JPH11265885A - プラズマ成膜方法 - Google Patents
プラズマ成膜方法Info
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- JPH11265885A JPH11265885A JP10347857A JP34785798A JPH11265885A JP H11265885 A JPH11265885 A JP H11265885A JP 10347857 A JP10347857 A JP 10347857A JP 34785798 A JP34785798 A JP 34785798A JP H11265885 A JPH11265885 A JP H11265885A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＦ膜を半導体デバイスの層間絶縁膜として
用いようとすると、タングステンの配線を形成するとき
に例えば４００℃〜４５０℃付近にまでＣＦ膜が加熱さ
れ、このときにＦ系のガスがＣＦ膜から抜け、配線の腐
食や膜減りに伴う種々の不都合が生じるので、これを抑
えるために熱安定性を高めること。 【解決手段】 ＣとＦの化合物ガス例えばＣ4 Ｆ8 ガス
と、炭化水素ガス例えばＣ2 Ｈ4 ガスと、ＣＯガスを成
膜ガスとして用い、これらガスをプラズマ化してプロセ
ス温度４００℃の下でその活性種により半導体ウエハ１
０上にＣＦ膜を成膜する。ＣＯガスの添加により、グラ
ファイト的結合よりもダイヤモンド的結合が多くなるの
で、結合が強固となり、高温下でも結合が切れにくくな
って、熱安定性が向上する。
用いようとすると、タングステンの配線を形成するとき
に例えば４００℃〜４５０℃付近にまでＣＦ膜が加熱さ
れ、このときにＦ系のガスがＣＦ膜から抜け、配線の腐
食や膜減りに伴う種々の不都合が生じるので、これを抑
えるために熱安定性を高めること。 【解決手段】 ＣとＦの化合物ガス例えばＣ4 Ｆ8 ガス
と、炭化水素ガス例えばＣ2 Ｈ4 ガスと、ＣＯガスを成
膜ガスとして用い、これらガスをプラズマ化してプロセ
ス温度４００℃の下でその活性種により半導体ウエハ１
０上にＣＦ膜を成膜する。ＣＯガスの添加により、グラ
ファイト的結合よりもダイヤモンド的結合が多くなるの
で、結合が強固となり、高温下でも結合が切れにくくな
って、熱安定性が向上する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば半導体デバイ
スの層間絶縁膜に用いることのできるフッ素添加カーボ
ン膜をプラズマ処理により成膜する方法に関する。
スの層間絶縁膜に用いることのできるフッ素添加カーボ
ン膜をプラズマ処理により成膜する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化を図るため
に、パターンの微細化、回路の多層化といった工夫が進
められており、そのうちの一つとして配線を多層化する
技術がある。多層配線構造をとるためには、ｎ層目の配
線層と（ｎ＋１）番目の配線層の間を導電層で接続する
と共に、導電層以外の領域は層間絶縁膜と呼ばれる薄膜
が形成される。
に、パターンの微細化、回路の多層化といった工夫が進
められており、そのうちの一つとして配線を多層化する
技術がある。多層配線構造をとるためには、ｎ層目の配
線層と（ｎ＋１）番目の配線層の間を導電層で接続する
と共に、導電層以外の領域は層間絶縁膜と呼ばれる薄膜
が形成される。
【０００３】この層間絶縁膜の代表的なものとしてＳｉ
Ｏ2 膜があるが、近年デバイスの動作についてより一層
の高速化を図るために層間絶縁膜の比誘電率を低くする
ことが要求されており、層間絶縁膜の材質についての検
討がなされている。即ちＳｉＯ2 は比誘電率がおよそ４
であり、これよりも小さい材質の発掘に力が注がれてい
る。そのうちの一つとして比誘電率が３．５であるＳｉ
ＯＦの実現化が進められているが、本発明者は比誘電率
が更に小さいフッ素添加カーボン膜（以下「ＣＦ膜」と
いう）に注目している。
Ｏ2 膜があるが、近年デバイスの動作についてより一層
の高速化を図るために層間絶縁膜の比誘電率を低くする
ことが要求されており、層間絶縁膜の材質についての検
討がなされている。即ちＳｉＯ2 は比誘電率がおよそ４
であり、これよりも小さい材質の発掘に力が注がれてい
る。そのうちの一つとして比誘電率が３．５であるＳｉ
ＯＦの実現化が進められているが、本発明者は比誘電率
が更に小さいフッ素添加カーボン膜（以下「ＣＦ膜」と
いう）に注目している。
【０００４】そこで本発明者は、電子サイクロトロン共
鳴によりプラズマを発生させるプラズマ装置を用い、例
えば炭素（Ｃ）及びフッ素（Ｆ）の化合物ガスと炭化水
素ガスとを含むガスを成膜ガスとし、種々のプロセス条
件を詰めて、密着性及び硬度の大きいＣＦ膜の製造の実
現化を図った。
鳴によりプラズマを発生させるプラズマ装置を用い、例
えば炭素（Ｃ）及びフッ素（Ｆ）の化合物ガスと炭化水
素ガスとを含むガスを成膜ガスとし、種々のプロセス条
件を詰めて、密着性及び硬度の大きいＣＦ膜の製造の実
現化を図った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらＣＦ膜に
はまだ以下のような課題がある。図２１はウエハに形成
された回路部分の一部であり、１１、１２はＣＦ膜、１
３、１４はＷ（タングステン）よりなる導電層、１５は
Ａｌ（アルミニウム）よりなる導電層、１６は、Ｐ、Ｂ
をドープしたＳｉＯ2 膜、１７はｎ形半導体領域であ
る。ところでＷ層１３を形成するときのプロセス温度は
４００〜４５０℃であり、このときＣＦ膜１１、１２は
そのプロセス温度まで加熱される。しかしながらＣＦ膜
は、このような高温に加熱されると一部のＣ−Ｆ結合が
切れて、主としてＦ系ガスが脱離してしまう。このＦ系
ガスとしてはＦ、ＣＦ、ＣＦ2 などが挙げられる。
はまだ以下のような課題がある。図２１はウエハに形成
された回路部分の一部であり、１１、１２はＣＦ膜、１
３、１４はＷ（タングステン）よりなる導電層、１５は
Ａｌ（アルミニウム）よりなる導電層、１６は、Ｐ、Ｂ
をドープしたＳｉＯ2 膜、１７はｎ形半導体領域であ
る。ところでＷ層１３を形成するときのプロセス温度は
４００〜４５０℃であり、このときＣＦ膜１１、１２は
そのプロセス温度まで加熱される。しかしながらＣＦ膜
は、このような高温に加熱されると一部のＣ−Ｆ結合が
切れて、主としてＦ系ガスが脱離してしまう。このＦ系
ガスとしてはＦ、ＣＦ、ＣＦ2 などが挙げられる。
【０００６】このようにＦ系ガスが脱離すると、次のよ
うな問題が起こる。 ａ）アルミニウムやタングステンなどの金属配線が腐食
する。 ｂ）絶縁膜はアルミニウム配線を押え込んでアルミニウ
ムのうねりを防止する機能をも有しているが、脱ガスに
より絶縁膜による押え込みが弱まり、この結果アルミニ
ウム配線がうねり、エレクトロマイグレーションと呼ば
れる電気的欠陥が発生しやすくなってしまう。 ｃ）絶縁膜にクラックが入り、配線間の絶縁性が悪くな
るし、またその程度が大きいと次段の配線層を形成する
ことができなくなる。 ｄ）Ｆの抜けが多いと比誘電率が上がる。
うな問題が起こる。 ａ）アルミニウムやタングステンなどの金属配線が腐食
する。 ｂ）絶縁膜はアルミニウム配線を押え込んでアルミニウ
ムのうねりを防止する機能をも有しているが、脱ガスに
より絶縁膜による押え込みが弱まり、この結果アルミニ
ウム配線がうねり、エレクトロマイグレーションと呼ば
れる電気的欠陥が発生しやすくなってしまう。 ｃ）絶縁膜にクラックが入り、配線間の絶縁性が悪くな
るし、またその程度が大きいと次段の配線層を形成する
ことができなくなる。 ｄ）Ｆの抜けが多いと比誘電率が上がる。
【０００７】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は、強固な結合を有し、熱安定性
の高いＣＦ膜よりなる絶縁膜、例えば半導体デバイスの
層間絶縁膜を形成することのできる方法を提供すること
にある。
ものであり、その目的は、強固な結合を有し、熱安定性
の高いＣＦ膜よりなる絶縁膜、例えば半導体デバイスの
層間絶縁膜を形成することのできる方法を提供すること
にある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ成膜方
法は、炭素とフッ素との化合物ガスと、酸素を含むガス
例えば一酸化炭素ガスと、を含む成膜ガスをプラズマ化
し、そのプラズマにより被処理基板上にフッ素添加カ−
ボン膜を成膜することを特徴とする。ここで酸素を含む
ガスとしては、酸素ガスや二酸化炭素ガス、水蒸気や過
酸化水素ガスなどを用いてもよい。この際成膜ガスのプ
ラズマ化は、例えばマイクロ波と磁界との相互作用を利
用して行われる。
法は、炭素とフッ素との化合物ガスと、酸素を含むガス
例えば一酸化炭素ガスと、を含む成膜ガスをプラズマ化
し、そのプラズマにより被処理基板上にフッ素添加カ−
ボン膜を成膜することを特徴とする。ここで酸素を含む
ガスとしては、酸素ガスや二酸化炭素ガス、水蒸気や過
酸化水素ガスなどを用いてもよい。この際成膜ガスのプ
