JPH11265794A - Ｅｌ表示装置 - Google Patents
Ｅｌ表示装置Info
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- JPH11265794A JPH11265794A JP10068661A JP6866198A JPH11265794A JP H11265794 A JPH11265794 A JP H11265794A JP 10068661 A JP10068661 A JP 10068661A JP 6866198 A JP6866198 A JP 6866198A JP H11265794 A JPH11265794 A JP H11265794A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N pyrene Chemical compound C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5-tetraphenylcyclopenta-1,4-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 YGLVWOUNCXBPJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N (2,3,4-triphenylcyclopenta-1,3-dien-1-yl)benzene Chemical compound C1C(C=2C=CC=CC=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 JCXLYAWYOTYWKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZHBOFZNNPZNWGB-UHFFFAOYSA-N 9,10-bis(phenylethynyl)anthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C#CC(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C#CC1=CC=CC=C1 ZHBOFZNNPZNWGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 GaN X Chemical class 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- BEAHPPCNIBVQQD-SCICZZOKSA-N [Zn].C1([C@H](O)C[C@H](O)[C@H](O1)C)NC=1C=CC=C2C=CC=NC12.C1([C@H](O)C[C@H](O)[C@H](O1)C)NC=1C=CC=C2C=CC=NC12 Chemical compound [Zn].C1([C@H](O)C[C@H](O)[C@H](O1)C)NC=1C=CC=C2C=CC=NC12.C1([C@H](O)C[C@H](O)[C@H](O1)C)NC=1C=CC=C2C=CC=NC12 BEAHPPCNIBVQQD-SCICZZOKSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- WJNWGMBCKFIFDS-UHFFFAOYSA-K aluminum 4-methyl-5-(trifluoromethyl)quinolin-8-olate Chemical compound [Al+3].CC1=CC=NC2=C(C=CC(=C12)C(F)(F)F)[O-].CC1=CC=NC2=C(C=CC(=C12)C(F)(F)F)[O-].CC1=CC=NC2=C(C=CC(=C12)C(F)(F)F)[O-] WJNWGMBCKFIFDS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- KLTCKTRTUHFMFN-UHFFFAOYSA-K aluminum 5-cyano-2-methylquinolin-8-olate 4-(4-cyanophenyl)phenolate Chemical compound [Al+3].C(#N)C1=CC=C(C=C1)C1=CC=C(C=C1)[O-].CC1=NC2=C(C=CC(=C2C=C1)C#N)[O-].CC1=NC2=C(C=CC(=C2C=C1)C#N)[O-] KLTCKTRTUHFMFN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K aluminum;4-(4-cyanophenyl)phenolate Chemical compound [Al+3].C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=C(C#N)C=C1 ANAJSSMBLXCCSM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- MGGWGZVGKDPGDJ-UHFFFAOYSA-K aluminum;5-chloroquinolin-8-olate Chemical compound