JPH11251278A - 基板洗浄装置 - Google Patents

基板洗浄装置

Info

Publication number
JPH11251278A
JPH11251278A JP4713198A JP4713198A JPH11251278A JP H11251278 A JPH11251278 A JP H11251278A JP 4713198 A JP4713198 A JP 4713198A JP 4713198 A JP4713198 A JP 4713198A JP H11251278 A JPH11251278 A JP H11251278A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
cleaning
pure water
silicon wafer
cleaning apparatus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4713198A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2987132B2 (ja
Inventor
Yutaka Hiratsuka
豊 平塚
Nobuyuki Fujikawa
伸之 藤川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DAN KAGAKU KK
Original Assignee
DAN KAGAKU KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DAN KAGAKU KK filed Critical DAN KAGAKU KK
Priority to JP10047131A priority Critical patent/JP2987132B2/ja
Publication of JPH11251278A publication Critical patent/JPH11251278A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2987132B2 publication Critical patent/JP2987132B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 装置の製造コストを安価にし、洗浄作業時間
を短くする。 【解決手段】 洗浄処理装置4の水槽11の上部に筒状
開口体12を取り付け、筒状開口体12の外周部に排水
受部11aを形成し、筒形開口体12の上部開口部の形
状をシリコンウェハ9の形状とほぼ一致させ、水槽11
の下部に振動板14を設け、振動板14に振動子15を
取り付け、振動子15に超音波発振機16を接続し、水
槽11の下部に純水供給ポート17を設け、純水供給ポ
ート17に純水供給装置18を接続し、排水受部11a
に連通する排水ポート22を設け、筒形開口体12の上
方に洗浄液滴下配管、純水スプレー配管および窒素ガス
吹出管(図示せず)を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハ、液晶
表示装置用ガラス基板等の基板を洗浄する基板洗浄方法
および基板洗浄装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年LSI製造においては、シリコンウ
ェハの直径を大きくしていく傾向にあり、現状では直径
が200mmであるシリコンウェハが主流であるが、1
999年には直径が300mmのシリコンウェハが製造
される見込である。このため、基板洗浄装置としても大
型のシリコンウェハを処理することができるものが要求
されているが、従来から半導体製造工程で使用されてい
る25〜50枚のシリコンウェハを一度に洗浄すること
ができるバッチ方式の基板洗浄装置では、シリコンウェ
ハの直径が300mm以上になると、シリコンウェハの
すみずみまで均一に洗浄することが困難になる。そこ
で、シリコンウェハを1枚ずつ処理する枚葉方式の基板
洗浄装置が検討されている。
【0003】最も一般的な枚葉方式の基板洗浄装置とし
ては、スピンさせたシリコンウェハの表面に洗浄液(洗
浄薬液)をかけるもの、洗浄液をノズルからシリコンウ
ェハの表面に噴射するもの、シリコンウェハの表面に洗
浄液をかけながらブラシを回転するものなどがあり、こ
れらの基板洗浄装置においては、洗浄の均一化について
は満足することができるが、洗浄力が強くないから、満
足できる洗浄面を得るには1枚当たりの処理時間を長く
せざるを得ず、洗浄能率が従来のバッチ方式の基板洗浄
装置に比べて格段と劣る。
【0004】このため、最近洗浄力を高めるために、超
音波スプレーを適用することが試みられている。これ
は、超音波スプレーヘッドの先端ノズルから純水を吐出
させる一方、超音波スプレーヘッドにある振動板から放
射した超音波振動(半導体ウェハ洗浄では1MHz程度
の周波数が用いられ、この周波数帯の超音波をメガソニ
