JPH11274195A - Method and apparatus for manufacturing resin encapsulated semiconductor device - Google Patents

Method and apparatus for manufacturing resin encapsulated semiconductor device

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JPH11274195A
JPH11274195A JP7741698A JP7741698A JPH11274195A JP H11274195 A JPH11274195 A JP H11274195A JP 7741698 A JP7741698 A JP 7741698A JP 7741698 A JP7741698 A JP 7741698A JP H11274195 A JPH11274195 A JP H11274195A
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敏行 福田
Fumito Ito
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修 安達
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恭裕 山田
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress a sealing tape from crumpling when a resin encapsulation while the sealing tape is mounted in a resin encapsulated semiconductor device manufacturing process. SOLUTION: A sealing die is composed of an upper and lower dies 112a, 112b, and the lower die 112b has four evacuating holes 113 and evacuating grooves 114 communicating with the evacuating holes 113, a sealing tape 106 is mounted on the lower die 112b, and a lead frame mounting a semiconductor chip 102 is mounted thereon. The sealing tape 106 is sucked through the four evacuating holes 113 of the lower die 112 in four directions in the die and stretched uniformly during resin encapsulation. By the resin encapsulation while tension is given to the sealing tape 106, the crumpling of the sealing tape due to the thermal shrinkage in the resin encapsulation can be avoided to make flat the back side of the resin, and also the tension may be given to the sealing tape, utilizing clamps or coupling between protrusions and recesses.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び
リードフレームを封止樹脂で封止した樹脂封止型半導体
装置の製造方法及びその製造装置に関するものであり、
特にその一部を封止樹脂から露出させるようにしたもの
の改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor chip and a lead frame are sealed with a sealing resin, and an apparatus for manufacturing the same.
In particular, the present invention relates to an improvement in a part of which is exposed from a sealing resin.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。
2. Description of the Related Art In recent years, in order to cope with miniaturization of electronic equipment, it has been required to mount semiconductor components mounted on electronic equipment at a high density, and accordingly, semiconductor parts have been reduced in size and thickness. In.

【0003】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。
A conventional resin-sealed semiconductor device will be described below.

【0004】図34(a)は、従来の樹脂封止型半導体
装置の平面図であり、図34(b)は、従来の樹脂封止
型半導体装置の断面図である。
FIG. 34A is a plan view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device, and FIG. 34B is a cross-sectional view of the conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【0005】図34(a),(b)に示すように、従来
の樹脂封止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有する
タイプの樹脂封止型半導体装置である。
As shown in FIGS. 34 (a) and 34 (b), a conventional resin-encapsulated semiconductor device is of a type having external electrodes on the back side.

【0006】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナー
リード201と、ダイパッド202と、そのダイパッド
202を支持する吊りリード203とよりなるリードフ
レームとを備えている。そして、ダイパッド202上に
半導体チップ204が接着剤により接合されており、半
導体チップ204の電極パッド(図示せず)とインナー
リード201とは、金属細線205により電気的に接続
されている。そして、ダイパッド202,半導体チップ
204,インナーリード201,吊りリード203及び
金属細線205は封止樹脂6により封止されている。こ
の構造では、インナーリード201の裏面側には封止樹
脂206は存在せず、インナーリード201の裏面側は
露出されており、この露出面を含むインナーリード20
1の下部が外部電極207となっている。
A conventional resin-encapsulated semiconductor device includes a lead frame including an inner lead 201, a die pad 202, and a suspension lead 203 for supporting the die pad 202. The semiconductor chip 204 is bonded on the die pad 202 with an adhesive, and the electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 204 and the inner lead 201 are electrically connected by the thin metal wire 205. The die pad 202, the semiconductor chip 204, the inner lead 201, the suspension lead 203, and the thin metal wire 205 are sealed with the sealing resin 6. In this structure, the sealing resin 206 does not exist on the back side of the inner lead 201, and the back side of the inner lead 201 is exposed.
The lower part of 1 is an external electrode 207.

【0007】なお、図34(a)は、封止樹脂206を
透明体として扱い、半導体装置の内部を透過して示して
いるが、図中、半導体チップ204は破線で示し、金属
細線205は図示を省略している。
In FIG. 34A, the sealing resin 206 is treated as a transparent body, and the inside of the semiconductor device is shown transparently. In the figure, the semiconductor chip 204 is shown by a broken line, and the thin metal wire 205 is shown. Illustration is omitted.

【0008】また、従来においては、プリント基板等の
実装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する場合に、外
部電極と実装基板の電極との接合において必要な封止樹
脂206の裏面からのスタンドオフ高さを確保するため
に、図35に示すように、外部電極207に対して、半
田からなるボール電極209を設け、ボール電極209
によりスタンドオフ高さを確保して、実装基板上に実装
していた。
Conventionally, when a resin-encapsulated semiconductor device is mounted on a mounting board such as a printed board, a stand from the back surface of a sealing resin 206 required for bonding an external electrode to an electrode of the mounting board. In order to secure the off-height, as shown in FIG. 35, a ball electrode 209 made of solder is provided for the external electrode 207, and the ball electrode 209 is formed.
In this case, the stand-off height is secured, and the semiconductor device is mounted on the mounting board.

【0009】次に、従来の樹脂封止型半導体装置の製造
方法について、図面を参照しながら説明する。図36〜
図39は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示
す断面図である。
Next, a method for manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described with reference to the drawings. FIG.
FIG. 39 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【0010】まず、図36に示すように、インナーリー
ド201、ダイパッド202を有するリードフレーム2
10を用意する。なお、図中、ダイパッド202は吊り
リードによって支持されているものであるが、吊りリー
ドの図示は省略している。また、吊りリードにはディプ
レス部が形成され、ダイパッド202はアップセットさ
れている。なお、このリードフレーム210には、樹脂
封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーが設けられ
ていない。
First, as shown in FIG. 36, a lead frame 2 having an inner lead 201 and a die pad 202 is provided.
Prepare 10 Although the die pad 202 is supported by suspension leads in the drawing, illustration of the suspension leads is omitted. A depressed portion is formed on the suspension lead, and the die pad 202 is set up. The lead frame 210 is not provided with a tie bar for stopping the flow of the sealing resin during resin sealing.

【0011】次に、図37に示すように、用意したリー
ドフレームのダイパッド202の上に半導体チップ20
4を接着剤により接合する。この工程は、いわゆるダイ
ボンド工程である。
Next, as shown in FIG. 37, the semiconductor chip 20 is placed on the die pad 202 of the prepared lead frame.
4 is bonded with an adhesive. This step is a so-called die bonding step.

【0012】そして、図38に示すように、ダイパッド
202上に接合された半導体チップ204とインナーリ
ード201とを金属細線205により電気的に接続す
る。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。
金属細線205には、アルミニウム細線、金(Au)線
などが適宜用いられる。
Then, as shown in FIG. 38, the semiconductor chip 204 bonded on the die pad 202 and the inner lead 201 are electrically connected by the thin metal wire 205. This step is a so-called wire bonding step.
As the thin metal wire 205, an aluminum thin wire, a gold (Au) wire, or the like is appropriately used.

【0013】次に、図39に示すように、ダイパッド2
02,半導体チップ204,インナーリード201,吊
りリード及び金属細線205を封止樹脂206により封
止する。この場合、半導体チップ204が接合されたリ
ードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファ
ーモールドされるが、特にインナーリード201の裏面
が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂
封止が行なわれる。
Next, as shown in FIG.
02, the semiconductor chip 204, the inner leads 201, the suspension leads, and the fine metal wires 205 are sealed with a sealing resin 206. In this case, the lead frame to which the semiconductor chip 204 is bonded is housed in the sealing mold and is transfer-molded. In particular, the back surface of the inner lead 201 contacts the upper mold or the lower mold of the sealing mold. In this state, resin sealing is performed.

【0014】最後に、樹脂封止後に封止樹脂206から
外方に突出しているインナーリード201の先端部21
1を切断する。この切断工程により、切断後のインナー
リード201の先端面と封止樹脂6の側面とがほぼ同じ
面上にあるようになり、インナーリード201の下部が
外部電極207となる。
Finally, the tip 21 of the inner lead 201 projecting outward from the sealing resin 206 after the resin sealing.
Cut 1 By this cutting step, the tip surface of the inner lead 201 after cutting and the side surface of the sealing resin 6 are substantially on the same plane, and the lower part of the inner lead 201 becomes the external electrode 207.

【0015】そして、従来の樹脂封止型半導体装置の製
造工程では、樹脂封止工程で、封止樹脂206がインナ
ーリード201の裏面側に回り込んで、樹脂バリ(樹脂
のはみ出し分)を形成する場合があることから、通常
は、樹脂封止工程の後、インナーリード201の切断工
程の前に、樹脂バリを吹き飛ばすためのウォータージェ
ット工程を導入している。
In the conventional manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device, the sealing resin 206 goes around the back surface of the inner lead 201 in the resin encapsulation process to form a resin burr (protruding portion of the resin). For this reason, a water jet process for blowing off resin burrs is usually introduced after the resin sealing process and before the cutting process of the inner lead 201.

【0016】なお、必要に応じて、図35に示すよう
に、外部電極207の下面上に半田からなるボール電極
を形成し、樹脂封止型半導体装置とする。また、半田ボ
ールのかわりに半田メッキ層を形成する場合もあった。
If necessary, as shown in FIG. 35, a ball electrode made of solder is formed on the lower surface of the external electrode 207 to obtain a resin-sealed semiconductor device. In some cases, a solder plating layer is formed instead of a solder ball.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
樹脂封止型半導体装置では、半導体装置の裏面におい
て、外部電極207の下面と封止樹脂206との面がほ
ぼ同じ面上にあるので、封止樹脂206からのスタンド
オフ高さが得られない。そのために、半田等からなるボ
ール電極209を設けて、実装基板上に実装しなければ
ならず、効率的な実装を行なうことができないという課
題があった。
However, in the conventional resin-encapsulated semiconductor device, since the lower surface of the external electrode 207 and the surface of the encapsulating resin 206 are on substantially the same surface on the back surface of the semiconductor device, The stand-off height from the stop resin 206 cannot be obtained. For this purpose, a ball electrode 209 made of solder or the like must be provided and mounted on a mounting board, and there has been a problem that efficient mounting cannot be performed.

【0018】また、従来の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の樹脂封止工程においては、半導体チップが接合さ
れたリードフレームを封止金型内に収納し、下金型の面
にインナーリードを押圧して密着させて、樹脂封止して
いるが、それでも封止樹脂がインナーリードの裏面側に
回り込んで、外部電極の表面に樹脂バリ(樹脂のはみ出
し分)が発生するという課題があった。
In the resin sealing step of the conventional method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, a lead frame to which a semiconductor chip is bonded is housed in a sealing die, and an inner lead is provided on the surface of the lower die. Is pressed and brought into close contact with each other to seal the resin. However, there is still a problem that the sealing resin wraps around the back surface of the inner lead, and resin burrs (protrusions of the resin) are generated on the surface of the external electrode. there were.

【0019】そこで、従来は、外部電極207上の樹脂
バリ206aを吹き飛ばすためにウォータージェット工
程を導入していたが、このようなウォータージェット工
程には多大の手間を要し、樹脂封止型半導体装置の量産
工程における工程削減等の工程の簡略化の要請に反す
る。つまり、樹脂バリの発生は、そのような工程の簡略
化のための大きな阻害要因となっていた。また、ウォー
タージェット工程によって、樹脂バリだけでなく柔らか
い金属メッキも剥がれるという品質上の大きな問題が発
生するおそれもあった。
Therefore, conventionally, a water jet process has been introduced to blow off the resin burrs 206a on the external electrodes 207. However, such a water jet process requires a great deal of labor, and a resin-encapsulated semiconductor. Contrary to the demand for simplification of steps such as reduction of steps in the mass production process of the apparatus. In other words, the occurrence of resin burrs has been a major obstacle to simplifying such a process. In addition, the water jet process may cause a serious quality problem that not only resin burrs but also soft metal plating is peeled off.

【0020】本発明の目的は、樹脂封止工程において、
リードフレームの裏面への樹脂バリの発生を抑制し、あ
るいは外部電極の封止樹脂からのスタンドオフ高さを確
保しうる手段を講ずるとともに、そのような構造を有し
ながら外観や特性の良好な樹脂封止型半導体装置を得る
ための樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装
置を提供することである。
An object of the present invention is to provide a resin sealing step
Suppressing the occurrence of resin burrs on the back surface of the lead frame, or taking measures to secure the stand-off height from the sealing resin of the external electrode, and having good appearance and characteristics while having such a structure An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device for obtaining a resin-sealed semiconductor device and an apparatus for manufacturing the same.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明の基本的な樹脂封
止型半導体装置の製造方法は、請求項1に記載されてい
るように、封止金型と半導体チップと周辺部材とを用意
する第1の工程と、封止テープを上記周辺部材の表面の
一部に密着させながら上記封止金型に装着する第2の工
程と、上記封止テープに張力を加えながら封止テープを
装着した状態で上記半導体チップ及び上記周辺部材の少
なくとも上記表面の一部を除く部分を封止樹脂内に封止
する第3の工程とを備えている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising the steps of preparing a sealing die, a semiconductor chip, and peripheral members. A first step of attaching the sealing tape to the sealing die while adhering the sealing tape to a part of the surface of the peripheral member, and removing the sealing tape while applying tension to the sealing tape. And a third step of sealing at least a part of the semiconductor chip and the peripheral member except for a part of the surface in a sealing resin in a mounted state.

【0022】この方法により、周辺部材のうち封止樹脂
から確実に露出させたい部分がある場合に、第2の工程
で周辺部材のその部分に封止テープを密着させておくこ
とで、その部分が確実に封止樹脂から露出した構造が実
現する。そして、周辺部材のその部分に樹脂バリが形成
されることもないので、従来必要となっていたウォータ
ージェット等の工程を不要とすることができるので、製
造工程の簡略化を図ることができる。
According to this method, when there is a portion of the peripheral member that is to be surely exposed from the sealing resin, the sealing tape is brought into close contact with the portion of the peripheral member in the second step, so that the portion is removed. However, a structure that is reliably exposed from the sealing resin is realized. Further, since no resin burr is formed on that portion of the peripheral member, the step of water jet or the like which has been required conventionally can be omitted, so that the manufacturing process can be simplified.

【0023】しかも、樹脂封止の際に封止テープにシワ
やたるみが発生するのを防止することができ、ひいては
形成された樹脂封止型半導体装置の封止樹脂の裏面にお
ける凹凸模様の発生を阻止することができる。すなわ
ち、上記第2の目的を達成することができる。
In addition, it is possible to prevent wrinkles and sagging of the sealing tape during resin sealing, and consequently to generate uneven patterns on the back surface of the sealing resin of the formed resin-sealed semiconductor device. Can be prevented. That is, the second object can be achieved.

【0024】請求項2に記載されているように、上記樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第1の工
程では、第1の金型及び第2の金型からなり第1又は第
2の金型の少なくともいずれか一方にダイキャビティを
有し、かつ、上記第1及び第2の金型の少なくともいず
れか一方に上記ダイキャビティを挟む真空引き用凹部を
有する封止金型を準備しておき、上記第3の工程では、
上記真空引き用凹部に封止テープを吸着させることによ
り、封止テープに張力を与えることができる。
According to a second aspect of the present invention, in the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the first step comprises a first mold and a second mold, and A sealing mold having a die cavity in at least one of the molds 2 and a vacuuming concave portion sandwiching the die cavity in at least one of the first and second molds is prepared. In the third step,
Tension can be given to the sealing tape by adsorbing the sealing tape to the concave portion for evacuation.

【0025】この方法により、封止テープが真空引き用
凹部に引っ張られることで、封止テープに張力が与えら
れる。
According to this method, tension is given to the sealing tape by pulling the sealing tape into the concave portion for evacuation.

【0026】請求項3に記載されているように、上記真
空引きによって封止テープに張力を与えるようにした樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、上記真空引き
用凹部を、上記ダイキャビティに近い内方の位置から外
方の位置に亘って複数個設け、最外方の真空引き用凹部
から順に真空引きを行なうことができる。
According to a third aspect of the present invention, in the method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which the sealing tape is tensioned by the vacuuming, the vacuuming recess is formed in the die cavity. A plurality of vacuum pumps can be provided from the near inner position to the outer position, and the evacuation can be performed sequentially from the outermost evacuation recess.

【0027】この方法により、まず、封止テープが最外
方の真空引き用凹部に引っ張られて引き延ばされた後、
封止テープがさらに内方の真空引き用凹部に引っ張られ
るので、より大きくかつ均一な張力を封止テープに与え
ることができる。
According to this method, first, after the sealing tape is pulled and stretched by the outermost concave portion for evacuation,
Since the sealing tape is further pulled by the inner evacuation recess, a larger and more uniform tension can be applied to the sealing tape.

【0028】請求項4に記載されているように、上記封
止テープに張力を与えるようにした樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、上記第1の工程では、上記ダイ
キャビティの部分を挟む少なくとも2カ所の領域に上記
封止テープを挟持するためのクランパを設けておき、上
記第3の工程では、上記クランパによって封止テープを
固定しておくことにより、封止テープに張力を与えるこ
とができる。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which a tension is applied to the sealing tape, in the first step, the die cavity is sandwiched. At least two regions are provided with a clamper for holding the sealing tape, and in the third step, tension is applied to the sealing tape by fixing the sealing tape with the clamper. Can be.

【0029】この方法により、クランパに挟持されてい
ることによって封止テープに張力が与えられる。
According to this method, tension is applied to the sealing tape by being clamped by the clamper.

【0030】請求項5に記載されているように、上記ク
ランパによって封止テープに張力を与えるようにした樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、上記クランパ
を、上記封止テープが引き延ばされる方向に付勢する付
勢手段をさらに設けておくことができる。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device in which the sealing tape is tensioned by the clamper, the clamper is extended by the sealing tape. An urging means for urging in the direction may be further provided.

【0031】この方法により、付勢手段の付勢力によっ
て、より大きな張力を封止テープに与えることができ
る。
According to this method, a larger tension can be applied to the sealing tape by the urging force of the urging means.

【0032】請求項6に記載されているように、上記ク
ランパによって封止テープに張力を与えるようにした樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、上記第2の工
程の前には、上記クランパにより、上記封止金型とは離
れた場所で上記封止テープを保持しておき、上記第2の
工程では、上記クランパとともに上記封止テープを上記
封止金型の位置まで移動させることができる。
According to a sixth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which a sealing tape is tensioned by the clamper, the clamper may be provided before the second step. Thereby, the sealing tape is held in a place away from the sealing mold, and in the second step, the sealing tape is moved together with the clamper to the position of the sealing mold. it can.

【0033】この方法により、樹脂封止の前の長時間の
間、封止テープが封止金型の熱と張力とによって過剰に
引き延ばされるのを防止することができる。
According to this method, it is possible to prevent the sealing tape from being excessively stretched by the heat and tension of the sealing mold for a long time before resin sealing.

【0034】請求項7に記載されているように、上記封
止テープに張力を与えるようにした樹脂封止型半導体装
置の製造方法において、上記第1の工程では、第1の金
型及び第2の金型からなり第1又は第2の金型の少なく
ともいずれか一方にダイキャビティを有し、かつ、互い
に係合する少なくとも1対の凸部及び凹部を上記第1,
第2の金型の上記ダイキャビティを挟む少なくとも2カ
所の領域において有する封止金型を準備しておき、上記
第3の工程では、上記第1及び第2の金型が接近したと
きに、上記凸部と凹部とが係合することにより封止テー
プに張力を付与することができる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which tension is applied to the encapsulation tape, the first step includes the steps of: The first and second molds each have a die cavity in at least one of the first and second molds, and at least one pair of projections and recesses that engage with each other are formed in the first and second molds.
A sealing mold having at least two regions sandwiching the die cavity of the second mold is prepared, and in the third step, when the first and second molds approach, The engagement between the projections and the recesses can apply tension to the sealing tape.

【0035】この方法により、上金型と下金型とが接近
して凸部−凹部が係合すると、封止テープがその係合部
分に引き込まれることによって封止テープに張力が与え
られる。
According to this method, when the upper mold and the lower mold approach each other and the convex-concave portions are engaged, the sealing tape is pulled into the engaging portion, thereby applying tension to the sealing tape.

【0036】請求項8に記載されているように、上記凸
部−凹部の係合によって封止テープに張力を与えるよう
にした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、上記
第1の工程では、上記凸部及び凹部は互いに係合長さが
異なり、かつその係合長さは外方の凸部及び凹部ほど大
きい複数対だけ設けておき、上記第3の工程では、最外
方の凸部及び凹部の係合により引き延ばされた封止テー
プが、その内方の凸部及び凹部の係合によりさらに引き
延ばされるように封止テープに張力を付与することがで
きる。
According to a eighth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which the sealing tape is tensioned by the engagement of the projections and the recesses, The convex portion and the concave portion have engagement lengths different from each other, and the engaging length is provided only in a plurality of pairs which are larger as the outer convex portion and the concave portion. In the third step, the outermost convex portion is provided. A tension can be applied to the sealing tape so that the sealing tape stretched by the engagement of the portion and the recess is further stretched by the engagement of the projection and the recess on the inside.

【0037】この方法により、上金型と下金型とが接近
すると、最外方の凸部及び凹部の係合により引き延ばさ
れた封止テープが、その内方の凸部及び凹部の係合によ
りさらに引き延ばされることで、大きくかつ均一な張力
を封止テープに与えることができる。
According to this method, when the upper mold and the lower mold approach each other, the sealing tape stretched by the engagement of the outermost projections and recesses is used to form the inner projections and recesses. By being further extended by the engagement, a large and uniform tension can be applied to the sealing tape.

【0038】請求項9に記載されているように、上記樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、上記封止テー
プを複数枚使用することができる。
According to a ninth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device, a plurality of the sealing tapes can be used.

【0039】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置
は、請求項10に記載されているように、樹脂封止型半
導体装置の製造工程における樹脂封止工程で使用される
第1の金型及び第2の金型からなり第1又は第2の金型
の少なくともいずれか一方にダイキャビティを有する封
止金型と、上記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を封
止樹脂から露出させるための封止テープに張力を与える
ための張力付与手段とを備えている。
According to a tenth aspect of the present invention, there is provided an apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: A sealing mold comprising a mold and a second mold and having a die cavity in at least one of the first and second molds, and a part of the surface of the resin-sealed semiconductor device is formed from a sealing resin. Tension applying means for applying tension to the sealing tape to be exposed.

【0040】これにより、樹脂封止型半導体装置の樹脂
封止工程において封止テープに張力を与えることができ
るので、封止テープにシワやたるみのない状態で樹脂封
止を行なうことができる。したがって、この製造装置を
封止樹脂の裏面に凹凸模様のない樹脂封止型半導体装置
の製造に供することができる。
Thus, tension can be applied to the sealing tape in the resin sealing step of the resin-sealed semiconductor device, so that the sealing tape can be sealed without wrinkles or slack. Therefore, this manufacturing apparatus can be used for manufacturing a resin-sealed semiconductor device having no uneven pattern on the back surface of the sealing resin.

【0041】請求項11に記載されているように、上記
樹脂封止型半導体装置の製造装置において、上記張力付
与手段を、上記第1及び第2の金型の少なくともいずれ
か一方において上記ダイキャビティを挟む領域に設けら
れ、真空引き装置に連通されて上記封止テープを吸引す
るための真空引き用凹部とすることができる。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the tension applying means may be provided in at least one of the first and second molds. Can be provided as a concave portion for evacuation for sucking the sealing tape by being connected to an evacuation device.

【0042】これにより、上述のように真空引き用凹部
に封止テープを吸引することで、封止テープに張力を与
えることができる。
As a result, tension can be applied to the sealing tape by sucking the sealing tape into the evacuation recess as described above.

【0043】請求項12に記載されているように、上記
封止金型に真空引き用凹部を有する樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、上記真空引き用凹部を、上記ダ
イキャビティを挟む溝と、該各溝内に形成された真空穴
とにより構成することができる。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device having the concave portion for vacuum evacuation in the sealing die, the concave portion for vacuum evacuation is formed by a groove sandwiching the die cavity. And a vacuum hole formed in each groove.

【0044】請求項13に記載されているように、上記
封止金型に真空引き用凹部を有する樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、上記真空引き用凹部を、上記ダ
イキャビティを取り囲む環状の溝と、該溝内に形成され
た真空穴とすることができる。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device having the evacuation concave portion in the encapsulating mold, the evacuation concave portion is formed in an annular shape surrounding the die cavity. And a vacuum hole formed in the groove.

【0045】請求項14に記載されているように、上記
封止金型に真空引き用凹部を設ける場合は、真空引き用
凹部を複数個設けることが好ましい。
[0045] As described in claim 14, when providing the concave portion for evacuation in the sealing mold, it is preferable to provide a plurality of concave portions for evacuation.

【0046】これにより、より効果的に封止テープに張
力を与えることができる。
Thus, tension can be more effectively applied to the sealing tape.

【0047】請求項15に記載されているように、上記
封止金型に真空引き用凹部を有する樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、上記真空引き用凹部を、上記ダ
イキャビティの周囲に設けられた複数の溝と上記複数の
溝のうち最外方の溝にのみ形成された真空引き装置に連
通する真空穴とにより構成することもできる。
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device having the evacuation recess in the sealing mold, the evacuation recess is formed around the die cavity. It is also possible to use a plurality of grooves provided and a vacuum hole formed only in the outermost groove among the plurality of grooves and communicating with the evacuation device.

【0048】これにより、最外方の溝から順に封止テー
プに張力を与えることができるので、より大きくかつ均
一な張力を封止テープに与えることができる。
As a result, tension can be applied to the sealing tape in order from the outermost groove, so that a larger and more uniform tension can be applied to the sealing tape.

【0049】請求項16に記載されているように、上記
樹脂封止型半導体装置の製造装置において、上記張力付
与手段を、上記ダイキャビティを挟む少なくとも2カ所
の領域に設けられ、上記封止テープを挟持するためのク
ランパとすることができる。
According to another aspect of the present invention, in the apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the tension applying means is provided in at least two regions sandwiching the die cavity. Can be used as a clamper.

【0050】これにより、樹脂封止時にクランパで封止
テープを挟持しておくことで、封止テープに張力を与え
ることができる。
Thus, the sealing tape can be tensioned by clamping the sealing tape with the clamper during resin sealing.

【0051】請求項17に記載されているように、上記
クランパを備えた樹脂封止型半導体装置の製造装置にお
いて、上記クランパに、上記封止テープを少なくとも2
方向以上に延伸させるように移動する機能を持たせるこ
とが好ましい。
According to a seventeenth aspect of the present invention, in the apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device provided with the clamper, at least two sealing tapes are attached to the clamper.
It is preferable to have a function of moving so as to extend in the direction or more.

【0052】これにより、封止テープにより大きな張力
を与えることができる。
Thus, a larger tension can be applied to the sealing tape.

【0053】請求項18に記載されているように、上記
クランパを備えた樹脂封止型半導体装置の製造装置にお
いて、上記クランパを、上記封止テープが引き延ばされ
る方向に付勢する付勢手段をさらに備えることが好まし
い。
In a manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device having the above-described clamper, an urging means for urging the clamper in a direction in which the sealing tape is extended. It is preferable to further include

【0054】請求項19に記載されているように、上記
クランパを備えた樹脂封止型半導体装置の製造装置にお
いて、上記クランパに、上記封止テープを保持しつつ、
上記封止金型とは離れた場所から上記封止金型の位置ま
で移動できる機能を持たせることもできる。
According to a nineteenth aspect of the present invention, in the apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device provided with the clamper, the clamper holds the sealing tape while holding the sealing tape.
A function that can be moved from a location away from the sealing mold to the position of the sealing mold can also be provided.

【0055】これにより、封止テープを封止金型の熱に
長時間の間さらすことがないので、封止テープが過剰に
引き延ばされるのを回避することができる。
As a result, since the sealing tape is not exposed to the heat of the sealing mold for a long time, it is possible to prevent the sealing tape from being excessively stretched.

【0056】請求項20に記載されているように、上記
樹脂封止型半導体装置の製造装置において、上記張力付
与手段を、上記第1,第2の金型において上記ダイキャ
ビティを挟む少なくとも2カ所の領域に設けられた互い
に係合する少なくとも1対の凸部及び凹部とすることが
できる。
According to a twentieth aspect of the present invention, in the above-described apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the tension applying means may be provided in at least two places sandwiching the die cavity between the first and second molds. At least one pair of protrusions and recesses that are provided in the region and engage with each other.

【0057】これにより、樹脂封止時に上金型と下金型
とが接近すると、凸部と凹部の係合部に封止テープが引
っ張り込まれるので、封止テープに張力を与えることが
できる。
Thus, when the upper mold and the lower mold approach each other at the time of resin sealing, the sealing tape is pulled into the engaging portion between the convex portion and the concave portion, so that tension can be applied to the sealing tape. .

【0058】請求項21に記載されているように、上記
互いに係合する凸部及び凹部を備えた樹脂封止型半導体
装置の製造装置において、上記凸部及び凹部を互いに係
合長さが異なるような複数対だけ設け、その係合長さを
外方の凸部及び凹部ほど大きくしておくことができる。
According to a twenty-first aspect of the present invention, in the apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device provided with the protrusion and the recess engaged with each other, the engagement lengths of the protrusion and the recess are different from each other. Only a plurality of such pairs are provided, and the engagement length can be made larger for the outer convex portion and concave portion.

【0059】これにより、最外方の係合部から順次封止
テープに張力を与えることができるので、より大きくか
つ均一な張力を封止テープに与えることができる。
[0059] Thereby, tension can be applied to the sealing tape sequentially from the outermost engaging portion, so that a larger and more uniform tension can be applied to the sealing tape.

【0060】請求項22に記載されているように、上記
互いに係合する凸部及び凹部を備えた樹脂封止型半導体
装置の製造装置において、上記第1又は第2の金型のダ
イキャビティを複数個設け、上記凸部及び凹部を、全て
のダイキャビティを挟む外方領域と、上記複数のダイキ
ャビティ間の内方領域とに配置することができる。
According to a twenty-second aspect of the present invention, in the apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having the convex and concave portions which engage with each other, the die cavity of the first or second mold is formed. A plurality of protrusions and recesses may be provided in an outer region sandwiching all die cavities and an inner region between the plurality of die cavities.

