JPH11271739A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
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- JPH11271739A JPH11271739A JP8955998A JP8955998A JPH11271739A JP H11271739 A JPH11271739 A JP H11271739A JP 8955998 A JP8955998 A JP 8955998A JP 8955998 A JP8955998 A JP 8955998A JP H11271739 A JPH11271739 A JP H11271739A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄型、軽量の液晶表示素子を提供する。
【解決手段】 ＴＦＴ基板２２とコモン基板２３とのそ
れぞれの外側面に凹部２２Ａ、２３Ａを形成し、これら
凹部２２Ａ、２３Ａに後偏光板２６、前偏光板２７を埋
め込み、これら偏光板２６、２７の表面と偏光板２２、
２３の表面とが面一になるように設定している。このよ
うな構成としたことにより、液晶表示素子の薄型化、軽
量化を図ることができ、液晶表示素子の段差を軽減する
ことができる。このため、駆動用ＩＣの実装工程におけ
るガラスの割れなどを抑制することができる。
れぞれの外側面に凹部２２Ａ、２３Ａを形成し、これら
凹部２２Ａ、２３Ａに後偏光板２６、前偏光板２７を埋
め込み、これら偏光板２６、２７の表面と偏光板２２、
２３の表面とが面一になるように設定している。このよ
うな構成としたことにより、液晶表示素子の薄型化、軽
量化を図ることができ、液晶表示素子の段差を軽減する
ことができる。このため、駆動用ＩＣの実装工程におけ
るガラスの割れなどを抑制することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は液晶表示素子に関
し、さらに詳しくは、薄型のパネル構造を有する液晶表
示素子に関する。
し、さらに詳しくは、薄型のパネル構造を有する液晶表
示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示素子としては、図４に示
すような構成のものが知られている。この液晶表示素子
１は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）が形成
されたＴＦＴ基板２とコモン電極が形成されたコモン基
板３とをシール材４を介して貼り合わせ、両基板２、３
及びシール材４とで形成される空隙に液晶５を封止し、
コモン基板３の前面に前偏光板６が配置され、ＴＦＴ基
板２の裏面に後偏光板７が配置され、ＴＦＴ基板２の延
在部分２Ａの前面に駆動用ＩＣが搭載・実装されて構成
されている。なお、透過型の液晶表示装置とする場合に
は、液晶表示素子１の後方にバックライトシステムが配
置される。また、反射型の液晶表示装置とする場合に
は、後偏光板７の後方に反射板が配置される。因に、Ｔ
ＦＴ基板２とコモン基板３とを貼り合わせてなる液晶セ
ルの厚さは０．７〜１．１ｍｍ、各偏光板の厚さは２０
０〜３００μｍである。
すような構成のものが知られている。この液晶表示素子
１は、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）が形成
されたＴＦＴ基板２とコモン電極が形成されたコモン基
板３とをシール材４を介して貼り合わせ、両基板２、３
及びシール材４とで形成される空隙に液晶５を封止し、
コモン基板３の前面に前偏光板６が配置され、ＴＦＴ基
板２の裏面に後偏光板７が配置され、ＴＦＴ基板２の延
在部分２Ａの前面に駆動用ＩＣが搭載・実装されて構成
されている。なお、透過型の液晶表示装置とする場合に
は、液晶表示素子１の後方にバックライトシステムが配
置される。また、反射型の液晶表示装置とする場合に
は、後偏光板７の後方に反射板が配置される。因に、Ｔ
