JPH11260795A - 表面加工装置 - Google Patents

表面加工装置

Info

Publication number
JPH11260795A
JPH11260795A JP6497398A JP6497398A JPH11260795A JP H11260795 A JPH11260795 A JP H11260795A JP 6497398 A JP6497398 A JP 6497398A JP 6497398 A JP6497398 A JP 6497398A JP H11260795 A JPH11260795 A JP H11260795A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wall
air
vacuum vessel
trenches
heater
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6497398A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Niimoto
健二 新本
Hiroshi Miyazaki
博史 宮▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP6497398A priority Critical patent/JPH11260795A/ja
Publication of JPH11260795A publication Critical patent/JPH11260795A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明の目的は、誘導結合プラズマを用いた半
導体のエッチングにおいて、真空容器を容易に加熱する
手段を提供することである。 【解決手段】プラズマを用いる表面加工装置で、溝加工
をした2重構造の真空容器に加熱した空気を流す。 【効果】半導体素子のエッチング加工において、ファラ
デーシルド方式の誘導結合プラズマ処理装置の真空容器
を容易に加熱できる。これにより、エッチングにおける
処理室壁面の影響を抑えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の表面加
工装置にかかわり、特にプラズマを用いて半導体表面の
エッチングを行う表面加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体素子は反応性プラズマエッチング
によって加工されている。エッチングによって発生した
反応生成物の大部分は真空ポンプにより処理室外に排気
されるが、一部分が処理室内壁に付着し残留する。処理
室内壁に付着した反応生成物は、再びプラズマ中に脱離
してエッチング特性を変化させたり、固体状態でウエハ
上に落下し異物になる。そこで、エッチングにおいて処
理室内壁の影響を抑えるため、処理室を加熱して反応生
成物の吸着を抑制している。加熱手段はプラズマ源の種
類によって異なる。ECRプラズマ装置では抵抗ヒータ
を真空容器に巻き付け、これに通電することで加熱して
いる。誘導結合プラズマ装置では赤外線ランプ又は処理
室全体を恒温槽で囲み内部に設けたヒータで加熱してい
る。
【0003】尚、この種の装置として関連するものに
は、例えば、特開平8ー153702号公報等がかかげ
られる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】誘導結合プラズマ型エ
ッチング装置では、真空容器外側に設置した電磁コイル
にrf電力を印加し高密度プラズマを得る。電磁コイル
がプラズマと容量結合するとバイアス電圧が発生し、加
速されたイオンが処理室壁面に衝突してエッチング室の
壁を削ることが問題になる。壁削れを防止するため電磁
コイルと処理室の間にファラデーシールド(特開平8−1
53702)を設けて、壁面バイアスを低減する方法が提案
されている。ところが、ファラデーシールドは金属製で
あり赤外線が通過しないため、処理室加熱に赤外線ラン
プは使用できない。処理室加熱に抵抗ヒータを用いる
と、ヒータ線に誘導電流が発生してヒータ電源が故障す
る。処理室全体を恒温槽で囲むと装置容積が大きくなっ
てしまうという問題がある。
【0005】本発明の目的は、処理室壁面の影響を抑制
できるファラデーシールドを利用する誘導結合プラズマ
装置に適した処理室壁面の加熱手段を提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】理室容器の壁内部に空気
を流す溝加工をし、外部で加熱した空気を処理室の溝に
強制対流させることにより、達成できる。
【0007】
【発明の実施の形態】実施例1 以下、本発明の一実施例を図1により説明する。
【0008】図1は本発明を適用する誘導結合型プラズ
マエッチング装置の全体構成図である。図1において、
アルミナ製真空容器101の外周に設置した電磁コイル102
に数百kHzから数十MHzの電力を高周波電源103より印加
して、プラズマを発生させた。ファラデーシールド104
に接続されるコンデンサ105を調整して壁バイアスを低
減し壁削れを抑えた。真空容器101の上部には、内側に3
0×5mm程度の溝106を加工した上蓋107を載せてある。
溝106はヒータ108及びポンプ109に配管110で接続されて
いる。また、配管110には通常開のバルブ111と通常閉の
バルブ112及び熱電対113が配置され、空気が充填されて
いる。熱電対113は真空容器内壁の溝106を循環した空気
の温度を測定する。ポンプ109より200l/minで送風した
空気を最大出力1kWのヒータ108を用いて300℃まで加熱
し、真空容器内壁の溝106に循環させて真空容器壁面を
加熱した。真空容器壁面は80〜100℃の範囲内の所定の
温度に加熱したいため、真空容器内壁の溝106を循環し
た空気を熱電対113で温度測定しながらヒータ108の電力
をPID制御した。冷却が必要な場合は、加熱に用いた
空気を外気と入れ替えた。まず最初にバルブ111を閉、
バルブ112を開にして加熱された空気をバルブ112より排
気した。次に、バルブ111を開にすることで新たな外気
を循環した。真空容器101の熱を吸収した空気を新たな
空気へ交換する作業を繰り返すことにより短時間で冷却
した。電磁コイル102は真空容器上部に設置されていて
も同様である。
【0009】
【発明の効果】以上のように本発明により、誘導結合プ
ラズマを利用する表面加工装置において真空容器が赤外
線透過性の場合、あるいはファラデーシールドによって
隔離されている場合でも真空容器を容易に加熱すること
ができ、処理室壁面の影響がない優れたエッチングが可
能になった。
【0010】なお、本発明ではヒータに通電しない場合
は循環空気が冷却作用を示すので、プラズマ加熱による
壁面の温度上昇を抑制し、高度な温度制御を実現した。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用する装置の全体構成図である。
【符号の説明】
101…真空容器、102…電磁コイル、103…高周波電源、1
04…ファラデーシールド、105…コンデンサ、106…
溝、107…上蓋、108…ヒータ、109…ポンプ、110…配
管、111…バルブ、112…バルブ、113-熱電対、114-試
料、115-試料台。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】真空容器とその中にプラズマを発生させる
    手段と、前記プラズマにより表面加工される試料を設置
    する試料台とをもつ表面加工装置において、前記真空容
    器を加熱する手段として空気を用いることを特徴とする
    表面加工装置。
  2. 【請求項2】請求項1記載の表面加工装置において、前
    記真空容器の加熱手段として、加熱した空気を容器内壁
    に設けた溝に強制対流するように構成したことを特徴と
    する表面加工装置。
JP6497398A 1998-03-16 1998-03-16 表面加工装置 Pending JPH11260795A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6497398A JPH11260795A (ja) 1998-03-16 1998-03-16 表面加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6497398A JPH11260795A (ja) 1998-03-16 1998-03-16 表面加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11260795A true JPH11260795A (ja) 1999-09-24

