JP4592999B2 - Novel terminal-modified polyamic acid and photosensitive resin composition containing the same - Google Patents

Novel terminal-modified polyamic acid and photosensitive resin composition containing the same Download PDF

Info

Publication number
JP4592999B2
JP4592999B2 JP2001129856A JP2001129856A JP4592999B2 JP 4592999 B2 JP4592999 B2 JP 4592999B2 JP 2001129856 A JP2001129856 A JP 2001129856A JP 2001129856 A JP2001129856 A JP 2001129856A JP 4592999 B2 JP4592999 B2 JP 4592999B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
formula
polyamic acid
photosensitive resin
resin composition
terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001129856A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002322277A (en
Inventor
直也 岡林
真 下瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd
Original Assignee
Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd filed Critical Nippon Steel and Sumikin Chemical Co Ltd
Priority to JP2001129856A priority Critical patent/JP4592999B2/en
Publication of JP2002322277A publication Critical patent/JP2002322277A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4592999B2 publication Critical patent/JP4592999B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光重合可能な炭素−炭素二重結合を有する有機基で末端が修飾された、新規なポリアミック酸、そのポリアミック酸を含有する感光性樹脂組成物、その感光性樹脂組成物を基材に塗布してなる積層体、そのパターン形成方法及び感光性樹脂組成物硬化してなるポリイミド硬化物に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より感光性のポリイミド樹脂について各種の提案がなされている。例えば、特公昭55−30207号公報、特公昭55−41422号公報及び特公昭59−52822号公報に開示されている感光性ポリイミドが挙げられ、これらはポリイミド前駆体中のカルボキシル基にアクリロイル基を共有結合もしくはイオン結合を介して導入したものである。何れも有機溶剤を現像液に使用するため、防爆、排気設備が必要なこと、人体、環境への危険性があること、アクリロイル基を揮発させるためにイミド化の際に高温で長時間のキュアが必要であること等の問題点がある。
【0003】
アルカリ水溶液で現像するポリイミド系感光性樹脂としては、特開平5−5995号公報や特開平5−281717号公報に開示されている光塩基発生剤であるジヒドロピリジン誘導体を、配合した感光性組成物が提案されている。これは露光により塩基を発生させ、PEB(露光後加熱処理)によりイミド化を促進することにより、露光部が不溶化しアルカリで現像する方法である。しかし、この方法ではPEBを必要とすることから解像度が低いなどの問題がある。
アルカリ水溶液により現像でき、かつ、良好なパターン加工が可能であるポリイミド系感光性樹脂としては、特開平6−279427号公報、特開平8−82931号公報及び特開平11−279404号公報に開示されている両末端に化学線感応基を有するポリイミド前駆体を含む感光性樹脂組成物がある。しかし、この方法では、化学線感応基が脂肪族アルコールとカルボン酸とのエステル結合又はアミド結合を介してポリイミド前駆体に導入されていることから、化学線感応基揮発のため、イミド化の際に高温で長時間のキュアが必要であるという問題点があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、感光性樹脂として有用な新規な末端修飾ポリアミック酸及びその製造方法を提供することである。他の目的は、アルカリ水溶液により現像でき、かつ、良好なパターン加工が可能であり、さらに、キュア後のポリイミド樹脂も良好な機械的強度、耐熱性、柔軟性、熱膨張係数を有する末端修飾ポリアミック酸を含有する感光性樹脂組成物を与えることである。また、他の目的は、感光性樹脂組成物を基材に積層した積層体を提供すること及び積層体又は感光性樹脂組成物の使用方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明者らはこのような問題点を解決するため、鋭意検討した結果、芳香族フェノールとカルボン酸とのエステル結合を介して光重合可能な炭素−炭素二重結合を有する有機基をポリアミック酸末端に導入することにより、高温長時間のキュアを必要とせず高解像度でパターニング可能なこと、さらにポリアミック酸の原料であるジアミン化合物とテトラカルボン酸無水物とのモル比率を調整することによりアルカリ現像性が向上することを見出し本発明を完成した。
【0006】
すなわち、本発明は、下記式(1)
【化4】

