JPH11238908A - 光結合装置及びその製造方法 - Google Patents
光結合装置及びその製造方法Info
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- JPH11238908A JPH11238908A JP3857898A JP3857898A JPH11238908A JP H11238908 A JPH11238908 A JP H11238908A JP 3857898 A JP3857898 A JP 3857898A JP 3857898 A JP3857898 A JP 3857898A JP H11238908 A JPH11238908 A JP H11238908A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 196
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 196
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 104
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 49
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 82
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 82
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 82
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 82
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 50
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 41
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 36
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 18
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 15
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 23
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 21
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 16
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 16
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来例のリードレス面実装光結合装置におい
ては、超小型のリードレス面実装光結合装置を作ること
は困難であり、安定した特性の得られる超小型リードレ
ス面実装光結合装置の構造及びその製造方法を得ること
である。 【解決手段】 光結合装置は、樹脂基板上に発光チップ
側メッキパターンを設け、発光チップを実装し、該発光
チップを透光性樹脂で覆った発光側の単体と、樹脂基板
上に受光チップ側メッキパターンを設け、受光チップを
実装した受光側の単体とを、貼り合わす構造よりなるこ
とを特徴とするものである。
ては、超小型のリードレス面実装光結合装置を作ること
は困難であり、安定した特性の得られる超小型リードレ
ス面実装光結合装置の構造及びその製造方法を得ること
である。 【解決手段】 光結合装置は、樹脂基板上に発光チップ
側メッキパターンを設け、発光チップを実装し、該発光
チップを透光性樹脂で覆った発光側の単体と、樹脂基板
上に受光チップ側メッキパターンを設け、受光チップを
実装した受光側の単体とを、貼り合わす構造よりなるこ
とを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、リードレス面実装
光結合装置及びその製造方法に関する。
光結合装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図９に従来例の技術に基づく構成のリー
ドレス面実装光結合装置の略断面図を示す。図９におい
て、従来例のリードレス面実装光結合装置８０は、液晶
ポリマー等の樹脂の射出成形によって成形された樹脂基
板８１上に、メッキパターン８２（金、銀等）を形成
し、発光チップ８３と受光チップ８４を搭載し、銀ペー
スト８５にてダイボンドし、金線８６にてワイヤボンド
後に、透光性樹脂８７（シリコーン系、エポキシ系、ア
クリル系、ポリエステル系等）にて封止後、上面を遮光
性樹脂８８（エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系
等）にて封止した構造となっている。
ドレス面実装光結合装置の略断面図を示す。図９におい
て、従来例のリードレス面実装光結合装置８０は、液晶
ポリマー等の樹脂の射出成形によって成形された樹脂基
板８１上に、メッキパターン８２（金、銀等）を形成
し、発光チップ８３と受光チップ８４を搭載し、銀ペー
スト８５にてダイボンドし、金線８６にてワイヤボンド
後に、透光性樹脂８７（シリコーン系、エポキシ系、ア
クリル系、ポリエステル系等）にて封止後、上面を遮光
性樹脂８８（エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系
等）にて封止した構造となっている。
【０００３】図１０に、その工程フローチャートを示
す。従来例のリードレス面実装光結合装置の製造工程
は、ダイボンド工程、ワイヤボンド工程、樹脂ポッティ
ング（１）工程、樹脂ポッティング（２）工程、ダイシ
ング工程、絶縁耐圧検査工程、電気的特性検査工程、外
観検査工程、梱包工程、出荷工程、から成っている。
す。従来例のリードレス面実装光結合装置の製造工程
は、ダイボンド工程、ワイヤボンド工程、樹脂ポッティ
ング（１）工程、樹脂ポッティング（２）工程、ダイシ
ング工程、絶縁耐圧検査工程、電気的特性検査工程、外
観検査工程、梱包工程、出荷工程、から成っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
のリードレス面実装光結合装置においては、超小型のリ
ードレス面実装光結合装置を作ることは困難であった。
従来例のリードレス面実装光結合装置の外形サイズは、
例えば、縦３．５〜５．０ｍｍ、横６．０〜８．０ｍ
ｍ、２．５〜５．０ｍｍ、程度であり、これ以上に小型
化することが困難であった。
のリードレス面実装光結合装置においては、超小型のリ
ードレス面実装光結合装置を作ることは困難であった。
従来例のリードレス面実装光結合装置の外形サイズは、
例えば、縦３．５〜５．０ｍｍ、横６．０〜８．０ｍ
ｍ、２．５〜５．０ｍｍ、程度であり、これ以上に小型
化することが困難であった。
【０００５】電子機器の小型化に伴い、基板上の高密度
実装化が進み、基板に搭載される部品にも小型化、薄型
化が要求され、先に述べたリードレス面実装光結合チッ
プの小型化の要望も強くなっている。本発明は上記要望
に対して、安定した特性の得られる超小型リードレス面
実装光結合装置の構造及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
実装化が進み、基板に搭載される部品にも小型化、薄型
化が要求され、先に述べたリードレス面実装光結合チッ
プの小型化の要望も強くなっている。本発明は上記要望
に対して、安定した特性の得られる超小型リードレス面
実装光結合装置の構造及びその製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
光結合装置は、樹脂基板上に発光チップ側メッキパター
ンを設け、発光チップを実装し、該発光チップを透光性
樹脂で覆った発光側の単体と、樹脂基板上に受光チップ
