層(11)の表面及び第１コア層(91
a)の表面に平面研磨を施して、両表面が揃った時点で平
面加工を停止する。この結果、非磁性高硬度層(11)の上
面と第１コア層(91a)の上面が夫々、平面に形成され
て、互いに同一の平面に揃った薄膜磁気ヘッドが得られ
ることになる。

【００１９】又、他の具体的構成において、前記上部絶
縁層形成工程は、第１コア層(94a)、ギャップスペーサ
層(６)及び下部コア層(５)の表面を覆って、非磁性高硬
度層(14)を形成する第１工程と、非磁性高硬度層(14)の
表面に第１コア層(94a)の上面に達しない深さまで平面
加工を施す第２工程と、平面加工の施された非磁性高硬
度層(14)の表面に、第１コア層(91a)の後方位置にコイ
ル層(７)を介して上部絶縁層(12)を形成する第３工程
と、上部絶縁層(12)をマスクとして非磁性高硬度層(14)
にエッチングを施して、第１コア層(91a)の表面を非磁
性高硬度層(14)の表面から露出させる第４工程とから構
成される。

【００２０】上記他の具体的構成においては、第２工程
終了後、第１コア層(94a)の上面は非磁性高硬度層(14)
によって覆われている。第４工程では、上部絶縁層(12)
をマスクとして、非磁性高硬度層(14)の表面にイオンビ
ームエッチング或いは反応性イオンエッチングを施す。
尚、反応性イオンエッチングは、エッチングが所期の深
さ、即ち第１コア層(94a)上に存在する非磁性高硬度層
(14)の膜厚と同一深さよりも深く進んだとしても、第１
コア層(94a)は殆どエッチングされない点で、イオンビ
ームエッチングよりも望ましい。該エッチングによっ
て、第１コア層(94a)上の非磁性高硬度層部分が除去さ
れて、第１コア層(94a)の表面が非磁性高硬度層(14)の
表面から露出することになる。この結果、第１コア層(9
4a)の後方にて、非磁性高硬度層(14)の上面が第１コア
層(91a)の上面よりも高い薄膜磁気ヘッドが得られるこ
とになる。

【００２１】

【発明の効果】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
によれば、記録媒体上に形成されるトラック幅を規定す
る第１コア層を所期の幅に形成することが出来るので、
正確なトラック幅を得ることが出来る。又、第１コア層
は、トラック幅方向の両側面と後方端面とが互いに略垂
直に交わる形状に形成されるので、第１コア層の両側部
においても、所期のギャップ深さを得ることが出来る。
この結果、製造工程の歩留りが向上する。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、誘導型ヘッド素
子及びＭＲヘッド素子を一体に具えた複合型薄膜磁気ヘ
ッドに実施した形態につき、図面に沿って具体的に説明
する。第１実施例 図１、図２(図１Ａ−Ａ線に沿う断面)及び図３(図１Ｂ
−Ｂ線に沿う断面)は、本実施例の複合型薄膜磁気ヘッ
ドの構造を表わしている。尚、図１においては、便宜
上、図３に示す上部絶縁層(12)及び保護層(13)の図示を
省略する。本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドにおいて
は、基板(１)上に、ＭＲヘッド素子として、下部シール
ド層(２)が形成され、下部シールド層(２)上には、下部
絶縁層(31)を介してＭＲ素子層(４)及び電極層(図示省
略)が形成されている。そして、ＭＲ素子層(４)を覆っ
て上部絶縁層(32)が形成されている。

【００２３】上部絶縁層(32)上には、誘導型ヘッド素子
として、下部コア層(５)が形成されている。下部コア層
(５)は、基板(１)側に形成された幅広のシールド部(51)
と、その反対側に形成された細幅のコア部(52)とから構
成され、該コア部(52)は、記録媒体と対向すべき媒体対
向面Ｆの近傍にて記録媒体上のトラック幅と同一幅を有
している。下部コア層(５)は、誘導型ヘッド素子の磁気
コアとしての機能を発揮すると同時に、誘導型ヘッド素
子とＭＲヘッド素子の間の磁気シールドとしての機能を
兼ね具えている。

