JPH11258211A - 渦流探傷装置 - Google Patents
渦流探傷装置Info
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- JPH11258211A JPH11258211A JP7485198A JP7485198A JPH11258211A JP H11258211 A JPH11258211 A JP H11258211A JP 7485198 A JP7485198 A JP 7485198A JP 7485198 A JP7485198 A JP 7485198A JP H11258211 A JPH11258211 A JP H11258211A
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Abstract
で、非磁性鋼についても傷検出時のリフトオフノイズを
十分に小さく抑えて確実な傷検出を可能とする。 【解決手段】 励磁コイル1にコンデンサ6を直列接続
して共振回路を構成し、これらを発振回路4に接続す
る。共振状態の励磁コイル1により被探傷体の表層に渦
電流を生じさせ、被探傷体表面の傷による渦電流の変化
に応じて差動接続された検出コイル2,3に生じる出力
変化を増幅回路5で増幅する。増幅信号Sa中の傷信号
とリフトオフノイズの位相差は大きく、同期検波によっ
て良好なS/N比で傷信号を得ることができる。
Description
し、特に、SN比の向上を図った渦流探傷装置に関する
ものである。
ルにより被探傷体たる鋼材等の表層に渦電流を生じさ
せ、鋼材表面の線状傷等による渦電流の変化に応じて上
記探傷プローブの検出コイルに現れる電圧変化より線状
傷等を検出するものである。図8に励磁コイル1と検出
コイル2,3の回路接続図を示す。励磁コイル1は所定
周波数の発振回路4に接続されており、一方、一対設け
られた検出コイル2,3は差動接続されて増幅回路5に
入力している。なお、41は発振回路4の出力抵抗であ
る。
る傷信号以外に、検出コイル2,3と鋼材表面との間隔
変動によるリフトオフノイズが混入している。そこで従
来は、傷信号とリフトオフノイズの位相差に注目して、
増幅信号Saを同期検波することによりリフトオフノイ
ズを抑制して傷信号を抽出するようにしている。
傷装置でステンレス等の非磁性鋼を探傷すると、傷信号
とリフトオフノイズの位相差が殆ど生じないため、同期
検波によってはリフトオフノイズを良好に抑制すること
ができなかった。そこで、倣い機構を使用して探傷プロ
ーブを鋼材表面に追従させ、これによってリフトオフノ
イズを小さく抑える試みがなされているが、捩じれや曲
がりのある棒鋼材等では倣い機構によってもリフトオフ
ノイズを十分低減することは困難であった。
リフトオフ量が大きくなると、これに応じて検出コイル
の出力が低下するため、従来はリフトオフ量を検出する
センサを設けて増幅ゲインを調整している。しかし、探
傷プローブと別体にリフトオフ量を検出するセンサを設
ける必要があるという煩わしさがあった。
るもので、従来の励磁回路に簡易な改造を加えるだけ
で、非磁性鋼についても傷検出時のリフトオフノイズを
十分に小さく抑えて確実な傷検出を可能とするととも
に、リフトオフ量を検出する別体のセンサを不要とした
渦流探傷装置を提供することを目的とする。
め、本第1発明では、励磁コイル(1)により被探傷体
の表層に渦電流を生じさせ、被探傷体表面の傷による渦
電流の変化に応じた検出コイル(2,3)の出力変化よ
り傷を検出する渦流探傷装置において、励磁コイル
(1)にコンデンサ(6)を接続して共振回路を構成す
る。この場合の励磁コイルとコンデンサの接続は、直列
ないし並列のいずれでも良い。
ンサとを共振させた状態で非磁性鋼の探傷を行うと、検
出コイルの出力中に含まれる傷信号とリフトオフノイズ
の位相差は十分大きくなる。したがって、検出コイルの
出力を同期検波すれば、リフトオフノイズを十分抑制し
て傷信号のみを抽出することができる。また、被探傷体
表面から十分離して励磁コイルとコンデンサとを共振さ
