JPH11216753A

JPH11216753A - 光ディスク基板の製造方法

Info

Publication number: JPH11216753A
Application number: JP10297463A
Authority: JP
Inventors: Takao Hosokawa; 孝夫細川; Kouichi Warino; 孝一割野
Original assignee: Kuraray Co Ltd
Current assignee: Kuraray Co Ltd
Priority date: 1997-10-22
Filing date: 1998-10-20
Publication date: 1999-08-10

Abstract

(57)【要約】【課題】低複屈折の光ディスク基板を高い転写性で、
量産性良く製造する方法を提供すること。【解決手段】射出成形または射出圧縮成形により直径
が８０〜１２０ｍｍであり、厚さが０．５〜０．７ｍｍ
である光ディスク基板を製造するにあたり、樹脂が充填
される金型３のキャビティ７の体積（ｃｍ³）を、射出
成形機のノズルの先端から樹脂の射出が開始されてから
樹脂６が金型３のキャビティ７末端に達するまでの時間
（秒）で除すことにより求められる充填速度が６５ｃｍ
³／秒以上（好ましくは８０ｃｍ³／秒以上）である条件
で樹脂を射出充填することにより、冷却固化層５の発生
を抑える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光ディスク基板の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、光ディスクとして、コンパクトデ
ィスク（ＣＤ）、レーザーディスク（ＬＤ）などの再生
専用型、光磁気ディスク（ＭＯディスク）などの書き換
え型、記録可能なＣＤ（ＣＤ−Ｒ）などの追記型が開発
されてきた。これまでに開発されてきた光ディスクの概
略斜視図を図３に示す。図３に示すように、一般に、光
ディスクには所定の大きさのトラックピッチＰと所定の
深さＤとを有する案内溝（またはピット）１，２を有す
る基板が用いられている。光ディスクに記録された情報
の読み出しあるいは書き換えを行う際には、ピットに対
して、あるいは案内溝上の記録情報に対して、レンズに
よって集光された約８００ｎｍの波長を有するレーザー
光が照射される。従来、開発されてきた光ディスクの基
板１枚当たりの情報量は約６４０ＭＢである。

【０００３】近年、マルチメディア産業が発展してい
る。これにより、映像情報などの大容量の情報を記録す
ることが可能であり、しかもコンパクトであるという特
徴を持つ高密度光ディスクが求められるようになった。
しかし、従来のＣＤやＭＯディスクでは記憶容量が不足
し、市場の要求に応えることができない。

【０００４】そこで、ＣＤと同じ直径１２０ｍｍのサイ
ズを有しながら、ＣＤの７倍以上（４．７ＧＢ）の記録
密度を有する高密度再生専用型光ディスク（ＤＶＤ）の
開発が進んでいる（例えば、「工業材料」第４４巻第１
０号第１０３〜１０５頁（１９９６年）参照）。ＤＶＤ
は厚さが０．６ｍｍという、これまでの光ディスクより
も薄い基板を２枚貼り合わせたものである。ＤＶＤに記
録された情報の読み取りに使用されるレーザー光の波長
は６５０ｎｍまたは６３５ｎｍである。したがって、従
来、ＣＤの読み取りに用いられていたレーザー光の波長
（約８００ｎｍ）よりも短い波長のレーザー光で情報が
読み取られる。読み取りに使用されるレーザー光の波長
と、レンズで集光されたレーザー光のスポット径とは比
例する関係にある。波長の短いレーザー光を用いればス
ポット径が小さくなり、より高密度の情報を記録再生す
ることが可能となる。ＤＶＤのトラックピッチＰは
０．７４μｍであって、従来のＣＤのトラックピッチ
（１．６μｍ）の約１／２である。これによって、ＤＶ
Ｄでは記録密度が大幅に高くなっている。

【０００５】また、トラックピッチＰが１．４８μｍ、
溝幅Ｗが０．７４μｍの案内溝が基板上に形成され、該
案内溝の内側（凹状部）と隣り合う２つの案内溝の間
（凸状部）との両方に上記ＤＶＤと同じ長さの波長のレ
ーザー光が照射されることによって、相変化方式により
記録・書き換えが行われる情報が記録された高密度書き
換え型光ディスク（ＤＶＤ−ＲＡＭ）が開発されている
（麻倉著「ＤＶＤ」第１２６〜１３４頁オーム社１９９
６年発行）。このＤＶＤ−ＲＡＭは、ＣＤと同じ外径
（１２０ｍｍ）でありながら、ＣＤの約４倍の記録密度
（片面で２．６ＧＢ）を有している。ＤＶＤ−ＲＡＭ用
の基板も厚さが０．６ｍｍであり、０．６ｍｍの基板が
２枚貼り合わされてＤＶＤ−ＲＡＭが構成されている。
さらに、より短い波長（約４００ｎｍ）の青色レーザー
光によってディスク上の情報を記録・再生する、直径１
２０ｍｍ、板厚０．６ｍｍの基板を用いた超高記録密度
光ディスクの検討も行われている。

【０００６】一方、厚さが１．２ｍｍという従来のＣＤ
等と同じ厚さの光ディスクを高密度化する試みもなされ
ている。例えば、厚さが１．２ｍｍの基板に、トラック
ピッチの幅が０．３〜０．６μｍ、深さが１７０〜２５
０ｎｍの溝、あるいは幅が０．４〜０．７μｍ、深さが
２８０〜４００ｎｍのピットが形成された追記型光ディ
スク（ＣＤ−Ｒ）が提案されている（特開平９−７２３
２号公報参照）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】近年開発が進んでいる
ＤＶＤなどの高密度光ディスクの基板を製造する方法と
して、プラスチックなどの透明基材上に紫外線硬化型モ
ノマー層を形成し、該紫外線硬化型モノマー層にピット
（あるいは案内溝）の微細構造が反転されたパターンを
有するスタンパーを密着させ、上記の基材を介して紫外
線硬化型モノマー層に紫外線を照射し、モノマーを重合
・硬化させることにより基材上にピット（あるいは案内
溝）を形成する２Ｐ法（Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒｉｚ
ａｔｉｏｎ法）が検討されている（特開平９−１０６５
８５号公報等を参照）。２Ｐ法により光ディスク基板を
製造する方法によれば、低粘度の紫外線硬化型モノマー
を、スタンパーに形成されたピット（あるいは案内溝）
の微細構造の最末端にまで到達させることができる。紫
外線硬化型モノマーがピット（あるいは案内溝）の微細
構造の最末端まで行き渡った状態で、紫外線硬化型モノ
マーを硬化させるので、ピット（あるいは案内溝）の微
細な形状を高い精度で転写させることが可能である。し
かしながら、２Ｐ法により光ディスク基板を製造する方
法には、射出成形法により基板を製造する製造法に比べ
て量産性に劣り、製造コストが高いという課題が存在す
る。

【０００８】図４に、射出成形法によって光ディスク基
板を成形するときに、成形機のノズル先端から射出され
た合成樹脂がキャビティ（光ディスク形状の空間）に充
填される様子を模式的に示す。光ディスク基板を射出成
形法により製造する場合、ピット（あるいは案内溝）の
微細構造を反転したパターンが形成されたスタンパー４
が金型３に配置されてキャビティ７が構成される。光デ
ィスク基板の製造時には、金型３が所定の温度に調整さ
れて型締めされ、キャビティ７内に成形機のノズル先端
から射出された合成樹脂６が充填される。キャビティ７
の末端（基板の外縁に相当する。）まで合成樹脂６が到
達した後、合成樹脂６が加圧されることによって合成樹
脂６がスタンパーのピット等の微細構造に入り込む。そ
して、そのままで所定時間保持され、基板中心の樹脂を
含むキャビティ内の樹脂全体が冷却固化させて、スタン
パーの該微細構造が転写される。次いで、型締めされて
いた金型３が開かれ、光ディスク基板が金型３から取り
出される。射出成形法で光ディスク基板を製造する際、
キャビティに充填された樹脂が金型の壁面（キャビティ
を形成する面）と接触すると、その直後からキャビティ
壁面によって樹脂の熱が奪われる。樹脂温度の低下にし
たがって樹脂の粘度は上昇する。キャビティ壁面によっ
て樹脂の熱が奪われることによって冷却固化層５が発生
し、冷却固化層５の発生が進行しながら、樹脂がキャビ
ティ７に充填される。冷却固化層の発生による転写性の
低下などの問題は、射出圧縮成形法により高密度の光デ
ィスク基板を製造するときにも同様に生じる。

【０００９】射出成形法は、量産性に優れ、低コストで
あるという利点を有する成形方法である。しかし、冷却
固化層が発生すると、転写性が低下し、複屈折が高くな
るという問題が生じ、製造される基板の品質低下を招
く。従来よりもピット（あるいは案内溝）が微細である
高密度の光ディスク基板を射出成形法で製造しようとす
ると、冷却固化層の発生による問題はより顕著に現れ
る。

【００１０】すなわち、スタンパー表面に設けられたピ
ット（あるいは案内溝）が高密度化するに伴って、樹脂
がピットなどの微細構造の凹部に浸入しにくくなり、転
写不良が発生しやすくなる。例えば、案内溝の内側（凹
状部）と案内溝の間（凸状部）との両方に相変化方式の
記録を行うＤＶＤ−ＲＡＭ用の基板を従来の条件で成形
しようとしても、案内溝の間に樹脂が入りにくいために
凸状部が形成されない。このような基板を用いて光ディ
スクを製造しても、記録・再生ができなくなって不良品
となる。

【００１１】この課題を、従来より高めに温度設定され
た金型を用いて成形中に型締力を切り換える射出圧縮成
形法によって解決しようとする薄型光ディスク基板の製
造方法が開発されている（特開平７−１７６０８５号公
報参照）。この方法によれば、充填時の樹脂の粘度上昇
を防ぎ、複屈折を低減するという効果が得られる。しか
し、この方法では、用い得る基板材料が特定の成形樹脂
に限られる。また、金型温度が高いために、冷却固化後
に離型した基板が変形しやすい。さらに、冷却時間を従
来よりも長くとる必要があるので、成形サイクルも長く
なるという別の課題が生じていた。

【００１２】ところで、「光メモリシンポジウム'８６
論文集」第１７３頁以下には、ポリカーボネート樹脂
を用いて、充填速度が７９ｃｍ³／秒の条件によって直
径が１３０ｍｍで厚さが１．２ｍｍである光ディスク基
板（ＣＤ基板）を射出成形すること、ポリメチルメタ
クリレート樹脂を用いて、充填速度が６１ｃｍ³／秒の
条件によって上記の直径および厚さを有する光ディスク
基板（ＣＤ基板）を射出成形することが記載されてい
る。また、「高分子論文集」第４９巻第８号第７０３頁
以下では、ＣＤ基板の成形にあたり、充填速度を高くす
ることが転写性の向上に有効であることが言及されてい
る。しかし、ＤＶＤ基板のような、従来の光ディスク基
板よりも小型で薄く、しかも高密度化された光ディスク
基板の成形時における、転写性と充填速度との関係につ
いて示唆された文献はない。さらに、上記２つの文献に
記載された技術は基板の厚さが１．２ｍｍであるＣＤ基
板の製造についてのものであり、このような厚い基板で
充填速度を６０ｃｍ³／秒程度にしても、充填には２秒
程度の時間を要してしまい、充填途中で樹脂が冷却され
て粘度が上昇し、転写性が低下してしまう。

【００１３】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたも
ので、低複屈折の光ディスク基板を高い転写性で、量産
性良く製造する方法を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明では、射出成形または射出圧縮成形により直
径が８０〜１２０ｍｍであり、厚さが０．５〜０．７ｍ
ｍである光ディスク基板を製造するにあたり、樹脂が充
填される金型のキャビティの体積（ｃｍ³）を、射出成
形機のノズルの先端から樹脂の射出が開始されてから樹
脂が金型のキャビティ末端に達するまでの時間（秒）で
除すことにより求められる充填速度が６５ｃｍ³／秒以
上である条件で樹脂が射出充填される。上記の充填速度
は８０ｃｍ³／秒以上であることが好ましい。上記の充
填速度を充填時間に換算すると充填速度が６５ｃｍ³／
秒以上では充填時間が概ね０．１秒以下であり、８０ｃ
ｍ³／秒以上では０．０８秒以下である。

【００１５】射出成形機のノズルの先端から射出が開始
されてから金型のキャビティ末端に達するまでの樹脂の
溶融粘度は、１〜３０Ｐａ・ｓの範囲にあることが好ま
しい。また、上記の充填速度は、射出成形機のノズルの
先端から樹脂の射出が開始されてから樹脂が金型のキャ
ビティ末端に達するまでの間、キャビティに充填される
樹脂の金型近傍の温度が、樹脂がゴム状平坦領域から転
移領域に転換する温度で定義される流動停止温度より高
い温度にあるように設定されることが好ましい。ここ
で、金型近傍とは、樹脂が金型と接する面から１０μｍ
以内の部分を意味する。

【００１６】光ディスク基板成形用の材料としてＰＭＭ
Ａを用いた時の、弾性率の温度依存性を測定した結果を
図１に示す。樹脂温度の低下に伴って、樹脂はゴム状平
坦領域から、転移領域を経てガラス状態に移る。このゴ
ム状平坦領域から転移領域への転換点を流動停止温度と
呼ぶこととすると、図１に示した結果を得たＰＭＭＡの
流動停止温度は１２８℃となる。樹脂温度が流動停止温
度以下になると樹脂が流動しない。したがって、射出成
形法等によって光ディスクの基板を成形しようとすると
きに、樹脂温度が流動停止温度以下になると、ピット
（あるいは案内溝）のような微細な形状の転写ができな
くなる。また、充填完了直後の光ディスク基板の厚さ方
向で樹脂の粘度が異なり、金型面に近い領域ほど樹脂が
高粘度になる。加圧することによってスタンパーの形状
が樹脂に転写されるときには、高いせん断力を受けなが
ら樹脂が冷却固化されるために残留応力が大きくなる。
これによって、冷却固化後の基板の複屈折が大きくな
る。

【００１７】図２は、図１の結果を得たと同じＰＭＭＡ
について、射出成形または射出圧縮成形のために樹脂の
射出が開始された時点からの経過時間（秒）と、樹脂の
金型側表面付近（金型と接する面から１０μｍ中心より
の部分）の温度（℃）との関係を、コンピュータによる
冷却解析シミュレーションを行って求めた結果を示して
いる。なお、ここで行ったシミュレーションはＭＡＲＣ
を用いた非定常熱伝導解析によるものであり、射出され
る樹脂の温度を２８０℃、金型（熱伝導率が１０６０×
１０^-5ｃａｌ／ｍｍ／ｓｅｃ／℃である炭素鋼からなる
ものであるとする。）の温度を８５℃とした。図２によ
れば、表面微細形状の転写に影響する金型表面から１０
μｍ以内の樹脂温度は、金型の表面に樹脂が接触してか
ら約０．１秒も経過すると流動停止温度（１２８℃）以
下になってしまうことがわかる。

【００１８】上記のシミュレーションと同様の条件で射
出成形法または射出圧縮成形法によって光ディスクの基
板を成形しようとするときに、樹脂の充填速度が遅くキ
ャビティ末端までの充填が約０．１秒以上もかかると、
充填された樹脂の粘度の上昇が著しく大きくなる。この
ため、スタンパー上の微細構造の先端（凹状部の先端、
すなわち樹脂製の基板においては凸状部に相当する。）
まで樹脂が到達しないうちに流動が停止してしまう領域
が光ディスク基板の転写面の一部に現れる。これによっ
て、樹脂を加圧することによって、スタンパーの表面に
設けられた微細構造を樹脂に転写しようとしても転写不
良が生じる。また、光ディスク基板の複屈折が大きくな
る。

【００１９】本発明の光ディスクの製造方法では、樹脂
の射出充填中、すなわち、射出成形機のノズルの先端か
ら樹脂の射出が開始されてから樹脂が金型のキャビティ
末端に達するまでの間、金型のキャビティに充填される
樹脂の金型近傍の温度が、樹脂がゴム状平坦領域から転
移領域に転換する温度で定義される流動停止温度よりも
高い温度になるように樹脂の充填速度を高い速度に設定
することが好ましい。本発明の光ディスクの製造方法に
よって、直径が８０〜１２０ｍｍであり、厚さが０．５
〜０．７ｍｍである光ディスク基板を製造する際の充填
速度は６５ｃｍ³／秒以上（好ましくは８０ｃｍ³／秒以
上）という高い速度である。これによって、キャビティ
内に充填された樹脂が流動停止温度以上の温度を維持し
たまま、キャビティの末端まで到達することが可能にな
り、樹脂が加圧されてスタンパーの表面に設けられたピ
ット（あるいは案内溝）の微細構造の内部に樹脂が入り
込む時に、低い粘度を維持させることができる。

【００２０】本発明において射出成形機のノズルの先端
から射出が開始されてから金型のキャビティ末端に達す
るまでの間における樹脂の溶融粘度は１〜３０Ｐａ・ｓ
の範囲にあることが好ましいが、該樹脂がＰＭＭＡであ
れば３〜６Ｐａ・ｓの範囲にあることがより好ましく、
該樹脂がＰＣであれば５〜１５Ｐａ・ｓの範囲にあるこ
とがより好ましい。ここで、本明細書における溶融粘度
は、一般的に用いられている細孔流動試験法の定速方式
キャピラリ・レオメータにより各樹脂の成形温度におけ
るせん断速度と粘度との関係を測定し、このせん断速度
と粘度との関係を基にして、金型の流路形状と溶融樹脂
の流速とから求められるせん断速度から、射出成形機の
ノズルの先端から射出が開始されてから金型のキャビテ
ィ末端に達するまでの間における樹脂の溶融粘度を算出
した値である。また、熱可塑性樹脂の射出成形に関し、
コンピューターによる金型設計用の樹脂流動解析シミュ
レーションシステムに米国ジェネラルエレクトリック
（ＧＥ）社が扱っているシステム（モールドフロー）が
あり、該樹脂流動解析シミュレーションシステムを用い
て射出成形機のノズルの先端から射出が開始されてから
金型のキャビティ末端に達するまでの間における樹脂の
溶融粘度を解析することも可能である。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明により製造された基板に、
用途に応じた反射膜、記録膜等を積層して単板式の光デ
ィスクを製造することができる。また、反射膜、記録膜
等が積層された基板を２枚貼り合わせて貼り合わせ式の
光ディスクを製造することもできる。

【００２２】本発明では、記録・再生用レーザー光の波
長に対して透明であり、射出成形または射出圧縮成形が
可能な樹脂を用いることができる。具体的には、ポリメ
チルメタクリレートなどのアクリル系樹脂、ポリカーボ
ネート系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン系
樹脂、ポリエステル系樹脂等を挙げることができる。

【００２３】以下、実施例により本発明を具体的に説明
する。本実施例では、射出成形機として、ファナック
（株）製ロボショットα−５０Ｂを用いた。該射出成形
機の金型に円盤状スタンパーを装着し、直径１２０ｍ
ｍ、厚さ０．６ｍｍの光ディスク基板を射出圧縮成形法
により成形した。上記スタンパーには、トラックピッチ
が１．０μｍであり、溝幅が０．５μｍであり、深さが
１５０ｎｍである案内溝を反転したパターンが、半径２
３ｍｍから５８ｍｍの範囲に形成されている。成形材料
として、アクリル樹脂（クラレ（株）製パラペットＨ−
１０００ＳＤ）を用いた。

【００２４】成形した基板の表面にスパッタリング法に
よって白金を厚さが約１０ｎｍになるように成膜し、走
査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）により案内溝の断面形状
を測定した。測定した位置は、内周側（半径２４ｍｍ付
近）と外周側（半径５７ｍｍ付近）との２箇所である。
断面形状の測定結果より溝深さを求めた。求められた溝
深さの値を、同一位置におけるスタンパーの溝深さの値
で除した数値の百分率を求めた（以下、この値を「転写
率」という。）。また、溝尻光学（株）製エリプソメー
ターＤＶＡ−３６Ｌを用いて、成形された基板における
半径方向の複屈折分布を測定した。なお、本実施例にお
ける一次型締力から二次型締力への切替のタイミング
は、保圧終了後にスプール部のゲートカットをした直後
とした。

【００２５】実施例１〜６、比較例１〜３における成形
条件を表１に示す。また、実施例１〜６、比較例１〜３
で得られた基板の性能評価結果を表２に示す。なお、
実施例で用いた金型であれば、充填速度６５ｃｍ³／秒
では０．１秒で樹脂の充填が完了し、８０ｃｍ³／秒で
は０．０８秒で樹脂の充填が完了する。表1において、
型締圧力の欄は、充填・保圧工程、冷却初期工程、冷却
中期工程、冷却後期工程における型締圧力を順番に示し
ている。ここで、シリンダ温度（表１）が２８５℃以上
で金型温度が８０℃以上である実施例１〜５では射出成
形機のノズルの先端から射出が開始されてから金型のキ
ャビティ末端に達するまでの樹脂の溶融粘度が３Ｐａ・
ｓ以上であるが、シリンダ温度が２８０℃で金型温度が
８０℃である実施例６では樹脂の溶融粘度は５Ｐａ・ｓ
以上である。

【００２６】

【表１】

【００２７】

【表２】

【００２８】表２から明らかなように、本発明の実施例
で得られた薄型光ディスク基板は比較例の薄型光ディス
ク基板に比べ転写性が向上しており、内周から外周まで
９０％以上の転写率となっている。そして、ＰＭＭＡの
溶融粘度が３〜５Ｐａ・ｓ（実施例１〜５）であれば、
内周から外周まで９５％以上という極めて高い転写率が
得られている。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、量産性に優れた射出成
形法または射出圧縮成形法において、従来のＣＤなどよ
りもピット（あるいは案内溝）が高密度化されたスタン
パーを用いても転写性の低下を招くことなく、光ディス
クの基板を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＰＭＭＡの粘弾性の温度依存性を示す図であ
る。

【図２】ＰＭＭＡ成形品の表面付近の温度と時間との関
係をシミュレーションした結果を示す図である。

【図３】光ディスク基板の表面に形成されるピットまた
は案内溝の断面構造を示す図である。

【図４】成形機のノズル先端からキャビティに射出され
た合成樹脂が充填される様子を模式的に示した図であ
る。

【符号の説明】

１案内溝２案内溝間３金型４スタンパー５冷却固化層６溶融樹脂７キャビティ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】射出成形または射出圧縮成形により直径
が８０〜１２０ｍｍであり、厚さが０．５〜０．７ｍｍ
である光ディスク基板を製造するにあたり、樹脂が充填
される金型のキャビティの体積（ｃｍ³）を、射出成形
機のノズルの先端から樹脂の射出が開始されてから樹脂
が金型のキャビティ末端に達するまでの時間（秒）で除
すことにより求められる充填速度が６５ｃｍ³／秒以上
である条件で樹脂が射出充填されることを特徴とする光
ディスク基板の製造方法。
【請求項２】充填速度が８０ｃｍ³／秒以上である条
件で樹脂が射出充填される請求項１記載の光ディスク基
板の製造方法。
【請求項３】射出成形機のノズルの先端から射出が開
始されてから金型のキャビティ末端に達するまでの樹脂
の溶融粘度が１〜３０Ｐａ・ｓの範囲にある請求項１ま
たは２記載の光ディスク基板の製造方法。
【請求項４】射出成形機のノズルの先端から樹脂の射
出が開始されてから樹脂が金型のキャビティ末端に達す
るまでの間、キャビティに充填される樹脂の金型近傍の
温度が、樹脂がゴム状平坦領域から転移領域に転換する
温度で定義される流動停止温度より高い温度にある請求
項１ないし３のいずれか１項に記載の光ディスク基板の
製造方法。
【請求項５】射出成形または射出圧縮成形により直径
が８０〜１２０ｍｍであり、厚さが０．５〜０．７ｍｍ
である光ディスク基板を製造するにあたり、樹脂の充填
時間が０．１秒以下である条件で樹脂が射出充填される
ことを特徴とする光ディスク基板の製造方法。
【請求項６】充填時間が０．０８秒以下である条件で
樹脂が射出充填される請求項５記載の光ディスク基板の
製造方法。
【請求項７】射出成形機のノズルの先端から射出が開
始されてから金型のキャビティ末端に達するまでの樹脂
の溶融粘度が１〜３０Ｐａ・ｓの範囲にある請求項５ま
たは６記載の光ディスク基板の製造方法。
【請求項８】射出成形機のノズルの先端から樹脂の射
出が開始されてから樹脂が金型のキャビティ末端に達す
るまでの間、キャビティに充填される樹脂の金型近傍の
温度が、樹脂がゴム状平坦領域から転移領域に転換する
温度で定義される流動停止温度より高い温度にある請求
項５ないし７のいずれか１項に記載の光ディスク基板の
製造方法。