JPH11272813A - Semiconductor integrated circuit and contactless card - Google Patents

Semiconductor integrated circuit and contactless card

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JPH11272813A
JPH11272813A JP10069873A JP6987398A JPH11272813A JP H11272813 A JPH11272813 A JP H11272813A JP 10069873 A JP10069873 A JP 10069873A JP 6987398 A JP6987398 A JP 6987398A JP H11272813 A JPH11272813 A JP H11272813A
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JP
Japan
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circuit
power supply
power
logic
diode
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Withdrawn
Application number
JP10069873A
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Japanese (ja)
Inventor
Keiki Watanabe
圭紀 渡邊
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To exclude malfunction of an internal logic circuit by generating a power-ON reset signal at proper timing in an environment wherein the source voltage is varied. SOLUTION: A power-ON reset circuit is constituted by including a diode 11 which receives the output voltage of a power circuit, a transistor 12 which is connected in series with this diode 11, and a logic gate 13 for deciding the logic of the series-connection node of the diode 11 and transistor 12. The series- connection circuit of the diode 11 and transistor 12 functions to check the level of a high-potential-side source voltage Vcc and excludes the assertion of a reset signal in the case that the high-potential-side source voltage Vcc is too low in level. Consequently, the reset signal is generated at proper timing in an environment wherein the source voltage is varied to exclude malfunction of the internal logic circuit.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路、
さらにはそれにおけるパワーオンリセット回路の改良技
術に関し、例えば外部端子が省略されて、外部装置との
間の情報交換を非接触状態で行い得るコンタクトレスカ
ードに適用して有効な技術に関する。
[0001] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit,
Further, the present invention relates to an improved technique of a power-on reset circuit, and more particularly to an effective technique applied to a contactless card in which an external terminal is omitted and information can be exchanged with an external device in a non-contact state.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICカード用LSIは、内部メモリを有
し、その内部メモリにはセキュリティレベルの高いデー
タ、例えば金銭情報などが格納される場合がある。この
ため、ICカード用LSIにおいては誤動作防止のため
の機構を付加する必要がある。
2. Description of the Related Art An LSI for an IC card has an internal memory, which may store data with a high security level, for example, money information. For this reason, it is necessary to add a mechanism for preventing malfunctions in the IC card LSI.

【0003】特に、ICカードがコンタクトレス化され
るとともに、バッテリレス化され、外部装置から発射さ
れる電波によりコンタクトレスカードに電源供給が行わ
れる場合には、そのようにして供給される電源電圧が大
きく変動する可能性があり、電源電圧レベルを検出し
て、電源電圧変動に起因する誤動作を防止することは必
須となる。
[0003] In particular, when an IC card is made contactless and batteryless, and power is supplied to the contactless card by radio waves emitted from an external device, the power supply voltage thus supplied is provided. May greatly fluctuate, and it is essential to detect the power supply voltage level to prevent a malfunction caused by the power supply voltage fluctuation.

【0004】電源電圧レベルを検出する方法には、電源
電圧を基準電圧と比較する方法が一般的である。しかし
ながら、基準電圧発生回路をLSI内部に設ける場合、
基準電圧発生回路自身の電源電圧も変動されるため、そ
のような環境で所定レベルの基準電圧を発生する回路の
形成は極めて困難なものとされている。
As a method of detecting the power supply voltage level, a method of comparing the power supply voltage with a reference voltage is generally used. However, when the reference voltage generation circuit is provided inside the LSI,
Since the power supply voltage of the reference voltage generation circuit itself also fluctuates, it is extremely difficult to form a circuit that generates a reference voltage of a predetermined level in such an environment.

【0005】尚、コンタクトレスカードについて記載さ
れた文献の例としては、平成9年8月に日経BP社から
発行された「日経マイクロデバイス、特集ICカードが
DRAMを超える日(第42頁〜)」がある。
As an example of a document describing a contactless card, a Nikkei microdevice, a special issue issued by Nikkei BP in August 1997, a day when a special feature IC card exceeds DRAM (p. 42-) There is.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】コンタクトレス化され
るとともに、バッテリレス化され、外部装置から発射さ
れる電波により電源供給を行うようにしたコンタクトレ
スカードにおける動作の安定化について本願発明者が検
討したところ、コンタクトカードにおける内部回路の動
作用電源が当該カードの外部から電波によって供給され
る場合において、そのようにして供給される電源電圧の
レベルが非常に不安定であるために、内部論理回路が安
定動作するレベルにまで電源電圧が上昇される前に、内
部論理回路に対してリセット信号がアサートされるおそ
れがある。そうすると、内部論理回路をリセットするタ
イミングが適切でないために、内部論理回路が正常に動
作しない。この場合、内部記憶情報が破壊されるおそれ
もある。
The inventor of the present application has studied the stabilization of the operation of a contactless card which is made contactless and batteryless and supplies power by radio waves emitted from an external device. However, when the power for operating the internal circuit in the contact card is supplied by radio waves from outside the card, the level of the power supply voltage thus supplied is extremely unstable, so the internal logic circuit Reset signal may be asserted to the internal logic circuit before the power supply voltage is raised to a level at which the device operates stably. Then, since the timing of resetting the internal logic circuit is not appropriate, the internal logic circuit does not operate normally. In this case, the internal storage information may be destroyed.