ックという)を純水に与えて、スプレーのシリコンウェ
ハ面への衝突部に加えた超音波振動作用と高速の水流作
用とによって効率の高い洗浄を行なうものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような基
板洗浄装置においては、洗浄効果のあるのはスプレーの
当たったスプレースポットの領域だけであるから、広い
シリコンウェハ面を均一に洗浄するにはスプレースポッ
トを満遍なくシリコンウェハ面に走査する必要があり、
シリコンウェハを高速でスピンさせ、超音波スプレーヘ
ッドを往復運動させる機構が不可欠であり、しかも高速
で回転するシリコンウェハに当たった洗浄液は当然に飛
散するから、発生する薬液ミストを装置内に拡散するの
を防止するための排気機構を設ける必要があるので、装
置が複雑となり、装置の製造コストが高価となる。ま
た、洗浄時間をできるだけ短くするために、超音波強度
を高めることが考えられるが、振動板に超音波振動を与
える振動子への超音波入力パワーを大きくしようとして
も、実用上数十W/cm2程度が限界であり、数十W/
cm2程度の超音波入力パワーがスプレースポットに集
中すると、シリコンウェハ表面での超音波エネルギー密
度は100W/cm2を超え、シリコンウェハ表面に損
傷を与えるおそれがある。一方、シリコンウェハ表面に
損傷を与えないように、シリコンウェハ表面での超音波
エネルギー密度を数W/cm2程度に下げれば、シリコ
ンウェハの表面全面を洗浄するのに要する時間が長くな
り、洗浄能率が低下する。すなわち、所定の超音波エネ
ルギー密度で表面汚れが除去できる洗浄時間をTu、シ
リコンウェハの面積をAw、スプレースポットのスポッ
ト面積をAsとすると、シリコンウェハの表面全面を洗
浄するのに要する洗浄作業時間Tは次式で表される。
【0006】
【数1】T=Tu・Aw/As そして、シリコンウェハの表面での超音波エネルギー密
度を小さくすれば、洗浄時間Tuが長くなり、洗浄作業
時間Tが長くなる。
【0007】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、装置の製造コストが安価であり、洗浄作業
時間が短い基板洗浄方法、基板洗浄装置を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、基板洗浄方法において、超音波
照射で起こる音響直進流によって水面に水の盛り上がり
部を形成し、水平に配置された基板の下面に上記盛り上
がり部を接触させ、上記基板の上面全体に層状に洗浄液
を注加する。
【0009】この場合、上記盛り上がり部の周囲から上
記水を溢流させる。
【0010】また、上記水として容存酸素濃度が3pp
m以下の純水を使用する。
【0011】また、基板洗浄装置において、洗浄処理装
置の水槽の下部に振動板を設け、上記水槽の上部に上部
開口部の形状が基板の形状とほぼ一致する筒形開口体を
設け、上記筒形開口体の周囲に排水受部を設ける。
【0012】この場合、上記筒形開口体を上記水槽に交
換可能に取り付ける。
【0013】また、上記筒形開口体の上方に上記基板を
高さ調節可能に保持するとともに、上記洗浄処理装置の
近傍に設けられた乾燥機に上記基板を搬送する水平搬送
ロボットを設ける。
【0014】また、上記筒形開口体の上方に、洗浄液を
上記基板の上面に注加する洗浄液滴下配管と、上記基板
の上面に純水を供給する純水スプレー配管と、上記基板
の上面に不活性ガスを吹き出す不活性ガス吹出管とを設
ける。
【0015】また、上記洗浄処理装置、上記乾燥機の近
傍にカセット設置部を設け、上記洗浄処理装置と上記カ
セット設置部との間にローダ用枚葉基板移載ロボットを
設け、上記乾燥機と上記カセット設置部との間にアンロ
ーダ用枚葉基板移載ロボットを設ける。
【0016】
【発明の実施の形態】図2は本発明に係る基板洗浄装置
を示す概略図、図1は図2に示した基板洗浄装置の一部
を示す概略断面図、図3は図2に示した基板洗浄装置の
一部を示す概略図、図4は図2に示した基板洗浄装置の
一部を示す概略図である。
【0017】図に示すように、カセット設置部2上にシ
リコンウェハ9を水平に収納するカセット3a、3bが
載置され、シリコンウェハ9を洗浄する洗浄処理装置4
が設けられ、洗浄処理装置4の近傍にシリコンウェハ9
をスピン乾燥するスピン乾燥装置5が設けられ、カセッ
ト3aから洗浄処理装置4にシリコンウェハ9を搬送す
るローダ用枚葉ウェハ移載ロボット6が設けられ、洗浄
処理装置4からスピン乾燥装置5にシリコンウェハ9を
搬送する水平搬送ロボット7が設けられ、スピン乾燥装
置5からカセット3aにシリコンウェハ9を搬送するア
ンローダ用枚葉ウェハ移載ロボット8が設けられてい
る。すなわち、洗浄処理装置4、スピン乾燥機5の近傍
にカセット設置部2が設けられ、洗浄処理装置4とカセ
ット設置部2との間にローダ用枚葉基板移載ロボット6
が設けられ、スピン乾燥機5とカセット設置部2との間
にアンローダ用枚葉基板移載ロボット8が設けられてい