ラズマ化は、例えばマイクロ波と磁界との相互作用を利
用して行われる。
【０００９】
【発明の実施の形態】先ず本発明の実施の形態に用いら
れるプラズマ処理装置の一例を図１に示す。この装置は
例えばアルミニウム等により形成された真空容器２を有
しており、この真空容器２は上方に位置してプラズマを
発生させる筒状の第１の真空室２１と、この下方に連通
させて連結され、第１の真空室２１よりは口径の大きい
筒状の第２の真空室２２とからなる。なおこの真空容器
２は接地されてゼロ電位になっている。
れるプラズマ処理装置の一例を図１に示す。この装置は
例えばアルミニウム等により形成された真空容器２を有
しており、この真空容器２は上方に位置してプラズマを
発生させる筒状の第１の真空室２１と、この下方に連通
させて連結され、第１の真空室２１よりは口径の大きい
筒状の第２の真空室２２とからなる。なおこの真空容器
２は接地されてゼロ電位になっている。
【００１０】この真空容器２の上端は、開口されてこの
部分にマイクロ波を透過する部材例えば石英等の材料で
形成された透過窓２３が気密に設けられており、真空容
器２内の真空状態を維持するようになっている。この透
過窓２３の外側には、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ
波を発生する高周波電源部２４に接続された導波管２５
が設けられており、高周波電源部２４にて発生したマイ
クロ波を例えばＴＥモードにより導波管２５で案内して
透過窓２３から第１の真空室２１内へ導入し得るように
なっている。
部分にマイクロ波を透過する部材例えば石英等の材料で
形成された透過窓２３が気密に設けられており、真空容
器２内の真空状態を維持するようになっている。この透
過窓２３の外側には、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ
波を発生する高周波電源部２４に接続された導波管２５
が設けられており、高周波電源部２４にて発生したマイ
クロ波を例えばＴＥモードにより導波管２５で案内して
透過窓２３から第１の真空室２１内へ導入し得るように
なっている。
【００１１】第１の真空室２１を区画する側壁には例え
ばその周方向に沿って均等に配置したガスノズル３１が
設けられると共に、このガスノズル３１には図示しない
プラズマ生成用ガス源例えばＡｒガス源が接続されてお
り、第１の真空室２１内の上部にＡｒガスをムラなく均
等に供給し得るようになっている。
ばその周方向に沿って均等に配置したガスノズル３１が
設けられると共に、このガスノズル３１には図示しない
プラズマ生成用ガス源例えばＡｒガス源が接続されてお
り、第１の真空室２１内の上部にＡｒガスをムラなく均
等に供給し得るようになっている。
【００１２】前記第２の真空室２２内には、前記第１の
真空室２１と対向するように半導体ウエハ（以下「ウエ
ハ」という）１０の載置台４が設けられている。この載
置台４は表面部に静電チャック４１を備えており、この
静電チャック４１の電極には、ウエハを吸着する直流電
源（図示せず）の他、ウエハにイオンを引き込むための
バイアス電圧を印加するように高周波電源部４２が接続
されている。
真空室２１と対向するように半導体ウエハ（以下「ウエ
ハ」という）１０の載置台４が設けられている。この載
置台４は表面部に静電チャック４１を備えており、この
静電チャック４１の電極には、ウエハを吸着する直流電
源（図示せず）の他、ウエハにイオンを引き込むための
バイアス電圧を印加するように高周波電源部４２が接続
されている。
【００１３】一方前記第２の真空室２２の上部即ち第１
の真空室２１と連通している部分にはリング状の成膜ガ
ス供給部５が設けられており、この成膜ガス供給部５
は、例えばガス供給管５１〜５３から例えば３種類の成
膜ガスが供給され、その混合ガスを内周面のガス穴５４
から真空容器２内に供給するように構成されている。
の真空室２１と連通している部分にはリング状の成膜ガ
ス供給部５が設けられており、この成膜ガス供給部５
は、例えばガス供給管５１〜５３から例えば３種類の成
膜ガスが供給され、その混合ガスを内周面のガス穴５４
から真空容器２内に供給するように構成されている。
【００１４】前記第１の真空室２１を区画する側壁の外
周には、これに接近させて磁場形成手段として例えばリ
ング状の主電磁コイル２６が配置されると共に、第２の
真空室２２の下方側にはリング状の補助電磁コイル２７
が配置されている。また第２の真空室２２の底部には例
えば真空室２２の中心軸に対称な２個所の位置に各々排
気管２８が接続されている。
周には、これに接近させて磁場形成手段として例えばリ
ング状の主電磁コイル２６が配置されると共に、第２の
真空室２２の下方側にはリング状の補助電磁コイル２７
が配置されている。また第２の真空室２２の底部には例
えば真空室２２の中心軸に対称な２個所の位置に各々排
気管２８が接続されている。
【００１５】次に上述の装置を用いて被処理基板である
ウエハ１０上にＣＦ膜よりなる層間絶縁膜を形成する方
法について説明する。先ず真空容器２の側壁に設けた図
示しないゲートバルブを開いて図示しない搬送アームに
より、例えば表面にアルミニウム配線が形成されたウエ
ハ１０を図示しないロードロック室から搬入して載置台
４上に載置し、静電チャック４１によりウエハ１０を静
電吸着する。
ウエハ１０上にＣＦ膜よりなる層間絶縁膜を形成する方
法について説明する。先ず真空容器２の側壁に設けた図
示しないゲートバルブを開いて図示しない搬送アームに
より、例えば表面にアルミニウム配線が形成されたウエ
ハ１０を図示しないロードロック室から搬入して載置台
４上に載置し、静電チャック４１によりウエハ１０を静
電吸着する。
【００１６】続いてゲートバルブを閉じて内部を密閉し
た後、排気管２８より内部雰囲気を排気して所定の真空
度まで真空引きし、ガスノズル３１から第１の真空室２
１内へＡｒガスを所定の流量で導入すると共に、成膜ガ
ス供給部５から第２の真空室２２内へ成膜ガスを所定の
流量で導入する。
た後、排気管２８より内部雰囲気を排気して所定の真空
度まで真空引きし、ガスノズル３１から第１の真空室２
１内へＡｒガスを所定の流量で導入すると共に、成膜ガ
ス供給部５から第２の真空室２２内へ成膜ガスを所定の
流量で導入する。
【００１７】ここで本実施の形態では成膜ガスに特徴が
あり、この成膜ガスとしては、ＣとＦの化合物ガス（以
下「ＣＦ系ガス」という）例えばＣ4 Ｆ8 ガスと、炭化
水素ガス例えばＣ2 Ｈ4 ガス、及び一酸化炭素（ＣＯ）
ガスが用いられ、これらのガスは夫々ガス導入管５１〜
５３から成膜ガス供給部５内を通じて真空容器２内に供
給される。そして真空容器２内を所定のプロセス圧に維
持し、かつ高周波電源部４２により載置台４に１３．５
６ＭＨｚ、１５００Ｗのバイアス電圧を印加すると共
に、載置台４の表面温度をおよそ４００℃に設定する。
あり、この成膜ガスとしては、ＣとＦの化合物ガス（以
下「ＣＦ系ガス」という）例えばＣ4 Ｆ8 ガスと、炭化
水素ガス例えばＣ2 Ｈ4 ガス、及び一酸化炭素（ＣＯ）
ガスが用いられ、これらのガスは夫々ガス導入管５１〜
５３から成膜ガス供給部５内を通じて真空容器２内に供
給される。そして真空容器２内を所定のプロセス圧に維
持し、かつ高周波電源部４２により載置台４に１３．５
６ＭＨｚ、１５００Ｗのバイアス電圧を印加すると共
に、載置台４の表面温度をおよそ４００℃に設定する。
【００１８】一方高周波電源部２４からの２．４５ＧＨ
ｚ、２７００Ｗの高周波（マイクロ波）は、導波管２５
を通って真空容器２の天井部に至り、ここの透過窓２３
を透過して第１の真空室２１内へ導入される。また真空
容器２内には主電磁コイル２６及び補助電磁コイル２７
により第１の真空室２１の上部から第２の真空室２２の
下部に向かう磁場が形成され、例えば第１の真空室２１
の下部付近にて磁場の強さが８７５ガウスとなる。こう
して磁場とマイクロ波との相互作用により電子サイクロ
トロン共鳴が生じ、この共鳴によりＡｒガスがプラズマ
化され、且つ高密度化される。
ｚ、２７００Ｗの高周波（マイクロ波）は、導波管２５
を通って真空容器２の天井部に至り、ここの透過窓２３
を透過して第１の真空室２１内へ導入される。また真空
容器２内には主電磁コイル２６及び補助電磁コイル２７
により第１の真空室２１の上部から第２の真空室２２の
下部に向かう磁場が形成され、例えば第１の真空室２１
の下部付近にて磁場の強さが８７５ガウスとなる。こう
して磁場とマイクロ波との相互作用により電子サイクロ
トロン共鳴が生じ、この共鳴によりＡｒガスがプラズマ
化され、且つ高密度化される。
【００１９】発生したプラズマ流は、第１の真空室２１
より第２の真空室２２内に流れ込んで行き、ここに供給
されているＣ4 Ｆ8 ガス、Ｃ2 Ｈ4 ガス及びＣＯガスを
活性化して活性種を形成し、ウエハ１０上にＣＦ膜を成
膜する。なお実際のデバイスを製造する場合には、その
後このＣＦ膜に対して所定のパターンでエッチングを行
い、溝部に例えばＷ膜を埋め込んでＷ配線が形成され
る。
より第２の真空室２２内に流れ込んで行き、ここに供給