C12=NC=CC=C2C(Cl)=CC=C1O[Al](OC=1C2=NC=CC=C2C(Cl)=CC=1)OC1=CC=C(Cl)C2=CC=CN=C12 MGGWGZVGKDPGDJ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ZTMLKTOWMABQKL-UHFFFAOYSA-K aluminum;5-cyano-4-methylquinolin-8-olate Chemical compound [Al+3].C1=CC(C#N)=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC(C#N)=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-].C1=CC(C#N)=C2C(C)=CC=NC2=C1[O-] ZTMLKTOWMABQKL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M lithium;quinolin-8-olate Chemical compound [Li+].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N pyrrolo[3,2-b]pyrrole Chemical class C1=NC2=CC=NC2=C1 RQGPLDBZHMVWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M salicylate Chemical compound OC1=CC=CC=C1C([O-])=O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229960001860 salicylate Drugs 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- ADGHETHODYCQHQ-UHFFFAOYSA-K tris[(5,7-dichloroquinolin-8-yl)oxy]alumane Chemical compound C1=CN=C2C(O[Al](OC=3C4=NC=CC=C4C(Cl)=CC=3Cl)OC3=C4N=CC=CC4=C(Cl)C=C3Cl)=C(Cl)C=C(Cl)C2=C1 ADGHETHODYCQHQ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- PODORNJIBXLRRS-UHFFFAOYSA-K tris[(5-fluoroquinolin-8-yl)oxy]alumane Chemical compound C12=NC=CC=C2C(F)=CC=C1O[Al](OC=1C2=NC=CC=C2C(F)=CC=1)OC1=CC=C(F)C2=CC=CN=C12 PODORNJIBXLRRS-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L zinc;quinolin-8-olate Chemical compound [Zn+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 HTPBWAPZAJWXKY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】外光反射を抑えて良好なコントラストを有する
ＥＬ表示装置を提供する。また、電極の電気抵抗を下げ
て均一性、効率を改善したＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】透光性絶縁基板上に複数の第一電極と複数
の第二電極が少なくとも発光媒体を挟持し、かつ第一電
極列と第二電極列が相互に交差して形成する画素群から
なるＥＬ表示装置において、少なくとも画素に対応する
領域の第一電極が、少なくとも透光性絶縁基板側の光吸
収層と発光媒体側の光反射層からなり、かつ、スリット
状やドット状の光透過穴４ａを有する。
ＥＬ表示装置を提供する。また、電極の電気抵抗を下げ
て均一性、効率を改善したＥＬ表示装置を提供する。 【解決手段】透光性絶縁基板上に複数の第一電極と複数
の第二電極が少なくとも発光媒体を挟持し、かつ第一電
極列と第二電極列が相互に交差して形成する画素群から
なるＥＬ表示装置において、少なくとも画素に対応する
領域の第一電極が、少なくとも透光性絶縁基板側の光吸
収層と発光媒体側の光反射層からなり、かつ、スリット
状やドット状の光透過穴４ａを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＥＬ（エレクトロ
ルミネッセンスの略）表示装置に関する。
ルミネッセンスの略）表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】単純マトリクス駆動ＥＬ表示装置は、薄
型、軽量、低コスト、自発光で高輝度という利点を有す
るために、次世代フラットパネルディスプレイとして期
待されている。従来のＥＬ表示装置は、図５のように、
透光性絶縁基板上に複数の透光性第一電極と複数の第二
電極が少なくとも発光媒体を挟持し、かつ第一電極ライ
ンと第二電極ラインが相互に交差して形成する画素群か
らなる。第一電極ラインと第二電極ラインの間に電圧を