【００２４】下部コア層(５)上には、ギャップスペーサ
層(６)及び非磁性高硬度層(11)が形成され、ギャップス
ペーサ層(６)は、媒体対向面Ｆの近傍にてトラック幅と
同一幅を有している。一方、非磁性高硬度層(11)は、Ｍ
Ｒ素子層(４)側の前方端に、基板(１)に対して垂直なデ
プスエンド規制面ＤＥを有し、非磁性高硬度層(11)上に
はコイル層(７)が形成されている。そして、コイル層
(７)を覆って、上部絶縁層(12)が形成されている。

【００２５】ギャップスペーサ層(６)及び上部絶縁層(1
2)の表面には、上部コア層(９)が形成され、上部コア層
(９)は、図３に示す如く基板(１)側に形成されたフロン
ト第１コア層(91a)及びバック第１コア層(91b)と、その
反対側に形成された第２コア層(92)とから構成されてい
る。フロント第１コア層(91a)は、媒体対向面Ｆから非
磁性高硬度層(11)のデプスエンド規制面ＤＥまで拡がる
領域に形成される一方、バック第１コア層(91b)は、非
磁性高硬度層(11)の後方端面から後方に拡がる領域に形
成されている。フロント第１コア層(91a)、非磁性高硬
度層(11)及びバック第１コア層(91b)の上面は夫々平面
に形成されて、互いに同一の平面に揃っている。又、第
２コア層(92)は、媒体対向面Ｆからフロント第１コア層
(91a)、上部絶縁層(12)及びバック第１コア層(91b)の上
面に拡がっている。

【００２６】フロント第１コア層(91a)は、記録媒体上
のトラック幅と同一幅を有すると共に、第２コア層(92)
は、媒体対向面Ｆの近傍にて記録媒体上のトラック幅と
同一幅を有し、下部コア層(５)のコア部(52)、ギャップ
スペーサ層(６)、フロント第１コア層(91a)及び第２コ
ア層(92)のトラック幅方向の両側面は、図２に示す如く
媒体対向面の近傍にて互いに同一の垂直面に揃ってい
る。そして、上部コア層(９)の第２コア層(92)を覆っ
て、保護層(13)が形成されている。

【００２７】上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法につ
いて、図４乃至図２６に基づき具体的に説明する。尚、
複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、基板(１)
となるウエハ(10)上に、多数のヘッドを同時に形成する
のであるが、図４乃至図２６は、１つのヘッドについ
て、上部絶縁層(32)を形成した後、保護層(13)を形成す
るまでの具体的な工程を表わしている。先ず、図４、図
５(図４Ａ−Ａ線に沿う断面)及び図６(図４Ｂ−Ｂ線に
沿う断面)に示す如くウエハ(10)上に、下部シールド層
(２)、下部絶縁層(31)、ＭＲ素子層(４)、電極層(図示
省略)及び上部絶縁層(32)を順次形成する。次に、上部
絶縁層(32)の全表面に下部磁性層(500)を成膜した後、
下部磁性層(500)の全表面に、例えば膜厚０.２μｍのギ
ャップスペーサ層(６)を成膜する。続いて、ギャップス
ペーサ層(６)の全表面に上部磁性層(910)を成膜する。
ここで、上部コア層(９)は、図２に示す如くフロント第
１コア層(91a)と第２コア層(92)とからなる２層構造を
有しており、然もギャップスペーサ層(６)の表面は平面
に形成されているので、上部磁性層(910)は、例えば膜
厚１.２μｍ程度に薄く成膜される。その後、図４乃至
図６に示す如く、上部磁性層(910)の全表面にレジスト
(80)を塗布する。ここで、後のエッチング工程において
は、膜厚１.２μｍの上部磁性層(910)、膜厚０.２μｍ
のギャップスペーサ層(６)、及び下部磁性層(500)の表
面から１.５μｍの上層部にイオンビームエッチングを
施すので、エッチングの深さは３.０μｍ程度と浅い。
従って、レジスト(80)は、例えば膜厚５.０μｍ程度に
薄く塗布される。又、上部磁性層(910)の表面は平面に
形成されているので、レジスト(80)の膜厚は、上部磁性
層(910)の全表面で略均一となる。

