JPH1126517A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents

半導体装置の検査方法

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JPH1126517A
JPH1126517A JP9175533A JP17553397A JPH1126517A JP H1126517 A JPH1126517 A JP H1126517A JP 9175533 A JP9175533 A JP 9175533A JP 17553397 A JP17553397 A JP 17553397A JP H1126517 A JPH1126517 A JP H1126517A
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semiconductor device
inspection
wire
current
wire bonding
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JP9175533A
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Yoshio Kinoshita
喜雄 木下
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Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワイヤーボンド接合不良検査電流、検査電圧
を制御することができる。 【解決手段】 ２つの端子４，７間に接続された半導体
装置９内のダイオード５等の導通素子を利用してワイヤ
ーボンド接合不良検査を行う。上記の構成によれば、半
導体装置９内の導通素子を利用してワイヤーボンド接合
不良検査を行うので、検査電圧を下げることができると
ともに、半導体装置９内のワイヤーボンド接合不良検査
電流経路を制御することにより半導体装置９を破壊する
ことがない。このため、半導体装置９の微細化に伴う低
耐圧化においても、半導体装置９を破壊することなく正
常にワイヤーボンド接合不良の検査を行うことができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、特に半導体装置
内の回路を利用し、ワイヤーボンド工程におけるワイヤ
ーボンド接合不良を検査することができる半導体装置の
検査方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２および図３は従来のワイヤーボンド
工程におけるワイヤーボンド接合不良の検査方法を示
し、図２はワイヤーボンドが正常に行われた時の説明
図、図３はワイヤーボンド接合不良が発生した時の説明
図である。図２において、１１は検査装置、１２はキャ
ピラリー、１３は金線、１４は半導体装置、１５はリー
ドフレームである。次にワイヤーボンド接合不良の検査
方法について、図２を用いて説明する。
【０００３】まず半導体装置１４に金線１３をワイヤー
ボンドを行ったのち、検査装置１１より検査電流Ｃを印
加する。図２に示すように、正常にワイヤーボンドが行
われた場合は、検査電流Ｃは金線１３を導通し、半導体
装置１４を貫通し、リードフレーム１５より流れ出る。
また図３に示すように、ワイヤーボンド接合不良Ｄが発
生した場合は、検査電流Ｃは流れない。
【０００４】従来のワイヤーボンド接合不良の検査方法
は、前述したように検査電流Ｃの導通の可否によりワイ
ヤーボンド接合不良の判定を行っているが、図２に示す
ように半導体装置１４の表面から裏面に貫通電流を流す
ため、高検査電圧をかける必要があり、かつ半導体装置
１４内において検査電流Ｃの経路は制御されていなかっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の半
導体装置の検査方法は、半導体装置１４内において高検
査電圧をかけ、検査電流経路の制御を行わないでワイヤ
ーボンド接合不良の検査を行うため、半導体装置の微細
化に伴う低耐圧化により、検査電圧、検査電流により半
導体装置を破壊する可能性が生じてきた。
【０００６】したがって、この発明の目的は、上記従来
の問題を解決するもので、ワイヤーボンド接合不良検査
電流、検査電圧を制御することができる半導体装置の検
査方法を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この問題を解決するため
に、この発明の請求項１記載の半導体装置の検査方法
は、２つの端子間に接続された半導体装置内の導通素子
を利用してワイヤーボンド接合不良検査を行うことを特
徴とする。上記の構成によれば、半導体装置内の導通素
