JPH11243272A - 電極パターン及びその形成方法 - Google Patents

電極パターン及びその形成方法

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JPH11243272A
JPH11243272A JP6067398A JP6067398A JPH11243272A JP H11243272 A JPH11243272 A JP H11243272A JP 6067398 A JP6067398 A JP 6067398A JP 6067398 A JP6067398 A JP 6067398A JP H11243272 A JPH11243272 A JP H11243272A
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JP
Japan
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thin film
patterns
electrode pattern
board
films
Prior art date
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Pending
Application number
JP6067398A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Onoda
優 小野田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kawaguchiko Seimitsu KK
Original Assignee
Kawaguchiko Seimitsu KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板上に電極パターンを形成するに際し、そ
の形成に要する工数を簡略化すると共に、電極パターン
の位置合わせの面倒さなどを回避してコストの低廉化を
図る。 【解決手段】 セラミック基板1上に形成した酸化シリ
コンの薄膜6と、この薄膜6上に形成した金属膜8とで
電極パターン7を構成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電極パターン及びそ
の形成方法に係り、特にセラミック基板やガラス基板上
に形成される半導体素子搭載用の電極パターンに関する
ものである。
【0002】従来、セラミック基板上に半導体素子搭載
用の電極パターンを形成する場合、例えば図3に示すよ
うに、先ずセラミック基板1上にタングステン、モリブ
デン、マンガン等の高融点金属粉末3をペースト状にし
てスクリーン印刷し、これを焼成してセラミック基板1
上に焼き付け、次いで焼き付けられた金属粉末3の上に
ニッケルメッキ4、金メッキ5の順に積層して電極パタ
ーン2を完成させていた。このように、耐食性や導電性
に優れている金メッキ5によって電極パターン2を形成
する場合、金メッキ5とセラミック基板1との密着性が
悪いため、セラミック基板1との間に金属粉末3とニッ
ケルメッキ4を挟む構造をとっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ような電極パターン2の形成にあっては、金メッキ5を
形成する部分にあらかじめ金属粉末3を印刷し、焼成し
た後さらにニッケルメッキ4を施さなければならないた
めに製造工数が多くなり、また微細な半導体搭載用の電
極パターンを形成する場合、金属粉末3、ニッケルメッ
キ4及び金メッキ5の位置合わせ等が面倒であるなどコ
ストが高いものとなっていた。
【0004】そこで本発明は、電極パターンの形成に要
する工数を簡略化すると共に、電極パターンの位置合わ
せの面倒さなどを回避してコストの低廉化を図ることを
目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項1に係る電極パターンは、基板上に
形成した酸化シリコンの薄膜と、この薄膜上に形成した
金属膜とで構成されたことを特徴とする。
【0006】また、本発明の請求項2に係る電極パター
ンの形成方法は、基板上に酸化シリコンの薄膜をコーテ
ィングする工程と、この薄膜上に金属ペーストで回路パ
ターンを印刷する工程と、印刷後焼成する工程とからな
ることを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】以下添付図面に基づいて本発明に
係る電極パターン及びその形成方法の実施の形態を詳細
に説明する。図1はセラミック基板1上に本発明の電極
パターン7を形成させた時の断面図を示したものであ
る。本発明における電極パターン7は、セラミック基板
1の上面全体にコーティングした酸化シリコンの薄膜6
と、この薄膜6上において回路パターンを描画する部分
に印刷された金属膜8とで形成される。
【0008】上記セラミック基板1上に形成される酸化
シリコンの薄膜6は、前記セラミック基板1と金属膜8