せ、これらを被探傷体表面に近づけると励磁コイルの両
端電圧は次第に小さくなる。これにより、検出コイルと
被探傷体表面との間隔(リフトオフ量)が変化してもそ
の出力振幅の変動を小さくすることができ、傷の深さ等
の検出を正確に行うことができる。
るだけの簡易な改造によって、非磁性鋼に生じた傷の存
在を確実に検出できるとともに、リフトオフ量を検出す
る別体のセンサを設けることなく傷の深さ等の検出を正
確に行うことができる。
に励磁コイルの両端電圧を乗じて補正値を得、この補正
値の変化より傷を検出する。検出コイルと被探傷体表面
との間隔(リフトオフ量)が変化しても上記補正値の出
力振幅の変動は十分に小さく、したがって、傷の深さ等
の検出をより正確に行うことができる。
渦流探傷装置における励磁コイル1と検出コイル2,3
の接続を示す電気回路図である。図において、励磁コイ
ル1には直列にコンデンサ6が接続されて、これらが定
電圧の発振回路4に接続されている。また、一対の検出
コイル2,3は差動接続されて増幅回路5に入力してい
る。
振回路4の周波数を1MHzにするとともに、励磁コイ
ル1としてプリントコイルを使用して、上記コンデンサ
6の容量を変更しつつ増幅信号Sa中の傷信号とリフト
オフノイズの位相、およびこれらの位相差を測定したも
のを図2に示す。図中、傷信号を黒四角の点で、リフト
オフノイズを黒菱形の点で示し、位相差を黒三角の点で
示す。図より明らかなように、傷信号とリフトオフノイ
ズの位相差はコンデンサ6の容量を0.005μFとし
た時に約20度と最も大きくなっており、この時、励磁
コイル1とコンデンサ6とは共振状態になっている。ち
なみに、コンデンサ6の容量を0とした場合(すなわち
コンデンサを設けない従来装置の場合)には傷信号とリ
フトオフノイズの位相差は5度以下である。
ルを使用した場合にも同様であり、この時の増幅信号S
a中の傷信号とリフトオフノイズの各位相、および位相
差の、コンデンサ6の容量に応じた変化を図3に示す。
図より明らかなように、傷信号とリフトオフノイズの位
相差はコンデンサ6の容量を0.001μFとした時に
約30度と最も大きくなっており、この時、励磁コイル
1とコンデンサ6とは共振状態になっている。ちなみ
に、コンデンサ6の容量を0とした場合(すなわちコン
デンサを設けない従来装置の場合)には傷信号とリフト
オフノイズの位相差は20度以下となっている。
るようにコンデンサ6の容量を選択してこれを励磁コイ
ル1に直列に接続することにより、増幅信号Sa中の傷
信号とリフトオフノイズの位相差を十分大きくすること
ができ、同期検波によってリフトオフノイズを小さく抑
えて傷信号のSN比を向上させることができる。
してソレノイドコイルを使用した探傷プローブPを被探
傷体Mの表面からその影響を受けない十分な距離(リフ
トオフ量)Hだけ離した時の励磁電圧(励磁コイル1の
両端電圧)の振幅aを測定するとともに、探傷プローブ
Pを被探傷体Mの表面に距離hまで接近させた時の励磁
電圧の振幅bを測定し、これらの振幅比(a/b)を算
出する。上記コンデンサ6の容量を種々変更して振幅比
(a/b)を算出したものを図5に示す。図より明らか
なように、コンデンサ6の容量を0.001μFに設定
した時に振幅比(a/b)は1.7程度と最も大きくな
る。これは、被探傷体Mの表面からその影響を受けない
十分な距離Hだけ離してコンデンサ6と励磁コイル1を
共振状態にしておくと、探傷プローブPを被探傷体Mの
表面に近づけるにつれてその影響を受けて共振点がず
れ、励磁電圧が急速に小さくなるためであり、これによ
りリフトオフ変動による傷信号変化が軽減される。
傷装置では、図6の線xで示すように、リフトオフ量が
大きくなるにしたがって増幅信号Sa(図1)が急速に
小さくなる。これに対して本発明では、リフトオフ量が
大きくなると励磁電圧の振幅が大きくなるから、図6の
線yで示すように、増幅信号Saの低下の度合いを小さ
く抑えることができる。例えば、リフトオフ量1〜3m
mの間で探傷プローブPを使用する場合、従来装置では
増幅信号Saは1/3以下に低下するのに対して、0.
