JPH11233293A - プラズマ処理方法及びプラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及びプラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH11233293A JPH11233293A JP10048649A JP4864998A JPH11233293A JP H11233293 A JPH11233293 A JP H11233293A JP 10048649 A JP10048649 A JP 10048649A JP 4864998 A JP4864998 A JP 4864998A JP H11233293 A JPH11233293 A JP H11233293A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマ処理に於いて、プラズマ処理時の異常
放電を事前に予測し、プラズマ処理条件を適正化するこ
とで異常放電を防止し、製品のプラズマ処理信頼性を向
上し、製品品質、歩留りの向上を図る。 【解決手段】処理室内の圧力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加高
周波電力Ｗにより異常放電領域と放電安定領域との境界
条件を求め、設定したプラズマ処理条件、或は処理中の
プラズマ処理条件が前記異常放電領域である場合に、警
報信号を発するものである。
放電を事前に予測し、プラズマ処理条件を適正化するこ
とで異常放電を防止し、製品のプラズマ処理信頼性を向
上し、製品品質、歩留りの向上を図る。 【解決手段】処理室内の圧力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加高
周波電力Ｗにより異常放電領域と放電安定領域との境界
条件を求め、設定したプラズマ処理条件、或は処理中の
プラズマ処理条件が前記異常放電領域である場合に、警
報信号を発するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマ処理方法及
びプラズマＣＶＤ装置、特に平行平板型電極によりプラ
ズマを発生させるプラズマ処理方法及びプラズマＣＶＤ
装置の異常放電に関するものである。
びプラズマＣＶＤ装置、特に平行平板型電極によりプラ
ズマを発生させるプラズマ処理方法及びプラズマＣＶＤ
装置の異常放電に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】平行平板型プラズマＣＶＤ装置は平板の
上部電極、該上部電極に対向させた下部電極を有し、前
記上部電極と下部電極間に反応ガスを供給しつつ高周波
電力を印加して両電極間にプラズマを発生させ、該プラ
ズマを利用して前記下部電極に載置したシリコンウェー
ハの被処理基板にプラズマ処理を行うものである。
上部電極、該上部電極に対向させた下部電極を有し、前
記上部電極と下部電極間に反応ガスを供給しつつ高周波
電力を印加して両電極間にプラズマを発生させ、該プラ
ズマを利用して前記下部電極に載置したシリコンウェー
ハの被処理基板にプラズマ処理を行うものである。
【０００３】図４、図５に於いて、従来のプラズマＣＶ
Ｄ装置について説明する。
Ｄ装置について説明する。
【０００４】真空処理室１内の下部に下部電極２を配設
し、該下部電極２上にはウェーハ３を載置可能とする。
前記下部電極２と対向して上部電極４が配設されてい
る。該上部電極４は中空構造であり、下面には多数のガ
ス分散孔が穿設されたシャワー板５が設けられ、前記上
部電極４の中空部には反応ガス供給源（図示せず）が連
通している。
し、該下部電極２上にはウェーハ３を載置可能とする。
前記下部電極２と対向して上部電極４が配設されてい
る。該上部電極４は中空構造であり、下面には多数のガ
ス分散孔が穿設されたシャワー板５が設けられ、前記上
部電極４の中空部には反応ガス供給源（図示せず）が連
通している。
【０００５】前記下部電極２はアースされており、又前
記上部電極４は整合回路７を介して高周波電源６に接続
されている。前記整合回路７は電気回路定数を調整し、
プラズマ発生時状態を安定させる機能を有している。
記上部電極４は整合回路７を介して高周波電源６に接続
されている。前記整合回路７は電気回路定数を調整し、
