JPH11251120A - Manufacture of laminated chip varistor - Google Patents

Manufacture of laminated chip varistor

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JPH11251120A
JPH11251120A JP10071337A JP7133798A JPH11251120A JP H11251120 A JPH11251120 A JP H11251120A JP 10071337 A JP10071337 A JP 10071337A JP 7133798 A JP7133798 A JP 7133798A JP H11251120 A JPH11251120 A JP H11251120A
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JP
Japan
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varistor element
glass paste
laminated
multilayer
paste
Prior art date
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Pending
Application number
JP10071337A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kuniyoshi Kawada
田 都 美 河
Kenjirou Hatano
研次郎 羽田野
Iwao Fukutani
谷 巌 福
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
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  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To form glass insulating films having little variations in thickness on the four side faces of laminated varistor elements with few number of processes, and at the same time, to reduce the manufacturing cost of a laminated chip varistor. SOLUTION: While a holding plate 40 holds a plurality of laminated varistor elements 12, the plate 40 is dipped into a glass paste 42, from one side of the exposed surfaces of the internal electrodes of the varistor elements 12. After being dipped, the elements 12 are pulled up and the glass paste 42 adhering to the exposed surfaces of the internal electrodes is wiped off with filter paper, and then the exposed surfaces are dried. Then the paste for external electrode is applied to the exposed surface of the internal electrodes and the glass paste 42 and the paste for external electrode are baked to the elements 12. At the baking of the paste, the varistor elements 12 are housed in the cavity of a plate for baking in standing states.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は積層チップバリス
タの製造方法に関し、特にたとえば、サージ吸収用とし
て用いられる積層チップバリスタの製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer chip varistor, and more particularly to a method for manufacturing a multilayer chip varistor used for surge absorption, for example.

【0002】[0002]

【従来の技術】図10は、積層チップバリスタの一例を
示す斜視図であり、図11はその断面図解図である。積
層チップバリスタ10は、積層バリスタ素子12を含
む。積層バリスタ素子12は、たとえば酸化亜鉛系の材
料で形成されたセラミック層14と複数の内部電極16
との積層体として形成される。内部電極16は、積層バ
リスタ素子12の長手方向の両端に交互に露出するよう
に形成される。積層バリスタ素子12の内部電極16が
露出した両端面には、外部電極18が形成される。した
がって、これらの外部電極18には、内部電極16が交
互に接続される。さらに、積層バリスタ素子12の外部
電極18が形成されていない側面には、ガラス絶縁膜2
0が形成される。なお、外部電極18は、Agなどで形
成される電極層22を含み、さらに半田付け時に発生す
る半田くわれを防止するため、SnやNiなどによっ
て、めっき層24が形成される。
2. Description of the Related Art FIG. 10 is a perspective view showing an example of a laminated chip varistor, and FIG. 11 is a schematic sectional view thereof. The multilayer chip varistor 10 includes a multilayer varistor element 12. The multilayer varistor element 12 includes a ceramic layer 14 formed of, for example, a zinc oxide-based material and a plurality of internal electrodes 16.
As a laminate. The internal electrodes 16 are formed so as to be alternately exposed at both ends in the longitudinal direction of the multilayer varistor element 12. External electrodes 18 are formed on both end surfaces of the multilayer varistor element 12 where the internal electrodes 16 are exposed. Therefore, the internal electrodes 16 are alternately connected to these external electrodes 18. Further, on the side surface of the laminated varistor element 12 where the external electrode 18 is not formed, the glass insulating film 2 is formed.
0 is formed. The external electrode 18 includes an electrode layer 22 formed of Ag or the like, and a plating layer 24 is formed of Sn, Ni, or the like in order to prevent solder cracking that occurs at the time of soldering.

【0003】このような積層チップバリスタ10は、電
圧が上昇すると抵抗が急激に低下する電圧非直線性の抵
抗体であり、静電気サージ、雷サージ、リレーが発生す
る開閉サージなどの異常電圧から電子機器を保護するサ
ージアブソーバとして、重要な役割を果している。中で
も、積層チップバリスタは面実装が可能であり、薄層
化,高積層化によりバリスタ電圧の低い素子を安定的に
作製でき、かつサージ電流耐量の大きい小型の素子を作
製することが可能であるため、近年の電子機器の小型
化,面実装化,低電圧化の流れから、広く普及し始めて
いる。
[0003] Such a multilayer chip varistor 10 is a voltage non-linear resistor whose resistance rapidly decreases when the voltage rises. It plays an important role as a surge absorber that protects equipment. Above all, a multilayer chip varistor can be surface-mounted, and a device with a low varistor voltage can be stably manufactured by thinning and high stacking, and a small device with a large surge current resistance can be manufactured. For this reason, electronic devices have begun to be widely used in recent years due to the trend of miniaturization, surface mounting, and low voltage of electronic devices.

【0004】しかしながら、ガラス絶縁膜20がない場
合、積層チップバリスタ10は、酸やアルカリに弱く、
半田付け時のフラックスの還元作用により表面リークが
発生するという問題がある。また、積層チップバリスタ
10に用いられる抵抗体は半導体であるため、絶縁体に
比べて電気抵抗が低く、外部電極18にめっきを施すと
きに、外部電極18が形成されていない積層バリスタ素
子12の側面にもめっき層が形成されるという問題があ
る。そこで、このような問題を解決するために、外部電
極18が形成されていない積層バリスタ素子12の側面
に、保護膜としてガラス絶縁膜20が形成されている。
However, when the glass insulating film 20 is not provided, the multilayer chip varistor 10 is susceptible to acid and alkali,
There is a problem in that surface leakage occurs due to the flux reducing action at the time of soldering. Further, since the resistor used in the multilayer chip varistor 10 is a semiconductor, the electrical resistance is lower than that of the insulator, and when plating the external electrode 18, the resistance of the multilayer varistor element 12 without the external electrode 18 is increased. There is a problem that a plating layer is also formed on the side surface. Therefore, in order to solve such a problem, a glass insulating film 20 is formed as a protective film on the side surface of the laminated varistor element 12 where the external electrode 18 is not formed.

【0005】この積層チップバリスタ10を作製するに
は、電圧非直線性を有する抵抗体の材料となるセラミッ
クグリーンシートが準備される。このセラミックグリー
ンシート上に、内部電極となる電極ペーストを印刷し、
電極ペーストを印刷した複数のセラミックグリーンシー
トが積層圧着される。積層圧着されたセラミックグリー
ンシートは、両端部に交互に内部電極用の電極ペースト
が露出するように、チップ状に切断される。そして、得
られたチップを焼成することにより、積層バリスタ素子
12が得られる。
In order to manufacture the laminated chip varistor 10, a ceramic green sheet to be used as a material of a resistor having voltage non-linearity is prepared. On this ceramic green sheet, print the electrode paste that will be the internal electrode,
A plurality of ceramic green sheets on which the electrode paste is printed are laminated and pressed. The laminated and pressed ceramic green sheets are cut into chips so that the electrode pastes for the internal electrodes are alternately exposed at both ends. Then, by firing the obtained chip, the laminated varistor element 12 is obtained.

【0006】この積層バリスタ素子12にガラス絶縁膜
20を形成するために、図12に示すように、積層バリ
スタ素子12の1つの側面Aに、スクリーン印刷によっ
てガラスペーストが印刷される。そして、積層バリスタ
素子12に印刷されたガラスペーストが、乾燥させられ
る。このような工程が、積層バリスタ素子12の他の3
つの側面B,C,Dについて順次行われる。つまり、ガ
ラスペーストの印刷および乾燥を4回行うことにより、
積層バリスタ素子12の内部電極16が露出していない
側面に、ガラスペーストの層が形成される。さらに、積
層バリスタ素子12の内部電極16が露出した面に、外
部電極用ペーストが塗布される。そして、外部電極用ペ
ーストおよびガラスペーストを積層バリスタ素子12に
焼き付けることにより、電極層22およびガラス絶縁膜
20が形成される。さらに、電極層22にめっき層24
を形成することにより外部電極18が形成され、積層チ
ップバリスタ10が完成する
In order to form the glass insulating film 20 on the laminated varistor element 12, as shown in FIG. 12, a glass paste is printed on one side A of the laminated varistor element 12 by screen printing. Then, the glass paste printed on the multilayer varistor element 12 is dried. Such a process is equivalent to the other three steps of the multilayer varistor element 12.
The operations are sequentially performed on the three side surfaces B, C, and D. In other words, by printing and drying the glass paste four times,
A glass paste layer is formed on the side of the multilayer varistor element 12 where the internal electrodes 16 are not exposed. Further, an external electrode paste is applied to the surface of the multilayer varistor element 12 where the internal electrodes 16 are exposed. Then, the electrode layer 22 and the glass insulating film 20 are formed by baking the external electrode paste and the glass paste on the laminated varistor element 12. Further, the plating layer 24 is formed on the electrode layer 22.
Are formed to form the external electrodes 18 and the multilayer chip varistor 10 is completed.

【0007】また、図13に示すように、積層バリスタ
素子12の側面に、ガラスペーストを転写してもよい。
この場合、転写パッド26にガラスペースト層28を形
成し、これを積層バリスタ素子12の側面に押しつける
ことにより、ガラスペースト層28が転写される。この
とき、転写パッド26が積層バリスタ素子12を包み込
むように押しつけられるため、図14に示すように、積
層バリスタ素子12の3つの側面にわたって、ガラスペ
ースト層28が形成される。そして、積層バリスタ素子
12に形成されたガラスペースト層28が乾燥させられ
る。このような工程が、積層バリスタ素子12の反対側
の側面についても行われ、図15に示すように、積層バ
リスタ素子12の4つの側面がガラスペースト層28で
覆われる。次に、図16に示すように、積層バリスタ素
子12の内部電極16が露出した面に、外部電極用ペー
スト30が塗布される。そして、外部電極用ペースト3
0およびガラスペースト層28を積層バリスタ素子12
に焼き付けることにより、電極層22およびガラス絶縁
膜20が形成される。さらに、電極層22にめっき層2
4を形成することにより外部電極18が形成され、積層
チップバリスタ10が完成する。
Further, as shown in FIG. 13, a glass paste may be transferred to the side surface of the multilayer varistor element 12.
In this case, a glass paste layer 28 is formed on the transfer pad 26 and pressed against the side surface of the multilayer varistor element 12, whereby the glass paste layer 28 is transferred. At this time, since the transfer pad 26 is pressed so as to surround the multilayer varistor element 12, a glass paste layer 28 is formed over three side surfaces of the multilayer varistor element 12, as shown in FIG. Then, the glass paste layer 28 formed on the multilayer varistor element 12 is dried. Such a process is performed on the opposite side surface of the multilayer varistor element 12, and the four side surfaces of the multilayer varistor element 12 are covered with the glass paste layer 28 as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 16, an external electrode paste 30 is applied to the surface of the multilayer varistor element 12 where the internal electrodes 16 are exposed. And paste 3 for external electrodes
0 and the glass paste layer 28 are laminated with the varistor element 12
The electrode layer 22 and the glass insulating film 20 are formed by baking. Further, the plating layer 2 is formed on the electrode layer 22.
4, the external electrodes 18 are formed, and the multilayer chip varistor 10 is completed.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スクリ
ーン印刷によってガラスペースト層を形成する場合、積
層バリスタ素子の4つの面にガラスペーストを印刷しな
ければならないため、この印刷,乾燥の工程を4回繰り
返す必要があり、コストアップの原因となる。また、転
写によってガラスペースト層を形成する場合、2回の転
写で積層バリスタ素子の4つの面にガラスペースト層を
形成することができるが、積層バリスタ素子のチップサ
イズが大きくなると、ガラスペースト層の側面への回り
込みが安定せず、側面のガラスペースト層の転写量にば
らつきが生じ、膜厚不良や外観不良が多くなるという不
具合があった。
However, when a glass paste layer is formed by screen printing, since the glass paste must be printed on the four surfaces of the laminated varistor element, this printing and drying process is repeated four times. Need to be made, which causes an increase in cost. When the glass paste layer is formed by transfer, the glass paste layers can be formed on four surfaces of the multilayer varistor element by two transfers. However, when the chip size of the multilayer varistor element increases, the glass paste layer becomes There is a problem that the wraparound to the side surface is not stable, the transfer amount of the glass paste layer on the side surface varies, and the film thickness defect and the appearance defect increase.

