JPH11233565A - テープキャリアパッケージ半導体装置 - Google Patents
テープキャリアパッケージ半導体装置Info
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- JPH11233565A JPH11233565A JP10028614A JP2861498A JPH11233565A JP H11233565 A JPH11233565 A JP H11233565A JP 10028614 A JP10028614 A JP 10028614A JP 2861498 A JP2861498 A JP 2861498A JP H11233565 A JPH11233565 A JP H11233565A
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- insulating tape
- tape
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 テープキャリアパッケージ半導体装置におい
て封止樹脂が絶縁テープ裏面に回り込む量を増やし絶縁
テープ、インナーリード、半導体チップの密着強度を増
すとともに半導体チップ表面への吸湿を防止する。 【解決手段】 絶縁テープ２は表面に金属リード３が形
成されている。また、金属リード３がデバイスホール５
内に突出したインナーリード４の一端がバンプ７ａに接
続されている。半導体チップ６は絶縁テープ２の裏面に
配置されている。封止樹脂８に含まれる充填材９は絶縁
テープ２と半導体チップ６の隙間より小さい粒径で構成
される。そのため液状封止樹脂を上面から塗布すると液
状樹脂が絶縁テープ２の裏面に均一に流れ込むため、テ
ープキャリア１と半導体チップ６、インナーリード４と
の密着強度を増すとともに、半導体チップ６への吸湿を
防止する。さらに封止樹脂８全体の充填材９の含有量を
均一化することができる。
て封止樹脂が絶縁テープ裏面に回り込む量を増やし絶縁
テープ、インナーリード、半導体チップの密着強度を増
すとともに半導体チップ表面への吸湿を防止する。 【解決手段】 絶縁テープ２は表面に金属リード３が形
成されている。また、金属リード３がデバイスホール５
内に突出したインナーリード４の一端がバンプ７ａに接
続されている。半導体チップ６は絶縁テープ２の裏面に
配置されている。封止樹脂８に含まれる充填材９は絶縁
テープ２と半導体チップ６の隙間より小さい粒径で構成
される。そのため液状封止樹脂を上面から塗布すると液
状樹脂が絶縁テープ２の裏面に均一に流れ込むため、テ
ープキャリア１と半導体チップ６、インナーリード４と
の密着強度を増すとともに、半導体チップ６への吸湿を
防止する。さらに封止樹脂８全体の充填材９の含有量を
均一化することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はテープキャリアパッ
ケージ半導体装置に属するものである。
ケージ半導体装置に属するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ 工法（以下、ＴＡＢ工法と表す。）を
用いたパッケージには、テープキャリアに半導体チップ
を接合し樹脂封止したテープキャリアパッケージや、テ
ープキャリアを更にリードフレームに接続するプラスチ
ックパッケージや、テープ・ボール・グリッド・アレイ
がある。特に、液晶ドライバー用半導体装置等、多ピン
のパッケージが要求されている分野においてはテープキ
ャリアパッケージに半導体チップを実装するのが一般的
である。
Ｂｏｎｄｉｎｇ 工法（以下、ＴＡＢ工法と表す。）を
用いたパッケージには、テープキャリアに半導体チップ
を接合し樹脂封止したテープキャリアパッケージや、テ
ープキャリアを更にリードフレームに接続するプラスチ
ックパッケージや、テープ・ボール・グリッド・アレイ
がある。特に、液晶ドライバー用半導体装置等、多ピン
のパッケージが要求されている分野においてはテープキ