側メッキパターンを設け、受光チップを実装した受光側
の単体とを、貼り合わす構造よりなることを特徴とする
ものである。
光結合装置は、樹脂基板上に発光チップ側メッキパター
ンを設け、発光チップを実装し、該発光チップを透光性
樹脂で覆った発光側の単体と、樹脂基板上に受光チップ
側メッキパターンを設け、受光チップを実装した受光側
の単体とを、貼り合わす構造よりなることを特徴とする
ものである。
【０００７】また、本発明の請求項２記載の光結合装置
は、発光チップまたは受光チップが実装される前記樹脂
基板の一方を透光性あるいは半透光性樹脂基板とし、前
記樹脂基板の他の一方を遮光性樹脂基板としたことを特
徴とするものである。
は、発光チップまたは受光チップが実装される前記樹脂
基板の一方を透光性あるいは半透光性樹脂基板とし、前
記樹脂基板の他の一方を遮光性樹脂基板としたことを特
徴とするものである。
【０００８】また、本発明の請求項３記載の光結合装置
は、発光チップまたは受光チップが実装される前記樹脂
基板に樹脂充填用のホールを設けたことを特徴とするも
のである。
は、発光チップまたは受光チップが実装される前記樹脂
基板に樹脂充填用のホールを設けたことを特徴とするも
のである。
【０００９】また、本発明の請求項４記載の光結合装置
は、前記発光側の単体または及び受光側の単体の表面
に、遮光性樹脂を設けることを特徴とするものである。
は、前記発光側の単体または及び受光側の単体の表面
に、遮光性樹脂を設けることを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の請求項５記載の光結合装置
は、前記発光側の単体と前記受光側の単体とを、絶縁性
熱硬化型接着テープ及び導電性熱硬化型接着テープを用
いて貼り合わす構造よりなることを特徴とするものであ
る。
は、前記発光側の単体と前記受光側の単体とを、絶縁性
熱硬化型接着テープ及び導電性熱硬化型接着テープを用
いて貼り合わす構造よりなることを特徴とするものであ
る。
【００１１】また、本発明の請求項６記載の光結合装置
の製造方法は、前半は２つの工程フローよりなり、その
一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイボンド工
程、樹脂ポッティング工程、樹脂モールド工程、を含
み、他のもう一方の工程は、受光（ＰＴ）チップのダイ
ボンド工程、樹脂ポッティング工程、樹脂モールド工
程、を含み、後半は前記２つの工程で得られた発光側実
装基板と受光側実装基板との樹脂基板の貼り合わせ工
程、ダイシング工程、を含む、ことを特徴とするもので
ある。
の製造方法は、前半は２つの工程フローよりなり、その
一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイボンド工
程、樹脂ポッティング工程、樹脂モールド工程、を含
み、他のもう一方の工程は、受光（ＰＴ）チップのダイ
ボンド工程、樹脂ポッティング工程、樹脂モールド工
程、を含み、後半は前記２つの工程で得られた発光側実
装基板と受光側実装基板との樹脂基板の貼り合わせ工
程、ダイシング工程、を含む、ことを特徴とするもので
ある。
【００１２】さらに、本発明の請求項７記載の光結合装
置の製造方法は、前半は２つの工程フローよりなり、そ
の一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイボンド
工程、樹脂ポッティング工程、を含み、他のもう一方の
工程は、受光（ＰＴ）チップのダイボンド工程、樹脂ポ
ッティング工程、を含み、後半は前記２つの工程で得ら
れた発光側実装基板と受光側実装基板との樹脂基板の貼
り合わせ工程、樹脂モールド工程、ダイシング工程、を
含む、ことを特徴とするものである。
置の製造方法は、前半は２つの工程フローよりなり、そ
の一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイボンド
工程、樹脂ポッティング工程、を含み、他のもう一方の
工程は、受光（ＰＴ）チップのダイボンド工程、樹脂ポ
ッティング工程、を含み、後半は前記２つの工程で得ら
れた発光側実装基板と受光側実装基板との樹脂基板の貼
り合わせ工程、樹脂モールド工程、ダイシング工程、を
含む、ことを特徴とするものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】［実施の形態１］図１は本発明の
一実施例を示す光結合装置の構造の略断面図であり、図
２は本発明の一実施例を示す光結合装置の製造工程のフ
ローチャートであり、図３は本発明の光結合装置を製造
するための樹脂基板の一例である。
一実施例を示す光結合装置の構造の略断面図であり、図
２は本発明の一実施例を示す光結合装置の製造工程のフ
ローチャートであり、図３は本発明の光結合装置を製造
するための樹脂基板の一例である。
【００１４】図２に、本発明の一実施の形態に関する超
小型リードレス面実装光結合装置の工程フローチャート
を示す。本発明の超小型リードレス面実装光結合装置の
製造工程は、先ず前半は２つの工程フローよりなり、そ
の一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイボンド
工程、ワイヤボンド工程（図示せず）、樹脂ポッティン
グ工程、樹脂モールド工程、であり、他のもう一方の工
程は、受光（ＰＴ）チップのダイボンド工程、樹脂ポッ
ティング工程、樹脂モールド工程、である。
小型リードレス面実装光結合装置の工程フローチャート
を示す。本発明の超小型リードレス面実装光結合装置の
製造工程は、先ず前半は２つの工程フローよりなり、そ
の一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイボンド
工程、ワイヤボンド工程（図示せず）、樹脂ポッティン
グ工程、樹脂モールド工程、であり、他のもう一方の工
程は、受光（ＰＴ）チップのダイボンド工程、樹脂ポッ
ティング工程、樹脂モールド工程、である。
【００１５】次に、これら２つの工程で得られた発光側
実装基板と受光側実装基板とを貼り合わせて、超小型リ
ードレス面実装光結合装置を作る。即ち、樹脂基板の貼
り合わせ工程、ダイシング工程、絶縁耐圧検査工程、電
気的特性検査工程、外観検査工程、梱包工程、出荷工
程、である。
実装基板と受光側実装基板とを貼り合わせて、超小型リ
ードレス面実装光結合装置を作る。即ち、樹脂基板の貼
り合わせ工程、ダイシング工程、絶縁耐圧検査工程、電
気的特性検査工程、外観検査工程、梱包工程、出荷工
程、である。
【００１６】図３は本発明の一実施の形態に関する超小
型リードレス面実装光結合装置の樹脂基板を示し、図３
（ａ）は樹脂基板の表面側を示す図であり、図３（ｂ）
は樹脂基板の裏面側を示す図である。
型リードレス面実装光結合装置の樹脂基板を示し、図３
（ａ）は樹脂基板の表面側を示す図であり、図３（ｂ）
は樹脂基板の裏面側を示す図である。
【００１７】図３（ａ）において、１１は透光性あるい
は半透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル
系、ポリエステル系等）によって成形された樹脂基板、
１２は基板１１上に形成されたメッキパターン、１３は
メッキパターン配線用ホール、１４はカット位置を示す
切断用ライン、である。
は半透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル
系、ポリエステル系等）によって成形された樹脂基板、
１２は基板１１上に形成されたメッキパターン、１３は
メッキパターン配線用ホール、１４はカット位置を示す
切断用ライン、である。
【００１８】図３（ｂ）において、１１は透光性あるい
は半透光性樹脂によって成形された樹脂基板、１５は基
板１１上に形成されたメッキパターン、１３はメッキパ
ターン配線用ホール、１４はカット位置を示す切断用ラ
イン、であり、樹脂基板の表面側のメッキパターン１２
と、樹脂基板の裏面側のメッキパターン１５とは異なっ
ている。また、表面側のメッキパターン１２はメッキパ
ターン配線用ホール１３を介して、裏面側のメッキパタ
ーン１５と電気的に接続されている。
は半透光性樹脂によって成形された樹脂基板、１５は基
