JPH11240710A - シリコン鋳造用鋳型 - Google Patents
シリコン鋳造用鋳型Info
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- JPH11240710A JPH11240710A JP4676098A JP4676098A JPH11240710A JP H11240710 A JPH11240710 A JP H11240710A JP 4676098 A JP4676098 A JP 4676098A JP 4676098 A JP4676098 A JP 4676098A JP H11240710 A JPH11240710 A JP H11240710A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、シリコンの凝固精製作業時間を従来
より大幅に短縮可能なシリコン鋳造用鋳型を提供するこ
とを目的としている。 【解決手段】多結晶シリコンを電子ビームで加熱しつつ
鋳造、凝固し、そのインゴットを製造する容器型鋳型に
おいて、凝固精製作業時間の短縮手段として、側壁にテ
ーパ角０．５度以上１０度以下の下方拡大テーパを付し
た。また、凝固精製作業時間の短縮手段として、側壁に
溶融状態にあるシリコンの抜き出し手段を設けた。
より大幅に短縮可能なシリコン鋳造用鋳型を提供するこ
とを目的としている。 【解決手段】多結晶シリコンを電子ビームで加熱しつつ
鋳造、凝固し、そのインゴットを製造する容器型鋳型に
おいて、凝固精製作業時間の短縮手段として、側壁にテ
ーパ角０．５度以上１０度以下の下方拡大テーパを付し
た。また、凝固精製作業時間の短縮手段として、側壁に
溶融状態にあるシリコンの抜き出し手段を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池用等の高
純度多結晶シリコンのインゴットを鋳造する鋳型の形状
に関する。
純度多結晶シリコンのインゴットを鋳造する鋳型の形状
に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、シリコンの密度は、溶融状態で
２．５ｇ／ｃｍ3 、固体状態では２．３３ｇ／ｃｍ3 で
あり、約７％の体積膨張を生ずる。そのため、太陽電池
等に用いるシリコン・インゴット製造では、該シリコン
が凝固時に膨張するので、鋳型に大きな応力が加わり、
インゴットを鋳型から抜き出すことが不可能になるとい
う問題があった。
２．５ｇ／ｃｍ3 、固体状態では２．３３ｇ／ｃｍ3 で
あり、約７％の体積膨張を生ずる。そのため、太陽電池
等に用いるシリコン・インゴット製造では、該シリコン
が凝固時に膨張するので、鋳型に大きな応力が加わり、
インゴットを鋳型から抜き出すことが不可能になるとい
う問題があった。
【０００３】そこで、インゴットの抜出しを容易にする
ため、実開昭５８−２２９３６号公報は、石英製るつぼ
と、該石英製るつぼを収容、保護するカーボン・サセプ
タとの側面に、開口部に向かって拡がる３度以上の傾斜
を付けた多結晶シリコン・インゴットの鋳造用鋳型を提
案している。しかしながら、この鋳型では、インゴット
を抜き出す際、鋳型を鋳造から取り外し、ひっくり返す
作業が必要であった。
ため、実開昭５８−２２９３６号公報は、石英製るつぼ
と、該石英製るつぼを収容、保護するカーボン・サセプ
タとの側面に、開口部に向かって拡がる３度以上の傾斜
を付けた多結晶シリコン・インゴットの鋳造用鋳型を提
案している。しかしながら、この鋳型では、インゴット
を抜き出す際、鋳型を鋳造から取り外し、ひっくり返す
作業が必要であった。
【０００４】また、前記開口部へ向かって拡がった所謂
テーパ付き鋳型の底板を、上方に押し上げ可能にして、
インゴットを上方から抜き出すことも試みられている。
しかしながら、かかる鋳型を用いても、まだ作業性が悪