【００２８】そして、図７、図８(図７Ａ−Ａ線に沿う
断面)及び図９(図７Ｂ−Ｂ線に沿う断面)に示す如く、
レジスト(80)上に、該レジスト(80)と僅かな間隙を設け
てフォトマスク(81)をセットする。フォトマスク(81)
は、平板状の透明ガラス板(82)と、該透明ガラス板(82)
の下面に形成されたマスク膜(83)とから構成され、マス
ク膜(83)は、媒体対向面Ｆとなる位置から所定のギャッ
プ深さだけ後退した位置より前方に拡がるフロントマス
ク膜(83a)と、バック第１コア層(91b)を形成すべき位置
に形成されたバックマスク膜(83b)とから構成されてい
る。フロントマスク膜(83a)は、媒体対向面Ｆとなる位
置の近傍にてトラック幅と同一幅Ｗを有すると共に、後
方両側部に一対の突出部(831)(831)を有して、トラック
幅方向の幅が後方側に徐々に拡大する平面形状を有して
いる。突出部(831)(831)は夫々、図１１に示す如く、媒
体対向面Ｆとなる位置の近傍におけるフロントマスク膜
(83a)の両側面から後方側に伸びる延長線Ｌ、Ｌに対
し、従来の現像処理工程において、露光時の光の回折に
より除去されるレジスト部分Ａ、Ａと線対称な平面形状
を有している。一方、バックマスク膜(83b)は、バック
第１コア層(91b)に応じた平面形状を有している。

【００２９】そして、図８及び図９に実線の矢印で示す
如く、フォトマスク(81)の透明ガラス板(82)の表面に対
し略垂直に光線を照射する。光線は、フォトマスク(81)
のマスク膜(83a)(83b)の外周縁から外側に拡がる領域で
は、透明ガラス板(82)をそのまま通過して、レジスト(8
0)の表面に略垂直に照射される。これに対し、フロント
マスク膜(83a)の後方端部においては、光線は、図１０
に破線の矢印で示す如く回折して、フロントマスク膜(8
3a)の突出部(831)(831)の下方に形成された空間へ向け
て斜めに照射される。従って、フロントマスク膜(83a)
及びバックマスク膜(83b)の外周縁から外側に拡がるレ
ジスト(80)の表面のみならず、フロントマスク膜(83a)
の突出部(831)(831)の下方に存在するレジスト(80)の表
面にも、露光が施されることになる。この際、レジスト
(80)の膜厚は、上述の如く略均一となっているため、ハ
レーションは発生しない。一方、マスク膜(83)が拡がる
領域では、光線は、マスク膜(83)によって遮断されて、
マスク膜(83)の下方に存在するレジスト(80)に照射され
ない。

【００３０】続いて、レジスト(80)の表面に現像処理を
施して、該レジスト(80)を、図１２、図１３(図１２Ａ
−Ａ線に沿う断面)及び図１４(図１２Ｂ−Ｂ線に沿う断
面)に示す如く、媒体対向面Ｆとなる位置から所定のギ
ャップ深さだけ後退した位置より前方に拡がるフロント
レジスト層(8a)と、バック第１コア層(91b)を形成すべ
き位置に拡がるバックレジスト層(8b)に成形する。この
際、フロントマスク膜(83a)の突出部(831)(831)の下方
に存在するレジスト(80)の表面にも、前述の如く露光が
施されているので、該レジスト部分も除去されて、トラ
ック幅方向の両側面(801)(801)と後方端面(802)とが略
垂直に交わるフロントレジスト層(8a)が形成されること
になる。該フロントレジスト層(8a)の後方端面(802)
は、ウエハ(10)に対して垂直に形成される。又、レジス
ト(80)の膜厚は５.０μｍ程度と小さく、然も露光工程
においてハレーションが発生しないので、媒体対向面Ｆ
となる位置の近傍にて所定の幅、即ちトラック幅と同一
幅Ｗを有するフロントレジスト層(8a)が精度良く得られ
る。一方、バックレジスト層(8b)は、バック第１コア層
(91b)に応じた平面形状を有している。

