JPH11241965A - 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 - Google Patents
半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法Info
- Publication number
- JPH11241965A JPH11241965A JP4532298A JP4532298A JPH11241965A JP H11241965 A JPH11241965 A JP H11241965A JP 4532298 A JP4532298 A JP 4532298A JP 4532298 A JP4532298 A JP 4532298A JP H11241965 A JPH11241965 A JP H11241965A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metallized layer
- pressure sensor
- semiconductor pressure
- pedestal
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
れず、工程が増加することもなく、接合信頼性のよい半
導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法を提供
する。 【解決手段】 ダイアフラム11を有する半導体圧力セ
ンサチップ1とダイアフラム11に圧力を導入するため
の貫通孔21が形成され半導体圧力センサチップ1に接
合される台座2とを有してなる半導体圧力センサにおけ
る台座2の半導体圧力センサチップ1と接合しない側の
面にメタライズ層8を形成する方法であって、貫通孔2
1の形状と略同形状の断面形状を有し、貫通孔21の深
さ以上の長さを有する複数のピン30を、台座2の貫通
孔21の配置に対応して配列させるように細線状部材4
0により固定し、複数のピン30の各々を台座2のメタ
ライズ層8を形成する面側から貫通孔21に挿入し、3
0ピンを挿入した状態で、スパッタリングあるいは蒸着
によりメタライズ層8を形成するようにした。
Description
成された半導体圧力センサチップと台座とを接合してな
る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法に
関するものである。
圧力の測定を行うものであり、図3に示すように、凹部
を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフラム
11を有する半導体圧力センサチップ1がガラス台座2
に陽極接合等により接合され、中心にコバール製又は4
2アロイ等の金属パイプ4が配置されたPPSやPBT
等のプラスチックパッケージ3内に設置される。半導体
圧力センサチップ1表面のアルミパッドとリード5とは
金又はアルミ製のワイヤ6で接続されている。なお、7
はプラスチックパッケージ3の蓋であり、12は半導体
圧力センサチップ1に形成された歪みゲージ抵抗であ
り、13は半導体圧力センサチップ1の表面を保護する
オーバーコートである。ガラス台座2の材料としては、
例えばパイレックスガラス(コーニング社製、品番♯7
740等)が用いられる。
ンサチップ1のダイアフラム11に圧力を印加するため
の貫通孔21が形成され、ガラス台座2はこの貫通孔2
1と金属パイプ4の貫通孔41とが対向するような配置
で、金属パイプ4に接合される。ガラス台座2と金属パ
イプ4とを接合するために、ガラス台座2の半導体圧力
センサチップ1と接合しない側の面にはメタライズ層8
が形成される。
は、まず、図4(a)に示すように、メタライズ層8を
形成すべき面の表面粗化を行い、次に、図4(b)に示
すように、ガラス台座2を平面プレート10上に密着し
て設置し、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面
にメタライズ層8を形成する。メタライズ層8の例とし
ては、Cr(最下層)/Ni/Au(最上層)、Ti
(最下層)/Ni/Au(最上層)、Ti(最下層)/
Pt/Au(最上層)等が挙げられる。その後、図4
(c)に示すように、ガラス台座2を平面プレート10
から取り外す。
メタライズ層8を介して半田(錫、錫−アンチモン合
金、鉛、錫−鉛合金、金−シリコン合金、錫−銀合金
等)9により接合される。メタライズ層8の最上層のA
uの表面には半田9が塗れるのである。
ようなガラス台座2へのメタライズ層8の形成方法によ
れば、ガラス台座2の平面プレート10に接している方
の面はメタライズされることはないが、貫通孔21の内
壁にはメタル粒子が付着し、メタライズ層8が形成され
てしまう。
されてしまうと、図5に示すように、ガラス台座2と半
導体圧力センサチップ1とを陽極接合する場合、高温
(約300℃から400℃)中で、高バイアス(約50
0Vから800V)が印加されるため、半導体圧力セン
サチップ1のガラス台座2との接合面の貫通孔21に近
い個所と、貫通孔21の内壁の上端部に形成されたメタ
ライズ層8との間で放電が生じ、半導体圧力センサチッ
プ1が破壊してしまうという問題があった。
イズ層8の形成に際して、図6に示すように、ガラス台
座2の貫通孔21内にワックス20を充填する方法があ
る。つまり、図6(a)に示すように、メタライズ層8
を形成すべき面の表面粗化を行い、図6(b)に示すよ
うに、ガラス台座2を平面プレート10上に密着して設
置した段階で、貫通孔21内にワックス20を充填す
る。ワックス20は約100℃から150℃程度の熱で