Figure 0004592999
(式中、R1は2価の有機基であり、R2は4価の有機基であり、Zは重合可能な炭素−炭素二重結合を有する有機基であり、nは1から100の数である)で表される末端修飾ポリアミック酸である。
【0007】
また、本発明は、式(3)で表されるジアミンと式(4)で表されるテトラカルボン酸二無水物及び式(5)で表されるフェノール誘導体を、X/Y=0.600〜0.950、P=(Y−X)〜(Y−X)×3(但し、X、Y及びPは、それぞれジアミン、テトラカルボン酸二無水物及びフェノール誘導体の使用量(モル)である)となる使用割合で反応させることを特徴とする末端修飾ポリアミック酸の製造方法である。
【化5】
Figure 0004592999
(但し、式(3)、(4)及び(5)中、R1は2価の有機基であり、R2は4価の有機基であり、Zは重合可能な炭素−炭素二重結合を有する有機基である)
【0008】
更に、本発明は、(A)前記末端修飾ポリアミック酸及び(B)光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物である。また、本発明は、(A)前記末端修飾ポリアミック酸、(B)光重合開始剤、(C)式(6)で表されるアミン末端化合物を含有する感光性樹脂組成物である。
【化6】
Figure 0004592999
(式中、R1はジアミンから生じる2価の有機基であり、R2はテトラカルボン酸又はその誘導体から生じる4価の有機基であり、mは0〜100の数である)
【0009】
また、本発明は、前記感光性樹脂組成物の層を基材上に形成したことを特徴とする積層体である。更に、本発明は、前記積層体を、マスクを介してパターン状に露光した後、アルカリ水溶液を用いて現像することを特徴とするパターン形成方法である。また、本発明は前記感光性樹脂組成物を、加熱、硬化してなるポリイミド樹脂硬化物である。
【0010】
以下本発明を詳細に説明する。
本発明の末端が修飾されたポリアミック酸は、上記式(1)で表される。式中、R1は2価の有機基であるが、芳香族ジアミンの残基であることが好ましい。R2は4価の有機基でるが、芳香族テトラカルボン酸二無水物の残基であることが好ましい。Zは重合可能な炭素−炭素二重結合を有する有機基であるが、アクリロイル基又はメタクリロイル基を末端に有する有機基であることが好ましい。更に、Zがベンゼン環のパラ位に結合した上記式(2)で表される基であることも好ましい。また、nは1から100の数であるが、nの平均値が1.5〜19であることが好ましい。
【0011】
本発明の末端が修飾されたポリアミック酸は、末端に炭素−炭素二重結合を有する有機基を有するため光重合が可能である。更に、加熱等によりイミド化することにより、ポリイミドとすることが可能である。そのため、後記するように各種の用途に使用可能である。
【0012】
本発明の末端が修飾されたポリアミック酸は、例えば、過剰のテトラカルボン酸二無水物とジアミンから得られたポリアミック酸と、炭素−炭素二重結合を有する基が置換したフェノール誘導体を反応させることにより得ることができる。また、過剰のテトラカルボン酸二無水物とジアミンと炭素−炭素二重結合を有する基が置換したフェノール誘導体を同時に存在させて反応させることによっても得ることができる。なお、本明細書でいうテトラカルボン酸二無水物及びジアミンは文字とおりの化合物に限らず、テトラカルボン酸、酸塩化物のようなポリアミック酸原料としてこれらと同等なものとして知られている公知の化合物を含む意味で使用される。
【0013】
有利には、式(3)で表わされるジアミン化合物と過剰の式(4)で表わされるテトラカルボン酸酸無水物とを、常法により縮重合反応させ、さらに、式(5)で表されるフェノール誘導体を反応させることにより得られる。また、式(3)で表わされるジアミン化合物と式(5)で表されるフェノール誘導体との混合物に、式(4)で表わされるテトラカルボン酸酸無水物を反応させる方法によっても得ることができる。なお、式(3)、式(4)及び式(5)中のR1、R2及びZは、式(1)で説明したと同様である。
【0014】
式(3)で表わされるジアミン化合物としては、例えば、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、2,6−ジアミノトルエン、2,5−ジアミノ−p−キシレン、2,5−ジアミノピリジン、3,5−アミノ安息香酸,4,4’−ジアミノジフェニルエーテル、3,3’−ジアミノジフェニルエーテル、3,4’−ジアミノジフェニルエーテル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、3,3’−ジアミノジフェニルメタン、3,4’−ジアミノジフェニルメタン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)プロパン、2,2−ビス(3−アミノフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノジフェニルスルフィド、4,4’−ジアミノジフェニルスルフォン、ベンジジン、2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)−4,4’ジアミノビフェニル、3,3’−ジヒドロキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノベンズアニリド、2’−メトキシ−4,4’−ジアミノベンズアニリド、2,7−ジアミノフルオレン、1,5−ジアミノナフタレン、1,8−ジアミノナフタレン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、2,2’−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、4,4’ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルフォン、9,10−ビス(4−アミノフェニル)アントラセン等の芳香族ジアミン類、1,4−ジアミノシクロヘキサン等の脂環式ジアミン類、メチレンジアミン、エチレンジアミン,プロピレンジアミン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン類,ジアミノシロキサン等が例示できる。
これらのジアミン化合物は単独であるいは2種類以上を組合せて使用できる。これらのなかでも2,2’−ジメチル−4,4’ジアミノビフェニル、4,4’−ジアミノジフェニルエーテル及びこれらの組合せは光線透過率、低熱膨張性、低吸湿性に優れる樹脂が得られるので好ましい。
【0015】
式(4)で表わされるテトラカルボン酸二無水物としては、ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物、2,3,3’,4’−ジフェニルスルフォンテトラカルボン酸二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−メタン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−プロパン二無水物、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン二無水物、ナフタレン−1,2,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−1,4,5,8−テトラカルボン酸二無水物、ナフタレン−2,3,6,7−テトラカルボン酸二無水物、ペリレン−3,4,9,10−テトラカルボン酸二無水物、フェナンスレン−1、2、7、8−テトラカルボン酸二無水物等の芳香族テトラカルボン酸無水物及びその水素化物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物等の脂環式酸二無水物、チオフェン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物等の複素環誘導体酸二無水物等が例示できる。
これらのテトラカルボン酸無水物は単独であるいは2種類以上を組合せて使用できる。これらのなかでもピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物及びこれらの組合せは低熱膨張性、耐熱性に優れる樹脂が得られるので好ましい。
【0016】
式(5)で表されるフェノール誘導体において、光重合可能な炭素−炭素二重結合を有する有機基Zの置換位置に制限はないが、OH基に対してパラ位が好ましい。また、有機基Zの種類についても光重合可能な炭素−炭素二重結合を有する限り、制限はない。代表的なものとしては、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシメチレン基、メタクロイルオキシメチレン基及び少なくとも1つのこれらの基が置換した炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基等が挙げられる。
これらの光重合可能な炭素−炭素二重結合を有する有機基のうち、アクリロイル基、メタクリロイル基又は少なくとも1つのこれらの基が置換した、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基が好適である。
【0017】
これらのZのうち、パラ位に置換した式(2)で表される有機基が、原料入手のしやすさ、光重合可能な二重結合の数などからさらに好適である。したがって、式(5)で表されるフェノール誘導体としては、下記式(7)で表されるp−ヒドロキシ安息香酸(TAPHBAペンタエリスリトール)エステルである。
【化7】
Figure 0004592999
【0018】
式(1)で表される末端が修飾されたポリアミック酸を合成する際、ジアミン、テトラカルボン酸二無水物及びフェノール誘導体の使用割合は、次の割合とすることが好ましい。ここで、Yはテトラカルボン酸二無水物の使用量(モル)を表し、Xはジアミンの使用量(モル)を表し、Pはフェノール誘導体の使用量(モル)を表す。
テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物の使用割合は、X/Yとして0.65以上0.95以下の割合とすることが好ましい。これが、0.95より大きいと、式(1)のnが19より大きくなることにより、現像時にアルカリ現像液への溶解性が悪くなり、場合によっては不溶となりパターン形成ができなくなる。また、溶液粘度が高くなり、高濃度化が困難になるなどの問題が生じる。0.65より小さいと式(1)のnが1.5より小さくなり最終的な樹脂物性が劣化する。したがって、アルカリ現像液での現像性と最終膜物性とのバランスの観点からは、テトラカルボン酸二無水物(Y)と、ジアミン化合物(X)とのモル比率(X/Y)は、好ましくは0.65以上0.95以下の範囲である。
【0019】
フェノール誘導体の使用量Pは、(Y−X)モル以上、(Y−X)×3モル以下、望ましくは(Y−X)×1.5モル以上、(Y−X)×2.5モル以下であることがよい。この範囲より少ないと光重合可能な炭素炭素二重結合の数が不足し、この範囲より多いと硬化後の樹脂物性が劣化する。
なお、製造方法の発明にあっては得られる化合物は式(1)で表されるポリアミック酸を含むものであるが、全部がそれである必要はなく、一方の末端のみが修飾されたポリアミック酸や修飾されないポリアミック酸が含まれても差し使えない。好ましくは、得られるポリアミック酸中に含まれる式(1)で表されるポリアミック酸が50モル%以上であって、ポリアミック酸一分子当りの平均の修飾率が1.0以上であり、より好ましくは、得られるポリアミック酸中に含まれる式(1)で表されるポリアミック酸が70モル%以上であって、ポリアミック酸一分子当りの平均の修飾率が1.5以上である。Pを(Y−X)×2モルの±10%以内とすれば、ポリアミック酸一分子当りの平均の修飾率が2に近いものが得られ、かつ、未反応フェノール誘導体の量もそれほど増えない。
【0020】
ポリアミック酸の合成方法には特に制限はなく、公知の方法に従って、各成分をジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等の極性溶媒中で反応させれば得ることができる。反応条件としては、例えば、氷冷下で0.5〜10時間、次いで室温で1〜50時間反応させる方法又は室温下で0.5〜50時間反応させる方法などが挙げられる。溶媒の使用量に特に制限はない。
次に、得られたポリアミック酸ワニスに式5で表されるフェノール誘導体を加え、末端修飾ポリアミック酸を得る。通常、この際の反応温度は室温から100℃程度、反応時間は0.5〜50時間である。このようにして、フェノール誘導体のフェノール性水酸基とポリアミック酸末端の酸無水物構造とが反応し、末端修飾したポリアミック酸を得ることができる。
【0021】
本発明の感光性樹脂組成物は、(A)本発明の末端修飾ポリアミック酸及び(B)光重合開始剤を必須成分として含有する感光性樹脂組成物である。また、(A)本発明の末端修飾ポリアミック酸、(B)光重合開始剤及び(C)上記式(6)で表されるアミン末端化合物を必須成分として含有するものは、好ましい感光性樹脂組成物の一つである。
【0022】
本発明の感光性樹脂組成物に配合する光重合開始剤としては、特に制限はなく、公知のものが使用できる。例えば、ミヒラーズケトン、ベンゾイン、2−メチルベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、2−t−ブチルアントラキノン、1,2−ベンゾ−9,10−アントラキノン、アントラキノン、メチルアントラキノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾフェノン、チオキサントン、1、5−アセナフテン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−メチル−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、ジアセチルベンジル、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール、ジフェニルジスルフィド、アントラセン、フェナンスレンキノン、2−イソプロピルチオキサントン、2,6−ビス(p−ジエチルアミノベンジリデン)−4−メチル−4−アザシクロヘキサノン、6−ビス(p−ジメチルアミノベンジリデン)−シクロペンタノン、2,6−ビス(p−ジエチルアミノベンジリデン)−4−フェニルシクロヘキサノン、N−フェニルグリシン、N−フェニルジエタノールアミン、3,3’,4,4’−テトラキス(t−ブチルパーオキシカルボニル)ベンゾフェノンなどを挙げることができる。これらを1種又は2種以上使用することができる。
【0023】
また、本発明の感光性樹脂組成物には、必要に応じて各種の増感剤使用することができる。増感剤の具体的な例としては、2,5−ビス(4’−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタノン、2,6−ビス(4’−ジエチルアミノベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4’−ジメチルアミノベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン、2,6−ビス(4’−ジエチルアミノベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)−カルコン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)−カルコン、p−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)ベンゾチアゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4’−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−ビス(4’−ジエチルアミノベンザル)アセトン、3,3’−カルボニル−ビス(7−ジエチルアミノクマリン)、N−フェニル−N’−エチルエタノールアミン、N−フェニルジエタノールアミン、N−トリジエタノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、3−フェニル−5−イソオキサゾロン、1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオテトラゾールなどが挙げられるが、特にこれらに限定されない。本発明ではこれらの増感剤を1種又は2種以上使用することができる。なお、増感剤のなかには光重合開始剤として作用するものもある。
【0024】
光重合開始剤及び増感剤の使用量は、特に限定されないが、光重合開始剤はポリアミック酸100重量部に対して、通常0.01〜10重量部、好ましくは0.1〜5重量部である。増感剤はポリアミック酸100重量部に対して、通常0.01〜10重量部、好ましくは0.1〜5重量部である。
【0025】
本発明の感光性樹脂組成物には、式(6)で表されるアミン末端化合物を配合することができる。式(6)中、R1はジアミンから生じる2価の有機基であり、R2はテトラカルボン酸又はその誘導体から生じる4価の有機基であり、mは0〜100の数である。
m=0の場合、式(6)で表されるアミン末端化合物は、モノマーとして使用するジアミンそのものであり、入手の容易さ、取扱いの容易さなどから好ましい。
このアミン末端化合物は、ジアミンの使用割合をテトラカルボン酸二無水物より過剰にする他は、通常のポリアミック酸の合成法により得られる。また、原料として使用するジアミン及びテトラカルボン酸二無水物についても、上記と同様なものが使用できる。好ましくは、上記ポリアミック酸合成と同様に、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等の極性溶媒中で、テトラカルボン酸二無水物(Y)とジアミン化合物(X)とを、モル比率(Y/X)が0.50以上0.99以下の範囲で縮合反応させることにより得ることができる。
【0026】
本発明の感光性樹脂組成物にアミン末端化合物を含有させる目的は、熱処理時に末端修飾ポリアミック酸とアミン末端化合物とのエステル−アミド交換反応により高分子量化させることにある。そのため、溶液状態における樹脂としては低重合度のものを使用でき、その結果、高濃度化が可能になる。この場合、末端修飾ポリアミック酸とアミン末端化合物とは当モル含まれることが好ましいが、末端修飾ポリアミック酸/アミン末端化合物のモル比は0.7から1.4の範囲であることがよい。
【0027】
本発明の組成物には、実用的な感光感度を達成するためや最終物性を制御するために必要に応じて、さらに共重合モノマーを使用することができる。共重合モノマーは光重合可能な炭素−炭素二重結合を有する化合物であれば、特に制限はなく、公知のものが使用できる。例えば、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ネオペンチルアルコールジアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスルトールトリアクリレート、ペンタエリスルトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート、ネオペンチルアルコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスルトールトリメタクリレート、ペンタエリスルトールテトラメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート等があげられる。発明ではこれらの共重合モノマーを1種又は2種以上使用することができる。共重合モノマーを使用する場合、その使用量はポリアミック酸100重量部に対して、通常1〜100重量部であることがよい。
【0028】
本発明の感光性樹脂組成物には、式(1)又は式(6)で表される末端修飾ポリアミック酸又はアミン末端化合物を合成する際に副生する他のポリアミック酸又はポリイミドを含有することができる。更に、通常のポリアミック酸等の他の樹脂類も少量含有することができる。また、必要に応じて界面活性剤、着色剤、無機粉、シラン化合物等の各種の添加剤を使用することができる。また、本発明の感光性樹脂組成物には、ポリアミック酸重合時に用いた溶媒が含まれるが、さらに粘度調整等の目的で各種の溶媒を添加することができる。
【0029】
これらの(B)光重合開始剤、増感剤、(C)アミン末端化合物、(D)共重合モノマー、(E)その他のポリアミック酸等の樹脂類、添加剤、溶媒等は、通常、(A)末端修飾ポリアミック酸の合成液にこれらを添加し、感光性樹脂組成物を得る。
本発明の感光性樹脂組成物には、上記のとおり(A)末端修飾ポリアミック酸及び(B)光重合開始剤(又は更に(C)アミン末端化合物)を必須成分として含有するが、感光性樹脂組成物中の樹脂成分(樹脂及び硬化又は重合して樹脂となる成分であり、(A)+(C)+(D)+(E)の合計を樹脂成分(F)とする)の割合は次の範囲とすることが好ましい。
(A)/(F):40〜100wt%、好ましくは60〜90wt%
[(A)+(C)]/(F):50〜100wt%、好ましくは60〜90wt%
(D)/(A):1〜100wt%、好ましくは10〜50wt%
(E)/(A):1〜100wt%、好ましくは10〜50wt%
【0030】
本発明の積層体は、上記感光性樹脂組成物を、基材に積層したものである。積層方法には制限はないが、本発明の感光性樹脂組成物溶液を、基材上に塗布、乾燥して感光性樹脂組成物膜を形成することにより得ることができる。
基材としては、特に制限はなく、種々のものが使用できる。例えば、ステンレス箔、銅箔、アルミニウム箔、ベリリウム銅箔、リン青銅箔、42アロイ箔等の金属箔、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルム、シリコンウェハ、セラミック、回路状に加工した回路基板、シリコンチップなどが挙げられる。
【0031】
感光性樹脂組成物を基材上に塗布する方法としては、特に制限はなく、ができる。例えば、スピンコーター、バーコーター、ブレードコーター、ロールコーター、スクリーン印刷法などで基板に塗布する方法、基板を感光性樹脂組成物に浸漬する方法、感光性樹脂組成物を基板に噴霧する方法などが挙げられる。
乾燥方法としては特に制限はなく、公知の種々の方法を用いることができる。例えば、風乾、加熱乾燥、真空乾燥などの方法が挙げられる。乾燥後の樹脂の厚みに特に制限はなく、目的に応じた厚みに調製されるが、通常0.1から100μmの範囲である。
この積層体は公知の方法でパターン形状に露光、現像することが可能である。
現像はアルカリ水溶液、有機溶媒等で行うことが可能である。
【0032】
本発明のパターン形成方法は、この積層体に、通常のフォトマスクを介してパターン形状に化学線を照射したのち、アルカリ水溶液を用いて現像する方法である。
露光に使用される化学線としては紫外線、電子線、X線、可視光線などが使用できるが、これらのなかでは紫外線が好適である。
次ぎに、未露光部を現像液で溶解除去することにより、レリーフパターンを得る。この際使用される現像液としては、アルカリ水溶液を使用するが、必要により水溶性有機溶媒を混合することができる。しかし、有機溶媒を含有しないアルカリ水溶液が作業環境、必要設備、廃液処理の点等から好ましい。
水溶性有機溶媒としては、ポリアミック酸を溶解するものが好ましく、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。また、水への溶解性を改善するために貧溶媒を併用することもできる。このような貧溶媒としてはメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類等が挙げられる。
【0033】
アルカリ水溶液を用いた現像液としては、水が50重量%より多い溶媒に、塩基性化合物を溶解して得た溶液である。溶媒としては通常、水のみを用いる。ポリアミック酸の溶解性を改善するために、50重量%未満の水溶性有機溶媒を現像液溶媒中に含んでいてもよい。水溶性有機溶媒としては、特に制限はなく、公知の種々の方法を用いることができる。例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドが挙げられる。これらの水溶性有機溶媒は1種又は2種以上を使用できる。
【0034】
塩基性化合物としては、特に制限はなく、公知の種々の方法を用いることができる。アルカリ金属や4級アンモニウムの水酸化物、炭酸塩、重炭酸塩、珪酸塩、リン酸塩、ピロリン酸塩、塩酸塩、アミン塩等を用いることができる。具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、水酸化アンモニウム、トリメチルアンモニウムヒドロキサイド、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素リチウム、珪酸ナトリウム、リン酸ナトリウム、ピロリン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、コリン等が挙げられる。これらの塩基性化合物は1種又は2種以上を使用できる。
【0035】
塩基性化合物の使用量は、溶媒100重量部に対して、通常、0.001〜50重量部、好ましくは0.05〜30重量部である。この使用量が少なすぎると現像性が低下し、多すぎると溶解性が強すぎるため、レリーフパターンの表面荒れを起こしたりする。
現像方法としては、スプレー、パドル、浸漬、超音波など各種方法を用いることができる。また、現像して得られたパターンは、リンスにより洗浄し現像液を除去する。リンス液としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール、水が使用でき、これらを単独又は混合して使用できる。
【0036】
その後、得られたパターンは加熱処理によってポリイミドに変換される。加熱処理は、通常100〜500℃の温度で、0.5〜5時間、連続的に、又は段階的に行われ、ポリイミド組成物が得られる。
本発明の感光性樹脂組成物から得られるポリイミド硬化物は、LSIバッファーコート膜、パッシベーション膜などの半導体素子関連、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブルプリント基板のカバーコート膜、各種メタルコア基板やセラミック基板のカバー膜、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜などに適する。
【0037】
【実施例】
以下、実施例を挙げ、本発明により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
略号は次のとおり。
BPDA:3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
PMDA:ピロメリット酸二無水物
DMAc:ジメチルアセトアミド
mTBHG:2,2'−ジメチル−4,4'−ジアミノビフェニル
DAPE:4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
TAPHBA:p−ヒドロキシ安息香酸(トリアクリロイルペンタエリスリトール)エステル
GAMHBA:p−ヒドロキシ安息香酸(グリセリンアクリレートメタクリレート)エステル
MAEHBA:p−ヒドロキシ安息香酸(2−メタクリロイルエチル)エステル
MAPHBA:p−ヒドロキシ安息香酸(メタクリロイルプロピル)エステル
【0038】
実施例1
内容積1Lのガラス製反応器に、BPDA147.1g(0.50モル)、DMAc696.1gを投入し、攪拌下にmTBHG84.9g(0.40モル)を少量ずつ約30分間かけて加え、室温で5時間攪拌して反応させた。反応物は粘張な液体(ワニス)状であった。このポリアミック酸の重合度nは、4と計算される。得られたワニスの粘度をB型粘度計で測定したところ、2500cP(25℃)であった。次に、このワニスにTAPHBA83.7g(0.20モル)を加え、80℃で2時間攪拌反応させ、末端修飾ポリアミック酸のワニスを得た。
ワニスを、バーコーターを用いて厚み20μmのSUS箔に、約80μm の厚みになるよう塗布した。熱風オーブンを用い90℃で10分間、次いで110℃で10分間加熱することにより、溶媒を除去した。SUS箔から剥がし、ポリアミック酸のフィルムを得た。得られたフィルムのFT−IRチャートを図1に示す。
【0039】
実施例2
反応器に、BPDA147.1g、DMAc727.9gを投入し、攪拌下にmTBHG95.5gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させた。TAPHBA41.8gを加え、80℃で2時間反応させ、末端修飾ポリアミック酸を得た。
【0040】
実施例3
反応器に、BPDA147.1g、DMAc743.8gを投入し、攪拌下にmTBHG100.8gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させた。TAPHBA20.9gを加え、80℃で2時間反応させ、末端修飾ポリアミック酸を得た。
【0041】
実施例4
反応器に、BPDA147.1g、DMAc727.9gを投入し、攪拌下にmTBHG95.5gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させた。GAMHBA34.8gを加え、80℃で2時間反応させ、末端修飾ポリアミック酸を得た。
【0042】
実施例5
反応器に、BPDA147.1g、DMAc727.9を投入し、攪拌下にmTBHG95.5gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させた。GAMHBA33.4gを加え、80℃で2時間反応させ、末端修飾ポリアミック酸を得た。
【0043】
実施例6
反応器に、BPDA147.1g、DMAc727.9gを投入し、攪拌下にmTBHG95.5gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させた。MAEHBA25.4gを加え、80℃で2時間反応させ、末端修飾ポリアミック酸を得た。
【0044】
実施例7
反応器に、BPDA147.1g、DMAc657.3gを投入し、攪拌下にmTBHG70.8gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させた。MAEHBA84.7gを加え、80℃で2時間反応させ、末端修飾ポリアミック酸を得た。
【0045】
実施例8
反応器に、BPDA147.1g、DMAc727.9gを投入し、攪拌下にmTBHG95.5gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させた。MAPHBA26.4gを加え、80℃で2時間反応させ、末端修飾ポリアミック酸を得た。
【0046】
実施例9
反応器に、BPDA147.1g、DMAc721.4gを投入し、攪拌下にmTBHG57.3g及びDAPE36.0gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させた。TAPHBA41.8gを加え、80℃で2時間反応させ、末端修飾ポリアミック酸を得た。
【0047】
実施例10
反応器に、BPDA73.6g、PMDA54.5g、DMAc721.4gを投入し、攪拌下にmTBHG95.5gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させた。TAPHBA41.8gを加え、80℃で2時間反応させ、末端修飾ポリアミック酸を得た。
【0048】
参考例1
反応器に、mTBHG106.1g、DMAc715.6gを投入し、攪拌下にBPDA132.4gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させ、アミン末端化合物を得た。
参考例2
反応器に、mTBHG63.7g、DAPE40.0g、DMAc708.4gを投入し、攪拌下にBPDA132.4gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させ、アミン末端化合物を得た。
上記実施例及び参考例の原料使用量及び得られたポリアミック酸反応液のを表1に示す。併せて、後記比較例1の原料使用量及び粘度を示す。なお、全部の例において、ジアミンと酸無水物から生じたポリアミック酸濃度は25wt%である。
【0049】
【表1】
Figure 0004592999
【0050】
実施例11
実施例1で得られた末端修飾ポリアミック酸320.5重量部(固形分で100重量部)に、開始剤としてイルガキュア907(チバガイギー社製)2.5重量部、増感剤としてEAB−F(保土ヶ谷化学工業(株)製)0.5重量部を添加し、室温で攪拌、溶解し、感光性樹脂組成物を得た。得られた組成物をSUS箔にバーコーターを用いて塗布し、クリーンオーブン中、90℃で10分間乾燥し、厚さ20μmの感光性樹脂の皮膜を形成した。得られたフィルムのIRスペクトルを図に示す。
このようにして得られた積層体に、マスクを介し露光した。ついで、1%炭酸カリウム水溶液で浸漬現像を行った後、水でリンスした。その結果、20μm幅のパターンまで現像することができた。さらに、90℃から360℃まで連続的に昇温加熱処理し、パターン形状のポリイミド樹脂を得た。
別途上記積層体を全面露光し、同様な処理をしたものからポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの100〜250℃の範囲における熱膨張係数は39.9ppm、引張強度は9.9kg/mm2だった。
【0051】
実施例12〜20
実施例2〜10で得られた末端修飾ポリアミック酸を、固形分が100重量部になるように用いた以外は実施例11と同様にして、感光性樹脂組成物、積層体を得、パターンを形成し、ポリイミド樹脂を得た。ただし、実施例13では、厚さが10μmになるように感光性樹脂の皮膜を形成した。
【0052】
実施例21
実施例1で得られた末端修飾ポリアミック酸320.5重量部(固形分で100重量部)に、mTBHG6.7重量部、イルガキュア907、2.5重量部、EAB−F0.5重量部を添加し、室温で攪拌、溶解し、感光性樹脂組成物を得た。それ以外は実施例11と同様にして、積層体を得、パターンを形成し、ポリイミド樹脂を得た。熱膨張係数は25.4ppm、引張強度は12.3kg/mm2だった。
【0053】
実施例22
実施例2で得られた末端修飾ポリアミック酸355.9重量部(固形分で100重量部)に、mTBHG3.7重量部を用いた以外は実施例21と同様にして、感光性樹脂組成物、積層体を得、パターンを形成し、ポリイミド樹脂を得た。
【0054】
実施例23
実施例3で得られた末端修飾ポリアミック酸376.9重量部(固形分で100重量部)に、mTBHG2.0重量部を用いた以外は実施例21と同様にして、感光性樹脂組成物、積層体を得、パターンを形成し、ポリイミド樹脂を得た。
【0055】
実施例24
実施例4で得られた末端修飾ポリアミック酸362.3重量部(固形分で100重量部)に、mTBHG3.8重量部を用いた以外は実施例21と同様にして、感光性樹脂組成物、積層体を得、パターンを形成し、ポリイミド樹脂を得た。
【0056】
実施例25
実施例5で得られた末端修飾ポリアミック酸363.7重量部(固形分で100重量部)に、mTBHG3.8重量部を用いた以外は実施例21と同様にして、感光性樹脂組成物、積層体を得、パターンを形成し、ポリイミド樹脂を得た。
【0057】
実施例26
実施例6で得られた末端修飾ポリアミック酸371.6重量部(固形分で100重量部)に、mTBHG4.0重量部を用いた以外は実施例21と同様にして、感光性樹脂組成物、積層体を得、パターンを形成し、ポリイミド樹脂を得た。
【0058】
実施例27
実施例7で得られた末端修飾ポリアミック酸316.0重量部(固形分で100重量部)に、mTBHG11.7重量部を用いた以外は実施例21と同様にして、感光性樹脂組成物、積層体を得、パターンを形成し、ポリイミド樹脂を得た。
【0059】
実施例28
実施例2で得られた末端修飾ポリアミック酸355.9重量部(固形分で100重量部)に、参考例1で得られたワニス状のアミン末端化合物335.5重量部を用いた以外は実施例21と同様にして、感光性樹脂組成物、積層体を得、パターンを形成し、ポリイミド樹脂を得た。
【0060】
実施例29
実施例9で得られた末端修飾ポリアミック酸355.6重量部(固形分で100重量部)に、参考例2で得られたワニス状のアミン末端化合物334.6重量部を用いた以外は実施例21と同様にして、感光性樹脂組成物、積層体を得、パターンを形成し、ポリイミド樹脂を得た。
【0061】
比較例1
反応器に、BPDA147.1g、DMAc756.6gを投入し、攪拌下にmTBHG105.1gを少量ずつ加え、室温で5時間反応させた。ペンタエリスリトールトリアクリレート2.9gを加え、80℃で2時間反応させ、ポリアミック酸を得た。
得られたポリアミック酸355重量部(固形分で100重量部)に、イルガキュア907 2.5重量部、EAB−F0.5重量部を添加し、室温で攪拌、溶解し、感光性樹脂組成物を得た。それ以外は実施例7と同様にして、積層体を得、現像したが、未露光部が溶解せず、パターンが得られなかった。また、得られたポリイミドの熱膨張係数は25.4ppm、引張強度は15.6kg/mm2だった。
【0062】
上記感光性樹脂組成物の現像性を評価した結果を表2に示す。現像性の評価は、OK:30μm幅のパターンが現像できた、NG: 未露光部が溶解せずパターン得られずとした。
【0063】
【表2】
Figure 0004592999
【0064】
【発明の効果】
本発明の末端修飾ポリアミック酸は、感光性を有するため感光性樹脂組成物の主要成分として使用できる。本発明の感光性樹脂組成物は、優れた現像特性を有し、耐熱性や機械的強度に優れた硬化物を与えることができるので、LSIバッファーコート膜、パッシベーション膜などの半導体素子関連、多層回路の層間絶縁膜、フレキシブルプリント基板のカバーコート膜、各種メタルコア基板やセラミック基板のカバー膜、ソルダーレジスト膜、液晶配向膜などに適する。
【図面の簡単な説明】
【図1】FT−IRチャート[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a novel polyamic acid having a terminal modified with an organic group having a photopolymerizable carbon-carbon double bond, a photosensitive resin composition containing the polyamic acid, and a photosensitive resin composition based on the photosensitive resin composition. The present invention relates to a laminate formed by applying to a material, a pattern forming method thereof, and a cured polyimide obtained by curing a photosensitive resin composition.
[0002]
[Prior art]
Conventionally, various proposals have been made on photosensitive polyimide resins. Examples thereof include photosensitive polyimides disclosed in JP-B-55-30207, JP-B-55-41422 and JP-B-59-52822, which have an acryloyl group on the carboxyl group in the polyimide precursor. It is introduced through a covalent bond or an ionic bond. In any case, an organic solvent is used for the developer, so explosion-proof and exhaust facilities are required, there is a danger to the human body and the environment, and in order to volatilize the acryloyl group, it is cured at a high temperature for a long time. There is a problem such as being necessary.
[0003]
Examples of the polyimide-based photosensitive resin developed with an alkaline aqueous solution include a photosensitive composition containing a dihydropyridine derivative that is a photobase generator disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 5-5995 and 5-281717. Proposed. This is a method in which a base is generated by exposure and imidization is promoted by PEB (post-exposure heat treatment) so that the exposed portion is insolubilized and developed with an alkali. However, since this method requires PEB, there is a problem that the resolution is low.
Polyimide photosensitive resins that can be developed with an alkaline aqueous solution and that can be satisfactorily patterned are disclosed in JP-A-6-279427, JP-A-8-82931, and JP-A-11-279404. There is a photosensitive resin composition containing a polyimide precursor having actinic radiation sensitive groups at both ends. However, in this method, since the actinic radiation sensitive group is introduced into the polyimide precursor via an ester bond or an amide bond between an aliphatic alcohol and a carboxylic acid, the actinic radiation sensitive group volatilizes, so However, there is a problem that a long time curing is required at a high temperature.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
An object of the present invention is to provide a novel terminal-modified polyamic acid useful as a photosensitive resin and a method for producing the same. Other purposes are end-modified polyamics that can be developed with an alkaline aqueous solution, can be processed well, and the cured polyimide resin also has good mechanical strength, heat resistance, flexibility, and thermal expansion coefficient. It is to provide a photosensitive resin composition containing an acid. Moreover, the other objective is to provide the laminated body which laminated | stacked the photosensitive resin composition on the base material, and to provide the usage method of a laminated body or the photosensitive resin composition.
[0005]
[Means for Solving the Problems]
In order to solve such problems, the present inventors have intensively studied. As a result, an organic group having a carbon-carbon double bond that can be photopolymerized via an ester bond between an aromatic phenol and a carboxylic acid is converted into a polyamic acid. By introducing it at the end, it can be patterned with high resolution without the need for high temperature and long time curing, and further alkali development by adjusting the molar ratio of diamine compound and tetracarboxylic anhydride, which is the raw material of polyamic acid As a result, the present invention was completed.
[0006]
That is, the present invention provides the following formula (1):
[Formula 4]
Figure 0004592999
Wherein R1 is a divalent organic group, R2 is a tetravalent organic group, Z is an organic group having a polymerizable carbon-carbon double bond, and n is a number from 1 to 100 Is a terminal-modified polyamic acid.
[0007]
Further, the present invention provides a diamine represented by formula (3), a tetracarboxylic dianhydride represented by formula (4), and a phenol derivative represented by formula (5), wherein X / Y = 0.600. ˜0.950, P = (Y−X) to (Y−X) × 3 (where X, Y and P are the amounts (moles) of diamine, tetracarboxylic dianhydride and phenol derivative used, respectively) The terminal-modified polyamic acid is produced by reacting at a use ratio of
[Chemical formula 5]
Figure 0004592999
(In the formulas (3), (4) and (5), R 1 Is a divalent organic group, R 2 Is a tetravalent organic group, and Z is an organic group having a polymerizable carbon-carbon double bond)
[0008]
Furthermore, the present invention is a photosensitive resin composition containing (A) the terminal-modified polyamic acid and (B) a photopolymerization initiator. Moreover, this invention is the photosensitive resin composition containing the amine terminal compound represented by (A) said terminal modification polyamic acid, (B) photoinitiator, (C) Formula (6).
[Chemical 6]
Figure 0004592999
(Wherein R 1 Is a divalent organic group derived from diamine, and R 2 Is a tetravalent organic group derived from tetracarboxylic acid or a derivative thereof, and m is a number from 0 to 100)
[0009]
Moreover, this invention is a laminated body characterized by forming the layer of the said photosensitive resin composition on the base material. Furthermore, this invention is a pattern formation method characterized by developing the said laminated body using alkaline aqueous solution, after exposing in a pattern form through a mask. Moreover, this invention is a polyimide resin hardened | cured material formed by heating and hardening the said photosensitive resin composition.
[0010]
The present invention will be described in detail below.
The polyamic acid in which the terminal of the present invention is modified is represented by the above formula (1). In the formula, R1 is a divalent organic group, but is preferably an aromatic diamine residue. R2 is a tetravalent organic group, preferably an aromatic tetracarboxylic dianhydride residue. Z is an organic group having a polymerizable carbon-carbon double bond, and is preferably an organic group having an acryloyl group or a methacryloyl group at the terminal. Furthermore, it is also preferable that Z is a group represented by the above formula (2) bonded to the para-position of the benzene ring. N is a number from 1 to 100, and the average value of n is preferably 1.5 to 19.
[0011]
Since the polyamic acid having a terminal modified according to the present invention has an organic group having a carbon-carbon double bond at the terminal, photopolymerization is possible. Furthermore, it is possible to obtain a polyimide by imidization by heating or the like. Therefore, it can be used for various applications as will be described later.
[0012]
The polyamic acid modified at the terminal of the present invention is obtained by, for example, reacting a polyamic acid obtained from excess tetracarboxylic dianhydride and a diamine with a phenol derivative substituted with a group having a carbon-carbon double bond. Can be obtained. It can also be obtained by reacting an excess of a tetracarboxylic dianhydride, a diamine, and a phenol derivative substituted with a group having a carbon-carbon double bond at the same time. In addition, the tetracarboxylic dianhydride and diamine referred to in the present specification are not limited to literal compounds, but are known as equivalent to these as polyamic acid raw materials such as tetracarboxylic acid and acid chloride. Used to include compounds.
[0013]
Advantageously, the diamine compound represented by the formula (3) and the excess tetracarboxylic acid anhydride represented by the formula (4) are subjected to a condensation polymerization reaction by a conventional method, and further represented by the formula (5). It can be obtained by reacting a phenol derivative. It can also be obtained by a method in which a mixture of a diamine compound represented by the formula (3) and a phenol derivative represented by the formula (5) is reacted with a tetracarboxylic acid anhydride represented by the formula (4). . Note that R1, R2, and Z in Formula (3), Formula (4), and Formula (5) are the same as described in Formula (1).
[0014]
Examples of the diamine compound represented by the formula (3) include p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,6-diaminotoluene, 2,5-diamino-p-xylene, 2,5-diaminopyridine, 3, 5-aminobenzoic acid, 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 3,3′-diaminodiphenylmethane, 3,4 ′ -Diaminodiphenylmethane, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 2,2-bis (3-aminophenyl) propane, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, benzidine, 2,2′-dimethyl-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-bis (trifluoro Olomethyl) -4,4′diaminobiphenyl, 3,3′-dihydroxy-4,4′-diaminobiphenyl, 4,4′-diaminobenzanilide, 2′-methoxy-4,4′-diaminobenzanilide, 2, 7-diaminofluorene, 1,5-diaminonaphthalene, 1,8-diaminonaphthalene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2′- Bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 4,4′bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfone, 9,10-bis (4-amino) Aromatic diamines such as phenyl) anthracene, alicyclic diamines such as 1,4-diaminocyclohexane, methylenediamine, ethylenedia Emissions, propylene diamine, pentamethylene diamine, hexamethylene diamine, aliphatic diamines such as heptamethylenediamine, diaminosiloxane like.
These diamine compounds can be used alone or in combination of two or more. Among these, 2,2′-dimethyl-4,4′diaminobiphenyl, 4,4′-diaminodiphenyl ether, and combinations thereof are preferable because a resin excellent in light transmittance, low thermal expansion, and low hygroscopicity can be obtained.
[0015]
Examples of the tetracarboxylic dianhydride represented by the formula (4) include pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3 ′. -Benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3', 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4′-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ′, 4′-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, bis (3,4- Dicarboxyphenyl) -methane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -propane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,1 , 3,3,3-Hexafluoropropaprop Dianhydride, naphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic Aromatic tetracarboxylic anhydrides such as acid dianhydrides, perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic dianhydrides, phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic dianhydrides and their hydrogen , Cycloaliphatic dianhydrides such as cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, thiophene-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, pyrazine-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride Examples thereof include anhydrides and heterocyclic derivative dianhydrides such as pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride.
These tetracarboxylic anhydrides can be used alone or in combination of two or more. Among these, pyromellitic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, and combinations thereof are preferable because a resin having low thermal expansion and excellent heat resistance can be obtained.
[0016]
In the phenol derivative represented by the formula (5), the substitution position of the organic group Z having a photopolymerizable carbon-carbon double bond is not limited, but the para position with respect to the OH group is preferable. Further, the type of the organic group Z is not limited as long as it has a photopolymerizable carbon-carbon double bond. Typical examples include a vinyl group, an allyl group, an acryloyl group, a methacryloyl group, an acryloyloxy group, a methacryloyloxy group, an acryloyloxymethylene group, a methacryloyloxymethylene group, and at least one of these groups substituted by 1 carbon atom. -6 alkyl group, C3-C6 cycloalkyl group, etc. are mentioned.
Among these organic groups having a photopolymerizable carbon-carbon double bond, an acryloyl group, a methacryloyl group, or at least one of these groups substituted, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or an alkyl group having 3 to 6 carbon atoms A cycloalkyl group is preferred.
[0017]
Of these Z, the organic group represented by the formula (2) substituted at the para position is more preferable from the viewpoint of easy availability of raw materials, the number of photopolymerizable double bonds, and the like. Therefore, the phenol derivative represented by the formula (5) is a p-hydroxybenzoic acid (TAPHBA pentaerythritol) ester represented by the following formula (7).
[Chemical 7]
Figure 0004592999
[0018]
When synthesizing a polyamic acid having a modified end represented by the formula (1), it is preferable to use the following proportions of diamine, tetracarboxylic dianhydride and phenol derivative. Here, Y represents the usage amount (mol) of tetracarboxylic dianhydride, X represents the usage amount (mol) of diamine, and P represents the usage amount (mol) of the phenol derivative.
The ratio of the tetracarboxylic dianhydride and the diamine compound used is preferably a ratio of 0.65 to 0.95 as X / Y. If this is larger than 0.95, n in the formula (1) becomes larger than 19, so that the solubility in an alkaline developer is deteriorated at the time of development, and in some cases it becomes insoluble and the pattern cannot be formed. In addition, problems such as increased solution viscosity and difficulty in increasing the concentration occur. If it is smaller than 0.65, n in the formula (1) is smaller than 1.5 and the final resin physical properties are deteriorated. Therefore, from the viewpoint of the balance between developability with an alkali developer and final film properties, the molar ratio (X / Y) of the tetracarboxylic dianhydride (Y) and the diamine compound (X) is preferably It is the range of 0.65 or more and 0.95 or less.
[0019]
The amount P of the phenol derivative used is (YX) mol or more, (YX) × 3 mol or less, preferably (YX) × 1.5 mol or more, (YX) × 2.5 mol. It may be the following. If it is less than this range, the number of photopolymerizable carbon-carbon double bonds will be insufficient, and if it is more than this range, the physical properties of the cured resin will deteriorate.
In addition, in the invention of the production method, the compound obtained contains the polyamic acid represented by the formula (1), but it is not necessary that it is all, and the polyamic acid in which only one terminal is modified or not modified. Even if polyamic acid is contained, it cannot be used. Preferably, the polyamic acid represented by the formula (1) contained in the obtained polyamic acid is 50 mol% or more, and the average modification rate per molecule of the polyamic acid is 1.0 or more, more preferably The polyamic acid represented by the formula (1) contained in the obtained polyamic acid is 70 mol% or more, and the average modification rate per molecule of polyamic acid is 1.5 or more. When P is within ± 10% of (Y-X) × 2 mol, an average modification rate per molecule of polyamic acid is close to 2, and the amount of unreacted phenol derivative does not increase so much. .
[0020]
There is no restriction | limiting in particular in the synthesis method of a polyamic acid, According to a well-known method, it can obtain if each component is made to react in polar solvents, such as a dimethylacetamide and N-methylpyrrolidone. Examples of the reaction conditions include a method of reacting under ice cooling for 0.5 to 10 hours and then at room temperature for 1 to 50 hours or a method of reacting at room temperature for 0.5 to 50 hours. There is no restriction | limiting in particular in the usage-amount of a solvent.
Next, the phenol derivative represented by Formula 5 is added to the obtained polyamic acid varnish to obtain a terminal-modified polyamic acid. Usually, the reaction temperature at this time is from room temperature to about 100 ° C., and the reaction time is 0.5 to 50 hours. In this way, the phenolic hydroxyl group of the phenol derivative reacts with the acid anhydride structure at the end of the polyamic acid to obtain a terminally modified polyamic acid.
[0021]
The photosensitive resin composition of the present invention is a photosensitive resin composition containing (A) the terminal-modified polyamic acid of the present invention and (B) a photopolymerization initiator as essential components. A photosensitive resin composition having (A) the terminal-modified polyamic acid of the present invention, (B) a photopolymerization initiator, and (C) an amine-terminated compound represented by the above formula (6) as essential components is preferable. It is one of things.
[0022]
There is no restriction | limiting in particular as a photoinitiator mix | blended with the photosensitive resin composition of this invention, A well-known thing can be used. For example, Michler's ketone, benzoin, 2-methylbenzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin butyl ether, 2-t-butylanthraquinone, 1,2-benzo-9,10-anthraquinone, anthraquinone, methylanthraquinone, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, acetophenone, benzophenone, thioxanthone, 1,5-acenaphthene, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl- [4- (methylthio ) Phenyl] -2-morpholino-1-propanone, diacetylbenzyl, benzyldimethyl ketal, benzyl diethyl ketal, diphenyl disulfide, an Tracene, phenanthrenequinone, 2-isopropylthioxanthone, 2,6-bis (p-diethylaminobenzylidene) -4-methyl-4-azacyclohexanone, 6-bis (p-dimethylaminobenzylidene) -cyclopentanone, 2, Examples include 6-bis (p-diethylaminobenzylidene) -4-phenylcyclohexanone, N-phenylglycine, N-phenyldiethanolamine, 3,3 ′, 4,4′-tetrakis (t-butylperoxycarbonyl) benzophenone, and the like. it can. One or more of these can be used.
[0023]
Moreover, various sensitizers can be used for the photosensitive resin composition of this invention as needed. Specific examples of the sensitizer include 2,5-bis (4′-diethylaminobenzal) cyclopentanone, 2,6-bis (4′-diethylaminobenzal) cyclohexanone, and 2,6-bis (4 '-Dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, 2,6-bis (4'-diethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, Michler's ketone, 4,4'-bis (diethylamino) -benzophenone, 4,4' -Bis (dimethylamino) -chalcone, 4,4'-bis (diethylamino) -chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, 2- (p-dimethylaminophenylvinylene) benzothiazole, 2- (p-dimethyl) Aminophenylvinylene) isonaphthothiazole, 1,3-bis (4′-dimethylaminobenzal) acetone, , 3-bis (4′-diethylaminobenzal) acetone, 3,3′-carbonyl-bis (7-diethylaminocoumarin), N-phenyl-N′-ethylethanolamine, N-phenyldiethanolamine, N-tridiethanolamine, Examples include N-phenylethanolamine, isoamyl dimethylaminobenzoate, 3-phenyl-5-isoxazolone, 1-phenyl-5-ethoxycarbonylthiotetrazole, and the like, but are not limited thereto. In the present invention, one or more of these sensitizers can be used. Some sensitizers act as photopolymerization initiators.
[0024]
Although the usage-amount of a photoinitiator and a sensitizer is not specifically limited, A photoinitiator is 0.01-10 weight part normally with respect to 100 weight part of polyamic acids, Preferably it is 0.1-5 weight part It is. A sensitizer is 0.01-10 weight part normally with respect to 100 weight part of polyamic acids, Preferably it is 0.1-5 weight part.
[0025]
The amine terminal compound represented by Formula (6) can be mix | blended with the photosensitive resin composition of this invention. In formula (6), R 1 Is a divalent organic group derived from diamine, and R 2 Is a tetravalent organic group derived from tetracarboxylic acid or a derivative thereof, and m is a number from 0 to 100.
In the case of m = 0, the amine-terminated compound represented by the formula (6) is a diamine itself used as a monomer, which is preferable from the viewpoint of easy availability and handling.
This amine-terminated compound can be obtained by an ordinary polyamic acid synthesis method except that the proportion of diamine used is more than tetracarboxylic dianhydride. Moreover, the same thing as the above can be used also about the diamine and tetracarboxylic dianhydride which are used as a raw material. Preferably, as in the above polyamic acid synthesis, the tetracarboxylic dianhydride (Y) and the diamine compound (X) are mixed in a molar ratio (Y / X) in a polar solvent such as dimethylacetamide or N-methylpyrrolidone. Can be obtained by a condensation reaction in the range of 0.50 to 0.99.
[0026]
The purpose of containing the amine-terminated compound in the photosensitive resin composition of the present invention is to increase the molecular weight by an ester-amide exchange reaction between the end-modified polyamic acid and the amine-terminated compound during heat treatment. Therefore, a resin having a low polymerization degree can be used as a resin in a solution state, and as a result, a high concentration can be achieved. In this case, the end-modified polyamic acid and the amine-terminated compound are preferably included in an equimolar amount, but the molar ratio of the terminal-modified polyamic acid / amine-terminated compound is preferably in the range of 0.7 to 1.4.
[0027]
In the composition of the present invention, a copolymerization monomer can be further used as necessary to achieve practical photosensitivity or to control final physical properties. The copolymerization monomer is not particularly limited as long as it is a compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond, and a known monomer can be used. For example, 1,6-hexanediol diacrylate, neopentyl alcohol diacrylate, ethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, tetraethylene Glycol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, neopentyl alcohol dimethacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol trimethacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, dipentaerythritol hexamethacrylate And tetraethylene glycol dimethacrylate. In the invention, one or more of these copolymerization monomers can be used. When using a copolymerization monomer, it is preferable that the usage-amount is 1-100 weight part normally with respect to 100 weight part of polyamic acids.
[0028]
The photosensitive resin composition of the present invention contains other polyamic acid or polyimide by-produced when synthesizing the terminal-modified polyamic acid or amine-terminated compound represented by formula (1) or formula (6). Can do. Furthermore, other resins such as ordinary polyamic acid can be contained in a small amount. Moreover, various additives, such as surfactant, a coloring agent, inorganic powder, a silane compound, can be used as needed. Moreover, although the solvent used at the time of polyamic acid polymerization is contained in the photosensitive resin composition of this invention, various solvents can be added for the purpose of viscosity adjustment.
[0029]
These (B) photopolymerization initiator, sensitizer, (C) amine terminal compound, (D) copolymerization monomer, (E) other resins such as polyamic acid, additives, solvents, etc. are usually ( A) These are added to the synthesis | combination liquid of terminal modification polyamic acid, and the photosensitive resin composition is obtained.
As described above, the photosensitive resin composition of the present invention contains (A) a terminal-modified polyamic acid and (B) a photopolymerization initiator (or (C) an amine terminal compound) as essential components. The ratio of the resin component in the composition (resin and the component that is cured or polymerized to become a resin, and the sum of (A) + (C) + (D) + (E) is the resin component (F)) The following range is preferable.
(A) / (F): 40 to 100 wt%, preferably 60 to 90 wt%
[(A) + (C)] / (F): 50 to 100 wt%, preferably 60 to 90 wt%
(D) / (A): 1 to 100 wt%, preferably 10 to 50 wt%
(E) / (A): 1 to 100 wt%, preferably 10 to 50 wt%
[0030]
The laminate of the present invention is obtained by laminating the above photosensitive resin composition on a substrate. Although there is no restriction | limiting in the lamination | stacking method, it can obtain by forming the photosensitive resin composition film | membrane by apply | coating and drying the photosensitive resin composition solution of this invention on a base material.
There is no restriction | limiting in particular as a base material, A various thing can be used. For example, stainless steel foil, copper foil, aluminum foil, beryllium copper foil, phosphor bronze foil, metal foil such as 42 alloy foil, resin film such as polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, silicon wafer, ceramic, circuit board processed into circuit shape And silicon chips.
[0031]
There is no restriction | limiting in particular as a method of apply | coating the photosensitive resin composition on a base material. For example, a spin coater, a bar coater, a blade coater, a roll coater, a method of applying to a substrate by a screen printing method, a method of immersing a substrate in a photosensitive resin composition, a method of spraying a photosensitive resin composition on a substrate, etc. Can be mentioned.
There is no restriction | limiting in particular as a drying method, A well-known various method can be used. For example, methods such as air drying, heat drying, and vacuum drying are exemplified. There is no restriction | limiting in particular in the thickness of resin after drying, Although it adjusts to the thickness according to the objective, it is the range of 0.1-100 micrometers normally.
This laminate can be exposed and developed into a pattern shape by a known method.
Development can be performed with an alkaline aqueous solution, an organic solvent, or the like.
[0032]
The pattern forming method of the present invention is a method in which the laminate is irradiated with actinic radiation on the pattern shape via a normal photomask and then developed using an alkaline aqueous solution.
As the actinic radiation used for the exposure, ultraviolet rays, electron beams, X-rays, visible rays, and the like can be used. Among these, ultraviolet rays are preferable.
Next, a relief pattern is obtained by dissolving and removing the unexposed portion with a developer. As the developer used at this time, an alkaline aqueous solution is used, and if necessary, a water-soluble organic solvent can be mixed. However, an aqueous alkali solution containing no organic solvent is preferable from the viewpoint of working environment, necessary equipment, waste liquid treatment, and the like.
The water-soluble organic solvent is preferably one that dissolves polyamic acid, and examples thereof include amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, and N, N-dimethylacetamide. Moreover, in order to improve the solubility to water, a poor solvent can also be used together. Examples of such a poor solvent include alcohols such as methanol, ethanol, propanol, and isopropyl alcohol.
[0033]
The developer using an alkaline aqueous solution is a solution obtained by dissolving a basic compound in a solvent containing more than 50% by weight of water. Normally, only water is used as the solvent. In order to improve the solubility of the polyamic acid, less than 50% by weight of a water-soluble organic solvent may be included in the developer solvent. The water-soluble organic solvent is not particularly limited, and various known methods can be used. Examples include methanol, ethanol, propanol, isopropyl alcohol, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, and N, N-dimethylacetamide. These water-soluble organic solvents can be used alone or in combination of two or more.
[0034]
There is no restriction | limiting in particular as a basic compound, A well-known various method can be used. Alkali metal or quaternary ammonium hydroxides, carbonates, bicarbonates, silicates, phosphates, pyrophosphates, hydrochlorides, amine salts, and the like can be used. Specific examples include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, ammonium hydroxide, trimethylammonium hydroxide, tetramethylammonium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium carbonate, sodium bicarbonate, potassium bicarbonate, carbonate Examples thereof include lithium hydrogen, sodium silicate, sodium phosphate, sodium pyrophosphate, sodium acetate, monoethanolamine, diethanolamine, triethanolamine, and choline. These basic compounds can be used alone or in combination of two or more.
[0035]
The usage-amount of a basic compound is 0.001-50 weight part normally with respect to 100 weight part of solvents, Preferably it is 0.05-30 weight part. If the amount used is too small, the developability deteriorates. If the amount used is too large, the solubility is too strong, and thus the surface of the relief pattern becomes rough.
As a developing method, various methods such as spraying, paddle, dipping, and ultrasonic can be used. Further, the pattern obtained by development is washed by rinsing to remove the developer. As the rinsing liquid, methanol, ethanol, isopropanol, and water can be used, and these can be used alone or in combination.
[0036]
Thereafter, the obtained pattern is converted into polyimide by heat treatment. The heat treatment is usually carried out at a temperature of 100 to 500 ° C. for 0.5 to 5 hours continuously or stepwise to obtain a polyimide composition.
The polyimide cured product obtained from the photosensitive resin composition of the present invention is related to semiconductor elements such as LSI buffer coat films and passivation films, interlayer insulating films for multilayer circuits, cover coat films for flexible printed boards, various metal core substrates and ceramic substrates. Suitable for cover films, solder resist films, liquid crystal alignment films, and the like.
[0037]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, although an Example is given and it demonstrates concretely by this invention, this invention is not limited only to these Examples.
The abbreviations are as follows.
BPDA: 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride
PMDA: pyromellitic dianhydride
DMAc: Dimethylacetamide
mTBHG: 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl
DAPE: 4,4'-diaminodiphenyl ether
TAPHBA: p-hydroxybenzoic acid (triacryloylpentaerythritol) ester
GAMHBA: p-hydroxybenzoic acid (glycerin acrylate methacrylate) ester
MAEHBA: p-hydroxybenzoic acid (2-methacryloylethyl) ester
MAPHBA: p-hydroxybenzoic acid (methacryloylpropyl) ester
[0038]
Example 1
To a 1 L glass reactor, 147.1 g (0.50 mol) of BPDA and 696.1 g of DMAc were added, and 84.9 g (0.40 mol) of mTBHG was added little by little over about 30 minutes while stirring. For 5 hours with stirring. The reaction product was in the form of a viscous liquid (varnish). The degree of polymerization n of this polyamic acid is calculated to be 4. When the viscosity of the obtained varnish was measured with a B-type viscometer, it was 2500 cP (25 ° C.). Next, 83.7 g (0.20 mol) of TAPHBA was added to this varnish and allowed to react with stirring at 80 ° C. for 2 hours to obtain a terminal-modified polyamic acid varnish.
The varnish was applied to a 20 μm thick SUS foil using a bar coater to a thickness of about 80 μm. The solvent was removed by heating in a hot air oven at 90 ° C. for 10 minutes and then at 110 ° C. for 10 minutes. The film was peeled from the SUS foil to obtain a polyamic acid film. The FT-IR chart of the obtained film is shown in FIG.
[0039]
Example 2
To the reactor, 147.1 g of BPDA and 727.9 g of DMAc were added, and 95.5 g of mTBHG was added little by little with stirring, and the mixture was reacted at room temperature for 5 hours. 41.8 g of TAPHBA was added and reacted at 80 ° C. for 2 hours to obtain a terminal-modified polyamic acid.
[0040]
Example 3
To the reactor, 147.1 g of BPDA and 743.8 g of DMAc were added, 100.8 g of mTBHG was added little by little with stirring, and the reaction was allowed to proceed at room temperature for 5 hours. 20.9 g of TAPHBA was added and reacted at 80 ° C. for 2 hours to obtain a terminal-modified polyamic acid.
[0041]
Example 4
To the reactor, 147.1 g of BPDA and 727.9 g of DMAc were added, and 95.5 g of mTBHG was added little by little with stirring, and the mixture was reacted at room temperature for 5 hours. GAMHBA 34.8g was added and it was made to react at 80 degreeC for 2 hours, and the terminal modification polyamic acid was obtained.
[0042]
Example 5
To the reactor, 147.1 g of BPDA and 727.9 g of DMAc were added, and 95.5 g of mTBHG was added little by little with stirring, and reacted at room temperature for 5 hours. GAMHBA 33.4g was added and it was made to react at 80 degreeC for 2 hours, and the terminal modification polyamic acid was obtained.
[0043]
Example 6
To the reactor, 147.1 g of BPDA and 727.9 g of DMAc were added, and 95.5 g of mTBHG was added little by little with stirring, and the mixture was reacted at room temperature for 5 hours. 25.4 g of MAEHBA was added and reacted at 80 ° C. for 2 hours to obtain a terminal-modified polyamic acid.
[0044]
Example 7
To the reactor, 147.1 g of BPDA and 657.3 g of DMAc were added, 70.8 g of mTBHG was added little by little with stirring, and the reaction was allowed to proceed at room temperature for 5 hours. MAEHBA 84.7g was added and it was made to react at 80 degreeC for 2 hours, and the terminal modification polyamic acid was obtained.
[0045]
Example 8
To the reactor, 147.1 g of BPDA and 727.9 g of DMAc were added, and 95.5 g of mTBHG was added little by little with stirring, and the mixture was reacted at room temperature for 5 hours. 26.4 g of MAPHBA was added and reacted at 80 ° C. for 2 hours to obtain a terminal-modified polyamic acid.
[0046]
Example 9
To the reactor, 147.1 g of BPDA and 721.4 g of DMAc were added, and 57.3 g of mTBHG and 36.0 g of DAPE were added little by little with stirring, and reacted at room temperature for 5 hours. 41.8 g of TAPHBA was added and reacted at 80 ° C. for 2 hours to obtain a terminal-modified polyamic acid.
[0047]
Example 10
To the reactor, 73.6 g of BPDA, 54.5 g of PMDA, and 721.4 g of DMAc were added, and 95.5 g of mTBHG was added little by little with stirring, and reacted at room temperature for 5 hours. 41.8 g of TAPHBA was added and reacted at 80 ° C. for 2 hours to obtain a terminal-modified polyamic acid.
[0048]
Reference example 1
To the reactor, 106.1 g of mTBHG and 715.6 g of DMAc were added, 132.4 g of BPDA was added little by little with stirring, and reacted at room temperature for 5 hours to obtain an amine-terminated compound.
Reference example 2
To the reactor, 63.7 g of mTBHG, 40.0 g of DAPE, and 708.4 g of DMAc were added, 132.4 g of BPDA was added little by little with stirring, and reacted at room temperature for 5 hours to obtain an amine-terminated compound.
Table 1 shows the amounts of raw materials used in the above Examples and Reference Examples and the resulting polyamic acid reaction liquid. In addition, the raw material usage and viscosity of Comparative Example 1 described later are shown. In all examples, the concentration of polyamic acid generated from diamine and acid anhydride is 25 wt%.
[0049]
[Table 1]
Figure 0004592999
[0050]
Example 11
To 320.5 parts by weight of the terminal-modified polyamic acid obtained in Example 1 (100 parts by weight in solid content), 2.5 parts by weight of Irgacure 907 (manufactured by Ciba Geigy) as an initiator and EAB-F (as a sensitizer) 0.5 part by weight of Hodogaya Chemical Co., Ltd.) was added and stirred and dissolved at room temperature to obtain a photosensitive resin composition. The obtained composition was applied to a SUS foil using a bar coater, and dried in a clean oven at 90 ° C. for 10 minutes to form a photosensitive resin film having a thickness of 20 μm. The IR spectrum of the obtained film is shown in the figure.
The laminated body thus obtained was exposed through a mask. Then, after immersion development with a 1% aqueous potassium carbonate solution, rinsing with water was performed. As a result, a pattern having a width of 20 μm could be developed. Furthermore, the heating treatment was continuously performed from 90 ° C. to 360 ° C. to obtain a patterned polyimide resin.
Separately, the laminate was exposed on the entire surface, and a polyimide film was obtained from the same treatment. The obtained polyimide film had a thermal expansion coefficient of 39.9 ppm in the range of 100 to 250 ° C. and a tensile strength of 9.9 kg / mm. 2 was.
[0051]
Examples 12-20
A photosensitive resin composition and a laminate were obtained in the same manner as in Example 11 except that the terminal-modified polyamic acid obtained in Examples 2 to 10 was used so that the solid content was 100 parts by weight. The polyimide resin was obtained. However, in Example 13, the photosensitive resin film was formed to have a thickness of 10 μm.
[0052]
Example 21
6.7 parts by weight of mTBHG, Irgacure 907, 2.5 parts by weight, and 0.5 parts by weight of EAB-F were added to 320.5 parts by weight of the end-modified polyamic acid obtained in Example 1 (100 parts by weight in solid content). The mixture was stirred and dissolved at room temperature to obtain a photosensitive resin composition. Other than that was carried out similarly to Example 11, and obtained the laminated body, formed the pattern, and obtained the polyimide resin. The coefficient of thermal expansion is 25.4 ppm and the tensile strength is 12.3 kg / mm. 2 was.
[0053]
Example 22
A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 21 except that 3.7 parts by weight of mTBHG was used for 355.9 parts by weight (100 parts by weight of solid content) of the end-modified polyamic acid obtained in Example 2. A laminate was obtained, a pattern was formed, and a polyimide resin was obtained.
[0054]
Example 23
In the same manner as in Example 21, except that 2.0 parts by weight of mTBHG was used for 376.9 parts by weight (100 parts by weight of solid content) of the terminal-modified polyamic acid obtained in Example 3, a photosensitive resin composition, A laminate was obtained, a pattern was formed, and a polyimide resin was obtained.
[0055]
Example 24
In the same manner as in Example 21, except that 3.8 parts by weight of mTBHG was used for 362.3 parts by weight (100 parts by weight of solid content) of the end-modified polyamic acid obtained in Example 4, a photosensitive resin composition, A laminate was obtained, a pattern was formed, and a polyimide resin was obtained.
[0056]
Example 25
In the same manner as in Example 21, except that 3.8 parts by weight of mTBHG was used for 363.7 parts by weight (100 parts by weight of solid content) of the terminal-modified polyamic acid obtained in Example 5, a photosensitive resin composition, A laminate was obtained, a pattern was formed, and a polyimide resin was obtained.
[0057]
Example 26
A photosensitive resin composition was prepared in the same manner as in Example 21 except that 4.0 parts by weight of mTBHG was used for 371.6 parts by weight (100 parts by weight of solid content) of the end-modified polyamic acid obtained in Example 6. A laminate was obtained, a pattern was formed, and a polyimide resin was obtained.
[0058]
Example 27
In the same manner as in Example 21 except that 11.7 parts by weight of mTBHG was used for 316.0 parts by weight (100 parts by weight of solid content) of the terminal-modified polyamic acid obtained in Example 7, a photosensitive resin composition, A laminate was obtained, a pattern was formed, and a polyimide resin was obtained.
[0059]
Example 28
Except that 355.5 parts by weight of the terminal-modified polyamic acid obtained in Example 2 (100 parts by weight in solid content) was used, except that 335.5 parts by weight of the varnish-like amine terminal compound obtained in Reference Example 1 was used. In the same manner as in Example 21, a photosensitive resin composition and a laminate were obtained, a pattern was formed, and a polyimide resin was obtained.
[0060]
Example 29
Except that 355.6 parts by weight of the end-modified polyamic acid obtained in Example 9 (100 parts by weight in solid content) was used, except that 334.6 parts by weight of the varnish-like amine terminal compound obtained in Reference Example 2 was used. In the same manner as in Example 21, a photosensitive resin composition and a laminate were obtained, a pattern was formed, and a polyimide resin was obtained.
[0061]
Comparative Example 1
Into the reactor, 147.1 g of BPDA and 756.6 g of DMAc were added, and 105.1 g of mTBHG was added little by little with stirring, and the reaction was allowed to proceed at room temperature for 5 hours. 2.9 g of pentaerythritol triacrylate was added and reacted at 80 ° C. for 2 hours to obtain a polyamic acid.
2.5 parts by weight of Irgacure 907 and 0.5 parts by weight of EAB-F are added to 355 parts by weight of the obtained polyamic acid (100 parts by weight in solid content), and stirred and dissolved at room temperature to obtain a photosensitive resin composition. Obtained. Otherwise, the laminate was obtained and developed in the same manner as in Example 7. However, the unexposed part was not dissolved and a pattern was not obtained. The obtained polyimide has a thermal expansion coefficient of 25.4 ppm and a tensile strength of 15.6 kg / mm. 2 was.
[0062]
The results of evaluating the developability of the photosensitive resin composition are shown in Table 2. Evaluation of developability was OK: a pattern having a width of 30 μm could be developed.
[0063]
[Table 2]
Figure 0004592999
[0064]
【The invention's effect】
Since the terminal-modified polyamic acid of the present invention has photosensitivity, it can be used as a main component of the photosensitive resin composition. Since the photosensitive resin composition of the present invention has excellent development characteristics and can give a cured product with excellent heat resistance and mechanical strength, it is related to semiconductor elements such as LSI buffer coat films and passivation films, and multilayers. Suitable for circuit interlayer insulating films, cover coat films for flexible printed boards, cover films for various metal core substrates and ceramic substrates, solder resist films, liquid crystal alignment films, and the like.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 FT-IR chart