されているＣ4 Ｆ8 ガス、Ｃ2 Ｈ4 ガス及びＣＯガスを
活性化して活性種を形成し、ウエハ１０上にＣＦ膜を成
膜する。なお実際のデバイスを製造する場合には、その
後このＣＦ膜に対して所定のパターンでエッチングを行
い、溝部に例えばＷ膜を埋め込んでＷ配線が形成され
る。
【００２０】このような方法で成膜されたＣＦ膜は強固
な結合を有し、後述の実験結果からも分かるように熱安
定性が大きい、つまり高温になってもＦ系ガスの抜けが
少ない。その理由については次のように考えられる。成
膜ガスとしてＣＦ系ガスと炭化水素ガスとを組み合わせ
てＣＦ膜を成膜すると、このＣＦ膜中には、グラファイ
ト的構造に近いＣ−Ｃ結合（以下「グラファイト的結
合」という）やダイヤモンド的構造に近いＣ−Ｃ結合
（以下「ダイヤモンド的結合」という）、膜中に取り込
まれた未反応物等が存在すると考えられる。
な結合を有し、後述の実験結果からも分かるように熱安
定性が大きい、つまり高温になってもＦ系ガスの抜けが
少ない。その理由については次のように考えられる。成
膜ガスとしてＣＦ系ガスと炭化水素ガスとを組み合わせ
てＣＦ膜を成膜すると、このＣＦ膜中には、グラファイ
ト的構造に近いＣ−Ｃ結合（以下「グラファイト的結
合」という）やダイヤモンド的構造に近いＣ−Ｃ結合
（以下「ダイヤモンド的結合」という）、膜中に取り込
まれた未反応物等が存在すると考えられる。
【００２１】一方本実施の形態のように、ＣＦ系ガスと
炭化水素ガスとの組み合わせにＣＯガスを添加すると、
このＣＯガスが前記グラファイト的結合や未反応物と反
応し、これによりグラファイト的結合等が酸化されて取
り除かれ、この結果ダイヤモンド的結合が残って、グラ
ファイト的結合よりもダイヤモン的結合の比率が多くな
ると推察される。
炭化水素ガスとの組み合わせにＣＯガスを添加すると、
このＣＯガスが前記グラファイト的結合や未反応物と反
応し、これによりグラファイト的結合等が酸化されて取
り除かれ、この結果ダイヤモンド的結合が残って、グラ
ファイト的結合よりもダイヤモン的結合の比率が多くな
ると推察される。
【００２２】ここでグラファイト構造とダイヤモンド構
造について簡単に説明すると、先ずグラファイト構造は
図２に示すように、Ｃ原子の結合によりできた六炭素環
が層状に配列した構造であり、一方ダイヤモンド構造は
図３に示すように、１個のＣ原子に４個のＣ原子が正四
面体型に配位した構造である。グラファイト構造とダイ
ヤモンド構造とを比較すると、グラファイト構造は層状
構造であって面間の結合力が小さいのに対し、ダイヤモ
ンド構造は立体的な構造であって結晶全体が巨大な分子
とみなされ、結合力が大きい。
造について簡単に説明すると、先ずグラファイト構造は
図２に示すように、Ｃ原子の結合によりできた六炭素環
が層状に配列した構造であり、一方ダイヤモンド構造は
図３に示すように、１個のＣ原子に４個のＣ原子が正四
面体型に配位した構造である。グラファイト構造とダイ
ヤモンド構造とを比較すると、グラファイト構造は層状
構造であって面間の結合力が小さいのに対し、ダイヤモ
ンド構造は立体的な構造であって結晶全体が巨大な分子
とみなされ、結合力が大きい。
【００２３】従ってＣＯガスの添加により、グラファイ
ト的結合よりもダイヤモンド的結合が多くなると、強固
な結合が増えるといえる。ここでＦ系ガスの抜けは、高
温の熱処理時に熱によりＣ−Ｃ結合が切断され、ＦやＣ
Ｆ、ＣＦ2 がガスとなって飛散していくことにより起こ
るが、既述のようにダイヤモンド的結合の増加により結
合が強固になると、高温下でも結合が切断されにくくな
り、こうしてＣＦ膜の熱安定性が向上すると考えられ
る。
ト的結合よりもダイヤモンド的結合が多くなると、強固
な結合が増えるといえる。ここでＦ系ガスの抜けは、高
温の熱処理時に熱によりＣ−Ｃ結合が切断され、ＦやＣ
Ｆ、ＣＦ2 がガスとなって飛散していくことにより起こ
るが、既述のようにダイヤモンド的結合の増加により結
合が強固になると、高温下でも結合が切断されにくくな
り、こうしてＣＦ膜の熱安定性が向上すると考えられ
る。
【００２４】続いて本実施の形態の効果について実施例
と比較例との比較により説明する。
と比較例との比較により説明する。
【００２５】［実施例１］図１に示すプラズマ処理装置
を用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを１５０ｓ
ｃｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、
Ｃ2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ、ＣＯガスを２ｓｃｃｍ導
入して、ウエハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。こ
こでマイクロ波電力（高周波電源部２４）及びバイアス
電力（高周波電源部４２）は夫々２７００Ｗ、１５００
Ｗとし、載置台４表面の温度は４００℃、プロセス圧力
は０．２Ｐａとした。
を用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを１５０ｓ
ｃｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、
Ｃ2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ、ＣＯガスを２ｓｃｃｍ導
入して、ウエハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。こ
こでマイクロ波電力（高周波電源部２４）及びバイアス
電力（高周波電源部４２）は夫々２７００Ｗ、１５００
Ｗとし、載置台４表面の温度は４００℃、プロセス圧力
は０．２Ｐａとした。
【００２６】［実施例２］図１に示すプラズマ処理装置
を用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを１５０ｓ
ｃｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、
Ｃ2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ、ＣＯガスを２ｓｃｃｍ導
入して、ウエハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。こ
こでマイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２７００
Ｗ、１５００Ｗとし、載置台４表面の温度は４２０℃、
プロセス圧力は０．２Ｐａとした。
を用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを１５０ｓ
ｃｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、
Ｃ2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ、ＣＯガスを２ｓｃｃｍ導
入して、ウエハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。こ
こでマイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２７００
Ｗ、１５００Ｗとし、載置台４表面の温度は４２０℃、
プロセス圧力は０．２Ｐａとした。
【００２７】［実施例３］図１に示すプラズマ処理装置
を用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを３０ｓｃ
ｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ
2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ、ＣＯガスを２ｓｃｃｍ導入
して、ウエハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここ
でマイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ、
１５００Ｗとし、載置台４表面の温度は４００℃、プロ
セス圧力は０．１Ｐａとした。
を用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを３０ｓｃ
ｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ
2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ、ＣＯガスを２ｓｃｃｍ導入
して、ウエハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここ
でマイクロ波電力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ、
１５００Ｗとし、載置台４表面の温度は４００℃、プロ
セス圧力は０．１Ｐａとした。
【００２８】［比較例］図１に示すプラズマ処理装置を