との密着性を良くするための結合材として使用される。
金属膜8の密着性を高めるためには、酸化シリコンの薄
膜6を薄く且つ均一にコーティングするのが望ましく、
例えば密封容器の中で酸化シリコンを噴霧してコーティ
ングする方法がある。
【0009】金属膜8は、金粉を樹脂に混ぜて金ペース
トとしたものを上記酸化シリコンの薄膜6上にスクリー
ン印刷することで形成される。金ペーストは、例えば金
粉90%、樹脂10%の重量比で配合し、さらに添加剤
として酸化シリコンを僅かに配合したものである。添加
剤として用いられる酸化シリコンも上述と同様、密着性
を高める効果がある。
【0010】このように、セラミック基板1上に酸化シ
リコンの薄膜6を形成したことで、金属膜8による電極
パターン7を容易且つ密着性良く形成でき、製造工数及
びコストの低廉化が図られる。
【0011】次に、上記金属膜の電極パターン7の形成
方法について詳細に説明する。この電極パターン7の形
成工程は、図2に示したように、セラミック基板1に酸
化シリコンの被膜6をコーティングする第1工程、酸化
シリコンの被膜6上に金ペーストで回路パターン形状に
印刷する第2工程、焼成して電極パターンを形成する第
3工程からなる。
【0012】第1工程において、本実施例では密封した
容器の中にセラミック基板1と液状の酸化シリコンlと
を入れ、常温蒸発によって霧状になった酸化シリコンの
粒子をセラミック基板1の表面に付着させる方法がとら
れる。この方法はセラミック基板1に酸化シリコンの被
膜6を薄く且つ均一にコーティングすることができ、金
ペーストとの密着性を良好にする。なお、酸化シリコン
のコーティング方法は、これに限定されるものではな
い。
【0013】第2工程において、セラミック基板1上に
スクリーン印刷される金ペーストの膜厚は、上述した金
粉と樹脂との配合比率の下で30〜35μmの範囲に印
刷される。この膜厚を増すことで電気抵抗値を小さくす
ることができ、金の配合量や印刷回数を変えることによ
って膜厚調整することができる。なお、本発明では金ペ
ーストの印刷だけで回路パターンを形成できるので、従
来のような他の下地金属とのスクリーンでの位置合わせ
が不要となる。
【0014】第3工程において、上記酸化シリコンの薄
膜6上に金ペーストが印刷されたセラミック基板1を電
気炉に入れて焼成する。焼成温度は約850℃、焼成時
間は約1時間である。この焼成によって金ペーストに含
まれる樹脂分を完全に蒸発させ、セラミック基板1上に
金粉を固着させる。この場合、酸化シリコンの薄膜6及
び金ペースト中に添加した酸化シリコンが結合材として
働き、セラミック基板1上に金粉を強固に焼結する。金
ペーストを上述の厚さで印刷した場合、焼成後の金属膜
8の膜厚は約20μmとなる。
【0015】なお、上記実施例では電極パターンを形成
する基板としてセラミック基板1を用いた場合について
説明したが、本発明ではセラミック基板1以外にガラス
基板など硬質の無機質基板を用いることができる。ま
た、上記実施例では金属膜8として金ペーストを印刷し
た場合について説明したが、金以外にも銅などの導電性
に優れ且つ耐腐食性があるものであれば、これに限定さ
れるものではない。
【0016】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電極
パターンによれば、基板に酸化シリコンの薄膜を形成し
たことで、この上に形成する金属膜の密着性が高められ
る。
【0017】また、本発明の電極パターンは、酸化シリ
コンの薄膜上に金属膜を印刷することで形成できるの
で、電極パターンの形成に要する工数が簡略化されると
共に、電極パターンの位置合わせの面倒さなども回避で
きコストの低廉化が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電極パターンの構成を示す断面図
である。
【図2】本発明に係る電極パターンの形成工程を示すフ
ローチャートである。
【図3】従来の電極パターンの構成を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
1 セラミック基板(基板) 6 酸化シリコンの薄膜 7 電極パターン 8 金属膜

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上に形成した酸化シリコンの薄膜
    と、この薄膜上に形成した金属膜とで構成されたことを
    特徴とする電極パターン。
  2. 【請求項2】 基板上に酸化シリコンの薄膜をコーティ
    ングする工程と、この薄膜上に金属ペーストで回路パタ
    ーンを印刷する工程と、印刷後焼成する工程とからなる
    ことを特徴とする電極パターンの形成方法。
JP6067398A 1998-02-25 1998-02-25 電極パターン及びその形成方法 Pending JPH11243272A (ja)

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