ＦＴ基板２とコモン基板３とを貼り合わせてなる液晶セ
ルの厚さは０．７〜１．１ｍｍ、各偏光板の厚さは２０
０〜３００μｍである。
【０００３】図５に示す液晶表示素子１は、上記した図
４に示した液晶表示素子１の前面側にタッチパネル１２
が配置された構成である。タッチパネル１２は、前偏光
板６の前面にガラス基板１３が配置され、このガラス基
板１３に対向するフレキシブル基板１４がスペーサ１５
を介してシール材１６で貼り合わされている。なお、ガ
ラス基板１３とフレキシブル基板１４の相対向する面に
は、フレキシブル基板１４を押すことにより互いに接触
する電極がそれぞれ形成されている。この他の構成は、
上記した図４に示した液晶表示素子１の構成と同様であ
る。ここで、ガラス基板１３の厚さは０．５ｍｍ程度、
スペーサ１５の粒径は数十μｍ、フレキシブル基板１４
の厚さは数百μｍであり、タッチパネル１２全体の厚さ
としては、０．６〜０．７ｍｍの厚みがある。
４に示した液晶表示素子１の前面側にタッチパネル１２
が配置された構成である。タッチパネル１２は、前偏光
板６の前面にガラス基板１３が配置され、このガラス基
板１３に対向するフレキシブル基板１４がスペーサ１５
を介してシール材１６で貼り合わされている。なお、ガ
ラス基板１３とフレキシブル基板１４の相対向する面に
は、フレキシブル基板１４を押すことにより互いに接触
する電極がそれぞれ形成されている。この他の構成は、
上記した図４に示した液晶表示素子１の構成と同様であ
る。ここで、ガラス基板１３の厚さは０．５ｍｍ程度、
スペーサ１５の粒径は数十μｍ、フレキシブル基板１４
の厚さは数百μｍであり、タッチパネル１２全体の厚さ
としては、０．６〜０．７ｍｍの厚みがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た図４に示した液晶表示素子１では、両面に偏光板６、
７を貼り付けることにより段差が大きくなりバックライ
トシステムを配置した場合には、液晶表示装置の厚みが
厚くなり、薄型化に限界があった。
た図４に示した液晶表示素子１では、両面に偏光板６、
７を貼り付けることにより段差が大きくなりバックライ
トシステムを配置した場合には、液晶表示装置の厚みが
厚くなり、薄型化に限界があった。
【０００５】また、図５に示したタッチパネルを備えた
液晶表示素子１１では、上記した液晶表示素子１の厚み
にタッチパネル１２の厚み０．６〜０．７ｍｍが加わる
ため、さらに薄型化が困難であった。また、このような
液晶表示素子１１では、タッチパネル１２を貼り付ける
際に、位置決め精度よく貼り付ける必要があり、ともす
るとタッチパネル１２が液晶セルに対してずれた状態で
貼り合わされるという不都合があった。ＴＦＴ基板２及
びコモン基板３はいずれもガラスからなり、２枚の大型
ガラス基板をシール材で貼り合わせ、スクライブ及びブ
レークして基板２，３を有する複数の液晶セルを設けて
いたが、スクライブ及びブレーク時に所定の箇所以外で
割れないように適度な強度を持たせるために大型ガラス
基板の厚さを厚く形成しなければならなかった。
液晶表示素子１１では、上記した液晶表示素子１の厚み
にタッチパネル１２の厚み０．６〜０．７ｍｍが加わる
ため、さらに薄型化が困難であった。また、このような
液晶表示素子１１では、タッチパネル１２を貼り付ける
際に、位置決め精度よく貼り付ける必要があり、ともす
るとタッチパネル１２が液晶セルに対してずれた状態で
貼り合わされるという不都合があった。ＴＦＴ基板２及
びコモン基板３はいずれもガラスからなり、２枚の大型
ガラス基板をシール材で貼り合わせ、スクライブ及びブ
レークして基板２，３を有する複数の液晶セルを設けて
いたが、スクライブ及びブレーク時に所定の箇所以外で
割れないように適度な強度を持たせるために大型ガラス
基板の厚さを厚く形成しなければならなかった。
【０００６】この発明が解決しようとする第１の目的
は、薄型化及び軽量化された液晶表示素子を提供するこ
とであり、第２の目的は液晶セル及びタッチパネル、偏
光板等の位置ずれの少ない液晶表示素子を提供すること
である。
