JPH11204310A - 突入電流抑制用電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複雑な回路構成を必要とせず、突入電流を効
果的に抑制することができると共に、消費電力の低減を
図り得る、小型の突入電流抑制用電子部品を得る。 【解決手段】 ケース８内に、サーミスタ素子５、感熱
スイッチ６及び発熱素子７を収納してなり、サーミスタ
素子５に対し並列に、互いに直列に接続された感熱スイ
ッチ６及び発熱素子７が接続されており、サーミスタ素
子５の発熱時の熱を受け得るようにサーミスタ素子５に
感熱スイッチ６が熱結合されており、かつ発熱素子７の
発熱時の熱を受け得るように発熱素子７が感熱スイッチ
６に熱結合されている突入電流抑制用電子部品３。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気・電子機器に
おいて電源をオン状態とした際の突入電流を抑制するの
に用いられる電子部品に関し、より詳細には、サーミス
タ素子と感熱スイッチとを複合化することにより消費電
力の低減を図ることを可能とした突入電流抑制用電子部
品に関する。

【０００２】

【従来の技術】パーソナルコンピュータ、テレビション
受像機、複写機などの各種電子機器において、電源スイ
ッチをオン状態とすると、大きな突入電流が流れる。こ
の突入電流により、電子機器が悪影響を受けたり、突入
電流に起因する電圧降下により周辺機器が悪影響を受け
たりする。従って、従来、突入電流の大きさを低減する
ために、種々の試みが成されている。

【０００３】例えば、図５に示す電源回路では、商用電
源５１に接続されたメインスイッチ５２と、メイン回路
５４との間に突入電流抑制素子５３が接続されている。
突入電流抑制素子５３としては、１〜数Ωの固定抵抗や
数Ω〜数十Ω程度の初期抵抗値（２５℃の抵抗値）を有
する負特性サーミスタ素子（ＮＴＣ素子）が用いられて
いる。

【０００４】また、図６に示す電源回路では、上記突入
電流抑制素子５３に、さらに並列にスイッチング回路５
５が接続されている。スイッチング回路５５としては、
例えばサイリスタが用いられ、該スイッチング回路５５
をオン・オフするための時定数回路５６がスイッチング
回路５５に接続されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図５に示した電源回路
において、突入電流抑制素子５３として固定抵抗を用い
た場合、突入電流は小さくし得るものの、メインスイッ
チ５２がオン状態にある間、固定抵抗に電流が流れ続け
る。従って、固定抵抗により数十Ｗ程度の比較的大きな
電力が消費され、電子機器の消費電力が大きくならざる
を得なかった。

【０００６】加えて、上記固定抵抗が比較的大型とな
り、コストが高くつくだけでなく、固定抵抗が実装され
る回路基板における占有面積が大きくならざるを得なか
った。さらに、突入電流の抑制と、消費電力の低減の双
方を満たすことが困難であり、これらの双方を考慮して
固定抵抗の抵抗値等を設計していたが、評価に非常に時
間が掛かり、最適な突入電流抑制素子を選択するのに煩
雑な評価作業が必要であった。

【０００７】他方、突入電流抑制素子５３として、ＮＴ
Ｃ素子を用いた場合には、発熱と同時に抵抗値が急激に
低下するため、消費電力の低減を図ることができ、かつ
実装基板における占有面積の低減も図り得る。しかしな
がら、メインスイッチ５２をオフ状態とした後には、Ｎ
ＴＣ素子が初期状態（常温状態）に復帰するのに数分の
時間が必要であった。従って、メインスイッチ５２のオ
ン・オフが頻繁に行なわれる電子機器には用いることが
困難であった。

【０００８】他方、図６に示した電源回路では、サイリ
スタなどのスイッチング素子５５及び時定数回路５６を
備えるため、突入電流抑制後には、突入電流抑制素子５
３に流れる電流量を低減することができ、突入電流の抑
制と消費電力の低減を図ることができる。しかしなが
ら、スイッチング素子５５や時定数回路５６が必要であ
るため、コストが高くつくだけでなく、電源回路の回路
構成が複雑になるという問題があった。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、複雑
な回路構成を必要とすることなく、突入電流の抑制及び
消費電力の低減を図ることができ、かつ小型に構成し得
る突入電流抑制用電子部品を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明に
係る突入電流抑制用電子部品は、突入電流を抑制するた
めのサーミスタ素子に対し、互いに直列に接続された感
熱スイッチ及び発熱素子が並列に接続されており、前記
サーミスタ素子の発熱時の熱を受け得るようにサーミス
タ素子に前記感熱スイッチが熱結合されており、かつ前
記発熱素子が通電時に発熱した際の熱を受け得るように
前記感熱スイッチが発熱素子に熱結合されていることを
特徴とする。

