JPH11260742A - Heat treating equipment - Google Patents
Heat treating equipmentInfo
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- JPH11260742A JPH11260742A JP6095698A JP6095698A JPH11260742A JP H11260742 A JPH11260742 A JP H11260742A JP 6095698 A JP6095698 A JP 6095698A JP 6095698 A JP6095698 A JP 6095698A JP H11260742 A JPH11260742 A JP H11260742A
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- opening
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- gas
- processing chamber
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、例えば、半導体
製造装置等における熱処理装置に関し、特に、被熱処理
物を熱処理する処理チャンバと、前記被熱処理物を処理
チャンバに搬入するために使用される搬送チャンバとを
備え、前記両チャンバ間に前記被熱処理物を出し入れす
るための開口部と該開口部を開閉するためのゲートを備
えてなる熱処理装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a heat treatment apparatus, for example, in a semiconductor manufacturing apparatus and the like, and more particularly, to a processing chamber for heat-treating an object to be heat-treated and a transfer chamber used to carry the object to be heat-treated into the processing chamber. The present invention relates to a heat treatment apparatus comprising: a chamber; and an opening for taking the object to be heated in and out between the two chambers, and a gate for opening and closing the opening.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図２は従来の熱処理装置を示す断面側面
図である。従来の熱処理装置は、図２に示すように、処
理チャンバ１にガスポート２、排気口３、ヒータ４を備
え、処理チャンバ１に隣接して設けられた搬送チャンバ
５にガスポート６、排気口７、搬送ロボット８を備えて
いる。2. Description of the Related Art FIG. 2 is a sectional side view showing a conventional heat treatment apparatus. As shown in FIG. 2, the conventional heat treatment apparatus includes a processing chamber 1 having a gas port 2, an exhaust port 3, and a heater 4, and a transfer chamber 5 provided adjacent to the processing chamber 1 has a gas port 6, an exhaust port. 7, a transfer robot 8 is provided.
【０００３】搬送チャンバ５と外部との間には開口部９
が設けられ、ここに、開口部９を開閉するためのゲート
バルブ１０が設けられている。また、搬送チャンバ５と
処理チャンバ１との間には、開口部１１が設けられ、こ
こに開口部１１を開閉するためのゲートバルブ１２が設
けられている。そして、各チャンバ１、５は、共に図示
しないＯリングシール等により、気密性が保てる構造と
なっている。An opening 9 is provided between the transfer chamber 5 and the outside.
, And a gate valve 10 for opening and closing the opening 9 is provided here. An opening 11 is provided between the transfer chamber 5 and the processing chamber 1, and a gate valve 12 for opening and closing the opening 11 is provided here. Each of the chambers 1 and 5 has a structure that can maintain airtightness by an O-ring seal or the like (not shown).
【０００４】以下、従来の熱処理装置の動作について説
明する。各チャンバ１、５共、通常はガスポート２、６
からＮ2 ガスがパージされ、排気口３、７から図示しな
い排気ダクトに引かれている。ウェーハ１３は、搬送ロ
ボット８により常温の搬送チャンバ５から高温（中心部
温度約１０００°Ｃ）の処理チャンバ１に移され、ガス
ポート２から供給されるプロセスガスにより処理され
る。[0004] The operation of the conventional heat treatment apparatus will be described below. Both chambers 1 and 5 usually have gas ports 2 and 6
N 2 gas is purged from the exhaust ports 3 and 7 and drawn into an exhaust duct (not shown). The wafer 13 is transferred by the transfer robot 8 from the transfer chamber 5 at normal temperature to the processing chamber 1 at a high temperature (the central temperature is about 1000 ° C.), and is processed by the process gas supplied from the gas port 2.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】かかる熱処理装置にお
けるウェーハ処理中は、両チャンバ１、５内の温度差が
大きくなっているため、ゲートバルブ１２が開となると
きに、処置チャンバ１から搬送チャンバ５に熱が逃げ、
処理チャンバ１内のウェーハ１３が部分的に急冷却さ
れ、例えば、内部と表面、あるいは開口部１１側とその
反対側に温度差が生じ、ウェーハ１３にスリップ（亀
裂）が発生する。During the wafer processing in such a heat treatment apparatus, since the temperature difference between the two chambers 1 and 5 is large, when the gate valve 12 is opened, the processing chamber 1 moves to the transfer chamber. The heat escapes to 5,
The wafer 13 in the processing chamber 1 is partially rapidly cooled, and for example, a temperature difference occurs between the inside and the surface, or between the opening 11 side and the opposite side, and a slip (crack) occurs in the wafer 13.