は、薄型化及び軽量化された液晶表示素子を提供するこ
とであり、第２の目的は液晶セル及びタッチパネル、偏
光板等の位置ずれの少ない液晶表示素子を提供すること
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
相対向する前透明基板と後透明基板との間に液晶が封止
された液晶表示素子であって、前透明基板の前面に表示
領域全体に亙って凹部が形成されることを特徴としてい
る。
相対向する前透明基板と後透明基板との間に液晶が封止
された液晶表示素子であって、前透明基板の前面に表示
領域全体に亙って凹部が形成されることを特徴としてい
る。
【０００８】従って、請求項１記載の発明では、前透明
基板に設けられた凹部に偏光板や反射板などを配置させ
ることにより、液晶表示素子をほぼ偏光板や反射板の厚
さ分及び凹部により欠損したガラスの重量分薄型、軽量
にすることができる。また、凹部が形成されているた
め、搬送時などに表示領域表面に傷が生じることを抑制
することができる。
基板に設けられた凹部に偏光板や反射板などを配置させ
ることにより、液晶表示素子をほぼ偏光板や反射板の厚
さ分及び凹部により欠損したガラスの重量分薄型、軽量
にすることができる。また、凹部が形成されているた
め、搬送時などに表示領域表面に傷が生じることを抑制
することができる。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求項１記載の液
晶表示素子であって、凹部内に偏光板が配置されること
を特徴とする。請求項３記載の発明は、凹部の深さ寸法
が偏光板の厚さ寸法と同一であることを特徴とする。
晶表示素子であって、凹部内に偏光板が配置されること
を特徴とする。請求項３記載の発明は、凹部の深さ寸法
が偏光板の厚さ寸法と同一であることを特徴とする。
【００１０】従って、請求項２および請求項３に記載の
発明では、前透明基板の凹部に偏光板が埋設・配置され
ているため、液晶表示素子の薄型化、軽量化を図ること
ができる。また、請求項３記載の発明では、前後偏光板
が前後透明基板から突出することがないため、例えばＬ
ＳＩをマウントする際に、ヒータチップ等で圧着させた
場合の集中荷重が発生しにくくなるため、基板に割れや
傷などが発生するのを抑制することができる。
発明では、前透明基板の凹部に偏光板が埋設・配置され
ているため、液晶表示素子の薄型化、軽量化を図ること
ができる。また、請求項３記載の発明では、前後偏光板
が前後透明基板から突出することがないため、例えばＬ
ＳＩをマウントする際に、ヒータチップ等で圧着させた
場合の集中荷重が発生しにくくなるため、基板に割れや
傷などが発生するのを抑制することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る液晶表示素子
の詳細を実施形態に基づいて説明する。 （実施形態１）図１は本発明に係る液晶表示素子の実施
形態１を示す断面図である。本実施形態の液晶表示素子
２１は、ＴＦＴ基板２２とコモン基板２３とこれらの基
板２２、２３の対向面の周囲に沿って配置されたシール
材２４とで形成される空隙に液晶２５が封止された構成
である。ＴＦＴ基板２２とコモン基板２３は、透明なガ
ラスでなる。ＴＦＴ基板２２の対向内側面には図示しな
いＴＦＴや画素電極が形成され、コモン基板２３の対向
内側面には図示しないコモン電極やカラーフィルタなど
が形成されている。
の詳細を実施形態に基づいて説明する。 （実施形態１）図１は本発明に係る液晶表示素子の実施
形態１を示す断面図である。本実施形態の液晶表示素子
２１は、ＴＦＴ基板２２とコモン基板２３とこれらの基
板２２、２３の対向面の周囲に沿って配置されたシール
材２４とで形成される空隙に液晶２５が封止された構成
である。ＴＦＴ基板２２とコモン基板２３は、透明なガ
ラスでなる。ＴＦＴ基板２２の対向内側面には図示しな
いＴＦＴや画素電極が形成され、コモン基板２３の対向
内側面には図示しないコモン電極やカラーフィルタなど
が形成されている。
【００１２】また、ＴＦＴ基板２２の後面側には、表示