く、インゴットの抜き出しに、インゴットの冷却時間も
含め２〜２．５時間も要するという問題があった。とこ
ろで、太陽電池用のシリコンを鋳造し、そのインゴット
を製造する目的の一つは、該シリコンからＴｉ，Ｆｅ等
の金属不純物元素を一方向凝固法を用いて精製除去する
ことである。つまり、鋳型の底部より上方へ溶融状態に
あるシリコンを一定速度で凝固させていき、その進行に
つれて未凝固融体に前記金属不純物元素を濃縮させ、凝
固完了後にインゴットの一部（上部）を切断除去するの
である。この一方向凝固による精製は、凝固界面の進行
速度が２ｍｍ／分以下と非常に遅いので、通常、凝固開
始から凝固終了まで３〜５時間もの時間を要している。
テーパ付き鋳型の底板を、上方に押し上げ可能にして、
インゴットを上方から抜き出すことも試みられている。
しかしながら、かかる鋳型を用いても、まだ作業性が悪
く、インゴットの抜き出しに、インゴットの冷却時間も
含め２〜２．５時間も要するという問題があった。とこ
ろで、太陽電池用のシリコンを鋳造し、そのインゴット
を製造する目的の一つは、該シリコンからＴｉ，Ｆｅ等
の金属不純物元素を一方向凝固法を用いて精製除去する
ことである。つまり、鋳型の底部より上方へ溶融状態に
あるシリコンを一定速度で凝固させていき、その進行に
つれて未凝固融体に前記金属不純物元素を濃縮させ、凝
固完了後にインゴットの一部（上部）を切断除去するの
である。この一方向凝固による精製は、凝固界面の進行
速度が２ｍｍ／分以下と非常に遅いので、通常、凝固開
始から凝固終了まで３〜５時間もの時間を要している。
【０００５】本出願人は、現在、金属シリコンを出発原
料とし、冶金プロセスのみで太陽電池用の高純度シリコ
ンを安価に製造することを試みている。しかしながら、
かかる凝固精製時間に、前記インゴットの冷却及び抜き
出し時間を合わた凝固精製作業時間が、シリコンの全精
製工程において多大になってしまう。これでは、シリコ
ンの生産性が低く、安価な高純度シリコンにはならな
い。
料とし、冶金プロセスのみで太陽電池用の高純度シリコ
ンを安価に製造することを試みている。しかしながら、
かかる凝固精製時間に、前記インゴットの冷却及び抜き
出し時間を合わた凝固精製作業時間が、シリコンの全精
製工程において多大になってしまう。これでは、シリコ
ンの生産性が低く、安価な高純度シリコンにはならな
い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、かかる事情
に鑑み、シリコンの凝固精製作業時間を従来より大幅に
短縮可能なシリコン鋳造用鋳型を提供することを目的と
している。
に鑑み、シリコンの凝固精製作業時間を従来より大幅に
短縮可能なシリコン鋳造用鋳型を提供することを目的と
している。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明者は、上記目的を、
鋳型構造の改良だけで達成するよう鋭意研究を重ねた。
そして、その成果を本発明として具現化した。すなわ
ち、本発明は、多結晶シリコンを電子ビームで加熱しつ
つ鋳造、凝固し、そのインゴットを製造する鋳型におい
て、凝固精製作業時間の短縮手段として、側壁にテーパ
角０．５度以上１０度以下の下方拡大テーパを付したこ
とを特徴とするシリコン鋳造用鋳型である。
鋳型構造の改良だけで達成するよう鋭意研究を重ねた。
そして、その成果を本発明として具現化した。すなわ
ち、本発明は、多結晶シリコンを電子ビームで加熱しつ
つ鋳造、凝固し、そのインゴットを製造する鋳型におい
て、凝固精製作業時間の短縮手段として、側壁にテーパ
角０．５度以上１０度以下の下方拡大テーパを付したこ
とを特徴とするシリコン鋳造用鋳型である。
【０００８】また、本発明は、前記側壁を底部材と切り
離し自在としたり、あるいは該底部材に、昇降手段を取
り付けたことを特徴とするシリコン鋳造用鋳型である。
さらに、本発明は、多結晶シリコンを電子ビームで加熱
しつつ鋳造、凝固し、そのインゴットを製造する容器型
鋳型において、凝固精製作業時間の短縮手段として、側
壁に溶融状態にあるシリコンの抜き出し手段を設けたこ
とを特徴とするシリコン鋳造用鋳型である。
離し自在としたり、あるいは該底部材に、昇降手段を取
り付けたことを特徴とするシリコン鋳造用鋳型である。
さらに、本発明は、多結晶シリコンを電子ビームで加熱
しつつ鋳造、凝固し、そのインゴットを製造する容器型
鋳型において、凝固精製作業時間の短縮手段として、側
壁に溶融状態にあるシリコンの抜き出し手段を設けたこ
とを特徴とするシリコン鋳造用鋳型である。
【０００９】加えて、本発明は、前記シリコンの抜き出
し手段を、前記側壁の上端より離隔して下方に設けた貫
通孔と、該貫通孔を塞ぐ栓とで形成したり、あるいは前
記側壁に、テーパ角０．５度以上１０度以下の下方拡大
テーパを付したことを特徴とするシリコン鋳造用鋳型で
ある。さらに加えて、本発明は、前記側壁を、シリコン
の溶解手段を備えた鋳造室内に固定し、底部材のみを該
鋳造室の外へ昇降自在としたり、該鋳造室を真空に減圧
可能とすると共に、前記シリコンの溶解手段を、溶融シ
リコンを保持する容器と、電子銃とで形成したり、ある
いは前記鋳造室の壁に、前記シリコンの抜き出し手段の
位置に応じて、開閉自在なシリコンの抜き出し通路を設
けたことを特徴とするシリコン鋳造用鋳型でもある。
し手段を、前記側壁の上端より離隔して下方に設けた貫
通孔と、該貫通孔を塞ぐ栓とで形成したり、あるいは前
記側壁に、テーパ角０．５度以上１０度以下の下方拡大
テーパを付したことを特徴とするシリコン鋳造用鋳型で
ある。さらに加えて、本発明は、前記側壁を、シリコン
の溶解手段を備えた鋳造室内に固定し、底部材のみを該
鋳造室の外へ昇降自在としたり、該鋳造室を真空に減圧
可能とすると共に、前記シリコンの溶解手段を、溶融シ
リコンを保持する容器と、電子銃とで形成したり、ある
いは前記鋳造室の壁に、前記シリコンの抜き出し手段の
位置に応じて、開閉自在なシリコンの抜き出し通路を設
けたことを特徴とするシリコン鋳造用鋳型でもある。
【００１０】本発明によれば、凝固完了後に鋳型からイ
ンゴットを抜き出す作業が容易になるので、インゴット
抜き出し時間が短縮できるようになる。また、凝固精製
時に溶融シリコンを最後まで凝固せずに、不純物元素が
ある程度濃化した溶融状態で鋳型から抜き出し、精製を
完了させるようにしたので、凝固精製に要する時間も短
縮できるようになる。その結果、凝固精製作業に要する
トータル時間が従来より大幅に短縮し、シリコンの生産
性が向上するので、安価な高純度シリコンが製造できる
ようになった。
ンゴットを抜き出す作業が容易になるので、インゴット
抜き出し時間が短縮できるようになる。また、凝固精製
時に溶融シリコンを最後まで凝固せずに、不純物元素が
ある程度濃化した溶融状態で鋳型から抜き出し、精製を
完了させるようにしたので、凝固精製に要する時間も短
縮できるようになる。その結果、凝固精製作業に要する
トータル時間が従来より大幅に短縮し、シリコンの生産
性が向上するので、安価な高純度シリコンが製造できる
ようになった。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態を説明する。まず、本発明では、鋳造室８を
真空に減圧可能とすると共に、シリコン４の溶解手段
を、溶融シリコンを保持する容器１０と、電子銃１１と
で形成した。このようにすれば、シリコン中の揮発性不
純物元素、主としてＰを除去した後に、直ちに凝固精製
ができるからである。
実施の形態を説明する。まず、本発明では、鋳造室８を
真空に減圧可能とすると共に、シリコン４の溶解手段
を、溶融シリコンを保持する容器１０と、電子銃１１と
で形成した。このようにすれば、シリコン中の揮発性不
純物元素、主としてＰを除去した後に、直ちに凝固精製
ができるからである。
【００１２】そして、図１に示すように、凝固精製時間
の第１の短縮手段を設けてある。つまり、本発明に係る
鋳型は、筒状の側壁２に底部材３を取付けてある。ま
た、側壁２と底部材３とを組み合わせ方式にし、互いに
係止させるようにしても良い。その場合、係止は、例え
ばボルトで行うことになる。そして、側壁２には、テー
パ角０．５度〜１０度の下方拡大テーパを付し、シリコ
ン４の凝固による膨張で、応力がかかるのを回避するよ
うにしてある。さらに、製造したインゴットを下方へ抜
き出すのは、その方が作業性が良くなるからである。こ
こで、下方拡大テーパ角を０．５度以上１０度以下の範
囲に限定したのは、０．５度未満だと全く応力の回避に
ならず、１０度超えだと該鋳型１内の溶融シリコン表面
を電子ビームで走査、加熱する際に、死角が生じるから
である。
の第１の短縮手段を設けてある。つまり、本発明に係る
鋳型は、筒状の側壁２に底部材３を取付けてある。ま
た、側壁２と底部材３とを組み合わせ方式にし、互いに
係止させるようにしても良い。その場合、係止は、例え
ばボルトで行うことになる。そして、側壁２には、テー
パ角０．５度〜１０度の下方拡大テーパを付し、シリコ
ン４の凝固による膨張で、応力がかかるのを回避するよ
うにしてある。さらに、製造したインゴットを下方へ抜
き出すのは、その方が作業性が良くなるからである。こ
こで、下方拡大テーパ角を０．５度以上１０度以下の範
囲に限定したのは、０．５度未満だと全く応力の回避に
ならず、１０度超えだと該鋳型１内の溶融シリコン表面
を電子ビームで走査、加熱する際に、死角が生じるから
である。
【００１３】また、本発明では、インゴット９の抜き出
し方向を下方としたので、前記側壁２を底部材３と切り
離し自在としてある。具体的には、底部材３に、シリン
ダ、スクリュ等の昇降手段５を連接するように取り付け
ることになる。次に、図２に、凝固精製作業時間の第２
の短縮手段を付したシリコン鋳造鋳型１を示す。それ
は、鋳型１内の溶融状態にあるシリコン４を、適切な時
期に外部に抜き出し手段を設けたものである。具体的に
は、前記側壁２の上端より一定距離下方に設けた貫通孔
６と、該貫通孔６を塞ぐ栓７とで形成したり、あるい
は、図示していないが、該側壁２の上端を一部切欠構造
とし、そこに取り外し自在な封塞部材を嵌め込めば良
い。このようにすれば、シリコンの一方向凝固がある程
度進行し、凝固界面より上方に金属不純物元素が濃縮し
た残湯１４を適宜抜き出せるようになる。つまり、凝固
精製の無駄時間を省略するのである。さもなくば、注入
したシリコン４が完全に凝固するまで待ち、しかも得ら
れたインゴットの不純物濃化部分を切断除去する作業も
必要になり、凝固精製時間が長くなる。なお、この場
合、従来通り上方拡大テーパを付した側壁２を採用して
も良いが、前記した下方拡大テーパを付した側壁２を採
用する方が好ましい。なぜなら、前記第１の短縮手段と
第２の短縮手段が合わさり、凝固精製作業時間が一層短
縮できるからである。
し方向を下方としたので、前記側壁２を底部材３と切り
離し自在としてある。具体的には、底部材３に、シリン
ダ、スクリュ等の昇降手段５を連接するように取り付け
ることになる。次に、図２に、凝固精製作業時間の第２
の短縮手段を付したシリコン鋳造鋳型１を示す。それ
は、鋳型１内の溶融状態にあるシリコン４を、適切な時
期に外部に抜き出し手段を設けたものである。具体的に
は、前記側壁２の上端より一定距離下方に設けた貫通孔
６と、該貫通孔６を塞ぐ栓７とで形成したり、あるい
は、図示していないが、該側壁２の上端を一部切欠構造
とし、そこに取り外し自在な封塞部材を嵌め込めば良
い。このようにすれば、シリコンの一方向凝固がある程
度進行し、凝固界面より上方に金属不純物元素が濃縮し
た残湯１４を適宜抜き出せるようになる。つまり、凝固
精製の無駄時間を省略するのである。さもなくば、注入
