JPH11214850A - Printed wiring board and production thereof - Google Patents

Printed wiring board and production thereof

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JPH11214850A
JPH11214850A JP2657298A JP2657298A JPH11214850A JP H11214850 A JPH11214850 A JP H11214850A JP 2657298 A JP2657298 A JP 2657298A JP 2657298 A JP2657298 A JP 2657298A JP H11214850 A JPH11214850 A JP H11214850A
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insulating layer
forming
electroplating
wiring pattern
conductive film
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Takashi Ito
孝史 伊東
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恵嗣 瀬川
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a production method for printed wiring board in which fine patterning is effected while decreasing the number of steps by employing dry etching or sputtering. SOLUTION: The production method for printed wiring board comprises a step for forming a wiring pattern 2 on the surface of a core material 1, a step, for forming an insulation layer 3 of organic resin mixed with an inorganic filler 5 on the surface of the core material 1 including the wiring pattern 2, a step for making a contact hole 8 reaching the wiring pattern 2 in the insulation layer 3, a step for roughening the surface of the insulation layer 3 by dry etching, a step for forming a conductive film 13 for electroplating on the surface of the insulation layer 3 containing the inorganic filler by vacuum deposition, and a step for forming a conductor film 14 on the conductive film 13 by electroplating. In other words, a fine patterned printed board is produced while decreasing the number of steps by employing dry etching or sputtering.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ベアチップのよう
な電子部品を実装するいわゆる多層プリント基板(ビル
トアップ基板)のようなプリント基板の製造方法及びプ
リント基板に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a printed circuit board such as a so-called multilayer printed circuit board (built-up board) on which electronic components such as bare chips are mounted, and a printed circuit board.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、電子機器にあっては、各種の電
子部品等の回路素子を実装するためのプリント基板が使
用されているが、近年の装置や回路素子の小形化及び高
集積化の要請により、プリント基板自体の小形化及び配
線パターンの微細化が求められている。現状において
は、プリント基板の配線パターンのライン幅及びライン
間幅はそれぞれ100μm程度のオーダであるが、今後
の傾向としては、更なる微細化のために上記ライン幅や
ライン間幅は20〜50μm程度のオーダのものが求め
られる。ここでプリント基板の従来の製造方法について
図8〜図10を参照して説明する。
2. Description of the Related Art In general, in electronic equipment, a printed circuit board for mounting circuit elements such as various electronic parts is used. However, in recent years, devices and circuit elements have become smaller and more highly integrated. Due to the demand, miniaturization of the printed circuit board itself and miniaturization of the wiring pattern are required. At present, the line width and the line-to-line width of the wiring pattern of the printed circuit board are each on the order of about 100 μm. Something of the order is required. Here, a conventional method of manufacturing a printed circuit board will be described with reference to FIGS.

【0003】まず、図8(A)に示すように、例えばガ
ラスエポキシ樹脂等よりなる絶縁性のコア材1の表面に
銅箔等を形成してこれをパターニングすることにより所
定の配線パターン2を形成する。この配線パターン2の
線幅L1や線間幅L2は、現状ではそれぞれ最低でも1
00μm程度であり、その厚みW1は20μm程度であ
る。この配線パターン2の表面は、後工程のエポキシ樹
脂層との密着度を上げるために酸化されて黒化処理が施
される。
First, as shown in FIG. 8A, a predetermined wiring pattern 2 is formed by forming a copper foil or the like on the surface of an insulating core material 1 made of, for example, a glass epoxy resin and patterning the same. Form. At present, the line width L1 and the line width L2 of the wiring pattern 2 are at least 1 respectively.
The thickness W1 is about 20 μm. The surface of the wiring pattern 2 is oxidized and blackened to increase the degree of adhesion to the epoxy resin layer in a later step.

【0004】次に、図8(B)に示すように、上記コア
材1の表面全体に第1の絶縁層3及び図8(C)に示す
ように第2の絶縁層4をそれぞれスクリーン印刷等の方
法を用いて順次塗布形成する。図9は図8(C),
(D)中のA部の拡大図を示しており、各絶縁層3、4
の材料の主体的材料は例えばエポキシ樹脂よりなる。図
9に示すように第1の絶縁層3中には、絶縁特性を向上
させるために無機系フィラーとして粒径L3が略1μm
のSiO2 フィラー5が適当量だけ混入されており、そ
の厚さT1は50μm程度に設定される(図8(C)参
照)。また、第2の絶縁層4には、後述する粗化工程で
溶解されるための無機フィラーとして粒径L4が略10
μmのCaCO3 フィラー6が適当量だけ混入されてお
り、その厚さT2は20μm程度に設定される。
Next, as shown in FIG. 8B, a first insulating layer 3 is screen-printed on the entire surface of the core material 1 and a second insulating layer 4 is printed as shown in FIG. Etc. are sequentially applied and formed. FIG. 9 is FIG.
FIG. 3D is an enlarged view of a portion A in FIG.
The main material of this material is, for example, an epoxy resin. As shown in FIG. 9, the first insulating layer 3 has a particle diameter L3 of about 1 μm as an inorganic filler in order to improve insulation properties.
The SiO 2 filler 5 is mixed in an appropriate amount, and its thickness T1 is set to about 50 μm (see FIG. 8C). The second insulating layer 4 has a particle diameter L4 of about 10 as an inorganic filler to be dissolved in a roughening step described later.
An appropriate amount of the CaCO 3 filler 6 of μm is mixed in, and its thickness T2 is set to about 20 μm.