領域全体に亙って後偏光板２６の厚さ寸法と同一の深さ
寸法の凹部２２Ａが形成され、この凹部２２ＡにＴＦＴ
基板２２の後面と面一になるように後偏光板２６が埋設
されている。他方、コモン基板２３の前面側には、表示
領域全体に亙って前偏光板２７の厚さ寸法と同一の深さ
寸法の凹部２３Ａが形成され、この凹部２３Ａにコモン
基板２３の前面と面一となるように前偏光板２７が埋設
されている。なお、ＴＦＴ基板２２は、コモン基板２３
と対向する部分から一側方へ突出する延在部２２Ｂを有
し、この延在部２２Ｂの前面側に駆動用ＩＣ２８が搭載
されている。なお、延在部２２Ｂの前面に形成された配
線部分は図示省略する。
領域全体に亙って後偏光板２６の厚さ寸法と同一の深さ
寸法の凹部２２Ａが形成され、この凹部２２ＡにＴＦＴ
基板２２の後面と面一になるように後偏光板２６が埋設
されている。他方、コモン基板２３の前面側には、表示
領域全体に亙って前偏光板２７の厚さ寸法と同一の深さ
寸法の凹部２３Ａが形成され、この凹部２３Ａにコモン
基板２３の前面と面一となるように前偏光板２７が埋設
されている。なお、ＴＦＴ基板２２は、コモン基板２３
と対向する部分から一側方へ突出する延在部２２Ｂを有
し、この延在部２２Ｂの前面側に駆動用ＩＣ２８が搭載
されている。なお、延在部２２Ｂの前面に形成された配
線部分は図示省略する。
【００１３】凹部２２Ａ及び凹部２３Ａは、ＴＦＴ基板
２２及びコモン基板２３を選択的にウェットエッチング
して形成されている。これら凹部２２Ａ、２３Ａのそれ
ぞれのウェットエッチング工程は、対向面に電極、配向
膜等が形成された２枚の大型基板をシール材２４で互い
に貼り合わせた後に、スクライブ工程及びブレーク工程
によりＴＦＴ基板２２とコモン基板２３とからなる複数
の液晶セルに分割する。スクライブ工程及びブレーク工
程時では、ガラス基板にはまだ凹部２２Ａ、２３Ａが形
成されていないため、機械的強度が充分にある。各液晶
セルに液晶２５を封入した後、延在部２２Ｂ前面に露出
する配線部分を紫外線硬化型樹脂でモールドすると共
に、エッチングを行わない部分をレジストで覆った状態
で行う。なお、ウェットエッチングに用いるエッチング
液は、例えば弗酸（ＨＦ）、バッファード弗酸などの薬
液を用いる。また、ガラスのエッチング深さは、エッチ
ング液の濃度、エッチング液への浸漬時間、エッチング
液の温度などで調整することができる。ウェットエッチ
ングが終了した後は、レジストやモールドした紫外線硬
化型樹脂を除去し、前偏光板２７、後偏光板２６を凹部
２３Ａ、凹部２２Ａ内に貼り付け、駆動用ＩＣ２８をマ
ウントして液晶表示素子２１が完成する。なお、各偏光
板の厚さは２００〜３００μｍであるが、これらはＴＦ
Ｔ基板２２やコモン基板２３に埋設されているため、液
晶表示素子２１の厚さを増加させることはない。
２２及びコモン基板２３を選択的にウェットエッチング
して形成されている。これら凹部２２Ａ、２３Ａのそれ
ぞれのウェットエッチング工程は、対向面に電極、配向
膜等が形成された２枚の大型基板をシール材２４で互い
に貼り合わせた後に、スクライブ工程及びブレーク工程
によりＴＦＴ基板２２とコモン基板２３とからなる複数
の液晶セルに分割する。スクライブ工程及びブレーク工
程時では、ガラス基板にはまだ凹部２２Ａ、２３Ａが形
成されていないため、機械的強度が充分にある。各液晶
セルに液晶２５を封入した後、延在部２２Ｂ前面に露出
する配線部分を紫外線硬化型樹脂でモールドすると共
に、エッチングを行わない部分をレジストで覆った状態
で行う。なお、ウェットエッチングに用いるエッチング
液は、例えば弗酸（ＨＦ）、バッファード弗酸などの薬
液を用いる。また、ガラスのエッチング深さは、エッチ
ング液の濃度、エッチング液への浸漬時間、エッチング
液の温度などで調整することができる。ウェットエッチ
ングが終了した後は、レジストやモールドした紫外線硬
化型樹脂を除去し、前偏光板２７、後偏光板２６を凹部
２３Ａ、凹部２２Ａ内に貼り付け、駆動用ＩＣ２８をマ
ウントして液晶表示素子２１が完成する。なお、各偏光