【００１１】また、請求項２に記載の発明に係る突入電
流抑制用電子部品においては、上記サーミスタ素子、感
熱スイッチ及び発熱素子を収納するケースがさらに備え
られ、該ケース内において、感熱スイッチを挟んでサー
ミスタ素子と発熱素子とが配置されている。

【００１２】請求項３に記載の発明に係る突入電流抑制
用電子部品では、ケース内に形成された仕切り壁がさら
に備えられており、該仕切り壁により、仕切り壁の一方
側にサーミスタ素子を収納するサーミスタ素子収納空間
が、他方側に感熱スイッチ及び発熱素子収納空間が形成
されており、サーミスタ素子収納空間に上記サーミスタ
素子が収納されており、かつ感熱スイッチ及び発熱素子
収納空間に、上記感熱スイッチ及び発熱素子が収納され
ている。

【００１３】請求項４に記載の発明に係る突入電流抑制
用電子部品では、上記サーミスタ素子の発熱時の熱を感
熱スイッチに伝搬させるために、仕切り壁に貫通孔また
は切欠が形成されている。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の非限定的な実施例
を挙げることにより、本発明を明らかにする。

【００１５】図１は、本発明の一実施例に係る突入電流
抑制用電子部品が組み込まれた電源回路を示す回路図で
ある。商用電源１に、電源回路のメインスイッチ２が接
続されている。メインスイッチ２とメイン回路４との間
に本発明の一実施例に係る突入電流抑制用電子部品３が
接続されている。なお、メイン回路４は、テレビション
受像機等の電子機器のメイン回路である。

【００１６】突入電流抑制用電子部品３は、正特性サー
ミスタ素子（ＰＴＣ素子）５と、ＰＴＣ素子５に並列に
接続されており、かつ互いに直列に接続されている感熱
スイッチであるバイメタルスイッチ６及び通電により加
熱する発熱素子であるニクロムヒータ７とを有する。

【００１７】バイメタルスイッチ６は、ＰＴＣ素子５が
発熱した際に、その熱を受け得るように、ＰＴＣ素子５
に熱結合されている。また、バイメタルスイッチ６は、
ヒータ７が発熱した際に、その熱を受け得るようにヒー
タ７にも熱結合されている。

【００１８】さらに、後述の具体的な実施例から明らか
なように、上記ＰＴＣ素子５、バイメタルスイッチ６及
びヒータ７は単一のケースに組み込まれている。本実施
例の突入電流抑制用電子部品３の動作を、図１を参照し
て説明する。

【００１９】初期状態では、バイメタルスイッチ６がオ
フ状態となるように設定されている。電子機器をオン状
態とするために、メインスイッチ２をオン状態とする
と、この電源回路に電流が流れる。この場合、メインス
イッチ２がオン状態になった際に流れる突入電流が、Ｐ
ＴＣ素子５の抵抗により低減される。突入電流の大きさ
を低減する作用、すなわち、突入電流抑制作用について
は、ＰＴＣ素子５の初期抵抗値を選択することにより自
由に設定することができる。すなわち、電源回路におけ
る突入電流の大きさに応じて、ＰＴＣ素子５の初期抵抗
値を選択すればよい。

【００２０】電源回路に電流が流れ出すと、ＰＴＣ素子
５が発熱する。ＰＴＣ素子５の発熱により発生した熱を
受けて、バイメタルスイッチ６が動作し、オフ状態から
オン状態とされる。バイメタルスイッチ６がオン状態に
なると、ヒータ７に電流が流れ、同時に、ＰＴＣ素子５
にはほとんど電圧が印加されなくなり、ＰＴＣ素子５は
初期状態、すなわち低温状態に戻る。他方、ヒータ７が
通電により加熱するため、バイメタルスイッチ６のオン
状態が維持される。

【００２１】よって、メインスイッチ２がオフ状態とさ
れるまで、バイメタルスイッチ６はオン状態とされ、メ
イン回路４に電源が供給される。しかも、この場合、Ｐ
ＴＣ素子５には、電流がほとんど流れないため、ＰＴＣ
素子５における電力消費量を低減することができる。