【００３１】そして、フロントレジスト層(8a)、バック
レジスト層(8b)、上部磁性層(910)、ギャップスペーサ
層(６)、及び下部磁性層(500)の上層部の表面にイオン
ビームエッチングを施して、フロントレジスト層(8a)及
びバックレジスト層(8b)の外周縁から外側に拡がる上部
磁性層(910)、ギャップスペーサ層(６)、及び下部磁性
層(500)の上層部を削り取って、図１５、図１６(図１５
Ａ−Ａ線に沿う断面)及び図１７(図１５Ｂ−Ｂ線に沿う
断面)に示す如く、上部磁性層(910)、ギャップスペーサ
層(６)、及び下部磁性層(500)の上層部のトラック幅方
向の両側面を互いに同一の垂直面に揃えると共に、上部
磁性層(910)、ギャップスペーサ層(６)、及び下部磁性
層(500)の上層部の後方端面を互いに同一の垂直面に揃
える。そして、フロントレジスト層(8a)及びバックレジ
スト層(8b)を除去する。

【００３２】この様にして、下部磁性層(500)の上層部
が、フロントレジスト層(8a)に応じた平面形状を有する
コア部(52)に成形されることになる。ここでフロントレ
ジスト層(8a)は、前述の如く所定の幅を有しているの
で、コア部(52)は、媒体対向面Ｆとなる位置の近傍にて
所期の幅、即ちトラック幅と同一幅Ｗを有することにな
る。一方、下部磁性層(500)の下層部にはイオンビーム
エッチングを施さないので、該下層部は、上部絶縁層(3
2)の全表面に残存することになる。この結果、媒体対向
面Ｆとなる位置の近傍にてトラック幅と同一幅Ｗを有す
るコア部(52)と、該コア部(52)よりも大きな幅を有する
シールド部(51)を具えた下部コア層(５)が形成される。
又、上部磁性層(910)が、フロントレジスト層(8a)に応
じた平面形状を有するフロント第１コア層(91a)と、バ
ックレジスト層(8b)に応じた平面形状を有するバック第
１コア層(91b)に成形されることになる。ここでフロン
トレジスト層(8a)は、前述の如く所定の幅を有している
ので、フロント第１コア層(91a)は、媒体対向面Ｆとな
る位置の近傍にて所期の幅、即ちトラック幅と同一幅Ｗ
を有することになる。又、フロントレジスト層(8a)は、
両側面(801)(801)と後方端面(802)とが互いに略垂直に
交わる形状を有しているので、フロント第１コア層(91
a)は、図１５に示す如くトラック幅方向の両側面(911)
(911)と後方端面(912)とが互いに略垂直に交わる形状を
有することになる。該フロント第１コア層(91a)の後方
端面(912)は、ウエハ(10)に対して垂直に形成される。
尚、上記イオンビームエッチング法に代えて、反応性イ
オンエッチング法を採用することも可能である。