板の厚さは２００〜３００μｍであるが、これらはＴＦ
Ｔ基板２２やコモン基板２３に埋設されているため、液
晶表示素子２１の厚さを増加させることはない。
【００１４】本実施形態では、ＴＦＴ基板２２及びコモ
ン基板２３をウェットエッチングにて板厚を薄くした
が、凹部２２Ａ、２３Ａに後偏光板２６、前偏光板２７
を埋め込み、それぞれＴＦＴ基板２２及びコモン基板２
３に段差が生じないようにしたため、駆動用ＩＣ２８を
マウントする際にヒータチップなどで圧着した場合にガ
ラス割れの発生を抑制することができる。
ン基板２３をウェットエッチングにて板厚を薄くした
が、凹部２２Ａ、２３Ａに後偏光板２６、前偏光板２７
を埋め込み、それぞれＴＦＴ基板２２及びコモン基板２
３に段差が生じないようにしたため、駆動用ＩＣ２８を
マウントする際にヒータチップなどで圧着した場合にガ
ラス割れの発生を抑制することができる。
【００１５】本実施形態では、ＴＦＴ基板２２とコモン
基板２３とからなる液晶セルを形成過程で、搬送する場
合にガラス外面に傷が発生しても、凹部２２Ａ、２３Ａ
をエッチングして形成することにより、傷を除去できる
という利点がある。さらに、ガラスを選択的にエッチン
グして、凹部２２Ａ、２３Ａに偏光板を埋め込んだ構成
であるため、薄型化、軽量化を達成することができる。
またさらに、本実施形態では、駆動用ＩＣ２８をマウン
トする延在部２２Ｂの厚さには変化がないため、駆動用
ＩＣ２８のマウント時に異物による割れの発生を抑制す
ることができる。
基板２３とからなる液晶セルを形成過程で、搬送する場
合にガラス外面に傷が発生しても、凹部２２Ａ、２３Ａ
をエッチングして形成することにより、傷を除去できる
という利点がある。さらに、ガラスを選択的にエッチン
グして、凹部２２Ａ、２３Ａに偏光板を埋め込んだ構成
であるため、薄型化、軽量化を達成することができる。
またさらに、本実施形態では、駆動用ＩＣ２８をマウン
トする延在部２２Ｂの厚さには変化がないため、駆動用
ＩＣ２８のマウント時に異物による割れの発生を抑制す
ることができる。
【００１６】本実施形態では、大型ガラス基板をスクラ
イブ工程及びブレーク工程で分割して液晶セルを形成し
た後に凹部２２Ａ、２３Ａの形成を行ったので、その後
に凹部２２Ａ、２３Ａの形成によりＴＦＴ基板２２及び
コモン基板２３の機械的強度弱くなっても、これ以降の
工程に大きな応力を加える工程がないので、液晶セルが
損壊することはない。また、本実施形態では、ＴＦＴ基
板２２の凹部２２Ａに後偏光板２６のみを埋設したが、
後偏光板２６に図２に示すような反射板やハーフミラー
を重ねて、これらを埋設して反射型の液晶表示素子や反
射型と透過型を兼ねる液晶表示素子とすることも可能で
ある。この場合、反射板やハーフミラーが液晶２５に近
い構造となるため、視差が改善された表示品位の高い表
示が可能となる。
イブ工程及びブレーク工程で分割して液晶セルを形成し
た後に凹部２２Ａ、２３Ａの形成を行ったので、その後
に凹部２２Ａ、２３Ａの形成によりＴＦＴ基板２２及び
コモン基板２３の機械的強度弱くなっても、これ以降の
工程に大きな応力を加える工程がないので、液晶セルが
損壊することはない。また、本実施形態では、ＴＦＴ基
板２２の凹部２２Ａに後偏光板２６のみを埋設したが、
後偏光板２６に図２に示すような反射板やハーフミラー
を重ねて、これらを埋設して反射型の液晶表示素子や反
射型と透過型を兼ねる液晶表示素子とすることも可能で
ある。この場合、反射板やハーフミラーが液晶２５に近
い構造となるため、視差が改善された表示品位の高い表
示が可能となる。
【００１７】（実施形態２）図３は、本発明に係る液晶
表示素子の実施形態２を示す断面図である。本実施形態
の液晶表示素子２１は、タッチパネル部を備えた透過型
の液晶表示素子であり、バックライトシステムの図示は
省略する。
表示素子の実施形態２を示す断面図である。本実施形態
の液晶表示素子２１は、タッチパネル部を備えた透過型
の液晶表示素子であり、バックライトシステムの図示は
省略する。
【００１８】本実施形態の液晶表示素子２１は、上記し