Claims (10)

下記式(1)
Figure 0004592999
(式中、R1はジアミンから生じる2価の有機基であり、R2はテトラカルボン酸又はその誘導体から生じる4価の有機基であり、Zは光重合可能な炭素−炭素二重結合を有する有機基であり、nは1から100の整数である)で表される末端が修飾されたポリアミック酸。
Following formula (1)
Figure 0004592999
(In the formula, R1 is a divalent organic group generated from diamine, R2 is a tetravalent organic group generated from tetracarboxylic acid or a derivative thereof, and Z is an organic compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond. And n is an integer of 1 to 100).
式(1)において、Zがアクリロイル基又はメタクリロイル基を末端に有する有機基である請求項1記載の末端が修飾されたポリアミック酸。The polyamic acid having a modified end according to claim 1, wherein, in the formula (1), Z is an organic group having an acryloyl group or a methacryloyl group at the end. 式(1)において、Zがパラ位に結合した式(2)
-COO-CH2-C(CH2-OOC-CH=CH2)3 (2)
で表される有機基である請求項1又は2記載の末端修飾ポリアミック酸。
Formula (2) in which Z is bonded to the para position in Formula (1)
-COO-CH 2 -C (CH 2 -OOC-CH = CH 2 ) 3 (2)
The terminal-modified polyamic acid according to claim 1, which is an organic group represented by the formula:
式(1)において、nの平均値が1.5以上19以下である請求項1〜3のいずれか記載の末端修飾ポリアミック酸。In formula (1), the average value of n is 1.5 or more and 19 or less, The terminal modification polyamic acid in any one of Claims 1-3. 式(3)で表されるジアミンと式(4)で表されるテトラカルボン酸二無水物及び式(5)で表されるフェノール誘導体を、X/Y=0.600〜0.950、P=(Y−X)〜(Y−X)×3(但し、X、Y及びPは、それぞれジアミン、テトラカルボン酸二無水物及びフェノール誘導体の使用量(モル)である)となる使用割合で反応させることを特徴とする末端修飾ポリアミック酸の製造方法。
Figure 0004592999
(但し、式(3)、(4)及び(5)中、R1は2価の有機基であり、R2は4価の有機基であり、Zは光重合可能な炭素−炭素二重結合を有する有機基である)
A diamine represented by the formula (3), a tetracarboxylic dianhydride represented by the formula (4) and a phenol derivative represented by the formula (5) are represented by X / Y = 0.600 to 0.950, P = (Y-X) to (Y-X) x 3 (where X, Y and P are the amounts (moles) of diamine, tetracarboxylic dianhydride and phenol derivative used), respectively. A method for producing a terminal-modified polyamic acid, characterized by reacting.
Figure 0004592999
(In the formulas (3), (4) and (5), R 1 is a divalent organic group, R 2 is a tetravalent organic group, and Z is a photopolymerizable carbon-carbon double group. It is an organic group having a bond)
(A)請求項1〜4のいずれかに記載の末端修飾ポリアミック酸及び(B)光重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物。(A) The photosensitive resin composition containing the terminal modification polyamic acid in any one of Claims 1-4, and (B) photoinitiator. (A)請求項1〜4のいずれかに記載の末端修飾ポリアミック酸、(B)光重合開始剤及び(C)式(6)で表されるアミン末端化合物を含有する感光性樹脂組成物。
Figure 0004592999
(式中、R1はジアミンから生じる2価の有機基であり、R2はテトラカルボン酸又はその誘導体から生じる4価の有機基であり、mは0〜100の数である)
(A) The photosensitive resin composition containing the terminal modified polyamic acid in any one of Claims 1-4, (B) photoinitiator, and (C) the amine terminal compound represented by Formula (6).
Figure 0004592999
(In the formula, R 1 is a divalent organic group generated from diamine, R 2 is a tetravalent organic group generated from tetracarboxylic acid or a derivative thereof, and m is a number from 0 to 100).
請求項6又は7記載の感光性樹脂組成物の層を基材上に形成したことを特徴とする積層体。A laminate comprising a layer of the photosensitive resin composition according to claim 6 or 7 formed on a substrate. 請求項8記載の積層体を、マスクを介してパターン状に露光した後、アルカリ水溶液を用いて現像することを特徴とするパターン形成方法。A pattern forming method, comprising: exposing the laminate according to claim 8 in a pattern form through a mask, and then developing using an aqueous alkali solution. 請求項6又は7記載の感光性樹脂組成物を、加熱、硬化してなるポリイミド樹脂硬化物。A cured polyimide resin obtained by heating and curing the photosensitive resin composition according to claim 6.
JP2001129856A 2001-04-26 2001-04-26 Novel terminal-modified polyamic acid and photosensitive resin composition containing the same Expired - Fee Related JP4592999B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001129856A JP4592999B2 (en) 2001-04-26 2001-04-26 Novel terminal-modified polyamic acid and photosensitive resin composition containing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001129856A JP4592999B2 (en) 2001-04-26 2001-04-26 Novel terminal-modified polyamic acid and photosensitive resin composition containing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002322277A JP2002322277A (en) 2002-11-08
JP4592999B2 true JP4592999B2 (en) 2010-12-08

Family

ID=18978326

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001129856A Expired - Fee Related JP4592999B2 (en) 2001-04-26 2001-04-26 Novel terminal-modified polyamic acid and photosensitive resin composition containing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4592999B2 (en)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6900271B2 (en) * 2002-05-31 2005-05-31 Elsicon, Inc Hybrid polymer materials for liquid crystal alignment layers
JP4524458B2 (en) * 2002-05-31 2010-08-18 エルシコン・インコーポレーテッド Branched hybrid polymer material for optical alignment layer preparation
US6919404B2 (en) * 2002-05-31 2005-07-19 Elsicon, Inc. Hybrid polymer materials for liquid crystal alignment layers
JP2005321648A (en) * 2004-05-10 2005-11-17 Toyobo Co Ltd Negative photosensitive polyimide precursor composition
JP2005326579A (en) * 2004-05-13 2005-11-24 Toyobo Co Ltd Negative photosensitive polyimide precursor composition
JP2006193691A (en) * 2005-01-17 2006-07-27 Nippon Kayaku Co Ltd Photosensitive polyamic acid and photosensitive composition including the same
WO2010044381A1 (en) * 2008-10-14 2010-04-22 日本化薬株式会社 Phenolic hydroxyl group-containing polyimide resin and photosensitive resin composition using same
US9469941B2 (en) 2011-07-01 2016-10-18 Empire Technology Development Llc Paraben derivatives for preserving cellulosic materials
KR101548702B1 (en) * 2012-04-06 2015-09-01 주식회사 엘지화학 New poly-amic acid, photo-sensitive resin composition, dry film, and circuit board
JP6414060B2 (en) * 2013-07-23 2018-10-31 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 Resin composition, pattern forming method using the same, and electronic component

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05301960A (en) * 1992-04-27 1993-11-16 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Thermosetting oligomer and its production
JPH06329795A (en) * 1993-05-24 1994-11-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd Production of partially imidized photosensitive poly(amic acid) ester
JPH0882931A (en) * 1994-09-13 1996-03-26 Nippon Zeon Co Ltd Photosensitive polyimide resin composition
JPH11282157A (en) * 1997-10-31 1999-10-15 Nippon Zeon Co Ltd Polymide type photosensitive composition

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05301960A (en) * 1992-04-27 1993-11-16 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd Thermosetting oligomer and its production
JPH06329795A (en) * 1993-05-24 1994-11-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd Production of partially imidized photosensitive poly(amic acid) ester
JPH0882931A (en) * 1994-09-13 1996-03-26 Nippon Zeon Co Ltd Photosensitive polyimide resin composition
JPH11282157A (en) * 1997-10-31 1999-10-15 Nippon Zeon Co Ltd Polymide type photosensitive composition

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002322277A (en) 2002-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4930883B2 (en) Photosensitive resin composition and circuit board using the same
US6342333B1 (en) Photosensitive resin composition, patterning method, and electronic components
JPH10265571A (en) Photosensitive polyimidesiloxane, composition and insulating film
WO2006109514A1 (en) Photosensitive resin composition and circuit substrate employing the same
KR100291376B1 (en) Photosensitive resin composition
JP4592999B2 (en) Novel terminal-modified polyamic acid and photosensitive resin composition containing the same
EP0738745B1 (en) Polyimide precursor, polyimide and their use
JP4789657B2 (en) Photosensitive resin composition
US5587275A (en) Photosensitive resin composition and a process for forming a patterned polyimide film using the same
JPH11282157A (en) Polymide type photosensitive composition
JP2826979B2 (en) Photosensitive composition for i-line
JP5121115B2 (en) Method for producing cured film and method for producing electronic device
JP4399949B2 (en) Photosensitive resin composition, pattern manufacturing method, and electronic component
JP3518080B2 (en) Method for producing polyimide precursor composition
JP4524808B2 (en) Photosensitive resin composition and method for producing relief pattern
JP4329182B2 (en) Alkali negative developing photosensitive resin composition, pattern manufacturing method and electronic component
JP2003209104A (en) Semiconductor device and its material
JP2003238683A (en) Positive photosensitive resin composition
JP3363580B2 (en) Method for producing photosensitive resin composition and relief pattern
JPH11271973A (en) Photosensitive resin composition and semiconductor device using same
JPH11130858A (en) Polyimide, its precursor, their production and photosensitive resin composition
JP4568971B2 (en) Polyimide and its precursor, photosensitive resin composition, pattern manufacturing method and electronic component
JP2002040658A (en) Photosensitive resin composition, semiconductor device using the same and electronic component
JPH11282160A (en) Photosensitive polyimide composition and pattern forming method and semiconductor device using it
WO2002032966A1 (en) Photosensitive resin composition, solder resist comprising the same, cover lay film, and printed circuit board

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080121

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100902

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100914

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100915

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160924

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees