JP2003174015A - プラズマエッチング装置、それを用いた半導体装置の製造方法およびそのモニター方法 - Google Patents
プラズマエッチング装置、それを用いた半導体装置の製造方法およびそのモニター方法Info
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- JP2003174015A JP2003174015A JP2001373688A JP2001373688A JP2003174015A JP 2003174015 A JP2003174015 A JP 2003174015A JP 2001373688 A JP2001373688 A JP 2001373688A JP 2001373688 A JP2001373688 A JP 2001373688A JP 2003174015 A JP2003174015 A JP 2003174015A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来のプラズマエッチング装置では、装置内
の高周波印加電極と接続された整合器と高周波電源との
間で電力測定され、反応室のインピーダンスが変化して
もその変化に追従するように整合器のインピーダンスを
制御装置が自動的に調整するため、プロセスの変動や装
置間差を検出できず、デバイスの製造歩留りが変動する
という問題があった。 【解決手段】 高周波電源を有するプラズマエッチング
装置において、高周波電源９の整合器２０と装置内の高
周波印加電極３の間に電流および電圧およびその位相差
を検出する手段２１を備えた。
の高周波印加電極と接続された整合器と高周波電源との
間で電力測定され、反応室のインピーダンスが変化して
もその変化に追従するように整合器のインピーダンスを
制御装置が自動的に調整するため、プロセスの変動や装
置間差を検出できず、デバイスの製造歩留りが変動する
という問題があった。 【解決手段】 高周波電源を有するプラズマエッチング
装置において、高周波電源９の整合器２０と装置内の高
周波印加電極３の間に電流および電圧およびその位相差
を検出する手段２１を備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波電源を有す
るプラズマエッチング装置およびそれを用いた半導体装
置の製造方法、さらにプラズマエッチング装置のモニタ
ー方法に関するものである。
るプラズマエッチング装置およびそれを用いた半導体装
置の製造方法、さらにプラズマエッチング装置のモニタ
ー方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの集積度の向上に
は目覚しいものがある。しかしながら、集積度の向上に
伴って半導体デバイスの製造におけるプロセスマージン
は狭くなっている。半導体デバイスは、非常に多くの製
造工程と製造装置によって作られる。そのため、製造装
置間の差および製造装置の機器差によって半導体デバイ
スの歩留りが変動することが大きな課題となっている。
は目覚しいものがある。しかしながら、集積度の向上に
伴って半導体デバイスの製造におけるプロセスマージン
は狭くなっている。半導体デバイスは、非常に多くの製
造工程と製造装置によって作られる。そのため、製造装
置間の差および製造装置の機器差によって半導体デバイ
スの歩留りが変動することが大きな課題となっている。
【０００３】図１３は、従来のプラズマエッチング装置
を示す概略図である。図１３において、反応室１の内部
に上部電極２および下部電極３を備え、下部電極３上に
半導体基板であるウェーハ４が載置されている。プロセ
スガスは流量計（図示せず）を介して反応室１の内部に
導入される。反応室１の内部のガス圧力を圧力ゲージ５
で測定し、排気ポンプ６と反応室１の間に取り付けられ
た圧力調整バルブ７により、反応室１が所定圧力になる
ように制御装置８で制御する。
を示す概略図である。図１３において、反応室１の内部
に上部電極２および下部電極３を備え、下部電極３上に
半導体基板であるウェーハ４が載置されている。プロセ
スガスは流量計（図示せず）を介して反応室１の内部に
導入される。反応室１の内部のガス圧力を圧力ゲージ５
で測定し、排気ポンプ６と反応室１の間に取り付けられ
た圧力調整バルブ７により、反応室１が所定圧力になる
ように制御装置８で制御する。
【０００４】その後に高周波電源９から上部電極２と下
部電極３の間に高周波電力を印加し、プラズマを生成す
る。高周波電力は整合器１０によってマッチングをとっ
て上部電極２と下部電極３からなる高周波印加電極に供
給するが、ウェーハ４に到達するプラズマの反射波をで
きるだけ少なくする、言い換えれば最大の電力を供給で
きるように整合器１０のインピーダンスを変化させる。
これら一連の作業は制御装置８によって行われる。
部電極３の間に高周波電力を印加し、プラズマを生成す
る。高周波電力は整合器１０によってマッチングをとっ
て上部電極２と下部電極３からなる高周波印加電極に供
給するが、ウェーハ４に到達するプラズマの反射波をで
きるだけ少なくする、言い換えれば最大の電力を供給で
きるように整合器１０のインピーダンスを変化させる。
これら一連の作業は制御装置８によって行われる。
【０００５】高周波電力は整合器１０と高周波電源９の
間にパワーセンサー１１を挿入して測定され、パワーメ
ータ１２で確認できるが、整合器１０と高周波電源９の
間で測定されるため、高周波電力の整合器１０における
損失分は考慮されない。従って、下部電極３から入った
正味の電力量は測定できない。また、このような電力測
定は立ち上げ時のみの非定期的な測定であり、プロセス
変動、パーツ交換やメンテナンスにより生じる設備変動
に伴う高周波電力の変動を検出できるものではない。
間にパワーセンサー１１を挿入して測定され、パワーメ
ータ１２で確認できるが、整合器１０と高周波電源９の
間で測定されるため、高周波電力の整合器１０における
損失分は考慮されない。従って、下部電極３から入った
正味の電力量は測定できない。また、このような電力測
定は立ち上げ時のみの非定期的な測定であり、プロセス
変動、パーツ交換やメンテナンスにより生じる設備変動
に伴う高周波電力の変動を検出できるものではない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマエッチ
ング装置では、反応室１のインピーダンスが変化しても
その変化に追従するように整合器１０のインピーダンス
を制御装置８が供給高周波電力が最大になるように自動
的に調整するため、プロセスの変動や装置間差を検出で
きず、半導体デバイスの製造歩留りが変動するという問
題があった。
ング装置では、反応室１のインピーダンスが変化しても
その変化に追従するように整合器１０のインピーダンス
を制御装置８が供給高周波電力が最大になるように自動
的に調整するため、プロセスの変動や装置間差を検出で
きず、半導体デバイスの製造歩留りが変動するという問
題があった。
【０００７】本発明は、この課題を解決し、反応室１の
インピーダンスが変化した場合にも半導体デバイスにか
かるインピーダンスを直接測定、解析し、調整すること
により半導体デバイスの製造歩留りが変動しないように
するプラズマエッチング装置およびそれを用いた半導体
装置の製造方法、さらにプラズマエッチング装置のモニ
ター方法を提供することを目的とする。
インピーダンスが変化した場合にも半導体デバイスにか
かるインピーダンスを直接測定、解析し、調整すること
により半導体デバイスの製造歩留りが変動しないように
するプラズマエッチング装置およびそれを用いた半導体
装置の製造方法、さらにプラズマエッチング装置のモニ
ター方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のプラズマエッチ
ング装置は、高周波電源と、前記高周波電源に接続され
た整合器と、前記整合器と反応室内の高周波印加電極と
の間に前記高周波印加電極に印加される電流および電圧
およびその位相差を検出する検出手段を備えたことを特
徴とする。
ング装置は、高周波電源と、前記高周波電源に接続され
た整合器と、前記整合器と反応室内の高周波印加電極と
の間に前記高周波印加電極に印加される電流および電圧
およびその位相差を検出する検出手段を備えたことを特
徴とする。
【０００９】整合器と反応室内の高周波印加電極との間
に検出手段を備えることにより、反応室１のインピーダ
ンスの変化に伴う高周波印加電極に印加される電流およ
び電圧およびその位相差を検出できる。
に検出手段を備えることにより、反応室１のインピーダ
ンスの変化に伴う高周波印加電極に印加される電流およ
び電圧およびその位相差を検出できる。
【００１０】また、本発明のプラズマエッチング装置
は、さらに検出手段からの信号を解析する第１の制御手
段を備えたことを特徴とする。
は、さらに検出手段からの信号を解析する第１の制御手
段を備えたことを特徴とする。
【００１１】第１の制御手段で検出手段からの信号を解
析することにより、高周波印加電極に印加されるインピ
ーダンスの調整が可能となる。
析することにより、高周波印加電極に印加されるインピ
ーダンスの調整が可能となる。
【００１２】また、本発明のプラズマエッチング装置
は、反応室内のプラズマ発生を制御する第２の制御手段
と第１の制御手段とを接続し、前記プラズマ発生と同期
して経時的に電流および電圧およびその位相差を検出す
ることを特徴とする。
は、反応室内のプラズマ発生を制御する第２の制御手段
と第１の制御手段とを接続し、前記プラズマ発生と同期
して経時的に電流および電圧およびその位相差を検出す
ることを特徴とする。
【００１３】また、本発明のプラズマエッチング装置
は、フーリエ変換を用いてインピーダンスおよびその高
調波成分を計算することを特徴とする。
は、フーリエ変換を用いてインピーダンスおよびその高
調波成分を計算することを特徴とする。
【００１４】これらにより、高調波成分の影響を除き、
供給高周波電力が最大になるように自動的に調整するこ
とができる。
供給高周波電力が最大になるように自動的に調整するこ
とができる。
【００１５】また、本発明のプラズマエッチング装置
は、検出手段で検出した電流および電圧から電子密度を
算出する演算手段を備えたことを特徴とする。
は、検出手段で検出した電流および電圧から電子密度を
算出する演算手段を備えたことを特徴とする。
【００１６】これにより、プラズマエッチング装置の電
子密度が管理可能になり、調整が可能となる。
子密度が管理可能になり、調整が可能となる。
【００１７】本発明のプラズマエッチング装置を用いた
半導体装置の製造方法は、反応室内の下部電極上に被エ
ッチング対象の半導体基板を載置する工程と、前記反応
室の圧力を制御し、上部電極と前記下部電極からなる高
周波印加電極の間に高周波電源によりプラズマを発生さ
せる工程と、前記半導体基板を載置した前記下部電極に
印加される電流および電圧およびその位相差を前記下部
電極に接続した検出手段で検出する工程とを備えたこと
を特徴とする。
半導体装置の製造方法は、反応室内の下部電極上に被エ
ッチング対象の半導体基板を載置する工程と、前記反応
室の圧力を制御し、上部電極と前記下部電極からなる高
周波印加電極の間に高周波電源によりプラズマを発生さ
せる工程と、前記半導体基板を載置した前記下部電極に
印加される電流および電圧およびその位相差を前記下部
電極に接続した検出手段で検出する工程とを備えたこと
を特徴とする。
【００１８】上記製造方法によれば、直接半導体基板を
載置した下部電極での供給高周波電力を見ているので、
プロセスの変動や装置間差を検出し、供給高周波電力を
最大に調整できる。これにより、半導体デバイスの製造
歩留りの変動を防止できる。
載置した下部電極での供給高周波電力を見ているので、
プロセスの変動や装置間差を検出し、供給高周波電力を
最大に調整できる。これにより、半導体デバイスの製造
歩留りの変動を防止できる。
【００１９】また、本発明のプラズマエッチング装置の
モニター方法は、反応室内のプラズマ発生と同期して、
高周波電源に接続された整合器と反応室内の高周波印加
電極との間に接続された検出手段により前記高周波印加
電極に印加される電流および電圧およびその位相差を経
時的に検出し、エッチング特性の変化を調べることを特
徴とする。
モニター方法は、反応室内のプラズマ発生と同期して、
高周波電源に接続された整合器と反応室内の高周波印加
電極との間に接続された検出手段により前記高周波印加
電極に印加される電流および電圧およびその位相差を経
時的に検出し、エッチング特性の変化を調べることを特
徴とする。
【００２０】この構成により、プラズマ発生と同期し
て、直接高周波印加電極での高周波電力を経時的にモニ
ターできるため、反応室内のプラズマ状態および供給高
周波電力を調整できる。
て、直接高周波印加電極での高周波電力を経時的にモニ
ターできるため、反応室内のプラズマ状態および供給高
周波電力を調整できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】（第一の実施形態）図１は、本発
明の第一の実施の形態であるプラズマエッチング装置を
示す概略図である。図１３に示すプラズマエッチング装
置の概略図と同一構成については、同じ番号で示し、詳
細の構成は省略する。本発明のプラズマエッチング装置
においては、反応室１内の上部電極２と下部電極３から
なる高周波印加電極における下部電極３と高周波電力の
整合器２０との間に電流電圧位相差センサー２１を取り
付けることで、整合器２０でのロスを含むことなく、実
際にプラズマエッチング装置に投入した電流および電圧
およびその位相差を検出手段である電流電圧位相差セン
サー２１により直接測定でき、電流電圧位相差メーター
２２で確認できる。これにより、プラズマエッチング装
置に投入した電力量を検出できる。
明の第一の実施の形態であるプラズマエッチング装置を
示す概略図である。図１３に示すプラズマエッチング装
置の概略図と同一構成については、同じ番号で示し、詳
細の構成は省略する。本発明のプラズマエッチング装置
においては、反応室１内の上部電極２と下部電極３から
なる高周波印加電極における下部電極３と高周波電力の
整合器２０との間に電流電圧位相差センサー２１を取り
付けることで、整合器２０でのロスを含むことなく、実
際にプラズマエッチング装置に投入した電流および電圧
およびその位相差を検出手段である電流電圧位相差セン
サー２１により直接測定でき、電流電圧位相差メーター
２２で確認できる。これにより、プラズマエッチング装
置に投入した電力量を検出できる。
【００２２】さらに、この電流電圧位相差センサー２１
は、主線路とカップリングした副線路を有しており（図
示せず）、この副線路に誘起した誘導電流を測定するこ
とで主線路に流れる電流を測定するものである。つま
り、主線路に流れる電流を直接測定せず、副線路に誘起
した誘導電流を測定する構成であるため、電流電圧位相
差センサー２１での損失を考えなくてもよい。さらに、
測定した電流および電圧からその位相差を測定求めるこ
とができる。従って、下部電極３ひいては、下部電極３
の上に設置した被エッチング対象の半導体基板であるウ
ェーハ４に流入する電流および印加電圧を測定できる
し、プラズマインピーダンスを測定することができる。
は、主線路とカップリングした副線路を有しており（図
示せず）、この副線路に誘起した誘導電流を測定するこ
とで主線路に流れる電流を測定するものである。つま
り、主線路に流れる電流を直接測定せず、副線路に誘起
した誘導電流を測定する構成であるため、電流電圧位相
差センサー２１での損失を考えなくてもよい。さらに、
測定した電流および電圧からその位相差を測定求めるこ
とができる。従って、下部電極３ひいては、下部電極３
の上に設置した被エッチング対象の半導体基板であるウ
ェーハ４に流入する電流および印加電圧を測定できる
し、プラズマインピーダンスを測定することができる。
【００２３】（第二の実施形態）図２は、本発明の第二
の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略
図である。第一の実施の形態であるプラズマエッチング
装置に対して、制御装置２３が電流電圧位相差センサー
２１および電流電圧位相差メーター２２に接続付加され
ている。この制御装置２３を付加することで、電流電圧
位相差センサー２１により測定された電力量の測定デー
ターをフーリエ変換することにより電流、電圧およびイ
ンピーダンス値の高調波成分を定量的に抽出できる。ま
た、実際の電流電圧位相差センサー２１からの信号から
は数値データーだけでなく、時間に対する信号波形も観
察できるようにしている。なお、この部分に制御装置２
３を取り付けることによる反応室１のインピーダンスの
変動にはほとんど影響を与えない。
の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略
図である。第一の実施の形態であるプラズマエッチング
装置に対して、制御装置２３が電流電圧位相差センサー
２１および電流電圧位相差メーター２２に接続付加され
ている。この制御装置２３を付加することで、電流電圧
位相差センサー２１により測定された電力量の測定デー
ターをフーリエ変換することにより電流、電圧およびイ
ンピーダンス値の高調波成分を定量的に抽出できる。ま
た、実際の電流電圧位相差センサー２１からの信号から
は数値データーだけでなく、時間に対する信号波形も観
察できるようにしている。なお、この部分に制御装置２
３を取り付けることによる反応室１のインピーダンスの
変動にはほとんど影響を与えない。
【００２４】電流、電圧およびインピーダンス値の高調
波成分はプロセス変動に敏感であると考えられる。これ
は、電流、電圧およびインピーダンス値の高調波成分が
ウェーハ４上に形成されたシースの状態を反映するから
であり、このシースによってウェーハ４に入射するイオ
ンのエネルギーが変化するからである。従って、制御装
置２３で抽出された電流、電圧およびインピーダンス値
の高調波成分によって、プロセス変動を感知することが
でき、結果的にインピーダンスの変動に対する調整が可
能となる。また、反応室１のプラズマ状態も調整が可能
となる。
波成分はプロセス変動に敏感であると考えられる。これ
は、電流、電圧およびインピーダンス値の高調波成分が
ウェーハ４上に形成されたシースの状態を反映するから
であり、このシースによってウェーハ４に入射するイオ
ンのエネルギーが変化するからである。従って、制御装
置２３で抽出された電流、電圧およびインピーダンス値
の高調波成分によって、プロセス変動を感知することが
でき、結果的にインピーダンスの変動に対する調整が可
能となる。また、反応室１のプラズマ状態も調整が可能
となる。
【００２５】等価回路で考えた場合、プラズマは抵抗
で、上部電極２および下部電極３におけるシースは容量
で表すことができる。さらに、これらの容量と並列にダ
イオードを付加したものが考えられる。しかし、抵抗と
容量の線形素子だけでは、高調波成分などの非線形効果
が現れない。つまり、非線形効果はシースの状態を反映
しているということになる。
で、上部電極２および下部電極３におけるシースは容量
で表すことができる。さらに、これらの容量と並列にダ
イオードを付加したものが考えられる。しかし、抵抗と
容量の線形素子だけでは、高調波成分などの非線形効果
が現れない。つまり、非線形効果はシースの状態を反映
しているということになる。
【００２６】（第三の実施形態）図３は、本発明の第三
の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略
図である。第二の実施の形態であるプラズマエッチング
装置に対して、電流・電圧・位相差を測定する電流電圧
位相差センサー２１および電流電圧位相差メーター２２
を制御する制御装置２３と、プラズマエッチング装置の
反応室１の圧力および高周波印加電極に高周波電力を印
加する高周波電源９および整合器２０を制御する制御装
置８とを信号線で接続することによりプラズマエッチン
グ装置の稼動および非稼動のオン信号およびオフ信号を
取り込むことができる。それにより、プラズマエッチン
グ装置本体と同期を取って、電流電圧位相差センサー２
１によりプラズマエッチング装置に投入した電流および
電圧およびその位相差を自動的に測定が可能となる。
の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略
図である。第二の実施の形態であるプラズマエッチング
装置に対して、電流・電圧・位相差を測定する電流電圧
位相差センサー２１および電流電圧位相差メーター２２
を制御する制御装置２３と、プラズマエッチング装置の
反応室１の圧力および高周波印加電極に高周波電力を印
加する高周波電源９および整合器２０を制御する制御装
置８とを信号線で接続することによりプラズマエッチン
グ装置の稼動および非稼動のオン信号およびオフ信号を
取り込むことができる。それにより、プラズマエッチン
グ装置本体と同期を取って、電流電圧位相差センサー２
１によりプラズマエッチング装置に投入した電流および
電圧およびその位相差を自動的に測定が可能となる。
【００２７】電流電圧位相差センサー２１による測定結
果に応じて、制御装置８で解析することによりプロセス
変動を感知して、制御装置２３にフィードバックし、高
周波電源９による印加電力の調整および反応室１内の圧
力調整により、反応室１内のプラズマ状態を制御でき
る。
果に応じて、制御装置８で解析することによりプロセス
変動を感知して、制御装置２３にフィードバックし、高
周波電源９による印加電力の調整および反応室１内の圧
力調整により、反応室１内のプラズマ状態を制御でき
る。
【００２８】（第四の実施形態）図４は、本発明の第四
の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略
図である。第三の実施の形態であるプラズマエッチング
装置に対して、電流・電圧・位相差を測定する電流電圧
位相差センサー２１および電流電圧位相差メーター２２
の制御装置２３にさらに演算装置２４を接続付加する。
これにより、使用者が設定したプログラムなどで演算す
ることができる。
の実施の形態であるプラズマエッチング装置を示す概略
図である。第三の実施の形態であるプラズマエッチング
装置に対して、電流・電圧・位相差を測定する電流電圧
位相差センサー２１および電流電圧位相差メーター２２
の制御装置２３にさらに演算装置２４を接続付加する。
これにより、使用者が設定したプログラムなどで演算す
ることができる。
【００２９】ここでは、プラズマインピーダンス値から
電子密度を導出する場合について説明する。バルクプラ
ズマ中の電流密度Ｊは以下の式で表される。
電子密度を導出する場合について説明する。バルクプラ
ズマ中の電流密度Ｊは以下の式で表される。
【００３０】
J=[nee2/{me(νe+iω)}+iωε0]E …………（１）
=[{nee2(νe-iω)}/{me(νe 2+ω2)}+iωε0]E …………（２）
ここで、ｎeは電子密度、ｍeは電子の静止質量、νeは
電子と中性粒子との衝突周波数、ωは角周波数、ε0は
真空の誘電率、Ｅは電界強度、ｉは虚数単位である。こ
こで、νe≫ωなので、 J =[(nee2/meνe 2 )(νe-iω)+iωε0]E …………（３） となる。さらに電極面積をＡ、電極間距離をＬとする
と、電流値Ｉ＝ＪＡ、電圧Ｖ＝ＥＬであるので、バルク
インピーダンスＺは、Ｚ＝Ｖ／Ｉとなり、以下のように
なる。
電子と中性粒子との衝突周波数、ωは角周波数、ε0は
真空の誘電率、Ｅは電界強度、ｉは虚数単位である。こ
こで、νe≫ωなので、 J =[(nee2/meνe 2 )(νe-iω)+iωε0]E …………（３） となる。さらに電極面積をＡ、電極間距離をＬとする
と、電流値Ｉ＝ＪＡ、電圧Ｖ＝ＥＬであるので、バルク
インピーダンスＺは、Ｚ＝Ｖ／Ｉとなり、以下のように
なる。
【００３１】
Z=L/[A{(nee2/meνe 2)(νe-iω)+iωε0}]…………（４）
=(L/A){Bνe /C+iωB/C-iωε0/C}…………（５）
ここで、B= nee2/meνe 2、C=(Bνe)2+ω2(ε0-B)2とおいた。
【００３２】上記の式（５）の第一項目の実数部はバル
ク抵抗値を示し、第二項目の虚数部は電子の慣性による
インダクタンスを示し、第三項目はバルク容量を示す。
したがって、バルク抵抗値Ｒbは、式（６）のようにな
る。
ク抵抗値を示し、第二項目の虚数部は電子の慣性による
インダクタンスを示し、第三項目はバルク容量を示す。
したがって、バルク抵抗値Ｒbは、式（６）のようにな
る。
【００３３】Rb=LBνe/AC …………（６）
さらに、式（６）は1≫ω2(ε0-B)2/(Bνe)2なので、バ
ルク抵抗値Ｒbは式（７）で表され、電子密度ｎeに反比
例することがわかる。
ルク抵抗値Ｒbは式（７）で表され、電子密度ｎeに反比
例することがわかる。
【００３４】Rb≒L meνe/A nee2 …………（７）
従って、式（７）からバルク抵抗値Ｒbを測定すること
で、電子密度ｎeが得られる。以上の計算を演算装置２
４で実行することで、プラズマエッチング装置の電子密
度変化を管理することが可能である。これは、電流電圧
位相差センサー２１で測定した電流・電圧・位相差から
バルク抵抗値を算出し、それからプログラミングされた
演算装置２４により電子密度ｎeを経時的に演算し、結
果として電子密度ｎeの変化をプラズマエッチング装置
のプラズマ状態の変化として認識できるようになる。こ
れにより、演算装置２４は制御装置２３を介して製造装
置の制御装置８に接続しており、経時的なモニタリング
が可能となり、かつプラズマ状態の変化に対し、フィー
ドバックされた情報を基に制御装置８で最適なプラズマ
状態になるように制御が行われる。
で、電子密度ｎeが得られる。以上の計算を演算装置２
４で実行することで、プラズマエッチング装置の電子密
度変化を管理することが可能である。これは、電流電圧
位相差センサー２１で測定した電流・電圧・位相差から
バルク抵抗値を算出し、それからプログラミングされた
演算装置２４により電子密度ｎeを経時的に演算し、結
果として電子密度ｎeの変化をプラズマエッチング装置
のプラズマ状態の変化として認識できるようになる。こ
れにより、演算装置２４は制御装置２３を介して製造装
置の制御装置８に接続しており、経時的なモニタリング
が可能となり、かつプラズマ状態の変化に対し、フィー
ドバックされた情報を基に制御装置８で最適なプラズマ
状態になるように制御が行われる。
【００３５】従来は、電子密度ｎeは反応室で生成され
たプラズマにラングミューアープローブなどを挿入する
ことによって測定していたが、この場合、プローブ表面
に堆積膜が付着することによって正確に測定できないこ
とや、プローブによるタングステンなどの金属汚染や、
取り付けるためには真空を破らないといけないなどの問
題点が多く、実際の量産現場で使用することが困難であ
った。本発明の実施の形態でのモニター方法によれば、
これらの課題は全て解決できる。
たプラズマにラングミューアープローブなどを挿入する
ことによって測定していたが、この場合、プローブ表面
に堆積膜が付着することによって正確に測定できないこ
とや、プローブによるタングステンなどの金属汚染や、
取り付けるためには真空を破らないといけないなどの問
題点が多く、実際の量産現場で使用することが困難であ
った。本発明の実施の形態でのモニター方法によれば、
これらの課題は全て解決できる。
【００３６】次に実際の事例、特に反応室の表面に堆積
膜が形成されてプラズマが変化する事例について説明す
る。従来、半導体デバイスはシリコンを主原料として、
酸素、燐、砒素、ボロン、窒素、アルミニュウムといっ
た元素で製造されていたが、集積度および消費電力の低
減など種々の技術課題を克服する過程において新規技術
を開発し、これらの技術の中には、従来の元素以外の元
素を用いるものがある。例えば、配線材料としてアルミ
ニュウム以外に銅を用いる技術がある。
膜が形成されてプラズマが変化する事例について説明す
る。従来、半導体デバイスはシリコンを主原料として、
酸素、燐、砒素、ボロン、窒素、アルミニュウムといっ
た元素で製造されていたが、集積度および消費電力の低
減など種々の技術課題を克服する過程において新規技術
を開発し、これらの技術の中には、従来の元素以外の元
素を用いるものがある。例えば、配線材料としてアルミ
ニュウム以外に銅を用いる技術がある。
【００３７】図５は、第四の実施の形態であるプラズマ
エッチング装置を示す図４を用いて、具体的に反応室１
の壁面に堆積物が付着した事例について説明するための
プラズマエッチング装置の状態を示す概略図である。下
部電極３の上に設置したウェーハ４をプラズマエッチン
グすると反応生成物ができ、蒸気圧の低いものが反応室
１の壁面に付着物２５として堆積する。
エッチング装置を示す図４を用いて、具体的に反応室１
の壁面に堆積物が付着した事例について説明するための
プラズマエッチング装置の状態を示す概略図である。下
部電極３の上に設置したウェーハ４をプラズマエッチン
グすると反応生成物ができ、蒸気圧の低いものが反応室
１の壁面に付着物２５として堆積する。
【００３８】反応生成物のうち、アルミニュウムや銅な
どの金属上のシリコン窒化膜やシリコン酸化膜をエッチ
ングするとオーバーエッチング時に金属の一部がイオン
衝撃によってエッチングスパッタされる。パターンのア
スペクト比によるが、アスペクト比が小さいと金属が反
応室１に飛散する。この飛散した金属が反応室１の壁面
に堆積するとプラズマに影響を与え、ウェーハ４の上の
エッチング特性を変化させる。
どの金属上のシリコン窒化膜やシリコン酸化膜をエッチ
ングするとオーバーエッチング時に金属の一部がイオン
衝撃によってエッチングスパッタされる。パターンのア
スペクト比によるが、アスペクト比が小さいと金属が反
応室１に飛散する。この飛散した金属が反応室１の壁面
に堆積するとプラズマに影響を与え、ウェーハ４の上の
エッチング特性を変化させる。
【００３９】ここでは、銅配線上のシリコン窒化膜につ
いて説明する。
いて説明する。
【００４０】図６は、図５において被エッチング対象と
なる半導体基板であり、銅配線上のシリコン窒化膜を除
去する工程でのウェーハ４の断面構造を示すものであ
る。図６において、半導体基板であるシリコン基板３０
の表面にシリコン窒化膜３１が形成され、シリコン窒化
膜３１の上に銅配線３２が形成され、その上にまたシリ
コン窒化膜３３が厚さ２００ｎｍで形成されている。シ
リコン窒化膜３３をエッチングするためにシリコン窒化
膜３３の上にレジスト膜３４が厚さ１２００ｎｍで選択
的に形成されている。
なる半導体基板であり、銅配線上のシリコン窒化膜を除
去する工程でのウェーハ４の断面構造を示すものであ
る。図６において、半導体基板であるシリコン基板３０
の表面にシリコン窒化膜３１が形成され、シリコン窒化
膜３１の上に銅配線３２が形成され、その上にまたシリ
コン窒化膜３３が厚さ２００ｎｍで形成されている。シ
リコン窒化膜３３をエッチングするためにシリコン窒化
膜３３の上にレジスト膜３４が厚さ１２００ｎｍで選択
的に形成されている。
【００４１】図６で示した銅付きのウェーハ４をエッチ
ングしてエッチング特性の変化を調べた結果について説
明する。図７は、ウェーハ４上に形成された銅配線３２
にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜およびそれらの
膜上のレジスト膜等の各種絶縁膜のエッチング特性を示
す特性図である。横軸は銅付きウェーハのエッチング時
間、縦軸は各絶縁膜のエッチング速度を表している。
ングしてエッチング特性の変化を調べた結果について説
明する。図７は、ウェーハ４上に形成された銅配線３２
にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜およびそれらの
膜上のレジスト膜等の各種絶縁膜のエッチング特性を示
す特性図である。横軸は銅付きウェーハのエッチング時
間、縦軸は各絶縁膜のエッチング速度を表している。
【００４２】銅を３００秒程度エッチングすると反応室
壁面には、ウェーハ上の表面濃度が１０10／ｃｍ2から
１０11／ｃｍ2となるような銅を含む堆積物が付着する
ことがわかっている。このレベルの銅によって、シリコ
ン窒化膜のエッチング速度（ＳｉＮ ｒａｔｅ）は、銅
のエッチング時間が１００秒程度過ぎると、エッチング
開始時の１０００ｎｍ／ｍｉｎと比べると４００ｎｍ／
ｍｉｎと半分以下に低下する。一方、シリコン酸化膜の
エッチング速度（ＳｉＯ2 ｒａｔｅ）は、逆に約２倍
になる。それらに対し、シリコン窒化膜上のレジスト膜
のエッチング速度（ＰＲ１ ｒａｔｅ）およびシリコン
酸化膜上のレジスト膜のエッチング速度（ＰＲ２ ｒａ
ｔｅ）は銅のエッチング時間にかかわらずほとんど変化
がない。
壁面には、ウェーハ上の表面濃度が１０10／ｃｍ2から
１０11／ｃｍ2となるような銅を含む堆積物が付着する
ことがわかっている。このレベルの銅によって、シリコ
ン窒化膜のエッチング速度（ＳｉＮ ｒａｔｅ）は、銅
のエッチング時間が１００秒程度過ぎると、エッチング
開始時の１０００ｎｍ／ｍｉｎと比べると４００ｎｍ／
ｍｉｎと半分以下に低下する。一方、シリコン酸化膜の
エッチング速度（ＳｉＯ2 ｒａｔｅ）は、逆に約２倍
になる。それらに対し、シリコン窒化膜上のレジスト膜
のエッチング速度（ＰＲ１ ｒａｔｅ）およびシリコン
酸化膜上のレジスト膜のエッチング速度（ＰＲ２ ｒａ
ｔｅ）は銅のエッチング時間にかかわらずほとんど変化
がない。
【００４３】これは銅の触媒効果によって、ＣＦ2ラジ
カルが分解し、ＣＦラジカルとフッ素ラジカルになるた
めである。ＣＦラジカルが支配的になるとシリコン窒化
膜表面では酸素がないためにフルオロカーボン層が形成
されやすくなる。しかし、酸素がないためにフルオロカ
ーボン層が分解しない。これによってエッチング速度が
遅くなる。一方、シリコン酸化膜では膜に酸素が含まれ
るため、表面に形成されたフルオロカーボン層は分解さ
れ、ＳｉＯ2およびＣＯ2といった揮発生成物に転化する
ことが可能となる。これにより、フルオロカーボン層が
円滑に生成・分解できるため、エッチング速度が速くな
る。つまり、シリコン窒化膜の場合は反応律速状態であ
って、よけいにフルオロカーボン層が形成することでエ
ッチング速度が遅くなり、シリコン酸化膜は供給律速状
態であって、よけいにフルオロカーボン層が形成するこ
とでエッチング速度は速くなると考えられる。
カルが分解し、ＣＦラジカルとフッ素ラジカルになるた
めである。ＣＦラジカルが支配的になるとシリコン窒化
膜表面では酸素がないためにフルオロカーボン層が形成
されやすくなる。しかし、酸素がないためにフルオロカ
ーボン層が分解しない。これによってエッチング速度が
遅くなる。一方、シリコン酸化膜では膜に酸素が含まれ
るため、表面に形成されたフルオロカーボン層は分解さ
れ、ＳｉＯ2およびＣＯ2といった揮発生成物に転化する
ことが可能となる。これにより、フルオロカーボン層が
円滑に生成・分解できるため、エッチング速度が速くな
る。つまり、シリコン窒化膜の場合は反応律速状態であ
って、よけいにフルオロカーボン層が形成することでエ
ッチング速度が遅くなり、シリコン酸化膜は供給律速状
態であって、よけいにフルオロカーボン層が形成するこ
とでエッチング速度は速くなると考えられる。
【００４４】銅の触媒効果について、フッ素、アルゴン
および酸素の発光強度の変化により説明する。図８は、
ウェーハ４の上における銅上のシリコン窒化膜３３のエ
ッチング時間に対する各元素の発光強度の変化を示す特
性図である。図８（ａ）はフッ素の発光強度の変化を示
し、図８（ｂ）はアルゴンの発光強度の変化を示し、図
８（ｃ）は酸素の発光強度の変化を示す。図８（ａ）は
銅のエッチング時間が長くなる、すなわち反応室壁面に
銅が付着するとフッ素の濃度は大きくなることを示して
いる。
および酸素の発光強度の変化により説明する。図８は、
ウェーハ４の上における銅上のシリコン窒化膜３３のエ
ッチング時間に対する各元素の発光強度の変化を示す特
性図である。図８（ａ）はフッ素の発光強度の変化を示
し、図８（ｂ）はアルゴンの発光強度の変化を示し、図
８（ｃ）は酸素の発光強度の変化を示す。図８（ａ）は
銅のエッチング時間が長くなる、すなわち反応室壁面に
銅が付着するとフッ素の濃度は大きくなることを示して
いる。
【００４５】これは、銅の触媒効果によるＣＦ2ラジカ
ルの分解の結果としてフッ素が生成されることを示すも
のである。また、図８（ｂ）はアルゴンの発光強度も銅
の放出と共に大きくなることを示している。これは銅に
よって電子が捕獲され、電子密度を維持するためにアル
ゴンの解離が進んだためである。図８（ｃ）に示した酸
素の発光強度増加もアルゴンの場合と同様である。
ルの分解の結果としてフッ素が生成されることを示すも
のである。また、図８（ｂ）はアルゴンの発光強度も銅
の放出と共に大きくなることを示している。これは銅に
よって電子が捕獲され、電子密度を維持するためにアル
ゴンの解離が進んだためである。図８（ｃ）に示した酸
素の発光強度増加もアルゴンの場合と同様である。
【００４６】このような反応室壁面に銅が付着する現象
において、エッチング特性が前述のように変化するが、
同時に電流電圧位相差測定を実施した結果について以下
に述べる。
において、エッチング特性が前述のように変化するが、
同時に電流電圧位相差測定を実施した結果について以下
に述べる。
【００４７】図９はウェーハ上における銅上のシリコン
窒化膜のエッチング時間に対してウェーハに流入する電
流値の特性図である。図９（ａ）は電流値の基本波を示
し、図９（ｂ）は１次高調波、図９（ｃ）は２次高調
波、図９（ｄ）は３次高調波、図９（ｅ）は４次高調波
を示す。電流値は基本波および１次高調波から３次高調
波までは全て銅の放出と共に大きくなっている。これは
プラズマ密度の上昇を反映していると考えられる。４次
高調波はほとんど変化が無く、反応室状態の検出感度が
小さい。
窒化膜のエッチング時間に対してウェーハに流入する電
流値の特性図である。図９（ａ）は電流値の基本波を示
し、図９（ｂ）は１次高調波、図９（ｃ）は２次高調
波、図９（ｄ）は３次高調波、図９（ｅ）は４次高調波
を示す。電流値は基本波および１次高調波から３次高調
波までは全て銅の放出と共に大きくなっている。これは
プラズマ密度の上昇を反映していると考えられる。４次
高調波はほとんど変化が無く、反応室状態の検出感度が
小さい。
【００４８】図１０はウェーハ上における銅上のシリコ
ン窒化膜のエッチング時間に対してウェーハに印加され
る電圧値の特性図である。図１０（ａ）は電圧の基本波
を示し、図１０（ｂ）は１次高調波、図１０（ｃ）は２
次高調波、図１０（ｄ）は３次高調波、図１０（ｅ）は
４次高調波を示す。電圧の基本波は銅が反応室内に飛散
すると小さくなる。これはプラズマ密度の上昇を反映し
ている。
ン窒化膜のエッチング時間に対してウェーハに印加され
る電圧値の特性図である。図１０（ａ）は電圧の基本波
を示し、図１０（ｂ）は１次高調波、図１０（ｃ）は２
次高調波、図１０（ｄ）は３次高調波、図１０（ｅ）は
４次高調波を示す。電圧の基本波は銅が反応室内に飛散
すると小さくなる。これはプラズマ密度の上昇を反映し
ている。
【００４９】図１１はウェーハ上における銅上のシリコ
ン窒化膜のエッチング時間に対してウェーハでのインピ
ーダンス値の特性図である。図１１（ａ）はインピーダ
ンス値の基本波を示し、図１１（ｂ）は１次高調波を示
し、図１１（ｃ）は２次高調波、図１１（ｄ）は３次高
調波、図１１（ｅ）は４次高調波を示す。インピーダン
ス値も銅が反応室内に飛散すると小さくなる傾向に有
り、プラズマ密度の上昇を反映している。
ン窒化膜のエッチング時間に対してウェーハでのインピ
ーダンス値の特性図である。図１１（ａ）はインピーダ
ンス値の基本波を示し、図１１（ｂ）は１次高調波を示
し、図１１（ｃ）は２次高調波、図１１（ｄ）は３次高
調波、図１１（ｅ）は４次高調波を示す。インピーダン
ス値も銅が反応室内に飛散すると小さくなる傾向に有
り、プラズマ密度の上昇を反映している。
【００５０】インピーダンス値をスミスチャート上に表
すと基本波のインピーダンスの動きは抵抗値の低下と容
量成分が追加されているということがわかる。
すと基本波のインピーダンスの動きは抵抗値の低下と容
量成分が追加されているということがわかる。
【００５１】図９、図１０、図１１からもわかるように
本発明に示したモニタリング方法により随時電流、電圧
を測定し、またはインピーダンスを測定することによ
り、プラズマ状態におけるエッチング状況をモニタリン
グでき、従ってプラズマ状態の最適制御が可能となる。
本発明に示したモニタリング方法により随時電流、電圧
を測定し、またはインピーダンスを測定することによ
り、プラズマ状態におけるエッチング状況をモニタリン
グでき、従ってプラズマ状態の最適制御が可能となる。
【００５２】また、図１２にシリコンのダミーウェーハ
において、ダミー放電を実施することによるエッチング
時間に対し、反応室表面に付着した銅の濃度が減少して
いく過程においてのエッチング速度変動を示している。
において、ダミー放電を実施することによるエッチング
時間に対し、反応室表面に付着した銅の濃度が減少して
いく過程においてのエッチング速度変動を示している。
【００５３】上記の説明では、銅に対する開口面積が大
きい場合について述べたが、ダマシンエッチングの場合
のように開口面積が少ない場合でも、銅が反応室に放出
する場合は同様のことが言えることはいうまでもない。
きい場合について述べたが、ダマシンエッチングの場合
のように開口面積が少ない場合でも、銅が反応室に放出
する場合は同様のことが言えることはいうまでもない。
【００５４】また、モニタリング結果を基に制御装置で
自動的にプラズマエッチング装置のプラズマ状態を制御
するものとして説明したが、手動でもよいことはもちろ
んである。
自動的にプラズマエッチング装置のプラズマ状態を制御
するものとして説明したが、手動でもよいことはもちろ
んである。
【００５５】
【発明の効果】本発明のプラズマエッチング装置におい
ては、半導体基板にエッチング処理を実施する反応室内
の高周波印加電極と高周波電源に接続された整合器の間
に電流および電圧およびその位相差を検出する検出手段
を挿入するので、整合器での損失分を含まず、高周波印
加電極に印加される電流および電圧およびその位相差を
直接測定することで反応室の変化に基づく半導体基板上
でのプロセス変動を検出することができる。また、反応
室内のプラズマ発生を制御する制御手段と連動させるこ
とにより、高周波印加電極での電流および電圧およびそ
の位相差をプラズマ発生と同期して検出することが可能
となり、またその検出結果を基にプラズマ状態の最適化
に向け制御が可能となる。
ては、半導体基板にエッチング処理を実施する反応室内
の高周波印加電極と高周波電源に接続された整合器の間
に電流および電圧およびその位相差を検出する検出手段
を挿入するので、整合器での損失分を含まず、高周波印
加電極に印加される電流および電圧およびその位相差を
直接測定することで反応室の変化に基づく半導体基板上
でのプロセス変動を検出することができる。また、反応
室内のプラズマ発生を制御する制御手段と連動させるこ
とにより、高周波印加電極での電流および電圧およびそ
の位相差をプラズマ発生と同期して検出することが可能
となり、またその検出結果を基にプラズマ状態の最適化
に向け制御が可能となる。
【００５６】これらのプラズマエッチング装置を用いた
半導体装置の製造方法によれば、直接半導体基板を載置
した下部電極での供給高周波電力を見ているので、プロ
セスの変動や装置間差を検出し、供給高周波電力を最大
に調整できる。これにより、半導体デバイスの製造歩留
りの変動を防止できる。
半導体装置の製造方法によれば、直接半導体基板を載置
した下部電極での供給高周波電力を見ているので、プロ
セスの変動や装置間差を検出し、供給高周波電力を最大
に調整できる。これにより、半導体デバイスの製造歩留
りの変動を防止できる。
【００５７】また、本発明のプラズマエッチング装置の
モニター方法によれば、プラズマ発生と同期して、直接
高周波印加電極での高周波電力を経時的にモニターでき
るため、反応室内のプラズマ状態および供給高周波電力
を調整できる。
モニター方法によれば、プラズマ発生と同期して、直接
高周波印加電極での高周波電力を経時的にモニターでき
るため、反応室内のプラズマ状態および供給高周波電力
を調整できる。
【図１】第一の実施の形態であるプラズマエッチング装
置を示す概略図
置を示す概略図
【図２】第二の実施の形態であるプラズマエッチング装
置を示す概略図
置を示す概略図
【図３】第三の実施の形態であるプラズマエッチング装
置を示す概略図
置を示す概略図
【図４】第四の実施の形態であるプラズマエッチング装
置を示す概略図
置を示す概略図
【図５】反応室の壁面に堆積物が付着した場合のプラズ
マエッチング装置の模式図
マエッチング装置の模式図
【図６】銅配線上のシリコン窒化膜を除去する工程での
ウェーハの断面構造を示す図
ウェーハの断面構造を示す図
【図７】銅の増加に伴う各種絶縁膜のエッチング特性を
示す特性図
示す特性図
【図８】シリコン窒化膜のエッチング時間に対する各元
素の発光強度の特性図
素の発光強度の特性図
【図９】シリコン窒化膜のエッチング時間に対するウェ
ーハに流入する電流値の特性図
ーハに流入する電流値の特性図
【図１０】シリコン窒化膜のエッチング時間に対してウ
ェーハに印加される電圧値の特性図
ェーハに印加される電圧値の特性図
【図１１】シリコン窒化膜のエッチング時間に対してウ
ェーハでのインピーダンス値の特性図
ェーハでのインピーダンス値の特性図
【図１２】銅の減少に伴うエッチング速度の特性図
【図１３】従来のプラズマエッチング装置を示す概略図
１ 反応室
２ 上部電極
３ 下部電極
４ ウェーハ
５ 圧力ゲージ
６ 排気ポンプ
７ 圧力調整バルブ
８ 制御装置
９ 高周波電源
２０ 整合器
２１ 電流電圧位相差センサー
２２ 電流電圧位相差メーター
２３ 制御装置
２４ 演算装置
３０ シリコン基板
３１ シリコン窒化膜
３２ 銅配線
３３ シリコン窒化膜
３４ レジスト膜
Claims (9)
- 【請求項１】高周波電源と、前記高周波電源に接続され
た整合器と、前記整合器と反応室内の高周波印加電極と
の間に前記高周波印加電極に印加される電流および電圧
およびその位相差を検出する検出手段を備えたことを特
徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項２】検出手段は、主線路と、前記主線路とカッ
プリングした副線路とを有し、前記副線路に誘起した誘
導電流を測定することで前記主線路に流れる電流を測定
することを特徴とする請求項１記載のプラズマエッチン
グ装置。 - 【請求項３】検出手段からの信号を解析する第１の制御
手段を備えたことを特徴とする請求項１記載のプラズマ
エッチング装置。 - 【請求項４】反応室内のプラズマ発生を制御する第２の
制御手段と第１の制御手段とを接続し、前記プラズマ発
生と同期して経時的に電流および電圧およびその位相差
を検出することを特徴とする請求項３記載のプラズマエ
ッチング装置。 - 【請求項５】第１の制御手段では、フーリエ変換を用い
て電流および電圧および位相差の高調波成分を計算する
ことを特徴とする請求項３または請求項４に記載のプラ
ズマエッチング装置。 - 【請求項６】第１の制御手段では、フーリエ変換を用い
てインピーダンスおよびその高調波成分を計算すること
を特徴とする請求項３または請求項４に記載のプラズマ
エッチング装置。 - 【請求項７】検出手段で検出した電流および電圧から電
子密度を算出する演算手段を備えたことを特徴とする請
求項１乃至請求項６のいずれかに記載のプラズマエッチ
ング装置。 - 【請求項８】請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の
プラズマエッチング装置を用いて、反応室内の下部電極
上に被エッチング対象の半導体基板を載置する工程と、
前記反応室の圧力を制御し、上部電極と前記下部電極か
らなる高周波印加電極の間に高周波電源によりプラズマ
を発生させる工程と、前記半導体基板を載置した前記下
部電極に印加される電流および電圧およびその位相差を
前記下部電極に接続した検出手段で検出する工程とを備
えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】反応室内のプラズマ発生と同期して、高周
波電源に接続された整合器と反応室内の高周波印加電極
との間に接続された検出手段により前記高周波印加電極
に印加される電流および電圧およびその位相差を経時的
に検出し、エッチング特性の変化を調べることを特徴と
するプラズマエッチング装置のモニター方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001373688A JP3785996B2 (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | プラズマエッチング装置および半導体装置の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001373688A JP3785996B2 (ja) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | プラズマエッチング装置および半導体装置の製造方法 |
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|---|---|
| JP2003174015A true JP2003174015A (ja) | 2003-06-20 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010062579A (ja) * | 2002-09-26 | 2010-03-18 | Lam Res Corp | プラズマ処理システムをツールマッチングしかつトラブルシュートする方法 |
| US20110198315A1 (en) * | 2006-09-04 | 2011-08-18 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method |
| KR101312695B1 (ko) * | 2009-08-21 | 2013-09-27 | 맷슨 테크놀로지, 인크. | 유도 플라즈마 소스 |
| CN109390228A (zh) * | 2017-08-04 | 2019-02-26 | 应用材料公司 | 改进的锗蚀刻系统和方法 |
| CN111293024A (zh) * | 2018-12-06 | 2020-06-16 | 东京毅力科创株式会社 | 控制方法和等离子体处理装置 |
-
2001
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