【００２２】他方、メインスイッチ２がオフ状態になる
と、ヒータ７への通電が停止し、ヒータ７の温度が低下
する。従って、バイメタルスイッチ６がオフ状態とな
り、初期状態に戻る。

【００２３】この場合、ヒータ７の通電停止による温度
は、ＰＣＴ素子５の発熱状態から低温状態への復帰より
も遙かに速やかに低下する。従って、メインスイッチ２
をオフ状態とした場合、ヒータ７とともにバイメタルス
イッチ６が速やかに初期状態に復帰するため、メインス
イッチ２をオフ状態とした後、極めて短時間でメインス
イッチ２をオン状態とし、再度上記動作を発揮させ得
る。

【００２４】次に、上記突入電流抑制用電子部品の具体
的な実施例を図２を参照して説明する。突入電流抑制用
電子部品３は、絶縁性材料よりなるケース８を用いて構
成されている。ケース８を構成する絶縁性材料として
は、合成樹脂、あるいはアルミナなどの絶縁性セラミッ
クスのような任意の絶縁性材料を用いることができ、好
ましくは耐熱性に優れた絶縁性セラミックス、あるいは
ポリフェニレンサルファイドなどの耐熱性を有する合成
樹脂が用いられる。

【００２５】ケース８内には、中間高さ位置に仕切り壁
８ａが形成されている。仕切り壁８ａの中央には貫通孔
８ｂが形成されている。仕切り壁８ａを形成することに
より、仕切り壁８ａの上方にサーミスタ素子収納空間８
ｃが、下方にバイメタルスイッチ６及びヒータ７収納空
間８ｄが形成されている。なお、仕切り壁８ａについて
は、ケース８と同一材料によりケース８と一体に構成し
てもよく、あるいはケース８と異なる絶縁性材料を用い
て仕切り壁８ａを形成し、ケース８に接着剤などを用い
て固定してもよい。

【００２６】サーミスタ素子収納空間８ｃ内には、ＰＴ
Ｃ素子５が収納されている。ＰＴＣ素子５は、板状のサ
ーミスタ素体５ａの両面に電極（図示せず）を形成した
構造を有し、従来より公知の適宜のＰＴＣ素子と同様に
構成されている。ＰＴＣ素子５の下面には、金属端子９
が導通されている。金属端子９は、仕切り壁８ａの上面
に当接されており、かつケース８外に引き出されてい
る。同様に、ＰＴＣ素子５の上面には、金属端子１０が
導通されており、金属端子１０はケース８外に引き出さ
れている。

【００２７】なお、金属端子９，１０はケース８を介し
て互いに反対方向に引き出されているが、金属端子９，
１０はケース８の同一側面から同一方向に引き出されて
いてもよい。

【００２８】また、図２では、金属端子１０の上面がケ
ース８の天板内面８ｅに接触されているが、金属端子１
０の上面とケース８の天板内面８ｅとの間に隙間が設け
られていてよい。

【００２９】もっとも、周囲への熱の放散を抑制し、Ｐ
ＴＣ素子５の発熱により発生した熱を後述のバイメタル
スイッチ６に効率良く伝搬するには、本実施例のよう
に、天板内面８ｅと仕切り壁８ａとの間に隙間なくＰＴ
Ｃ素子５及び金属端子９，１０が配置されていることが
望ましい。

【００３０】仕切り壁８ａの中央に形成された貫通孔８
ｂの下方にバイメタルスイッチ６が配置されている。バ
イメタルスイッチ６は、両端に一対の可動接点６ａ，６
ｂが設けられたバイメタル片からなる可動接点部材６ｃ
と、固定接点６ｄ，６ｅが上端に設けられた第１，第２
の固定接点部材６ｆ、６ｇとを有する。可動接点部材６
ｃは、初期状態では、図２に示すように両端が上方に、
中央部が下方に突出した弓形の形状を有し、両端の可動
接点６ａ，６ｂが、固定接点６ｄ，６ｅの上方に隔てら
れている。バイメタルスイッチ６が加熱されると、可動
接点部材６ｃの中央が上方に突出するように変形し、両
端の可動接点６ａ，６ｂが固定接点６ｄ，６ｅに当接す
るように構成されている。このようなバイメタルスイッ
チ６については、従来より公知慣用のバイメタルスイッ
チを用いて構成することができる。