ャリアパッケージに半導体チップを実装するのが一般的
である。
【０００３】図３は従来のテープキャリアパッケージ半
導体装置の構成を示す断面図である。図３において、１
はテープキャリアで、これは、デバイスホール５が開口
され、絶縁テープ２に金属リード３を付着、形成されて
いる。金属リード３がデバイスホール５内に突出した部
分が、インナーリード４である。６は半導体チップであ
り、この半導体チップ６上にバンプ７ａおよびバンプ７
ｂが形成されている。そして、インナーリード４の先端
部がバンプ７ａを介して半導体チップ６と接続してい
る。バンプ７ｂは絶縁テープ２と半導体チップ６との隙
間を少なくともバンプ高さ以上に確保することを目的と
している。８は封止樹脂で、半導体チップ６の表面とイ
ンナーリード４とバンプ７（バンプ７ａとバンプ７ｂを
総称）と絶縁テープ２の一部を少なくとも覆っている。
封止樹脂８は、半導体チップ６の表面及びインナーリー
ド４とバンプ７ａとの接合部の保護や、テープキャリア
１と半導体チップ６との一体固着を目的としている。９
は封止樹脂８に含まれる充填材であり、封止樹脂８の硬
度確保と線膨張係数の低下を目的としている。
導体装置の構成を示す断面図である。図３において、１
はテープキャリアで、これは、デバイスホール５が開口
され、絶縁テープ２に金属リード３を付着、形成されて
いる。金属リード３がデバイスホール５内に突出した部
分が、インナーリード４である。６は半導体チップであ
り、この半導体チップ６上にバンプ７ａおよびバンプ７
ｂが形成されている。そして、インナーリード４の先端
部がバンプ７ａを介して半導体チップ６と接続してい
る。バンプ７ｂは絶縁テープ２と半導体チップ６との隙
間を少なくともバンプ高さ以上に確保することを目的と
している。８は封止樹脂で、半導体チップ６の表面とイ
ンナーリード４とバンプ７（バンプ７ａとバンプ７ｂを
総称）と絶縁テープ２の一部を少なくとも覆っている。
封止樹脂８は、半導体チップ６の表面及びインナーリー
ド４とバンプ７ａとの接合部の保護や、テープキャリア
１と半導体チップ６との一体固着を目的としている。９
は封止樹脂８に含まれる充填材であり、封止樹脂８の硬
度確保と線膨張係数の低下を目的としている。
【０００４】次にテープキャリア１の形成方法の一例に
ついて、以下に説明する。
ついて、以下に説明する。
【０００５】まず、絶縁テープ２にデバイスホール５や
スリットなどの孔を金型で明ける。次に、絶縁テープ２
の表面に金属箔を付着する。そして、パターンやリード
形成のために金属箔のエッチングを行う。その後、エッ
チングされた金属箔のパターンやリードに電解メッキま
たは無電解メッキ法により、バンプ７と接合するための
金属メッキを施す。なお、絶縁テープ２と接している金
属リード３と呼び、デバイスホール５に突出しているリ
ードをインナーリード４と呼ぶ。このようにしてテープ
キャリア１が完成する。
スリットなどの孔を金型で明ける。次に、絶縁テープ２
の表面に金属箔を付着する。そして、パターンやリード
形成のために金属箔のエッチングを行う。その後、エッ
チングされた金属箔のパターンやリードに電解メッキま
たは無電解メッキ法により、バンプ７と接合するための
金属メッキを施す。なお、絶縁テープ２と接している金
属リード３と呼び、デバイスホール５に突出しているリ
ードをインナーリード４と呼ぶ。このようにしてテープ
キャリア１が完成する。
【０００６】次に、テープキャリア１と半導体チップ６
の組立方法について説明する。
の組立方法について説明する。
【０００７】まず、絶縁テープ２のデバイスホール５付
近の絶縁テープ２の裏面に、インナーリード４と接続す
るバンプ７ａが重なるように半導体チップ６を配置す
る。そして、デバイスホール５の内側に突出しているイ
ンナーリード４とバンプ７ａとを熱圧着し、金属的な接
合を形成することにより、電気的に接合する。その後、
半導体チップ６とインナーリード４と絶縁テープ２の一
部の上方より液状の封止樹脂を塗布する。そして、液状