【０００６】そこで、この発明の目的は、処理チャンバ
から搬送チャンバへの熱の逃げによりウェーハ等の被熱
処理物にスリップが生じるという問題点を解決し、スリ
ップフリーの熱処理装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to solve the problem that heat is released from a processing chamber to a transfer chamber to cause a slip on a heat-treated object such as a wafer, and to provide a slip-free heat treatment apparatus. .
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、この発明は、被熱処理物（例えばウェーハ１３）
を熱処理する処理チャンバ１と、前記被熱処理物を処理
チャンバ１に搬入するために使用される搬送チャンバ５
とを備え、前記両チャンバ間に前記被熱処理物を出し入
れするための開口部１１と該開口部１１を開閉するため
のゲート（ゲートバルブ１２）を備えてなる熱処理装置
において、前記開口部１１を開けるに際し、前記処理チ
ャンバ１側の熱が前記開口部１１を通して前記搬送チャ
ンバ５側に逃げるのを防止するため、予め前記搬送チャ
ンバ５側の開口部１１の付近に加熱されたパージ用のガ
ス（例えばホットＮ2 ）を供給するための手段を備える
ようにしたものである。In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides an object to be heat-treated (for example, a wafer 13).
And a transfer chamber 5 used to carry the object to be processed into the processing chamber 1.
And a gate (gate valve 12) for opening and closing the object to be heat-treated between the two chambers and for opening and closing the object. When opening, in order to prevent the heat of the processing chamber 1 from escaping to the transfer chamber 5 side through the opening 11, a purge gas (which is heated in the vicinity of the opening 11 of the transfer chamber 5 in advance) is used. For example, a means for supplying hot N 2 ) is provided.
【０００８】このような構成によれば、ゲートにより開
口部１１を開いても、搬送チャンバ５側における開口部
付近は、温度の高い雰囲気となっているため、処理チャ
ンバ１側から搬送チャンバ５側に大きな熱量が逃げるの
を防止でき、従って、被熱処理物が急冷却されるのを防
止できて、スリップ等の発生が防止できる。According to such a configuration, even if the opening 11 is opened by the gate, the vicinity of the opening on the side of the transfer chamber 5 has a high temperature atmosphere. A large amount of heat can be prevented from escaping, so that the object to be heat-treated can be prevented from being rapidly cooled, and the occurrence of slip or the like can be prevented.
【０００９】なお、この発明の実施の形態では、加熱さ
れたガス（ホットＮ2 ガス）は開口部１１付近に設けら
れたガスポート（ホットＮ2 ガス供給用ガスポート１
５）により供給され、さらに、このガスポート１５（開
口部１１）付近をホットＮ2 ガス供給用ガスポート１５
と共に搬送チャンバ５側より仕切り、仕切り室５ａを形
成するための仕切り板１６が設けられる。この仕切り板
１６は、ガスポート６とホットＮ2 ガス供給用ガスポー
ト１５との間における搬送チャンバ５の周囲壁より立設
され、その中央部に被加熱物（ウェーハ）搬送用の開口
部１６ａが設けられている。そして、この仕切り板１６
により仕切られてなる仕切り室５ａ内には、上述のよう
に、ガスポート１５と排気口７と開口部１１及びそのゲ
ートバルブ１２が位置するよう構成される。In the embodiment of the present invention, the heated gas (hot N 2 gas) is supplied to a gas port (hot N 2 gas supply gas port 1) provided near the opening 11.