したシリコン４が完全に凝固するまで待ち、しかも得ら
れたインゴットの不純物濃化部分を切断除去する作業も
必要になり、凝固精製時間が長くなる。なお、この場
合、従来通り上方拡大テーパを付した側壁２を採用して
も良いが、前記した下方拡大テーパを付した側壁２を採
用する方が好ましい。なぜなら、前記第１の短縮手段と
第２の短縮手段が合わさり、凝固精製作業時間が一層短
縮できるからである。
【００１４】さらに、本発明では、図３に示すように、
前記側壁２を、シリコン４の溶解手段を備えた鋳造室８
内に固定し、底部材３のみを該鋳造室８の外へ抜けるよ
うに昇降自在とした。このようにすれば、凝固完了後に
底部材３のみを降下させるだけで、インゴット９を抜き
出せるからである。つまり、この場合の鋳型１は、側壁
２が下方拡大テーパを付したものに限られるが、凝固し
たインゴット９は、シリコンの膨張によって下向きの力
が生じ、抜き出しが容易になるのである。
前記側壁２を、シリコン４の溶解手段を備えた鋳造室８
内に固定し、底部材３のみを該鋳造室８の外へ抜けるよ
うに昇降自在とした。このようにすれば、凝固完了後に
底部材３のみを降下させるだけで、インゴット９を抜き
出せるからである。つまり、この場合の鋳型１は、側壁
２が下方拡大テーパを付したものに限られるが、凝固し
たインゴット９は、シリコンの膨張によって下向きの力
が生じ、抜き出しが容易になるのである。
【００１５】最後になるが、本発明に係るシリコン鋳造
用鋳型１のサイズは、例えば円筒状側壁の場合、差渡し
寸法が４００〜１０００ｍｍ以上で、高さが鋳型平面の
最大差渡し寸法に対してほぼ１．５倍以下である。ま
た、鋳型１の材質は、黒鉛でも水冷銅でも良い。
用鋳型１のサイズは、例えば円筒状側壁の場合、差渡し
寸法が４００〜１０００ｍｍ以上で、高さが鋳型平面の
最大差渡し寸法に対してほぼ１．５倍以下である。ま
た、鋳型１の材質は、黒鉛でも水冷銅でも良い。
【００１６】
【実施例】（実施例−１）直径８００ｍｍφ、高さ８０
０ｍｍの円筒形の水冷銅鋳型に下方拡大テーパ角１度を
付した（発明例１）。また、比較のため、これとほぼ同
体積で、直径４６０ｍｍφ×高さ９２０ｍｍの円筒形鋳
型１の側壁２に、図４に示すように、従来通り上方拡大
テーパ角５度を付した（従来例１）。これら両鋳型１の
それぞれに、シリコン４を電子ビームで加熱すると共に
注湯し、多結晶シリコンのインゴット９を一方向凝固法
で製造した。その後、該インゴット９を冷却し、それぞ
れの鋳型１から抜き出したが、本発明例１では、２分間
でインゴット９を容易に抜き取ることができた。それに
対して、従来例１では、鋳型１を鋳造設備から取り外
し、それをひっくり返す必要があったので、１０分もか
かってしまった。
０ｍｍの円筒形の水冷銅鋳型に下方拡大テーパ角１度を
付した（発明例１）。また、比較のため、これとほぼ同
体積で、直径４６０ｍｍφ×高さ９２０ｍｍの円筒形鋳
型１の側壁２に、図４に示すように、従来通り上方拡大
テーパ角５度を付した（従来例１）。これら両鋳型１の
それぞれに、シリコン４を電子ビームで加熱すると共に
注湯し、多結晶シリコンのインゴット９を一方向凝固法
で製造した。その後、該インゴット９を冷却し、それぞ
れの鋳型１から抜き出したが、本発明例１では、２分間
でインゴット９を容易に抜き取ることができた。それに
対して、従来例１では、鋳型１を鋳造設備から取り外
し、それをひっくり返す必要があったので、１０分もか
かってしまった。
【００１７】（実施例−２）上記発明例と同じ鋳型１
に、側壁２の下端から９０ｍｍの位置に貫通孔６を設
け、栓７で塞いだ（発明例２）。一方、従来例２として
は、上記比較例と同じ上方拡大テーパを有し、貫通孔６
を設けない鋳型１を鋳造室８内に配置し、該鋳造室８内
を減圧してから、溶解手段（容器１０と電子銃１１）を
用いて溶融した５０ｋｇのシリコン４を注湯しながら、