用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを１５０ｓｃ
ｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ
2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ導入して、ウエハ１０上に２
μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイクロ波電力及びバ
イアス電力は夫々２７００Ｗ、１５００Ｗとし、載置台
４表面の温度は４００℃、プロセス圧力は０．２Ｐａと
した。
用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを１５０ｓｃ
ｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ
2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ導入して、ウエハ１０上に２
μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイクロ波電力及びバ
イアス電力は夫々２７００Ｗ、１５００Ｗとし、載置台
４表面の温度は４００℃、プロセス圧力は０．２Ｐａと
した。
【００２９】こうして形成されたＣＦ膜について、図４
に示す測定装置を用いて薄膜の熱安定性の指標である高
温下での重量変化を調べた。図４において６１は真空容
器、６２はヒータ、６３は軽量天びん機構のビームに吊
り下げられたるつぼ、６４は重量測定部である。測定方
法については、ウエハ上のＣＦ膜を削り落としてるつぼ
６３内に入れ、窒素雰囲気下でるつぼ６３内の温度を４
２５℃まで昇温させ、そのまま２時間加熱して重量測定
部６４で重量変化を調べる方法を採った。
に示す測定装置を用いて薄膜の熱安定性の指標である高
温下での重量変化を調べた。図４において６１は真空容
器、６２はヒータ、６３は軽量天びん機構のビームに吊
り下げられたるつぼ、６４は重量測定部である。測定方
法については、ウエハ上のＣＦ膜を削り落としてるつぼ
６３内に入れ、窒素雰囲気下でるつぼ６３内の温度を４
２５℃まで昇温させ、そのまま２時間加熱して重量測定
部６４で重量変化を調べる方法を採った。
【００３０】ここで重量変化とは、熱を加える前のるつ
ぼ内の薄膜の重量をＡ、熱を加えた後のるつぼ内の薄膜
の重量をＢとすると、｛（Ａ−Ｂ）／Ａ｝×１００で表
される値であり、この値が小さい程、Ｆ系ガスの抜けが
少なく、熱安定性が高いことを示している。
ぼ内の薄膜の重量をＡ、熱を加えた後のるつぼ内の薄膜
の重量をＢとすると、｛（Ａ−Ｂ）／Ａ｝×１００で表
される値であり、この値が小さい程、Ｆ系ガスの抜けが
少なく、熱安定性が高いことを示している。
【００３１】この結果、実施例１のプロセス条件で成膜
したＣＦ膜の重量変化は２．３％、実施例２のプロセス
条件で成膜したＣＦ膜の重量変化は１．７％、実施例３
のプロセス条件で成膜したＣＦ膜の重量変化は２．０
％、比較例のプロセス条件で成膜したＣＦ膜の重量変化
は４．４％であり、ＣＯガスの添加により形成されるＣ
Ｆ膜の重量変化が小さくなり、Ｆ系ガスの抜けが少なく
なって熱安定性が大きくなることが理解される。
したＣＦ膜の重量変化は２．３％、実施例２のプロセス
条件で成膜したＣＦ膜の重量変化は１．７％、実施例３
のプロセス条件で成膜したＣＦ膜の重量変化は２．０
％、比較例のプロセス条件で成膜したＣＦ膜の重量変化
は４．４％であり、ＣＯガスの添加により形成されるＣ
Ｆ膜の重量変化が小さくなり、Ｆ系ガスの抜けが少なく
なって熱安定性が大きくなることが理解される。
【００３２】また実施例１のプロセス条件で成膜したＣ
Ｆ膜と、比較例のプロセス条件で成膜したＣＦ膜とをラ
マン分光法で分析したところ、図５に示す結果が得られ
た。ここで図中一点鎖線で示す曲線は、比較例のプロセ
ス条件つまりＣＯガスを添加しない場合のＣＦ膜のラマ
ンスペクトルを示しており、図中実線で示す曲線は、実
施例１のプロセス条件つまりＣＯガスを添加した場合の
ＣＦ膜のラマンスペクトルを示している。
Ｆ膜と、比較例のプロセス条件で成膜したＣＦ膜とをラ
マン分光法で分析したところ、図５に示す結果が得られ
た。ここで図中一点鎖線で示す曲線は、比較例のプロセ
ス条件つまりＣＯガスを添加しない場合のＣＦ膜のラマ
ンスペクトルを示しており、図中実線で示す曲線は、実
施例１のプロセス条件つまりＣＯガスを添加した場合の
ＣＦ膜のラマンスペクトルを示している。
【００３３】このスペクトルは２つのピ−クを有してい
るが、このうち波数１６００ｃｍ-1（σ１）のピ−クは
グラファイト的結合に由来するものであり、波数１３４
０-1（σ２）のピ−クはダイヤモンド的結合に由来する
ものである。またこれらのピ−クの強度は夫々の結合の
存在量に比例している。従ってこのスペクトルにより、
ＣＯガスを添加しない場合はグラファイト的結合とダイ
ヤモンド的結合がほぼ同じ量であるのに対し、ＣＯガス
を添加した場合は、グラファイト的結合が少なくなって
ダイヤモンド的結合が多くなっていることが理解され
る。
るが、このうち波数１６００ｃｍ-1（σ１）のピ−クは
グラファイト的結合に由来するものであり、波数１３４
０-1（σ２）のピ−クはダイヤモンド的結合に由来する
ものである。またこれらのピ−クの強度は夫々の結合の
存在量に比例している。従ってこのスペクトルにより、
ＣＯガスを添加しない場合はグラファイト的結合とダイ
ヤモンド的結合がほぼ同じ量であるのに対し、ＣＯガス
を添加した場合は、グラファイト的結合が少なくなって
ダイヤモンド的結合が多くなっていることが理解され
る。
【００３４】このように成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスと
Ｃ2 Ｈ4 ガスとＣＯガスとを組み合わせて用いると、得
られるＣＦ膜の熱安定性が向上することから、続いてＣ
Ｏガスの添加量を変えて以下の実施例４のプロセス条件
にてＣＦ膜を作成し、図４の装置を用いて同様の方法に
より高温下におけるＣＦ膜の重量変化を測定することに
よって膜の熱安定性を調べ、熱安定性に対するＣＯガス
の添加量の影響を確認した。
Ｃ2 Ｈ4 ガスとＣＯガスとを組み合わせて用いると、得
られるＣＦ膜の熱安定性が向上することから、続いてＣ
Ｏガスの添加量を変えて以下の実施例４のプロセス条件
にてＣＦ膜を作成し、図４の装置を用いて同様の方法に
より高温下におけるＣＦ膜の重量変化を測定することに
よって膜の熱安定性を調べ、熱安定性に対するＣＯガス
の添加量の影響を確認した。
【００３５】［実施例４］図１に示すプラズマ処理装置
を用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを３０ｓｃ
ｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ
2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ導入すると共に、ＣＯガスを
０〜１０ｓｃｃｍの範囲で添加量を変えて導入して、ウ
エハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイク
ロ波電力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ，１５００
Ｗとし、成膜温度（ウエハの温度）は４００℃とした。
を用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを３０ｓｃ
ｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ
2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ導入すると共に、ＣＯガスを
０〜１０ｓｃｃｍの範囲で添加量を変えて導入して、ウ
エハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイク
ロ波電力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ，１５００
Ｗとし、成膜温度（ウエハの温度）は４００℃とした。
【００３６】この結果を図６に夫々示す。この結果ＣＯ
ガスの添加量が０ｓｃｃｍ，２ｓｃｃｍ，５ｓｃｃｍ，
８ｓｃｃｍ，１０ｓｃｃｍの時のＣＦ膜の重量変化は夫
々２．５％，２．０％，１．４％，０．９％，０．８％
であって、添加量が０〜１０ｓｃｃｍの範囲内では、Ｃ
Ｏガスの添加量が増加する程、形成されるＣＦ膜の重量
変化が小さくなり、熱安定性が大きくなることが認めら
れた。
ガスの添加量が０ｓｃｃｍ，２ｓｃｃｍ，５ｓｃｃｍ，
８ｓｃｃｍ，１０ｓｃｃｍの時のＣＦ膜の重量変化は夫
々２．５％，２．０％，１．４％，０．９％，０．８％
であって、添加量が０〜１０ｓｃｃｍの範囲内では、Ｃ
Ｏガスの添加量が増加する程、形成されるＣＦ膜の重量
変化が小さくなり、熱安定性が大きくなることが認めら
れた。