る。また、洗浄処理装置4等を制御するための制御盤1
が設けられている。
【0018】また、洗浄処理装置4の水槽11の上部に
は筒状開口体12が取り付けられ、筒状開口体12の外
周部に排水受部11aが形成され、筒状開口体12の上
部開口部の直径はシリコンウェハ9の直径とほぼ等し
く、筒形開口体12の上部開口部の形状はシリコンウェ
ハ9の形状とほぼ一致する。また、水槽11の下部には
カバー13が取り付けられ、水槽11の下部に振動板1
4が設けられ、振動板14に1MHzのメガソニック用
圧電素子からなる振動子15が取り付けられ、振動子1
5を図1紙面上下方向から見たときの振動子15の領域
は筒形開口体12の上部開口部を図1紙面上下方向から
見たときの上部開口部の領域よりも広く、振動子15に
超音波発振機16が接続されている。また、水槽11の
下部に純水供給ポート17が設けられ、純水供給ポート
17に純水供給装置18が接続され、純水供給装置18
に流量計19が接続され、流量計19にフィルタ20が
接続され、フィルタ20と純水供給ポート17との間に
流量調整弁21が接続されている。また、排水受部11
aに連通する排水ポート22が設けられている。また、
筒形開口体12の上方に、洗浄液をシリコンウェハ9の
上面に注加する洗浄液滴下配管23と、1つの扇形ノズ
ルからシリコンウェハ9の上面に純水を供給する純水ス
プレー配管24と、シリコンウェハ9の上面に窒素ガス
を吹き出す窒素ガス吹出管25とが設けられている。ま
た、純水スプレー配管24を前後方向すなわち図2紙面
上下方向に移動する移動装置26が設けられている。
【0019】また、スピン乾燥装置5の回転軸昇降機構
31に回転軸32が取り付けられ、回転軸32を回転す
るモータ33が設けられ、回転軸32にシリコンウェハ
9を保持するためのウェハ保持アーム34が取り付けら
れ、回転軸32の周囲部にスピンカップ35が設けら
れ、スピンカップ35の下部にドレンポート36が設け
られている。
【0020】また、水平搬送ロボット7のリニアウエイ
41によって水平方向に移動される水平移動部42が設
けられ、水平移動部42にアーム開閉機構部43が取り
付けられ、アーム開閉機構部43により開閉されかつ昇
降されるアーム44が設けられ、アーム44にウェハエ
ッジ保持チップ45が設けられ、水平搬送ロボット7は
シリコンウェハ9を高さ調節可能に保持することができ
る。
【0021】つぎに、図1〜4に示した基板洗浄装置の
動作、すなわち本発明に係る基板洗浄方法を説明する。
【0022】まず、制御盤1により洗浄開始を指令する
と、純水供給装置18から純水が水槽11に供給され、
筒状開口体12の上部開口部から純水が溢流し、排水受
部11aから排水される状態となる。
【0023】つぎに、ローダ用枚葉ウェハ移載ロボット
6がカセット3aから洗浄処理装置4にシリコンウェハ
9を搬送する。すなわち、ローダ用枚葉ウェハ移載ロボ
ット6はアーム6aを伸ばしてカセット3a内の1枚の
シリコンウェハ9をエッジで保持したのち、アーム6a
を引き戻してカセット3aからシリコンウェハ9を取り
出し、アーム6aを180°回転して水槽11の上方に
待機する水平搬送ロボット7への受渡し位置へシリコン
ウェハ9を移送し、アーム開閉機構部43がアーム44
を閉じて、アーム44のウェハエッジ保持チップ45が
シリコンウェハ9を挾んで保持する。こののち、ローダ
用枚葉ウェハ移載ロボット6はシリコンウェハ9の保持
を解除し、アーム6aのレベルを下げて引き戻し、原点
位置へ退避する。なお、シリコンウェハ9の受渡し位置
は筒状開口体12の上部開口部の中心であり、かつ純水
の盛り上がり部(説明後述)がシリコンウェハ9の下面
に当たる高さにあらかじめ調節されている。この状態
で、振動子15を振動して、振動板14に超音波振動を
与える。すると、図5に示すように、振動板14からの
超音波振動の音響直進流により筒状開口体12の上部開
口部の純水51の水面に盛り上がり部が形成され、盛り
上がり部の周囲から純水51が溢流し、振動板14から
の超音波振動が純水51中を伝搬して、シリコンウェハ
9に超音波振動が与えられる。この場合、超音波照射に
よる純水51の水面の盛り上がり部の盛り上がり高さは
超音波エネルギー密度に依存するが、たとえば超音波エ
ネルギー密度が5W/cm2のときには純水51の水面
の盛り上がり高さは5〜10mmである。ただし、純水
51の容存酸素濃度が高いと、純水51中に発生した気
泡により音響エネルギーが分散するから、純水51中の
超音波振動の音響直進流が弱くなり、純水51の水面の
盛り上がり高さは小さくなる。このため、安定に純水5
1の水面に盛り上がり部を発生させるためには、使用純
水の容存酸素濃度を3ppm以下にするとよい。
【0024】つぎに、洗浄液滴下配管23からシリコン
ウェハ9上に洗浄液を滴下することにより、シリコンウ
ェハ9の上面全体に層状に洗浄液を注加し、シリコンウ
ェハ9の上面を洗浄液により洗浄する。この場合、洗浄
液の層の厚みは1〜2mmで十分であり、シリコンウェ
