JPH11237563A - 回折型光変調素子と回折型光変調素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 回折型光変調素子のスティッキングを防止す
る。 【解決手段】 下部電極部２０において、シリコン基板
２１の上面全体に酸化膜２３を形成し、酸化膜２３の上
面にはアルミニウムから成る下部ミラー２２を配設す
る。下部ミラー２２の上面において、上部電極部のグレ
ーティング梁部１１の各ミラー要素１１ｂに対応する位
置に二酸化珪素から成る絶縁体のストッパー２４を配設
する。酸化膜２３の上面において、グレーティング梁部
１１の開口部１１ａの両端部の外側に対応する位置に、
感光性樹脂から成る支持板を形成する。上部電極部を支
持板により支持することにより、グレーティング梁部１
１は下部ミラー２２から所定の間隔をおいて位置決めさ
れ、中空に浮上している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、グレーティング梁
構造を有する回折型光変調素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、静電気による引力を用いた反射回
折型の光変調素子が知られている。このような回折型光
変調素子は、シリコン基板と、相互に平行に配列された
平板状の複数の梁部材とを有しており、各梁部材はシリ
コン基板上に設けられたポスト部材により両端を支持さ
れ、通常はシリコン基板から所定の間隔をおいて配設さ
れる。梁部材は例えば窒化珪素から成り、シリコン基板
と対向する面の反対側の表面にはアルミニウムの薄膜が
コーティングされミラー面となっている。一方、シリコ
ン基板の梁部材と対向する面において、各梁部材の間に
対応する部分にはアルミニウムの薄膜がコーティングさ
れミラー面となっている。梁部材のシリコン基板に対向
する面とシリコン基板の表面との間の距離は、照射され
る光の波長（λ）の例えば１／２となるよう配設され、
またグレーティング梁部材の板厚は例えばその波長の１
／４となるよう形成される。

【０００３】このような光変調素子において、梁部材の
ミラー面とシリコン基板のミラー面との間に電圧を印加
することにより、梁部材を静電引力でシリコン基板に密
着するよう変位させる。梁部材とシリコン基板の間に電
圧が印加されていないとき、梁部材はシリコン基板に対
して平行であり、梁部材のミラー面とシリコン基板のミ
ラー面の間はλ／２だけ離れている。この状態では、シ
リコン基板に対して照射された波長λの単色光は、回折
作用によって反射される。これに対し、梁部材とシリコ
ン基板の間に電圧を印加すると、梁部材は静電引力によ
りその裏面がシリコン基板に密着するように撓み、梁部
材のミラー面とシリコン基板のミラー面の距離はλ／４
になる。この状態では、基板に対する入射光と反射光が
打消しあい、反射光は存在しない。従って、電圧の印加
を制御して静電引力による梁部材の変位を高速に行うこ
とにより、反射回折型の高速光変調を行うことができ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、シリコン基
板の表面には高温で酸素と反応させることにより二酸化
珪素膜が形成されており、一方、梁部材は上述のように
窒化珪素である。すなわち、梁部材およびシリコン基板
の表面は絶縁体である。従って、電圧かけると電荷が蓄
積することがあり、その結果、静電引力により梁部材が
シリコン基板表面の二酸化珪素膜に接触した際、梁部材
が酸化膜に結合し離れなくなるという現象、すなわちス
ティッキングが発生するという問題があった。

【０００５】本発明は、以上の問題を解決するものであ
り、スティッキングが発生することのない回折型光変調
素子を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明にかかる回折型光
変調素子は、表面に導電体から成る第１のミラーが形成
された基板と、導電体から成り、複数のスリット状の開
口部が平行に形成され、第１のミラーが形成された側に
基板から所定の間隔をおいて配設される第２のミラー
と、第１のミラー上の第２のミラーに対応する位置に配
設された絶縁部材とを備え、第１および第２のミラーを
電極として電圧を印加することにより発生する静電引力
により第２のミラーを基板側に変位させ、第１および第
２のミラーの側からの入射光を回折させることを特徴と
する。

