JPH11204766A - Semiconductor integrated circuit and its design method - Google Patents

Semiconductor integrated circuit and its design method

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JPH11204766A
JPH11204766A JP10001862A JP186298A JPH11204766A JP H11204766 A JPH11204766 A JP H11204766A JP 10001862 A JP10001862 A JP 10001862A JP 186298 A JP186298 A JP 186298A JP H11204766 A JPH11204766 A JP H11204766A
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JP
Japan
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arrangement
bypass capacitors
bypass
semiconductor integrated
power supply
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JP10001862A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigenobu Nagasawa
重信 長沢
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a design method of a semiconductor integrated circuit which can surely restrain noise. SOLUTION: Layout of a basic cell, a power source line and a ground line is performed (S1). After size and arrangement interval of each bypass capacitor are temporarily set (S2), the bypass capacitors are arranged in vacant regions, in accordance with layout of the basic cell, the power source line, the ground line, etc., (S3). When desired arrangement of the bypass capacitors is obtained, that arrangement is made the final arrangement (S5). When desired arrangement is not obtained, size and arrangement interval of the bypass capacitors are set again (S7). Processes of rearrangement of the respective bypass capacitors are repeated until desired arrangement of the bypass capacitors is obtained.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路お
よびその設計方法に関し、特にノイズ対策として用いら
れるバイパスコンデンサのチップ内での配置に関するも
のである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit and a method for designing the same, and more particularly to an arrangement of a bypass capacitor in a chip used as a measure against noise.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体製造プロセス技術の進歩に従って
半導体集積回路の動作速度は年々向上しており、特にC
MOS型半導体集積回路の動作速度の向上が著しい。こ
のような半導体集積回路の動作速度の高速化に伴い、回
路中の負荷への充放電電流の変化が急峻となるため、従
来の電源配線のレイアウト法では電源電圧の変動が生
じ、期待した動作速度が得られないという問題があっ
た。また、電源電圧の変動による電源ノイズのために回
路の動作自体も不安定になっていた。この種のノイズに
よる誤動作の問題は、LSIの微細化、低電圧化がさら
に進んだ昨今では特に重大な問題となってきた。
2. Description of the Related Art The operating speed of semiconductor integrated circuits has been improving year by year with the progress of semiconductor manufacturing process technology.
The operation speed of MOS type semiconductor integrated circuits has been remarkably improved. As the operating speed of such a semiconductor integrated circuit increases, the change in charging / discharging current to a load in the circuit becomes sharp, and the power supply voltage fluctuates in the conventional power supply wiring layout method. There was a problem that speed could not be obtained. In addition, the operation of the circuit itself has been unstable due to power supply noise caused by fluctuations in the power supply voltage. The problem of malfunction due to this type of noise has become a particularly serious problem in recent years, as LSI miniaturization and voltage reduction have further advanced.

【0003】従来、上記のようなノイズ対策として、L
SIをプリント基板等に実装する際にLSIの電源電圧
端子とグラウンド端子との間にバイパスコンデンサを実
装するという方法が採られていた。バイパスコンデンサ
とは、電源やLSIの外部素子から発生するノイズが電
源配線を介して半導体集積回路内に侵入するのを防止す
るのと同時に、半導体集積回路内で発生したノイズが電
源配線を介して外部に漏出するのを防止するための素子
である。ただし、この方法ではバイパスコンデンサをL
SIのリード端子を利用して実装するため、リード端子
が有する寄生抵抗、寄生インダクタンス等の影響を受け
てしまい、ノイズの低減に一定の限度があった。
Conventionally, as a countermeasure against noise as described above, L
When mounting an SI on a printed circuit board or the like, a method has been adopted in which a bypass capacitor is mounted between a power supply voltage terminal and a ground terminal of the LSI. A bypass capacitor prevents noise generated from a power supply or an external element of an LSI from entering a semiconductor integrated circuit through a power supply wiring, and at the same time, noise generated in the semiconductor integrated circuit through a power supply wiring. This is an element for preventing leakage to the outside. However, in this method, the bypass capacitor is set to L
Since mounting is performed using the lead terminals of the SI, it is affected by the parasitic resistance, the parasitic inductance, and the like of the lead terminals, and there is a certain limit to the reduction of noise.