板１１上に形成されたメッキパターン、１３はメッキパ
ターン配線用ホール、１４はカット位置を示す切断用ラ
イン、であり、樹脂基板の表面側のメッキパターン１２
と、樹脂基板の裏面側のメッキパターン１５とは異なっ
ている。また、表面側のメッキパターン１２はメッキパ
ターン配線用ホール１３を介して、裏面側のメッキパタ
ーン１５と電気的に接続されている。
【００１９】図１は本発明の一実施の形態に関する超小
型リードレス面実装光結合装置の略断面図を示し、図２
で説明した製造工程及び、図３で説明した樹脂基板にて
作られる。
型リードレス面実装光結合装置の略断面図を示し、図２
で説明した製造工程及び、図３で説明した樹脂基板にて
作られる。
【００２０】図１において、本発明の一実施の形態に関
する超小型リードレス面実装光結合装置１０は、透光性
あるいは半透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、ア
クリル系、ポリエステル系等）によって成形された樹脂
基板１１、発光チップ側メッキパターン１６、発光チッ
プ１７、ダイボンド用銀ペースト１８、発光側の透光性
樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、ポリエ
ステル系等）１９、遮光性樹脂（エポキシ系、アクリル
系、ポリエステル系等）２０、とによってモールドされ
た発光側の単体３０と、透光性あるいは半透光性樹脂
（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステ
ル系等）によって成形された樹脂基板２１、受光チップ
側メッキパターン２２、受光チップ２３、半田バンプ２
４、受光側の透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、
アクリル系、ポリエステル系等）２５、遮光性樹脂（エ
ポキシ系、アクリル系、ポリエステル系等）２６、とに
よってモールドされた受光側の単体３１とが、絶縁性熱
硬化型接着テープ２７によって貼り合されている構造で
あり、２８は導電性熱硬化型接着テープである。このよ
うに、本発明の一実施の形態に関する超小型リードレス
面実装光結合装置１０は、モールドされた発光側の単体
３０とモールドされた受光側の単体３１とを、貼り合わ
せて作る構造を特徴としており、絶縁性熱硬化型接着テ
ープ２７や導電性熱硬化型接着テープ２８に限るもので
はなく、貼り合わせて接着する機能を有する絶縁性また
は導電性の物質であればよいことは当然である。絶縁性
熱硬化型接着テープ２７は、３０と３１の間に挟んで、
接着固定される。
する超小型リードレス面実装光結合装置１０は、透光性
あるいは半透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、ア
クリル系、ポリエステル系等）によって成形された樹脂
基板１１、発光チップ側メッキパターン１６、発光チッ
プ１７、ダイボンド用銀ペースト１８、発光側の透光性
樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、ポリエ
ステル系等）１９、遮光性樹脂（エポキシ系、アクリル
系、ポリエステル系等）２０、とによってモールドされ
た発光側の単体３０と、透光性あるいは半透光性樹脂
（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステ
ル系等）によって成形された樹脂基板２１、受光チップ
側メッキパターン２２、受光チップ２３、半田バンプ２
４、受光側の透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、
アクリル系、ポリエステル系等）２５、遮光性樹脂（エ
ポキシ系、アクリル系、ポリエステル系等）２６、とに
よってモールドされた受光側の単体３１とが、絶縁性熱
硬化型接着テープ２７によって貼り合されている構造で
あり、２８は導電性熱硬化型接着テープである。このよ
うに、本発明の一実施の形態に関する超小型リードレス
面実装光結合装置１０は、モールドされた発光側の単体
３０とモールドされた受光側の単体３１とを、貼り合わ
せて作る構造を特徴としており、絶縁性熱硬化型接着テ
ープ２７や導電性熱硬化型接着テープ２８に限るもので
はなく、貼り合わせて接着する機能を有する絶縁性また
は導電性の物質であればよいことは当然である。絶縁性
熱硬化型接着テープ２７は、３０と３１の間に挟んで、
接着固定される。
【００２１】［実施の形態２］図４は、本発明の他の一
実施の形態に関する超小型リードレス面実装光結合装置
の略断面図を示し、図４（ａ）は受光チップを遮光性樹
脂基板に実装した場合を示す略断面図であり、図４
（ｂ）は発光チップを遮光性樹脂基板に実装した場合を
示す略断面図である。
実施の形態に関する超小型リードレス面実装光結合装置
の略断面図を示し、図４（ａ）は受光チップを遮光性樹
脂基板に実装した場合を示す略断面図であり、図４
（ｂ）は発光チップを遮光性樹脂基板に実装した場合を
示す略断面図である。
【００２２】図４（ａ）において、本発明の一実施の形
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置３５は、
モールドされた発光側の単体３６とモールドされた受光
側の単体３７とを、貼り合わせて作る構造を特徴として
おり、２７は絶縁性熱硬化型接着テープ、２８は導電性
熱硬化型接着テープである。
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置３５は、
モールドされた発光側の単体３６とモールドされた受光
側の単体３７とを、貼り合わせて作る構造を特徴として
おり、２７は絶縁性熱硬化型接着テープ、２８は導電性
熱硬化型接着テープである。
【００２３】モールドされた発光側の単体３６は、透光
性あるいは半透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、
アクリル系、ポリエステル系等）によって成形された樹
脂基板１１、発光チップ側メッキパターン１６、発光チ
ップ１７、ダイボンド用銀ペースト１８、発光側の透光
性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、ポリ
エステル系等）１９、遮光性樹脂（エポキシ系、アクリ
ル系、ポリエステル系等）２０、とによって構成される
構造である。
性あるいは半透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、
アクリル系、ポリエステル系等）によって成形された樹
脂基板１１、発光チップ側メッキパターン１６、発光チ
ップ１７、ダイボンド用銀ペースト１８、発光側の透光
性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、ポリ
エステル系等）１９、遮光性樹脂（エポキシ系、アクリ
ル系、ポリエステル系等）２０、とによって構成される
構造である。
【００２４】一方、モールドされた受光側の単体３７
は、遮光性樹脂（液晶ポリマー、エポキシ系等）による
射出成形基板３８上に受光チップを搭載する構造であ
る。従って、受光側の単体３７は、遮光性樹脂３８、受
光チップ側メッキパターン２２、受光チップ２３、ダイ
ボンド用銀ペースト３９、ワイヤボンド用の金線４０、
受光側の透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アク
リル系、ポリエステル系等）２５、とによって構成され
る構造である。
は、遮光性樹脂（液晶ポリマー、エポキシ系等）による
射出成形基板３８上に受光チップを搭載する構造であ
る。従って、受光側の単体３７は、遮光性樹脂３８、受
光チップ側メッキパターン２２、受光チップ２３、ダイ
ボンド用銀ペースト３９、ワイヤボンド用の金線４０、
受光側の透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アク
リル系、ポリエステル系等）２５、とによって構成され
る構造である。
【００２５】図４（ｂ）は発光チップを遮光性樹脂基板
に実装した場合を示す図であり、本発明の一実施の形態