【００３７】続いて実施例４のプロセス条件にて形成し
たＣＦ膜のうち、ＣＯガスの添加量が０ｓｃｃｍ，５ｓ
ｃｃｍ，１０ｓｃｃｍのものについて、ＴＤＳ（Ｔｈｅ
ｒｍａｌ Ｄｉｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃ
ｏｐｙ：昇温脱離ガス分析法）スペクトルを測定し、熱
安定性を確認した。つまりＣＦ膜を成膜したウエハＷを
１ｃｍ角に切断し、これを真空容器内のステ−ジ上に載
置した状態で、ステ−ジを室温から１０℃／分の昇温速
度で加熱し、ウエハの温度が４２５℃になった（ステ−
ジの温度が５００℃になった）時点から３０分間この温
度を保持して、ＣＦ膜から発生するガスの質量スペクト
ルを測定した。
たＣＦ膜のうち、ＣＯガスの添加量が０ｓｃｃｍ，５ｓ
ｃｃｍ，１０ｓｃｃｍのものについて、ＴＤＳ（Ｔｈｅ
ｒｍａｌ Ｄｉｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃ
ｏｐｙ：昇温脱離ガス分析法）スペクトルを測定し、熱
安定性を確認した。つまりＣＦ膜を成膜したウエハＷを
１ｃｍ角に切断し、これを真空容器内のステ−ジ上に載
置した状態で、ステ−ジを室温から１０℃／分の昇温速
度で加熱し、ウエハの温度が４２５℃になった（ステ−
ジの温度が５００℃になった）時点から３０分間この温
度を保持して、ＣＦ膜から発生するガスの質量スペクト
ルを測定した。
【００３８】この結果を図７に夫々示すが、図中縦軸は
脱離ガスの強度、横軸は時間を夫々示し、脱離ガスの種
類は図中右に表示した通りである。この実験により脱離
ガスの種類と脱離量の相対強度が確認されるが、ここで
は脱離ガスの強度が小さい程、ガスの抜けが少なく、熱
安定性が大きいことを意味している。この結果によりＦ
ガスやＣＦガス，ＣＦ2 ガス，ＣＦ3 ガス等のＦ系ガス
の脱ガス量は、ＣＯガスを添加しない場合よりも添加す
る場合の方が少なく、さらにＣＯガスの添加量が多いほ
ど少ないことが認められ、この実験からもＣＯガスの添
加量が増加するほど、形成されるＣＦ膜の熱安定性が大
きくなることが認められた。
脱離ガスの強度、横軸は時間を夫々示し、脱離ガスの種
類は図中右に表示した通りである。この実験により脱離
ガスの種類と脱離量の相対強度が確認されるが、ここで
は脱離ガスの強度が小さい程、ガスの抜けが少なく、熱
安定性が大きいことを意味している。この結果によりＦ
ガスやＣＦガス，ＣＦ2 ガス，ＣＦ3 ガス等のＦ系ガス
の脱ガス量は、ＣＯガスを添加しない場合よりも添加す
る場合の方が少なく、さらにＣＯガスの添加量が多いほ
ど少ないことが認められ、この実験からもＣＯガスの添
加量が増加するほど、形成されるＣＦ膜の熱安定性が大
きくなることが認められた。
【００３９】図８にこの実験におけるＣＦ膜から脱離す
るＦガスの量とステ−ジ温度との関係を示す。図中左縦
軸は脱離したＦガスの強度、右縦軸はステ−ジの温度、
横軸は時間を夫々示しており、また実線はＦガスの強
度、点線はステ−ジの温度を夫々示している。この図に
おいても脱離したＦガスの強度が小さい程、熱安定性が
大きいことを意味するが、この結果によりステ−ジの温
度が５００℃付近に上昇すると（このときのウエハ温度
は約４２５℃である）、ＣＯガスの添加量に関わらずＣ
Ｆ膜からＦガスが脱離し、ＣＯガスの添加量が０ｓｃｃ
ｍ〜１０ｓｃｃｍの範囲では、ＣＯガスの添加量が多い
ほどＦガスの脱ガス量が少なく、形成されるＣＦ膜の熱
安定性が大きくなることが確認された。
るＦガスの量とステ−ジ温度との関係を示す。図中左縦
軸は脱離したＦガスの強度、右縦軸はステ−ジの温度、
横軸は時間を夫々示しており、また実線はＦガスの強
度、点線はステ−ジの温度を夫々示している。この図に
おいても脱離したＦガスの強度が小さい程、熱安定性が
大きいことを意味するが、この結果によりステ−ジの温
度が５００℃付近に上昇すると（このときのウエハ温度
は約４２５℃である）、ＣＯガスの添加量に関わらずＣ
Ｆ膜からＦガスが脱離し、ＣＯガスの添加量が０ｓｃｃ
ｍ〜１０ｓｃｃｍの範囲では、ＣＯガスの添加量が多い
ほどＦガスの脱ガス量が少なく、形成されるＣＦ膜の熱
安定性が大きくなることが確認された。
【００４０】以上において本発明では、成膜ガスとして
ＣＦ系ガスと炭化水素ガスとに添加されるガスは、ＣＯ
ガスの他に酸素（Ｏ2 ）ガスや二酸化炭素（ＣＯ2 ）ガ
ス、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）ガス等
の酸素を含むガスを用いることができる。これらのガス
を用いた場合には、ＯとＣＦ膜中のグラファイト的結合
や未反応物とが反応し、これによりグラファイト的結合
等が酸化されて除去されるので、結果的に強固なダイヤ
モンド的結合が増加し、膜が強固になってＣＦ膜の熱安
定性が向上すると推察される。
ＣＦ系ガスと炭化水素ガスとに添加されるガスは、ＣＯ
ガスの他に酸素（Ｏ2 ）ガスや二酸化炭素（ＣＯ2 ）ガ
ス、水蒸気（Ｈ2 Ｏ）、過酸化水素（Ｈ2 Ｏ2 ）ガス等
の酸素を含むガスを用いることができる。これらのガス
を用いた場合には、ＯとＣＦ膜中のグラファイト的結合
や未反応物とが反応し、これによりグラファイト的結合
等が酸化されて除去されるので、結果的に強固なダイヤ
モンド的結合が増加し、膜が強固になってＣＦ膜の熱安
定性が向上すると推察される。
【００４１】以下にＣＦ系ガスと炭化水素ガスとにＯ2
ガスやＣＯ2 ガス、Ｈ2 Ｏガス、Ｈ2 Ｏ2 ガスを添加し
てＣＦ膜を形成した場合の効果について説明する。先ず
Ｏ2ガスを添加してＣＦ膜を形成した場合の実験例につ
いて説明するが、この時のプロセス条件は実施例５に示
す通りである。
ガスやＣＯ2 ガス、Ｈ2 Ｏガス、Ｈ2 Ｏ2 ガスを添加し
てＣＦ膜を形成した場合の効果について説明する。先ず
Ｏ2ガスを添加してＣＦ膜を形成した場合の実験例につ
いて説明するが、この時のプロセス条件は実施例５に示
す通りである。
【００４２】［実施例５］図１に示すプラズマ処理装置
を用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを３０ｓｃ
ｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを７０ｓｃｃｍ、Ｃ
2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ導入すると共に、Ｏ2 ガスを
０〜５ｓｃｃｍの範囲で添加量を変えて導入して、ウエ
ハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイクロ
波電力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ，１５００Ｗ
とし、成膜温度は４３０℃とした。
を用い、プラズマ生成用ガスとしてＡｒガスを３０ｓｃ
ｃｍ、成膜ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを７０ｓｃｃｍ、Ｃ
2 Ｈ4 ガスを３０ｓｃｃｍ導入すると共に、Ｏ2 ガスを
０〜５ｓｃｃｍの範囲で添加量を変えて導入して、ウエ
ハ１０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイクロ
波電力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ，１５００Ｗ
とし、成膜温度は４３０℃とした。
【００４３】先ず図４に示す測定装置を用いて、上述と
同様の方法により高温下におけるＣＦ膜の重量変化を測
定することによって、ＣＦ膜の熱安定性に対するＯ2 ガ
スの添加量の影響を確認した。この結果を図９に示す
が、添加量が０ｓｃｃｍ，１ｓｃｃｍ，２ｓｃｃｍ，４
ｓｃｃｍ，５ｓｃｃｍの時のＣＦ膜の重量変化は、夫々
１．３％，１．１％，０．９％，０．９％，０．９％で
あって、添加量が０〜２ｓｃｃｍの範囲内では添加量が
増加するほど、形成されるＣＦ膜の重量変化が小さくな
り、添加量が２ｓｃｃｍ以上の場合には前記重量は変化
しないことが認められた。これによりＯ2 ガスを添加す
るとＦ系ガスの抜けが少なくなって熱安定性が大きくな
り、ある程度までは添加量の増加に伴って熱安定性が大
きくなることが理解される。
同様の方法により高温下におけるＣＦ膜の重量変化を測
定することによって、ＣＦ膜の熱安定性に対するＯ2 ガ
スの添加量の影響を確認した。この結果を図９に示す
が、添加量が０ｓｃｃｍ，１ｓｃｃｍ，２ｓｃｃｍ，４
ｓｃｃｍ，５ｓｃｃｍの時のＣＦ膜の重量変化は、夫々
１．３％，１．１％，０．９％，０．９％，０．９％で
あって、添加量が０〜２ｓｃｃｍの範囲内では添加量が
増加するほど、形成されるＣＦ膜の重量変化が小さくな
り、添加量が２ｓｃｃｍ以上の場合には前記重量は変化
しないことが認められた。これによりＯ2 ガスを添加す
るとＦ系ガスの抜けが少なくなって熱安定性が大きくな
り、ある程度までは添加量の増加に伴って熱安定性が大
きくなることが理解される。
【００４４】続いて実施例５のプロセス条件にて形成し
たＣＦ膜のうち、Ｏ2 ガスの添加量が１ｓｃｃｍ，２ｓ
ｃｃｍ，５ｓｃｃｍのものについて、熱安定性を確認す
るために上述と同様の方法にてＴＤＳスペクトルを測定
した。このときの脱離したガスの種類と相対強度の結果
を図１０に、脱離したＦガスとステ−ジ温度との関係を
図１１に夫々示す。
たＣＦ膜のうち、Ｏ2 ガスの添加量が１ｓｃｃｍ，２ｓ
ｃｃｍ，５ｓｃｃｍのものについて、熱安定性を確認す
るために上述と同様の方法にてＴＤＳスペクトルを測定
した。このときの脱離したガスの種類と相対強度の結果
を図１０に、脱離したＦガスとステ−ジ温度との関係を
図１１に夫々示す。
【００４５】図１０よりＦ系ガスの脱ガス量は、Ｏ2 ガ
スを添加しない場合よりも添加する場合の方が少なく、
さらにＯ2 ガスの添加量が多いほど少ないことが認めら
れた。また図１１よりＦガスはステ−ジ温度が１００℃
付近と５００℃付近のときに発生し、Ｏ2 ガスの添加量
が多いほど脱離量が少ないことが認められ、この実験か
らもＯ2 ガスの添加量の増加に伴ってＣＦ膜の熱安定性
が大きくなることが理解される。
スを添加しない場合よりも添加する場合の方が少なく、
さらにＯ2 ガスの添加量が多いほど少ないことが認めら
れた。また図１１よりＦガスはステ−ジ温度が１００℃
付近と５００℃付近のときに発生し、Ｏ2 ガスの添加量
が多いほど脱離量が少ないことが認められ、この実験か
らもＯ2 ガスの添加量の増加に伴ってＣＦ膜の熱安定性
が大きくなることが理解される。
【００４６】続いてＣＯ2 ガスを添加してＣＦ膜を形成
した場合の実験例について説明するが、この時のプロセ
ス条件は実施例６に示す通りである。 ［実施例６］図１に示すプラズマ処理装置を用い、プラ
ズマ生成用ガスとしてＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、成膜ガ
スとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ2 Ｈ4 ガスを
３０ｓｃｃｍ導入すると共に、ＣＯ2 ガスを０〜５ｓｃ
ｃｍの範囲で添加量を変えて導入して、ウエハ１０上に
２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイクロ波電力及び
バイアス電力は夫々２７００Ｗ，１５００Ｗとし、成膜
温度は４００℃とした。
した場合の実験例について説明するが、この時のプロセ
ス条件は実施例６に示す通りである。 ［実施例６］図１に示すプラズマ処理装置を用い、プラ
ズマ生成用ガスとしてＡｒガスを３０ｓｃｃｍ、成膜ガ
スとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ2 Ｈ4 ガスを
３０ｓｃｃｍ導入すると共に、ＣＯ2 ガスを０〜５ｓｃ
ｃｍの範囲で添加量を変えて導入して、ウエハ１０上に
２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイクロ波電力及び
バイアス電力は夫々２７００Ｗ，１５００Ｗとし、成膜
温度は４００℃とした。
【００４７】先ず図４に示す測定装置を用いて、上述と
同様の方法により高温下におけるＣＦ膜の重量変化を測
定することによって、ＣＦ膜の熱安定性に対するＣＯ2
ガスの添加量の影響を確認した。この結果を図１２に示
すが、添加量が０ｓｃｃｍ，２ｓｃｃｍ，４ｓｃｃｍ，
５ｓｃｃｍの時のＣＦ膜の重量変化は、夫々２．５％，
１．２％，１．０％，０．８％であって、添加量が０〜
５ｓｃｃｍの範囲内では添加量が多いほど形成されるＣ
Ｆ膜の重量変化が小さくなることが認められた。これに
よりＣＯ2 ガスを添加すると、Ｆ系ガスの抜けが少なく
なって熱安定性が大きくなり、この際添加量が多くなる
ほどＣＦ膜の熱安定性が大きくなることが理解される。
同様の方法により高温下におけるＣＦ膜の重量変化を測
定することによって、ＣＦ膜の熱安定性に対するＣＯ2
ガスの添加量の影響を確認した。この結果を図１２に示
すが、添加量が０ｓｃｃｍ，２ｓｃｃｍ，４ｓｃｃｍ，
５ｓｃｃｍの時のＣＦ膜の重量変化は、夫々２．５％，
１．２％，１．０％，０．８％であって、添加量が０〜
５ｓｃｃｍの範囲内では添加量が多いほど形成されるＣ
Ｆ膜の重量変化が小さくなることが認められた。これに
よりＣＯ2 ガスを添加すると、Ｆ系ガスの抜けが少なく
なって熱安定性が大きくなり、この際添加量が多くなる
ほどＣＦ膜の熱安定性が大きくなることが理解される。
【００４８】続いて実施例６のプロセス条件にて形成し
たＣＦ膜のうち、ＣＯ2 ガスの添加量が０ｓｃｃｍ，２
ｓｃｃｍ，５ｓｃｃｍのものについて、熱安定性を確認
するために上述と同様の方法にてＴＤＳスペクトルを測
定した。このときの脱離したガスの種類と相対強度の結
果を図１３に、脱離したＦガスとステ−ジ温度との関係
を図１４に夫々示す。
たＣＦ膜のうち、ＣＯ2 ガスの添加量が０ｓｃｃｍ，２
ｓｃｃｍ，５ｓｃｃｍのものについて、熱安定性を確認
するために上述と同様の方法にてＴＤＳスペクトルを測
定した。このときの脱離したガスの種類と相対強度の結
果を図１３に、脱離したＦガスとステ−ジ温度との関係
を図１４に夫々示す。
【００４９】図１３よりＦ系ガスの脱ガス量は、ＣＯ2
ガスを添加しない場合よりも添加する場合の方が少な
く、さらにＣＯ2 ガスの添加量が多いほど少ないことが
認められた。また図１４よりステ−ジの温度が５００℃
付近のときに、ＣＦ膜からのＦガスの脱離が認められ、
ＣＯ2 ガスの添加量が０ｓｃｃｍ〜５ｓｃｃｍの範囲で
は、ＣＯ2 ガスの添加量が多いほどＦガスの脱ガス量が
少ないことが認められた。このようにこの実験からもＣ
Ｏ2 ガスの添加により、形成されるＣＦ膜の熱安定性が
大きくなることが理解される。なおＣＯ2 は酸化反応が
あまり強くないので、水素ガスを同時に添加することが
好ましく、このようにすれば、ＣＯ2 の酸化作用が進
む。
ガスを添加しない場合よりも添加する場合の方が少な
く、さらにＣＯ2 ガスの添加量が多いほど少ないことが
認められた。また図１４よりステ−ジの温度が５００℃
付近のときに、ＣＦ膜からのＦガスの脱離が認められ、
ＣＯ2 ガスの添加量が０ｓｃｃｍ〜５ｓｃｃｍの範囲で
は、ＣＯ2 ガスの添加量が多いほどＦガスの脱ガス量が
少ないことが認められた。このようにこの実験からもＣ
Ｏ2 ガスの添加により、形成されるＣＦ膜の熱安定性が
大きくなることが理解される。なおＣＯ2 は酸化反応が
あまり強くないので、水素ガスを同時に添加することが
好ましく、このようにすれば、ＣＯ2 の酸化作用が進
む。
【００５０】続いてＨ2 Ｏガスを添加してＣＦ膜を形成
した場合の実験例について説明するが、この時のプロセ
ス条件は実施例７に示す通りである。 ［実施例７］図１に示すプラズマ処理装置を用い、プラ
ズマ生成用ガスとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍ、成膜
ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ2 Ｈ4 ガス
を３０ｓｃｃｍ導入すると共に、Ｈ2 Ｏガスを０〜２０
ｓｃｃｍの範囲で添加量を変えて導入して、ウエハ１０
上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイクロ波電力
及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ，１５００Ｗとし、
成膜温度は４００℃とした。
した場合の実験例について説明するが、この時のプロセ
ス条件は実施例７に示す通りである。 ［実施例７］図１に示すプラズマ処理装置を用い、プラ
ズマ生成用ガスとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍ、成膜
ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ2 Ｈ4 ガス
を３０ｓｃｃｍ導入すると共に、Ｈ2 Ｏガスを０〜２０
ｓｃｃｍの範囲で添加量を変えて導入して、ウエハ１０
上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイクロ波電力
及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ，１５００Ｗとし、
成膜温度は４００℃とした。
【００５１】先ず図４に示す測定装置を用いて、上述と
同様の方法により高温下におけるＣＦ膜の重量変化を測
定することによって、ＣＦ膜の熱安定性に対するＨ2 Ｏ
ガスの添加量の影響を確認した。この結果を図１５に示
すが、添加量が０ｓｃｃｍ，５ｓｃｃｍ，１０ｓｃｃ
ｍ，１５ｓｃｃｍ，１８．５ｓｃｃｍ，２０ｓｃｃｍの
時のＣＦ膜の重量変化は、夫々２．４％，１．７％，
１．６％，２．０％，２．３％，２．９％であって、添
加量が０〜２０ｓｃｃｍの範囲内では添加量が１０ｓｃ
ｃｍ（Ｃ4 Ｆ8 ガスの流量：Ｈ2 Ｏガスの流量＝４：
１）付近において、最も重量変化が小さくなることが認
められた。これによりＨ2 Ｏガスを添加するとＦ系ガス
の抜けが少なくなって熱安定性が大きくなるものの、こ
の際熱安定性を向上させるための添加量の最適値が存在
することが確認された。
同様の方法により高温下におけるＣＦ膜の重量変化を測
定することによって、ＣＦ膜の熱安定性に対するＨ2 Ｏ
ガスの添加量の影響を確認した。この結果を図１５に示
すが、添加量が０ｓｃｃｍ，５ｓｃｃｍ，１０ｓｃｃ
ｍ，１５ｓｃｃｍ，１８．５ｓｃｃｍ，２０ｓｃｃｍの
時のＣＦ膜の重量変化は、夫々２．４％，１．７％，
１．６％，２．０％，２．３％，２．９％であって、添
加量が０〜２０ｓｃｃｍの範囲内では添加量が１０ｓｃ
ｃｍ（Ｃ4 Ｆ8 ガスの流量：Ｈ2 Ｏガスの流量＝４：
１）付近において、最も重量変化が小さくなることが認
められた。これによりＨ2 Ｏガスを添加するとＦ系ガス
の抜けが少なくなって熱安定性が大きくなるものの、こ
の際熱安定性を向上させるための添加量の最適値が存在
することが確認された。
【００５２】続いて実施例７のプロセス条件にて形成し
たＣＦ膜のうち、Ｈ2 Ｏガスの添加量が０ｓｃｃｍ，１
０ｓｃｃｍ，２０ｓｃｃｍのものについて、熱安定性を
確認するために上述と同様の方法にてＴＤＳスペクトル
を測定した。このときの脱離したガスの種類と相対強度
の結果を図１６に、脱離したＦガスとステ−ジ温度との
関係を図１７に夫々示す。
たＣＦ膜のうち、Ｈ2 Ｏガスの添加量が０ｓｃｃｍ，１
０ｓｃｃｍ，２０ｓｃｃｍのものについて、熱安定性を
確認するために上述と同様の方法にてＴＤＳスペクトル
を測定した。このときの脱離したガスの種類と相対強度
の結果を図１６に、脱離したＦガスとステ−ジ温度との
関係を図１７に夫々示す。
【００５３】図１６よりＦ系ガスの脱ガス量は、Ｈ2 Ｏ
ガスの添加量が１０ｓｃｃｍの場合が最も少ないことが
認められた。また図１７によりステ−ジの温度が５００
℃付近のときに、ＣＦ膜からのＦガスの脱離が認めら
れ、Ｈ2 Ｏガスの添加量が０ｓｃｃｍ〜２０ｓｃｃｍの
範囲では、Ｈ2 Ｏガスの添加量が１０ｓｃｃｍ（Ｃ4 Ｆ
8 ガスの流量：Ｈ2 Ｏガスの流量＝４：１）のときにＦ
ガスの脱ガス量が最も少ないことが認められた。このよ
うにこの実験からもＨ2 Ｏガスの添加により、形成され
るＣＦ膜の熱安定性が大きくなるが、熱安定性を向上さ
せるための添加量の最適値が存在することが理解され
る。
ガスの添加量が１０ｓｃｃｍの場合が最も少ないことが
認められた。また図１７によりステ−ジの温度が５００
℃付近のときに、ＣＦ膜からのＦガスの脱離が認めら
れ、Ｈ2 Ｏガスの添加量が０ｓｃｃｍ〜２０ｓｃｃｍの
範囲では、Ｈ2 Ｏガスの添加量が１０ｓｃｃｍ（Ｃ4 Ｆ
8 ガスの流量：Ｈ2 Ｏガスの流量＝４：１）のときにＦ
ガスの脱ガス量が最も少ないことが認められた。このよ
うにこの実験からもＨ2 Ｏガスの添加により、形成され
るＣＦ膜の熱安定性が大きくなるが、熱安定性を向上さ
せるための添加量の最適値が存在することが理解され
る。
【００５４】続いてＨ2 Ｏ2 ガスを添加してＣＦ膜を形
成した場合の実験例について説明するが、この時のプロ
セス条件は実施例８に示す通りである。 ［実施例８］図１に示すプラズマ処理装置を用い、プラ
ズマ生成用ガスとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍ、成膜
ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ2 Ｈ4 ガス
を３０ｓｃｃｍ導入すると共に、Ｈ2 Ｏ2 ガスを０〜１
０ｓｃｃｍの範囲で添加量を変えて導入して、ウエハ１
０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイクロ波電
力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ，１５００Ｗと
し、成膜温度は４００℃とした。
成した場合の実験例について説明するが、この時のプロ
セス条件は実施例８に示す通りである。 ［実施例８］図１に示すプラズマ処理装置を用い、プラ
ズマ生成用ガスとしてＡｒガスを１５０ｓｃｃｍ、成膜
ガスとしてＣ4 Ｆ8 ガスを４０ｓｃｃｍ、Ｃ2 Ｈ4 ガス
を３０ｓｃｃｍ導入すると共に、Ｈ2 Ｏ2 ガスを０〜１
０ｓｃｃｍの範囲で添加量を変えて導入して、ウエハ１
０上に２μｍのＣＦ膜を成膜した。ここでマイクロ波電
力及びバイアス電力は夫々２７００Ｗ，１５００Ｗと
し、成膜温度は４００℃とした。
【００５５】先ず図４に示す測定装置を用いて、上述と
同様の方法により高温下におけるＣＦ膜の重量変化を測
定することによって、ＣＦ膜の熱安定性に対するＨ2 Ｏ
2 ガスの添加量の影響を確認した。この結果を図１８に
示すが、この結果添加量が０ｓｃｃｍ，２ｓｃｃｍ，５
ｓｃｃｍ，１０ｓｃｃｍの時のＣＦ膜の重量変化は夫々
２．５％，１．７％，１．３％，１．４％であって、添
加量が０〜５ｓｃｃｍの範囲内では添加量が増加するほ
ど形成されるＣＦ膜の重量変化が小さくなることが認め
られた。これによりＨ2 Ｏ2 ガスを添加すると、Ｆ系ガ
スの抜けが少なくなって熱安定性が大きくなり、この際
ある程度までは添加量の増加に伴い、熱安定性が大きく
なることが理解される。
同様の方法により高温下におけるＣＦ膜の重量変化を測
定することによって、ＣＦ膜の熱安定性に対するＨ2 Ｏ
2 ガスの添加量の影響を確認した。この結果を図１８に
示すが、この結果添加量が０ｓｃｃｍ，２ｓｃｃｍ，５
ｓｃｃｍ，１０ｓｃｃｍの時のＣＦ膜の重量変化は夫々
２．５％，１．７％，１．３％，１．４％であって、添
加量が０〜５ｓｃｃｍの範囲内では添加量が増加するほ
ど形成されるＣＦ膜の重量変化が小さくなることが認め
られた。これによりＨ2 Ｏ2 ガスを添加すると、Ｆ系ガ
スの抜けが少なくなって熱安定性が大きくなり、この際
ある程度までは添加量の増加に伴い、熱安定性が大きく
なることが理解される。
【００５６】続いて実施例８のプロセス条件にて形成し
たＣＦ膜のうち添加量が０ｓｃｃｍ，５ｓｃｃｍ，１０
ｓｃｃｍのものについて、熱安定性を確認するために上
述と同様の方法にてＴＤＳスペクトルを測定した。この
ときの脱離したガスの種類と相対強度の結果を図１９
に、脱離したＦガスとステ−ジ温度との関係を図２０に
夫々示す。
たＣＦ膜のうち添加量が０ｓｃｃｍ，５ｓｃｃｍ，１０
ｓｃｃｍのものについて、熱安定性を確認するために上
述と同様の方法にてＴＤＳスペクトルを測定した。この
ときの脱離したガスの種類と相対強度の結果を図１９
に、脱離したＦガスとステ−ジ温度との関係を図２０に
夫々示す。
【００５７】図１９よりＦ系ガスの脱ガス量は、Ｈ2 Ｏ
2 ガスを添加しない場合よりも添加する場合の方が少な
く、さらにＨ2 Ｏ2 ガスの添加量が５ｓｃｃｍの場合が
最も少ないことが認められた。また図２０よりステ−ジ
の温度が５００℃付近のときに、ＣＦ膜からのＦガスが
脱離が認められ、Ｈ2 Ｏ2 ガスの添加量が０ｓｃｃｍ〜
１０ｓｃｃｍの範囲では、添加量が５ｓｃｃｍの場合に
最もＦガスの脱ガス量が少ないことが認められた。この
ようにこの実験からもＨ2 Ｏ2 ガスの添加により、形成
されるＣＦ膜の熱安定性が大きくなり、添加量には最適
値が存在することが理解された。
2 ガスを添加しない場合よりも添加する場合の方が少な
く、さらにＨ2 Ｏ2 ガスの添加量が５ｓｃｃｍの場合が
最も少ないことが認められた。また図２０よりステ−ジ
の温度が５００℃付近のときに、ＣＦ膜からのＦガスが
脱離が認められ、Ｈ2 Ｏ2 ガスの添加量が０ｓｃｃｍ〜
１０ｓｃｃｍの範囲では、添加量が５ｓｃｃｍの場合に
最もＦガスの脱ガス量が少ないことが認められた。この
ようにこの実験からもＨ2 Ｏ2 ガスの添加により、形成
されるＣＦ膜の熱安定性が大きくなり、添加量には最適
値が存在することが理解された。
【００５８】以上において本発明の成膜ガスとして用い
られるＣＦ系ガスとしては、ＣＦ4ガス、Ｃ2 Ｆ6 ガ
ス、Ｃ3 Ｆ8 ガス等を用いることができ、またＣとＦの
みならずＣとＦとＨとを含むガス例えばＣＨＦ3 ガス等
であってもよい。炭化水素ガスとしては、ＣＨ4 ガスや
Ｃ2 Ｈ2 ガス、Ｃ2 Ｈ6 ガス、Ｃ3 Ｈ8 ガス、Ｃ4 Ｈ8
ガス等を用いることができるが、炭化水素ガスの代りに
水素ガスを用いてもよい。また成膜ガスとして用いられ
る酸素を含むガスとしては、上述の例の他に、Ｏ3 （オ
ゾン）やＮＯ、Ｎ2 ＯあるいはＮＯ2 を用いてもよい。
更に本発明はＥＣＲによりプラズマを生成することに限
られず例えばＩＣＰ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅＣｏｕｐｌｅ
ｄ Ｐｌａｓｍａ）などと呼ばれている、ドーム状の容
器に巻かれたコイルから電界及び磁界を処理ガスに与え
る方法などによりプラズマを生成する場合にも適用する
ことができる。
られるＣＦ系ガスとしては、ＣＦ4ガス、Ｃ2 Ｆ6 ガ
ス、Ｃ3 Ｆ8 ガス等を用いることができ、またＣとＦの
みならずＣとＦとＨとを含むガス例えばＣＨＦ3 ガス等
であってもよい。炭化水素ガスとしては、ＣＨ4 ガスや
Ｃ2 Ｈ2 ガス、Ｃ2 Ｈ6 ガス、Ｃ3 Ｈ8 ガス、Ｃ4 Ｈ8
ガス等を用いることができるが、炭化水素ガスの代りに
水素ガスを用いてもよい。また成膜ガスとして用いられ
る酸素を含むガスとしては、上述の例の他に、Ｏ3 （オ
ゾン）やＮＯ、Ｎ2 ＯあるいはＮＯ2 を用いてもよい。
更に本発明はＥＣＲによりプラズマを生成することに限
られず例えばＩＣＰ（ＩｎｄｕｃｔｉｖｅＣｏｕｐｌｅ
ｄ Ｐｌａｓｍａ）などと呼ばれている、ドーム状の容
器に巻かれたコイルから電界及び磁界を処理ガスに与え
る方法などによりプラズマを生成する場合にも適用する
ことができる。
【００５９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、熱的安定
性が大きく、Ｆ系のガスの脱離が小さいＣＦ膜を生成す
ることができる。従ってこのＣＦ膜を例えば半導体デバ
イスの層間絶縁膜に使用すれば、金属配線を腐食するお
それがなく、アルミニウム配線のうねりやクラックの発
生も防止できる。半導体デバイスの微細化、高速化が要
請されている中で、ＣＦ膜が比誘電率の小さい有効な絶
縁膜として注目されていることから、本発明はＣＦ膜の
絶縁膜としての実用化を図る上で有効な方法である。
性が大きく、Ｆ系のガスの脱離が小さいＣＦ膜を生成す
ることができる。従ってこのＣＦ膜を例えば半導体デバ
イスの層間絶縁膜に使用すれば、金属配線を腐食するお
それがなく、アルミニウム配線のうねりやクラックの発
生も防止できる。半導体デバイスの微細化、高速化が要
請されている中で、ＣＦ膜が比誘電率の小さい有効な絶
縁膜として注目されていることから、本発明はＣＦ膜の
絶縁膜としての実用化を図る上で有効な方法である。
【図１】本発明方法を実施するためのプラズマ処理装置
の一例を示す縦断側面図である。
の一例を示す縦断側面図である。
【図２】グラファイト構造を説明するための模式図であ
る。
る。
【図３】ダイヤモンド構造を説明するための模式図であ
る。
る。
【図４】薄膜の重量変化を調べる測定装置を示す略解断
面図である。
面図である。
【図５】ＣＦ膜のラマンスペクトルを示す特性図であ
る。
る。
【図６】ＣＯガスの添加量とＣＦ膜の重量変化との関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図７】ＣＦ膜から発生するガスのＴＤＳスペクトルを
示す特性図である。
示す特性図である。
【図８】ＣＦ膜から発生するガスのＴＤＳスペクトルと
ステ−ジ温度とを示す特性図である。
ステ−ジ温度とを示す特性図である。
【図９】Ｏ2 ガスの添加量とＣＦ膜の重量変化との関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図１０】ＣＦ膜から発生するガスのＴＤＳスペクトル
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図１１】ＣＦ膜から発生するガスのＴＤＳスペクトル
とステ−ジ温度とを示す特性図である。
とステ−ジ温度とを示す特性図である。
【図１２】ＣＯ2 ガスの添加量とＣＦ膜の重量変化との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図１３】ＣＦ膜から発生するガスのＴＤＳスペクトル
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図１４】ＣＦ膜から発生するガスのＴＤＳスペクトル
とステ−ジ温度とを示す特性図である。
とステ−ジ温度とを示す特性図である。
【図１５】Ｈ2 Ｏガスの添加量とＣＦ膜の重量変化との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図１６】ＣＦ膜から発生するガスのＴＤＳスペクトル
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図１７】ＣＦ膜から発生するガスのＴＤＳスペクトル
とステ−ジ温度とを示す特性図である。
とステ−ジ温度とを示す特性図である。
【図１８】Ｈ2 Ｏ2 ガスの添加量とＣＦ膜の重量変化と
の関係を示す特性図である。
の関係を示す特性図である。
【図１９】ＣＦ膜から発生するガスのＴＤＳスペクトル
を示す特性図である。
を示す特性図である。
【図２０】ＣＦ膜から発生するガスのＴＤＳスペクトル
とステ−ジ温度とを示す特性図である。
とステ−ジ温度とを示す特性図である。
【図２１】半導体デバイスの構造の一例を示す構造図で
ある。
ある。
１０ 半導体ウエハ ２ 真空容器 ２１ 第１の真空室 ２２ 第２の真空室 ２４ 高周波電源部 ２５ 導波管 ２６、２７ 電磁コイル ２８ 排気管 ３１ ガスノズル ４ 載置台 ５ 成膜ガス供給部
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１１年３月２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【図１】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
Claims (8)
- 【請求項１】 炭素とフッ素との化合物ガスと、一酸化
炭素ガスと、を含む成膜ガスをプラズマ化し、そのプラ
ズマにより被処理基板上にフッ素添加カ−ボン膜を成膜
することを特徴とするプラズマ成膜方法。 - 【請求項２】 炭素とフッ素との化合物ガスと、酸素を
含むガスと、を含む成膜ガスをプラズマ化し、そのプラ
ズマにより被処理基板上にフッ素添加カ−ボン膜を成膜
することを特徴とするプラズマ成膜方法。 - 【請求項３】 酸素を含むガスは酸素ガスであることを
特徴とする請求項２記載のプラズマ成膜方法。 - 【請求項４】 酸素を含むガスは二酸化炭素ガスである
ことを特徴とする請求項２記載のプラズマ成膜方法。 - 【請求項５】 酸素を含むガスは水蒸気であることを特
徴とする請求項２記載のプラズマ成膜方法。 - 【請求項６】 酸素を含むガスは過酸化水素ガスである
ことを特徴とする請求項２記載のプラズマ成膜方法。 - 【請求項７】 成膜ガスは炭化水素ガスを含むことを特
徴とする請求項１，２，３，４，５又は６記載のプラズ
マ成膜方法。 - 【請求項８】 成膜ガスはマイクロ波と磁界との相互作
用によりプラズマ化されることを特徴とする請求項１，
２，３，４，５，６又は７記載のプラズマ成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34785798A JP4054123B2 (ja) | 1997-11-20 | 1998-11-20 | プラズマ成膜方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-336293 | 1997-11-20 | ||
| JP33629397 | 1997-11-20 | ||
| JP34785798A JP4054123B2 (ja) | 1997-11-20 | 1998-11-20 | プラズマ成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11265885A true JPH11265885A (ja) | 1999-09-28 |
| JP4054123B2 JP4054123B2 (ja) | 2008-02-27 |
Family
ID=26575421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34785798A Expired - Fee Related JP4054123B2 (ja) | 1997-11-20 | 1998-11-20 | プラズマ成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4054123B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197704B1 (en) | 1998-04-08 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device |
| JP2012518276A (ja) * | 2009-02-17 | 2012-08-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
-
1998
- 1998-11-20 JP JP34785798A patent/JP4054123B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6197704B1 (en) | 1998-04-08 | 2001-03-06 | Nec Corporation | Method of fabricating semiconductor device |
| JP2012518276A (ja) * | 2009-02-17 | 2012-08-09 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4054123B2 (ja) | 2008-02-27 |
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