【0007】本発明の目的は、電源電圧が変動される環
境下において適切なタイミングでパワーオンリセット信
号を形成することによって内部論理回路の誤動作を排除
するための技術を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a technique for eliminating a malfunction of an internal logic circuit by forming a power-on reset signal at an appropriate timing in an environment where a power supply voltage fluctuates.

【0008】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
[0008] The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
The following is a brief description of an outline of a typical invention among the inventions disclosed in the present application.

【0010】すなわち、内部論理回路(326)と、上
記内部回路の動作用電圧を形成するための電源回路(3
21)と、上記電源回路の出力電圧に基づいて上記内部
論理回路をパワーオンリセットするためのパワーオンリ
セット回路(322)とを含んで半導体集積回路が構成
されるとき、上記電源回路の出力電圧を受けるダイオー
ド(11)と、上記ダイオードに直列接続されたトラン
ジスタ(12)と、上記ダイオードとトランジスタとの
直列接続ノードの論理を判別するための論理ゲート(1
3)とを含んで上記パワーオンリセット回路(322)
を構成する。
That is, an internal logic circuit (326) and a power supply circuit (3) for forming an operating voltage of the internal circuit.
21) and a power-on reset circuit (322) for power-on resetting the internal logic circuit based on the output voltage of the power supply circuit when a semiconductor integrated circuit is configured. Receiving a diode (11), a transistor (12) connected in series to the diode, and a logic gate (1) for determining the logic of a series connection node of the diode and the transistor.
And (3) the power-on reset circuit (322).
Is configured.

【0011】上記した手段によれば、高電位側電源電圧
が上昇され、ダイオードの端子間電圧が所定値を越えな
い限り、直列接続ノードの電位はほぼ低電位側電源電圧
レベルに等しくされるから、リセット信号はアサートさ
れない。高電位側電源電圧が上昇され、ダイオードの端
子間電圧が所定値を越えると、ダイオードに順方向電流
が流れ、直列接続ノードの電位が、論理ゲートの論理し
きい値を越えることで、リセット信号がアサートされ
る。このようにダイオードとトランジスタとの直列接続
回路は、極めて簡単な回路でありながら、高電位側電源
電圧のレベルチェック機能を発揮し、高電位側電源電圧
Vccのレベルが低すぎる場合におけるリセット信号の
アサートを排除する。このことが、電源電圧が変動され
る環境下においても適切なタイミングでパワーオンリセ
ット信号を形成して、内部論理回路の誤動作を排除する
という、本発明の目的を達成する。
According to the above-mentioned means, as long as the high-potential-side power supply voltage is raised and the voltage between the terminals of the diode does not exceed a predetermined value, the potential of the series connection node is made substantially equal to the low-potential-side power supply voltage level. , The reset signal is not asserted. When the high-potential-side power supply voltage rises and the voltage between the terminals of the diode exceeds a predetermined value, a forward current flows through the diode, and the potential of the series connection node exceeds the logic threshold value of the logic gate. Is asserted. As described above, the series connection circuit of the diode and the transistor is a very simple circuit, and exhibits a function of checking the level of the high-potential-side power supply voltage. Eliminate asserts. This achieves the object of the present invention in that a power-on reset signal is formed at an appropriate timing even in an environment where the power supply voltage fluctuates, and a malfunction of the internal logic circuit is eliminated.

【0012】また、上記パワーオンリセット回路は、上
記電源回路の出力端子に結合された抵抗、及びこの抵抗
に直列接続されたトランジスタと、それらの直列接続ノ
ードの論理を判別するための論理ゲートとを含んで構成
することができる。
The power-on reset circuit includes a resistor coupled to an output terminal of the power supply circuit, a transistor connected in series with the resistor, and a logic gate for determining logic of a node connected in series with the resistor. Can be included.

【0013】上記半導体集積回路と、上記電源回路の入
力端子に結合され、外部装置から発射された電波を、当
該外部装置に非接触状態で受信するためのアンテナとを
含んでコンタクトレスカードを構成することができる。
[0013] A contactless card includes the semiconductor integrated circuit and an antenna coupled to an input terminal of the power supply circuit and receiving radio waves emitted from an external device in a non-contact state with the external device. can do.

【0014】上記アンテナを介して取り込まれた信号か
ら、上記内部論理回路の動作に使用されるクロック信号
を抽出するためのクロック抽出回路と、上記アンテナを
介して取り込まれた信号から、上記内部論理回路で処理
されるデータを得るためのデータ復調回路と、上記内部
回路の出力データを変調して上記アンテナに供給するた
めのデータ変調回路とを含んで上記コンタクトレスカー
ドを構成することができる。
[0014] A clock extraction circuit for extracting a clock signal used for the operation of the internal logic circuit from the signal captured via the antenna, and the internal logic circuit based on the signal captured via the antenna. The contactless card can be configured to include a data demodulation circuit for obtaining data processed by the circuit, and a data modulation circuit for modulating output data of the internal circuit and supplying the data to the antenna.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】図3には本発明にかかるコンタク
トレスカードが示される。
FIG. 3 shows a contactless card according to the present invention.

【0016】コンタクトレスカード31は、外部端子が
省略され、外部装置と非接触状態で当該外部装置との間
で各種情報のやり取りを可能とする。図3に示されるコ
ンタクトレスカード31は、カード状に形成され、導電
ラインが巻回されて成るアンテナ33と、このアンテナ
33に結合された半導体集積回路32とが内蔵される。
そして、バッテリレス化されている。つまり、外部装置
から発射される電波をアンテナ33で受け、このアンテ
ナ33に誘起された電圧を内部電源回路にて整流、平滑
して内部回路の動作用電源電圧を得るようにしている。
The contactless card 31 has no external terminals, and allows various types of information to be exchanged with the external device in a non-contact state. The contactless card 31 shown in FIG. 3 has a built-in antenna 33 formed in a card shape and wound with conductive lines, and a semiconductor integrated circuit 32 coupled to the antenna 33.
And it is battery-less. That is, a radio wave emitted from an external device is received by the antenna 33, and a voltage induced by the antenna 33 is rectified and smoothed by an internal power supply circuit to obtain a power supply voltage for operation of the internal circuit.

【0017】図4には上記半導体集積回路32の構成例
が示される。
FIG. 4 shows a configuration example of the semiconductor integrated circuit 32.

【0018】図4に示される半導体集積回路32は、特
に制限されないが、公知の半導体集積回路製造技術によ
り、単結晶シリコン基板などの一つの半導体基板に形成
されている。
Although not particularly limited, the semiconductor integrated circuit 32 shown in FIG. 4 is formed on a single semiconductor substrate such as a single crystal silicon substrate by a known semiconductor integrated circuit manufacturing technique.

【0019】電源回路321が設けられ、この電源回路
321は、アンテナ33に誘起された高周波電圧(例え
ば13.56MHz)を整流する整流回路や、その整流
出力を低電圧化するためのレギュレータ、及び平滑用の
キャパシタなどを含む。電源回路321から出力された
高電位側電源電圧Vccは、パワーオンリセット回路3
22、クロック抽出回路323、データ復調回路32
4、データ変調回路325、制御・演算用論理回路32
6、及び記憶回路327に供給される。尚、電源回路3
21の低電位側電源電圧Vssは、パワーオンリセット
回路322、クロック抽出回路323、データ復調回路
324、データ変調回路325、制御・演算用論理回路
326、及び記憶回路327に共通のグランド電位とさ
れる。
A power supply circuit 321 is provided. The power supply circuit 321 rectifies a high frequency voltage (for example, 13.56 MHz) induced in the antenna 33, a regulator for lowering the rectified output, and Including a smoothing capacitor. The high-potential-side power supply voltage Vcc output from the power supply circuit 321 is connected to the power-on reset circuit 3
22, clock extraction circuit 323, data demodulation circuit 32
4. Data modulation circuit 325, control / arithmetic logic circuit 32
6 and the storage circuit 327. The power supply circuit 3
The low-potential-side power supply voltage Vss 21 is a ground potential common to the power-on reset circuit 322, the clock extraction circuit 323, the data demodulation circuit 324, the data modulation circuit 325, the control / arithmetic logic circuit 326, and the storage circuit 327. You.

【0020】パワーオンリセット回路322は、高電位
側電源電圧Vccを検出し、高電位側電源電圧Vccが
所定の電圧レベルに達した時点で、制御・演算用論理回
路326をリセットするためのリセット信号RST*
(*はローアクティブ信号であることを意味する)を形
成してそれを制御・演算用論理回路326に出力する。
The power-on reset circuit 322 detects the high-potential power supply voltage Vcc, and resets the control / arithmetic logic circuit 326 when the high-potential power supply voltage Vcc reaches a predetermined voltage level. Signal RST *
(* Means a low active signal) and outputs it to the control / operation logic circuit 326.

【0021】クロック抽出回路323は、アンテナ33
に誘起された高周波電圧からクロック信号CLKを抽出
してそれを制御・演算用論理回路326に出力する。
The clock extraction circuit 323 is connected to the antenna 33
A clock signal CLK is extracted from the high-frequency voltage induced in the circuit, and is output to the control / arithmetic logic circuit 326.

【0022】データ復調回路324は、アンテナ33に
誘起された高周波電圧を復調することで受信データRD
を形成してそれを制御・演算用論理回路326に出力す
る。
The data demodulation circuit 324 demodulates the high-frequency voltage induced in the antenna 33, thereby obtaining the reception data RD.
And outputs it to the control / arithmetic logic circuit 326.

【0023】データ変調回路325は、制御・演算用論
理回路326からの送信データSDを変調してアンテナ
33に供給する。
The data modulation circuit 325 modulates the transmission data SD from the control / arithmetic logic circuit 326 and supplies it to the antenna 33.

【0024】制御・演算用論理回路326は、上記クロ
ック抽出回路323によって抽出されたクロック信号C
LKに同期して、データ復調回路324からの出力デー
タRDの演算処理を行う。また、この演算処理におい
て、記憶装置327の記憶情報が参照される。記憶装置
327はフラッシュメモリなどの不揮発性メモリとさ
れ、金銭情報あるいは当該カード31を所有する者の個
人情報などが記憶される。さらに、制御・演算用論理回
路326の演算処理結果は、必要に応じて送信データR
Dとしてデータ変調回路325に出力され、そこで変調
されてからアンテナ323を介して外部装置に伝達され
る。
The control / arithmetic logic circuit 326 outputs the clock signal C extracted by the clock extraction circuit 323.
The arithmetic processing of the output data RD from the data demodulation circuit 324 is performed in synchronization with LK. Further, in this arithmetic processing, information stored in the storage device 327 is referred to. The storage device 327 is a non-volatile memory such as a flash memory, and stores money information or personal information of a person who owns the card 31. Further, the result of the arithmetic processing of the control / arithmetic logic circuit 326 is transmitted data R if necessary.
D is output to the data modulation circuit 325, where it is modulated and transmitted to an external device via the antenna 323.

【0025】図1にはパワーオンリセット回路322の
構成例が示される。
FIG. 1 shows a configuration example of the power-on reset circuit 322.

【0026】ダイオード11とnチャンネル型MOSト
ランジスタ(デプレッション型)とが直列接続され、こ
の直列接続ノードAの電位がインバータ13に入力され
るようになっている。ダイオード11のアノードには高
電位側電源電圧Vccが印加される。nチャンネル型M
OSトランジスタ12のゲート電極とドレイン電極とが
結合される。nチャンネル型MOSトランジスタ12の
ソース電極は高電位側電源電圧Vccレベルとされる。
インバータ13の動作用電源として高電位側電源電圧V
cc、及び低電位側電源電圧Vssが供給される。イン
バータ13の出力信号は、リセット信号RST*として
制御・演算用論理回路326に供給される。
The diode 11 and an n-channel MOS transistor (depletion type) are connected in series, and the potential of the series connection node A is input to the inverter 13. The high potential side power supply voltage Vcc is applied to the anode of the diode 11. n-channel type M
The gate electrode and the drain electrode of the OS transistor 12 are coupled. The source electrode of the n-channel MOS transistor 12 is set at the high potential side power supply voltage Vcc level.
A high-potential-side power supply voltage V
cc and the low-potential-side power supply voltage Vss. The output signal of the inverter 13 is supplied to the control / arithmetic logic circuit 326 as a reset signal RST *.

【0027】図2には、図1に示されるパワーオンリセ
ット回路322の特性図が示される。
FIG. 2 is a characteristic diagram of the power-on reset circuit 322 shown in FIG.

【0028】高電位側電源電圧Vccが零ボルトの付近
では、ダイオード11に十分な順方向電圧が印加されな
いため、ダイオード11に電流が流れない。このため、
直列接続ノードAの電位は低電位側電源電圧Vssレベ
ルであり、インバータ13の出力端子はハイレベルであ
る。
When the high-potential-side power supply voltage Vcc is near zero volt, no sufficient forward voltage is applied to the diode 11, so that no current flows through the diode 11. For this reason,
The potential of the series connection node A is at the low potential side power supply voltage Vss level, and the output terminal of the inverter 13 is at the high level.

【0029】高電位側電源電圧Vccがさらに上昇し、
ダイオード11の端子間電圧が0.8ボルトを越えると
ダイオード11に順方向電流が流れ始める。すると、n
チャンネル型MOSトランジスタ12で構成される抵抗
により、直列接続ノードAの電位が上昇され、それがイ
ンバータ13の論理しきい値に達したとき、インバータ
13の出力論理が反転され、リセット信号RST*がロ
ーレベルにアサートされる。それにより、制御・演算用
論理回路326が、リセットされて所定の制御・演算動
作が開始される。
The high-potential-side power supply voltage Vcc further rises,
When the voltage between the terminals of the diode 11 exceeds 0.8 volts, a forward current starts to flow through the diode 11. Then, n
The resistance of the channel type MOS transistor 12 raises the potential of the series connection node A, and when it reaches the logic threshold of the inverter 13, the output logic of the inverter 13 is inverted and the reset signal RST * becomes Asserted low. Thereby, the control / arithmetic logic circuit 326 is reset and a predetermined control / arithmetic operation is started.

【0030】ここで、制御・演算用論理回路326は、
シーケンス制御のための制御論理を含み、そこに供給さ
れる高電位側電源電圧Vccがあまり低いと正常な論理
動作を行うことができない。特にMOSトランジスタが
複数段に結合されたような論理回路は、MOSトランジ
スタが複数段に結合されない回路に比べて、より高い電
源電圧が供給されなければ、正常に動作しない。したが
って、コンタクトレスカード31が外部装置にセットさ
れた直後のようにアンテナ33での起電力が十分に高く
ならない状態で、リセット信号RST*がローレベルに
アサートされた場合には、制御・演算用論理回路326
が正常な論理動作を行うことができるレベルにまで高電
位側電源電圧Vccが上昇されないにもかかわらず、リ
セット信号RST*により、制御・演算用論理回路32
6の動作が開始されることになるから、制御・演算用論
理回路326の誤動作を余儀なくされる。
Here, the control / arithmetic logic circuit 326 includes:
It includes control logic for sequence control. If the high-potential-side power supply voltage Vcc supplied thereto is too low, normal logic operation cannot be performed. In particular, a logic circuit in which MOS transistors are coupled in a plurality of stages does not operate properly unless a higher power supply voltage is supplied as compared with a circuit in which MOS transistors are not coupled in a plurality of stages. Therefore, when the reset signal RST * is asserted to a low level in a state where the electromotive force at the antenna 33 does not become sufficiently high, such as immediately after the contactless card 31 is set in an external device, the control / operation Logic circuit 326
Although the high-potential-side power supply voltage Vcc is not raised to a level at which normal logic operation can be performed, the control / operation logic circuit 32 is reset by the reset signal RST *.
6, the control / arithmetic logic circuit 326 must be erroneously operated.

【0031】例えば図1に示されるダイオード11の代
わりに抵抗を設け、nチャンネル型MOSトランジスタ
12の代わりにキャパシタを設けた場合には、CRの時
定数によってキャパシタの端子電圧が徐々に上昇し、そ
れがインバータ13の論理しきい値を越えることでイン
バータの出力論理が反転する。インバータ13の論理し
きい値は、高電位側電源電圧Vccのほぼ1/2とされ
るから、高電位側電源電圧Vccが十分に高くならない
状態でも、インバータの出力論理が反転する可能性はあ
る。そうすると、上記したように、制御・演算用論理回
路326が正常な論理動作を行うことができるレベルに
まで高電位側電源電圧Vccが上昇されない状態で、リ
セット信号RST*がアサートされて制御・演算用論理
回路326の動作が開始されることになるから、制御・
演算用論理回路326が誤動作してしまう。
For example, when a resistor is provided in place of the diode 11 shown in FIG. 1 and a capacitor is provided in place of the n-channel MOS transistor 12, the terminal voltage of the capacitor gradually increases due to the time constant of CR. When this exceeds the logic threshold value of the inverter 13, the output logic of the inverter is inverted. Since the logic threshold value of the inverter 13 is set to approximately 1/2 of the high-potential-side power supply voltage Vcc, the output logic of the inverter may be inverted even when the high-potential-side power supply voltage Vcc is not sufficiently high. . Then, as described above, the reset signal RST * is asserted in a state where the high-potential-side power supply voltage Vcc does not rise to a level at which the control / operation logic circuit 326 can perform a normal logic operation, and the control / operation operation is performed. Since the operation of the logic circuit 326 is started, the control
The arithmetic logic circuit 326 malfunctions.

【0032】それに対して、図1に示される構成では、
ダイオード11の性質上、ダイオード11の端子電圧が
ほぼ0.8ボルトに達しなければダイオード11に電流
が流れないから、直列接続ノードAの電位が上昇される
ことはなく、インバータの論理反転が阻止される。高電
位側電源電圧Vccが上昇され、ダイオード11の端子
間電圧が0.8ボルトを越えると、ダイオード11に順
方向電流が流れ、直列接続ノードAの電位が、インバー
タ13の論理しきい値を越えることで、インバータ13
の出力論理が反転され、リセット信号RST*がアサー
トされる。この状態では、高電位側電源電圧Vccは十
分に上昇されており、制御・演算用論理回路326は正
常に動作される。
On the other hand, in the configuration shown in FIG.
Due to the nature of the diode 11, no current flows through the diode 11 unless the terminal voltage of the diode 11 reaches approximately 0.8 volts, so that the potential of the series connection node A does not rise and the logic inversion of the inverter is prevented. Is done. When the high-potential-side power supply voltage Vcc is increased and the voltage across the terminals of the diode 11 exceeds 0.8 volts, a forward current flows through the diode 11 and the potential of the series connection node A lowers the logical threshold value of the inverter 13. The inverter 13
Is inverted, and the reset signal RST * is asserted. In this state, the high-potential-side power supply voltage Vcc is sufficiently raised, and the control / operation logic circuit 326 operates normally.

【0033】このようにダイオード11とMOSトラン
ジスタ12との直列接続回路は、それ自体簡単な構成で
ありながら、高電位側電源電圧Vccのレベルチェック
機能を発揮し、高電位側電源電圧Vccが所定値を越え
ない限り、リセット信号RST*がアサートされないよ
うになっているので、リセット信号RST*のアサート
タイミングの適正化により、制御・演算用論理回路32
6の誤動作を排除することができる。
As described above, although the series connection circuit of the diode 11 and the MOS transistor 12 has a simple structure itself, it performs the function of checking the level of the high-potential-side power supply voltage Vcc so that the high-potential-side power supply voltage Vcc is set to a predetermined value. Since the reset signal RST * is not asserted unless the value exceeds the value, the control / arithmetic logic circuit 32 is provided by optimizing the assertion timing of the reset signal RST *.
6 can be eliminated.

【0034】上記例によれば、以下の作用効果を得るこ
とができる。
According to the above example, the following functions and effects can be obtained.

【0035】高電位側電源電圧Vccが上昇し、ダイオ
ード11の端子間電圧が0.8ボルトを越えるとダイオ
ード11に順方向電流が流れ始め、nチャンネル型MO
Sトランジスタ12で構成される抵抗により、直列接続
ノードAの電位が上昇され、それがインバータ13の論
理しきい値に達したとき、インバータ13の出力論理が
反転されてリセット信号RST*がローレベルにアサー
トされる。つまり、高電位側電源電圧Vccが上昇さ
れ、ダイオード11の端子間電圧が0.8ボルトを越え
ない限り、直列接続ノードAの電位はほぼ低電位側電源
電圧Vssレベルに等しくされるから、リセット信号R
ST*がローレベルにアサートされることはない。高電
位側電源電圧Vccが上昇され、ダイオード11の端子
間電圧が0.8ボルトを越えると、ダイオード11に順
方向電流が流れ、直列接続ノードAの電位が、インバー
タ13の論理しきい値を越えることで、インバータ13
の出力論理が反転され、リセット信号RST*がアサー
トされる。この状態では、高電位側電源電圧Vccは十
分に上昇されており、制御・演算用論理回路326は正
常に動作される。
When the high-potential-side power supply voltage Vcc rises and the voltage between the terminals of the diode 11 exceeds 0.8 volts, a forward current starts to flow through the diode 11, and the n-channel type
The resistance of the S transistor 12 raises the potential of the series connection node A, and when it reaches the logic threshold value of the inverter 13, the output logic of the inverter 13 is inverted and the reset signal RST * goes low. Asserted. That is, unless the high-potential-side power supply voltage Vcc is raised and the voltage between the terminals of the diode 11 does not exceed 0.8 volts, the potential of the series connection node A is substantially equal to the low-potential-side power supply voltage Vss level. Signal R
ST * is never asserted low. When the high-potential-side power supply voltage Vcc is increased and the voltage between the terminals of the diode 11 exceeds 0.8 volts, a forward current flows through the diode 11 and the potential of the series connection node A lowers the logical threshold value of the inverter 13. The inverter 13
Is inverted, and the reset signal RST * is asserted. In this state, the high-potential-side power supply voltage Vcc is sufficiently raised, and the control / arithmetic logic circuit 326 operates normally.

【0036】以上本発明者によってなされた発明を具体
的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能で
あることは言うまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described above, the present invention is not limited to this, and it goes without saying that various modifications can be made without departing from the gist of the invention.

【0037】例えば、ダイオード11に代えて抵抗を設
けても良い。高電位側電源電圧Vccが上昇され、nチ
ャンネル型MOSトランジスタ12のドレイン・ソース
間電圧Vdsが高くなってMOSトランジスタ12が飽
和し、それに直列接続されている抵抗の電圧降下によ
り、高電位側電源電圧Vccが分圧されて直列接続ノー
ドAが所定の電圧になる。高電位側電源電圧Vccがさ
らに上昇され、直列接続ノードAの電位が、インバータ
13の論理しきい値を越えることで、インバータ13の
出力論理が反転され、リセット信号RST*がアサート
される。この状態では、高電位側電源電圧Vccは十分
に上昇されており、制御・演算用論理回路326は正常
に動作されるから、図1に示される場合と同様の作用効
果を得ることができる。
For example, a resistor may be provided instead of the diode 11. The high-potential-side power supply voltage Vcc is increased, the drain-source voltage Vds of the n-channel MOS transistor 12 is increased, and the MOS transistor 12 is saturated. The voltage Vcc is divided so that the series connection node A has a predetermined voltage. When the high-potential-side power supply voltage Vcc is further increased and the potential of the series connection node A exceeds the logical threshold value of the inverter 13, the output logic of the inverter 13 is inverted, and the reset signal RST * is asserted. In this state, the high-potential-side power supply voltage Vcc is sufficiently raised, and the control / arithmetic logic circuit 326 operates normally, so that the same operation and effect as in the case shown in FIG. 1 can be obtained.

【0038】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるコンタ
クトレスカードに適用した場合について説明したが、本
発明はそれに限定されるものではなく、パワーオンリセ
ットが必要となる各種半導体集積回路及びそれを含む装
置に広く適用することができる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to a contactless card, which is the field of application as the background, has been described. However, the present invention is not limited to this case. The present invention can be widely applied to various semiconductor integrated circuits that require resetting and devices including the same.

【0039】[0039]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
The effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0040】すなわち、高電位側電源電圧が上昇され、
ダイオードの端子間電圧が所定値を越えない限り、直列
接続ノードの電位はほぼ低電位側電源電圧レベルに等し
くされるから、高電位側電源電圧Vccが非常に低い状
態でリセット信号がアサートされることはない。高電位
側電源電圧が上昇され、ダイオードの端子間電圧が所定
値を越えると、ダイオードに順方向電流が流れ、直列接
続ノードの電位が、論理ゲートの論理しきい値を越える
ことで、論理ゲートの出力論理が反転され、リセット信
号がアサートされる。この状態では、高電位側電源電圧
は十分に上昇されており、制御・演算用論理回路は正常
に動作される。それにより、電源電圧が変動される環境
下において適切なタイミングでパワーオンリセット信号
を形成することによって内部論理回路の誤動作を排除す
ることができる。
That is, the high-potential-side power supply voltage is increased,
As long as the voltage between the terminals of the diode does not exceed a predetermined value, the potential of the series connection node is made substantially equal to the low potential side power supply voltage level. Therefore, the reset signal is asserted in a state where the high potential side power supply voltage Vcc is very low. Never. When the high-potential-side power supply voltage rises and the voltage between the terminals of the diode exceeds a predetermined value, a forward current flows through the diode, and the potential of the series connection node exceeds the logic threshold of the logic gate. Is inverted, and the reset signal is asserted. In this state, the high-potential-side power supply voltage is sufficiently raised, and the control / arithmetic logic circuit operates normally. Thus, a malfunction of the internal logic circuit can be eliminated by forming the power-on reset signal at an appropriate timing in an environment where the power supply voltage fluctuates.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明にかかるコンタクトレスカードに含まれ
るパワーオンリセット回路の構成例回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration example of a power-on reset circuit included in a contactless card according to the present invention.

【図2】図1に示される回路の特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram of the circuit shown in FIG.

【図3】上記コンタクトレスカードの全体的な構成例説
明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of an overall configuration example of the contactless card.

【図4】上記コンタクトレスカードに含まれる半導体集
積回路の構成例ブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration example of a semiconductor integrated circuit included in the contactless card.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 ダイオード 12 nチャンネル型MOSトランジスタ 13 インバータ 31 コンタクトレスカード 32 半導体集積回路 33 アンテナ 321 電源回路 322 パワーオンリセット回路 323 クロック抽出回路 324 データ復調回路 325 データ変調回路 326 制御・演算用論理回路 327 記憶回路 REFERENCE SIGNS LIST 11 diode 12 n-channel MOS transistor 13 inverter 31 contactless card 32 semiconductor integrated circuit 33 antenna 321 power supply circuit 322 power-on reset circuit 323 clock extraction circuit 324 data demodulation circuit 325 data modulation circuit 326 control / arithmetic logic circuit 327 storage circuit

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内部論理回路と、上記内部回路の動作用
電圧を形成するための電源回路と、上記電源回路の出力
電圧に基づいて上記内部論理回路をパワーオンリセット
するためのパワーオンリセット回路とを含む半導体集積
回路において、 上記パワーオンリセット回路は、上記電源回路の出力電
圧を受けるダイオードと、 上記ダイオードに直列接続されたトランジスタと、 上記ダイオードとトランジスタとの直列接続ノードの論
理を判別するための論理ゲートとを含んで成り、 上記論理ゲートの出力信号が上記内部論理回路にそれの
パワーオンリセット信号として供給されることを特徴と
する半導体集積回路。
An internal logic circuit; a power supply circuit for forming an operating voltage of the internal circuit; and a power-on reset circuit for power-on resetting the internal logic circuit based on an output voltage of the power supply circuit. Wherein the power-on reset circuit determines a logic of a diode receiving the output voltage of the power supply circuit, a transistor connected in series to the diode, and a serial connection node of the diode and the transistor. And a logic gate for supplying the output signal of the logic gate to the internal logic circuit as a power-on reset signal thereof.
【請求項2】 内部論理回路と、上記内部回路の動作用
電圧を形成するための電源回路と、上記電源回路の出力
電圧に基づいて上記内部論理回路をパワーオンリセット
するためのパワーオンリセット回路とを含む半導体集積
回路において、 上記パワーオンリセット回路は、上記電源回路の出力端
子に結合された抵抗と、 上記抵抗に直列接続されたトランジスタと、 上記抵抗とトランジスタとの直列接続ノードの論理を判
別するための論理ゲートとを含んで成り、 上記論理ゲートの出力信号が上記内部論理回路にそれの
パワーオンリセット信号として供給されることを特徴と
する半導体集積回路。
2. An internal logic circuit, a power supply circuit for forming an operating voltage of the internal circuit, and a power-on reset circuit for power-on resetting the internal logic circuit based on an output voltage of the power supply circuit Wherein the power-on reset circuit includes a resistor coupled to an output terminal of the power supply circuit, a transistor connected in series to the resistor, and a logic of a series connection node of the resistor and the transistor. A logic gate for discriminating, wherein an output signal of the logic gate is supplied to the internal logic circuit as a power-on reset signal thereof.
【請求項3】 請求項1又は2記載の半導体集積回路
と、上記電源回路の入力端子に結合され、外部装置から
発射された電波を、当該外部装置に非接触状態で受信す
るためのアンテナとを含んで、カード状に形成されたコ
ンタクトレスカード。
3. A semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising an antenna coupled to an input terminal of said power supply circuit for receiving radio waves emitted from an external device in a non-contact state with said external device. And a contactless card formed in a card shape.
【請求項4】 上記アンテナを介して取り込まれた信号
から、上記内部論理回路の動作に使用されるクロック信
号を抽出するためのクロック抽出回路と、上記アンテナ
を介して取り込まれた信号から、上記内部論理回路で処
理されるデータを得るためのデータ復調回路と、上記内
部回路の出力データを変調して上記アンテナに供給する
ためのデータ変調回路とを含む請求項3記載のコンタク
トレスカード。
4. A clock extraction circuit for extracting a clock signal used for the operation of the internal logic circuit from a signal captured via the antenna, and a clock extraction circuit for extracting a clock signal used via the antenna. 4. The contactless card according to claim 3, further comprising a data demodulation circuit for obtaining data processed by an internal logic circuit, and a data modulation circuit for modulating output data of the internal circuit and supplying the data to the antenna.
JP10069873A 1998-03-19 1998-03-19 Semiconductor integrated circuit and contactless card Withdrawn JPH11272813A (en)

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