ハ9の面積に応じた量の洗浄液、たとえば直径が200
mmのシリコンウェハ9では30〜60mlの洗浄液を
シリコンウェハ9の中心部に数秒で滴下すればよい。ま
た、シリコンウェハ9に滴下された洗浄液は表面張力の
作用でこぼれずにシリコンウェハ9の表面に保持され、
しかもシリコンウェハ9には超音波振動が与えられてい
るから、シリコンウェハ9の上面を層状に覆った洗浄液
が激しく流動するので、効率よくシリコンウェハ9の上
面上の汚れを除去することができる。すなわち、シリコ
ンウェハ9の超音波振動の作用によって、シリコンウェ
ハ9と洗浄液との界面に微小渦流が発生し、この微小渦
流によってシリコンウェハ9の表面の汚染物と洗浄液と
の間の化学作用や物理作用が著しく促進され、汚染物は
シリコンウェハ9の表面から剥離、破砕、溶解、混合、
撹拌などにより洗浄液中に極めて短時間にすなわち数秒
間で分散する。また、シリコンウェハ9の下面の純水5
1は溢流により常に入れ替わっているから、シリコンウ
ェハ9の下面も洗浄される。つぎに、純水スプレー配管
24を前後方向に移動しながら、純水スプレー配管24
に設けられた1つの扇形ノズルからシリコンウェハ9上
に純水をスプレーし、シリコンウェハ9の上面をリンス
する。この場合、30l/minの流量で扇形ノズルから
フラットにかつ傾斜して純水をスプレーすれば、純水の
吐出流速は0.5〜1m/sとなり、数秒たとえば5秒
程度でシリコンウェハ9の上面をリンスすることができ
る。つぎに、振動子15の振動を停止したのち、窒素ガ
ス吹出管25からシリコンウェハ9上に窒素ガスを吹き
出し、シリコンウェハ9上の純水を吹き落す。
【0025】つぎに、水平搬送ロボット7がシリコンウ
ェハ9をスピン乾燥機5に搬送する。すなわち、リニア
ウエイ41が水平移動部42を水平方向に移動し、水平
搬送ロボット7がシリコンウェハ9をスピン乾燥機5の
受渡し位置に搬送する。すると、回転軸昇降機構31が
ウェハ保持アーム34を図3の実線で示される位置まで
上昇し、アーム開閉機構部43がアーム44を開いて、
シリコンウェハ9がウェハ保持アーム34に保持され
る。つぎに、回転軸昇降機構31がシリコンウェハ9を
図3の破線で示す位置まで下降し、一方水平移動部42
が逆方向に水平方向に移動して最初の位置に復帰する。
つぎに、モータ33が回転軸32を回転し、シリコンウ
ェハ9がスピン乾燥される。つぎに、ウェハ保持アーム
34の位置が所定の位置になるように調整され、回転軸
昇降機構31がシリコンウェハ9を図3の実線で示され
る位置まで上昇する。つぎに、アンローダ用枚葉ウェハ
移載ロボット8がスピン乾燥機5からカセット3bにシ
リコンウェハ9を搬送する。すなわち、アンローダ用枚
葉ウェハ移載ロボット8はアーム8aを伸ばしてシリコ
ンウェハ9をエッジで保持してすくい上げ、アーム8a
を引き戻したのち、アーム8aが180°回転して、シ
リコンウェハ9をカセット3b内に収納し、アーム8a
は原点位置へ復帰する。
【0026】このような一連の洗浄動作をカセット3a
に収納された全てのシリコンウェハ9に対して繰り返し
て行ない、洗浄作業を終了する。
【0027】このような基板洗浄方法、基板洗浄装置に
おいては、洗浄のための超音波スプレーヘッドを往復運
動させる機構が不要であり、また薬液ミストを装置内に
拡散しないような排気機構を設ける必要がないから、装
置が簡単となり、装置の製造コストが安価となる。ま
た、シリコンウェハ9の全面に超音波振動を一度にあて
て洗浄するから、従来の超音波スプレーのように洗浄ス
ポットに超音波振動をあててシリコンウェハ9の面を走
査させる方法と比べて、同一超音波入力パワー密度なら
ば、照射面積比だけ短い時間で洗浄でき、高い洗浄能力
が得られ、一方洗浄時間を同じにするならば、超音波ス
プレー法に比べて超音波入力パワー密度を下げることが
でき、シリコンウェハ9の面に超音波照射ストレスによ
る損傷を与えない洗浄ができる。たとえば、シリコンウ
ェハ9の直径が200mmの場合には、1枚のシリコン
ウェハ9の洗浄に30〜50mlの洗浄液と3リットル
(l)の純水を消費し、洗浄処理装置4での洗浄を10
〜20秒で完了することができ、またカセット3aから
の取出からカセット3bへの収納までの時間は30〜4
0秒であり、1時間当たりの処理枚数は90〜120枚
である。一例を挙げれば、シリコンウェハ9のカセット
3aから洗浄処理装置4への移載に3秒、洗浄処理装置
4でのシリコンウェハ9の洗浄、リンスに15秒、シリ
コンウェハ9の洗浄処理装置4からスピン乾燥機5への
搬送、受渡しに2秒、スピン乾燥機5でのスピン乾燥に
10秒、シリコンウェハ9のスピン乾燥機5からカセッ
ト3bへの移載に3秒を要し、カセット3aからの取出
からカセット3bへの収納までの時間は33秒である。
しかも、0.5μm以上の微粒子の除去率は98〜9
9.5%であった。また、筒形開口体12の上方にシリ
コンウェハ9を高さ調節可能に保持するとともに、洗浄
処理装置4の近傍に設けられたスピン乾燥機5にシリコ
ンウェハ9を搬送する水平搬送ロボット7を設けている