【0005】次に、図8(D)に示すように電気的接続
部に例えば炭酸ガスレーザ光7を用いて上記第1及び第
2の絶縁層3、4を貫通するように接続用ホール8を選
択的に形成し、内部の配線パターン2を露出させる。こ
のホール8の直径D1は100μm程度である。次に、
図8(E)に示すようにアルカリ性の粗化溶液、例えば
過マンガン酸カリウム溶液を上記第2の絶縁層4の表面
に作用させることにより、この表面に露出している上記
CaCO3 の無機フィラー6を溶解して多数の凹凸部9
を形成して絶縁層4の表面を粗面化する。図10は図8
(E)中のB部を示す拡大図である。また、上記接続用
ホール8内にはレーザ光7による穴開けの際に発生する
屑が残渣10(図8(D)参照)となって残存するが、
上記過マンガン酸カリウム溶液の作用によって、この残
渣10がクリーニングされて除去される。
[0005] Next, as shown in FIG. 8 (D), a connection hole 8 is penetrated through the first and second insulating layers 3 and 4 by using, for example, a carbon dioxide laser beam 7 in an electric connection portion. It is selectively formed and the internal wiring pattern 2 is exposed. The diameter D1 of the hole 8 is about 100 μm. next,
As shown in FIG. 8E, an alkaline roughening solution, for example, a potassium permanganate solution is applied to the surface of the second insulating layer 4 so that the CaCO 3 inorganic filler exposed on this surface is exposed. 6 is melted to form many uneven portions 9
Is formed to roughen the surface of the insulating layer 4. FIG. 10 shows FIG.
It is an enlarged view which shows the B section in (E). Further, in the connection hole 8, debris generated when the laser beam 7 is used to form a hole remains as a residue 10 (see FIG. 8D).
The residue 10 is cleaned and removed by the action of the potassium permanganate solution.

【0006】次に、図8(F)に示すように次工程の無
電解メッキの下地を作るために、例えば錫とパラジウム
を溶解してなる溶液を絶縁層4の表面に作用させてキャ
タリシス12を付着させ、絶縁層表面全体の導通を図
る。次に、図8(G)に示すように無電解メッキによっ
て、絶縁層4の表面全体に亘って例えば厚みが0.3μ
m程度になるまで銅等よりなる電気メッキ用導電膜13
を形成する。更に、図8(H)に示すように上記電気メ
ッキ用導電膜13上に、電気メッキにより例えば銅より
なる導体膜14を20μm程度の厚みで形成することに
なる。これにより、導体膜14と下層の配線パターン2
との導通を図ることができる。通常の工程では、この
後、絶縁層を形成した後に配線のパターニングを再度行
ない、前述の工程を繰り返すことにより各層のプリント
基板を製造する。
[0008] Next, as shown in FIG. 8 (F), in order to form a base for electroless plating in the next step, for example, a solution formed by dissolving tin and palladium is applied to the surface of the insulating layer 4 to form a catalyst 12. To make the entire surface of the insulating layer conductive. Next, as shown in FIG. 8G, for example, a thickness of 0.3 μm is applied over the entire surface of the insulating layer 4 by electroless plating.
m for electroplating conductive film 13 of copper or the like
To form Further, as shown in FIG. 8H, a conductive film 14 made of, for example, copper is formed on the conductive film 13 for electroplating with a thickness of about 20 μm by electroplating. Thereby, the conductive film 14 and the lower wiring pattern 2
Can be conducted. In a normal process, after that, after forming an insulating layer, wiring patterning is performed again, and a printed circuit board of each layer is manufactured by repeating the above-described process.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した製
造方法において配線パターン2の線幅或いは線間幅を5
0μm以下に微細化するには絶縁層3、4を薄くし、そ
れに伴い接続用ホール8の径も小さくする必要がある
が、これで良好なプリント基板を形成するのは非常に困
難であった。その理由は、第2の絶縁層4中に含まれる
無機フィラー6の直径L4が10μm程度なので、この
寸法が線幅等と比較して大き過ぎてパターンを直線状に
精度良く形成することが非常に難しくなる。これに対し
て、無機フィラー6の直径を小さくすることも考えられ
るが、この場合にはキャタリシス溶液が十分に凹凸部9
内に浸入しなくなってしまうので採用することはできな
い。
By the way, in the above-mentioned manufacturing method, the line width or the line width of the wiring pattern 2 is set to 5 or less.
In order to reduce the size to 0 μm or less, it is necessary to reduce the thickness of the insulating layers 3 and 4 and the diameter of the connection holes 8 accordingly. However, it was very difficult to form a good printed circuit board with this. . The reason is that the diameter L4 of the inorganic filler 6 contained in the second insulating layer 4 is about 10 μm, so that this dimension is too large compared to the line width or the like, so that it is very difficult to form a pattern with high accuracy in a straight line. Becomes difficult. On the other hand, it is conceivable to reduce the diameter of the inorganic filler 6. In this case, however, the catalysis solution is sufficiently filled with the uneven portions 9.
It cannot be adopted because it will not penetrate inside.

