JP2014099486A - 波長選択デバイス、面発光レーザ素子、光源装置、及び波長選択デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】消費電力の増大を招くことなく、発光源からの光から所望の波長の光を安定して取り出すことができる波長選択デバイスを提供する。
【解決手段】 波長選択デバイス４００は、基板１０と、該基板１０上に積層された第１反射鏡１２と、該第１反射鏡１２上に設けられた一対の支持体１４と、中央部１６ａが第１反射鏡１２上に位置するように２つの端部が一対の支持体１４に個別に支持されたメンブレン１６と、該メンブレン１６の中央部１６ａに設けられた第２反射鏡１８と、メンブレン１６の２つの梁部１６ｂに対向するように第１反射鏡１２上に設けられた一対のストッパ２０と、メンブレン１６を一対のストッパ２０に当接させる静電気力を発生可能な力発生手段と、を備えている。
【選択図】図２

Description

本発明は、波長選択デバイス、面光レーザ素子、光源装置、及び波長選択デバイスの製造方法に係り、更に詳しくは、発光源からの光から所望の波長の光を選択的に取り出すことが可能な波長選択デバイス、該波長選択デバイスを備える面発光レーザ素子、前記波長選択デバイスを備える光源装置、及び前記波長選択デバイスの製造方法に関する。

特許文献１には、対向配置されたミラー層と光学薄膜のギャップ（間隔）を静電気力のみによって所定の大きさに設定することで、活性層（発光源）からの光から所望の波長の光を選択的に取り出すことが可能な波長可変レーザが開示されている。

また、特許文献２には、対向配置された第１の反射膜と第２の反射膜のギャップを静電気力のみによって所定の大きさに設定することで、発光源からの光から所望の波長の光を選択的に取り出すことが可能な波長可変フィルタが開示されている。

また、特許文献３には、対向配置された可動ミラーと固定ミラーのギャップを静電気力のみによって所定の大きさに設定することで、発光源からの光から所望の波長の光を選択的に取り出すことが可能な光フィルタが開示されている。この光フィルタでは、可動ミラーと固定ミラーが接合してしまうことを防止するための突起が固定ミラー上に設けられている。

しかしながら、特許文献１〜３では、発光源からの光から所望の波長の光を消費電力の増大を招くことなく安定して取り出すことは、困難であった。

本発明は、発光源からの光から所望の波長の光を選択的に取り出すことが可能な波長選択デバイスであって、基板と、前記基板上に積層された第１反射鏡と、前記第１反射鏡上に直接又は間接的に設けられた複数の支持体と、中央部が前記第１反射鏡上に位置するように複数の端部が前記複数の支持体に個別に支持されたメンブレンと、前記中央部に設けられた第２反射鏡と、前記中央部と前記複数の端部との複数の中間部分に対向するように前記第１反射鏡上に直接又は間接的に設けられた複数の突出体と、前記メンブレンを前記複数の突出体のうちの少なくとも２つに当接させる力を発生可能な力発生手段と、を備える波長選択デバイスである。ここで、「中間部分」とは、中央部と複数の端部それぞれとの間の部分を意味する。

これによれば、消費電力の増大を招くことなく、発光源からの光から所望の波長の光を安定して取り出すことができる。

本発明の第１実施形態における光源装置を説明するための図である。 図２（Ａ）は、光源装置が有する波長選択デバイスを＋Ｚ側から見た図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＡ−Ａ線断面図である。 第１及び第２駆動電極間に静電引力が生じているときの波長選択デバイスのＸＺ断面図である。 図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、それぞれ波長選択デバイスの製造手順を説明するための図（その１〜その４）である。 図５（Ａ）〜図５（Ｄ）は、それぞれ波長選択デバイスの製造手順を説明するための図（その５〜その８）である。 図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、それぞれ波長選択デバイスのメンブレンの撓み剛性を向上させる方法の具体例を説明するための図（その１及びその２）である。 第２実施形態の波長選択デバイスを説明するための図である。 図８（Ａ）は、第２実施形態における第１及び第２駆動電極間に静電引力が生じているときの波長選択デバイスのＸＺ断面図であり、図８（Ｂ）は、第２実施形態における第１及び第２駆動電極間に静電斥力が生じているときの波長選択デバイスのＸＺ断面図である。 第２実施形態の変形例の波長選択デバイスを説明するための図である。 図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）は、それぞれ第３実施形態の波長選択デバイスを説明するための図（その１及びその２）である。 図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）は、それぞれ第３実施形態の波長選択デバイスを説明するための図（その３〜その５）である。 図１２（Ａ）〜図１２（Ｄ）は、それぞれ第３実施形態の波長選択デバイスの製造手順を説明するための図（その１〜その４）である。 図１３（Ａ）〜図１３（Ｃ）は、それぞれ第３実施形態の波長選択デバイスの製造手順を説明するための図（その５〜その７）である。 第３実施形態の変形例１の波長選択デバイスを説明するための図である。 第３実施形態の変形例２の波長選択デバイスを説明するための図である。 第４実施形態の波長選択デバイスを有する面発光レーザ素子を説明するための図である。

《第１実施形態》
以下、本発明の第１実施形態を図１〜図６（Ｂ）に基づいて説明する。図１には、一実施形態に係る光源装置１０００の概略構成が示されている。

光源装置１０００は、例えば光ディスク、光通信、光書込み技術、医療機器などの分野で光源として用いられる。近年、これらの分野では、発光源からの光から所望の波長のレーザ光を選択的に取り出すための技術の開発が盛んに行われている。

光源装置１０００は、一例として、図１に示されるように、白色光源１００、開口板２００、集光レンズ３００、波長選択デバイス４００、及びこれらを一体的に保持する不図示のパッケージなどを備えている。以下では、図１に示されるＸＹＺ３次元直交座標系を用いて説明する。

白色光源１００は、白色光（レーザ光）を＋Ｚ方向に放出するように配置されている。開口板２００は、スリット状又はピンホール状の開口２００ａが形成された板状部材であり、白色光源１００の＋Ｚ側に配置されている。集光レンズ３００は、球面レンズ又は非球面レンズであり、開口板２００の＋Ｚ側に光軸がＺ軸に平行になるように配置されている。

そこで、白色光源１００から射出された白色光のうち、一部は、開口板２００の開口２００ａを通過した後、集光レンズ３００で集光され、残部は、開口板２００で遮光（吸収又は反射）される。