5), and the vicinity of the gas port 15 (opening 11) is located near the gas port 15 for hot N 2 gas supply.
At the same time, a partition plate 16 for partitioning from the transfer chamber 5 side and forming the partition chamber 5a is provided. The partition plate 16 is erected from the peripheral wall of the transfer chamber 5 between the gas port 6 and the hot N 2 gas supply gas port 15, and has an opening 16 a for transferring an object to be heated (wafer) in the center thereof. Is provided. And this partition plate 16
As described above, the gas port 15, the exhaust port 7, the opening 11, and the gate valve 12 thereof are located in the partitioning chamber 5 a partitioned by.
【００１０】このような構成によれば、加熱されたガス
供給により、開口部１１付近を効率的に高温雰囲気とす
ることができ、処理チャンバ１からの熱の逃げを効率的
に防止することができる。さらに、一方で、仕切り板１
６は加熱されたガスが搬送チャンバ５側全域に及ぶのを
防止することができ、例えば搬送チャンバ１内に設けら
れる搬送ロボット８等が高温雰囲気に晒されるのを防止
することができる。According to such a configuration, the vicinity of the opening 11 can be efficiently brought to a high-temperature atmosphere by the supply of the heated gas, and the escape of heat from the processing chamber 1 can be efficiently prevented. it can. Further, on the other hand, the partition plate 1
Numeral 6 can prevent the heated gas from reaching the entire area of the transfer chamber 5 side. For example, the transfer robot 8 and the like provided in the transfer chamber 1 can be prevented from being exposed to a high-temperature atmosphere.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を図
を用いて説明する。図１は実施の形態を示す断面側面図
である。実施の形態における熱処理装置は、図１に示す
ように、処理チャンバ１にガスポート２Ａ、排気口３、
ヒータ４を備え、処理チャンバ１に隣接して設けられた
搬送チャンバ５にガスポート６、排気口７、搬送ロボッ
ト８を備えている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional side view showing an embodiment. As shown in FIG. 1, the heat treatment apparatus according to the embodiment includes a gas chamber 2A, an exhaust port 3,
A transfer chamber 5 provided with a heater 4 and adjacent to the processing chamber 1 is provided with a gas port 6, an exhaust port 7, and a transfer robot 8.
【００１２】搬送チャンバ５と外部との間には開口部９
が設けられ、ここに、開口部９を開閉するためのゲート
バルブ１０が設けられている。また、搬送チャンバ５と
処理チャンバ１との間には、開口部１１が設けられ、こ
こに開口部１１を開閉するためのゲートバルブ１２が設
けられている。各チャンバ１、５は、共に図示しないＯ
リングシール等により、気密性が保てる構造となってい
る。An opening 9 is provided between the transfer chamber 5 and the outside.
, And a gate valve 10 for opening and closing the opening 9 is provided here. An opening 11 is provided between the transfer chamber 5 and the processing chamber 1, and a gate valve 12 for opening and closing the opening 11 is provided here. Each of the chambers 1 and 5 has an O (not shown).
The airtightness is maintained by a ring seal or the like.
【００１３】さらに、この発明の実施の形態では、搬送
チャンバ５のゲートバルブ１２（開口部１１）の付近で
ある、排気口７の対向側にホットＮ2 ガス供給用ガスポ
ート１５を設けている。このガスポート１５はＮ2 ガス
の加熱装置１７に接続されており、搬送チャンバ５の開
口部１１付近に約２００°Ｃに加熱されたホットＮ2 を
パージする。加熱装置１７はＮ2 ガスが供給され、これ
をヒータやランプ等により加熱してガスポート１５に供
給する。Further, in the embodiment of the present invention, a hot N 2 gas supply gas port 15 is provided on the side of the transfer chamber 5 near the exhaust port 7 near the gate valve 12 (opening 11). . The gas port 15 is connected to a heating device 17 for N 2 gas, and purges hot N 2 heated to about 200 ° C. in the vicinity of the opening 11 of the transfer chamber 5. The heating device 17 is supplied with N 2 gas, which is heated by a heater, a lamp, or the like, and supplied to the gas port 15.
【００１４】さらに、この発明の実施の形態では、開口
部１１付近をホットＮ2 ガス供給用ガスポート１５と共
に搬送チャンバ５側より仕切り、仕切り室５ａを形成す
るための仕切り板１６が設けられる。この仕切り板１６
は、ガスポート６とホットＮ 2 ガス供給用ガスポート１
５との間における搬送チャンバ５の内周囲壁より立設さ
れ、その中央部にウェーハ搬送用の開口部１６ａが設け
られている。そして、この仕切り板１６により仕切られ
てなる仕切り室５ａ内には、上述のように、ガスポート
１５と排気口７と開口部１１及びそのゲートバルブ１２
が位置するよう構成される。Further, in the embodiment of the present invention, the opening
Hot N around part 11TwoWith gas supply gas port 15
At the transfer chamber 5 side to form a partition chamber 5a.
Is provided. This partition plate 16
Means gas port 6 and hot N TwoGas port 1 for gas supply
5 from the inner peripheral wall of the transfer chamber 5
And an opening 16a for wafer transfer is provided at the center thereof.
Have been. And it is divided by this partition plate 16
As described above, a gas port is provided in the partition chamber 5a.
15, exhaust port 7, opening 11, and gate valve 12 thereof
Is configured to be located.
【００１５】以上の構成における、実施の形態における
動作を以下に説明する。熱処理後、ゲートバルブ１２を
開ける前に加熱装置１７により、約２００°Ｃに加熱さ
れたホットＮ2 をガスポート１５より供給してパージ
し、仕切り室５ａ内に搬送チャンバ５内における雰囲気
層よりも高温の層を作るようにする。これにより、その
後、ゲートバルブ１２を開いても処理チャンバ１から仕
切り室５ａ側に熱の逃げが防止され、処理チャンバ１内
の急冷却が防止されてウェーハ１３のスリップを防止す
る。また、仕切り板１６は搬送ロボット８が常時熱に晒
されるのを防止する。The operation of the embodiment in the above configuration will be described below. After the heat treatment, before the gate valve 12 is opened, the heating device 17 supplies hot N 2 heated to about 200 ° C. from the gas port 15 to purge the hot N 2 into the partition chamber 5 a from the atmosphere layer in the transfer chamber 5. Also try to make a hot layer. As a result, even if the gate valve 12 is subsequently opened, heat is prevented from escaping from the processing chamber 1 to the partition chamber 5a side, rapid cooling in the processing chamber 1 is prevented, and slip of the wafer 13 is prevented. Further, the partition plate 16 prevents the transfer robot 8 from being constantly exposed to heat.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、この発
明によれば、被熱処理物を熱処理する処理チャンバと、
前記被熱処理物を処理チャンバに搬入するために使用さ
れる搬送チャンバとを備え、前記両チャンバ間に前記被
熱処理物を出し入れするための開口部と該開口部を開閉
するためのゲートを備えてなる熱処理装置において、前
記開口部を開けるに際し、前記処理チャンバ側の熱が前
記開口部を通して前記搬送チャンバ側に逃げるのを防止
するため、予め前記搬送チャンバ側の開口部の付近に加
熱されたパージ用のガスを供給するための手段を備える
ようにしたため、開口部を開いた場合に、処理チャンバ
内が急冷却されることを防止することができ、もって、
被熱処理物にスリップ等の急冷却による欠陥が生じるこ
とを防止することができるという効果を奏する。As is apparent from the above description, according to the present invention, a processing chamber for heat-treating an object to be heat-treated,
A transfer chamber used to carry the object to be heat-treated into the processing chamber, an opening for taking in and out the object to be heat-treated between the two chambers, and a gate for opening and closing the opening. In the heat treatment apparatus, when the opening is opened, the heat of the processing chamber is prevented from escaping to the transfer chamber through the opening. Means for supplying a gas for use, it is possible to prevent the processing chamber from being rapidly cooled when the opening is opened, and
This has the effect of preventing a defect due to rapid cooling such as a slip from occurring in the object to be heat-treated.
【図１】この発明の実施の形態を示す断面側面図であ
る。FIG. 1 is a sectional side view showing an embodiment of the present invention.
【図２】従来の熱処理装置を示す断面側面図である。FIG. 2 is a sectional side view showing a conventional heat treatment apparatus.
１ 処理チャンバ ５ 搬送チャンバ ８ 搬送ロボット １１ 開口部 １２ ゲートバルブ １３ ウェーハ １５ ホットＮ2 ガス供給用ガスポート １６ 仕切り板 １６ａ 開口部1 the processing chamber 5 transfer chamber 8 carrying robot 11 openings 12 gate valve 13 wafer 15 hot N 2 gas feed gas port 16 partition plate 16a opening
Claims (1)
と、前記被熱処理物を処理チャンバに搬入するために使
用される搬送チャンバとを備え、前記両チャンバ間に前
記被熱処理物を出し入れするための開口部と該開口部を
開閉するためのゲートを備えてなる熱処理装置におい
て、 前記開口部を開けるに際し、前記処理チャンバ側の熱が
前記開口部を通して前記搬送チャンバ側に逃げるのを防
止するため、予め前記搬送チャンバ側の開口部の付近に
加熱されたパージ用のガスを供給するための手段を備え
るようにしたことを特徴とする熱処理装置。1. A processing chamber for heat-treating an object to be heat-treated, and a transfer chamber used to carry the object to be heat-treated into the processing chamber, wherein the transfer chamber is provided between the two chambers. In a heat treatment apparatus including an opening and a gate for opening and closing the opening, when opening the opening, in order to prevent heat of the processing chamber side from escaping to the transfer chamber side through the opening, A heat treatment apparatus comprising: means for supplying a heated purge gas in the vicinity of the opening on the transfer chamber side in advance.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6095698A JPH11260742A (en) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | Heat treating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6095698A JPH11260742A (en) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | Heat treating equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11260742A true JPH11260742A (en) | 1999-09-24 |
Family
ID=13157369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6095698A Withdrawn JPH11260742A (en) | 1998-03-12 | 1998-03-12 | Heat treating equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11260742A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291758A (en) * | 2000-11-27 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum processing equipment |
| KR100635219B1 (en) | 2004-10-20 | 2006-10-17 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Prevention method of Transfer Chamber pollution |
| US20070199509A1 (en) * | 2003-09-05 | 2007-08-30 | Moffatt William A | Apparatus for the efficient coating of substrates |
| KR100754827B1 (en) | 2005-03-30 | 2007-09-04 | 이선영 | Heating device of purge gas for semiconductor wafer |
| CN108336002A (en) * | 2018-03-16 | 2018-07-27 | 德淮半导体有限公司 | The method of clearing apparatus and cleaning wafer, mechanical arm |
-
1998
- 1998-03-12 JP JP6095698A patent/JPH11260742A/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001291758A (en) * | 2000-11-27 | 2001-10-19 | Tokyo Electron Ltd | Vacuum processing equipment |
| US20070199509A1 (en) * | 2003-09-05 | 2007-08-30 | Moffatt William A | Apparatus for the efficient coating of substrates |
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| KR100754827B1 (en) | 2005-03-30 | 2007-09-04 | 이선영 | Heating device of purge gas for semiconductor wafer |
| CN108336002A (en) * | 2018-03-16 | 2018-07-27 | 德淮半导体有限公司 | The method of clearing apparatus and cleaning wafer, mechanical arm |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050607 |