JPH11266089A - 電子装置及び電子装置の放熱構造設計方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 吸熱フィンの吸熱と放熱フィンの放熱とのバ
ランスをとってケースが十分な放熱性能を発揮するよう
にして、ケース内部温度を電子部品の保証温度未満とす
る。 【解決手段】 本発明の電子装置は、吸熱フィン９の表
面積と放熱フィン１０の表面積との比Ａを変化させたと
きのケース２内部の温度を測定すると共に、これら測定
値に基づいて２元配置法により計算して、前記比Ａとケ
ース内部温度との関係を表わす第１の主効果曲線を求
め、そして、吸熱フィン９及び放熱フィン１０のフィン
間隔Ｂを変化させたときのケース内部の温度を測定する
と共に、これら測定値に基づいて２元配置法により計算
することにより、フィン間隔Ｂとケース内部温度との関
係を表わす第２の主効果曲線を求め、前記比Ａ及びフィ
ン間隔Ｂを、２つの主効果曲線に基づいてケース内部温
度が電子部品の保証温度未満となるような値に設定した
ものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、車両等に搭載する
のに好適する電子装置及び電子装置の放熱構造設計方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】車両等に搭載する電子装置（いわゆるＥ
ＣＵ）は、プリント配線基板に電子部品を実装すると共
に、このプリント配線基板を例えばアルミ製のケース内
に収容して構成されている。そして、電子装置の電子部
品の中には、かなり熱を発生する電子部品が含まれてい
るので、このような電子部品から発生する熱をケースの
外へ放熱する対策が施されている。

【０００３】この放熱対策を施した電子装置の一例とし
て、特開平６−３１０８８３号公報に記載された装置が
ある。この装置においては、ケースが保護カバーとヒー
トシンク部材とから構成され、ヒートシンク部材の内面
に格子状のリブ群が形成され、ヒートシンク部材の外面
に複数の突出フィンが形成され、更に、上記格子状のリ
ブ群の空洞にセラミック充填シリコンが充填されてい
る。この構成の場合、電子部品から発生する熱は、内部
の格子状のリブ群に吸熱されると共に、外部の突出フィ
ンから放熱されるように構成されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記従来構成において
は、内部の格子状のリブ群の吸熱性能と、外部の突出フ
ィンの放熱性能との関係について何ら開示がない。そし
て、この構成の場合、ヒートシンク部材の内部の格子状
のリブ群の形状と、ヒートシンク部材の外部の突出フィ
ンの形状とが全く異なるため、ヒートシンク部材の内部
の吸熱性能と、ヒートシンク部材の外部の放熱性能とが
アンバランスになっている可能性が高く、ケース内部で
発生する熱を外部へ良好に放熱できないおそれがある。
実際、上述した公報には、ケースの内部温度がどれくら
いに保持されるかについての具体的な記載が全くない。
このため、上記従来構成では、ケースの内部温度が、マ
イコン等の電子部品の保証温度を越えてしまうおそれが
ある。

【０００５】そこで、本発明の目的は、吸熱フィンによ
る吸熱と放熱フィンによる放熱のバランスをとることに
よりケースが十分な放熱性能を発揮するように構成し
て、ケースの内部温度を電子部品の保証温度未満とする
ことができる電子装置及び電子装置の放熱構造設計方法
を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明によれ
ば、吸熱フィンの表面積と放熱フィンの表面積との比Ａ
を変化させたときのケース内部の温度を測定すると共
に、これら測定値に基づいて２元配置法により計算する
ことにより、前記比Ａとケース内部温度との関係を表わ
す第１の主効果曲線を求め、そして、吸熱フィン及び放
熱フィンのフィン間隔Ｂを変化させたときのケース内部
の温度を測定すると共に、これら測定値に基づいて２元
配置法により計算することにより、前記フィン間隔Ｂと
ケース内部温度との関係を表わす第２の主効果曲線を求
め、前記比Ａ及び前記フィン間隔Ｂを、前記２つの主効
果曲線に基づいてケース内部温度が電子部品の保証温度
未満となるような値に設定した。これにより、吸熱フィ
ンによる吸熱と放熱フィンによる放熱のバランスが良く
なり、ケースが十分な放熱性能を発揮するようになると
共に、ケースの内部温度が電子部品の保証温度未満とな
る。