波長選択デバイス４００は、集光レンズ３００の＋Ｚ側の焦点位置又はその近傍に配置されている。

図２（Ａ）には、波長選択デバイス４００を＋Ｚ側から見た図が示されている。波長選択デバイス４００は、一例として、図２（Ａ）のＡ−Ａ線断面図である図２（Ｂ）に示されるように、基板１０、第１反射鏡１２、一対の支持体１４、メンブレン１６、第２反射鏡１８、一対のストッパ２０、一対の第１駆動電極２２、一対の第２駆動電極２４などを有している。

基板１０は、例えばＧａＡｓ単結晶基板であり、ＸＹ平面に平行に配置されている。

第１反射鏡１２は、基板１０の＋Ｚ側に積層され、例えばＡｌＡｓからなる低屈折率層と、例えばＧａＡｓからなる高屈折率層のペアを例えば２８ペア有している。各層の厚さは、一例として、中心波長をλ（例えば１０６４ｎｍ）とするとλ／４の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＤは、Ｄ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。

一対の支持体１４は、一例として、それぞれＹ軸方向を長手方向とする直方体形状の外形、及び絶縁性を有し、第１反射鏡１２上にＸ軸方向に互いに離間して配置されている。

各支持体１４は、一例として、第１反射鏡１２の＋Ｚ側の面に接合されたＹ軸方向を長手方向とする直方体形状のＧａＩｎＰ膜からなる第１支持部材１４ａと、該第１支持部材１４ａの＋Ｚ側の面に接合されたＹ軸方向を長手方向とする直方体形状のＧａＡｓ膜からなる第２支持部材１４ｂとを含む。ここでは、各支持体１４のＺ軸方向の寸法は、Ｊ１＝１０６４ｎｍに設定されている。詳述すると、第１支持部材１４ａのＺ軸方向の寸法は、Ｊ２＝１０３０ｎｍに設定され、第２支持部材１４ｂのＺ軸方向の寸法は、Ｊ１−Ｊ２＝３４ｎｍに設定されている。

メンブレン１６は、例えばＳｉＮ、ＳｉＣ等からなる可撓性を有する膜状部材である。メンブレン１６は、図２（Ｂ）に示される状態では、ＸＹ平面に平行となるように所定のテンションが付与された状態で、Ｘ軸方向の中央部１６ａが第１反射鏡１２の＋Ｚ側に位置するように＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部が一対の支持体１４に個別に支持されている。

詳述すると、メンブレン１６の＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部は、＋Ｘ側及び−Ｘ側の第２支持部材１４ｂの＋Ｚ側の面に個別に接合されている。メンブレン１６は、図２（Ａ）から分かるように、一例として、Ｘ軸方向を長手方向とする部材から成り、Ｘ軸方向の中央部１６ａが＋Ｚ側から見て円板形状となっており、該中央部１６ａの＋Ｘ側及び−Ｘ側の部分が＋Ｚ側から見てそれぞれＸ軸方向を長手方向とする矩形状となっている。以下では、メンブレン１６の中央部１６ａの＋Ｘ側及び−Ｘ側の部分を、それぞれ＋Ｘ側及び−Ｘ側の梁部１６ｂとも称する。

第２反射鏡１８は、図２（Ｂ）から分かるように、メンブレン１６のＸ軸方向の中央部１６ａの−Ｚ側の面に第１反射鏡１２に対向するように取り付けられ、第１反射鏡１２と共に共振器を構成している。第２反射鏡１８は、それぞれ半導体からなる低屈折率層と高屈折率層のペアを複数ペア有している。各層の厚さは、一例として、中心波長をλ（例えば１０６４ｎｍ）とするとλ／４の光学的厚さとなるように設定されている。ここでは、第２反射鏡１８は、ＸＹ断面形状が円板形状となっている。

一対のストッパ２０は、一例として、それぞれＹ軸方向を長手方向とする例えばＧａＩｎＰからなる絶縁性を有する直方体形状の部材であり、メンブレン１６の中央部１６ａと＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部との２つの中間部分に個別に対向するように第１反射鏡１２の＋Ｚ側の面に突設されている。なお、「中間部分」とは、中央部１６ａと、＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部それぞれとの間の部分を意味する。ここでは、ストッパ２０のＺ軸方向の寸法Ｊ２は、支持体１４のＺ軸方向の寸法Ｊ１よりも短く設定されている。具体的には、Ｊ２＝１０３０ｎｍに設定されている。

一対の第１駆動電極２２は、それぞれＹ軸方向を長手方向とする薄い直方体形状の例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜であり、Ｘ軸方向に互いに離間して配置されている。−Ｘ側の第１駆動電極２２は、−Ｘ側の第１支持部材１４ａと−Ｘ側のストッパ２０との間に架け渡されている。＋Ｘ側の第１駆動電極２２は、＋Ｘ側の第１支持部材１４ａと＋Ｘ側のストッパ２０との間に架け渡されている。第１駆動電極２２と、第１反射鏡１２との間には、絶縁膜２６が配置されている。第１駆動電極２２は、メンブレン１６の＋Ｘ側及び−Ｘ側の梁部１６ｂよりもＹ軸方向の寸法が長くなっており、＋Ｙ側の端部がメンブレン１６よりも＋Ｙ側に張り出しており、−Ｙ側の端部がメンブレン１６よりも−Ｙ側に張り出している。第１駆動電極２２は、図示しない電源を含む電荷授受部との間で正電荷又は負電荷の授受が可能となっている。

一対の第２駆動電極２４は、Ｙ軸方向を長手方向とする薄い直方体形状の例えばＣｒ／ＡｕＺｎ／Ａｕからなる多層膜、もしくはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜であり、Ｘ軸方向に離間して配置されている。−Ｘ側の第２駆動電極２４は、−Ｘ側の第１駆動電極２２の＋Ｚ側に位置するようにメンブレン１６の＋Ｚ側の面に接合されている。＋Ｘ側の第２駆動電極２４は、＋Ｘ側の第１駆動電極２２の＋Ｚ側に位置するようにメンブレン１６の＋Ｚ側の面に接合されている。第２駆動電極２４は、メンブレン１６の＋Ｘ側及び−Ｘ側の梁部１６ｂよりもＹ軸方向の寸法が長くなっており、Ｙ軸方向の両端部が、対応する第１駆動電極２２のＹ軸方向の両端部と対向している。第２駆動電極２４には、図示しない電源を含む電荷授受部との間で正電荷又は負電荷の授受が可能となっている。