印加すると、交点の画素に対応する領域の第一電極と第
二電極の間に電流が流れ、挟持された発光媒体から発光
する。
型、軽量、低コスト、自発光で高輝度という利点を有す
るために、次世代フラットパネルディスプレイとして期
待されている。従来のＥＬ表示装置は、図５のように、
透光性絶縁基板上に複数の透光性第一電極と複数の第二
電極が少なくとも発光媒体を挟持し、かつ第一電極ライ
ンと第二電極ラインが相互に交差して形成する画素群か
らなる。第一電極ラインと第二電極ラインの間に電圧を
印加すると、交点の画素に対応する領域の第一電極と第
二電極の間に電流が流れ、挟持された発光媒体から発光
する。
【０００３】発光媒体からの発光のうち透光性第一電極
側を向いた分は、透光性第一電極と透光性絶縁基板を透
過して、表示面から放射される。第二電極を向いた分
は、第二電極で１回反射してから発光媒体と透光性第一
電極と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射され
る。このように、発光のうち基板にほぼ垂直な方向を向
いた２成分が表示に利用される。
側を向いた分は、透光性第一電極と透光性絶縁基板を透
過して、表示面から放射される。第二電極を向いた分
は、第二電極で１回反射してから発光媒体と透光性第一
電極と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射され
る。このように、発光のうち基板にほぼ垂直な方向を向
いた２成分が表示に利用される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、表示面に入
射した外光は、透光性絶縁基板と透光性第一電極と発光
媒体を透過し、第二電極で反射し、発光媒体と透光性第
一電極と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射さ
れる。この外光反射が、非点灯時のバックグラウンドと
なり、コントラストを低下させる原因になっている。
射した外光は、透光性絶縁基板と透光性第一電極と発光
媒体を透過し、第二電極で反射し、発光媒体と透光性第
一電極と透光性絶縁基板を透過して、表示面から放射さ
れる。この外光反射が、非点灯時のバックグラウンドと
なり、コントラストを低下させる原因になっている。
【０００５】また、透光性第一電極に用いられる透明導
電体は、金属に比べて抵抗率が数桁小さい。高精細、大
画面のＥＬ表示装置では大電流を流す必要があるが、そ
の際の電圧降下が大きく、均一性や効率の悪化が問題で
ある。
電体は、金属に比べて抵抗率が数桁小さい。高精細、大
画面のＥＬ表示装置では大電流を流す必要があるが、そ
の際の電圧降下が大きく、均一性や効率の悪化が問題で
ある。
【０００６】本発明は、これらの問題点を解決するため
になされたものであり、外光反射を抑えて良好なコント
ラストを有するＥＬ表示装置を提供する。また、電極の
電気抵抗を下げて均一性、効率を改善したＥＬ表示装置
を提供する。
になされたものであり、外光反射を抑えて良好なコント
ラストを有するＥＬ表示装置を提供する。また、電極の
電気抵抗を下げて均一性、効率を改善したＥＬ表示装置
を提供する。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、請求項１としては、透光性絶縁基板上に複数の第一
電極と複数の第二電極が少なくとも発光媒体を挟持し、
かつ第一電極列と第二電極列が相互に交差して形成する
画素群からなるＥＬ表示装置において、少なくとも画素
に対応する領域の第一電極が、少なくとも透光性絶縁基
板側の光吸収層と発光媒体の光反射層からなり、かつ、
スリット状やドット状の光透過穴を有することを特徴と
するＥＬ表示装置としたものである。
め、請求項１としては、透光性絶縁基板上に複数の第一
電極と複数の第二電極が少なくとも発光媒体を挟持し、
かつ第一電極列と第二電極列が相互に交差して形成する
画素群からなるＥＬ表示装置において、少なくとも画素
に対応する領域の第一電極が、少なくとも透光性絶縁基
板側の光吸収層と発光媒体の光反射層からなり、かつ、
スリット状やドット状の光透過穴を有することを特徴と
するＥＬ表示装置としたものである。
【０００８】請求項２としては、前記スリット状やドッ
ト状の光透過穴を有する第一電極において、画素部での
非透過パターンの最大幅が画素の最小幅の１／１０００
〜１／２であり、画素部での開口比率が５％〜６０％で
あることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置と
したものである。
ト状の光透過穴を有する第一電極において、画素部での
非透過パターンの最大幅が画素の最小幅の１／１０００
〜１／２であり、画素部での開口比率が５％〜６０％で
あることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置と
したものである。
【０００９】請求項３としては、前記第一電極の光透過
部内、または第一電極と透光性絶縁基板の間に、吸光
型、干渉型、あるいは蛍光波長変換型のカラーフィルタ
層を設けたことを特徴とする請求項１〜２のいずれかに
記載のＥＬ表示装置としたものである。
部内、または第一電極と透光性絶縁基板の間に、吸光