溶けるものを使用するが、メタライズ層8の形成時に加
わる温度によってはワックス20の種類は適宜変更すれ
ば良い。ワックス20の貫通孔21内への充填方法は、
例えば、ディスペンサ等を用いて針先からワックスを吐
出することにより行う。その後、図6(c)に示すよう
に、スパッタリングや蒸着により表面粗化した面にメタ
ライズ層8を形成する。メタライズ層8の形成完了後、
図6(d)に示すように、ガラス台座2を平面プレート
10から取り外し、ガラス台座2をを加熱することによ
り、貫通孔21内に充填されたワックス20を溶融して
除去する。このようにすることにより、貫通孔21内に
メタライズ層8が形成されてしまうことを防止してい
た。
内へのワックス20の充填という工程が余分に増え、コ
ストアップになる。また、ワックスが貫通孔21内以外
の周囲のガラス台座2面上に飛び散った場合、ワックス
上にメタライズ層8を形成してしまうことになり、メタ
ライズ層8のガラス台座2表面との接着力が低下する。
さらに、メタライズ層8の形成後、貫通孔21内に充填
されたワックス20を溶融して除去するが、このワック
ス20の残さがガラス台座2の半導体圧力センサチップ
1と接合する面上に回り込むと、ガラス台座2と半導体
圧力センサチップ1との接合品質に著しい影響を及ぼす
ことになる。つまり、接合されず空隙(ボイド)が発生
したりして接合強度が低下する。ワックス20の残さを
除去するために溶融有機溶剤(アセトン、イソプロピル
アルコール等)で洗浄することも考えられるが、洗浄工
程が増えるし、洗浄後の残さレベルの確認等、品質管理
が難しい。特に、ワックス20が不透明な場合には、目
視検査ができず、洗浄性の評価ができないという問題が
あった。
あり、その目的とするところは、台座の貫通孔の内壁に
メタライズ層が形成されず、工程が増加することもな
く、接合信頼性のよい半導体圧力センサ用台座のメタラ
イズ層の形成方法を提供することにある。
凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダイアフ
ラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダイアフ
ラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、前記半
導体圧力センサチップに接合される台座とを有してなる
半導体圧力センサにおける前記台座の前記半導体圧力セ
ンサチップと接合しない側の面にメタライズ層を形成す
る方法であって、前記貫通孔の形状と略同形状の断面形
状を有し、貫通孔の深さ以上の長さを有する複数のピン
を、前記台座の貫通孔の配置に対応して配列させるよう
に細線状部材により固定し、該複数のピンの各々を台座
のメタライズ層を形成する面側から貫通孔に挿入し、該
ピンを挿入した状態で、メタライズ層を形成する面側か
らスパッタリングあるいは蒸着によりメタライズ層を形
成するようにしたことを特徴とするものである。
明において、メタライズ層の形成の際に、台座を回転さ
せながらスパッタリングあるいは蒸着を行うようにした
ことを特徴とするものである。
を図面に基づき説明する。図1は本発明の実施の形態の
一例に係る半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形
成方法を示す工程図である。まず、図1(a)に示すよ
うに、円盤状のガラス台座2(直径約100mmから1
50mm、厚み約0.5mmから3mm)には、超音波
加工法等により貫通孔21が形成されている。貫通孔2
1の大きさは直径約0.6mmから1.5mmである。
このガラス台座2の一方の面は表面粗化が行われる。つ
まり、ガラス台座2の一方の面に対して、目の粗い砥石
で研磨し、又は、サンドブラスト法により吐粒を吹きか
け、粗面化し、後述のメタライズ層の形成時に金属が付
着しやすいようにしておく。
座2の粗面化した面を上側に向けて平面プレート10上
に載せる。そして、ガラス台座2の貫通孔21の形状と
略同形状の断面形状を有し、貫通孔21の深さ以上の長
さを有する柱状の複数のピン30を、貫通孔21の配置
に対応して配列させるように細線状部材としての細い金
属線40により固定し、複数のピン30の各々をガラス
台座2のメタライズ層8を形成する面側から貫通孔21
にピン30の先端が平面プレート10に達するまで挿入
する。複数のピン30により、各々の貫通孔21は塞が
れるようになっているのである。
ラス台座2の粗面化した面側にスパッタリングや蒸着に
よりメタライズ層8を形成する。スパッタリングの場合
には、ターゲット(メタライズ層8の材料となる板)の
まわりを、圧力を10-2Torr〜10-4Torrにし
て基板や真空容器(接地)とターゲットとの間に数百V
〜数KVの電圧を印加してプラズマを発生させる。この
プラズマ中のイオンがターゲット表面の原子を跳ね飛ば
し、基板(ガラス)の上に付着することにより膜を形成
するのである。この方法でターゲットを変えることによ
り複数の金属層を積層し、メタライズ層8が形成され
る。メタライズ層8の例としては、Cr(最下層)/N
i/Au(最上層)、Ti(最下層)/Ni/Au(最
上層)、Ti(最下層)/Pt/Au(最上層)等が挙
げられる。なお、スパッタリングはメタライズ層を形成
する面(表面粗化の行われた面)の方向から行う。この
時、複数のピン30を固定している金属線40は細い部
材を使用しているので、金属線40の遮蔽によりメタラ
イズ層8にむらが発生することはない。その後、図1
(d)に示すように、ピン30を貫通孔21から取り出
す。