【0009】また、いずれの方法においても、積層バリ
スタ素子をプレート上に寝かせた状態でガラスペースト
の塗布が行われるため、1つの積層バリスタ素子が占め
る専有面積が大きく、1回で処理できる個数が少なく、
コストアップの原因となっていた。
Further, in any of the methods, since the glass paste is applied while the laminated varistor elements are laid on a plate, the occupied area occupied by one laminated varistor element is large, and the number that can be processed at one time is large. Less,
This was causing cost increase.

【0010】それゆえに、この発明の主たる目的は、少
ない工程で積層バリスタ素子の4つの側面に厚みのばら
つきの少ないガラス絶縁膜を形成することができ、しか
も製造コストの低減を図ることができる積層チップバリ
スタの製造方法を提供することである。
Therefore, a main object of the present invention is to form a glass insulating film having a small variation in thickness on the four side surfaces of a laminated varistor element in a small number of steps, and to reduce the manufacturing cost. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a chip varistor.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】この発明は、両端に内部
電極が露出した積層バリスタ素子を準備する工程と、積
層バリスタ素子の内部電極露出面の一方側から積層バリ
スタ素子をガラスペースト中に浸漬する工程と、積層バ
リスタ素子の内部電極露出面に付着したガラスペースト
を拭き取る工程と、積層バリスタ素子に付着したガラス
ペーストを乾燥させる工程と、積層バリスタ素子の2つ
の内部電極露出面に外部電極用ペーストを塗布する工程
と、ガラスペーストおよび外部電極用ペーストを積層バ
リスタ素子に焼き付けることにより、バリスタ素子に内
部電極に接続された外部電極が形成されるとともに外部
電極形成部以外の表面にガラス絶縁膜が形成される、積
層チップバリスタの製造方法である。この積層チップバ
リスタの製造方法では、積層バリスタ素子をガラスペー
スト中に浸漬する工程において、積層バリスタ素子の2
つの内部電極露出面間の距離をLとし、積層バリスタ素
子の内部電極露出面以外の側面に形成される外部電極の
寸法をeとしたとき、ガラスペースト中への積層バリス
タ素子の浸漬深さDを、L−e<D<Lの範囲とするこ
とができる。また、ガラスペーストを乾燥させる工程の
後に、積層バリスタ素子の内部電極露出面の他方側から
積層バリスタ素子をガラスペースト中に浸漬する工程
と、積層バリスタ素子の内部電極露出面に付着したガラ
スペーストを拭き取る工程と、積層バリスタ素子に付着
したガラスペーストを乾燥させる工程とを含み、積層バ
リスタ素子の2つの内部電極露出面間の距離をLとした
とき、ガラスペースト中への積層バリスタ素子の浸漬深
さDを、D≧L/2の範囲としてもよい。また、ガラス
ペーストおよび外部電極用ペーストを積層バリスタ素子
に焼き付けるために、焼き付け用プレートに形成された
キャビティにガラスペーストおよび外部電極用ペースト
が塗布された積層バリスタ素子を立てるように収納する
ことが好ましい。
According to the present invention, there is provided a step of preparing a laminated varistor element having internal electrodes exposed at both ends, and immersing the laminated varistor element in a glass paste from one side of the internal electrode exposed surface of the laminated varistor element. The glass paste adhered to the exposed surface of the multilayer varistor element, the step of drying the glass paste adhered to the laminated varistor element, and the step of drying the glass paste adhered to the laminated varistor element for the external electrode. By applying the paste and baking the glass paste and the external electrode paste on the laminated varistor element, the external electrode connected to the internal electrode is formed on the varistor element, and the glass insulating film is formed on the surface other than the external electrode forming portion. Is a method for manufacturing a laminated chip varistor. In this method for manufacturing a multilayer chip varistor, in the step of dipping the multilayer varistor element in a glass paste,
When the distance between the two internal electrode exposed surfaces is L and the dimension of the external electrode formed on the side surface other than the internal electrode exposed surface of the multilayer varistor element is e, the immersion depth D of the multilayer varistor element in the glass paste is D May be in the range of Le−D <L. Further, after the step of drying the glass paste, a step of dipping the laminated varistor element in the glass paste from the other side of the internal electrode exposed surface of the laminated varistor element, and a step of immersing the glass paste adhered to the internal electrode exposed surface of the laminated varistor element. A wiping step and a step of drying the glass paste adhered to the laminated varistor element, wherein the distance between the two internal electrode exposed surfaces of the laminated varistor element is L, and the immersion depth of the laminated varistor element in the glass paste D may be in the range of D ≧ L / 2. Further, in order to bake the glass paste and the external electrode paste on the laminated varistor element, it is preferable to store the laminated varistor element coated with the glass paste and the external electrode paste in a cavity formed in the baking plate so as to stand. .

【0012】内部電極露出面の一方からガラスペースト
中に積層バリスタ素子を浸漬することにより、その内部
電極露出面と内部電極が露出していない側面とに、ガラ
スペーストを付着させることができる。そして、内部電
極露出面に付着したガラスペーストを拭き取ることによ
り、外部電極と内部電極との間の電気的接続を得ること
ができる。積層バリスタ素子をガラスペーストに浸漬す
ることにより、チップサイズの大小にかかわらず、安定
した厚みのガラス絶縁層を形成することができる。ガラ
スペースト中への積層バリスタ素子の浸漬深さDを、L
−e<D<Lの範囲とすることにより、外部電極形成部
分を除いて、1回の浸漬で積層バリスタ素子の側面にガ
ラスペーストを付着させることができる。また、ガラス
ペースト中への積層バリスタ素子の浸漬深さDを、D≧
L/2の範囲とすれば、2つの内部電極露出面の両側か
らガラスペースト中に浸漬することにより、積層バリス
タ素子の側面に、安定した厚みのガラス絶縁層を形成す
ることができる。さらに、焼き付け用プレートのキャビ
ティに積層バリスタ素子を立てるようにして収納し、ガ
ラスペーストおよび外部電極ペーストを焼き付けること
により、焼き付け用プレート上における1個の積層バリ
スタ素子の占める面積が小さくなり、1回で作製できる
積層チップバリスタの量を多くすることができる。
By immersing the laminated varistor element in the glass paste from one of the exposed surfaces of the internal electrodes, the glass paste can be adhered to the exposed surfaces of the internal electrodes and the side surfaces on which the internal electrodes are not exposed. Then, by wiping off the glass paste attached to the exposed surface of the internal electrode, an electrical connection between the external electrode and the internal electrode can be obtained. By immersing the laminated varistor element in the glass paste, a glass insulating layer having a stable thickness can be formed regardless of the chip size. The immersion depth D of the laminated varistor element in the glass paste is L
By setting the range of −e <D <L, the glass paste can be adhered to the side surface of the laminated varistor element by one immersion except for the portion where the external electrode is formed. Further, the immersion depth D of the laminated varistor element in the glass paste is defined as D ≧
By setting the range of L / 2, a glass insulating layer having a stable thickness can be formed on the side surface of the laminated varistor element by immersing in the glass paste from both sides of the two internal electrode exposed surfaces. Further, the laminated varistor element is stored in the cavity of the baking plate in an upright position, and the glass paste and the external electrode paste are baked, so that the area occupied by one laminated varistor element on the baking plate is reduced. Can increase the amount of multilayer chip varistors that can be manufactured.

【0013】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
The above objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of embodiments with reference to the drawings.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】図10および図11に示す積層チ
ップバリスタ10を作製するために、積層バリスタ素子
12がガラスペースト中に浸漬され、内部電極露出面に
付着したガラスペーストが拭き取られるが、このような
方法による積層チップバリスタ10の製造方法の例を次
に示す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In order to manufacture a laminated chip varistor 10 shown in FIGS. 10 and 11, a laminated varistor element 12 is immersed in a glass paste, and the glass paste adhered to an exposed surface of an internal electrode is wiped off. An example of a method for manufacturing the multilayer chip varistor 10 according to such a method will be described below.

【0015】[0015]

【実施例】(実施例1)まず、積層バリスタ素子12の
セラミック層14の原料として、ZnO100に対し
て、Bi2 3 1.0mol%、MnO0.5mol
%、CoO0.5mol%、SiO2 1.0mol%、
2 3 0.1mol%、Sb2 3 0.5mol%、
Al2 3 100ppmを配合した。得られた配合原料
をボールミルで20時間混合,粉砕したのち、脱水を行
い、乾燥後♯60の篩で造粒した。この粉体を750℃
で2時間仮焼し、できあがった仮焼物を粗粉砕したの
ち、ボールミルで再度混合,粉砕して、スラリーを得
た。このスラリーを脱水,乾燥して、粉体を得た。
EXAMPLES (Example 1) First, as a raw material for the ceramic layer 14 of the multilayer varistor element 12, against ZnO100, Bi 2 O 3 1.0mol% , MnO0.5mol
%, CoO 0.5 mol%, SiO 2 1.0 mol%,
B 2 O 3 0.1 mol%, Sb 2 O 3 0.5 mol%,
100 ppm of Al 2 O 3 was blended. The obtained compounded raw materials were mixed and pulverized by a ball mill for 20 hours, dewatered, dried and granulated with a # 60 sieve. 750 ° C
For 2 hours, the resulting calcined product was roughly pulverized, and then mixed and pulverized again with a ball mill to obtain a slurry. The slurry was dewatered and dried to obtain a powder.

【0016】この粉体に溶剤,バインダおよび分散剤を
加え、ドクターブレード法により厚さ50μmのシート
を成形し、このシートを所定の大きさに打ち抜いて、グ
リーンシートを得た。このグリーンシートの一部にPt
ペーストをスクリーン印刷法で印刷し、内部電極用パタ
ーンを形成した。内部電極用パターンを形成したグリー
ンシートを、内部電極引き出し部が交互に配置されるよ
うに所定枚数積み重ね、2ton/cm2 の圧力で圧着
して積層体とした。この積層体を所定の大きさのチップ
状に切断した。得られたチップを500℃で熱処理して
バインダを飛ばしたのち、1000℃で3時間焼成し、
積層バリスタ素子12を得た。
A solvent, a binder and a dispersant were added to the powder, a 50 μm-thick sheet was formed by a doctor blade method, and the sheet was punched into a predetermined size to obtain a green sheet. Part of this green sheet is Pt
The paste was printed by a screen printing method to form an internal electrode pattern. A predetermined number of the green sheets on which the internal electrode patterns were formed were stacked such that the internal electrode lead portions were alternately arranged, and were pressed under a pressure of 2 ton / cm 2 to form a laminate. This laminate was cut into chips of a predetermined size. After the obtained chip is heat-treated at 500 ° C. to remove the binder, it is baked at 1000 ° C. for 3 hours,
The laminated varistor element 12 was obtained.

【0017】得られた積層バリスタ素子12を、図1に
示すように、粘着性ゴムが貼られた平面状の保持プレー
ト40に貼り付けた。このとき、保持プレート40に
は、積層バリスタ素子12の内部電極16露出面を貼り
付けた。そして、保持プレート40をガラスペースト4
2に近づけ、積層バリスタ素子12をガラスペースト4
2に浸漬した。このとき、保持プレート40とガラスペ
ースト42の面とが平行となるように配置し、この状態
で保持プレート40をガラスペースト42に近づけた。
なお、ガラスペースト42としては、ホウ珪酸鉛系のガ
ラスペーストを用いた。
As shown in FIG. 1, the obtained multilayer varistor element 12 was attached to a flat holding plate 40 to which an adhesive rubber was attached. At this time, the exposed surface of the internal electrode 16 of the multilayer varistor element 12 was attached to the holding plate 40. Then, the holding plate 40 is placed on the glass paste 4.
2 and the laminated varistor element 12 is
2 was immersed. At this time, the holding plate 40 and the surface of the glass paste 42 were arranged so as to be parallel, and the holding plate 40 was brought close to the glass paste 42 in this state.
As the glass paste 42, a lead borosilicate glass paste was used.

【0018】積層バリスタ素子12をガラスペースト4
2中に浸漬するとき、図2に示すように、その浸漬深さ
Dは、L−e<D<Lとなるように設定される。ここ
で、図10に示すように、Lは積層バリスタ素子12の
2つの内部電極16露出面の間の距離であり、eは積層
バリスタ素子12の内部電極16が露出していない側面
に形成された外部電極18の寸法である。
The laminated varistor element 12 is glass paste 4
2, the immersion depth D is set such that Le−D <L <L, as shown in FIG. Here, as shown in FIG. 10, L is the distance between the exposed surfaces of the two internal electrodes 16 of the multilayer varistor element 12, and e is formed on the side surface of the multilayer varistor element 12 where the internal electrodes 16 are not exposed. Are the dimensions of the external electrode 18.

【0019】積層バリスタ素子12をガラスペースト4
2に浸漬したのち、保持プレート40に衝撃を与えて、
積層バリスタ素子12に過剰に付着したガラスペースト
42を振り切った。そして、図3に示すように、保持プ
レート40ごと濾紙44の上に置き、積層バリスタ素子
12の内部電極16露出面に付着したガラスペースト4
2を拭き取った。
The laminated varistor element 12 is glass paste 4
After immersion in 2, the holding plate 40 is given an impact,
The glass paste 42 excessively attached to the laminated varistor element 12 was shaken off. Then, as shown in FIG. 3, the glass paste 4 attached to the exposed surface of the internal electrode 16 of the multilayer varistor element 12 is placed on the filter paper 44 together with the holding plate 40.
2 was wiped off.

【0020】そののち、保持プレート40ごとオーブン
に入れ、100℃で積層バリスタ素子12の側面に付着
したガラスペースト42を乾燥させた。そして、外部電
極18の電極層22となるAgペースト46を積層バリ
スタ素子12の両端部の内部電極16露出面に塗布し、
積層バリスタ素子12を、アルミナ製の焼き付け用プレ
ート48に保持した。焼き付け用プレート48には、図
4に示すように、複数の円筒状のキャビティ50が形成
され、このキャビティ50に積層バリスタ素子12を立
てるように収納した。つまり、図5に示すように、キャ
ビティ50内に、積層バリスタ素子12のAgペースト
46塗布面が上下となるように収納した。
After that, the holding plate 40 was put in an oven, and the glass paste 42 attached to the side surface of the laminated varistor element 12 was dried at 100 ° C. Then, an Ag paste 46 serving as the electrode layer 22 of the external electrode 18 is applied to the exposed surfaces of the internal electrodes 16 at both ends of the multilayer varistor element 12,
The laminated varistor element 12 was held on a baking plate 48 made of alumina. As shown in FIG. 4, a plurality of cylindrical cavities 50 are formed in the baking plate 48, and the stacked varistor elements 12 are housed in the cavities 50 so as to stand. That is, as shown in FIG. 5, the laminated varistor element 12 was housed in the cavity 50 such that the surface to which the Ag paste 46 was applied was upside down.

【0021】そして、800℃で、ガラスペースト42
およびAgペースト46を積層バリスタ素子12に焼き
付け、ガラス絶縁膜20および外部電極18の電極層2
2を形成した。さらに、電気めっきにより、電極層22
にNiめっき,Snめっきを施し、めっき層24を形成
して、積層チップバリスタ10を得た。
Then, at 800 ° C., a glass paste 42
And the Ag paste 46 are baked on the laminated varistor element 12 to form the glass insulating film 20 and the electrode layer 2 of the external electrode 18.
2 was formed. Further, the electrode layer 22 is formed by electroplating.
The resultant was subjected to Ni plating and Sn plating to form a plating layer 24 to obtain a multilayer chip varistor 10.

【0022】この積層チップバリスタ10の製造方法で
は、積層バリスタ素子12の浸漬深さDを、L−e<D
とすることにより、1回の浸漬のみで、少なくとも外部
電極18の形成部以外の全ての側面に、ガラスペースト
42を付着させることができる。したがって、従来のス
クリーン印刷や転写によってガラスペーストを付着させ
る場合に比べて、製造工程を簡略化することができ、製
造コストの低減を図ることができる。
In the method of manufacturing the multilayer chip varistor 10, the immersion depth D of the multilayer varistor element 12 is set to be Le−D <D
By doing so, the glass paste 42 can be attached to at least all the side surfaces except the portion where the external electrode 18 is formed by only one dipping. Therefore, the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced as compared with the case where the glass paste is attached by conventional screen printing or transfer.

【0023】また、D<Lとすることにより、保持プレ
ート40へのガラスペースト42の付着がなくなり、保
持プレート40に保持された内部電極16露出面にガラ
スペースト42が付着しない。さらに、保持プレート4
0と反対側の積層バリスタ素子12の端部にはガラスペ
ースト42が付着しているが、この面のガラスペースト
42を濾紙44で拭き取ることによりガラスペースト4
2が濾紙44に吸収され、簡単に内部電極18露出面を
表面に現すことができる。したがって、積層バリスタ素
子12の両端に外部電極18を形成することにより、内
部電極16と外部電極18とが接続される。ガラスペー
スト42が付着したままでは、外部電極18と内部電極
16との接続ができず、バリスタの重要特性であるサー
ジ耐量が低下するが、この方法で積層チップバリスタ1
0を作製すれば、サージ耐量の低下を防ぐことができ
る。
By setting D <L, the glass paste 42 does not adhere to the holding plate 40, and the glass paste 42 does not adhere to the exposed surface of the internal electrode 16 held by the holding plate 40. Further, the holding plate 4
The glass paste 42 adheres to the end of the multilayer varistor element 12 on the opposite side to the glass paste 42. The glass paste 42 on this surface is wiped off with a filter paper 44.
2 is absorbed by the filter paper 44, and the exposed surface of the internal electrode 18 can be easily exposed. Therefore, by forming the external electrodes 18 at both ends of the multilayer varistor element 12, the internal electrodes 16 and the external electrodes 18 are connected. If the glass paste 42 remains adhered, the external electrode 18 and the internal electrode 16 cannot be connected to each other, and the surge immunity, which is an important characteristic of the varistor, is reduced.
If 0 is formed, it is possible to prevent a decrease in surge resistance.

【0024】さらに、ガラスペースト42およびAgペ
ースト46を付着させた積層バリスタ素子12を、焼き
付け用プレート48のキャビティ50に立てるように収
納することにより、1つの焼き付け用プレート48を用
いて作製できる積層チップバリスタ10の数を多くする
ことができる。つまり、対向する内部電極16露出面間
の距離Lは、通常、他の幅方向の寸法Wや高さ方向の寸
法Tより長いため、積層バリスタ素子12を立てるよう
に収納することにより、積層バリスタ素子12を他の向
きに並べる場合に比べて、焼き付け用プレート48上に
占める面積が小さくなる。そのため、1枚の焼き付け用
プレート48上に多数の積層バリスタ素子12を保持す
ることができ、1枚の焼き付け用プレート48から得ら
れる積層チップバリスタ10の数を多くすることができ
る。
Further, the laminated varistor element 12 to which the glass paste 42 and the Ag paste 46 are adhered is housed upright in the cavity 50 of the baking plate 48 so that the lamination can be performed using one baking plate 48. The number of chip varistors 10 can be increased. That is, since the distance L between the exposed surfaces of the internal electrodes 16 opposed to each other is usually longer than the other dimension W in the width direction and the dimension T in the height direction, the stacked varistor element 12 is housed so as to stand up. The area occupied on the printing plate 48 is smaller than when the elements 12 are arranged in another direction. Therefore, a large number of laminated varistor elements 12 can be held on one baking plate 48, and the number of laminated chip varistors 10 obtained from one baking plate 48 can be increased.

【0025】また、キャビティ50に、積層バリスタ素
子12を立てるように収納することにより、外部電極用
のAgペースト46塗布面がキャビティ50の底面に接
触することになり、ガラスペースト42が付着した側面
が焼き付け用プレート48に接触しない。そのため、焼
き付け工程において、溶融したガラスが焼き付け用プレ
ート48に付着することを防ぐことができる。なお、キ
ャビティ50に積層バリスタ素子12を収納するのは、
積層バリスタ素子12が倒れることを防ぐためである。
したがって、キャビティ50の形状は、円筒状に限ら
ず、楕円状や多角形状など、他の形状であってもよい。
Further, since the laminated varistor element 12 is housed in the cavity 50 so that the Ag paste 46 for the external electrode is in contact with the bottom surface of the cavity 50, the side surface on which the glass paste 42 adheres. Does not contact the baking plate 48. Therefore, it is possible to prevent the molten glass from adhering to the baking plate 48 in the baking step. It should be noted that the multilayer varistor element 12 is housed in the cavity 50 by:
This is to prevent the multilayer varistor element 12 from falling down.
Therefore, the shape of the cavity 50 is not limited to the cylindrical shape, and may be another shape such as an elliptical shape or a polygonal shape.

【0026】(実施例2)図6に示すように、ゴム状の
保持プレート52に貫通孔を形成し、保持プレート52
の弾性を利用して、この貫通孔に積層バリスタ素子12
を保持した。この保持プレート52に保持された積層バ
リスタ素子12を、その内部電極16露出面の一方側か
ら、ガラスペースト42に浸漬した。このとき、図7に
示すように、積層バリスタ素子12の浸漬深さDは、D
=L/2〜2L/3となるように浸漬される。
(Embodiment 2) As shown in FIG. 6, a through hole is formed in a rubber-like holding plate 52, and the holding plate 52
Utilizing the elasticity of the multilayer varistor element 12
Was held. The laminated varistor element 12 held by the holding plate 52 was immersed in the glass paste 42 from one side of the exposed surface of the internal electrode 16. At this time, as shown in FIG. 7, the immersion depth D of the multilayer varistor element 12 is D
= L / 2 to 2L / 3.

【0027】ガラスペースト42に積層バリスタ素子1
2を浸漬したのち、保持プレート52に衝撃を与え、過
剰に付着したガラスペースト42を振り切った。そし
て、積層バリスタ素子12の内部電極16露出面に付着
したガラスペースト42を、濾紙44で拭き取った。そ
ののち、保持プレート52ごとオーブンに入れ、100
℃でガラスペーストを乾燥させた。積層バリスタ素子1
2を上方に押し出す、または別の保持プレート52に移
し替え、積層バリスタ素子12の向きを逆にして、この
ような浸漬,拭き取り,乾燥の作業を行った。
The varistor element 1 laminated on the glass paste 42
After immersion, the holding plate 52 was shocked to shake off the excessively adhered glass paste. Then, the glass paste 42 attached to the exposed surface of the internal electrode 16 of the multilayer varistor element 12 was wiped off with a filter paper 44. After that, put the holding plate 52 in the oven,
The glass paste was dried at ℃. Multilayer varistor element 1
2 was extruded upward or transferred to another holding plate 52, and the operations of the immersion, wiping, and drying were performed by reversing the direction of the laminated varistor element 12.

【0028】このとき、積層バリスタ素子12の浸漬深
さDをL/2〜2L/3の範囲とすることにより、1回
目の浸漬によって、図8に示すように、積層バリスタ素
子12の側面の中間部までガラスペースト42を付着さ
せることができる。また、2回目の浸漬によって、図9
に示すように、積層バリスタ素子12の中央部で重なる
ようにして、積層バリスタ素子12の側面の全体にガラ
スペースト42を付着させることができる。
At this time, by setting the immersion depth D of the multilayer varistor element 12 to be in the range of L / 2 to 2L / 3, the first immersion allows the side face of the multilayer varistor element 12 as shown in FIG. The glass paste 42 can be attached to the middle part. Also, by the second immersion, FIG.
As shown in (1), the glass paste 42 can be applied to the entire side surface of the multilayer varistor element 12 so as to overlap at the center of the multilayer varistor element 12.

【0029】ガラスペースト42を付着させた積層バリ
スタ素子12の内部電極16露出面に外部電極用のAg
ペーストを塗布し、実施例1と同様にして焼き付け、積
層チップバリスタ10を作製した。
Ag for the external electrode is formed on the exposed surface of the internal electrode 16 of the laminated varistor element 12 to which the glass paste 42 is adhered.
The paste was applied and baked in the same manner as in Example 1 to produce a multilayer chip varistor 10.

【0030】この積層チップバリスタ10の製造方法で
は、2回の浸漬で積層バリスタ素子12の側面の全体に
ガラスペースト42を付着させることができ、スクリー
ン印刷でガラスペーストを付着させる場合に比べて、工
程を簡略化することができる。さらに、転写によるガラ
スペーストの塗布の場合においても、積層バリスタ素子
12のチップサイズが大きくなると、4つの側面につい
てガラスペーストの転写および乾燥が必要であったが、
この実施例の方法では、チップサイズにかかわらず、2
回の浸漬によって、ガラスペースト42を積層バリスタ
素子12の側面に与えることができる。
In the method of manufacturing the laminated chip varistor 10, the glass paste 42 can be adhered to the entire side surface of the laminated varistor element 12 by immersion twice, and compared with the case where the glass paste is adhered by screen printing. The process can be simplified. Further, even in the case of applying the glass paste by transfer, when the chip size of the multilayer varistor element 12 is increased, the transfer and drying of the glass paste are required on the four side surfaces.
In the method of this embodiment, regardless of the chip size, 2
The glass paste 42 can be applied to the side surface of the laminated varistor element 12 by the repeated immersion.

【0031】[0031]

【発明の効果】この発明によれば、従来の積層チップバ
リスタの製造方法に比べて、ガラスペーストの塗布工程
を簡略化することができる。しかも、チップサイズの大
小にかかわらず、積層バリスタ素子の側面全面に、ほぼ
均一な厚みのガラス絶縁膜を形成することができる。さ
らに、焼き付け用プレートのキャビティに積層バリスタ
素子を立てるように収納することにより、1回の焼き付
けで作製できる積層チップバリスタの数を多くすること
ができ、製造コストを低減を図ることができる。
According to the present invention, the step of applying the glass paste can be simplified as compared with the conventional method of manufacturing a multilayer chip varistor. Moreover, a glass insulating film having a substantially uniform thickness can be formed on the entire side surface of the multilayer varistor element regardless of the size of the chip. Further, by storing the laminated varistor elements in the cavity of the baking plate so as to stand up, the number of laminated chip varistors that can be manufactured by one baking can be increased, and the manufacturing cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の積層チップバリスタの製造方法にお
いて、ガラスペーストに積層バリスタ素子を浸漬する工
程を示す図解図である。
FIG. 1 is an illustrative view showing a step of immersing a multilayer varistor element in a glass paste in a method of manufacturing a multilayer chip varistor of the present invention.

【図2】ガラスペーストに積層バリスタ素子を浸漬した
ときの浸漬深さを示す図解図である。
FIG. 2 is an illustrative view showing an immersion depth when a laminated varistor element is immersed in a glass paste;

【図3】積層バリスタ素子の端部に付着したガラスペー
ストを拭き取る工程を示す図解図である。
FIG. 3 is an illustrative view showing a step of wiping a glass paste adhered to an end portion of the multilayer varistor element;

【図4】ガラスペーストおよびAgペーストを積層バリ
スタ素子に焼き付けるための焼き付け用プレートを示す
平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing a baking plate for baking a glass paste and an Ag paste on a laminated varistor element.

【図5】図4に示す焼き付け用プレートのキャビティに
積層バリスタ素子を収納した状態を示す図解図である。
FIG. 5 is an illustrative view showing a state in which a laminated varistor element is housed in a cavity of the printing plate shown in FIG. 4;

【図6】この発明の積層チップバリスタの他の製造方法
において、ガラスペーストに積層バリスタ素子を浸漬す
る工程を示す図解図である。
FIG. 6 is an illustrative view showing a step of immersing a multilayer varistor element in a glass paste in another method for manufacturing a multilayer chip varistor of the present invention.

【図7】ガラスペーストに積層バリスタ素子を浸漬した
ときの浸漬深さを示す図解図である。
FIG. 7 is an illustrative view showing a immersion depth when a laminated varistor element is immersed in a glass paste;

【図8】図7に示す浸漬深さで積層バリスタ素子に付着
したガラスペーストの状態を示す斜視図である。
8 is a perspective view showing a state of the glass paste attached to the laminated varistor element at the immersion depth shown in FIG.

【図9】積層バリスタ素子をその両側からガラスペース
トに浸漬したときに積層バリスタ素子に付着したガラス
ペーストの状態を示す斜視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing a state of the glass paste attached to the multilayer varistor element when the multilayer varistor element is immersed in glass paste from both sides.

【図10】積層チップバリスタの一例を示す斜視図であ
る。
FIG. 10 is a perspective view showing an example of a multilayer chip varistor.

【図11】図10に示す積層チップバリスタの断面図解
図である。
FIG. 11 is an illustrative sectional view of the multilayer chip varistor shown in FIG. 10;

【図12】従来のスクリーン印刷によって積層バリスタ
素子にガラスペーストを付着させる工程を示す図解図で
ある。
FIG. 12 is an illustrative view showing a step of attaching a glass paste to a laminated varistor element by conventional screen printing.

【図13】従来の転写によって積層バリスタ素子にガラ
スペーストを付着させる工程を示す図解図である。
FIG. 13 is an illustrative view showing a step of attaching a glass paste to a laminated varistor element by conventional transfer.

【図14】図13に示す転写によって積層バリスタ素子
の1つの側面からガラスペースト層を転写した状態を示
す斜視図である。
14 is a perspective view showing a state in which a glass paste layer is transferred from one side surface of the multilayer varistor element by the transfer shown in FIG.

【図15】図13に示す転写によって積層バリスタ素子
の両側面からガラスペースト層を転写した状態を示す斜
視図である。
FIG. 15 is a perspective view showing a state in which a glass paste layer is transferred from both side surfaces of the multilayer varistor element by the transfer shown in FIG.

【図16】図15に示す積層バリスタ素子に外部電極用
ペーストを塗布した状態を示す斜視図である。
16 is a perspective view showing a state in which a paste for external electrodes is applied to the multilayer varistor element shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 積層チップバリスタ 12 積層バリスタ素子 14 セラミック層 16 内部電極 18 外部電極 20 ガラス絶縁膜 22 電極層 24 めっき層 40 保持プレート 42 ガラスペースト 44 濾紙 46 Agペースト 48 焼き付け用プレート 50 キャビティ 52 保持プレート Reference Signs List 10 multilayer chip varistor 12 multilayer varistor element 14 ceramic layer 16 internal electrode 18 external electrode 20 glass insulating film 22 electrode layer 24 plating layer 40 holding plate 42 glass paste 44 filter paper 46 Ag paste 48 baking plate 50 cavity 52 holding plate

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 両端に内部電極が露出した積層バリスタ
素子を準備する工程、 前記積層バリスタ素子の前記内部電極露出面の一方側か
ら前記積層バリスタ素子をガラスペースト中に浸漬する
工程、 前記積層バリスタ素子の前記内部電極露出面に付着した
前記ガラスペーストを拭き取る工程、 前記積層バリスタ素子に付着した前記ガラスペーストを
乾燥させる工程、 前記積層バリスタ素子の2つの前記内部電極露出面に外
部電極用ペーストを塗布する工程、および前記ガラスペ
ーストおよび前記外部電極用ペーストを前記積層バリス
タ素子に焼き付けることにより、前記バリスタ素子に前
記内部電極に接続された外部電極が形成されるとともに
前記外部電極形成部以外の表面にガラス絶縁膜が形成さ
れる、積層チップバリスタの製造方法。
A step of preparing a multilayer varistor element having internal electrodes exposed at both ends; a step of dipping the multilayer varistor element in a glass paste from one side of the internal electrode exposed surface of the multilayer varistor element; Wiping the glass paste adhered to the internal electrode exposed surface of the device; drying the glass paste adhered to the laminated varistor device; applying an external electrode paste to the two internal electrode exposed surfaces of the laminated varistor device A coating step, and baking the glass paste and the external electrode paste on the laminated varistor element, whereby an external electrode connected to the internal electrode is formed on the varistor element, and a surface other than the external electrode forming portion is formed. A method for manufacturing a laminated chip varistor, wherein a glass insulating film is formed on the substrate.
【請求項2】 前記積層バリスタ素子を前記ガラスペー
スト中に浸漬する工程において、前記積層バリスタ素子
の2つの前記内部電極露出面間の距離をLとし、前記積
層バリスタ素子の前記内部電極露出面以外の側面に形成
される前記外部電極の寸法をeとしたとき、前記ガラス
ペースト中への前記積層バリスタ素子の浸漬深さDを、
L−e<D<Lの範囲とした、請求項1に記載の積層チ
ップバリスタの製造方法。
2. In the step of immersing the multilayer varistor element in the glass paste, a distance between two of the internal electrode exposed surfaces of the multilayer varistor element is set to L, and a distance other than the internal electrode exposed surface of the multilayer varistor element is set. When the dimension of the external electrode formed on the side surface is e, the immersion depth D of the laminated varistor element in the glass paste is:
The method for manufacturing a multilayer chip varistor according to claim 1, wherein a range of Le−D <L is satisfied.
【請求項3】 前記ガラスペーストを乾燥させる工程の
後に、 前記積層バリスタ素子の前記内部電極露出面の他方側か
ら前記積層バリスタ素子を前記ガラスペースト中に浸漬
する工程、 前記積層バリスタ素子の前記内部電極露出面に付着した
前記ガラスペーストを拭き取る工程、および前記積層バ
リスタ素子に付着した前記ガラスペーストを乾燥させる
ステップを含み、 前記積層バリスタ素子の2つの前記内部電極露出面間の
距離をLとしたとき、前記ガラスペースト中への前記積
層バリスタ素子の浸漬深さDを、D≧L/2の範囲とし
た、請求項1に記載の積層チップバリスタの製造方法。
3. A step of dipping the laminated varistor element into the glass paste from the other side of the internal electrode exposed surface of the laminated varistor element after the step of drying the glass paste, A step of wiping the glass paste adhered to the electrode exposed surface, and drying the glass paste adhered to the laminated varistor element, wherein a distance between the two internal electrode exposed surfaces of the laminated varistor element is L. 2. The method for manufacturing a multilayer chip varistor according to claim 1, wherein the immersion depth D of the multilayer varistor element in the glass paste is in a range of D ≧ L / 2.
【請求項4】 前記ガラスペーストおよび前記外部電極
用ペーストを前記積層バリスタ素子に焼き付けるため
に、焼き付け用プレートに形成されたキャビティに前記
ガラスペーストおよび前記外部電極用ペーストが塗布さ
れた前記積層バリスタ素子を立てるように収納される、
請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の積層チップ
バリスタの製造方法。
4. The laminated varistor element in which the glass paste and the external electrode paste are applied to a cavity formed in a baking plate in order to bake the glass paste and the external electrode paste onto the laminated varistor element. Is stored as if standing up,
A method for manufacturing a multilayer chip varistor according to claim 1.
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