【0004】そこで、バイパスコンデンサをLSIの内
部に形成するという方法が提案されている。例えば、特
開平1−239964号公報や特開平5−13672号
公報では、絶縁層を介して電源線とグラウンド線をほぼ
同一の幅で重ねて形成しており、これら電源線とグラウ
ンド線がバイパスコンデンサを構成している。また、特
開平5−48020号公報には、ゲート電極と基板との
間のゲート容量をバイパスコンデンサとして利用する例
が開示されている。
Therefore, a method of forming a bypass capacitor inside an LSI has been proposed. For example, in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 1-239964 and 5-13672, a power supply line and a ground line are formed so as to be approximately the same width via an insulating layer, and the power supply line and the ground line are bypassed. Constructs a capacitor. Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-48020 discloses an example in which a gate capacitance between a gate electrode and a substrate is used as a bypass capacitor.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、LSI
内部にバイパスコンデンサを形成する従来のノイズ対策
においては、レイアウト設計上の理由から、半導体集積
回路内でバイパスコンデンサを形成する箇所やバイパス
コンデンサの数等が制限されていた。これにより、半導
体集積回路内の必要な箇所にバイパスコンデンサが形成
できなかったり、バイパスコンデンサの形成箇所に偏り
が生じたりして、LSIの微細化や低電圧化が進んだ近
年の半導体集積回路に対するノイズ対策としては不充分
なものであった。
SUMMARY OF THE INVENTION However, LSI
In a conventional noise countermeasure in which a bypass capacitor is formed inside, a place where a bypass capacitor is formed in a semiconductor integrated circuit, the number of bypass capacitors, and the like are limited for reasons of layout design. As a result, a bypass capacitor cannot be formed at a necessary portion in a semiconductor integrated circuit, or a biased portion is formed in a portion where the bypass capacitor is formed. It was insufficient as a noise countermeasure.

【0006】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、特にセルベースのLSI、ゲート
アレイ等、多数の基本セルが連続して配置されたLSI
において、チップ内で発生するノイズや外部から電源線
を介して侵入するノイズを確実に抑制することのできる
半導体集積回路およびその設計方法を提供することを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and in particular, is an LSI in which a number of basic cells are continuously arranged, such as a cell-based LSI and a gate array.
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit capable of reliably suppressing noise generated in a chip and noise entering from the outside via a power supply line, and a method of designing the same.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体集積回路は、複数の基本セルと、
これら基本セルにわたって配置され層間絶縁膜を間に挟
んで形成された電源線およびグラウンド線と、これら電
源線およびグラウンド線から基本セルの空き領域にそれ
ぞれ引き出された電極と層間絶縁膜とからなる複数のバ
イパスコンデンサとを有することを特徴とするものであ
る。そして、前記複数のバイパスコンデンサをチップ内
で分布常数的に配置することが好ましい。
In order to achieve the above object, a semiconductor integrated circuit according to the present invention comprises a plurality of basic cells,
A plurality of power supply lines and ground lines arranged over these basic cells and formed with an interlayer insulating film interposed therebetween, and electrodes and interlayer insulating films respectively drawn from these power supply lines and ground lines to empty areas of the basic cells. And a bypass capacitor. Further, it is preferable that the plurality of bypass capacitors be arranged in a distribution constant in the chip.

【0008】また、本発明の半導体集積回路の設計方法
は、複数の基本セルと電源線およびグラウンド線のレイ
アウトを実施するとともに、各バイパスコンデンサのサ
イズおよびバイパスコンデンサ間の配置間隔を仮設定し
た後、サイズと配置間隔を仮設定した各バイパスコンデ
ンサを基本セル、電源線およびグラウンド線等のレイア
ウトに応じて基本セルの空き領域にそれぞれ配置し、希
望通りのバイパスコンデンサの配置が得られた場合には
その配置を最終的な配置とする一方、希望通りのバイパ
スコンデンサの配置が得られなかった場合にはバイパス
コンデンサのサイズと配置間隔とを設定し直した上で各
バイパスコンデンサを再度配置し直す手順を希望通りの
バイパスコンデンサの配置が得られるまで繰り返すこと
を特徴とするものである。この際、バイパスコンデンサ
の配置を分布常数的な配置とすることが好ましい。
In the method of designing a semiconductor integrated circuit according to the present invention, a layout of a plurality of basic cells and a power supply line and a ground line is implemented, and the size of each bypass capacitor and the interval between the bypass capacitors are provisionally set. When the bypass capacitors whose sizes and arrangement intervals are provisionally set are arranged in the empty areas of the basic cells according to the layout of the basic cells, power supply lines and ground lines, respectively, and the desired arrangement of the bypass capacitors is obtained. Makes the arrangement the final arrangement, but if the desired arrangement of the bypass capacitors is not obtained, the size and arrangement interval of the bypass capacitors are set again, and then the respective bypass capacitors are arranged again. Characterized by repeating the procedure until the desired arrangement of bypass capacitors is obtained. A. In this case, it is preferable that the arrangement of the bypass capacitors be a distribution constant arrangement.

