JPH11250513A - プローブ装置、それを用いた加熱方法及び位置決め方法 - Google Patents
プローブ装置、それを用いた加熱方法及び位置決め方法Info
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- JPH11250513A JPH11250513A JP5401498A JP5401498A JPH11250513A JP H11250513 A JPH11250513 A JP H11250513A JP 5401498 A JP5401498 A JP 5401498A JP 5401498 A JP5401498 A JP 5401498A JP H11250513 A JPH11250513 A JP H11250513A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高分解能な加工、記録を安定して行なう装置
を提供する。 【解決手段】 少なくとも２つ以上の先鋭化した電極
と、試料の表面の任意の位置に電極を移動する機構と、
電極の間に電流を流す機構と、を有するプローブ装置を
提供する。ここで、試料が導電性を有することが望まし
い。さらに、２つの電極の間に流れる電流を検出する機
構を有することが望ましい。また、１つの先鋭化した基
体上に、２つの電極を設けることが望ましい。２つの電
極の間隔が１０ｎｍ以下であることをが望ましい。２つ
の電極の間隔が１０ｎｍ以下の範囲で調整可能であるこ
とが望ましい。
を提供する。 【解決手段】 少なくとも２つ以上の先鋭化した電極
と、試料の表面の任意の位置に電極を移動する機構と、
電極の間に電流を流す機構と、を有するプローブ装置を
提供する。ここで、試料が導電性を有することが望まし
い。さらに、２つの電極の間に流れる電流を検出する機
構を有することが望ましい。また、１つの先鋭化した基
体上に、２つの電極を設けることが望ましい。２つの電
極の間隔が１０ｎｍ以下であることをが望ましい。２つ
の電極の間隔が１０ｎｍ以下の範囲で調整可能であるこ
とが望ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非常に微細なサイ
ズの情報記録や加工に用いるマルチスタイラス装置に関
するものである。
ズの情報記録や加工に用いるマルチスタイラス装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）が発明
されて以来、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）技術は様
々な分野へ応用されつつある。ＳＰＭ技術とは、先鋭化
されたプローブ（探針）を対象物に近接させることで、
対象物の表面付近の局所的な情報を得るものである。プ
ローブの先端が非常に小さいものを用意すれば、非常に
高分解能な分析、観察が可能であり、究極的には原子レ
ベルの分解能が得られる。高分解能の特徴を活かして、
表面の分析、観察を行なうためのツールとして既にかな
り広く普及されつつある。近年、この技術を実際に応用
できないかという試みがなされてきており、ナノメート
ルサイズの超高密度記録、微細加工への応用で多くのア
イデアが提案されている。
されて以来、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）技術は様
々な分野へ応用されつつある。ＳＰＭ技術とは、先鋭化
されたプローブ（探針）を対象物に近接させることで、
対象物の表面付近の局所的な情報を得るものである。プ
ローブの先端が非常に小さいものを用意すれば、非常に
高分解能な分析、観察が可能であり、究極的には原子レ
ベルの分解能が得られる。高分解能の特徴を活かして、
表面の分析、観察を行なうためのツールとして既にかな
り広く普及されつつある。近年、この技術を実際に応用
できないかという試みがなされてきており、ナノメート
ルサイズの超高密度記録、微細加工への応用で多くのア
イデアが提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】プローブと試料間に電
流を流すことにより情報の記録を行う試みが行われてい
る。例えば、特開平９−１８５８１２や特開平９−１９
８７２６などが挙げられる。これは、プローブ−試料間
に流す電流による抵抗加熱で試料の温度を上昇させるこ
とにより、熱磁気記録や相変化により記録を行うもので
ある。この場合、プローブ、記録膜、基板はすべて導電
性の材料を用いるという制約がある。また、これらの従
来例では、プローブ、記録膜（基板）と長い経路を電流
を流す必要が生じるが、このような長い経路に数nAとい
った微少な電流を安定して流すことには困難が生じる。
そのような電流の不安定性は、記録の不安定性へとつな
がる。ここでは、プローブを用いた記録について述べた
が、微細加工へ適用した場合には、加工サイズの誤差な
どと現れてくる。したがって、プローブ−試料間による
電流での記録、加工には安定性の確保という問題があっ
た。
流を流すことにより情報の記録を行う試みが行われてい
る。例えば、特開平９−１８５８１２や特開平９−１９
８７２６などが挙げられる。これは、プローブ−試料間
に流す電流による抵抗加熱で試料の温度を上昇させるこ
とにより、熱磁気記録や相変化により記録を行うもので
ある。この場合、プローブ、記録膜、基板はすべて導電
性の材料を用いるという制約がある。また、これらの従
来例では、プローブ、記録膜（基板）と長い経路を電流
を流す必要が生じるが、このような長い経路に数nAとい
った微少な電流を安定して流すことには困難が生じる。
そのような電流の不安定性は、記録の不安定性へとつな
がる。ここでは、プローブを用いた記録について述べた
が、微細加工へ適用した場合には、加工サイズの誤差な
どと現れてくる。したがって、プローブ−試料間による
電流での記録、加工には安定性の確保という問題があっ
た。
【０００４】また、記録や加工をプローブ技術を用いて
行なう場合に、スピードを上げるためには複数本のプロ
ーブを同時に制御して、記録、加工を行なうことが望ま
しい。しかしながら、従来例のような場合には、複数本
の探針を同時に制御して、記録、加工を行なうのは難し
く、特別な工夫が必要であった。
行なう場合に、スピードを上げるためには複数本のプロ
ーブを同時に制御して、記録、加工を行なうことが望ま
しい。しかしながら、従来例のような場合には、複数本
の探針を同時に制御して、記録、加工を行なうのは難し
く、特別な工夫が必要であった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも２
つ以上の先鋭化した電極と、試料の表面の任意の位置に
電極を移動する機構と、電極の間に電流を流す機構と、
を有するプローブ装置を提供する。ここで、試料が導電
性を有することが望ましい。さらに、２つの電極の間に
流れる電流を検出する機構を有することが望ましい。ま
た、１つの先鋭化した基体上に、２つの電極を設けるこ
とが望ましい。２つの電極の間隔が１０ｎｍ以下である
ことをが望ましい。２つの電極の間隔が１０ｎｍ以下の
範囲で調整可能であることが望ましい。
つ以上の先鋭化した電極と、試料の表面の任意の位置に
電極を移動する機構と、電極の間に電流を流す機構と、
を有するプローブ装置を提供する。ここで、試料が導電
性を有することが望ましい。さらに、２つの電極の間に
流れる電流を検出する機構を有することが望ましい。ま
た、１つの先鋭化した基体上に、２つの電極を設けるこ
とが望ましい。２つの電極の間隔が１０ｎｍ以下である
ことをが望ましい。２つの電極の間隔が１０ｎｍ以下の
範囲で調整可能であることが望ましい。
【０００６】また、本発明は、２本の電極間の距離を１
０ｎｍ以下に保ちながら、前記電極を試料の表面に近接
させて、一方の前記電極から、もう一方の前記電極に電
流を流す加熱方法を提供する。
０ｎｍ以下に保ちながら、前記電極を試料の表面に近接
させて、一方の前記電極から、もう一方の前記電極に電
流を流す加熱方法を提供する。
【０００７】また、本発明は、２本の電極間の距離を１
０ｎｍ以下に保ちながら、前記電極を試料の表面に近接
させて、一方の前記電極から、もう一方の前記電極へ流
れる電流を検出して、それに基づき、前記電極と前記試
料との間隔を制御する位置決め方法を提供する。
０ｎｍ以下に保ちながら、前記電極を試料の表面に近接
させて、一方の前記電極から、もう一方の前記電極へ流
れる電流を検出して、それに基づき、前記電極と前記試
料との間隔を制御する位置決め方法を提供する。
【０００８】
【発明の実施の形態】1. 第１の実施例 図１に本実施例で用いた記録媒体の構成を示す。記録媒
体10の基板には、表面に酸化膜が形成されたシリコンウ
エハーを用い、その上に下地層12としてSiNを40nm形成
し、記録層13としてTbDyFeCo膜を20nm形成し、最後に導
電性の保護層14として金（Au）膜を20nm形成した。記録
層13の保磁力は5.0kOe、キュリー温度は160℃であっ
た。記録媒体10は、あらかじめ一方向に10kOeの磁界を
印加して初期化を行った。記録に用いた装置の全体構成
を図２に示す。記録に用いる探針を有するカンチレバー
21、記録媒体10、磁界印加用のコイル23が配置されてい
る。記録時にはコイル23に電流を流すことで記録媒体10
に磁界を印加する。コイル23は、記録媒体に対して探針
と反対側に配置されている。探針の詳細な構成を図３に
示す。絶縁体の窒化シリコンカンチレバー31にAuの電極
（32）と電極（33）をパターンニングしたものを用い
た。図４に、探針の断面図を示す。電極32,33は探針の
先端部で最も接近しているが、接触はしていない構成と
なっている。最も接近しているところで、Au電極32,33