【００３１】他方、上述した貫通孔８ｂは、ＰＴＣ素子
５で発生した熱をバイメタルスイッチ６の可動接点部材
６ｃに効率よく導くために設けられている。もっとも、
貫通孔８ｂに代えて、仕切り壁８ａに切欠を設け、切欠
の下方に上記バイメタルスイッチ６を配置してもよい。
あるいは、中央に大きな貫通孔８ｂを形成した構造に代
えて、多数の貫通孔を仕切り壁８ａに形成し、仕切り壁
８の多数の貫通孔が設けられている領域の下方にバイメ
タルスイッチ６を配置してもよい。

【００３２】すなわち、ＰＴＣ素子５で発生した熱をバ
イメタルスイッチ６に効果的に導く限り、適宜の熱伝搬
誘導手段を構成することができる。また、上記のような
熱伝搬誘導手段を設けずとも、バイメタルスイッチ６を
ＰＴＣ素子５に近接配置させるだけでも、ＰＴＣ素子５
の熱をバイメタルスイッチ６に導くことができるため、
バイメタルスイッチ６をＰＴＣ素子５に熱結合する構成
については、ＰＴＣ素子５で発生した熱によりバイメタ
ルスイッチ６をオン状態とし得る限り特に限定されるも
のではない。

【００３３】バイメタルスイッチ６の下方には、通電に
より加熱するヒータ７が配置されている。ヒータ７は、
通電により加熱する抵抗体、例えば、Ｎｉ−Ｃｒ系合金
あるいはＮｉ−Ｃｕ系合金などの適宜の材料からなるも
のを用いることができる。

【００３４】ヒータ７は、通電により加熱した際に、そ
の熱がバイメタルスイッチ６の可動接点部材６ｃ側に伝
搬されるように、バイメタルスイッチ６に熱結合されて
いる。すなわち、ヒータ７が加熱した際の熱によりバイ
メタルスイッチ６がオン状態となるように、ヒータ７が
バイメタルスイッチ６に熱結合されている。

【００３５】従って、本発明における「熱結合」なる用
語は、上記バイメタルスイッチ６をオフ状態からオン状
態とし得るように、あるいはオン状態を維持し得るよう
に、バイメタルスイッチに熱を与え得るように、バイメ
タルスイッチ６に対してＰＴＣ素子５またはヒータ７が
配置されていることを意味するものとする。

【００３６】なお、上記実施例では、サーミスタ素子と
してＰＴＣ素子５を用いたが、ＰＴＣ素子５に代えてＮ
ＴＣ素子を用いてもよい。また、図２において、１１，
１２は導電膜を示し、導電膜１１は、一端がバイメタル
スイッチ６の第１の固定接点部材６ｆに接続されてお
り、他端が金属端子１０に接続されている。導電膜１２
は、一端がヒータ７に、他端が金属端子９に接続されて
いる。また、図２では、明瞭ではないが、ケース８の底
面に設けられた図示しない導電膜により、バイメタルス
イッチ６の第２の固定接点部材６ｇと、ヒータ７の導電
膜１２が接合されている端部とは反対側の端部とが電気
的に接続されている。

【００３７】従って、金属端子９，１０間に、図１に一
点鎖線で囲まれた部分に相当する回路構成が実現されて
いる。よって、本実施例の突入電流抑制用電子部品３を
用いる場合には、金属端子９，１０のケース８外に引き
出されている部分を用いて電源回路に接続するだけで、
突入電流の抑制を図ることができ、他のスイッチング回
路や時定数回路などの複雑な回路構成を必要としない。

【００３８】次に、具体的な実験例につき説明する。 （実験例１）ＰＴＣ素子５として、直径１７ｍｍ×厚さ
２．５ｍｍの円板状のチタン酸バリウムを主体とするサ
ーミスタ素体を有し、初期抵抗値が５Ω（２５℃）のＰ
ＴＣ素子５を用意した。バイメタルスイッチ６として
は、オフ状態からオン状態へ変化する動作温度が６０℃
であるバイメタルを用意した。ヒータ７としては、抵抗
値が０．１Ωであるニクロム線からなるものを用意し
た。これらのＰＴＣ素子５、バイメタルスイッチ６及び
ヒータ７を用いて突入電流抑制用電子部品３を作製し、
１００Ｖ電源用のレーザープリンタの電源回路に本来接
続されていた２Ωの突入電流抑制用固定抵抗を取り除
き、突入電流抑制用電子部品３を接続し、突入電流の変
化を測定した。結果を図３に示す。また、この突入電流
の大きさの時間変化を図４に一点鎖線Ａで示す。

