JPH1126375A - 強度分布モニタ手段を有するx線集光一括照明装置および該x線集光一括照明装置を備えたx線露光装置ならびにデバイス製造方法 - Google Patents

強度分布モニタ手段を有するx線集光一括照明装置および該x線集光一括照明装置を備えたx線露光装置ならびにデバイス製造方法

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JPH1126375A
JPH1126375A JP9196564A JP19656497A JPH1126375A JP H1126375 A JPH1126375 A JP H1126375A JP 9196564 A JP9196564 A JP 9196564A JP 19656497 A JP19656497 A JP 19656497A JP H1126375 A JPH1126375 A JP H1126375A
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ray
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Nobuaki Ogushi
信明 大串
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    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
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  • Particle Accelerators (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 集光一括照明装置のSRビームの光軸とミラ
ーの初期設置作業を容易に行なうことができ、そして集
光されて高強度で均一なX線をX線露光装置へ供給する
ことができるようになしたX線集光一括照明装置を提供
する。 【解決手段】 電子蓄積リング1から放射されるSRビ
ーム2に対する相対的な位置ずれを検出する検出器6、
7を第1ミラー3に対して固定し、第1ミラー3の反射
光の強度分布を検出するX線CCD18を第2ミラー9
の近傍に設け、X線CCD18の検出出力が光学設計値
に等しくなるように駆動手段5により第1ミラー3を駆
動調整し、この駆動調整によりX線CCD18の出力が
光学設計値に等しくなったときに検出器6、7により検
出される検出値をオフセットとして保存し、これを指令
値として制御手段8により第1ミラー3の姿勢を制御す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ等の基板上
にマスクパターンを転写し焼き付けを行なうX線露光装
置に関し、特に、X線露光装置にシンクロトロン放射光
を供給するためのX線照明装置の初期設置および設置状
態を確認することができるX線照明装置および該X線照
明装置を備えたX線露光装置ならびにデバイス製造方法
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】シンクロトロン放射光(以下、SRとい
う。)を露光光とする従来のX線露光システムにおける
X線照明装置は通常図9に例示するような構成を有して
いる。図9において、101はシート状のSRビームを
発する電子蓄積リング等からなる光源装置、102はシ
ート状のSRビーム、103はX線ミラー、105はミ
ラー駆動手段、108は制御手段、112はX線取り出
し窓、113は原版であるマスク、114はウエハ等の
基板、116はウエハステージ、117はX線ディテク
タであって、電子蓄積リングからなる光源装置101か
ら放射されるシート状のSRビーム102は、X線ミラ
ー103の角度を変えることにより走査され、図示しな
いビームラインを介して露光装置側の露光室内に入射さ
れ、マスク113のマスクパターンをウエハ等の基板1
14に転写するように構成されている。この種のX線照
明装置においては、シート状のSRビーム102はY方
向に拡大されてマスク113の全面にSRビームが照射
するように形成されており、SRビームは集光されてい
ない。
【0003】そして、X線照明装置においては、電子蓄
積リング等の光源装置101から放射されるシート状の
SRビーム102に対するX線ミラー103の相対位置
や姿勢を高精度に位置決めし設置するすることが要求さ
れており、特開平5−100093号公報等にも記載さ
れているように、SRビームの光軸に対してX線ミラー
の姿勢を初期設置するための機構を備えている。具体的
には、Z軸やX軸の回転方向(ωX)の調整は測量器や
水準器を用いて行なわれ、X軸やZ軸の回転方向(ω
Z)の調整は、シート状のSRビームの特性を利用して
行なわれ、X方向に駆動可能な部材にX線ディテクタを
装着し、X方向のビームのずれ(けられ)やX方向に駆
動中にX線ディテクタの出力が変化しないようにωZを
調整することにより実現される。また、Y軸の回転方向
(ωY)の調整は、ミラー保持部104の前後に所定の
位置関係でスリット部材を設置し、下流側のスリットの
後方にX線ディテクタを配置し、ωY軸を駆動して、X
線ディテクタの出力が最大になるようにすることで実現
されている。そして、Y軸に関しては、シート状のSR
ビームとミラー反射面のY方向のずれにより、マスクに
照射されるX線の強度が大きく変動するため、変動する
SRビームに対してミラー面が相対的にずれないよう
に、ミラー保持部104に固定されたビーム位置センサ
ー106の出力によりY方向の相対的位置ずれ量を検出
し、その検出結果に基づいて制御手段108によりミラ
ー駆動手段105を駆動制御し、ミラー面の位置を調整
している。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来技術では、SRビームが集光されていないために
充分な露光強度が得られず、スループット的に充分とは
いえない。その点に鑑み、露光時間を短縮し、露光装置
のスループットを向上するためにより強い強度のX線を
露光装置に供給する必要がある。そのためにはSRビー
ムを集光するような光学系が有効である。しかし、X線
の強度を大きくすると、マスクの熱膨張によるパターン
の移動が生じ、重ね合わせ精度の低下や線幅精度の低下
が起こる。これを避けるためにはマスク全面を均一な強
度のX線で一括に露光する方法が有効である。これらを
実現するためには、少なくとも2枚のX線ミラーを用
い、1枚目のミラーでSRビームを集光し、2枚目のミ
ラーでY方向に拡大する照明系が考えられる。しかしな
がら、このような照明系においては、2枚のX線ミラー
のいずれにおいても、SRビームとミラーのY方向のず
れだけではなく、その他の方向のずれによってもマスク
面上でのX線の強度分布が不均一となる原因になり得
る。
【0005】この理由は、SRビームを集光するX線照
明系ではX線ミラーの反射面のX方向は曲率をもってお
り、具体的には、X方向に凹面になっており、そのため
Y方向以外のSRビームと反射面のずれでもマスク面上
のX線強度分布が2次元的に変動するからである。した
がって、X線強度分布に対して敏感な軸に関しては、S
Rビームの光軸とミラー面の位置ずれ量を検出する光軸
検出器が必要であり、さらに、初期設置時はこれらのデ
ィテクタの取り付け誤差を計測し、補正しなければなら
ないけれども、その精度も厳しく、補正する軸も多いた
めに、マスク面上の強度分布を計測して、各軸に分離す
るのは非常に難しいのみならず、大変な労力を必要とす
る。特に、第1ミラーの位置決め精度は殆どの軸が大変
厳しい。
【0006】そこで、本発明は、上記の従来技術の有す
る未解決の課題に鑑みてなされたものであって、設置精
度が厳しい集光一括照明装置のSRビームの光軸と第1
ミラーの初期設置作業を容易に行なうことができ、そし
て集光されて高強度で均一なX線をX線露光装置へ供給
することができるようになしたX線集光一括照明装置お
よびこのX線集光一括照明装置を備えたX線露光装置な
らびにデバイス製造方法を提供することを目的とするも
のである。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のX線集光一括照明装置は、シンクロトロン
放射光を光源として、2枚のミラーからなるX線集光一
括照明装置において、第2ミラー近傍に第1ミラーの反
射光の強度分布をモニタする手段を設けたことを特徴と
する。
【0008】さらに、本発明のX線集光一括照明装置
は、シンクロトロン放射光を光源として、2枚のミラー
からなるX線集光一括照明装置において、シンクロトロ
ン放射光の光軸に対する相対的な位置ずれおよび角度ず
れを検出する検出器を第1ミラーに所定の関係で固定
し、第2ミラー近傍に第1ミラーの反射光の強度分布を
モニタする手段を設け、さらに、前記強度分布をモニタ
する手段の出力が光学設計値に等しくなるように前記第
1ミラーを駆動調整する手段、および前記第1ミラーの
駆動調整により前記強度分布をモニタする手段の出力が
光学設計値に等しくなったときに前記検出器により検出
される相対的な位置ずれおよび角度ずれの検出値をオフ
セットとして保存し、これを指令値として第1ミラーの
姿勢を制御する制御手段を有することを特徴とする。
【0009】そして、本発明のX線集光一括照明装置に
おいては、第1ミラーの反射光の強度分布をモニタする
手段を、CCD、蛍光板、X線ディテクタアレイ、また
は強度分布範囲内において移動可能なX線ディテクタで
構成することが好ましく、また、第1ミラーの反射光の
強度分布をモニタする手段を上下動しうるように構成す
ることが好ましい。
【0010】また、本発明のX線露光装置は、請求項1
ないし7のいずれか1項に記載のX線集光一括照明装置
を備えたことを特徴とする。
【0011】さらに、本発明のデバイス製造方法は、請
求項8記載のX線露光装置を用いてデバイスを製造する
ことを特徴とする。
【0012】
【作用】シンクロトロン放射光を光源として、2枚のX
線ミラーを用いて、シンクロトロン放射光ビームを集光
しかつ拡大して、露光画角全面に一括で均一な強度のX
線を供給するX線集光一括照明装置において、第2ミラ
ー近傍に第1ミラーの反射光の強度分布をモニタする手
段を設けることにより、設置精度が厳しい集光一括照明
系のミラーの初期設置および設置状態の確認を容易に行
なうことができる。
【0013】さらに、シンクロトロン放射光ビームに対
する第1および第2のミラーを精度良く位置合わせする
ことができ、集光されて高強度で強度ムラの少ない均一
な照明光を露光装置の露光画角全面に一括でX線を供給
することができ、スループットを向上させ、露光ムラの
少ない露光を行なうことができる。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
いて説明する。
【0015】図1は本発明のX線集光一括照明装置を備
えたX線露光システムを示す概略的構成図であり、図2
は同じく本発明のX線集光一括照明装置を備えたX線露
光システムを部分的に破断して示す概略的側面図であ
る。図示するX線集光一括照明装置は2枚のX線ミラー
を用いて電子蓄積リングから放射されるシンクロトロン
放射光(以下、SRという。)のX方向を集光し、Y方
向を拡大して、マスク全面を一括で照明するものであ
る。
【0016】図1および図2において、1はX線露光シ
ステムの光源である電子蓄積リングであり、シート状の
SRビーム2を放射する。シート状のSRビーム2は、
反射面がX方向に凹面に形成されている第1ミラー3に
よりX方向に集光される。第1ミラー3は第1ミラー保
持部4に保持され、制御手段8に接続された第1駆動手
段5によって第1ミラー3の位置や姿勢を駆動調整され
るように構成され、また、位置センサ6と角度センサ7
が第1ミラー3に対して所定の関係となるように第1ミ
ラー保持部4に取り付けられている。これらの位置セン
サ6と角度センサ7は、第1ミラー3に対するシート状
のSRビーム2の相対位置と相対角度をそれぞれ検出
し、これらの検出信号を制御手段8に送出する。制御手
段8は、これらの検出結果に基づいて第1ミラー3とシ
ート状のSRビーム2の相対位置ずれを演算し、その演
算結果により第1ミラー駆動手段5に指令を出すことに
より、第1ミラー3とシート状のSRビーム2を所定の
位置関係に維持するように構成されている。
【0017】第1ミラー3で集光反射されたシート状の
SRビーム2は、第2ミラー9にてY方向に拡大反射さ
れ、第2ミラー9は、第1ミラー3と同様に、第2ミラ
ー保持部10に保持され、そして第2ミラー駆動手段1
1によりその位置や姿勢が駆動調整される。なお、電子
蓄積リング1から放射されるSRビーム2の露光光軸
は、図2に図示するように、露光装置側に至るまで超高
真空雰囲気に保たれたビームライン22、23、24内
を通り、また、第1ミラーおよび第2ミラーはそれぞれ
第1および第2の超高真空チャンンバー25、26内に
配置されている。そして、27は露光雰囲気に保持され
た露光チャンバーである。
【0018】第2ミラー9により拡大反射されたSRビ
ームは、超高真空雰囲気と露光雰囲気を隔絶するX線取
り出し窓12を透過して、原版であるマスク13に描か
れた回路パターンをレジストが塗布された基板であるウ
エハ14に露光転写する。ウエハ14はウエハチャック
15に保持され、ウエハステージ16によりXY平面に
移動可能である。そして、ウエハステージ16上にはピ
ンホール付きのX線ディテクタ17が取り付けられてお
り、露光画角内を走査することによりマスク13面に照
射される露光光の強度分布を計測しうるように構成され
ている。
【0019】シート状のSRビーム2と第1ミラー3お
よび第2ミラー9の位置関係は、高精度に合致されてい
なければ、マスク13面上において均一な露光強度を得
ることができない。ところで、従来は、特に初期設置に
際して、マスク13面上において、露光光強度が均一で
あるか否かをウエハステージ16上のピンホール付きの
X線ディテクタ17を露光画角内で走査することにより
強度分布を計測しながら、第1ミラー3および第2ミラ
ー9の各軸を調整していたけれども、調整すべき軸が多
いために非常に大きな手間を要していた。
【0020】そこで、本発明においては、図1および図
2に示すように、第2の超高真空チャンンバー26内に
おいて、第2ミラー9の直前にシート状のSRビーム2
の強度分布を計測することができるX線CCD18を挿
入し、第1ミラー3の反射光の強度分布を計測し、その
強度分布が光学設計とおりになるように、制御手段8を
介して第1ミラー駆動手段5を駆動させ、第1ミラー3
の姿勢を調整するように構成する。なお、X線CCD1
8は、第1ミラー3の反射前のシート状のSRビーム2
に対してωZ方向に高精度に調整されている必要があ
る。そこで、X線CCD18のシート状のSRビーム2
に対するωZ方向のずれを検出し調整するために、X線
CCD18をY方向に高精度な真直度を有するYステー
ジ20上に搭載し、X線CCD18をωZ調整位置(図
2において実線で示す上方位置)と第1ミラー調整位置
(図2において破線で示す下方位置)との間をωZ方向
にずれることなく移動可能に配設する。そして、第1ミ
ラー3と第2ミラー9との間には、通常のビームライン
23の他に第1ミラー3をシート状のSRビーム2の光
軸を妨げないようにY方向に退避させたときにシート状
のSRビーム2が直進する位置に調整専用のビームライ
ン21を設けてある。そこで、X線CCD18の第1ミ
ラー3の反射前のシート状のSRビーム2に対するωZ
方向の調整について、図3に基づいて説明する。X線C
CD18を図3に図示するωZ調整位置に位置付け、そ
して、第1ミラー3をシート状のSRビーム2の光軸を
妨げないようにY方向に退避させることにより、シート
状のSRビーム2は調整専用のビームライン21を通っ
てX線CCD18に直接入射する。X線CCD18は、
シート状のSRビーム2の強度分布を検出して、シート
状のSRビーム2とX線CCD18の相対的なωZ方向
のずれ量(相対角度)を計測する。このωZ方向のずれ
量(相対角度)に基づいてX線CCD18の姿勢を再調
整するか、あるいはこのずれ量(相対角度)を保存して
第1ミラー調整時の補正量として用いることができる。
【0021】X線CCD18およびYステージ20は、
第2の超高真空チャンンバー26に固定的に設置するこ
ともできるが、これらを一体として着脱自在に設置し
て、初期設置時の調整や設置状態の確認時に適宜装着し
て用いるようにすることもでき、このように着脱自在に
設けることにより治具として他の照明装置の調整にも使
用することが可能となる。また、第1ミラー3と第2ミ
ラー9との間には、通常のビームライン23の他に第1
ミラー3をシート状のSRビーム2の光軸を妨げないよ
うにY方向に退避させたときにシート状のSRビーム2
が直進する位置に調整専用のビームライン21を設けて
あるけれども、この調整専用のビームライン21は、露
光光軸と兼用できるようにベローズを有し、下流側を適
宜移動させて付け替えることができるような機構を備え
たビームラインとすることができ、さらに、下流側を大
きく拡大させた一つのビームラインで構成することもで
きる。また、本実施例においては、強度分布をモニタす
る手段として、X線CCDを用いているが、同様の計測
を行なうことができる蛍光板、X線ディテクタアレイ、
あるいはXY平面で移動可能なX線ディテクタを用いる
こともできる。
【0022】以上のように構成された本発明のX線露光
システムにおけるX線集光一括照明装置の初期設置時の
調整手順を図6に沿って説明する。
【0023】先ず、前述したようにX線CCD18の第
1ミラー3の反射前のシート状のSRビーム2に対する
ωZ方向の調整を行なうべく、X線CCD18をωZ調
整位置に位置付け、そして、第1ミラー3をシート状の
SRビーム2の光軸を妨げないようにY方向に退避させ
(ステップ2)、X線CCD18はシート状のSRビー
ム2の強度分布を検出し、シート状SRビーム2とX線
CCD18の相対的なωZ方向のずれ量(相対角度)を
計測する(ステップ3)(図3参照)。このωZ方向の
ずれ量(相対角度)に基づいてX線CCD18の姿勢を
調整するか、あるいはこのずれ量(相対角度)を第1ミ
ラー調整時の補正量として用いるように保存する(ステ
ップ4)。
【0024】その後に、図4に示すように、X線CCD
18を第1ミラー調整位置に移動させ、そして第1ミラ
ー3をシート状のSRビーム2光軸上に移動させ、X線
CCD18により第1ミラー3の反射光の強度分布を検
出する(ステップ5)。X線CCD18により検出され
るシート状のSRビームの強度分布を図5に図示する。
図5の(a)は光学設計から得られる理想的な強度分布
(Po)に実際の強度分布(P)が合致している状態を
示し、第1ミラーの各軸が最適な状態に調整されている
ことを意味するものである。図5の(b)は、X線CC
D18により検出されるSRビームの強度分布(P)が
同図(a)の光学設計とおりの理想的な強度分布(P
o)に対してY方向にずれていることを示す。この原因
としては、第1ミラーのY、Z、ωX軸のずれが考えら
れるが、主にωXに対して敏感に変化する。図5の
(c)は、X線CCD18により検出されるSRビーム
の強度分布(P)が同図(a)の光学設計とおりの理想
的な強度分布(Po)に対してωZ方向にずれているこ
とを示す。この原因としては、第1ミラーのX、ωY、
ωZ軸のずれが考えられるが、主にωYに対して敏感に
変化する。このようなSRビームの強度分布の光学設計
通りの理想的な強度分布に対するずれの検出結果に基づ
いて、X線CCD18上の強度分布が設計とおりになる
ように、制御手段8を介して第1ミラー駆動手段5を駆
動させ、第1ミラー3を駆動調整させて各軸の調整を行
なう(ステップ6)。このような各軸の調整によって理
想の強度分布が得られたときに(ステップ7)、その状
態における位置センサ6および角度センサ7の検出値を
保存しておく(ステップ8)。このように、この位置セ
ンサ6および角度センサ7の検出値をオフセットとして
保存しておくことにより、これを指令値として制御手段
8が第1ミラー駆動手段5に指令を出すことで、シート
状のSRビーム2と第1ミラー3の位置関係を一定に保
つことができる。
【0025】このように第1ミラー3を位置合わせした
後に、X線CCD18を退避させ、第2ミラー9にシー
ト状のSRビーム2を導入し(ステップ9)、第2ミラ
ー9により拡大されたSRビーム2は、図1および図2
に示すように、原版であるマスク13全面を照射する。
マスク13面上でのSRビームの強度分布は、ウエハス
テージ16上に設けたX線ディテクタ17により、ある
いは、実際に露光することでモニタしながら計測され、
第2ミラー9の各軸の調整を適宜行なう(ステップ1
0)。
【0026】そして、マスク面上での強度分布が所定の
誤差範囲あるいは許容範囲に入らない場合は、ステップ
12において、第2ミラー9のずれによる強度分布であ
れば、ステップ9ないしステップ11を繰り返し、ある
いは第2ミラー9のずれに基づくものでない場合には、
再度第1ミラー3のX線CCD18での測定に対して鈍
感な軸の再調整する(ステップ6ないしステップ11)
ようにすることができる。
【0027】このように第1ミラーと第2ミラーの調整
を分けて行なうことにより比較的容易に初期設置を行な
うことができ、また、地震等の発生した際の設置状態の
確認も同様な方法、手順で容易に行なうことができる。
【0028】次に、上述したX線露光システムを利用し
たデバイスの製造方法の実施形態を説明する。
【0029】図7は、微小デバイス(ICやLSI等の
半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッド、
マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステップ2
1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行なう。
ステップ22(マスク製作)では設計したパターンを形
成したマスクを製作する。一方、ステップ23(ウエハ
製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ24(ウエハプロセス)は前工程と
呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグ
ラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ25(組み立て)は後工程と呼ばれ、ステ
ップ24によって作製されたウエハを用いて半導体チッ
プ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、
ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等
の工程を含む。ステップ26(検査)ではステップ25
で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性
テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デ
バイスが完成し、これが出荷(ステップ27)される。
【0030】図8は、上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ31(酸化)ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ32(CVD)ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ33(電極形成)ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ34(イオ
ン打込み)ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ3
5(レジスト処理)ではウエハにレジストを塗布する。
ステップ36(露光)では上記説明した露光システムに
よってマスクの回路パターンをウエハの複数のショット
領域に並べて焼付露光する。ステップ37(現像)では
露光したウエハを現像する。ステップ38(エッチン
グ)では現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ス
テップ39(レジスト剥離)ではエッチングが済んで不
要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰
り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パタ
ーンが形成される。
【0031】本実施例の製造方法を用いれば、従来は製
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。
【0032】
【発明の効果】本発明は、上述したように構成されてい
るので、第2ミラーの近傍にX線CCD等のシートビー
ムの強度分布をモニタする手段を設置することで、設置
精度が厳しい集光一括照明系のミラーの初期設置および
設置状態の確認を容易に行なうことができる。そして、
シートビームに対する第1および第2のミラーを精度良
く位置合わせすることができ、集光されて高強度で強度
ムラの少ない均一な照明光を露光装置の露光画角全面に
一括でX線を供給することができ、スループットが高
く、露光ムラの少ない露光を行なうことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のX線集光一括照明装置を備えたX線露
光システムを示す概略的構成図である。
【図2】本発明のX線集光一括照明装置を備えたX線露
光システムを部分的に破断して示す概略的側面図であ
る。
【図3】X線集光一括照明装置において、X線CCDと
SRビームの相対角度を計測している状態を示す概略的
な側面図である。
【図4】X線集光一括照明装置において、X線CCDに
より第1ミラーを調整する状態を示す概略的な側面図で
ある。
【図5】X線集光一括照明装置におけるX線CCDによ
り検出されるSRビームの強度分布を説明する説明図で
ある。
【図6】本発明のX線露光システムにおけるX線集光一
括照明装置の初期設置時の調整手順を示すフロー図であ
る。
【図7】半導体デバイスの製造工程を示すフローチャー
トである。
【図8】ウエハプロセスを示すフローチャートである。
【図9】従来のX線露光システムの構成を示す概略図で
ある。
【符号の説明】
1 電子蓄積リング(光源) 2 シンクロトロン放射光ビーム(SRビーム) 3 第1ミラー 5 第1ミラー駆動手段 6 位置センサ 7 角度センサ 8 制御手段 9 第2ミラー 11 第2ミラー駆動手段 12 X線取り出し窓 13 マスク(原版) 14 ウエハ(基板) 16 ウエハステージ 17 X線ディテクタ 18 X線CCD(強度分布モニタ手段) 20 (X線CCD用)Yステージ 21 調整専用ビームライン 22、23、24 ビームライン 25、26 超高真空チャンバー

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 シンクロトロン放射光を光源として、2
    枚のミラーからなるX線集光一括照明装置において、第
    2ミラー近傍に第1ミラーの反射光の強度分布をモニタ
    する手段を設けたことを特徴とするX線集光一括照明装
    置。
  2. 【請求項2】 シンクロトロン放射光を光源として、2
    枚のミラーからなるX線集光一括照明装置において、シ
    ンクロトロン放射光の光軸に対する相対的な位置ずれお
    よび角度ずれを検出する検出器を第1ミラーに所定の関
    係で固定し、第2ミラー近傍に第1ミラーの反射光の強
    度分布をモニタする手段を設け、さらに、前記強度分布
    をモニタする手段の出力が光学設計値に等しくなるよう
    に前記第1ミラーを駆動調整する手段、および前記第1
    ミラーの駆動調整により前記強度分布をモニタする手段
    の出力が光学設計値に等しくなったときに前記検出器に
    より検出される相対的な位置ずれおよび角度ずれの検出
    値をオフセットとして保存し、これを指令値として第1
    ミラーの姿勢を制御する制御手段を有することを特徴と
    するX線集光一括照明装置。
  3. 【請求項3】 第1ミラーの反射光の強度分布をモニタ
    する手段はCCDであることを特徴とする請求項1また
    は2記載のX線集光一括照明装置。
  4. 【請求項4】 第1ミラーの反射光の強度分布をモニタ
    する手段は蛍光板であることを特徴とする請求項1また
    は2記載のX線集光一括照明装置。
  5. 【請求項5】 第1ミラーの反射光の強度分布をモニタ
    する手段はX線ディテクタアレイであることを特徴とす
    る請求項1または2記載のX線集光一括照明装置。
  6. 【請求項6】 第1ミラーの反射光の強度分布をモニタ
    する手段は強度分布範囲内において移動可能なX線ディ
    テクタであることを特徴とする請求項1または2記載の
    X線集光一括照明装置。
  7. 【請求項7】 第1ミラーの反射光の強度分布をモニタ
    する手段を第2ミラーの近傍で上下動させる機構をさら
    に有する請求項1ないし6のいずれか1項に記載のX線
    集光一括照明装置。
  8. 【請求項8】 請求項1ないし7のいずれか1項に記載
    のX線集光一括照明装置を備えたことを特徴とするX線
    露光装置。
  9. 【請求項9】 請求項8記載のX線露光装置を用いてデ
    バイスを製造することを特徴とするデバイス製造方法。
JP9196564A 1997-07-07 1997-07-07 強度分布モニタ手段を有するx線集光一括照明装置および該x線集光一括照明装置を備えたx線露光装置ならびにデバイス製造方法 Pending JPH1126375A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7108960B2 (en) 2002-08-30 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

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