【０００７】請求項２の発明においては、具体的に、前
記比Ａを０．４〜１．０に設定すると共に、前記フィン
間隔Ｂを５〜１５ｍｍに設定するように構成した。この
構成の場合、ケースの内部温度が確実に電子部品の保証
温度（例えば１０５℃）未満となる。

【０００８】請求項３の発明においては、前記比Ａを、
前記第１の主効果曲線の極小点に対応する値とすると共
に、前記フィン間隔Ｂを、前記第２の主効果曲線の極小
点に対応する値に設定するように構成した。この構成に
よれば、吸熱フィン及び放熱フィンの構成が最適化され
るから、ケースの放熱性能が最も高くなる。

【０００９】請求項４の発明によれば、十分な放熱性能
を有する電子装置、即ち、ケースの内部温度が電子部品
の保証温度未満となるような構成の電子装置の放熱構造
を容易に設計することができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を例えば車両に搭載
する電子装置（ＥＣＵ）に適用した一実施例について、
図面を参照しながら説明する。まず、本実施例の電子装
置の全体構成を示す図１及び図２において、電子装置１
は、例えばアルミ製のケース２と、このケース２内に収
容されたプリント配線基板３とから構成されている。プ
リント配線基板３には、電子部品として例えばマイコン
４、トランジスタ５、５、コネクタ６及び図示しない各
種の回路素子が実装されている。尚、マイコン４及びト
ランジスタ５、５は、熱をかなり発生する電子部品であ
る。

【００１１】また、ケース２は、浅底の矩形容器状をな
すケース主部７と、このケース主部７の上面開口部を閉
塞する蓋８とから構成されている。上記ケース主部７の
内底部には、上記プリント配線基板３が例えばねじ止め
により取り付けられている。尚、トランジスタ５のパッ
ケージは、ケース主部７の内底部に直接接触するように
ねじ止めされている。

【００１２】上記蓋８には、その内面（下面）に複数の
吸熱フィン９が突設されていると共に、外面（上面）に
複数の放熱フィン１０が突設されている。各吸熱フィン
９は、細長のほぼ板状をなす部材から構成されていると
共に、断面形状が２等辺三角形となっている。そして、
各吸熱フィン９は、ほぼ等間隔且つほぼ平行になるよう
に配設されている。また、各放熱フィン１０の形状は、
上記吸熱フィン９の形状と高さが異なるだけでほぼ同じ
形状であると共に、ほぼ等間隔且つほぼ平行になるよう
に配設され、更に、上記各吸熱フィン９の配置位置と対
応するように配置されている。

【００１３】ここで、図１に示す吸熱フィン９の高さ寸
法Ｈ１と放熱フィン１０の高さ寸法Ｈ２と比Ａ（Ａ＝Ｈ
１／Ｈ２）は、後述するような値に設定されている。そ
して、本実施例の場合、上記比Ａは、吸熱フィン９の表
面積と放熱フィン１０の表面積との比Ａに等しい（とい
うのは、両フィン９、１０の底辺部の長さを一致させて
いるためである）。また、吸熱フィン９のフィン間隔Ｂ
及び放熱フィン１０のフィン間隔Ｂは、等しく設定され
ていると共に、後述するような値に設定されている。

【００１４】次に、上記比Ａと上記フィン間隔Ｂの設定
方法について、図３も参照して説明する。その前に、吸
熱フィン９の吸熱作用及び放熱フィン１０の放熱作用に
ついて簡単に述べる。

【００１５】まず、吸熱フィン９の吸熱は、ニュートン
の冷却の法則、Ｑ＝α・Ａ・ΔＴで表される。ここで、
Ｑは熱量、αは熱伝導率（自然対流中の空気の場合、２
〜６ｋｃａｌ／ｍ^２・ｈ・℃である）、Ａは高温空気と
固体（吸熱フィン９）の接触面積［ｍ^２］、ΔＴは高温
空気と固体（吸熱フィン９）の温度差である。即ち、吸
熱量は、吸熱フィン９の表面積に比例することがわか
る。