の封止樹脂を乾燥させ、硬化させることにより、封止樹
脂８が形成される。
近の絶縁テープ２の裏面に、インナーリード４と接続す
るバンプ７ａが重なるように半導体チップ６を配置す
る。そして、デバイスホール５の内側に突出しているイ
ンナーリード４とバンプ７ａとを熱圧着し、金属的な接
合を形成することにより、電気的に接合する。その後、
半導体チップ６とインナーリード４と絶縁テープ２の一
部の上方より液状の封止樹脂を塗布する。そして、液状
の封止樹脂を乾燥させ、硬化させることにより、封止樹
脂８が形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この従来のテープキャ
リアパッケージ半導体装置は、できるだけテープキャリ
アパッケージの幅を狭くするために、デバイスホール５
を半導体チップ６より小さくする。この場合、液状の封
止樹脂を半導体チップ６の上方から塗布して半導体チッ
プ６と絶縁テープ２との隙間に流し込む必要があった。
しかしながら絶縁テープ２と半導体チップ６との隙間が
狭く、封止樹脂８に含まれる充填材９がこの隙間をふさ
ぎ、封止樹脂８が絶縁テープ２の裏面に回り込む量が少
なるために、絶縁テープ２、インナーリード４、半導体
チップ６との充分な密着強度が得られないという問題が
あった。
リアパッケージ半導体装置は、できるだけテープキャリ
アパッケージの幅を狭くするために、デバイスホール５
を半導体チップ６より小さくする。この場合、液状の封
止樹脂を半導体チップ６の上方から塗布して半導体チッ
プ６と絶縁テープ２との隙間に流し込む必要があった。
しかしながら絶縁テープ２と半導体チップ６との隙間が
狭く、封止樹脂８に含まれる充填材９がこの隙間をふさ
ぎ、封止樹脂８が絶縁テープ２の裏面に回り込む量が少
なるために、絶縁テープ２、インナーリード４、半導体
チップ６との充分な密着強度が得られないという問題が
あった。
【０００９】また、絶縁テープ２の裏面に回り込んだ封
止樹脂８は充填材９の量が少なく、半導体チップ６上の
封止樹脂８と物性が異なるという問題があった。特に充
填材９の量が少ない場合は封止樹脂８の線膨張係数が大
きくなり温度に対する体積変化率が大きくなるため部分
的に応力がかかるなど、信頼性が低下する可能性があ
る。
止樹脂８は充填材９の量が少なく、半導体チップ６上の
封止樹脂８と物性が異なるという問題があった。特に充
填材９の量が少ない場合は封止樹脂８の線膨張係数が大
きくなり温度に対する体積変化率が大きくなるため部分
的に応力がかかるなど、信頼性が低下する可能性があ
る。
【００１０】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、絶縁テープ２の裏面に回り込む封止樹脂８の量を増
やし、絶縁テープ２、インナーリード４、半導体チップ
６との密着強度を増すことができるとともに、絶縁テー
プ２の裏面に回り込む封止樹脂８に含まれる充填材９の
割合を半導体チップ６上の封止樹脂８と同等にできるテ
ープキャリアパッケージ半導体装置を提供することを目
的とする。
で、絶縁テープ２の裏面に回り込む封止樹脂８の量を増
やし、絶縁テープ２、インナーリード４、半導体チップ
６との密着強度を増すことができるとともに、絶縁テー
プ２の裏面に回り込む封止樹脂８に含まれる充填材９の
割合を半導体チップ６上の封止樹脂８と同等にできるテ
ープキャリアパッケージ半導体装置を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
し目的を達成するために、テープキャリアパッケージ半
導体装置において、封止樹脂に含まれる充填材の粒径
を、絶縁テープと半導体チップの隙間の８割以下とする
封止樹脂を用いることを特徴とするものである。
し目的を達成するために、テープキャリアパッケージ半
導体装置において、封止樹脂に含まれる充填材の粒径
を、絶縁テープと半導体チップの隙間の８割以下とする
封止樹脂を用いることを特徴とするものである。
【００１２】この構成により、封止樹脂に含まれるほと
んどすべての充填材が絶縁テープと半導体チップとの隙
間を通過することができるようになるため、封止樹脂の
絶縁テープの裏面に回り込む量を増やすことができる。
んどすべての充填材が絶縁テープと半導体チップとの隙
間を通過することができるようになるため、封止樹脂の
絶縁テープの裏面に回り込む量を増やすことができる。
【００１３】また、絶縁テープの裏面に回り込んだ封止
樹脂の充填材の割合を、半導体チップ上に形成された封
止樹脂の充填材の割合と同等にできる。充填材の最大粒
径と封止樹脂が裏面に回り込む量との関係を調査した結
果、次の結果を得た。充填材の最大粒径を小さくするこ
とによって絶縁テープに回り込む樹脂の量は増える。し
かし絶縁テープと半導体チップの隙間に対して充填材の
粒径を等しくした場合、絶縁テープ裏面に回り込む樹脂
の量はばらつきが残る。充填材の粒径を絶縁テープと半
導体チップの隙間の８割以下とした場合、絶縁テープに
回り込む封止樹脂の量は安定する。
樹脂の充填材の割合を、半導体チップ上に形成された封
止樹脂の充填材の割合と同等にできる。充填材の最大粒
径と封止樹脂が裏面に回り込む量との関係を調査した結
果、次の結果を得た。充填材の最大粒径を小さくするこ
とによって絶縁テープに回り込む樹脂の量は増える。し
かし絶縁テープと半導体チップの隙間に対して充填材の
粒径を等しくした場合、絶縁テープ裏面に回り込む樹脂
の量はばらつきが残る。充填材の粒径を絶縁テープと半
導体チップの隙間の８割以下とした場合、絶縁テープに
回り込む封止樹脂の量は安定する。
【００１４】つまり、絶縁テープ裏面に封止樹脂が安定
して回り込み、その中の充填材がチップ上の封止樹脂に
含まれる割合と同等とするためには、樹脂に含まれる充
填材の粒径を８割以下とする必要がある。一方、粒径を
細かくしすぎると封止樹脂の液状での流動性が悪くなる
ため、粒径のバランスを取ることが重要である。また充
填材の粒径分布は必ずしも均一である必要はない。
して回り込み、その中の充填材がチップ上の封止樹脂に
含まれる割合と同等とするためには、樹脂に含まれる充
填材の粒径を８割以下とする必要がある。一方、粒径を
細かくしすぎると封止樹脂の液状での流動性が悪くなる
ため、粒径のバランスを取ることが重要である。また充
填材の粒径分布は必ずしも均一である必要はない。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
絶縁テープと半導体チップの隙間に対して少なくとも８
割以下の粒径である充填材を含む封止樹脂を使用するこ
とを特徴としているので、封止樹脂が絶縁テープの裏側
に回り込む量を増やすことが出来るという作用を有す
る。
絶縁テープと半導体チップの隙間に対して少なくとも８
割以下の粒径である充填材を含む封止樹脂を使用するこ
とを特徴としているので、封止樹脂が絶縁テープの裏側
に回り込む量を増やすことが出来るという作用を有す
る。
【００１６】本発明の請求項２記載の発明は、半導体チ
ップ上の封止樹脂に含まれる充填材の割合と、絶縁テー
プの裏面に回り込んだ封止樹脂に含まれる充填材の割合
とが同等となるため、封止樹脂の物性、特に線膨張係数
を等しくすることができるという作用を有する。
ップ上の封止樹脂に含まれる充填材の割合と、絶縁テー
プの裏面に回り込んだ封止樹脂に含まれる充填材の割合
とが同等となるため、封止樹脂の物性、特に線膨張係数
を等しくすることができるという作用を有する。
【００１７】（実施の形態）図１は本発明の実施の形態
におけるテープキャリアパッケージ半導体装置の封止樹
脂形成前の構成を示す上面図、図２は図１におけるテー
プキャリアパッケージ半導体装置のＡ−Ａ断面図であ
る。
におけるテープキャリアパッケージ半導体装置の封止樹
脂形成前の構成を示す上面図、図２は図１におけるテー
プキャリアパッケージ半導体装置のＡ−Ａ断面図であ
る。
【００１８】図１および図２において、前記図３で説明
した従来のテープキャリアパッケージ半導体装置の構成
と同様の部分は、同一符号にしている。ただし、封止樹
脂８に含まれる充填材９の粒径については、図３に示す
ように従来、最大粒径が絶縁テープ２と半導体チップ６
の隙間より大きいものであったのに対し、本発明の実施
の形態においては、絶縁テープ２と半導体チップ６の隙
間の８割以下の粒径を持つ充填材９で構成されている。
した従来のテープキャリアパッケージ半導体装置の構成
と同様の部分は、同一符号にしている。ただし、封止樹
脂８に含まれる充填材９の粒径については、図３に示す
ように従来、最大粒径が絶縁テープ２と半導体チップ６
の隙間より大きいものであったのに対し、本発明の実施
の形態においては、絶縁テープ２と半導体チップ６の隙
間の８割以下の粒径を持つ充填材９で構成されている。
【００１９】図１に示すように、絶縁テープ２はデバイ
スホール５が明けられており、パターン形成された金属
リード３とデバイスホール５の内側にインナーリード４
が突出している。半導体チップ６上には、インナーリー
ド４と電気的に接合するバンプ７ａと、絶縁テープ２と
半導体チップ６との隙間を少なくともバンプ高さ以上に
確保するためのバンプ７ｂが形成されている。
スホール５が明けられており、パターン形成された金属
リード３とデバイスホール５の内側にインナーリード４
が突出している。半導体チップ６上には、インナーリー
ド４と電気的に接合するバンプ７ａと、絶縁テープ２と
半導体チップ６との隙間を少なくともバンプ高さ以上に
確保するためのバンプ７ｂが形成されている。
【００２０】これらの高さは一例として約１５μｍであ
る。半導体チップ６は絶縁テープ２の裏面に位置してお
り、半導体チップ６の横の長さはデバイスホール５の横
の長さより長く、半導体チップ６とデバイスホール５は
一例として約０．１ｍｍ重なる。半導体チップ６の縦の
長さはデバイスホールの縦の長さより約０．２ｍｍ短
い。
る。半導体チップ６は絶縁テープ２の裏面に位置してお
り、半導体チップ６の横の長さはデバイスホール５の横
の長さより長く、半導体チップ６とデバイスホール５は
一例として約０．１ｍｍ重なる。半導体チップ６の縦の
長さはデバイスホールの縦の長さより約０．２ｍｍ短
い。
【００２１】以上のように構成される封止樹脂形成前の
半導体装置に、半導体チップ６の表面と絶縁テープ２と
金属リード３とインナーリード４の上方から液状の封止
樹脂８を塗布し、封止樹脂８を乾燥、硬化させ、テープ
キャリアパッケージ半導体装置が完成する。封止樹脂８
に含まれる充填材９の粒径は、半導体チップ６と絶縁テ
ープ２の隙間の８割以下である。
半導体装置に、半導体チップ６の表面と絶縁テープ２と
金属リード３とインナーリード４の上方から液状の封止
樹脂８を塗布し、封止樹脂８を乾燥、硬化させ、テープ
キャリアパッケージ半導体装置が完成する。封止樹脂８
に含まれる充填材９の粒径は、半導体チップ６と絶縁テ
ープ２の隙間の８割以下である。
【００２２】半導体チップ６と絶縁テープ２の隙間はバ
ンプ７ｂの高さとほぼ同等となり約１５μｍであるの
で、封止樹脂８に含まれる充填材９の粒径は一例として
１２μｍ以下で構成する。液状の封止樹脂の流動性を考
慮して、充填材９の平均粒径は一例として５μｍとす
る。その結果、図２に示すように封止樹脂８は充填材と
ともに絶縁テープ裏面に回り込む。封止樹脂８はデバイ
スホール５から一例として約０．２〜０．５ｍｍ広が
る。
ンプ７ｂの高さとほぼ同等となり約１５μｍであるの
で、封止樹脂８に含まれる充填材９の粒径は一例として
１２μｍ以下で構成する。液状の封止樹脂の流動性を考
慮して、充填材９の平均粒径は一例として５μｍとす
る。その結果、図２に示すように封止樹脂８は充填材と
ともに絶縁テープ裏面に回り込む。封止樹脂８はデバイ
スホール５から一例として約０．２〜０．５ｍｍ広が
る。
【００２３】以上のように封止樹脂８に含まれる充填材
９の粒径を半導体チップ６と絶縁テープ２の隙間の８割
以下とすることにより、絶縁テープ２の裏面のＢ部には
液状の封止樹脂８が回り込む量を増加させることがで
き、テープキャリア１と半導体チップ６との密着強度を
増すことができる。また半導体チップ６上の封止樹脂８