体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法を示す工
程図である。本実施形態では、上述の実施形態におい
て、図2(b)に示すように、平面プレート10を回転
台50上に設置している。回転台50の上面にはベアリ
ング52が設けられており、モータ51により、回転台
50上に載せた平面プレート10を回転できるようにな
っている。従って、スパッタリングや蒸着を行う際に
は、図2(c)に示すように、平面プレート10を回転
させながら行うようにするのである。メタライズ層8の
形成が完了した後、平面プレート10の回転を止めて、
ピン30を貫通孔21から取り出す。他の工程は上述の
実施形態と同等であるので説明を省略する。本実施形態
では、平面プレート10を回転させながら、つまり、台
座2を回転させながらスパッタリングや蒸着を行うの
で、金属線40が多少太くなったとしてもメタライズ層
8にむらが発生することはない。
されたガラス台座2は、図3に示すように、メタライズ
層8の形成面側が半田9を介して金属パイプ4に接合さ
れ、反対側の面が半導体圧力センサチップ1に陽極接合
により接合される。陽極接合の条件としては、真空雰囲
気中で約400℃に加熱し、約500V〜800Vの直
流電圧を半導体圧力センサチップ1側が正極になるよう
に印加すると、静電引力により原子的に接合されるので
ある。
貫通孔21の内壁22は、メタライズ層8の形成工程時
には、貫通孔21がピン30によって塞がっているの
で、メタライズ層が形成されることはなくなり、金属パ
イプ4との接合面にのみ形成される。従って、ガラス台
座2と半導体圧力センサチップ1とを陽極接合する場合
に、放電により半導体圧力センサチップ1が破壊するこ
とがなく、また、ワックスを充填する等の余分な工程が
増加することもなく、さらには、ガラス台座2と半導体
圧力センサチップ1や金属パイプ4との接合信頼性も向
上するのである。
れば、凹部を形成することにより薄肉状に形成されたダ
イアフラムを有する半導体圧力センサチップと、前記ダ
イアフラムに圧力を導入するための貫通孔が形成され、
前記半導体圧力センサチップに接合される台座とを有し
てなる半導体圧力センサにおける前記台座の前記半導体
圧力センサチップと接合しない側の面にメタライズ層を
形成する方法であって、前記貫通孔の形状と略同形状の
断面形状を有し、貫通孔の深さ以上の長さを有する複数
のピンを、前記台座の貫通孔の配置に対応して配列させ
るように細線状部材により固定し、該複数のピンの各々
を台座のメタライズ層を形成する面側から貫通孔に挿入
し、該ピンを挿入した状態で、メタライズ層を形成する
面側からスパッタリングあるいは蒸着によりメタライズ
層を形成するようにしたので、台座の貫通孔の内壁にメ
タライズ層が形成されず、工程が増加することもなく、
接合信頼性のよい半導体圧力センサ用台座のメタライズ
層の形成方法が提供できた。
載の発明において、メタライズ層の形成の際に、台座を
回転させながらスパッタリングあるいは蒸着を行うよう
にしたので、より均一なメタライズ層の形成が行える。
台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。
用台座のメタライズ層の形成方法を示す工程図である。
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
イズ層の形成方法を示す工程図である。
金属パイプに接合した状態を示す模式図である。
タライズ層の形成方法を示す工程図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 凹部を形成することにより薄肉状に形成
されたダイアフラムを有する半導体圧力センサチップ
と、前記ダイアフラムに圧力を導入するための貫通孔が
形成され、前記半導体圧力センサチップに接合される台
座とを有してなる半導体圧力センサにおける前記台座の
前記半導体圧力センサチップと接合しない側の面にメタ
ライズ層を形成する方法であって、前記貫通孔の形状と
略同形状の断面形状を有し、貫通孔の深さ以上の長さを
有する複数のピンを、前記台座の貫通孔の配置に対応し
て配列させるように細線状部材により固定し、該複数の
ピンの各々を台座のメタライズ層を形成する面側から貫
通孔に挿入し、該ピンを挿入した状態で、メタライズ層
を形成する面側からスパッタリングあるいは蒸着により
メタライズ層を形成するようにしたことを特徴とする半
導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法。 - 【請求項2】 メタライズ層の形成の際に、台座を回転
させながらスパッタリングあるいは蒸着を行うようにし
たことを特徴とする請求項1記載の半導体圧力センサ用
台座のメタライズ層の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04532298A JP3374742B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04532298A JP3374742B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11241965A true JPH11241965A (ja) | 1999-09-07 |
JP3374742B2 JP3374742B2 (ja) | 2003-02-10 |
Family
