JPH11272048A - 画像形成装置 - Google Patents
画像形成装置Info
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- JPH11272048A JPH11272048A JP10077487A JP7748798A JPH11272048A JP H11272048 A JPH11272048 A JP H11272048A JP 10077487 A JP10077487 A JP 10077487A JP 7748798 A JP7748798 A JP 7748798A JP H11272048 A JPH11272048 A JP H11272048A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像形成装置を長時間休止状態に放置した後
に画像形成を再開する場合に、環境湿度の影響を受けた
現像剤により、カブリ現象や濃度低下を伴う現像が行わ
れ、形成画像の質が低下するのを防止すること。 【解決手段】 像担持体に現像剤を担持搬送する現像剤
担持体と、現像剤担持体にＤＣ成分にＡＣ成分を重畳し
た現像バイアス電圧を印加するバイアス印加手段とを具
備する現像手段と、前回の画像形成から次回の画像形成
時までの休止時間を検出する休止時間検出手段と、湿度
環境を検出する湿度検出手段とを有する画像形成装置に
おいて、前記検出手段により検出される休止時間が設定
値以上の場合に（Ｓ１）、湿度環境が設定値以上のとき
は、現像バイアスの振幅を基準値より増大し（Ｓ４）、
湿度環境が設定値未満のときは、現像バイアスの周波数
を基準値より増大する（Ｓ５）。
に画像形成を再開する場合に、環境湿度の影響を受けた
現像剤により、カブリ現象や濃度低下を伴う現像が行わ
れ、形成画像の質が低下するのを防止すること。 【解決手段】 像担持体に現像剤を担持搬送する現像剤
担持体と、現像剤担持体にＤＣ成分にＡＣ成分を重畳し
た現像バイアス電圧を印加するバイアス印加手段とを具
備する現像手段と、前回の画像形成から次回の画像形成
時までの休止時間を検出する休止時間検出手段と、湿度
環境を検出する湿度検出手段とを有する画像形成装置に
おいて、前記検出手段により検出される休止時間が設定
値以上の場合に（Ｓ１）、湿度環境が設定値以上のとき
は、現像バイアスの振幅を基準値より増大し（Ｓ４）、
湿度環境が設定値未満のときは、現像バイアスの周波数
を基準値より増大する（Ｓ５）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複写機、レーザー
ビームプリンター、ファクシミリ等の画像形成装置に関
し、特には、画像形成装置における現像部の改良に関す
るものである。
ビームプリンター、ファクシミリ等の画像形成装置に関
し、特には、画像形成装置における現像部の改良に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の画像形成装置としては、電子写
真方式の複写機やプリンター等が挙げられるが、このよ
うな装置では、帯電手段で一様に帯電した像担持体表面
に、原稿画像あるいは入力した多値の画像信号に対応し
た画像露光を照射することにより、静電潜像を形成し、
該静電潜像を現像手段によりトナー像として現像した
後、そのトナー像を転写手段でシートである転写材に転
写し、定着手段で転写材上のトナー像を該転写材上に定
着して出力している。
真方式の複写機やプリンター等が挙げられるが、このよ
うな装置では、帯電手段で一様に帯電した像担持体表面
に、原稿画像あるいは入力した多値の画像信号に対応し
た画像露光を照射することにより、静電潜像を形成し、
該静電潜像を現像手段によりトナー像として現像した
後、そのトナー像を転写手段でシートである転写材に転
写し、定着手段で転写材上のトナー像を該転写材上に定
着して出力している。
【０００３】乾式一成分現像を用いる現像装置に関して
は、種々の装置が提案されているが、最も一般的な方法
の一つとして、現像剤担持体である現像ローラ上に、現
像剤規制部材を配し、現像剤規制部材を通過時に現像剤
であるトナーを帯電させると同時に薄層に形成し、現像
剤担持体を像担持体に極めて近接させた状態で、現像剤
担持体にＡＣ成分とＤＣ成分からなる現像バイアス電圧
を印加し、像担持体上の静電像と現像剤担持体の電位差
によって、現像を行う方法が用いられている。像担持体
上の静電像と現像剤担持体の電位差は、静電像の電位と
現像バイアス電圧のＡＣ成分とＤＣ成分の値によって決
定する。
は、種々の装置が提案されているが、最も一般的な方法
の一つとして、現像剤担持体である現像ローラ上に、現
像剤規制部材を配し、現像剤規制部材を通過時に現像剤
であるトナーを帯電させると同時に薄層に形成し、現像
剤担持体を像担持体に極めて近接させた状態で、現像剤
担持体にＡＣ成分とＤＣ成分からなる現像バイアス電圧
を印加し、像担持体上の静電像と現像剤担持体の電位差
によって、現像を行う方法が用いられている。像担持体
上の静電像と現像剤担持体の電位差は、静電像の電位と