001μFのコンデンサ6を付加した本実施形態では、
増幅信号Saの低下は1/2.5程度に抑えられる。さ
らに、増幅信号Saの値に励磁電圧の値を乗じて補正す
ると、補正値は図6の線zで示すようなものとなり、こ
の場合の補正値の低下はリフトオフ量1〜3mmの間で
3/4程度である。したがって、この補正値を同期検波
して傷信号を得るようにすれば、従来のようにリフトオ
フ量のセンサやゲイン調整を要することなく、常に適正
な傷検出が可能である。
図7に示すように励磁コイル1に並列に接続し、これら
を定電流の発振回路4に接続しても、上記第1実施形態
と同様の作用効果が得られる。この場合も共振時に励磁
電圧が極大となるから、被探傷体表面からその影響を受
けない十分な距離だけ離してコンデンサ6と励磁コイル
1を共振状態にしておく必要がある。
よれば、リフトオフノイズを十分に小さく抑えて確実な
傷検出を可能とするとともに、リフトオフ量を検出する
別体のセンサも不要である。
図である。
グラフである。
グラフである。
さの関係を示す概略図である。
ラフである。
ラフである。
5…増幅回路、6…コンデンサ。
検出コイルの接続を示す電気回路図である。
グラフである。
グラフである。
さの関係を示す概略図である。
ラフである。
ラフである。
検出コイルの接続を示す電気回路図である。
気回路図である。
5…増幅回路、6…コンデンサ。
Claims (2)
- 【請求項1】 励磁コイルにより被探傷体の表層に渦電
流を生じさせ、被探傷体表面の傷による渦電流の変化に
応じた検出コイルの出力変化より傷を検出する渦流探傷
装置において、前記励磁コイルにコンデンサを接続して
共振回路を構成したことを特徴とする渦流探傷装置。 - 【請求項2】 前記検出コイルの出力値に前記励磁コイ
ルの両端電圧を乗じて補正値を得、この補正値の変化よ
り傷を検出するようにした請求項1に記載の渦流探傷装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07485198A JP4006816B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 渦流探傷装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07485198A JP4006816B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 渦流探傷装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11258211A true JPH11258211A (ja) | 1999-09-24 |
JP4006816B2 JP4006816B2 (ja) | 2007-11-14 |
Family
ID=13559245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07485198A Expired - Lifetime JP4006816B2 (ja) | 1998-03-09 | 1998-03-09 | 渦流探傷装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4006816B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013047521A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | 株式会社東芝 | 渦電流探傷装置および渦電流探傷方法 |
CN103760234A (zh) * | 2014-01-28 | 2014-04-30 | 爱德森(厦门)电子有限公司 | 一种用谐振频率变化提高涡流检测极限灵敏度的设计方法 |
JP2015102513A (ja) * | 2013-11-27 | 2015-06-04 | 横河電機株式会社 | 金属異物検出装置および渦電流探傷装置 |
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US9494558B2 (en) | 2009-12-22 | 2016-11-15 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Flaw-detection apparatus and flaw-detection method |
JP2019128161A (ja) * | 2018-01-19 | 2019-08-01 | 国立大学法人東京工業大学 | 解析方法、解析プログラム、および解析装置 |
CN111257410A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-06-09 | 四川德源石油天然气工程有限公司 | 一种多层pcb差分涡流检测传感器 |
-
1998
- 1998-03-09 JP JP07485198A patent/JP4006816B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
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JP4006816B2 (ja) | 2007-11-14 |
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