型、干渉型、あるいは蛍光波長変換型のカラーフィルタ
層を設けたことを特徴とする請求項１〜２のいずれかに
記載のＥＬ表示装置としたものである。
【００１０】請求項４としては、前記第一電極の光吸収
層が、黒色樹脂層または金属不完全酸化物または金属不
完全窒化物からなり、光反射層が金属からなることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＥＬ表示装置
としたものである。
層が、黒色樹脂層または金属不完全酸化物または金属不
完全窒化物からなり、光反射層が金属からなることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＥＬ表示装置
としたものである。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１２】本発明の請求項１では、第一電極が少なく
とも光吸収層と光反射層からなり、かつ、スリット状や
ドット状の光透過穴を有する。
とも光吸収層と光反射層からなり、かつ、スリット状や
ドット状の光透過穴を有する。
【００１３】発光媒体からの発光で第一電極側を向いた
分のうち、光透過領域に対応した分は、直接、表示面か
ら放射される。第一電極を向いた分のうち非透過領域に
対応した分、および、第二電極を向いた分は、第一電極
の光反射層と第二電極の間で反射を繰り返した後、第一
電極の光透過部を通って、表示面から放射される。この
ように、発光のうち基板にほぼ垂直な方向を向いた２成
分が表示に利用されることは、従来と同様である。
分のうち、光透過領域に対応した分は、直接、表示面か
ら放射される。第一電極を向いた分のうち非透過領域に
対応した分、および、第二電極を向いた分は、第一電極
の光反射層と第二電極の間で反射を繰り返した後、第一
電極の光透過部を通って、表示面から放射される。この
ように、発光のうち基板にほぼ垂直な方向を向いた２成
分が表示に利用されることは、従来と同様である。
【００１４】一方、表示面に入射した外光のうち、第一
電極の光透過領域に対応した分は、透光性絶縁基板と発
光媒体を透過し、第二電極で反射し、発光媒体と透光性
絶縁基板を透過して、表示面から放射される。また、外
光のうち、第一電極の非透過領域に対応した分は、第一
電極の光吸収層で吸収される。従って、外光反射が低減
され、高コントラストの表示が得られる。
電極の光透過領域に対応した分は、透光性絶縁基板と発
光媒体を透過し、第二電極で反射し、発光媒体と透光性
絶縁基板を透過して、表示面から放射される。また、外
光のうち、第一電極の非透過領域に対応した分は、第一
電極の光吸収層で吸収される。従って、外光反射が低減
され、高コントラストの表示が得られる。
【００１５】従来の発光強度をＩ、外光反射をＲとする
と、従来のコントラストはＩ／Ｒである。透光開口比率
（光透過領域の面積比率）をα（＜１）とすると、透過
や反射での損失を無視すれば、本発明での発光強度は
Ｉ、外光反射はαＲとなり、コントラストはＩ／αＲに
改善される。即ち、発光強度をほぼ保ちながら、外光反
射を低減できるため、コントラストが改善される。
と、従来のコントラストはＩ／Ｒである。透光開口比率
（光透過領域の面積比率）をα（＜１）とすると、透過
や反射での損失を無視すれば、本発明での発光強度は
Ｉ、外光反射はαＲとなり、コントラストはＩ／αＲに
改善される。即ち、発光強度をほぼ保ちながら、外光反
射を低減できるため、コントラストが改善される。
【００１６】第一電極のスリット状やドット状の光透過
穴は、少なくとも画素に対応する領域に形成する。
穴は、少なくとも画素に対応する領域に形成する。
【００１７】請求項２としては、前記スリット状やドッ
ト状の光透過穴を有する第一電極において、画素部での
非透過パターンの最大幅が画素の最小幅の１／１０００
〜１／２であり、画素部での開口比率が５％〜６０％で
あることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置と
したものである。
ト状の光透過穴を有する第一電極において、画素部での
非透過パターンの最大幅が画素の最小幅の１／１０００
〜１／２であり、画素部での開口比率が５％〜６０％で
あることを特徴とする請求項１に記載のＥＬ表示装置と
したものである。
【００１８】第一電極の非透過パターンの幅が大きい場
合、近くで観測するとパターンが見えてしまう。しか
し、表示装置の画素の大きさは観測者との距離を想定し
て決められているので、画素の大きさが大きい場合には
非透過パターンの幅が大きくても気にならない。即ち、
第一電極の非透過パターンの最適幅には、画素の幅に依
存する相対的な関係がある。細かすぎるパターンは、工
程を難しくするので、非透過パターンの最大幅は、画素
の最小幅の１／１０００〜１／２が望ましく、さらには
１／１００〜１／１０が望ましい。
合、近くで観測するとパターンが見えてしまう。しか
し、表示装置の画素の大きさは観測者との距離を想定し
て決められているので、画素の大きさが大きい場合には
非透過パターンの幅が大きくても気にならない。即ち、
第一電極の非透過パターンの最適幅には、画素の幅に依
存する相対的な関係がある。細かすぎるパターンは、工
程を難しくするので、非透過パターンの最大幅は、画素
の最小幅の１／１０００〜１／２が望ましく、さらには
１／１００〜１／１０が望ましい。