【0009】言い換えれば、バイパスコンデンサをレイ
アウトするにあたって、従来の考え方ではバイパスコン
デンサを配置する個所を電源線上やグラウンド線上、ま
たは基本セルの空き領域と決め、必要な容量値からバイ
パスコンデンサのサイズ等を一様に固定した上で配置を
行っていた。これに対して、本発明の設計方法では、バ
イパスコンデンサのサイズや配置間隔を仮設定した後、
基本セル、電源線、グラウンド線等のレイアウトに基づ
いてバイパスコンデンサを配置し、希望通りのバイパス
コンデンサの配置が得られなくてもバイパスコンデンサ
のサイズと配置間隔を設定し直して配置をやり直すよう
にしたことが最大の特徴点である。
In other words, in laying out the bypass capacitor, the place where the bypass capacitor is arranged is determined on the power supply line, the ground line, or the free area of the basic cell in the conventional concept, and the size of the bypass capacitor is determined from the required capacitance value. The arrangement was performed after being fixed uniformly. On the other hand, in the design method of the present invention, after temporarily setting the size and arrangement interval of the bypass capacitors,
Arrange bypass capacitors based on the layout of basic cells, power supply lines, ground lines, etc., and even if the desired arrangement of bypass capacitors is not obtained, set the size and arrangement interval of bypass capacitors again and redo the arrangement This is the biggest feature.

【0010】このように、バイパスコンデンサのサイズ
や配置間隔にある程度の自由度を持たせ、そのチップレ
イアウトに合致するようにバイパスコンデンサを再配置
する作業を繰り返すことで希望通りのバイパスコンデン
サの配置を得ることができる。そして、例えばバイパス
コンデンサをチップ内で分布常数的に配置するようにす
れば、チップ内で発生するノイズや外部から電源線を介
して侵入するノイズを回路全体にわたって確実に抑制す
ることが可能となる。
As described above, by giving a certain degree of freedom to the size and arrangement interval of the bypass capacitors and repeating the operation of rearranging the bypass capacitors so as to conform to the chip layout, it is possible to arrange the bypass capacitors as desired. Obtainable. If, for example, the bypass capacitors are arranged in a distributed constant manner in the chip, it is possible to reliably suppress noise generated in the chip and noise entering from the outside via the power supply line over the entire circuit. .

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施の形態を図
1および図2を参照して説明する。図1は本実施の形態
の半導体集積回路の設計方法の手順を示すフローチャー
トである。図2(a)、(b)はバイパスコンデンサの
配置を示す図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. FIG. 1 is a flowchart showing the procedure of the method for designing a semiconductor integrated circuit according to the present embodiment. FIGS. 2A and 2B are views showing the arrangement of bypass capacitors.

【0012】まず、本実施の形態の設計方法を適用する
LSIとしては、セルベースのLSI、ゲートアレイ
等、同一サイズの基本セルが連続的に配置されたLSI
を対象とする。そして、電源線層とグラウンド線層とが
それぞれ層間絶縁膜を介して配線されている構造を持つ
LSIの層間構造において、電源線のパターンとグラウ
ンド線のパターンとが層間絶縁膜を介して対向している
箇所に発生する寄生容量を積極的に利用することでバイ
パスコンデンサを構成する。具体的な構成としては、図
2(b)に示すように、複数の基本セル1a、1bにわ
たって電源線2とグラウンド線3が配置され、電源線2
とグラウンド線3からそれぞれ引き出された配線4、5
に電気的に接続された電極6、7が設けられており、こ
れら電極6、7と電極6、7間に介在する層間絶縁膜と
からバイパスコンデンサ8が構成されている。
First, as an LSI to which the design method of this embodiment is applied, an LSI in which basic cells of the same size are continuously arranged, such as a cell-based LSI and a gate array, is used.
Target. Then, in an LSI interlayer structure having a structure in which a power supply line layer and a ground line layer are wired via an interlayer insulating film, a power supply line pattern and a ground line pattern face each other via an interlayer insulating film. The bypass capacitor is configured by actively utilizing the parasitic capacitance generated at the location where the power supply is located. As a specific configuration, as shown in FIG. 2B, a power supply line 2 and a ground line 3 are arranged over a plurality of basic cells 1a and 1b.
And wirings 4 and 5 respectively drawn from the ground line 3
Are provided, and a bypass capacitor 8 is formed by the electrodes 6, 7 and an interlayer insulating film interposed between the electrodes 6, 7.

