JPH112712A - カラーフィルタ配列を製造する方法 - Google Patents
カラーフィルタ配列を製造する方法Info
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- JPH112712A JPH112712A JP1146698A JP1146698A JPH112712A JP H112712 A JPH112712 A JP H112712A JP 1146698 A JP1146698 A JP 1146698A JP 1146698 A JP1146698 A JP 1146698A JP H112712 A JPH112712 A JP H112712A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 第一の基板上にカラーフィルタ配列を製造す
る方法を提供する。 【解決手段】 第二の基板上に少なくとも一つの転写色
素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にあるが、
第一の基板から離間されるように第二の基板を位置決め
し；第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第一
の基板上のパターン化されたレジストに離間した距離を
越えて同時に転写するように充分加熱する。望ましくな
い色素はリフトオフ処理、又は化学的機械的研磨又はエ
ッチングにより選択された領域にわたり開口の位置に熱
転写可能な色素材料を後に残すように除去される各段階
からなる。
る方法を提供する。 【解決手段】 第二の基板上に少なくとも一つの転写色
素層を設け、熱転写色素層が転写可能な関係にあるが、
第一の基板から離間されるように第二の基板を位置決め
し；第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第一
の基板上のパターン化されたレジストに離間した距離を
越えて同時に転写するように充分加熱する。望ましくな
い色素はリフトオフ処理、又は化学的機械的研磨又はエ
ッチングにより選択された領域にわたり開口の位置に熱
転写可能な色素材料を後に残すように除去される各段階
からなる。
Description
【０００１】本出願はＬ．Ｃ．Ｒｏｂｅｒｔｓ等により
１９９７年１月２４日に出願された米国特許０８／７８
９５９０、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ Ｃｏ
ｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ Ｂｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒｒｉｎ
ｇ Ｃｏｌｏｒａｎｔ Ｍａｔｅｒｉａｌ”、Ｌ．Ｃ．
Ｒｏｂｅｒｔｓにより１９９７年１月２４日に出願され
た米国特許０８／７８８５３２、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ
Ｍａｋｉｎｇ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ Ｂｙ Ｃ
ｏｌｏｒａｎｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ ａｎｄＥｔｃ
ｈ”、Ｌ．Ｃ．Ｒｏｂｅｒｔｓ等により１９９７年１月
２４日に出願された米国特許０８／７８８１０８、”Ｍ
ｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌ
ｔｅｒ Ａｒｒａｙｓ Ｂｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒｒｉｎ
ｇ Ｔｗｏｏｒ Ｍｏｒｅ Ｃｏｌｏｒａｎｔｓ Ｓｉ
ｍｕｌｔａｎｅｏｕｓｌｙ”、Ｌ．Ｃ．Ｒｏｂｅｒｔｓ
等により１９９７年１月２４日に出願された米国特許０
８／７８７７３２、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎ
ｇ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ Ｂｙ Ｃｏｌｏｒａｎ
ｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｕｓｉｎｇ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ”の部分
継続出願である。関連する出願の相互参照 本発明は、Ｌｉｔｔｍａｎ等により１９９６年４月１６
日に出願された米国特許０８／６４８７７２、”Ｍｅｔ
ｈｏｄ ｏｆ Ｆｏｒｍｉｎｇ ａｎ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌ
ａｙ Ｐａｎｅｌ”に関連し、この開示をここに参考と
して引用する。
１９９７年１月２４日に出願された米国特許０８／７８
９５９０、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ Ｃｏ
ｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ Ｂｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒｒｉｎ
ｇ Ｃｏｌｏｒａｎｔ Ｍａｔｅｒｉａｌ”、Ｌ．Ｃ．
Ｒｏｂｅｒｔｓにより１９９７年１月２４日に出願され
た米国特許０８／７８８５３２、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ
Ｍａｋｉｎｇ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ Ｂｙ Ｃ
ｏｌｏｒａｎｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ ａｎｄＥｔｃ
ｈ”、Ｌ．Ｃ．Ｒｏｂｅｒｔｓ等により１９９７年１月
２４日に出願された米国特許０８／７８８１０８、”Ｍ
ｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎｇ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌ
ｔｅｒ Ａｒｒａｙｓ Ｂｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒｒｉｎ
ｇ Ｔｗｏｏｒ Ｍｏｒｅ Ｃｏｌｏｒａｎｔｓ Ｓｉ
ｍｕｌｔａｎｅｏｕｓｌｙ”、Ｌ．Ｃ．Ｒｏｂｅｒｔｓ
等により１９９７年１月２４日に出願された米国特許０
８／７８７７３２、”Ｍｅｔｈｏｄ ｏｆ Ｍａｋｉｎ
ｇ Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ Ｂｙ Ｃｏｌｏｒａｎ
ｔ Ｔｒａｎｓｆｅｒ Ｕｓｉｎｇ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ”の部分
継続出願である。関連する出願の相互参照 本発明は、Ｌｉｔｔｍａｎ等により１９９６年４月１６
日に出願された米国特許０８／６４８７７２、”Ｍｅｔ
ｈｏｄ ｏｆ Ｆｏｒｍｉｎｇ ａｎ Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｄｉｓｐｌ
ａｙ Ｐａｎｅｌ”に関連し、この開示をここに参考と
して引用する。
【０００２】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示器又は発光
ダイオード表示器のような表示器応用に適切であり、画
像センサに用いられるのに特に適したカラーフィルタ配
列を製造する方法に関する。
ダイオード表示器のような表示器応用に適切であり、画
像センサに用いられるのに特に適したカラーフィルタ配
列を製造する方法に関する。
【０００３】
【従来の技術】カラーフィルタ配列では異なる色の別の
層が形成されなければならない。しばしばこれらの層は
色素材料として染料（ｄｙｅ）を用いて形成され、これ
は制御された厚さを有する染料受容層に吸収され、正確
な量の染料は適切な色を達成するよう用いられなければ
ならない。例えばＰａｃｅ等による米国特許第４７６４
６７０号、Ｓｎｏｗ等による米国特許第４８７６１６７
号、ＤｅＢｏｅｒ等による米国特許第５５７６２６５号
にはそのような処理が記載されている。この処理に関連
する付加的な問題は染料受容層が染料の導入で膨張し、
非常に小さなフィルタ要素にわたる使用を達成しうる最
小の寸法を制限することである。加えて染料は染料受容
層に拡散し、フィルタ要素の端の鮮鋭度（ｅｄｇｅ ｓ
ｈａｒｐｎｅｓｓ）が失われる。この処理での他の問題
は染料は光に曝すと退色することである。
層が形成されなければならない。しばしばこれらの層は
色素材料として染料（ｄｙｅ）を用いて形成され、これ
は制御された厚さを有する染料受容層に吸収され、正確
な量の染料は適切な色を達成するよう用いられなければ
ならない。例えばＰａｃｅ等による米国特許第４７６４
６７０号、Ｓｎｏｗ等による米国特許第４８７６１６７
号、ＤｅＢｏｅｒ等による米国特許第５５７６２６５号
にはそのような処理が記載されている。この処理に関連
する付加的な問題は染料受容層が染料の導入で膨張し、
非常に小さなフィルタ要素にわたる使用を達成しうる最
小の寸法を制限することである。加えて染料は染料受容
層に拡散し、フィルタ要素の端の鮮鋭度（ｅｄｇｅ ｓ
ｈａｒｐｎｅｓｓ）が失われる。この処理での他の問題
は染料は光に曝すと退色することである。
【０００４】図１を参照するに、蒸発した有機色素から
コーティングを製造する方法を示す。基板１０２は開口
マスク１０４に隣接して配置される。開口マスクは基板
の一部分にわたる開口を提供する。コーティングを提供
する有機色素は原料（ソース）のボート１００に配置さ
れ、これは電流を加えることにより加熱される。あるい
はボートは適切に配置された熱源からの放射により加熱
される。減圧下での加熱により色素は蒸気になり、ソー
スから出てマスク１０５に衝突する。マスク１０５の開
口を通過した色素蒸気の一部分は線１０３に沿ってその
間で移動し、基板１０２及びマスク１０４に堆積する。
コーティングを製造する方法を示す。基板１０２は開口
マスク１０４に隣接して配置される。開口マスクは基板
の一部分にわたる開口を提供する。コーティングを提供
する有機色素は原料（ソース）のボート１００に配置さ
れ、これは電流を加えることにより加熱される。あるい
はボートは適切に配置された熱源からの放射により加熱
される。減圧下での加熱により色素は蒸気になり、ソー
スから出てマスク１０５に衝突する。マスク１０５の開
口を通過した色素蒸気の一部分は線１０３に沿ってその
間で移動し、基板１０２及びマスク１０４に堆積する。
【０００５】部分的な真空で堆積された層を含み、物理
的蒸着（ＰＶＤ）としばしば称されるこの技術に関して
多くの問題が存在する。ある場合には基板上に堆積され
た色素の厚さ及び均一性の制御が困難である。色素の真
空蒸着の処理は典型的には均一なコーティングを形成す
るためにソース又はマスクの適切な配置又は基板を動か
すことを必要とする。しかしながら色素材料はマスクに
堆積し、真空定着物は望ましくない汚染を引き起こし、
色素を浪費し、頻繁な清掃を必要とする剥離を引き起こ
す。加えて定着物を移動することは基板を汚染する望ま
しくない微粒子を発生する。
的蒸着（ＰＶＤ）としばしば称されるこの技術に関して
多くの問題が存在する。ある場合には基板上に堆積され
た色素の厚さ及び均一性の制御が困難である。色素の真
空蒸着の処理は典型的には均一なコーティングを形成す
るためにソース又はマスクの適切な配置又は基板を動か
すことを必要とする。しかしながら色素材料はマスクに
堆積し、真空定着物は望ましくない汚染を引き起こし、
色素を浪費し、頻繁な清掃を必要とする剥離を引き起こ
す。加えて定着物を移動することは基板を汚染する望ま
しくない微粒子を発生する。
【０００６】ＰＶＤ処理によりカラーフィルタ配列を製
造する他の問題はソースと基板の間の大きな間隔を必要
とし、これは大きな容器と充分な真空に到達させるため
の大きなポンプを必要とし、材料の低い使用率の原因と
なり、マスク上に堆積する付随する汚染問題を生ずるマ
スクを必要とする。均一なコーティング用にある場合に
必要となる基板に関して非常に特徴的な軸を外れたソー
ス位置は材料の使用率を非常に悪化させる。更にまた一
回のポンプダウンで複数の基板をコーティングするため
にソースへの補給問題が存在する。加えて多数の層が堆
積されるときに処理は多数のサイクルで多数の色素コー
ティングでの層の厚さを注意深くモニタする必要があ
る。
造する他の問題はソースと基板の間の大きな間隔を必要
とし、これは大きな容器と充分な真空に到達させるため
の大きなポンプを必要とし、材料の低い使用率の原因と
なり、マスク上に堆積する付随する汚染問題を生ずるマ
スクを必要とする。均一なコーティング用にある場合に
必要となる基板に関して非常に特徴的な軸を外れたソー
ス位置は材料の使用率を非常に悪化させる。更にまた一
回のポンプダウンで複数の基板をコーティングするため
にソースへの補給問題が存在する。加えて多数の層が堆
積されるときに処理は多数のサイクルで多数の色素コー
ティングでの層の厚さを注意深くモニタする必要があ
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記の
問題を解決し、低コストで高品質な基板にわたり均一な
色素を供給するカラーフィルタ配列を製造する改善され
た方法を提供することにある。
問題を解決し、低コストで高品質な基板にわたり均一な
色素を供給するカラーフィルタ配列を製造する改善され
た方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は一実施例とし
て、 ａ） 第一の基板の選択された領域にわたり開口を形成
するために第一の基板上にフォトレジスト層を堆積し、
パターン化し； ｂ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する一
以上の熱転写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な
関係にあるが、第一の基板から離間して第二の基板を位
置決めし； ｃ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたレジストに離間した距離
を越えて同時に転写されるように充分加熱し； ｄ） パターン化されたフォトレジスト層及びオーバー
レイ色素層を選択された領域にわたり開口の位置に色素
材料を後に残すように除去する各段階からなる、第一の
基板上にカラーフィルタ配列を製造する方法を提供す
る。
て、 ａ） 第一の基板の選択された領域にわたり開口を形成
するために第一の基板上にフォトレジスト層を堆積し、
パターン化し； ｂ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する一
以上の熱転写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な
関係にあるが、第一の基板から離間して第二の基板を位
置決めし； ｃ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたレジストに離間した距離
を越えて同時に転写されるように充分加熱し； ｄ） パターン化されたフォトレジスト層及びオーバー
レイ色素層を選択された領域にわたり開口の位置に色素
材料を後に残すように除去する各段階からなる、第一の
基板上にカラーフィルタ配列を製造する方法を提供す
る。
【０００９】本発明の他の実施例は ａ） 第一の基板の選択された領域にわたり開口を形成
するために第一の基板上にフォトレジスト層を堆積し、
パターン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いるパターン化されたフォトレジスト層の
開口を通してエッチングし； ｃ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する一
以上の熱転写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な
関係にあるが、第一の基板から離間して第二の基板を位
置決めし； ｄ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間し
た距離を越えて転写されるように充分加熱し； ｅ） パターン化されたフォトレジスト層及び色素層を
第一の基板の選択された領域にわたり開口の位置に熱転
写可能な色素材料を後に残すように除去する各段階から
なる、第一の基板上にカラーフィルタ配列を製造する方
法を提供する。
するために第一の基板上にフォトレジスト層を堆積し、
パターン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いるパターン化されたフォトレジスト層の
開口を通してエッチングし； ｃ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する一
以上の熱転写色素層を設け、熱転写色素層が転写可能な
関係にあるが、第一の基板から離間して第二の基板を位
置決めし； ｄ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間し
た距離を越えて転写されるように充分加熱し； ｅ） パターン化されたフォトレジスト層及び色素層を
第一の基板の選択された領域にわたり開口の位置に熱転
写可能な色素材料を後に残すように除去する各段階から
なる、第一の基板上にカラーフィルタ配列を製造する方
法を提供する。
【００１０】本発明の更に他の実施例は、 ａ） 第一の基板の選択された領域にわたり複数の開口
を形成するために第一の基板上に第一のフォトレジスト
層を堆積し、パターン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いる第一のパターン化されたフォトレジス
ト層の開口を通してエッチングし； ｃ） 第一の基板の第二の選択された領域上のエッチン
グされた凹部にわたり開口を形成するために第一のフォ
トレジスト層上に第二のフォトレジストを配置し、パタ
ーン化し； ｄ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する少
なくとも一つの熱転写色素層を設け、熱転写色素層が転
写可能な関係にあるが、第一の基板から離間して第二の
基板を位置決めし； ｅ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上の第二のパターン化されたフォトレジストに
離間した距離を越えて転写されるように充分加熱し； ｆ） パターン化されたフォトレジスト層及びオーバー
レイ色素層の両方を第二の選択された画素にわたり開口
の位置に色素材料を後に残すように除去する各段階から
なる、第一の基板上にカラーフィルタ配列を製造する方
法を提供する。
を形成するために第一の基板上に第一のフォトレジスト
層を堆積し、パターン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いる第一のパターン化されたフォトレジス
ト層の開口を通してエッチングし； ｃ） 第一の基板の第二の選択された領域上のエッチン
グされた凹部にわたり開口を形成するために第一のフォ
トレジスト層上に第二のフォトレジストを配置し、パタ
ーン化し； ｄ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する少
なくとも一つの熱転写色素層を設け、熱転写色素層が転
写可能な関係にあるが、第一の基板から離間して第二の
基板を位置決めし； ｅ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上の第二のパターン化されたフォトレジストに
離間した距離を越えて転写されるように充分加熱し； ｆ） パターン化されたフォトレジスト層及びオーバー
レイ色素層の両方を第二の選択された画素にわたり開口