【００３３】次に、図１８、図１９(図１８Ａ−Ａ線に
沿う断面)及び図２０(図１８Ｂ−Ｂ線に沿う断面)に示
す如く、フロント第１コア層(91a)、バック第１コア層
(91b)及び下部コア層(５)を覆って、例えばＡｌ₂Ｏ₃或
いはＳｉＯ₂からなる非磁性高硬度層(11)を成膜する。
そして、非磁性高硬度層(11)の表面に研磨を施して、図
２１、図２２(図２１Ａ−Ａ線に沿う断面)及び図２３
(図２１Ｂ−Ｂ線に沿う断面)に示す如く、非磁性高硬度
層(11)の表面からフロント第１コア層(91a)及びバック
第１コア層(91b)の表面を露出させ、フロント第１コア
層(91a)、非磁性高硬度層(11)及びバック第１コア層(91
b)の表面を夫々平面に形成して、互いに同一の平面に揃
える。ここで、フロント第１コア層(91a)、ギャップス
ペーサ層(６)、及び下部コア層(５)のコア部(52)の後方
端面は、上述の如く同一の垂直面に揃えられているの
で、非磁性高硬度層(11)は、ウエハ(10)に対して垂直な
デプスエンド規制面ＤＥを有することになる。

【００３４】その後、周知の工程によって、図２４、図
２５(図２４Ａ−Ａ線に沿う断面)及び図２６(図２４Ｂ
−Ｂ線に沿う断面)に示す如く、非磁性高硬度層(11)上
にコイル層(７)を形成した後、コイル層(７)を覆って上
部絶縁層(12)を形成する。尚、図２４においては、便宜
上、上部絶縁層(12)の図示を省略している。次に、イオ
ンビームエッチング或いは反応性イオンエッチングを用
いた周知の工程によって、フロント第１コア層(91a)、
上部絶縁層(12)及びバック第１コア層(91b)の表面に、
第２コア層(92)を形成する。そして、第２コア層(92)及
び非磁性高硬度層(11)を覆って保護層(13)を成膜する。
尚、図２４においては、便宜上、保護層(13)の図示を省
略している。最後に、ＭＲ素子層(４)側の端面に、Ｆ−
Ｆ線で示す媒体対向面となる位置まで研磨を施した後、
ウエハ(10)をヘッド毎に分断して複合型薄膜磁気ヘッド
を完成する。

【００３５】本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法によれば、記録媒体上のトラック幅を規定するフロン
ト第１コア層(91a)は、上述の如く所期の幅に精度良く
形成されるので、正確なトラック幅を得ることが出来
る。又、フロント第１コア層(91a)は、トラック幅の両
側面(911)(911)と後方端面(912)とが互いに略垂直に交
わる形状を有しているので、フロント第１コア層(91a)
の両側部においても、中央部と同一の所期のギャップ深
さを得ることが出来る。

【００３６】第２実施例 本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドは、図２７及び図２８
に示す如く上部コア層(93)のフロント第１コア層(94a)
及びバック第１コア層(94b)と、非磁性高硬度層(14)を
除いて、図１乃至図３に示す第１実施例の複合型薄膜磁
気ヘッドと同一であるので、その全体構成の説明は省略
する。本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、非
磁性高硬度層(14)の上面は、フロント第１コア層(94a)
及びバック第１コア層(94b)のトラック幅方向の両側に
拡がる領域にて、これらの第１コア層(94a)(94b)の上面
と同一の平面に揃えて形成される一方、フロント第１コ
ア層(94a)とバック第１コア層(94b)との間に拡がる領域
にて、これらの第１コア層(94a)(94b)の上面よりも高く
形成されている。

【００３７】本実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの製造方
法においては、フロント第１コア層(94a)、バック第１
コア層(94b)及び下部コア層(５)を覆って非磁性高硬度
層(14)を成膜する工程までは、第１実施例と同一であ
る。図２９乃至図３４は、非磁性高硬度層(14)を成膜し
た後、第２コア層(95)を形成する前の工程までの具体的
工程を表わしている。図２９及び図３０に示す如く、ウ
エハ(10)上には、下部シールド層(２)、下部絶縁層(3
1)、ＭＲ素子層(４)、電極層(図示省略)、上部絶縁層(3
2)、下部コア層(５)、ギャップスペーサ層(６)、フロン
ト第１コア層(94a)及びバック第１コア層(94b)が順次形
成されている。先ず、図１８乃至図２０に示す第１実施
例と同様に、フロント第１コア層(94a)、バック第１コ
ア層(94b)及び下部コア層(５)を覆って非磁性高硬度層
(14)を成膜した後、非磁性高硬度層(14)の表面に、図２
９及び図３０に示す如くフロント第１コア層(94a)及び
バック第１コア層(94b)の上面に達しない深さまで研磨
を施す。

【００３８】次に、非磁性高硬度層(14)の表面に、周知
の工程によって、図３１及び図３２に示す如くコイル層
(７)及び上部絶縁層(12)を順次形成する。そして、上部
絶縁層(12)をマスクとして、非磁性高硬度層(14)の表面
に反応性イオンエッチング或いはイオンビームエッチン
グを施して、フロント第１コア層(94a)及びバック第１
コア層(94b)の表面に形成された非磁性高硬度層(14)を
図３３及び図３４に示す如く除去する。尚、反応性イオ
ンエッチングは、エッチングが所期の深さ、即ちフロン
ト第１コア層(94a)上に存在する非磁性高硬度層(14)の
膜厚と同一深さよりも深く進んだとしても、フロント第
１コア層(94a)は殆どエッチングされない点で、イオン
ビームエッチングよりも望ましい。この場合、フロント
第１コア層(94a)の両側では、図３５に示す如く非磁性
高硬度層(14)の上面が、フロント第１コア層(94a)の上
面よりも低くなるが、問題にはならない。その後、図２
４乃至図２６に示す第１実施例と同一の工程を実施する
ことによって、複合型薄膜磁気ヘッドを完成する。

【００３９】尚、本発明の各部構成は上記実施の形態に
限らず、特許請求の範囲に記載の技術的範囲内で種々の
変形が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの平面形状
を表わす平面図である。

【図２】図１Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図３】図１Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図４】上記複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程におい
て、上部磁性層上にレジストを塗布した状態を表わす平
面図である。

【図５】図４Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図６】図４Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図７】フォトマスクの平面形状を表わす平面図であ
る。

【図８】図７Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図９】図７Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図１０】フォトマスクのフロントマスク膜の後方端部
における露光状態を表わす拡大断面図である。

【図１１】フォトマスクのフロントマスク膜の平面形状
を表わす拡大断面図である。

【図１２】レジスト層の平面形状を表わす平面図であ
る。

【図１３】図１２Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図１４】図１２Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図１５】第１コア層の平面形状を表わす平面図であ
る。

【図１６】図１５Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図１７】図１５Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図１８】研磨工程前の非磁性高硬度層の平面形状を表
わす平面図である。

【図１９】図１８Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図２０】図１８Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図２１】第１実施例の研磨工程後の非磁性高硬度層の
平面形状を表わす平面図である。

【図２２】図２１Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図２３】図２１Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図２４】第２コア層の平面形状を表わす平面図であ
る。

【図２５】図２４Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図２６】図２４Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図２７】第２実施例の複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒
体に平行な断面図である。

【図２８】上記複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体に垂直
な断面図である。

【図２９】第２実施例の研磨工程後の非磁性高硬度層の
記録媒体に平行な断面図である。

【図３０】上記非磁性高硬度層の記録媒体に垂直な断面
図である。

【図３１】第２実施例のエッチング工程前の非磁性高硬
度層の記録媒体に平行な断面図である。

【図３２】上記非磁性高硬度層の記録媒体に垂直な断面
図である。

【図３３】第２実施例のエッチング工程後の非磁性高硬
度層の記録媒体に平行な断面図である。

【図３４】上記非磁性高硬度層の記録媒体に垂直な断面
図である。

【図３５】エッチング深さが深い場合の非磁性高硬度層
の記録媒体に平行な断面図である。

【図３６】従来の複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体に平
行な断面図である。

【図３７】上記複合型薄膜磁気ヘッドの記録媒体に垂直
な断面図である。

【図３８】従来のフォトマスクの平面形状を表わす平面
図である。

【図３９】図３８Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図４０】図３８Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図４１】フォトマスクのフロントマスク膜の後方端部
における露光状態を表わす拡大断面図である。

