JPH11223946A - Photosensitive resin composition and production of photosensitive solder resist by using the composition - Google Patents

Photosensitive resin composition and production of photosensitive solder resist by using the composition

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JPH11223946A
JPH11223946A JP2602298A JP2602298A JPH11223946A JP H11223946 A JPH11223946 A JP H11223946A JP 2602298 A JP2602298 A JP 2602298A JP 2602298 A JP2602298 A JP 2602298A JP H11223946 A JPH11223946 A JP H11223946A
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JP
Japan
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component
weight
photosensitive resin
resin composition
parts
Prior art date
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Pending
Application number
JP2602298A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinji Tsuchikawa
信次 土川
Fumihiko Ota
文彦 太田
Hiroyuki Kawakami
広幸 川上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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Priority to JP2602298A priority Critical patent/JPH11223946A/en
Publication of JPH11223946A publication Critical patent/JPH11223946A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin compsn. which can be cured by heating at <=250 deg.C applicable for the production of a printed circuit board, which has excellent PCT resistance and heat resistance such as soldering heat resistance, and various characteristics required for a solder resist such as plating liquid resistance, chemical resistance and electric insulating property, and which can be developed with an aq. developer good for working environment, and to provide a producing method of a solder resist from this compsn. SOLUTION: This photosensitive resin compsn. contains (A) a polyimide precursor, (B) a photopolymerizable unsatd. compd., (C) a photopolymn. initiator, (D) a blocked isocyanate resin, and (E) a heterocyclic compd. having at least one thiol group. The compsn. is used to prepare a photosensitive solder resist.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板等
の製造に用いる感光性樹脂組成物、これを用いたソルダ
ーレジストの製造法に関する。
The present invention relates to a photosensitive resin composition used for producing a printed wiring board and the like, and a method for producing a solder resist using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型化、軽量化、多機
能化、高信頼化、低価格化に対応して、プリント配線板
では、表面実装方式と呼ばれる部品穴を使わないで導体
パターンの表面で部品と基板との電気的接続を行う部品
搭載方法が急激に伸展している。プリント配線板の製造
には、従来よりはんだ付け位置の限定及び配線の保護の
目的で感光性ソルダーレジストが用いられているが、表
面実装方式を用いるプリント配線板に使用される感光性
ソルダーレジストには、より優れた耐熱性、耐湿性及び
密着性等が要求され、従来のエポキシ樹脂を主成分とす
る感光性ソルダーレジストでは、プレッシャー・クッカ
ー・テスト(以下PCTと略す)を行うと、レジストに
ふくれや剥がれが生じてしまい、耐熱性、耐湿性及び密
着性が不十分であるという問題がある。また、PCTを
行うと銅マイグレーションによって電気絶縁性が破壊さ
れ、信頼性に欠けるという問題がある。また、従来のポ
リイミド前駆体を用いた感光性ソルダーレジストでは、
写真法による像形成後の加熱硬化温度が350℃以上と
高く、基板等の耐熱性の点からプリント配線板には使用
できないという問題がある。また、芳香族ポリイミドを
用いた感光性ソルダーレジストは高い耐熱性を維持する
ものの、現像液に有機溶剤を用いるため安全性や作業環
境に問題がある。
2. Description of the Related Art In recent years, in response to the miniaturization, weight reduction, multifunctionality, high reliability, and low price of electronic devices, printed circuit boards have been required to use conductive patterns without using component holes called surface mounting methods. A component mounting method for electrically connecting a component to a substrate on the surface of a semiconductor device is rapidly expanding. In the manufacture of printed wiring boards, photosensitive solder resist has been used for the purpose of limiting the soldering position and protecting the wiring, but the photosensitive solder resist used for printed wiring boards using the surface mounting method has been used. Is required to have better heat resistance, moisture resistance and adhesiveness. In the case of a conventional photosensitive solder resist containing an epoxy resin as a main component, when a pressure cooker test (hereinafter abbreviated as PCT) is performed, the resist becomes There is a problem that blistering or peeling occurs and heat resistance, moisture resistance and adhesion are insufficient. In addition, when PCT is performed, there is a problem in that electrical insulation is broken due to copper migration, and reliability is lacking. In addition, in a conventional photosensitive solder resist using a polyimide precursor,
The heat curing temperature after image formation by a photographic method is as high as 350 ° C. or more, and there is a problem that it cannot be used for a printed wiring board from the viewpoint of heat resistance of a substrate or the like. Further, a photosensitive solder resist using an aromatic polyimide maintains high heat resistance, but has a problem in safety and work environment because an organic solvent is used for a developer.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】(1)本発明は、プリ
ント配線板の製造に適用できる250℃以下の加熱硬化
により、耐PCT性、低温硬化性、はんだ耐熱性、耐め
っき液性、耐薬品性、電気絶縁性等のソルダーレジスト
に必要な諸特性に優れ、また保存安定性に優れ、作業環
境の良い水系の現像液を用いて現像できる感光性樹脂組
成物を提供するものである。 (2)更に、本発明は、(1)の感光性樹脂組成物の効
果を奏し、より現像性が優れ、高感度な感光性樹脂組成
物を提供するものである。 (3)更に、本発明は、(1)の感光性樹脂組成物の効
果を奏し、より耐めっき液性が優れる感光性樹脂組成物
を提供するものである。 (4)更に、本発明は、(1)の感光性樹脂組成物の効
果を奏し、よりはんだ耐熱性が優れる感光性樹脂組成物
を提供するものである。 (5)更に、本発明は、(1)の感光性樹脂組成物の効
果を奏し、さらに相溶性が優れる感光性樹脂組成物を提
供するものである。 (6)更に、本発明は、(1)の感光性樹脂組成物の効
果を奏し、より保存安定性が優れる感光性樹脂組成物を
提供するものである。 (7)更に、本発明は、作業環境の良好なアルカリ性水
溶液を用いて、耐PCT性、低温硬化性、はんだ耐熱
性、耐めっき液性、耐薬品性、電気絶縁性等が優れるソ
ルダーレジストの製造法を提供するものである。
(1) The present invention provides a PCT resistance, a low-temperature curing property, a solder heat resistance, a plating solution resistance, and a heat resistance of 250 ° C. or less which can be applied to the manufacture of a printed wiring board. An object of the present invention is to provide a photosensitive resin composition which is excellent in various properties required for a solder resist such as chemical property and electrical insulation property, is excellent in storage stability, and can be developed using an aqueous developer having a good working environment. (2) Further, the present invention provides the photosensitive resin composition which exhibits the effect of the photosensitive resin composition of (1), is more excellent in developability, and has high sensitivity. (3) The present invention further provides a photosensitive resin composition which exhibits the effect of the photosensitive resin composition of (1) and has more excellent plating solution resistance. (4) Further, the present invention provides a photosensitive resin composition exhibiting the effect of the photosensitive resin composition of (1) and having more excellent solder heat resistance. (5) Further, the present invention provides a photosensitive resin composition which exhibits the effects of the photosensitive resin composition of (1) and has further excellent compatibility. (6) Further, the present invention provides a photosensitive resin composition exhibiting the effects of the photosensitive resin composition of (1) and having more excellent storage stability. (7) The present invention further provides a solder resist having excellent PCT resistance, low-temperature curability, solder heat resistance, plating solution resistance, chemical resistance, electrical insulation, etc., using an aqueous alkaline solution having a good working environment. It provides a manufacturing method.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)一般式
(I)
According to the present invention, there is provided (A) a compound represented by the following general formula (I):

【化6】 (式中、R1 は炭素原子数が2〜30の4価の有機基を
示し、R2 は炭素原子数2〜240の2価の有機基を示
し、Xはそれぞれ独立にOH又は炭素原子数1〜30の
1価の有機基を示し、R3 は水素、ハロゲン、ニトロ基
又は炭素数1〜9のアルキル基を示し、n’は1〜4の
整数であり、
Embedded image (Wherein, R 1 represents a tetravalent organic group having 2 to 30 carbon atoms, R 2 represents a divalent organic group having 2 to 240 carbon atoms, and Xs each independently represent OH or a carbon atom. Represents a monovalent organic group having the number of 1 to 30, R 3 represents hydrogen, halogen, a nitro group or an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, n ′ is an integer of 1 to 4,

【化7】 は繰り返し単位を表わす)で表わされるポリイミド前駆
体、(B)末端にエチレン性不飽和基を少なくとも1個
有する光重合性不飽和化合物、(C)活性光の照射によ
り遊離ラジカルを生成する光重合開始剤、(D)ブロッ
ク化イソシアネート樹脂、及び(E)チオール基を少な
くとも1個含有するヘテロ環状化合物、を含有してなる
ことを特徴とする感光性樹脂組成物に関する。
Embedded image Represents a repeating unit), (B) a photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group at a terminal, and (C) photopolymerization which generates free radicals upon irradiation with actinic light. The present invention relates to a photosensitive resin composition comprising: an initiator; (D) a blocked isocyanate resin; and (E) a heterocyclic compound containing at least one thiol group.

【0005】また、本発明は、 (A)成分のポリイミド前駆体が、固形分で20〜95
重量部 (B)成分の光重合性不飽和化合物が、5〜80重量部
(ただし(A)成分の固形分及び(B)成分の合計量1
00重量部に対して) (C)成分の光重合開始剤が、0.01〜20重量部
(ただし(A)成分の固形分及び(B)成分の合計量1
00重量部に対して) (D)成分のブロック化イソシアネート樹脂が、1〜4
0重量部(ただし(A)成分の固形分及び(B)成分の
合計量100重量部に対して) (E)成分のチオール基を少なくとも1個含有するヘテ
ロ環状化合物が、0.01〜20重量部(ただし(A)
成分の固形分及び(B)成分の合計量100重量部に対
して) の配合割合とした前記感光性樹脂組成物に関する。
Further, according to the present invention, the polyimide precursor of the component (A) has a solid content of 20 to 95%.
5 parts by weight The photopolymerizable unsaturated compound of the component (B) is 5 to 80 parts by weight (provided that the total amount of the solid content of the component (A) and the component (B) is 1).
The photopolymerization initiator of the component (C) is used in an amount of 0.01 to 20 parts by weight (provided that the solid content of the component (A) and the total amount of the component (B) are 1).
(Based on 100 parts by weight) The blocked isocyanate resin of the component (D) is 1 to 4
0 parts by weight (based on 100 parts by weight of the total of the solid content of the component (A) and the component (B)) The heterocyclic compound containing at least one thiol group of the component (E) is 0.01 to 20 parts by weight. Parts by weight ((A)
(Based on 100 parts by weight of the total amount of the solid component and the component (B)).

【0006】また、本発明は、(A)成分の一般式
(I)中のR1 が、下記一般式(VI)
In the present invention, R 1 in the general formula (I) of the component (A) is represented by the following general formula (VI)

【化8】 (式中、Yは単結合か、又は−CO−、−SO2 −、−
O−、−C(CF3 2 −のいずれかを示す)で表され
る4価の有機性基である前記感光性樹脂組成物に関す
る。
Embedded image (In the formula, Y is a single bond or -CO -, - SO 2 -, -
O-, -C (CF 3 ) 2- ) or the photosensitive resin composition, which is a tetravalent organic group.

【0007】また、本発明は、(A)成分の一般式
(I)中のR2 が、下記一般式(VII)
In the present invention, R 2 in the general formula (I) of the component (A) is represented by the following general formula (VII):

【化9】 (式中Xは単結合か、又は−O−、−S−、−CO−、
−SO2 −、−CONH−、−CH2 −、−C(C
3 2 −、−C(CF3 2 −若しくは
Embedded image (Wherein X is a single bond or —O—, —S—, —CO—,
—SO 2 —, —CONH—, —CH 2 —, —C (C
H 3) 2 -, - C (CF 3) 2 - or

【0008】[0008]

【化10】 のいずれかを示し、R11〜R14は各々独立に炭素数1〜
6の炭化水素基を示し、nは各々独立に0〜4の整数を
示す)で表される前記感光性樹脂組成物に関する。
Embedded image Wherein R 11 to R 14 each independently represent a group having 1 to 1 carbon atoms.
6 represents a hydrocarbon group, and n independently represents an integer of 0 to 4).

【0009】また、本発明は、(B)成分が、末端にエ
チレン性不飽和基を少なくとも1個有し、分子構造中に
ウレタン結合を少なくとも1個有する光重合性不飽和化
合物である前記感光性樹脂組成物に関する。また、本発
明は、(C)成分が、分子構造中にアミン構造を有さな
い、活性光の照射により遊離ラジカルを生成する光重合
開始剤である前記感光性樹脂組成物に関する。
Further, the present invention provides the photosensitive composition, wherein the component (B) is a photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group at a terminal and having at least one urethane bond in a molecular structure. The present invention relates to a water-soluble resin composition. The present invention also relates to the photosensitive resin composition, wherein the component (C) is a photopolymerization initiator that has no amine structure in the molecular structure and generates free radicals upon irradiation with active light.

【0010】また、本発明は、前記感光性樹脂組成物の
溶液を基板状に塗布し、乾燥後、像的に露光し、次いで
界面活性剤又は有機溶剤を0.1〜50重量%及び無機
アルカリ性化合物を0.01〜30重量%含有するアル
カリ性水溶液を現像液に用いて、現像を行うことを特徴
とするソルダーレジストの製造法に関する。
Further, the present invention provides a method for applying a solution of the photosensitive resin composition on a substrate, drying and applying imagewise exposure, and then adding a surfactant or an organic solvent in an amount of 0.1 to 50% by weight to an inorganic material. The present invention relates to a method for producing a solder resist, wherein development is performed using an alkaline aqueous solution containing 0.01 to 30% by weight of an alkaline compound as a developer.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の感光性樹脂組成物
について詳細に説明する。本発明の感光性樹脂組成物に
おいて(A)成分は、上記一般式(I)で表われるポリ
イミド前駆体であってもよく、又、上記一般式(II)
で表われる繰り返し単位からなるポリイミド前駆体であ
ってもよい。(A)成分は、例えば、(a)一般式(I
II)
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the photosensitive resin composition of the present invention will be described in detail. In the photosensitive resin composition of the present invention, the component (A) may be a polyimide precursor represented by the general formula (I), or may be a polyimide precursor represented by the general formula (II)
May be a polyimide precursor comprising a repeating unit represented by The component (A) includes, for example, (a) a compound represented by the general formula (I)
II)

【0012】[0012]

【化11】 Embedded image

【0013】(式中、R1 は炭素原子数が2〜30の4
価の有機性基を示す)で表わされるテトラカルボン酸二
無水物又はその誘導体及び(b)一般式(IV) H2 N−R2 −NH2 (IV) (式中、R2 は炭素原子数が1〜240、好ましくは2
〜60、より好ましくは2〜30の2価の有機性基を示
す)で表されるジアミン及び、必要に応じ、(c)一般
式(V)
(Wherein, R 1 is 4 of 2-30 carbon atoms)
And (b) a general formula (IV) H 2 N—R 2 —NH 2 (IV) wherein R 2 is a carbon atom The number is from 1 to 240, preferably 2
To 60, more preferably 2 to 30 divalent organic groups) and, if necessary, (c) a general formula (V)

【0014】[0014]

【化12】 Embedded image

【0015】(式中、n’は1〜4の整数であり、R3
は水素、ハロゲン、ニトロ基又は炭素数1〜9のアルキ
ル基を示す)で表わされるアミノベンズイミダゾール又
はその誘導体、とを溶媒中で反応させることにより製造
することができる。
[0015] (wherein, n 'is an integer from 1 to 4, R 3
Represents hydrogen, a halogen, a nitro group or an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms) or an aminobenzimidazole or a derivative thereof in a solvent.

【0016】上記一般式(III)で表されるテトラカ
ルボン酸二無水物としては、例えば、一般式(VI)で
表される、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカ
ルボン酸、2,3’,3,4’−ビフェニルテトラカル
ボン酸、2,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸、3,3’,4,4’−ジフェニルエーテルテトラ
カルボン酸、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホン
テトラカルボン酸等のテトラカルボン酸二無水物等が好
ましい。これらは単独又は2種以上を組み合わせて使用
される。また、このようなテトラカルボン酸二無水物等
の一部として、ピロメリット酸、1,2,5,6−ナフ
タレンテトラカルボン酸、2,3,6,7−ナフタレン
テトラカルボン酸、1,4,5,8−ナフタレンテトラ
カルボン酸、m−ターフェニル−3,3’,4,4’−
テトラカルボン酸、p−ターフェニル−3,3’,4,
4’−テトラカルボン酸、1,1,1,3,3,3−ヘ
キサフルオロ−2,2−ビス(2,3−又は3,4−ジ
カルボキシフェニル)プロパン、2,2−ビス(2,3
−又は3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン、2,
2−ビス〔4’−(2,3−又は3,4−ジカルボキシ
フェノキシ)フェニル〕プロパン、1,1,1,3,
3,3−ヘキサフルオロ−2,2−ビス〔4’−(2,
3−又は3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル〕
プロパン、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボ
ン酸、1,2,7,8−フェナンスレンテトラカルボン
酸、4,4’−ビス(2,3−ジカルボキシフェノキ
シ)ジフェニルメタン等の芳香族テトラカルボン酸の二
無水物、下記一般式(VIII)
The tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (III) includes, for example, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid represented by the general formula (VI): , 3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,3', 3,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 2,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic acid, 3,3', 4 And tetracarboxylic dianhydrides such as 4,4'-diphenylethertetracarboxylic acid and 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid. These are used alone or in combination of two or more. As a part of such tetracarboxylic dianhydride, pyromellitic acid, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid, 1,4 , 5,8-Naphthalenetetracarboxylic acid, m-terphenyl-3,3 ', 4,4'-
Tetracarboxylic acid, p-terphenyl-3,3 ', 4,
4'-tetracarboxylic acid, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (2,3- or 3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,2-bis (2 , 3
-Or 3,4-dicarboxyphenyl) propane, 2,
2-bis [4 '-(2,3- or 3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane, 1,1,1,3,
3,3-hexafluoro-2,2-bis [4 ′-(2,
3- or 3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl]
Aromatics such as propane, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic acid, 1,2,7,8-phenanthrenetetracarboxylic acid, and 4,4′-bis (2,3-dicarboxyphenoxy) diphenylmethane Tetracarboxylic acid dianhydride, the following general formula (VIII)

【0017】[0017]

【化13】 Embedded image

【0018】(式中、R5 及びR6 は一価の炭化水素
基、好ましくは炭素数1〜10の炭化水素基、より好ま
しくは炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数6〜10の
アリール基(フェニル基、トリル基、ナフチル基)を示
し、それぞれ同一でも異なっていてもよく、lは1以上
の整数である)で表わされる芳香族テトラカルボン酸二
無水物、また、2,3,5,6−ピリジンテトラカルボ
ン酸、3,4,9,10−ペリレンテトラカルボン酸、
シクロブテンテトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン
酸等の脂肪族テトラカルボン酸二無水物などを使用する
こともできる。
(Wherein R 5 and R 6 are monovalent hydrocarbon groups, preferably C 1-10 hydrocarbon groups, more preferably C 1-5 alkyl groups or C 6-10 alkyl groups. An aromatic tetracarboxylic dianhydride represented by an aryl group (phenyl group, tolyl group, naphthyl group), which may be the same or different, and l is an integer of 1 or more; , 5,6-pyridinetetracarboxylic acid, 3,4,9,10-perylenetetracarboxylic acid,
Aliphatic tetracarboxylic dianhydrides such as cyclobutenetetracarboxylic acid and butanetetracarboxylic acid can also be used.

【0019】上記一般式(IV)で表わされるジアミン
としては、特に制限はなく、例えば、一般式(VII)
で示される、2,2−ビス−〔4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス−〔3−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕プロパン、ビス〔4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、ビス
〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕スルホン、
2,2−ビス−〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス−〔4−
(3−アミノフェノキシ)フェニル〕ヘキサフルオロプ
ロパン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)〕ビフェ
ニル、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)〕ビフェニ
ル、ビス〔1−(4−アミノフェノキシ)〕ビフェニ
ル、ビス〔1−(3−アミノフェノキシ)〕ビフェニ
ル、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕メ
タン、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕
メタン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル〕エーテル、ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕エーテル、ビス〔4−(4−アミノフェノキ
シ)〕ベンゾフェノン、ビス〔4−(3−アミノフェノ
キシ)〕ベンゾフェノン、ビス〔4−(4−アミノフェ
ノキシ)〕ベンズアニリド、ビス〔4−(3−アミノフ
ェノキシ)〕ベンズアニリド、9,9−ビス〔4−(4
−アミノフェノキシ)フェニル〕フルオレン、9,9−
ビス〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕フルオ
レン等が好ましい。これらは、2種以上を併用すること
もできるし、また、これらのジエーテル系ジアミン以外
の芳香族ジアミンも少量であれば併用することができ
る。尚、一般式(VII)において、R11〜R14は各々
独立に、好ましくは炭素数1〜6のアルキル基又はアル
コキシ基である。
The diamine represented by the general formula (IV) is not particularly limited. For example, the diamine represented by the general formula (VII)
2,2-bis- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane and 2,2-bis- [3- (4
-Aminophenoxy) phenyl] propane, bis [4-
(4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone,
2,2-bis- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis- [4-
(3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, bis [4- (4-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bis [1- (4-aminophenoxy)] biphenyl , Bis [1- (3-aminophenoxy)] biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl]
Methane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy)] benzophenone, bis [4- (3- Aminophenoxy)] benzophenone, bis [4- (4-aminophenoxy)] benzanilide, bis [4- (3-aminophenoxy)] benzanilide, 9,9-bis [4- (4
-Aminophenoxy) phenyl] fluorene, 9,9-
Bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] fluorene and the like are preferred. These may be used in combination of two or more, and may be used in combination with a small amount of an aromatic diamine other than these diether-based diamines. In the formula (VII), R 11 to R 14 are each independently preferably an alkyl group or an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms.

【0020】他の芳香族ジアミンとしては、例えば、
4,4’−(又は3,4’−、3,3’−、2,4’
−、2,2’−)ジアミノジフェニルエーテル、4,
4’−(又は3,4’−、3,3’−、2,4’−、
2,2’−)ジアミノジフェニルメタン、4,4’−
(又は3,4’−、3,3’−、2,4’−、2,2’
−)ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−(又は
3,4’−、3,3’−、2,4’−、2,2’−)ジ
アミノジフェニルスルフィド、p−フェニレンジアミ
ン、m−フェニレンジアミン、p−キシリレンジアミ
ン、m−キシリレンジアミン、o−トリジン、o−トリ
ジンスルホン、4,4’−メチレン−ビス−(2,6−
ジエチルアニリン)、4,4’−メチレン−ビス−
(2,6−ジイソプロピルアニリン)、2,4−ジアミ
ノメシチレン、1,5−ジアミノナフタレン、4,4’
−ベンゾフェノンジアミン、1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロ−2,2−ビス(4−アミノフェニル)
プロパン、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノジ
フェニルメタン、3,3’,5,5’−テトラメチル−
4,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス
(4−アミノフェニル)プロパン、ベンジジン、2,6
−ジアミノピリジン、3,3’−ジメトキシベンジジ
ン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、
1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,
4’−〔1,4−フェニレンビス(1−メチルエチリデ
ン)〕ビスアニリン、4,4’−〔1,3−フェニレン
ビス(1−メチルエチリデン)〕ビスアニリン、3,5
−ジアミノ安息香酸等を挙げることができる。また、上
記ジアミン成分の一部に、例えば、エチレンジアミン、
テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、
1,2−ジアミノシクロヘキサン、下記一般式(IX)
Other aromatic diamines include, for example,
4,4'- (or 3,4'-, 3,3'-, 2,4 '
-, 2,2 ′-) diaminodiphenyl ether, 4,
4'- (or 3,4'-, 3,3'-, 2,4'-,
2,2 ′-) diaminodiphenylmethane, 4,4′-
(Or 3,4'-, 3,3'-, 2,4'-, 2,2 '
-) Diaminodiphenyl sulfone, 4,4'- (or 3,4'-, 3,3'-, 2,4'-, 2,2'-) diaminodiphenyl sulfide, p-phenylenediamine, m-phenylenediamine , P-xylylenediamine, m-xylylenediamine, o-tolidine, o-tolidine sulfone, 4,4'-methylene-bis- (2,6-
Diethylaniline), 4,4'-methylene-bis-
(2,6-diisopropylaniline), 2,4-diaminomesitylene, 1,5-diaminonaphthalene, 4,4 ′
-Benzophenone diamine, 1,1,1,3,3,3-
Hexafluoro-2,2-bis (4-aminophenyl)
Propane, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-
4,4′-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, benzidine, 2,6
-Diaminopyridine, 3,3'-dimethoxybenzidine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene,
1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,
4 '-[1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 4,4'-[1,3-phenylenebis (1-methylethylidene)] bisaniline, 3,5
-Diaminobenzoic acid and the like. In addition, a part of the diamine component, for example, ethylene diamine,
Tetramethylene diamine, hexamethylene diamine,
1,2-diaminocyclohexane, the following general formula (IX)

【0021】[0021]

【化14】 Embedded image

【0022】(式中、R7 及びR8 は炭素原子数1〜1
0の二価の炭化水素基を示し、それぞれ同一でも異なっ
ていてもよく、R9 及びR10は一価の炭化水素基(好ま
しくは炭素数1〜10)を示し、それぞれ同一でも異な
っていてもよく、mは1以上の整数である)で表わされ
るジアミノポリシロキサン、1,3−ビス(アミノメチ
ル)シクロヘキサン、サンテクノケミカル(株)製 ジ
ェファーミン D−230,D−400,D−200
0,D−4000,ED−600,ED−900,ED
−2001,EDR−148等のポリオキシアルキレン
ジアミン等の脂肪族ジアミン成分を使用してもよい。ま
た、本発明において、一般式(V)で表されるアミノベ
ンズイミダゾール又はその誘導体を、ポリイミド前駆体
を製造する際に使用してもよい。例えば、2−アミノベ
ンズイミダゾール、2−アミノ−6−メチル−ベンズイ
ミダゾール、2−アミノ−6−エチル−ベンズイミダゾ
ール、2−アミノ−6−ブチル−ベンズイミダゾール、
2−アミノ−6−ニトロ−ベンズイミダゾール等が用い
られる。耐PCT性や現像性の点から、2−アミノベン
ズイミダゾールが特に好ましい。
(Wherein R 7 and R 8 each have 1 to 1 carbon atoms)
0 represents a divalent hydrocarbon group, which may be the same or different; R 9 and R 10 each represent a monovalent hydrocarbon group (preferably having 1 to 10 carbon atoms); And m is an integer of 1 or more), 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane, Jeffamine D-230, D-400, D-200 manufactured by San Techno Chemical Co., Ltd.
0, D-4000, ED-600, ED-900, ED
An aliphatic diamine component such as polyoxyalkylenediamine such as -2001 and EDR-148 may be used. In the present invention, aminobenzimidazole or a derivative thereof represented by the general formula (V) may be used when producing a polyimide precursor. For example, 2-aminobenzimidazole, 2-amino-6-methyl-benzimidazole, 2-amino-6-ethyl-benzimidazole, 2-amino-6-butyl-benzimidazole,
2-Amino-6-nitro-benzimidazole and the like are used. From the viewpoint of PCT resistance and developability, 2-aminobenzimidazole is particularly preferred.

【0023】また、(A)成分のポリイミド前駆体を合
成する際、一般式(V)で表されるアミノベンズイミダ
ゾール又はその誘導体の使用量は、上記一般式(IV)
で表されるジアミン化合物と一般式(V)で表されるア
ミノベンズイミダゾール及びその誘導体の総量に対し
て、0.1〜10モル%であることが好ましい。0.1
モル%未満であると耐PCT性が不足する傾向があり、
また、10モル%を超えると、現像性や保存安定性が低
下する傾向がある。さらに、上記一般式(IV)で表さ
れるジアミン化合物と上記一般式(V)で表されるアミ
ノベンズイミダゾール及びその誘導体との総和使用量
と、一般式(III)で表されるテトラカルボン酸二無
水物の使用量の比率は、1.1/1.0〜1.0/1.
1(モル)の範囲とすることが好ましい。この範囲を越
えるとポリイミド前駆体の分子量が向上しないため、耐
熱性等が低下する傾向がある。
When synthesizing the polyimide precursor of the component (A), the amount of the aminobenzimidazole represented by the general formula (V) or a derivative thereof is determined by the above formula (IV)
It is preferable that it is 0.1 to 10 mol% with respect to the total amount of the diamine compound represented by the formula and the aminobenzimidazole represented by the general formula (V) and its derivatives. 0.1
If it is less than mol%, the PCT resistance tends to be insufficient,
If it exceeds 10 mol%, the developability and storage stability tend to decrease. Further, the total used amount of the diamine compound represented by the general formula (IV) and the aminobenzimidazole and the derivative thereof represented by the general formula (V), and the tetracarboxylic acid represented by the general formula (III) The ratio of the amount of dianhydride used is 1.1 / 1.0 to 1.0 / 1.
It is preferred to be in the range of 1 (mol). If it exceeds this range, the molecular weight of the polyimide precursor will not be improved, so that the heat resistance and the like tend to decrease.

【0024】本発明で使用されるポリイミド前駆体は、
既に知られた各種方法により製造することができる。一
般式(I)においてXがOHである場合は、(a)成分
のテトラカルボン酸二無水物と(b)成分のジアミン及
び必要に応じ(c)成分のアミノベンズイミダゾール又
はその誘導体を、必要に応じて用いる有機溶媒中で反応
させることにより得ることができる。またXが一価の有
機基を含む場合で、−O−を介するものの場合は、テト
ラカルボン酸二無水物とヒドロキシル基含有化合物を混
合して反応させ、テトラカルボン酸のハーフエステルを
製造した後、塩化チオニルにより酸クロリド化し、次い
で、ジアミンと反応させる方法や、前記テトラカルボン
酸ハーフエステルをカルボジイミド類を縮合剤としてジ
アミンと反応させる等により合成することができる。X
が一価の有機基である場合で、−NH−を介するものの
場合は、テトラカルボン酸二無水物とジアミン及び必要
に応じアミノベンズイミダゾール又はその誘導体を、必
要に応じて用いる有機溶媒中で反応させ、次いでイソシ
アネート化合物を反応させること等により製造すること
ができる。
The polyimide precursor used in the present invention comprises:
It can be produced by various known methods. When X is OH in the general formula (I), the tetracarboxylic dianhydride of the component (a), the diamine of the component (b) and, if necessary, the aminobenzimidazole or the derivative thereof of the component (c) are required. The reaction can be carried out in an organic solvent used according to the above. In the case where X contains a monovalent organic group, and in the case of via -O-, tetracarboxylic dianhydride and a hydroxyl group-containing compound are mixed and reacted to produce a half ester of tetracarboxylic acid. The acid can be chlorided with thionyl chloride and then reacted with a diamine, or the tetracarboxylic acid half ester can be synthesized with a diamine using a carbodiimide as a condensing agent. X
Is a monovalent organic group, and in the case of via -NH-, a tetracarboxylic dianhydride and a diamine and optionally aminobenzimidazole or a derivative thereof are reacted in an organic solvent used as required. And then reacting with an isocyanate compound.

【0025】本発明で使用されるポリイミド前駆体の重
量平均分子量としては、3,000〜200,000で
あることが、低温硬化性に優れ、耐熱性、機械特性、作
業性にも優れるので好ましい。
The weight average molecular weight of the polyimide precursor used in the present invention is preferably from 3,000 to 200,000, because it is excellent in low-temperature curability, heat resistance, mechanical properties and workability. .

【0026】また、ここで(A)成分であるポリイミド
前駆体を生成する反応に用いられる溶媒としては、ポリ
イミド前駆体に対して不活性である必要がある。例え
ば、「溶剤ハンドブック」(講談社、1976年刊行)
の143〜852頁に掲載されている溶剤が用いられ
る。例えば、N−メチルピロリドン、ジメチルアセトア
ミド、ジメチルホルムアミド、1,3−ジメチル−3,
4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノ
ン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン等の含窒
素化合物、スルホラン、ジメチルスルホキシド等の硫黄
化合物、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ
−カプロラクトン、γ−ヘプタラクトン、α−アセチル
−γ−ブチロラクトン、ε−カプロラクトン等のラクト
ン類、ジオキサン、1,2−ジメトキシエタン、ジエチ
レングリコールジメチル(又はジエチル、ジプロピル、
ジブチル)エーテル、トリエチレングリコールジメチル
(又はジエチル、ジプロピル、ジブチル)エーテル、テ
トラエチレングリコールジメチル(又はジエチル、ジプ
ロピル、ジブチル)エーテル等のエーテル類、エチレン
カーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネー
ト類、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン類、ブタ
ノール、オクチルアルコール、エチレングリコール、グ
リセリン、ジエチレングリコールモノメチル(又はモノ
エチル)エーテル、トリエチレングリコールモノメチル
(又はモノエチル)エーテル、テトラエチレングリコー
ルモノメチル(又はモノエチル)エーテル等のアルコー
ル類、フェノール、クレゾール、キシレノール等のフェ
ノール類、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセロソルブ
アセテート、ブチルセロソルブアセテート等のエステル
類、トルエン、キシレン、ジエチルベンゼン、シクロヘ
キサン等の炭化水素類、トリクロロエタン、テトラクロ
ロエタン、モノクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素
類などが用いられる。これらは単独又は混合して用いら
れる。
The solvent used in the reaction for producing the polyimide precursor as the component (A) must be inert to the polyimide precursor. For example, "Solvent Handbook" (Kodansha, published in 1976)
Solvents described on pages 143 to 852 of the above are used. For example, N-methylpyrrolidone, dimethylacetamide, dimethylformamide, 1,3-dimethyl-3,
Nitrogen-containing compounds such as 4,5,6-tetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, sulfur compounds such as sulfolane and dimethylsulfoxide, γ-butyrolactone, γ-valerolactone; γ
Lactones such as caprolactone, γ-heptalactone, α-acetyl-γ-butyrolactone, ε-caprolactone, dioxane, 1,2-dimethoxyethane, diethylene glycol dimethyl (or diethyl, dipropyl,
Ethers such as dibutyl) ether, triethylene glycol dimethyl (or diethyl, dipropyl, dibutyl) ether, tetraethylene glycol dimethyl (or diethyl, dipropyl, dibutyl) ether, carbonates such as ethylene carbonate and propylene carbonate, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl Ketone,
Ketones such as cyclohexanone and acetophenone, butanol, octyl alcohol, alcohols such as ethylene glycol, glycerin, diethylene glycol monomethyl (or monoethyl) ether, triethylene glycol monomethyl (or monoethyl) ether, and tetraethylene glycol monomethyl (or monoethyl) ether; Phenols such as phenol, cresol and xylenol, esters such as ethyl acetate, butyl acetate, ethyl cellosolve acetate and butyl cellosolve acetate, hydrocarbons such as toluene, xylene, diethylbenzene and cyclohexane, halogens such as trichloroethane, tetrachloroethane and monochlorobenzene Hydrocarbons and the like are used. These are used alone or in combination.

【0027】また、耐PCT性や低温硬化性等の点から
非含窒素系溶剤であることが好ましく、例えば、γ−ブ
チロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクト
ン、γ−ヘプタラクトン、α−アセチル−γ−ブチロラ
クトン、ε−カプロラクトン等のラクトン類、ジオキサ
ン、1,2−ジメトキシエタン、ジエチレングリコール
ジメチル(又はジエチル、ジプロピル、ジブチル)エー
テル、トリエチレングリコールジメチル(又はジエチ
ル、ジプロピル、ジブチル)エーテル、テトラエチレン
グリコールジメチル(又はジエチル、ジプロピル、ジブ
チル)エーテル等のエーテル類、エチレンカーボネー
ト、プロピレンカーボネート等のカーボネート類、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキ
サノン、アセトフェノン等のケトン類を用いることが好
ましい。
It is preferable to use a non-nitrogen-containing solvent from the viewpoints of PCT resistance and low-temperature curability, for example, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, γ-caprolactone, γ-heptalactone, α-acetyl. Lactones such as -γ-butyrolactone, ε-caprolactone, dioxane, 1,2-dimethoxyethane, diethylene glycol dimethyl (or diethyl, dipropyl, dibutyl) ether, triethylene glycol dimethyl (or diethyl, dipropyl, dibutyl) ether, tetraethylene Ethers such as glycol dimethyl (or diethyl, dipropyl, dibutyl) ether, carbonates such as ethylene carbonate and propylene carbonate, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, acetophenone, etc. It is preferred to use a ketone.

【0028】前記溶媒の使用量は、生成するポリイミド
前駆体の1〜10倍(重量比)とすることが好ましい。
1倍未満では、合成時の粘度が高すぎて、攪拌不能によ
り合成が困難となる傾向があり、10倍を超えると、反
応速度が低下する傾向がある。又、(A)成分であるポ
リイミド前駆体は、例えば非含窒素系溶剤を溶剤とする
その高分子溶液であってもよく、非含窒素系溶剤として
は、ラクトン類、脂環式ケトン類又はエーテル類が挙げ
られる。
The amount of the solvent used is preferably 1 to 10 times (by weight) the polyimide precursor to be produced.
If it is less than 1 time, the viscosity at the time of synthesis tends to be too high and the synthesis tends to be difficult due to inability to stir, and if it exceeds 10 times, the reaction rate tends to decrease. Further, the polyimide precursor as the component (A) may be, for example, a polymer solution thereof using a non-nitrogen-containing solvent as a solvent. Examples of the non-nitrogen-containing solvent include lactones, alicyclic ketones and the like. Ethers.

【0029】(B)成分である末端にエチレン性不飽和
基を少なくとも1個含有する光重合性不飽和化合物とし
ては、特に制限は無く、例えば、アクリル酸メチル、メ
タクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸エ
チル、アクリル酸ブチル、メタクリル酸ブチル、アクリ
ル酸2−エチルヘキシル、メタクリル酸2−エチルヘキ
シル、ペンテニルアクリレート、ペンテニルメタクリレ
ート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレー
ト、テトラヒドロフルフリルアクリレート、テトラヒド
ロフルフリルメタクリレート、ポリエチレングリコール
(メタ)アクリレート(エチレン基の和が2〜14のも
の)、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレー
ト(プロピレン基の和が2〜14のもの)、トリメチロ
ールプロパンジアクリレート、トリメチロールプロパン
トリアクリレート、トリメチロールプロパンジメタクリ
レート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、
トリメチロールプロパンエトキシトリアクリレート、ト
リメチロールプロパンエトキシトリメタクリレート、ト
リメチロールプロパンプロポキシトリアクリレート、ト
リメチロールプロパンプロポキシトリメタアクリレー
ト、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、テト
ラメチロールメタンテトラメタクリレート、1,4−ブ
タンジオールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオー
ルジアクリレート、1,4−ブタンジオールジメタクリ
レート、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、
ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリス
リトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールト
リメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタク
リレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジ
ペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエ
リスリトールヘキサメタクリレート、スチレン、ジビニ
ルベンゼン、4−ビニルトルエン、4−ビニルピリジ
ン、N−ビニルピロリドン、2−ヒドロキシエチルアク
リレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、1,
3−アクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパン、
1,2−メタクリロイルオキシ−2−ヒドロキシプロパ
ン、メチレンビスアクリルアミド、N,N−ジメチルア
クリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、トリス
(β−ヒドロキシエチル)イソシアヌレートのトリアク
リレート、下記一般式(X)
The photopolymerizable unsaturated compound having at least one terminal ethylenically unsaturated group as the component (B) is not particularly limited, and examples thereof include methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, and the like. Ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl methacrylate, pentenyl acrylate, pentenyl methacrylate, benzyl acrylate, benzyl methacrylate, tetrahydrofurfuryl acrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate, polyethylene glycol (meth ) Acrylates (with a total of 2 to 14 ethylene groups), polypropylene glycol di (meth) acrylate (with a total of 2 to 14 propylene groups), trimethylolpropanediac Rate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate,
Trimethylolpropaneethoxytriacrylate, trimethylolpropaneethoxytrimethacrylate, trimethylolpropanepropoxytrimethacrylate, trimethylolpropanepropoxytrimethacrylate, tetramethylolmethanetetraacrylate, tetramethylolmethanetetramethacrylate, 1,4-butanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,4-butanediol dimethacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate,
Pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate, styrene, divinylbenzene, 4 -Vinyltoluene, 4-vinylpyridine, N-vinylpyrrolidone, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 1,
3-acryloyloxy-2-hydroxypropane,
1,2-methacryloyloxy-2-hydroxypropane, methylenebisacrylamide, N, N-dimethylacrylamide, N-methylolacrylamide, triacrylate of tris (β-hydroxyethyl) isocyanurate, the following general formula (X)

【0030】[0030]

【化15】 Embedded image

【0031】(式中、R15は水素又はメチル基を示し、
q及びrは1以上の整数である)で表わされる化合物、
グリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を
付加して得られる化合物、例えば、トリメチロールプロ
パントリグリシジルエーテルトリ(メタ)アクリレー
ト、ビスフェノールAジグリシジルエーテルジ(メタ)
アクリレート等、多価カルボン酸、例えば、無水フタル
酸等と水酸基及びエチレン性不飽和基を有する物質、例
えば、β−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等と
のエステル化物、トリレンジイソシアネートと2−ヒド
ロキシエチル(メタ)アクリル酸エステルとの反応物や
トリメチルヘキサメチレンジイソシアネートとシクロヘ
キサンジメタノールと2−ヒドロキシエチル(メタ)ア
クリル酸エステルとの反応物等のウレタン(メタ)アク
リレート等が挙げられる。これらは単独で又は2種類以
上を組み合わせて使用することができる。
(Wherein, R 15 represents hydrogen or a methyl group;
q and r are integers of 1 or more),
Compounds obtained by adding an α, β-unsaturated carboxylic acid to a glycidyl group-containing compound, for example, trimethylolpropane triglycidyl ether tri (meth) acrylate, bisphenol A diglycidyl ether di (meth)
Esterified products of polyvalent carboxylic acids such as acrylates, for example, phthalic anhydride and the like, and compounds having a hydroxyl group and an ethylenically unsaturated group, for example, β-hydroxyethyl (meth) acrylate, tolylene diisocyanate and 2-hydroxyethyl Urethane (meth) acrylates such as a reaction product of (meth) acrylate and a reaction product of trimethylhexamethylene diisocyanate, cyclohexane dimethanol and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.

【0032】本発明者らは鋭意研究の結果、使用される
光重合性不飽和化合物は、トリレンジイソシアネートや
ジフェニルメタンジイソシアネート、トリメチルヘキサ
メチレンジイソシアネート等の有機イソシアネート化合
物と2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等のヒ
ドロキシル基含有(メタ)アクリレート及び必要により
シクロヘキサンジメタノール等の鎖延長剤を反応させた
ウレタン(メタ)アクリレート等の、その分子構造中に
ウレタン結合を少なくとも一個有する光重合性不飽和化
合物であることが、ポリイミド前駆体等の他のレジスト
構成成分との相溶性や耐PCT性等の点からより好まし
いことを見い出した。更に光感度の点から、トリメチル
ヘキサメチレンジイソシアネートとシクロヘキサンジメ
タノールと2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート
との反応物が特に好ましい。
As a result of intensive studies, the present inventors have found that the photopolymerizable unsaturated compounds used include organic isocyanate compounds such as tolylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, and trimethylhexamethylene diisocyanate, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate. Is a photopolymerizable unsaturated compound having at least one urethane bond in its molecular structure, such as a urethane (meth) acrylate obtained by reacting a hydroxyl group-containing (meth) acrylate with a chain extender such as cyclohexane dimethanol if necessary. Is more preferable from the viewpoint of compatibility with other resist components such as a polyimide precursor and PCT resistance. Further, from the viewpoint of photosensitivity, a reaction product of trimethylhexamethylene diisocyanate, cyclohexanedimethanol, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate is particularly preferable.

【0033】(C)成分である活性光の照射により遊離
ラジカルを生成する光重合開始剤の例としては、例え
ば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエー
テル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブ
チルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾ
インエーテル類、ベンゾフェノン、N,N’−テトラメ
チル−4,4’−ジアミノベンゾフェノン(ミヒラーケ
トン)、N,N’−テトラエチル−4,4’−ジアミノ
ベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、ベンジルジメチ
ルケタール(チバ・ガイギー社製、イルガキュア65
1)、ベンジルジエチルケタール等のベンジルケタール
類、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノ
ン、p−tert−ブチルジクロロアセトフェノン、p
−ジメチルアミノアセトフェノン等のアセトフェノン
類、2,4−ジメチルチオキサントン、2,4−ジイソ
プロピルチオキサントン等のキサントン類、あるいはヒ
ドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバ・ガイギ
ー社製、イルガキュア184)、1−(4−イソプロピ
ルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−
1−オン(メルク社製、ダロキュア1116)、2−ヒ
ドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オ
ン(メルク社製、ダロキュア1173)等が挙げられ、
これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いられ
る。
Examples of the photopolymerization initiator which generates free radicals upon irradiation with actinic light as the component (C) include, for example, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin propyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin phenyl ether and the like. Benzoin ethers, benzophenone, N, N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Michler's ketone), benzophenones such as N, N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone, benzyldimethylketal (Ciba・ Geigy, Irgacure 65
1), benzyl ketals such as benzyl diethyl ketal, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, p
Acetophenones such as dimethylaminoacetophenone, xanthones such as 2,4-dimethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone, or hydroxycyclohexylphenyl ketone (Irgacure 184, manufactured by Ciba-Geigy), 1- (4-isopropylphenyl ) -2-Hydroxy-2-methylpropane-
1-one (manufactured by Merck, Darocure 1116), 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one (manufactured by Merck, Darocure 1173) and the like,
These are used alone or in combination of two or more.

【0034】また、(C)成分として使用しうる光重合
開始剤としては、例えば、2,4,5−トリアリルイミ
ダゾール二量体と2−メルカプトベンゾオキサゾール、
ロイコクリスタルバイオレット、トリス(4−ジエチル
アミノ−2−メチルフェニル)メタン等との組み合わせ
も挙げられる。また、それ自体では光重合開始性はない
が、前記物質と組み合わせて用いることにより全体とし
て光重合開始性能のより良好な増感剤系となるような添
加剤、例えば、ベンゾフェノンに対するトリエタノール
アミン等の三級アミンを用いることができる。
The photopolymerization initiator which can be used as the component (C) includes, for example, 2,4,5-triallylimidazole dimer and 2-mercaptobenzoxazole,
Combinations with leuco crystal violet, tris (4-diethylamino-2-methylphenyl) methane and the like are also included. Additives which do not have photoinitiating property by themselves, but provide a sensitizer system having better photopolymerization initiating performance as a whole when used in combination with the above substances, such as triethanolamine for benzophenone. Can be used.

【0035】本発明者らは鋭意研究の結果、(C)成分
である光開始剤は、分子構造中にアミン構造を有さない
ものが、感光性樹脂組成物の保存安定性を特に良好にす
ることを見出した。分子構造中にアミン構造を有さな
い、活性光の照射により遊離ラジカルを生成する光重合
開始剤としては、例えば、ベンゾフェノンあるいはアミ
ン構造を有さないベンゾフェノン誘導体、ベンジルジメ
チルケタール(チバ・ガイギー社製、イルガキュア65
1)、ベンジルジエチルケタール等のベンジルケタール
類、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノ
ン、p−tert−ブチルジクロロアセトフェノン等の
アセトフェノン類、2,4−ジメチルチオキサントン、
2,4−ジイソプロピルチオキサントン等のキサントン
類、ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン(チバ・
ガイギー社製、イルガキュア184)、1−(4−イソ
プロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロ
パン−1−オン(メルク社製、ダロキュア1116)、
2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−
1−オン(メルク社製、ダロキュア1173)などが好
ましく、感度や解像度およびレジスト形状の点から、ベ
ンジルジメチルケタールが特に好ましい。
The present inventors have conducted intensive studies and found that the photoinitiator which is the component (C) has no amine structure in the molecular structure, and the storage stability of the photosensitive resin composition is particularly excellent. I found to do. Examples of the photopolymerization initiator which has no amine structure in the molecular structure and generates free radicals upon irradiation with actinic light include benzophenone or a benzophenone derivative having no amine structure, benzyl dimethyl ketal (manufactured by Ciba Geigy) , Irgacure 65
1), benzyl ketals such as benzyl diethyl ketal, acetophenones such as 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, 2,4-dimethylthioxanthone,
Xanthones such as 2,4-diisopropylthioxanthone, hydroxycyclohexyl phenyl ketone (Ciba.
Geigy Corp., Irgacure 184), 1- (4-isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one (Merck Corp., Darocure 1116),
2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane-
1-one (manufactured by Merck, Darocure 1173) is preferred, and benzyldimethyl ketal is particularly preferred in terms of sensitivity, resolution, and resist shape.

【0036】(D)成分であるブロック化イソシアネー
ト樹脂は、イソシアネート樹脂に活性水素を有する化合
物(ブロック剤)を反応させ、常温では安定であり、加
熱することによりブロック剤が解離し反応性のイソシア
ネート樹脂となって熱硬化反応に利用されるもので、ブ
ロック化イソシアネート樹脂の例としては、例えば、ト
リレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネ
ート、ヘキサメチレンジイソシアネートから成るトリイ
ソシアヌレート体、ジフェニルメタンジイソシアネー
ト、イソホロンジイソシアネート等のイソシアネート樹
脂に、フェノール、アルコール、オキシム、β−ジカル
ボニル化合物、ラクタム、アミンイミド、ニトリルカー
ボネート、イソシアネートダイマー等の活性水素を有す
る化合物(ブロック剤)を反応させたものが挙げられ、
これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いられ
る。相溶性や耐PCT性の点から、ヘキサメチレンジイ
ソシアネート又はヘキサメチレンジイソシアネートから
成るトリイソシアヌレート体に、ブロック剤としてメチ
ルエチルケトオキシムを反応させたブロック化イソシア
ネートが好ましく、ヘキサメチレンジイソシアネートか
ら成るトリイソシアヌレート体に、ブロック剤としてメ
チルエチルケトオキシムを反応させたブロック化イソシ
アネートが特に好ましい。
The blocked isocyanate resin as the component (D) is obtained by reacting a compound having an active hydrogen (blocking agent) with the isocyanate resin, and is stable at room temperature. It is used as a resin for the thermosetting reaction, and examples of the blocked isocyanate resin include, for example, tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, triisocyanurate composed of hexamethylene diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, and isophorone diisocyanate. Compounds (blocks) having an active hydrogen such as phenol, alcohol, oxime, β-dicarbonyl compound, lactam, amine imide, nitrile carbonate, isocyanate dimer, etc. ) It can be mentioned those obtained by reacting,
These are used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of compatibility and PCT resistance, a hexamethylene diisocyanate or a triisocyanurate of hexamethylene diisocyanate is preferably used as a blocking agent, and a blocked isocyanate obtained by reacting methylethylketoxime as a blocking agent is preferable.A triisocyanurate of hexamethylene diisocyanate is preferable. A blocked isocyanate obtained by reacting methyl ethyl ketoxime as a blocking agent is particularly preferred.

【0037】(E)成分であるチオール基を少なくとも
1個含有するヘテロ環状化合物の例としては、例えば、
2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジアゾール,
2−メルカプト−1−メチル−イミダゾール、5−アミ
ノ−1,3,4−チアジアゾール−2−チオール、2−
メルカプト−ベンズイミダゾール、2−メルカプト−ベ
ンゾチアゾール、1H−1,2,4−トリアゾール−3
−チオール等が挙げられ、2,5−ジメルカプト−1,
3,4−チアジアゾールが耐めっき液性の点から特に好
ましい。
Examples of the heterocyclic compound containing at least one thiol group as the component (E) include, for example,
2,5-dimercapto-1,3,4-thiadiazole,
2-mercapto-1-methyl-imidazole, 5-amino-1,3,4-thiadiazole-2-thiol, 2-
Mercapto-benzimidazole, 2-mercapto-benzothiazole, 1H-1,2,4-triazole-3
-Thiol and the like, and 2,5-dimercapto-1,
3,4-thiadiazole is particularly preferred from the viewpoint of plating solution resistance.

【0038】このようにして得られる本研究の感光性樹
脂組成物において、(A)成分の固形分の使用量は20
〜95重量部(ただし(A)成分の固形分及び(B)成
分の総量を100重量部とする)とするのが好ましい。
(A)成分の固形分の使用量が20重量部未満であると
耐PCT性が低下し、95重量部を越えると感度が低下
する。(B)成分の使用量は5〜80重量部(ただし
(A)成分の固形分及び(B)成分の総量を100重量
部とする)とするのが好ましい。(B)成分の使用量が
5重量部未満であると感度が低下し、80重量部を越え
ると耐PCT性が低下する。(C)成分の使用量は0.
01〜20重量部(ただし(A)成分の固形分及び
(B)成分の総量を100重量部とする)とするのが好
ましい。(C)成分の使用量が0.01重量部未満であ
ると感度が低下し、20重量部を越えると形成されるネ
ガティブパターンのレジスト形状が悪くなる。(D)成
分の使用量は1〜40重量部(ただし(A)成分の固形
分及び(B)成分の総量を100重量部とする)とする
のが好ましい。(C)成分の使用量が1重量部未満であ
ると耐PCT性が低下し、40重量部を越えると光感度
が低下する。(E)成分の使用量は0.01〜20重量
部(ただし(A)成分の固形分及び(B)成分の総量を
100重量部とする)とするのが好ましい。(E)成分
の使用量が0.01重量部未満であると耐めっき液性が
低下し、20重量部を越えると形成されるネガティブパ
ターンのレジスト形状が悪くなったり、めっき液を汚染
する。
In the thus obtained photosensitive resin composition of the present study, the amount of the solid component (A) used was 20%.
It is preferable that the amount be from 95 to 95 parts by weight (provided that the total amount of the solid content of the component (A) and the component (B) is 100 parts by weight).
If the amount of the solid component (A) used is less than 20 parts by weight, the PCT resistance is reduced, and if it exceeds 95 parts by weight, the sensitivity is reduced. The amount of the component (B) is preferably 5 to 80 parts by weight (provided that the total amount of the solid content of the component (A) and the component (B) is 100 parts by weight). If the amount of the component (B) is less than 5 parts by weight, the sensitivity is lowered, and if it is more than 80 parts by weight, the PCT resistance is lowered. The amount of the component (C) used is 0.
The content is preferably from 0.01 to 20 parts by weight (provided that the total amount of the solid content of the component (A) and the component (B) is 100 parts by weight). When the amount of the component (C) is less than 0.01 part by weight, the sensitivity is lowered. When the amount exceeds 20 parts by weight, the negative pattern formed has a poor resist shape. The amount of the component (D) is preferably 1 to 40 parts by weight (provided that the total amount of the solid content of the component (A) and the component (B) is 100 parts by weight). If the amount of the component (C) is less than 1 part by weight, the PCT resistance decreases, and if it exceeds 40 parts by weight, the photosensitivity decreases. The amount of the component (E) is preferably 0.01 to 20 parts by weight (provided that the total amount of the solid content of the component (A) and the component (B) is 100 parts by weight). When the amount of the component (E) is less than 0.01 part by weight, the plating solution resistance is reduced. When the amount exceeds 20 parts by weight, the negative pattern formed has a poor resist shape or contaminates the plating solution.

【0039】本発明の感光性樹脂組成物には、染料、顔
料、可塑剤、安定剤等の添加剤を必要に応じて添加して
もよい。これらの添加剤の添加量は、樹脂組成物100
重量部に対して0.001〜10重量部とすることが好
ましい。また、本発明の感光性樹脂組成物には耐熱性、
耐湿性、耐電食性等の特性を向上させる目的で公知慣用
の熱硬化樹脂、橋架け剤を用いることができる。
Additives such as dyes, pigments, plasticizers and stabilizers may be added to the photosensitive resin composition of the present invention as needed. The amount of these additives is 100
It is preferably 0.001 to 10 parts by weight based on parts by weight. Further, the photosensitive resin composition of the present invention has heat resistance,
Known and commonly used thermosetting resins and bridging agents can be used for the purpose of improving properties such as moisture resistance and electric corrosion resistance.

【0040】熱硬化剤としては、例えば、ビスフェノー
ルA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、フェノー
ルノボラック、クレゾールノボラック、クレゾールノボ
ラック型等公知慣用のエポキシ樹脂とアミン系、酸無水
物系等のエポキシ硬化剤の組み合わせ、メラミン樹脂、
尿素樹脂、グアナミン樹脂等のアミノ樹脂やその誘導
体、フェノール樹脂などを用いることができる。熱硬化
剤の添加量は、(A)成分の固形分及び(B)成分の合
計量100重量部に対して、0.1〜50重量部とする
ことが好ましく、0.5〜40重量部とすることがより
好ましい。この添加量が0.1重量部未満では硬化性の
向上が不十分となる可能性があり、50重量部を超える
と、粘度安定性が劣る傾向がある。
As the thermosetting agent, for example, a combination of a commonly used epoxy resin such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenol novolak, cresol novolak, cresol novolac type and an epoxy curing agent such as an amine type or an acid anhydride type is used. , Melamine resin,
Amino resins such as urea resins and guanamine resins, derivatives thereof, and phenol resins can be used. The addition amount of the thermosetting agent is preferably 0.1 to 50 parts by weight, preferably 0.5 to 40 parts by weight, based on 100 parts by weight of the total of the solid content of the component (A) and the component (B). Is more preferable. If the amount is less than 0.1 part by weight, the curability may not be sufficiently improved, and if it exceeds 50 parts by weight, the viscosity stability tends to be poor.

【0041】感光性ソルダーレジストを製造するに際し
ては、まず、(A)〜(E)成分を含む感光性樹脂組成
物を均一に溶解する。次いで、溶液状となった感光性樹
脂組成物を、シリコンウエハー、金属、セラミックス、
銅張積層板等の基板上に均一に塗布した後、加熱又は熱
風吹き付けにより溶剤を除去し、乾燥皮膜とする。乾燥
皮膜の厚さには特に制限はなく、5〜100μmとする
ことが好ましく、10〜60μmとすることがより好ま
しい。感光性樹脂組成物の乾燥の条件は特に制限はない
が、乾燥温度は60〜130℃とすることが好ましく、
また必要により減圧下で乾燥を行ってもよい。
In producing a photosensitive solder resist, first, a photosensitive resin composition containing the components (A) to (E) is uniformly dissolved. Next, the photosensitive resin composition in the form of a solution was added to a silicon wafer, metal, ceramic,
After uniformly coated on a substrate such as a copper-clad laminate, the solvent is removed by heating or blowing with hot air to form a dry film. The thickness of the dried film is not particularly limited, and is preferably 5 to 100 μm, more preferably 10 to 60 μm. The conditions for drying the photosensitive resin composition are not particularly limited, but the drying temperature is preferably from 60 to 130 ° C,
If necessary, drying may be performed under reduced pressure.

【0042】本発明の感光性樹脂組成物を用いる場合に
は、前記のように加熱すれば、予め基板を予熱処理する
ことは必要ではないが、基板と感光性樹脂層との密着性
をさらに向上させるために、基板の予熱処理を行っても
よい。このようにして得られた感光層は、次いで、ネガ
フィルム又はポジフィルムを用いて活性光により画像的
に露光される。活性光は、公知の活性光源、例えば、カ
ーボンアーク、水銀蒸気アーク、キセノンアーク等から
発生する光が用いられる。感光層に含まれる光開始剤の
感受性は、通常、紫外線領域において最大であるので、
その場合は活性光源は紫外線を有効に放射するものにす
べきである。次いで、露光後、有機溶剤又は界面活性剤
を好ましくは0.1〜50wt%含有するアルカリ性水
溶液を用いて、例えば、スプレー、揺動浸漬、ブラッシ
ング、スクラッピング等の公知の方法により未露光部を
除去して現像する。現像液に用いられる有機溶剤又は界
面活性剤は、水とよく混合して均一な現像液となるもの
でもよく、また、水とほとんど混合せず不均一な現像液
となるものでもよい。このような有機溶剤又は界面活性
剤としては、例えば、ブチルカルビトール、N,N−ジ
メチルホルムアミド、メチルセロソルブ、エチルセロソ
ルブ、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、ヘ
プタン酸ジエタノールアミド、ポリオキシエチレンパラ
クミルフェニルエーテル等が用いられ、特にポリオキシ
エチレンパラクミルフェニルエーテルが好ましい。ま
た、現像液に用いるアルカリ成分としては、炭酸ソー
ダ、水酸化ナトリウム、ほう砂等が好ましくは0.01
〜30wt%の範囲で用いられる。アルカリ成分として
は好ましくは無機アルカリ性化合物が用いられる。ま
た、現像に用いる際の現像液の温度は、感光層の現像性
によって調節される。また、この現像液中には、他の界
面活性剤、消泡剤等を混入させてもよい。
In the case of using the photosensitive resin composition of the present invention, it is not necessary to preheat the substrate in advance by heating as described above, but the adhesion between the substrate and the photosensitive resin layer is further improved. Pre-heat treatment of the substrate may be performed for improvement. The photosensitive layer thus obtained is then imagewise exposed to actinic light using a negative or positive film. As the active light, light generated from a known active light source, for example, a carbon arc, a mercury vapor arc, a xenon arc, or the like is used. Since the sensitivity of the photoinitiator contained in the photosensitive layer is usually maximum in the ultraviolet region,
In that case, the active light source should emit ultraviolet light effectively. Next, after the exposure, the unexposed portion is removed by a known method such as spraying, rocking immersion, brushing, and scraping using an alkaline aqueous solution containing preferably 0.1 to 50% by weight of an organic solvent or a surfactant. Remove and develop. The organic solvent or surfactant used in the developer may be a well-mixed one with water to form a uniform developer, or a non-uniform developer which hardly mixes with water. Examples of such an organic solvent or surfactant include butyl carbitol, N, N-dimethylformamide, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, 3-methyl-3-methoxybutyl acetate, heptanoic acid diethanolamide, and polyoxyethylene paracta. Mill phenyl ether or the like is used, and polyoxyethylene paracumyl phenyl ether is particularly preferable. Further, as the alkali component used in the developer, sodium carbonate, sodium hydroxide, borax and the like are preferably 0.01%.
It is used in a range of 3030 wt%. As the alkali component, an inorganic alkaline compound is preferably used. Further, the temperature of the developer used for development is adjusted by the developability of the photosensitive layer. Further, another surfactant, an antifoaming agent, and the like may be mixed in the developer.

【0043】更に、現像後、耐PCT性、はんだ耐熱
性、耐薬品性等を向上させる目的で、高圧水銀ランプに
よる紫外線(活性光)照射や、加熱(後加熱)を行なっ
てもよい。紫外線照射時の紫外線照射量は、0.2〜1
0J/cm2 とすることが好ましく、照射の際の温度
は、60〜150℃とすることが好ましい。加熱温度
は、150〜250℃とすることが好ましく、加熱時間
は15〜120分とすることが好ましい。これら紫外線
の照射と加熱の順は、どちらでもよいが、紫外線の照射
を先に、加熱をその後に行うことがより好ましい。この
ようにして、本発明の感光性樹脂組成物は、各種保護
膜、絶縁膜等に使用することができる。
Further, after the development, for the purpose of improving PCT resistance, solder heat resistance, chemical resistance and the like, ultraviolet (active light) irradiation with a high-pressure mercury lamp or heating (post-heating) may be performed. The amount of UV irradiation during UV irradiation is 0.2 to 1
The irradiation temperature is preferably 0 J / cm 2, and the irradiation temperature is preferably 60 to 150 ° C. The heating temperature is preferably 150 to 250 ° C., and the heating time is preferably 15 to 120 minutes. The order of the irradiation of the ultraviolet rays and the heating may be any order, but it is more preferable that the irradiation of the ultraviolet rays is performed first and the heating is performed thereafter. Thus, the photosensitive resin composition of the present invention can be used for various protective films, insulating films, and the like.

【0044】[0044]

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳しく説
明する。下記例中の部は、特に断らないかぎり重量部を
意味する。
Next, the present invention will be described in more detail by way of examples. Parts in the following examples mean parts by weight unless otherwise specified.

【0045】(合成例1)温度計、攪拌装置、冷却管、
窒素ガス導入管の付いた、加熱及び冷却可能な容積約5
リットルの反応容器にγ−ブチロラクトン2955.3
gと、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕プロパン405.900g(0.99モル)
と、2−アミノベンズイミダゾール2.663g(0.
02モル)を入れ、45℃に昇温し、43〜50℃に保
ちながら、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物334.880g(1.04モル)
を少量づつ添加した。添加後、45℃で約5時間反応を
続けた後、室温に冷却してポリイミド前駆体の溶液(A
−1)を得た。得られたポリイミド前駆体の溶液(A−
1)の固形分は、20重量%であり、重量平均分子量は
70,000であった。
(Synthesis Example 1) Thermometer, stirrer, cooling pipe,
Approximately 5 heating and cooling volumes with nitrogen gas inlet
Γ-butyrolactone 2955.3 in a liter reaction vessel
g of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane 405.900 g (0.99 mol)
And 2.663 g of 2-aminobenzimidazole (0.
02 mol), raise the temperature to 45 ° C, and maintain the temperature at 43 to 50 ° C, 334.880 g (1.04 mol) of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride.
Was added in small portions. After the addition, the reaction was continued at 45 ° C. for about 5 hours, then cooled to room temperature and the polyimide precursor solution (A
-1) was obtained. The solution of the obtained polyimide precursor (A-
The solid content of 1) was 20% by weight, and the weight average molecular weight was 70,000.

【0046】(合成例2)温度計、攪拌装置、冷却管、
窒素ガス導入管の付いた、加熱及び冷却可能な容積約5
リットルの反応容器に、γ−ブチロラクトン3104.
1gと、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)
フェニル〕プロパン405.900g(0.99モル)
と、2−アミノベンズイミダゾール2.663g(0.
02モル)を入れ、45℃に昇温し、43〜50℃に保
ちながら、3,3’,4,4’−ビフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物372.32g(1.04モ
ル)を少量づつ添加した。添加後、45℃で約5時間反
応を続けた後、室温に冷却してポリイミド前駆体の溶液
(A−2)を得た。得られたポリイミド前駆体の溶液
(A−2)の固形分は、20重量%であり、重量平均分
子量は70,000であった。
(Synthesis Example 2) Thermometer, stirrer, cooling pipe,
Approximately 5 heating and cooling volumes with nitrogen gas inlet
Γ-butyrolactone 3104.
1 g and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy)
Phenyl] propane 405.900 g (0.99 mol)
And 2.663 g of 2-aminobenzimidazole (0.
02 mol), raise the temperature to 45 ° C., and, while maintaining the temperature at 43-50 ° C., add a small amount of 372.32 g (1.04 mol) of 3,3 ′, 4,4′-biphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride. Were added one by one. After the addition, the reaction was continued at 45 ° C. for about 5 hours, and then cooled to room temperature to obtain a polyimide precursor solution (A-2). The solid content of the obtained polyimide precursor solution (A-2) was 20% by weight, and the weight average molecular weight was 70,000.

【0047】(合成例3)温度計、攪拌装置、冷却管、
窒素ガス導入管の付いた、加熱及び冷却可能な容積約5
リットルの反応容器にγ−ブチロラクトン2936.8
gと、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕プロパン401.800g(0.98モル)
と、2−アミノベンズイミダゾール5.326g(0.
04モル)を入れ、45℃に昇温し、43〜50℃に保
ちながら、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物331.660g(1.03モル)
を少量づつ添加した。添加後、45℃で約5時間反応を
続けた後、室温に冷却してポリイミド前駆体の溶液(A
−3)を得た。得られたポリイミド前駆体の溶液(A−
3)の固形分は、20重量%であり、重量平均分子量は
65,000であった。
(Synthesis Example 3) Thermometer, stirrer, cooling pipe,
Approximately 5 heating and cooling volumes with nitrogen gas inlet
Γ-butyrolactone 2936.8 in a 1 liter reaction vessel.
g and 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane 401.800 g (0.98 mol)
And 5.326 g of 2-aminobenzimidazole (0.
04 mol), raise the temperature to 45 ° C., and maintain the temperature at 43 to 50 ° C., and 331.660 g (1.03 mol) of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride
Was added in small portions. After the addition, the reaction was continued at 45 ° C. for about 5 hours, then cooled to room temperature and the polyimide precursor solution (A
-3) was obtained. The solution of the obtained polyimide precursor (A-
The solid content of 3) was 20% by weight, and the weight average molecular weight was 65,000.

【0048】(合成例4)温度計、攪拌装置、冷却管、
窒素ガス導入管の付いた、加熱及び冷却可能な容積約5
リットルの反応容器にγ−ブチロラクトン2918.3
gと、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕プロパン397.700g(0.97モル)
と、2−アミノベンズイミダゾール7.989g(0.
06モル)を入れ、45℃に昇温し、43〜50℃に保
ちながら、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸二無水物328.440g(1.02モル)
を少量づつ添加した。添加後、45℃で約5時間反応を
続けた後、室温に冷却してポリイミド前駆体の溶液(A
−4)を得た。得られた(A)ポリイミド前駆体の溶液
(A−4)の固形分は、20重量%であり、重量平均分
子量は60,000であった。
(Synthesis Example 4) Thermometer, stirrer, cooling pipe,
Approximately 5 heating and cooling volumes with nitrogen gas inlet
Γ-butyrolactone 2918.3 in a liter reaction vessel
g and 2,97.700 g (0.97 mol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane
And 7.989 g of 2-aminobenzimidazole (0.
06 mol), heated to 45 ° C, and kept at 43 to 50 ° C, 328.440 g (1.02 mol) of 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride
Was added in small portions. After the addition, the reaction was continued at 45 ° C. for about 5 hours, then cooled to room temperature and the polyimide precursor solution (A
-4) was obtained. The solid content of the obtained solution (A-4) of the polyimide precursor (A-4) was 20% by weight, and the weight average molecular weight was 60,000.

【0049】(合成例5、光重合性モノマの合成)温度
計、攪拌装置、冷却管、窒素ガス導入管及び滴下器の付
いた、加熱及び冷却可能な容積約1リットルの反応容器
に、トルエン137.3gとトリメチルヘキサメチレン
ジイソシアネート210g(1.00モル)を入れ、7
0℃に昇温し、70〜75℃に保ちながら、シクロヘキ
サンジメタノール72g(0.5モル)と2−ヒドロキ
シエチルメタクリレート130g(1.0モル)を少量
づつ滴下した。滴下後、70℃で約5時間反応を続けた
後、室温に冷却して光重合性モノマの溶液(B−1)を
得た。得られた(B−1)の固形分は、75重量%であ
った。
(Synthesis Example 5, Synthesis of Photopolymerizable Monomer) Toluene was placed in a reaction vessel having a thermometer, a stirrer, a cooling pipe, a nitrogen gas introduction pipe, and a dropper and capable of heating and cooling and having a capacity of about 1 liter. 137.3 g and trimethylhexamethylene diisocyanate 210 g (1.00 mol) were added.
The temperature was raised to 0 ° C, and while maintaining the temperature at 70 to 75 ° C, 72 g (0.5 mol) of cyclohexanedimethanol and 130 g (1.0 mol) of 2-hydroxyethyl methacrylate were added dropwise little by little. After the dropwise addition, the reaction was continued at 70 ° C. for about 5 hours, and then cooled to room temperature to obtain a photopolymerizable monomer solution (B-1). The solid content of the obtained (B-1) was 75% by weight.

【0050】(比較合成例)温度計、攪拌装置、冷却
管、窒素ガス導入管の付いた、加熱及び冷却可能な容積
約5リットルの反応容器にγ−ブチロラクトン295
4.7gと、2,2−ビス〔4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕プロパン410.000g(1.00モ
ル)を入れ、45℃に昇温し、43〜50℃に保ちなが
ら、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボ
ン酸二無水物334.880g(1.04モル)を少量
づつ添加した。添加後、45℃で約5時間反応を続けた
後、室温に冷却してポリイミド前駆体の溶液(a−1)
を得た。得られたポリイミド前駆体の溶液(a−1)の
固形分は、20重量%であり、重量平均分子量は70,
000であった。
(Comparative Synthesis Example) γ-butyrolactone 295 was placed in a reaction vessel equipped with a thermometer, a stirrer, a cooling pipe, and a nitrogen gas introduction pipe and capable of heating and cooling and having a volume of about 5 liters.
4.7 g and 410,000 g (1.00 mol) of 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane are added, and the temperature is raised to 45 ° C, and while maintaining the temperature at 43 to 50 ° C, 3 334.880 g (1.04 mol) of 3,3,4,4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride were added in small portions. After the addition, the reaction was continued at 45 ° C. for about 5 hours, and then cooled to room temperature to obtain a polyimide precursor solution (a-1).
I got The solid content of the obtained polyimide precursor solution (a-1) was 20% by weight, and the weight average molecular weight was 70,
000.

【0051】実施例1〜6、比較例1〜5 合成例1〜4及び比較合成例1で得られた(A)成分、
合成例5によって得られた光重合性モノマを含む(B)
成分、並びに(C)成分、(D)成分、(E)成分、染
料を、それぞれ表1の配合及び表2に示した配合割合
(重量部)で混合して感光性樹脂組成物の溶液を得た。
Examples 1 to 6, Comparative Examples 1 to 5 The component (A) obtained in Synthesis Examples 1 to 4 and Comparative Synthesis Example 1,
Including the photopolymerizable monomer obtained in Synthesis Example 5 (B)
The components, component (C), component (D), component (E), and the dye were mixed in the proportions shown in Table 1 and in the proportions (parts by weight) shown in Table 2, respectively, to give a solution of the photosensitive resin composition. Obtained.

【0052】[0052]

【表1】 [Table 1]

【0053】次に、銅厚18μmの銅張積層板(日立化
成工業社製MCL−E−679)を、住友スリーエム社
製スコッチブライトで研磨し、水洗し、80℃で15分
乾燥した。この試験基板に、アプリケーターを用いて上
記配合の感光性樹脂組成物の溶液を均一に塗布し、90
℃のホットプレートで約10分間乾燥した。感光性樹脂
組成物の層の乾燥後の厚さは、約20μmであった。
Next, a copper-clad laminate having a copper thickness of 18 μm (MCL-E-679 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) was polished with Scotch Bright manufactured by Sumitomo 3M, washed with water, and dried at 80 ° C. for 15 minutes. A solution of the photosensitive resin composition having the above composition was uniformly applied to the test substrate using an applicator.
Dried on a hot plate at about 10 minutes. The dried thickness of the layer of the photosensitive resin composition was about 20 μm.

【0054】このようにして得られた感光性樹脂組成物
の層を形成した試験基板について、現像性、保存安定
性、耐PCT性、耐金めっき性について以下の方法で試
験した。その結果を表2に示した。
The test substrate on which the photosensitive resin composition layer thus obtained was formed was tested for developability, storage stability, PCT resistance and gold plating resistance by the following methods. The results are shown in Table 2.

【0055】(1)現像性 上記で得られた感光性樹脂組成物の層を形成した試験基
板を、ポリオキシエチレンパラクミルフェニルエーテル
2wt%、炭酸ソーダ0.5wt%を含有するアルカリ
性水溶液を用いて45℃で60秒間スプレー現像した。
現像後、30倍に拡大して残存する樹脂を目視で現像性
を評価した。評価の基準は次の通りである。 ○:現像性の良好なもの(基板表面上に樹脂が全く残ら
ないもの) ×:現像性の不良なもの(基板表面上に樹脂が少し残る
もの)
(1) Developability The test substrate on which the layer of the photosensitive resin composition obtained above was formed was prepared by using an alkaline aqueous solution containing 2 wt% of polyoxyethylene paracumyl phenyl ether and 0.5 wt% of sodium carbonate. At 45 ° C. for 60 seconds.
After the development, the resin remaining after being magnified 30 times was visually evaluated for developability. The evaluation criteria are as follows. :: Good developability (no resin left on substrate surface) ×: Poor developability (residual resin left on substrate surface)

【0056】(2)保存安定性 上記で得られた感光性樹脂組成物を室温(20〜23
℃)で1週間保管した後、(1)と同じ方法で試験基板
を作製し、現像性を評価した。評価の基準は次の通りで
ある。 ○:保存安定性の良好なもの(基板表面上に樹脂が全く
残らず、現像性の良好なもの) ×:保存安定性の不良なもの(基板表面上に樹脂が少し
でも残り、現像性の不良なもの)
(2) Storage stability The photosensitive resin composition obtained above was treated at room temperature (20 to 23).
C.) for one week, a test substrate was prepared in the same manner as in (1), and the developability was evaluated. The evaluation criteria are as follows. :: Good storage stability (no resin remains on the substrate surface and good developability) ×: Poor storage stability (a little resin remains on the substrate surface and developability) Bad one)

【0057】(3)耐PCT性 前述の銅厚18μmの銅張積層板(日立化成工業社製M
CL−E−679)を、住友スリーエム社製スコッチブ
ライトで研磨し、水洗し、80℃で15分乾燥した。こ
の試験基板に、前述と同様にアプリケーターを用いて上
記配合の感光性樹脂組成物の溶液を均一に塗布し、90
℃のホットプレートで約10分間乾燥した。感光性樹脂
組成物の層の乾燥後の厚さは、約20μmであった。次
にオーク製作所製HMW−590型露光機を使用し、5
00mJ/cm2 の露光量で露光した。次いで東芝電材
社製紫外線照射装置を用いて1J/cm2 の量で紫外線
を再照射し、その後更に乾燥機で175℃で60分加熱
した。このようにして得られた試験基板を、平山製作所
製PCT試験装置を用いて、121℃、2atmの条件
で300時間までPCT処理を行い、以下に示す評価法
でクロスカット法によるテープテストによって、密着性
を評価した。A/B(B個中A個剥離しなかったことを
示す)
(3) PCT Resistance The above-mentioned copper-clad laminate having a copper thickness of 18 μm (M, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
CL-E-679) was polished with Scotch Bright manufactured by Sumitomo 3M Limited, washed with water, and dried at 80 ° C. for 15 minutes. The test substrate was uniformly coated with the photosensitive resin composition solution having the above composition using an applicator in the same manner as described above.
Dried on a hot plate at about 10 minutes. The dried thickness of the layer of the photosensitive resin composition was about 20 μm. Next, using an HMW-590 type exposure machine manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd.
Exposure was performed at an exposure of 00 mJ / cm 2 . Next, ultraviolet rays were re-irradiated at a dose of 1 J / cm 2 using an ultraviolet ray irradiator manufactured by Toshiba Electric Materials Co., Ltd., and then further heated at 175 ° C. for 60 minutes by a dryer. The test substrate thus obtained was subjected to a PCT treatment for up to 300 hours at 121 ° C. and 2 atm using a PCT test apparatus manufactured by Hirayama Seisakusho, and a tape test by a cross cut method was performed according to the evaluation method described below. The adhesion was evaluated. A / B (indicates that A out of B did not peel)

【0058】(4)耐金めっき性 前述の銅厚18μmの銅張積層板(日立化成工業社製M
CL−E−679)を、住友スリーエム社製スコッチブ
ライトで研磨し、水洗し、80℃で15分乾燥した。こ
の試験基板に、前述と同様にアプリケーターを用いて上
記配合の感光性樹脂組成物の溶液を均一に塗布し、90
℃のホットプレートで約10分間乾燥した。感光性樹脂
組成物の層の乾燥後の厚さは、約20μmであった。次
に、図1に示すネガマスクを感光性樹脂組成物の層の上
から密着させ、オーク製作所製HMW−590型露光機
を使用し、500mJ/cm2 の露光量で露光した。次
いでネガマスクを剥離した後、現像液にポリオキシエチ
レンパラクミルフェニルエーテル2wt%、炭酸ソーダ
0.5wt%を含有するアルカリ性水溶液を用いて45
℃で60秒間スプレー現像した。現像後、80℃で10
分間加熱乾燥し、東芝電材社製紫外線照射装置を用いて
1J/cm2 の量で紫外線を再照射し、その後更に乾燥
機で175℃で60分加熱した。このようにして得られ
た試験基板を、酸性脱脂液(ワールドメタル社製、商品
名Z−200)に60℃で1分浸漬して酸性脱脂処理を
行った。次いでソフトエッチング液(100g/lの過
硫酸アンモニウム水溶液)に23℃で3分浸漬してソフ
トエッチング処理をした。次いで10wt%の硫酸水溶
液で酸洗した後、置換パラジウムめっき液(メルテック
ス社製、商品名メルプレートアクチベータ350)に2
3℃で5分浸漬してパラジウムをめっきし、銅表面を活
性化した。次いで無電解ニッケルめっき液(奥野製薬社
製、ICP−ニコロンU)に85℃で30分浸漬して無
電解ニッケルめっきをした。次いで置換金めっき液(日
本高純度化学社製、商品名IM−GOLD)に85℃で
10分浸漬して置換金めっきをした。次いで無電解金め
っき液(日立化成工業社製、商品名HGS−2000)
に65℃で40分浸漬して無電解金めっきを行った。こ
のような操作を行った後、レジストの外観を観察するこ
とにより耐めっき性を評価した。評価基準は次のとおり
である。 ○:耐めっき性が良好なもの(レジストに浮きやはが
れ、まためっきのもぐりが発生しないもの) ×:耐めっき性が不良なもの(レジストに浮きやはが
れ、まためっきのもぐりが発生するもの)
(4) Gold plating resistance A copper-clad laminate having a copper thickness of 18 μm (M, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
CL-E-679) was polished with Scotch Bright manufactured by Sumitomo 3M Limited, washed with water, and dried at 80 ° C. for 15 minutes. The test substrate was uniformly coated with the photosensitive resin composition solution having the above composition using an applicator in the same manner as described above.
Dried on a hot plate at about 10 minutes. The dried thickness of the layer of the photosensitive resin composition was about 20 μm. Next, the negative mask shown in FIG. 1 was brought into close contact with the photosensitive resin composition layer, and exposed using an HMW-590 type exposure machine manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd. at an exposure dose of 500 mJ / cm 2 . Next, after the negative mask is peeled off, an alkaline aqueous solution containing 2 wt% of polyoxyethylene paracumyl phenyl ether and 0.5 wt% of sodium carbonate is used as a developing solution.
Spray developed at 60 ° C for 60 seconds. After development, 10
After heating and drying for 1 minute, the film was re-irradiated with ultraviolet rays at a dose of 1 J / cm 2 using an ultraviolet irradiation apparatus manufactured by Toshiba Electric Materials Co., Ltd., and then further heated at 175 ° C. for 60 minutes with a dryer. The test substrate thus obtained was immersed in an acidic degreasing solution (trade name: Z-200, manufactured by World Metal) at 60 ° C. for 1 minute to perform an acidic degreasing treatment. Then, it was immersed in a soft etching solution (100 g / l aqueous solution of ammonium persulfate) at 23 ° C. for 3 minutes to perform a soft etching treatment. Then, after pickling with a 10 wt% sulfuric acid aqueous solution, the solution was added to a substituted palladium plating solution (Meltex Co., trade name: Melplate Activator 350).
Palladium was plated by immersion at 3 ° C. for 5 minutes to activate the copper surface. Next, it was immersed in an electroless nickel plating solution (ICP-Nicolon U, manufactured by Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) at 85 ° C. for 30 minutes to perform electroless nickel plating. Next, it was immersed in a displacement gold plating solution (trade name: IM-GOLD, manufactured by Nippon Kojunka Kagaku) at 85 ° C. for 10 minutes to perform displacement gold plating. Next, electroless gold plating solution (HGS-2000, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
The substrate was immersed at 65 ° C. for 40 minutes to perform electroless gold plating. After performing such an operation, plating resistance was evaluated by observing the appearance of the resist. The evaluation criteria are as follows. :: Good plating resistance (resisting and peeling of resist and no peeling of plating occurred) ×: Poor plating resistance (thing of floating and peeling of resist and peeling of plating generated)

【0059】[0059]

【表2】 [Table 2]

【0060】[0060]

【発明の効果】(1)本発明の感光性樹脂組成物は、プ
リント配線板の製造に適用できる250℃以下の加熱硬
化により、耐PCT性、低温硬化性、はんだ耐熱性、耐
めっき液性、耐薬品性、電気絶縁性等のソルダーレジス
トに必要な諸特性に優れ、また保存安定性に優れ、作業
環境の良い水系の現像液を用いて現像できる。 (2)本発明の感光性樹脂組成物は、(1)の感光性樹
脂組成物の効果を奏し、より現像性が優れ、高感度なも
のである。 (3)本発明の感光性樹脂組成物は、(1)の感光性樹
脂組成物の効果を奏し、より耐めっき液性が優れる。 (4)本発明の感光性樹脂組成物は、(1)の感光性樹
脂組成物の効果を奏し、よりはんだ耐熱性が優れる。 (5)本発明の感光性樹脂組成物は、(1)の感光性樹
脂組成物の効果を奏し、さらに相溶性が優れる。 (6)本発明の感光性樹脂組成物は、(1)の感光性樹
脂組成物の効果を奏し、より保存安定性が優れる。 (7)本発明のソルダーレジストの製造法は、作業環境
の良好なアルカリ性水溶液を用いて、耐PCT性、低温
硬化性、はんだ耐熱性、耐めっき液性、耐薬品性、電気
絶縁性等が優れる。
(1) The photosensitive resin composition of the present invention has a PCT resistance, a low-temperature curing property, a solder heat resistance, and a plating solution resistance by heating and curing at 250 ° C. or less which can be applied to the production of printed wiring boards. It is excellent in various properties required for a solder resist, such as chemical resistance and electrical insulation, is excellent in storage stability, and can be developed using an aqueous developer having a good working environment. (2) The photosensitive resin composition of the present invention exhibits the effect of the photosensitive resin composition of (1), and has excellent developability and high sensitivity. (3) The photosensitive resin composition of the present invention exhibits the effect of the photosensitive resin composition of (1), and is more excellent in plating solution resistance. (4) The photosensitive resin composition of the present invention exhibits the effect of the photosensitive resin composition of (1), and is more excellent in solder heat resistance. (5) The photosensitive resin composition of the present invention exhibits the effect of the photosensitive resin composition of (1), and is further excellent in compatibility. (6) The photosensitive resin composition of the present invention exhibits the effect of the photosensitive resin composition of (1), and is more excellent in storage stability. (7) The method for producing a solder resist according to the present invention uses an alkaline aqueous solution having a good working environment, and has a PCT resistance, a low-temperature curing property, a solder heat resistance, a plating solution resistance, a chemical resistance, an electric insulation property, and the like. Excellent.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】図1は、本発明において耐金めっき性を評価す
るのに用いるネガマスクの概略図を示す。
FIG. 1 is a schematic view of a negative mask used for evaluating gold plating resistance in the present invention.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G03F 7/028 G03F 7/028 H05K 3/18 H05K 3/18 D 3/28 3/28 D ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI G03F 7/028 G03F 7/028 H05K 3/18 H05K 3/18 D 3/28 3/28 D

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】(A)一般式(I) 【化1】 (式中、R1 は炭素原子数が2〜30の4価の有機基を
示し、R2 は炭素原子数2〜240の2価の有機基を示
し、Xはそれぞれ独立にOH又は炭素原子数1〜30の
1価の有機基を示し、R3 は水素、ハロゲン、ニトロ基
又は炭素数1〜9のアルキル基を示し、n’は1〜4の
整数であり、 【化2】 は繰り返し単位を表わす)で表わされるポリイミド前駆
体、(B)末端にエチレン性不飽和基を少なくとも1個
有する光重合性不飽和化合物、(C)活性光の照射によ
り遊離ラジカルを生成する光重合開始剤、(D)ブロッ
ク化イソシアネート樹脂、及び(E)チオール基を少な
くとも1個含有するヘテロ環状化合物、を含有してなる
ことを特徴とする感光性樹脂組成物。
(A) General formula (I) (Wherein, R 1 represents a tetravalent organic group having 2 to 30 carbon atoms, R 2 represents a divalent organic group having 2 to 240 carbon atoms, and Xs each independently represent OH or a carbon atom. R 3 represents a hydrogen, halogen, nitro group or an alkyl group having 1 to 9 carbon atoms, n ′ is an integer of 1 to 4, Represents a repeating unit), (B) a photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group at a terminal, and (C) photopolymerization which generates free radicals upon irradiation with actinic light. A photosensitive resin composition comprising an initiator, (D) a blocked isocyanate resin, and (E) a heterocyclic compound containing at least one thiol group.
【請求項2】(A)成分のポリイミド前駆体が、固形分
で20〜95重量部 (B)成分の光重合性不飽和化合物が、5〜80重量部
(ただし(A)成分の固形分及び(B)成分の合計量1
00重量部に対して) (C)成分の光重合開始剤が、0.01〜20重量部
(ただし(A)成分の固形分及び(B)成分の合計量1
00重量部に対して) (D)成分のブロック化イソシアネート樹脂が、1〜4
0重量部(ただし(A)成分の固形分及び(B)成分の
合計量100重量部に対して) (E)成分のチオール基を少なくとも1個含有するヘテ
ロ環状化合物が、0.01〜20重量部(ただし(A)
成分の固形分及び(B)成分の合計量100重量部に対
して) の配合割合とした請求項1記載の感光性樹脂組成物。
2. The polyimide precursor of the component (A) has a solid content of 20 to 95 parts by weight. The photopolymerizable unsaturated compound of the component (B) has a solid content of 5 to 80 parts by weight. And the total amount of component (B) 1
The photopolymerization initiator of the component (C) is used in an amount of 0.01 to 20 parts by weight (provided that the solid content of the component (A) and the total amount of the component (B) are 1).
(Based on 100 parts by weight) The blocked isocyanate resin of the component (D) is 1 to 4
0 parts by weight (based on 100 parts by weight of the total of the solid content of the component (A) and the component (B)) The heterocyclic compound containing at least one thiol group of the component (E) is 0.01 to 20 parts by weight. Parts by weight ((A)
The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the mixing ratio of the solid content of the component and the total amount of the component (B) is 100 parts by weight).
【請求項3】 一般式(I)中のR1 が、下記一般式
(VI) 【化3】 (式中、Yは単結合か、又は−CO−、−SO2 −、−
O−、−C(CF3 2 −のいずれかを示す)で表され
る4価の有機性基である請求項1又は2に記載の感光性
樹脂組成物。
(3) R 1 in the general formula (I) is represented by the following general formula (VI): (In the formula, Y is a single bond or -CO -, - SO 2 -, -
O -, - C (CF 3 ) 2 - photosensitive resin composition according to claim 1 or 2 a tetravalent organic group represented by any one shows a) the.
【請求項4】 一般式(I)中のR2 が、下記一般式
(VII) 【化4】 (式中Xは単結合か、又は−O−、−S−、−CO−、
−SO2 −、−CONH−、−CH2 −、−C(C
3 2 −、−C(CF3 2 −若しくは 【化5】 のいずれかを示し、R11〜R14は各々独立に炭素数1〜
6の炭化水素基を示し、nは各々独立に0〜4の整数を
示す)で表される請求項1〜3のいずれか1項に記載の
感光性樹脂組成物。
4. R 2 in the general formula (I) is the following general formula (VII): (Wherein X is a single bond or —O—, —S—, —CO—,
—SO 2 —, —CONH—, —CH 2 —, —C (C
H 3 ) 2- , -C (CF 3 ) 2 -or Wherein R 11 to R 14 each independently represent a group having 1 to 1 carbon atoms.
6 represents a hydrocarbon group, and n each independently represents an integer of 0 to 4.) The photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 3.
【請求項5】 (B)成分が、末端にエチレン性不飽和
基を少なくとも1個有し、分子構造中にウレタン結合を
少なくとも1個有する光重合性不飽和化合物である請求
項1〜4のいずれか1項に記載の感光性樹脂組成物。
5. The composition according to claim 1, wherein the component (B) is a photopolymerizable unsaturated compound having at least one ethylenically unsaturated group at a terminal and having at least one urethane bond in a molecular structure. The photosensitive resin composition according to claim 1.
【請求項6】 (C)成分が、分子構造中にアミン構造
を有さない光重合開始剤である請求項1〜5のいずれか
1項に記載の感光性樹脂組成物。
6. The photosensitive resin composition according to claim 1, wherein the component (C) is a photopolymerization initiator having no amine structure in the molecular structure.
【請求項7】 請求項1〜6のいずれか1項に記載の感
光性樹脂組成物の溶液を基板状に塗布し、乾燥後、像的
に露光し、次いで界面活性剤又は有機溶剤を0.1〜5
0重量%及び無機アルカリ性化合物を0.01〜30重
量%含有するアルカリ性水溶液を現像液に用いて、現像
を行うことを特徴とするソルダーレジストの製造法。
7. A solution of the photosensitive resin composition according to any one of claims 1 to 6, which is applied to a substrate, dried, and imagewise exposed, and then a surfactant or an organic solvent is added to the substrate. .1-5
A method for producing a solder resist, wherein development is performed using an alkaline aqueous solution containing 0% by weight and 0.01 to 30% by weight of an inorganic alkaline compound as a developer.
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