ID=12716083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04532298A Expired - Fee Related JP3374742B2 (ja) | 1998-02-26 | 1998-02-26 | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3374742B2 (ja) |
-
1998
- 1998-02-26 JP JP04532298A patent/JP3374742B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3374742B2 (ja) | 2003-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI357115B (en) | Device having a compliant element pressed between | |
US6429511B2 (en) | Microcap wafer-level package | |
US6376280B1 (en) | Microcap wafer-level package | |
US7008817B2 (en) | Method for manufacturing micro electro-mechanical systems using solder balls | |
JPH09512677A (ja) | 電子デバイスのカプセル化装置 | |
EP2363374A2 (en) | Manufacturing Method of MEMS Package, and Oscillator | |
JP2011131309A5 (ja) | 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ | |
JP2017022284A (ja) | ウェハ保持体 | |
JP6342643B2 (ja) | 電子デバイス | |
US20040245896A1 (en) | Piezoelectric device and manufacturing method therefor | |
JPH11241965A (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 | |
JP3402178B2 (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 | |
JPH11248571A (ja) | 半導体圧力センサ用台座 | |
JPH11258084A (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法及びメタライズ用治具の製造方法 | |
JPH11241964A (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 | |
JPH11248572A (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 | |
JP3405179B2 (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法及びメタライズ用治具の製造方法 | |
JP3402185B2 (ja) | 半導体圧力センサ用台座のメタライズ層の形成方法 | |
JP6699765B2 (ja) | ウェハ保持体 | |
JPS60241244A (ja) | ピングリッドアレイ型半導体装置の製造方法 | |
JPH06310615A (ja) | 半導体容器形成方法と半導体基板積載圧電体振動子 | |
US6764228B2 (en) | Outgas prevention in electrooptical packages | |
JPH11186423A (ja) | ハーメチックシールカバーおよびその製造方法 | |
JP2001110922A (ja) | 電子部品用パッケージ | |
JP2003078383A (ja) | 水晶振動子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081129 Year of fee payment: 6 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081129 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091129 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 7 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091129 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101129 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 9 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111129 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121129 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121129 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131129 Year of fee payment: 11 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |