JPH11251748A - 半導体搭載用プリント基板の製造方法 - Google Patents
半導体搭載用プリント基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH11251748A JPH11251748A JP4992298A JP4992298A JPH11251748A JP H11251748 A JPH11251748 A JP H11251748A JP 4992298 A JP4992298 A JP 4992298A JP 4992298 A JP4992298 A JP 4992298A JP H11251748 A JPH11251748 A JP H11251748A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- prepreg
- cavity
- circuit board
- hole
- constitute
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】樹脂の流出量が少なく、かつ低誘電率、低誘電
正接の絶縁層を形成することのできるプリプレグを使用
した半導体搭載用プリント基板の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体を搭載する箇所にキャビティーを有
する半導体搭載用プリント基板の製造方法において、キ
ャビティーとなる穴を有する銅張り積層板と内層回路基
板とを、高充填率の中空ガラスフィラー入りプリプレグ
で接着する半導体搭載用プリント基板の製造方法。
正接の絶縁層を形成することのできるプリプレグを使用
した半導体搭載用プリント基板の製造方法を提供する。 【解決手段】半導体を搭載する箇所にキャビティーを有
する半導体搭載用プリント基板の製造方法において、キ
ャビティーとなる穴を有する銅張り積層板と内層回路基
板とを、高充填率の中空ガラスフィラー入りプリプレグ
で接着する半導体搭載用プリント基板の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ボールグリッドア
レイ（以下、ＢＧＡという。）や（ピングリッドアレイ
（以下、ＰＧＡという。）等の半導体搭載用プリント基
板の製造方法に関する。
レイ（以下、ＢＧＡという。）や（ピングリッドアレイ
（以下、ＰＧＡという。）等の半導体搭載用プリント基
板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体を搭載する箇所にキャビ
ティーを有するＢＧＡやＰＧＡ等は、キャビティーとな
る穴をあけた銅張積層板を、ボンディングシートやノー
フロープリプレグを介して、内層回路を形成した内層回
路基板に積層・接着し、多層化されている。通常、その
ようなキャビティーには、半導体を搭載するエリアの他
に、半導体チップとプリント基板を電気的に接続する端
子があるため、キャビティーとなる穴を有する銅張り積
層板と内層回路基板とを、プリプレグで接着するとき
に、端子の部分に樹脂が流れ出し、端子の表面を覆い、
接続が困難となることがある。そこで、このような接着
のためのプリプレグには、樹脂流出性の少ないボンディ
ングシートやノーフロープリプレグを使用することによ
り、一般の多層配線板の積層プレス条件でも、キャビテ
ィーを有する半導体搭載用プリント基板の製造が可能と
なる。
ティーを有するＢＧＡやＰＧＡ等は、キャビティーとな
る穴をあけた銅張積層板を、ボンディングシートやノー
フロープリプレグを介して、内層回路を形成した内層回
路基板に積層・接着し、多層化されている。通常、その
ようなキャビティーには、半導体を搭載するエリアの他
に、半導体チップとプリント基板を電気的に接続する端
子があるため、キャビティーとなる穴を有する銅張り積
層板と内層回路基板とを、プリプレグで接着するとき
に、端子の部分に樹脂が流れ出し、端子の表面を覆い、
接続が困難となることがある。そこで、このような接着
のためのプリプレグには、樹脂流出性の少ないボンディ
ングシートやノーフロープリプレグを使用することによ
り、一般の多層配線板の積層プレス条件でも、キャビテ
ィーを有する半導体搭載用プリント基板の製造が可能と
なる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体搭載用プリント基板の製造方法では、ノーフロー
プリプレグが使用されているとはいえ、わずかながら樹
脂がキャビティー内部に流出するので、その流出幅の余
裕を設計的に見込まねばならないという課題がある。ま
た、近年、電子機器の高速化が要求されており、キャビ
ティ周辺の絶縁層には、低誘電率、低誘電正接の特性が
要求されており、従来のノーフロープリプレグでは、こ
れらの電気特性要求を満足することができなかった。
半導体搭載用プリント基板の製造方法では、ノーフロー
プリプレグが使用されているとはいえ、わずかながら樹
脂がキャビティー内部に流出するので、その流出幅の余
裕を設計的に見込まねばならないという課題がある。ま
た、近年、電子機器の高速化が要求されており、キャビ
ティ周辺の絶縁層には、低誘電率、低誘電正接の特性が
要求されており、従来のノーフロープリプレグでは、こ
れらの電気特性要求を満足することができなかった。
【０００４】本発明は、樹脂の流出量が少なく、かつ低
誘電率、低誘電正接の絶縁層を形成することのできるプ
リプレグを使用した半導体搭載用プリント基板の製造方
法を提供することを目的とする。
誘電率、低誘電正接の絶縁層を形成することのできるプ
リプレグを使用した半導体搭載用プリント基板の製造方