から、シリコンウェハ9の洗浄作業を容易に行なうこと
ができる。また、筒形開口体12の上方に洗浄液滴下配
管23と純水スプレー配管24と窒素ガス吹出管25と
を設けているから、シリコンウェハ9の洗浄作業を容易
に行なうことができる。また、洗浄処理装置4、スピン
乾燥機5の近傍にカセット設置部2を設け、洗浄処理装
置4とカセット設置部2との間にローダ用枚葉基板移載
ロボット6を設け、スピン乾燥機5とカセット設置部2
との間にアンローダ用枚葉基板移載ロボット8を設けて
いるから、シリコンウェハ9の洗浄作業を容易に行なう
ことができる。
【0028】なお、上述実施の形態においては、洗浄処
理装置4に1つの洗浄液滴下配管23を設けたが、複数
の洗浄液を用いた処理を行なう場合には、洗浄液滴下配
管を使用する洗浄液の種類に応じた数だけ設け、第1の
洗浄液による洗浄、リンスが終了したら、第2の洗浄液
による洗浄、リンスを行ない、以下同様の処理を繰り返
せばよい。また、上述実施の形態においては、水槽11
に筒形開口体12を取り付けたが、筒形開口体を水槽に
交換可能に取り付ければ、各種の基板に対応した筒形開
口体を水槽に取り付けることができるから、各種の基板
を洗浄することができる。また、上述実施の形態におい
ては、乾燥機としてスピン乾燥機5を用いたが、他の乾
燥機を用いてもよい。また、上述実施の形態において
は、不活性ガス吹出管として窒素ガス吹出管25を用い
たが、他の不活性ガスを吹き出す不活性ガス吹出管を用
いてもよい。また、上述実施の形態においては、ローダ
用枚葉基板移載ロボット、アンローダ用枚葉基板移載ロ
ボットとしてローダ用枚葉ウェハ移載ロボット6、アン
ローダ用枚葉ウェハ移載ロボット8を用いたが、他のロ
ーダ用枚葉基板移載ロボット、アンローダ用枚葉基板移
載ロボットを用いてもよい。また、上述実施の形態にお
いては、純水スプレー配管24に1つの扇形ノズルを設
けたが、純水スプレー配管に複数の扇形ノズルを設けて
もよい。
【0029】
【発明の効果】本発明に係る基板洗浄方法、基板洗浄装
置においては、洗浄のための超音波スプレーヘッドを往
復運動させる機構が不要であり、薬液ミストを装置内に
拡散しないような排気機構を設ける必要がないから、装
置が簡単となり、装置の製造コストが安価となる。ま
た、基板の全面に超音波振動を一度にあてて洗浄するか
ら、従来の超音波スプレーのように洗浄スポットに超音
波振動をあてて基板の面を走査させる方法と比べて、同
一超音波入力パワー密度ならば、照射面積比だけ短い時
間で洗浄でき、高い洗浄能力が得られ、一方洗浄時間を
同じにするならば、超音波スプレー法に比べて超音波入
力パワー密度を下げることができ、基板の面に超音波照
射ストレスによる損傷を与えない洗浄ができる。
【0030】また、盛り上がり部の周囲から水を溢流さ
せたときには、基板の下面の水が常に入れ替わるから、
基板の下面を洗浄することができる。
【0031】また、水として容存酸素濃度が3ppm以
下の純水を使用したときには、安定に盛り上がり部を発
生させることができる。
【0032】また、筒形開口体を水槽に交換可能に取り
付けたときには、各種の基板に対応した筒形開口体を水
槽に取り付けることができるから、各種の基板を洗浄す
ることができる。
【0033】また、筒形開口体の上方に基板を高さ調節
可能に保持するとともに、洗浄処理装置の近傍に設けら
れた乾燥機に基板を搬送する水平搬送ロボットを設けた
ときには、基板の洗浄作業を容易に行なうことができ
る。
【0034】また、筒形開口体の上方に、洗浄液を基板
の上面に注加する洗浄液滴下配管と、基板の上面に純水
を供給する純水スプレー配管と、基板の上面に不活性ガ
スを吹き出す不活性ガス吹出管とを設けたときには、基
板の洗浄作業を容易に行なうことができる。
【0035】また、洗浄処理装置、乾燥機の近傍にカセ
ット設置部を設け、洗浄処理装置とカセット設置部との
間にローダ用枚葉基板移載ロボットを設け、乾燥機とカ
セット設置部との間にアンローダ用枚葉基板移載ロボッ
トを設けたときには、基板の洗浄作業を容易に行なうこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図2に示した基板洗浄装置の一部を示す概略断
面図である。
【図2】本発明に係る基板洗浄装置を示す概略図であ
る。
【図3】図2に示した基板洗浄装置の一部を示す概略図
である。
【図4】図2に示した基板洗浄装置の一部を示す概略図
である。
【図5】図1〜図4に示した基板洗浄装置の動作説明図
である。
【符号の説明】
4…洗浄処理装置 5…スピン乾燥装置 6…ローダ用枚葉ウェハ移載ロボット 7…水平搬送ロボット 8…アンローダ用枚葉ウェハ移載ロボット 9…シリコンウェハ 11…水槽 11a…排水受部 12…筒状開口体 14…振動板 15…振動子 23…洗浄液滴下配管 24…純水スプレー配管 25…窒素ガス吹出管
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成11年3月15日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 基板洗浄装置
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項】洗浄処理装置の水槽の下部に振動板を設
け、上記水槽の上部に上部開口部の形状が基板の形状と
ほぼ一致する筒形開口体を設け、上記筒形開口体の周囲
に排水受部を設けたことを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項】上記筒形開口体を上記水槽に交換可能に取
り付けたことを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装
置。
【請求項】上記筒形開口体の上方に上記基板を高さ調
節可能に保持するとともに、上記洗浄処理装置の近傍に
設けられた乾燥機に上記基板を搬送する水平搬送ロボッ
トを設けたことを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄
装置。
【請求項】上記筒形開口体の上方に、洗浄液を上記基
板の上面に注加する洗浄液滴下配管と、上記基板の上面
に純水を供給する純水スプレー配管と、上記基板の上面
に不活性ガスを吹き出す不活性ガス吹出管とを設けたこ
とを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。
【請求項】上記洗浄処理装置、上記乾燥機の近傍にカ
セット設置部を設け、上記洗浄処理装置と上記カセット
設置部との間にローダ用枚葉基板移載ロボットを設け、
上記乾燥機と上記カセット設置部との間にアンローダ用
枚葉基板移載ロボットを設けたことを特徴とする請求項
1に記載の基板洗浄装置。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0001
【補正方法】変更
【補正内容】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウェハ、液晶
表示装置用ガラス基板等の基板を洗浄する基板洗浄装置
に関するものである。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0007
【補正方法】変更
【補正内容】
【0007】本発明は上述の課題を解決するためになさ
れたもので、装置の製造コストが安価であり、洗浄作業
時間が短い基板洗浄装置を提供することを目的とする。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0008
【補正方法】変更
【補正内容】
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明においては、洗浄処理装置の水槽の下部に振
動板を設け、上記水槽の上部に上部開口部の形状が基板
の形状とほぼ一致する筒形開口体を設け、上記筒形開口
体の周囲に排水受部を設ける。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0009
【補正方法】削除
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0010
【補正方法】削除
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0011
【補正方法】削除
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】つぎに、図1〜4に示した基板洗浄装置の
動作を説明する
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】このような基板洗浄装置においては、洗浄
のための超音波スプレーヘッドを往復運動させる機構が
不要であり、また薬液ミストを装置内に拡散しないよう
な排気機構を設ける必要がないから、装置が簡単とな
り、装置の製造コストが安価となる。また、シリコンウ
ェハ9の全面に超音波振動を一度にあてて洗浄するか
ら、従来の超音波スプレーのように洗浄スポットに超音
波振動をあててシリコンウェハ9の面を走査させる方法
と比べて、同一超音波入力パワー密度ならば、照射面積
比だけ短い時間で洗浄でき、高い洗浄能力が得られ、一
方洗浄時間を同じにするならば、超音波スプレー法に比
べて超音波入力パワー密度を下げることができ、シリコ
ンウェハ9の面に超音波照射ストレスによる損傷を与え
ない洗浄ができる。たとえば、シリコンウェハ9の直径
が200mmの場合には、1枚のシリコンウェハ9の洗
浄に30〜50mlの洗浄液と3リットル(l)の純水
を消費し、洗浄処理装置4での洗浄を10〜20秒で完
了することができ、またカセット3aからの取出からカ
セット3bへの収納までの時間は30〜40秒であり、
1時間当たりの処理枚数は90〜120枚である。一例
を挙げれば、シリコンウェハ9のカセット3aから洗浄
処理装置4への移載に3秒、洗浄処理装置4でのシリコ