【0008】また、上述のように微細化に伴って接続用
ホール8の直径も50μm以下に設定することが望まれ
るが、このホール径が小さくなると、このホール8内に
過マンガン酸カリウム液やキャタリシス液が浸入し難く
なり、残渣10を十分に除去できないばかりか、メッキ
により形成する導体膜14と下地のパターン2との導通
が十分にとれない場合もある。更に、上述した製造方法
では2つの絶縁層3、4が必要であるばかりか、アルカ
リ性の過マンガン酸カリウム液やキャタリシス液等を多
用する湿式を採用していることから、その都度、薬液を
洗い流す洗浄処理が必要であり、全体的に工程数が増加
してコスト高を招来してしまう。また、CaCO3 より
なる無機フィラー6は吸湿性が強いことから湿式処理を
行なう度に水分を吸収して絶縁性能を劣化させる恐れも
あった。
In addition, as described above, it is desired that the diameter of the connection hole 8 be set to 50 μm or less in accordance with the miniaturization. In some cases, it becomes difficult for the catalysis solution to enter, so that not only the residue 10 cannot be sufficiently removed, but also the conduction between the conductive film 14 formed by plating and the underlying pattern 2 cannot be sufficiently obtained. Further, in the above-described manufacturing method, not only the two insulating layers 3 and 4 are required, but also a chemical method is used in which a chemical solution is washed away each time since a wet method using an alkaline potassium permanganate solution or a catalysis solution is used. Since a cleaning process is required, the number of steps is increased as a whole, resulting in an increase in cost. In addition, since the inorganic filler 6 made of CaCO 3 has a high hygroscopicity, it may absorb moisture every time the wet treatment is performed, thereby deteriorating the insulation performance.

【0009】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものであり、その目
的はドライエッチングやスパッタ成膜を用いることによ
って、少ない工程数でファインパターン化されたプリン
ト基板の製造方法及びプリント基板を提供することにあ
る。
The present invention focuses on the above problems,
The purpose of the present invention is to provide a method of manufacturing a fine-patterned printed circuit board and a printed circuit board with a small number of processes by using dry etching or sputter film formation. is there.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、コア材の表面に配線パターンを形成す
る工程と、前記配線パターンを含む前記コア材の表面に
無機系フィラーの混入された有機樹脂よりなる絶縁層を
形成する工程と、前記絶縁層に前記配線パターンまで届
く接続用ホールを選択的に形成する工程と、ドライエッ
チングにより前記絶縁層の表面を除去して粗面化する工
程と、真空成膜により前記無機系フィラーを含む前記絶
縁層の表面に電気メッキ用導電膜を形成する工程と、電
気メッキにより前記電気メッキ用導電膜上に導体膜を形
成する工程とを含むように構成したものである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention comprises a step of forming a wiring pattern on a surface of a core material, and a step of forming an inorganic filler on the surface of the core material including the wiring pattern. A step of forming an insulating layer made of a mixed organic resin, a step of selectively forming a connection hole reaching the wiring pattern in the insulating layer, and removing the surface of the insulating layer by dry etching to obtain a rough surface. Forming a conductive film for electroplating on the surface of the insulating layer containing the inorganic filler by vacuum film formation; and forming a conductive film on the conductive film for electroplating by electroplating. Is included.

【0011】これにより、工程数を増加させることな
く、むしろ従来方法よりも少ない工程数で線幅や線間幅
が微細化されたプリント基板を形成することが可能とな
る。この場合、前記粗面化工程と前記電気メッキ用導電
膜の形成工程との間に、前記絶縁層の表面に露出してい
る前記無機系フィラーを除去するフィラー除去工程を含
むようにすれば、絶縁層の表面から脱落しかかっている
遊離状態の遊離フィラーを排除でき、その分、電気メッ
キ用導電膜と絶縁層表面との密着性を向上させることが
できる。
As a result, it is possible to form a printed circuit board having a reduced line width and line width with a smaller number of steps than in the conventional method without increasing the number of steps. In this case, between the surface roughening step and the step of forming the electroplating conductive film, a filler removing step of removing the inorganic filler exposed on the surface of the insulating layer may be included. The free filler that is falling off from the surface of the insulating layer can be removed, and the adhesion between the electroplating conductive film and the surface of the insulating layer can be improved accordingly.