現像バイアス電圧のＡＣ成分とＤＣ成分の値によって決
定する。
【０００４】一例として、マイナスに帯電する現像剤を
用いて、像担持体の明部を潜像部分として現像を行う場
合について説明する。
用いて、像担持体の明部を潜像部分として現像を行う場
合について説明する。
【０００５】図３の縦軸は、電位の大きさを表わしてい
る。まず、像担持体は帯電手段によってその表面を一様
に−７００Ｖに帯電されている（暗部）。ここに原稿画
像あるいは入力した多値の画像信号に対応した画像露光
を照射することにより、潜像が形成される（明部）。こ
こでの潜像電位は−２００Ｖである。像担持体に近接し
た現像剤担持体には、ＤＣ成分−５００Ｖ、ＡＣ成分振
幅８００Ｖ、周波数１０００Ｈｚを印加しており、現像
剤担持体の表面電位は、−９００Ｖから−１００Ｖの間
を１０００Ｈｚの周期で変化している。今、現像剤担持
体表面の現像剤はマイナスに帯電しているため、よりプ
ラスの電位である方へ飛翔し付着しようとする力が働
く。
る。まず、像担持体は帯電手段によってその表面を一様
に−７００Ｖに帯電されている（暗部）。ここに原稿画
像あるいは入力した多値の画像信号に対応した画像露光
を照射することにより、潜像が形成される（明部）。こ
こでの潜像電位は−２００Ｖである。像担持体に近接し
た現像剤担持体には、ＤＣ成分−５００Ｖ、ＡＣ成分振
幅８００Ｖ、周波数１０００Ｈｚを印加しており、現像
剤担持体の表面電位は、−９００Ｖから−１００Ｖの間
を１０００Ｈｚの周期で変化している。今、現像剤担持
体表面の現像剤はマイナスに帯電しているため、よりプ
ラスの電位である方へ飛翔し付着しようとする力が働
く。
【０００６】図中の斜線の部分では、像担持体と現像
剤担持体表面との電位差（像担持体表面電位−現像剤担
持体表面電位）が、明部で＋７００Ｖ、暗部で＋２００
Ｖとなり、明部に対応する部分では、現像剤が電界の力
によって、ドラムに飛翔し付着する。この時、より電位
差の大きい明部の多くの現像剤が付着するが、暗部への
現像剤の付着も発生する。暗部への多量の現像剤の付着
は、画像上では白地部への現像剤付着であり、カブリ現
象となる。
剤担持体表面との電位差（像担持体表面電位−現像剤担
持体表面電位）が、明部で＋７００Ｖ、暗部で＋２００
Ｖとなり、明部に対応する部分では、現像剤が電界の力
によって、ドラムに飛翔し付着する。この時、より電位
差の大きい明部の多くの現像剤が付着するが、暗部への
現像剤の付着も発生する。暗部への多量の現像剤の付着
は、画像上では白地部への現像剤付着であり、カブリ現
象となる。
【０００７】次に図中の斜線の部分では、像担持体と
現像剤担持体表面との電位差（像担持体表面電位−現像
剤担持体表面電位）は、明部で−１００Ｖ、暗部で−６
００Ｖとなり、この時暗部に対応する部分では、現像剤
が像担持体から現像剤担持体の方に飛翔し付着する。こ
れによって斜線の部分で暗部に付着していた現像剤は
現像剤担持体に引き戻される。この時、より電位差の大
きい暗部で多くの現像剤の引き戻しが行われるが、明部
での現像剤の引き戻しも若干発生する。
現像剤担持体表面との電位差（像担持体表面電位−現像
剤担持体表面電位）は、明部で−１００Ｖ、暗部で−６
００Ｖとなり、この時暗部に対応する部分では、現像剤
が像担持体から現像剤担持体の方に飛翔し付着する。こ
れによって斜線の部分で暗部に付着していた現像剤は
現像剤担持体に引き戻される。この時、より電位差の大
きい暗部で多くの現像剤の引き戻しが行われるが、明部
での現像剤の引き戻しも若干発生する。
【０００８】斜線との状態を繰り返すことにより、
明部（潜像部）にはより多くの現像剤が付着し、暗部
（白地部）には、現像剤の付着がなくなり、カブリのな
い良好な画像が形成される。一般に現像特性は現像バイ
アスのＡＣ成分によって変化し、ＡＣ成分の周波数を大
きくすると、現像剤の引き戻し回数が増えるので、より
カブリのない画像が得られる。また、振幅を大きくする
と明部での電位差が増加するので、現像能力が増加し、
全体的に濃度の高い画像が得られる。
明部（潜像部）にはより多くの現像剤が付着し、暗部
（白地部）には、現像剤の付着がなくなり、カブリのな
い良好な画像が形成される。一般に現像特性は現像バイ
アスのＡＣ成分によって変化し、ＡＣ成分の周波数を大
きくすると、現像剤の引き戻し回数が増えるので、より
カブリのない画像が得られる。また、振幅を大きくする
と明部での電位差が増加するので、現像能力が増加し、
全体的に濃度の高い画像が得られる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、これらの現
像特性は装置の使用環境や使用枚数によっても、大きく
変動する。これは、主に使用環境や使用枚数によって現
像剤が劣化したり、特性が変化したりするためである。
現像剤が劣化してくると、現像剤の帯電能力が減少し、
現像剤担持体上の現像剤の電荷が不均一になったり、低
くなったりする。現像剤担持体を回転させ続け、現像剤
に電荷を与え続けることにより、現像剤の電荷は均一に
なり安定するが、１日放置や長期放置後の画像形成で
は、現像剤担持体上の現像剤の電荷が安定していない状
態で画像形成が行われるため、画像上に不具合を生じ
る。具体的には、低湿環境においては、１日放置や長期
放置後の画像形成では、現像剤の電荷が不均一になり、
逆極性に帯電した現像剤や過度に帯電した現像剤による
カブリ現象が悪化する。
像特性は装置の使用環境や使用枚数によっても、大きく
変動する。これは、主に使用環境や使用枚数によって現
像剤が劣化したり、特性が変化したりするためである。
現像剤が劣化してくると、現像剤の帯電能力が減少し、
現像剤担持体上の現像剤の電荷が不均一になったり、低
くなったりする。現像剤担持体を回転させ続け、現像剤
に電荷を与え続けることにより、現像剤の電荷は均一に
なり安定するが、１日放置や長期放置後の画像形成で
は、現像剤担持体上の現像剤の電荷が安定していない状
態で画像形成が行われるため、画像上に不具合を生じ
る。具体的には、低湿環境においては、１日放置や長期
放置後の画像形成では、現像剤の電荷が不均一になり、
逆極性に帯電した現像剤や過度に帯電した現像剤による
カブリ現象が悪化する。
【００１０】また、高湿環境においては、１日放置や長
期放置後の画像形成では、現像剤の帯電電荷が低くな
り、現像能力が低下するために画像濃度の低下が発生す
る。それぞれの環境での現像特性の変化を図４に表わ
す。図４のＡは現像剤が劣化していない初期における現
像特性を、現像のコントラストと画像濃度で表したもの
である。Ｂは低湿環境で使用後に長期放置後、Ｃは高湿
環境で使用後に長期放置した場合の現像特性である。
期放置後の画像形成では、現像剤の帯電電荷が低くな
り、現像能力が低下するために画像濃度の低下が発生す
る。それぞれの環境での現像特性の変化を図４に表わ
す。図４のＡは現像剤が劣化していない初期における現
像特性を、現像のコントラストと画像濃度で表したもの
である。Ｂは低湿環境で使用後に長期放置後、Ｃは高湿
環境で使用後に長期放置した場合の現像特性である。
【００１１】図４のＢでは、低コントラスト部分（白地
部）での現像能力が増加しており、これがカブリ現象と
なっている。Ｃでは、高コントラスト部分（黒地部）で
の現像能力が低下しており、これが濃度低下となってい
る。Ｂ，Ｃの現像特性は、現像剤担持体を回転させ続
け、現像剤に電荷を与え続け、現像剤の電荷が均一にな
り安定すれば、Ａの現像特性へと変化する。
部）での現像能力が増加しており、これがカブリ現象と
なっている。Ｃでは、高コントラスト部分（黒地部）で
の現像能力が低下しており、これが濃度低下となってい
る。Ｂ，Ｃの現像特性は、現像剤担持体を回転させ続
け、現像剤に電荷を与え続け、現像剤の電荷が均一にな
り安定すれば、Ａの現像特性へと変化する。
【００１２】本発明は、上記のような事情に鑑みてなさ
れたもので、前回の画像形成から次回の画像形成までの
休止時間が設定値以上の場合に、環境湿度に応じて現像
バイアスを切り換えることにより、良好な画像を形成で
きるようにした画像形成装置を提供することを目的とす
る。
れたもので、前回の画像形成から次回の画像形成までの
休止時間が設定値以上の場合に、環境湿度に応じて現像
バイアスを切り換えることにより、良好な画像を形成で
きるようにした画像形成装置を提供することを目的とす
る。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の手段は、像担持体に現像剤を担持搬送する
現像剤担持体と、該現像剤担持体にＤＣ成分にＡＣ成分
を重畳した現像バイアス電圧を印加する現像バイアス印
加手段とを具備する現像手段と、前回の画像形成から次
回の画像形成時までの休止時間を検出する休止時間検出
手段と、湿度環境を検出する湿度検出手段とを有する画
像形成装置において、前記休止時間検出手段及び湿度検
出手段の両者の検出結果に応じて、前記現像バイアスの
ＡＣ成分の周波数及び／又は振幅を切り換えるバイアス
切り換え手段を有することを特徴とする。
に、本発明の手段は、像担持体に現像剤を担持搬送する
現像剤担持体と、該現像剤担持体にＤＣ成分にＡＣ成分
を重畳した現像バイアス電圧を印加する現像バイアス印
加手段とを具備する現像手段と、前回の画像形成から次
回の画像形成時までの休止時間を検出する休止時間検出
手段と、湿度環境を検出する湿度検出手段とを有する画
像形成装置において、前記休止時間検出手段及び湿度検
出手段の両者の検出結果に応じて、前記現像バイアスの
ＡＣ成分の周波数及び／又は振幅を切り換えるバイアス
切り換え手段を有することを特徴とする。
【００１４】前記休止時間検出手段による検出結果が設
定値より大きい場合に、前記現像バイアスのＡＣ成分の
周波数及び／又は振幅を切り換えることができる。
定値より大きい場合に、前記現像バイアスのＡＣ成分の
周波数及び／又は振幅を切り換えることができる。
【００１５】前記休止時間検出手段による検出結果が設
定値より大きい場合に、前記現像バイアスのＡＣ成分の
周波数及び／又は振幅を切り換えた状態で、所定枚数の
シートに画像を形成することができる。
定値より大きい場合に、前記現像バイアスのＡＣ成分の
周波数及び／又は振幅を切り換えた状態で、所定枚数の
シートに画像を形成することができる。
【００１６】前記湿度検出手段による検知結果が設定値
以上の場合に、現像バイアスのＡＣ成分の振幅を基準振
幅より大きくすることができる。
以上の場合に、現像バイアスのＡＣ成分の振幅を基準振
幅より大きくすることができる。
【００１７】前記現像バイアスのＡＣ成分の振幅を基準
振幅より大きくする場合に、現像バイアスのＡＣ成分の
周波数を基準周波数より小さくすることができる。
振幅より大きくする場合に、現像バイアスのＡＣ成分の
周波数を基準周波数より小さくすることができる。
【００１８】湿度検出手段による検知結果が設定値未満
の場合に、現像バイアスのＡＣ成分の周波数を基準周波
数より大きくすることができる。
の場合に、現像バイアスのＡＣ成分の周波数を基準周波
数より大きくすることができる。
【００１９】上記現像バイアスのＡＣ成分の周波数を基
準周波数より大きくする場合に、現像バイアスのＡＣ成
分の振幅を基準振幅より小さくすることができる。
準周波数より大きくする場合に、現像バイアスのＡＣ成
分の振幅を基準振幅より小さくすることができる。
【００２０】
【発明の実施の形態】実施形態１ 図２に基づいて、本発明に係る画像形成装置の１実施形
態について説明する。図２は同画像形成装置における要
部断面図である。図２に示すように、本実施形態の装置
において、１は像担持体であるところの感光ドラムであ
り、その周囲には一次帯電装置２、露光装置１０、現像
装置３、転写装置４、クリーニング装置５が配置されて
いる。
態について説明する。図２は同画像形成装置における要
部断面図である。図２に示すように、本実施形態の装置
において、１は像担持体であるところの感光ドラムであ
り、その周囲には一次帯電装置２、露光装置１０、現像
装置３、転写装置４、クリーニング装置５が配置されて
いる。
【００２１】ここで、一連の画像形成の過程を簡単に説
明する。
明する。
【００２２】感光ドラム１は、矢印Ａの方向に回転して
おり、一次帯電装置２でその表面を一様に−７００Ｖに
帯電される。その後露光装置１０によって原稿画像ある
いは画像信号に対応した画像露光を照射することによ
り、画像露光を照射された表面の電位は−２００Ｖとな
り、静電潜像が形成される。そして、現像装置３によっ
て静電潜像を現像し、トナー像とした後、転写装置４で
不図示の転写材にトナー像を転写する。転写後の転写材
は搬送装置により不図示の定着装置へ搬送され、そこで
転写材にトナー像を加熱定着したあと、出力画像として
排出している。一方、転写装置を通過した感光ドラム１
表面は、クリーニング装置５によって、感光ドラム表面
に付着している残留トナーを除去される。
おり、一次帯電装置２でその表面を一様に−７００Ｖに
帯電される。その後露光装置１０によって原稿画像ある
いは画像信号に対応した画像露光を照射することによ
り、画像露光を照射された表面の電位は−２００Ｖとな
り、静電潜像が形成される。そして、現像装置３によっ
て静電潜像を現像し、トナー像とした後、転写装置４で
不図示の転写材にトナー像を転写する。転写後の転写材
は搬送装置により不図示の定着装置へ搬送され、そこで
転写材にトナー像を加熱定着したあと、出力画像として
排出している。一方、転写装置を通過した感光ドラム１
表面は、クリーニング装置５によって、感光ドラム表面
に付着している残留トナーを除去される。
【００２３】次に、本実施形態の現像装置について、詳
しく説明する。
しく説明する。
【００２４】現像装置３は、現像剤担持手段としての現
像ローラ６、現像剤規制部材７、現像剤８、現像剤室
９、現像バイアス電圧切り換え装置３０、ＡＣ電源部２
１，２２，２３とＤＣ電源部２５を含む現像バイアス電
源２０を有する。
像ローラ６、現像剤規制部材７、現像剤８、現像剤室
９、現像バイアス電圧切り換え装置３０、ＡＣ電源部２
１，２２，２３とＤＣ電源部２５を含む現像バイアス電
源２０を有する。
【００２５】上記のように構成された現像装置が起動し
て現像ローラ６が矢印Ｂ方向に回転すると、現像剤室９
内では、現像剤８同士或いは現像剤８と現像ローラ６表
面との接触摩擦等によって、電荷が現像剤８に与えら
れ、現像ローラ６表面に塗布される。現像ローラ６表面
に塗布された現像剤８は、現像ローラ６の内部に配置さ
れた不図示の多極永久磁石一つの極にほぼ対向して配設
された現像剤規制部材７により、更に摩擦され電荷を付
与されると同時に、均一かつ薄層になるように規制さ
れ、感光ドラム１と現像ローラ６とで形成される現像領
域に搬送される。そして、現像領域において、ローラ内
に固着された磁石による磁界と、現像バイアス電源から
の現像バイアス電圧の印加による電界の作用により、現
像剤が飛翔し感光ドラム上の静電潜像が現像されて可視
化される。
て現像ローラ６が矢印Ｂ方向に回転すると、現像剤室９
内では、現像剤８同士或いは現像剤８と現像ローラ６表
面との接触摩擦等によって、電荷が現像剤８に与えら
れ、現像ローラ６表面に塗布される。現像ローラ６表面
に塗布された現像剤８は、現像ローラ６の内部に配置さ