【図４２】従来のレジスト層の平面形状を表わす平面図
である。

【図４３】図４２Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図４４】図４２Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図４５】従来の第１コア層の平面形状を表わす平面図
である。

【図４６】図４５Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図４７】図４５Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図４８】従来の第２コア層の平面形状を表わす平面図
である。

【図４９】図４８Ａ−Ａ線に沿う断面図である。

【図５０】図４８Ｂ−Ｂ線に沿う断面図である。

【図５１】従来の複合型薄膜磁気ヘッドにおける不具合
を説明するための平面図である。

【符号の説明】

(１) 基板 (11) 非磁性高硬度層 (12) 上部絶縁層 (13) 保護層 (２) 下部シールド層 (31) 下部絶縁層 (32) 上部絶縁層 (４) ＭＲ素子層 (５) 下部コア層 (６) ギャップスペーサ層 (７) コイル層 (９) 上部コア層 (91a) フロント第１コア層 (91b) バック第１コア層 (92) 第２コア層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に下部コア層を形成する下部コア
   層形成工程と、 下部コア層の表面にギャップスペーサ層を形成するギャ
   ップスペーサ層形成工程と、 ギャップスペーサ層の表面に磁性層を形成する磁性層形
   成工程と、 磁性層の表面をレジストによって覆うレジスト塗布工程
   と、 レジストの表面に、所定の平面形状を有するマスク膜を
   介して露光を施す露光工程と、 露光の施されたレジストの表面に現像処理を施して、該
   レジストを、媒体対向面の近傍にて記録媒体上のトラッ
   ク幅と同一幅を有すると共に、媒体対向面から所定のギ
   ャップ深さだけ後退した位置に後方端面を有して、トラ
   ック幅方向の両側面と後方端面とが互いに略垂直に交わ
   るレジスト層に成形するレジスト層形成工程と、 レジスト層をマスクとして磁性層にエッチングを施し
   て、該磁性層を、媒体対向面の近傍にて記録媒体上のト
   ラック幅と同一幅を有すると共に、媒体対向面から所定
   のギャップ深さだけ後退した位置に後方端面を有して、
   トラック幅方向の両側面と後方端面とが互いに略垂直に
   交わる第１コア層に成形する第１コア層形成工程と、 レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、 被エッチング面上に、少なくとも第１コア層の後方に拡
   がって、第１コア層の下面よりも高い位置に上面を有す
   る非磁性高硬度層を形成すると共に、第１コア層の後方
   に形成された非磁性高硬度層の表面領域に、コイル層を
   介して上部絶縁層を形成する上部絶縁層形成工程と、 第１コア層の表面及び上部絶縁層の表面に、媒体対向面
   から第１コア層の上面を経て上部絶縁層の上面に拡がる
   第２コア層を形成して、第１コア層と第２コア層とを具
   えた上部コア層を形成する第２コア層形成工程とから構
   成され、前記露光工程におけるマスク膜は、少なくとも
   媒体対向面から所定のギャップ深さだけ後退した位置ま
   で拡がり、媒体対向面の近傍にて記録媒体上のトラック
   幅と同一幅を有する一方、後方端部にてトラック幅方向
   の幅が後方側に徐々に拡大して、後方端にてトラック幅
   よりも大きな幅を有する平面形状を有していることを特
   徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. 【請求項２】 基板(１)上に磁気抵抗効果型ヘッド素子
   を形成する工程と、該ヘッド素子上に誘導型ヘッド素子
   を形成する工程とからなり、誘導型ヘッド素子形成工程
   は、 磁気抵抗効果型ヘッド素子上に下部磁性層(500)を形成
   する下部磁性層形成工程と、 下部磁性層(500)の表面にギャップスペーサ層(６)を形