の位置に色素材料を後に残すように除去する各段階から
なる、第一の基板上にカラーフィルタ配列を製造する方
法を提供する。
【００１１】本発明の更に他の実施例は、 ａ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する少
なくとも一つの熱転写色素層を設け、熱転写色素層が転
写可能な関係にあるが、第一の基板から離間して第二の
基板を位置決めし； ｂ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板に対して離間した距離を越えて転写されるよう
に充分加熱し； ｃ） 第一の基板の選択された領域にわたり配置された
フォトレジストに開口を形成するために第一の基板上の
熱転写可能な色素層上にフォトレジスト層を堆積し、パ
ターン化し； ｄ） 第一の基板の選択された領域にわたり熱転写可能
な色素の一部分を後に残すようにパターン化されたフォ
トレジストの開口を通して第一の基板上の熱転写可能な
色素層をエッチングする各段階からなる、第一の基板上
にカラーフィルタ配列を製造する方法を提供する。
なくとも一つの熱転写色素層を設け、熱転写色素層が転
写可能な関係にあるが、第一の基板から離間して第二の
基板を位置決めし； ｂ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板に対して離間した距離を越えて転写されるよう
に充分加熱し； ｃ） 第一の基板の選択された領域にわたり配置された
フォトレジストに開口を形成するために第一の基板上の
熱転写可能な色素層上にフォトレジスト層を堆積し、パ
ターン化し； ｄ） 第一の基板の選択された領域にわたり熱転写可能
な色素の一部分を後に残すようにパターン化されたフォ
トレジストの開口を通して第一の基板上の熱転写可能な
色素層をエッチングする各段階からなる、第一の基板上
にカラーフィルタ配列を製造する方法を提供する。
【００１２】
【発明の実施の形態】図の縮尺は正確でなく、説明を明
確にするために示されている。図１を参照するに、堆積
される材料を含む加熱されたソース１００、基板１０
２、材料の蒸気を路１０３及びその間の領域に制限する
マスク１０４、１０５を含む従来のＰＶＤが示される。
確にするために示されている。図１を参照するに、堆積
される材料を含む加熱されたソース１００、基板１０
２、材料の蒸気を路１０３及びその間の領域に制限する
マスク１０４、１０５を含む従来のＰＶＤが示される。
【００１３】図２は矢印２０５により示されるように、
第一の基板２０１に対して第二の基板２００にコーティ
ングとして堆積された材料を転写し、それは開口２０４
を通して作用する放射熱２０３により示されるように、
熱源２０２での加熱によりなされる配置を示す。カラー
フィルタ配列はいかなる染料受容ポリマーをも含まずに
蒸発した色素を用いて製造される。そのようなカラーフ
ィルタ配列を製造するために、典型的なプロセスは以下
の通りである：フォトレジスト層はガラスのような透明
基板上にコーティングされ、それは例えば液晶表示器、
発光ダイオード、画像センサ、又は他のそのようなデバ
イスで光学的要素として設けられる。その後にフォトレ
ジストはフィルタされた光又は基板と光源の相対的な向
きに依存してフィルタされた光を通過する領域にわたる
開口の配置を形成するようパターン化される。次に一般
に有機染料又は顔料である色素は基板にわたる開口に色
素層を形成するようパターン化されたフォトレジスト層
にわたり堆積される。望ましくない色素は化学的機械的
研磨により除去され、その０．５ミクロンより小さな平
均直径のシリカのような研磨材料の粒子はテトラメチル
アンモニウムヒドロオキシドの水溶液のような液体の媒
体に懸濁され、研磨される表面は懸濁液で濡れているパ
ッドに関して動かされる。選択された領域の表面にわた
り配置された色素は望ましくない色素の表面に対してよ
り低い位置にあるために除去されない。あるいは望まし
くない色素はパターン化されたフォトレジスト層及びオ
ーバーレイされた色素層をリフトオフすることにより除
去される。
第一の基板２０１に対して第二の基板２００にコーティ
ングとして堆積された材料を転写し、それは開口２０４
を通して作用する放射熱２０３により示されるように、
熱源２０２での加熱によりなされる配置を示す。カラー
フィルタ配列はいかなる染料受容ポリマーをも含まずに
蒸発した色素を用いて製造される。そのようなカラーフ
ィルタ配列を製造するために、典型的なプロセスは以下
の通りである：フォトレジスト層はガラスのような透明
基板上にコーティングされ、それは例えば液晶表示器、
発光ダイオード、画像センサ、又は他のそのようなデバ
イスで光学的要素として設けられる。その後にフォトレ
ジストはフィルタされた光又は基板と光源の相対的な向
きに依存してフィルタされた光を通過する領域にわたる
開口の配置を形成するようパターン化される。次に一般
に有機染料又は顔料である色素は基板にわたる開口に色
素層を形成するようパターン化されたフォトレジスト層
にわたり堆積される。望ましくない色素は化学的機械的
研磨により除去され、その０．５ミクロンより小さな平
均直径のシリカのような研磨材料の粒子はテトラメチル
アンモニウムヒドロオキシドの水溶液のような液体の媒
体に懸濁され、研磨される表面は懸濁液で濡れているパ
ッドに関して動かされる。選択された領域の表面にわた
り配置された色素は望ましくない色素の表面に対してよ
り低い位置にあるために除去されない。あるいは望まし
くない色素はパターン化されたフォトレジスト層及びオ
ーバーレイされた色素層をリフトオフすることにより除
去される。
【００１４】カラーフィルタ配列はまたいかなる受容ポ
リマーをも含まずに蒸発した色素を用いて他のプロセス
で製造されうる。透明基板上に画像センサを形成するよ
うに基板上にそのようなカラーフィルタ配列を形成する
ための典型的なプロセスは以下の通りである。通常顔料
である色素又は複数の色素は基板上に堆積される。その
後でフォトレジスト層は色素層上にコーティングされ、
それからフィルタされた光又はフィルタされるべき光が
通過する基板の選択された領域にわたる場所にフォトレ
ジストを残すようパターン化される。エッチングプロセ
スはここでなされ、パターン化されたフォトレジスト層
は色素が選択された領域にわたる以外は除去されるため
の色素層に対するマスクとして作用する。
リマーをも含まずに蒸発した色素を用いて他のプロセス
で製造されうる。透明基板上に画像センサを形成するよ
うに基板上にそのようなカラーフィルタ配列を形成する
ための典型的なプロセスは以下の通りである。通常顔料
である色素又は複数の色素は基板上に堆積される。その
後でフォトレジスト層は色素層上にコーティングされ、
それからフィルタされた光又はフィルタされるべき光が
通過する基板の選択された領域にわたる場所にフォトレ
ジストを残すようパターン化される。エッチングプロセ
スはここでなされ、パターン化されたフォトレジスト層
は色素が選択された領域にわたる以外は除去されるため
の色素層に対するマスクとして作用する。
【００１５】図３を参照するに、領域３１で示されるガ
ラスのような透明基板である基板３００が示され、それ
を通してフィルタされた光又はフィルタされるべき光が
光源に対する基板の向きに依存して通過することが示さ
れる。透明基板内の領域３１は基板の全厚さを含み、そ
の厚さの一部のみに限定されないように実質的に延在す
る。光を受容するシリコンベースの基板に対して領域３
１は画素３０１を形成するように異なるドーパント材料
に対してウエルを提供するよう前もって処理される。当
業者にはよく知られているように基板は異なる層により
構成され、特に接着促進層３０２を含む。
ラスのような透明基板である基板３００が示され、それ
を通してフィルタされた光又はフィルタされるべき光が
光源に対する基板の向きに依存して通過することが示さ
れる。透明基板内の領域３１は基板の全厚さを含み、そ
の厚さの一部のみに限定されないように実質的に延在す
る。光を受容するシリコンベースの基板に対して領域３
１は画素３０１を形成するように異なるドーパント材料
に対してウエルを提供するよう前もって処理される。当
業者にはよく知られているように基板は異なる層により
構成され、特に接着促進層３０２を含む。
【００１６】図４を参照するに、接着促進層３０２は基
板３００の一部分として領域３１上に（又はシリコンベ
ースの基板の画素３０１に）形成される。接着促進層３
０２は有機ポリマーのスピンコーティング又はスピンオ
ングラス、又は化学蒸着を含む多くの技術により形成さ
れる。接着促進層３０２は画素上の接着促進層３０２に
凹部を形成するようパターン化される。あるいは接着促
進層３０２は以下に図５で説明するようにパターン化さ
れたフォトレジスト層３０３の形成後に塗布されてもよ
い。
板３００の一部分として領域３１上に（又はシリコンベ
ースの基板の画素３０１に）形成される。接着促進層３
０２は有機ポリマーのスピンコーティング又はスピンオ
ングラス、又は化学蒸着を含む多くの技術により形成さ
れる。接着促進層３０２は画素上の接着促進層３０２に
凹部を形成するようパターン化される。あるいは接着促
進層３０２は以下に図５で説明するようにパターン化さ
れたフォトレジスト層３０３の形成後に塗布されてもよ
い。
【００１７】図５を参照するに、スピンコーティングさ
れたフォトレジスト層は選択された領域３１（これは画
素３０１でありうる）にわたり開口を提供するようパタ
ーン化される。そのようなパターン化技術は当業者には
よく知られている。典型的にはフォトレジスト層はその
特定の領域を照明する光に画像毎（ｉｍａｇｅｗｉｓ
ｅ）に露出される。それから現像段階は所望のパターン
を提供する領域３１（画素３０１）にわたり開口を形成
されるよう用いられる。
れたフォトレジスト層は選択された領域３１（これは画
素３０１でありうる）にわたり開口を提供するようパタ
ーン化される。そのようなパターン化技術は当業者には
よく知られている。典型的にはフォトレジスト層はその
特定の領域を照明する光に画像毎（ｉｍａｇｅｗｉｓ