プラズマ発生時状態を安定させる機能を有している。
【０００６】前記上部電極４より反応ガスを供給しつつ
前記高周波電源６により前記下部電極２、上部電極４間
に高周波電力を印加することで、前記下部電極２、上部
電極４間にプラズマ１２を発生させる。発生したプラズ
マを利用して前記ウェーハ３の表面に気相蒸着により薄
膜を生成し、或はウェーハ３表面の被膜をエッチングす
る。
前記高周波電源６により前記下部電極２、上部電極４間
に高周波電力を印加することで、前記下部電極２、上部
電極４間にプラズマ１２を発生させる。発生したプラズ
マを利用して前記ウェーハ３の表面に気相蒸着により薄
膜を生成し、或はウェーハ３表面の被膜をエッチングす
る。
【０００７】プラズマ発生条件によっては、シャワー板
５よりトーチ１３と呼ばれる異常放電が発生する。異常
放電が発生すると、異常放電部分にエネルギが集中して
ウェーハの対応部分の膜厚が厚くなる等、成膜斑等が生
じ製品品質が低下し、或は歩留りが低下する。従って、
異常放電は極力避けなければならない。
５よりトーチ１３と呼ばれる異常放電が発生する。異常
放電が発生すると、異常放電部分にエネルギが集中して
ウェーハの対応部分の膜厚が厚くなる等、成膜斑等が生
じ製品品質が低下し、或は歩留りが低下する。従って、
異常放電は極力避けなければならない。
【０００８】従来より異常放電を検出し、可及的速やか
に消去、或は発生を未然に防止する等の手段が講じられ
ていた。
に消去、或は発生を未然に防止する等の手段が講じられ
ていた。
【０００９】従来の異常放電検出について説明する。
【００１０】図５に示される様に、前記整合回路７は可
変コンデンサ８，９を有し、該可変コンデンサ８，９は
プラズマの発生状態に応じて電気回路定数を調整する
様、容量が可変される。従って、前記可変コンデンサ
８，９の調整状態を監視することで電気回路定数の変化
が分り、該電気回路定数の変化により異常放電が検知で
きる。又、高周波電力ライン１０にインピーダンスモニ
タ１１を設け、該インピーダンスモニタ１１によりプラ
ズマ発生時のインピーダンスを監視し、インピーダンス
に変化があった場合に、異常放電があったと判断してい
る。
変コンデンサ８，９を有し、該可変コンデンサ８，９は
プラズマの発生状態に応じて電気回路定数を調整する
様、容量が可変される。従って、前記可変コンデンサ
８，９の調整状態を監視することで電気回路定数の変化
が分り、該電気回路定数の変化により異常放電が検知で
きる。又、高周波電力ライン１０にインピーダンスモニ
タ１１を設け、該インピーダンスモニタ１１によりプラ
ズマ発生時のインピーダンスを監視し、インピーダンス
に変化があった場合に、異常放電があったと判断してい
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記した様に従来で
は、プラズマ発生時の電気回路上の定数の変化から異常
放電を検出している。即ち、実際に異常放電が発生した
後にプラズマ異常を検出する為、異常放電による製品へ
の影響は避けられなかった。
は、プラズマ発生時の電気回路上の定数の変化から異常
放電を検出している。即ち、実際に異常放電が発生した
後にプラズマ異常を検出する為、異常放電による製品へ
の影響は避けられなかった。
【００１２】本発明は斯かる実情に鑑み、プラズマ処理
時の異常放電を事前に予測し、プラズマ処理条件を適正
化することで異常放電を防止し、製品のプラズマ処理信
頼性を向上させ、製品品質、歩留りの向上を図るもので
ある。
時の異常放電を事前に予測し、プラズマ処理条件を適正
化することで異常放電を防止し、製品のプラズマ処理信
頼性を向上させ、製品品質、歩留りの向上を図るもので
ある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、処理室内の圧
力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加高周波電力Ｗにより異常放電
領域と放電安定領域との境界条件を求め、放電安定領域
内に含まれる様、前記圧力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加高周
波電力Ｗを設定してプラズマ処理を行うプラズマ処理方
法に係り、更に処理室内の圧力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加