【００１９】また、非透過パターンの幅が大きいと、表
示までの反射回数が多くなり、損失によって輝度が落ち
てしまう。このことから、非透過パターンの幅は０．５
μｍ〜５０μｍが望ましい。
示までの反射回数が多くなり、損失によって輝度が落ち
てしまう。このことから、非透過パターンの幅は０．５
μｍ〜５０μｍが望ましい。
【００２０】開口比率の逆数がコントラストの向上をも
たらすことから、開口比率が大きいと改善効果が小さく
なる。また、開口比率が小さいと、表示までの反射回数
が大きくなり、損失が増加して輝度が小さくなる。これ
らより、開口比率は、５％〜６０％が望ましく、さらに
は１０％〜４０％が望ましい。
たらすことから、開口比率が大きいと改善効果が小さく
なる。また、開口比率が小さいと、表示までの反射回数
が大きくなり、損失が増加して輝度が小さくなる。これ
らより、開口比率は、５％〜６０％が望ましく、さらに
は１０％〜４０％が望ましい。
【００２１】請求項３としては、前記第一電極の光透過
部内、または第一電極と透光性絶縁基板の間に、吸光
型、干渉型、あるいは蛍光波長変換型のカラーフィルタ
層を設けたことを特徴とする請求項１〜２のいずれかに
記載のＥＬ表示装置としたものである。
部内、または第一電極と透光性絶縁基板の間に、吸光
型、干渉型、あるいは蛍光波長変換型のカラーフィルタ
層を設けたことを特徴とする請求項１〜２のいずれかに
記載のＥＬ表示装置としたものである。
【００２２】カラーフィルタと組み合わせることによ
り、さらにコントラストを向上することができ、１種類
の発光媒体を用いても容易にフルカラーあるいはマルチ
カラーのＥＬ表示装置を提供できる。
り、さらにコントラストを向上することができ、１種類
の発光媒体を用いても容易にフルカラーあるいはマルチ
カラーのＥＬ表示装置を提供できる。
【００２３】請求項４としては、前記第一電極の光吸収
層が、黒色樹脂層または金属不完全酸化物または金属不
完全窒化物からなり、光反射層が金属からなることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＥＬ表示装置
としたものである。
層が、黒色樹脂層または金属不完全酸化物または金属不
完全窒化物からなり、光反射層が金属からなることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＥＬ表示装置
としたものである。
【００２４】光吸収層としては、カラーフィルタ等で用
いられる黒色樹脂や、ＣｒＯX ／Ｃｒ層のような金属不
完全酸化物、ＧａＮX のような金属不完全窒化物等を用
いることができる。光反射層としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｔ
ａ、Ｔｉ等の金属、またはこれらの金属元素を一成分以
上含む合金等が使用できる。特にＡｇやＡｌは、可視域
で反射率が高く、好適な材料である。
いられる黒色樹脂や、ＣｒＯX ／Ｃｒ層のような金属不
完全酸化物、ＧａＮX のような金属不完全窒化物等を用
いることができる。光反射層としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃ
ｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｓｎ、Ｔ
ａ、Ｔｉ等の金属、またはこれらの金属元素を一成分以
上含む合金等が使用できる。特にＡｇやＡｌは、可視域
で反射率が高く、好適な材料である。
【００２５】特に、ストライプに平行なスリット状穴を
用いると、同じ開口比率でも配線抵抗をより低減できる
ので好ましい。
用いると、同じ開口比率でも配線抵抗をより低減できる
ので好ましい。
【００２６】なお、本発明のＥＬ表示装置における透光
性絶縁基板としては、ガラス基板、プラスチック基板等
が使用できる。
性絶縁基板としては、ガラス基板、プラスチック基板等
が使用できる。
【００２７】本発明における発光媒体としては、９，１
０−ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピ
レン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニル
ブタジエン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アン
トラセン、８−キノリノラートリチウム、トリス（８−
キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（５，７−
ジクロロ，８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ト
リス（５−クロロ−８−キノリノラート）アルミニウム
錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス
（５−フルオロ−８−キノリノラート）アルミニウム錯
体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８
−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メ
チル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム
錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８
−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェ
ノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−
シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェ
ニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−
キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス［８−（パラ
ートシル）アミノキノリン］亜鉛錯体およびカドミウム
錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジ
エン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，
５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、あ
るいは特開平４−３１４８８号公報、米国特許５１４１
６７１号、同４７６９２９２号で言及されている蛍光物
質やＮ，Ｎ’ジアリール置換ピロロピロール化合物等が
あげられる。
０−ジアリールアントラセン誘導体、サリチル酸塩、ピ
レン、コロネン、ペリレン、ルブレン、テトラフェニル
ブタジエン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アン
トラセン、８−キノリノラートリチウム、トリス（８−
キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（５，７−
ジクロロ，８−キノリノラート）アルミニウム錯体、ト
リス（５−クロロ−８−キノリノラート）アルミニウム
錯体、ビス（８−キノリノラート）亜鉛錯体、トリス
（５−フルオロ−８−キノリノラート）アルミニウム錯
体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８
−キノリノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メ
チル−５−シアノ−８−キノリノラート）アルミニウム
錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８
−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェ
ノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−
シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェ
ニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−
キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス［８−（パラ
ートシル）アミノキノリン］亜鉛錯体およびカドミウム
錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジ
エン、ペンタフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，
５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレン、あ
るいは特開平４−３１４８８号公報、米国特許５１４１
６７１号、同４７６９２９２号で言及されている蛍光物
質やＮ，Ｎ’ジアリール置換ピロロピロール化合物等が
あげられる。
【００２８】
【実施例】まず、本発明のＥＬ表示装置の一実施例を図
１、図２に示す。
１、図２に示す。
【００２９】第一電極４の画素部には、スリット状の穴
４ａが形成されている。第一電極４と透光性絶縁基板１
の間には、カラーフィルタ２を設けてある。
４ａが形成されている。第一電極４と透光性絶縁基板１
の間には、カラーフィルタ２を設けてある。
【００３０】このＥＬ表示装置の製造工程を、図３、図
４に示す。
４に示す。
【００３１】まず、ガラス基板１上に、既知の方法によ
ってカラーフィルタ２を形成し、オーバーコート層３で
覆う（図３（ａ）参照）。次に、０．２μｍのＣｒＯx
／Ｃｒの積層膜５、６を成膜する（図３（ｂ）参照）。
そして、既存のフォトエッチング技術即ちフォトレジス
トパターン形成とウェットエッチングによって、幅１ｍ
ｍのストライプかつ幅２０μｍ、開口比率４０％のスリ
ット状光透過穴４ａを有する形状に加工する（図３
（ｃ）参照）。
ってカラーフィルタ２を形成し、オーバーコート層３で
覆う（図３（ａ）参照）。次に、０．２μｍのＣｒＯx
／Ｃｒの積層膜５、６を成膜する（図３（ｂ）参照）。
そして、既存のフォトエッチング技術即ちフォトレジス
トパターン形成とウェットエッチングによって、幅１ｍ
ｍのストライプかつ幅２０μｍ、開口比率４０％のスリ
ット状光透過穴４ａを有する形状に加工する（図３
（ｃ）参照）。
【００３２】次に、０．３μｍのＡｇメッキ７をするこ
とにより、導電性および光反射性を向上する（図３
（ｄ）参照）。
とにより、導電性および光反射性を向上する（図３
（ｄ）参照）。
【００３３】そして、全面に発光媒体８を成膜する（図
４（ｅ）参照）。発光媒体８としては、正孔輸送層９を
０．０７μｍ、電子輸送性発光層１０を ０．０７μｍ
積層した。そして、第二電極１１としてＡｌＬｉを０．
３μｍ厚だけ、マスク蒸着によって第一電極パターンと
交差するストライプ状に形成する（図４（ｆ）参照）。
最後に、全面に封止層１２を形成する（図４（ｇ）参
照）。
４（ｅ）参照）。発光媒体８としては、正孔輸送層９を
０．０７μｍ、電子輸送性発光層１０を ０．０７μｍ
積層した。そして、第二電極１１としてＡｌＬｉを０．
３μｍ厚だけ、マスク蒸着によって第一電極パターンと
交差するストライプ状に形成する（図４（ｆ）参照）。
最後に、全面に封止層１２を形成する（図４（ｇ）参
照）。
【００３４】このように作製した試料で、従来素子に比
べて輝度はやや減少したものの、コントラストがおよそ
１．５倍に向上した。
べて輝度はやや減少したものの、コントラストがおよそ
１．５倍に向上した。
【００３５】［非透過パターン幅の影響］第一電極幅１
ｍｍ、開口率５０％の条件下で、非透過パターン幅を１
μｍ、１０μｍ、１００μｍ、５００μｍと変えて作製
した。これらは、画素幅に対応する第一電極幅の１／１
０００〜１／２である。いずれの場合にも、コントラス
ト向上効果が見られた。ただし、１μｍの場合は高精度
のパターニング技術を要し、それ以上細かくする意味が
ない。また、５００μｍの場合には非透過パターンが目
視できるようになり、それ以上荒いと画質を低下させ
る。
ｍｍ、開口率５０％の条件下で、非透過パターン幅を１
μｍ、１０μｍ、１００μｍ、５００μｍと変えて作製
した。これらは、画素幅に対応する第一電極幅の１／１
０００〜１／２である。いずれの場合にも、コントラス
ト向上効果が見られた。ただし、１μｍの場合は高精度
のパターニング技術を要し、それ以上細かくする意味が
ない。また、５００μｍの場合には非透過パターンが目
視できるようになり、それ以上荒いと画質を低下させ
る。
【００３６】［開口率の影響］第一電極幅１ｍｍ、非透
過パターン幅１００μｍの条件下で、開口率を１％、５
％、１０％、２０％、４０％、６０％、８０％と変えて
作製した。５％〜６０％において、コントラスト向上効
果が見られた。開口率１％では輝度低下が著しく、開口
率８０％では外光反射の低減効果が弱く、いずれもコン
トラストは向上しなかった。
過パターン幅１００μｍの条件下で、開口率を１％、５
％、１０％、２０％、４０％、６０％、８０％と変えて
作製した。５％〜６０％において、コントラスト向上効
果が見られた。開口率１％では輝度低下が著しく、開口
率８０％では外光反射の低減効果が弱く、いずれもコン
トラストは向上しなかった。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、透明導電膜でなく、穴
を有する第一電極を用いることにより、外光反射を抑え
て良好なコントラストを有するＥＬ表示装置を提供でき
る。また、電気抵抗を低減でき、均一性、効率を改善し
たＥＬ表示装置を提供できる。
を有する第一電極を用いることにより、外光反射を抑え
て良好なコントラストを有するＥＬ表示装置を提供でき
る。また、電気抵抗を低減でき、均一性、効率を改善し
たＥＬ表示装置を提供できる。
【００３８】
【図１】本発明のＥＬ表示装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１のＥＬ表示装置の平面図である。
【図３】図１のＥＬ表示装置の製造工程を示す説明図で
ある。
ある。
【図４】図１のＥＬ表示装置の製造工程を示す説明図で
ある。
ある。
【図５】従来のＥＬ表示装置の一例を示す断面図であ
る。
る。
１ 透光性絶縁基板 ２ カラーフィルタ ３ オーバーコート絶縁層 ４ 第一電極 ４ａ 光透過穴 ４Ｘ 透光性第一電極 ５ 光吸収層 ６ 中間層 ７ 光反射層 ８ 発光媒体 ９ 正孔輸送層 １０ 電子輸送性発光層 １１ 第二電極 １２ 封止層
Claims (4)
- 【請求項１】透光性絶縁基板上に複数の第一電極と複数
の第二電極が少なくとも発光媒体を挟持し、かつ第一電
極列と第二電極列が相互に交差して形成する画素群から
なるＥＬ表示装置において、少なくとも画素に対応する
領域の第一電極が、少なくとも透光性絶縁基板側の光吸
収層と発光媒体側の光反射層からなり、かつ、スリット
状やドット状の光透過穴を有することを特徴とするＥＬ
表示装置。 - 【請求項２】前記スリット状やドット状の光透過穴を有
する第一電極において、画素部での非透過パターンの最
大幅が画素の最小幅の１／１０００〜１／２であり、画
素部での開口比率が５％〜６０％であることを特徴とす
る請求項１に記載のＥＬ表示装置。 - 【請求項３】前記第一電極の光透過部内、または第一電
極と透光性絶縁基板の間に、吸光型、干渉型、あるいは
蛍光波長変換型のカラーフィルタ層を設けたことを特徴
とする請求項１〜２のいずれかに記載のＥＬ表示装置。 - 【請求項４】前記第一電極の光吸収層が、黒色樹脂層ま
たは金属不完全酸化物または金属不完全窒化物からな
り、光反射層が金属からなることを特徴とする請求項１