ンウェハ9の洗浄、リンスに15秒、シリコンウェハ9
の洗浄処理装置4からスピン乾燥機5への搬送、受渡し
に2秒、スピン乾燥機5でのスピン乾燥に10秒、シリ
コンウェハ9のスピン乾燥機5からカセット3bへの移
載に3秒を要し、カセット3aからの取出からカセット
3bへの収納までの時間は33秒である。しかも、0.
5μm以上の微粒子の除去率は98〜99.5%であっ
た。また、筒形開口体12の上方にシリコンウェハ9を
高さ調節可能に保持するとともに、洗浄処理装置4の近
傍に設けられたスピン乾燥機5にシリコンウェハ9を搬
送する水平搬送ロボット7を設けているから、シリコン
ウェハ9の洗浄作業を容易に行なうことができる。ま
た、筒形開口体12の上方に洗浄液滴下配管23と純水
スプレー配管24と窒素ガス吹出管25とを設けている
から、シリコンウェハ9の洗浄作業を容易に行なうこと
ができる。また、洗浄処理装置4、スピン乾燥機5の近
傍にカセット設置部2を設け、洗浄処理装置4とカセッ
ト設置部2との間にローダ用枚葉基板移載ロボット6を
設け、スピン乾燥機5とカセット設置部2との間にアン
ローダ用枚葉基板移載ロボット8を設けているから、シ
リコンウェハ9の洗浄作業を容易に行なうことができ
る。
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0029
【補正方法】変更
【補正内容】
【0029】
【発明の効果】本発明に係る基板洗浄装置においては、
洗浄のための超音波スプレーヘッドを往復運動させる機
構が不要であり、薬液ミストを装置内に拡散しないよう
な排気機構を設ける必要がないから、装置が簡単とな
り、装置の製造コストが安価となる。また、基板の全面
に超音波振動を一度にあてて洗浄するから、従来の超音
波スプレーのように洗浄スポットに超音波振動をあてて
基板の面を走査させる方法と比べて、同一超音波入力パ
ワー密度ならば、照射面積比だけ短い時間で洗浄でき、
高い洗浄能力が得られ、一方洗浄時間を同じにするなら
ば、超音波スプレー法に比べて超音波入力パワー密度を
下げることができ、基板の面に超音波照射ストレスによ
る損傷を与えない洗浄ができる。
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0030
【補正方法】削除
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0031
【補正方法】削除

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】超音波照射で起こる音響直進流によって水
    面に水の盛り上がり部を形成し、水平に配置された基板
    の下面に上記盛り上がり部を接触させ、上記基板の上面
    全体に層状に洗浄液を注加することを特徴とする基板洗
    浄方法。
  2. 【請求項2】上記盛り上がり部の周囲から上記水を溢流
    させることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄方
    法。
  3. 【請求項3】上記水として容存酸素濃度が3ppm以下
    の純水を使用することを特徴とする請求項1に記載の基
    板洗浄方法。
  4. 【請求項4】洗浄処理装置の水槽の下部に振動板を設
    け、上記水槽の上部に上部開口部の形状が基板の形状と
    ほぼ一致する筒形開口体を設け、上記筒形開口体の周囲
    に排水受部を設けたことを特徴とする基板洗浄装置。
  5. 【請求項5】上記筒形開口体を上記水槽に交換可能に取
    り付けたことを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装
    置。
  6. 【請求項6】上記筒形開口体の上方に上記基板を高さ調
    節可能に保持するとともに、上記洗浄処理装置の近傍に
    設けられた乾燥機に上記基板を搬送する水平搬送ロボッ
    トを設けたことを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄
    装置。
  7. 【請求項7】上記筒形開口体の上方に、洗浄液を上記基
    板の上面に注加する洗浄液滴下配管と、上記基板の上面
    に純水を供給する純水スプレー配管と、上記基板の上面
    に不活性ガスを吹き出す不活性ガス吹出管とを設けたこ
    とを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。
  8. 【請求項8】上記洗浄処理装置、上記乾燥機の近傍にカ
    セット設置部を設け、上記洗浄処理装置と上記カセット
    設置部との間にローダ用枚葉基板移載ロボットを設け、
    上記乾燥機と上記カセット設置部との間にアンローダ用
    枚葉基板移載ロボットを設けたことを特徴とする請求項
    1に記載の基板洗浄装置。