【０００７】第１および第２のミラーは金属、例えばア
ルミニウムであり、基板はシリコンであり、絶縁部材は
二酸化珪素である。

【０００８】第２のミラーが変位する際、第２のミラー
の平面性が保持されるよう、絶縁部材が第１のミラーに
おいて複数箇所設けられている。

【０００９】基板上において複数のスリット状の開口部
の両端部の外側に対応する位置に設けられた支持部材に
より、第２のミラーが支持される。。

【００１０】また本発明にかかる回折型光変調素子は、
入射光を反射する平板状の第１の電極と、複数のスリッ
ト状の開口部が平行に形成され、入射光を反射するグレ
ーティング梁部を有し、グレーティング梁部が第１の電
極に対向するよう配設された第２の電極と、第１の電極
の第２の電極と対向する面上において、グレーティング
梁部に対応する領域内に配設された絶縁部材とを備え、
第１および第２の電極の間に電圧を印加することにより
発生する静電引力により第２の電極のグレーティング梁
部を第１の電極側に変位させ、入射光を回折させること
を特徴とし、第１および第２の電極はアルミニウムであ
り、絶縁部材は二酸化珪素である。

【００１１】グレーティング梁部が変位する際、入射光
に対するグレーティング梁部の平面性が保持されるよ
う、絶縁部材が第１の電極において複数箇所設けられて
いる。

【００１２】第１の電極はシリコン基板上に設けられて
おり、シリコン基板上において複数のスリット状の開口
部の両端部の外側に対応する位置に設けられた支持部材
により、第２の電極が支持される

【００１３】本発明に係る回折型光変調素子の製造方法
は、表面に酸化膜が形成されたシリコンから成る基板の
酸化膜上にスパッタリングにより第１のアルミニウム層
を積層する第１ステップと、 第１のアルミニウム層の
上面にスパッタリングにより二酸化珪素層を積層する第
２ステップと、二酸化珪素層の上面にスピンコートによ
りレジストを塗布して第１のレジスト層を形成する第３
ステップと、第１のレジスト層に第１のパターンが形成
された第１のマスクを密着させ、露光し現像することに
より、二酸化珪素層の上面にレジストから成る第１のパ
ターンを形成する第４ステップと、二酸化珪素層にエッ
チングを施すことにより第１のアルミニウム層の上面に
二酸化珪素から成る第１のパターンを形成する第５ステ
ップと、レジストから成る第１のパターンを剥離する第
６ステップと、第１のアルミニウム層にスピンコートに
よりレジストを塗布することにより第２のレジスト層を
形成する第７ステップと、第２のレジスト層に第２のア
ルミニウム層を形成する第８ステップと、第２のアルミ
ニウム層にスリット状でかつ互いに平行に延びる複数の
開口部を備える第２のパターンが形成された第２のマス
クを密着させ、露光し現像することにより、第２のレジ
スト層の上面にアルミニウムから成る第２のパターンを
形成する第９ステップと、第２のレジスト層をエッチン
グ処理により除去することにより、アルミニウムから成
る第２のパターンを、第１のアルミニウム層から所定の
距離離れたグレーティング梁部とする第１０ステップと
を備え、第１のアルミニウム層においてグレーティング
梁部の複数の開口部に挟まれた部分に対応する領域内
に、二酸化珪素から成る第１のパターンが形成されるこ
とを特徴とする。

【００１４】グレーティング梁部が静電引力により第１
のアルミニウム層側に変位する際のグレーティング梁部
の平面性が保持されるよう、二酸化珪素から成る第１の
パターンが形成される。

【００１５】第５ステップのエッチングは弗化炭素ガス
を用いたプラズマエッチングであり、第８ステップにお
いてスパッタリングあるいは蒸着法により第２のアルミ
ニウム層が形成され、第１０ステップのエッチング処理
はドライエッチング処理である。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は本発明の実施形態に係る回
折型光変調素子を模式的に示す平面図である。回折型光
変調素子１は上部電極部１０と下部電極部２０を有して
いる。上部電極部１０は、アルミニウムをスパッタリン
グあるいは蒸着することにより成形される矩形の薄膜で
あり、その表面は入射光を反射するミラー面である。上
部電極部１０の下部電極部２０に対応する端部にはグレ
ーティング梁部１１（第２のミラー）が形成されてい
る。グレーティング梁部１１には、上部電極部１０の長
手方向に沿って、複数のスリット状の開口部１１ａが互
いに平行に形成されている。換言すれば、グレーティン
グ梁部１１において、矩形の複数のミラー要素１１ｂが
上部電極部１０の長手方向に沿って所定の間隔をおいて
互いに平行に配設されている。このような構成を有する
複数の上部電極１０が、下部電極部２０の上方において
互いに長手方向が平行となるよう隣接して配設されてい
る。

【００１７】図２は図１におけるＡ−Ａ矢視断面図、図
３は図１におけるＢ−Ｂ矢視断面図である。尚、図２に
おいて各部材の厚みは図３に比べ拡大して示している。
また紙面の都合上、グレーティング梁部１１の長手方
向、すなわち図２における左右方向の幅は、紙面の都合
上、実際の各部材の厚み対する割合よりも縮小して示し
ている。下部電極部２０において、シリコン基板２１の
上面全体には酸化膜２３が形成されている。酸化膜２３
の上面にはアルミニウムから成る下部ミラー２２（第１
のミラー）が配設されている。下部ミラー２２の上面に
は二酸化珪素から成る絶縁体のストッパー２４が配設さ
れている。下部ミラー２２の上面においてグレーティン
グ梁部１１の各ミラー要素１１ｂに対応する位置に、一
対のストッパー２４がグレーティング梁部１１の長手方
向に沿って５組、すなわち１０個設けられている。

【００１８】さらに、酸化膜２３の上面において、グレ
ーティング梁部１１の各開口部１１ａの両端部の外側に
対応する位置には、感光性樹脂から成る支持板２５が形
成されており、上部電極部１０は、支持板２５に支持さ
れている。従って、グレーティング梁部１１は下部ミラ
ー２２から所定の間隔をおいて位置決めされ、中空に浮
上している。

【００１９】グレーティング梁部１１および下部ミラー
２２は上述のようにアルミニウムから成る導電体である
ため、それぞれを電極として電圧を印加することにより
電界が発生する。その結果、静電気の引力によりグレー
ティング梁部１１は下部ミラー２２の側に変位する。電
圧を印加した場合の図１におけるＡ−Ａ矢視断面図を図
４に、Ｂ−Ｂ矢視断面図を図５に示す。尚、図４も図２
と同様、各部材の厚みは図５に比べ拡大して示し、グレ
ーティング梁部１１の長手方向の幅は実際の各部材の厚
み対する割合よりも縮小して示している。グレーティン
グ梁部１１の長手方向の幅は縮小して示してある。下部
ミラー２２の上面にはグレーティング梁部１１のミラー
要素１１ｂに対応する位置にストッパー２４が配設され
ているため、グレーティング梁部１１が下部ミラー１１
の側に変位する際、グレーティング梁部１１と下部ミラ
ー２２の接触が防止される。その結果、電圧印加時の上
部電極部１０と下部電極部２０の導通が防止される。
尚、電圧の印加によるグレーティング梁部１１の変位
は、各上部電極部１０毎に独立して行われる。

【００２０】次に、図６〜図１４を用いて、回折型光変
調素子１の製造方法を説明する。図６〜図１４は、回折
型光変調素子１の製造の各工程における積層体を図１の
線Ｂ−Ｂの位置で切断した断面図である。図６は、表面
に酸化膜２３が形成された状態のシリコン基板２１の断
面図である。酸化膜２３はシリコン基板２１の表面を高
温で酸素と反応させることにより形成される。このよう
なシリコン基板２１の酸化膜２３の上面に、スパッタリ
ングにより下部ミラー２２（第１のアルミニウム層）を
形成する。さらに、図７に示すように下部ミラー２２の
上面にスパッタリングにより二酸化珪素層２４０を積層
する。

【００２１】次いで、図８に示すように二酸化珪素層２
４０の上面に、例えばポジ型の感光性樹脂であるレジス
トを塗布して第１のレジスト層２４１を形成する。第１
のレジスト層２４１にフォトリソグラフィを施す。すな
わち、第１のレジスト層２４１に図２〜図５に示す複数
のストッパー２４に相当するパターン（第１のパター
ン）が形成されたマスクを密着させ、露光し現像する。
その結果、第１のレジスト層２４１においてマスクに形
成されたパターンに相当する部分以外の部分が除去さ
れ、二酸化珪素層２４０の上面に、レジストから成りか
つストッパー２４に対応するパターン２４１ａが形成さ
れる（図９参照）。