【００３９】また、上記レーザープリンタから、上記突
入電流抑制用電子部品３を取り除き、本来セットされて
いた２Ωの突入電流抑制用固定抵抗を接続し、突入電流
の時間変化を測定した。結果を図４に破線Ｂで示す。

【００４０】さらに、上記レーザープリンタの電源回路
に本来接続されていた２Ωの突入電流抑制用固定抵抗を
取り除き、突入電流が抑制されない場合の突入電流の時
間変化を測定した。結果を図４に実線Ｃで示す。

【００４１】上記実験において、突入電流抑制用電子部
品におけるバイメタルスイッチ６はメインスイッチ２を
オン状態とした後に２秒後に動作し、オン状態とされ
た。また、図４から明らかなように、本実施例の突入電
流抑制用電子部品を用いることにより、２Ωの固定抵抗
を用いた場合に比べて、突入電流をより効果的に抑制す
ることが可能であることがわかる。

【００４２】（実験例２）上記ＰＴＣ素子に代えて、１
２ｍｍ径×厚さ３ｍｍの円板状の形状を有し、初期抵抗
が５Ω（２５℃）のＮＴＣ素子をサーミスタ素子として
用い、その他は上記実験例と同様にして突入電流抑制用
電子部品を作製し、評価した。その結果、上記実験例１
と同様に、固定抵抗を用いた場合に比べて優れた突入電
流抑制作用を発揮することが確かめられた。

【００４３】

【発明の効果】請求項１に記載の発明に係る突入電流抑
制用電子部品では、突入電流がサーミスタ素子により抑
制され、サーミスタ素子の自己発熱により発生した熱が
感熱スイッチに与えられ、感熱スイッチがオン状態とさ
れる。従って、感熱スイッチがオン状態とされると、感
熱スイッチ及び発熱素子に電流が流れ、発熱素子が加熱
し、発熱素子の熱を受けて感熱スイッチがオン状態を維
持される。他方、サーミスタ素子については、感熱スイ
ッチ及び発熱素子に電流が流れると、ほとんど電流が流
れなくなるため、サーミスタ素子における消費電力が著
しく少なくなる。

【００４４】さらに、電源スイッチがオフ状態となる
と、発熱素子の発熱が停止し、感熱スイッチがオフ状態
とされて初期状態に戻る。よって、サーミスタ素子を用
いるため、突入電流を効果的に低減することができると
共に、サーミスタ素子の発熱後には感熱スイッチがオン
状態とされてサーミスタ素子にはほとんど電流が流れな
いため、消費電力の低減を図ることができる。加えて、
感熱スイッチは、電源スイッチがオフ状態とされるまで
オン状態とされるが、電源スイッチがオフ状態とされる
と発熱素子の発熱停止によりオフ状態とされ、従って速
やかに初期状態に復帰する。

【００４５】従来のサーミスタ素子を用いた突入電流抑
制素子では、発熱したサーミスタ素子が電源をオフ状態
とした後に常温に戻るまでにある程度の時間が必要であ
ったのに対し、上記発熱素子については電源スイッチを
オフ状態とした後に、速やかに常温に復帰する。従っ
て、繰り返しオン・オフされる電子機器にも好適な突入
電流抑制用電子部品を提供することができる。

【００４６】加えて、上記サーミスタ素子の抵抗値や寸
法等を変更することにより、電子機器の種類に応じて最
適な突入電流抑制用電子部品を容易に供給することが可
能となる。

【００４７】また、従来の固定抵抗を用いた突入電流抑
制素子では、比較的な大きな固定抵抗を必要とするため
基板上における実装面積が比較的大きかったのに対し、
本発明に係る突入電流抑制用電子部品では、上記サーミ
スタ素子を用いるため、さほど大きな素子を必要としな
い。従って、基板上における実装面積の低減も図ること
が可能となる。本願発明者の実験によれば、回路基板上
における占有面積は、固定抵抗を用いた場合に比べて１
／３とすることができ、高密度実装が可能であることが
確かめられた。