と絶縁テープ２の裏面のＢ部に回り込んだ封止樹脂８に
含まれる充填材９の割合を同等とすることにより、封止
樹脂８の物性、特に線膨張係数を同等とすることができ
る。さらに絶縁テープ２と半導体チップ６との隙間へ封
止樹脂８を完全に充填することにより、半導体チップ６
の表面への吸湿を防止することができる。
９の粒径を半導体チップ６と絶縁テープ２の隙間の８割
以下とすることにより、絶縁テープ２の裏面のＢ部には
液状の封止樹脂８が回り込む量を増加させることがで
き、テープキャリア１と半導体チップ６との密着強度を
増すことができる。また半導体チップ６上の封止樹脂８
と絶縁テープ２の裏面のＢ部に回り込んだ封止樹脂８に
含まれる充填材９の割合を同等とすることにより、封止
樹脂８の物性、特に線膨張係数を同等とすることができ
る。さらに絶縁テープ２と半導体チップ６との隙間へ封
止樹脂８を完全に充填することにより、半導体チップ６
の表面への吸湿を防止することができる。
【００２４】なお、上記の本実施の形態では、半導体チ
ップ６の縦の長さがデバイスホール５の縦の長さより短
い例を挙げて説明したが、本発明における、粒径が、半
導体チップ６と絶縁テープ２の隙間の８割以下である充
填材９で構成される封止樹脂８を用いれば、半導体チッ
プ６の縦の長さがデバイスホール５の縦の長さより長く
０．１ｍｍ程度の重なりを持つ場合でも、充分な密着強
度を持つ。
ップ６の縦の長さがデバイスホール５の縦の長さより短
い例を挙げて説明したが、本発明における、粒径が、半
導体チップ６と絶縁テープ２の隙間の８割以下である充
填材９で構成される封止樹脂８を用いれば、半導体チッ
プ６の縦の長さがデバイスホール５の縦の長さより長く
０．１ｍｍ程度の重なりを持つ場合でも、充分な密着強
度を持つ。
【００２５】充填材９としては絶縁性の材質で酸化珪
素、アルミナ、窒化アルミニウムなどが望ましい。特に
放熱特性を要求する場合は熱伝導性に優れる窒化アルミ
ニウムを用いる。その形状は球状、または卵形のような
とがった部分のない形状がよい。
素、アルミナ、窒化アルミニウムなどが望ましい。特に
放熱特性を要求する場合は熱伝導性に優れる窒化アルミ
ニウムを用いる。その形状は球状、または卵形のような
とがった部分のない形状がよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、封止樹脂
８に含まれる充填材９の粒径を半導体チップ６と絶縁テ
ープ２の隙間の８割以下とすることにより、絶縁テープ
２の裏面に液状の封止樹脂８が回り込む量を増加させる
ことができ、テープキャリア１と半導体チップ６との密
着強度を増すことができる。また半導体チップ６上の封
止樹脂８と絶縁テープ２の裏面に回り込んだ封止樹脂８
に含まれる充填材９の割合を同等とすることにより、封
止樹脂８の物性、特に線膨張係数を同等とすることがで
きる。
８に含まれる充填材９の粒径を半導体チップ６と絶縁テ
ープ２の隙間の８割以下とすることにより、絶縁テープ
２の裏面に液状の封止樹脂８が回り込む量を増加させる
ことができ、テープキャリア１と半導体チップ６との密
着強度を増すことができる。また半導体チップ６上の封
止樹脂８と絶縁テープ２の裏面に回り込んだ封止樹脂８
に含まれる充填材９の割合を同等とすることにより、封
止樹脂８の物性、特に線膨張係数を同等とすることがで
きる。
【００２７】このため温度変化に対して局所的に応力が
かかることがなく、信頼性を向上することができる。さ
らに絶縁テープ２と半導体チップ６との隙間へ封止樹脂
８を完全に充填することにより、半導体チップ６の表面
への吸湿を防止することができる。
かかることがなく、信頼性を向上することができる。さ
らに絶縁テープ２と半導体チップ６との隙間へ封止樹脂
８を完全に充填することにより、半導体チップ６の表面
への吸湿を防止することができる。
【図１】本発明の実施の形態におけるテープキャリアパ
ッケージ半導体装置の封止樹脂形成前の構成を示す上面
図
ッケージ半導体装置の封止樹脂形成前の構成を示す上面
図
【図２】図１のテープキャリアパッケージ半導体装置の
Ａ−Ａ断面図
Ａ−Ａ断面図
【図３】従来のテープキャリアパッケージ半導体装置の
断面図
断面図
１ テープキャリア ２ 絶縁テープ ３ 金属リード ４ インナーリード ５ デバイスホール ６ 半導体チップ ７ バンプ ８ 封止樹脂 ９ 充填材
Claims (2)
- 【請求項１】 絶縁テープの裏面の少なくとも一部と半
導体チップの表面の少なくとも一部とが一定の隙間を有
して重なり合い、前記隙間に封止樹脂を充填することで
前記絶縁テープと前記半導体チップとが一体固着される
テープキャリアパッケージ半導体装置において、表面に
バンプを有する前記半導体チップとデバイスホールを有
する前記絶縁テープ上に形成される金属リードと前記デ
バイスホールの内側に露出し、一端が前記バンプに接続
され、他端が前記金属リードに接続しているインナーリ
ードの周囲に粒径が前記隙間の８割以下である充填材を
含む前記封止樹脂により前記インナーリードと前記半導
体チップの表面と前記絶縁テープの一部を覆う構成にし
たことを特徴とするテープキャリアパッケージ半導体装
置。 - 【請求項２】 絶縁テープと半導体チップの隙間を覆う
封止樹脂に含まれる充填材が半導体チップ上の封止樹脂
と同等に均一に分布することを特徴とする請求項１記載
のテープキャリアパッケージ半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10028614A JPH11233565A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | テープキャリアパッケージ半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10028614A JPH11233565A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | テープキャリアパッケージ半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233565A true JPH11233565A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12253445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10028614A Pending JPH11233565A (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | テープキャリアパッケージ半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233565A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10381265B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device with interlayer insulating layers |
-
1998
- 1998-02-10 JP JP10028614A patent/JPH11233565A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10381265B2 (en) | 2016-05-31 | 2019-08-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device with interlayer insulating layers |
| US11004732B2 (en) | 2016-05-31 | 2021-05-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor device |
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