【００２２】図９の積層体の二酸化珪素層２４０に弗化
炭素ガスを用いてプラズマエッチングを施す。エッチン
グを施す際、二酸化珪素層２４０においてレジストのパ
ターン２４１ａが形成された部分は保護されるため、図
１０に示すように、パターンが形成されていない部分の
み除去される。図１０の積層体をアセトン等の有機溶媒
液につけることによりレジストのパターン２４１ａを剥
離し、さらに下部ミラー２２の端部をフォトエッチング
により除去する。その結果、下部ミラー２２の上面に二
酸化珪素から成るストッパー２４が形成された積層体が
得られる（図１１参照）。

【００２３】次いで、図１１の積層体の上面にスピンコ
ートにより感光性樹脂を塗布し、第２のレジスト層２５
０を積層し（図１２参照）、さらに図１３に示すように
第２のレジスト層の上面に蒸着法により第２のアルミニ
ウム層１２０を形成する。

【００２４】第１のレジスト層２４１にフォトリソグラ
フィを施したのと同様に、第２のアルミニウム層１２０
にフォトリソグラフィを施す。すなわち、例えばポジ型
の感光性樹脂を第２のアルミニウム層に塗布し、グレー
ティング梁部１１（図１参照）に相当するパターン（第
２のパターン）が形成されたマスクを密着させ、露光し
現像することにより、第２のアルミニウム層１２０の上
面に、感光性樹脂から成るグレーティング梁部１１に相
当するパターンを形成する。さらに、第２のアルミニウ
ム層１２０に対して液体エッチングを行い残存している
感光性樹脂を除去し、図１４に示すようにアルミニウム
から成るグレーティング梁部１１を形成する。

【００２５】図１５は、図１４に示す段階の積層体を図
１の線Ａ−Ａの位置で切断した断面図であり、図２およ
び図４と同様、各部材の厚みは図１４に比べ拡大して示
し、グレーティング梁部１１の長手方向の幅は実際の各
部材の厚み対する割合よりも縮小して示している。図１
４および図１５に示す段階の積層体の第２のレジスト層
２５０を、グレーティング梁部１１の開口部の両端部の
外側に対応する部分を残して、酸素プラズマを用いたド
ライエッチングにより除去する。その結果、図２および
図３に示すような、下部電極部２０において上部電極部
１０のグレーティング梁部１１の開口部の両端部の外側
に対応する部分に設けられた支持板２５により、上部電
極部１０が支持され、グレーティング梁部１１が下部ミ
ラー２２から所定の距離離れ中空に浮上している回折型
光変調素子１が得られる。

【００２６】尚、本実施形態では第２のレジスト層２５
０の除去はドライエッチングで行うため、乾燥工程を必
要とするウエットエッチングよりも処理が簡易であり、
また、ウエットエッチングのように表面張力によりエッ
チング処理液が下部電極部２０の表面にはりつく恐れが
なく製品としての信頼性が高い。

【００２７】以上のように本実施形態によれば、下部ミ
ラー２２にストッパー２４が形成されているので、電圧
を印加してグレーティング梁部１１を下部ミラー２２側
に変位させる際、グレーティング梁部１１と下部ミラー
２２は直接接触せず、スティッキングが防止される。

【００２８】また、ストッパー２４は二酸化珪素から成
る絶縁体であるため、グレーティング梁部１１と下部ミ
ラー２２の導通が防止される。

【００２９】さらに、ストッパー２４は下部ミラー２２
のグレーティング梁部１１の各ミラー要素１１ｂに対応
する部分において、１０箇所設けられている。従って、
グレーティング梁部１１が下部ミラー２２側に変位する
際の入射光に対する平面性が維持され、入射光の回折が
正確に行われる。

【００３０】本実施形態の回折型光変調素子１は、下部
ミラー２２をグレーティング梁部１１が形成される領域
のシリコン基板２１上全面に一体的に形成し、その上面
に絶縁体からなるストッパ２４を配設すればよいため、
グレーティング梁部１１のはり付き防止のみならず、製
造が容易である。

【００３１】ストッパーの数および位置は本実施形態に
限るものではなく、電圧印加時のグレーティング梁部１
１の平面性が維持されるよう、下部ミラー２２において
グレーティング梁部１１の各ミラー要素１１ｂに対応す
る領域内に複数個配設されていればよい。

【００３２】また、第２のレジスト層は酸素プラズマに
よるエッチングで除去されるものであればよく、レジス
トの代わりに例えばポリマー系の有機物等を用いてもよ
い。

【００３３】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、回折型
光変調素子においてグレーティング梁部を静電引力によ
り変位させる際、スティッキングを防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る回折型光変調素子の模
式的平面図である。

【図２】電圧が印加されていない場合の回折型光変調素
子をグレーティング梁部の長手方向と平行な面で切断し
た断面図である。

【図３】電圧が印加されていない場合の回折型光変調素
子をグレーティング梁部の長手方向に直交する面で切断
した断面図である。

【図４】電圧が印加されている場合の回折型光変調素子
をグレーティング梁部の長手方向と平行な面で切断した
断面図である。

【図５】電圧が印加されている場合の回折型光変調素子
をグレーティング梁部の長手方向に直交する面で切断し
た断面図である。

【図６】シリコン基板の表面に酸化膜が形成された段階
の断面図である。

【図７】シリコン基板の酸化膜に下部ミラーと二酸化珪
素層が積層された段階の断面図である。

【図８】二酸化珪素層の上面に第１のレジスト層が形成
された段階の断面図である。

【図９】二酸化珪素層の上面にストッパーに対応するパ
ターンが形成された段階の断面図である。

【図１０】二酸化炭素層のストッパーに対応するパター
ン以外の部分を除去した段階の断面図である。

【図１１】下部ミラーの上面にストッパーが形成された
段階の断面図である。

【図１２】第２のレジスト層を積層した段階の断面図で
ある。

【図１３】第２のアルミニウム層が形成された段階の断
面図である。

【図１４】グレーティング梁部が形成された段階の積層
体をグレーティング梁部の長手方向に直交する面で切断
した断面図である。

【図１５】グレーティング梁部が形成された段階の積層
体をグレーティング梁部の長手方向と平行な面で切断し
た断面図である。

【符号の説明】

１ 回折型光変調素子 １０ 上部電極部 １１ グレーティング梁部 ２０ 下部電極部 ２１ シリコン基板 ２２ 下部ミラー ２３ 酸化膜 ２４ ストッパー ２５ 支持板