   成するギャップスペーサ層形成工程と、 ギャップスペーサ層(６)の表面に上部磁性層(910)を形
   成する上部磁性層形成工程と、 上部磁性層(910)の表面をレジスト(80)によって覆うレ
   ジスト塗布工程と、 レジスト(80)の表面に、所定の平面形状を有するマスク
   膜(83a)を介して露光を施す露光工程と、 露光の施されたレジスト(80)の表面に現像処理を施し
   て、該レジスト(80)を、媒体対向面の近傍にて記録媒体
   上のトラック幅と同一幅を有すると共に、媒体対向面か
   ら所定のギャップ深さだけ後退した位置に後方端面(80
   2)を有して、トラック幅方向の両側面(801)(801)と後方
   端面(802)とが互いに略垂直に交わるレジスト層(8a)に
   成形するレジスト層形成工程と、 レジスト層(8a)をマスクとして、上部磁性層(910)、ギ
   ャップスペーサ層(６)、及び下部磁性層(500)の上層部
   にエッチングを施して、上部磁性層(910)を、媒体対向
   面の近傍にて記録媒体上のトラック幅と同一幅を有する
   と共に、媒体対向面から所定のギャップ深さだけ後退し
   た位置に後方端面を有して、トラック幅方向の両側面と
   後方端面とが互いに略垂直に交わる第１コア層に成形す
   ると共に、下部磁性層(500)を、媒体対向面の近傍にて
   記録媒体上のトラック幅と同一幅を有するコア部(52)に
   成形して、該コア部(52)を具えた下部コア層(５)を形成
   するコア層形成工程と、 レジスト層(8a)を除去するレジスト層除去工程と、 下部コア層(５)の表面に、少なくとも第１コア層の後方
   に拡がって、第１コア層の下面よりも高い位置に上面を
   有する非磁性高硬度層を形成すると共に、第１コア層の
   後方に形成された非磁性高硬度層の表面領域に、コイル
   層(７)を介して上部絶縁層(12)を形成する上部絶縁層形
   成工程と、 第１コア層の表面及び上部絶縁層(12)の表面に、媒体対
   向面から第１コア層の上面を経て上部絶縁層(12)の上面
   に拡がる第２コア層を形成して、第１コア層と第２コア
   層とを具えた上部コア層を形成する第２コア層形成工程
   とから構成され、前記露光工程におけるマスク膜(83a)
   は、少なくとも媒体対向面から所定のギャップ深さだけ
   後退した位置まで拡がり、媒体対向面の近傍にて記録媒
   体上のトラック幅と同一幅を有する一方、後方端部にて
   トラック幅方向の幅が後方側に徐々に拡大して後方端に
   てトラック幅よりも大きな幅を有する平面形状を有して
   いることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
3. 【請求項３】 前記上部絶縁層形成工程は、 第１コア層(91a)、ギャップスペーサ層(６)及び下部コ
   ア層(５)の表面を覆って、非磁性高硬度層(11)を形成す
   る第１工程と、 非磁性高硬度層(11)の表面及び第１コア層(91a)の表面
   に平面加工を施す第２工程と、 前記平面加工によって第１コア層(91a)の後方に形成さ
   れた非磁性高硬度層(11)の表面領域に、コイル層(７)を
   介して上部絶縁層(12)を形成する第３工程とから構成さ
   れる請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
4. 【請求項４】 前記上部絶縁層形成工程は、 第１コア層(94a)、ギャップスペーサ層(６)及び下部コ
   ア層(５)の表面を覆って、非磁性高硬度層(14)を形成す
   る第１工程と、 非磁性高硬度層(14)の表面に第１コア層(94a)の上面に
   達しない深さまで平面加工を施す第２工程と、 平面加工の施された非磁性高硬度層(14)の表面に、第１
   コア層(91a)の後方位置にコイル層(７)を介して上部絶
   縁層(12)を形成する第３工程と、 上部絶縁層(12)をマスクとして非磁性高硬度層(14)にエ
   ッチングを施して、第１コア層(91a)の表面を非磁性高
   硬度層(14)の表面から露出させる第４工程とから構成さ
   れる請求項２に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。