た実施形態１の液晶表示素子と同様に、ＴＦＴ基板２２
とコモン基板２３とこれらの基板２２、２３の対向面の
周囲に沿って配置されたシール材２４とで形成される空
隙に液晶２５が封止された構造を有している。ＴＦＴ基
板２２とコモン基板２３は、透明なガラス板でなる。Ｔ
ＦＴ基板２２の対向内側面には図示しないＴＦＴや画素
電極が形成され、コモン基板２３の対向内側面には図示
しないコモン電極やカラーフィルタなどが形成されてい
る。
た実施形態１の液晶表示素子と同様に、ＴＦＴ基板２２
とコモン基板２３とこれらの基板２２、２３の対向面の
周囲に沿って配置されたシール材２４とで形成される空
隙に液晶２５が封止された構造を有している。ＴＦＴ基
板２２とコモン基板２３は、透明なガラス板でなる。Ｔ
ＦＴ基板２２の対向内側面には図示しないＴＦＴや画素
電極が形成され、コモン基板２３の対向内側面には図示
しないコモン電極やカラーフィルタなどが形成されてい
る。
【００１９】また、ＴＦＴ基板２２の後面側には、表示
領域全体に亙って後偏光板２６の厚さ寸法と同一の深さ
寸法の凹部２２Ａが形成され、この凹部２２ＡにＴＦＴ
基板２２の後面と面一になるように後偏光板２６が埋設
されている。他方、コモン基板２３の前面側には、表示
領域全体に亙って前偏光板２７の厚さ（２００〜３００
μｍ程度）寸法とタッチパネル部の厚さ（７０μｍ程
度）とを足した深さ寸法の凹部２３Ａが形成されてい
る。この凹部２３Ａの底部には、前偏光板２７が貼り付
けられている。また、前偏光板２７の上には、所定方向
に平行をなす複数の後透明電極３０がＩＴＯ（indium t
in oxide）で形成されている。さらに、後透明電極３０
が形成された前偏光板２７の上には、粒径が５０μｍ程
度のスペーサ３１が散布されている。そして、これら前
偏光板２７、後透明電極３０、スペーサ３１が収納され
た凹部２３Ａを閉塞するように、後面に前記後透明電極
３０と交差（直交）する複数の前透明電極３２が平行に
形成されたフレキシブル板３３が、コモン基板２３の前
面全体を略覆うように貼り付けれらている。なお、前透
明電極３２もＩＴＯで形成されている。ＴＦＴ基板２２
は、コモン基板２３と対向する部分から一側方へ突出す
る延在部２２Ｂを有し、この延在部２２Ｂの前面側に駆
動用ＩＣ２８が搭載されている。なお、延在部２２Ｂの
前面に形成された配線部分は図示省略する。
領域全体に亙って後偏光板２６の厚さ寸法と同一の深さ
寸法の凹部２２Ａが形成され、この凹部２２ＡにＴＦＴ
基板２２の後面と面一になるように後偏光板２６が埋設
されている。他方、コモン基板２３の前面側には、表示
領域全体に亙って前偏光板２７の厚さ（２００〜３００
μｍ程度）寸法とタッチパネル部の厚さ（７０μｍ程
度）とを足した深さ寸法の凹部２３Ａが形成されてい
る。この凹部２３Ａの底部には、前偏光板２７が貼り付
けられている。また、前偏光板２７の上には、所定方向
に平行をなす複数の後透明電極３０がＩＴＯ（indium t
in oxide）で形成されている。さらに、後透明電極３０
が形成された前偏光板２７の上には、粒径が５０μｍ程
度のスペーサ３１が散布されている。そして、これら前
偏光板２７、後透明電極３０、スペーサ３１が収納され
た凹部２３Ａを閉塞するように、後面に前記後透明電極
３０と交差（直交）する複数の前透明電極３２が平行に
形成されたフレキシブル板３３が、コモン基板２３の前
面全体を略覆うように貼り付けれらている。なお、前透
明電極３２もＩＴＯで形成されている。ＴＦＴ基板２２
は、コモン基板２３と対向する部分から一側方へ突出す
る延在部２２Ｂを有し、この延在部２２Ｂの前面側に駆
動用ＩＣ２８が搭載されている。なお、延在部２２Ｂの
前面に形成された配線部分は図示省略する。
【００２０】本実施形態においても、上記した実施形態
１と同様に、スクライブ工程及びブレーク工程後に凹部
２２Ａ及び凹部２３ＡがＴＦＴ基板２２及びコモン基板
２３を選択的にウェットエッチングして形成されてい
る。ウェットエッチングが終了した後は、レジストやモ
ールドした紫外線硬化型樹脂を除去し、前偏光板２７、