に関する超小型リードレス面実装光結合装置３５は、モ
ールドされた受光側の単体４１とモールドされた発光側
の単体４２とを、貼り合わせて作る構造を特徴としてお
り、２７は絶縁性熱硬化型接着テープ、２８は導電性熱
硬化型接着テープである。
に実装した場合を示す図であり、本発明の一実施の形態
に関する超小型リードレス面実装光結合装置３５は、モ
ールドされた受光側の単体４１とモールドされた発光側
の単体４２とを、貼り合わせて作る構造を特徴としてお
り、２７は絶縁性熱硬化型接着テープ、２８は導電性熱
硬化型接着テープである。
【００２６】上方に示されるモールドされた受光側の単
体４１は、透光性あるいは半透光性樹脂（シリコーン
系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系等）によ
って成形された樹脂基板２１上に受光チップを搭載する
構造である。従って、受光側の単体４１は、透光性ある
いは半透光性樹脂基板２１、受光チップ側メッキパター
ン２２、受光チップ２３、半田バンプ２４、受光側の透
光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、ポ
リエステル系等）２５、遮光性樹脂（エポキシ系、アク
リル系、ポリエステル系等）２６、とによってモールド
された受光側の単体３１とが、絶縁性熱硬化型接着テー
プ２７によって貼り合されている構造であり、２８は導
電性熱硬化型接着テープである。
体４１は、透光性あるいは半透光性樹脂（シリコーン
系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系等）によ
って成形された樹脂基板２１上に受光チップを搭載する
構造である。従って、受光側の単体４１は、透光性ある
いは半透光性樹脂基板２１、受光チップ側メッキパター
ン２２、受光チップ２３、半田バンプ２４、受光側の透
光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、ポ
リエステル系等）２５、遮光性樹脂（エポキシ系、アク
リル系、ポリエステル系等）２６、とによってモールド
された受光側の単体３１とが、絶縁性熱硬化型接着テー
プ２７によって貼り合されている構造であり、２８は導
電性熱硬化型接着テープである。
【００２７】一方、下方に示されるモールドされた発光
側の単体４２は、遮光性樹脂（液晶ポリマー、エポキシ
系等）による射出成形基板４３上に発光チップ１７を搭
載する構造である。従って、発光側の単体４２は、遮光
性樹脂基板４３、発光チップ側メッキパターン４４、発
光チップ１７、ダイボンド用銀ペースト１８、発光側の
透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、
ポリエステル系等）１９、及び４５、とによって構成さ
れる構造である。
側の単体４２は、遮光性樹脂（液晶ポリマー、エポキシ
系等）による射出成形基板４３上に発光チップ１７を搭
載する構造である。従って、発光側の単体４２は、遮光
性樹脂基板４３、発光チップ側メッキパターン４４、発
光チップ１７、ダイボンド用銀ペースト１８、発光側の
透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、
ポリエステル系等）１９、及び４５、とによって構成さ
れる構造である。
【００２８】［実施の形態３］図５は本発明の他の一実
施例を示す光結合装置の構造の略断面図であり、図６は
本発明の他の一実施例を示す光結合装置の製造工程のフ
ローチャートである。前記の図２との違いは、樹脂モー
ルド工程の順序であり、遮光性樹脂５４で発光チップ側
及び受光チップ側を一度に封止できるように、樹脂基板
に樹脂充填用のホール５３、５５を設けることにより、
樹脂モールド工程を樹脂基板の貼り合わせ工程後に行う
ことを特徴としている。
施例を示す光結合装置の構造の略断面図であり、図６は
本発明の他の一実施例を示す光結合装置の製造工程のフ
ローチャートである。前記の図２との違いは、樹脂モー
ルド工程の順序であり、遮光性樹脂５４で発光チップ側
及び受光チップ側を一度に封止できるように、樹脂基板
に樹脂充填用のホール５３、５５を設けることにより、
樹脂モールド工程を樹脂基板の貼り合わせ工程後に行う
ことを特徴としている。
【００２９】図６において、本発明の超小型リードレス
面実装光結合装置の製造工程は、先ず前半は２つの工程
フローよりなり、その一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）
チップのダイボンド工程、ワイヤボンド工程（図示せ
ず）、樹脂ポッティング工程、であり、他のもう一方の
工程は、受光（ＰＴ）チップのダイボンド工程、樹脂ポ
ッティング工程、である。
面実装光結合装置の製造工程は、先ず前半は２つの工程
フローよりなり、その一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）
チップのダイボンド工程、ワイヤボンド工程（図示せ
ず）、樹脂ポッティング工程、であり、他のもう一方の
工程は、受光（ＰＴ）チップのダイボンド工程、樹脂ポ
ッティング工程、である。
【００３０】次に、これら２つの工程で得られた発光側
実装基板と受光側実装基板とを貼り合わせて、超小型リ
ードレス面実装光結合装置を作る。即ち、樹脂基板の貼
り合わせ工程、樹脂モールド工程、ダイシング工程、絶
縁耐圧検査工程、電気的特性検査工程、外観検査工程、
梱包工程、出荷工程、である。
実装基板と受光側実装基板とを貼り合わせて、超小型リ
ードレス面実装光結合装置を作る。即ち、樹脂基板の貼
り合わせ工程、樹脂モールド工程、ダイシング工程、絶
縁耐圧検査工程、電気的特性検査工程、外観検査工程、
梱包工程、出荷工程、である。
【００３１】図５において、図５（ａ）は本発明の超小
型リードレス面実装光結合装置５０の略断面図であり、
図５（ｂ）は発光チップ側から見た上面図である。
型リードレス面実装光結合装置５０の略断面図であり、
図５（ｂ）は発光チップ側から見た上面図である。
【００３２】図５（ａ）において、本発明の一実施の形
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置５０は、
モールドされた発光側の単体５１とモールドされた受光
側の単体５２とを、貼り合わせて作る構造を特徴として
おり、２７は絶縁性熱硬化型接着テープ、２８は導電性
熱硬化型接着テープである。
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置５０は、
モールドされた発光側の単体５１とモールドされた受光
側の単体５２とを、貼り合わせて作る構造を特徴として
おり、２７は絶縁性熱硬化型接着テープ、２８は導電性
熱硬化型接着テープである。
【００３３】モールドされる発光側の単体５１は、樹脂
基板５６に樹脂充填用のホール５３を設けたことに特徴
があり、透光性あるいは半透光性樹脂（シリコーン系、
エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系等）によって
成形された樹脂基板５６、発光チップ側メッキパターン
１６、発光チップ１７、ダイボンド用銀ペースト１８、
発光側の透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アク
リル系、ポリエステル系等）１９、樹脂充填用のホール
５３、とによって構成される構造である。
基板５６に樹脂充填用のホール５３を設けたことに特徴
があり、透光性あるいは半透光性樹脂（シリコーン系、
エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系等）によって
成形された樹脂基板５６、発光チップ側メッキパターン
１６、発光チップ１７、ダイボンド用銀ペースト１８、
発光側の透光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アク
リル系、ポリエステル系等）１９、樹脂充填用のホール
５３、とによって構成される構造である。
【００３４】一方、モールドされる受光側の単体５２
は、樹脂基板５７に樹脂充填用のホール５５を設けたこ
とに特徴があり、透光性あるいは半透光性樹脂（シリコ
ーン系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系等）
によって成形された樹脂基板５７上に受光チップを搭載
する構造である。従って、受光側の単体５２は、透光性
あるいは半透光性樹脂５７、受光チップ側メッキパター
ン２２、受光チップ２３、半田バンプ２４、受光側の透
光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、ポ
リエステル系等）２５、樹脂充填用のホール５５、とに
よって構成される構造である。
は、樹脂基板５７に樹脂充填用のホール５５を設けたこ
とに特徴があり、透光性あるいは半透光性樹脂（シリコ
ーン系、エポキシ系、アクリル系、ポリエステル系等）
によって成形された樹脂基板５７上に受光チップを搭載
する構造である。従って、受光側の単体５２は、透光性
あるいは半透光性樹脂５７、受光チップ側メッキパター
ン２２、受光チップ２３、半田バンプ２４、受光側の透
光性樹脂（シリコーン系、エポキシ系、アクリル系、ポ
リエステル系等）２５、樹脂充填用のホール５５、とに
よって構成される構造である。
【００３５】遮光性樹脂（エポキシ系、アクリル系、ポ
リエステル系等）５４によるモールドは、発光側の単体
５１と受光側の単体５２とを絶縁性熱硬化型接着テープ
２７によって貼り合わせ後に行われ、樹脂充填用のホー
ル５３、５５を介して同時にモールドされる。２８は導
電性熱硬化型接着テープである。
リエステル系等）５４によるモールドは、発光側の単体
５１と受光側の単体５２とを絶縁性熱硬化型接着テープ
２７によって貼り合わせ後に行われ、樹脂充填用のホー
ル５３、５５を介して同時にモールドされる。２８は導
電性熱硬化型接着テープである。
【００３６】発光チップ側から見た上面図である図５
（ｂ）において、１６は発光チップ側メッキパターン、
１７は発光チップ、１８はダイボンド用銀ペースト、１
９は発光側の透光性樹脂、５１はモールドされる発光側
の単体、５３は樹脂充填用のホール、５４は遮光性樹
脂、５６は透光性あるいは半透光性樹脂樹脂基板、であ
る。絶縁性熱硬化型接着テープ２７及び導電性熱硬化型
接着テープ２８は図示されていない。また、図示されは
いないが、受光チップ側から見た場合の図もほぼ同様で
ある。
（ｂ）において、１６は発光チップ側メッキパターン、
１７は発光チップ、１８はダイボンド用銀ペースト、１
９は発光側の透光性樹脂、５１はモールドされる発光側
の単体、５３は樹脂充填用のホール、５４は遮光性樹
脂、５６は透光性あるいは半透光性樹脂樹脂基板、であ
る。絶縁性熱硬化型接着テープ２７及び導電性熱硬化型
接着テープ２８は図示されていない。また、図示されは
いないが、受光チップ側から見た場合の図もほぼ同様で
ある。
【００３７】［実施の形態４］図７は本発明の他の一実
施例を示す光結合装置の構造の略断面図であり、図７
（ａ）は実施の形態１にスルーホールを設けた場合の略
断面図であり、図７（ｂ）は実施の形態２にスルーホー
ルを設けた場合の略断面図である。
施例を示す光結合装置の構造の略断面図であり、図７
（ａ）は実施の形態１にスルーホールを設けた場合の略
断面図であり、図７（ｂ）は実施の形態２にスルーホー
ルを設けた場合の略断面図である。
【００３８】図７（ａ）において、本発明の一実施の形
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置６０は、
スルーホール６１を設けたことを特徴とし、６２は発光
チップ側メッキパターン、６３は受光チップ側メッキパ
ターン、であり、スルーホール６１を介して導電性熱硬
化型接着テープ２８により、発光チップ側メッキパター
ンと受光チップ側メッキパターンとは電気的に接続され
る構造となっている。１１は発光側の透光性あるいは半
透光性樹脂基板、１７は発光チップ、１８はダイボンド
用銀ペースト、１９は発光側の透光性樹脂、２１は受光
側の透光性あるいは半透光性樹脂基板、２３は受光チッ
プ、２４は半田バンプ、２５は受光側の透光性樹脂、２
７は絶縁性熱硬化型接着テープ、２８は導電性熱硬化型
接着テープ、５３、５５は樹脂充填用のホール、５４は
遮光性樹脂、６４はモールドされた発光側の単体、６５
はモールドされた受光側の単体、である。
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置６０は、
スルーホール６１を設けたことを特徴とし、６２は発光
チップ側メッキパターン、６３は受光チップ側メッキパ
ターン、であり、スルーホール６１を介して導電性熱硬
化型接着テープ２８により、発光チップ側メッキパター
ンと受光チップ側メッキパターンとは電気的に接続され
る構造となっている。１１は発光側の透光性あるいは半
透光性樹脂基板、１７は発光チップ、１８はダイボンド
用銀ペースト、１９は発光側の透光性樹脂、２１は受光
側の透光性あるいは半透光性樹脂基板、２３は受光チッ
プ、２４は半田バンプ、２５は受光側の透光性樹脂、２
７は絶縁性熱硬化型接着テープ、２８は導電性熱硬化型
接着テープ、５３、５５は樹脂充填用のホール、５４は
遮光性樹脂、６４はモールドされた発光側の単体、６５
はモールドされた受光側の単体、である。
【００３９】図７（ｂ）において、本発明の一実施の形
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置６８は、
スルーホール６１を設けたことを特徴とし、６２は発光
チップ側メッキパターン、６３は受光チップ側メッキパ
ターン、であり、スルーホール６１を介して導電性熱硬
化型接着テープ２８により、発光チップ側メッキパター
ンと受光チップ側メッキパターンとは電気的に接続され
る構造となっている。１１は発光側の透光性あるいは半
透光性樹脂基板、１７は発光チップ、１８はダイボンド
用銀ペースト、１９は発光側の透光性樹脂、２３は受光
チップ、２５は受光側の透光性樹脂、２７は絶縁性熱硬
化型接着テープ、２８は導電性熱硬化型接着テープ、３
９はダイボンド用銀ペースト、４０はワイヤボンド用の
金線、４３は遮光性樹脂基板、６６はモールドされた発
光側の単体、６７はモールドされた受光側の単体、であ
る。
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置６８は、
スルーホール６１を設けたことを特徴とし、６２は発光
チップ側メッキパターン、６３は受光チップ側メッキパ
ターン、であり、スルーホール６１を介して導電性熱硬
化型接着テープ２８により、発光チップ側メッキパター
ンと受光チップ側メッキパターンとは電気的に接続され
る構造となっている。１１は発光側の透光性あるいは半
透光性樹脂基板、１７は発光チップ、１８はダイボンド
用銀ペースト、１９は発光側の透光性樹脂、２３は受光
チップ、２５は受光側の透光性樹脂、２７は絶縁性熱硬
化型接着テープ、２８は導電性熱硬化型接着テープ、３
９はダイボンド用銀ペースト、４０はワイヤボンド用の
金線、４３は遮光性樹脂基板、６６はモールドされた発
光側の単体、６７はモールドされた受光側の単体、であ
る。
【００４０】［実施の形態５］図８は本発明の他の一実
施例を示す光結合装置の構造の略断面図であり、図８
（ａ）は実施の形態４において、透光性あるいは半透光
性樹脂基板の表面にＵＶ型または熱硬化型の遮光性イン
クを塗布した場合の略断面図であり、図８（ｂ）は実施
の形態４ににおいて、透光性あるいは半透光性樹脂基板
の表面にＵＶ型または熱硬化型の遮光性インクを塗布し
た場合の略断面図である。
施例を示す光結合装置の構造の略断面図であり、図８
（ａ）は実施の形態４において、透光性あるいは半透光
性樹脂基板の表面にＵＶ型または熱硬化型の遮光性イン
クを塗布した場合の略断面図であり、図８（ｂ）は実施
の形態４ににおいて、透光性あるいは半透光性樹脂基板
の表面にＵＶ型または熱硬化型の遮光性インクを塗布し
た場合の略断面図である。
【００４１】図８（ａ）において、本発明の一実施の形
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置７０は、
透光性あるいは半透光性樹脂基板の表面にＵＶ型または
熱硬化型の遮光性インク７３を塗布したことを特徴と
し、６１はスルーホール、６２は発光チップ側メッキパ
ターン、６３は受光チップ側メッキパターン、である。
また、１１は発光側の透光性あるいは半透光性樹脂基
板、１７は発光チップ、１８はダイボンド用銀ペース
ト、１９は発光側の透光性樹脂、２１は受光側の透光性
あるいは半透光性樹脂基板、２３は受光チップ、２４は
半田バンプ、２５は受光側の透光性樹脂、２７は絶縁性
熱硬化型接着テープ、２８は導電性熱硬化型接着テー
プ、５３、５５は樹脂充填用のホール、５４は遮光性樹
脂、７１はモールドされた発光側の単体、７２はモール
ドされた受光側の単体、である。
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置７０は、
透光性あるいは半透光性樹脂基板の表面にＵＶ型または
熱硬化型の遮光性インク７３を塗布したことを特徴と
し、６１はスルーホール、６２は発光チップ側メッキパ
ターン、６３は受光チップ側メッキパターン、である。
また、１１は発光側の透光性あるいは半透光性樹脂基
板、１７は発光チップ、１８はダイボンド用銀ペース
ト、１９は発光側の透光性樹脂、２１は受光側の透光性
あるいは半透光性樹脂基板、２３は受光チップ、２４は
半田バンプ、２５は受光側の透光性樹脂、２７は絶縁性
熱硬化型接着テープ、２８は導電性熱硬化型接着テー
プ、５３、５５は樹脂充填用のホール、５４は遮光性樹
脂、７１はモールドされた発光側の単体、７２はモール
ドされた受光側の単体、である。
【００４２】図８（ｂ）において、本発明の一実施の形
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置７５は、
透光性あるいは半透光性樹脂基板の表面にＵＶ型または
熱硬化型の遮光性インク７３を塗布したことを特徴と
し、６１はスルーホール、６２は発光チップ側メッキパ
ターン、６３は受光チップ側メッキパターン、であり、
スルーホール６１を介して、発光チップ側メッキパター
ンは受光チップ側メッキパターンと電気的に接続される
構造となっている。また、１１は発光側の透光性あるい
は半透光性樹脂基板、１７は発光チップ、１８はダイボ
ンド用銀ペースト、１９は発光側の透光性樹脂、２１は
受光側の透光性あるいは半透光性樹脂基板、２３は受光
チップ、２５は受光側の透光性樹脂、２７は絶縁性熱硬
化型接着テープ、２８は導電性熱硬化型接着テープ、３
９はダイボンド用銀ペースト、４０はワイヤボンド用の
金線、５４は遮光性樹脂、７６はモールドされた発光側
の単体、７７はモールドされた受光側の単体、である。
態に関する超小型リードレス面実装光結合装置７５は、
透光性あるいは半透光性樹脂基板の表面にＵＶ型または
熱硬化型の遮光性インク７３を塗布したことを特徴と
し、６１はスルーホール、６２は発光チップ側メッキパ
ターン、６３は受光チップ側メッキパターン、であり、
スルーホール６１を介して、発光チップ側メッキパター
ンは受光チップ側メッキパターンと電気的に接続される
構造となっている。また、１１は発光側の透光性あるい
は半透光性樹脂基板、１７は発光チップ、１８はダイボ
ンド用銀ペースト、１９は発光側の透光性樹脂、２１は
受光側の透光性あるいは半透光性樹脂基板、２３は受光
チップ、２５は受光側の透光性樹脂、２７は絶縁性熱硬
化型接着テープ、２８は導電性熱硬化型接着テープ、３
９はダイボンド用銀ペースト、４０はワイヤボンド用の
金線、５４は遮光性樹脂、７６はモールドされた発光側
の単体、７７はモールドされた受光側の単体、である。
【００４３】上記の実施の形態１〜５を適用することに
より、外形サイズを大幅に小さくした超小型のリードレ
ス面実装光結合装置を実現することができる。即ち、従
来例のリードレス面実装光結合装置の外形サイズは、例
えば、縦３．５〜５．０ｍｍ、横６．０〜８．０ｍｍ、
２．５〜５．０ｍｍ、程度であったが、本発明のリード
レス面実装光結合装置の外形サイズは、縦１．５〜３．
０ｍｍ、横３．０〜６．０ｍｍ、高さ２．０〜４．０ｍ
ｍ、程度となり、体積において、１／５〜１／１０以下
の安定した超小型のリードレス面実装光結合装置を実現
することができる。
より、外形サイズを大幅に小さくした超小型のリードレ
ス面実装光結合装置を実現することができる。即ち、従
来例のリードレス面実装光結合装置の外形サイズは、例
えば、縦３．５〜５．０ｍｍ、横６．０〜８．０ｍｍ、
２．５〜５．０ｍｍ、程度であったが、本発明のリード
レス面実装光結合装置の外形サイズは、縦１．５〜３．
０ｍｍ、横３．０〜６．０ｍｍ、高さ２．０〜４．０ｍ
ｍ、程度となり、体積において、１／５〜１／１０以下
の安定した超小型のリードレス面実装光結合装置を実現
することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
光結合装置によれば、樹脂基板上に発光チップ側メッキ
パターンを設け、発光チップを実装し、該発光チップを
透光性樹脂で覆った発光側の単体と、樹脂基板上に受光
チップ側メッキパターンを設け、受光チップを実装した
受光側の単体とを、貼り合わす構造よりなることを特徴
とするものである。従って、透光性あるいは半透光性樹
脂基板により光パス（発光チップから受光チップへの光
経路）を形成することができ、安定した光結合装置を得
ることができる。
光結合装置によれば、樹脂基板上に発光チップ側メッキ
パターンを設け、発光チップを実装し、該発光チップを
透光性樹脂で覆った発光側の単体と、樹脂基板上に受光
チップ側メッキパターンを設け、受光チップを実装した
受光側の単体とを、貼り合わす構造よりなることを特徴
とするものである。従って、透光性あるいは半透光性樹
脂基板により光パス（発光チップから受光チップへの光
経路）を形成することができ、安定した光結合装置を得
ることができる。
【００４５】また、本発明の請求項２記載の光結合装置
によれば、発光チップまたは受光チップが実装される前
記樹脂基板の一方を透光性あるいは半透光性樹脂基板と
し、前記樹脂基板の他の一方を遮光性樹脂基板としたこ
とを特徴とするものである。従って、前記樹脂基板の他
の一方を遮光性樹脂基板とすることにより、外乱光の侵
入を遮断し、誤動作等を防止することができ、特性の安
定した光結合装置を得ることができる。
によれば、発光チップまたは受光チップが実装される前
記樹脂基板の一方を透光性あるいは半透光性樹脂基板と
し、前記樹脂基板の他の一方を遮光性樹脂基板としたこ
とを特徴とするものである。従って、前記樹脂基板の他
の一方を遮光性樹脂基板とすることにより、外乱光の侵
入を遮断し、誤動作等を防止することができ、特性の安
定した光結合装置を得ることができる。
【００４６】また、本発明の請求項３記載の光結合装置
によれば、発光チップまたは受光チップが実装される前
記樹脂基板に樹脂充填用のホールを設けたことを特徴と
するものである。従って、樹脂充填用のホールを設ける
ことにより、樹脂基板の貼り合わせ後に、発光チップが
実装された樹脂基板と受光チップが実装された樹脂基板
とを同時に一度で樹脂封止できると共に、受発光樹脂基
板の貼り合わせ精度を高めることができる。
によれば、発光チップまたは受光チップが実装される前
記樹脂基板に樹脂充填用のホールを設けたことを特徴と
するものである。従って、樹脂充填用のホールを設ける
ことにより、樹脂基板の貼り合わせ後に、発光チップが
実装された樹脂基板と受光チップが実装された樹脂基板
とを同時に一度で樹脂封止できると共に、受発光樹脂基
板の貼り合わせ精度を高めることができる。
【００４７】また、本発明の請求項４記載の光結合装置
によれば、前記発光側の単体または及び受光側の単体の
表面に、遮光性樹脂を設けることを特徴とするものであ
る。従って、遮光性樹脂を樹脂基板の表面に塗布するこ
とにより、外乱光の侵入を遮断し、誤動作等を防止する
ことができ、特性の安定した光結合装置を得ることがで
きる。
によれば、前記発光側の単体または及び受光側の単体の
表面に、遮光性樹脂を設けることを特徴とするものであ
る。従って、遮光性樹脂を樹脂基板の表面に塗布するこ
とにより、外乱光の侵入を遮断し、誤動作等を防止する
ことができ、特性の安定した光結合装置を得ることがで
きる。
【００４８】また、本発明の請求項５記載の光結合装置
によれば、前記発光側の単体と前記受光側の単体とを、
絶縁性熱硬化型接着テープ及び導電性熱硬化型接着テー
プを用いて貼り合わす構造よりなることを特徴とするも
のである。従って、接着剤や導電性ペーストにより貼り
合わす従来例の場合は、塗布量のバラツキによる接着強
度のバラツキが大きかったが、本発明では厚みが制御さ
れた絶縁性熱硬化型接着テープ及び導電性熱硬化型接着
テープを用いて貼り合わす構造のため、接着強度を高い
値で安定化することができる。
によれば、前記発光側の単体と前記受光側の単体とを、
絶縁性熱硬化型接着テープ及び導電性熱硬化型接着テー
プを用いて貼り合わす構造よりなることを特徴とするも
のである。従って、接着剤や導電性ペーストにより貼り
合わす従来例の場合は、塗布量のバラツキによる接着強
度のバラツキが大きかったが、本発明では厚みが制御さ
れた絶縁性熱硬化型接着テープ及び導電性熱硬化型接着
テープを用いて貼り合わす構造のため、接着強度を高い
値で安定化することができる。
【００４９】また、本発明の請求項６記載の光結合装置
の製造方法によれば、前半は２つの工程フローよりな
り、その一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイ
ボンド工程、樹脂ポッティング工程、樹脂モールド工
程、を含み、他のもう一方の工程は、受光（ＰＴ）チッ
プのダイボンド工程、樹脂ポッティング工程、樹脂モー
ルド工程、を含み、後半は前記２つの工程で得られた発
光側実装基板と受光側実装基板との樹脂基板の貼り合わ
せ工程、ダイシング工程、を含む、ことを特徴とするも
のである。従って、製造工程フローを単純化できると共
に、特性の安定した光結合装置を得る製造方法を得るこ
とができる。
の製造方法によれば、前半は２つの工程フローよりな
り、その一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイ
ボンド工程、樹脂ポッティング工程、樹脂モールド工
程、を含み、他のもう一方の工程は、受光（ＰＴ）チッ
プのダイボンド工程、樹脂ポッティング工程、樹脂モー
ルド工程、を含み、後半は前記２つの工程で得られた発
光側実装基板と受光側実装基板との樹脂基板の貼り合わ
せ工程、ダイシング工程、を含む、ことを特徴とするも
のである。従って、製造工程フローを単純化できると共
に、特性の安定した光結合装置を得る製造方法を得るこ
とができる。
【００５０】さらに、本発明の請求項７記載の光結合装
置の製造方法によれば、前半は２つの工程フローよりな
り、その一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイ
ボンド工程、樹脂ポッティング工程、を含み、他のもう
一方の工程は、受光（ＰＴ）チップのダイボンド工程、
樹脂ポッティング工程、を含み、後半は前記２つの工程
で得られた発光側実装基板と受光側実装基板との樹脂基
板の貼り合わせ工程、樹脂モールド工程、ダイシング工
程、を含む、ことを特徴とするものである。従って、樹
脂充填用のホールを設けることにより、受発光樹脂基板
の樹脂モールド工程を同時に一度で行うことができ、製
造工程フローを工数を削減できると共に、特性の安定し
た光結合装置を得る製造方法を得ることができる。
置の製造方法によれば、前半は２つの工程フローよりな
り、その一方の工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイ
ボンド工程、樹脂ポッティング工程、を含み、他のもう
一方の工程は、受光（ＰＴ）チップのダイボンド工程、
樹脂ポッティング工程、を含み、後半は前記２つの工程
で得られた発光側実装基板と受光側実装基板との樹脂基
板の貼り合わせ工程、樹脂モールド工程、ダイシング工
程、を含む、ことを特徴とするものである。従って、樹
脂充填用のホールを設けることにより、受発光樹脂基板
の樹脂モールド工程を同時に一度で行うことができ、製
造工程フローを工数を削減できると共に、特性の安定し
た光結合装置を得る製造方法を得ることができる。
【図１】本発明の本発明の一実施の形態に関する超小型
リードレス面実装光結合装置の略断面図である。
リードレス面実装光結合装置の略断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に関する超小型リードレ
ス面実装光結合装置の製造工程のフローチャートであ
る。
ス面実装光結合装置の製造工程のフローチャートであ
る。
【図３】本発明の一実施の形態に関する超小型リードレ
ス面実装光結合装置の樹脂基板を示す図であり、（ａ）
は樹脂基板の表面側を示す図であり、（ｂ）は樹脂基板
の裏面側を示す図である。
ス面実装光結合装置の樹脂基板を示す図であり、（ａ）
は樹脂基板の表面側を示す図であり、（ｂ）は樹脂基板
の裏面側を示す図である。
【図４】本発明の他の一実施の形態に関する超小型リー
ドレス面実装光結合装置３５に関する面図であり、
（ａ）は受光チップを遮光性樹脂基板に実装した場合を
示す略断面図であり、（ｂ）は発光チップを遮光性樹脂
基板に実装した場合を示す略断面図である。
ドレス面実装光結合装置３５に関する面図であり、
（ａ）は受光チップを遮光性樹脂基板に実装した場合を
示す略断面図であり、（ｂ）は発光チップを遮光性樹脂
基板に実装した場合を示す略断面図である。
【図５】本発明の他の一実施の形態に関する超小型リー
ドレス面実装光結合装置５０に関する面図であり、
（ａ）は略断面図であり、（ｂ）は発光チップ側から見
た上面図である。
ドレス面実装光結合装置５０に関する面図であり、
（ａ）は略断面図であり、（ｂ）は発光チップ側から見
た上面図である。
【図６】本発明の他の一実施の形態に関する超小型リー
ドレス面実装光結合装置の製造工程のフローチャートで
ある。
ドレス面実装光結合装置の製造工程のフローチャートで
ある。
【図７】本発明の他の一実施の形態に関する超小型リー
ドレス面実装光結合装置に関する面図であり、（ａ）は
実施の形態１にスルーホールを設けた場合の略断面図で
あり、（ｂ）は実施の形態２にスルーホールを設けた場
合の略断面図である。
ドレス面実装光結合装置に関する面図であり、（ａ）は
実施の形態１にスルーホールを設けた場合の略断面図で
あり、（ｂ）は実施の形態２にスルーホールを設けた場
合の略断面図である。
【図８】本発明の他の一実施の形態に関する超小型リー
ドレス面実装光結合装置に関する面図であり、（ａ）は
実施の形態４において、透光性あるいは半透光性樹脂基
板の表面にＵＶ型または熱硬化型の遮光性インクを塗布
した場合の略断面であり、（ｂ）は実施の形態４ににお
いて透光性あるいは半透光性樹脂基板の表面にＵＶ型ま
たは熱硬化型の遮光性インクを塗布した場合の略断面で
ある。
ドレス面実装光結合装置に関する面図であり、（ａ）は
実施の形態４において、透光性あるいは半透光性樹脂基
板の表面にＵＶ型または熱硬化型の遮光性インクを塗布
した場合の略断面であり、（ｂ）は実施の形態４ににお
いて透光性あるいは半透光性樹脂基板の表面にＵＶ型ま
たは熱硬化型の遮光性インクを塗布した場合の略断面で
ある。
【図９】従来例の技術に基づく構成のリードレス面実装
光結合装置の略断面図である。
光結合装置の略断面図である。
【図１０】従来例の技術に基づく構成のリードレス面実
装光結合装置の製造工程のフローチャートである。
装光結合装置の製造工程のフローチャートである。
１０ 超小型リードレス面実装光結合装置 １１ 透光性あるいは半透光性樹脂によって成形された
樹脂基板 １２ 基板１１上に形成されたメッキパターン １３ メッキパターン配線用ホール １４ カット位置を示す切断用ライン １５ 基板１１上に形成されたメッキパターン １６ 発光チップ側メッキパターン １７ 発光チップ １８ ダイボンド用銀ペースト １９ 発光側の透光性樹脂 ２０ 遮光性樹脂 ２１ 透光性あるいは半透光性樹脂によって成形された
樹脂基板 ２２ 受光チップ側メッキパターン ２３ 受光チップ ２４ 半田バンプ ２５ 受光側の透光性樹脂 ２６ 遮光性樹脂 ２７ 絶縁性熱硬化型接着テープ ２８ 導電性熱硬化型接着テープ ３０ 発光側の単体 ３１ 受光側の単体 ３５ 超小型リードレス面実装光結合装置 ３６ 発光側の単体 ３７ 受光側の単体 ３８ 遮光性樹脂基板 ３９ ダイボンド用銀ペースト ４０ ワイヤボンド用の金線 ４１ 受光側の単体 ４２ 発光側の単体 ４３ 遮光性樹脂基板 ４４ 発光チップ側メッキパターン ４５ 発光側の透光性樹脂 ５０ 超小型リードレス面実装光結合装置 ５１ 発光側の単体 ５２ 受光側の単体 ５３ 樹脂充填用のホール ５４ 遮光性樹脂 ５５ 樹脂充填用のホール ５６ 透光性あるいは半透光性樹脂樹脂基板 ５７ 透光性あるいは半透光性樹脂基板 ６０ 超小型リードレス面実装光結合装置 ６１ スルーホール ６２ 発光チップ側メッキパターン ６３ 受光チップ側メッキパターン ６４ 発光側の単体 ６５ 受光側の単体 ６６ 発光側の単体 ６７ 受光側の単体 ６８ 超小型リードレス面実装光結合装置 ７０ 超小型リードレス面実装光結合装置 ７１ 発光側の単体 ７２ 受光側の単体 ７３ ＵＶ型または熱硬化型の遮光性インク ７５ 超小型リードレス面実装光結合装置 ７６ 発光側の単体 ７７ 受光側の単体
樹脂基板 １２ 基板１１上に形成されたメッキパターン １３ メッキパターン配線用ホール １４ カット位置を示す切断用ライン １５ 基板１１上に形成されたメッキパターン １６ 発光チップ側メッキパターン １７ 発光チップ １８ ダイボンド用銀ペースト １９ 発光側の透光性樹脂 ２０ 遮光性樹脂 ２１ 透光性あるいは半透光性樹脂によって成形された
樹脂基板 ２２ 受光チップ側メッキパターン ２３ 受光チップ ２４ 半田バンプ ２５ 受光側の透光性樹脂 ２６ 遮光性樹脂 ２７ 絶縁性熱硬化型接着テープ ２８ 導電性熱硬化型接着テープ ３０ 発光側の単体 ３１ 受光側の単体 ３５ 超小型リードレス面実装光結合装置 ３６ 発光側の単体 ３７ 受光側の単体 ３８ 遮光性樹脂基板 ３９ ダイボンド用銀ペースト ４０ ワイヤボンド用の金線 ４１ 受光側の単体 ４２ 発光側の単体 ４３ 遮光性樹脂基板 ４４ 発光チップ側メッキパターン ４５ 発光側の透光性樹脂 ５０ 超小型リードレス面実装光結合装置 ５１ 発光側の単体 ５２ 受光側の単体 ５３ 樹脂充填用のホール ５４ 遮光性樹脂 ５５ 樹脂充填用のホール ５６ 透光性あるいは半透光性樹脂樹脂基板 ５７ 透光性あるいは半透光性樹脂基板 ６０ 超小型リードレス面実装光結合装置 ６１ スルーホール ６２ 発光チップ側メッキパターン ６３ 受光チップ側メッキパターン ６４ 発光側の単体 ６５ 受光側の単体 ６６ 発光側の単体 ６７ 受光側の単体 ６８ 超小型リードレス面実装光結合装置 ７０ 超小型リードレス面実装光結合装置 ７１ 発光側の単体 ７２ 受光側の単体 ７３ ＵＶ型または熱硬化型の遮光性インク ７５ 超小型リードレス面実装光結合装置 ７６ 発光側の単体 ７７ 受光側の単体
Claims (7)
- 【請求項１】 樹脂基板上に発光チップ側メッキパター
ンを設け、発光チップを実装し、該発光チップを透光性
樹脂で覆った発光側の単体と、樹脂基板上に受光チップ
側メッキパターンを設け、受光チップを実装した受光側
の単体とを、貼り合わす構造よりなることを特徴とする
光結合装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光結合装置において、発
光チップまたは受光チップが実装される前記樹脂基板の
一方を透光性あるいは半透光性樹脂基板とし、前記樹脂
基板の他の一方を遮光性樹脂基板としたことを特徴とす
る光結合装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の光結合装置において、発
光チップまたは受光チップが実装される前記樹脂基板に
樹脂充填用のホールを設けたことを特徴とする光結合装
置。 - 【請求項４】 請求項１記載の光結合装置において、前
記発光側の単体または及び受光側の単体の表面に、遮光
性樹脂を設けることを特徴とする光結合装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４記載の光結合装置におい
て、前記発光側の単体と前記受光側の単体とを、絶縁性
熱硬化型接着テープ及び導電性熱硬化型接着テープを用
いて貼り合わす構造よりなることを特徴とする光結合装
置。 - 【請求項６】 請求項１記載の光結合装置の製造方法に
おいて、前半は２つの工程フローよりなり、その一方の
工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイボンド工程、樹
脂ポッティング工程、樹脂モールド工程、を含み、他の
もう一方の工程は、受光（ＰＴ）チップのダイボンド工
程、樹脂ポッティング工程、樹脂モールド工程、を含
み、後半は前記２つの工程で得られた発光側実装基板と
受光側実装基板との樹脂基板の貼り合わせ工程、ダイシ
ング工程、を含む、ことを特徴とする光結合装置の製造
方法。 - 【請求項７】 請求項１記載の光結合装置の製造方法に
おいて、前半は２つの工程フローよりなり、その一方の
工程は、赤外発光（ＧＬ）チップのダイボンド工程、樹
脂ポッティング工程、を含み、他のもう一方の工程は、
受光（ＰＴ）チップのダイボンド工程、樹脂ポッティン
グ工程、を含み、後半は前記２つの工程で得られた発光
側実装基板と受光側実装基板との樹脂基板の貼り合わせ
工程、樹脂モールド工程、ダイシング工程、を含む、こ
とを特徴とする光結合装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03857898A JP3493302B2 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 光結合装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03857898A JP3493302B2 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 光結合装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11238908A true JPH11238908A (ja) | 1999-08-31 |
| JP3493302B2 JP3493302B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=12529184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03857898A Expired - Fee Related JP3493302B2 (ja) | 1998-02-20 | 1998-02-20 | 光結合装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3493302B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192565A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Hitachi Cable Ltd | 衝撃検知光ファイバセンサ及びその製造方法 |
| JP2013038254A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Fusheng Industrial Co Ltd | 発光ダイオードの熱硬化性樹脂フレームの製造方法 |
-
1998
- 1998-02-20 JP JP03857898A patent/JP3493302B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007192565A (ja) * | 2006-01-17 | 2007-08-02 | Hitachi Cable Ltd | 衝撃検知光ファイバセンサ及びその製造方法 |
| JP2013038254A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Fusheng Industrial Co Ltd | 発光ダイオードの熱硬化性樹脂フレームの製造方法 |
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