〜３のいずれかに記載のＥＬ表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06866198A JP3601290B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Ｅｌ表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06866198A JP3601290B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Ｅｌ表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11265794A true JPH11265794A (ja) | 1999-09-28 |
| JP3601290B2 JP3601290B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=13380127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06866198A Expired - Fee Related JP3601290B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | Ｅｌ表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3601290B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005051045A1 (ja) * | 2003-10-27 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子 |
| US7449833B2 (en) | 2003-11-07 | 2008-11-11 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device having openings in electrode |
| JP2015011140A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタ形成基板および有機ｅｌ表示装置 |
| KR20170122343A (ko) * | 2016-04-26 | 2017-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN111384100A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
-
1998
- 1998-03-18 JP JP06866198A patent/JP3601290B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005051045A1 (ja) * | 2003-10-27 | 2005-06-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子 |
| US7449833B2 (en) | 2003-11-07 | 2008-11-11 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device having openings in electrode |
| US7868543B2 (en) | 2003-11-07 | 2011-01-11 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device having openings in electrode |
| JP2015011140A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 大日本印刷株式会社 | カラーフィルタ形成基板および有機ｅｌ表示装置 |
| KR20170122343A (ko) * | 2016-04-26 | 2017-11-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 색변환 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| CN111384100A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
| EP3675176A3 (en) * | 2018-12-27 | 2020-07-15 | LG Display Co., Ltd. | Display device |
| US11211578B2 (en) | 2018-12-27 | 2021-12-28 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
| CN111384100B (zh) * | 2018-12-27 | 2023-06-30 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3601290B2 (ja) | 2004-12-15 |
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