高周波電力Ｗにより異常放電領域と放電安定領域の境界
条件を求め、プラズマ処理中に異常放電領域となった場
合に警報信号を発するプラズマ処理方法に係り、更に前
記警報信号をトリガーとしてプラズマ処理に関する情報
を記録する様にしたプラズマ処理方法、更に印加高周波
電力Ｗ／（圧力Ｐ×電極間距離Ｄ）＝Ｃ（機器によって
定る常数）により前記境界条件が与えられるプラズマ処
理方法に係り、更に異常放電領域と放電安定領域との境
界条件及びプラズマ処理条件を設定入力する入力設定器
と、前記境界条件と設定されたプラズマ処理条件又はプ
ラズマ処理中の処理条件との比較を行い、プラズマ処理
条件が異常放電領域にある場合に警報信号を発する演算
器とを具備するプラズマＣＶＤ装置に係るものである。
力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加高周波電力Ｗにより異常放電
領域と放電安定領域との境界条件を求め、放電安定領域
内に含まれる様、前記圧力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加高周
波電力Ｗを設定してプラズマ処理を行うプラズマ処理方
法に係り、更に処理室内の圧力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加
高周波電力Ｗにより異常放電領域と放電安定領域の境界
条件を求め、プラズマ処理中に異常放電領域となった場
合に警報信号を発するプラズマ処理方法に係り、更に前
記警報信号をトリガーとしてプラズマ処理に関する情報
を記録する様にしたプラズマ処理方法、更に印加高周波
電力Ｗ／（圧力Ｐ×電極間距離Ｄ）＝Ｃ（機器によって
定る常数）により前記境界条件が与えられるプラズマ処
理方法に係り、更に異常放電領域と放電安定領域との境
界条件及びプラズマ処理条件を設定入力する入力設定器
と、前記境界条件と設定されたプラズマ処理条件又はプ
ラズマ処理中の処理条件との比較を行い、プラズマ処理
条件が異常放電領域にある場合に警報信号を発する演算
器とを具備するプラズマＣＶＤ装置に係るものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。
実施の形態を説明する。
【００１５】本発明者はＣＶＤ装置のプラズマ発生条件
を種々検討して、前記下部電極２と上部電極４との電極
間距離Ｄと真空処理室１内の圧力Ｐとの積、Ｐ・Ｄと印
加高周波電力Ｗと異常放電との間に相関関係があること
を見出した。而して、本発明は異常放電が発生する異常
放電領域と放電安定領域との境界条件を前記電極間距離
Ｄと、圧力Ｐと、印加高周波電力Ｗとの関係に於いて求
め、プラズマ処理条件を設定する場合に前記電極間距離
Ｄ、圧力Ｐ、印加高周波電力Ｗが前記安定放電領域にあ
る様に設定し、又プラズマ処理中に前記電極間距離Ｄ、
圧力Ｐ、印加高周波電力Ｗで得られるプラズマ処理条件
が前記異常放電領域にある場合は、異常放電の発生の虞
れがあると判断するものである。
を種々検討して、前記下部電極２と上部電極４との電極
間距離Ｄと真空処理室１内の圧力Ｐとの積、Ｐ・Ｄと印
加高周波電力Ｗと異常放電との間に相関関係があること
を見出した。而して、本発明は異常放電が発生する異常
放電領域と放電安定領域との境界条件を前記電極間距離
Ｄと、圧力Ｐと、印加高周波電力Ｗとの関係に於いて求
め、プラズマ処理条件を設定する場合に前記電極間距離
Ｄ、圧力Ｐ、印加高周波電力Ｗが前記安定放電領域にあ
る様に設定し、又プラズマ処理中に前記電極間距離Ｄ、
圧力Ｐ、印加高周波電力Ｗで得られるプラズマ処理条件
が前記異常放電領域にある場合は、異常放電の発生の虞
れがあると判断するものである。
【００１６】図１、図２に於いて前記境界条件について
説明する。
説明する。
【００１７】境界条件を求めるに当り、ＣＶＤ装置の形
式、電極構造、真空処理室１の大きさによって境界条件
は変ってくると考えられ、対象となるＣＶＤ装置につい
て前記電極間距離Ｄと、圧力Ｐと、印加高周波電力Ｗと
異常放電との関連を実験等により求める。
式、電極構造、真空処理室１の大きさによって境界条件
は変ってくると考えられ、対象となるＣＶＤ装置につい
て前記電極間距離Ｄと、圧力Ｐと、印加高周波電力Ｗと
異常放電との関連を実験等により求める。
【００１８】図１は図４で示した平板対向電極を有する
ＣＶＤ装置についてのデータである。
ＣＶＤ装置についてのデータである。
【００１９】図１は電極間距離Ｄをパラメータとして電
極間距離Ｄが７mm，１０mm，１５mm，２０mmとした場合
に、それぞれの真空処理室１内の圧力Ｐを変化させた場
合に異常放電が始る時の印加高周波電力の値をプロット
したものである。
極間距離Ｄが７mm，１０mm，１５mm，２０mmとした場合
に、それぞれの真空処理室１内の圧力Ｐを変化させた場
合に異常放電が始る時の印加高周波電力の値をプロット
したものである。
【００２０】前述した様に、図１のデータを種々検討し
てＰ・ＤとＷが異常放電と放電安定領域との境界条件を
与えることを見出した。
てＰ・ＤとＷが異常放電と放電安定領域との境界条件を
与えることを見出した。
【００２１】図２は前記圧力Ｐ×電極間距離Ｄと印加高
周波電力Ｗとの関係を示している。
周波電力Ｗとの関係を示している。
【００２２】図中黒点は異常放電を開始した値をプロッ
トしているが、異常放電を開始した点の傾向を検討する
と、図２中破線で示す境界線Ｘが得られ、この境界線Ｘ
で得られる前記電極間距離Ｄ、圧力Ｐ、印加高周波電力
Ｗの値が異常放電発生の境界条件となる。
トしているが、異常放電を開始した点の傾向を検討する
と、図２中破線で示す境界線Ｘが得られ、この境界線Ｘ
で得られる前記電極間距離Ｄ、圧力Ｐ、印加高周波電力
Ｗの値が異常放電発生の境界条件となる。
【００２３】而して、プラズマ処理条件を前記電極間距
離Ｄ、圧力Ｐ、印加高周波電力Ｗの値が図２の境界線Ｘ
より下方領域に含まれる様に設定すれば、プラズマ処理
中の異常放電の発生が未然に防止でき、更にプラズマ処
理中に前記電極間距離Ｄ、圧力Ｐ、印加高周波電力Ｗの
値が図２の境界線Ｘより上方領域に含まれる様になれ
ば、異常放電の虞れがあるとして前記電極間距離Ｄ、圧
力Ｐ、印加高周波電力Ｗを変更して図２の境界線Ｘより
下方領域に含まれる様にすることでやはり異常放電の発
生が未然に防止できる。
離Ｄ、圧力Ｐ、印加高周波電力Ｗの値が図２の境界線Ｘ
より下方領域に含まれる様に設定すれば、プラズマ処理
中の異常放電の発生が未然に防止でき、更にプラズマ処
理中に前記電極間距離Ｄ、圧力Ｐ、印加高周波電力Ｗの
値が図２の境界線Ｘより上方領域に含まれる様になれ
ば、異常放電の虞れがあるとして前記電極間距離Ｄ、圧
力Ｐ、印加高周波電力Ｗを変更して図２の境界線Ｘより
下方領域に含まれる様にすることでやはり異常放電の発
生が未然に防止できる。
【００２４】本実施の形態に於いて、図２より放電安定
領域となる前記電極間距離Ｄ、圧力Ｐ、印加高周波電力
Ｗの境界条件は、Ｗ／Ｐ・Ｄ≒６ [cm/torr・mm] であ
る。
領域となる前記電極間距離Ｄ、圧力Ｐ、印加高周波電力
Ｗの境界条件は、Ｗ／Ｐ・Ｄ≒６ [cm/torr・mm] であ
る。
【００２５】前記異常放電発生境界条件を考慮したＣＶ
Ｄ装置について図３により説明する。
Ｄ装置について図３により説明する。
【００２６】図３中、１５は入力設定器、１６は演算
器、１７は記憶器、１８は表示器、１９は警報器、２０
は真空処理室１内の様子を撮像する撮像装置、２１は圧
力検出器、２２は温度検出器、２３は電力検出器であ
る。
器、１７は記憶器、１８は表示器、１９は警報器、２０
は真空処理室１内の様子を撮像する撮像装置、２１は圧
力検出器、２２は温度検出器、２３は電力検出器であ
る。
【００２７】対象となるＣＶＤ装置について予め異常放
電が始るときの圧力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加高周波電力
Ｗのデータを取り、境界条件Ｗ／Ｐ・Ｄ＝Ｃ（機種によ
り特定される定数） [cm/torr・mm] を求めておく。この
境界条件Ｗ／Ｐ・Ｄ＝Ｃ [cm/torr・mm] を、前記入力設
定器１５より設定入力する。境界条件は前記演算器１６
を経て前記記憶器１７に記憶される。
電が始るときの圧力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加高周波電力
Ｗのデータを取り、境界条件Ｗ／Ｐ・Ｄ＝Ｃ（機種によ
り特定される定数） [cm/torr・mm] を求めておく。この
境界条件Ｗ／Ｐ・Ｄ＝Ｃ [cm/torr・mm] を、前記入力設
定器１５より設定入力する。境界条件は前記演算器１６
を経て前記記憶器１７に記憶される。
【００２８】実際にプラズマ処理を行う場合に、処理条
件である圧力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加高周波電力Ｗを前
記入力設定器１５より設定する。前記演算器１６は入力
された値をＷ／Ｐ・Ｄにより演算し、演算結果が前記Ｃ
より大きいか、小さいかを判断する。演算結果が前記Ｃ
より小さい場合は安定放電領域となる条件設定であるの
で、前記表示器１８に正常である旨の表示をする。
件である圧力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加高周波電力Ｗを前
記入力設定器１５より設定する。前記演算器１６は入力
された値をＷ／Ｐ・Ｄにより演算し、演算結果が前記Ｃ
より大きいか、小さいかを判断する。演算結果が前記Ｃ
より小さい場合は安定放電領域となる条件設定であるの
で、前記表示器１８に正常である旨の表示をする。
【００２９】又、演算結果が大きい場合は、異常放電領
域の設定であるので前記演算器１６より前記表示器１
８、前記警報器１９に警報信号を出力して前記表示器１
８に条件が不適当である旨表示すると共に前記警報器１
９のブザーを鳴らし、或は警報ランプを点滅する。
域の設定であるので前記演算器１６より前記表示器１
８、前記警報器１９に警報信号を出力して前記表示器１
８に条件が不適当である旨表示すると共に前記警報器１
９のブザーを鳴らし、或は警報ランプを点滅する。
【００３０】更に、プラズマ処理中に演算結果が境界条
件より大きいと判断した場合は、更に前記撮像装置２０
にトリガー信号を発し、撮像装置２０により真空処理室
１内の映像を撮像し、撮像装置２０が具備するビデオテ
ープ等の記録媒体に映像を記録する。更に、前記撮像装
置２０からの映像信号は前記表示器１８のモニタテレビ
等に送出され、真空処理室１内の処理状況が映される。
件より大きいと判断した場合は、更に前記撮像装置２０
にトリガー信号を発し、撮像装置２０により真空処理室
１内の映像を撮像し、撮像装置２０が具備するビデオテ
ープ等の記録媒体に映像を記録する。更に、前記撮像装
置２０からの映像信号は前記表示器１８のモニタテレビ
等に送出され、真空処理室１内の処理状況が映される。
【００３１】又、前記トリガー信号により、前記圧力検
出器２１、温度検出器２２、電力検出器２３、電極間距
離検出器（図示せず）等の各種検出器から、真空処理室
１内の温度、圧力、高周波電力ラインのインピーダンス
等種々ハードウエアの情報が取込まれる。
出器２１、温度検出器２２、電力検出器２３、電極間距
離検出器（図示せず）等の各種検出器から、真空処理室
１内の温度、圧力、高周波電力ラインのインピーダンス
等種々ハードウエアの情報が取込まれる。
【００３２】而して、前記撮像装置２０は異常放電が予
想される状況、或は異常放電が発生した状況のみ真空処
理室１内を撮像する、或は種々ハードウエアの情報を取
込むこととなるので、最小限の記録媒体の使用で済む。
想される状況、或は異常放電が発生した状況のみ真空処
理室１内を撮像する、或は種々ハードウエアの情報を取
込むこととなるので、最小限の記録媒体の使用で済む。
【００３３】尚、上記実施の形態では平行平板型電極に
よりプラズマを発生させるプラズマ処理について説明し
たが、他の形式のプラズマ処理方法或はプラズマ処理装
置に於いても同様に実施可能であることは言う迄もな
い。
よりプラズマを発生させるプラズマ処理について説明し
たが、他の形式のプラズマ処理方法或はプラズマ処理装
置に於いても同様に実施可能であることは言う迄もな
い。
【００３４】
【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、プラズ
マ処理に於いて異常放電が発生する処理条件を予測でき
るので、プラズマ処理条件設定時に異常放電が生じない
様な条件設定が可能であり、処理途中での異常放電の発
生が防止でき、プラズマ処理の品質、信頼性が向上し
得、製品品質の安定、歩留りの向上が図れる。
マ処理に於いて異常放電が発生する処理条件を予測でき
るので、プラズマ処理条件設定時に異常放電が生じない
様な条件設定が可能であり、処理途中での異常放電の発
生が防止でき、プラズマ処理の品質、信頼性が向上し
得、製品品質の安定、歩留りの向上が図れる。
【００３５】又、異常放電が予測できるので必要時だけ
データを取ればよいので記録媒体の節約ができ経済的で
あり、更に異常放電時の記録が確実に行えるので異常放
電時に処理された被処理基板を区別することができ、品
質の信頼性を向上することができる。
データを取ればよいので記録媒体の節約ができ経済的で
あり、更に異常放電時の記録が確実に行えるので異常放
電時に処理された被処理基板を区別することができ、品
質の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】異常放電が発生する時の圧力Ｐ、電極間距離
Ｄ、印加高周波電力Ｗの関係を示す線図である。
Ｄ、印加高周波電力Ｗの関係を示す線図である。
【図２】異常放電領域、放電安定領域と、圧力Ｐ×電極
間距離Ｄと印加高周波電力Ｗとの関係を示す線図であ
る。
間距離Ｄと印加高周波電力Ｗとの関係を示す線図であ
る。
【図３】本発明の実施の形態を示すブロック図である。
【図４】ＣＶＤ装置の概略を示す説明図である。
【図５】従来例を示す説明図である。
１ 真空処理室 ２ 下部電極 ３ ウェーハ ４ 上部電極 １５ 入力設定器 １６ 演算器 １７ 記憶器 １８ 表示器
Claims (4)
- 【請求項１】 処理室内の圧力Ｐ、電極間距離Ｄ、印加
高周波電力Ｗにより異常放電領域と放電安定領域の境界
条件を求め、プラズマ処理中に異常放電領域となった場
合に警報信号を発することを特徴とするプラズマ処理方
法。 - 【請求項２】 前記警報信号をトリガーとしてプラズマ
処理に関する情報を記録するようにした請求項１のプラ
ズマ処理方法。 - 【請求項３】 印加高周波電力Ｗ／（圧力Ｐ×電極間距
離Ｄ）＝Ｃ（機器によって定る常数）により前記境界条
件が与えられる請求項１のプラズマ処理方法。 - 【請求項４】 異常放電領域と放電安定領域との境界条
件及びプラズマ処理条件を設定入力する入力設定器と、
前記境界条件と設定されたプラズマ処理条件又はプラズ
マ処理中の処理条件との比較を行い、プラズマ処理条件
が異常放電領域にある場合に警報信号を発する演算器と
を具備することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10048649A JPH11233293A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | プラズマ処理方法及びプラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10048649A JPH11233293A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | プラズマ処理方法及びプラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11233293A true JPH11233293A (ja) | 1999-08-27 |
Family
ID=12809220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10048649A Pending JPH11233293A (ja) | 1998-02-13 | 1998-02-13 | プラズマ処理方法及びプラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11233293A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006070689A1 (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-06 | Tokyo Electron Limited | 半導体製造装置、当該半導体製造装置における異常の検出、異常の原因の特定或いは異常の予測を行う方法、並びに当該方法を実施するためのコンピュータプログラムを記録した記憶媒体 |
| JP2006186280A (ja) * | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置及び記憶媒体 |
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