子を利用してワイヤーボンド接合不良検査を行うので、
検査電圧を下げることができるとともに、半導体装置内
のワイヤーボンド接合不良検査電流経路を制御すること
により半導体装置を破壊することがない。このため、半
導体装置の微細化に伴う低耐圧化においても、半導体装
置を破壊することなく正常にワイヤーボンド接合不良の
検査を行うことができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態の半導体装
置の検査方法を図１に基づいて説明する。図１はこの発
明の実施の形態の半導体装置の検査方法を示す概念図で
ある。図１において、１は検査装置で、キャピラリー２
を介して半導体装置９からの検査電流Ａが入力され、ま
た半導体装置９へ検査電流Ｂを出力する。キャピラリー
２は、端子４，７，８にワイヤーボンドを行い金線３を
接続する。また、半導体装置９は、ワイヤーボンド接合
不良検査を行うための検査電流Ａ，Ｂ、検査電圧を制御
できるようにダイオード５、ＭＯＳトランジスタ６が配
置されて回路が形成されている。１０はグラウンドであ
る。
【０００９】つぎに、上記半導体装置の検査方法につい
て説明する。半導体装置の製造工程のワイヤーボンド工
程において、ワイヤーボンド接合不良検査を行う。図１
に示すように、最初に、端子７をワイヤーボンド接合不
良検査を行わないでワイヤーボンドを行う。次に端子４
をワイヤーボンド接合不良検査を行いながらワイヤーボ
ンドを行う。その時、グラウンド１０より出力された検
査電流Ａは端子７より、半導体装置９に印加される。半
導体装置９内に印加された検査電流Ａは、ダイオード
５、端子４、金線３を導通し、検査装置１に入力され
る。
【００１０】また、端子８がワイヤーボンドされている
場合は、次に示す検査方法でもワイヤーボンド接合不良
検査が可能である。すなわち、検査装置１より出力され
た検査電流Ｂは、金線３を導通し半導体装置９に印加さ
れる。半導体装置９内に印加された検査電流Ｂは、ダイ
オード５を導通し、端子８より半導体装置９外に出力さ
れる。
【００１１】上記のように１番目の端子７または８のワ
イヤーボンドを行い、２番目の端子４からワイヤーボン
ド接合不良検査を行い、検査装置１に入力される検査電
流Ａまたは半導体装置９外に出力される検査電流Ｂの有
無により良、不良の判定を行う。また、他の端子も同様
に半導体装置９内のダイオード、抵抗等の導通素子を利
用して検査を行うことができる。
【００１２】以上のように本実施の形態によれば、半導
体装置９内の導通素子を用いることにより、検査電圧を
下げることが出来るようになり、かつ半導体装置９内の
ワイヤーボンド接合不良検査電流経路を制御することに
より、半導体装置９を破壊することなく、ワイヤーボン
ド接合不良の検査を行うことができる。
【００１３】
【発明の効果】この発明の半導体装置の検査方法によれ
ば、２つの端子間に接続された半導体装置内の導通素子
を利用してワイヤーボンド接合不良検査を行うので、検
査電圧を下げることができるとともに、半導体装置内の
ワイヤーボンド接合不良検査電流経路を制御することに
より半導体装置を破壊することがない。このため、半導
体装置の微細化に伴う低耐圧化においても、半導体装置
を破壊することなく正常にワイヤーボンド接合不良の検
査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態の半導体装置の検査方法
を示す概念図である。
【図２】従来の半導体装置の検査方法でワイヤーボンド
が正常に行われたときの説明図である。
【図３】従来の半導体装置の検査方法でワイヤーボンド
接合不良が生じたときの説明図である。
【符号の説明】
１ 検査装置 ２ キャピラリー ３ 金線 ４ 端子 ５ ダイオード（導通素子） ６ ＭＯＳトランジスタ ７ 端子 ８ 端子 ９ 半導体装置 １０ グラウンド １１ 検査装置 １２ キャピラリー １３ 金線 １４ 半導体装置 １５ リードフレーム

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ２つの端子間に接続された半導体装置内
    の導通素子を利用してワイヤーボンド接合不良検査を行
    うことを特徴とする半導体装置の検査方法。
JP9175533A 1997-07-01 1997-07-01 半導体装置の検査方法 Pending JPH1126517A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003059981A (ja) * 2001-08-09 2003-02-28 Denso Corp ワイヤボンディング評価方法とそれに用いる評価用治具

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