後電極３０、スペーサ３１を凹部２３Ａ内に配置し、フ
レキシブル板３３を貼り付け、また後偏光板２６を凹部
２２Ａ内に貼り付け、駆動用ＩＣ２８をマウントして液
晶表示素子２１が完成する。
１と同様に、スクライブ工程及びブレーク工程後に凹部
２２Ａ及び凹部２３ＡがＴＦＴ基板２２及びコモン基板
２３を選択的にウェットエッチングして形成されてい
る。ウェットエッチングが終了した後は、レジストやモ
ールドした紫外線硬化型樹脂を除去し、前偏光板２７、
後電極３０、スペーサ３１を凹部２３Ａ内に配置し、フ
レキシブル板３３を貼り付け、また後偏光板２６を凹部
２２Ａ内に貼り付け、駆動用ＩＣ２８をマウントして液
晶表示素子２１が完成する。
【００２１】本実施形態では、タッチパネル部を有する
にも拘わらず、液晶表示素子の厚みを薄くすることがで
きる。特に、フォトリソグラフィーにより正確な位置に
凹部２３Ａを形成することができるため、これに伴って
タッチパネル部の位置決めが正確に行え、タッチパネル
の位置ずれの発生を抑制することができる。ＴＦＴ基板
２２とコモン基板２３とからなる液晶セルを形成過程
で、搬送する場合にガラス外面に傷が発生しても、その
後に凹部２２Ａ、２３Ａをエッチングして形成すること
により、傷を除去できるという利点がある。さらに、ガ
ラスを選択的にエッチングして、凹部２２Ａ、２３Ａに
偏光板や透明電極やスペーサなどを埋め込んだ構成であ
るため、薄型化、軽量化を達成することができる。そし
て、本実施形態においても、駆動用ＩＣ２８をマウント
する延在部２２Ｂの厚さには変化がないため、駆動用Ｉ
Ｃ２８のマウント時に異物による割れの発生を抑制する
ことができる。
にも拘わらず、液晶表示素子の厚みを薄くすることがで
きる。特に、フォトリソグラフィーにより正確な位置に
凹部２３Ａを形成することができるため、これに伴って
タッチパネル部の位置決めが正確に行え、タッチパネル
の位置ずれの発生を抑制することができる。ＴＦＴ基板
２２とコモン基板２３とからなる液晶セルを形成過程
で、搬送する場合にガラス外面に傷が発生しても、その
後に凹部２２Ａ、２３Ａをエッチングして形成すること
により、傷を除去できるという利点がある。さらに、ガ
ラスを選択的にエッチングして、凹部２２Ａ、２３Ａに
偏光板や透明電極やスペーサなどを埋め込んだ構成であ
るため、薄型化、軽量化を達成することができる。そし
て、本実施形態においても、駆動用ＩＣ２８をマウント
する延在部２２Ｂの厚さには変化がないため、駆動用Ｉ
Ｃ２８のマウント時に異物による割れの発生を抑制する
ことができる。
【００２２】以上、実施形態１及び実施形態２について
説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。
説明したが、本発明はこれらに限定されるものではな
く、構成の要旨に付随する各種の変更が可能である。
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、薄型の液晶表示素子およびタッチパネルの
位置ずれのない液晶表示素子を実現するという効果があ
る。
明によれば、薄型の液晶表示素子およびタッチパネルの
位置ずれのない液晶表示素子を実現するという効果があ
る。
【図１】本発明に係る液晶表示素子の実施形態１を示す
断面図。
断面図。
【図２】実施形態１の変形例を示す断面図。
【図３】本発明に係る液晶表示素子の実施形態２を示す
断面図。
断面図。
【図４】従来の液晶表示素子を示す断面図。
【図５】従来のタッチパネル型液晶表示素子を示す断面
図。
図。
２１ 液晶表示素子 ２２ ＴＦＴ基板 ２２Ａ 凹部 ２３ コモン基板 ２３Ａ 凹部 ２５ 液晶 ２６ 後偏光板 ２７ 前偏光板 ２９ 反射板 ３０ 後透明電極 ３１ スペーサ ３２ 前透明電極 ３３ フレキシブル板
Claims (3)
- 【請求項１】 相対向する前透明基板と後透明基板との
間に液晶が封止された液晶表示素子であって、 前記前透明基板の前面に表示領域全体に亙って凹部が形
成されることを特徴とする液晶表示素子。 - 【請求項２】 前記凹部内に偏光板が配置されることを
特徴とする請求項１記載の液晶表示素子。 - 【請求項３】 前記凹部の深さ寸法が前記偏光板の厚さ
寸法と同一であることを特徴とする請求項２記載の液晶
表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8955998A JPH11271739A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8955998A JPH11271739A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11271739A true JPH11271739A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13974189
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8955998A Pending JPH11271739A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11271739A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004101833A (ja) * | 2002-09-09 | 2004-04-02 | Chi Mei Electronics Corp | 液晶ディスプレイの製造装置および製造方法 |
| JP2007128129A (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-24 | Epson Imaging Devices Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2007310685A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | Nissha Printing Co Ltd | 偏光板付きタッチパネル |
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| US7602451B2 (en) | 2004-06-22 | 2009-10-13 | Seiko Epson Corporation | Input device, electro-optical device, electronic apparatus, method of manufacturing input device, and method of manufacturing electro-optical device |
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| US8409451B2 (en) | 2006-07-04 | 2013-04-02 | Nec Corporation | Apparatus for etching substrate and method of fabricating thin-glass substrate |
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| CN109378330A (zh) * | 2018-09-29 | 2019-02-22 | 昆山国显光电有限公司 | 显示模组及显示装置 |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP8955998A patent/JPH11271739A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN109378330B (zh) * | 2018-09-29 | 2021-01-26 | 广州国显科技有限公司 | 显示模组及显示装置 |
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