JP10047131A 1998-02-27 1998-02-27 基板洗浄装置 Expired - Fee Related JP2987132B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10047131A JP2987132B2 (ja) 1998-02-27 1998-02-27 基板洗浄装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10047131A JP2987132B2 (ja) 1998-02-27 1998-02-27 基板洗浄装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11251278A true JPH11251278A (ja) 1999-09-17
JP2987132B2 JP2987132B2 (ja) 1999-12-06

Family

ID=12766590

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10047131A Expired - Fee Related JP2987132B2 (ja) 1998-02-27 1998-02-27 基板洗浄装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2987132B2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2987132B2 (ja) 1999-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6431184B1 (en) Apparatus and method for washing substrate
US7021319B2 (en) Assisted rinsing in a single wafer cleaning process
KR101677839B1 (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
JPH10151422A (ja) 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法
JP2004515053A (ja) ウェーハ洗浄方法及び装置
JP2010027816A (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN111095494A (zh) 基板处理方法及基板处理装置
JP2944598B2 (ja) 洗浄装置および精密基板を洗浄する方法
US7380560B2 (en) Wafer cleaning apparatus with probe cleaning and methods of using the same
JP2000147787A (ja) 現像方法及び現像装置
JPH07201795A (ja) 洗浄方法
JP2000133626A (ja) 基板洗浄装置
KR100598112B1 (ko) 이중 세정 프로브를 갖는 초음파 세정 장치 및 세정 방법
JPH11260779A (ja) スピン洗浄装置及びスピン洗浄方法
JP2987132B2 (ja) 基板洗浄装置
JP2000100763A (ja) 基板表面の処理装置
US7396416B2 (en) Substrate cleaning device
KR20100059549A (ko) 기판 지지부재, 이를 갖는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP4955586B2 (ja) 基板洗浄装置および基板洗浄方法
JP3565690B2 (ja) 密閉型洗浄装置およびこの装置を用いて精密基板を洗浄する方法
JP2000262989A (ja) 基板洗浄装置
WO2007072571A1 (ja) 基板の乾燥装置および洗浄装置並びに乾燥方法および洗浄方法
JP2883844B2 (ja) 高周波洗浄方法
JPH07130694A (ja) 基板洗浄装置
JPH0353524A (ja) 洗浄装置及び洗浄方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071001

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 9

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081001

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091001

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101001

Year of fee payment: 11

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees