JPH11240173A - 流体から汚染物質を除去するためのフィルタ―及びその形成方法 - Google Patents
流体から汚染物質を除去するためのフィルタ―及びその形成方法Info
- Publication number
- JPH11240173A JPH11240173A JP10361594A JP36159498A JPH11240173A JP H11240173 A JPH11240173 A JP H11240173A JP 10361594 A JP10361594 A JP 10361594A JP 36159498 A JP36159498 A JP 36159498A JP H11240173 A JPH11240173 A JP H11240173A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- filter
- layer
- thickness
- substrate
- etch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 title claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 32
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 26
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000009987 spinning Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 101100334009 Caenorhabditis elegans rib-2 gene Proteins 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002925 chemical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000006261 foam material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14145—Structure of the manifold
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D39/00—Filtering material for liquid or gaseous fluids
- B01D39/14—Other self-supporting filtering material ; Other filtering material
- B01D39/20—Other self-supporting filtering material ; Other filtering material of inorganic material, e.g. asbestos paper, metallic filtering material of non-woven wires
- B01D39/2027—Metallic material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1603—Production of bubble jet print heads of the front shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1623—Manufacturing processes bonding and adhesion
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1628—Manufacturing processes etching dry etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1645—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by spincoating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/17—Ink jet characterised by ink handling
- B41J2/175—Ink supply systems ; Circuit parts therefor
- B41J2/17563—Ink filters
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2239/00—Aspects relating to filtering material for liquid or gaseous fluids
- B01D2239/12—Special parameters characterising the filtering material
- B01D2239/1216—Pore size
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2002/14403—Structure thereof only for on-demand ink jet heads including a filter
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Geology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- Filtering Materials (AREA)
- Ink Jet (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 透過する流体から汚染物質を濾過するフィル
タをが提供される。 【解決手段】 フィルタは、対向する第１及び第２の
面、ならびに、これらの間を延出する通路を有するシリ
コン基板を備える。第１のエッチング抵抗材料層は第１
の基板面上に形成され該層中を通って延出して基板通路
と連通する複数の孔を備える。第２の層は該層を通る流
体から汚染物質を濾過するフィルタ層を画成する。フィ
ルタを形成するプロセスもまた提供される。
タをが提供される。 【解決手段】 フィルタは、対向する第１及び第２の
面、ならびに、これらの間を延出する通路を有するシリ
コン基板を備える。第１のエッチング抵抗材料層は第１
の基板面上に形成され該層中を通って延出して基板通路
と連通する複数の孔を備える。第２の層は該層を通る流
体から汚染物質を濾過するフィルタ層を画成する。フィ
ルタを形成するプロセスもまた提供される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、流体から汚染物質
を除去するフィルタとこれを形成する方法に関し、より
詳細には、インク・ジェット・プリント・カートリッジ
での使用に適合したフィルタであって、インクがヒータ
・チップに達する前にインクから汚染物質を濾過するフ
ィルタに関する。
を除去するフィルタとこれを形成する方法に関し、より
詳細には、インク・ジェット・プリント・カートリッジ
での使用に適合したフィルタであって、インクがヒータ
・チップに達する前にインクから汚染物質を濾過するフ
ィルタに関する。
【０００２】
【従来の技術】ドロップ−オン−デマンド型インク・ジ
ェット・プリンタは、インク滴を噴出するためにインク
充填チャンバ内に気泡を発生させるのに熱エネルギーを
使用する。通常は抵抗器である熱エネルギー発生器又は
加熱要素は、インク充填室の中で放電オリフィス又はノ
ズルの近くにあるヒータ・チップの上に配置されてい
る。それぞれが単一の加熱要素を有する複数のチャンバ
が、プリンタのプリントヘッドに設けられる。プリント
ヘッドは、典型的には、ヒータ・チップと複数の放電オ
リフィスが形成されたプレートとを備える。プリントヘ
ッドはインク・ジェット・プリント・カートリッジの一
部を形成し、インク・ジェット・プリント・カートリッ
ジはインク充填容器を備える。
ェット・プリンタは、インク滴を噴出するためにインク
充填チャンバ内に気泡を発生させるのに熱エネルギーを
使用する。通常は抵抗器である熱エネルギー発生器又は
加熱要素は、インク充填室の中で放電オリフィス又はノ
ズルの近くにあるヒータ・チップの上に配置されてい
る。それぞれが単一の加熱要素を有する複数のチャンバ
が、プリンタのプリントヘッドに設けられる。プリント
ヘッドは、典型的には、ヒータ・チップと複数の放電オ
リフィスが形成されたプレートとを備える。プリントヘ
ッドはインク・ジェット・プリント・カートリッジの一
部を形成し、インク・ジェット・プリント・カートリッ
ジはインク充填容器を備える。
【０００３】プリント・カートリッジ容器は、１つ又は
それ以上のインクチャンバを備える。モノクロ又は単一
色のプリント・カートリッジでは、１つのチャンバが設
けられる。３色のプリント・カートリッジでは、３つの
チャンバが設けられる。プリント・カートリッジ容器は
また、各チャンバに対してフィルタ／スタンド管の組立
体を備えていてもよい。スタンド管は、インクがチャン
バからプリントヘッドに移動する際に、インクが流れる
通路を画成する。フィルタはスタンド管に取付けられ、
インクがプリントヘッドに達する前にインクから気泡及
び汚染物質を除去するように機能する。汚染物質がイン
クから除去されないと、プリントヘッド・オリフィス・
プレートのオリフィスを閉塞し、それによってこれらオ
リフィスからインクが噴出するのが妨げられる。
それ以上のインクチャンバを備える。モノクロ又は単一
色のプリント・カートリッジでは、１つのチャンバが設
けられる。３色のプリント・カートリッジでは、３つの
チャンバが設けられる。プリント・カートリッジ容器は
また、各チャンバに対してフィルタ／スタンド管の組立
体を備えていてもよい。スタンド管は、インクがチャン
バからプリントヘッドに移動する際に、インクが流れる
通路を画成する。フィルタはスタンド管に取付けられ、
インクがプリントヘッドに達する前にインクから気泡及
び汚染物質を除去するように機能する。汚染物質がイン
クから除去されないと、プリントヘッド・オリフィス・
プレートのオリフィスを閉塞し、それによってこれらオ
リフィスからインクが噴出するのが妨げられる。
【０００４】インク・ジェット・プリンタによって形成
される印刷像の品質は、プリンタの解像度に大きく依存
する。解像度が高く又は微細であると、ドットの間隔は
狭くなり高品質像が得られる。
される印刷像の品質は、プリンタの解像度に大きく依存
する。解像度が高く又は微細であると、ドットの間隔は
狭くなり高品質像が得られる。
【０００５】インク・ジェット・プリンタの解像度を増
加大させると、増加した解像度により単位面積当たりの
印刷ドット数が増加する結果になることが考えられる。
例えば、印刷の解像度を６００ｘ６００ｄｐｉから１２
００ｘ１２００ｄｐｉへ２倍にすると、単位面積当たり
のドット数は４倍になる。解像度の増加と共に単位面積
当たりのドット数も増加するので、印刷媒体の飽和を避
けるためには、各印刷ドットの大きさを減少させなけれ
ばならない。従って、オリフィス・プレート中のオリフ
ィスの大きさを減少させなければならない。小さくなっ
たオリフィスがインクに含まれる汚染物質によって閉塞
又は遮断されないようにするには、より微細なフィルタ
が必要である。
加大させると、増加した解像度により単位面積当たりの
印刷ドット数が増加する結果になることが考えられる。
例えば、印刷の解像度を６００ｘ６００ｄｐｉから１２
００ｘ１２００ｄｐｉへ２倍にすると、単位面積当たり
のドット数は４倍になる。解像度の増加と共に単位面積
当たりのドット数も増加するので、印刷媒体の飽和を避
けるためには、各印刷ドットの大きさを減少させなけれ
ばならない。従って、オリフィス・プレート中のオリフ
ィスの大きさを減少させなければならない。小さくなっ
たオリフィスがインクに含まれる汚染物質によって閉塞
又は遮断されないようにするには、より微細なフィルタ
が必要である。
【０００６】従来のフィルタは、典型的には金属メッシ
ュから作られている。非常に微細な金属メッシュ・フィ
ルタを製造するには、コストがかかると信じられてい
る。さらに、インクは金属メッシュを透過するときに曲
がりくねった通路を通らなければならないので、金属メ
ッシュ・フィルタに対するインクの圧力降下が大きくな
ると信じられている。
ュから作られている。非常に微細な金属メッシュ・フィ
ルタを製造するには、コストがかかると信じられてい
る。さらに、インクは金属メッシュを透過するときに曲
がりくねった通路を通らなければならないので、金属メ
ッシュ・フィルタに対するインクの圧力降下が大きくな
ると信じられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、フィルタに対
する流体圧力の大きな降下なしに、非常に小さい粒子を
含む様々な大きさの粒子をインクから除去することがで
きる、改善されたフィルタに対する必要性が存在する。
する流体圧力の大きな降下なしに、非常に小さい粒子を
含む様々な大きさの粒子をインクから除去することがで
きる、改善されたフィルタに対する必要性が存在する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、フィル
タに対する流体圧力に大きな降下なしに、非常に小さな
粒子を含む様々な大きさの粒子を流体から除去すること
ができるフィルタが提供される。このフィルタは、イン
クがプリントヘッドに達する前にインクから汚染物質を
濾過する上で、インク・ジェット・プリント・カートリ
ッジでの使用に適合したものである。非常に小さな粒子
を含む様々な大きさの粒子を除去することができるフィ
ルタが望まれている点において、このフィルタは他の用
途に用いられてもよいことが企図される。
タに対する流体圧力に大きな降下なしに、非常に小さな
粒子を含む様々な大きさの粒子を流体から除去すること
ができるフィルタが提供される。このフィルタは、イン
クがプリントヘッドに達する前にインクから汚染物質を
濾過する上で、インク・ジェット・プリント・カートリ
ッジでの使用に適合したものである。非常に小さな粒子
を含む様々な大きさの粒子を除去することができるフィ
ルタが望まれている点において、このフィルタは他の用
途に用いられてもよいことが企図される。
【０００９】本発明のフィルタはシリコン基板から形成
される。このシリコン基板は対向する面に第１及び第２
のエッチング抵抗材料層を有する。これらの層の一つは
複数の孔を備え、各孔は約０．５μｍ２から約２５μｍ
２の間の領域又は大きさを有する。第２の層は、透過す
るインクから気泡と汚染物質を濾過するフィルタを画成
し、本発明のシリコン・フィルタは直接的な流路を有す
る。従って、シリコン・フィルタを透過するインク流れ
に対する抵抗は減少する。インク流れに対する抵抗が減
少すると、フィルタに対する圧力降下もまた減少する。
される。このシリコン基板は対向する面に第１及び第２
のエッチング抵抗材料層を有する。これらの層の一つは
複数の孔を備え、各孔は約０．５μｍ２から約２５μｍ
２の間の領域又は大きさを有する。第２の層は、透過す
るインクから気泡と汚染物質を濾過するフィルタを画成
し、本発明のシリコン・フィルタは直接的な流路を有す
る。従って、シリコン・フィルタを透過するインク流れ
に対する抵抗は減少する。インク流れに対する抵抗が減
少すると、フィルタに対する圧力降下もまた減少する。
【００１０】本発明の１つの実施態様において、第２の
層は２つ又はこれ以上のフィルタ部分を含み、各フィル
タ部分は複数の孔を備える。第２の層は、２つのフィル
タ部分の間に位置する少なくとも１つの補強リブをさら
に備える。
層は２つ又はこれ以上のフィルタ部分を含み、各フィル
タ部分は複数の孔を備える。第２の層は、２つのフィル
タ部分の間に位置する少なくとも１つの補強リブをさら
に備える。
【００１１】本発明の他の特徴では、プリント・カート
リッジ容器／フィルタのアセンブリが提供される。この
アセンブリは、インクを収容するための少なくとも一つ
のチャンバを有するプリント・カートリッジ容器を備え
る。この容器は、チャンバ内に延出するスタンド管をさ
らに備え、かつ、チャンバからプリントヘッドへのイン
クの通路を画成する。このアセンブリは、容器に結合し
た上述のようなフィルタをさらに備える。
リッジ容器／フィルタのアセンブリが提供される。この
アセンブリは、インクを収容するための少なくとも一つ
のチャンバを有するプリント・カートリッジ容器を備え
る。この容器は、チャンバ内に延出するスタンド管をさ
らに備え、かつ、チャンバからプリントヘッドへのイン
クの通路を画成する。このアセンブリは、容器に結合し
た上述のようなフィルタをさらに備える。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１を参照すると、本発明に従っ
て構成されたプリント・カートリッジ２０を有するする
インク・ジェット印刷装置１０が示される。カートリッ
ジ２０はキャリヤ４０に支持され、キャリヤ４０はガイ
ドレール４２上に滑動可能に支持される。キャリヤ４０
及びプリント・カートリッジ２０がガイドレール４２に
沿って前後に往復運動できるように、駆動機構４４が設
けられている。プリント・カートリッジ２０が前後に移
動するとき、下方にある紙基材１２上にインク滴を噴出
する。
て構成されたプリント・カートリッジ２０を有するする
インク・ジェット印刷装置１０が示される。カートリッ
ジ２０はキャリヤ４０に支持され、キャリヤ４０はガイ
ドレール４２上に滑動可能に支持される。キャリヤ４０
及びプリント・カートリッジ２０がガイドレール４２に
沿って前後に往復運動できるように、駆動機構４４が設
けられている。プリント・カートリッジ２０が前後に移
動するとき、下方にある紙基材１２上にインク滴を噴出
する。
【００１３】プリント・カートリッジ２０は、容器２２
（図１及び図４を参照）とプリントヘッド２４（図２〜
図４を参照）を備え、プリントヘッド２４は容器２２に
接着又は他の方法で固定されている。容器２２は、イン
ク１２２を充填した内部チャンバ２２ａを備える（図４
参照）。容器の一部を形成するスタンド管２３は、チャ
ンバ２２ａ内に延出して通路２３を画成し、チャンバ２
２ａから容器出口２２ｂにインクが移動する際には通路
２３に沿って流れる。フォーム材料のブロック（不図
示）をチャンバ２２ａ内に設けてもよい。図示された実
施態様の容器２２は、ただ１つのチャンバ２２ａを備え
ている。しかしながら、容器２２は１つより多いチャン
バ、例えば、３つのチャンバを備えていてもよいことが
企図される。このような容器は、米国特許第5,576,750
号に開示されており、この特許の開示は参照としてここ
に挙げられる。
（図１及び図４を参照）とプリントヘッド２４（図２〜
図４を参照）を備え、プリントヘッド２４は容器２２に
接着又は他の方法で固定されている。容器２２は、イン
ク１２２を充填した内部チャンバ２２ａを備える（図４
参照）。容器の一部を形成するスタンド管２３は、チャ
ンバ２２ａ内に延出して通路２３を画成し、チャンバ２
２ａから容器出口２２ｂにインクが移動する際には通路
２３に沿って流れる。フォーム材料のブロック（不図
示）をチャンバ２２ａ内に設けてもよい。図示された実
施態様の容器２２は、ただ１つのチャンバ２２ａを備え
ている。しかしながら、容器２２は１つより多いチャン
バ、例えば、３つのチャンバを備えていてもよいことが
企図される。このような容器は、米国特許第5,576,750
号に開示されており、この特許の開示は参照としてここ
に挙げられる。
【００１４】容器２２は、ポリマー材料から形成されて
もよい。図示した実施態様では、容器２２は、 商標”N
ORYLSE-1”としてゼネラル・エレクトリック社（Genera
l Electric Company）から商業的に入手可能なポリフェ
ニレン・オキサイドから形成される。ここで明示しない
他の材料を用いてもよい。
もよい。図示した実施態様では、容器２２は、 商標”N
ORYLSE-1”としてゼネラル・エレクトリック社（Genera
l Electric Company）から商業的に入手可能なポリフェ
ニレン・オキサイドから形成される。ここで明示しない
他の材料を用いてもよい。
【００１５】プリントヘッド２４は、複数の抵抗加熱要
素５２を有するヒータ・チップ５０を備える（図２〜図
４を参照）。プリントヘッド２４は、貫通する複数の開
口５６を有するプレート５４をさらに備え、この開口に
よりインク滴が通って噴出される複数のオリフィス５６
ａが画成される。オリフィス５６ａは典型的には、約５
μｍから約５０μｍまでの大きさ（すなわち、直径）を
有する。プレート５４は、熱圧接プロセスを含むこの分
野で認識されている技術によってチップ５０に接合され
てもよい。プレート５４とヒータ・チップ５０を共に結
合する際に、プレート５４の部分５４ａとヒータ・チッ
プ５０の部分５０ａは、複数の気泡チャンバ５５を画成
する。容器２２によって供給されるインクは、供給チャ
ネル５８を通って気泡チャンバ５５内に流れる。抵抗加
熱要素５２は、各気泡チャンバ５５がただ一つの抵抗加
熱要素５２を有するように、ヒータ・チップ５０上に位
置する。各は気泡チャンバ５５はオリフィス５６ａと連
通する（図３を参照）。
素５２を有するヒータ・チップ５０を備える（図２〜図
４を参照）。プリントヘッド２４は、貫通する複数の開
口５６を有するプレート５４をさらに備え、この開口に
よりインク滴が通って噴出される複数のオリフィス５６
ａが画成される。オリフィス５６ａは典型的には、約５
μｍから約５０μｍまでの大きさ（すなわち、直径）を
有する。プレート５４は、熱圧接プロセスを含むこの分
野で認識されている技術によってチップ５０に接合され
てもよい。プレート５４とヒータ・チップ５０を共に結
合する際に、プレート５４の部分５４ａとヒータ・チッ
プ５０の部分５０ａは、複数の気泡チャンバ５５を画成
する。容器２２によって供給されるインクは、供給チャ
ネル５８を通って気泡チャンバ５５内に流れる。抵抗加
熱要素５２は、各気泡チャンバ５５がただ一つの抵抗加
熱要素５２を有するように、ヒータ・チップ５０上に位
置する。各は気泡チャンバ５５はオリフィス５６ａと連
通する（図３を参照）。
【００１６】抵抗加熱要素５２は、プリンタ・エネルギ
ー供給回路（不図示）によって供給される電圧パルスに
よって個々にアドレスされる。各電圧パルスは抵抗加熱
要素５２の１つに印加され、その抵抗加熱要素５２と接
触しているインクを瞬時に気化し、抵抗加熱要素５２が
位置する気泡チャンバ５５内に気泡を形成する。気泡の
機能は、インク滴が気泡チャンバ５５に連結するオリフ
ィス５６ａから噴出するように、気泡チャンバ５５内で
インクと置換わることである。
ー供給回路（不図示）によって供給される電圧パルスに
よって個々にアドレスされる。各電圧パルスは抵抗加熱
要素５２の１つに印加され、その抵抗加熱要素５２と接
触しているインクを瞬時に気化し、抵抗加熱要素５２が
位置する気泡チャンバ５５内に気泡を形成する。気泡の
機能は、インク滴が気泡チャンバ５５に連結するオリフ
ィス５６ａから噴出するように、気泡チャンバ５５内で
インクと置換わることである。
【００１７】本発明に従って、シリコン・フィルタ６０
は容器２２のスタンド管２３に結合される。図示した実
施態様では、スタンド管２３は入口部分２３ｃにおいて
棚２３ｂを有するように形成される（図４を参照）。棚
２３ｂは、スタンド管２３の内壁２３ｄと共にフィルタ
収容部２３ｅを画成する。棚２３ｂと内壁２３ｄにフィ
ルタ６０を接着するのに、エポキシのような商業的に入
手可能な接着剤を用いてもよい。図示した実施態様で
は、スタンド管２３の内壁２３ｄとフィルタ６０の外周
縁６１は略矩形状である（図６（ａ）を参照）。この外
周縁６１は、四角形、円形、三角形又は他のどのような
幾何学的形状であってもよい。
は容器２２のスタンド管２３に結合される。図示した実
施態様では、スタンド管２３は入口部分２３ｃにおいて
棚２３ｂを有するように形成される（図４を参照）。棚
２３ｂは、スタンド管２３の内壁２３ｄと共にフィルタ
収容部２３ｅを画成する。棚２３ｂと内壁２３ｄにフィ
ルタ６０を接着するのに、エポキシのような商業的に入
手可能な接着剤を用いてもよい。図示した実施態様で
は、スタンド管２３の内壁２３ｄとフィルタ６０の外周
縁６１は略矩形状である（図６（ａ）を参照）。この外
周縁６１は、四角形、円形、三角形又は他のどのような
幾何学的形状であってもよい。
【００１８】フィルタ６０は、対向する第１の外面６２
ａと第２の外面６２ｂを有するシリコン基板６２、及び
このシリコン基板６２を貫通する通路６２ｃを備える
（図５を参照）。基板６２は、約４０μｍから約５０８
００μｍで好ましくは約６ｍｍの長さＬＳと、約４０μ
ｍから約５０８００μｍで好ましくは約６ｍｍの幅ＷＳ
と、約２５μｍから約２ｍｍで好ましくは約４００μｍ
の厚さＴＳとを有する（図５及び図６（ａ）を参照）。
通路６２ｃは、第２の外面６２ｂと交わるところでは矩
形である（図６（ａ）を参照）。この通路は、四角形、
卵形、楕円形又はその他の幾何学的形状を有していても
よい。第２の外面６２ｂで、通路６２ｃは約５μｍから
約４９０００μｍで好ましくは約５．５ｍｍの長さＬＰ
と、約５μｍから約４９０００μｍで好ましくは約５．
５ｍｍの幅ＷＰとを有する。
ａと第２の外面６２ｂを有するシリコン基板６２、及び
このシリコン基板６２を貫通する通路６２ｃを備える
（図５を参照）。基板６２は、約４０μｍから約５０８
００μｍで好ましくは約６ｍｍの長さＬＳと、約４０μ
ｍから約５０８００μｍで好ましくは約６ｍｍの幅ＷＳ
と、約２５μｍから約２ｍｍで好ましくは約４００μｍ
の厚さＴＳとを有する（図５及び図６（ａ）を参照）。
通路６２ｃは、第２の外面６２ｂと交わるところでは矩
形である（図６（ａ）を参照）。この通路は、四角形、
卵形、楕円形又はその他の幾何学的形状を有していても
よい。第２の外面６２ｂで、通路６２ｃは約５μｍから
約４９０００μｍで好ましくは約５．５ｍｍの長さＬＰ
と、約５μｍから約４９０００μｍで好ましくは約５．
５ｍｍの幅ＷＰとを有する。
【００１９】第１のエッチング抵抗材料層６４が、第１
の基板面６２ａ上に形成される。第１の層６４は、これ
を貫通して基板通路６２ｃと通じる開口６４ａを備え
る。開口６４ａは、第１の基板面６２ａと交わるところ
で通路６２ｃとほぼ同じ形状及び大きさを有する。第１
の６４はＺ方向において、約１μｍから約２０μｍで
（これに包含される全範囲を含む）、好ましくは約１μ
ｍから約２．５μｍの厚さを有する（図５を参照）。
の基板面６２ａ上に形成される。第１の層６４は、これ
を貫通して基板通路６２ｃと通じる開口６４ａを備え
る。開口６４ａは、第１の基板面６２ａと交わるところ
で通路６２ｃとほぼ同じ形状及び大きさを有する。第１
の６４はＺ方向において、約１μｍから約２０μｍで
（これに包含される全範囲を含む）、好ましくは約１μ
ｍから約２．５μｍの厚さを有する（図５を参照）。
【００２０】第２のエッチング抵抗材料層６６が、第２
の基板面６２ｂ上に形成される。第２の層６６は、これ
を貫通する複数の孔６８を備える。孔６８の少なくとも
一部分は、基板通路６２ｃと連通する。孔６８は、約
０．５μｍ２から約２５μｍ２（これに包含される全範
囲を含む）で好ましくは約０．５μｍ２から約１７μｍ
２、より好ましくは約１．０μｍ２から約８μｍ２で最
も好ましくは約１．０μｍ２から約５μｍ２の、Ｘ−Ｙ
平面における領域又は大きさを有する（図６（ａ）を参
照）。近接する孔間のスペースＳは約１μｍから約５０
μｍであり、好ましくは約６μｍである（図６（ｂ）を
参照）。第２の層６６はＺ方向において、約１μｍから
約２０μｍ（これに包含される全範囲を含む）で、好ま
しくは約１．０μｍから約５．０μｍ、最も好ましくは
約１．０μｍから約２．５μｍの厚さを有する（図５を
参照）。第２の層６６は、チャネル２２ａからプリント
ヘッド２４に達する前に、インク１２２から気泡と汚染
物質を濾過するフィルタを画成する。
の基板面６２ｂ上に形成される。第２の層６６は、これ
を貫通する複数の孔６８を備える。孔６８の少なくとも
一部分は、基板通路６２ｃと連通する。孔６８は、約
０．５μｍ２から約２５μｍ２（これに包含される全範
囲を含む）で好ましくは約０．５μｍ２から約１７μｍ
２、より好ましくは約１．０μｍ２から約８μｍ２で最
も好ましくは約１．０μｍ２から約５μｍ２の、Ｘ−Ｙ
平面における領域又は大きさを有する（図６（ａ）を参
照）。近接する孔間のスペースＳは約１μｍから約５０
μｍであり、好ましくは約６μｍである（図６（ｂ）を
参照）。第２の層６６はＺ方向において、約１μｍから
約２０μｍ（これに包含される全範囲を含む）で、好ま
しくは約１．０μｍから約５．０μｍ、最も好ましくは
約１．０μｍから約２．５μｍの厚さを有する（図５を
参照）。第２の層６６は、チャネル２２ａからプリント
ヘッド２４に達する前に、インク１２２から気泡と汚染
物質を濾過するフィルタを画成する。
【００２１】第１と第２の層６４、６６は、例えば、窒
化珪素、炭化珪素、アルミニウム、タンタル及び二酸化
珪素を含む多数の公知のエッチング抵抗材料のいずれの
一つから形成してもよい。フィルタ６０をスタンド管２
３に接着する際に、スタンド管２３に結合されたエッチ
ング抵抗材料層６４又は６６の一つが金属から形成され
ていれば、より強力な接着力が得られることが信じられ
ている。層６４又は６６を形成するのに、ここで明示し
ない他の材料を用いてもよい。
化珪素、炭化珪素、アルミニウム、タンタル及び二酸化
珪素を含む多数の公知のエッチング抵抗材料のいずれの
一つから形成してもよい。フィルタ６０をスタンド管２
３に接着する際に、スタンド管２３に結合されたエッチ
ング抵抗材料層６４又は６６の一つが金属から形成され
ていれば、より強力な接着力が得られることが信じられ
ている。層６４又は６６を形成するのに、ここで明示し
ない他の材料を用いてもよい。
【００２２】図７から図９を参照して、フィルタ６０を
形成するプロセスを説明する。約４００μｍから約６５
０μｍの厚さＴＳを有するシリコン・ウェーハ１６２が
用いられる。ウェーハ１６２の厚さは重要ではなく、こ
の範囲外であってもよい。複数のフィルタ６０が単一の
ウェーハ１６２上に形成される。しかしながら、説明を
容易にするため、ウェーハ２５２の一部のみが図７から
図９に示される。
形成するプロセスを説明する。約４００μｍから約６５
０μｍの厚さＴＳを有するシリコン・ウェーハ１６２が
用いられる。ウェーハ１６２の厚さは重要ではなく、こ
の範囲外であってもよい。複数のフィルタ６０が単一の
ウェーハ１６２上に形成される。しかしながら、説明を
容易にするため、ウェーハ２５２の一部のみが図７から
図９に示される。
【００２３】第１と第２のエッチング抵抗材料層１６
４、１６６が、ウェーハ１６２の対向するする面上に形
成される（図７を参照）。層１６４及び１６６は、例え
ば、窒化珪素、炭化珪素、アルミニウム、タンタル、二
酸化ケイ素等を含む多数の公知のエッチング抵抗材料の
いずれの一つから形成されてもよい。図示した実施態様
では、通常の低圧化学蒸着プロセス又はプラズマ強化さ
れた化学蒸着プロセスを用いて、ウェーハ１６２の外面
上に窒化珪素を同じに蒸着してもよい。これに代わっ
て、ウェーハ１６２上に二酸化ケイ素層を熱的に成長さ
せてもよく、或いは、通常のスパッタ又は蒸発プロセス
により、対向するするウェーハ面にアルミニウム又はタ
ンタル層を形成してもよい。
４、１６６が、ウェーハ１６２の対向するする面上に形
成される（図７を参照）。層１６４及び１６６は、例え
ば、窒化珪素、炭化珪素、アルミニウム、タンタル、二
酸化ケイ素等を含む多数の公知のエッチング抵抗材料の
いずれの一つから形成されてもよい。図示した実施態様
では、通常の低圧化学蒸着プロセス又はプラズマ強化さ
れた化学蒸着プロセスを用いて、ウェーハ１６２の外面
上に窒化珪素を同じに蒸着してもよい。これに代わっ
て、ウェーハ１６２上に二酸化ケイ素層を熱的に成長さ
せてもよく、或いは、通常のスパッタ又は蒸発プロセス
により、対向するするウェーハ面にアルミニウム又はタ
ンタル層を形成してもよい。
【００２４】第１の層１６４はＺ方向において、約１μ
ｍから約２０μｍ、好ましくは約１．０μｍから約２．
５μｍの厚さを有する（図７を参照）。第２の層１６６
はＺ方向において、約１μｍから約２０μｍ、好ましく
は約１．０μｍから約２．５μｍの厚さを有する（図７
を参照）。
ｍから約２０μｍ、好ましくは約１．０μｍから約２．
５μｍの厚さを有する（図７を参照）。第２の層１６６
はＺ方向において、約１μｍから約２０μｍ、好ましく
は約１．０μｍから約２．５μｍの厚さを有する（図７
を参照）。
【００２５】第１及び第２の層１６４、１６６をウェー
ハ１６２上に蒸着した後、第１のフォトレジスト層１７
０が通常のスピニング・プロセスによって第１のエッチ
ング抵抗材料層１６４の上に形成される。この層１７０
は、約１００Åから約５０μｍ、好ましくは約１．０μ
ｍから約５．０μｍの厚さＴＰ１を有する。図示した実
施態様では、層１７０は、製品名”SC−100 Resist”と
してオーリン・マイクロエレクトロニック・マテリアル
ズ（Olin Microelectronic Materials）から商業的に入
手可能なのネガティブ・フォトレジスト材料から形成さ
れる。第１の層１７０はウェーハ１６２上にスピニング
された後に、フォトレジストの溶剤を部分的に蒸発させ
て層１７０のウェーハ１６２への接着を促進するように
適切な温度で軟焼成される。第１の層１７０を軟焼成す
る他の理由は、以下に説明する第１のマスクが第１の層
１７０に接着するのを防止するためである。
ハ１６２上に蒸着した後、第１のフォトレジスト層１７
０が通常のスピニング・プロセスによって第１のエッチ
ング抵抗材料層１６４の上に形成される。この層１７０
は、約１００Åから約５０μｍ、好ましくは約１．０μ
ｍから約５．０μｍの厚さＴＰ１を有する。図示した実
施態様では、層１７０は、製品名”SC−100 Resist”と
してオーリン・マイクロエレクトロニック・マテリアル
ズ（Olin Microelectronic Materials）から商業的に入
手可能なのネガティブ・フォトレジスト材料から形成さ
れる。第１の層１７０はウェーハ１６２上にスピニング
された後に、フォトレジストの溶剤を部分的に蒸発させ
て層１７０のウェーハ１６２への接着を促進するように
適切な温度で軟焼成される。第１の層１７０を軟焼成す
る他の理由は、以下に説明する第１のマスクが第１の層
１７０に接着するのを防止するためである。
【００２６】フィルタ６０の第１の層の開口６４ａに対
応する複数のブロック又はカバーされた領域を有する第
１のマスク（不図示）は、第１のフォトレジスト層１７
０上に位置する。第１のマスクは、通常の方式でウェー
ハ平面（不図示）などに対して位置決めされる。その
後、第１フォトレジスト層１７０のブロックされない部
分は、露光部分を硬化又は重合するために紫外線に露光
される。次に、第１のマスクが除去される。その後で、
第１のフォトレジスト層１７０の非露光又は非硬化部分
を、通常の現像剤を用いて除去する。例示された実施態
様では、非重合部分は、ウェーハ１６２が回転している
間に、”PF Developer”の製品名でオーリン・マイクロ
エレクトロニック・マテリアルズ（Olin Microelectron
ic Materials）から商業的に入手可能なもののような現
像液を第１のウェーハ面にスプレーすることによって除
去される。現像プロセスが開始された後、容量で約９０
％の現像剤と１０％のイソプロピルアルコールの混合液
が、回転しているウェーハ１６２の第１の面にスプレー
される。最後に、回転しているウェーハ１６２上にイソ
プロピルアルコールのみをスプレーすることによって、
現像プロセスを停止する。第１のフォトレジスト層１７
０の非重合部分がウェーハ１６２から除去された後に、
第１のエッチング抵抗材料層１６４の部分１６４ａ（一
部分のみが図８に示される）が露出する。３つの異なる
現像成分をウェーハ１６２上にスプレーする代わりに、
１００％の現像液、約９０％の現像液と約１０％のイソ
プロピルアルコールの混合物、ならびに、１００％のイ
ソプロピルアルコールをそれぞれ含む３つの槽にウェー
ハ１６２を順次漬浸してもよい。ウェーハ１６２は、現
像プロセスが開始されるまで第１の槽に漬浸される。第
１の１７０の非重合部分が除去された後、ウェーハは第
２の槽から第３の槽に移される。ウェーハ１６２は、各
槽の中で攪拌されるのが好ましい。
応する複数のブロック又はカバーされた領域を有する第
１のマスク（不図示）は、第１のフォトレジスト層１７
０上に位置する。第１のマスクは、通常の方式でウェー
ハ平面（不図示）などに対して位置決めされる。その
後、第１フォトレジスト層１７０のブロックされない部
分は、露光部分を硬化又は重合するために紫外線に露光
される。次に、第１のマスクが除去される。その後で、
第１のフォトレジスト層１７０の非露光又は非硬化部分
を、通常の現像剤を用いて除去する。例示された実施態
様では、非重合部分は、ウェーハ１６２が回転している
間に、”PF Developer”の製品名でオーリン・マイクロ
エレクトロニック・マテリアルズ（Olin Microelectron
ic Materials）から商業的に入手可能なもののような現
像液を第１のウェーハ面にスプレーすることによって除
去される。現像プロセスが開始された後、容量で約９０
％の現像剤と１０％のイソプロピルアルコールの混合液
が、回転しているウェーハ１６２の第１の面にスプレー
される。最後に、回転しているウェーハ１６２上にイソ
プロピルアルコールのみをスプレーすることによって、
現像プロセスを停止する。第１のフォトレジスト層１７
０の非重合部分がウェーハ１６２から除去された後に、
第１のエッチング抵抗材料層１６４の部分１６４ａ（一
部分のみが図８に示される）が露出する。３つの異なる
現像成分をウェーハ１６２上にスプレーする代わりに、
１００％の現像液、約９０％の現像液と約１０％のイソ
プロピルアルコールの混合物、ならびに、１００％のイ
ソプロピルアルコールをそれぞれ含む３つの槽にウェー
ハ１６２を順次漬浸してもよい。ウェーハ１６２は、現
像プロセスが開始されるまで第１の槽に漬浸される。第
１の１７０の非重合部分が除去された後、ウェーハは第
２の槽から第３の槽に移される。ウェーハ１６２は、各
槽の中で攪拌されるのが好ましい。
【００２７】第２のフォトレジスト層１７２が、通常の
スピニング・プロセスにより第２のエッチング抵抗材料
層１６６上に形成される。層１７２は約１００Åから約
５０μｍ、好ましくは約１．０μｍから約５．０μｍの
厚さＴＰ２を有する。層１７２が形成されるフォトレジ
スト材料は、ネガティブ又はポジティブのフォトレジス
ト材料であってよい。図示した実施態様では、層１７２
は第１の層１７０と同じ材料から形成される。第２の層
１７２はウェーハ１６２上にスピンニングされた後に、
フォトレジスト溶剤を部分的に蒸発させて層１７２のウ
ェーハ１６２への接着を促進するように適切な温度で軟
焼成される。
スピニング・プロセスにより第２のエッチング抵抗材料
層１６６上に形成される。層１７２は約１００Åから約
５０μｍ、好ましくは約１．０μｍから約５．０μｍの
厚さＴＰ２を有する。層１７２が形成されるフォトレジ
スト材料は、ネガティブ又はポジティブのフォトレジス
ト材料であってよい。図示した実施態様では、層１７２
は第１の層１７０と同じ材料から形成される。第２の層
１７２はウェーハ１６２上にスピンニングされた後に、
フォトレジスト溶剤を部分的に蒸発させて層１７２のウ
ェーハ１６２への接着を促進するように適切な温度で軟
焼成される。
【００２８】フィルタ６０の第２の層の孔６８に対応す
る複数のブロック又はカバーされた領域を有する第２の
マスク（不図示）が、第２のフォトレジスト層１７２上
に配置される。実質的に層６６の全体にわたって延出す
る孔６８を備えた第２の層６６を各フィルタ６０が有す
るように、第２のマスク全体にブロック領域が備えられ
る。これに代わって、第２のマスク内のブロック領域
は、第１のマスク内のブロック領域を有する部分と略同
じ広がりであるか、或いはこれよりわずかに大きいマス
クの部分にのみ形成されてもよい。このように、各フィ
ルタ６０は第２の層６６の部分にのみ、基板通路６２ｃ
上に延出する孔６８を有するように形成されるであろ
う。
る複数のブロック又はカバーされた領域を有する第２の
マスク（不図示）が、第２のフォトレジスト層１７２上
に配置される。実質的に層６６の全体にわたって延出す
る孔６８を備えた第２の層６６を各フィルタ６０が有す
るように、第２のマスク全体にブロック領域が備えられ
る。これに代わって、第２のマスク内のブロック領域
は、第１のマスク内のブロック領域を有する部分と略同
じ広がりであるか、或いはこれよりわずかに大きいマス
クの部分にのみ形成されてもよい。このように、各フィ
ルタ６０は第２の層６６の部分にのみ、基板通路６２ｃ
上に延出する孔６８を有するように形成されるであろ
う。
【００２９】第２のマスクは、通常の方式でウェーハ平
面（不図示）などに対して位置決めされる。第２のマス
クは、ウェーハ１６２上に設けられた１つ又はそれ以上
の位置決めマークと位置決めされた１つ又はそれ以上の
位置決めマーカを備えていてもよい。位置決めした後
に、第２のフォトレジスト層１７２の非ブロック部分
は、露光部分を硬化又は重合するように紫外線に露光さ
れる。次に、第２のマスクが除去される。第２のフォト
レジスト層１７２の非重合部分は、第１フォトレジスト
層１７０の非重合部分と同じ方法で除去される。図８に
みられるように、第２のフォトレジスト層１７２の非重
合部分がウェーハ１６２から除去された後に、第２のエ
ッチング抵抗材料層１６６の部分１６６ａが露出する。
面（不図示）などに対して位置決めされる。第２のマス
クは、ウェーハ１６２上に設けられた１つ又はそれ以上
の位置決めマークと位置決めされた１つ又はそれ以上の
位置決めマーカを備えていてもよい。位置決めした後
に、第２のフォトレジスト層１７２の非ブロック部分
は、露光部分を硬化又は重合するように紫外線に露光さ
れる。次に、第２のマスクが除去される。第２のフォト
レジスト層１７２の非重合部分は、第１フォトレジスト
層１７０の非重合部分と同じ方法で除去される。図８に
みられるように、第２のフォトレジスト層１７２の非重
合部分がウェーハ１６２から除去された後に、第２のエ
ッチング抵抗材料層１６６の部分１６６ａが露出する。
【００３０】第２フォトレジスト層１７２の現像に続い
て、第１の層１７０及び第２の層１７２が、これら１７
０及び１７２の層内の溶剤を最終的に蒸発させるように
通常の方法で強焼成される。
て、第１の層１７０及び第２の層１７２が、これら１７
０及び１７２の層内の溶剤を最終的に蒸発させるように
通常の方法で強焼成される。
【００３１】第１のフォトレジスト層１７０及び第２の
フォトレジスト層１７２に形成されたパターンは、通常
のエッチング・プロセスを使用して、第１のエッチング
抵抗材料層１６４及び第２のエッチング抵抗材料層１６
６にパターン化される（図９を参照）。例えば、通常の
反応性イオン・エッチング・プロセスを使用してもよ
い。第１のエッチング抵抗材料層１６４及び第２のエッ
チング抵抗材料層１６６が窒化珪素から形成されると
き、反応性イオン・エッチング装置に供給される反応性
ガスはＣＦ４である。アルミニウムのエッチングに対し
ては、塩素ガスを供給してもよい。層１６４及び１６６
がタンタルから形成される場合は、ＣＦ４ガスを供給す
るのが好ましい。
フォトレジスト層１７２に形成されたパターンは、通常
のエッチング・プロセスを使用して、第１のエッチング
抵抗材料層１６４及び第２のエッチング抵抗材料層１６
６にパターン化される（図９を参照）。例えば、通常の
反応性イオン・エッチング・プロセスを使用してもよ
い。第１のエッチング抵抗材料層１６４及び第２のエッ
チング抵抗材料層１６６が窒化珪素から形成されると
き、反応性イオン・エッチング装置に供給される反応性
ガスはＣＦ４である。アルミニウムのエッチングに対し
ては、塩素ガスを供給してもよい。層１６４及び１６６
がタンタルから形成される場合は、ＣＦ４ガスを供給す
るのが好ましい。
【００３２】第１のエッチング抵抗材料層１６４及び第
２のエッチング抵抗材料層１６６がパターン化された後
に、ウェーハ１６２上に残っている重合されたフォトレ
ジスト材料は、通常の方法で除去される。例えば、Ｏ２
プラズマを受ける通常の反応性イオン・エッチング装置
を使用してもよい。これに代わって、”Microstrip”の
製品名でオーリン・マイクロエレクトロニック・マテリ
アルス（Olin Microelectronic Materials）から入手可
能なもののような、商業的に入手可能なレジスト・スト
リッパを用いてもよい。
２のエッチング抵抗材料層１６６がパターン化された後
に、ウェーハ１６２上に残っている重合されたフォトレ
ジスト材料は、通常の方法で除去される。例えば、Ｏ２
プラズマを受ける通常の反応性イオン・エッチング装置
を使用してもよい。これに代わって、”Microstrip”の
製品名でオーリン・マイクロエレクトロニック・マテリ
アルス（Olin Microelectronic Materials）から入手可
能なもののような、商業的に入手可能なレジスト・スト
リッパを用いてもよい。
【００３３】最後に、基板の通路６２ｃをシリコン・ウ
ェーハ１６２中に形成するため、マイクロ機械加工ステ
ップが実行される。このステップは、シリコンの露出部
分がエッチングで除去されるように、ウェーハ１６２を
エッチング槽に浸漬することを含む。テトラメチル・ア
ムモニウム・ヒドロキシド（ＴＭＡＨ）をベースにした
槽を用いてもよい。ＴＭＡＨをベースにした槽は、重量
％で約５％から約４０％、好ましくは約１０％のテトラ
メチル・アムモニウム・ヒドロキシド、ならびに、約６
０％から約９５％、好ましくは約９０％の水を含む。Ｔ
ＭＡＨ／水の溶液は、約１１から約１３のｐＨを示すま
でシリコン及び／又はケイ酸をＴＭＡＨ／水を溶解する
ことによって不動態化される。ＴＭＡＨ溶液を不動態化
する更に詳細な説明は、１９９１年６月のサンフランシ
スコでの「ソリッドステート・センサ及びアクチュエー
タ（トランスデューサ１９９１）に関する国際会議の議
事録(In Proc. Int. Conf. On Solid State Sensors an
d Actuators(transducers1991))」、８１５〜８１８ペ
ージに記載されたユー．シュナケンバーク(U. Schnaken
berg)、ダブリュー．ベネック(W. Benecke)及びピー．
ランゲ(P. Lange)による論文、”シリコン・マイクロ機
械加工用のＴＨＡＨＷエッチング剤(THAHW Etchants fo
r Silicone Micromachining)”に見ることができる。こ
の開示事項は参照としてここに挙げる。不動態化された
ＴＭＡＨ／水の溶液は、金属のエッチング抵抗層１６４
及び１６６に化学作用を及ぼさない利点を有する。第１
及び第２のエッチング抵抗材料層１６４及び１６６が窒
化珪素のような非金属から形成される場合は、水酸化カ
リウム(KOH)をベースとした槽を用いてもよい。KOH槽
は、重量％で、約５％から約７５％、好ましくは約４５
％の水酸化カリウム、ならびに、約２５％から約９５
％、好ましくは約５５％の水を含む。第１及び第２のエ
ッチング抵抗材料層１６４及び１６６が、アルミニウム
又はタンタルのような金属から形成される場合は、KOH
槽では金属槽１６４及び１６６に化学作用を及ぼすの
で、テトラメチル・アムモニウム・ヒドロキシド（ＴＭ
ＡＨ）をベースとした槽を用いなければならない。各フ
ィルタ６０に対するシリコン基板の通路６２ｃが形成さ
れるように十分なエッチングを施した際に（図５を参
照）、ウェーハ１６２が槽から取出される。
ェーハ１６２中に形成するため、マイクロ機械加工ステ
ップが実行される。このステップは、シリコンの露出部
分がエッチングで除去されるように、ウェーハ１６２を
エッチング槽に浸漬することを含む。テトラメチル・ア
ムモニウム・ヒドロキシド（ＴＭＡＨ）をベースにした
槽を用いてもよい。ＴＭＡＨをベースにした槽は、重量
％で約５％から約４０％、好ましくは約１０％のテトラ
メチル・アムモニウム・ヒドロキシド、ならびに、約６
０％から約９５％、好ましくは約９０％の水を含む。Ｔ
ＭＡＨ／水の溶液は、約１１から約１３のｐＨを示すま
でシリコン及び／又はケイ酸をＴＭＡＨ／水を溶解する
ことによって不動態化される。ＴＭＡＨ溶液を不動態化
する更に詳細な説明は、１９９１年６月のサンフランシ
スコでの「ソリッドステート・センサ及びアクチュエー
タ（トランスデューサ１９９１）に関する国際会議の議
事録(In Proc. Int. Conf. On Solid State Sensors an
d Actuators(transducers1991))」、８１５〜８１８ペ
ージに記載されたユー．シュナケンバーク(U. Schnaken
berg)、ダブリュー．ベネック(W. Benecke)及びピー．
ランゲ(P. Lange)による論文、”シリコン・マイクロ機
械加工用のＴＨＡＨＷエッチング剤(THAHW Etchants fo
r Silicone Micromachining)”に見ることができる。こ
の開示事項は参照としてここに挙げる。不動態化された
ＴＭＡＨ／水の溶液は、金属のエッチング抵抗層１６４
及び１６６に化学作用を及ぼさない利点を有する。第１
及び第２のエッチング抵抗材料層１６４及び１６６が窒
化珪素のような非金属から形成される場合は、水酸化カ
リウム(KOH)をベースとした槽を用いてもよい。KOH槽
は、重量％で、約５％から約７５％、好ましくは約４５
％の水酸化カリウム、ならびに、約２５％から約９５
％、好ましくは約５５％の水を含む。第１及び第２のエ
ッチング抵抗材料層１６４及び１６６が、アルミニウム
又はタンタルのような金属から形成される場合は、KOH
槽では金属槽１６４及び１６６に化学作用を及ぼすの
で、テトラメチル・アムモニウム・ヒドロキシド（ＴＭ
ＡＨ）をベースとした槽を用いなければならない。各フ
ィルタ６０に対するシリコン基板の通路６２ｃが形成さ
れるように十分なエッチングを施した際に（図５を参
照）、ウェーハ１６２が槽から取出される。
【００３４】その後に、ウェーハ１６２が個々のフィル
タ６０へダイシングされる。
タ６０へダイシングされる。
【００３５】上記ステップの順序は変更してもよい。例
えば、現像された第１のフォトレジスト層１７０によっ
て画成される第１のパターンは、通常のエッチング・プ
ロセスを使用して第１のエッチング抵抗材料層１６４に
パターン化されてもよく、第１フォトレジスト層１７０
は、第２のフォトレジスト層１７２が第２のエッチング
抵抗材料層１６６上に形成される前に除去されてもよ
い。さらに、第２のフォトレジスト層１７２は、第１の
フォトレジスト層１７０が第１のエッチング抵抗材料層
１６４上に形成される前に、第２のエッチング抵抗材料
層１６６上に形成され、軟焼成され、紫外線に露光さ
れ、そして現像されてもよいことも企図される。
えば、現像された第１のフォトレジスト層１７０によっ
て画成される第１のパターンは、通常のエッチング・プ
ロセスを使用して第１のエッチング抵抗材料層１６４に
パターン化されてもよく、第１フォトレジスト層１７０
は、第２のフォトレジスト層１７２が第２のエッチング
抵抗材料層１６６上に形成される前に除去されてもよ
い。さらに、第２のフォトレジスト層１７２は、第１の
フォトレジスト層１７０が第１のエッチング抵抗材料層
１６４上に形成される前に、第２のエッチング抵抗材料
層１６６上に形成され、軟焼成され、紫外線に露光さ
れ、そして現像されてもよいことも企図される。
【００３６】本発明の第２の実施態様に従って形成され
たフィルタ２６０が図１０に示される。この実施態様で
は、第２のエッチング抵抗材料層２６６は、補強リブ２
７０によって分離された複数のフィルタ部分２６２を有
する。各フィルタ部分２６２は、複数の孔２６８を備え
る。図示された実施態様では、フィルタ部分２６２の先
の第２の層２６６の部分は、孔２６８を備えていない。
１つ又はそれ以上の補強リブ２７０を第２の層２６６に
設けることによって、第２の層２６６の厚さを減少させ
てもよく、それによって第２の層２６６における液体の
圧力降下が減少する。第２の層２６６の厚さは好ましく
は約１．０μｍである。その厚さで、フィルタ２６０の
圧力降下は無視できるものと考えられる。
たフィルタ２６０が図１０に示される。この実施態様で
は、第２のエッチング抵抗材料層２６６は、補強リブ２
７０によって分離された複数のフィルタ部分２６２を有
する。各フィルタ部分２６２は、複数の孔２６８を備え
る。図示された実施態様では、フィルタ部分２６２の先
の第２の層２６６の部分は、孔２６８を備えていない。
１つ又はそれ以上の補強リブ２７０を第２の層２６６に
設けることによって、第２の層２６６の厚さを減少させ
てもよく、それによって第２の層２６６における液体の
圧力降下が減少する。第２の層２６６の厚さは好ましく
は約１．０μｍである。その厚さで、フィルタ２６０の
圧力降下は無視できるものと考えられる。
【００３７】本発明の第３の実施態様に従って形成され
たフィルタ３６０が図１１に示され、ここで同様の参照
番号は同様の要素を示す。この実施態様では、フィルタ
３６０は、容器のスタンド管２３の入口２３ｃに合うよ
うに接着された外周部３６１を備える。外周部３６１
は、以下の方法で形成してもよい。第１及び第２のエッ
チング抵抗材料層１６４、１６６をウェーハ１６２上に
蒸着する前に、各フィルタのシリコン基板の外面が露光
するように、通常のフォトレジスト層、例えば上述のSC
-100 レジスト材料をウェーハの第２の面に形成する。
次いで、各シリコン基板３６２の外周に沿ってシリコン
部分の所定深さを除去するように、反応性イオンエッチ
ング・プロセスのような通常のエッチング・プロセスを
実行する。その後、第１及び第２のエッチング抵抗材料
層１６４、１６６をウェーハ１６２上に形成し、図７〜
図９について上述したようにフィルタの残存部分を形成
するプロセスを実行する。
たフィルタ３６０が図１１に示され、ここで同様の参照
番号は同様の要素を示す。この実施態様では、フィルタ
３６０は、容器のスタンド管２３の入口２３ｃに合うよ
うに接着された外周部３６１を備える。外周部３６１
は、以下の方法で形成してもよい。第１及び第２のエッ
チング抵抗材料層１６４、１６６をウェーハ１６２上に
蒸着する前に、各フィルタのシリコン基板の外面が露光
するように、通常のフォトレジスト層、例えば上述のSC
-100 レジスト材料をウェーハの第２の面に形成する。
次いで、各シリコン基板３６２の外周に沿ってシリコン
部分の所定深さを除去するように、反応性イオンエッチ
ング・プロセスのような通常のエッチング・プロセスを
実行する。その後、第１及び第２のエッチング抵抗材料
層１６４、１６６をウェーハ１６２上に形成し、図７〜
図９について上述したようにフィルタの残存部分を形成
するプロセスを実行する。
【００３８】ヒータ・チップ５０を、中央供給型のヒー
タ・チップとせずに側部供給型のヒータ・チップとして
もよいこともまた企図される。
タ・チップとせずに側部供給型のヒータ・チップとして
もよいこともまた企図される。
【図１】本発明に従って構成されたプリント・カートリ
ッジを有するインク・ジェット印刷装置を一部破断して
示した斜視図である。
ッジを有するインク・ジェット印刷装置を一部破断して
示した斜視図である。
【図２】オリフィス・プレートに結合されたヒータ・チ
ップの一部を、オリフィス・プレート部分を取り除い
て、２つの異なる高さで示した図である。
ップの一部を、オリフィス・プレート部分を取り除い
て、２つの異なる高さで示した図である。
【図３】図２の線３−３に沿った部分を示す断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の第１の実施態様に従って形成されたプ
リント・カートリッジの一部を示す略断面図である。
リント・カートリッジの一部を示す略断面図である。
【図５】本発明の第１の実施態様に従って形成されたフ
ィルタの略断面図である。
ィルタの略断面図である。
【図６】（ａ）は図５に示すフィルタの一部を破断した
平面図である。（ｂ）は（ａ）に示すフィルタの部分拡
大図である。
平面図である。（ｂ）は（ａ）に示すフィルタの部分拡
大図である。
【図７】図５に示すフィルタを形成するためのプロセス
を示す略断面図である。
を示す略断面図である。
【図８】図５に示すフィルタを形成するためのプロセス
を示す略断面図である。
を示す略断面図である。
【図９】図５に示すフィルタを形成するためのプロセス
を示す略断面図である。
を示す略断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施態様に従って形成された
フィルタの平面図である。
フィルタの平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施態様に従って形成された
フィルタ断面図である。
フィルタ断面図である。
２２・・容器、１２２・・インク、２２ａ，５５・・チ
ャンバ、２３・・スタンド管、２３ａ，６２ｃ・・通
路、５０，３５０・・ヒータ・チップ、５２・・加熱要
素、５６・・開口、６０，２６０，３６０・・フィル
タ、６２，１６２，３６２・・（シリコン）基板、１５
２ａ，２５２ａ・・第１の面、１５２ｂ，２５２ｂ・・
第２の面、１５２ｃ・・通路、６４，１６４・・第１の
エッチング抵抗材料層、５６，１５４ａ・・開口、６
６，１６６，２６６・・第２のエッチング抵抗材料層、
６８，２６８・・孔、２６２，３５２・・フィルタ部
分、２７０，３７０・・補強リブ。
ャンバ、２３・・スタンド管、２３ａ，６２ｃ・・通
路、５０，３５０・・ヒータ・チップ、５２・・加熱要
素、５６・・開口、６０，２６０，３６０・・フィル
タ、６２，１６２，３６２・・（シリコン）基板、１５
２ａ，２５２ａ・・第１の面、１５２ｂ，２５２ｂ・・
第２の面、１５２ｃ・・通路、６４，１６４・・第１の
エッチング抵抗材料層、５６，１５４ａ・・開口、６
６，１６６，２６６・・第２のエッチング抵抗材料層、
６８，２６８・・孔、２６２，３５２・・フィルタ部
分、２７０，３７０・・補強リブ。
Claims (50)
- 【請求項１】 透過する流体から汚染物質を濾過するた
めのフィルタであって、 対向する第１及び第２の面、ならびに、これらの間を延
出する通路を有するシリコン基板と、 前記第１の基板面上に形成された第１のエッチング抵抗
材料層であって、該層中を通って延出して前記基板通路
と連通する少なくとも１つの開口を備えた第１のエッチ
ング抵抗材料層と、 前記第２の基板面上に形成され、かつ、約０．５μｍ２
から約２５μｍ２の間の大きさを有する複数の孔を備え
た第２のエッチング抵抗材料層とを備え、 前記孔が前記第２の層を通って延出して前記基板通路と
連通し、前記第２の層が該層を通る流体から汚染物質を
濾過するフィルタ層を画成するフィルタ。 - 【請求項２】 前記第２の層が約１μｍから約２０μｍ
の厚さを有する、請求項１に記載のフィルタ。 - 【請求項３】 前記孔の大きさが約１μｍ２から約１７
μｍ２である、請求項１に記載のフィルタ。 - 【請求項４】 前記第２の層が約１μｍから約２．５μ
ｍの厚さを有する、請求項３に記載のフィルタ。 - 【請求項５】 前記孔の大きさが約１μｍ２から約５μ
ｍ２である、請求項１に記載のフィルタ。 - 【請求項６】 前記第２の層が約１μｍから約２．５μ
ｍの厚さを有する、請求項５に記載のフィルタ。 - 【請求項７】 前記第１及び第２の層の少なくとも１つ
が、窒化珪素、炭化珪素、アルミニウム、タンタル及び
二酸化珪素からなる群から選択された材料から形成され
る、請求項１に記載のフィルタ。 - 【請求項８】 前記第１及び第２の層の少なくとも１つ
が、金属から形成される、請求項１に記載のフィルタ。 - 【請求項９】 前記第２のエッチング抵抗材料層の一部
分のみが孔を備える、請求項１に記載のフィルタ。 - 【請求項１０】 透過する流体から汚染物質を濾過する
ためのフィルタであって、 対向する第１及び第２の面、ならびに、これらの間を延
出する通路を有するシリコン基板と、 前記第１の基板面上に形成された第１のエッチング抵抗
材料層であって、該層中を通って延出して前記基板通路
と連通する少なくとも１つの開口を備えた第１のエッチ
ング抵抗材料層と、 前記第２の基板面上に形成され、二つ又はそれ以上のフ
ィルタ部分を備えた第２のエッチング抵抗材料層とを備
え、 前記各フィルタ部分は、前記第２の層を通って延出して
前記基板通路と連通する複数の孔を備え、前記第２の層
は前記二つのフィルタ部分の間に位置する少なくとも一
つの補強リブをさらに備え、かつ、該層を通る流体から
汚染物質を濾過するフィルタ層を画成するフィルタ。 - 【請求項１１】 前記第２の層が約１μｍから約２０μ
ｍの厚さを有する、請求項１０に記載のフィルタ。 - 【請求項１２】 前記孔が約１μｍ２から約２５μｍ２
の大きさを有する、請求項１０に記載のフィルタ。 - 【請求項１３】 前記第２の層が約１μｍから約２．５
μｍの厚さを有する、請求項１２に記載のフィルタ。 - 【請求項１４】 前記孔が約１μｍ２から約５μｍ２の
大きさを有する、請求項１０に記載のフィルタ。 - 【請求項１５】 前記第２の層が約１μｍから約２．５
μｍの厚さを有する、請求項１４に記載のフィルタ。 - 【請求項１６】 前記第１及び第２の層の少なくとも１
つが、窒化珪素、炭化珪素、アルミニウム、タンタル及
び二酸化珪素からなる群から選択された材料から形成さ
れる、請求項１０に記載のフィルタ。 - 【請求項１７】 前記第１及び第２の層の少なくとも１
つが、金属から形成される、請求項１０に記載のフィル
タ。 - 【請求項１８】 前記金属がアルミニウム又はタンタル
を含む、請求項１７に記載のフィルタ。 - 【請求項１９】 プリント・カートリッジ容器／フィル
タのアセンブリであって、 インクを収容する少なくとも一つのチャンバを備えた容
器であって、前記チャンバ内に延出し、かつ該チャンバ
から流出するインク通路を画成するスタンド管を備えた
容器と、 前記スタンド管から流出する前のインクから汚染物質を
濾過するために前記スタンド管に結合されたフィルタと
を備え、 該フィルタが、対向する第１及び第２の面とこれらの間
を延出する通路とを有するシリコン基板と、 前記第１の基板面上に形成されたエッチング抵抗材料層
であって、該層中を通って延出して前記基板通路と連通
する少なくとも１つの開口を備えた第１のエッチング抵
抗材料層と、 前記第２の基板面上に形成された第２のエッチング抵抗
材料層であって、該層中を通って延出して前記基板通路
と連通する複数の孔を備え、かつ、該層中を通るインク
から汚染物質を除去するフィルタ層を画成する第２のエ
ッチング抵抗材料層とを備えたアセンブリ。 - 【請求項２０】 前記孔が約０．５μｍ２と約２５μｍ
２の間の大きさを有する、請求項１９に記載のプリント
・カートリッジ容器／フィルタのアセンブリ。 - 【請求項２１】 前記第２の層が約１μｍから約２０μ
ｍの厚さを有する、請求項２０に記載のプリント・カー
トリッジ容器／フィルタのアセンブリ。 - 【請求項２２】 前記孔の大きさが約１μｍ２から約８
μｍ２である、請求項２０に記載のプリント・カートリ
ッジ容器／フィルタのアセンブリ。 - 【請求項２３】 前記第２の層が約１μｍから約２．５
μｍの厚さを有する、請求項２２に記載のプリント・カ
ートリッジ容器／フィルタのアセンブリ。 - 【請求項２４】 前記孔の大きさが約１μｍ２から約５
μｍ２である、請求項２０に記載のプリント・カートリ
ッジ容器／フィルタのアセンブリ。 - 【請求項２５】 前記第２の層が約１μｍから約２．５
μｍの厚さを有する、請求項２４に記載のプリント・カ
ートリッジ容器／フィルタのアセンブリ。 - 【請求項２６】 前記第１及び第２の層の少なくとも１
つが、窒化珪素、炭化珪素、アルミニウム、タンタル及
び二酸化珪素からなる群から選択された材料から形成さ
れる、請求項１９に記載のプリント・カートリッジ容器
／フィルタのアセンブリ。 - 【請求項２７】 前記第１及び第２の層の少なくとも１
つが、金属から形成される、請求項１９に記載のプリン
ト・カートリッジ容器／フィルタのアセンブリ。 - 【請求項２８】 前記第２のエッチング抵抗材料層の一
部分のみが孔を備える、請求項１９に記載のプリント・
カートリッジ容器／フィルタのアセンブリ。 - 【請求項２９】 前記スタンド管が、前記フィルタを収
容する内方棚を有する中空カラムを備える、請求項１９
に記載のプリント・カートリッジ容器／フィルタのアセ
ンブリ。 - 【請求項３０】 前記カラムが略矩形状である、請求項
２９に記載のプリント・カートリッジ容器／フィルタの
アセンブリ。 - 【請求項３１】 前記フィルタが、前記スタンド管の端
部に結合する外周部を備える、請求項１９に記載のプリ
ント・カートリッジ容器／フィルタのアセンブリ。 - 【請求項３２】 ヒータ・チップに達する前のインクか
ら汚染物質を濾過するためにプリント・カートリッジに
おいて使用するフィルタの形成方法であって、 対向する第１及び第２の面を有するシリコン基板を提供
するステップと、 少なくとも１つの開口が通っている第１のエッチング抵
抗材料層を前記第１の基板面上に形成するステップと、 約０．５μｍ２から約２５μｍ２の間の大きさを有する
複数の孔を備えた第２のエッチング抵抗材料層であっ
て、該層を通って前記孔が延出する第２のエッチング抵
抗材料層を前記第２の基板面上に形成するステップと、 前記第１の層の開口及び前記第２の層の孔の少なくとも
一部分と連通する少なくとも１つの通路を、前記シリコ
ン基板の中に形成するステップとを含む形成方法。 - 【請求項３３】 前記孔が約１μｍ２から約８μｍ２の
大きさを有する、請求項３２に記載の方法。 - 【請求項３４】 前記第２の層が約１μｍから約２．５
μｍの厚さを有する、請求項３３に記載の方法 - 【請求項３５】 前記孔の大きさが約１μｍ２から約５
μｍ２である、請求項３２に記載の方法。 - 【請求項３６】 前記第２の層が約１μｍから約２．５
μｍの厚さを有する、請求項３５に記載の方法。 - 【請求項３７】 ヒータ・チップに達する前のインクか
ら汚染物質を濾過するためにプリント・カートリッジに
おいて使用するフィルタの形成方法であって、 対向する第１及び第２の面を有するシリコン基板を提供
するステップと、 少なくとも一つが金属から形成された第１と第２のエッ
チング抵抗材料層において、少なくとも１つの開口が通
っている第１のエッチング抵抗材料層を前記第１の基板
面上に形成し、かつ、複数の孔を備えた第２のエッチン
グ抵抗材料層であって、該層を通って前記孔が延出する
第２のエッチング抵抗材料層を前記第２の基板面上に形
成するステップと、 前記第１の層の開口及び前記第２の層の孔の少なくとも
一部分と連通する少なくとも１つの通路を、前記シリコ
ン基板の中に形成するステップとを含む形成方法。 - 【請求項３８】 前記孔が約１μｍ２から約８μｍ２の
大きさを有する、請求項３７に記載の方法。 - 【請求項３９】 前記第２の層が約１μｍから約２．５
μｍの厚さを有する、請求項３８に記載の方法 - 【請求項４０】 前記孔の大きさが約１μｍ２から約５
μｍ２である、請求項３７に記載の方法。 - 【請求項４１】 前記第２の層が約１μｍから約２．５
μｍの厚さを有する、請求項４０に記載の方法。 - 【請求項４２】 前記金属がアルミニウム又はタンタル
である、請求項３７に記載の方法。 - 【請求項４３】 少なくとも１つの通路を前記シリコン
基板に形成する前記ステップが、テトラメチル・アムモ
ニウム・ヒドロキシド・エッチング溶液を用いて前記シ
リコン基板の一部分をエッチングするステップを含む、
請求項３７に記載の方法。 - 【請求項４４】 ヒータ・チップに達する前のインクか
ら汚染物質を濾過するためにインク・ジェット・プリン
タにおいて使用するフィルタであって、 対向する第１及び第２の面、ならびに、これらの間を延
出する通路を有するシリコン基板と、 前記第１の基板面上に形成されたエッチング抵抗材料層
であって、該層中を通って延出して前記基板通路と連通
する少なくとも１つの開口を備えた第１のエッチング抵
抗材料層と、 前記第２の基板面上に形成され、約０．５μｍ２から約
２５μｍ２の間の大きさを有する複数の孔を備えた第２
のエッチング抵抗材料層とを備え、 前記孔が前記第２の層を通って延出して前記基板通路と
連通し、前記第２の層が該層を通るインクから汚染物質
を濾過するフィルタ層を画成するフィルタ。 - 【請求項４５】 前記第２の層が約１μｍから約２０μ
ｍの厚さを有する、請求項４４に記載のフィルタ。 - 【請求項４６】 前記孔の大きさが約１μｍ２から約１
７μｍ２である、請求項４４に記載のフィルタ。 - 【請求項４７】 前記第２の層が約１μｍから約２．５
μｍの厚さを有する、請求項４６に記載のフィルタ。 - 【請求項４８】 前記孔の大きさが約１μｍ２から約５
μｍ２である、請求項４４に記載のフィルタ。 - 【請求項４９】 前記第２の層が約１μｍから約２．５
μｍの厚さを有する、請求項４８に記載のフィルタ。 - 【請求項５０】 前記第２のエッチング抵抗材料層の一
部分のみが孔を備える、請求項４４に記載のフィルタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/993431 | 1997-12-18 | ||
| US08/993,431 US6267251B1 (en) | 1997-12-18 | 1997-12-18 | Filter assembly for a print cartridge container for removing contaminants from a fluid |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11240173A true JPH11240173A (ja) | 1999-09-07 |
Family
ID=25539540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10361594A Withdrawn JPH11240173A (ja) | 1997-12-18 | 1998-12-18 | 流体から汚染物質を除去するためのフィルタ―及びその形成方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6267251B1 (ja) |
| EP (1) | EP0924078B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11240173A (ja) |
| KR (1) | KR19990063216A (ja) |
| DE (1) | DE69837466T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1107592C (zh) * | 2000-01-12 | 2003-05-07 | 威硕科技股份有限公司 | 喷墨头的芯片制造方法 |
| JP2004338401A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-12-02 | Hewlett-Packard Development Co Lp | インクジェットプリントヘッド |
| JP2005161617A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Brother Ind Ltd | インクジェットヘッド、インクジェットヘッドのフィルタプレート及びそのフィルタプレートの製造方法 |
| JP2008520472A (ja) * | 2004-11-17 | 2008-06-19 | フジフイルム ディマティックス インコーポレイテッド | プリントヘッド |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AUPP702498A0 (en) * | 1998-11-09 | 1998-12-03 | Silverbrook Research Pty Ltd | Image creation method and apparatus (ART77) |
| US6464347B2 (en) * | 2000-11-30 | 2002-10-15 | Xerox Corporation | Laser ablated filter |
| JP4148498B2 (ja) * | 2002-02-15 | 2008-09-10 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘッドおよび液体噴射記録装置 |
| JP4186884B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2008-11-26 | ブラザー工業株式会社 | インクジェットプリンタヘッド |
| EP1652678B1 (en) | 2004-10-29 | 2007-08-22 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a filter |
| US8066363B2 (en) * | 2005-03-31 | 2011-11-29 | Lexmark International, Inc. | Printhead filter systems and methods for manufacturing the same |
| JP4736120B2 (ja) * | 2005-10-05 | 2011-07-27 | 富士フイルム株式会社 | 液体吐出装置及び画像形成装置 |
| US20090186190A1 (en) * | 2008-01-17 | 2009-07-23 | Shan Guan | Silicon filter |
| NL2002787C2 (en) * | 2009-04-23 | 2010-10-26 | Medspray Xmems Bv | Atomising body, atomising device, inhaler, manufacturing method of manufacturing an atomising body and assembly method for assembling an atomising device. |
| US8523327B2 (en) * | 2010-02-25 | 2013-09-03 | Eastman Kodak Company | Printhead including port after filter |
| US20110204018A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Vaeth Kathleen M | Method of manufacturing filter for printhead |
| US20110205306A1 (en) * | 2010-02-25 | 2011-08-25 | Vaeth Kathleen M | Reinforced membrane filter for printhead |
| JP5678463B2 (ja) * | 2010-04-16 | 2015-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド、液体噴射ヘッドユニット及び液体噴射装置 |
| US8277035B2 (en) | 2010-04-27 | 2012-10-02 | Eastman Kodak Company | Printhead including sectioned stimulator/filter device |
| US8562120B2 (en) | 2010-04-27 | 2013-10-22 | Eastman Kodak Company | Continuous printhead including polymeric filter |
| US8287101B2 (en) | 2010-04-27 | 2012-10-16 | Eastman Kodak Company | Printhead stimulator/filter device printing method |
| US8806751B2 (en) | 2010-04-27 | 2014-08-19 | Eastman Kodak Company | Method of manufacturing printhead including polymeric filter |
| US8534818B2 (en) | 2010-04-27 | 2013-09-17 | Eastman Kodak Company | Printhead including particulate tolerant filter |
| US8919930B2 (en) | 2010-04-27 | 2014-12-30 | Eastman Kodak Company | Stimulator/filter device that spans printhead liquid chamber |
| US8267504B2 (en) | 2010-04-27 | 2012-09-18 | Eastman Kodak Company | Printhead including integrated stimulator/filter device |
| CN114796918B (zh) * | 2016-06-07 | 2023-06-27 | 苏州苏瑞膜纳米科技有限公司 | 鼻塞式呼吸器 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4095237A (en) * | 1974-12-26 | 1978-06-13 | Aktiebolaget Electrolux | Ink jet printing head |
| US4233610A (en) * | 1979-06-18 | 1980-11-11 | Xerox Corporation | Hydrodynamically damped pressure pulse droplet ejector |
| US4561789A (en) * | 1983-06-23 | 1985-12-31 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corp. | Thermal ink transfer printing system |
| US4639748A (en) * | 1985-09-30 | 1987-01-27 | Xerox Corporation | Ink jet printhead with integral ink filter |
| US4771295B1 (en) * | 1986-07-01 | 1995-08-01 | Hewlett Packard Co | Thermal ink jet pen body construction having improved ink storage and feed capability |
| JPH021324A (ja) * | 1988-06-08 | 1990-01-05 | Fujitsu Ltd | インクジェットプリンタ |
| US4864329A (en) | 1988-09-22 | 1989-09-05 | Xerox Corporation | Fluid handling device with filter and fabrication process therefor |
| US4931811A (en) * | 1989-01-31 | 1990-06-05 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet pen having a feedtube with improved sizing and operational with a minimum of depriming |
| US5201987A (en) | 1990-06-04 | 1993-04-13 | Xerox Corporation | Fabricating method for silicon structures |
| US5124717A (en) | 1990-12-06 | 1992-06-23 | Xerox Corporation | Ink jet printhead having integral filter |
| DE69230196T2 (de) | 1991-04-20 | 2000-04-20 | Canon Kk | Trägerschicht für Aufzeichnungskopf, Aufzeichnungskopf und Herstellungsverfahren dafür |
| US5204690A (en) | 1991-07-01 | 1993-04-20 | Xerox Corporation | Ink jet printhead having intergral silicon filter |
| US5141596A (en) | 1991-07-29 | 1992-08-25 | Xerox Corporation | Method of fabricating an ink jet printhead having integral silicon filter |
| US5154815A (en) * | 1991-10-23 | 1992-10-13 | Xerox Corporation | Method of forming integral electroplated filters on fluid handling devices such as ink jet printheads |
| US5308442A (en) | 1993-01-25 | 1994-05-03 | Hewlett-Packard Company | Anisotropically etched ink fill slots in silicon |
| US5610645A (en) * | 1993-04-30 | 1997-03-11 | Tektronix, Inc. | Ink jet head with channel filter |
| NL9401260A (nl) | 1993-11-12 | 1995-06-01 | Cornelis Johannes Maria Van Ri | Membraan voor microfiltratie, ultrafiltratie, gasscheiding en katalyse, werkwijze ter vervaardiging van een dergelijk membraan, mal ter vervaardiging van een dergelijk membraan, alsmede diverse scheidingssystemen omvattende een dergelijk membraan. |
| US5537136A (en) | 1993-12-07 | 1996-07-16 | Lexmark International, Inc. | Ink jet cartridge including filter inserts |
| US5576750A (en) | 1994-10-11 | 1996-11-19 | Lexmark International, Inc. | Reliable connecting pathways for a three-color ink-jet cartridge |
| US5443713A (en) | 1994-11-08 | 1995-08-22 | Hewlett-Packard Corporation | Thin-film structure method of fabrication |
| US5560837A (en) | 1994-11-08 | 1996-10-01 | Hewlett-Packard Company | Method of making ink-jet component |
| US5658471A (en) * | 1995-09-22 | 1997-08-19 | Lexmark International, Inc. | Fabrication of thermal ink-jet feed slots in a silicon substrate |
| KR100193716B1 (ko) * | 1996-10-16 | 1999-06-15 | 윤종용 | 전계 밀도차에 의한 유전영동력을 이용하는 잉크젯 프린팅 방법 및 장치 |
-
1997
- 1997-12-18 US US08/993,431 patent/US6267251B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-12-18 JP JP10361594A patent/JPH11240173A/ja not_active Withdrawn
- 1998-12-18 DE DE69837466T patent/DE69837466T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-12-18 KR KR1019980056306A patent/KR19990063216A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-12-18 EP EP98310480A patent/EP0924078B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1107592C (zh) * | 2000-01-12 | 2003-05-07 | 威硕科技股份有限公司 | 喷墨头的芯片制造方法 |
| JP2004338401A (ja) * | 2003-04-30 | 2004-12-02 | Hewlett-Packard Development Co Lp | インクジェットプリントヘッド |
| JP2005161617A (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-23 | Brother Ind Ltd | インクジェットヘッド、インクジェットヘッドのフィルタプレート及びそのフィルタプレートの製造方法 |
| JP2008520472A (ja) * | 2004-11-17 | 2008-06-19 | フジフイルム ディマティックス インコーポレイテッド | プリントヘッド |
| JP4874258B2 (ja) * | 2004-11-17 | 2012-02-15 | フジフィルム ディマティックス， インコーポレイテッド | プリントヘッド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0924078A2 (en) | 1999-06-23 |
| US6267251B1 (en) | 2001-07-31 |
| EP0924078B1 (en) | 2007-04-04 |
| DE69837466T2 (de) | 2007-12-13 |
| KR19990063216A (ko) | 1999-07-26 |
| DE69837466D1 (de) | 2007-05-16 |
| EP0924078A3 (en) | 1999-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0924077B1 (en) | A filter formed as part of a heater chip for removing contaminants from a fluid and a method for forming same | |
| JPH11240173A (ja) | 流体から汚染物質を除去するためのフィルタ―及びその形成方法 | |
| JP4455282B2 (ja) | インクジェットヘッドの製造方法、インクジェットヘッドおよびインクジェットカートリッジ | |
| US6158846A (en) | Forming refill for monolithic inkjet printhead | |
| TWI311106B (en) | Method of forming openings in substrates and inkjet printheads fabricated thereby | |
| JP2004042395A (ja) | 液体吐出ヘッドおよび、該ヘッドの製造方法 | |
| JP2005238846A (ja) | 圧電方式のインクジェットプリントヘッドと、そのノズルプレートの製造方法 | |
| JP5224771B2 (ja) | 記録ヘッド基板の製造方法 | |
| EP1619028B1 (en) | Ink jet head including a filtering member integrally formed with a substrate and method of fabricating the same | |
| KR100474423B1 (ko) | 버블 잉크젯 프린트 헤드 및 그 제조방법 | |
| KR20040060816A (ko) | 잉크 젯 기록 헤드, 잉크 젯 기록 헤드의 제조 방법 및잉크 젯 기록 헤드 제조용 기판 | |
| EP2492096B1 (en) | Liquid ejection head and process for producing the same | |
| JP2006130868A (ja) | インクジェット記録ヘッド及びその製造方法 | |
| US7323115B2 (en) | Substrate processing method and ink jet recording head substrate manufacturing method | |
| CA2134385C (en) | Method and apparatus for elimination of misdirected satellite drops in thermal ink jet printhead | |
| US20100271430A1 (en) | Printhead provided with individual nozzle enclosures | |
| JP2004042397A (ja) | 液体吐出ヘッドおよび、該ヘッドの製造方法 | |
| US6942321B2 (en) | Method for producing liquid discharge head | |
| US6592964B2 (en) | Nozzle plate assembly of micro-injecting device and method for manufacturing the same | |
| KR100612326B1 (ko) | 잉크젯 헤드의 제조방법 | |
| JP5111477B2 (ja) | インクジェットヘッド | |
| JPH05124208A (ja) | 液体噴射記録ヘツドの製造方法および液体噴射記録ヘツド | |
| KR100366651B1 (ko) | 실리콘 프로세스를 이용한 노즐 플레이트의 제조방법 및그 노즐 플레이트를 적용한 잉크젯 프린터 헤드 | |
| KR20090028189A (ko) | 잉크 젯 프린터 헤드 및 그 제조방법 | |
| JP2008110560A (ja) | 液体吐出ヘッド用ノズルプレート及び液体吐出ヘッド用ノズルプレートの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060307 |