一方向凝固法で凝固精製を行うと共に、インゴット９を
製造した。
に、側壁２の下端から９０ｍｍの位置に貫通孔６を設
け、栓７で塞いだ（発明例２）。一方、従来例２として
は、上記比較例と同じ上方拡大テーパを有し、貫通孔６
を設けない鋳型１を鋳造室８内に配置し、該鋳造室８内
を減圧してから、溶解手段（容器１０と電子銃１１）を
用いて溶融した５０ｋｇのシリコン４を注湯しながら、
一方向凝固法で凝固精製を行うと共に、インゴット９を
製造した。
【００１８】なお、その際の凝固速度は、両例とも開始
当初が約１ｍｍ／ｍｉｎで、それ以降は、鋳型壁に設け
たセンサ（例えば、温度計）で凝固界面の位置を検知し
ながら、適宜調整した。この調整は、鋳型へ供給するシ
リコンの量及び上方に配置した電子銃１１からの電子ビ
ーム１５による加熱で行った。そして、本発明例２で
は、前記センサで凝固界面が前記貫通孔６に到達したこ
とを検知した際、直ちに前記栓７を抜き、鋳造室８の抜
き出し通路１３を経て鋳型１内のシリコン溶湯を抜き出
した。その際、インゴット９の冷却を１時間行ってか
ら、鋳造室８の下方へインゴット９を抜き出した。この
間、シリコン４の注湯開始からインゴット９の抜き出し
まで、５時間で終了することができた。
当初が約１ｍｍ／ｍｉｎで、それ以降は、鋳型壁に設け
たセンサ（例えば、温度計）で凝固界面の位置を検知し
ながら、適宜調整した。この調整は、鋳型へ供給するシ
リコンの量及び上方に配置した電子銃１１からの電子ビ
ーム１５による加熱で行った。そして、本発明例２で
は、前記センサで凝固界面が前記貫通孔６に到達したこ
とを検知した際、直ちに前記栓７を抜き、鋳造室８の抜
き出し通路１３を経て鋳型１内のシリコン溶湯を抜き出
した。その際、インゴット９の冷却を１時間行ってか
ら、鋳造室８の下方へインゴット９を抜き出した。この
間、シリコン４の注湯開始からインゴット９の抜き出し
まで、５時間で終了することができた。
【００１９】一方、従来例２では、注湯したシリコン４
の全量が凝固してから冷却し、インゴット９の入った上
方拡大テーパの鋳型１を、鋳造室８からクレーン（図示
せず）で取り出し、インゴット９の抜き出しを行った。
そのため、注湯開始からインゴット９の抜き出しまで、
７時間にもなった。
の全量が凝固してから冷却し、インゴット９の入った上
方拡大テーパの鋳型１を、鋳造室８からクレーン（図示
せず）で取り出し、インゴット９の抜き出しを行った。
そのため、注湯開始からインゴット９の抜き出しまで、
７時間にもなった。
【００２０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明により、多結
晶シリコンを凝固精製する際の作業時間を、従来より大
幅に短縮できた。その結果、太陽電池に用いる高純度シ
リコンが、安価に製造できるようになった。
晶シリコンを凝固精製する際の作業時間を、従来より大
幅に短縮できた。その結果、太陽電池に用いる高純度シ
リコンが、安価に製造できるようになった。
【図１】本発明に係るシリコン鋳造鋳型の縦断面図であ
り、（ａ）は凝固途中、（ｂ）はインゴットの抜き出し
時を示す。
り、（ａ）は凝固途中、（ｂ）はインゴットの抜き出し
時を示す。
【図２】本発明に係るシリコン鋳造鋳型の別態様を示す
縦断面図である。
縦断面図である。
【図３】図２のシリコン鋳造鋳型を、鋳造室に配置した
縦断面図である。
縦断面図である。
【図４】従来の側壁に上方拡大テーパを付した鋳型の縦
断面図である。
断面図である。
１ 鋳型 ２ 側壁 ３ 底部材 ４ シリコン ５ 昇降手段 ６ 貫通孔 ７ 栓 ８ 鋳造室 ９ インゴット １０ 容器 １１ 電子銃 １２ 鋳造室の壁 １３ 抜き出し通路 １４ 残湯 １５ 電子ビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 花澤 和浩 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究所内 (72)発明者 馬場 裕幸 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究所内 (72)発明者 中村 尚道 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究所内 (72)発明者 加藤 嘉英 千葉県千葉市中央区川崎町１番地 川崎製 鉄株式会社技術研究所内
Claims (9)
- 【請求項１】 多結晶シリコンを電子ビームで加熱しつ
つ鋳造、凝固し、そのインゴットを製造する鋳型におい
て、 凝固精製作業時間の短縮手段として、側壁にテーパ角
０．５度以上１０度以下の下方拡大テーパを付したこと
を特徴とするシリコン鋳造用鋳型。 - 【請求項２】 前記側壁を底部材と切り離し自在とした
ことを特徴とする請求項１記載のシリコン鋳造用鋳型。 - 【請求項３】 前記底部材に、昇降手段を取り付けたこ
とを特徴とする請求項２記載のシリコン鋳造用鋳型。 - 【請求項４】 多結晶シリコンを電子ビームで加熱しつ
つ鋳造、凝固し、そのインゴットを製造する鋳型におい
て、 凝固精製作業時間の短縮手段として、側壁に溶融状態に
あるシリコンの抜き出し手段を設けたことを特徴とする
シリコン鋳造用鋳型。 - 【請求項５】 前記シリコンの抜き出し手段を、前記側
壁の上端より離隔して下方に設けた貫通孔と、該貫通孔
を塞ぐ栓とで形成したことを特徴とする請求項４記載の
シリコン鋳造用鋳型。 - 【請求項６】 前記側壁に、テーパ角０．５度以上１０
度以下の下方拡大テーパを付したことを特徴とする請求
項４又は５記載のシリコン鋳造用鋳型。 - 【請求項７】 前記側壁を、シリコンの溶解手段を備え
た鋳造室内に固定し、底部材のみを該鋳造室の外へ昇降
自在としたことを特徴とする請求項１〜３及び請求項６
のいずれかに記載のシリコン鋳造用鋳型。 - 【請求項８】 前記鋳造室を真空に減圧可能とすると共
に、前記シリコンの溶解手段を、溶融シリコンを保持す
る容器と、電子銃とで形成したことを特徴とする請求項
７記載のシリコン鋳造用鋳型。 - 【請求項９】 前記鋳造室の壁に、前記シリコンの抜き
出し手段の位置に応じて、開閉自在なシリコンの抜き出
し通路を設けたことを特徴とする請求項７又は８記載の
シリコン鋳造用鋳型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4676098A JPH11240710A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | シリコン鋳造用鋳型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4676098A JPH11240710A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | シリコン鋳造用鋳型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11240710A true JPH11240710A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=12756300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4676098A Pending JPH11240710A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | シリコン鋳造用鋳型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11240710A (ja) |
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