【００１６】また、放熱フィン１０の放熱は、Ｑ＝ε・
σ・Ｓ・（Ｔａｂ）^４で表される。ここで、εは放射
率、σはステファンボルツマン定数、Ｓは表面積（放熱
フィン１０の表面積）、Ｔａｂは物体の絶対温度［Ｋ］
である。即ち、放熱量は、放熱フィン１０の表面積Ｓに
比例することがわかる。

【００１７】従って、吸熱フィン９の表面積及び放熱フ
ィン１０の表面積を大きくすればするほど、放熱作用が
強くなることがわかる。しかし、電子装置１の製品とし
ての大きさに制約があるため、それほど大きくすること
ができない。そこで、本発明者らは、限られた大きさで
放熱作用が十分または最も強くなるように、吸熱フィン
９の表面積及び放熱フィン１０の表面積を設定すること
を試みたのである。この場合、何らかの計算式で明確に
上記表面積を求める方法は現在存在しないので、本発明
者らは、実験計画法の２元配置法を用いて、放熱効率が
最大となるような吸熱フィン９及び放熱フィン１０の表
面積、具体的には、吸熱フィン９の表面積と放熱フィン
１０の表面積との比Ａと、吸熱フィン９及び放熱フィン
１０のフィン間隔Ｂを求めた。以下、この求め方につい
て説明する。

【００１８】まず、下記の表１の水準表を作成した。こ
の水準表において、フィン比率Ａは上記比Ａと同じもの
であり、本実施例（本実験）では、このフィン比率Ａの
値として５個の値（５つの水準）を用意した。そして、
フィン間隔Ｂの値として４個の値（４つの水準）を用意
した。

【００１９】

【表１】 次に、上記５個のフィン比率Ａと上記４個のフィン間隔
Ｂとを適宜組み合わせた吸熱フィン９及び放熱フィン１
０（即ち、ケース２）を作成し、このケース２内にプリ
ント配線基板３を収容して電子装置１を構成する。この
場合、２０個の電子装置１を作成する。そして、これら
２０個の電子装置１について、通電運転を実行すると共
に、ケース２の内部温度を測定する実験を行う。これに
より、下記の表２に示す実験結果が得られた。

【００２０】

【表２】 続いて、上記表１及び上記表２のデータに基づいて、実
験計画法の２元配置法により、まず、下記の表３に示す
分散分析表を作成する。

【００２１】

【表３】 ここで、ｆは自由度、Ｓは変動、Ｖは分散、Ｆ0 は分散
比、Ｓ´は純変動、ρは寄与率、ｅは誤差、Ｔはトータ
ルである。

【００２２】まず、自由度ｆＡ、ｆＢ、ｆｅ、ｆＴを、
下記の式で計算して求める。

【００２３】 ｆＡ＝５−１＝４ 尚、５はフィン比Ａの水準（個数） ｆＢ＝４−１＝３ 尚、４はフィン間隔Ｂの水準（個数） ｆｅ＝ｆＴ−ｆＡ−ｆＢ＝１９−４−３＝１２ ｆＴ＝２０−１＝１９ 尚、２０は組合せ全水準 次に、変動ＳＡ、ＳＢ、Ｓｅ、ＳＴを求める。この場
合、実験により得られた２０個のデータ（ケース内部温
度）を下記の表４で示すように加工する。この表４にお
いて、データＤnmは、フィン比率Ａの水準がｎであると
共に、フィン間隔Ｂの水準がｍである電子装置１で得ら
れたデータを示している。そして、データＤａは、２０
個のデータの平均値を示している。

【００２４】

【表４】 また、上記表４に示すＳＡ１〜ＳＡ５、ＳＢ１〜ＳＢ
４、ＳＴＡＢは下記の式で計算される加工データであ
る。

【００２５】 ＳＡ１＝（Ｄ11−Ｄａ）＋（Ｄ12−Ｄａ）＋（Ｄ13−Ｄａ）＋（Ｄ14−Ｄａ） ・ ・ ＳＡ５＝（Ｄ51−Ｄａ）＋（Ｄ52−Ｄａ）＋（Ｄ53−Ｄａ）＋（Ｄ54−Ｄａ） ＳＢ１＝（Ｄ11−Ｄａ）＋（Ｄ21−Ｄａ）＋（Ｄ31−Ｄａ）＋（Ｄ41−Ｄａ） ＋（Ｄ51−Ｄａ） ・ ・ ＳＢ４＝（Ｄ14−Ｄａ）＋（Ｄ24−Ｄａ）＋（Ｄ34−Ｄａ）＋（Ｄ44−Ｄａ） ＋（Ｄ54−Ｄａ） ＳＴＡＢ＝ＳＡ１＋ＳＡ２＋ＳＡ３＋ＳＡ４＋ＳＡ５ ＝ＡＢ１＋ＳＢ２＋ＳＢ３＋ＳＢ４ そして、修正項ＣＦを次の式で定義する。

【００２６】 ＣＦ＝（ＳＴＡＢ）^２／２０ 尚、２０は実験データ数 これによって、変動ＳＡ、ＳＢ、Ｓｅ、ＳＴは、次の通
り計算することができる。

【００２７】 ＳＴ＝（Ｄ11−Ｄａ）^２＋（Ｄ12−Ｄａ）^２＋（Ｄ13−Ｄａ）^２ ＋（Ｄ14−Ｄａ）^２＋……………＋（Ｄ51−Ｄａ）^２ ＋（Ｄ52−Ｄａ）^２＋（Ｄ53−Ｄａ）^２＋（Ｄ54−Ｄａ）^２−ＣＦ ＝５３．２ ＳＡ＝（ＳＡ１^２＋ＳＡ２^２＋ＳＡ３^２＋ＳＡ４^２＋ＳＡ５４^２）／４−ＣＦ ＝３１．８ ＳＢ＝（ＳＢ１^２＋ＳＢ２^２＋ＳＢ３^２＋ＳＢ４^２）／５−ＣＦ ＝１７．６ Ｓｅ＝ＳＴ−ＳＡ−ＳＢ ＝３．８ 続いて、分散ＶＡ、ＶＢ、Ｖｅを次の通り計算する。

【００２８】 ＶＡ＝ＳＡ／ｆＡ＝３１．８／４＝７．９５ ＶＢ＝ＳＢ／ｆＢ＝１７．６／３＝５．８７ Ｖｅ＝Ｓｅ／ｆｅ＝３．８／１２＝０．３２ 更に、分散比Ｆ0 を次の通り計算する。

【００２９】 Ｆ0A＝ＶＡ／Ｖｅ＝７．９５／０．３２＝２４．８ Ｆ0B＝ＶＢ／Ｖｅ＝５．８７／０．３２＝１８．３ また、Ｆ表で下記の通り求める。

【００３０】

【数１】 次に、純変動ＳＡ´、ＳＢ´、Ｓｅ´を下記の式で計算
する。

【００３１】 ＳＡ´＝ＳＡ−ｆＡ×Ｖｅ＝３１．８−４×０．３２＝３０．５ ＳＢ´＝ＳＢ−ｆＢ×Ｖｅ＝１７．６−３×０．３２＝１６．７ Ｓｅ´＝ＳＴ−ＳＡ´−ＳＢ´＝５３．２−３０．５−１６．７＝６．０ また、寄与率ρＡ、ρＢ、ρｅを下記の式で計算する。

【００３２】 ρＡ＝（ＳＡ´／ＳＴ）×１００＝５７．４％ ρＢ＝（ＳＢ´／ＳＴ）×１００＝３１．３％ ρｅ＝１００−ρＡ−ρＢ＝１１．３％ そして、このようにして求めた各計算値から前記分散分
析表（表３）を作成することができる。

【００３３】次に、図３（ａ）及び（ｂ）に示す２つの
主効果曲線を描く方法について説明する。ここで、図３
（ａ）に示す主効果曲線Ｐは、フィン比率Ａとケース内
部温度との関係を表わす第１の主効果曲線である。図３
（ｂ）に示す主効果曲線Ｑは、フィン間隔Ｂとケース内
部温度との関係を表わす第２の主効果曲線である。この
場合、まず、前記表４に示すＡ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、
Ａ５の各平均値Ａ１ａ、Ａ２ａ、Ａ３ａ、Ａ４ａ、Ａ５
ａを次の式で計算して求める。

【００３４】Ａ１ａ＝Ｄａ＋ＳＡ１／４ Ａ２ａ＝Ｄａ＋ＳＡ２／４ Ａ３ａ＝Ｄａ＋ＳＡ３／４ Ａ４ａ＝Ｄａ＋ＳＡ４／４ Ａ５ａ＝Ｄａ＋ＳＡ５／４また、表４に示すＢ１、Ｂ
２、Ｂ３、Ｂ４の各平均値Ｂ１ａ、Ｂ２ａ、Ｂ３ａ 、Ｂ４ａを次の式で計算して求める。

【００３５】Ｂ１ａ＝Ｄａ＋ＳＢ１／５ Ｂ２ａ＝Ｄａ＋ＳＢ２／５ Ｂ３ａ＝Ｄａ＋ＳＢ３／５ Ｂ４ａ＝Ｄａ＋ＳＢ４／５ 更に、信頼限度は下記の通り定義されると共に、フィン
比率Ａ及びフィン間隔Ｂの各信頼限度は下記の通り計算
される。

【００３６】

【数２】 そして、上記したように計算された各値をプロットする
と、図３（ａ）及び（ｂ）に示す２つの主効果曲線Ｐ、
Ｑを得ることができる。本実施例におけるここまでの作
業が、本発明の第１の工程及び第２の工程に相当してい
る。

【００３７】続いて、上記図３（ａ）及び（ｂ）に示す
２つの主効果曲線Ｐ及びＱから、フィン間隔Ｂを５〜１
５ｍｍに設定した場合に、フィン比率Ａ（吸熱フィン９
の表面積と放熱フィン１０の表面積との比Ａ）を０．４
〜１．０に設定すると、ケース２の内部温度が確実に電
子部品の保証温度（例えば１０５℃）未満となることが
わかる。即ち、フィン比率Ａ＝０．４〜１．０が最適フ
ィン比率である。そして、このようにフィン比率Ａ及び
フィン間隔Ｂの各値を設定する作業が、本発明の第３の
工程に相当している。尚、図３（ａ）及び（ｂ）におい
て、ａは効果差である。

【００３８】更に、上記図３（ａ）に示す第１の主効果
曲線Ｐの極小点は、フィン比率Ａの最適点となり、本実
施例の場合、ほぼ０．５である。即ち、フィン比率Ａを
０．５に設定すると、ケース２（吸熱フィン９及び放熱
フィン１０）の放熱性能が最も強くなるのである。ま
た、図３（ｂ）に示す第２の主効果曲線Ｑの極小点は、
フィン間隔Ｂの最適点となり、本実施例の場合、ほぼ１
０ｍｍである。即ち、フィン間隔Ｂを１０ｍｍに設定す
ると、ケース２の放熱性能が最も強くなるのである。

【００３９】このような構成の本実施例においては、吸
熱フィン９の表面積と放熱フィン１０の表面積との比Ａ
を変化させたときのケース２内部の温度を測定すると共
に、これら測定値に基づいて２元配置法により計算する
ことにより、比Ａとケース内部温度との関係を表わす第
１の主効果曲線Ｐを求めた。また、吸熱フィン９及び放
熱フィン１０のフィン間隔Ｂを変化させたときのケース
２内部の温度を測定すると共に、これら測定値に基づい
て２元配置法により計算することにより、フィン間隔Ｂ
とケース内部温度との関係を表わす第２の主効果曲線Ｑ
を求めた。そして、上記比Ａ及び上記フィン間隔Ｂを、
２つの主効果曲線Ｐ、Ｑに基づいてケース内部温度が電
子部品の保証温度未満となるような値に設定するように
構成した。この構成によれば、吸熱フィン９による吸熱
と放熱フィン１０による放熱のバランスが良くなるか
ら、ケース２が十分な放熱性能を発揮するようになると
共に、ケース２の内部温度をマイコン４等の電子部品
（保証温度が低い電子部品）の保証温度未満とすること
ができる。

【００４０】また、上記実施例では、上記比Ａを０．４
〜１．０に設定すると共に、上記フィン間隔Ｂを５〜１
５ｍｍに設定するように構成したので、ケース２の内部
温度を確実に電子部品の保証温度（例えば１０５℃）未
満とすることができる。特に、上記実施例においては、
前記比Ａを、第１の主効果曲線Ｐの極小点に対応する値
（例えば０．５）とすると共に、前記フィン間隔Ｂを、
第２の主効果曲線Ｑの極小点に対応する値（例えば１
０）に設定するように構成した。この構成によれば、吸
熱フィン９及び放熱フィン１０の具体的形状を最適化で
きるから、ケース２の放熱性能を最も高くすることがで
きる。

【００４１】尚、上記実施例では、ケース２の蓋８の内
面及び外面に吸熱フィン９及び放熱フィン１０を設けた
が、これに限られるものではなく、ケース主部の内面及
び外面に吸熱フィン及び放熱フィンを設けても良いし、
また、ケース主部及び蓋の双方の内面及び外面に吸熱フ
ィン及び放熱フィンを設けても良い。また、上記実施例
では、吸熱フィン９及び放熱フィン１０の断面形状を２
等辺三角形状としたが、これに代えて、細長い矩形状
（即ち、フィンの形状としては薄板状）としても良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例を示す電子装置の縦断側面図

【図２】電子装置の分解斜視図

【図３】（ａ）は比Ａとケース内部温度との関係を示す
特性図、（ｂ）はフィン間隔Ｂとケース内部温度との関
係を示す特性図

【符号の説明】

１は電子装置、２はケース、３はプリント配線基板、４
はマイコン（電子部品）、５はトランジスタ（電子部
品）、８は蓋、９は吸熱フィン、１０は放熱フィンを示
す。

フロントページの続き (72)発明者 松▲崎▼ 春樹 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電子部品を収納するケースと、 このケースの内面に突設された複数の吸熱フィンと、 前記ケースの外面に突設された複数の放熱フィンとを備
   え、 前記吸熱フィンの表面積と前記放熱フィンの表面積との
   比Ａを変化させたときのケース内部の温度を測定すると
   共に、これら測定値に基づいて２元配置法により計算す
   ることにより、前記比Ａとケース内部温度との関係を表
   わす第１の主効果曲線を求め、そして、前記吸熱フィン
   及び前記放熱フィンのフィン間隔Ｂを変化させたときの
   ケース内部の温度を測定すると共に、これら測定値に基
   づいて２元配置法により計算することにより、前記フィ
   ン間隔Ｂとケース内部温度との関係を表わす第２の主効
   果曲線を求め、前記比Ａ及び前記フィン間隔Ｂを、前記
   ２つの主効果曲線に基づいて前記ケース内部温度が前記
   電子部品の保証温度未満となるような値に設定するよう
   に構成したことを特徴とする電子装置。
2. 【請求項２】 前記比Ａを０．４〜１．０に設定すると
   共に、 前記フィン間隔Ｂを５〜１５ｍｍに設定するように構成
   したことを特徴とする請求項１記載の電子装置。
3. 【請求項３】 前記比Ａを、前記第１の主効果曲線の極
   小点に対応する値とすると共に、 前記フィン間隔Ｂを、前記第２の主効果曲線の極小点に
   対応する値に設定するように構成したことを特徴とする
   請求項１記載の電子装置。
4. 【請求項４】 電子部品を収納するケースと、このケー
   スの内面に突設された複数の吸熱フィンと、前記ケース
   の外面に突設された複数の放熱フィンとを備えて成る電
   子装置の放熱構造設計方法において、 前記吸熱フィンの表面積と前記放熱フィンの表面積との
   比Ａを変化させたときのケース内部の温度を測定すると
   共に、これら測定値に基づいて２元配置法により計算す
   ることにより、前記比Ａとケース内部温度との関係を表
   わす第１の主効果曲線を求める第１の工程と、 前記吸熱フィン及び前記放熱フィンのフィン間隔Ｂを変
   化させたときのケース内部の温度を測定すると共に、こ
   れら測定値に基づいて２元配置法により計算することに
   より、前記フィン間隔Ｂとケース内部温度との関係を表
   わす第２の主効果曲線を求める第２の工程と、 前記比Ａ及び前記フィン間隔Ｂを、前記２つの主効果曲
   線に基づいて前記ケース内部温度が前記電子部品の保証
   温度未満となるような値に設定する第３の工程とを備え
   たことを特徴とする電子装置の放熱構造設計方法。