JPH11214257A - 非線形誘電体素子 - Google Patents
非線形誘電体素子Info
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- JPH11214257A JPH11214257A JP10011621A JP1162198A JPH11214257A JP H11214257 A JPH11214257 A JP H11214257A JP 10011621 A JP10011621 A JP 10011621A JP 1162198 A JP1162198 A JP 1162198A JP H11214257 A JPH11214257 A JP H11214257A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な非線形特性を発揮し得る非線形誘電体
素子を提供する。 【解決手段】 電界−電荷特性においてヒステリシスを
示す、いわゆる非線形特性を示す誘電体セラミックスよ
りなる誘電体２と、誘電体２の第１，第２の面にそれぞ
れ形成された第１，第２の電極３，４とを備え、電極
３，４が、金属粉末と、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス及
び／またはホウ珪酸バリウム系ガラスとを含む導電ペー
ストを塗布し、焼き付けることにより形成されている、
非線形誘電体素子１。
素子を提供する。 【解決手段】 電界−電荷特性においてヒステリシスを
示す、いわゆる非線形特性を示す誘電体セラミックスよ
りなる誘電体２と、誘電体２の第１，第２の面にそれぞ
れ形成された第１，第２の電極３，４とを備え、電極
３，４が、金属粉末と、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス及
び／またはホウ珪酸バリウム系ガラスとを含む導電ペー
ストを塗布し、焼き付けることにより形成されている、
非線形誘電体素子１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば高輝度放電
灯（ＨＩＤランプ）の始動時のように高圧パルスを発生
させるのに好適に用いられる非線形誘電体素子に関し、
より詳細には、電極材料の改良により非線形特性が改善
された非線形誘電体素子に関する。
灯（ＨＩＤランプ）の始動時のように高圧パルスを発生
させるのに好適に用いられる非線形誘電体素子に関し、
より詳細には、電極材料の改良により非線形特性が改善
された非線形誘電体素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高輝度を実現するランプとして上
記ＨＩＤランプが用いられている。この種のＨＩＤラン
プには、高圧ナトリウムランプやメタルハライドランプ
のように、始動時に１〜４ｋＶ程度の高圧パルスを必要
とするものがある。そこで、この種のＨＩＤランプで
は、高圧パルスを発生させるために、非線形特性を有す
るコンデンサが組み込まれている。
記ＨＩＤランプが用いられている。この種のＨＩＤラン
プには、高圧ナトリウムランプやメタルハライドランプ
のように、始動時に１〜４ｋＶ程度の高圧パルスを必要
とするものがある。そこで、この種のＨＩＤランプで
は、高圧パルスを発生させるために、非線形特性を有す
るコンデンサが組み込まれている。
【０００３】例えば、特公平５−８７９４０号公報に
は、上記高圧パルスを発生させるための非線形コンデン
サが内蔵された高圧放電ランプが開示されている。この
先行技術に記載の非線形コンデンサの構造を、図３に示
す。
は、上記高圧パルスを発生させるための非線形コンデン
サが内蔵された高圧放電ランプが開示されている。この
先行技術に記載の非線形コンデンサの構造を、図３に示
す。
【０００４】コンデンサ５１は、チタン酸バリウム系セ
ラミックスよりなるセラミック板５２の両面に、電極５
３，５４を形成した構造を有する。電極５３，５４の中
央には、接合材５５ａ，５５ｂを介してリード端子５
６，５７が接合されている。また、リード端子５６，５
７が引き出されている部分を除いて全体が、ガラスペー
ストを塗布し、焼き付けることにより形成されたガラス
被覆層５８により被覆されている。
ラミックスよりなるセラミック板５２の両面に、電極５
３，５４を形成した構造を有する。電極５３，５４の中
央には、接合材５５ａ，５５ｂを介してリード端子５
６，５７が接合されている。また、リード端子５６，５
７が引き出されている部分を除いて全体が、ガラスペー
ストを塗布し、焼き付けることにより形成されたガラス
被覆層５８により被覆されている。
【０００５】上記電極５３，５４は、Ａｇ粉末、並びに
ホウ珪酸ガラスやホウ珪酸鉛ガラスを含む導電ペースト
を塗布し、焼き付けることにより形成されている。
ホウ珪酸ガラスやホウ珪酸鉛ガラスを含む導電ペースト
を塗布し、焼き付けることにより形成されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の非線形コンデンサ５１では、チタン酸バリウム
系セラミックスよりなるセラミック板５２が本来持って
いる非線形特性を十分に引き出すことができないという
問題があった。これは、電極５３，５４の形成に用いら
れている導電ペースト中のガラスフリットが、電極焼き
付け時にセラミック板５２に拡散し、セラミック板５２
の非線形特性を低下させているためと考えられる。
た従来の非線形コンデンサ５１では、チタン酸バリウム
系セラミックスよりなるセラミック板５２が本来持って
いる非線形特性を十分に引き出すことができないという
問題があった。これは、電極５３，５４の形成に用いら
れている導電ペースト中のガラスフリットが、電極焼き
付け時にセラミック板５２に拡散し、セラミック板５２
の非線形特性を低下させているためと考えられる。
【０００７】本発明の目的は、上述した先行技術の欠点
を解消し、非線形特性を有する誘電体セラミックスの非
線形特性を十分に引き出すことができ、良好な非線形特
性を発揮し得る非線形誘電体素子を提供することにあ
る。
を解消し、非線形特性を有する誘電体セラミックスの非
線形特性を十分に引き出すことができ、良好な非線形特
性を発揮し得る非線形誘電体素子を提供することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、電界−電荷特性においてヒステリシスを示す非線形
誘電体素子であって、非線形特性を示す誘電体セラミッ
クスよりなる誘電体と、前記誘電体の第１，第２の面に
それぞれ形成された第１，第２の電極とを備え、前記第
１，第２の電極が、金属粉末と、ホウ珪酸鉛ビスマス系
ガラス及び／またはホウ珪酸バリウム系ガラスとを含む
ことを特徴とする。
は、電界−電荷特性においてヒステリシスを示す非線形
誘電体素子であって、非線形特性を示す誘電体セラミッ
クスよりなる誘電体と、前記誘電体の第１，第２の面に
それぞれ形成された第１，第２の電極とを備え、前記第
１，第２の電極が、金属粉末と、ホウ珪酸鉛ビスマス系
ガラス及び／またはホウ珪酸バリウム系ガラスとを含む
ことを特徴とする。
【０００９】請求項２に記載の発明では、上記金属粉末
１００体積％に対し、上記ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス
及び／またはホウ珪酸バリウム系ガラスが１０体積％未
満、好ましくは５体積％以下の割合で配合されている。
１００体積％に対し、上記ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス
及び／またはホウ珪酸バリウム系ガラスが１０体積％未
満、好ましくは５体積％以下の割合で配合されている。
【００１０】請求項３に記載の発明は、上記非線形誘電
体素子が、高圧パルス発生用コンデンサであることを特
徴とする。
体素子が、高圧パルス発生用コンデンサであることを特
徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の非線形誘電体素
子の一実施例を示す側面図である。非線形誘電体素子１
は、ＨＩＤランプにおける高圧パルス発生用コンデンサ
として用いられるものである。
子の一実施例を示す側面図である。非線形誘電体素子１
は、ＨＩＤランプにおける高圧パルス発生用コンデンサ
として用いられるものである。
【００１２】非線形誘電体素子１は、非線形特性を示す
誘電体セラミックスよりなる板状の誘電体２を用いて構
成されている。なお、本明細書において、非線形特性と
は、電界−電荷特性においてヒステリシスを示す特性を
いうものとする。上記誘電体２は、このような非線形特
性を発揮し得る適宜の誘電体セラミックスにより構成さ
れるが、例えば、チタン酸バリウム系セラミック材料を
好適に用いることができる。
誘電体セラミックスよりなる板状の誘電体２を用いて構
成されている。なお、本明細書において、非線形特性と
は、電界−電荷特性においてヒステリシスを示す特性を
いうものとする。上記誘電体２は、このような非線形特
性を発揮し得る適宜の誘電体セラミックスにより構成さ
れるが、例えば、チタン酸バリウム系セラミック材料を
好適に用いることができる。
【００１３】誘電体２の第１の面としての上面２ａ上に
第１の電極３が、第２の面としての下面２ｂ上に第２の
電極４が形成されている。
第１の電極３が、第２の面としての下面２ｂ上に第２の
電極４が形成されている。
【００１４】本実施例の非線形誘電体素子１では、上記
電極３，４は、金属粉末と、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラ
ス及び／またはホウ珪酸バリウム系ガラスとを含む導電
ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成されてい
る。従って、電極３，４は、上記金属粉末と、ホウ珪酸
鉛ビスマス系ガラス及び／またはホウ珪酸バリウム系ガ
ラスとを含む。
電極３，４は、金属粉末と、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラ
ス及び／またはホウ珪酸バリウム系ガラスとを含む導電
ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成されてい
る。従って、電極３，４は、上記金属粉末と、ホウ珪酸
鉛ビスマス系ガラス及び／またはホウ珪酸バリウム系ガ
ラスとを含む。
【００１５】本実施例の非線形誘電体素子１では、電極
３，４が、上記組成を有するため、十分な非線形特性を
発揮する。これは、本願発明者らにより実験的に確かめ
られたものである。すなわち、従来の非線形誘電体素子
５１で用いられていた電極ペーストでは、ホウ珪酸ガラ
スやホウ珪酸鉛ガラスを用いていたため、電極ペースト
焼き付け時に、これらのガラス粉末が誘電体セラミック
スの粒界に侵入し、粒界層が厚くなり、電界−電荷特性
における上記ヒステリシスが鈍らされることが見出され
た。これに対して、上記ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス及
びホウ珪酸バリウム系ガラスを用いた場合、セラミック
スに拡散し難いためか、誘電体２が本来有している非線
形特性を十分に発揮し得ることが確かめられた。これ
を、具体的な実験例に基づき説明する。
３，４が、上記組成を有するため、十分な非線形特性を
発揮する。これは、本願発明者らにより実験的に確かめ
られたものである。すなわち、従来の非線形誘電体素子
５１で用いられていた電極ペーストでは、ホウ珪酸ガラ
スやホウ珪酸鉛ガラスを用いていたため、電極ペースト
焼き付け時に、これらのガラス粉末が誘電体セラミック
スの粒界に侵入し、粒界層が厚くなり、電界−電荷特性
における上記ヒステリシスが鈍らされることが見出され
た。これに対して、上記ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス及
びホウ珪酸バリウム系ガラスを用いた場合、セラミック
スに拡散し難いためか、誘電体２が本来有している非線
形特性を十分に発揮し得ることが確かめられた。これ
を、具体的な実験例に基づき説明する。
【００１６】非線形特性を示す誘電体材料として、チタ
ン酸バリウム系セラミック粉末を乾式プレスし、焼成す
ることにより、直径１８ｍｍ×厚さ１ｍｍの円板状の誘
電体２を作製した。この誘電体２の両面に、Ａｇ粉末１
００体積％に対し、下記の表１に示す種々のガラスフリ
ット５体積％を配合してなる導電ペーストを用意し、該
導電ペーストを直径１７ｍｍの円板状となるように誘電
体２の両面に印刷し、８５０℃で焼き付け、実施例１，
２及び比較例１〜５の各非線形誘電体素子を作製した。
ン酸バリウム系セラミック粉末を乾式プレスし、焼成す
ることにより、直径１８ｍｍ×厚さ１ｍｍの円板状の誘
電体２を作製した。この誘電体２の両面に、Ａｇ粉末１
００体積％に対し、下記の表１に示す種々のガラスフリ
ット５体積％を配合してなる導電ペーストを用意し、該
導電ペーストを直径１７ｍｍの円板状となるように誘電
体２の両面に印刷し、８５０℃で焼き付け、実施例１，
２及び比較例１〜５の各非線形誘電体素子を作製した。
【００１７】上記のようにして得られた非線形誘電体素
子について、図２に示す回路を用いて発生パルス電圧を
測定した。すなわち、図２に示す回路では、電源１１に
直列に４００Ｗの高圧水銀ランプ用安定器１２が接続さ
れており、該高圧水銀ランプ用安定器１２の後段に、非
線形誘電体素子１及びブレークオーバー電圧１５０Ｖの
半導体スイッチ１３が接続されている。また、Ｖは電圧
計を示す。
子について、図２に示す回路を用いて発生パルス電圧を
測定した。すなわち、図２に示す回路では、電源１１に
直列に４００Ｗの高圧水銀ランプ用安定器１２が接続さ
れており、該高圧水銀ランプ用安定器１２の後段に、非
線形誘電体素子１及びブレークオーバー電圧１５０Ｖの
半導体スイッチ１３が接続されている。また、Ｖは電圧
計を示す。
【００１８】実施例１，２及び比較例１〜５の各非線形
誘電体素子１を図２に示したように接続し、発生パルス
電圧を測定したところ、下記の表１に示す結果が得られ
た。
誘電体素子１を図２に示したように接続し、発生パルス
電圧を測定したところ、下記の表１に示す結果が得られ
た。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１から明らかなように、比較例１，２で
は、発生パルス電圧が１８００Ｖ、１７００Ｖと低かっ
たが、これは、Ｂ−Ｓｉ−Ｐｂ系あるいはＢ−Ｓｉ−Ｂ
ｉ系ガラスのセラミック内への拡散によるものと考えら
れる。
は、発生パルス電圧が１８００Ｖ、１７００Ｖと低かっ
たが、これは、Ｂ−Ｓｉ−Ｐｂ系あるいはＢ−Ｓｉ−Ｂ
ｉ系ガラスのセラミック内への拡散によるものと考えら
れる。
【００２１】また、比較例３，４では、それぞれ、パル
ス電圧が１５５０Ｖ及び１７００Ｖと低かったが、これ
は、誘電体と電極との界面においてＢ−Ｓｉ−Ｃａ系ま
たはＢ−Ｓｉ−Ｋ系ガラスが界面層を形成しているため
と考えられる。さらに、比較例５では、パルス電圧が１
２５０Ｖとかなり低かったが、これは、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ
系ガラス粉末は、セラミックス中のチタン酸バリウムと
反応し、非線形特性を大幅に低下させているためと考え
られる。
ス電圧が１５５０Ｖ及び１７００Ｖと低かったが、これ
は、誘電体と電極との界面においてＢ−Ｓｉ−Ｃａ系ま
たはＢ−Ｓｉ−Ｋ系ガラスが界面層を形成しているため
と考えられる。さらに、比較例５では、パルス電圧が１
２５０Ｖとかなり低かったが、これは、Ｂ−Ｓｉ−Ｚｎ
系ガラス粉末は、セラミックス中のチタン酸バリウムと
反応し、非線形特性を大幅に低下させているためと考え
られる。
【００２２】これに対して、実施例１，２では、それぞ
れ、ガラスフリットとしてホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス
及びホウ珪酸バリウム系ガラスを用いたため、発生パル
ス電圧は２１００Ｖ及び２０００Ｖであった。
れ、ガラスフリットとしてホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス
及びホウ珪酸バリウム系ガラスを用いたため、発生パル
ス電圧は２１００Ｖ及び２０００Ｖであった。
【００２３】従って、表１の結果から、ガラスフリット
として、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラスあるいはホウ珪酸
バリウム系ガラスを用いることにより、同じ誘電体を用
いた場合であっても、誘電体自体の持つ非線形特性を十
分に発揮させ得ることがわかる。
として、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラスあるいはホウ珪酸
バリウム系ガラスを用いることにより、同じ誘電体を用
いた場合であっても、誘電体自体の持つ非線形特性を十
分に発揮させ得ることがわかる。
【００２４】次に、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラスまたは
ホウ珪酸バリウム系ガラスをガラスフリットとして用い
て電極を形成した非線形誘電体素子において、ガラスフ
リットの配合割合を変化させ、発生パルス電圧の変化を
測定した。すなわち、表２に示すように、Ａｇ粉末１０
０体積％に対し、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス及びホウ
珪酸バリウム系ガラスの配合割合を、それぞれ、３、
５、１０体積％とした導電ペーストを用い、各非線形誘
電体素子を得、発生パルス電圧を上記実験例と同様にし
て測定した。結果を下記の表２に示す。
ホウ珪酸バリウム系ガラスをガラスフリットとして用い
て電極を形成した非線形誘電体素子において、ガラスフ
リットの配合割合を変化させ、発生パルス電圧の変化を
測定した。すなわち、表２に示すように、Ａｇ粉末１０
０体積％に対し、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス及びホウ
珪酸バリウム系ガラスの配合割合を、それぞれ、３、
５、１０体積％とした導電ペーストを用い、各非線形誘
電体素子を得、発生パルス電圧を上記実験例と同様にし
て測定した。結果を下記の表２に示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】表２から明らかなように、ホウ珪酸鉛ビス
マス系ガラス及びホウ珪酸バリウム系ガラスのいずれを
用いた場合であっても、ガラスフリットの配合割合が１
０体積％に至ると、パルス電圧が１７００Ｖあるいは１
５００Ｖと低下することがわかる。従って、表２の結果
から、これらのガラスフリットを用いる場合、金属粉末
１００体積％に対し、１０体積％未満の割合で配合する
ことが好ましいことがわかる。
マス系ガラス及びホウ珪酸バリウム系ガラスのいずれを
用いた場合であっても、ガラスフリットの配合割合が１
０体積％に至ると、パルス電圧が１７００Ｖあるいは１
５００Ｖと低下することがわかる。従って、表２の結果
から、これらのガラスフリットを用いる場合、金属粉末
１００体積％に対し、１０体積％未満の割合で配合する
ことが好ましいことがわかる。
【００２７】また、表１及び表２の結果では、ガラスフ
リットとして、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラスあるいはホ
ウ珪酸バリウム系ガラスをそれぞれ単独で用いたが、こ
れらのガラスフリットがセラミックス内への拡散を生じ
難く、かつセラミックス中のチタン酸バリウムと反応し
難いため、これらを併用した場合においても同様の結果
が得られると推測される。
リットとして、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラスあるいはホ
ウ珪酸バリウム系ガラスをそれぞれ単独で用いたが、こ
れらのガラスフリットがセラミックス内への拡散を生じ
難く、かつセラミックス中のチタン酸バリウムと反応し
難いため、これらを併用した場合においても同様の結果
が得られると推測される。
【００２８】なお、上述した実験例では、金属粉末とし
てＡｇ粉末を用いたが、金属粉末としては、良好な導電
性を発揮し得るものである限り特に限定されず、例え
ば、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉあるいはＰｄ粉末もしくはこれら
の合金粉末を適宜用いることができ、その場合であって
も、上記実験例と同様の効果が得られる。
てＡｇ粉末を用いたが、金属粉末としては、良好な導電
性を発揮し得るものである限り特に限定されず、例え
ば、Ｃｕ、Ａｌ、ＮｉあるいはＰｄ粉末もしくはこれら
の合金粉末を適宜用いることができ、その場合であって
も、上記実験例と同様の効果が得られる。
【００２９】また、図１では、誘電体２の両面に電極
３，４を形成したが、電極３，４を形成した後に、従来
の非線形コンデンサ５１と同様に絶縁ガラス層等を形成
したり、あるいはリード端子等を接合してもよく、その
場合であっても、電極３，４が既に誘電体２に接合され
ているため、良好な非線形特性を発揮し得る非線形誘電
体素子とすることができる。
３，４を形成したが、電極３，４を形成した後に、従来
の非線形コンデンサ５１と同様に絶縁ガラス層等を形成
したり、あるいはリード端子等を接合してもよく、その
場合であっても、電極３，４が既に誘電体２に接合され
ているため、良好な非線形特性を発揮し得る非線形誘電
体素子とすることができる。
【００３０】
【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る非線形誘電
体素子では、非線形特性を示す誘電体セラミックスより
なる誘電体の第１，第２の面に形成される第１，第２の
電極が、金属粉末と、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス及び
／またはホウ珪酸バリウム系ガラスとを含むため、これ
らのガラスが電極形成時の焼き付けに際し、誘電体中に
拡散し難く、かつ誘電体との界面に界面層を形成し難
い。よって、非線形特性を有する誘電体セラミックスを
用いた誘電体の非線形特性を十分に発揮させることがで
き、良好な非線形特性を発揮し得る非線形誘電体素子を
提供することが可能となる。
体素子では、非線形特性を示す誘電体セラミックスより
なる誘電体の第１，第２の面に形成される第１，第２の
電極が、金属粉末と、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス及び
／またはホウ珪酸バリウム系ガラスとを含むため、これ
らのガラスが電極形成時の焼き付けに際し、誘電体中に
拡散し難く、かつ誘電体との界面に界面層を形成し難
い。よって、非線形特性を有する誘電体セラミックスを
用いた誘電体の非線形特性を十分に発揮させることがで
き、良好な非線形特性を発揮し得る非線形誘電体素子を
提供することが可能となる。
【００３１】請求項２に記載の発明では、上記金属粉末
１００体積％に対し、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス及び
／またはホウ珪酸バリウム系ガラスが１０体積％未満の
割合で配合されているので、上記実験例から明らかなよ
うに、良好な非線形特性を発揮し得る非線形誘電体素子
を提供することができる。
１００体積％に対し、ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス及び
／またはホウ珪酸バリウム系ガラスが１０体積％未満の
割合で配合されているので、上記実験例から明らかなよ
うに、良好な非線形特性を発揮し得る非線形誘電体素子
を提供することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る非線形誘電体素子を示
す側面図。
す側面図。
【図２】実験例において非線形誘電体素子を評価するた
めに構成した回路を説明するための回路図。
めに構成した回路を説明するための回路図。
【図３】従来の非線形コンデンサを説明するための断面
図。
図。
１…非線形誘電体素子 ２…誘電体 ３，４…電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 影山 善隆 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 佐野 晴信 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (72)発明者 原田 和宏 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内
Claims (3)
- 【請求項１】 電界−電荷特性においてヒステリシスを
示す非線形誘電体素子であって、 非線形特性を示す誘電体セラミックスよりなる誘電体
と、 前記誘電体の第１，第２の面にそれぞれ形成された第
１，第２の電極とを備え、 前記第１，第２の電極が、金属粉末と、ホウ珪酸鉛ビス
マス系ガラス及び／またはホウ珪酸バリウム系ガラスと
を含むことを特徴とする非線形誘電体素子。 - 【請求項２】 前記金属粉末１００体積％に対し、前記
ホウ珪酸鉛ビスマス系ガラス及び／またはホウ珪酸バリ
ウム系ガラスが１０体積％未満の割合で含まれているこ
とを特徴とする請求項１に記載の非線形誘電体素子。 - 【請求項３】 高圧パルス発生用コンデンサである請求
項１または２に記載の非線形誘電体素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01162198A JP3554778B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 非線形誘電体素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01162198A JP3554778B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 非線形誘電体素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214257A true JPH11214257A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3554778B2 JP3554778B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=11783004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01162198A Expired - Fee Related JP3554778B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | 非線形誘電体素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3554778B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6477033B2 (en) * | 2000-09-07 | 2002-11-05 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Nonlinear dielectric element |
| US6578423B2 (en) | 2001-03-27 | 2003-06-17 | Lam Research Corporation | Acoustic detection of dechucking and apparatus therefor |
| US7253813B2 (en) | 2002-02-01 | 2007-08-07 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, driving method thereof, and electronic apparatus |
| CN115881338A (zh) * | 2022-12-28 | 2023-03-31 | 广东南海启明光大科技有限公司 | 高可靠性TOPCon晶体硅太阳电池的正面银铝浆、制备及应用 |
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1998
- 1998-01-23 JP JP01162198A patent/JP3554778B2/ja not_active Expired - Fee Related
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