れた不図示の多極永久磁石一つの極にほぼ対向して配設
された現像剤規制部材７により、更に摩擦され電荷を付
与されると同時に、均一かつ薄層になるように規制さ
れ、感光ドラム１と現像ローラ６とで形成される現像領
域に搬送される。そして、現像領域において、ローラ内
に固着された磁石による磁界と、現像バイアス電源から
の現像バイアス電圧の印加による電界の作用により、現
像剤が飛翔し感光ドラム上の静電潜像が現像されて可視
化される。
【００２６】本実施形態では、現像バイアス電源２０の
ＤＣ電源部２５の出力値は−５００Ｖであり、第１のＡ
Ｃ成分電源部２１の出力値は、振幅１２００Ｖｐｐ、周
波数１６００Ｈｚであり、第２のＡＣ成分電源部２２の
出力値は、８００Ｖｐｐ、周波数１６００Ｈｚであり、
第３のＡＣ成分電源部２３の出力値は、８００Ｖｐｐ、
周波数２０００Ｈｚである。
ＤＣ電源部２５の出力値は−５００Ｖであり、第１のＡ
Ｃ成分電源部２１の出力値は、振幅１２００Ｖｐｐ、周
波数１６００Ｈｚであり、第２のＡＣ成分電源部２２の
出力値は、８００Ｖｐｐ、周波数１６００Ｈｚであり、
第３のＡＣ成分電源部２３の出力値は、８００Ｖｐｐ、
周波数２０００Ｈｚである。
【００２７】本実施形態では、現像バイアス電圧のＡＣ
成分は、通常状態では第２のＡＣ電源部２２が選択され
ており、現像バイアス電圧は、振幅８００Ｖｐｐ、周波
数１６００Ｈｚであり、これらを基準振幅及び基準周波
数としている。
成分は、通常状態では第２のＡＣ電源部２２が選択され
ており、現像バイアス電圧は、振幅８００Ｖｐｐ、周波
数１６００Ｈｚであり、これらを基準振幅及び基準周波
数としている。
【００２８】また、本実施形態では、タイマーと画像を
出力した日時を記憶可能なメモリを有し、前回の画像形
成からの経過時間を測定し、画像形成動作が行われる際
に、その経過時間を検知する手段と、湿度環境を検知す
るセンサーを有し、前記の検知時間の結果により、現像
バイアス電圧のＡＣ成分の切り換えの有無を決定し、現
像バイアス電圧のＡＣ成分の切り換えを行う場合は、更
に、湿度環境の検知結果により、切り換えの値を決定す
るしくみを有する。
出力した日時を記憶可能なメモリを有し、前回の画像形
成からの経過時間を測定し、画像形成動作が行われる際
に、その経過時間を検知する手段と、湿度環境を検知す
るセンサーを有し、前記の検知時間の結果により、現像
バイアス電圧のＡＣ成分の切り換えの有無を決定し、現
像バイアス電圧のＡＣ成分の切り換えを行う場合は、更
に、湿度環境の検知結果により、切り換えの値を決定す
るしくみを有する。
【００２９】そのための制御装置の１例を図７に示す。
同図において、制御装置４０は、比較・ 判断等を行うＣ
ＰＵ４１、制御プログラム等を記憶するＲＯＭ４２、所
定休止時間、所定湿度等のデータ等を記憶するＲＡＭ４
３を有し、該制御装置４０には、タイマ４５、湿度検知
センサ４６、切り換え装置３０が接続されている。
同図において、制御装置４０は、比較・ 判断等を行うＣ
ＰＵ４１、制御プログラム等を記憶するＲＯＭ４２、所
定休止時間、所定湿度等のデータ等を記憶するＲＡＭ４
３を有し、該制御装置４０には、タイマ４５、湿度検知
センサ４６、切り換え装置３０が接続されている。
【００３０】前回の画像形成終了時刻及び次回の画像形
成開始時刻をタイマ４５で計時し、ＲＡＭ４３に記憶
し、ＣＰＵにより両時刻の差から経過時間即ち休止時間
を算出する。そしてＣＰＵで、算出された休止時間とＲ
ＡＭに記憶された設定休止時間を比較し、前者が後者以
上と判断された場合、さらに後述のように、湿度検知セ
ンサからの検知値とＲＡＭに記憶された所定湿度以上か
未満かを判断して、切り換え装置３０を作動する。
成開始時刻をタイマ４５で計時し、ＲＡＭ４３に記憶
し、ＣＰＵにより両時刻の差から経過時間即ち休止時間
を算出する。そしてＣＰＵで、算出された休止時間とＲ
ＡＭに記憶された設定休止時間を比較し、前者が後者以
上と判断された場合、さらに後述のように、湿度検知セ
ンサからの検知値とＲＡＭに記憶された所定湿度以上か
未満かを判断して、切り換え装置３０を作動する。
【００３１】本実施形態の特徴となるこの一連の動作
を、図１のフローチャートに示す。
を、図１のフローチャートに示す。
【００３２】本実施形態の画像形成装置においては、画
像形成動作スタート後、前回の画像形成からの経過時間
を検知し（ステップ１）、経過時間が所定時間である２
４時間以上である場合は、現像バイアスのＡＣ成分の切
り換えを行い、未満の場合は切り換えを行わずに、振幅
８００Ｖｐｐ、周波数１６００Ｈｚの基準値で現像を行
う（ステップ２）。
像形成動作スタート後、前回の画像形成からの経過時間
を検知し（ステップ１）、経過時間が所定時間である２
４時間以上である場合は、現像バイアスのＡＣ成分の切
り換えを行い、未満の場合は切り換えを行わずに、振幅
８００Ｖｐｐ、周波数１６００Ｈｚの基準値で現像を行
う（ステップ２）。
【００３３】現像バイアス電圧のＡＣ成分の切り換えを
行う場合は、更に、湿度環境を検知し（ステップ３）、
相対湿度が４０％以上の場合は、現像バイアスのＡＣ成
分を振幅１２００Ｖｐｐ、周波数１６００Ｈｚに切り換
えて現像を行い（ステップ４）、４０％未満の場合は、
現像バイアスのＡＣ成分を振幅８００Ｖｐｐ、周波数２
０００Ｈｚに切り換えて現像を行う（ステップ５）。
行う場合は、更に、湿度環境を検知し（ステップ３）、
相対湿度が４０％以上の場合は、現像バイアスのＡＣ成
分を振幅１２００Ｖｐｐ、周波数１６００Ｈｚに切り換
えて現像を行い（ステップ４）、４０％未満の場合は、
現像バイアスのＡＣ成分を振幅８００Ｖｐｐ、周波数２
０００Ｈｚに切り換えて現像を行う（ステップ５）。
【００３４】前回の画像形成から２４時間以上経過して
おり、画像形成の湿度環境が４０％以上では、現像バイ
アスのＡＣ成分の切り換えを行わない場合は、その現像
特性は、図５のＡの様になっており、現像能力が低下し
ていて高コントラスト部分での濃度低下が発生してい
る。しかし、現像バイアスのＡＣ成分の切り換えを行
い、振幅を８００Ｖｐｐから１２００Ｖｐｐにすること
で、現像能力が向上し、図５のＢに示す現像特性とな
り、濃度低下のない良好な画像を出力することを可能に
している。
おり、画像形成の湿度環境が４０％以上では、現像バイ
アスのＡＣ成分の切り換えを行わない場合は、その現像
特性は、図５のＡの様になっており、現像能力が低下し
ていて高コントラスト部分での濃度低下が発生してい
る。しかし、現像バイアスのＡＣ成分の切り換えを行
い、振幅を８００Ｖｐｐから１２００Ｖｐｐにすること
で、現像能力が向上し、図５のＢに示す現像特性とな
り、濃度低下のない良好な画像を出力することを可能に
している。
【００３５】また、前回の画像形成から２４時間以上経
過しており、画像形成の湿度環境が４０％未満では、現
像バイアスのＡＣ成分の切り換えを行わない場合は、そ
の現像特性は、図６のＡの様になっており、低コントラ
スト部分での現像能力が増加しており、白地部でのカブ
リ現象が発生している。しかし、現像バイアスのＡＣ成
分の切り換えを行い、周波数を１６００Ｈｚから２００
０Ｈｚにすることで、白地部に付着した現像剤の引き戻
し効果が増加し、図６のＢに示す現像特性となり、カブ
リのない良好な画像を出力することを可能にしている。
過しており、画像形成の湿度環境が４０％未満では、現
像バイアスのＡＣ成分の切り換えを行わない場合は、そ
の現像特性は、図６のＡの様になっており、低コントラ
スト部分での現像能力が増加しており、白地部でのカブ
リ現象が発生している。しかし、現像バイアスのＡＣ成
分の切り換えを行い、周波数を１６００Ｈｚから２００
０Ｈｚにすることで、白地部に付着した現像剤の引き戻
し効果が増加し、図６のＢに示す現像特性となり、カブ
リのない良好な画像を出力することを可能にしている。
【００３６】なお、上記ステップ４で振幅を増大する際
にはこれに併せて周波数を下げ、ステップ５で周波数を
増大する際にはこれに併せて振幅を下げることができ、
また、本実施形態において、休止時間が所定値以上の場
合には、現像バイアスの振幅または周波数を変えて１回
の画像形成を実行する。
にはこれに併せて周波数を下げ、ステップ５で周波数を
増大する際にはこれに併せて振幅を下げることができ、
また、本実施形態において、休止時間が所定値以上の場
合には、現像バイアスの振幅または周波数を変えて１回
の画像形成を実行する。
【００３７】実施形態２ 本実施形態の基本的な構成は実施形態１と同様である。
【００３８】本実施形態では、画像形成時に前回の画像
形成からの経過時間即ち休止時間を前記実施形態同様に
検知し、前記の検知時間の結果により、その後の所定の
回数の画像形成を行う間の現像バイアス電圧のＡＣ成分
の切り換えの有無を決定し、現像バイアス電圧のＡＣ成
分の切り換えを行う場合は、更に、湿度環境の検知結果
により、切り換えの値を決定するしくみになっている。
形成からの経過時間即ち休止時間を前記実施形態同様に
検知し、前記の検知時間の結果により、その後の所定の
回数の画像形成を行う間の現像バイアス電圧のＡＣ成分
の切り換えの有無を決定し、現像バイアス電圧のＡＣ成
分の切り換えを行う場合は、更に、湿度環境の検知結果
により、切り換えの値を決定するしくみになっている。
【００３９】本実施形態の画像形成装置においては、画
像形成動作スタート後、前回の画像形成からの経過時間
を検知し、経過時間が第１の実施形態の経過時間より長
い１００時間以上である場合は、その後１００回の画像
形成が行われる間は、現像バイアスのＡＣ成分の切り換
えを行い、１００時間未満の場合は切り換えを行わず
に、振幅８００Ｖｐｐ、周波数１６００Ｈｚで現像を行
う。
像形成動作スタート後、前回の画像形成からの経過時間
を検知し、経過時間が第１の実施形態の経過時間より長
い１００時間以上である場合は、その後１００回の画像
形成が行われる間は、現像バイアスのＡＣ成分の切り換
えを行い、１００時間未満の場合は切り換えを行わず
に、振幅８００Ｖｐｐ、周波数１６００Ｈｚで現像を行
う。
【００４０】現像バイアス電圧のＡＣ成分の切り換えを
行う場合は、更に、湿度環境を検知し、湿度が４０％以
上の場合は、現像バイアスのＡＣ成分を振幅１２００Ｖ
ｐｐ、周波数１６００Ｈｚに切り換えて現像を行い、４
０％未満の場合は、現像バイアスのＡＣ成分を振幅８０
０Ｖｐｐ、周波数２０００Ｈｚに切り換えて現像を行
う。
行う場合は、更に、湿度環境を検知し、湿度が４０％以
上の場合は、現像バイアスのＡＣ成分を振幅１２００Ｖ
ｐｐ、周波数１６００Ｈｚに切り換えて現像を行い、４
０％未満の場合は、現像バイアスのＡＣ成分を振幅８０
０Ｖｐｐ、周波数２０００Ｈｚに切り換えて現像を行
う。
【００４１】本実施形態により、現像バイアスのＡＣ成
分の切り換えを行うことで、濃度低下やカブリ現象のな
い良好な画像を出力することができる。
分の切り換えを行うことで、濃度低下やカブリ現象のな
い良好な画像を出力することができる。
【００４２】更に、現像装置の長期使用により現像剤が
劣化しており、且つ前回の画像形成から長期放置後で、
その現像特性が極端に変化している場合であっても、１
００回の画像形成が行われる間、現像バイアスを切り換
えた状態にするため、その間に、現像剤ローラ上の現像
剤が充分均一に帯電し安定することが可能である。
劣化しており、且つ前回の画像形成から長期放置後で、
その現像特性が極端に変化している場合であっても、１
００回の画像形成が行われる間、現像バイアスを切り換
えた状態にするため、その間に、現像剤ローラ上の現像
剤が充分均一に帯電し安定することが可能である。
【００４３】なお、上記各実施形態において、現像バイ
アスの切り換えの有無を決定する経過時間即ち休止時間
の設定値、湿度環境の設定値、現像バイアスの設定値等
は、例示的数値であり、現像装置の特性に合わせて任意
に変更設定することができる。
アスの切り換えの有無を決定する経過時間即ち休止時間
の設定値、湿度環境の設定値、現像バイアスの設定値等
は、例示的数値であり、現像装置の特性に合わせて任意
に変更設定することができる。
【００４４】また、本実施形態では、相対湿度を用い
て、湿度環境の検知を行ったが、絶対湿度を用いて、湿
度環境を検知する事も可能であり、更には、相対湿度と
絶対湿度の両方を用いてより精度の高い湿度検知を行う
ことも可能である。
て、湿度環境の検知を行ったが、絶対湿度を用いて、湿
度環境を検知する事も可能であり、更には、相対湿度と
絶対湿度の両方を用いてより精度の高い湿度検知を行う
ことも可能である。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
前回の画像形成から、次回の画像形成時までの経過時間
と、画像形成時の湿度環境の２つの検知結果に応じて、
現像バイアスのＡＣ成分の周波数及び／又は振幅を切り
換えることにより、長期使用後で現像剤が劣化した状
態、且つ長期放置後の画像形成であっても、１枚目から
カブリ現象や濃度低下のない良好な画像を提供すること
が可能となる。
前回の画像形成から、次回の画像形成時までの経過時間
と、画像形成時の湿度環境の２つの検知結果に応じて、
現像バイアスのＡＣ成分の周波数及び／又は振幅を切り
換えることにより、長期使用後で現像剤が劣化した状
態、且つ長期放置後の画像形成であっても、１枚目から
カブリ現象や濃度低下のない良好な画像を提供すること
が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態に係る画像形成装置の
画像形成フローチャート。
画像形成フローチャート。
【図２】本発明の１実施形態に係る画像形成装置の要部
断面図。
断面図。
【図３】従来の現像方式の一例を示す図。
【図４】従来の現像特性の変化の一例を表す図。
【図５】本発明の１実施形態における現像特性の変化を
表す図。
表す図。
【図６】本発明の１実施形態における現像特性の変化を
表す図。
表す図。
【図７】本発明の１実施形態に係る制御装置を表す図。
１…感光ドラム ２…帯電装置 ３…現像装置 ４…転写装置 ５…クリーニング装置 ６…現像ローラ ７…現像剤規制部材 ８…現像剤 ９…現像剤室 １０…露光装置 ２０…現像バイアス電源 ２１…第１のＡＣ成分電源部 ２２…第２のＡＣ成分電源部 ２３…第３のＡＣ成分電源部 ２５…ＤＣ成分電源部 ３０…切り換え装置 ４０…制御装置
Claims (7)
- 【請求項１】 像担持体に現像剤を担持搬送する現像剤
担持体と、該現像剤担持体にＤＣ成分にＡＣ成分を重畳
した現像バイアス電圧を印加する現像バイアス印加手段
とを具備する現像手段と、前回の画像形成から次回の画
像形成時までの休止時間を検出する休止時間検出手段
と、湿度環境を検出する湿度検出手段とを有する画像形
成装置において、前記休止時間検出手段及び湿度検出手
段の両者の検出結果に応じて、前記現像バイアスのＡＣ
成分の周波数及び／又は振幅を切り換えるバイアス切り
換え手段を有することを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項２】 請求項１において、前記休止時間検出手
段による検出結果が設定値より大きい場合に、前記現像
バイアスのＡＣ成分の周波数及び／又は振幅を切り換え
ることを特徴とする画像形成装置。 - 【請求項３】 請求項２において、前記休止時間検出手
段による検出結果が設定値より大きい場合に、前記現像
バイアスのＡＣ成分の周波数及び／又は振幅を切り換え
た状態で、所定枚数のシートに画像を形成することを特
徴とする画像形成装置。 - 【請求項４】 請求項２又は３において、湿度検出手段
による検知結果が設定値以上の場合に、現像バイアスの
ＡＣ成分の振幅を基準振幅より大きくすることを特徴と
する画像形成装置。 - 【請求項５】 請求項４において、現像バイアスのＡＣ
成分の周波数を基準周波数より小さくすることを特徴と
する画像形成装置。 - 【請求項６】 請求項２又は３において、湿度検出手段
による検知結果が設定値未満の場合に、現像バイアスの
ＡＣ成分の周波数を基準周波数より大きくすることを特
徴とする画像形成装置。 - 【請求項７】 請求項６において、現像バイアスのＡＣ
成分の振幅を基準振幅より小さくすることを特徴とする
画像形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10077487A JPH11272048A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10077487A JPH11272048A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 画像形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11272048A true JPH11272048A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13635354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10077487A Pending JPH11272048A (ja) | 1998-03-25 | 1998-03-25 | 画像形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11272048A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006071990A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像形成装置 |
| US7215904B2 (en) | 2004-02-10 | 2007-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus group |
| JP2011059553A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Ricoh Co Ltd | 現像装置及び画像形成装置 |
| JP2013041024A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| JP2015096934A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-05-21 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像形成装置 |
-
1998
- 1998-03-25 JP JP10077487A patent/JPH11272048A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7215904B2 (en) | 2004-02-10 | 2007-05-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Image forming apparatus group |
| JP2006071990A (ja) * | 2004-09-02 | 2006-03-16 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像形成装置 |
| JP2011059553A (ja) * | 2009-09-14 | 2011-03-24 | Ricoh Co Ltd | 現像装置及び画像形成装置 |
| JP2013041024A (ja) * | 2011-08-12 | 2013-02-28 | Canon Inc | 画像形成装置 |
| JP2015096934A (ja) * | 2013-10-10 | 2015-05-21 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 画像形成装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040727 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040803 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041130 |