の間隔は8nmである。ここで、Au電極32,33の膜厚は100n
mとした。図示はされていないが、パターンニングされ
た２つの電極32,33から、それぞれ配線を引き出し、２
つの領域の間に流れる電流を検出する回路、２つの電極
の間に電流を流す回路へと接続されている。カンチレバ
ーは試料面内の２つの方向と、試料に対して垂直方向の
合計３つの方向に可動可能の機構を有している。
体10の基板には、表面に酸化膜が形成されたシリコンウ
エハーを用い、その上に下地層12としてSiNを40nm形成
し、記録層13としてTbDyFeCo膜を20nm形成し、最後に導
電性の保護層14として金（Au）膜を20nm形成した。記録
層13の保磁力は5.0kOe、キュリー温度は160℃であっ
た。記録媒体10は、あらかじめ一方向に10kOeの磁界を
印加して初期化を行った。記録に用いた装置の全体構成
を図２に示す。記録に用いる探針を有するカンチレバー
21、記録媒体10、磁界印加用のコイル23が配置されてい
る。記録時にはコイル23に電流を流すことで記録媒体10
に磁界を印加する。コイル23は、記録媒体に対して探針
と反対側に配置されている。探針の詳細な構成を図３に
示す。絶縁体の窒化シリコンカンチレバー31にAuの電極
（32）と電極（33）をパターンニングしたものを用い
た。図４に、探針の断面図を示す。電極32,33は探針の
先端部で最も接近しているが、接触はしていない構成と
なっている。最も接近しているところで、Au電極32,33
の間隔は8nmである。ここで、Au電極32,33の膜厚は100n
mとした。図示はされていないが、パターンニングされ
た２つの電極32,33から、それぞれ配線を引き出し、２
つの領域の間に流れる電流を検出する回路、２つの電極
の間に電流を流す回路へと接続されている。カンチレバ
ーは試料面内の２つの方向と、試料に対して垂直方向の
合計３つの方向に可動可能の機構を有している。
【０００９】次に、実際の記録について説明を行う。ま
ず、探針と記録媒体10が離れている状態で、パターンニ
ングされた２つの電極32,33の間に電流が流れないこと
を確認する。これは、２つの電極の間の距離が約8nmと
離れており、トンネル電流が流れないためである。ここ
で、２つの電極間に電流が流れるかどうかを検出しなが
ら、探針を次第に記録媒体10に近づける。記録媒体10は
電気的に浮かせた状態にする。探針が記録媒体表面に近
接すると、１つの電極32から試料表面を通ってもう１つ
の電極33へトンネル電流が流れる。さらに近接すると、
パターンニングされた２つの電極32,33の間に流れるト
ンネル電流が増大し、そのトンネル電流が所定の値にな
ったところで、探針が記録媒体10に近づけるのを停止す
る。ここで、記録媒体に磁界を150Oe印加しながら、２
つの電極32,33の間に電圧を印加して、記録媒体10の表
面近傍のみを加熱して熱磁気記録を行った。電圧は、一
例として、5Vで10msecの条件で印加した。他の様々な電
圧印加条件にても行った。電圧印加後にこの領域を磁気
力顕微鏡で観察したところ、0.1ミクロン以下の微少な
記録磁区が多数形成されていることが認められた。ま
た、同一条件にて記録を行なった領域には、同一のサイ
ズの磁区が安定して形成されていることが確認された。
ず、探針と記録媒体10が離れている状態で、パターンニ
ングされた２つの電極32,33の間に電流が流れないこと
を確認する。これは、２つの電極の間の距離が約8nmと
離れており、トンネル電流が流れないためである。ここ
で、２つの電極間に電流が流れるかどうかを検出しなが
ら、探針を次第に記録媒体10に近づける。記録媒体10は
電気的に浮かせた状態にする。探針が記録媒体表面に近
接すると、１つの電極32から試料表面を通ってもう１つ
の電極33へトンネル電流が流れる。さらに近接すると、
パターンニングされた２つの電極32,33の間に流れるト
ンネル電流が増大し、そのトンネル電流が所定の値にな
ったところで、探針が記録媒体10に近づけるのを停止す
る。ここで、記録媒体に磁界を150Oe印加しながら、２
つの電極32,33の間に電圧を印加して、記録媒体10の表
面近傍のみを加熱して熱磁気記録を行った。電圧は、一
例として、5Vで10msecの条件で印加した。他の様々な電
圧印加条件にても行った。電圧印加後にこの領域を磁気
力顕微鏡で観察したところ、0.1ミクロン以下の微少な
記録磁区が多数形成されていることが認められた。ま
た、同一条件にて記録を行なった領域には、同一のサイ
ズの磁区が安定して形成されていることが確認された。
【００１０】2. 第２の実施例 本発明の別の実施形態について説明を行う。図５は、本
実施例で用いた記録媒体の構成を示す図である。記録媒
体20の基板11には、実施例１と同様な表面に酸化膜が形
成されたシリコンウエハーを用い、下地層12、記録層1
3、保護層14をパターンニングして形成を行った。下地