ｅ）に露出される。それから現像段階は所望のパターン
を提供する領域３１（画素３０１）にわたり開口を形成
されるよう用いられる。
【００１８】図６に示されるように、第二の基板３０４
が提供され、（この基板は典型的にはステンレススチー
ルであるが、熱に強い他の基板材料も用いられる）色素
を有する層３０５が基板３０４上に形成される。典型的
には色素層は物理的蒸着により形成され、これは色素よ
り高い揮発性を有する材料を含まない制御された厚さの
均一な層を提供する。色素層３０５及び３０６は熱のよ
うなエネルギーの印加で転写可能な有機色素材料であ
る。本発明の好ましい実施例では色素材料は減少された
圧力下で加熱により蒸発し、一定の速度で熱源上を通過
するステンレススチール箔の移動する細片上に凝集す
る。
が提供され、（この基板は典型的にはステンレススチー
ルであるが、熱に強い他の基板材料も用いられる）色素
を有する層３０５が基板３０４上に形成される。典型的
には色素層は物理的蒸着により形成され、これは色素よ
り高い揮発性を有する材料を含まない制御された厚さの
均一な層を提供する。色素層３０５及び３０６は熱のよ
うなエネルギーの印加で転写可能な有機色素材料であ
る。本発明の好ましい実施例では色素材料は減少された
圧力下で加熱により蒸発し、一定の速度で熱源上を通過
するステンレススチール箔の移動する細片上に凝集す
る。
【００１９】多数の色素層３０５、３０６を用いる代わ
りに単一の色素層が第二の実施例で説明したように用い
られるが、本説明は第一の実施例に関して以下に説明す
る。図７を参照するに、基板３０４及び色素層３０５、
３０６は基板３００及び領域３１（又は画素３０１）に
関して配置されるのが示される。このプロセスでは色素
層３０５、３０６は基板及び画素上に転写されることが
望ましい。
りに単一の色素層が第二の実施例で説明したように用い
られるが、本説明は第一の実施例に関して以下に説明す
る。図７を参照するに、基板３０４及び色素層３０５、
３０６は基板３００及び領域３１（又は画素３０１）に
関して配置されるのが示される。このプロセスでは色素
層３０５、３０６は基板及び画素上に転写されることが
望ましい。
【００２０】図８に示されるように、転写された色素層
はここで符号３０７で表される単層として示される。こ
の転写を提供するために熱が基板３０４に印加される。
典型的に基板は鉄又はアルミニウムのような材料、ポリ
イミドフィルムのような耐熱性プラスチックにより構成
される。加熱はしばしば基板３０４のコートされていな
い側を基板により（又は基板が実質的に透明な場合には
色素コーティングにより）吸収される波長の電磁波照射
に露出することによりなされる。電磁気的放射は延在さ
れたランプソースからのように同時に大きな領域にわた
り印加され、又はそれはレーザーによるようなスキャン
されたビームを印加するようにしてなされる。画像毎の
光露出は加熱及び色素コーティングの部分のみの転写に
用いられる。色素層３０５、３０６を転写するために基
板３０４を加熱するために用いられる他の方法は特に基
板が全部又は部分的に金属で形成されているときに基板
に電流を通過させることによる。更に他方法は基板は金
属ブロック、高温ローラー又は所望の温度に余熱又は加
熱され、直接熱接触により基板に熱を転送可能な他の装
置と直接接触することにより加熱される。色素の転写の
ための典型的な距離及び圧力は約０．１Ｔｏｒｒ以下の
圧力で約０．１ｍｍから３ｍｍ、約０．００１Ｔｏｒｒ
以下の圧力で約５０ｍｍまでの距離である。
はここで符号３０７で表される単層として示される。こ
の転写を提供するために熱が基板３０４に印加される。
典型的に基板は鉄又はアルミニウムのような材料、ポリ
イミドフィルムのような耐熱性プラスチックにより構成
される。加熱はしばしば基板３０４のコートされていな
い側を基板により（又は基板が実質的に透明な場合には
色素コーティングにより）吸収される波長の電磁波照射
に露出することによりなされる。電磁気的放射は延在さ
れたランプソースからのように同時に大きな領域にわた
り印加され、又はそれはレーザーによるようなスキャン
されたビームを印加するようにしてなされる。画像毎の
光露出は加熱及び色素コーティングの部分のみの転写に
用いられる。色素層３０５、３０６を転写するために基
板３０４を加熱するために用いられる他の方法は特に基
板が全部又は部分的に金属で形成されているときに基板
に電流を通過させることによる。更に他方法は基板は金
属ブロック、高温ローラー又は所望の温度に余熱又は加
熱され、直接熱接触により基板に熱を転送可能な他の装
置と直接接触することにより加熱される。色素の転写の
ための典型的な距離及び圧力は約０．１Ｔｏｒｒ以下の
圧力で約０．１ｍｍから３ｍｍ、約０．００１Ｔｏｒｒ
以下の圧力で約５０ｍｍまでの距離である。
【００２１】図９はリフトオフプロセスの後のカラーフ
ィルタ配列を示す。リフトオフプロセスはフォトレジス
ト層３０３の望ましくない部分及びフォトレジスト層３
０３の望ましくない部分の上の色素材料３０７の部分を
除去し、後に色素材料３０８を選択された領域３９（又
は画素３０９）上に残すために必要とされる。より詳細
にはリフトオフ処理は以下の通りである：フォトレジス
ト層は次に材料を堆積する所望の場所を開くために適切
な波長の電磁気的な放射への画像毎の露出と、それに続
く現像によりパターン化される。材料は開かれた領域と
残りのフォトレジストの両方に堆積され、それに続きフ
ォトレジストが下にある基板から分離され、所望の堆積
が所定の位置に残るようリフトオフするよう溶媒内で溶
解され、又は膨張するようにされる。リフトオフ処理及
び用いられる典型的な材料の説明はニューヨークのＰｌ
ｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓから１９８９年に出版されたＷ．
Ｍ．Ｍｏｒｅａｎによる「半導体リソグラフィ」、の１
２章に記載されている。
ィルタ配列を示す。リフトオフプロセスはフォトレジス
ト層３０３の望ましくない部分及びフォトレジスト層３
０３の望ましくない部分の上の色素材料３０７の部分を
除去し、後に色素材料３０８を選択された領域３９（又
は画素３０９）上に残すために必要とされる。より詳細
にはリフトオフ処理は以下の通りである：フォトレジス
ト層は次に材料を堆積する所望の場所を開くために適切
な波長の電磁気的な放射への画像毎の露出と、それに続
く現像によりパターン化される。材料は開かれた領域と
残りのフォトレジストの両方に堆積され、それに続きフ
ォトレジストが下にある基板から分離され、所望の堆積
が所定の位置に残るようリフトオフするよう溶媒内で溶
解され、又は膨張するようにされる。リフトオフ処理及
び用いられる典型的な材料の説明はニューヨークのＰｌ
ｅｎｕｍ Ｐｒｅｓｓから１９８９年に出版されたＷ．
Ｍ．Ｍｏｒｅａｎによる「半導体リソグラフィ」、の１
２章に記載されている。
【００２２】複数の色でカラーフィルタ配列を製造する
ために上記の段階は画素上に堆積される各新たな色素層
を繰り返すために必要である。本発明の第二の実施例は
図８に関して図１０に示される。化学的機械的研磨処理
はフォトレジスト層３０３及び層３０７の部分の望まし
くない部分を除去し（これは一以上の色素層である）、
残りの領域にわたり選択された領域３１（又は画素３０
１及びフォトレジスト層３１１の色素層３１０を後に残
す。
ために上記の段階は画素上に堆積される各新たな色素層
を繰り返すために必要である。本発明の第二の実施例は
図８に関して図１０に示される。化学的機械的研磨処理
はフォトレジスト層３０３及び層３０７の部分の望まし
くない部分を除去し（これは一以上の色素層である）、
残りの領域にわたり選択された領域３１（又は画素３０
１及びフォトレジスト層３１１の色素層３１０を後に残
す。
【００２３】図１を参照するに、基板４００が示され
（これはシリコン基板又はガラスのような透明基板のい
ずれかでありうる）、示された領域４１はフィルタされ
た光が通過し、又はフィルタされる光が通過する（領域
４１は画素４０１であり得、これはフィルタされた光を
受け、シリコン基板である場合には異なるドーパント材
料に対するウエルを提供するよう既に処理されている
（画素４０１を形成するために））。当業者にはよく知
られているが基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）という用語は
異なる層からの構成物を含み、特に接着促進層を含む。
（これはシリコン基板又はガラスのような透明基板のい
ずれかでありうる）、示された領域４１はフィルタされ
た光が通過し、又はフィルタされる光が通過する（領域
４１は画素４０１であり得、これはフィルタされた光を
受け、シリコン基板である場合には異なるドーパント材
料に対するウエルを提供するよう既に処理されている
（画素４０１を形成するために））。当業者にはよく知
られているが基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）という用語は
異なる層からの構成物を含み、特に接着促進層を含む。
【００２４】図１２を参照するに、、続けてエッチング
される接着促進層５０２は領域４１（これは画素４０１
でありうる）の一部分として形成され、フォトレジスト
４０３の層が接着促進層４０２上に形成される。図１３
に示されるように、フォトレジストは選択された領域４
１（又は画素４０１）にわたり開口を形成し、層４０２
の残りの部分にわたりフォトレジスト層４０４を残すよ
う露光され、現像される。
される接着促進層５０２は領域４１（これは画素４０１
でありうる）の一部分として形成され、フォトレジスト
４０３の層が接着促進層４０２上に形成される。図１３
に示されるように、フォトレジストは選択された領域４
１（又は画素４０１）にわたり開口を形成し、層４０２
の残りの部分にわたりフォトレジスト層４０４を残すよ
う露光され、現像される。
【００２５】図１４に示されるように、パターン化され
たレジスト層４０４の開口はここで符号４０５で示され
る接着促進層に凹部のパターンを形成するよう基板４０
０のエッチング用にマスクとして用いられる。あるいは
エッチングは接着促進層４０５を通して基板４００の残
りをエッチングするようなされてもよい。図１５に示さ
れるように、色素材料は層４０６／４０７を得るようパ
ターン化されたフォトレジスト層４０４及び下の層４０
５の凹部上に堆積される。
たレジスト層４０４の開口はここで符号４０５で示され
る接着促進層に凹部のパターンを形成するよう基板４０
０のエッチング用にマスクとして用いられる。あるいは
エッチングは接着促進層４０５を通して基板４００の残
りをエッチングするようなされてもよい。図１５に示さ
れるように、色素材料は層４０６／４０７を得るようパ
ターン化されたフォトレジスト層４０４及び下の層４０
５の凹部上に堆積される。
【００２６】図１６を参照するに、選択された領域４１
（シリコン基板の場合には画素４０１でありうる）上に
ない色素材料４０６及びパターン化されたフォトレジス
ト層４０４はパターン化されたフォトレジスト層４０５
及び色素材料４０７を選択された領域４１（又は画素４
０１）上に残すために化学的機械的研磨により除去され
る。
（シリコン基板の場合には画素４０１でありうる）上に
ない色素材料４０６及びパターン化されたフォトレジス
ト層４０４はパターン化されたフォトレジスト層４０５
及び色素材料４０７を選択された領域４１（又は画素４
０１）上に残すために化学的機械的研磨により除去され
る。
【００２７】カラーフィルタ配列を複数の色で形成する
ために上記段階は順次選択された画素にわたり堆積され
る新たな色素層それぞれに対して繰り返される必要があ
る。図１７を参照するに、基板５００（これは透明ガラ
スからシリコンベースの基板の範囲でありうる）が領域
５１を有するように示され、これを通してフィルタされ
た光が通過し、又はフィルタされる光がそれを通過す
る。基板５００がシリコンである場合には、基板はフィ
ルタされた光を受ける画素５０１を形成するために異な
るドーパント材料に対するウエルを提供するよう既に処
理されている。当業者にはよく知られているが基板とい
う用語は異なる層からの構成物を含み、特に接着促進層
を含む。
ために上記段階は順次選択された画素にわたり堆積され
る新たな色素層それぞれに対して繰り返される必要があ
る。図１７を参照するに、基板５００（これは透明ガラ
スからシリコンベースの基板の範囲でありうる）が領域
５１を有するように示され、これを通してフィルタされ
た光が通過し、又はフィルタされる光がそれを通過す
る。基板５００がシリコンである場合には、基板はフィ
ルタされた光を受ける画素５０１を形成するために異な
るドーパント材料に対するウエルを提供するよう既に処
理されている。当業者にはよく知られているが基板とい
う用語は異なる層からの構成物を含み、特に接着促進層
を含む。
【００２８】図１８に示されるように、エッチングされ
る接着促進層５０２は基板５００及び領域５１（シリコ
ン基板の場合には画素５０１）上に形成され、フォトレ
ジスト５０３の層はその上に形成される。図１９に示さ
れるように、フォトレジスト層５０３はパターン化され
たフォトレジスト層５０４を形成し、領域５１（シリコ
ン基板の場合には画素５０１）にわたり開口を有するよ
う露光され、現像される。
る接着促進層５０２は基板５００及び領域５１（シリコ
ン基板の場合には画素５０１）上に形成され、フォトレ
ジスト５０３の層はその上に形成される。図１９に示さ
れるように、フォトレジスト層５０３はパターン化され
たフォトレジスト層５０４を形成し、領域５１（シリコ
ン基板の場合には画素５０１）にわたり開口を有するよ
う露光され、現像される。
【００２９】図２０に示されるように、凹部パターンは
マスクとしてパターン化されたフォトレジスト層５０４
を通してエッチングにより接着促進層５０５に形成され
る。図２１に示されるように、フォトレジスト層の他の
層はパターン化された層５０５に形成され、２つのフォ
トレジスト層は単一の層５０６として示される。図２２
に示されるように、第二のフォトレジスト層５０７は第
二の選択された領域５１５上の開口を形成するよう露光
され、現像される。
マスクとしてパターン化されたフォトレジスト層５０４
を通してエッチングにより接着促進層５０５に形成され
る。図２１に示されるように、フォトレジスト層の他の
層はパターン化された層５０５に形成され、２つのフォ
トレジスト層は単一の層５０６として示される。図２２
に示されるように、第二のフォトレジスト層５０７は第
二の選択された領域５１５上の開口を形成するよう露光
され、現像される。
【００３０】図２３に示されるように、色素層は層５０
８／５０９を形成するようパターン化されたレジスト層
５０７及び第二の選択された領域５１５（これはシリコ
ンの実施例では画素５０１である第一の選択された領域
５１のサブセットである）上に堆積される。図２４に示
されるように、第二の選択された領域５１５上にない色
素層５０８及びパターン化されたフォトレジスト層５０
７は他の領域上の第二のフォトレジスト５１０を残すよ
うに第二の選択された領域５１５上に色素５０９を残す
ように除去される。色素層及びフォトレジスト層を除去
する方法は第二の選択された領域５１５上の色素５０９
及び他の画素上のフォトレジスト５１０を残すような化
学的機械的研磨を含む。
８／５０９を形成するようパターン化されたレジスト層
５０７及び第二の選択された領域５１５（これはシリコ
ンの実施例では画素５０１である第一の選択された領域
５１のサブセットである）上に堆積される。図２４に示
されるように、第二の選択された領域５１５上にない色
素層５０８及びパターン化されたフォトレジスト層５０
７は他の領域上の第二のフォトレジスト５１０を残すよ
うに第二の選択された領域５１５上に色素５０９を残す
ように除去される。色素層及びフォトレジスト層を除去
する方法は第二の選択された領域５１５上の色素５０９
及び他の画素上のフォトレジスト５１０を残すような化
学的機械的研磨を含む。
【００３１】図２５に示されるように、選択されない領
域にわたるフォトレジストはエッチングされた層５０５
に開口５１１を残すよう上記の領域からそれを除去する
ために露光され、現像される。複数の色を有するカラー
フィルタ配列を製造するために段階２１から２５は順次
選択された画素にわたり堆積される新たな色素層それぞ
れに対して繰り返される必要がある。
域にわたるフォトレジストはエッチングされた層５０５
に開口５１１を残すよう上記の領域からそれを除去する
ために露光され、現像される。複数の色を有するカラー
フィルタ配列を製造するために段階２１から２５は順次
選択された画素にわたり堆積される新たな色素層それぞ
れに対して繰り返される必要がある。
【００３２】図３から１０、１１から１６、１７から２
５に示されるプロセスで好ましい色素は以下のものを含
む：ピグメントブルー１５、ニッケルフタロシアニン
（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、クロロアルミニウ
ムフタロシアニン、ヒドロオキシアルミニウムフタロシ
アニン、バナジルフタロシアニン、チタニルフタロシア
ニン、チタニルテトラフルオロフタロシアニンのような
フタロシアニン；ピグメントイエロー１１０、ピグメン
トイエロー１８５のようなイソインドリノン（ｉｓｏｉ
ｎｄｏｌｉｎｏｎｅ）；ピグメントイエロー１５１、ピ
グメントイエロー１５４、ピグメントイエロー１７５、
ピグメントイエロー１９４、ピグメントオレンジ３６、
ピグメントオレンジ６２、ピグメントレッド１７５、ピ
グメントレッド２０８のようなベンズイミダゾロン（ｂ
ｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントイエロー
１３８のようなキノフタロン（ｑｕｉｎｏｐｈｔｈａｌ
ｏｎｅ）；ピグメントレッド１２２、ピグメントレッド
２０２、ピグメントバイオレット１９のようなキナクリ
ドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）；ピグメントレッド
１２３、ピグメントレッド１４９、ピグメント１７９、
ピグメントレッド２２４、ピグメントバイオレット２９
のようなペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）；ピグメントバ
イオレット２３のようなジオクサジン（ｄｉｏｘａｚｉ
ｎｅ）ピグメントレッド８８、ピグメントバイオレット
３８のようなチオインディゴ（ｔｈｉｏｉｄｉｇｏ）；
２，８−ジフルオロエピンドリジオンのようなエピンド
リジオン（ｅｐｉｎｄｏｌｉｄｉｏｎｅ）；ピグメント
レッド１６８のようなアンサンスロン（ａｎｔｈａｎｔ
ｈｒｏｎｅ）；イソバイオランスロンのようなイソバイ
オランスロン（ｉｓｏｖｉｏｌａｎｔｈｒｏｎｅ）；ピ
グメントイブルー６０のようなインダンスロン（ｉｎｄ
ａｎｔｈｒｏｎｅ）；ピグメントイエロー１９２のよう
なイミダゾベンジイミダゾロン（ｉｍｉｄａｚｏｂｅｎ
ｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントオレンジ６７
のようなピラゾロキナゾロン（ｐｙｒａｚｏｌｏｑｕｉ
ｎａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントレッド２５４、Ｉｒｇ
ａｚｉｎ ＤＰＰ Ｒｕｂｉｎ ＴＲ，Ｃｒｏｍｏｐｈ
ｔａｌ ＤＰＰ Ｏｒａｎｇｅ ＴＲのようなジケトピ
ロロロピロロール（ｄｉｋｅｔｏｐｙｒｒｏｌｏｐｙｒ
ｒｏｌｅ）；Ｃｈｒｏｍｏｐｈｔａｌ ＤＰＰ Ｆｌａ
ｍｅ Ｒｅｄ ＦＰ（全てチバガイギー社）；ピグメン
トレッド１７７のようなビスアミノアントロン（ｂｉｓ
ａｍｉｎｏａｎｔｈｒｏｎｅ）。
５に示されるプロセスで好ましい色素は以下のものを含
む：ピグメントブルー１５、ニッケルフタロシアニン
（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、クロロアルミニウ
ムフタロシアニン、ヒドロオキシアルミニウムフタロシ
アニン、バナジルフタロシアニン、チタニルフタロシア
ニン、チタニルテトラフルオロフタロシアニンのような
フタロシアニン；ピグメントイエロー１１０、ピグメン
トイエロー１８５のようなイソインドリノン（ｉｓｏｉ
ｎｄｏｌｉｎｏｎｅ）；ピグメントイエロー１５１、ピ
グメントイエロー１５４、ピグメントイエロー１７５、
ピグメントイエロー１９４、ピグメントオレンジ３６、
ピグメントオレンジ６２、ピグメントレッド１７５、ピ
グメントレッド２０８のようなベンズイミダゾロン（ｂ
ｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントイエロー
１３８のようなキノフタロン（ｑｕｉｎｏｐｈｔｈａｌ
ｏｎｅ）；ピグメントレッド１２２、ピグメントレッド
２０２、ピグメントバイオレット１９のようなキナクリ
ドン（ｑｕｉｎａｃｒｉｄｏｎｅ）；ピグメントレッド
１２３、ピグメントレッド１４９、ピグメント１７９、
ピグメントレッド２２４、ピグメントバイオレット２９
のようなペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）；ピグメントバ
イオレット２３のようなジオクサジン（ｄｉｏｘａｚｉ
ｎｅ）ピグメントレッド８８、ピグメントバイオレット
３８のようなチオインディゴ（ｔｈｉｏｉｄｉｇｏ）；
２，８−ジフルオロエピンドリジオンのようなエピンド
リジオン（ｅｐｉｎｄｏｌｉｄｉｏｎｅ）；ピグメント
レッド１６８のようなアンサンスロン（ａｎｔｈａｎｔ
ｈｒｏｎｅ）；イソバイオランスロンのようなイソバイ
オランスロン（ｉｓｏｖｉｏｌａｎｔｈｒｏｎｅ）；ピ
グメントイブルー６０のようなインダンスロン（ｉｎｄ
ａｎｔｈｒｏｎｅ）；ピグメントイエロー１９２のよう
なイミダゾベンジイミダゾロン（ｉｍｉｄａｚｏｂｅｎ
ｚｉｍｉｄａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントオレンジ６７
のようなピラゾロキナゾロン（ｐｙｒａｚｏｌｏｑｕｉ
ｎａｚｏｌｏｎｅ）；ピグメントレッド２５４、Ｉｒｇ
ａｚｉｎ ＤＰＰ Ｒｕｂｉｎ ＴＲ，Ｃｒｏｍｏｐｈ
ｔａｌ ＤＰＰ Ｏｒａｎｇｅ ＴＲのようなジケトピ
ロロロピロロール（ｄｉｋｅｔｏｐｙｒｒｏｌｏｐｙｒ
ｒｏｌｅ）；Ｃｈｒｏｍｏｐｈｔａｌ ＤＰＰ Ｆｌａ
ｍｅ Ｒｅｄ ＦＰ（全てチバガイギー社）；ピグメン
トレッド１７７のようなビスアミノアントロン（ｂｉｓ
ａｍｉｎｏａｎｔｈｒｏｎｅ）。
【００３３】上記の説明は近接して離間された昇華を介
してカラーフィルタを製造する本発明の２つの実施例と
して示された。第一の実施例はリフトオフ手順を用い、
第二は化学的機械的研磨を用いた。以下に色素転写及び
エッチングによる近接して離間された昇華の詳細な第三
の実施例を示す。図２６を参照するに、基板６００が示
される。基板がシリコン基板である場合には領域６０１
（これはシリコン基板の場合には画素である）を形成す
るよう異なるドーパント材料に対するウエルを提供する
よう既に処理されている。透明基板が用いられる場合に
はこれらの領域６１は光源に対する基板の向きに依存し
てフィルタされた光を通し、又はフィルタされるべき光
を通す。当業者にはよく知られているが基板という用語
は異なる層からの構成物を含み、特に接着促進層を含
む。画像センサの構成のより完全な説明は米国特許第５
２３５１９８号に開示されている。
してカラーフィルタを製造する本発明の２つの実施例と
して示された。第一の実施例はリフトオフ手順を用い、
第二は化学的機械的研磨を用いた。以下に色素転写及び
エッチングによる近接して離間された昇華の詳細な第三
の実施例を示す。図２６を参照するに、基板６００が示
される。基板がシリコン基板である場合には領域６０１
（これはシリコン基板の場合には画素である）を形成す
るよう異なるドーパント材料に対するウエルを提供する
よう既に処理されている。透明基板が用いられる場合に
はこれらの領域６１は光源に対する基板の向きに依存し
てフィルタされた光を通し、又はフィルタされるべき光
を通す。当業者にはよく知られているが基板という用語
は異なる層からの構成物を含み、特に接着促進層を含
む。画像センサの構成のより完全な説明は米国特許第５
２３５１９８号に開示されている。
【００３４】図２７を参照するに、第二の基板６０２が
設けられる。この基板は典型的にはステンレススチール
であるが、他の基板材料も熱耐久性を有するものならば
用いることは可能である。図２８に示すように、基板６
０２及び第一の色素層６０３は基板６００及び基板の領
域６１に関して配置される。プロセスでは色素層６０３
を基板６００上に転写することが望ましい。
設けられる。この基板は典型的にはステンレススチール
であるが、他の基板材料も熱耐久性を有するものならば
用いることは可能である。図２８に示すように、基板６
０２及び第一の色素層６０３は基板６００及び基板の領
域６１に関して配置される。プロセスでは色素層６０３
を基板６００上に転写することが望ましい。
【００３５】図２９を参照するに、転写された色素層は
ここで符号６０４で示される。この転写をなすために、
熱が基板６０２に印加される。図３０を参照するに、フ
ォトレジスト層６０５は第一の選択された領域６１にわ
たる色素層の一部分の保護をなすよう第一の色素層６０
４上で形成され、パターン化される。そのようなパター
ン化の技術は当業者によく知られている。典型的にはフ
ォトレジスト層６０５は画像毎に層６０５の特定の領域
を照射するよう光に曝される。現像段階は所望のパター
ンを提供するよう第一の選択された領域６１にわたる部
分を除く全体に開口を形成するよう用いられる。
ここで符号６０４で示される。この転写をなすために、
熱が基板６０２に印加される。図３０を参照するに、フ
ォトレジスト層６０５は第一の選択された領域６１にわ
たる色素層の一部分の保護をなすよう第一の色素層６０
４上で形成され、パターン化される。そのようなパター
ン化の技術は当業者によく知られている。典型的にはフ
ォトレジスト層６０５は画像毎に層６０５の特定の領域
を照射するよう光に曝される。現像段階は所望のパター
ンを提供するよう第一の選択された領域６１にわたる部
分を除く全体に開口を形成するよう用いられる。
【００３６】図３１に示されるように、フォトレジスト
６０５により覆われていない第一の色素層６０４の部分
はエッチングにより除去され、ここでフォトレジスト６
０５はマスクとして作用し、色素が第一の選択された領
域６１にわたる部分にのみ後に残るようにする。図３２
を参照するに、第二の色素層６０７は第一の選択された
領域６１にわたり、残りの領域６０８、６０９にわたり
第一の基板６００上に堆積される。第一の色素層を堆積
するのに用いられたのと同じプロセスが第二の色素層を
堆積するために用いられる。
６０５により覆われていない第一の色素層６０４の部分
はエッチングにより除去され、ここでフォトレジスト６
０５はマスクとして作用し、色素が第一の選択された領
域６１にわたる部分にのみ後に残るようにする。図３２
を参照するに、第二の色素層６０７は第一の選択された
領域６１にわたり、残りの領域６０８、６０９にわたり
第一の基板６００上に堆積される。第一の色素層を堆積
するのに用いられたのと同じプロセスが第二の色素層を
堆積するために用いられる。
【００３７】図３３に示されるように、フォトレジスト
層６１０は第二の選択された領域６０８上の第二の色素
層にわたり形成され、パターン化される。図３４に示さ
れるように、エッチング段階はパターン化された第二の
色素層６１１を残すためにフォトレジスト層により保護
された上記の第二の選択された領域を除き第二の色素層
を除去する。
層６１０は第二の選択された領域６０８上の第二の色素
層にわたり形成され、パターン化される。図３４に示さ
れるように、エッチング段階はパターン化された第二の
色素層６１１を残すためにフォトレジスト層により保護
された上記の第二の選択された領域を除き第二の色素層
を除去する。
【００３８】段階３２から３４は所望の各追加される色
素層に対して繰り返される。第三の実施例のプロセスで
有用な色素は上記のものと同じである。例はまた上記と
同じである。
素層に対して繰り返される。第三の実施例のプロセスで
有用な色素は上記のものと同じである。例はまた上記と
同じである。
【００３９】
【実施例】上記の本発明は以下のように実施される。例１ タンタルのボートはピグメントイエロー１１０（チバガ
イギー社）約０．１ｇｍで半分満たされ、約２．５Ｘ１
０Ｅ−５Ｔｏｒｒの部分的な真空下に置かれ、３７５か
ら４１７゜Ｃの温度に電流を通すことにより加熱され
た。ボートから蒸発した材料は雰囲気温度を維持して約
２５ミクロンの厚さを有するステンレススチール箔の一
部分に凝集された。堆積物の厚さは振動するクオーツ結
晶によりモニタされ、厚さが約０．４５ミクロンに達し
たときに停止された。
イギー社）約０．１ｇｍで半分満たされ、約２．５Ｘ１
０Ｅ−５Ｔｏｒｒの部分的な真空下に置かれ、３７５か
ら４１７゜Ｃの温度に電流を通すことにより加熱され
た。ボートから蒸発した材料は雰囲気温度を維持して約
２５ミクロンの厚さを有するステンレススチール箔の一
部分に凝集された。堆積物の厚さは振動するクオーツ結
晶によりモニタされ、厚さが約０．４５ミクロンに達し
たときに停止された。
【００４０】同様にしてコーティングされた鉄の箔は約
２Ｘ１０Ｅ−４Ｔｏｒｒの圧力で、３３１から４３７゜
Ｃの範囲の温度でチタニルフタロシアニン（Ｈ．Ｗ．サ
ンド社）の約０．１５ミクロンでコーティングされた。
二重にコーティングされた鉄の箔は約３．３Ｘ１０Ｅ−
５Ｔｏｒｒの部分真空中に置かれた２つの電極間に挟持
されたガラススライドから約２ｍｍに置かれ、３０ボル
トで１０秒間電流を流すことにより加熱された。色素の
全ては６９５から７１５ｎｍで光学的濃度が約３．０を
有する透明で連続的な層が得られた。機械的に転写され
た色素を別の層に分離する試みは成功しなかった。例２ 色素が逆の順で堆積されることを除き例１と類似の手順
がなされた。色素はガラススライドに完全に転写され、
透明で連続的な層が得られた。例３ 市販のチタニルフタロシアニン（アルドリッチケミカル
社）はタンタルのボートに置かれ、電流を通すことによ
り加熱され、一方真空のベルジャーで約１．１ｘ１０Ｅ
−４Ｔｏｒｒの減少された圧力を維持した。約０．１５
ミクロンのフタロシアニンが約２５ミクロンの厚さを有
するステンレススチール箔の一部分に堆積された。コー
ティングされた箔は第二の段階で第二の色素に対して基
板として用いられた。ピグメントオレンジ３６（ヘキス
トセラニーズ社のＮｏｖａｐｅｒｍ Ｏｒａｎｇｅ Ｈ
Ｌ−７０）はタンタルのボートで約１．３Ｘ１０Ｅ−４
Ｔｏｒｒの圧力で加熱された。約０．３ミクロンの顔料
がフタロシアニンコーティングの上に堆積され、鉄の箔
上に二重の層のコーティングが形成された。二重にコー
トされた箔は１．０ミクロンのポリ（メチルグルタルイ
ミド）（マイクロエレクトロニクスケミカル社のＰＧＭ
Ｉ）の接着促進層及びＡＺ５２１４ＩＲフォトレジスト
（ヘキストセラニーズ社）のパターン化された層を張り
付けられたシリコンウエーハの部分から約２ｍｍ離され
て取り付けられた。箔は２つの電極間に挟持された。組
立体は約１．１Ｘ１０Ｅ−４Ｔｏｒｒの真空に曝され、
約１０秒間（３０ボルトで）箔を通して電流を流した。
フタロシアニンとピグメントオレンジ３６の両方はウエ
ーハに転写された。ウエーハはフォトレジスト及びその
上にある顔料を除去し、ウエーハ上の所望の位置に顔料
を残すために超音波バス（Ｂｒａｎｓｏｎ２２００）で
アセトン中に３０秒間曝された。例４ 市販の銅フタロシアニンはタンタルのボートに置かれ、
電流を通すことにより加熱され、一方真空のベルジャー
で約６ｘ１０Ｅ−５Ｔｏｒｒの減少された圧力を維持し
た。約０．２ミクロンのフタロシアニンが約２５ミクロ
ンの厚さを有するステンレススチール箔の一部分に堆積
された。コーティングされた箔はＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社の約１ミクロンのポ
リ（メチルグルタルイミド）、”ＰＭＧＩ”でスピンコ
ートされているシリコンウエーハから約３ｍｍ離れたと
ころに置かれ、次にパターン化され、現像されるフォト
レジストＡＺ５２１４ＩＲ（ヘキストセラニーズ社）を
約１．３ミクロンコーティングされ、箔のコーティング
されない側は３０ｍｍ離間されている熱ランプ（ゼネラ
ルエレクトリック社、部品番号ＱＨ５００Ｔ３／ＣＬ）
の列から約２５ｍｍの位置に置かれる。組立体は約６ｘ
１０Ｅ−５Ｔｏｒｒの真空に曝され、熱ランプはフタロ
シアニンをシリコンウエーハに転写するために６０秒間
給電される。水が真空容器から除去され、Ｂｒａｎｓｏ
ｎ社のモデル３２００超音波バスを用いて９０秒間アセ
トンのトレーで超音波に曝される。フォトレジストはこ
の処理により完全に除去され、完全な銅フタロシアニン
の所望のパターンが残された。 例５ 市販の銅フタロシアニンはタンタルのボートに置かれ、
電流を通すことにより加熱され、一方真空のベルジャー
で約６ｘ１０Ｅ−５Ｔｏｒｒの減少された圧力を維持し
た。約０．２ミクロンのフタロシアニンが約２５ミクロ
ンの厚さを有するステンレススチール箔の一部分に堆積
された。コーティングされた箔はガラススライドから約
２ｍｍに置かれ、２つの電極間に挟持された。組立体は
０．１Ｔｏｒｒの真空に曝され、箔の端が約２６０゜Ｃ
の温度に達し、フタロシアニンがガラス基板に転写され
るよう（３０ボルトで）１０秒間電流を流すことにより
加熱された。
２Ｘ１０Ｅ−４Ｔｏｒｒの圧力で、３３１から４３７゜
Ｃの範囲の温度でチタニルフタロシアニン（Ｈ．Ｗ．サ
ンド社）の約０．１５ミクロンでコーティングされた。
二重にコーティングされた鉄の箔は約３．３Ｘ１０Ｅ−
５Ｔｏｒｒの部分真空中に置かれた２つの電極間に挟持
されたガラススライドから約２ｍｍに置かれ、３０ボル
トで１０秒間電流を流すことにより加熱された。色素の
全ては６９５から７１５ｎｍで光学的濃度が約３．０を
有する透明で連続的な層が得られた。機械的に転写され
た色素を別の層に分離する試みは成功しなかった。例２ 色素が逆の順で堆積されることを除き例１と類似の手順
がなされた。色素はガラススライドに完全に転写され、
透明で連続的な層が得られた。例３ 市販のチタニルフタロシアニン（アルドリッチケミカル
社）はタンタルのボートに置かれ、電流を通すことによ
り加熱され、一方真空のベルジャーで約１．１ｘ１０Ｅ
−４Ｔｏｒｒの減少された圧力を維持した。約０．１５
ミクロンのフタロシアニンが約２５ミクロンの厚さを有
するステンレススチール箔の一部分に堆積された。コー
ティングされた箔は第二の段階で第二の色素に対して基
板として用いられた。ピグメントオレンジ３６（ヘキス
トセラニーズ社のＮｏｖａｐｅｒｍ Ｏｒａｎｇｅ Ｈ
Ｌ−７０）はタンタルのボートで約１．３Ｘ１０Ｅ−４
Ｔｏｒｒの圧力で加熱された。約０．３ミクロンの顔料
がフタロシアニンコーティングの上に堆積され、鉄の箔
上に二重の層のコーティングが形成された。二重にコー
トされた箔は１．０ミクロンのポリ（メチルグルタルイ
ミド）（マイクロエレクトロニクスケミカル社のＰＧＭ
Ｉ）の接着促進層及びＡＺ５２１４ＩＲフォトレジスト
（ヘキストセラニーズ社）のパターン化された層を張り
付けられたシリコンウエーハの部分から約２ｍｍ離され
て取り付けられた。箔は２つの電極間に挟持された。組
立体は約１．１Ｘ１０Ｅ−４Ｔｏｒｒの真空に曝され、
約１０秒間（３０ボルトで）箔を通して電流を流した。
フタロシアニンとピグメントオレンジ３６の両方はウエ
ーハに転写された。ウエーハはフォトレジスト及びその
上にある顔料を除去し、ウエーハ上の所望の位置に顔料
を残すために超音波バス（Ｂｒａｎｓｏｎ２２００）で
アセトン中に３０秒間曝された。例４ 市販の銅フタロシアニンはタンタルのボートに置かれ、
電流を通すことにより加熱され、一方真空のベルジャー
で約６ｘ１０Ｅ−５Ｔｏｒｒの減少された圧力を維持し
た。約０．２ミクロンのフタロシアニンが約２５ミクロ
ンの厚さを有するステンレススチール箔の一部分に堆積
された。コーティングされた箔はＭｉｃｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｏｎｉｃｓ Ｃｈｅｍｉｃａｌ社の約１ミクロンのポ
リ（メチルグルタルイミド）、”ＰＭＧＩ”でスピンコ
ートされているシリコンウエーハから約３ｍｍ離れたと
ころに置かれ、次にパターン化され、現像されるフォト
レジストＡＺ５２１４ＩＲ（ヘキストセラニーズ社）を
約１．３ミクロンコーティングされ、箔のコーティング
されない側は３０ｍｍ離間されている熱ランプ（ゼネラ
ルエレクトリック社、部品番号ＱＨ５００Ｔ３／ＣＬ）
の列から約２５ｍｍの位置に置かれる。組立体は約６ｘ
１０Ｅ−５Ｔｏｒｒの真空に曝され、熱ランプはフタロ
シアニンをシリコンウエーハに転写するために６０秒間
給電される。水が真空容器から除去され、Ｂｒａｎｓｏ
ｎ社のモデル３２００超音波バスを用いて９０秒間アセ
トンのトレーで超音波に曝される。フォトレジストはこ
の処理により完全に除去され、完全な銅フタロシアニン
の所望のパターンが残された。 例５ 市販の銅フタロシアニンはタンタルのボートに置かれ、
電流を通すことにより加熱され、一方真空のベルジャー
で約６ｘ１０Ｅ−５Ｔｏｒｒの減少された圧力を維持し
た。約０．２ミクロンのフタロシアニンが約２５ミクロ
ンの厚さを有するステンレススチール箔の一部分に堆積
された。コーティングされた箔はガラススライドから約
２ｍｍに置かれ、２つの電極間に挟持された。組立体は
０．１Ｔｏｒｒの真空に曝され、箔の端が約２６０゜Ｃ
の温度に達し、フタロシアニンがガラス基板に転写され
るよう（３０ボルトで）１０秒間電流を流すことにより
加熱された。
【００４１】実施例を説明する上記の説明は近接して離
間された昇華を介してカラーフィルタを製造する最も好
ましいものである。この実施例の変形は本発明の範囲が
請求項の範囲でなされることに従って当業者には明らか
である。
間された昇華を介してカラーフィルタを製造する最も好
ましいものである。この実施例の変形は本発明の範囲が
請求項の範囲でなされることに従って当業者には明らか
である。
【００４２】
【発明の効果】本発明の利点は色素要素の配置を形成す
る色素層のパターン化の能力に沿って一段階で複数の色
素材料の共堆積により色を調整可能な色素層を形成する
ことを可能とすることである。加えて本発明は転写色素
コーティングの調製中に色素の蒸発による精製がなさ
れ、大きな範囲にわたる高品質な均一性を有する蒸発性
の材料の効果的な使用を含む。他の利点は層の厚さの正
確な制御が可能であり、堆積真空容器のメンテナンスが
少なくて済み、次の堆積プロセスに対して最小のモニタ
リングしか必要としない。更にまたより高い圧力及びよ
り小さな真空容器でのコーティングを可能にし、これに
より標準的なＰＶＤ技術に対して、より速いサイクル時
間とより低いコストの真空装置の使用を許容する。
る色素層のパターン化の能力に沿って一段階で複数の色
素材料の共堆積により色を調整可能な色素層を形成する
ことを可能とすることである。加えて本発明は転写色素
コーティングの調製中に色素の蒸発による精製がなさ
れ、大きな範囲にわたる高品質な均一性を有する蒸発性
の材料の効果的な使用を含む。他の利点は層の厚さの正
確な制御が可能であり、堆積真空容器のメンテナンスが
少なくて済み、次の堆積プロセスに対して最小のモニタ
リングしか必要としない。更にまたより高い圧力及びよ
り小さな真空容器でのコーティングを可能にし、これに
より標準的なＰＶＤ技術に対して、より速いサイクル時
間とより低いコストの真空装置の使用を許容する。
【図１】従来の物理的蒸着（ＰＶＤ）用の典型的な配置
を示す。
を示す。
【図２】本発明による最終基板に対して中間基板から材
料を熱転写するための典型的な配置を示す。
料を熱転写するための典型的な配置を示す。
【図３】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図４】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図５】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図６】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図７】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図８】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図９】カラーフィルタ配列を製造する本発明による方
法の段階を示す。
法の段階を示す。
【図１０】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
方法の段階を示す。
方法の段階を示す。
【図１１】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図１２】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図１３】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図１４】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図１５】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図１６】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図１７】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
更に他の方法の段階を示す。
更に他の方法の段階を示す。
【図１８】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
更に他の方法の段階を示す。
更に他の方法の段階を示す。
【図１９】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
更に他の方法の段階を示す。
更に他の方法の段階を示す。
【図２０】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
更に他の方法の段階を示す。
更に他の方法の段階を示す。
【図２１】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
更に他の方法の段階を示す。
更に他の方法の段階を示す。
【図２２】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
更に他の方法の段階を示す。
更に他の方法の段階を示す。
【図２３】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
更に他の方法の段階を示す。
更に他の方法の段階を示す。
【図２４】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
更に他の方法の段階を示す。
更に他の方法の段階を示す。
【図２５】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
更に他の方法の段階を示す。
更に他の方法の段階を示す。
【図２６】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図２７】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図２８】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図２９】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図３０】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図３１】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図３２】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図３３】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
【図３４】カラーフィルタ配列を製造する本発明による
他の方法の段階を示す。
他の方法の段階を示す。
３１、３９、４１、５１、６１、３０１、４０１、５０
１、６０８、６０９ 領域 １００、２０２ 熱源 １０２、２００、２０１、３００、３０４、４００、５
００、５０９、６００基板 １０３ 路 １０４、１０５ マスク ２００、６０２ 第二の基板 ２０１ 第一の基板 ２０３ 放射熱 ２０４、５１１ 開口 ３０１、３０９、４０１、５０１、６０１ 画素 ３０２、４０５、５０２、５０５ 接着促進層 ３０３、５０３、５０４、５０６、５０７、６０５、６
１０ フォトレジスト層 ３０５、３０６、３０７、４０６、４０７、５０８、５
０９、６０３、６０４、６１１ 色素層 ３０８、３１０ 色素 ３１１、４０３、４０４、５１０、 フォトレジスト ５０５ 凹部 ５０７ 第二の選択された領域
１、６０８、６０９ 領域 １００、２０２ 熱源 １０２、２００、２０１、３００、３０４、４００、５
００、５０９、６００基板 １０３ 路 １０４、１０５ マスク ２００、６０２ 第二の基板 ２０１ 第一の基板 ２０３ 放射熱 ２０４、５１１ 開口 ３０１、３０９、４０１、５０１、６０１ 画素 ３０２、４０５、５０２、５０５ 接着促進層 ３０３、５０３、５０４、５０６、５０７、６０５、６
１０ フォトレジスト層 ３０５、３０６、３０７、４０６、４０７、５０８、５
０９、６０３、６０４、６１１ 色素層 ３０８、３１０ 色素 ３１１、４０３、４０４、５１０、 フォトレジスト ５０５ 凹部 ５０７ 第二の選択された領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ９７６３３７ (32)優先日 1997年11月21日 (33)優先権主張国 米国（ＵＳ）
Claims (4)
- 【請求項１】ａ） 第一の基板の選択された領域にわた
り開口を形成するために第一の基板上にフォトレジスト
層を堆積し、パターン化し； ｂ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する少
なくとも一つの熱転写色素層を設け、熱転写色素層が転
写可能な関係にあるが、第一の基板から離間して第二の
基板を位置決めし； ｃ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたレジストに離間した距離
を越えて同時に転写されるように充分加熱し； ｄ） パターン化されたフォトレジスト層及びオーバー
レイ色素層を選択された領域にわたり開口の位置に色素
材料を後に残すように除去する各段階からなる、第一の
基板上にカラーフィルタ配列を製造する方法。 - 【請求項２】ａ） 第一の基板の選択された領域にわた
り開口を形成するために第一の基板上にフォトレジスト
層を堆積し、パターン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いるパターン化されたフォトレジスト層の
開口を通してエッチングし； ｃ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する少
なくとも一つの熱転写色素層を設け、熱転写色素層が転
写可能な関係にあるが、第一の基板から離間して第二の
基板を位置決めし； ｄ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上のパターン化されたフォトレジストに離間し
た距離を越えて転写されるように充分加熱し； ｅ） パターン化されたフォトレジスト層及びオーバー
レイ色素層を第一の基板の選択された領域にわたり開口
の位置に熱転写可能な色素材料を後に残すように除去す
る各段階からなる、第一の基板上にカラーフィルタ配列
を製造する方法。 - 【請求項３】ａ） 第一の基板の選択された領域にわた
り複数の開口を形成するために第一の基板上に第一のフ
ォトレジスト層を堆積し、パターン化し； ｂ） 第一の基板の凹部のパターンを形成するためにマ
スクとして用いる第一のパターン化されたフォトレジス
ト層の開口を通してエッチングし； ｃ） 第一の基板の第二の選択された領域上のエッチン
グされた凹部にわたり開口を形成するために第一のフォ
トレジスト層上に第二のフォトレジストを配置し、パタ
ーン化し； ｄ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材料を有する少
なくとも一つの熱転写色素層を設け、熱転写色素層が転
写可能な関係にあるが、第一の基板から離間して第二の
基板を位置決めし； ｅ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板上の第二のパターン化されたフォトレジストに
離間した距離を越えて転写されるように充分加熱し； ｆ） パターン化されたフォトレジスト層及びオーバー
レイ色素層の両方を第二の選択された画素にわたり開口
の位置に色素材料を後に残すように除去する各段階から
なる、第一の基板上にカラーフィルタ配列を製造する方
法。 - 【請求項４】ａ） 第二の基板上に熱転写可能な色素材
料を有する少なくとも一つの熱転写色素層を設け、熱転
写色素層が転写可能な関係にあるが、第一の基板から離
間して第二の基板を位置決めし； ｂ） 第二の基板を実質的に全ての熱転写色素材料が第
一の基板に対して離間した距離を越えて転写されるよう
に充分加熱し； ｃ） 第一の基板の選択された領域にわたり配置された
フォトレジストに開口を形成するために第一の基板上の
熱転写可能な色素層上にフォトレジスト層を堆積し、パ
ターン化し； ｄ） 第一の基板の選択された領域にわたり熱転写可能
な色素の一部分を後に残すようにパターン化されたフォ
トレジストの開口を通して第一の基板上の熱転写可能な
色素層をエッチングする各段階からなる、第一の基板上
にカラーフィルタ配列を製造する方法。
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