Family

ID=13273511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6497398A Pending JPH11260795A (ja) 1998-03-16 1998-03-16 表面加工装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11260795A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104302084A (zh) * 2013-07-17 2015-01-21 朗姆研究公司 空气冷却的法拉第屏蔽罩和使用该屏蔽罩的方法
KR20200122085A (ko) * 2019-04-17 2020-10-27 주식회사 엘지화학 파라데이 상자 및 이를 이용한 플라즈마 식각 방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104302084A (zh) * 2013-07-17 2015-01-21 朗姆研究公司 空气冷却的法拉第屏蔽罩和使用该屏蔽罩的方法
KR20200122085A (ko) * 2019-04-17 2020-10-27 주식회사 엘지화학 파라데이 상자 및 이를 이용한 플라즈마 식각 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5863582B2 (ja) プラズマ処理装置、及び温度制御方法
US20130075390A1 (en) Microwave processing apparatus and method for processing object to be processed
WO2013073537A1 (ja) 温度制御システム、半導体製造装置及び温度制御方法
JP6488164B2 (ja) プラズマ処理装置
US20130062341A1 (en) Microwave processing apparatus and control method thereof
KR100876692B1 (ko) 기판처리장치
US11894219B2 (en) Method for processing substrate
JP6296787B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR102496831B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
US5651826A (en) Plasma processing apparatus
JP2011077065A (ja) 熱処理装置
KR101744847B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
KR950006971A (ko) 반도체 재료를 균일하게 처리하기 위한 방법 및 장치
US20140034636A1 (en) Microwave irradiation apparatus
US10896832B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2014036142A (ja) マイクロ波処理装置の洗浄方法
JPH11260795A (ja) 表面加工装置
JP7422531B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JPH07254500A (ja) プラズマ処理装置
JP2008053489A (ja) 基板処理装置
JP2011091389A (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR20010101716A (ko) 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법
EP2573797A2 (en) Microwave processing apparatus and method for processing object to be processed
KR102503252B1 (ko) 진공 처리 장치
JP2001057360A (ja) プラズマ処理装置