層12としてSiN膜を40nm形成し、記録層13としてTbDyFeC
o膜を20nm形成し、最後に導電性の保護層14として金（A
u）膜を20nm形成し、記録膜のパターン30は、１辺が100
ミクロンの四角の形状である。記録媒体20は、あらかじ
め一方向に10kOeの磁界を印加して初期化を行った。パ
ターンニングされた記録膜の形成は、リフトオフ法、マ
スクスパッタ法などさまざまな方法で実現可能である
が、本実施例ではマスクを用いたマスクスパッタ法によ
り作製を行った。記録装置については、実施例１で示し
た探針を２組用意したものを用いた。カンチレバー１本
につき２つの導電性パターンが形成されており、それぞ
れのカンチレバーは独立に位置制御が可能である。
実施例で用いた記録媒体の構成を示す図である。記録媒
体20の基板11には、実施例１と同様な表面に酸化膜が形
成されたシリコンウエハーを用い、下地層12、記録層1
3、保護層14をパターンニングして形成を行った。下地
層12としてSiN膜を40nm形成し、記録層13としてTbDyFeC
o膜を20nm形成し、最後に導電性の保護層14として金（A
u）膜を20nm形成し、記録膜のパターン30は、１辺が100
ミクロンの四角の形状である。記録媒体20は、あらかじ
め一方向に10kOeの磁界を印加して初期化を行った。パ
ターンニングされた記録膜の形成は、リフトオフ法、マ
スクスパッタ法などさまざまな方法で実現可能である
が、本実施例ではマスクを用いたマスクスパッタ法によ
り作製を行った。記録装置については、実施例１で示し
た探針を２組用意したものを用いた。カンチレバー１本
につき２つの導電性パターンが形成されており、それぞ
れのカンチレバーは独立に位置制御が可能である。
【００１１】２つのカンチレバーを、それぞれ別のパタ
ーンニングされた記録膜に独立に近づける。記録膜パタ
ーン30は電気的に浮かせた状態にする。探針の記録媒体
表面への近接方法は、実施例１で示したように２つの電
極32,33の間に流れるトンネル電流で制御を行った。こ
こで、初期化とは別の向きに、記録媒体全体に磁界を15
0Oe印加しながら、それぞれのカンチレバーの２つの電
極間に同時あるいは別々に電圧を印加して、記録膜パタ
ーン30の表面近傍のみを加熱して熱磁気記録を行った。
電圧、電圧印加時間などを変化させることにより、様々
な電圧印加条件にて記録を行なった。探針を近接させた
複数の記録膜パターン30を磁気力顕微鏡で観察したとこ
ろ、0.1ミクロン以下の微少な記録磁区が多数形成され
ていることが認められた。以上の結果から、複数のカン
チレバーで同一基板上に形成された記録領域に同時に記
録が可能であることが確かめられた。
ーンニングされた記録膜に独立に近づける。記録膜パタ
ーン30は電気的に浮かせた状態にする。探針の記録媒体
表面への近接方法は、実施例１で示したように２つの電
極32,33の間に流れるトンネル電流で制御を行った。こ
こで、初期化とは別の向きに、記録媒体全体に磁界を15
0Oe印加しながら、それぞれのカンチレバーの２つの電
極間に同時あるいは別々に電圧を印加して、記録膜パタ
ーン30の表面近傍のみを加熱して熱磁気記録を行った。
電圧、電圧印加時間などを変化させることにより、様々
な電圧印加条件にて記録を行なった。探針を近接させた
複数の記録膜パターン30を磁気力顕微鏡で観察したとこ
ろ、0.1ミクロン以下の微少な記録磁区が多数形成され
ていることが認められた。以上の結果から、複数のカン
チレバーで同一基板上に形成された記録領域に同時に記
録が可能であることが確かめられた。
【００１２】3. 第３の実施例 本発明の別の実施形態について説明を行う。図６は、本
実施例で用いた記録装置の構成を示す図である。記録媒
体10実施例１で用いたものと記録層13を除いて同一であ
る。記録層13の組成はTbFeCoCrで、その膜厚は20nmであ
る。記録層13の保磁力は7.0kOe、キュリー温度は170℃
であった。記録媒体10は、あらかじめ一方向に10kOeの
磁界を印加して初期化を行った。記録装置については、
導電性の探針61,62を２本配置しており、それぞれの探
針は、記録媒体の面内方向と、垂直方向の３つの方向に
ついて独立に位置制御が可能である。
実施例で用いた記録装置の構成を示す図である。記録媒
体10実施例１で用いたものと記録層13を除いて同一であ
る。記録層13の組成はTbFeCoCrで、その膜厚は20nmであ
る。記録層13の保磁力は7.0kOe、キュリー温度は170℃
であった。記録媒体10は、あらかじめ一方向に10kOeの
磁界を印加して初期化を行った。記録装置については、
導電性の探針61,62を２本配置しており、それぞれの探
針は、記録媒体の面内方向と、垂直方向の３つの方向に
ついて独立に位置制御が可能である。
【００１３】２つの探針61,62を、記録記録媒体に近づ
ける。この時、探針61,62の間距離は10nmと一定に保つ
ように制御を行なった。記録媒体10は電気的に浮かせた
状態にする。探針の記録媒体表面への近接方法は、２つ
の探針61,62の間に流れるトンネル電流で制御を行っ
た。ここで、初期化とは別の向きに、記録媒体全体に磁
界を150Oe印加しながら、探針61,62の間に電圧を印加し
て、記録媒体10の表面近傍のみを加熱して熱磁気記録を
行った。電圧、電圧印加時間などを変化させることによ
り、様々な電圧印加条件にて記録を行なった。探針を近
接させた付近の記録媒体10を磁気力顕微鏡で観察したと
ころ、0.1ミクロン以下の微少な記録磁区が多数形成さ
れていることが認められた。
ける。この時、探針61,62の間距離は10nmと一定に保つ
ように制御を行なった。記録媒体10は電気的に浮かせた
状態にする。探針の記録媒体表面への近接方法は、２つ
の探針61,62の間に流れるトンネル電流で制御を行っ
た。ここで、初期化とは別の向きに、記録媒体全体に磁
界を150Oe印加しながら、探針61,62の間に電圧を印加し
て、記録媒体10の表面近傍のみを加熱して熱磁気記録を
行った。電圧、電圧印加時間などを変化させることによ
り、様々な電圧印加条件にて記録を行なった。探針を近
接させた付近の記録媒体10を磁気力顕微鏡で観察したと
ころ、0.1ミクロン以下の微少な記録磁区が多数形成さ
れていることが認められた。
【００１４】以上の結果から、局所的に２つの電極を試
料に近接させることにより、試料表面を局所的に加熱す
ることが可能であることが確かめられた。探針の形状、
構成については本実施例にのみ制限されることはなく、
局所的に２つの電極が試料に対して近接される構成であ
れば、本発明の効果が得られれるのは言うまでもない。
また、実施例では熱磁気記録について説明を行なった
が、本発明はこれに限定されるものではなく、局所加熱
を利用した微細加工等にも適用可能であることは明らか
である。さらに、本実施例を含めて記録層としてTbFeCo
に類する重希土類−遷移金属合金の例について述べた
が、本発明はやはりこれに限るものではなく、他の磁性
材料や磁性多層膜への適用が可能であることは明らかで
ある。
料に近接させることにより、試料表面を局所的に加熱す
ることが可能であることが確かめられた。探針の形状、
構成については本実施例にのみ制限されることはなく、
局所的に２つの電極が試料に対して近接される構成であ
れば、本発明の効果が得られれるのは言うまでもない。
また、実施例では熱磁気記録について説明を行なった
が、本発明はこれに限定されるものではなく、局所加熱
を利用した微細加工等にも適用可能であることは明らか
である。さらに、本実施例を含めて記録層としてTbFeCo
に類する重希土類−遷移金属合金の例について述べた
が、本発明はやはりこれに限るものではなく、他の磁性
材料や磁性多層膜への適用が可能であることは明らかで
ある。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、基板の材料が導電性で
なければならないという制約がなくなり、各種の基板材
料を用いることが可能となる。また、プローブから基板
を経て電流を流さなくてもよいため、結果的に記録時の
電流の経路を短くすることが可能となり、記録や加工の
安定性が増大する。
なければならないという制約がなくなり、各種の基板材
料を用いることが可能となる。また、プローブから基板
を経て電流を流さなくてもよいため、結果的に記録時の
電流の経路を短くすることが可能となり、記録や加工の
安定性が増大する。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で用いた記録媒体の構造を示す断面
図。
図。
【図２】本発明の記録装置の構成を示す図。
【図３】実施例１で用いた探針の構成を示す図。
【図４】実施例１で用いた探針の構造を示す断面図。
【図５】実施例２で用いた記録媒体の構造を示す図。
【図６】実施例３で用いた記録装置の構成を示す図。
１０ 記録媒体 １１ 基板 １２ 下地層 １３ 記録層 １４ 保護層 ２０ 記録媒体 ２１ カンチレバー ２２ 移動装置 ２３ コイル ３０ 記録パターン ３１ カンチレバー ３２、３３ 電極 ６１、６２ 探針
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 戞山 高信 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 少なくとも２つ以上の先鋭化した電極
と、試料の表面の任意の位置に前記電極を移動する機構
と、前記電極の間に電流を流す機構と、を有することを
特徴とするプローブ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載のプローブ装置におい
て、試料が導電性を有することを特徴とするプローブ装
置。 - 【請求項３】 請求項１に記載のプローブ装置におい
て、２つの電極の間に流れる電流を検出する機構を有す
ることを特徴とするプローブ装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載のプローブ装置におい
て、１つの先鋭化した基体上に、２つの電極を設けるこ
とを特徴とするプローブ装置。 - 【請求項５】 請求項１に記載のプローブ装置におい
て、２つの電極の間隔が１０ｎｍ以下であることを特徴
とするプローブ装置。 - 【請求項６】 請求項１に記載のプローブ装置におい
て、２つの電極の間隔が１０ｎｍ以下の範囲で調整可能
であることを特徴とするプローブ装置。 - 【請求項７】 ２本の電極間の距離を１０ｎｍ以下に保
ちながら、前記電極を試料の表面に近接させて、一方の
前記電極から、もう一方の前記電極に電流を流すことを
特徴とする加熱方法。 - 【請求項８】 ２本の電極間の距離を１０ｎｍ以下に保
ちながら、前記電極を試料の表面に近接させて、一方の
前記電極から、もう一方の前記電極へ流れる電流を検出
して、それに基づき、前記電極と前記試料との間隔を制
御することを特徴とする位置決め方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5401498A JPH11250513A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | プローブ装置、それを用いた加熱方法及び位置決め方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5401498A JPH11250513A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | プローブ装置、それを用いた加熱方法及び位置決め方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11250513A true JPH11250513A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12958743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5401498A Withdrawn JPH11250513A (ja) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | プローブ装置、それを用いた加熱方法及び位置決め方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11250513A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6680808B2 (en) | 2000-03-03 | 2004-01-20 | International Business Machines Corporation | Magnetic millipede for ultra high density magnetic storage |
| JP2007033454A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | デュアルチップ原子間力顕微鏡プローブとその製造方法 |
| CN104808017A (zh) * | 2014-01-26 | 2015-07-29 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 用于近场光学显微镜的探针及其制备方法 |
-
1998
- 1998-03-05 JP JP5401498A patent/JPH11250513A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6680808B2 (en) | 2000-03-03 | 2004-01-20 | International Business Machines Corporation | Magnetic millipede for ultra high density magnetic storage |
| JP2007033454A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Interuniv Micro Electronica Centrum Vzw | デュアルチップ原子間力顕微鏡プローブとその製造方法 |
| CN104808017A (zh) * | 2014-01-26 | 2015-07-29 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 用于近场光学显微镜的探针及其制备方法 |
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