【0013】図2(a)はLSIチップ内部の基本セル
1a、1bの空き領域にバイパスコンデンサ8を分布常
数的に配置した様子を示す図であり、実線で囲んだ箇所
9aはバイパスコンデンサ8を配置した空き領域、破線
で囲んだ箇所9bはバイパスコンデンサ8を配置してい
ない空き領域、である。
FIG. 2A is a diagram showing a state in which the bypass capacitors 8 are arranged in a distributed constant manner in the vacant areas of the basic cells 1a and 1b inside the LSI chip. The arranged empty area and the area 9b surrounded by the broken line are empty areas where the bypass capacitor 8 is not arranged.

【0014】次に、本実施の形態の半導体集積回路の設
計方法の手順を図1を用いて説明する。なお、本方法は
当然ながらCADを用いた自動レイアウト法である。図
1に示すように、まず、第1段階として、ごく一般的に
行われているチップのレイアウトを実施する(図1のス
テップS1)。すなわち、多数の基本セル1a、1b、
電源線2、グラウンド線3等の配置を含むチップ全体の
レイアウトを実施する。特に論理回路の構成において、
セルベース、ゲートアレイ等の場合、図2(b)に示す
ように、電源線2とグラウンド線3とは若干の距離を保
ちながら水平または垂直方向に平行配置されるのが一般
的である。
Next, the procedure of the method for designing a semiconductor integrated circuit according to the present embodiment will be described with reference to FIG. This method is, of course, an automatic layout method using CAD. As shown in FIG. 1, first, as a first step, an extremely common chip layout is performed (step S1 in FIG. 1). That is, a large number of basic cells 1a, 1b,
The layout of the entire chip including the arrangement of the power supply line 2, the ground line 3, and the like is implemented. Especially in the configuration of the logic circuit,
In the case of a cell base, a gate array or the like, as shown in FIG. 2B, the power supply line 2 and the ground line 3 are generally arranged in a horizontal or vertical direction while keeping a slight distance.

【0015】一方、各バイパスコンデンサ8のサイズお
よびバイパスコンデンサ8間の配置間隔を仮設定する
(図1のステップS2)。すなわち、1つのバイパスコ
ンデンサ8を構成する電極6、7の寸法、隣接するバイ
パスコンデンサ8間のピッチを予め適当な値に仮設定し
ておく。
On the other hand, the size of each bypass capacitor 8 and the arrangement interval between the bypass capacitors 8 are provisionally set (step S2 in FIG. 1). That is, the dimensions of the electrodes 6 and 7 constituting one bypass capacitor 8 and the pitch between adjacent bypass capacitors 8 are provisionally set to appropriate values in advance.

【0016】次に、第2段階として、ステップS2でサ
イズや配置間隔を仮設定したバイパスコンデンサ8を基
本セル1a、1bの空き領域に配置する(図1のステッ
プS3)。ここでは、電源線2、グラウンド線3のライ
ンに沿って第1段階のレイアウト時のCADデータを基
に、電源線2とグラウンド線3との間のスペースに先に
設定したサイズのバイパスコンデンサ8が形成可能な箇
所の抽出を行い、形成可能な箇所全てにバイパスコンデ
ンサ8を配置する。
Next, as a second stage, the bypass capacitors 8 whose sizes and arrangement intervals are temporarily set in step S2 are arranged in the empty areas of the basic cells 1a and 1b (step S3 in FIG. 1). Here, a bypass capacitor 8 having a size set in advance in the space between the power supply line 2 and the ground line 3 based on the CAD data at the time of the first-stage layout along the power supply line 2 and the ground line 3 Are extracted, and the bypass capacitors 8 are arranged at all of the positions where they can be formed.

【0017】なお、バイパスコンデンサ8の形成箇所は
基本セル1a、1b間の空き領域、もしくは信号配線
(本説明では省略する)の空き領域となるが、論理回路
のレイアウト手法では基本セル1a、1b、信号配線の
配線幅、配線ピッチ等に関して設計当初に基本寸法が決
定される。したがって、第1段階のレイアウト後におけ
るバイパスコンデンサ8の配置の可能性を判断すること
は、このレイアウト結果の情報を分析することで可能で
ある。
The bypass capacitor 8 is formed in an empty area between the basic cells 1a and 1b or an empty area for signal wiring (omitted in the present description). However, in the logic circuit layout method, the basic cells 1a and 1b are formed. Basic dimensions are determined at the beginning of design with respect to the wiring width, wiring pitch, and the like of signal wiring. Therefore, it is possible to determine the possibility of disposing the bypass capacitor 8 after the layout in the first stage by analyzing the information of the layout result.

【0018】次に、希望通りのバイパスコンデンサ8の
配置が得られたかどうかを判断する(図1のステップS
4)。ここで、希望通りの配置とは、この半導体集積回
路の設計者がこれで充分と判断し得るだけの配置である
という意味である。例えば、ノイズに対して高い抑制効
果を持つ分布常数的な配置と考えればよい。もし、1回
の配置作業により希望通りのバイパスコンデンサ8の配
置が得られた場合(図1のステップS5)には、その配
置を最終的な配置として設計を終了する。
Next, it is determined whether or not the desired arrangement of the bypass capacitors 8 has been obtained (step S in FIG. 1).
4). Here, the desired arrangement means that the designer of the semiconductor integrated circuit can judge that this is sufficient. For example, a distribution constant arrangement having a high suppression effect on noise may be considered. If the desired arrangement of the bypass capacitors 8 is obtained by one arrangement work (step S5 in FIG. 1), the design is finished with the arrangement as the final arrangement.

【0019】その一方、希望通りのバイパスコンデンサ
8の配置が得られなかった場合(図1のステップS6)
には、バイパスコンデンサ8のサイズと配置間隔とを設
定し直した上で(図1のステップS7)、各バイパスコ
ンデンサ8を再度配置し直す。そして、ステップS3の
手順を希望通りのバイパスコンデンサ8の配置が得られ
るまで繰り返す。
On the other hand, when the desired arrangement of the bypass capacitor 8 cannot be obtained (step S6 in FIG. 1).
In step (1), the size and arrangement interval of the bypass capacitors 8 are reset (step S7 in FIG. 1), and the respective bypass capacitors 8 are rearranged. Then, the procedure of step S3 is repeated until the desired arrangement of the bypass capacitors 8 is obtained.

【0020】本実施の形態の設計方法は、バイパスコン
デンサ8のサイズや配置間隔を仮設定した後、基本セル
1a、1b、電源線2、グラウンド線3等のCADデー
タに基づいてバイパスコンデンサ8を配置し、1回で希
望通りのバイパスコンデンサ8の配置が得られなくても
バイパスコンデンサ8のサイズと配置間隔を設定し直し
てバイパスコンデンサ8の配置を繰り返すというもので
ある。したがって、当該半導体集積回路のチップレイア
ウトに合致するようにバイパスコンデンサ8を再配置す
る作業を繰り返すことで希望通りのバイパスコンデンサ
8の配置を得ることができ、チップ内で分布常数的に配
置することができる。その結果、論理回路自体から発生
するスイッチングノイズのみならず、外部から電源線を
介して侵入するノイズに対しても回路全体にわたって誤
動作を確実に防止する有効な手段となる。
In the design method of the present embodiment, after temporarily setting the size and arrangement interval of the bypass capacitor 8, the bypass capacitor 8 is set based on the CAD data of the basic cells 1a and 1b, the power supply line 2, the ground line 3, and the like. Even if the desired arrangement of the bypass capacitors 8 is not obtained at one time, the size and arrangement interval of the bypass capacitors 8 are reset and the arrangement of the bypass capacitors 8 is repeated. Therefore, by repeating the operation of rearranging the bypass capacitors 8 so as to match the chip layout of the semiconductor integrated circuit, the desired arrangement of the bypass capacitors 8 can be obtained, and the distribution of the bypass capacitors 8 in the chip can be distributed in a constant manner. Can be. As a result, not only switching noise generated from the logic circuit itself but also an effective means for reliably preventing malfunctions over the entire circuit with respect to noise entering from outside through a power supply line.

【0021】なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態
に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない
範囲において種々の変更を加えることが可能である。例
えばバイパスコンデンサの具体的なサイズや配置間隔等
に関しては適宜設定することができる。
The technical scope of the present invention is not limited to the above embodiment, and various changes can be made without departing from the spirit of the present invention. For example, the specific size and arrangement interval of the bypass capacitors can be set as appropriate.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、LSIチップ内において設計者の希望通りにバ
イパスコンデンサを配置することができ、バイパスコン
デンサを分布常数的に配置することも可能になる。その
結果、半導体集積回路の全般にわたってノイズに対する
高い抑制効果を期待することができる。
As described above in detail, according to the present invention, it is possible to arrange bypass capacitors as desired by a designer in an LSI chip, and it is also possible to arrange bypass capacitors in a distributed constant manner. Will be possible. As a result, a high noise suppression effect can be expected over the entire semiconductor integrated circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施の形態である半導体集積回路
の設計方法の手順を示すフローチャートである。
FIG. 1 is a flowchart showing a procedure of a method of designing a semiconductor integrated circuit according to an embodiment of the present invention.

【図2】(a)チップ全体におけるバイパスコンデンサ
の配置を示す図、(b)バイパスコンデンサ形成箇所の
拡大図である。
FIG. 2A is a diagram illustrating an arrangement of bypass capacitors in the entire chip, and FIG. 2B is an enlarged view of a portion where bypass capacitors are formed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a,1b 基本セル 2 電源線 3 グラウンド線 4,5 配線 6,7 電極 8 バイパスコンデンサ 1a, 1b Basic cell 2 Power line 3 Ground line 4, 5 Wiring 6, 7 Electrode 8 Bypass capacitor

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の基本セルと、これら基本セルにわ
たって配置された電源線およびグラウンド線と、これら
電源線およびグラウンド線に電気的に接続された複数の
バイパスコンデンサとを含む半導体集積回路の設計方法
であって、 前記複数の基本セルと前記電源線および前記グラウンド
線のレイアウトを実施するとともに、前記各バイパスコ
ンデンサのサイズおよびバイパスコンデンサ間の配置間
隔を仮設定した後、サイズと配置間隔を仮設定した前記
各バイパスコンデンサを前記レイアウトに応じて前記基
本セルの空き領域にそれぞれ配置し、希望通りのバイパ
スコンデンサの配置が得られた場合にはその配置を最終
的な配置とする一方、希望通りのバイパスコンデンサの
配置が得られなかった場合には前記バイパスコンデンサ
のサイズと配置間隔とを設定し直した上で各バイパスコ
ンデンサを再度配置し直す手順を希望通りのバイパスコ
ンデンサの配置が得られるまで繰り返すことを特徴とす
る半導体集積回路の設計方法。
1. A semiconductor integrated circuit design including a plurality of basic cells, a power supply line and a ground line arranged over the basic cells, and a plurality of bypass capacitors electrically connected to the power supply line and the ground line. Laying out the plurality of basic cells, the power supply line and the ground line, temporarily setting the size of each of the bypass capacitors and the arrangement interval between the bypass capacitors, and then temporarily setting the size and the arrangement interval. Each of the set bypass capacitors is arranged in an empty area of the basic cell according to the layout. When a desired bypass capacitor arrangement is obtained, the arrangement is set as a final arrangement, If the arrangement of the bypass capacitor cannot be obtained, Method for designing a semiconductor integrated circuit, characterized in that repeated until the arrangement of bypass capacitors as desired procedure repositioning each bypass capacitor again is obtained in terms of the re-set the arrangement interval between.
【請求項2】 請求項1に記載の半導体集積回路の設計
方法において、 前記希望通りのバイパスコンデンサの配置を分布常数的
な配置とすることを特徴とする半導体集積回路の設計方
法。
2. The method for designing a semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the arrangement of the desired bypass capacitors is a distribution constant arrangement.
【請求項3】 複数の基本セルと、これら基本セルにわ
たって配置され層間絶縁膜を間に挟んで形成された電源
線およびグラウンド線と、これら電源線およびグラウン
ド線から前記基本セルの空き領域にそれぞれ引き出され
た電極と前記層間絶縁膜とからなる複数のバイパスコン
デンサとを有することを特徴とする半導体集積回路。
3. A plurality of basic cells, a power supply line and a ground line arranged over the basic cells and formed with an interlayer insulating film interposed therebetween, and each of the power supply line and the ground line is placed in an empty area of the basic cell. A semiconductor integrated circuit comprising: a plurality of bypass capacitors each including an extracted electrode and the interlayer insulating film.
【請求項4】 請求項3に記載の半導体集積回路におい
て、 前記複数のバイパスコンデンサがチップ内で分布常数的
に配置されたことを特徴とする半導体集積回路。
4. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein said plurality of bypass capacitors are arranged in a distributed constant manner within a chip.
JP10001862A 1998-01-07 1998-01-07 Semiconductor integrated circuit and its design method Pending JPH11204766A (en)

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