【0061】これにより、量産工程で汎用される多数の
ダイキャビティを有する封止金型を使用する場合にも、
樹脂封止型半導体装置が形成される各ダイキャビティに
おける封止テープのシワやたるみを確実に防止すること
ができる。
Thus, even when a sealing mold having a large number of die cavities, which is widely used in a mass production process, is used,
It is possible to reliably prevent wrinkles and slack of the sealing tape in each die cavity where the resin-sealed semiconductor device is formed.

【0062】請求項23に記載されているように、上記
互いに係合する凸部及び凹部を備えた樹脂封止型半導体
装置の製造装置において、上記凸部又は凹部の壁面に、
滑り止めのための粗面処理を施しておくことが好まし
い。
According to a twenty-third aspect of the present invention, in the apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having the convex and concave portions which engage with each other,
It is preferable to perform a roughening treatment for preventing slippage.

【0063】これにより、凸部−凹部間の係合部に封止
テープを引っ張り込む作用を確実に奏することができ
る。
Thus, the action of pulling the sealing tape into the engaging portion between the convex portion and the concave portion can be reliably achieved.

【0064】請求項24に記載されているように、上記
互いに係合する凸部及び凹部を備えた樹脂封止型半導体
装置の製造装置において、上記凸部又は凹部の壁面を滑
りにくい材質で構成しておくことが好ましい。
According to a twenty-fourth aspect of the present invention, in the manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device having the convex and concave portions which engage with each other, the wall surface of the convex or concave portion is made of a material which does not slip easily. It is preferable to keep it.

【0065】これによっても、凸部−凹部間の係合部に
封止テープを引っ張り込む作用を確実に奏することがで
きる。
In this way, the effect of pulling the sealing tape into the engaging portion between the convex portion and the concave portion can be reliably achieved.

【0066】請求項25に記載されているように、上記
互いに係合する凸部及び凹部を備えた樹脂封止型半導体
装置の製造装置において、上記凹部に、真空引き装置に
連結された真空穴を形成しておくこともできる。
According to a twenty-fifth aspect of the present invention, in the apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having the projection and the recess engaged with each other, a vacuum hole connected to a vacuum evacuation device is formed in the recess. Can be formed in advance.

【0067】これにより、凸部−凹部間の係合による引
っ張り力に加えて真空引きによる引っ張り力によって封
止テープに張力を与えることができる。
Thus, tension can be applied to the sealing tape by the pulling force by vacuuming in addition to the pulling force by the engagement between the projection and the recess.

【0068】請求項26に記載されているように、上記
各樹脂封止型半導体装置の製造装置において、上記第1
又は第2の金型のうちいずれか一方における上記樹脂封
止型半導体装置の上記一部に対向する領域には、彫り込
み部を設けておくこともできる。
According to a twenty-sixth aspect of the present invention, in the above-described apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the first
Alternatively, a carved portion may be provided in a region of one of the second molds facing the part of the resin-sealed semiconductor device.

【0069】これにより、樹脂封止時に封止テープを彫
り込み部の方に逃すことができるので、押圧力による封
止テープの凹み量を調整できる。すなわち、上記一部の
封止樹脂からの突出量を彫り込み部の深さによって調整
することができる。
Thus, the sealing tape can be released toward the engraved portion during resin sealing, so that the amount of depression of the sealing tape by the pressing force can be adjusted. That is, the amount of protrusion from the sealing resin can be adjusted by the depth of the engraved portion.

【0070】[0070]

【発明の実施の形態】まず、各実施形態に共通に適用で
きる本発明の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a description will be given of a resin-sealed semiconductor device of the present invention, which can be applied to each embodiment, and a method of manufacturing the same.

【0071】図1(a)は、本発明に係る樹脂封止型半
導体装置の構造例を示す平面図であり、図1(b)は、
図1(a)に示すIb−Ib線における断面図である。ただ
し、図1(a)においては封止樹脂17を透明体として
扱い、半導体チップ15は破線で示す輪郭を有するもの
としており、金属細線16の図示は省略している。
FIG. 1A is a plan view showing an example of the structure of a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line Ib-Ib shown in FIG. However, in FIG. 1A, the sealing resin 17 is treated as a transparent body, the semiconductor chip 15 has a contour shown by a broken line, and illustration of the thin metal wire 16 is omitted.

【0072】図1(a)及び(b)に示すように、樹脂
封止型半導体装置は、インナーリード12と、半導体チ
ップを支持するためのダイパッド13と、そのダイパッ
ド13を支持するための吊りリード14とよりなるリー
ドフレームを備えている。そして、ダイパッド13上に
半導体チップ15が接着剤により接合されており、半導
体チップ15の電極パッド(図示せず)とインナーリー
ド12とは、金属細線16により互いに電気的に接続さ
れている。そして、インナーリード12,ダイパッド1
3,吊りリード14,半導体チップ15及び金属細線1
6は、封止樹脂17内に封止されている。また、ダイパ
ッド13は、インナーリード12に対して上方に位置す
るように、吊りリード14のディプレス部19によりア
ップセットされている。そのため、封止樹脂17により
封止された状態では、封止樹脂17がダイパッド13の
裏面側にも薄く存在している。インナーリード12の下
面側には封止樹脂17は存在せず、インナーリード12
の下面が露出されており、このインナーリード12の下
面が実装基板との接続面となる。すなわち、インナーリ
ード12の下部が外部電極18となっている。また、こ
の外部電極18には本来的に樹脂封止工程における樹脂
のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、かつこの外
部電極18は封止樹脂17の裏面よりも下方に少し突出
している。このような樹脂バリの存在しないかつ下方に
突出した外部電極18の構造は、後述する製造方法によ
って容易に実現できる。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the resin-encapsulated semiconductor device has an inner lead 12, a die pad 13 for supporting a semiconductor chip, and a suspension for supporting the die pad 13. A lead frame including the leads 14 is provided. The semiconductor chip 15 is bonded on the die pad 13 with an adhesive, and the electrode pads (not shown) of the semiconductor chip 15 and the inner leads 12 are electrically connected to each other by the thin metal wires 16. Then, the inner lead 12 and the die pad 1
3. Suspended lead 14, semiconductor chip 15, and thin metal wire 1
6 is sealed in a sealing resin 17. The die pad 13 is set up by the depress portion 19 of the suspension lead 14 so as to be located above the inner lead 12. Therefore, in a state where the sealing resin 17 is sealed, the sealing resin 17 also exists thinly on the back surface side of the die pad 13. The sealing resin 17 does not exist on the lower surface side of the inner lead 12.
Is exposed, and the lower surface of the inner lead 12 serves as a connection surface with the mounting substrate. That is, the lower part of the inner lead 12 is the external electrode 18. In addition, the external electrode 18 does not inherently have a resin burr which is a portion of the resin protruding in the resin sealing step, and the external electrode 18 slightly protrudes below the back surface of the sealing resin 17. Such a structure of the external electrode 18 having no resin burr and projecting downward can be easily realized by a manufacturing method described later.

【0073】このような樹脂封止型半導体装置では、イ
ンナーリード12の側方にはアウターリードが存在せ
ず、インナーリード12の下部が外部電極18となって
いるので、半導体装置の小型化を図ることができる。し
かも、インナーリード12の下面つまり外部電極18の
下面には樹脂バリが存在していないので、実装基板の電
極との接合の信頼性が向上する。また、外部電極18が
封止樹脂17の面より突出して形成されているため、実
装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極
と実装基板の電極との接合において、外部電極18のス
タンドオフ高さが予め確保されていることになる。した
がって、外部電極18をそのまま外部端子として用いる
ことができ、従来のように、実装基板への実装のために
外部電極18に半田ボールを付設する必要はなく、製造
工数、製造コスト的に有利となる。
In such a resin-encapsulated semiconductor device, since the outer leads do not exist on the sides of the inner leads 12 and the lower portions of the inner leads 12 serve as the external electrodes 18, the size of the semiconductor device can be reduced. Can be planned. In addition, since no resin burr exists on the lower surface of the inner lead 12, that is, on the lower surface of the external electrode 18, the reliability of bonding with the electrode of the mounting board is improved. Further, since the external electrode 18 is formed so as to protrude from the surface of the sealing resin 17, when the resin-sealed semiconductor device is mounted on the mounting substrate, the external electrode 18 is bonded to the electrode of the mounting substrate. Is secured in advance. Therefore, the external electrode 18 can be used as an external terminal as it is, and it is not necessary to attach a solder ball to the external electrode 18 for mounting on the mounting board as in the conventional case, which is advantageous in terms of man-hour and manufacturing cost. Become.

【0074】次に、樹脂封止型半導体装置の製造方法に
ついて、図面を参照しながら説明する。図2〜図7は、
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す
断面図である。
Next, a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device will be described with reference to the drawings. 2 to 7
It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing process of the resin sealing type semiconductor device of this invention.

【0075】まず、図2に示す工程で、インナーリード
12と、半導体チップを支持するためのダイパッド13
とが設けられているリードフレーム20を用意する。図
中、ダイパッド13は吊りリードによって支持されてい
るが、この断面には現れないために図示されていない。
また、吊りリードにはディプレス部が形成され、ダイパ
ッド13はインナーリード12の面よりも上方にアップ
セットされているものである。さらに、用意するリード
フレーム20は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止め
るタイバーを設けていないリードフレームである。
First, in a step shown in FIG. 2, an inner lead 12 and a die pad 13 for supporting a semiconductor chip are formed.
Is prepared. In the figure, the die pad 13 is supported by suspension leads, but is not shown because it does not appear in this cross section.
A depressed portion is formed in the suspension lead, and the die pad 13 is set up above the surface of the inner lead 12. Furthermore, the prepared lead frame 20 is a lead frame which does not have a tie bar for stopping outflow of the sealing resin during resin sealing.

【0076】次に、図3に示す工程で、用意したリード
フレームのダイパッド上に半導体チップ15を載置し
て、接着剤により両者を互いに接合する。この工程は、
いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体チップを
支持する部材としてはリードフレームに限定されるもの
ではなく、他の半導体チップを支持できる部材、例えば
TABテープ、基板を用いてもよい。
Next, in the step shown in FIG. 3, the semiconductor chip 15 is mounted on the die pad of the prepared lead frame, and the two are joined to each other with an adhesive. This step is
This is a so-called die bonding process. The member for supporting the semiconductor chip is not limited to the lead frame, and a member that can support another semiconductor chip, for example, a TAB tape or a substrate may be used.

【0077】そして、図4に示す工程で、ダイパッド1
3上に接合した半導体チップ15とインナーリード12
とを金属細線16により電気的に接合する。この工程
は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細線とし
ては、アルミニウム細線、金(Au)線などを適宜選択
して用いることができる。また、半導体チップ15とイ
ンナーリード12との電気的な接続は、金属細線16を
介してでなくバンプなどを介して行なってもよい。
Then, in the step shown in FIG.
3 and the semiconductor chip 15 and the inner lead 12
Are electrically connected by the thin metal wire 16. This step is a so-called wire bonding step. As the thin metal wire, an aluminum thin wire, a gold (Au) wire, or the like can be appropriately selected and used. Further, the electrical connection between the semiconductor chip 15 and the inner leads 12 may be performed not through the thin metal wires 16 but through bumps or the like.

【0078】次に、図5に示す工程で、リードフレーム
のダイパッド13上に半導体チップ15が接合された状
態で、インナーリード12の裏面側に封止テープ21を
貼り付ける。
Next, in a step shown in FIG. 5, a sealing tape 21 is attached to the back surface of the inner lead 12 with the semiconductor chip 15 bonded to the die pad 13 of the lead frame.

【0079】この封止テープ21は、特にインナーリー
ド12の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まない
ようにするマスク的な役割を果たさせるためのものであ
り、この封止テープ21の存在によって、インナーリー
ド12の裏面に樹脂バリが形成されるのを防止すること
ができる。このインナーリード12等に貼り付ける封止
テープ21は、ポリエチレンテレフタレート,ポリイミ
ド,ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベース
としたテープであり、樹脂封止後は容易に剥がすことが
でき、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるも
のであればよい。ここでは、ポリエチレンテレフタレー
トを主成分としたテープを用い、厚みは50[μm]と
した。
The sealing tape 21 serves as a mask for preventing the sealing resin from flowing around the resin on the rear surface side of the inner lead 12 in particular. Can prevent resin burrs from being formed on the back surface of the inner lead 12. The sealing tape 21 to be attached to the inner leads 12 and the like is a tape based on a resin containing polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate, or the like as a main component, and can be easily peeled off after resin sealing. Any material that can withstand the high-temperature environment at the time of stoppage may be used. Here, a tape containing polyethylene terephthalate as a main component was used, and the thickness was 50 [μm].

【0080】なお、ここでは、この封止テープ21は、
リードフレームのインナーリード12の面にのみ密着し
た状態でリードフレームの裏面側全体に亘って貼り付け
られており、吊りリードのディプレス部によりアップセ
ットされたダイパッド13の裏面には密着していない
が、ダイパッド13の裏面に密着させ、樹脂封止工程の
後に封止テープ21を剥がすことでダイパッド13の裏
面を露出させ、放熱特性の向上をねらってもよい。
Here, the sealing tape 21 is
It is adhered to the entire back surface of the lead frame in a state of being in close contact with only the surface of the inner lead 12 of the lead frame, and is not in close contact with the back surface of the die pad 13 upset by the depressed portion of the suspension lead. However, the rear surface of the die pad 13 may be exposed by bringing the sealing tape 21 into close contact with the rear surface of the die pad 13 and peeling off the sealing tape 21 after the resin sealing step, thereby improving the heat radiation characteristics.

【0081】次に、図6に示す工程で、半導体チップ1
5が接合され、封止テープ21が貼り付けられたリード
フレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂17を流
し込んで樹脂封止を行う。この際、インナーリード12
の裏面側に封止樹脂17が回り込まないように、金型で
リードフレームのインナーリード12の先端部分22を
下方に押圧して、樹脂封止する。また、インナーリード
12の裏面側の封止テープ21面を金型面側に押圧して
樹脂封止を行う。
Next, in the step shown in FIG.
5, the lead frame to which the sealing tape 21 is attached is housed in a mold, and the sealing resin 17 is poured into the mold to perform resin sealing. At this time, the inner lead 12
The distal end portion 22 of the inner lead 12 of the lead frame is pressed downward with a metal mold so as to prevent the sealing resin 17 from wrapping around the rear surface of the lead frame. In addition, the surface of the sealing tape 21 on the back surface side of the inner lead 12 is pressed toward the mold surface side to perform resin sealing.

【0082】最後に、図7に示す工程で、インナーリー
ド12の裏面に貼付した封止テープ21をピールオフに
より除去し、封止樹脂17の裏面より突出した外部電極
18を形成する。そして、インナーリード12の先端部
22を、インナーリード12の先端面と封止樹脂17の
側面とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、
図7に示すような樹脂封止型半導体装置が完成される。
Finally, in the step shown in FIG. 7, the sealing tape 21 adhered to the back surface of the inner lead 12 is removed by peeling off, and the external electrode 18 protruding from the back surface of the sealing resin 17 is formed. Then, by separating the distal end portion 22 of the inner lead 12 such that the distal end surface of the inner lead 12 and the side surface of the sealing resin 17 are substantially flush with each other,
A resin-sealed semiconductor device as shown in FIG. 7 is completed.

【0083】図8は、外部電極18の部分を拡大して示
す樹脂封止型半導体装置の部分裏面図である。同図に示
すように、ここでは、封止テープ21をリードフレーム
の裏面に貼付した樹脂封止工程を行なっているので、イ
ンナーリード12の裏面や側面、すなわち外部電極18
の表面上における樹脂バリの発生を防止することができ
る。また、従来の製造方法のごとく、封止樹脂17が外
部電極18の表面に回り込み、外部電極18の一部が封
止樹脂17内に埋没することを防止することができる。
FIG. 8 is a partial rear view of the resin-encapsulated semiconductor device showing the external electrode 18 in an enlarged manner. As shown in the figure, since the resin sealing step in which the sealing tape 21 is adhered to the back surface of the lead frame is performed here, the back surface and the side surface of the inner lead 12, that is, the external electrode 18
Of resin burrs on the surface of the substrate can be prevented. Further, it is possible to prevent the sealing resin 17 from going around the surface of the external electrode 18 and burying a part of the external electrode 18 in the sealing resin 17 as in the conventional manufacturing method.

【0084】以上のような製造方法では、樹脂封止工程
の前に予めインナーリード12の裏面に封止テープ21
を貼付しているので、封止樹脂17が回り込むことがな
く、外部電極となるインナーリード12の裏面には樹脂
バリの発生はない。したがって、インナーリードの下面
を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法の
ごとく、インナーリード上に形成された樹脂バリをウォ
ータージェットなどによって除去する必要はない。すな
わち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除
によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工
程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェ
ットなどによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれ
のあったリードフレームのニッケル(Ni),パラジウ
ム(Pd),金(Au)などの金属メッキ層の剥がれは
解消できる。そのため、樹脂封止工程前における各金属
層のプリメッキが可能となる。
In the manufacturing method described above, the sealing tape 21 is applied to the back surface of the inner lead 12 before the resin sealing step.
Is adhered, so that the sealing resin 17 does not wrap around, and no resin burrs are generated on the back surface of the inner lead 12 serving as an external electrode. Therefore, unlike the conventional method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device that exposes the lower surface of the inner lead, it is not necessary to remove the resin burr formed on the inner lead by a water jet or the like. That is, by eliminating the troublesome process for removing the resin burr, the process in the mass production process of the resin-encapsulated semiconductor device can be simplified. In addition, the peeling of the metal plating layer of nickel (Ni), palladium (Pd), gold (Au) or the like on the lead frame, which may have conventionally occurred in the resin burr removal step using a water jet or the like, can be eliminated. Therefore, pre-plating of each metal layer before the resin sealing step can be performed.

【0085】加えて、以上の製造方法によって形成され
た外部電極18は、封止樹脂17より突出しているの
で、従来のように半田ボールを付設することなく、外部
電極18をそのまま外部端子として用いることができ
る。
In addition, since the external electrode 18 formed by the above-described manufacturing method protrudes from the sealing resin 17, the external electrode 18 is used as an external terminal without attaching a solder ball as in the related art. be able to.

【0086】なお、図6に示すように、樹脂封止工程に
おいては、溶融している封止樹脂の熱によって封止テー
プ21が軟化するとともに熱収縮するので、インナーリ
ード12が封止テープ21に大きく食い込み、インナー
リード12の裏面と封止樹脂17の裏面との間には段差
が形成される。したがって、インナーリード12の裏面
は封止樹脂17の裏面から突出した構造となり、インナ
ーリード12の下部である外部電極18のスタンドオフ
高さを確保できる。そのため、この突出した外部電極1
8をそのまま外部端子として用いることができることに
なる。
As shown in FIG. 6, in the resin sealing step, the sealing tape 21 is softened and thermally contracted by the heat of the molten sealing resin. And a step is formed between the back surface of the inner lead 12 and the back surface of the sealing resin 17. Therefore, the back surface of the inner lead 12 has a structure protruding from the back surface of the sealing resin 17, and the stand-off height of the external electrode 18 below the inner lead 12 can be secured. Therefore, this protruding external electrode 1
8 can be used as it is as an external terminal.

【0087】また、インナーリード12の裏面と封止樹
脂17の裏面との間の段差の大きさは、封止工程前に貼
付した封止テープ21の厚みによりコントロールするこ
とができる。本発明では、50[μm]の封止テープ2
1を用いているので、段差の大きさつまり外部電極18
の突出量は、一般的にはその半分程度であり最大50
[μm]である。すなわち、封止テープ21がインナー
リード12の裏面よりも上方に入り込む量が封止テープ
21の厚さ分で定まることから、外部電極18の突出量
を封止テープ21の厚みによりセルフコントロールで
き、製造の容易化を図ることができる。この外部電極1
8の突出量を管理するためには、量産工程で封止テープ
21の厚みを管理するだけでよく、別工程を設ける必要
がないので、本発明の製造方法は、工程管理のコスト上
きわめて有利な方法である。なお、貼付する封止テープ
21については、所望とする段差の大きさに合わせて、
材質の硬度、厚み、および熱による軟化性を決定するこ
とができる。
The size of the step between the back surface of the inner lead 12 and the back surface of the sealing resin 17 can be controlled by the thickness of the sealing tape 21 applied before the sealing step. In the present invention, the sealing tape 2 of 50 [μm] is used.
1, the size of the step, that is, the external electrode 18
Is generally about half of that, with a maximum of 50
[Μm]. That is, since the amount of the sealing tape 21 entering above the back surface of the inner lead 12 is determined by the thickness of the sealing tape 21, the protrusion amount of the external electrode 18 can be self-controlled by the thickness of the sealing tape 21, Manufacturing can be facilitated. This external electrode 1
In order to control the amount of protrusion of 8, it is only necessary to control the thickness of the sealing tape 21 in the mass production process, and there is no need to provide a separate process. Therefore, the manufacturing method of the present invention is extremely advantageous in cost of process control. It is a way. In addition, about the sealing tape 21 to stick, according to the magnitude | size of a desired step,
The hardness, thickness, and softening property of the material due to heat can be determined.

【0088】なお、図1(b)に示すように、上記樹脂
封止型半導体装置において、ダイパッド13の裏面側に
封止樹脂17が存在しているものの、その厚みはダイパ
ッド13のアップセット量に等しく極めて薄い。したが
って、この樹脂封止型半導体装置は、実質的には片面封
止型の半導体装置である。
As shown in FIG. 1B, in the above resin-encapsulated semiconductor device, although the encapsulating resin 17 exists on the back surface side of the die pad 13, its thickness is determined by the Very thin. Therefore, the resin-sealed semiconductor device is substantially a single-sided sealed semiconductor device.

【0089】なお、ここでは、樹脂封止工程前に予め封
止テープ21をリードフレームのインナーリード12の
下面に貼付した例を示したが、このような貼り付ける方
法ではなく、封止テープ21を封止金型にセットし、そ
の上にリードフレーム12を密着させてもよい。この場
合は、後述するように、封止テープの封止金型へのリー
ル供給が可能となり、さらなる工程の合理化となる。
Here, an example is shown in which the sealing tape 21 is attached to the lower surface of the inner lead 12 of the lead frame before the resin sealing step. May be set in a sealing mold, and the lead frame 12 may be adhered thereon. In this case, as described later, the supply of the sealing tape to the sealing die can be performed, thereby further streamlining the process.

【0090】なお、ここでは、リードフレームの裏面に
封止テープを貼付して樹脂封止を行なう製造方法の例を
示したが、本発明の方法は、リードフレームを備えてい
る半導体装置に限定されるものではない。本発明の基本
的な概念である樹脂封止工程で封止テープを用いる方法
は、広く半導体チップを搭載し、樹脂封止される部材を
有する半導体装置の樹脂封止工程に適用できるものであ
り、TABタイプ、基板タイプなどの半導体装置の樹脂
封止工程に適用できる。
Here, an example of the manufacturing method in which a sealing tape is attached to the back surface of the lead frame to perform resin sealing has been described, but the method of the present invention is limited to a semiconductor device having a lead frame. It is not something to be done. The method of using a sealing tape in the resin sealing step, which is a basic concept of the present invention, is widely applicable to the resin sealing step of a semiconductor device having a semiconductor chip mounted thereon and having a member to be resin-sealed. It can be applied to a resin sealing process for semiconductor devices of a TAB type, a substrate type, and the like.

【0091】以下、本発明の各実施形態について説明す
る。以下の各実施形態では、樹脂封止型半導体装置のシ
ワの発生を防止するための樹脂封止方法と樹脂封止装置
とについて、図面を参照しながら説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. In the following embodiments, a resin sealing method and a resin sealing device for preventing generation of wrinkles in a resin-sealed semiconductor device will be described with reference to the drawings.

【0092】(第1の実施形態)次に、真空引きによっ
て封止テープに張力を与え、シワをなくすようにした第
1の実施形態に係る各具体例について説明する。
(First Embodiment) Next, specific examples according to the first embodiment in which tension is applied to the sealing tape by vacuum evacuation to eliminate wrinkles will be described.

【0093】−第1の具体例− 図9(a)は、本実施形態の第1の具体例に係る樹脂封
止型半導体装置の製造方法で使用する封止用金型(下金
型)の平面図であり、図9(b)は図9(a)の中央線
における樹脂封止の状態を示す断面図である。
First Specific Example FIG. 9A shows a sealing die (lower die) used in the method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to a first specific example of the present embodiment. 9B is a cross-sectional view showing a state of resin sealing along a center line in FIG. 9A.

【0094】図9(a),(b)に示すように、本実施
形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、ま
ず、インナーリード101とダイパッド103とを有す
るリードフレームを用意し、ダイパッド103上に半導
体チップ102をダイボンド材により接合させ、半導体
チップ102上の電極パッド(図示せず)とインナーリ
ード101とを金属細線105を介して電気的に接続す
る。また、上金型112aと、4カ所の真空引き穴11
3及び各真空引き穴113間を連通させるための真空引
き溝114を有する下金型112bとからなる封止金型
112を用意する。そして、封止金型112の下金型1
12bの上に封止テープ106を載置し、その上に半導
体チップ102が搭載されたリードフレームを載置す
る。この状態では、リードフレームのインナーリード1
01の裏面に封止テープ106が接触している。
As shown in FIGS. 9A and 9B, in the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of this embodiment, first, a lead frame having inner leads 101 and die pads 103 is prepared. The semiconductor chip 102 is bonded to the die pad 103 with a die bond material, and the electrode pads (not shown) on the semiconductor chip 102 and the inner leads 101 are electrically connected via the thin metal wires 105. In addition, the upper mold 112a and four evacuation holes 11 are provided.
3 and a lower mold 112b having an evacuation groove 114 for communicating between the evacuation holes 113 are prepared. Then, the lower mold 1 of the sealing mold 112
The sealing tape 106 is placed on the top 12b, and the lead frame on which the semiconductor chip 102 is mounted is placed thereon. In this state, the inner lead 1 of the lead frame
01 is in contact with the sealing tape 106.

【0095】次に、封止金型112の上金型112aと
下金型112bとを合わせる。この時、上金型112a
の周縁部の下面と封止テープ106の上面とが接触した
状態となる。そして、上金型112aを押圧するととも
に、真空引き装置(図示せず)により、下金型112b
に形成された4ケ所の真空引き穴113を介して封止テ
ープ106を金型内で4方向に真空引きし、均一に延ば
した状態を維持する。この状態で樹脂封止工程を行なう
ことにより、樹脂封止時の熱収縮による封止テープ10
6のシワ発生を防止することができる。その結果、樹脂
成形された樹脂封止型半導体装置の樹脂の裏面が平坦に
形成される。
Next, the upper mold 112a and the lower mold 112b of the sealing mold 112 are matched. At this time, the upper mold 112a
Is in contact with the upper surface of the sealing tape 106. Then, the upper mold 112a is pressed, and the lower mold 112b is pressed by a vacuuming device (not shown).
The sealing tape 106 is evacuated in four directions in the mold through the four evacuation holes 113 formed in the mold, and the uniformly extended state is maintained. By performing the resin sealing step in this state, the sealing tape 10 due to heat shrinkage during resin sealing is formed.
6 can be prevented from occurring. As a result, the back surface of the resin of the resin-molded resin-molded semiconductor device is formed flat.

【0096】以下、上述の封止テープのシワがなくなる
メカニズムについて、さらに詳細に説明する。樹脂封止
の際、封止テープ106が熱収縮を起こし、縮まろうと
する作用に対して、真空引き穴113から真空引きを行
なうことで、封止テープ106が各真空引き穴113の
方向に引っ張られる。このように、封止テープ106に
延張状態を与えることにより、封止テープ106の収縮
が抑制されて、シワの発生が防止される。したがって、
形成された樹脂封止型半導体装置の裏面において、封止
テープ106と接していた封止樹脂107の面が平坦に
なっている。
Hereinafter, the mechanism for eliminating the wrinkles of the sealing tape will be described in more detail. At the time of resin sealing, the sealing tape 106 undergoes thermal contraction and shrinks, so that the sealing tape 106 is pulled in the direction of each of the vacuum holes 113 by performing vacuum evacuation through the vacuum holes 113. Can be By giving the sealing tape 106 an extended state as described above, the contraction of the sealing tape 106 is suppressed, and the occurrence of wrinkles is prevented. Therefore,
On the back surface of the formed resin-encapsulated semiconductor device, the surface of the encapsulation resin 107 that has been in contact with the encapsulation tape 106 is flat.

【0097】また、封止金型112の下金型112b上
の真空引き穴113につながる真空引き溝114は、封
止テープ106の伸び率を考慮して、その溝の深さや幅
を形成することが望ましい。
The depth and width of the evacuation groove 114 connected to the evacuation hole 113 on the lower mold 112b of the sealing mold 112 are formed in consideration of the elongation of the sealing tape 106. It is desirable.

【0098】ただし、真空引き溝を設けずに、各真空引
き穴から個別に封止テープを引っ張ることによっても、
封止テープのシワの発生を防止する効果を発揮すること
ができる。
However, it is also possible to pull the sealing tape from each of the vacuum holes individually without providing the vacuum grooves.
The effect of preventing the generation of wrinkles in the sealing tape can be exhibited.

【0099】なお、本実施形態において、リードフレー
ムに半導体チップを接合し、ワイヤーボンドする方法に
ついては、従来と同様なため図面を用いた説明は省略し
ている。
In the present embodiment, the method of bonding the semiconductor chip to the lead frame and wire bonding is the same as the conventional method, so that the description using the drawings is omitted.

【0100】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法によれば、封止テープをリードフレーム等に
密着させて樹脂封止する際、封止金型内にほぼ均等な間
隔で設けた複数の真空引き穴を介して封止テープを吸着
し、その封止テープを均一に引っ張った状態で樹脂封止
することにより、封止テープの厚みが薄い場合、熱収縮
によるシワの発生が少なくでき、樹脂封止後の樹脂封止
型半導体装置の裏面の樹脂部が平坦に形成可能となる。
特に、真空引き溝を設けることにより、より均一な引っ
張り力を封止テープに与えることができる。
As described above, according to the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment, when the encapsulation tape is brought into close contact with the lead frame or the like and is encapsulated with the resin, the encapsulation die is disposed at substantially equal intervals in the encapsulation mold. When the sealing tape is sucked through a plurality of provided vacuum evacuation holes and sealed with a resin while the sealing tape is pulled uniformly, wrinkles due to heat shrinkage when the sealing tape is thin The resin portion on the back surface of the resin-sealed semiconductor device after resin sealing can be formed flat.
In particular, by providing the evacuation groove, a more uniform pulling force can be applied to the sealing tape.

【0101】なお、本実施形態の封止金型に真空引き穴
を形成して、この真空引き穴を介して封止テープを引っ
張りながら樹脂封止工程を行なう方法や後述の各実施形
態の方法は、上記図1(a),(b)に示す構造を有す
る半導体装置だけでなく、各種構造を有する半導体装置
にも適用できる。ただし、封止テープを上金型に密着さ
せる必要がある場合には、上金型に真空引き穴を形成
し、この真空引き穴を介して封止テープを引っ張ること
になる。
A method of forming a vacuum evacuation hole in the sealing mold of the present embodiment and performing a resin encapsulation step while pulling a sealing tape through the evacuation hole or a method of each embodiment described later. Can be applied not only to semiconductor devices having the structures shown in FIGS. 1A and 1B, but also to semiconductor devices having various structures. However, when the sealing tape needs to be brought into close contact with the upper mold, a vacuum hole is formed in the upper mold, and the sealing tape is pulled through the vacuum hole.

【0102】次に、上記第1の具体例の変形として、真
空引き溝又は真空引き穴を複数列設けた各種の具体例に
ついて説明する。
Next, as a modification of the first example, various examples in which a plurality of rows of vacuum grooves or vacuum holes are provided will be described.

【0103】−第2の具体例− 図10は、3列の環状の真空引き溝114a,114
b,114cと、各真空引き溝114a,114b,1
14c内に形成された真空引き穴113a,113b,
113cとが設けられた第2の具体例に係る下金型11
2bの上面図である。このような場合、各真空引き穴1
13a,113b,113cから同時に真空引きを行な
ってもよいが、まず最外方の真空引き穴113aから真
空引きを行なって封止テープを引き延ばした後、中間の
真空引き穴113bから真空引きを行ない、最後に最内
方の真空引き穴113cから真空引きを行なうことで漸
次封止テープを強く引き延ばすというように、3段階の
真空引きを行なうようにしてもよい。この段階的な真空
引きを行なうことにより、より均一で大きな引っ張り力
を封止テープに印加することができるという利点があ
る。
FIG. 10 shows three rows of annular evacuation grooves 114a and 114.
b, 114c and each of the evacuation grooves 114a, 114b, 1
Vacuum evacuation holes 113a, 113b,
The lower mold 11 according to the second specific example provided with 113c.
It is a top view of 2b. In such a case, each evacuation hole 1
Vacuum evacuation may be performed simultaneously from 13a, 113b, and 113c, but first, evacuation is performed from the outermost evacuation hole 113a to extend the sealing tape, and then evacuation is performed from the intermediate evacuation hole 113b. Finally, three stages of evacuation may be performed such that the evacuation is performed from the innermost evacuation hole 113c to gradually elongate the sealing tape gradually. By performing this stepwise evacuation, there is an advantage that a more uniform and large tensile force can be applied to the sealing tape.

【0104】−第3の具体例− 図11は、3列の環状の真空引き溝114a,114
b,114cと、真空引き溝114a−114b間を連
結する連結溝116aと、真空引き溝114b−114
c間を連結する連結溝116bと、最外方の真空引き溝
114aに形成された真空引き穴113とが設けられた
第3の具体例に係る下金型112bの上面図である。こ
の場合、真空引き穴113から真空引きを行なうと、最
外方の溝114aから順次真空度が高くなる。したがっ
て、真空引きのタイミングをずらせるための制御を行な
わなくても、段階的な真空引きと同じ効果を発揮するこ
とができる。
-Third Specific Example- FIG. 11 shows three rows of annular evacuation grooves 114a and 114.
b, 114c, a connecting groove 116a connecting between the evacuation grooves 114a-114b, and an evacuation groove 114b-114.
It is a top view of the lower metal mold | die 112b which concerns on the 3rd specific example in which the connection groove 116b which connects between c and the evacuation hole 113 formed in the outermost evacuation groove 114a were provided. In this case, when the evacuation is performed through the evacuation hole 113, the degree of vacuum is sequentially increased from the outermost groove 114a. Therefore, the same effect as stepwise evacuation can be exerted without performing control for shifting the evacuation timing.

【0105】−第4の具体例− 図12は、短辺方向に延びる3列の直線状の真空引き溝
117a,117b,117cと、各真空引き溝117
a,117b,117c内に形成された真空引き穴11
3a,113b,113cとが設けられた第4の具体例
に係る下金型112bの上面図である。図12に示す構
造によっても、封止テープに引っ張り力を与えることが
できる。その場合、上述のように、最外方の真空引き穴
113aから順次3段階の真空引きを行ってもよい。あ
るいは、図11に示すような連結溝を設け、最外方の真
空引き溝117aに真空引き穴を形成して、この真空引
き穴から真空引きを行なってもよい。いずれの場合に
も、上記環状の真空引き溝を設けた構造について説明し
たと同様の効果を発揮することができる。
-Fourth Specific Example- FIG. 12 shows three rows of evacuation grooves 117a, 117b, and 117c extending in the short side direction and each evacuation groove 117.
a, 117b, 117c
It is a top view of the lower metal mold | die 112b which concerns on the 4th example provided with 3a, 113b, 113c. The structure shown in FIG. 12 can also apply a tensile force to the sealing tape. In this case, as described above, three stages of evacuation may be sequentially performed from the outermost evacuation hole 113a. Alternatively, a connection groove as shown in FIG. 11 may be provided, a vacuum hole may be formed in the outermost vacuum groove 117a, and vacuum may be evacuated from this vacuum hole. In any case, the same effect as described for the structure provided with the annular evacuation groove can be exerted.

【0106】−第5の具体例− 図13は、長辺方向に延びる3列の直線状の真空引き溝
118a,118b,118cと、各真空引き溝118
a,118b,118c内に形成された真空引き穴11
3a,113b,113cとが設けられた第5の具体例
に係る下金型112bの上面図である。図13に示す構
造によっても、封止テープに引っ張り力を与えることが
できる。その場合、上述のように、外方の真空引き穴1
13aから順次2段階の真空引きを行ってもよい。ある
いは、図11に示すような連結溝を設け、外方の真空引
き溝117aに真空引き穴を形成して、この真空引き穴
から真空引きを行なってもよい。いずれの場合にも、上
記環状の真空引き溝を設けた構造について説明したと同
様の効果を発揮することができる。
Fifth Specific Example FIG. 13 shows three rows of linearly evacuated grooves 118a, 118b, 118c extending in the long side direction, and each of the evacuated grooves 118.
a, 118b, 118c
It is a top view of the lower metal mold | type 112b which concerns on the 5th example provided with 3a, 113b, and 113c. With the structure shown in FIG. 13, a pulling force can be applied to the sealing tape. In that case, as described above, the outer evacuation hole 1
The evacuation in two stages may be performed sequentially from 13a. Alternatively, a connection groove as shown in FIG. 11 may be provided, a vacuum hole may be formed in the outer vacuum groove 117a, and vacuum may be evacuated from this vacuum hole. In any case, the same effect as described for the structure provided with the annular evacuation groove can be exerted.

【0107】なお、上記実施形態では、下金型112b
に真空引き溝や真空引き穴を設けた例について説明した
が、上金型112aに真空引き溝や真空引き穴を設けて
もよいことはいうまでもない。さらに、上金型112a
及び下金型112bの双方に真空引き溝や真空引き穴を
設けてもよい。
In the above embodiment, the lower mold 112b
Although the example in which the vacuum groove and the vacuum hole are provided is described above, it goes without saying that the upper mold 112a may be provided with the vacuum groove and the vacuum hole. Further, the upper mold 112a
In addition, both the lower mold 112b and the lower mold 112b may be provided with a vacuum groove or a vacuum hole.

【0108】(第2の実施形態)次に、本発明の第2の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法につい
て説明する。本実施形態では、特にインナーリードの下
方において封止テープに加わる押圧力を逃すための工夫
について説明する。図14は、本実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置の製造方法における樹脂封止状態を示す
断面である。また、図15は、本実施形態で用いられる
下金型112bの上面図である。
(Second Embodiment) Next, a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, a device for releasing the pressing force applied to the sealing tape particularly below the inner lead will be described. FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a resin-sealed state in the method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the present embodiment. FIG. 15 is a top view of the lower mold 112b used in the present embodiment.

【0109】図14及び図15において、上記第1の実
施形態と同じ部材については、図9(b)と同じ符号を
付してその説明を省略する。本実施形態では、上述の第
1の実施形態における図9(b)に示す構造に加えて、
下金型112bの上面のうちインナーリード101の下
方に位置する領域には、彫り込み部115が所望とする
深さで形成されている。インナーリード101の下方に
彫り込み部115を有する下金型112bを用いること
により、樹脂封止の際、封止テープ106の一部がその
彫り込み部115に逃げ込むので、各インナーリード1
01間に形成されやすい深い溝を浅く抑制することがで
きる。さらには、インナーリード101の側面部と封止
樹脂107との密着面積を多くすることができ、インナ
ーリード101と封止樹脂107との密着強度を増大さ
せることができる。
In FIGS. 14 and 15, the same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as in FIG. 9B, and description thereof is omitted. In the present embodiment, in addition to the structure shown in FIG. 9B in the first embodiment,
In a region located below the inner lead 101 on the upper surface of the lower mold 112b, a carved portion 115 is formed with a desired depth. By using the lower mold 112b having a carved portion 115 below the inner lead 101, a part of the sealing tape 106 escapes into the carved portion 115 during resin sealing.
It is possible to suppress a deep groove which is easily formed between the layers 01 to shallow. Further, the adhesion area between the side surface of the inner lead 101 and the sealing resin 107 can be increased, and the adhesion strength between the inner lead 101 and the sealing resin 107 can be increased.

【0110】ここで、彫り込み部115の深さは、封止
テープ106の厚みに応じて適宜定められる。封止テー
プ106の厚み以上であると、インナーリード101に
ほとんど圧力が加わらないので、樹脂封止工程の終了後
におけるインナーリード101の突出量がほとんどなく
なる。一方、彫り込み部115の深さが0に近くなる
と、上述のようにインナーリード101の突出量が大き
くなりすぎて、本実施形態の実効が図れないと同時に、
各インナーリード101間に深い溝が出現しやすくな
る。それで、封止テープ106が25μm前後のとき
は、彫り込み部115はほとんど必要ないが、封止テー
プの厚みが30μm〜80μm程度の場合には、封止テ
ープ106の厚みと彫り込み部115の深さとの差が2
5μm前後であることが好ましい。
Here, the depth of the engraved portion 115 is appropriately determined according to the thickness of the sealing tape 106. When the thickness is equal to or greater than the thickness of the sealing tape 106, almost no pressure is applied to the inner leads 101, and thus the amount of protrusion of the inner leads 101 after the resin sealing step is almost eliminated. On the other hand, when the depth of the engraved portion 115 is close to 0, the protrusion amount of the inner lead 101 becomes too large as described above, and the effect of the present embodiment cannot be achieved.
Deep grooves are likely to appear between the inner leads 101. Therefore, when the sealing tape 106 is about 25 μm, the engraved portion 115 is almost unnecessary, but when the thickness of the sealing tape is about 30 μm to 80 μm, the thickness of the sealing tape 106 and the depth of the engraved portion 115 Is 2
It is preferably about 5 μm.

【0111】また、上記彫り込み部を設ける構造は、本
実施形態だけではなく、既に説明した各実施形態及び後
述の各実施形態にも適用できるものである。
The structure in which the engraved portion is provided can be applied not only to the present embodiment but also to the above-described embodiments and the later-described embodiments.

【0112】(第3の実施形態)次に、封止テープに引
っ張り力を印加するために、封止テープを両側から引っ
張りながら樹脂封止工程を行なうようにした第3の実施
形態について、図16〜図21を参照しながら説明す
る。
(Third Embodiment) Next, in order to apply a pulling force to the sealing tape, a resin sealing step is performed while pulling the sealing tape from both sides. This will be described with reference to FIGS.

【0113】−第1の具体例− 図16(a),(b)は、上金型にクランパを設け、ク
ランパによって封止テープに引っ張り力を与えるように
した第1の具体例を示す平面図及び断面図である。図1
6(a),(b)に示すように、樹脂封止型半導体装置
の封止装置および封止金型は、上金型121aと、上金
型121aに設置されたクランパ122aと、下金型1
21bと、下金型121bに設けられた半導体製品成型
部124(ダイキャビティ)と、封止テープ125と、
上金型121aと下金型121bとの間に圧力を印加す
るための駆動装置126よりなり、封止テープ125が
上金型121aの下面とクランパ122aとの間に挟ま
れて固定される構造となっている。なお、下金型121
bには、クランパ122aとの緩衝を回避するための逃
げ部が設けられている。
-First Specific Example- FIGS. 16 (a) and 16 (b) are plan views showing a first specific example in which a clamper is provided in an upper mold and a pulling force is applied to the sealing tape by the clamper. It is a figure and a sectional view. FIG.
As shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b), the sealing device and the sealing mold of the resin-encapsulated semiconductor device are an upper mold 121a, a clamper 122a installed on the upper mold 121a, and a lower mold. Type 1
21b, a semiconductor product molding part 124 (die cavity) provided in the lower mold 121b, a sealing tape 125,
A structure in which a drive device 126 for applying pressure between the upper mold 121a and the lower mold 121b is provided, and the sealing tape 125 is sandwiched and fixed between the lower surface of the upper mold 121a and the clamper 122a. It has become. The lower mold 121
The b has a relief portion for avoiding a buffer with the clamper 122a.

【0114】−第2の具体例− 以下の具体例における図17〜図21において、図16
(a),(b)に示す部材と同じ部材については、同じ
符号を付して説明を省略する。
-Second Specific Example- In FIGS. 17 to 21 in the following specific examples, FIG.
The same members as those shown in (a) and (b) are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0115】図17(a),(b)は、金型121a,
121bの外方にクランパ122bを設け、このクラン
パ122bが金型121a,121bとは独立して移動
できるように構成した第2の具体例を示す平面図及び断
面図である。
FIGS. 17A and 17B show a mold 121a,
It is the top view and sectional drawing which show the 2nd specific example which comprised the clamper 122b provided outside 121b, and this clamper 122b was able to move independently of metallic molds 121a and 121b.

【0116】−第3の具体例− 図18(a),(b)は、金型の外方に長辺方向に延び
るクランパ122cを設け、このクランパ122cが金
型121a,121bとは独立して移動できるように構
成した第3の具体例を示す平面図及び断面図である。
-Third Specific Example- FIGS. 18A and 18B show a case where a clamper 122c is provided outside the mold and extends in the long side direction, and the clamper 122c is independent of the molds 121a and 121b. FIGS. 9A and 9B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a third specific example configured to be able to be moved.

【0117】−第4の具体例− 図19(a),(b)は、金型121a,121bの外
方に金型121a,121bの周囲を取り囲む環状のク
ランパ122dを設け、このクランパ122dが金型1
21a,121bとは独立して移動できるように構成し
た第4の具体例を示す平面図及び断面図である。
-Fourth Specific Example- FIGS. 19 (a) and (b) show an annular clamper 122d surrounding the dies 121a and 121b provided outside the dies 121a and 121b. Mold 1
It is the top view and sectional drawing which show the 4th specific example comprised so that it could move independently of 21a, 121b.

【0118】−第5の具体例− 図20は、金型121a,121bの外方に第2の具体
例と同じ構造を有するクランパ122bを設け、このク
ランパ122bが金型121a,121bとは独立して
移動できるように構成するとともに、クランパ122b
を短辺方向に平行な方向かつ外方に付勢するバネ123
を設けた第5の具体例を示す平面図である。なお、各ク
ランパ122bに2つのバネを設け、クランパ122b
を四方に付勢するように構成してもよい。
Fifth Specific Example FIG. 20 shows that a clamper 122b having the same structure as that of the second specific example is provided outside the molds 121a and 121b, and the clamper 122b is independent of the molds 121a and 121b. And the clamper 122b
123 for urging the outside in a direction parallel to the short side direction
It is a top view which shows the 5th specific example in which was provided. In addition, two springs are provided for each clamper 122b,
May be biased in all directions.

【0119】−第6の具体例− 図21は、金型121a,121bの外方に長辺方向に
延びる第3の具体例と同じ構造を有するクランパ122
cを設け、このクランパ122cが金型121a,12
1bとは独立して移動できるように構成するとともに、
クランパ122cを短辺方向に平行な方向かつ外方に付
勢するバネ123を設けた第6の具体例を示す平面図で
ある。
Sixth Specific Example FIG. 21 shows a clamper 122 having the same structure as the third specific example extending outwardly of the dies 121a and 121b in the long side direction.
c, and the clamper 122c is
1b and can be moved independently.
FIG. 18 is a plan view showing a sixth specific example in which a spring 123 for urging the clamper 122c outward in a direction parallel to the short side direction is provided.

【0120】−各具体例の効果− 上記図17〜図21に示すいずれの構造によっても、封
止テープ125に引っ張り力を与えることができ、樹脂
封止工程における封止テープ125のシワの発生、ひい
ては封止樹脂における凹凸模様の発生を防止することが
できる。特に、クランパを外方に付勢するバネが付設さ
れている場合には、より効果的に引っ張り力を封止テー
プに与えることができる。なお、クランパを外方に付勢
する手段としては、バネに限定されるものではなく、ゴ
ム等の他の弾性体を使用してもよいことはいうまでもな
い。
-Effects of Specific Examples- With any of the structures shown in FIGS. 17 to 21, a tensile force can be applied to the sealing tape 125, and wrinkling of the sealing tape 125 in the resin sealing step occurs. Consequently, it is possible to prevent the occurrence of an uneven pattern in the sealing resin. In particular, when a spring for urging the clamper outward is provided, the pulling force can be more effectively applied to the sealing tape. The means for urging the clamper outward is not limited to a spring, and it goes without saying that another elastic body such as rubber may be used.

【0121】また、上記第2〜第6の具体例において、
クランパを保持した機構が封止金型から離れた位置から
封止金型の近傍に移動できる機能を付加しておいて、封
止テープが上金型及び下金型の熱的な影響を受けない幾
分離れた場所でクランパにより挟み固定された後、上金
型121aあるいは下金型121bに供給されるように
してもよい。
In the second to sixth specific examples,
A function that allows the mechanism holding the clamper to move from a position away from the sealing mold to the vicinity of the sealing mold is added, and the sealing tape is affected by the thermal influence of the upper mold and the lower mold. After being clamped and fixed by the clamper at a place where it is not so separated, it may be supplied to the upper die 121a or the lower die 121b.

【0122】(第4の実施形態)次に、封止金型の上金
型と下金型とに、互いに係合する凹部と凸部とを設けて
おき、樹脂封止の際に封止テープをこの凹部と凸部の間
で挟むことにより、封止テープに引っ張り力を与えるよ
うにした実施形態である第4の実施形態の各具体例につ
いて、図22〜図27を参照しながら説明する。
(Fourth Embodiment) Next, a concave portion and a convex portion which are engaged with each other are provided in the upper mold and the lower mold of the sealing mold, and the sealing is performed when the resin is sealed. Each specific example of the fourth embodiment in which the tape is sandwiched between the concave portion and the convex portion to apply a pulling force to the sealing tape will be described with reference to FIGS. 22 to 27. I do.

【0123】−第1の具体例− 図22(a),(b)は、それぞれ本実施形態の第1の
具体例を示す斜視図及び断面図である。ただし、図22
(b)は、図22(a)に示す凸部139a及び凹部1
41aに直交する方向の中央部における断面図である。
図22(a),(b)に示すように、上金型131aに
は金型合わせ面から鉛直方向に突出した凸部139aが
形成されている一方、下金型131bには上金型131
aの凸部139aに係合可能な凹部141aが形成され
ている。下金型131bには、半導体製品成型部134
が設けられている。
-First Specific Example- FIGS. 22A and 22B are a perspective view and a sectional view, respectively, showing a first specific example of the present embodiment. However, FIG.
FIG. 22 (b) shows the convex portion 139a and the concave portion 1 shown in FIG.
It is sectional drawing in the center part of the direction orthogonal to 41a.
As shown in FIGS. 22 (a) and 22 (b), the upper mold 131a has a convex portion 139a projecting vertically from the mold mating surface, while the lower mold 131b has the upper mold 131.
A concave portion 141a that can be engaged with the convex portion 139a of FIG. The lower mold 131b includes a semiconductor product molding unit 134.
Is provided.

【0124】この構造によって、上金型131aが下方
に降ろされて下金型131bに近づくと、封止テープ1
35が互いに係合する凸部139aと凹部141aとの
間に挟まれる。上金型131aがさらに下方に降ろされ
ると、封止テープ135が凸部139aと凹部141a
との間に引き込まれていくので、封止テープ135が少
なくとも2方向以上に引き延ばされることになる。
With this structure, when the upper mold 131a is lowered and approaches the lower mold 131b, the sealing tape 1
35 are sandwiched between the convex portion 139a and the concave portion 141a which engage with each other. When the upper mold 131a is further lowered, the sealing tape 135 is moved to the convex portion 139a and the concave portion 141a.
, The sealing tape 135 is stretched in at least two directions.

【0125】−第2の具体例− 図23は、本実施形態の第2の具体例を示す上金型の下
面図である。この具体例では、上金型121aには直線
状ではなく曲線状の凸部139bが設けられている。ま
た、下金型の構造を示す図は省略するが、下金型にはこ
の凸部139bに係合可能な曲線状の凹部が設けられて
いる。このような構造によっても、上記第1の具体例と
同様の作用により、封止テーブを引き延ばすことができ
る。
-Second Specific Example- FIG. 23 is a bottom view of an upper mold showing a second specific example of the present embodiment. In this specific example, the upper mold 121a is provided with a convex portion 139b that is not linear but curved. Although the figure showing the structure of the lower mold is omitted, the lower mold is provided with a curved concave portion engageable with the convex portion 139b. Even with such a structure, the sealing tape can be elongated by the same operation as in the first specific example.

【0126】−第3の具体例− 図24(a),(b)は、それぞれ本実施形態の第3の
具体例を示す断面図及び下金型の上面図である。ただ
し、図24(a)は、図24(b)に示す凹部141c
に直交する方向の中央部における断面図である。この具
体例では、上金型131aには、金型合わせ面から鉛直
方向に突出した3列の凸部139cが形成されている。
ただし、この3列の凸部139cは、最外方から順に高
さが小さくなっている。一方、下金型131bには上金
型131aの凸部139cが係合可能な深さを有する3
列の凹部141aが形成されている。つまり、外方の凸
部139cと凹部141cほど係合長さが大きいことに
なる。また、下金型131bには、半導体製品成型部1
34が設けられている。なお、封止テープ135を引っ
張るための付勢手段としてのロール142も付設されて
いるが、このロール142は必ずしも必要ではない。
-Third Specific Example- FIGS. 24A and 24B are a cross-sectional view and a top view of a lower mold, respectively, showing a third specific example of the present embodiment. However, FIG. 24A shows the concave portion 141c shown in FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a central portion in a direction orthogonal to FIG. In this specific example, the upper mold 131a is formed with three rows of convex portions 139c projecting vertically from the mold mating surface.
However, the heights of the three rows of projections 139c are gradually reduced from the outermost side. On the other hand, the lower mold 131b has a depth that allows the protrusion 139c of the upper mold 131a to engage.
A row of recesses 141a is formed. In other words, the outer convex portion 139c and concave portion 141c have a larger engagement length. Further, the lower mold 131b includes the semiconductor product molding unit 1
34 are provided. In addition, a roll 142 as an urging means for pulling the sealing tape 135 is also provided, but this roll 142 is not always necessary.

【0127】このように、複数列の互いに係合する凸部
139c及び凹部141cを設け、各凸部139cの高
さ及び各凹部141cの深さを最外方に向かうほど高く
あるいは深く形成しておくことにより、最外方の凸部−
凹部の係合によって引き延ばされた封止テープが順次そ
の内方の凸部−凹部の係合により引き延ばされる。つま
り、封止テープ135を段階的に強度を増しながら引っ
張っていくことができるので、より効果的に封止テープ
135を引き延ばすことができる。
As described above, the convex portions 139c and the concave portions 141c which are engaged with each other in a plurality of rows are provided, and the height of each convex portion 139c and the depth of each concave portion 141c are formed to be higher or deeper toward the outermost. By putting, the outermost convex part-
The sealing tape stretched by the engagement of the concave portion is sequentially stretched by the engagement of the convex portion and the concave portion inside. That is, since the sealing tape 135 can be pulled while gradually increasing the strength, the sealing tape 135 can be more effectively extended.

【0128】−第4の具体例− 図25は、本実施形態の第4の具体例を示す下金型の上
面図である。この具体例では、下金型131bに、短い
直線状の凹部141dの複数列を千鳥状に配列してい
る。ただし、各凹部141dの深さは最外方に向かうほ
ど深くなっている。上金型の構造を示す図は省略する
が、上金型にはこの凹部141dに係合可能な複数列の
凸部が設けられている。このような構造によっても、上
記第3の具体例と同様の作用により、封止テーブを効果
的に引き延ばすことができる。
-Fourth Specific Example- FIG. 25 is a top view of a lower mold showing a fourth specific example of the present embodiment. In this specific example, a plurality of rows of short linear concave portions 141d are arranged in a staggered manner in the lower die 131b. However, the depth of each recess 141d is deeper toward the outermost. Although the figure showing the structure of the upper mold is omitted, the upper mold is provided with a plurality of rows of convex portions which can be engaged with the concave portion 141d. Even with such a structure, the sealing tape can be effectively elongated by the same operation as in the third specific example.

【0129】−第5の具体例− 図26は、本実施形態の第5の具体例を示す下金型の上
面図である。この具体例では、下金型131bに、小円
状の凹部141eの複数個を千鳥状に配列している。た
だし、各凹部141eの深さは最外方に向かうほど深く
なっている。上金型の構造を示す図は省略するが、上金
型にはこの凹部141eに係合可能な複数個の凸部が設
けられている。このような構造によっても、上記第3の
具体例と同様の作用により、封止テーブを効果的に引き
延ばすことができる。
-Fifth Specific Example- FIG. 26 is a top view of a lower mold showing a fifth specific example of the present embodiment. In this specific example, a plurality of small circular concave portions 141e are arranged in a staggered manner in the lower die 131b. However, the depth of each recess 141e becomes deeper toward the outermost side. Although illustration of the structure of the upper mold is omitted, the upper mold is provided with a plurality of convex portions that can be engaged with the concave portion 141e. Even with such a structure, the sealing tape can be effectively elongated by the same operation as in the third specific example.

【0130】−第6の具体例− 図27は、本実施形態の第6の具体例を示す下金型の上
面図である。この具体例では、下金型131bに複数の
半導体製品成型部134が設けられている場合に、下金
型131bの長辺方向の端部には長辺方向に延びる長い
直線状の凹部141gを設け、各半導体製品成型部13
4間の領域には小さな凹部141fを設けている。上金
型の構造を示す図は省略するが、上金型にはこの凹部1
41f,141gに係合可能な凸部が設けられている。
なお、144は各半導体製品成型部134に封止樹脂を
供給するための封止樹脂流通路である。この場合には、
各半導体製品成型部134の四方から封止テープ135
を引き延ばすことができるので、1度の樹脂封止工程に
よって多数個の半導体装置の樹脂封止を行なう場合に特
に有効である。半導体装置の実際の樹脂封止工程に使用
される金型には、封止金型には極めて多数のダイキャビ
ティが設けられているので、この具体例の構造は、極め
て大きな効果を発揮することができる。
Sixth Specific Example FIG. 27 is a top view of a lower mold showing a sixth specific example of the present embodiment. In this specific example, when a plurality of semiconductor product molding portions 134 are provided in the lower mold 131b, a long linear concave portion 141g extending in the long side direction is provided at an end of the lower mold 131b in the long side direction. Provided, each semiconductor product molding unit 13
A small recess 141f is provided in the area between the four. Although the figure showing the structure of the upper mold is omitted, the concave 1
Protrusions engageable with 41f and 141g are provided.
Reference numeral 144 denotes a sealing resin flow path for supplying a sealing resin to each semiconductor product molding unit 134. In this case,
Sealing tape 135 from all sides of each semiconductor product molding portion 134
Is particularly effective when a large number of semiconductor devices are resin-sealed by one resin sealing step. Since the mold used in the actual resin sealing process of the semiconductor device has a very large number of die cavities in the sealing mold, the structure of this specific example is extremely effective. Can be.

【0131】−第7の具体例− 図28は、本実施形態の第7の具体例を示す断面図であ
る。この具体例では、上金型131aには凹部141h
が設けられ、下金型131bには上金型131aの凹部
141hに係合する凸部139hが形成されている。そ
して、上金型131aの下面において、封止テープ13
5を引っ張るための真空引き溝146が凹部141hを
取り囲むように形成されている。なお、下金型131b
に、半導体製品成型部134が設けられている。
-Seventh Specific Example- FIG. 28 is a sectional view showing a seventh specific example of the present embodiment. In this specific example, the upper mold 131a has a recess 141h.
Is provided on the lower mold 131b, and a convex portion 139h that engages with the concave portion 141h of the upper mold 131a is formed. Then, the sealing tape 13 is provided on the lower surface of the upper mold 131a.
5 is formed so as to surround the concave portion 141h. The lower mold 131b
Is provided with a semiconductor product molding part 134.

【0132】このように、互いに係合する凸部−凹部の
形成領域の内方、内周、外周あるいは外方に真空引きを
目的とした真空引き溝146を設けるにより、さらに効
果的に封止テープ135を引き延ばすことができる。
As described above, by providing the evacuation grooves 146 for the purpose of evacuation in the inside, the inner periphery, the outer periphery, or the outside of the region where the convex-concave portions are engaged with each other, sealing can be more effectively performed. The tape 135 can be stretched.

【0133】なお、凸部に係合する凹部に真空引き用穴
を形成しておき、凸部−凹部間の係合効果と真空引き作
用との双方により効果的に封止テープに張力を与えるこ
ともできる。
It is to be noted that a hole for evacuation is formed in the concave portion which engages with the convex portion, and tension is effectively applied to the sealing tape by both the engaging effect between the convex portion and the concave portion and the evacuation function. You can also.

【0134】また、以上の全ての具体例において、凸部
139および凹部141は封止テープ135の滑りを防
止するため表面を梨地加工するか、もしくは滑りにくい
材料、たとえばシリコンゴムで形成されているのが望ま
しい。
In all of the above embodiments, the convex portion 139 and the concave portion 141 are matted on the surface to prevent the sealing tape 135 from slipping, or are formed of a non-slip material, for example, silicone rubber. It is desirable.

【0135】(第5の実施形態)本実施形態では、予め
引っ張られた状態の封止テープを用いることにより、封
止テープのシワを防止するようにした第5の実施形態に
ついて、図29を参照しながら説明する。図29は、第
5の実施形態における樹脂封止方法を示す断面図であ
る。
(Fifth Embodiment) In this embodiment, FIG. 29 shows a fifth embodiment in which the sealing tape in a state of being pulled in advance is used to prevent wrinkles of the sealing tape. It will be described with reference to FIG. FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating a resin sealing method according to the fifth embodiment.

【0136】図29に示すように、平坦な治具147が
準備され、平坦な治具147に封止テープ135を貼付
した後、上金型131aに転写する。これによっても、
封止テープ135のシワを可及的に防止することができ
る。
As shown in FIG. 29, a flat jig 147 is prepared, a sealing tape 135 is attached to the flat jig 147, and then transferred to the upper mold 131a. This also
Wrinkling of the sealing tape 135 can be prevented as much as possible.

【0137】なお、上記第3〜第5の実施形態における
クランパ機能、凹凸形状、真空引き機能などを組み合わ
せた封止装置および封止金型を用いることで、さらに絶
大なる効果が得られることは言うまでもない。
It is to be noted that even greater effects can be obtained by using a sealing device and a sealing mold having a combination of the clamper function, the concave-convex shape, and the vacuuming function in the third to fifth embodiments. Needless to say.

【0138】(第6の実施形態)以下、本発明の第6の
実施形態について説明する。本実施形態では、樹脂封止
型半導体装置のシワ防止を防止するための封止テープを
連続的に供給する方法と、封止テープ供給装置を付設し
た樹脂封止装置とについて、図面を参照しながら説明す
る。
(Sixth Embodiment) Hereinafter, a sixth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, a method for continuously supplying a sealing tape for preventing wrinkling of a resin-sealed semiconductor device and a resin sealing device provided with a sealing tape supply device will be described with reference to the drawings. I will explain it.

【0139】図30(a)〜(c)は、本実施形態にお
ける封止テープの供給装置を付設した樹脂封止装置およ
び樹脂封止工程を示す斜視図である。また、図31は、
樹脂封止工程中の1つの工程を示す断面図である。
FIGS. 30A to 30C are perspective views showing a resin sealing device provided with a sealing tape supply device and a resin sealing step in this embodiment. FIG.
It is sectional drawing which shows one process in a resin sealing process.

【0140】図30(a)に示すように、封止金型は上
金型151aと下金型151bとからなり、下金型15
1bには、多数の半導体製品成型部160(ダイキャビ
ティ)と、各半導体製品成型部155に封止樹脂を供給
するための封止樹脂流通路161とが設けられている。
また、巻き出しロール156aと巻き取りロール156
bとの間で一定の張力を加えながら、連続的に封止テー
プ152の巻き出しと巻き取りとを行なうことが可能に
構成されている。
As shown in FIG. 30A, the sealing mold comprises an upper mold 151a and a lower mold 151b.
1b is provided with a large number of semiconductor product molding sections 160 (die cavities) and a sealing resin flow path 161 for supplying a sealing resin to each semiconductor product molding section 155.
Further, the unwinding roll 156a and the winding roll 156
It is configured to be able to continuously unwind and wind the sealing tape 152 while applying a constant tension to the sealing tape 152.

【0141】そして、図30(b)に示すように、多数
の半導体チップを搭載したリードフレーム153が下金
型151bの半導体製品成型部160に供給され、樹脂
タブレット154aが下金型151bの封止樹脂供給部
に投入される。
Then, as shown in FIG. 30B, a lead frame 153 on which a large number of semiconductor chips are mounted is supplied to the semiconductor product molding section 160 of the lower mold 151b, and the resin tablet 154a is sealed with the lower mold 151b. It is fed into the resin supply section.

【0142】次に、図52に示すように、封止金型の上
金型151aと下金型151bとが型締めされ、ピスト
ン158により下方から溶融した封止樹脂が各半導体製
品成型部160に供給されて、樹脂封止型半導体装置1
55が射出成形される。そして、射出成形が終了する
と、下金型151bが開く。
Next, as shown in FIG. 52, the upper mold 151a and the lower mold 151b of the sealing mold are clamped, and the sealing resin melted from below by the piston 158 is applied to each semiconductor product molding section 160. Supplied to the semiconductor device 1
55 is injection molded. When the injection molding is completed, the lower mold 151b opens.

【0143】この時、下金型151bが開くと同時に、
図30(c)に示す樹脂カル154bと樹脂封止型半導
体装置155から封止テープ152が引き離される。ま
た、封止テープ152のうち、この樹脂封止工程で使用
された部分は巻き取りロールー156bに巻き取られ、
次の樹脂封止工程で使用する部分は巻き出しロール15
6aから供給される。その間に、樹脂カル154bと樹
脂封止型半導体装置155とは、下金型151bから取
り出される。
At this time, at the same time when the lower mold 151b is opened,
The sealing tape 152 is separated from the resin cull 154b and the resin-encapsulated semiconductor device 155 shown in FIG. In addition, a portion of the sealing tape 152 used in this resin sealing step is wound around a winding roll 156b,
The part used in the next resin sealing step is the unwinding roll 15
6a. Meanwhile, the resin cull 154b and the resin-encapsulated semiconductor device 155 are taken out of the lower mold 151b.

【0144】本実施形態によると、巻き出しロール15
6aと巻き取りロール156bとの間で、連続的に封止
テープ152を供給することにより、封止テープを用い
た樹脂封止工程を迅速に行なうことができ、生産効率の
向上を図ることができる。また、巻き出しロール156
aと巻き取りロール156bとに回転力を加えること
で、封止テープ152に適正な張力を与えることがで
き、樹脂封止工程における封止テープ152のシワの発
生を抑制することができる。
According to the present embodiment, the unwinding roll 15
By supplying the sealing tape 152 continuously between the winding tape 6a and the take-up roll 156b, the resin sealing step using the sealing tape can be performed quickly, and the production efficiency can be improved. it can. Also, the unwinding roll 156
By applying a rotational force to a and the take-up roll 156b, an appropriate tension can be applied to the sealing tape 152, and the occurrence of wrinkling of the sealing tape 152 in the resin sealing step can be suppressed.

【0145】(各実施形態におけるシワの発生の抑制効
果)ここで、上記各実施形態におけるシワの発生を抑制
できることによる効果について、さらに詳細に説明す
る。
(Effects of Suppressing Wrinkles in Each Embodiment) The effects of suppressing the occurrence of wrinkles in the above embodiments will be described in more detail.

【0146】図32(a),(b)は、封止テープに張
力を付与しない状態で樹脂封止工程を行なったときの封
止金型内の状態を示す断面図、および形成される樹脂封
止体の断面図である。また、図33(a),(b)は、
封止テープ152に張力を付与した状態で樹脂封止工程
を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、およ
び形成される樹脂封止体の断面図である。ただし、図3
2(a)および図33(a)では、樹脂封止体と同じ上
下関係で表示するために、上記各実施形態に示す状態と
は上下を逆にして表示している。また、図32(a),
(b)において図1(a),(b)と同じ符号で示す部
材は既に説明したとおりである。
FIGS. 32 (a) and 32 (b) are cross-sectional views showing the state in the sealing mold when the resin sealing step is performed without applying tension to the sealing tape, and the resin to be formed. It is sectional drawing of a sealing body. FIGS. 33 (a) and 33 (b)
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in a sealing mold when a resin sealing step is performed in a state where tension is applied to a sealing tape 152, and a cross-sectional view of a formed resin sealing body. However, FIG.
In FIG. 2 (a) and FIG. 33 (a), in order to display in the same vertical relation as the resin sealing body, the display is shown upside down from the state shown in each of the above embodiments. FIG. 32 (a),
In FIG. 1B, members denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 1A and 1B have already been described.

【0147】封止テープに張力を付与しないで樹脂封止
を行なうと、封止テープには、図32(a)に示すよう
なシワや、たるみ,破れなどが生じることがある。そし
て、このシワなどが生じると、それがそのまま封止樹脂
17に転写されるので、樹脂封止工程の終了後の取り出
された樹脂封止体の封止樹脂17の裏面には、図32
(b)に示すようなくぼみなどが発生するおそれがあっ
た。このようなくぼみが発生すると、外観が損なわれる
だけでなく、封止されている部材の一部が露出したり、
封止樹脂17のクラックが生じるなどのおそれがある。
If resin sealing is performed without applying tension to the sealing tape, the sealing tape may be wrinkled, sagged, or broken as shown in FIG. Then, when this wrinkle or the like is generated, it is transferred to the sealing resin 17 as it is, so that the back surface of the sealing resin 17 of the removed resin sealing body after the resin sealing step is finished is as shown in FIG.
As shown in (b), dents and the like may occur. When such dents occur, not only the appearance is impaired, but also a part of the sealed member is exposed,
There is a possibility that cracks in the sealing resin 17 may occur.

【0148】それに対し、上記各実施形態のごとく、樹
脂封止工程において封止テープに張力を付与しながら封
止金型に装着することにより、図33(a)に示すよう
に封止テープにシワやたるみなどが発生するのを抑制す
ることができる。そして、樹脂封止工程の終了後に取り
出された樹脂封止体の封止樹脂17の裏面にくぼみなど
が発生しないので、外観的にも特性的にも良好な樹脂封
止型半導体装置が得られる。すなわち、不良率の低減に
よる歩留まりの向上を図ることができる。
On the other hand, as in each of the above embodiments, the sealing tape is attached to the sealing die while applying tension to the sealing tape in the resin sealing step, thereby forming the sealing tape as shown in FIG. The generation of wrinkles and sagging can be suppressed. Since no dents or the like occur on the back surface of the sealing resin 17 of the resin sealing body taken out after the resin sealing step, a resin-encapsulated semiconductor device having good appearance and characteristics can be obtained. . That is, the yield can be improved by reducing the defective rate.

【0149】なお、封止テープは複数枚使用することが
できる。例えば、上面側と下面側に装着したり、一方の
側に複数枚装着したりすることができる。
A plurality of sealing tapes can be used. For example, it can be mounted on the upper surface side and the lower surface side, or a plurality of sheets can be mounted on one side.

【0150】[0150]

【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方
法又はその製造装置によると、封止テープを装着した状
態で半導体チップ及び周辺部材を封止樹脂内に封止する
際に、封止テープに張力を付与するようにしたので、封
止テープにおけるシワの発生を防止しながら、封止テー
プが密着していた部分を封止樹脂から露出させた構造を
有し、かつシワの転写に起因する封止樹脂のくぼみなど
のない樹脂封止型半導体装置の製造を図ることができ
る。
According to the method or the apparatus for manufacturing a resin-sealed semiconductor device of the present invention, when a semiconductor chip and peripheral members are sealed in a sealing resin with a sealing tape mounted, the sealing is performed. A tension is applied to the stop tape, so that wrinkles are prevented from being generated in the sealing tape, and a portion in which the sealing tape is in close contact is exposed from the sealing resin, and wrinkles are transferred. It is possible to manufacture a resin-encapsulated semiconductor device having no dents in the encapsulation resin due to the above.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の封止樹脂を透過して示す平面図及び断面図である。
1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view showing a sealing resin of a resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図2】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程におけるリードフレームを用意する工程を示
す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a process of preparing a lead frame in a process of manufacturing a resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図3】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程におけるダイパッド上に半導体チップを接合
する工程を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a step of bonding a semiconductor chip onto a die pad in a manufacturing step of a resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図4】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程における金属細線を形成する工程を示す断面
図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step of forming a thin metal wire in a process of manufacturing a resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図5】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程における封止テープをリードフレームの下に
敷く工程を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a step of laying a sealing tape under a lead frame in a process of manufacturing a resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図6】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a resin sealing step in a manufacturing step of the resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図7】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程におけるインナーリードの先端カット工程の
終了後の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the resin-encapsulated semiconductor device after the end cutting step of the inner lead in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device applied to each embodiment;

【図8】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程によって形成された樹脂封止型半導体装置の
部分裏面図である。
FIG. 8 is a partial back view of the resin-sealed semiconductor device formed in the manufacturing process of the resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図9】それぞれ、第1の本実施形態の第1の具体例に
係る樹脂封止型半導体装置の製造方法で使用する封止用
金型の下金型の平面図、及び図9(a)の中央線におけ
る樹脂封止の状態を示す断面図である。
FIG. 9 is a plan view of a lower mold of an encapsulation mold used in a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to a first specific example of the first embodiment, and FIG. (A) is a sectional view showing the state of resin sealing at the center line.

【図10】3列の環状の真空引き溝と真空引き穴とを有
する第1の実施形態の第2の具体例に係る封止金型の下
金型の上面図である。
FIG. 10 is a top view of a lower mold of a sealing mold according to a second specific example of the first embodiment having three rows of annular evacuation grooves and evacuation holes.

【図11】3列の環状の真空引き溝と連結溝と真空引き
穴とを有する第1の実施形態の第3の具体例に係る封止
金型の下金型の上面図である。
FIG. 11 is a top view of a lower mold of a sealing mold according to a third specific example of the first embodiment having three rows of annular evacuation grooves, connection grooves, and evacuation holes.

【図12】短辺方向に延びる3列の真空引き溝と真空引
き穴とを有する第1の実施形態の第4の具体例に係る封
止金型の下金型の上面図である。
FIG. 12 is a top view of a lower mold of a sealing mold according to a fourth specific example of the first embodiment, having three rows of evacuation grooves and evacuation holes extending in the short side direction.

【図13】長辺方向に延びる3列の真空引き溝と真空引
き穴とを有する第1の実施形態の第5の具体例に係る封
止金型の下金型の上面図である。
FIG. 13 is a top view of a lower mold of a sealing mold according to a fifth specific example of the first embodiment having three rows of evacuation grooves and evacuation holes extending in the long side direction.

【図14】第2の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の製造方法における樹脂封止状態を示す断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a resin-sealed state in the method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment.

【図15】第2の実施形態で用いられる真空引き溝と彫
り込み部とを有する下金型の上面図である。
FIG. 15 is a top view of a lower mold having a vacuum groove and a carved portion used in the second embodiment.

【図16】上金型にクランパを設けた第3の実施形態の
第1の具体例を示す平面図及び断面図である。
FIG. 16 is a plan view and a sectional view showing a first specific example of the third embodiment in which a clamper is provided in an upper mold.

【図17】金型とは独立して移動するクランパを設けた
第3の実施形態の第2の具体例を示す平面図及び断面図
である。
FIGS. 17A and 17B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a second specific example of the third embodiment in which a clamper that moves independently of a mold is provided.

【図18】金型の外方に長辺方向に延びるクランパを設
けた第3の実施形態の第3の具体例を示す平面図及び断
面図である。
FIGS. 18A and 18B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a third specific example of the third embodiment in which a clamper extending in a long side direction is provided outside a mold.

【図19】金型の周囲を取り囲む環状クランパを設けた
第3の実施形態の第4の具体例を示す平面図及び断面図
である。
FIG. 19 is a plan view and a sectional view showing a fourth specific example of the third embodiment in which an annular clamper surrounding the periphery of a mold is provided.

【図20】金型の外方にクランパとクランパを短辺方向
に付勢するバネとを設けた第3の実施形態の第5の具体
例を示す平面図である。
FIG. 20 is a plan view showing a fifth specific example of the third embodiment in which a clamper and a spring for urging the clamper in the short side direction are provided outside the mold.

【図21】金型の外方にクランパとクランパを短辺及び
長辺方向に付勢するバネとを設けた第3の実施形態の第
6の具体例を示す平面図である。
FIG. 21 is a plan view showing a sixth specific example of the third embodiment in which a clamper and a spring for urging the clamper in the short side and long side directions are provided outside the mold.

【図22】互いに係合する凸部,凹部を上金型,下金型
にそれぞれ設けた第4の実施形態の第1の具体例を示す
斜視図及び断面図である。
FIG. 22 is a perspective view and a cross-sectional view showing a first specific example of the fourth embodiment in which a convex portion and a concave portion that engage with each other are provided on an upper mold and a lower mold, respectively.

【図23】第4の実施形態の第2の具体例における曲線
状の凸部を有する上金型の下面図である。
FIG. 23 is a bottom view of an upper mold having a curved convex portion in a second specific example of the fourth embodiment.

【図24】互いに係合する3列の凸部,凹部を上金型,
下金型にそれぞれ設けた第4の実施形態の第3の具体例
を示す断面図及び下金型の上面図である。
FIG. 24 shows three rows of projections and recesses that engage with each other,
It is sectional drawing and the top view of a lower metal mold which show the 3rd example of 4th Embodiment provided in the lower metal mold, respectively.

【図25】第4の実施形態の第4の具体例における短い
直線状の凹部の複数列が千鳥状に配列された下金型の上
面図である。
FIG. 25 is a top view of a lower mold in which a plurality of rows of short linear concave portions are arranged in a staggered manner in a fourth specific example of the fourth embodiment.

【図26】第4の実施形態の第5の具体例における小円
状の凹部の複数個が千鳥状に配列された下金型の上面図
である。
FIG. 26 is a top view of a lower mold in which a plurality of small circular concave portions are arranged in a staggered manner in a fifth specific example of the fourth embodiment.

【図27】第4の実施形態の第6の具体例における直線
状の凹部と小さな凹部とを有する下金型の上面図であ
る。
FIG. 27 is a top view of a lower mold having a linear concave portion and a small concave portion in a sixth specific example of the fourth embodiment.

【図28】互いに係合する凸部,凹部を上金型,下金型
にそれぞれ設けると共に、上金型に真空引き溝を設けた
第4の実施形態の第7の具体例を示す断面図である。
FIG. 28 is a cross-sectional view showing a seventh specific example of the fourth embodiment in which convex portions and concave portions that engage with each other are provided in an upper mold and a lower mold, respectively, and a vacuum drawing groove is provided in the upper mold. It is.

【図29】第5の実施形態における樹脂封止方法を示す
断面図である。
FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating a resin sealing method according to a fifth embodiment.

【図30】第6の実施形態における封止テープを連続的
に供給する装置を付設した樹脂封止装置および樹脂封止
工程を示す斜視図である。
FIG. 30 is a perspective view showing a resin sealing device provided with a device for continuously supplying a sealing tape in a sixth embodiment and a resin sealing step.

【図31】第6の実施形態における樹脂封止工程中の1
つの工程を示す断面図である。
FIG. 31 shows a state during a resin sealing step in the sixth embodiment.
It is sectional drawing which shows one process.

【図32】封止テープに張力を付与しない状態で樹脂封
止工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面
図、および形成される樹脂封止体の断面図である。
FIG. 32 is a cross-sectional view showing a state in a sealing die when a resin sealing step is performed in a state where tension is not applied to the sealing tape, and a cross-sectional view of a formed resin sealing body.

【図33】封止テープに張力を付与した状態で樹脂封止
工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、
および形成される樹脂封止体の断面図である。
FIG. 33 is a cross-sectional view showing a state in a sealing mold when a resin sealing step is performed with tension applied to the sealing tape;
FIG. 3 is a cross-sectional view of a formed resin sealing body.

【図34】裏面側に外部電極を有するタイプの従来の樹
脂封止型半導体装置の平面図及び断面図である。
FIG. 34 is a plan view and a cross-sectional view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device of a type having an external electrode on the back surface side.

【図35】外部電極にボール電極を設けてスタンドオフ
高さを確保した従来の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
FIG. 35 is a cross-sectional view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device in which ball electrodes are provided on external electrodes to secure a stand-off height.

【図36】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
けるリードフレームを用意する工程を示す断面図であ
る。
FIG. 36 is a cross-sectional view showing a step of preparing a lead frame in a manufacturing step of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図37】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
けるダイパッド上に半導体チップを接合する工程を示す
断面図である。
FIG. 37 is a cross-sectional view showing a step of bonding a semiconductor chip onto a die pad in a manufacturing process of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図38】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
ける金属細線を形成する工程を示す断面図である。
FIG. 38 is a cross-sectional view showing a step of forming a thin metal wire in a manufacturing process of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図39】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
ける樹脂封止工程を示す断面図である。
FIG. 39 is a cross-sectional view showing a resin sealing step in a manufacturing process of a conventional resin-sealed semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

12 インナーリード 13 ダイパッド 14 吊りリード 15 半導体チップ 16 金属細線 17 封止樹脂 18 外部電極 19 ディプレス部 20 リードフレーム 21 封止テープ 101 インナーリード 102 半導体チップ 103 ダイパッド 105 金属細線 106 封止テープ 107 封止樹脂 112a 上金型 112b 下金型 113 真空引き穴 114 真空引き溝 115 彫り込み部 116 連結溝 117 真空引き溝 118 真空引き溝 121a 上金型 121b 下金型 122 クランパ 123 バネ 124 半導体製品成型部(ダイキャビティ) 125 封止テープ 126 駆動装置 131a 上金型 131b 下金型 134 半導体製品成型部(ダイキャビティ) 135 封止テープ 139 凸部 141 凹部 142 ロール 144 封止樹脂流通路 146 真空引き溝 147 治具 151a 上金型 151b 下金型 152 封止テープ 153 リードフレーム 154a 樹脂タブレット 154b 樹脂カル 155 樹脂封止型半導体装置 156a 巻き出しロール 156b 巻き取りロール 158 ピストン 159 回転ロール 160 半導体製品成形部 161 封止樹脂流通路 DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 Inner lead 13 Die pad 14 Suspended lead 15 Semiconductor chip 16 Fine metal wire 17 Sealing resin 18 External electrode 19 Depressed part 20 Lead frame 21 Sealing tape 101 Inner lead 102 Semiconductor chip 103 Die pad 105 Thin metal wire 106 Sealing tape 107 Sealing Resin 112a Upper mold 112b Lower mold 113 Vacuum evacuation hole 114 Vacuum evacuation groove 115 Engraved part 116 Connection groove 117 Vacuum evacuation groove 118 Vacuum evacuation groove 121a Upper die 121b Lower die 122 Clamper 123 Spring 124 Semiconductor product molding part (die) Cavity) 125 sealing tape 126 drive device 131a upper die 131b lower die 134 semiconductor product molding part (die cavity) 135 sealing tape 139 convex part 141 concave part 142 roll 144 sealing tree Flow path 146 Vacuum groove 147 Jig 151a Upper die 151b Lower die 152 Sealing tape 153 Lead frame 154a Resin tablet 154b Resin cul 155 Resin sealed semiconductor device 156a Unwind roll 156b Take-up roll 158 Piston 159 Rotating roll 160 semiconductor product molding section 161 sealing resin flow passage

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成11年3月15日[Submission date] March 15, 1999

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【書類名】 明細書[Document Name] Statement

【発明の名称】 樹脂封止型半導体装置の製造方法およ
びその製造装置
Patent application title: Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device and apparatus for manufacturing the same

【特許請求の範囲】[Claims]

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップ及び
リードフレームを封止樹脂で封止した樹脂封止型半導体
装置の製造方法及びその製造装置に関するものであり、
特にその一部を封止樹脂から露出させるようにしたもの
の改良に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device in which a semiconductor chip and a lead frame are sealed with a sealing resin, and an apparatus for manufacturing the same.
In particular, the present invention relates to an improvement in a part of which is exposed from a sealing resin.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化に対応するため
に、電子機器に搭載される半導体部品を高密度に実装す
ることが要求され、それにともなって、半導体部品の小
型、薄型化が進んでいる。
2. Description of the Related Art In recent years, in order to cope with miniaturization of electronic equipment, it has been required to mount semiconductor components mounted on electronic equipment at a high density, and accordingly, semiconductor parts have been reduced in size and thickness. In.

【0003】以下、従来の樹脂封止型半導体装置につい
て説明する。
A conventional resin-sealed semiconductor device will be described below.

【0004】図34(a)は、従来の樹脂封止型半導体
装置の平面図であり、図34(b)は、従来の樹脂封止
型半導体装置の断面図である。
FIG. 34A is a plan view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device, and FIG. 34B is a cross-sectional view of the conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【0005】図34(a),(b)に示すように、従来
の樹脂封止型半導体装置は、裏面側に外部電極を有する
タイプの樹脂封止型半導体装置である。
As shown in FIGS. 34 (a) and 34 (b), a conventional resin-encapsulated semiconductor device is of a type having external electrodes on the back side.

【0006】従来の樹脂封止型半導体装置は、インナー
リード201と、ダイパッド202と、そのダイパッド
202を支持する吊りリード203とよりなるリードフ
レームとを備えている。そして、ダイパッド202上に
半導体チップ204が接着剤により接合されており、半
導体チップ204の電極パッド(図示せず)とインナー
リード201とは、金属細線205により電気的に接続
されている。そして、ダイパッド202,半導体チップ
204,インナーリード201,吊りリード203及び
金属細線205は封止樹脂6により封止されている。こ
の構造では、インナーリード201の裏面側には封止樹
脂206は存在せず、インナーリード201の裏面側は
露出されており、この露出面を含むインナーリード20
1の下部が外部電極207となっている。
A conventional resin-encapsulated semiconductor device includes a lead frame including an inner lead 201, a die pad 202, and a suspension lead 203 for supporting the die pad 202. The semiconductor chip 204 is bonded on the die pad 202 with an adhesive, and the electrode pad (not shown) of the semiconductor chip 204 and the inner lead 201 are electrically connected by the thin metal wire 205. The die pad 202, the semiconductor chip 204, the inner lead 201, the suspension lead 203, and the thin metal wire 205 are sealed with the sealing resin 6. In this structure, the sealing resin 206 does not exist on the back side of the inner lead 201, and the back side of the inner lead 201 is exposed.
The lower part of 1 is an external electrode 207.

【0007】なお、図34(a)は、封止樹脂206を
透明体として扱い、半導体装置の内部を透過して示して
いるが、図中、半導体チップ204は破線で示し、金属
細線205は図示を省略している。
In FIG. 34A, the sealing resin 206 is treated as a transparent body, and the inside of the semiconductor device is shown transparently. In the figure, the semiconductor chip 204 is shown by a broken line, and the thin metal wire 205 is shown. Illustration is omitted.

【0008】また、従来においては、プリント基板等の
実装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する場合に、外
部電極と実装基板の電極との接合において必要な封止樹
脂206の裏面からのスタンドオフ高さを確保するため
に、図35に示すように、外部電極207に対して、半
田からなるボール電極209を設け、ボール電極209
によりスタンドオフ高さを確保して、実装基板上に実装
していた。
Conventionally, when a resin-encapsulated semiconductor device is mounted on a mounting board such as a printed board, a stand from the back surface of a sealing resin 206 required for bonding an external electrode to an electrode of the mounting board. In order to secure the off-height, as shown in FIG. 35, a ball electrode 209 made of solder is provided for the external electrode 207, and the ball electrode 209 is formed.
In this case, the stand-off height is secured, and the semiconductor device is mounted on the mounting board.

【0009】次に、従来の樹脂封止型半導体装置の製造
方法について、図面を参照しながら説明する。図36〜
図39は、従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程を示
す断面図である。
Next, a method for manufacturing a conventional resin-encapsulated semiconductor device will be described with reference to the drawings. FIG.
FIG. 39 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【0010】まず、図36に示すように、インナーリー
ド201、ダイパッド202を有するリードフレーム2
10を用意する。なお、図中、ダイパッド202は吊り
リードによって支持されているものであるが、吊りリー
ドの図示は省略している。また、吊りリードにはディプ
レス部が形成され、ダイパッド202はアップセットさ
れている。なお、このリードフレーム210には、樹脂
封止の際、封止樹脂の流出を止めるタイバーが設けられ
ていない。
First, as shown in FIG. 36, a lead frame 2 having an inner lead 201 and a die pad 202 is provided.
Prepare 10 Although the die pad 202 is supported by suspension leads in the drawing, illustration of the suspension leads is omitted. A depressed portion is formed on the suspension lead, and the die pad 202 is set up. The lead frame 210 is not provided with a tie bar for stopping the flow of the sealing resin during resin sealing.

【0011】次に、図37に示すように、用意したリー
ドフレームのダイパッド202の上に半導体チップ20
4を接着剤により接合する。この工程は、いわゆるダイ
ボンド工程である。
Next, as shown in FIG. 37, the semiconductor chip 20 is placed on the die pad 202 of the prepared lead frame.
4 is bonded with an adhesive. This step is a so-called die bonding step.

【0012】そして、図38に示すように、ダイパッド
202上に接合された半導体チップ204とインナーリ
ード201とを金属細線205により電気的に接続す
る。この工程は、いわゆるワイヤーボンド工程である。
金属細線205には、アルミニウム細線、金(Au)線
などが適宜用いられる。
Then, as shown in FIG. 38, the semiconductor chip 204 bonded on the die pad 202 and the inner lead 201 are electrically connected by the thin metal wire 205. This step is a so-called wire bonding step.
As the thin metal wire 205, an aluminum thin wire, a gold (Au) wire, or the like is appropriately used.

【0013】次に、図39に示すように、ダイパッド2
02,半導体チップ204,インナーリード201,吊
りリード及び金属細線205を封止樹脂206により封
止する。この場合、半導体チップ204が接合されたリ
ードフレームが封止金型内に収納されて、トランスファ
ーモールドされるが、特にインナーリード201の裏面
が封止金型の上金型又は下金型に接触した状態で、樹脂
封止が行なわれる。
Next, as shown in FIG.
02, the semiconductor chip 204, the inner leads 201, the suspension leads, and the fine metal wires 205 are sealed with a sealing resin 206. In this case, the lead frame to which the semiconductor chip 204 is bonded is housed in the sealing mold and is transfer-molded. In particular, the back surface of the inner lead 201 contacts the upper mold or the lower mold of the sealing mold. In this state, resin sealing is performed.

【0014】最後に、樹脂封止後に封止樹脂206から
外方に突出しているインナーリード201の先端部21
1を切断する。この切断工程により、切断後のインナー
リード201の先端面と封止樹脂6の側面とがほぼ同じ
面上にあるようになり、インナーリード201の下部が
外部電極207となる。
Finally, the tip 21 of the inner lead 201 projecting outward from the sealing resin 206 after the resin sealing.
Cut 1 By this cutting step, the tip surface of the inner lead 201 after cutting and the side surface of the sealing resin 6 are substantially on the same plane, and the lower part of the inner lead 201 becomes the external electrode 207.

【0015】そして、従来の樹脂封止型半導体装置の製
造工程では、樹脂封止工程で、封止樹脂206がインナ
ーリード201の裏面側に回り込んで、樹脂バリ(樹脂
のはみ出し分)を形成する場合があることから、通常
は、樹脂封止工程の後、インナーリード201の切断工
程の前に、樹脂バリを吹き飛ばすためのウォータージェ
ット工程を導入している。
In the conventional manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device, the sealing resin 206 goes around the back surface of the inner lead 201 in the resin encapsulation process to form a resin burr (protruding portion of the resin). For this reason, a water jet process for blowing off resin burrs is usually introduced after the resin sealing process and before the cutting process of the inner lead 201.

【0016】なお、必要に応じて、図35に示すよう
に、外部電極207の下面上に半田からなるボール電極
を形成し、樹脂封止型半導体装置とする。また、半田ボ
ールのかわりに半田メッキ層を形成する場合もあった。
If necessary, as shown in FIG. 35, a ball electrode made of solder is formed on the lower surface of the external electrode 207 to obtain a resin-sealed semiconductor device. In some cases, a solder plating layer is formed instead of a solder ball.

【0017】[0017]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
樹脂封止型半導体装置では、半導体装置の裏面におい
て、外部電極207の下面と封止樹脂206との面がほ
ぼ同じ面上にあるので、封止樹脂206からのスタンド
オフ高さが得られない。そのために、半田等からなるボ
ール電極209を設けて、実装基板上に実装しなければ
ならず、効率的な実装を行なうことができないという課
題があった。
However, in the conventional resin-encapsulated semiconductor device, since the lower surface of the external electrode 207 and the surface of the encapsulating resin 206 are on substantially the same surface on the back surface of the semiconductor device, The stand-off height from the stop resin 206 cannot be obtained. For this purpose, a ball electrode 209 made of solder or the like must be provided and mounted on a mounting board, and there has been a problem that efficient mounting cannot be performed.

【0018】また、従来の樹脂封止型半導体装置の製造
方法の樹脂封止工程においては、半導体チップが接合さ
れたリードフレームを封止金型内に収納し、下金型の面
にインナーリードを押圧して密着させて、樹脂封止して
いるが、それでも封止樹脂がインナーリードの裏面側に
回り込んで、外部電極の表面に樹脂バリ(樹脂のはみ出
し分)が発生するという課題があった。
In the resin sealing step of the conventional method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, a lead frame to which a semiconductor chip is bonded is housed in a sealing die, and an inner lead is provided on the surface of the lower die. Is pressed and brought into close contact with each other to seal the resin. However, there is still a problem that the sealing resin wraps around the back surface of the inner lead, and resin burrs (protrusions of the resin) are generated on the surface of the external electrode. there were.

【0019】そこで、従来は、外部電極207上の樹脂
バリ206aを吹き飛ばすためにウォータージェット工
程を導入していたが、このようなウォータージェット工
程には多大の手間を要し、樹脂封止型半導体装置の量産
工程における工程削減等の工程の簡略化の要請に反す
る。つまり、樹脂バリの発生は、そのような工程の簡略
化のための大きな阻害要因となっていた。また、ウォー
タージェット工程によって、樹脂バリだけでなく柔らか
い金属メッキも剥がれるという品質上の大きな問題が発
生するおそれもあった。
Therefore, conventionally, a water jet process has been introduced to blow off the resin burrs 206a on the external electrodes 207. However, such a water jet process requires a great deal of labor, and a resin-encapsulated semiconductor. Contrary to the demand for simplification of steps such as reduction of steps in the mass production process of the apparatus. In other words, the occurrence of resin burrs has been a major obstacle to simplifying such a process. In addition, the water jet process may cause a serious quality problem that not only resin burrs but also soft metal plating is peeled off.

【0020】本発明の目的は、樹脂封止工程において、
リードフレームの裏面への樹脂バリの発生を抑制し、あ
るいは外部電極の封止樹脂からのスタンドオフ高さを確
保しうる手段を講ずるとともに、そのような構造を有し
ながら外観や特性の良好な樹脂封止型半導体装置を得る
ための樹脂封止型半導体装置の製造方法及びその製造装
置を提供することである。
An object of the present invention is to provide a resin sealing step
Suppressing the occurrence of resin burrs on the back surface of the lead frame, or taking measures to secure the stand-off height from the sealing resin of the external electrode, and having good appearance and characteristics while having such a structure An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device for obtaining a resin-sealed semiconductor device and an apparatus for manufacturing the same.

【0021】[0021]

【課題を解決するための手段】本発明の基本的な樹脂封
止型半導体装置の製造方法は、請求項1に記載されてい
るように、封止テープに対して半導体チップが搭載され
たリードフレームの裏面を貼付し、かつ少なくとも前記
リードフレームのインナーリードの下面に前記封止テー
プを密着させる工程と、複数の真空引き穴を有した第1
の金型と第2の金型とよりなる封止金型において、前記
封止テープが貼付されたリードフレームに対して樹脂封
止し、少なくとも前記リードフレームの半導体チップが
搭載された上面領域を樹脂封止する工程と、前記リード
フレームの裏面に貼付した前記封止テープを除去する工
程とよりなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であっ
て、前記樹脂封止する工程は、前記封止金型の第2の金
型により前記インナーリードを前記封止テープに対して
押圧するとともに、封止金型の第1の金型には複数列で
構成した溝と、それら溝内に複数の真空引き穴が設けら
れた第1の金型を用い、樹脂封止の際、前記複数列の溝
の内、最外列の溝から順に内側に前記真空引き穴により
真空引きして、前記封止テープを均一に延ばした状態で
前記封止金型に封止樹脂を流し込んで樹脂封止するもの
である。
According to a first aspect of the present invention, a semiconductor chip is mounted on a sealing tape.
Affixed the back of the lead frame, and at least
Place the sealing tab on the underside of the inner lead of the lead frame.
And a first step having a plurality of vacuum holes.
In a sealing mold comprising a mold and a second mold,
Resin-sealed lead frame with sealing tape
And at least the semiconductor chip of the lead frame is
A step of sealing the mounted upper surface area with a resin, and
Step of removing the sealing tape attached to the back of the frame
A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device comprising:
Then, the step of resin sealing is performed by using a second mold of the sealing mold.
Depending on the mold, the inner lead is
While pressing, the first mold of the sealing mold
The configured grooves and multiple vacuum holes in the grooves
When the resin is sealed using the first mold, the plurality of rows of grooves are formed.
Of the grooves, in order from the outermost row of grooves to the inside,
After vacuuming, with the sealing tape uniformly spread
Injecting a sealing resin into the sealing mold to perform resin sealing
It is.

【0022】この方法により、リードフレームのうち封
止樹脂から確実に露出させたい部分がある場合に、第2
の工程でリードフレームのその部分に封止テープを密着
させておくことで、その部分が確実に封止樹脂から露出
した構造が実現する。そして、リードフレームのその部
分に樹脂バリが形成されることもないので、従来必要と
なっていたウォータージェット等の工程を不要とするこ
とができるので、製造工程の簡略化を図ることができ
る。また、この方法により、まず、封止テープが最外方
の溝に引っ張られて引き延ばされた後、封止テープがさ
らに内方の溝に引っ張られるので、より大きくかつ均一
な張力を封止テープに与えることができる。
According to this method, when there is a portion of the lead frame that is to be reliably exposed from the sealing resin, the second
In this step, the sealing tape is brought into close contact with the portion of the lead frame , thereby realizing a structure in which the portion is reliably exposed from the sealing resin. Further, since no resin burr is formed on that portion of the lead frame , a process such as a water jet which has been conventionally required can be omitted, and thus the manufacturing process can be simplified. Also, by this method, first, the sealing tape is
After being stretched by being pulled into the groove of the
Larger and more uniform as it is pulled into the inner groove
High tension can be applied to the sealing tape.

【0023】請求項2に記載されているように、第1の
金型と第2の金型とよりなる封止金型と半導体チップを
搭載したリードフレームとを用意する第1の工程と、封
止テープを前記リードフレームの表面の一部に密着させ
ながら前記封止金型に装着する第2の工程と、前記封止
テープに張力を与えながら封止テープを装着した状態で
前記半導体チップおよび前記リードフレームの少なくと
も前記表面の一部を除く部分を封止樹脂内に封止する第
3の工程とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造方
法であって、前記第1の工程では、封止金型の第1の金
型または第2の金型の少なくともいずれか一方の金型に
ダイキャビティを有し、前記ダイキャピティを挟む少な
くとも2カ所の領域に前記封止テープを挟持するための
クランパを設けておき、前記第3の工程では、前記クラ
ンパによって前記封止テープを固定しておくことによ
り、前記封止テープに張力を与えるものである。
As described in claim 2, the first
The sealing die and the semiconductor chip comprising the die and the second die
A first step of preparing a mounted lead frame;
A stop tape is adhered to a part of the surface of the lead frame.
A second step of attaching to the sealing die while sealing
With the sealing tape attached while applying tension to the tape
At least the semiconductor chip and the lead frame
Also, a portion of the surface except for a part of the surface is sealed in a sealing resin.
Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device having three steps
Wherein the first step comprises the steps of:
At least one of the mold and the second mold
It has a die cavity and has a small
For sandwiching the sealing tape in at least two areas
In the third step, a clamper is provided.
By fixing the sealing tape with a damper
That is, tension is applied to the sealing tape.

【0024】この方法により、クランパに挟持されてい
ることによって封止テープに張力が与えられる。
According to this method, the clamper
This provides tension to the sealing tape.

【0025】請求項3に記載されているように、上記ク
ランパによって封止テープに張力を与えるようにした樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、封止テープを
挟持するためのクランパに対して、封止テープが引き延
ばされる方向に付勢する付勢手段をさらに設けておくこ
とにより、封止テープに張力を与えることができる。
According to a third aspect of the present invention ,
In a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which a tension is applied to a sealing tape by a lamper,
The sealing tape stretches against the clamper for clamping.
A biasing means for biasing in the direction
Thus, tension can be applied to the sealing tape .

【0026】この方法により、付勢手段の付勢力によっ
て、より大きな張力を封止テープに与えることができ
る。
According to this method, the urging force of the urging means is
Thus, a greater tension can be applied to the sealing tape.

【0027】請求項4に記載されているように、上記
ランパによって封止テープに張力を与えるようにした樹
脂封止型半導体装置の製造方法において、第2の工程の
前には、クランパにより、封止金型とは離れた場所で封
止テープを保持しておき、前記第2の工程では、前記ク
ランパとともに前記封止テープを前記封止金型の位置ま
で移動させることができる。
According to a fourth aspect of the present invention ,
In the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device in which a sealing tape is applied with tension by a lamper , the second step
Before, use a clamper to seal away from the sealing mold.
Holding the stop tape, and in the second step,
Put the sealing tape together with the ramper to the position of the sealing mold.
In moves can Rukoto.

【0028】この方法により、樹脂封止の前の長時間の
間、封止テープが封止金型の熱と張力とによって過剰に
引き延ばされるのを防止することができる。
According to this method, a long time before the resin sealing is performed.
The sealing tape is excessively high due to the heat and tension of the sealing mold.
Stretching can be prevented.

【0029】請求項5に記載されているように、第1の
金型および第2の金型の少なくともいずれか一方にダイ
キャビティを有し、かつ、互いに係合する少なくとも1
対の凸部および凹部を前記第1の金型,第2の金型の前
記ダイキャビティを挟む少なくとも2カ所の領域におい
て有する封止金型を準備しておき、第3の工程では、前
記第1の金型および第2の金型が接近したときに、前記
凸部と凹部とが係合することにより封止テープに張力を
付与することができる。
[0029] As described in claim 5, the first
A die in at least one of the mold and the second mold.
At least one having a cavity and engaging each other
The pair of protrusions and recesses are placed in front of the first mold and the second mold.
At least two areas sandwiching the die cavity
In the third step, the sealing mold is prepared.
When the first mold and the second mold approach,
Tension is applied to the sealing tape by the engagement between the convex and concave portions.
Can be granted .

【0030】この方法により、第1の金型と第2の金型
とが接近して凸部−凹部が係合すると、封止テープがそ
の係合部分に引き込まれることによって封止テープに張
力が与えられる。
According to this method, the first mold and the second mold
When the protrusions and recesses engage with each other, the sealing tape is
Tension on the sealing tape by being pulled into the engaging part of
Power is given.

【0031】請求項6に記載されているように、上記
部−凹部の係合によって封止テープに張力を与えるよう
にした樹脂封止型半導体装置の製造方法において、第1
の工程では、凸部および凹部は互いに係合長さが異な
り、かつその係合長さは最外方の凸部および凹部ほど大
きい複数対だけ設けておき、第3の工程では、最外方の
凸部および凹部の係合により引き延ばされた封止テープ
が、その内方の凸部および凹部の係合によりさらに引き
延ばされるように封止テープに張力を付与することがで
きる。
According to a sixth aspect of the present invention, the projection
Part - The method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device which is to give a tension to the seal tape by engagement of the recess, the first
In the step, the protrusions and the recesses have different engagement lengths from each other.
And the engagement length is larger for the outermost convex portions and concave portions.
In the third step, the outermost
Sealing tape stretched by engagement of convex and concave portions
Is further pulled by the engagement of the convex and concave portions on the inside.
Can you to apply tension to the seal tape as extended.

【0032】この方法により、第1の金型と第2の金型
とが接近すると、最外方の凸部及び凹部の係合により引
き延ばされた封止テープが、その内方の凸部及び凹部の
係合によりさらに引き延ばされることで、大きくかつ均
一な張力を封止テープに与えることができる。
According to this method, the first mold and the second mold
When they approach each other, they are pulled by the engagement of the outermost convex and concave portions.
The extended sealing tape is
Larger and evener due to further stretching by engagement
One tension can be applied to the sealing tape .

【0033】請求項7に記載されているように、上記樹
脂封止型半導体装置の製造方法おいて、封止テープを複
数枚使用することができる。
According to a seventh aspect of the present invention, in the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, the encapsulation tape is used in a plurality.
Several pieces can be used .

【0034】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造装置
は、請求項8に記載されているように、樹脂封止型半導
体装置の製造工程における樹脂封止工程で使用される第
1の金型および第2の金型からなり第1の金型または第
2の金型の少なくともいずれか一方にダイキャビティを
有する封止金型と、前記樹脂封止型半導体装置の表面の
一部を封止樹脂から露出させるための封止テープに張力
を与えるための張力付与手段とを備えている樹脂封止型
半導体装置の製造装置であって、前記張力付与手段は、
前記ダイキャビティを挟む少なくとも2カ所の領域に設
けられ、前記封止テープを挟持するためのクランパであ
る樹脂封止型半導体装置の製造装置である。
An apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to the present invention.
Is a resin-sealed semi-conductor as described in claim 8
Used in the resin sealing process in the manufacturing process of the body device
A first mold or a second mold comprising a first mold and a second mold.
Die cavity in at least one of mold 2
Having a sealing mold and a surface of the resin-sealed semiconductor device.
Tension on the sealing tape to expose part of the sealing resin
Resin mold having tension applying means for applying pressure
An apparatus for manufacturing a semiconductor device, wherein the tension applying means includes:
At least two areas sandwiching the die cavity
And a clamper for holding the sealing tape.
This is an apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device.

【0035】これにより、樹脂封止時にクランパで封止
テープを挟持しておくことで、封止テープに張力を与え
ることができる。
Thus, sealing with a clamper at the time of resin sealing is performed.
By holding the tape, tension can be applied to the sealing tape .

【0036】請求項9に記載されているように、クラン
パは、封止テープを少なくとも2方向以上に延伸させる
ように移動する機能を有する。
According to a ninth aspect of the present invention,
PA stretches the sealing tape in at least two directions.
Have the function of moving.

【0037】これにより、封止テープにより大きな張力
を与えることができる。
As a result, a larger tension is applied to the sealing tape.
Can be given .

【0038】請求項10に記載されているように、上記
クランパを備えた樹脂封止型半導体装置の製造装置にお
いて、クランパに対して、封止テープが引き延ばされる
方向に付勢する付勢手段をさらに備えることが好まし
い。
As described in claim 10, the above
For manufacturing equipment for resin-encapsulated semiconductor devices with clampers
And the sealing tape is stretched against the clamper
Preferably, the apparatus further comprises a biasing means for biasing in the direction.
No.

【0039】請求項11に記載されているように、上記
クランパを備えた樹脂封止型半導体装置の製造装置にお
いて、クランパは、封止テープを保持しつつ、封止金型
とは離れた場所から前記封止金型の位置まで移動できる
機能を有することもできる。
[0039] As described in claim 11, the above
For manufacturing equipment for resin-encapsulated semiconductor devices with clampers
The clamper holds the sealing tape while holding the sealing mold.
Can be moved to a position of the sealing mold from a place away from
It can also have functions .

【0040】これにより、封止テープを封止金型の熱に
長時間の間さらすことがないので、封止テープが過剰に
引き延ばされるのを回避することができる。
Thus, the sealing tape is exposed to the heat of the sealing mold.
Excessive sealing tape due to no long-term exposure
Stretching can be avoided .

【0041】請求項12に記載されているように、樹脂
封止型半導体装置の製造装置は、樹脂封止型半導体装置
の製造工程における樹脂封止工程で使用される第1の金
型および第2の金型からなり第1の金型または第2の金
型の少なくともいずれか一方にダイキャビティを有する
封止金型と、前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を
封止樹脂から露出させるための封止テープに張力を与え
るための張力付与手段とを備えている樹脂封止型半導体
装置の製造装置であって、前記張力付与手段は、前記第
1の金型,第2の金型において前記ダイキャビティを挟
む少なくとも2カ所の領域に設けられた互いに係合する
少なくとも1対の凸部および凹部である樹脂封止型半導
体装置の製造装置である。
According to a twelfth aspect, a resin
The manufacturing device for the encapsulated semiconductor device is a resin-encapsulated semiconductor device.
Gold used in the resin encapsulation step in the manufacturing process
A first mold or a second mold comprising a mold and a second mold
At least one of the molds has a die cavity
A sealing mold and a part of the surface of the resin-sealed semiconductor device;
Apply tension to the sealing tape to expose it from the sealing resin.
-Sealed semiconductor provided with tension applying means for
An apparatus for manufacturing an apparatus, wherein the tension applying means is configured to
The die cavity is sandwiched between the first mold and the second mold.
Engaging with each other provided in at least two areas
At least one pair of convex and concave portions, a resin-sealed semiconductor
It is an apparatus for manufacturing a body device.

【0042】これにより、樹脂封止時に第1の金型と第
2の金型とが接近すると、凸部と凹部の係合部に封止テ
ープが引っ張り込まれるので、封止テープに張力を与え
ことができる。
Thus, the first mold and the second
When the mold 2 approaches, the sealing te
Tensioning the sealing tape as the
It is possible that.

【0043】請求項13に記載されているように、上記
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凸部および凹部は互いに係
合長さが異なるような複数対だけ設け、その係合長さは
外方の凸部及び凹部ほど大きくしておくことができる。
As described in claim 13, the above
In an apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having a projection and a recess engaged with each other , the projection and the recess are related to each other.
Only a plurality of pairs with different combined lengths are provided, and the engagement length is
The larger the convex portions and concave portions on the outside, the larger it can be.

【0044】これにより、最外方の係合部から順次封止
テープに張力を与えることができるので、より大きくか
つ均一な張力を封止テープに与えることができる。
Thus, sealing is performed sequentially from the outermost engaging portion.
The tape can be tensioned so it can be larger
A uniform tension can be applied to the sealing tape.

【0045】請求項14に記載されているように、上記
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、第1の金型または第2の金
型のダイキャビティは複数個設けられており、凸部およ
び凹部は、全てのダイキャビティを挟む外方領域と、前
記各ダイキャビティ間の内方領域とに配置することがで
きる。
As described in claim 14, the above
Resin-sealed semi-conductor with convex and concave engaging with each other
In the apparatus for manufacturing a body device, the first mold or the second mold
The mold has multiple die cavities,
The recesses and recesses are the outer area sandwiching all die cavities and
Serial can it to arranged on the inner area between the die cavity.

【0046】請求項15に記載されているように、上記
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凸部または凹部の壁面に
は、滑り止めのための粗面処理を施しておくことが好ま
しい。
As described in claim 15, the above
In a manufacturing apparatus of a resin-encapsulated semiconductor device having a convex portion and a concave portion which engage with each other, the wall surface of the convex portion or the concave portion
Should be roughened to prevent slippage.
New

【0047】これにより、凸部−凹部間の係合部に封止
テープを引っ張り込む作用を確実に奏することができ
る。
As a result, the engagement portion between the convex portion and the concave portion is sealed.
The effect of pulling the tape can be reliably achieved .

【0048】請求項16に記載されているように、上記
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凸部または凹部の壁面は滑
りにくい材質で構成しておくことが好ましい。
As described in claim 16, the above
In an apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device having a projection and a recess engaged with each other, the wall surface of the projection or the recess is smooth.
It is preferable to use a hard-to-react material.

【0049】これによっても、凸部−凹部間の係合部に
封止テープを引っ張り込む作用を確実に奏することがで
きる。
[0049] Also I'm in this, the convex portion - the engaging portion between the recess
The effect of pulling the sealing tape can be reliably achieved .

【0050】請求項17に記載されているように、上記
互いに係合する凸部および凹部を備えた樹脂封止型半導
体装置の製造装置において、凹部には、真空引き装置に
連結された真空穴を形成しておくこともできる。
[0050] As described in claim 17, the above
In a manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device provided with a convex portion and a concave portion which engage with each other , the concave portion includes an evacuation device.
A connected vacuum hole may be formed in advance.

【0051】これにより、凸部−凹部間の係合による引
っ張り力に加えて真空引きによる引っ張り力によって封
止テープに張力を与えることができる。
As a result, the pull by the engagement between the convex portion and the concave portion is achieved.
Sealed by pulling force by vacuuming in addition to pulling force
The stop tape can be tensioned.

【0052】請求項18に記載されているように、樹
封止型半導体装置の製造装置において、第1または第2
の金型のうちいずれか一方における樹脂封止型半導体装
置の表面の一部に対向する領域には、彫り込み部を設け
ておくこともできる。
[0052] As described in claim 18, in the manufacturing apparatus of the tree Aburafutome type semiconductor device, the first or second
Resin-molded semiconductor device in one of the molds
Engraved area is provided in the area facing part of the surface of the
You can keep it.

【0053】これにより、樹脂封止時に封止テープを彫
り込み部の方に逃すことができるので、押圧力による封
止テープの凹み量を調整できる。すなわち、上記一部の
封止樹脂からの突出量を彫り込み部の深さによって調整
することができる。
Thus, the sealing tape is engraved when sealing the resin.
It can be released to the insertion part.
The dent amount of the stop tape can be adjusted. That is, some of the above
The amount of protrusion from the sealing resin is adjusted by the depth of the engraved part
It can be.

【0054】請求項19に記載されているように、樹脂
封止型半導体装置の製造装置は、樹脂封止型半導体装置
の製造工程における樹脂封止工程で使用される第2の金
型および第1の金型からなり第2の金型または第1の金
型の少なくともいずれか一方にダイキャビティを有する
封止金型と、前記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を
封止樹脂から露出させるための封止テープに張力を与え
るための張力付与手段とを備えている樹脂封止型半導体
装置の製造装置であって、張力付与手段は、前記第2の
金型および第1の金型の少なくともいずれか一方におい
て前記ダイキャビティを挟む領域に設けられ、真空引き
装置に連通されて前記封止テープを吸引するための真空
引き用凹部であり、前記真空引き用凹部は、前記ダイキ
ャビティの周囲に設けられた複数の溝と前記複数の溝の
うち最外方の溝にのみ形成された真空引き装置に連通す
る真空穴とである樹脂封止型半導体装置の製造装置であ
る。
As described in claim 19, the resin
The manufacturing device for the encapsulated semiconductor device is a resin-encapsulated semiconductor device.
Gold used in the resin sealing step in the manufacturing process of
A second mold or a first mold comprising a mold and a first mold
At least one of the molds has a die cavity
A sealing mold and a part of the surface of the resin-sealed semiconductor device;
Apply tension to the sealing tape to expose it from the sealing resin.
-Sealed semiconductor provided with tension applying means for
An apparatus for manufacturing an apparatus, wherein the tension applying means includes the second
At least one of the mold and the first mold
Provided in the area sandwiching the die cavity, and evacuated.
Vacuum for communicating with the device and sucking the sealing tape
A pulling recess, wherein the vacuum pulling recess is
A plurality of grooves provided around the cavity and the plurality of grooves;
Communicate with the evacuation device formed only in the outermost groove
Manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device,
You.

【0055】これにより、最外方の溝から順に封止テー
プに張力を与えることができるので、より大きくかつ均
一な張力を封止テープに与えることができる。
As a result, the sealing tape is sequentially formed from the outermost groove.
Larger and evener
Can Rukoto given one tension in the sealing tape.

【0056】[0056]

【発明の実施の形態】まず、各実施形態に共通に適用で
きる本発明の樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
について説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a description will be given of a resin-sealed semiconductor device of the present invention, which can be applied to each embodiment, and a method of manufacturing the same.

【0057】図1(a)は、本発明に係る樹脂封止型半
導体装置の構造例を示す平面図であり、図1(b)は、
図1(a)に示すIb−Ib線における断面図である。ただ
し、図1(a)においては封止樹脂17を透明体として
扱い、半導体チップ15は破線で示す輪郭を有するもの
としており、金属細線16の図示は省略している。
FIG. 1A is a plan view showing an example of the structure of a resin-sealed semiconductor device according to the present invention, and FIG.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line Ib-Ib shown in FIG. However, in FIG. 1A, the sealing resin 17 is treated as a transparent body, the semiconductor chip 15 has a contour shown by a broken line, and illustration of the thin metal wire 16 is omitted.

【0058】図1(a)及び(b)に示すように、樹脂
封止型半導体装置は、インナーリード12と、半導体チ
ップを支持するためのダイパッド13と、そのダイパッ
ド13を支持するための吊りリード14とよりなるリー
ドフレームを備えている。そして、ダイパッド13上に
半導体チップ15が接着剤により接合されており、半導
体チップ15の電極パッド(図示せず)とインナーリー
ド12とは、金属細線16により互いに電気的に接続さ
れている。そして、インナーリード12,ダイパッド1
3,吊りリード14,半導体チップ15及び金属細線1
6は、封止樹脂17内に封止されている。また、ダイパ
ッド13は、インナーリード12に対して上方に位置す
るように、吊りリード14のディプレス部19によりア
ップセットされている。そのため、封止樹脂17により
封止された状態では、封止樹脂17がダイパッド13の
裏面側にも薄く存在している。インナーリード12の下
面側には封止樹脂17は存在せず、インナーリード12
の下面が露出されており、このインナーリード12の下
面が実装基板との接続面となる。すなわち、インナーリ
ード12の下部が外部電極18となっている。また、こ
の外部電極18には本来的に樹脂封止工程における樹脂
のはみ出し部分である樹脂バリが存在せず、かつこの外
部電極18は封止樹脂17の裏面よりも下方に少し突出
している。このような樹脂バリの存在しないかつ下方に
突出した外部電極18の構造は、後述する製造方法によ
って容易に実現できる。
As shown in FIGS. 1A and 1B, the resin-encapsulated semiconductor device has an inner lead 12, a die pad 13 for supporting a semiconductor chip, and a suspension for supporting the die pad 13. A lead frame including the leads 14 is provided. The semiconductor chip 15 is bonded on the die pad 13 with an adhesive, and the electrode pads (not shown) of the semiconductor chip 15 and the inner leads 12 are electrically connected to each other by the thin metal wires 16. Then, the inner lead 12 and the die pad 1
3. Suspended lead 14, semiconductor chip 15, and thin metal wire 1
6 is sealed in a sealing resin 17. The die pad 13 is set up by the depress portion 19 of the suspension lead 14 so as to be located above the inner lead 12. Therefore, in a state where the sealing resin 17 is sealed, the sealing resin 17 also exists thinly on the back surface side of the die pad 13. The sealing resin 17 does not exist on the lower surface side of the inner lead 12.
Is exposed, and the lower surface of the inner lead 12 serves as a connection surface with the mounting substrate. That is, the lower part of the inner lead 12 is the external electrode 18. In addition, the external electrode 18 does not inherently have a resin burr which is a portion of the resin protruding in the resin sealing step, and the external electrode 18 slightly protrudes below the back surface of the sealing resin 17. Such a structure of the external electrode 18 having no resin burr and projecting downward can be easily realized by a manufacturing method described later.

【0059】このような樹脂封止型半導体装置では、イ
ンナーリード12の側方にはアウターリードが存在せ
ず、インナーリード12の下部が外部電極18となって
いるので、半導体装置の小型化を図ることができる。し
かも、インナーリード12の下面つまり外部電極18の
下面には樹脂バリが存在していないので、実装基板の電
極との接合の信頼性が向上する。また、外部電極18が
封止樹脂17の面より突出して形成されているため、実
装基板に樹脂封止型半導体装置を実装する際の外部電極
と実装基板の電極との接合において、外部電極18のス
タンドオフ高さが予め確保されていることになる。した
がって、外部電極18をそのまま外部端子として用いる
ことができ、従来のように、実装基板への実装のために
外部電極18に半田ボールを付設する必要はなく、製造
工数、製造コスト的に有利となる。
In such a resin-encapsulated semiconductor device, the outer lead does not exist on the side of the inner lead 12 and the lower portion of the inner lead 12 serves as the external electrode 18, so that the size of the semiconductor device can be reduced. Can be planned. In addition, since no resin burr exists on the lower surface of the inner lead 12, that is, on the lower surface of the external electrode 18, the reliability of bonding with the electrode of the mounting board is improved. Further, since the external electrode 18 is formed so as to protrude from the surface of the sealing resin 17, when the resin-sealed semiconductor device is mounted on the mounting substrate, the external electrode 18 is bonded to the electrode of the mounting substrate. Is secured in advance. Therefore, the external electrode 18 can be used as an external terminal as it is, and it is not necessary to attach a solder ball to the external electrode 18 for mounting on the mounting board as in the conventional case, which is advantageous in terms of man-hour and manufacturing cost. Become.

【0060】次に、樹脂封止型半導体装置の製造方法に
ついて、図面を参照しながら説明する。図2〜図7は、
本発明の樹脂封止型半導体装置の製造工程の一例を示す
断面図である。
Next, a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device will be described with reference to the drawings. 2 to 7
It is sectional drawing which shows an example of the manufacturing process of the resin sealing type semiconductor device of this invention.

【0061】まず、図2に示す工程で、インナーリード
12と、半導体チップを支持するためのダイパッド13
とが設けられているリードフレーム20を用意する。図
中、ダイパッド13は吊りリードによって支持されてい
るが、この断面には現れないために図示されていない。
また、吊りリードにはディプレス部が形成され、ダイパ
ッド13はインナーリード12の面よりも上方にアップ
セットされているものである。さらに、用意するリード
フレーム20は、樹脂封止の際、封止樹脂の流出を止め
るタイバーを設けていないリードフレームである。
First, in a step shown in FIG. 2, an inner lead 12 and a die pad 13 for supporting a semiconductor chip are formed.
Is prepared. In the figure, the die pad 13 is supported by suspension leads, but is not shown because it does not appear in this cross section.
A depressed portion is formed in the suspension lead, and the die pad 13 is set up above the surface of the inner lead 12. Furthermore, the prepared lead frame 20 is a lead frame which does not have a tie bar for stopping outflow of the sealing resin during resin sealing.

【0062】次に、図3に示す工程で、用意したリード
フレームのダイパッド上に半導体チップ15を載置し
て、接着剤により両者を互いに接合する。この工程は、
いわゆるダイボンド工程である。なお、半導体チップを
支持する部材としてはリードフレームに限定されるもの
ではなく、他の半導体チップを支持できる部材、例えば
TABテープ、基板を用いてもよい。
Next, in the step shown in FIG. 3, the semiconductor chip 15 is placed on the die pad of the prepared lead frame, and the two are joined to each other with an adhesive. This step is
This is a so-called die bonding process. The member for supporting the semiconductor chip is not limited to the lead frame, and a member that can support another semiconductor chip, for example, a TAB tape or a substrate may be used.

【0063】そして、図4に示す工程で、ダイパッド1
3上に接合した半導体チップ15とインナーリード12
とを金属細線16により電気的に接合する。この工程
は、いわゆるワイヤーボンド工程である。金属細線とし
ては、アルミニウム細線、金(Au)線などを適宜選択
して用いることができる。また、半導体チップ15とイ
ンナーリード12との電気的な接続は、金属細線16を
介してでなくバンプなどを介して行なってもよい。
Then, in the step shown in FIG.
3 and the semiconductor chip 15 and the inner lead 12
Are electrically connected by the thin metal wire 16. This step is a so-called wire bonding step. As the thin metal wire, an aluminum thin wire, a gold (Au) wire, or the like can be appropriately selected and used. Further, the electrical connection between the semiconductor chip 15 and the inner leads 12 may be performed not through the thin metal wires 16 but through bumps or the like.

【0064】次に、図5に示す工程で、リードフレーム
のダイパッド13上に半導体チップ15が接合された状
態で、インナーリード12の裏面側に封止テープ21を
貼り付ける。
Next, in the step shown in FIG. 5, a sealing tape 21 is attached to the back surface of the inner lead 12 with the semiconductor chip 15 bonded to the die pad 13 of the lead frame.

【0065】この封止テープ21は、特にインナーリー
ド12の裏面側に樹脂封止時に封止樹脂が回り込まない
ようにするマスク的な役割を果たさせるためのものであ
り、この封止テープ21の存在によって、インナーリー
ド12の裏面に樹脂バリが形成されるのを防止すること
ができる。このインナーリード12等に貼り付ける封止
テープ21は、ポリエチレンテレフタレート,ポリイミ
ド,ポリカーボネートなどを主成分とする樹脂をベース
としたテープであり、樹脂封止後は容易に剥がすことが
でき、また樹脂封止時における高温環境に耐性があるも
のであればよい。ここでは、ポリエチレンテレフタレー
トを主成分としたテープを用い、厚みは50[μm]と
した。
The sealing tape 21 serves as a mask for preventing the sealing resin from flowing around the resin, especially when sealing the resin on the rear surface side of the inner lead 12. Can prevent resin burrs from being formed on the back surface of the inner lead 12. The sealing tape 21 to be attached to the inner leads 12 and the like is a tape based on a resin containing polyethylene terephthalate, polyimide, polycarbonate, or the like as a main component, and can be easily peeled off after resin sealing. Any material that can withstand the high-temperature environment at the time of stoppage may be used. Here, a tape containing polyethylene terephthalate as a main component was used, and the thickness was 50 [μm].

【0066】なお、ここでは、この封止テープ21は、
リードフレームのインナーリード12の面にのみ密着し
た状態でリードフレームの裏面側全体に亘って貼り付け
られており、吊りリードのディプレス部によりアップセ
ットされたダイパッド13の裏面には密着していない
が、ダイパッド13の裏面に密着させ、樹脂封止工程の
後に封止テープ21を剥がすことでダイパッド13の裏
面を露出させ、放熱特性の向上をねらってもよい。
Here, the sealing tape 21 is
It is adhered to the entire back surface of the lead frame in a state of being in close contact with only the surface of the inner lead 12 of the lead frame, and is not in close contact with the back surface of the die pad 13 upset by the depressed portion of the suspension lead. However, the rear surface of the die pad 13 may be exposed by bringing the sealing tape 21 into close contact with the rear surface of the die pad 13 and peeling off the sealing tape 21 after the resin sealing step, thereby improving the heat radiation characteristics.

【0067】次に、図6に示す工程で、半導体チップ1
5が接合され、封止テープ21が貼り付けられたリード
フレームを金型内に収納し、金型内に封止樹脂17を流
し込んで樹脂封止を行う。この際、インナーリード12
の裏面側に封止樹脂17が回り込まないように、金型で
リードフレームのインナーリード12の先端部分22を
下方に押圧して、樹脂封止する。また、インナーリード
12の裏面側の封止テープ21面を金型面側に押圧して
樹脂封止を行う。
Next, in the step shown in FIG.
5, the lead frame to which the sealing tape 21 is attached is housed in a mold, and the sealing resin 17 is poured into the mold to perform resin sealing. At this time, the inner lead 12
The distal end portion 22 of the inner lead 12 of the lead frame is pressed downward with a metal mold so as to prevent the sealing resin 17 from wrapping around the rear surface of the lead frame. In addition, the surface of the sealing tape 21 on the back surface side of the inner lead 12 is pressed toward the mold surface side to perform resin sealing.

【0068】最後に、図7に示す工程で、インナーリー
ド12の裏面に貼付した封止テープ21をピールオフに
より除去し、封止樹脂17の裏面より突出した外部電極
18を形成する。そして、インナーリード12の先端部
22を、インナーリード12の先端面と封止樹脂17の
側面とがほぼ同一面になるように切り離すことにより、
図7に示すような樹脂封止型半導体装置が完成される。
Finally, in the step shown in FIG. 7, the sealing tape 21 adhered to the back surface of the inner lead 12 is removed by peeling off to form the external electrode 18 projecting from the back surface of the sealing resin 17. Then, by separating the distal end portion 22 of the inner lead 12 such that the distal end surface of the inner lead 12 and the side surface of the sealing resin 17 are substantially flush with each other,
A resin-sealed semiconductor device as shown in FIG. 7 is completed.

【0069】図8は、外部電極18の部分を拡大して示
す樹脂封止型半導体装置の部分裏面図である。同図に示
すように、ここでは、封止テープ21をリードフレーム
の裏面に貼付した樹脂封止工程を行なっているので、イ
ンナーリード12の裏面や側面、すなわち外部電極18
の表面上における樹脂バリの発生を防止することができ
る。また、従来の製造方法のごとく、封止樹脂17が外
部電極18の表面に回り込み、外部電極18の一部が封
止樹脂17内に埋没することを防止することができる。
FIG. 8 is a partial rear view of the resin-encapsulated semiconductor device, showing the external electrode 18 in an enlarged manner. As shown in the figure, since the resin sealing step in which the sealing tape 21 is adhered to the back surface of the lead frame is performed here, the back surface and the side surface of the inner lead 12, that is, the external electrode 18
Of resin burrs on the surface of the substrate can be prevented. Further, it is possible to prevent the sealing resin 17 from going around the surface of the external electrode 18 and burying a part of the external electrode 18 in the sealing resin 17 as in the conventional manufacturing method.

【0070】以上のような製造方法では、樹脂封止工程
の前に予めインナーリード12の裏面に封止テープ21
を貼付しているので、封止樹脂17が回り込むことがな
く、外部電極となるインナーリード12の裏面には樹脂
バリの発生はない。したがって、インナーリードの下面
を露出させる従来の樹脂封止型半導体装置の製造方法の
ごとく、インナーリード上に形成された樹脂バリをウォ
ータージェットなどによって除去する必要はない。すな
わち、この樹脂バリを除去するための面倒な工程の削除
によって、樹脂封止型半導体装置の量産工程における工
程の簡略化が可能となる。また、従来、ウォータージェ
ットなどによる樹脂バリ除去工程において生じるおそれ
のあったリードフレームのニッケル(Ni),パラジウ
ム(Pd),金(Au)などの金属メッキ層の剥がれは
解消できる。そのため、樹脂封止工程前における各金属
層のプリメッキが可能となる。
In the above manufacturing method, the sealing tape 21 is applied to the back surface of the inner lead 12 before the resin sealing step.
Is adhered, so that the sealing resin 17 does not wrap around, and no resin burrs are generated on the back surface of the inner lead 12 serving as an external electrode. Therefore, unlike the conventional method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device that exposes the lower surface of the inner lead, it is not necessary to remove the resin burr formed on the inner lead by a water jet or the like. That is, by eliminating the troublesome process for removing the resin burr, the process in the mass production process of the resin-encapsulated semiconductor device can be simplified. In addition, the peeling of the metal plating layer of nickel (Ni), palladium (Pd), gold (Au) or the like on the lead frame, which may have conventionally occurred in the resin burr removal step using a water jet or the like, can be eliminated. Therefore, pre-plating of each metal layer before the resin sealing step can be performed.

【0071】加えて、以上の製造方法によって形成され
た外部電極18は、封止樹脂17より突出しているの
で、従来のように半田ボールを付設することなく、外部
電極18をそのまま外部端子として用いることができ
る。
In addition, since the external electrode 18 formed by the above-described manufacturing method protrudes from the sealing resin 17, the external electrode 18 is used as an external terminal without attaching a solder ball as in the related art. be able to.

【0072】なお、図6に示すように、樹脂封止工程に
おいては、溶融している封止樹脂の熱によって封止テー
プ21が軟化するとともに熱収縮するので、インナーリ
ード12が封止テープ21に大きく食い込み、インナー
リード12の裏面と封止樹脂17の裏面との間には段差
が形成される。したがって、インナーリード12の裏面
は封止樹脂17の裏面から突出した構造となり、インナ
ーリード12の下部である外部電極18のスタンドオフ
高さを確保できる。そのため、この突出した外部電極1
8をそのまま外部端子として用いることができることに
なる。
As shown in FIG. 6, in the resin sealing step, the sealing tape 21 is softened and thermally contracted by the heat of the molten sealing resin. And a step is formed between the back surface of the inner lead 12 and the back surface of the sealing resin 17. Therefore, the back surface of the inner lead 12 has a structure protruding from the back surface of the sealing resin 17, and the stand-off height of the external electrode 18 below the inner lead 12 can be secured. Therefore, this protruding external electrode 1
8 can be used as it is as an external terminal.

【0073】また、インナーリード12の裏面と封止樹
脂17の裏面との間の段差の大きさは、封止工程前に貼
付した封止テープ21の厚みによりコントロールするこ
とができる。本発明では、50[μm]の封止テープ2
1を用いているので、段差の大きさつまり外部電極18
の突出量は、一般的にはその半分程度であり最大50
[μm]である。すなわち、封止テープ21がインナー
リード12の裏面よりも上方に入り込む量が封止テープ
21の厚さ分で定まることから、外部電極18の突出量
を封止テープ21の厚みによりセルフコントロールで
き、製造の容易化を図ることができる。この外部電極1
8の突出量を管理するためには、量産工程で封止テープ
21の厚みを管理するだけでよく、別工程を設ける必要
がないので、本発明の製造方法は、工程管理のコスト上
きわめて有利な方法である。なお、貼付する封止テープ
21については、所望とする段差の大きさに合わせて、
材質の硬度、厚み、および熱による軟化性を決定するこ
とができる。
The size of the step between the back surface of the inner lead 12 and the back surface of the sealing resin 17 can be controlled by the thickness of the sealing tape 21 applied before the sealing step. In the present invention, the sealing tape 2 of 50 [μm] is used.
1, the size of the step, that is, the external electrode 18
Is generally about half of that, with a maximum of 50
[Μm]. That is, since the amount of the sealing tape 21 entering above the back surface of the inner lead 12 is determined by the thickness of the sealing tape 21, the protrusion amount of the external electrode 18 can be self-controlled by the thickness of the sealing tape 21, Manufacturing can be facilitated. This external electrode 1
In order to control the amount of protrusion of 8, it is only necessary to control the thickness of the sealing tape 21 in the mass production process, and there is no need to provide a separate process. Therefore, the manufacturing method of the present invention is extremely advantageous in cost of process control. It is a way. In addition, about the sealing tape 21 to stick, according to the magnitude | size of a desired step,
The hardness, thickness, and softening property of the material due to heat can be determined.

【0074】なお、図1(b)に示すように、上記樹脂
封止型半導体装置において、ダイパッド13の裏面側に
封止樹脂17が存在しているものの、その厚みはダイパ
ッド13のアップセット量に等しく極めて薄い。したが
って、この樹脂封止型半導体装置は、実質的には片面封
止型の半導体装置である。
As shown in FIG. 1B, in the above resin-encapsulated semiconductor device, although the encapsulating resin 17 exists on the back surface side of the die pad 13, the thickness of the encapsulating resin 17 is Very thin. Therefore, the resin-sealed semiconductor device is substantially a single-sided sealed semiconductor device.

【0075】なお、ここでは、樹脂封止工程前に予め封
止テープ21をリードフレームのインナーリード12の
下面に貼付した例を示したが、このような貼り付ける方
法ではなく、封止テープ21を封止金型にセットし、そ
の上にリードフレーム12を密着させてもよい。この場
合は、後述するように、封止テープの封止金型へのリー
ル供給が可能となり、さらなる工程の合理化となる。
Here, an example is shown in which the sealing tape 21 is attached to the lower surface of the inner lead 12 of the lead frame before the resin sealing step. However, the sealing tape 21 is not used. May be set in a sealing mold, and the lead frame 12 may be adhered thereon. In this case, as described later, the supply of the sealing tape to the sealing die can be performed, thereby further streamlining the process.

【0076】なお、ここでは、リードフレームの裏面に
封止テープを貼付して樹脂封止を行なう製造方法の例を
示したが、本発明の方法は、リードフレームを備えてい
る半導体装置に限定されるものではない。本発明の基本
的な概念である樹脂封止工程で封止テープを用いる方法
は、広く半導体チップを搭載し、樹脂封止される部材を
有する半導体装置の樹脂封止工程に適用できるものであ
り、TABタイプ、基板タイプなどの半導体装置の樹脂
封止工程に適用できる。
Here, an example of a manufacturing method in which a sealing tape is adhered to the back surface of a lead frame to perform resin sealing has been described. However, the method of the present invention is limited to a semiconductor device having a lead frame. It is not something to be done. The method of using a sealing tape in the resin sealing step, which is a basic concept of the present invention, is widely applicable to the resin sealing step of a semiconductor device having a semiconductor chip mounted thereon and having a member to be resin-sealed. It can be applied to a resin sealing process for semiconductor devices of a TAB type, a substrate type, and the like.

【0077】以下、本発明の各実施形態について説明す
る。以下の各実施形態では、樹脂封止型半導体装置のシ
ワの発生を防止するための樹脂封止方法と樹脂封止装置
とについて、図面を参照しながら説明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described. In the following embodiments, a resin sealing method and a resin sealing device for preventing generation of wrinkles in a resin-sealed semiconductor device will be described with reference to the drawings.

【0078】(第1の実施形態)次に、真空引きによっ
て封止テープに張力を与え、シワをなくすようにした第
1の実施形態に係る各具体例について説明する。
(First Embodiment) Next, specific examples according to the first embodiment in which tension is applied to the sealing tape by vacuum evacuation to eliminate wrinkles will be described.

【0079】−第1の具体例− 図9(a)は、本実施形態の第1の具体例に係る樹脂封
止型半導体装置の製造方法で使用する封止用金型(下金
型)の平面図であり、図9(b)は図9(a)の中央線
における樹脂封止の状態を示す断面図である。
-First Specific Example- FIG. 9A shows a sealing die (lower die) used in a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to a first specific example of the present embodiment. 9B is a cross-sectional view showing a state of resin sealing along a center line in FIG. 9A.

【0080】図9(a),(b)に示すように、本実施
形態の樹脂封止型半導体装置の製造方法においては、ま
ず、インナーリード101とダイパッド103とを有す
るリードフレームを用意し、ダイパッド103上に半導
体チップ102をダイボンド材により接合させ、半導体
チップ102上の電極パッド(図示せず)とインナーリ
ード101とを金属細線105を介して電気的に接続す
る。また、上金型112aと、4カ所の真空引き穴11
3及び各真空引き穴113間を連通させるための真空引
き溝114を有する下金型112bとからなる封止金型
112を用意する。そして、封止金型112の下金型1
12bの上に封止テープ106を載置し、その上に半導
体チップ102が搭載されたリードフレームを載置す
る。この状態では、リードフレームのインナーリード1
01の裏面に封止テープ106が接触している。
As shown in FIGS. 9A and 9B, in the method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment, first, a lead frame having an inner lead 101 and a die pad 103 is prepared. The semiconductor chip 102 is bonded to the die pad 103 with a die bond material, and the electrode pads (not shown) on the semiconductor chip 102 and the inner leads 101 are electrically connected via the thin metal wires 105. In addition, the upper mold 112a and four evacuation holes 11 are provided.
3 and a lower mold 112b having an evacuation groove 114 for communicating between the evacuation holes 113 are prepared. Then, the lower mold 1 of the sealing mold 112
The sealing tape 106 is placed on the top 12b, and the lead frame on which the semiconductor chip 102 is mounted is placed thereon. In this state, the inner lead 1 of the lead frame
01 is in contact with the sealing tape 106.

【0081】次に、封止金型112の上金型112aと
下金型112bとを合わせる。この時、上金型112a
の周縁部の下面と封止テープ106の上面とが接触した
状態となる。そして、上金型112aを押圧するととも
に、真空引き装置(図示せず)により、下金型112b
に形成された4ケ所の真空引き穴113を介して封止テ
ープ106を金型内で4方向に真空引きし、均一に延ば
した状態を維持する。この状態で樹脂封止工程を行なう
ことにより、樹脂封止時の熱収縮による封止テープ10
6のシワ発生を防止することができる。その結果、樹脂
成形された樹脂封止型半導体装置の樹脂の裏面が平坦に
形成される。
Next, the upper mold 112a and the lower mold 112b of the sealing mold 112 are matched. At this time, the upper mold 112a
Is in contact with the upper surface of the sealing tape 106. Then, the upper mold 112a is pressed, and the lower mold 112b is pressed by a vacuuming device (not shown).
The sealing tape 106 is evacuated in four directions in the mold through the four evacuation holes 113 formed in the mold, and the uniformly extended state is maintained. By performing the resin sealing step in this state, the sealing tape 10 due to heat shrinkage during resin sealing is formed.
6 can be prevented from occurring. As a result, the back surface of the resin of the resin-molded resin-molded semiconductor device is formed flat.

【0082】以下、上述の封止テープのシワがなくなる
メカニズムについて、さらに詳細に説明する。樹脂封止
の際、封止テープ106が熱収縮を起こし、縮まろうと
する作用に対して、真空引き穴113から真空引きを行
なうことで、封止テープ106が各真空引き穴113の
方向に引っ張られる。このように、封止テープ106に
延張状態を与えることにより、封止テープ106の収縮
が抑制されて、シワの発生が防止される。したがって、
形成された樹脂封止型半導体装置の裏面において、封止
テープ106と接していた封止樹脂107の面が平坦に
なっている。
Hereinafter, the mechanism for eliminating the wrinkles of the sealing tape will be described in more detail. At the time of resin sealing, the sealing tape 106 undergoes thermal contraction and shrinks, so that the sealing tape 106 is pulled in the direction of each of the vacuum holes 113 by performing vacuum evacuation through the vacuum holes 113. Can be By giving the sealing tape 106 an extended state as described above, the contraction of the sealing tape 106 is suppressed, and the occurrence of wrinkles is prevented. Therefore,
On the back surface of the formed resin-encapsulated semiconductor device, the surface of the encapsulation resin 107 that has been in contact with the encapsulation tape 106 is flat.

【0083】また、封止金型112の下金型112b上
の真空引き穴113につながる真空引き溝114は、封
止テープ106の伸び率を考慮して、その溝の深さや幅
を形成することが望ましい。
The depth and width of the evacuation groove 114 connected to the evacuation hole 113 on the lower mold 112b of the sealing mold 112 are formed in consideration of the elongation of the sealing tape 106. It is desirable.

【0084】ただし、真空引き溝を設けずに、各真空引
き穴から個別に封止テープを引っ張ることによっても、
封止テープのシワの発生を防止する効果を発揮すること
ができる。
However, it is also possible to pull the sealing tape from each of the vacuum holes individually without providing the vacuum grooves.
The effect of preventing the generation of wrinkles in the sealing tape can be exhibited.

【0085】なお、本実施形態において、リードフレー
ムに半導体チップを接合し、ワイヤーボンドする方法に
ついては、従来と同様なため図面を用いた説明は省略し
ている。
In the present embodiment, the method of bonding a semiconductor chip to a lead frame and performing wire bonding is the same as the conventional method, so that the description using the drawings is omitted.

【0086】以上、本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法によれば、封止テープをリードフレーム等に
密着させて樹脂封止する際、封止金型内にほぼ均等な間
隔で設けた複数の真空引き穴を介して封止テープを吸着
し、その封止テープを均一に引っ張った状態で樹脂封止
することにより、封止テープの厚みが薄い場合、熱収縮
によるシワの発生が少なくでき、樹脂封止後の樹脂封止
型半導体装置の裏面の樹脂部が平坦に形成可能となる。
特に、真空引き溝を設けることにより、より均一な引っ
張り力を封止テープに与えることができる。
As described above, according to the method of manufacturing the resin-encapsulated semiconductor device of the present embodiment, when the encapsulation tape is brought into close contact with the lead frame or the like and is encapsulated with the resin, the encapsulation die is placed at substantially uniform intervals. When the sealing tape is sucked through a plurality of provided vacuum evacuation holes and sealed with a resin while the sealing tape is pulled uniformly, wrinkles due to heat shrinkage when the sealing tape is thin The resin portion on the back surface of the resin-sealed semiconductor device after resin sealing can be formed flat.
In particular, by providing the evacuation groove, a more uniform pulling force can be applied to the sealing tape.

【0087】なお、本実施形態の封止金型に真空引き穴
を形成して、この真空引き穴を介して封止テープを引っ
張りながら樹脂封止工程を行なう方法や後述の各実施形
態の方法は、上記図1(a),(b)に示す構造を有す
る半導体装置だけでなく、各種構造を有する半導体装置
にも適用できる。ただし、封止テープを上金型に密着さ
せる必要がある場合には、上金型に真空引き穴を形成
し、この真空引き穴を介して封止テープを引っ張ること
になる。
A method of forming a vacuum evacuation hole in the sealing mold of the present embodiment and performing a resin encapsulation step while pulling a sealing tape through the evacuation hole or a method of each embodiment described later. Can be applied not only to semiconductor devices having the structures shown in FIGS. 1A and 1B, but also to semiconductor devices having various structures. However, when the sealing tape needs to be brought into close contact with the upper mold, a vacuum hole is formed in the upper mold, and the sealing tape is pulled through the vacuum hole.

【0088】次に、上記第1の具体例の変形として、真
空引き溝又は真空引き穴を複数列設けた各種の具体例に
ついて説明する。
Next, as modifications of the first embodiment, various embodiments in which a plurality of rows of evacuation grooves or evacuation holes are provided will be described.

【0089】−第2の具体例− 図10は、3列の環状の真空引き溝114a,114
b,114cと、各真空引き溝114a,114b,1
14c内に形成された真空引き穴113a,113b,
113cとが設けられた第2の具体例に係る下金型11
2bの上面図である。このような場合、各真空引き穴1
13a,113b,113cから同時に真空引きを行な
ってもよいが、まず最外方の真空引き穴113aから真
空引きを行なって封止テープを引き延ばした後、中間の
真空引き穴113bから真空引きを行ない、最後に最内
方の真空引き穴113cから真空引きを行なうことで漸
次封止テープを強く引き延ばすというように、3段階の
真空引きを行なうようにしてもよい。この段階的な真空
引きを行なうことにより、より均一で大きな引っ張り力
を封止テープに印加することができるという利点があ
る。
FIG. 10 shows three rows of annular evacuation grooves 114a and 114.
b, 114c and each of the evacuation grooves 114a, 114b, 1
Vacuum evacuation holes 113a, 113b,
The lower mold 11 according to the second specific example provided with 113c.
It is a top view of 2b. In such a case, each evacuation hole 1
Vacuum evacuation may be performed simultaneously from 13a, 113b, and 113c, but first, evacuation is performed from the outermost evacuation hole 113a to extend the sealing tape, and then evacuation is performed from the intermediate evacuation hole 113b. Finally, three stages of evacuation may be performed such that the evacuation is performed from the innermost evacuation hole 113c to gradually elongate the sealing tape gradually. By performing this stepwise evacuation, there is an advantage that a more uniform and large tensile force can be applied to the sealing tape.

【0090】−第3の具体例− 図11は、3列の環状の真空引き溝114a,114
b,114cと、真空引き溝114a−114b間を連
結する連結溝116aと、真空引き溝114b−114
c間を連結する連結溝116bと、最外方の真空引き溝
114aに形成された真空引き穴113とが設けられた
第3の具体例に係る下金型112bの上面図である。こ
の場合、真空引き穴113から真空引きを行なうと、最
外方の溝114aから順次真空度が高くなる。したがっ
て、真空引きのタイミングをずらせるための制御を行な
わなくても、段階的な真空引きと同じ効果を発揮するこ
とができる。
-Third Specific Example- FIG. 11 shows three rows of annular evacuation grooves 114a and 114.
b, 114c, a connecting groove 116a connecting between the evacuation grooves 114a-114b, and an evacuation groove 114b-114.
It is a top view of the lower metal mold | die 112b which concerns on the 3rd specific example in which the connection groove 116b which connects between c and the evacuation hole 113 formed in the outermost evacuation groove 114a were provided. In this case, when the evacuation is performed through the evacuation hole 113, the degree of vacuum is sequentially increased from the outermost groove 114a. Therefore, the same effect as stepwise evacuation can be exerted without performing control for shifting the evacuation timing.

【0091】−第4の具体例− 図12は、短辺方向に延びる3列の直線状の真空引き溝
117a,117b,117cと、各真空引き溝117
a,117b,117c内に形成された真空引き穴11
3a,113b,113cとが設けられた第4の具体例
に係る下金型112bの上面図である。図12に示す構
造によっても、封止テープに引っ張り力を与えることが
できる。その場合、上述のように、最外方の真空引き穴
113aから順次3段階の真空引きを行ってもよい。あ
るいは、図11に示すような連結溝を設け、最外方の真
空引き溝117aに真空引き穴を形成して、この真空引
き穴から真空引きを行なってもよい。いずれの場合に
も、上記環状の真空引き溝を設けた構造について説明し
たと同様の効果を発揮することができる。
Fourth Specific Example FIG. 12 shows three rows of linearly evacuated grooves 117a, 117b, 117c extending in the short side direction, and each of the evacuated grooves 117.
a, 117b, 117c
It is a top view of the lower metal mold | die 112b which concerns on the 4th example provided with 3a, 113b, 113c. The structure shown in FIG. 12 can also apply a tensile force to the sealing tape. In this case, as described above, three stages of evacuation may be sequentially performed from the outermost evacuation hole 113a. Alternatively, a connection groove as shown in FIG. 11 may be provided, a vacuum hole may be formed in the outermost vacuum groove 117a, and vacuum may be evacuated from this vacuum hole. In any case, the same effect as described for the structure provided with the annular evacuation groove can be exerted.

【0092】−第5の具体例− 図13は、長辺方向に延びる3列の直線状の真空引き溝
118a,118b,118cと、各真空引き溝118
a,118b,118c内に形成された真空引き穴11
3a,113b,113cとが設けられた第5の具体例
に係る下金型112bの上面図である。図13に示す構
造によっても、封止テープに引っ張り力を与えることが
できる。その場合、上述のように、外方の真空引き穴1
13aから順次2段階の真空引きを行ってもよい。ある
いは、図11に示すような連結溝を設け、外方の真空引
き溝117aに真空引き穴を形成して、この真空引き穴
から真空引きを行なってもよい。いずれの場合にも、上
記環状の真空引き溝を設けた構造について説明したと同
様の効果を発揮することができる。
Fifth Specific Example FIG. 13 shows three rows of evacuation grooves 118a, 118b and 118c extending in the long side direction, and the evacuation grooves 118.
a, 118b, 118c
It is a top view of the lower metal mold | type 112b which concerns on the 5th example provided with 3a, 113b, and 113c. With the structure shown in FIG. 13, a pulling force can be applied to the sealing tape. In that case, as described above, the outer evacuation hole 1
The evacuation in two stages may be performed sequentially from 13a. Alternatively, a connection groove as shown in FIG. 11 may be provided, a vacuum hole may be formed in the outer vacuum groove 117a, and vacuum may be evacuated from this vacuum hole. In any case, the same effect as described for the structure provided with the annular evacuation groove can be exerted.

【0093】なお、上記実施形態では、下金型112b
に真空引き溝や真空引き穴を設けた例について説明した
が、上金型112aに真空引き溝や真空引き穴を設けて
もよいことはいうまでもない。さらに、上金型112a
及び下金型112bの双方に真空引き溝や真空引き穴を
設けてもよい。
In the above embodiment, the lower mold 112b
Although the example in which the vacuum groove and the vacuum hole are provided is described above, it goes without saying that the upper mold 112a may be provided with the vacuum groove and the vacuum hole. Further, the upper mold 112a
In addition, both the lower mold 112b and the lower mold 112b may be provided with a vacuum groove or a vacuum hole.

【0094】(第2の実施形態)次に、本発明の第2の
実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造方法につい
て説明する。本実施形態では、特にインナーリードの下
方において封止テープに加わる押圧力を逃すための工夫
について説明する。図14は、本実施形態に係る樹脂封
止型半導体装置の製造方法における樹脂封止状態を示す
断面である。また、図15は、本実施形態で用いられる
下金型112bの上面図である。
(Second Embodiment) Next, a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, a device for releasing the pressing force applied to the sealing tape particularly below the inner lead will be described. FIG. 14 is a cross-sectional view illustrating a resin-sealed state in the method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the present embodiment. FIG. 15 is a top view of the lower mold 112b used in the present embodiment.

【0095】図14及び図15において、上記第1の実
施形態と同じ部材については、図9(b)と同じ符号を
付してその説明を省略する。本実施形態では、上述の第
1の実施形態における図9(b)に示す構造に加えて、
下金型112bの上面のうちインナーリード101の下
方に位置する領域には、彫り込み部115が所望とする
深さで形成されている。インナーリード101の下方に
彫り込み部115を有する下金型112bを用いること
により、樹脂封止の際、封止テープ106の一部がその
彫り込み部115に逃げ込むので、各インナーリード1
01間に形成されやすい深い溝を浅く抑制することがで
きる。さらには、インナーリード101の側面部と封止
樹脂107との密着面積を多くすることができ、インナ
ーリード101と封止樹脂107との密着強度を増大さ
せることができる。
In FIGS. 14 and 15, the same members as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as in FIG. 9B, and description thereof is omitted. In the present embodiment, in addition to the structure shown in FIG. 9B in the first embodiment,
In a region located below the inner lead 101 on the upper surface of the lower mold 112b, a carved portion 115 is formed with a desired depth. By using the lower mold 112b having a carved portion 115 below the inner lead 101, a part of the sealing tape 106 escapes into the carved portion 115 during resin sealing.
It is possible to suppress a deep groove which is easily formed between the layers 01 to shallow. Further, the adhesion area between the side surface of the inner lead 101 and the sealing resin 107 can be increased, and the adhesion strength between the inner lead 101 and the sealing resin 107 can be increased.

【0096】ここで、彫り込み部115の深さは、封止
テープ106の厚みに応じて適宜定められる。封止テー
プ106の厚み以上であると、インナーリード101に
ほとんど圧力が加わらないので、樹脂封止工程の終了後
におけるインナーリード101の突出量がほとんどなく
なる。一方、彫り込み部115の深さが0に近くなる
と、上述のようにインナーリード101の突出量が大き
くなりすぎて、本実施形態の実効が図れないと同時に、
各インナーリード101間に深い溝が出現しやすくな
る。それで、封止テープ106が25μm前後のとき
は、彫り込み部115はほとんど必要ないが、封止テー
プの厚みが30μm〜80μm程度の場合には、封止テ
ープ106の厚みと彫り込み部115の深さとの差が2
5μm前後であることが好ましい。
Here, the depth of the engraved portion 115 is appropriately determined according to the thickness of the sealing tape 106. When the thickness is equal to or greater than the thickness of the sealing tape 106, almost no pressure is applied to the inner leads 101, and thus the amount of protrusion of the inner leads 101 after the resin sealing step is almost eliminated. On the other hand, when the depth of the engraved portion 115 is close to 0, the protrusion amount of the inner lead 101 becomes too large as described above, and the effect of the present embodiment cannot be achieved.
Deep grooves are likely to appear between the inner leads 101. Therefore, when the sealing tape 106 is about 25 μm, the engraved portion 115 is almost unnecessary, but when the thickness of the sealing tape is about 30 μm to 80 μm, the thickness of the sealing tape 106 and the depth of the engraved portion 115 Is 2
It is preferably about 5 μm.

【0097】また、上記彫り込み部を設ける構造は、本
実施形態だけではなく、既に説明した各実施形態及び後
述の各実施形態にも適用できるものである。
The structure in which the engraved portion is provided can be applied not only to the present embodiment but also to the embodiments already described and the embodiments described later.

【0098】(第3の実施形態)次に、封止テープに引
っ張り力を印加するために、封止テープを両側から引っ
張りながら樹脂封止工程を行なうようにした第3の実施
形態について、図16〜図21を参照しながら説明す
る。
(Third Embodiment) Next, in order to apply a pulling force to the sealing tape, a third embodiment in which a resin sealing step is performed while pulling the sealing tape from both sides will be described. This will be described with reference to FIGS.

【0099】−第1の具体例− 図16(a),(b)は、上金型にクランパを設け、ク
ランパによって封止テープに引っ張り力を与えるように
した第1の具体例を示す平面図及び断面図である。図1
6(a),(b)に示すように、樹脂封止型半導体装置
の封止装置および封止金型は、上金型121aと、上金
型121aに設置されたクランパ122aと、下金型1
21bと、下金型121bに設けられた半導体製品成型
部124(ダイキャビティ)と、封止テープ125と、
上金型121aと下金型121bとの間に圧力を印加す
るための駆動装置126よりなり、封止テープ125が
上金型121aの下面とクランパ122aとの間に挟ま
れて固定される構造となっている。なお、下金型121
bには、クランパ122aとの緩衝を回避するための逃
げ部が設けられている。
-First Specific Example- FIGS. 16 (a) and 16 (b) are plan views showing a first specific example in which a clamper is provided on an upper mold and a pulling force is applied to the sealing tape by the clamper. It is a figure and a sectional view. FIG.
As shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b), the sealing device and the sealing mold of the resin-encapsulated semiconductor device are an upper mold 121a, a clamper 122a installed on the upper mold 121a, and a lower mold. Type 1
21b, a semiconductor product molding part 124 (die cavity) provided in the lower mold 121b, a sealing tape 125,
A structure in which a drive device 126 for applying pressure between the upper mold 121a and the lower mold 121b is provided, and the sealing tape 125 is sandwiched and fixed between the lower surface of the upper mold 121a and the clamper 122a. It has become. The lower mold 121
The b has a relief portion for avoiding a buffer with the clamper 122a.

【0100】−第2の具体例− 以下の具体例における図17〜図21において、図16
(a),(b)に示す部材と同じ部材については、同じ
符号を付して説明を省略する。
-Second Specific Example- In FIGS. 17 to 21 in the following specific examples, FIG.
The same members as those shown in (a) and (b) are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted.

【0101】図17(a),(b)は、金型121a,
121bの外方にクランパ122bを設け、このクラン
パ122bが金型121a,121bとは独立して移動
できるように構成した第2の具体例を示す平面図及び断
面図である。
FIGS. 17A and 17B show a mold 121a,
It is the top view and sectional drawing which show the 2nd specific example which comprised the clamper 122b provided outside 121b, and this clamper 122b was able to move independently of metallic molds 121a and 121b.

【0102】−第3の具体例− 図18(a),(b)は、金型の外方に長辺方向に延び
るクランパ122cを設け、このクランパ122cが金
型121a,121bとは独立して移動できるように構
成した第3の具体例を示す平面図及び断面図である。
-Third Specific Example- FIGS. 18A and 18B show a case where a clamper 122c is provided outside the mold and extends in the long side direction, and the clamper 122c is independent of the molds 121a and 121b. FIGS. 9A and 9B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a third specific example configured to be able to be moved.

【0103】−第4の具体例− 図19(a),(b)は、金型121a,121bの外
方に金型121a,121bの周囲を取り囲む環状のク
ランパ122dを設け、このクランパ122dが金型1
21a,121bとは独立して移動できるように構成し
た第4の具体例を示す平面図及び断面図である。
-Fourth Specific Example- FIGS. 19A and 19B show an annular clamper 122d surrounding the dies 121a and 121b provided outside the dies 121a and 121b. Mold 1
It is the top view and sectional drawing which show the 4th specific example comprised so that it could move independently of 21a, 121b.

【0104】−第5の具体例− 図20は、金型121a,121bの外方に第2の具体
例と同じ構造を有するクランパ122bを設け、このク
ランパ122bが金型121a,121bとは独立して
移動できるように構成するとともに、クランパ122b
を短辺方向に平行な方向かつ外方に付勢するバネ123
を設けた第5の具体例を示す平面図である。なお、各ク
ランパ122bに2つのバネを設け、クランパ122b
を四方に付勢するように構成してもよい。
FIG. 20 shows a clamper 122b having the same structure as that of the second embodiment outside the dies 121a and 121b. The clamper 122b is independent of the dies 121a and 121b. And the clamper 122b
123 for urging the outside in a direction parallel to the short side direction
It is a top view which shows the 5th specific example in which was provided. In addition, two springs are provided for each clamper 122b,
May be biased in all directions.

【0105】−第6の具体例− 図21は、金型121a,121bの外方に長辺方向に
延びる第3の具体例と同じ構造を有するクランパ122
cを設け、このクランパ122cが金型121a,12
1bとは独立して移動できるように構成するとともに、
クランパ122cを短辺方向に平行な方向かつ外方に付
勢するバネ123を設けた第6の具体例を示す平面図で
ある。
Sixth Specific Example FIG. 21 shows a clamper 122 having the same structure as the third specific example extending outwardly of the dies 121a and 121b in the long side direction.
c, and the clamper 122c is
1b and can be moved independently.
FIG. 18 is a plan view showing a sixth specific example in which a spring 123 for urging the clamper 122c outward in a direction parallel to the short side direction is provided.

【0106】−各具体例の効果− 上記図17〜図21に示すいずれの構造によっても、封
止テープ125に引っ張り力を与えることができ、樹脂
封止工程における封止テープ125のシワの発生、ひい
ては封止樹脂における凹凸模様の発生を防止することが
できる。特に、クランパを外方に付勢するバネが付設さ
れている場合には、より効果的に引っ張り力を封止テー
プに与えることができる。なお、クランパを外方に付勢
する手段としては、バネに限定されるものではなく、ゴ
ム等の他の弾性体を使用してもよいことはいうまでもな
い。
-Effects of Specific Examples- With any of the structures shown in FIGS. 17 to 21, a pulling force can be applied to the sealing tape 125, and wrinkling of the sealing tape 125 in the resin sealing step occurs. Consequently, it is possible to prevent the occurrence of an uneven pattern in the sealing resin. In particular, when a spring for urging the clamper outward is provided, the pulling force can be more effectively applied to the sealing tape. The means for urging the clamper outward is not limited to a spring, and it goes without saying that another elastic body such as rubber may be used.

【0107】また、上記第2〜第6の具体例において、
クランパを保持した機構が封止金型から離れた位置から
封止金型の近傍に移動できる機能を付加しておいて、封
止テープが上金型及び下金型の熱的な影響を受けない幾
分離れた場所でクランパにより挟み固定された後、上金
型121aあるいは下金型121bに供給されるように
してもよい。
In the second to sixth specific examples,
A function that allows the mechanism holding the clamper to move from a position away from the sealing mold to the vicinity of the sealing mold is added, and the sealing tape is affected by the thermal influence of the upper mold and the lower mold. After being clamped and fixed by the clamper at a place where it is not so separated, it may be supplied to the upper die 121a or the lower die 121b.

【0108】(第4の実施形態)次に、封止金型の上金
型と下金型とに、互いに係合する凹部と凸部とを設けて
おき、樹脂封止の際に封止テープをこの凹部と凸部の間
で挟むことにより、封止テープに引っ張り力を与えるよ
うにした実施形態である第4の実施形態の各具体例につ
いて、図22〜図27を参照しながら説明する。
(Fourth Embodiment) Next, a concave portion and a convex portion which are engaged with each other are provided in the upper mold and the lower mold of the sealing mold, and the sealing is performed when the resin is sealed. Each specific example of the fourth embodiment in which the tape is sandwiched between the concave portion and the convex portion to apply a pulling force to the sealing tape will be described with reference to FIGS. 22 to 27. I do.

【0109】−第1の具体例− 図22(a),(b)は、それぞれ本実施形態の第1の
具体例を示す斜視図及び断面図である。ただし、図22
(b)は、図22(a)に示す凸部139a及び凹部1
41aに直交する方向の中央部における断面図である。
図22(a),(b)に示すように、上金型131aに
は金型合わせ面から鉛直方向に突出した凸部139aが
形成されている一方、下金型131bには上金型131
aの凸部139aに係合可能な凹部141aが形成され
ている。下金型131bには、半導体製品成型部134
が設けられている。
-First Specific Example- FIGS. 22A and 22B are a perspective view and a sectional view, respectively, showing a first specific example of the present embodiment. However, FIG.
FIG. 22 (b) shows the convex portion 139a and the concave portion 1 shown in FIG.
It is sectional drawing in the center part of the direction orthogonal to 41a.
As shown in FIGS. 22 (a) and 22 (b), the upper mold 131a has a convex portion 139a projecting vertically from the mold mating surface, while the lower mold 131b has the upper mold 131.
A concave portion 141a that can be engaged with the convex portion 139a of FIG. The lower mold 131b includes a semiconductor product molding unit 134.
Is provided.

【0110】この構造によって、上金型131aが下方
に降ろされて下金型131bに近づくと、封止テープ1
35が互いに係合する凸部139aと凹部141aとの
間に挟まれる。上金型131aがさらに下方に降ろされ
ると、封止テープ135が凸部139aと凹部141a
との間に引き込まれていくので、封止テープ135が少
なくとも2方向以上に引き延ばされることになる。
With this structure, when the upper mold 131a is lowered and approaches the lower mold 131b, the sealing tape 1
35 are sandwiched between the convex portion 139a and the concave portion 141a which engage with each other. When the upper mold 131a is further lowered, the sealing tape 135 is moved to the convex portion 139a and the concave portion 141a.
, The sealing tape 135 is stretched in at least two directions.

【0111】−第2の具体例− 図23は、本実施形態の第2の具体例を示す上金型の下
面図である。この具体例では、上金型121aには直線
状ではなく曲線状の凸部139bが設けられている。ま
た、下金型の構造を示す図は省略するが、下金型にはこ
の凸部139bに係合可能な曲線状の凹部が設けられて
いる。このような構造によっても、上記第1の具体例と
同様の作用により、封止テーブを引き延ばすことができ
る。
-Second Specific Example- FIG. 23 is a bottom view of an upper mold showing a second specific example of the present embodiment. In this specific example, the upper mold 121a is provided with a convex portion 139b that is not linear but curved. Although the figure showing the structure of the lower mold is omitted, the lower mold is provided with a curved concave portion engageable with the convex portion 139b. Even with such a structure, the sealing tape can be elongated by the same operation as in the first specific example.

【0112】−第3の具体例− 図24(a),(b)は、それぞれ本実施形態の第3の
具体例を示す断面図及び下金型の上面図である。ただ
し、図24(a)は、図24(b)に示す凹部141c
に直交する方向の中央部における断面図である。この具
体例では、上金型131aには、金型合わせ面から鉛直
方向に突出した3列の凸部139cが形成されている。
ただし、この3列の凸部139cは、最外方から順に高
さが小さくなっている。一方、下金型131bには上金
型131aの凸部139cが係合可能な深さを有する3
列の凹部141aが形成されている。つまり、外方の凸
部139cと凹部141cほど係合長さが大きいことに
なる。また、下金型131bには、半導体製品成型部1
34が設けられている。なお、封止テープ135を引っ
張るための付勢手段としてのロール142も付設されて
いるが、このロール142は必ずしも必要ではない。
-Third Specific Example- FIGS. 24A and 24B are a sectional view and a top view of a lower mold, respectively, showing a third specific example of the present embodiment. However, FIG. 24A shows the concave portion 141c shown in FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view of a central portion in a direction orthogonal to FIG. In this specific example, the upper mold 131a is formed with three rows of convex portions 139c projecting vertically from the mold mating surface.
However, the heights of the three rows of projections 139c are gradually reduced from the outermost side. On the other hand, the lower mold 131b has a depth that allows the protrusion 139c of the upper mold 131a to engage.
A row of recesses 141a is formed. In other words, the outer convex portion 139c and concave portion 141c have a larger engagement length. Further, the lower mold 131b includes the semiconductor product molding unit 1
34 are provided. In addition, a roll 142 as an urging means for pulling the sealing tape 135 is also provided, but this roll 142 is not always necessary.

【0113】このように、複数列の互いに係合する凸部
139c及び凹部141cを設け、各凸部139cの高
さ及び各凹部141cの深さを最外方に向かうほど高く
あるいは深く形成しておくことにより、最外方の凸部−
凹部の係合によって引き延ばされた封止テープが順次そ
の内方の凸部−凹部の係合により引き延ばされる。つま
り、封止テープ135を段階的に強度を増しながら引っ
張っていくことができるので、より効果的に封止テープ
135を引き延ばすことができる。
As described above, the convex portions 139c and the concave portions 141c which are engaged with each other in a plurality of rows are provided. By putting, the outermost convex part-
The sealing tape stretched by the engagement of the concave portion is sequentially stretched by the engagement of the convex portion and the concave portion inside. That is, since the sealing tape 135 can be pulled while gradually increasing the strength, the sealing tape 135 can be more effectively extended.

【0114】−第4の具体例− 図25は、本実施形態の第4の具体例を示す下金型の上
面図である。この具体例では、下金型131bに、短い
直線状の凹部141dの複数列を千鳥状に配列してい
る。ただし、各凹部141dの深さは最外方に向かうほ
ど深くなっている。上金型の構造を示す図は省略する
が、上金型にはこの凹部141dに係合可能な複数列の
凸部が設けられている。このような構造によっても、上
記第3の具体例と同様の作用により、封止テーブを効果
的に引き延ばすことができる。
-Fourth Specific Example- FIG. 25 is a top view of a lower mold showing a fourth specific example of the present embodiment. In this specific example, a plurality of rows of short linear concave portions 141d are arranged in a staggered manner in the lower die 131b. However, the depth of each recess 141d is deeper toward the outermost. Although the figure showing the structure of the upper mold is omitted, the upper mold is provided with a plurality of rows of convex portions which can be engaged with the concave portion 141d. Even with such a structure, the sealing tape can be effectively elongated by the same operation as in the third specific example.

【0115】−第5の具体例− 図26は、本実施形態の第5の具体例を示す下金型の上
面図である。この具体例では、下金型131bに、小円
状の凹部141eの複数個を千鳥状に配列している。た
だし、各凹部141eの深さは最外方に向かうほど深く
なっている。上金型の構造を示す図は省略するが、上金
型にはこの凹部141eに係合可能な複数個の凸部が設
けられている。このような構造によっても、上記第3の
具体例と同様の作用により、封止テーブを効果的に引き
延ばすことができる。
Fifth Specific Example FIG. 26 is a top view of a lower mold showing a fifth specific example of the present embodiment. In this specific example, a plurality of small circular concave portions 141e are arranged in a staggered manner in the lower die 131b. However, the depth of each recess 141e becomes deeper toward the outermost side. Although illustration of the structure of the upper mold is omitted, the upper mold is provided with a plurality of convex portions that can be engaged with the concave portion 141e. Even with such a structure, the sealing tape can be effectively elongated by the same operation as in the third specific example.

【0116】−第6の具体例− 図27は、本実施形態の第6の具体例を示す下金型の上
面図である。この具体例では、下金型131bに複数の
半導体製品成型部134が設けられている場合に、下金
型131bの長辺方向の端部には長辺方向に延びる長い
直線状の凹部141gを設け、各半導体製品成型部13
4間の領域には小さな凹部141fを設けている。上金
型の構造を示す図は省略するが、上金型にはこの凹部1
41f,141gに係合可能な凸部が設けられている。
なお、144は各半導体製品成型部134に封止樹脂を
供給するための封止樹脂流通路である。この場合には、
各半導体製品成型部134の四方から封止テープ135
を引き延ばすことができるので、1度の樹脂封止工程に
よって多数個の半導体装置の樹脂封止を行なう場合に特
に有効である。半導体装置の実際の樹脂封止工程に使用
される金型には、封止金型には極めて多数のダイキャビ
ティが設けられているので、この具体例の構造は、極め
て大きな効果を発揮することができる。
Sixth Specific Example FIG. 27 is a top view of a lower mold showing a sixth specific example of the present embodiment. In this specific example, when a plurality of semiconductor product molding portions 134 are provided in the lower mold 131b, a long linear concave portion 141g extending in the long side direction is provided at an end of the lower mold 131b in the long side direction. Provided, each semiconductor product molding unit 13
A small recess 141f is provided in the area between the four. Although the figure showing the structure of the upper mold is omitted, the concave 1
Protrusions engageable with 41f and 141g are provided.
Reference numeral 144 denotes a sealing resin flow path for supplying a sealing resin to each semiconductor product molding unit 134. In this case,
Sealing tape 135 from all sides of each semiconductor product molding portion 134
Is particularly effective when a large number of semiconductor devices are resin-sealed by one resin sealing step. Since the mold used in the actual resin sealing process of the semiconductor device has a very large number of die cavities in the sealing mold, the structure of this specific example is extremely effective. Can be.

【0117】−第7の具体例− 図28は、本実施形態の第7の具体例を示す断面図であ
る。この具体例では、上金型131aには凹部141h
が設けられ、下金型131bには上金型131aの凹部
141hに係合する凸部139hが形成されている。そ
して、上金型131aの下面において、封止テープ13
5を引っ張るための真空引き溝146が凹部141hを
取り囲むように形成されている。なお、下金型131b
に、半導体製品成型部134が設けられている。
-Seventh Specific Example- FIG. 28 is a sectional view showing a seventh specific example of the present embodiment. In this specific example, the upper mold 131a has a recess 141h.
Is provided on the lower mold 131b, and a convex portion 139h that engages with the concave portion 141h of the upper mold 131a is formed. Then, the sealing tape 13 is provided on the lower surface of the upper mold 131a.
5 is formed so as to surround the concave portion 141h. The lower mold 131b
Is provided with a semiconductor product molding part 134.

【0118】このように、互いに係合する凸部−凹部の
形成領域の内方、内周、外周あるいは外方に真空引きを
目的とした真空引き溝146を設けるにより、さらに効
果的に封止テープ135を引き延ばすことができる。
As described above, by providing the evacuation groove 146 for the purpose of evacuation in the inside, the inner periphery, the outer periphery, or the outside of the formation region of the protrusion-recess which engages with each other, the sealing can be more effectively performed. The tape 135 can be stretched.

【0119】なお、凸部に係合する凹部に真空引き用穴
を形成しておき、凸部−凹部間の係合効果と真空引き作
用との双方により効果的に封止テープに張力を与えるこ
ともできる。
In addition, a hole for evacuation is formed in the concave portion which engages with the convex portion, and tension is effectively applied to the sealing tape by both the engaging effect between the convex portion and the concave portion and the evacuation function. You can also.

【0120】また、以上の全ての具体例において、凸部
139および凹部141は封止テープ135の滑りを防
止するため表面を梨地加工するか、もしくは滑りにくい
材料、たとえばシリコンゴムで形成されているのが望ま
しい。
In all of the above embodiments, the projections 139 and the depressions 141 are matted on the surface to prevent the sealing tape 135 from slipping, or are formed of a non-slip material, for example, silicone rubber. It is desirable.

【0121】(第5の実施形態)本実施形態では、予め
引っ張られた状態の封止テープを用いることにより、封
止テープのシワを防止するようにした第5の実施形態に
ついて、図29を参照しながら説明する。図29は、第
5の実施形態における樹脂封止方法を示す断面図であ
る。
(Fifth Embodiment) In this embodiment, FIG. 29 shows a fifth embodiment in which wrinkles of a sealing tape are prevented by using a sealing tape which has been pulled in advance. It will be described with reference to FIG. FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating a resin sealing method according to the fifth embodiment.

【0122】図29に示すように、平坦な治具147が
準備され、平坦な治具147に封止テープ135を貼付
した後、上金型131aに転写する。これによっても、
封止テープ135のシワを可及的に防止することができ
る。
As shown in FIG. 29, a flat jig 147 is prepared, a sealing tape 135 is attached to the flat jig 147, and then transferred to the upper mold 131a. This also
Wrinkling of the sealing tape 135 can be prevented as much as possible.

【0123】なお、上記第3〜第5の実施形態における
クランパ機能、凹凸形状、真空引き機能などを組み合わ
せた封止装置および封止金型を用いることで、さらに絶
大なる効果が得られることは言うまでもない。
It should be noted that even greater effects can be obtained by using a sealing device and a sealing mold having a combination of the clamper function, the concave-convex shape, and the vacuuming function in the third to fifth embodiments. Needless to say.

【0124】(第6の実施形態)以下、本発明の第6の
実施形態について説明する。本実施形態では、樹脂封止
型半導体装置のシワ防止を防止するための封止テープを
連続的に供給する方法と、封止テープ供給装置を付設し
た樹脂封止装置とについて、図面を参照しながら説明す
る。
(Sixth Embodiment) Hereinafter, a sixth embodiment of the present invention will be described. In the present embodiment, a method for continuously supplying a sealing tape for preventing wrinkling of a resin-sealed semiconductor device and a resin sealing device provided with a sealing tape supply device will be described with reference to the drawings. I will explain it.

【0125】図30(a)〜(c)は、本実施形態にお
ける封止テープの供給装置を付設した樹脂封止装置およ
び樹脂封止工程を示す斜視図である。また、図31は、
樹脂封止工程中の1つの工程を示す断面図である。
FIGS. 30A to 30C are perspective views showing a resin sealing device provided with a sealing tape supply device and a resin sealing step in this embodiment. FIG.
It is sectional drawing which shows one process in a resin sealing process.

【0126】図30(a)に示すように、封止金型は上
金型151aと下金型151bとからなり、下金型15
1bには、多数の半導体製品成型部160(ダイキャビ
ティ)と、各半導体製品成型部155に封止樹脂を供給
するための封止樹脂流通路161とが設けられている。
また、巻き出しロール156aと巻き取りロール156
bとの間で一定の張力を加えながら、連続的に封止テー
プ152の巻き出しと巻き取りとを行なうことが可能に
構成されている。
As shown in FIG. 30A, the sealing mold comprises an upper mold 151a and a lower mold 151b.
1b is provided with a large number of semiconductor product molding sections 160 (die cavities) and a sealing resin flow path 161 for supplying a sealing resin to each semiconductor product molding section 155.
Further, the unwinding roll 156a and the winding roll 156
It is configured to be able to continuously unwind and wind the sealing tape 152 while applying a constant tension to the sealing tape 152.

【0127】そして、図30(b)に示すように、多数
の半導体チップを搭載したリードフレーム153が下金
型151bの半導体製品成型部160に供給され、樹脂
タブレット154aが下金型151bの封止樹脂供給部
に投入される。
Then, as shown in FIG. 30B, a lead frame 153 on which a large number of semiconductor chips are mounted is supplied to the semiconductor product molding section 160 of the lower mold 151b, and the resin tablet 154a is sealed with the lower mold 151b. It is fed into the resin supply section.

【0128】次に、図52に示すように、封止金型の上
金型151aと下金型151bとが型締めされ、ピスト
ン158により下方から溶融した封止樹脂が各半導体製
品成型部160に供給されて、樹脂封止型半導体装置1
55が射出成形される。そして、射出成形が終了する
と、下金型151bが開く。
Next, as shown in FIG. 52, the upper die 151a and the lower die 151b of the sealing die are clamped, and the sealing resin melted from below by the piston 158 is applied to each semiconductor product molding section 160. Supplied to the semiconductor device 1
55 is injection molded. When the injection molding is completed, the lower mold 151b opens.

【0129】この時、下金型151bが開くと同時に、
図30(c)に示す樹脂カル154bと樹脂封止型半導
体装置155から封止テープ152が引き離される。ま
た、封止テープ152のうち、この樹脂封止工程で使用
された部分は巻き取りロールー156bに巻き取られ、
次の樹脂封止工程で使用する部分は巻き出しロール15
6aから供給される。その間に、樹脂カル154bと樹
脂封止型半導体装置155とは、下金型151bから取
り出される。
At this time, as soon as the lower mold 151b is opened,
The sealing tape 152 is separated from the resin cull 154b and the resin-encapsulated semiconductor device 155 shown in FIG. In addition, a portion of the sealing tape 152 used in this resin sealing step is wound around a winding roll 156b,
The part used in the next resin sealing step is the unwinding roll 15
6a. Meanwhile, the resin cull 154b and the resin-encapsulated semiconductor device 155 are taken out of the lower mold 151b.

【0130】本実施形態によると、巻き出しロール15
6aと巻き取りロール156bとの間で、連続的に封止
テープ152を供給することにより、封止テープを用い
た樹脂封止工程を迅速に行なうことができ、生産効率の
向上を図ることができる。また、巻き出しロール156
aと巻き取りロール156bとに回転力を加えること
で、封止テープ152に適正な張力を与えることがで
き、樹脂封止工程における封止テープ152のシワの発
生を抑制することができる。
According to the present embodiment, the unwinding roll 15
By supplying the sealing tape 152 continuously between the winding tape 6a and the take-up roll 156b, the resin sealing step using the sealing tape can be performed quickly, and the production efficiency can be improved. it can. Also, the unwinding roll 156
By applying a rotational force to a and the take-up roll 156b, an appropriate tension can be applied to the sealing tape 152, and the occurrence of wrinkling of the sealing tape 152 in the resin sealing step can be suppressed.

【0131】(各実施形態におけるシワの発生の抑制効
果)ここで、上記各実施形態におけるシワの発生を抑制
できることによる効果について、さらに詳細に説明す
る。
(Effects of Suppressing Wrinkles in Each Embodiment) The effects of suppressing the occurrence of wrinkles in the above embodiments will be described in further detail.

【0132】図32(a),(b)は、封止テープに張
力を付与しない状態で樹脂封止工程を行なったときの封
止金型内の状態を示す断面図、および形成される樹脂封
止体の断面図である。また、図33(a),(b)は、
封止テープ152に張力を付与した状態で樹脂封止工程
を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、およ
び形成される樹脂封止体の断面図である。ただし、図3
2(a)および図33(a)では、樹脂封止体と同じ上
下関係で表示するために、上記各実施形態に示す状態と
は上下を逆にして表示している。また、図32(a),
(b)において図1(a),(b)と同じ符号で示す部
材は既に説明したとおりである。
FIGS. 32 (a) and 32 (b) are cross-sectional views showing the state in the sealing mold when the resin sealing step is performed without applying tension to the sealing tape, and the resin to be formed. It is sectional drawing of a sealing body. FIGS. 33 (a) and 33 (b)
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a state in a sealing mold when a resin sealing step is performed in a state where tension is applied to a sealing tape 152, and a cross-sectional view of a formed resin sealing body. However, FIG.
In FIG. 2 (a) and FIG. 33 (a), in order to display in the same vertical relation as the resin sealing body, the display is shown upside down from the state shown in each of the above embodiments. FIG. 32 (a),
In FIG. 1B, members denoted by the same reference numerals as those in FIGS. 1A and 1B have already been described.

【0133】封止テープに張力を付与しないで樹脂封止
を行なうと、封止テープには、図32(a)に示すよう
なシワや、たるみ,破れなどが生じることがある。そし
て、このシワなどが生じると、それがそのまま封止樹脂
17に転写されるので、樹脂封止工程の終了後の取り出
された樹脂封止体の封止樹脂17の裏面には、図32
(b)に示すようなくぼみなどが発生するおそれがあっ
た。このようなくぼみが発生すると、外観が損なわれる
だけでなく、封止されている部材の一部が露出したり、
封止樹脂17のクラックが生じるなどのおそれがある。
When resin sealing is performed without applying tension to the sealing tape, the sealing tape may be wrinkled, sagged, or broken as shown in FIG. Then, when this wrinkle or the like is generated, it is transferred to the sealing resin 17 as it is, so that the back surface of the sealing resin 17 of the removed resin sealing body after the resin sealing step is finished is as shown in FIG.
As shown in (b), dents and the like may occur. When such dents occur, not only the appearance is impaired, but also a part of the sealed member is exposed,
There is a possibility that cracks in the sealing resin 17 may occur.

【0134】それに対し、上記各実施形態のごとく、樹
脂封止工程において封止テープに張力を付与しながら封
止金型に装着することにより、図33(a)に示すよう
に封止テープにシワやたるみなどが発生するのを抑制す
ることができる。そして、樹脂封止工程の終了後に取り
出された樹脂封止体の封止樹脂17の裏面にくぼみなど
が発生しないので、外観的にも特性的にも良好な樹脂封
止型半導体装置が得られる。すなわち、不良率の低減に
よる歩留まりの向上を図ることができる。
On the other hand, as shown in FIG. 33 (a), by attaching the sealing tape to the sealing die in the resin sealing step while applying tension to the sealing tape, as shown in each of the above embodiments, The generation of wrinkles and sagging can be suppressed. Since no dents or the like occur on the back surface of the sealing resin 17 of the resin sealing body taken out after the resin sealing step, a resin-encapsulated semiconductor device having good appearance and characteristics can be obtained. . That is, the yield can be improved by reducing the defective rate.

【0135】なお、封止テープは複数枚使用することが
できる。例えば、上面側と下面側に装着したり、一方の
側に複数枚装着したりすることができる。
A plurality of sealing tapes can be used. For example, it can be mounted on the upper surface side and the lower surface side, or a plurality of sheets can be mounted on one side.

【0136】[0136]

【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方
法又はその製造装置によると、封止テープを装着した状
態で半導体チップ及びリードフレームを封止樹脂内に封
止する際に、封止テープに張力を付与するようにしたの
で、封止テープにおけるシワの発生を防止しながら、封
止テープが密着していた部分を封止樹脂から露出させた
構造を有し、かつシワの転写に起因する封止樹脂のくぼ
みなどのない樹脂封止型半導体装置の製造を図ることが
できる。
According to the method or the apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device of the present invention, when encapsulating a semiconductor chip and a lead frame in an encapsulation resin with an encapsulation tape attached, A tension is applied to the stop tape, so that wrinkles are prevented from being generated in the sealing tape, and a portion in which the sealing tape is in close contact is exposed from the sealing resin, and wrinkles are transferred. It is possible to manufacture a resin-encapsulated semiconductor device having no dents in the encapsulation resin due to the above.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の封止樹脂を透過して示す平面図及び断面図である。
1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view showing a sealing resin of a resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図2】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程におけるリードフレームを用意する工程を示
す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a process of preparing a lead frame in a process of manufacturing a resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図3】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程におけるダイパッド上に半導体チップを接合
する工程を示す断面図である。
FIG. 3 is a cross-sectional view showing a step of bonding a semiconductor chip onto a die pad in a manufacturing step of a resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図4】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程における金属細線を形成する工程を示す断面
図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a step of forming a thin metal wire in a process of manufacturing a resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図5】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程における封止テープをリードフレームの下に
敷く工程を示す断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a step of laying a sealing tape under a lead frame in a process of manufacturing a resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図6】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程における樹脂封止工程を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a resin sealing step in a manufacturing step of the resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図7】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程におけるインナーリードの先端カット工程の
終了後の樹脂封止型半導体装置の断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view of the resin-encapsulated semiconductor device after the end cutting step of the inner lead in the manufacturing process of the resin-encapsulated semiconductor device applied to each embodiment;

【図8】各実施形態に適用される樹脂封止型半導体装置
の製造工程によって形成された樹脂封止型半導体装置の
部分裏面図である。
FIG. 8 is a partial back view of the resin-sealed semiconductor device formed in the manufacturing process of the resin-sealed semiconductor device applied to each embodiment.

【図9】それぞれ、第1の本実施形態の第1の具体例に
係る樹脂封止型半導体装置の製造方法で使用する封止用
金型の下金型の平面図、及び図9(a)の中央線におけ
る樹脂封止の状態を示す断面図である。
FIG. 9 is a plan view of a lower mold of an encapsulation mold used in a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to a first specific example of the first embodiment, and FIG. (A) is a sectional view showing the state of resin sealing at the center line.

【図10】3列の環状の真空引き溝と真空引き穴とを有
する第1の実施形態の第2の具体例に係る封止金型の下
金型の上面図である。
FIG. 10 is a top view of a lower mold of a sealing mold according to a second specific example of the first embodiment having three rows of annular evacuation grooves and evacuation holes.

【図11】3列の環状の真空引き溝と連結溝と真空引き
穴とを有する第1の実施形態の第3の具体例に係る封止
金型の下金型の上面図である。
FIG. 11 is a top view of a lower mold of a sealing mold according to a third specific example of the first embodiment having three rows of annular evacuation grooves, connection grooves, and evacuation holes.

【図12】短辺方向に延びる3列の真空引き溝と真空引
き穴とを有する第1の実施形態の第4の具体例に係る封
止金型の下金型の上面図である。
FIG. 12 is a top view of a lower mold of a sealing mold according to a fourth specific example of the first embodiment, having three rows of evacuation grooves and evacuation holes extending in the short side direction.

【図13】長辺方向に延びる3列の真空引き溝と真空引
き穴とを有する第1の実施形態の第5の具体例に係る封
止金型の下金型の上面図である。
FIG. 13 is a top view of a lower mold of a sealing mold according to a fifth specific example of the first embodiment having three rows of evacuation grooves and evacuation holes extending in the long side direction.

【図14】第2の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置
の製造方法における樹脂封止状態を示す断面図である。
FIG. 14 is a cross-sectional view showing a resin-sealed state in the method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment.

【図15】第2の実施形態で用いられる真空引き溝と彫
り込み部とを有する下金型の上面図である。
FIG. 15 is a top view of a lower mold having a vacuum groove and a carved portion used in the second embodiment.

【図16】上金型にクランパを設けた第3の実施形態の
第1の具体例を示す平面図及び断面図である。
FIG. 16 is a plan view and a sectional view showing a first specific example of the third embodiment in which a clamper is provided in an upper mold.

【図17】金型とは独立して移動するクランパを設けた
第3の実施形態の第2の具体例を示す平面図及び断面図
である。
FIGS. 17A and 17B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a second specific example of the third embodiment in which a clamper that moves independently of a mold is provided.

【図18】金型の外方に長辺方向に延びるクランパを設
けた第3の実施形態の第3の具体例を示す平面図及び断
面図である。
FIGS. 18A and 18B are a plan view and a cross-sectional view illustrating a third specific example of the third embodiment in which a clamper extending in a long side direction is provided outside a mold.

【図19】金型の周囲を取り囲む環状クランパを設けた
第3の実施形態の第4の具体例を示す平面図及び断面図
である。
FIG. 19 is a plan view and a sectional view showing a fourth specific example of the third embodiment in which an annular clamper surrounding the periphery of a mold is provided.

【図20】金型の外方にクランパとクランパを短辺方向
に付勢するバネとを設けた第3の実施形態の第5の具体
例を示す平面図である。
FIG. 20 is a plan view showing a fifth specific example of the third embodiment in which a clamper and a spring for urging the clamper in the short side direction are provided outside the mold.

【図21】金型の外方にクランパとクランパを短辺及び
長辺方向に付勢するバネとを設けた第3の実施形態の第
6の具体例を示す平面図である。
FIG. 21 is a plan view showing a sixth specific example of the third embodiment in which a clamper and a spring for urging the clamper in the short side and long side directions are provided outside the mold.

【図22】互いに係合する凸部,凹部を上金型,下金型
にそれぞれ設けた第4の実施形態の第1の具体例を示す
斜視図及び断面図である。
FIG. 22 is a perspective view and a cross-sectional view showing a first specific example of the fourth embodiment in which a convex portion and a concave portion that engage with each other are provided on an upper mold and a lower mold, respectively.

【図23】第4の実施形態の第2の具体例における曲線
状の凸部を有する上金型の下面図である。
FIG. 23 is a bottom view of an upper mold having a curved convex portion in a second specific example of the fourth embodiment.

【図24】互いに係合する3列の凸部,凹部を上金型,
下金型にそれぞれ設けた第4の実施形態の第3の具体例
を示す断面図及び下金型の上面図である。
FIG. 24 shows three rows of projections and recesses that engage with each other,
It is sectional drawing and the top view of a lower metal mold which show the 3rd example of 4th Embodiment provided in the lower metal mold, respectively.

【図25】第4の実施形態の第4の具体例における短い
直線状の凹部の複数列が千鳥状に配列された下金型の上
面図である。
FIG. 25 is a top view of a lower mold in which a plurality of rows of short linear concave portions are arranged in a staggered manner in a fourth specific example of the fourth embodiment.

【図26】第4の実施形態の第5の具体例における小円
状の凹部の複数個が千鳥状に配列された下金型の上面図
である。
FIG. 26 is a top view of a lower mold in which a plurality of small circular concave portions are arranged in a staggered manner in a fifth specific example of the fourth embodiment.

【図27】第4の実施形態の第6の具体例における直線
状の凹部と小さな凹部とを有する下金型の上面図であ
る。
FIG. 27 is a top view of a lower mold having a linear concave portion and a small concave portion in a sixth specific example of the fourth embodiment.

【図28】互いに係合する凸部,凹部を上金型,下金型
にそれぞれ設けると共に、上金型に真空引き溝を設けた
第4の実施形態の第7の具体例を示す断面図である。
FIG. 28 is a cross-sectional view showing a seventh specific example of the fourth embodiment in which convex portions and concave portions that engage with each other are provided in an upper mold and a lower mold, respectively, and a vacuum drawing groove is provided in the upper mold. It is.

【図29】第5の実施形態における樹脂封止方法を示す
断面図である。
FIG. 29 is a cross-sectional view illustrating a resin sealing method according to a fifth embodiment.

【図30】第6の実施形態における封止テープを連続的
に供給する装置を付設した樹脂封止装置および樹脂封止
工程を示す斜視図である。
FIG. 30 is a perspective view showing a resin sealing device provided with a device for continuously supplying a sealing tape in a sixth embodiment and a resin sealing step.

【図31】第6の実施形態における樹脂封止工程中の1
つの工程を示す断面図である。
FIG. 31 shows a state during a resin sealing step in the sixth embodiment.
It is sectional drawing which shows one process.

【図32】封止テープに張力を付与しない状態で樹脂封
止工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面
図、および形成される樹脂封止体の断面図である。
FIG. 32 is a cross-sectional view showing a state in a sealing die when a resin sealing step is performed in a state where tension is not applied to the sealing tape, and a cross-sectional view of a formed resin sealing body.

【図33】封止テープに張力を付与した状態で樹脂封止
工程を行なったときの封止金型内の状態を示す断面図、
および形成される樹脂封止体の断面図である。
FIG. 33 is a cross-sectional view showing a state in a sealing mold when a resin sealing step is performed with tension applied to the sealing tape;
FIG. 3 is a cross-sectional view of a formed resin sealing body.

【図34】裏面側に外部電極を有するタイプの従来の樹
脂封止型半導体装置の平面図及び断面図である。
FIG. 34 is a plan view and a cross-sectional view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device of a type having an external electrode on the back surface side.

【図35】外部電極にボール電極を設けてスタンドオフ
高さを確保した従来の樹脂封止型半導体装置の断面図で
ある。
FIG. 35 is a cross-sectional view of a conventional resin-encapsulated semiconductor device in which ball electrodes are provided on external electrodes to secure a stand-off height.

【図36】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
けるリードフレームを用意する工程を示す断面図であ
る。
FIG. 36 is a cross-sectional view showing a step of preparing a lead frame in a manufacturing step of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図37】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
けるダイパッド上に半導体チップを接合する工程を示す
断面図である。
FIG. 37 is a cross-sectional view showing a step of bonding a semiconductor chip onto a die pad in a manufacturing process of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図38】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
ける金属細線を形成する工程を示す断面図である。
FIG. 38 is a cross-sectional view showing a step of forming a thin metal wire in a manufacturing process of a conventional resin-encapsulated semiconductor device.

【図39】従来の樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
ける樹脂封止工程を示す断面図である。
FIG. 39 is a cross-sectional view showing a resin sealing step in a manufacturing process of a conventional resin-sealed semiconductor device.

【符号の説明】 12 インナーリード 13 ダイパッド 14 吊りリード 15 半導体チップ 16 金属細線 17 封止樹脂 18 外部電極 19 ディプレス部 20 リードフレーム 21 封止テープ 101 インナーリード 102 半導体チップ 103 ダイパッド 105 金属細線 106 封止テープ 107 封止樹脂 112a 上金型 112b 下金型 113 真空引き穴 114 真空引き溝 115 彫り込み部 116 連結溝 117 真空引き溝 118 真空引き溝 121a 上金型 121b 下金型 122 クランパ 123 バネ 124 半導体製品成型部(ダイキャビティ) 125 封止テープ 126 駆動装置 131a 上金型 131b 下金型 134 半導体製品成型部(ダイキャビティ) 135 封止テープ 139 凸部 141 凹部 142 ロール 144 封止樹脂流通路 146 真空引き溝 147 治具 151a 上金型 151b 下金型 152 封止テープ 153 リードフレーム 154a 樹脂タブレット 154b 樹脂カル 155 樹脂封止型半導体装置 156a 巻き出しロール 156b 巻き取りロール 158 ピストン 159 回転ロール 160 半導体製品成形部 161 封止樹脂流通路DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 Inner lead 13 Die pad 14 Suspended lead 15 Semiconductor chip 16 Thin metal wire 17 Sealing resin 18 External electrode 19 Depressed part 20 Lead frame 21 Sealing tape 101 Inner lead 102 Semiconductor chip 103 Die pad 105 Thin metal wire 106 Sealed Stop tape 107 Sealing resin 112a Upper mold 112b Lower mold 113 Vacuum hole 114 Vacuum groove 115 Engraved portion 116 Connection groove 117 Vacuum groove 118 Vacuum groove 121a Upper mold 121b Lower mold 122 Clamper 123 Spring 124 Semiconductor Product molding part (die cavity) 125 sealing tape 126 drive device 131a upper die 131b lower die 134 semiconductor product molding part (die cavity) 135 sealing tape 139 convex part 141 concave part 142 roll 144 Sealing resin flow path 146 Vacuum evacuation groove 147 Jig 151a Upper die 151b Lower die 152 Sealing tape 153 Lead frame 154a Resin tablet 154b Resin cul 155 Resin sealed type semiconductor device 156a Unwind roll 156b Take-up roll 158 Piston 159 Rotating roll 160 Semiconductor product forming section 161 Sealing resin flow path

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // B29L 31:34 (72)発明者 安達 修 大阪府高槻市幸町1番1号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 山田 恭裕 大阪府高槻市幸町1番1号 松下電子工業 株式会社内──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification symbol FI // B29L 31:34 (72) Inventor Osamu 1-1, Sachimachi, Takatsuki-shi, Osaka Matsushita Electronics Co., Ltd. (72) Inventor Yasuhiro Yamada 1-1, Sachimachi, Takatsuki City, Osaka Prefecture Matsushita Electronics Corporation

Claims (26)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 封止金型と半導体チップと周辺部材とを
用意する第1の工程と、 封止テープを上記周辺部材の表面の一部に密着させなが
ら上記封止金型に装着する第2の工程と、 上記封止テープに張力を与えながら封止テープを装着し
た状態で上記半導体チップ及び上記周辺部材の少なくと
も上記表面の一部を除く部分を封止樹脂内に封止する第
3の工程とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造方
法。
A first step of preparing a sealing mold, a semiconductor chip, and a peripheral member, and a step of attaching the sealing tape to a part of the surface of the peripheral member while attaching the sealing tape to the sealing mold. A third step of sealing at least a part of the semiconductor chip and the peripheral member except for at least a part of the surface in a sealing resin while attaching the sealing tape while applying tension to the sealing tape; A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising the steps of:
【請求項2】 請求項1記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、 上記第1の工程では、第1の金型及び第2の金型からな
り第1又は第2の金型の少なくともいずれか一方にダイ
キャビティを有し、かつ、上記第1及び第2の金型の少
なくともいずれか一方に上記ダイキャビティを挟む真空
引き用凹部を有する封止金型を準備しておき、 上記第3の工程では、上記真空引き用凹部に封止テープ
を吸着させることにより、封止テープに張力を与えるこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
2. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein in the first step, a first mold and a second mold are used. A sealing mold having a die cavity in at least one of the first and second molds and having a concave portion for evacuation sandwiching the die cavity in at least one of the first and second molds is prepared. In a third step, a method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, characterized in that a tension is applied to the sealing tape by adsorbing the sealing tape to the evacuation recess.
【請求項3】 請求項2記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、 上記真空引き用凹部は、上記ダイキャビティに近い内方
の位置から外方の位置に亘って複数個設けられており、 最外方の真空引き用凹部から順に真空引きを行なうこと
を特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
3. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 2, wherein a plurality of the evacuation recesses are provided from an inner position close to the die cavity to an outer position. And a method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, wherein vacuuming is performed in order from the outermost vacuuming recess.
【請求項4】 請求項1記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、 上記第1の工程では、上記ダイキャビティを挟む少なく
とも2カ所の領域に上記封止テープを挟持するためのク
ランパをさらに設けておき、 上記第3の工程では、上記クランパによって封止テープ
を固定しておくことにより、封止テープに張力を与える
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
4. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein in the first step, a clamper for clamping the sealing tape is provided in at least two regions sandwiching the die cavity. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, wherein a tension is applied to the sealing tape by fixing the sealing tape with the clamper in the third step.
【請求項5】 請求項4記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、 上記クランパを、上記封止テープが引き延ばされる方向
に付勢する付勢手段をさらに設けておくことを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法。
5. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 4, further comprising: urging means for urging the clamper in a direction in which the sealing tape is stretched. Of manufacturing a resin-sealed semiconductor device.
【請求項6】 請求項4又は5記載の樹脂封止型半導体
装置の製造方法において、 上記第2の工程の前には、上記クランパにより、上記封
止金型とは離れた場所で上記封止テープを保持してお
き、 上記第2の工程では、上記クランパとともに上記封止テ
ープを上記封止金型の位置まで移動させることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置の製造方法。
6. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 4, wherein, prior to the second step, the sealing is performed by the clamper at a location separated from the sealing mold. A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: holding a stop tape; and, in the second step, moving the sealing tape together with the clamper to a position of the sealing mold.
【請求項7】 請求項1記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、 上記第1の工程では、第1の金型及び第2の金型からな
り第1又は第2の金型の少なくともいずれか一方にダイ
キャビティを有し、かつ、互いに係合する少なくとも1
対の凸部及び凹部を上記第1,第2の金型の上記ダイキ
ャビティを挟む少なくとも2カ所の領域において有する
封止金型を準備しておき、 上記第3の工程では、上記第1及び第2の金型が接近し
たときに、上記凸部と凹部とが係合することにより封止
テープに張力を付与することを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。
7. The method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein in the first step, a first mold and a second mold are used. At least one has a die cavity, and at least one engages with each other.
A sealing mold having a pair of convex portions and concave portions in at least two regions sandwiching the die cavity of the first and second molds is prepared, and in the third step, the first and second molds are provided. A method for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, characterized in that when the second mold approaches, the convex portion and the concave portion engage with each other to apply tension to the sealing tape.
【請求項8】 請求項7記載の樹脂封止型半導体装置の
製造方法において、 上記第1の工程では、上記凸部及び凹部は互いに係合長
さが異なり、かつその係合長さは最外方の凸部及び凹部
ほど大きい複数対だけ設けておき、 上記第3の工程では、最外方の凸部及び凹部の係合によ
り引き延ばされた封止テープが、その内方の凸部及び凹
部の係合によりさらに引き延ばされるように封止テープ
に張力を付与することを特徴とする樹脂封止型半導体装
置の製造方法。
8. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 7, wherein, in the first step, the projections and the recesses have different engagement lengths from each other, and the engagement length is the smallest. In the third step, the sealing tape stretched by the engagement of the outermost convex portion and the concave portion is replaced with the inner convex portion. A method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, wherein tension is applied to a sealing tape so that the sealing tape is further elongated by engagement of a part and a recess.
【請求項9】 請求項1〜8のうちいずれか1つに記載
の樹脂封止型半導体装置の製造方法において、 上記封止テープを複数枚使用することを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造方法。
9. The method of manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 1, wherein a plurality of the sealing tapes are used. Manufacturing method.
【請求項10】 樹脂封止型半導体装置の製造工程にお
ける樹脂封止工程で使用される第1の金型及び第2の金
型からなり第1又は第2の金型の少なくともいずれか一
方にダイキャビティを有する封止金型と、 上記樹脂封止型半導体装置の表面の一部を封止樹脂から
露出させるための封止テープに張力を与えるための張力
付与手段とを備えている樹脂封止型半導体装置の製造装
置。
10. A first mold and a second mold used in a resin encapsulation step in a resin encapsulation type semiconductor device manufacturing process, wherein at least one of the first and second dies is provided. A resin mold comprising: a sealing mold having a die cavity; and tension applying means for applying tension to a sealing tape for exposing a part of the surface of the resin-sealed semiconductor device from the sealing resin. Production equipment for semiconductor devices.
【請求項11】 請求項10記載の樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、 上記張力付与手段は、上記第1及び第2の金型の少なく
ともいずれか一方において上記ダイキャビティを挟む領
域に設けられ、真空引き装置に連通されて上記封止テー
プを吸引するための真空引き用凹部であることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置の製造装置。
11. The apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 10, wherein said tension applying means is provided in a region sandwiching said die cavity in at least one of said first and second molds. A resin-sealed semiconductor device manufacturing apparatus, characterized in that it is a vacuuming concave portion which is connected to a vacuuming device and sucks the sealing tape.
【請求項12】 請求項11記載の樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、 上記真空引き用凹部は、上記ダイキャビティを挟む溝
と、該各溝内に形成された真空穴とであることを特徴と
する樹脂封止型半導体装置の製造装置。
12. The apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 11, wherein the vacuuming recess is a groove sandwiching the die cavity and a vacuum hole formed in each groove. An apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising:
【請求項13】 請求項11記載の樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、 上記真空引き用凹部は、上記ダイキャビティを取り囲む
環状の溝と、該溝内に形成された真空穴とであることを
特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
13. The manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 11, wherein the evacuation recess is an annular groove surrounding the die cavity and a vacuum hole formed in the groove. An apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising:
【請求項14】 請求項11〜13のうちいずれか1つ
に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、 上記真空引き用凹部は複数個設けられていることを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
14. The resin-encapsulated semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 11, wherein a plurality of said evacuation recesses are provided. Equipment for manufacturing semiconductor devices.
【請求項15】 請求項11記載の樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、 上記真空引き用凹部は、上記ダイキャビティの周囲に設
けられた複数の溝と上記複数の溝のうち最外方の溝にの
み形成された真空引き装置に連通する真空穴とであるこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
15. The apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 11, wherein the evacuation recess is a plurality of grooves provided around the die cavity and an outermost groove among the plurality of grooves. And a vacuum hole formed only in the groove and communicating with the vacuum evacuation device.
【請求項16】 請求項10記載の樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、 上記張力付与手段は、上記ダイキャビティを挟む少なく
とも2カ所の領域に設けられ、上記封止テープを挟持す
るためのクランパであることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造装置。
16. The manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 10, wherein said tension applying means is provided in at least two regions sandwiching said die cavity, and is used for clamping said sealing tape. An apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, which is a clamper.
【請求項17】 請求項16記載の樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、 上記クランパは、上記封止テープを少なくとも2方向以
上に延伸させるように移動する機能を有することを特徴
とする樹脂封止型半導体装置の製造装置。
17. The resin-molded semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 16, wherein the clamper has a function of moving the sealing tape so as to extend the sealing tape in at least two directions. Equipment for manufacturing sealed semiconductor devices.
【請求項18】 請求項16記載の樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、 上記クランパを、上記封止テープが引き延ばされる方向
に付勢する付勢手段をさらに備えていることを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造装置。
18. The apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 16, further comprising an urging means for urging said clamper in a direction in which said sealing tape is extended. For manufacturing resin-sealed semiconductor devices.
【請求項19】 請求項16〜18のうちいずれか1つ
に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、 上記クランパは、上記封止テープを保持しつつ、上記封
止金型とは離れた場所から上記封止金型の位置まで移動
できる機能を有することを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造装置。
19. The manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 16, wherein the clamper holds the sealing tape while maintaining the sealing tape. An apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, having a function of being able to move from a remote location to the position of the encapsulation mold.
【請求項20】 請求項10記載の樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、 上記張力付与手段は、上記第1,第2の金型において上
記ダイキャビティを挟む少なくとも2カ所の領域に設け
られた互いに係合する少なくとも1対の凸部及び凹部で
あることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装
置。
20. The manufacturing apparatus for a resin-sealed semiconductor device according to claim 10, wherein said tension applying means is provided in at least two regions sandwiching said die cavity in said first and second molds. A resin-encapsulated semiconductor device manufacturing apparatus comprising at least one pair of projections and depressions that engage with each other.
【請求項21】 請求項20記載の樹脂封止型半導体装
置の製造装置において、 上記凸部及び凹部は互いに係合長さが異なるような複数
対だけ設けられており、その係合長さは外方の凸部及び
凹部ほど大きいことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
の製造装置。
21. The manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 20, wherein the convex portion and the concave portion are provided in a plurality of pairs having engagement lengths different from each other, and the engagement length is An apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, wherein the larger the outer convex portions and concave portions, the larger.
【請求項22】 請求項20又は21記載の樹脂封止型
半導体装置の製造装置において、 上記第1又は第2の金型のダイキャビティは複数個設け
られており、 上記凸部及び凹部は、全てのダイキャビティを挟む外方
領域と、上記各ダイキャビティ間の内方領域とに配置さ
れていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造
装置。
22. The manufacturing apparatus of a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 20, wherein a plurality of die cavities of the first or second mold are provided, and An apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising: an outer region sandwiching all die cavities; and an inner region between the die cavities.
【請求項23】 請求項20〜23のうちいずれか1つ
に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、 上記凸部又は凹部の壁面には、滑り止めのための粗面処
理が施されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置の製造装置。
23. The manufacturing apparatus for a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 20, wherein a wall surface of the convex portion or the concave portion is subjected to a roughening treatment for preventing slippage. An apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising:
【請求項24】 請求項20〜23のうちいずれか1つ
に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、 上記凸部又は凹部の壁面は滑りにくい材質で構成されて
いることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造装
置。
24. The apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 20, wherein a wall surface of the convex portion or the concave portion is made of a non-slip material. For manufacturing resin-sealed semiconductor devices.
【請求項25】 請求項20〜24のうちいずれか1つ
に記載の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、 上記凹部には、真空引き装置に連結された真空穴が形成
されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製
造装置。
25. The apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 20, wherein a vacuum hole connected to a vacuum device is formed in the concave portion. An apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, comprising:
【請求項26】 請求項10〜25のうちいずれか1つ
の樹脂封止型半導体装置の製造装置において、 上記第1又は第2の金型のうちいずれか一方における上
記樹脂封止型半導体装置の上記一部に対向する領域に
は、彫り込み部が設けられていることを特徴とする樹脂
封止型半導体装置の製造装置。
26. The apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device according to claim 10, wherein the resin-encapsulated semiconductor device is mounted on one of the first and second molds. An apparatus for manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device, wherein a carved portion is provided in a region facing the part.
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