法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体搭載用プ
リント基板の製造方法は、半導体を搭載する箇所にキャ
ビティーを有する半導体搭載用プリント基板の製造方法
において、キャビティーとなる穴を有する銅張り積層板
と内層回路基板とを、高充填率の中空ガラスフィラー入
りプリプレグで接着することを特徴とする。
リント基板の製造方法は、半導体を搭載する箇所にキャ
ビティーを有する半導体搭載用プリント基板の製造方法
において、キャビティーとなる穴を有する銅張り積層板
と内層回路基板とを、高充填率の中空ガラスフィラー入
りプリプレグで接着することを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明に用いる中空ガラスフィラ
ーには、粒子径５〜１５μｍ、平均比重１．０〜１．
３、かさ比重０．２〜０．５で中空のものを使用するこ
とが好ましい。
ーには、粒子径５〜１５μｍ、平均比重１．０〜１．
３、かさ比重０．２〜０．５で中空のものを使用するこ
とが好ましい。
【０００７】このノーフロープリプレグの樹脂組成に、
中空ガラスフィラーを３０〜７０Ｖｏｌ％混合すること
により、本発明の高充填率のプリプレグを作製すること
ができる。中空ガラスフィラーが３０Ｖｏｌ％未満であ
ると、樹脂の流出が多くなり、７０Ｖｏｌ％を超える
と、均一に分散しにくくなり、場合によっては空気を巻
きこんでボイドとなるおそれもある。
中空ガラスフィラーを３０〜７０Ｖｏｌ％混合すること
により、本発明の高充填率のプリプレグを作製すること
ができる。中空ガラスフィラーが３０Ｖｏｌ％未満であ
ると、樹脂の流出が多くなり、７０Ｖｏｌ％を超える
と、均一に分散しにくくなり、場合によっては空気を巻
きこんでボイドとなるおそれもある。
【０００８】
【実施例】実施例１ 多層化接着用プリプレグであるＧＥＡ−６７Ｎ（日立化
成工業株式会社製、商品名、樹脂粘度７５０Ｐａ・ｓｅ
ｃ、樹脂分６５重量％）用の樹脂組成に、中空ガラスフ
ィラーであるＨＳＣ−１１０（東芝バロティーニ株式会
社製、商品名、粒子径１０μｍ、平均比重１．１、かさ
比重０．３８）を５０Ｖｏｌ％になるよう混合し、分散
させ、ガラスクロス（ＭＩＬ＃１０８０）に、樹脂分６
０重量％になるよう塗工し、プリプレグを得た。このプ
リプレグを用いて、図１に示すように、内層回路を形成
した第１の内層回路板３と、１０×１０ｍｍのキャビテ
ィーとなる穴８をあけた第１のプリプレグ５と、１０×
１０ｍｍのキャビティーとなる穴８をあけた厚さ０．２
ｍｍの第２の内層回路板２と、１５×１５ｍｍのキャビ
ティーとなる穴８をあけた第２のプリプレグ４と、１５
×１５ｍｍのキャビティーとなる穴８をあけた厚さ０．
２ｍｍの銅張り積層板１とを、順に重ね、キャビティー
を形成する側には、さらに厚さ１ｍｍのポリエチレンテ
レフタレートフィルム６を重ね、その上下を鏡板７では
さみ、１７０℃９０分、１．７ＭＰａの条件で加熱・加
圧して積層接着した。得られたキャビティー付きＰＧＡ
基板は、板厚ばらつきが小さい他、キャビティー部への
樹脂流出が極めて小さく（１５０μｍ以内）、キャビテ
ィー底部回路への樹脂汚染も無いため、ワイヤボンディ
ング性も良いことがわかった。更に、このプリプレグ硬
化物の誘電率、誘電正接を測定したところ、それぞれ
３．９、０．０１１であった。
成工業株式会社製、商品名、樹脂粘度７５０Ｐａ・ｓｅ
ｃ、樹脂分６５重量％）用の樹脂組成に、中空ガラスフ
ィラーであるＨＳＣ−１１０（東芝バロティーニ株式会
社製、商品名、粒子径１０μｍ、平均比重１．１、かさ
比重０．３８）を５０Ｖｏｌ％になるよう混合し、分散
させ、ガラスクロス（ＭＩＬ＃１０８０）に、樹脂分６
０重量％になるよう塗工し、プリプレグを得た。このプ
リプレグを用いて、図１に示すように、内層回路を形成
した第１の内層回路板３と、１０×１０ｍｍのキャビテ
ィーとなる穴８をあけた第１のプリプレグ５と、１０×
１０ｍｍのキャビティーとなる穴８をあけた厚さ０．２
ｍｍの第２の内層回路板２と、１５×１５ｍｍのキャビ
ティーとなる穴８をあけた第２のプリプレグ４と、１５
×１５ｍｍのキャビティーとなる穴８をあけた厚さ０．
２ｍｍの銅張り積層板１とを、順に重ね、キャビティー
を形成する側には、さらに厚さ１ｍｍのポリエチレンテ
レフタレートフィルム６を重ね、その上下を鏡板７では
さみ、１７０℃９０分、１．７ＭＰａの条件で加熱・加
圧して積層接着した。得られたキャビティー付きＰＧＡ
基板は、板厚ばらつきが小さい他、キャビティー部への
樹脂流出が極めて小さく（１５０μｍ以内）、キャビテ
ィー底部回路への樹脂汚染も無いため、ワイヤボンディ
ング性も良いことがわかった。更に、このプリプレグ硬
化物の誘電率、誘電正接を測定したところ、それぞれ
３．９、０．０１１であった。
【０００９】比較例１ 実施例１と同じ構成で、プリプレグに従来のローフロー
プリプレグであるＧＥＡ−６７Ｎ（日立化成工業株式会
社製、商品名、基材厚み０．０５ｍｍ、樹脂流れ１０
％、樹脂分６５重量％）に変え、同条件で多層化プレス
を行った。得られたキャビティー付きＰＧＡ基板は、板
厚ばらつきが大きい上、キャビティー部への樹脂流出も
大きく（３００μｍ以上）、半導体の実装及びワイヤボ
ンディングが不可能であった。更に、実施例１と同じく
誘電率、誘電正接を測定したところ、それぞれ４．５、
０．０１８であった。
プリプレグであるＧＥＡ−６７Ｎ（日立化成工業株式会
社製、商品名、基材厚み０．０５ｍｍ、樹脂流れ１０
％、樹脂分６５重量％）に変え、同条件で多層化プレス
を行った。得られたキャビティー付きＰＧＡ基板は、板
厚ばらつきが大きい上、キャビティー部への樹脂流出も
大きく（３００μｍ以上）、半導体の実装及びワイヤボ
ンディングが不可能であった。更に、実施例１と同じく
誘電率、誘電正接を測定したところ、それぞれ４．５、
０．０１８であった。
【００１０】このようにすることで、キャビティー内部
への樹脂の流れ込みが極めて少なくなり、樹脂によるキ
ャビティー内部の端子部の表面に汚染が少なくなると共
に、電気特性が、誘電率で３．８〜４．０、誘電正接で
０．０１０〜０．０１５の低誘電率、低誘電正接とな
り、高速な回路に使用することができる。
への樹脂の流れ込みが極めて少なくなり、樹脂によるキ
ャビティー内部の端子部の表面に汚染が少なくなると共
に、電気特性が、誘電率で３．８〜４．０、誘電正接で
０．０１０〜０．０１５の低誘電率、低誘電正接とな
り、高速な回路に使用することができる。
【００１１】
【発明の効果】以上に説明したとおり、本発明によっ
て、樹脂の流出量が少なく、かつ低誘電率、低誘電正接
の絶縁層を形成することのできるプリプレグを使用した
半導体搭載用プリント基板の製造方法を提供することが
できる。
て、樹脂の流出量が少なく、かつ低誘電率、低誘電正接
の絶縁層を形成することのできるプリプレグを使用した
半導体搭載用プリント基板の製造方法を提供することが
できる。
【図１】本発明の一実施例を示す断面図である。
１．銅張り積層板 ２．第２
の内層回路板 ３．第１の内層回路板 ４．第２
のプリプレグ ５．第１のプリプレグ ６．ポリエチレンテレフタレートフィルム ７．鏡板 ８．キャ
ビティーとなる穴
の内層回路板 ３．第１の内層回路板 ４．第２
のプリプレグ ５．第１のプリプレグ ６．ポリエチレンテレフタレートフィルム ７．鏡板 ８．キャ
ビティーとなる穴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 酒井 広志 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社下館工場内
Claims (1)
- 【請求項１】半導体を搭載する箇所にキャビティーを有
する半導体搭載用プリント基板の製造方法において、キ
ャビティーとなる穴を有する銅張り積層板と内層回路基
板とを、高充填率の中空ガラスフィラー入りプリプレグ
で接着することを特徴とする半導体搭載用プリント基板
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4992298A JPH11251748A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 半導体搭載用プリント基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4992298A JPH11251748A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 半導体搭載用プリント基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11251748A true JPH11251748A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12844517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4992298A Pending JPH11251748A (ja) | 1998-03-03 | 1998-03-03 | 半導体搭載用プリント基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11251748A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030010887A (ko) * | 2001-07-27 | 2003-02-06 | 삼성전기주식회사 | 비지에이 기판의 제조방법 |
| JP2010141282A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-06-24 | Fujitsu Ltd | 部品内蔵基板及びその製造方法 |
| CN107592724A (zh) * | 2014-05-08 | 2018-01-16 | 先丰通讯股份有限公司 | 内空间架设式的电路板 |
| CN112208169A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-12 | 宁波甬强科技有限公司 | 覆铜板及其制作方法 |
-
1998
- 1998-03-03 JP JP4992298A patent/JPH11251748A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030010887A (ko) * | 2001-07-27 | 2003-02-06 | 삼성전기주식회사 | 비지에이 기판의 제조방법 |
| JP2010141282A (ja) * | 2008-11-12 | 2010-06-24 | Fujitsu Ltd | 部品内蔵基板及びその製造方法 |
| CN107592724A (zh) * | 2014-05-08 | 2018-01-16 | 先丰通讯股份有限公司 | 内空间架设式的电路板 |
| CN112208169A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-12 | 宁波甬强科技有限公司 | 覆铜板及其制作方法 |
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