【００４８】また、ＮＴＣサーミスタ素子のみを突入電
流抑制素子として用いた従来法では、サーミスタ素子が
１５０℃程度に常時発熱していたため、周囲の部品に熱
的な悪影響を与えるおそれがあったのに対し、本発明に
係る突入電流抑制用電子部品では、同じ用途に用いた場
合、部品表面温度は約６０℃程度にすぎず、周囲の部品
への熱的悪影響が生じ難いことが確かめられた。

【００４９】請求項２に記載の発明では、サーミスタ素
子、感熱スイッチ及び発熱素子を収納するケースをさら
に備え、ケース内において、感熱スイッチを挟んでサー
ミスタ素子と発熱素子とが配置されているため、ケース
内に収納された単一の電子部品として上記突入電流抑制
用電子部品を構成することができると共に、サーミスタ
素子と発熱素子とが感熱スイッチを挟んで反対側に配置
されているため、発熱素子への通電後のサーミスタ素子
の温度低下が妨げられ難い。

【００５０】請求項３に記載の発明によれば、ケース内
に形成された仕切り壁により、一方側にサーミスタ素子
収納空間が構成されており、該サーミスタ素子収納空間
にサーミスタ素子が収納されており、他方側に形成され
た感熱スイッチ及び発熱素子収納空間に感熱スイッチ及
び発熱素子が収納されているため、発熱素子が通電によ
り加熱した後に、サーミスタ素子の温度低下が妨げられ
難い。

【００５１】請求項４に記載の発明では、仕切り壁に貫
通孔または切欠が形成されているため、サーミスタ素子
の発熱時の熱が感熱スイッチに効果的に伝搬し、従って
感熱スイッチを確実に動作させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る突入電流抑制用電子部
品が接続された電源回路を示す回路図。

【図２】本発明の一実施例に係る突入電流抑制用電子部
品を示す縦断面図。

【図３】本発明の一実施例の突入電流抑制用電子部品に
おける突入電流抑制作用を説明するための図。

【図４】実施例の突入電流抑制用電子部品を用いた場
合、従来の固定抵抗を用いた突入電流抑制素子を用いた
場合、並びに突入電流抑制素子を用いなかった場合の各
突入電流の時間的変化を示す図。

【図５】従来の突入電流抑制素子の一例が接続された電
源回路を示す図。

【図６】従来の突入電流抑制素子の他の例が接続された
電源回路を示す図。

【符号の説明】

３…突入電流抑制用電子部品 ５…サーミスタ素子 ６…バイメタルスイッチ ６ｃ…バイメタルスイッチの可動接点部材 ６ｆ，６ｇ…第１，第２の固定接点部材 ７…ヒータ ８…ケース ８ａ…仕切り壁 ８ｂ…貫通孔 ８ｃ…サーミスタ素子収納空間 ８ｄ…バイメタルスイッチ及びヒータ収納空間

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 突入電流を抑制するためのサーミスタ素
   子に対し、互いに直列に接続された感熱スイッチ及び発
   熱素子が並列に接続されており、 前記サーミスタ素子の発熱時の熱を受け得るようにサー
   ミスタ素子に前記感熱スイッチが熱結合されており、か
   つ前記発熱素子が通電時に発熱した際の熱を受け得るよ
   うに前記感熱スイッチが発熱素子に熱結合されているこ
   とを特徴とする、突入電流抑制用電子部品。
2. 【請求項２】 前記サーミスタ素子、感熱スイッチ及び
   発熱素子を収納するケースをさらに備え、前記ケース内
   において、感熱スイッチを挟んで前記サーミスタ素子と
   前記発熱素子とが配置されていることを特徴とする、請
   求項１に記載の突入電流抑制用電子部品。
3. 【請求項３】 前記ケース内に形成された仕切り壁をさ
   らに備え、該仕切り壁により、仕切り壁の一方側にサー
   ミスタ素子を収納するサーミスタ素子収納空間が、他方
   側に感熱スイッチ及び発熱素子収納空間が形成されてお
   り、 前記サーミスタ素子収納空間にサーミスタ素子が収納さ
   れており、かつ前記感熱スイッチ及び発熱素子収納空間
   に、感熱スイッチ及び発熱素子が収納されている、請求
   項２に記載の突入電流抑制用電子部品。
4. 【請求項４】 前記サーミスタ素子の発熱時の熱を前記
   感熱スイッチに伝搬させるために、前記仕切り壁に貫通
   孔または切欠が形成されている、請求項３に記載の突入
   電流抑制用電子部品。