JPH11282012A - アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス基板および液晶表示装置Info
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| JP8466098A JPH11282012A (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
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Family
ID=13836891
Family Applications (1)
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Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001296552A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、液晶表示装置、半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
| KR20030046102A (ko) * | 2001-12-05 | 2003-06-12 | 삼성전자주식회사 | 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의제조 방법 |
| JP2003172944A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
| KR100443831B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-08-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조 방법 |
| JP2005301308A (ja) * | 2001-09-28 | 2005-10-27 | Hitachi Ltd | 表示装置および液晶表示装置 |
| KR100603336B1 (ko) | 2004-04-07 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR100625996B1 (ko) | 2004-04-02 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 |
| CN100371819C (zh) * | 2003-10-14 | 2008-02-27 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 液晶显示面板及其制造方法 |
| JP2008181138A (ja) * | 2000-02-22 | 2008-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| WO2009022522A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 配線基板、及び、液晶表示装置 |
| WO2009022517A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 配線基板、及び、液晶表示装置 |
| JP2011138136A (ja) * | 1999-10-26 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電子機器 |
| US8310645B2 (en) | 2008-06-25 | 2012-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring board and liquid crystal display device |
| US9704996B2 (en) | 2000-04-12 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| CN107422551A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-12-01 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示装置 |
| JP2019012833A (ja) * | 2012-03-14 | 2019-01-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| WO2019167239A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| CN112216722A (zh) * | 2019-07-09 | 2021-01-12 | 三星显示有限公司 | 触摸单元及包括触摸单元的显示设备 |
| US11955473B2 (en) | 2004-07-05 | 2024-04-09 | 138 East Lcd Advancements Limited | Semiconductor device, display device, and electronic apparatus |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP8466098A patent/JPH11282012A/ja active Pending
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011138136A (ja) * | 1999-10-26 | 2011-07-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電子機器 |
| US9391132B2 (en) | 1999-10-26 | 2016-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US8933624B2 (en) | 1999-10-26 | 2015-01-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| US9318610B2 (en) | 2000-02-22 | 2016-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2011141552A (ja) * | 2000-02-22 | 2011-07-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2019197232A (ja) * | 2000-02-22 | 2019-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US9869907B2 (en) | 2000-02-22 | 2018-01-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| JP2008181138A (ja) * | 2000-02-22 | 2008-08-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| JP2013101352A (ja) * | 2000-02-22 | 2013-05-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
| JP2012185504A (ja) * | 2000-02-22 | 2012-09-27 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| US9704996B2 (en) | 2000-04-12 | 2017-07-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2001296552A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置、液晶表示装置、半導体装置の製造方法および液晶表示装置の製造方法 |
| US7471349B2 (en) | 2001-09-28 | 2008-12-30 | Hitachi, Ltd. | Display device |
| JP2003172944A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-06-20 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
| US7821584B2 (en) | 2001-09-28 | 2010-10-26 | Hitachi, Ltd. | Display device |
| CN100370319C (zh) * | 2001-09-28 | 2008-02-20 | 株式会社日立制作所 | 显示装置 |
| JP2005301308A (ja) * | 2001-09-28 | 2005-10-27 | Hitachi Ltd | 表示装置および液晶表示装置 |
| KR20030046102A (ko) * | 2001-12-05 | 2003-06-12 | 삼성전자주식회사 | 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의제조 방법 |
| KR100443831B1 (ko) * | 2001-12-20 | 2004-08-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 제조 방법 |
| CN100371819C (zh) * | 2003-10-14 | 2008-02-27 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 液晶显示面板及其制造方法 |
| KR100625996B1 (ko) | 2004-04-02 | 2006-09-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 |
| KR100603336B1 (ko) | 2004-04-07 | 2006-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| US11955473B2 (en) | 2004-07-05 | 2024-04-09 | 138 East Lcd Advancements Limited | Semiconductor device, display device, and electronic apparatus |
| US8319932B2 (en) | 2007-08-10 | 2012-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring board and liquid crystal display device |
| WO2009022522A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 配線基板、及び、液晶表示装置 |
| WO2009022517A1 (ja) * | 2007-08-10 | 2009-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 配線基板、及び、液晶表示装置 |
| US8310645B2 (en) | 2008-06-25 | 2012-11-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wiring board and liquid crystal display device |
| JP2019012833A (ja) * | 2012-03-14 | 2019-01-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN107422551A (zh) * | 2017-07-25 | 2017-12-01 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示装置 |
| WO2019167239A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| CN112216722A (zh) * | 2019-07-09 | 2021-01-12 | 三星显示有限公司 | 触摸单元及包括触摸单元的显示设备 |
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