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面に導電体から成る第１のミラーが形
   成された基板と、 導電体から成り、複数のスリット状の開口部が平行に形
   成され、前記第１のミラーが形成された側に前記基板か
   ら所定の間隔をおいて配設される第２のミラーと、 前記第１のミラー上の前記第２のミラーに対応する位置
   に配設された絶縁部材とを備え、 前記第１および第２のミラーを電極として電圧を印加す
   ることにより発生する静電引力により前記第２のミラー
   を前記基板側に変位させ、前記第１および第２のミラー
   の側からの入射光を回折させることを特徴とする回折型
   光変調素子。
2. 【請求項２】 前記第１および第２のミラーが金属であ
   ることを特徴とする請求項１に記載の回折型光変調素
   子。
3. 【請求項３】 前記第１および第２のミラーがアルミニ
   ウムであることを特徴とする請求項２に記載の回折型光
   変調素子。
4. 【請求項４】 前記第２のミラーが変位する際、前記第
   ２のミラーの平面性が保持されるよう、前記絶縁部材が
   前記第１のミラーにおいて複数箇所設けられていること
   を特徴とする請求項１に記載の回折型光変調素子。
5. 【請求項５】 前記基板上において前記複数のスリット
   状の開口部の両端部の外側に対応する位置に設けられた
   支持部材により、前記第２のミラーが支持されることを
   特徴とする請求項１に記載の回折型光変調素子。
6. 【請求項６】 前記基板がシリコンであることを特徴と
   する請求項１に記載の回折型光変調素子。
7. 【請求項７】 入射光を反射する平板状の第１の電極
   と、 複数のスリット状の開口部が平行に形成され、前記入射
   光を反射するグレーティング梁部を有し、前記グレーテ
   ィング梁部が前記第１の電極に対向するよう配設された
   第２の電極と、 前記第１の電極の前記第２の電極と対向する面上におい
   て、前記グレーティング梁部に対応する領域内に配設さ
   れた絶縁部材とを備え、 前記第１および第２の電極の間に電圧を印加することに
   より発生する静電引力により前記第２の電極の前記グレ
   ーティング梁部を前記第１の電極側に変位させ、前記入
   射光を回折させることを特徴とする回折型光変調素子。
8. 【請求項８】 前記第１および第２の電極がアルミニウ
   ムであることを特徴とする請求項７に記載の回折型光変
   調素子。
9. 【請求項９】 前記グレーティング梁部が変位する際、
   入射光に対する前記グレーティング梁部の平面性が保持
   されるよう、前記絶縁部材が前記第１の電極において複
   数箇所設けられていることを特徴とする請求項７に記載
   の回折型光変調素子。
10. 【請求項１０】 前記第１の電極がシリコン基板上に設
    けられていることを特徴とする請求項７に記載の回折型
    光変調素子。
11. 【請求項１１】 前記シリコン基板上において前記複数
    のスリット状の開口部の両端部の外側に対応する位置に
    設けられた支持部材により、前記第２の電極が支持され
    ることを特徴とする請求項１０に記載の回折型光変調素
    子。
12. 【請求項１２】 前記絶縁部材が二酸化珪素であること
    を特徴とする請求項１または７に記載の回折型光変調素
    子。
13. 【請求項１３】 表面に酸化膜が形成されたシリコンか
    ら成る基板の前記酸化膜上にスパッタリングにより第１
    のアルミニウム層を積層する第１ステップと、 前記第
    １のアルミニウム層の上面にスパッタリングにより二酸
    化珪素層を積層する第２ステップと、前記二酸化珪素層
    の上面にスピンコートによりレジストを塗布して第１の
    レジスト層を形成する第３ステップと、前記第１のレジ
    スト層に第１のパターンが形成された第１のマスクを密
    着させ、露光し現像することにより、前記二酸化珪素層
    の上面に前記レジストから成る前記第１のパターンを形
    成する第４ステップと、前記二酸化珪素層にエッチング
    を施すことにより前記第１のアルミニウム層の上面に二
    酸化珪素から成る前記第１のパターンを形成する第５ス
    テップと、前記レジストから成る前記第１のパターンを
    剥離する第６ステップと、前記第１のアルミニウム層に
    スピンコートによりレジストを塗布することにより第２
    のレジスト層を形成する第７ステップと、前記第２のレ
    ジスト層に第２のアルミニウム層を形成する第８ステッ
    プと、前記第２のアルミニウム層にスリット状でかつ互
    いに平行に延びる複数の開口部を備える第２のパターン
    が形成された第２のマスクを密着させ、露光し現像する
    ことにより、前記第２のレジスト層の上面にアルミニウ
    ムから成る前記第２のパターンを形成する第９ステップ
    と、前記第２のレジスト層をエッチング処理により除去
    することにより、前記アルミニウムから成る前記第２の
    パターンを、前記第１のアルミニウム層から所定の距離
    離れたグレーティング梁部とする第１０ステップとを備
    え、前記第１のアルミニウム層において前記グレーティ
    ング梁部の前記複数の開口部に挟まれた部分に対応する
    領域内に、前記二酸化珪素から成る前記第１のパターン
    が形成されることを特徴とする回折型光変調素子の製造
    方法。
14. 【請求項１４】 前記グレーティング梁部が静電引力に
    より前記第１のアルミニウム層側に変位する際の前記グ
    レーティング梁部の平面性が保持されるよう、前記二酸
    化珪素から成る前記第１のパターンが形成されることを
    特徴とする請求項１３に記載の回折型光変調素子の製造
    方法。
15. 【請求項１５】 前記第５ステップのエッチングが弗化
    炭素ガスを用いたプラズマエッチングであることを特徴
    とする請求項１３に記載の回折型光変調素子の製造方
    法。
16. 【請求項１６】 前記第８ステップにおいてスパッタリ
    ングにより前記第２のアルミニウム層が形成されること
    を特徴とする請求項１３に記載の回折型光変調素子の製
    造方法。
17. 【請求項１７】 前記第８ステップにおいて蒸着法によ
    り前記第２のアルミニウム層が形成されることを特徴と
    する請求項１３に記載の回折型光変調素子の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記第１０ステップの前記エッチング
    処理がドライエッチング処理であることを特徴とする請
    求項１３に記載の回折型光変調素子の製造方法。