【0012】更に、前記粗面化工程の後に、前記絶縁層
の表面をドライエッチングにより更に微細に粗面化する
微細粗面化工程を行なうことにより、絶縁層の表面は更
に微細に粗面化されるので、これと電気メッキ用導電膜
との密着性を更に向上させることが可能となる。
Further, after the surface roughening step, a fine surface roughening step of further finely roughening the surface of the insulating layer by dry etching is performed, whereby the surface of the insulating layer is further finely roughened. Therefore, it is possible to further improve the adhesion between this and the electroplating conductive film.

【0013】前記ドライエッチングは、例えば高酸素分
圧下の反応性イオンエッチングを用いることができ、ま
た、前記微細粗面化工程は、低酸素分圧下の反応性イオ
ンエッチングにより行なうことができる。
For the dry etching, for example, reactive ion etching under a high oxygen partial pressure can be used, and the fine graining step can be performed by a reactive ion etching under a low oxygen partial pressure.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るプリント基
板の製造方法及びプリント基板の一実施例を添付図面に
基づいて詳述する。尚、図8〜図10を参照して説明し
た従来のプリント基板と同じ構成については同じ参照符
号を付して説明する。図1は本発明に係るプリント基板
の製造方法を示す工程図、図2は図1中のC部を示す拡
大図、図3は図1中のD部を示す拡大図である。本発明
方法の特徴は、湿式処理は電気メッキ処理と遊離フィラ
ー除去処理だけとし、他の工程はドライエッチングやス
パッタリングを用いて処理した点にある。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a perspective view of a printed circuit board manufacturing method and a printed circuit board according to an embodiment of the present invention; The same components as those of the conventional printed circuit board described with reference to FIGS. 1 is a process diagram showing a method of manufacturing a printed circuit board according to the present invention, FIG. 2 is an enlarged view showing a portion C in FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view showing a portion D in FIG. A feature of the method of the present invention is that the wet processing is only an electroplating processing and a free filler removing processing, and the other steps are performed by dry etching or sputtering.

【0015】まず、図1(A)に示すように、例えばガ
ラスエポキシ樹脂等よりなる絶縁性のコア材1の表面に
銅箔等を形成してこれをパターニングすることにより所
定の配線パターン2を形成する。この配線パターン2の
線幅L5や線間幅L6は、それぞれ25〜50μm程度
であり、従来のプリント基板よりも微細化されている。
また、パターン2の厚みW2は20μm程度である。こ
の配線パターン2の表面は、後工程のエポキシ樹脂層と
の密着度を上げるために酸化されて黒化処理が施され
る。尚、配線パターン2の線幅L5や線間幅L6を上記
幅に設定することなく、従来の技術で示した線幅L1や
線間幅L2に設定してもよく、その寸法には限定されな
い。
First, as shown in FIG. 1A, a predetermined wiring pattern 2 is formed by forming a copper foil or the like on the surface of an insulating core material 1 made of, for example, a glass epoxy resin and patterning the same. Form. The line width L5 and the line width L6 of the wiring pattern 2 are each about 25 to 50 μm, which is smaller than a conventional printed circuit board.
The thickness W2 of the pattern 2 is about 20 μm. The surface of the wiring pattern 2 is oxidized and blackened to increase the degree of adhesion to the epoxy resin layer in a later step. Note that the line width L5 and the line width L6 of the wiring pattern 2 may be set to the line width L1 and the line width L2 shown in the related art without being set to the above-mentioned widths, and the dimensions are not limited. .

【0016】次に、図1(B)に示すように、上記コア
材1の表面全体に絶縁層3をスクリーン印刷等の方法を
用いて塗布形成する。この絶縁層3としては、先に説明
した第1の絶縁層3と全く同じ材料が用いられている。
すなわち、図2に示すようにこの絶縁層3の材料の主体
的材料は例えばエポキシ樹脂よりなる。この絶縁層3中
には、絶縁特性を向上させるために無機系フィラーとし
て粒径L3が略1μmのSiO2 フィラー5が適当量だ
け混入されており、その厚さT3は20〜30μm程度
に設定されており、従来のプリント基板の50μm程度
よりはかなり薄く形成されている。
Next, as shown in FIG. 1B, an insulating layer 3 is formed on the entire surface of the core material 1 by a method such as screen printing. As the insulating layer 3, the same material as that of the first insulating layer 3 described above is used.
That is, as shown in FIG. 2, the main material of the insulating layer 3 is, for example, an epoxy resin. The insulating layer 3 contains an appropriate amount of an SiO 2 filler 5 having a particle size L3 of about 1 μm as an inorganic filler to improve the insulating properties, and the thickness T3 is set to about 20 to 30 μm. It is formed much thinner than the conventional printed circuit board of about 50 μm.

【0017】次に、図1(C)に示すように電気的接続
部に例えばレーザ光7を用いて上記絶縁層3を貫通する
ように接続用ホール8を選択的に形成し、内部の配線パ
ターン2を露出させる。このホール8の直径D2は20
〜50μm程度であり、従来のプリント基板の場合より
もかなり小さく設定している。
Next, as shown in FIG. 1C, a connection hole 8 is selectively formed in the electrical connection portion by using, for example, a laser beam 7 so as to penetrate the insulating layer 3, thereby forming an internal wiring. The pattern 2 is exposed. The diameter D2 of this hole 8 is 20
5050 μm, which is considerably smaller than that of a conventional printed circuit board.

【0018】次に、このコア材全体をドライエッチング
装置内へ導入して図1(D)に示すようにドライエッチ
ング処理を施すことにより、有機物である絶縁層3のみ
の表面を僅かな厚みだけ削り取って除去する。この場
合、図3にも示すように無機物である無機系フィラー5
はドライエッチングでは除去されずに一部が露出したま
ま残り、結果的に表面全体に凹凸が現れて粗面化される
ことになる。この時のエッチング処理を行なうには、プ
ラズマ形成用の高周波電源を用いた通常のRIE(反応
性イオンエッチング)装置を用いればよく、有機物をド
ライエッチングするためにエッチングガスとしてO2
スを用い、また、エッチングレートを大きくするために
高酸素分圧下で行なう。この酸素分圧は、目標とするエ
ッチングレートにもよるが、例えば0.05〜0.1T
orr程度に設定すればよい。
Next, the entire core material is introduced into a dry etching apparatus and subjected to a dry etching treatment as shown in FIG. 1 (D), so that the surface of only the insulating layer 3 which is an organic substance is reduced by a slight thickness. Remove by shaving. In this case, as shown in FIG.
Is not removed by dry etching but remains partially exposed, and consequently unevenness appears on the entire surface and the surface is roughened. In order to perform the etching process at this time, a normal RIE (reactive ion etching) device using a high-frequency power supply for plasma formation may be used, and an O 2 gas is used as an etching gas for dry-etching organic substances. In order to increase the etching rate, the etching is performed under a high oxygen partial pressure. Although this oxygen partial pressure depends on a target etching rate, for example, 0.05 to 0.1 T
It may be set to about orr.

【0019】また、上記接続用ホール8内にはレーザ光
7による穴開けの際に発生する屑が残渣10(図1
(C)参照)となって残存するが、上記ドライエッチン
グ処理によってH2 OやCO2 に分解され、この残渣1
0が除去される。
In the connection hole 8, debris generated when drilling by the laser beam 7 is left as a residue 10 (FIG. 1).
(See (C)), but is decomposed into H 2 O and CO 2 by the above dry etching treatment.
0 is removed.

【0020】次に、このコア材全体を真空成膜法を用い
たスパッタ成膜装置内へ導入してスパッタ成膜を行な
い、図1(E)に示すように絶縁層3の表面やホール8
の内壁面の全体に亘って例えば厚みが0.3μm程度に
なるまで銅等よりなる電気メッキ用導電膜13を形成す
る。このスパッタ装置としては、例えば直流マグネトロ
ンスパッタ成膜装置を用いることができ、プラズマガス
としてはArガスを用いることができる。尚、電気メッ
キ用導電膜13の成膜は、スパッタ成膜装置を用いて行
った場合だけに限定されるものではなく、真空成膜法な
らばどのような方法で成膜してもよい。次に、図1
(F)に示すように上記電気メッキ用導電膜13上に、
電気メッキにより例えば銅よりなる導体膜14を10μ
m程度の厚みで形成することになる。これにより、導体
膜14と下層の配線パターン2との導通を図ることがで
きる。通常の工程では、この後、絶縁層を形成した後に
配線のパターニングを再度行ない、前述の工程を繰り返
すことにより多層のプリント基板(ビルトアップ基板)
を製造する。
Next, the entire core material is introduced into a sputter film forming apparatus using a vacuum film forming method to perform sputter film formation, and as shown in FIG.
An electroplating conductive film 13 made of copper or the like is formed over the entire inner wall surface until the thickness becomes, for example, about 0.3 μm. As the sputtering device, for example, a DC magnetron sputtering film forming device can be used, and as the plasma gas, Ar gas can be used. The film formation of the electroplating conductive film 13 is not limited to the case where the film is formed using a sputtering film forming apparatus, but may be formed by any method as long as it is a vacuum film forming method. Next, FIG.
As shown in (F), on the electroplating conductive film 13,
The conductive film 14 made of, for example, copper is
It is formed with a thickness of about m. Thereby, conduction between the conductor film 14 and the lower wiring pattern 2 can be achieved. In a normal process, after that, after forming an insulating layer, wiring patterning is performed again, and the above-described process is repeated to form a multilayer printed board (built-up board).
To manufacture.

【0021】このように、本発明方法によれば、湿式処
理を行なう工程は図1(F)に示す電気メッキ処理工程
及び後述する遊離フィラー除去工程(図4)のみとし、
他の工程では液体を使用しないドライな工程としたの
で、従来方法で必要としていた多数の洗浄工程や中和工
程を不要とすることができる。また、従来方法では1層
以上の2層の絶縁層を用いていたが、本発明方法で使用
する絶縁層は、1層だけで済ますことができる。従っ
て、処理工程数を従来方法の場合よりも増やすことな
く、むしろ少なくして、微細化された配線パターンを有
するプリント基板を製造することが可能となる。
As described above, according to the method of the present invention, the steps for performing the wet processing are only the electroplating step shown in FIG. 1 (F) and the free filler removing step (FIG. 4) described later.
Since the other processes are dry processes that do not use a liquid, a number of washing processes and neutralization processes required by the conventional method can be eliminated. Further, in the conventional method, one or more insulating layers are used, but only one insulating layer can be used in the method of the present invention. Accordingly, it is possible to manufacture a printed circuit board having a miniaturized wiring pattern without increasing the number of processing steps as compared with the case of the conventional method.

【0022】更に、従来方法で用いた吸水性のあるCa
Co3 フィラーを用いる必要がないので、その分、絶縁
性を高めることができる。上記実施例では、図3に示す
ように絶縁層3の表面に一部が露出した無機系フィラー
5が存在する状態で図1(E)に示すように電気メッキ
用導電膜13を形成したが、この場合には一部が露出し
た無機系フィラー5が後工程等において、絶縁層3の表
面から脱落して遊離することが考えられ、この遊離した
遊離フィラーが発生すると、絶縁層3と上層の電気メッ
キ用導電膜13の密着性が劣化する恐れが生ずる。その
ため、電気メッキ用導電膜13を形成する前に、この一
部が露出した無機系フィラー5を除去する遊離フィラー
除去工程を組み入れるのが好ましい。この遊離フィラー
除去工程は、図4に示すようにドライエッチング工程後
のコア材全体を純水中に浸漬し、これに超音波を印加す
ることにより超音波洗浄を施す。図5は図4中のE部を
示す拡大図である。これにより、絶縁層3の表面に一部
が露出していた無機系フィラー5は脱落して遊離フィラ
ー5Aとなって除去されることになる。また、無機系フ
ィラー5が脱落した部分には、凹部15が形成されるこ
とになり、これにより、絶縁層3の表面全体は、凹凸状
になって粗面化状態に維持されている。
Further, the water-absorbing Ca used in the conventional method is used.
Since it is not necessary to use a Co 3 filler, the insulating property can be improved accordingly. In the above embodiment, the electroplating conductive film 13 was formed as shown in FIG. 1E in a state where the inorganic filler 5 partially exposed on the surface of the insulating layer 3 as shown in FIG. In this case, it is conceivable that the inorganic filler 5 partially exposed is dropped from the surface of the insulating layer 3 and separated in a later step or the like, and when the separated free filler is generated, the insulating layer 3 and the upper layer are removed. , The adhesion of the electroplating conductive film 13 may be deteriorated. Therefore, before forming the electroplating conductive film 13, it is preferable to incorporate a free filler removing step of removing the inorganic filler 5 having a part thereof exposed. In this free filler removing step, as shown in FIG. 4, the entire core material after the dry etching step is immersed in pure water, and ultrasonic cleaning is performed by applying ultrasonic waves to the core material. FIG. 5 is an enlarged view showing a portion E in FIG. As a result, the inorganic filler 5 partially exposed on the surface of the insulating layer 3 falls off and becomes a free filler 5A and is removed. In addition, a concave portion 15 is formed in a portion where the inorganic filler 5 has dropped off, whereby the entire surface of the insulating layer 3 becomes uneven and is maintained in a roughened state.

【0023】この状態で、絶縁層3の表面にスパッタ成
膜装置により図1(E)に示すような電気メッキ用導電
膜13を形成すれば、上記した遊離フィラー5Aによる
密着性の劣化を防止することができ、より高い密着性を
得ることが可能となる。また更に、図4に示す絶縁層5
上に直接電気メッキ用導電膜13を形成するようにした
上述した工程ではなく、密着性を更に向上させるために
図6に示すように遊離フィラー5Aの除去後の絶縁層3
の表面を更に微細に粗面化する微細粗面化工程を行なう
ようにしてもよい。図7は図6中のF部を示す拡大図で
ある。尚、この微細粗面化工程は、図1(D)に示す工
程の次に行なうようにしてもよい。
In this state, if the electroconductive film 13 for electroplating as shown in FIG. 1E is formed on the surface of the insulating layer 3 by a sputtering film forming apparatus, the above-mentioned deterioration of adhesion due to the free filler 5A is prevented. And higher adhesion can be obtained. Further, the insulating layer 5 shown in FIG.
Instead of the above-described process of forming the electroplating conductive film 13 directly on the insulating layer 3, as shown in FIG.
A fine surface roughening step of further finely roughening the surface may be performed. FIG. 7 is an enlarged view showing a portion F in FIG. This fine roughening step may be performed after the step shown in FIG.

【0024】この微細粗面化工程では、有機物よりなる
絶縁層3の表面を図1(D)に示すドライエッチングの
場合よりも小さなエッチングレートでドライエッチング
処理を施すために図1(D)にて説明したと同様な反応
性イオンエッチングを行なう。このドライエッチング時
には、エッチングレートを小さくするためにO2 ガスの
分圧を低くして低酸素分圧下で処理を行なう。この時の
酸素分圧は、0.05Torr以下の圧力に設定し、そ
の下限値はプラズマが立つ限界値、例えば0.003T
orr程度である。このように低酸素分圧下で反応性イ
オンエッチングを施すことにより、絶縁層3の表面には
非常に微細な凹凸部、すなわち微細凹凸16が形成され
ることになる。従って、この微細凹凸16の上にスパッ
タ成膜装置により電気メッキ用導電膜13を直接形成す
ると、両者の密着性を一層向上させることが可能とな
る。
In this fine-roughening step, the surface of the insulating layer 3 made of an organic material is subjected to a dry etching treatment at a smaller etching rate than the case of the dry etching shown in FIG. The same reactive ion etching as described above is performed. At the time of this dry etching, the process is performed under a low oxygen partial pressure by lowering the partial pressure of the O 2 gas in order to reduce the etching rate. At this time, the oxygen partial pressure is set to a pressure of 0.05 Torr or less, and the lower limit is a limit value at which the plasma starts, for example, 0.003T.
orr. By performing the reactive ion etching under the low oxygen partial pressure in this manner, very fine irregularities, that is, minute irregularities 16 are formed on the surface of the insulating layer 3. Therefore, when the electroplating conductive film 13 is directly formed on the fine irregularities 16 by a sputtering film forming apparatus, the adhesion between the two can be further improved.

【0025】尚、上記実施例では無機系フィラー5とし
てSiO2 の粒子を用いた場合を例にとって説明した
が、ドライエッチングにより削り取られない物質なら
ば、これに限定されず他の無機物を用いてもよいのは勿
論である。また、上記各部材の寸法は、単に一例を示し
たに過ぎず、これに限定されないのは勿論である。
In the above embodiment, the case where SiO 2 particles are used as the inorganic filler 5 has been described as an example. However, the material is not limited to this as long as it is not removed by dry etching. Of course, it is good. In addition, the dimensions of each of the above members are merely examples, and are not limited thereto.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のプリント
基板の製造方法及びプリント基板によれば、次のように
優れた作用効果を発揮することができる。ドライエッチ
ングや真空成膜(スパッタリング)を用いることによ
り、工程数を増加させることなく、或いは工程数を削減
した状態で、微細化された配線パターンを有するプリン
ト基板を製造することができる。従って、コスト上昇を
招来することのない安価なファインパターンのプリント
基板を提供することができる。また、絶縁層の表面に露
出している無機系フィラーを除去して遊離フィラーを排
除することにより、絶縁層と上層の導体膜との密着性を
向上させることができる。更に、絶縁層の表面を微細粗
面化する微細粗面化工程を施せば、絶縁層と上層の導体
膜の密着性を一層向上させることができる。
As described above, according to the method of manufacturing a printed circuit board and the printed circuit board of the present invention, the following excellent operational effects can be obtained. By using dry etching or vacuum film formation (sputtering), a printed circuit board having a miniaturized wiring pattern can be manufactured without increasing the number of steps or reducing the number of steps. Therefore, it is possible to provide an inexpensive fine-pattern printed circuit board that does not cause an increase in cost. In addition, by removing the inorganic filler exposed on the surface of the insulating layer to remove the free filler, the adhesion between the insulating layer and the upper conductive film can be improved. Further, by performing a fine roughening step of finely roughening the surface of the insulating layer, the adhesion between the insulating layer and the upper conductive film can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係るプリント基板の製造方法を示す工
程図である。
FIG. 1 is a process chart showing a method for manufacturing a printed circuit board according to the present invention.

【図2】図1中のC部を示す拡大図である。FIG. 2 is an enlarged view showing a portion C in FIG.

【図3】図1中のD部を示す拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view showing a D part in FIG. 1;

【図4】本発明方法の変形例を説明するための図であ
る。
FIG. 4 is a diagram for explaining a modification of the method of the present invention.

【図5】図4中のE部を示す拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view showing a portion E in FIG. 4;

【図6】本発明方法の他の変形例を説明するための図で
ある。
FIG. 6 is a diagram for explaining another modification of the method of the present invention.

【図7】図6中のF部を示す拡大図である。FIG. 7 is an enlarged view showing a portion F in FIG. 6;

【図8】従来のプリント基板の製造方法を説明するため
の図である。
FIG. 8 is a view for explaining a conventional method of manufacturing a printed circuit board.

【図9】図8(C),(D)中のA部を示す拡大図であ
る。
FIG. 9 is an enlarged view showing a portion A in FIGS. 8 (C) and 8 (D).

【図10】図8(E)中のB部を示す拡大図である。FIG. 10 is an enlarged view showing a portion B in FIG. 8 (E).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…コア材、2…配線パターン、3…絶縁層(第1の絶
縁層)、5…SiO2フィラー(無機系フィラー)、7
…レーザ光、8…接続用ホール、13…電気メッキ用導
電膜、14…導体膜。
1 ... core material, 2 ... wiring pattern, 3: insulating layer (first insulating layer), 5 ... SiO 2 filler (inorganic filler), 7
... Laser light, 8 ... Connection hole, 13 ... Electroplating conductive film, 14 ... Conductor film.

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 コア材の表面に配線パターンを形成する
工程と、前記配線パターンを含む前記コア材の表面に無
機系フィラーの混入された有機樹脂よりなる絶縁層を形
成する工程と、前記絶縁層に前記配線パターンまで届く
接続用ホールを選択的に形成する工程と、ドライエッチ
ングにより前記絶縁層の表面を除去して粗面化する工程
と、真空成膜により前記無機系フィラーを含む前記絶縁
層の表面に電気メッキ用導電膜を形成する工程と、電気
メッキにより前記電気メッキ用導電膜上に導体膜を形成
する工程とを含むプリント基板の製造方法。
A step of forming a wiring pattern on a surface of a core material; a step of forming an insulating layer made of an organic resin mixed with an inorganic filler on a surface of the core material including the wiring pattern; A step of selectively forming a connection hole reaching the wiring pattern in a layer; a step of removing the surface of the insulating layer by dry etching to roughen the layer; and forming the insulating layer containing the inorganic filler by vacuum film formation. A method for manufacturing a printed board, comprising: forming a conductive film for electroplating on the surface of a layer; and forming a conductive film on the conductive film for electroplating by electroplating.
【請求項2】 前記粗面化工程と前記電気メッキ用導電
膜の形成工程との間に、前記絶縁層の表面に露出してい
る前記無機系フィラーを除去するフィラー除去工程を行
なうことを特徴とする請求項1記載のプリント基板の製
造方法。
2. A filler removing step of removing the inorganic filler exposed on the surface of the insulating layer is performed between the surface roughening step and the electroplating conductive film forming step. The method for manufacturing a printed circuit board according to claim 1.
【請求項3】 前記粗面化工程の後に、前記絶縁層の表
面をドライエッチングにより更に微細に粗面化する微細
粗面化工程を行なうことを特徴とする請求項1または2
記載のプリント基板の製造方法。
3. The method according to claim 1, further comprising, after the surface roughening step, performing a fine surface roughening step of further finely roughening the surface of the insulating layer by dry etching.
The method for manufacturing a printed circuit board according to the above.
【請求項4】 前記ドライエッチングは、高酸素分圧下
の反応性イオンエッチングであることを特徴とする請求
項1乃至3のいずれかに記載のプリント基板の製造方
法。
4. The method according to claim 1, wherein said dry etching is reactive ion etching under a high oxygen partial pressure.
【請求項5】 前記微細粗面化工程は、低酸素分圧下の
反応性イオンエッチングにより行なうことを特徴とする
請求項3または4記載のプリント基板の製造方法。
5. The method for manufacturing a printed circuit board according to claim 3, wherein the fine surface roughening step is performed by reactive ion etching under a low oxygen partial pressure.
【請求項6】 コア材の表面に配線パターンを形成し、
前記配線パターンを含む前記コア材の表面に無機系フィ
ラーの混入された有機樹脂よりなる絶縁層を形成し、前
記絶縁層に前記配線パターンまで届く接続用ホールを選
択的に形成し、ドライエッチングにより前記絶縁層の表
面を除去して粗面化し、真空成膜により前記無機系フィ
ラーを含む前記絶縁層の表面に電気メッキ用導電膜を形
成し、電気メッキにより前記電気メッキ用導電膜上に導
体膜を形成してなることを特徴とするプリント基板。
6. A wiring pattern is formed on a surface of a core material,
Forming an insulating layer made of an organic resin mixed with an inorganic filler on the surface of the core material including the wiring pattern, selectively forming a connection hole reaching the wiring pattern in the insulating layer, and performing dry etching. The surface of the insulating layer is removed to roughen the surface, a conductive film for electroplating is formed on the surface of the insulating layer containing the inorganic filler by vacuum film formation, and a conductor is formed on the conductive film for electroplating by electroplating. A printed circuit board formed by forming a film.
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