そこで、図２（Ｂ）に示される状態（以下では、基準状態とも称する）から、Ｚ軸方向に対向する第１及び第２駆動電極２２、２４に異なる極性の電荷を付与して、該第１及び第２駆動電極２２、２４間にメンブレン１６の応力に抗する静電引力を生じさせると、メンブレン１６は−Ｚ側に凸となるように湾曲し（弾性変形し）、一対のストッパ２０に当接する（図３参照）。この結果、第１及び第２反射鏡１２、１８の間隔、すなわち共振器長が最も短くなり、ひいては共振波長が最も短くなる。

以上の説明から分かるように、一対の第１駆動電極２２及び一対の第２駆動電極２４、並びに上記電荷授受部を含んで、メンブレン１６を一対のストッパ２０に当接させる静電気力を発生させる静電気力発生手段が構成されている。

一方、図３に示される状態から、第１及び第２駆動電極２２、２４から電荷を除去すると、該第１及び第２駆動電極２２、２４間の静電引力がなくなり、メンブレン１６は、弾性復帰して、図２（Ｂ）に示される基準状態に戻る。この結果、共振器長が最も長くなり、ひいては共振波長が最も長くなる。

この場合、一対のストッパ２０間の間隔Ｌ２、すなわち図３におけるメンブレン１６の実効長は、一対の支持体１４間の間隔Ｌ１、すなわち図２（Ｂ）におけるメンブレン１６の実効長よりも短い。すなわち、メンブレン１６の撓み剛性は、図３に示される電圧印加時の方が、図２（Ｂ）に示される電圧非印加時よりも高い。

結果的に、第２反射鏡１８は、第１及び第２駆動電極２２、２４間の電圧の印加／非印加によって、図２（Ｂ）に示される第１反射鏡１２から最も離間する最離間位置と、図３に示される第１反射鏡１２に最も近接する最近接位置との間で駆動される。

なお、第２反射鏡１８を最近接位置に位置させるために第１及び第２駆動電極２２、２４間に生じさせる静電引力の大きさは、少なくともメンブレン１６を一対のストッパ２０に当接させることが可能な大きさであれば良い。

結果として、波長選択デバイス４００は、第１及び第２駆動電極２２、２４間への電圧の非印加／印加によって、共振波長として、長波長（例えば１０６４ｎｍ）及び短波長（例えば１０４７．２ｎｍ）のいずれかを選択することができる。

そこで、共振波長が長波長（例えば１０６４ｎｍ）に設定されている波長選択デバイス４００に、集光レンズ３００からの白色光が入射されると、波長が０．９μｍよりも大きいレーザ光は、ＧａＡｓからなる基板１０に吸収されずに該基板１０を透過した後、第１及び第２反射鏡１２、１８間で反復的に反射する。この結果、共振波長１０６４ｎｍと同じ波長の単色光（レーザ光）のみがメンブレン１６を透過して、外部へ射出される。すなわち、メンブレン１６を透過したレーザ光が波長選択デバイス４００から射出されたレーザ光である。

一方、共振波長が短波長（例えば１０４７．２ｎｍ）に設定されている波長選択デバイス４００に、集光レンズ３００からの白色光が入射されると、波長が０．９μｍよりも大きいレーザ光は、ＧａＡｓからなる基板１０に吸収されずに該基板１０を透過した後、第１及び第２反射鏡１２、１８間で反復的に反射する。この結果、共振波長１０４７．２ｎｍと同じ波長の単色光（レーザ光）のみがメンブレン１６を透過して、外部へ射出される。すなわち、メンブレン１６を透過したレーザ光が波長選択デバイス４００から射出されたレーザ光である。

次に、波長選択デバイス４００の製造方法について説明する。波長選択デバイス４００は、半導体製造工程によって、基板１０上に同時に複数個形成された後、複数のチップ状の波長選択デバイス４００に分割されて作成される。

（１）有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）による結晶成長によって、基板１０上に複数の半導体層が積層された積層体を作成する。ＭＯＣＶＤ法では、層厚制御を精密に行うことができる。なお、ＭＯＣＶＤ法に代えて、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）を用いても良い。

具体的には、基板１０上に、第１反射鏡１２、ＧａＩｎＰ層及びＧａＡｓ層を、この順に積層して積層体を作成する（図４（Ａ）参照）。なお、図４（Ａ）には、便宜上、積層体のうち、波長選択デバイス４００一つ分のみが示されている。

（２）図４（Ａ）に示される積層体の最上層であるＧａＡｓ層の＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部上に、それぞれＹ軸を長手方向とする矩形状のレジストパターンＰ１を形成する（図４（Ｂ）参照）。

（３）ドライエッチング又はウェットエッチングによって、ＧａＡｓ層におけるレジストパターンＰ１が形成されていない領域を除去する（図４（Ｃ）参照）。この結果、ＧａＩｎＰ層が露出する。なお、ＧａＡｓ層をウェットエッチングで除去する際には、ＧａＡｓに対して選択性が高い硫酸系エッチャントを用いることが好ましい。この場合、ＧａＩｎＰ層をエッチングストップ層として機能させることができる。

（４）レジストパターンＰ１を除去し、ＧａＩｎＰ層におけるＸ軸方向の中央の＋Ｘ側及び−Ｘ側の位置上にそれぞれレジストパターンＰ２を形成する（図４（Ｄ）参照）。

（５）ドライエッチング又はウェットエッチングによって、ＧａＩｎＰ層におけるレジストパターンＰ２が形成されていない領域を除去する（図５（Ａ）参照）。この結果、第１反射鏡１２が露出し、一対の支持体１４及び一対のストッパ２０が形成される。なお、ＧａＩｎＰ層をウェットエッチングで除去する際には、ＧａＩｎＰに対して選択性が高い塩酸系エッチャントを用いることが好ましい。この場合、第１反射鏡１２の最上層（ＡｌＡＳ層又はＧａＡｓ層）をエッチングストップ層として機能させることができる。

（６）レジストパターンＰ２を除去し、第１反射鏡１２の＋Ｚ側の面における、隣接する支持体１４とストッパ２０との間の領域上に絶縁膜２６を形成する（図５（Ｂ）参照）。

（７）隣接する支持体１４とストッパ２０との間における絶縁膜２６上に第１駆動電極２２を形成する（図５（Ｃ）参照）。

（８）図２（Ａ）に示される形状に成形されたメンブレン１６のＸ軸方向の中央部１６ａの−Ｚ側の面に第２反射鏡１８を取り付けるとともに、メンブレン１６のＸ軸方向の中央部１６ａの＋Ｚ側の面の＋Ｘ側及び−Ｘ側の所定位置上にそれぞれ第２駆動電極２４を形成し、第２反射鏡１８が第１反射鏡１２に対向するように、メンブレン１６の＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部を一対の支持体１４の＋Ｚ側の面に個別に接合する（図５（Ｄ）参照）。

この後、例えばヘキ開工程等の幾つかの工程を経て、複数のチップ状の波長選択デバイス４００が作成される。

以上説明した本実施形態の波長選択デバイス４００は、白色光源１００からの光から所望の波長のレーザ光を選択的に取り出すことが可能であり、基板１０と、該基板１０上に積層された第１反射鏡１２と、該第１反射鏡１２上に直接設けられた一対の支持体１４と、中央部１６ａが第１反射鏡１２上に位置するように＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部が一対の支持体１４に個別に支持されたメンブレン１６と、中央部１６ａに設けられた第２反射鏡１８と、メンブレン１６における中央部１６ａと＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部との２つの中間部分に対向するように第１反射鏡１２上に直接設けられた一対のストッパ２０と、メンブレン１６を一対のストッパ２０に当接させる静電気力を発生可能な静電気力発生手段と、を備えている。

この場合、静電気力発生手段により静電気力を発生させ、メンブレン１６を一対のストッパ２０に当接させてメンブレン１６の実効長を短くすることで（図３参照）、メンブレン１６の撓み剛性を高めることができるため、静電気力発生手段による静電気力が発生していない状態（図２（Ｂ）に示される基準状態）におけるメンブレン１６の撓み剛性を、さほど高める必要がない。この結果、メンブレン１６をストッパ２０に当接させるための静電気力（電荷量）を低減できる。

結果として、波長選択デバイス４００では、消費電力の増大を招くことなく、白色光源１００からの光から所望の波長のレーザ光を安定して取り出すことができる。

一方、波長選択デバイスにおいて、仮に一対のストッパが設けられていない場合には、メンブレンを撓ませても該メンブレンの実効長を短くできないため、メンブレンの撓み剛性を高めることができない。この場合、所望の波長のレーザ光を安定して取り出すためには、基準状態にあるメンブレンの撓み剛性をある程度高める必要があり、結果として、メンブレンを撓ませるために必要な静電気力（電荷量）が増大してしまう。すなわち、消費電力の増大を招いてしまう。

なお、メンブレンの撓み剛性を高める方法としては、例えば、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示されるように、メンブレンの梁部の幅ｐを広げたり、メンブレンの膜厚ｑを厚くしたり、支持体と第２反射鏡との間隔ｒを短くすることなどが考えられる。しかしながら、このように単純にメンブレンの撓み剛性を向上させると、メンブレンを撓ませるための静電気力を大きくする必要があり、ひいては消費電力の増大を招く。

ところで、波長選択デバイスは、波長分割多重通信（ＷＤＭ）への応用が期待されているが、このＷＤＭでは、共振波長を連続的に変化させる必要はなく、むしろ特定の複数の波長のレーザ光を安定して発振させ、且つ低消費電力であることが望ましい。すなわち、波長選択デバイス４００は、波長分割多重通信への応用に好適である。

また、複数の支持体１４は、基板１０に垂直な方向に重ねて配置された材料の組成が互いに異なる第１及び第２支持部材１４ａ、１４ｂを含んでいる。

この場合、ＧａＩｎＰ層及びＧａＡｓ層を第１反射鏡１２上に順次積層し、該積層されたＧａＡｓ層及びＧａＩｎＰ層を選択的にエッチングすることで、ＧａＡｓ及びＧａＩｎＰをそれぞれが材料とする一対の支持体１４、及びＧａＩｎＰをそれぞれが材料とする一対のストッパ２０を形成することができる。すなわち、一対の支持体１４及び一対のストッパ２０を同時に形成することができる。

また、静電気力発生手段は、一対のストッパ２０に対応し、対応する一対のストッパ２０に一体的に設けられた一対の第１駆動電極２２と、該一対の第１駆動電極２２に対応し、対応する一対の第１駆動電極２２に対向するようにメンブレン１６に設けられた一対の第２駆動電極２４と、一対の第１駆動電極２２及び一対の第２駆動電極２４それぞれと電荷の授受を行う電荷授受部と、を有している。

この場合、メンブレン１６を基準状態と撓み状態との間で、容易かつ迅速に変形させることができる。

以下に、他の実施形態について説明する。以下の実施形態では、主に上記第１実施形態と異なる点を説明し、上記第１実施形態と同様の構成を有する部材には、同じ符号を付して、その説明を省略する。

《第２実施形態》
第２実施形態では、図７に示されるように、波長選択デバイスの構成が、上記第１実施形態と異なる。

第２実施形態の波長選択デバイス４１０は、上記実施形態の波長選択デバイス４００と、該波長選択デバイス４００のメンブレン１６の＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部上に個別に設けられた一対の基板支持体１４０と、該一対の基板支持体１４０に＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部が支持された基板１５０と、該基板１５０の−Ｚ側の面に＋Ｘ側及び−Ｘ側の梁部１６ｂに個別に対向するようにＸ軸方向に互いに離間して設けられた一対のストッパ１６０とを備えている。ストッパ１６０は、一例として、波長選択デバイス４００のストッパ２０と同様の構成を有している。基板支持体１４０は、一例として、波長選択デバイス４００の支持体１４と同様の構成を有している。ストッパ２０は、基板支持体１４０よりもＺ軸方向の寸法が短く設定されている。

この場合、第１及び第２駆動電極２２、２４に、異なる極性の電荷を付与して第１及び第２駆動電極２２、２４間に静電引力を生じさせることで、メンブレン１６を−Ｚ側に凸となるように撓ませて一対のストッパ２０に当接させることができる（図８（Ａ）参照）。また、第１及び第２駆動電極２２、２４に、同じ極性の電荷を付与して第１及び第２駆動電極２２、２４間に静電斥力を生じさせることで、メンブレン１６を＋Ｚ側に凸となるように撓ませて一対のストッパ１６０に当接させることができる（図８（Ｂ）参照）。

この結果、消費電力の増大を招くことなく、第１及び第２反射鏡１２、１８の間隔である共振器長を３つの長さ（最短、中間、最長）それぞれで安定させることができる。すなわち、消費電力の増大を招くことなく、３つの安定した共振波長（短波長、中間波長、長波長）のいずれかを選択することができる。

ここで、波長選択デバイス４１０は、上記第１実施形態と同様の手順で基板１５０上に一対の基板支持体１４０及び一対のストッパ１６０が形成された後、一対の基板支持体１４０が、波長選択デバイス４００のメンブレン１６の＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部上に固定（接合）されて作成される。

なお、第１駆動電極２２に代えて又は加えて、基板１５０の−Ｚ側の面における第２駆動電極２４に対向する位置に駆動電極を増設しても良い。

ところで、光通信分野では、１μｍ帯以上の波長帯域が用いられることもあれば、０．８５μｍ帯の波長帯が用いられることもあり、これらの波長帯のインフラを利用するためには、波長選択デバイスは、用いられ得る全ての波長帯のレーザ光を選択的に取り出せることが望ましい。

また、基板１０及び基板１５０の材料としては、例えばＧａＡｓ、Ｓｉなどを用いることができ、例えば結晶成長分野、ＭＥＭＳ分野などでは広く用いられている。

しかしながら、これらの材料は物性上一定の波長以下のレーザ光を吸収する性質を有している。具体的には、ＧａＡｓは、約０．９μｍ以下の波長のレーザ光を吸収し、Ｓｉは、約１．１μｍ以下の波長のレーザ光を吸収する。

そこで、図９に示されるように第２実施形態の変形例のように、波長選択デバイス４１０における基板１０及び基板１５０それぞれにおける第２反射鏡１８に対応する位置に開口１０ａ、１５０ａを形成することとしても良い。

この場合、第２実施形態の変形例の波長選択デバイス４２０は、選択可能な全ての共振波長のレーザ光を選択的に取り出すことができる。

なお、波長選択デバイス４２０では、基板１０及び基板１５０のいずれにも開口が形成されているが、要は、基板によるレーザ光の吸収度合によって、基板１０及び基板１５０の少なくとも一方に適宜開口が形成されることが望ましい。基板によるレーザ光の吸収度合は、前述の如く基板材料と波長によって決定される。

具体的には、ＧａＡｓ及びＳｉは、０．９μｍ以下の波長のレーザ光を吸収するため、これらを材料とする基板を用いて該レーザ光から所望の波長のレーザ光を選択的に取り出すためには、基板に開口を形成する必要がある。

また、Ｓｉは、波長帯域が０．９μｍ〜１．１μｍの波長帯域のレーザ光を吸収するため、Ｓｉを基板材料に用いて、該レーザ光から所望の波長のレーザ光を選択的に取り出すためには、基板に開口を設ける必要がある。

一方、ＧａＡｓは、０．９μｍ〜１．１μｍの波長帯域に対しては透明であるため、ＧａＡｓを基板材料に用いて、該波長帯域のレーザ光から所望の波長のレーザ光を選択的に取り出すためには、基板に必ずしも開口を設ける必要はない。

また、ＧａＡｓ及びＳｉは、１．１μｍ以上の波長帯域に対しては、いずれも透明であるため、基板材料にいずれを用いるかに関わらず、基板に開口を設ける必要はない。

なお、基板に開口を形成することは、構成の煩雑化及び製造工程の増加に直結するため、開口を形成するか否かは、用いる基板材料と波長帯域を考慮して適宜決定されることが望ましい。

《第３実施形態》
第３実施形態は、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示されるように、波長選択デバイスの構成が上記第１実施形態と異なる。なお、図１０（Ｂ）は、図１０（Ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。

第３実施形態の波長選択デバイス４３０では、第１反射鏡１２上におけるメンブレン１６の＋Ｘ側及び−Ｘ側の梁部１６ｂそれぞれの−Ｚ側に、複数（例えば３つ）のストッパがＸ軸方向に離間して設けられている。そこで、以下では、これら３つのストッパを、第１反射鏡１２の周辺部側から中央部側にかけて順に、第１ストッパ１２０ａ、第２ストッパ１２０ｂ、第３ストッパ１２０ｃと称する。

第１〜第３ストッパ１２０ａ〜１２０ｃのＺ軸方向の寸法は、第１ストッパ１２０ａが最も長い値αに設定され、第３ストッパ１２０ｃが最も短い値γに設定され、第２ストッパ１２０ｂがαとγの間の値βに設定されている。すなわち、第１〜第３ストッパ１２０ａ〜１２０ｃは、メンブレン１６のＸ軸方向の中央部１６ａに近いものほどＺ軸方向の寸法が短く設定されている。

第１ストッパ１２０ａは、ＧａＩｎＰからなる部材、該部材の＋Ｚ側に配置されたＧａＡｓからなる部材及び該部材の＋Ｚ側に配置されたＧａＩｎＰからなる部材、すなわちＺ軸方向に重ねて配置された３つの部材で構成されている。第２ストッパ１２０ｂは、ＧａＩｎＰからなる部材及び該部材の＋Ｚ側に配置されたＧａＡｓからなる部材、すなわちＺ軸方向に重ねて配置された２つの部材で構成されている。第３ストッパ１２０ａは、ＧａＩｎＰからなる１つの部材で構成されている。

また、各支持体２４０は、ＧａＩｎＰからなる部材、該部材の＋Ｚ側に配置されたＧａＡｓからなる部材、該部材の＋Ｚ側に配置されたＧａＩｎＰからなる部材及び該部材の＋Ｚ側に配置されたＧａＡｓからなる部材、すなわちＺ軸方向に重ねて配置された４つの部材で構成されている。支持体２４０は、第１ストッパ１２０ａよりもＺ軸方向の寸法が長く設定されている。

また、第１〜第３ストッパ１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃに対応して３つの第１駆動電極２２が設けられている。各第１駆動電極２２は、第１反射鏡１２の＋Ｚ側の面における対応するストッパに隣接する位置に絶縁膜２６を介して設けられている。

また、メンブレン１６の＋Ｚ側の面における３つの第１駆動電極２２に対向する位置には、３つの第２駆動電極２４が設けられている。

そこで、最も−Ｘ側の対向する第１及び第２駆動電極２２、２４、並びに最も＋Ｘ側の対向する第１及び第２駆動電極２２、２４に異なる極性の電荷を付与すると、メンブレン１６が−Ｚ側に凸となるように撓み、一対の第１ストッパ１２０ａに当接する（図１１（Ａ）参照）。この結果、第１及び第２反射鏡１２、１８の間隔である共振器長がαに対応する値に設定され、ひいては共振波長がαに対応する波長λ１に設定される。このとき、メンブレン１６は、基準状態よりも実効長が短くなり（Ｌ´２＜Ｌ´１）、撓み剛性が向上し、波長安定性が向上する。

次いで、最も−Ｘ側から２番目の対向する第１及び第２駆動電極２２、２４、並びに最も＋Ｘ側から２番目の対向する第１及び第２駆動電極２２、２４にも異なる極性の電荷を付与すると、メンブレン１６が更に−Ｚ側に撓み、一対の第２ストッパ１２０ｂにも当接する（図１１（Ｂ）参照）。この結果、共振器長がβに対応する値に設定され、ひいては共振波長がβ（＜α）に対応する波長λ２（＜λ１）に設定される。このとき、メンブレン１６は、図１１（Ａ）に示される状態よりも、実効長が短くなり（Ｌ´３＜Ｌ´２）、撓み剛性が向上し、波長安定性が向上する。

次いで、最も−Ｘ側から３番目の対向する第１及び第２駆動電極２２、２４、並びに最も＋Ｘ側から３番目の対向する第１及び第２駆動電極２２、２４にも異なる極性の電荷を付与すると、メンブレン１６が更に−Ｚ側に撓み、一対の第２ストッパ１２０ｂにも当接する（図１１（Ｃ）参照）。この結果、共振器長がγに対応する値に設定され、ひいては共振波長がγ（＜β）に対応する波長λ３（＜λ２）に設定される。このとき、メンブレン１６は、図１１（Ｂ）に示される状態よりも、実効長が短くなり（Ｌ´４＜Ｌ´３）、撓み剛性が向上し、波長安定性が向上する。

以下に、第３実施形態の波長選択デバイス４３０の製造方法について簡単に説明する。

（１）基板１０上に、第１反射鏡１２、ＧａＩｎＰ層、ＧａＡｓ層、ＧａＩｎＰ層及びＧａＡｓ層を、この順に、積層して積層体を作成する（図１２（Ａ）参照）。

（２）図１２（Ａ）の積層体の最上層であるＧａＡｓ層上に２つのレジストパターンＰ´１をＸ軸方向に離間するように形成し、該ＧａＡｓ層におけるレジストパターンＰ´１が形成されていない領域をエッチングにより除去する（図１２（Ｂ）参照）。

（３）２つのレジストパターンＰ´１を除去した後、図１２（Ｂ）の積層体の最上層であるＧａＩｎＰ層上における２つのレジストパターンＰ´１が形成されていた２つの位置の間の２つの位置に２つのレジストパターンＰ´２をＸ軸方向に離間するように形成し、該ＧａＩｎＰ層における２つのレジストパターンＰ´２が形成されていない領域をエッチングにより除去する（図１２（Ｃ）参照）。

（４）２つのレジストパターンＰ´２を除去した後、図１２（Ｃ）の積層体の最上層であるＧａＡｓ層上における２つのレジストパターンＰ´２が形成されていた２つの位置の間の２つの位置にレジストパターンＰ´３を形成し、該ＧａＡｓ層におけるレジストパターンＰ´３が形成されていない領域をエッチングにより除去する（図１２（Ｄ）参照）。

（５）２つのレジストパターンＰ´３を除去した後、図１２（Ｄ）の積層体の最上層であるＧａＩｎＰ層上における２つのレジストパターンＰ´３が形成されていた２つの位置の間の２つの位置に２つのレジストパターンＰ´４を形成し、該ＧａＩｎＰ層におけるレジストパターンＰ´４が形成されていない領域をエッチングにより除去する（図１３（Ａ）参照）。この結果、第１反射鏡１２上に、一対の第１ストッパ１２０ａ、一対の第２ストッパ１２０ｂ及び一対の第３ストッパ１２０ｃが形成される。

（６）２つのレジストパターンＰ´４を除去した後、第１反射鏡１２上における第１〜第３ストッパ１２０ａ〜１２０ｃに隣接する位置にそれぞれ絶縁膜２６を形成した後、該絶縁膜２６上に第１駆動電極２２を形成する（図１３（Ｂ）参照）。

（７）メンブレン１６のＸ軸方向の中央部１６ａの−Ｚ側の面に第２反射鏡１８を取り付けるとともに、メンブレン１６の各梁部１６ｂの＋Ｚ側の面における３つの第１駆動電極２２に対向する位置に３つの第２駆動電極２４を取り付けた後、メンブレン１６の＋Ｘ側及び−Ｘ側の端部を一対の支持体２４０に個別に支持させる（図１３（Ｃ）参照）。なお、第２駆動電極２４は、メンブレン１６を一対の支持体２４０に支持させた後、メンブレン１６に取り付けられても良い。

以後、例えばヘキ開工程等の幾つかの工程を経て、チップ状の波長選択デバイス４３０が得られる。

以上説明した第３実施形態の波長選択デバイス４３０では、３つのストッパを梁部１６ｂに対向させてＸ軸方向に並べて設けるだけの簡易な構成により、低消費電力で共振器長を４つの安定した長さのいずれかに設定でき、ひいては低消費電力で４つの共振波長のいずれかのレーザ光を安定して取り出すことができる。

また、４つの共振波長のうち、共振波長が短いものほど波長安定性を向上させることができる。

なお、上記第３実施形態では、メンブレンは、Ｘ軸方向に細長い形状を有しているが、これに限られない。例えば、メンブレンは、図１４及び図１５に示されるように、円板状の中央部と、該中央部から放射状に延びる複数の梁部とを有していても良い。そして、第１反射鏡上における各梁部に対向する位置に、１つのストッパ又は該梁部に沿って並ぶ複数のストッパを形成し、該ストッパに隣接する位置に第１駆動電極を形成し、メンブレンの＋Ｚ側の面における第１駆動電極に対向する位置に第２駆動電極を形成しても良い。この場合、メンブレンの撓み剛性をより向上させることができる。なお、梁部の数は、一例として、図１４では、３つとされており、図１５では、４つとされている。

また、メンブレンの中央部をＺ軸方向にバランス良く変位させるために、図１４及び図１５に示されるように、各梁部の長さを等しくし、かつ梁部同士が成す角度を等しくすることが好ましい。なお、メンブレン自体の撓み剛性を高めると、駆動電圧の上昇を招くため、目的・用途に応じて適宜選択することが好ましい。

《第４実施形態》
第４実施形態では、光源装置の構成が上記第１実施形態と異なる。第４実施形態の光源装置は、図１６に示されるように、第３実施形態の波長選択デバイス４３０を有する面発光レーザ素子５００、該面発光レーザ素子５００が実装されたパッケージ（不図示）などを備えている。なお、第４実施形態の光源装置は、白色光源１００、開口板２００及び集光レンズ３００を備えていない。

面発光レーザ素子５００は、一例として、波長選択デバイス４３０に加えて、Ｚ軸方向に積層された、発光源としての活性層を含む共振器構造体５１０、電流通過領域を有する電流狭窄層５２０、コンタクト層５３０、第１固定電極５４０及び一対の第２固定電極５５０を有している。

共振器構造体５１０、電流狭窄層５２０及びコンタクト層５３０は、波長選択デバイス４３０における第１反射鏡１２と、一対の第１ストッパ１２０ａ、一対の第２ストッパ１２０ｂ、一対の第３ストッパ１２０ｃ、一対の支持体２４０及び複数の絶縁膜２６と、の間に配置されている。すなわち、一対の第１ストッパ１２０ａ、一対の第２ストッパ１２０ｂ、一対の第３ストッパ１２０ｃ、一対の支持体２４０及び複数の絶縁膜２６は、コンタクト層５３０の＋Ｚ側の面上に形成されている。

第１固定電極５４０は、波長選択デバイス４３０の基板１０の−Ｚ側の面に設けられている。一対の第２固定電極５５０は、コンタクト層５３０における電流通過領域の直上部分の＋Ｘ側近傍及び−Ｘ側近傍の上面に形成されている。

ここで、活性層への電流注入のため、少なくとも基板１０、第１反射鏡１２及びコンタクト層５３０は導電性を有する必要がある。活性層の材料としては、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＡｓなどを用いることができるが、第１反射鏡１２上に結晶成長可能な材料であれば、いかなる材料でも用いることができる。コンタクト層５３０の材料としては、例えばＧａＡｓなどが用いられる。

電流狭窄層５２０は、一例として、共振器構造体５１０とコンタクト層５３０との間にＡｌＧａＡｓ層を挿入し、該ＡｌＧａＡｓ層を高温水蒸気中で端部から選択的に酸化することで形成することができる。この場合、酸化されない中央の領域が電流通過領域となる。

以上のように構成される面発光レーザ素子５００は、上記第３実施形態の波長選択デバイス４３０とほぼ同様の手順で製造することができる。

すなわち、基板１０上に、第１反射鏡１２、共振器構造体５１０、電流狭窄層５２０となるＡｌＧａＡｓ層及びコンタクト層５３０、ＧａＩｎＰ層、ＧａＡｓ層、ＧａＩｎＰ層及びＧａＡｓ層を、この順に積層して積層体を作成し、該積層体に対して、上記第３実施形態の工程（２）〜（７）及び上記ＡｌＧａＡｓ層の酸化工程を行った後、例えばヘキ開工程等の幾つかの工程を経て、複数のチップ状の面発光レーザ素子５００が得られる。

ところで、面発光レーザ素子の発振波長は、第１及び第２反射鏡１２、１８の間隔である共振器長によって決定される。第４実施形態では、対向する第１及び第２駆動電極２２、２４に適宜電圧を印加することによって共振器長を変化させ、かつ該共振器長を４つの所定値のいずれかに安定して維持することができる。

結果として、第４実施形態の面発光レーザ素子５００では、電流狭窄層５２０により低電流でありながら高い電流密度で活性層にキャリア注入することが可能であり、低消費電力で、安定した複数の発振波長のうちのいずれかを選択し、レーザ発振させることができる。

なお、上記第４実施形態の光源装置は、面発光レーザ素子５００を１つ備えているが、これに限らず、複数備えていても良い。例えば、複数の面発光レーザ素子５００が１次元又は２次元配列されて成る面発光レーザアレイ素子を備えていても良い。この際、半導体製造工程によって、複数の面発光レーザ素子５００をアレイ状に一体的に作成した後、１次元又は２次元配列された複数の面発光レーザ素子５００をそれぞれが含む複数のチップ状の面発光レーザアレイ素子に分割すると、効率良く大量生産することができる。

また、上記第４実施形態の面発光レーザ素子５００は、第３実施形態の波長選択デバイス４３０を有しているが、これに代えて、例えば、第１又は第２実施形態（変形例を含む）の波長可変デバイスを有していても良い。

また、上記第１〜第４実施形態（変形例を含む）では、支持体（又は基板支持体）は、Ｚ軸方向に重ねて配置された２つ又は４つの部材で構成されているが、単一の部材で構成されても良いし、Ｚ軸方向に重ねて配置された３つ又は５つ以上の部材で構成されても良い。

また、上記第１及び第２実施形態（変形例を含む）では、第１及び第２ストッパは、単一の部材で構成されているが、複数の部材で構成されても良い。

また、上記第３及び第４実施形態（変形例を含む）では、第１及び第２ストッパは、複数の部材で構成されているが、単一の部材で構成されても良い。

また、上記第１〜第４実施形態（変形例を含む）では、第２駆動電極２４は、メンブレン１６の＋Ｚ側の面に形成されているが、−Ｚ側の面に形成されても良い。

また、上記第１〜第４実施形態（変形例を含む）では、ストッパ（突出体）の形状は、直方体形状とされているが、これに限られず、例えば、立方体形状、それぞれＺ軸方向を高さ方向とする円柱形状、楕円柱形状、多角形柱形状、台形台形状、円錐台形状などの他の形状であっても良い。

また、上記第１〜第４実施形態（変形例を含む）では、支持体（又は基板支持体）の形状は、直方体形状とされているが、これに限られず、例えば、立方体形状、それぞれＺ軸方向を高さ方向とする円柱形状、楕円柱形状、多角形柱形状、台形台形状、円錐台形状などの他の形状であっても良い。

また、メンブレンの形状は、上記第１〜第４実施形態（変形例を含む）で説明した形状に限られず、例えば、＋Ｚ側から見て、多角形状、円形状、楕円形状などの他の形状であっても良い。

また、上記第３及び第４実施形態（変形例を含む）では、各梁部１６ｂに対向する位置に設けられたストッパの数は、３つであるが、これに限らず、例えば、２つでも良いし、４つ以上でも良い。この場合であっても、メンブレンの中央部に近いストッパほど、Ｚ軸方向の寸法を短くすることが好ましい。この場合、ストッパの数が多いほど、選択可能な共振波長が多くなることは言うまでもない。

また、上記第１〜第４実施形態（変形例を含む）では、支持体（又は基板支持体）の数は、２つ、３つ又は４つとされているが、これに限らず、例えば、メンブレンの形状、大きさ等に応じて、５つ以上とされても良い。

また、上記第１及び第３実施形態（変形例を含む）では、基板に開口が形成されていないが、第２実施形態の変形例と同様に、基板１０における第２反射鏡１８に対応する位置に開口が形成されても良い。

また、光源装置は、上記第１〜第４実施形態（変形例を含む）で説明した構成に限らず、適宜変更可能である。例えば光源（発光源）は、白色光源以外の光源であっても良い。また、開口板及び集光レンズの少なくとも一方は、設けられていなくても良い。また、集光レンズと開口板の位置関係は、逆であっても良い。

上記第１〜第４実施形態では、力発生手段として、静電気力発生手段が用いられているが、これに限らず、要は、メンブレンを複数のストッパのうちの少なくとも２つに当接させる力を発生可能な手段であれば良い。例えば、ローレンツ力等の電磁力を利用するもの、圧電効果を利用するものなどであっても良い。

１０…基板、１２…第１反射鏡、１４…支持体、１６…メンブレン、１８…第２反射鏡、２０…ストッパ（突出体）、２２…第１駆動電極（第１電極）、２４…第２駆動電極（第２電極）、１００…白色光源（発光源、光源）、４００、４１０、４２０、４３０…波長選択デバイス、５００…面発光レーザ素子、５１０…共振器構造体、５２０…電流狭窄層、５３０…コンタクト層。

特開２００５−２２３１１１号公報 特許第４４７９３５１号公報 特開２０１０−８６４４号公報

Claims (10)

1. 発光源からの光から所望の波長の光を選択的に取り出すことが可能な波長選択デバイスであって、
   基板と、
   前記基板上に積層された第１反射鏡と、
   前記第１反射鏡上に直接又は間接的に設けられた複数の支持体と、
   中央部が前記第１反射鏡上に位置するように複数の端部が前記複数の支持体に個別に支持されたメンブレンと、
   前記中央部に設けられた第２反射鏡と、
   前記中央部と前記複数の端部との複数の中間部分に対向するように前記第１反射鏡上に直接又は間接的に設けられた複数の突出体と、
   前記メンブレンを前記複数の突出体のうちの少なくとも２つに当接させる力を発生可能な力発生手段と、を備える波長選択デバイス。
2. 前記複数の突出体は、前記複数の中間部分に対応し、対応する前記複数の中間部分に沿って配置された少なくとも２つの突出体をそれぞれが含む複数の突出体群を有し、
   前記複数の突出体群それぞれの前記少なくとも２つの突出体は、前記中央部に近いものほど、突出量が少ないことを特徴とする請求項１に記載の波長選択デバイス。
3. 前記複数の支持体は、前記基板に垂直な方向に重ねて配置された、材料の組成が互いに異なる複数の部材を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の波長選択デバイス。
4. 前記複数の端部上に個別に設けられた複数の基板支持体と、
   前記複数の基板支持体に複数の端部が個別に支持された別の基板と、を更に備え、
   前記複数の突出体のうちの少なくとも２つは、前記複数の中間部分に対向するように前記別の基板に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の波長選択デバイス。
5. 前記複数の基板支持体は、前記別の基板に垂直な方向に重ねて配置された、材料の組成が互いに異なる複数の部材を含むことを特徴とする請求項４に記載の波長選択デバイス。
6. 前記基板及び前記別の基板の少なくとも一方は、前記第２反射鏡に対応する位置に開口部を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の波長選択デバイス。
7. 前記力発生手段は、前記複数の突出体に対応し、対応する前記複数の突出体に一体的に設けられた複数の第１電極と、該複数の第１電極に対応し、対応する前記複数の第１電極に対向するように前記メンブレンに設けられた複数の第２電極と、前記複数の第１電極及び前記複数の第２電極それぞれと電荷の授受を行う電荷授受部と、を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の波長選択デバイス。
8. 光源と、
   前記光源からの光の光路上に配置され、該光から所望の波長の光を選択的に取り出すことが可能な請求項１〜７のいずれか一項に記載の波長選択デバイスと、を備える光源装置。
9. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の波長選択デバイスを備える面発光レーザ素子であって、
   前記波長選択デバイスにおける第１及び第２反射鏡間に、前記第１反射鏡側から順に積層された活性層、電流狭窄層及びコンタクト層と、を備え、
   前記波長選択デバイスの基板に垂直な方向に、所望の波長の光を選択的に射出可能な面発光レーザ素子。
10. 発光源からの光から所望の波長の光を選択的に取り出すことが可能な波長選択デバイスの製造方法であって、
    基板上に第１反射鏡を形成する工程と、
    前記第１反射鏡上に複数の半導体層を順次積層して積層体を作成する工程と、
    前記積層体の前記複数の半導体層を選択的にエッチングして、複数の支持体と、該複数の支持体よりも前記第１反射鏡からの突出量が少ない複数の突出体とを形成する工程と、
    第２反射鏡が中央部に設けられたメンブレンの複数の端部を、前記第２反射鏡が前記第１反射鏡上に位置し、かつ前記中央部と前記複数の端部それぞれとの中間部分が前記複数の突出体のうちの少なくとも１つに対向するように前記複数の支持体に支持させる工程と、を含む波長選択デバイスの製造方法。

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