JPH11203732A - 露光方法及びこれを用いた露光装置、ならびに原盤及び光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光記録媒体の小型且つ大容量化を図る露光方
法及びこれを用いた露光装置、ならびに原盤及び光記録
媒体の提供。 【解決手段】 マスクパターン３ａが形成されたフォト
マスク３とフォトレジスト膜５ａが形成された原盤５と
の間に縮小投影レンズ４を配設し、原盤５をフォトマス
ク３のマスクパターン３ａ形成面の平行方向に移動させ
るとともに、フォトレジスト膜５ａにマスクパターン３
ａのｍ／ｎ倍パターン（但し、ｎ，ｍは整数、且つｎ＞
ｍ）の一括転写を複数回行い、フォトレジスト膜５ａに
複数個のｍ／ｎ倍パターンを形成することを特徴とす
る。例えば、マスクパターン３ａに形成されたスパイラ
ル状のピットやグルーブの一括転写１／４倍パターン
を、原盤５上のフォトレジスト膜５ａに複数個形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は露光方法及びこれを
用いた露光装置、ならびに原盤及び光記録媒体に関し、
さらに詳しくは、原盤上に形成されたフォトレジスト膜
に露光光を照射し、同心円状あるいはスパイラル状のピ
ットやグルーブを形成する露光方法及びこれを用いた露
光装置、ならびに原盤及び光記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】円盤状の光記録媒体は、図９の概略外観
斜視図に示したように、光学的に透明なプラスチック等
で構成された基板８の少なくとも一方の面に信号記録領
域１３が形成されている。そして、ＣＤ（商品名、Ｃｏ
ｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ）に代表されるＲＯＭ（Ｒｅａｄ
Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）型の光記録媒体１２あるい
は相変化型ディスクや光磁気ディスクに代表されるＲＡ
Ｍ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）型の
光記録媒体１２の信号記録領域１３には、少なくとも図
９における信号記録領域１３を拡大した概略拡大図であ
る図１０（ａ）に示したようなピット１５及び同様の概
略拡大図である図１０（ｂ）に示したようなグルーブ１
６の何れか一方または両方が、例えば１〜２μｍの所定
のトラックピッチで同心円状あるいはスパイラル状に形
成されている。

【０００３】以下、原盤から光記録媒体１２を作製する
までの工程順について、概略工程説明図である図１１
（ａ）〜（ｃ）及び図１１（ｃ）に続く概略工程説明図
である図１２（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。な
お、図１２（ａ）は原盤５に形成されたグルーブ１６及
びランド１７の部分を拡大した概略拡大斜視図であり、
図１２（ｂ）は原盤５に形成されたグルーブ１６及びラ
ンド１７の部分の概略断面図であり、図１２（ｃ）は原
盤５からスタンパ７を転写する状態の概略断面図であ
る。

【０００４】先ず、図１１（ａ）に示したように、原盤
５の表面を十分平坦に研磨した後、これを十分に洗浄す
る。

【０００５】次に、図１１（ｂ）に示したように、原盤
５上に、例えば露光処理によりアルカリ可溶性に変化す
るフォトレジスト膜５ａを、例えば０．１μｍの厚さに
塗布する。一般的に、この塗布工程はスピンコート法に
より行われる。

【０００６】次に、図１１（ｃ）に示したように、後に
説明する露光装置の対物レンズ２２を用い集光された露
光スポットをフォトレジスト膜５ａに照射して露光す
る。このとき、原盤５を回転させながら露光スポットを
一回転あたり所定のトラックピッチでラジアル方向に移
動させることにより、図１１（ｃ）に示したように、フ
ォトレジスト膜５ａにスパイラル状のグルーブ１６の潜
像１８、または、このとき露光スポットを断続的に照射
してフォトレジスト膜５ａにピット１５の潜像１８を形
成する。

【０００７】次に、フォトレジスト膜５ａ上に形成され
た潜像１８を、例えばアルカリ性現像液で現像すること
により露光部、即ち、フォトレジスト膜５ａの感光部分
を除去すれば、ＲＯＭ型の光記録媒体１２用原盤５には
連続したピット１５が形成され、ＲＡＭ型の光記録媒体
１２用原盤５には、図１２（ａ）に示したように、フォ
トレジスト膜５ａに連続溝であるグルーブ１６とランド
１７がラジアル方向に交互に形成される。

【０００８】次に、図１２（ｂ）に示したように、現像
処理されてフォトレジスト膜５ａにグルーブ１６とラン
ド１７あるいはピット１５が形成された原盤５上にニッ
ケルメッキ等を施してスタンパ前駆体７ａを形成する。
そしてこのスタンパ前駆体７ａを剥がすことによりフォ
トレジスト膜５ａのグルーブ１６及びランド１７あるい
はピット１５を転写したスタンパ７が作製される。

【０００９】次に、図１２（ｃ）に示したように、スタ
ンパ７の凹凸形状を射出成型法等によりプラスチック材
料に転写してグルーブ１６及びランド１７が形成された
レプリカである基板８を作製する。そして、基板８の作
製後に、この基板８のグルーブ１６及びランド１７が形
成された凹凸面上あるいはピット１５が形成された面
上、即ち信号記録領域１３の面上に記録膜、反射膜及び
保護膜を形成すれば、光記録媒体１２の作製が完了す
る。

【００１０】図１３は、上記した原盤５にグルーブ１６
及びランド１７あるいはピット１５の潜像１８を形成す
る露光装置の概略構成図である。符号１は、例えば波長
が４１３ｎｍのＫｒイオンレーザ等の記録用の光源であ
り、符号１９は光源１から出射される光束の出力の不安
定さを除去するとともに最終的な記録光強度を制御し、
ＥＯ（電気光学結晶素子）等で構成された記録光強度制
御部である。符号２０は変調信号に応じた長さのピット
１５を形成するための変調手段を有する変調部であり、
変調部２０を構成する変調器には数十ＭＨｚの帯域で使
用できる性能が要求され、一般的にはＥＯＭ（電気光学
結晶素子変調器）あるいはＡＯＭ（音響光学結晶素子変
調器）が用いられる。符号２１は記録光束の径を拡大す
る光学系を有するビームエキスパンダ部であり、ビーム
エキスパンダ部２１における拡大率により原盤５のフォ
トレジスト膜５ａに対物レンズ２２を用い集光される露
光スポットの径が制御される。このような構成により、
原盤５を所定の回転数で回転させながら露光スポットを
ラジアル方向に一回転当たり所定のトラックピッチ移動
させれば、グルーブ１６の潜像１８あるいはピット１５
の潜像１８を所定のトラックピッチで同心円状あるいは
スパイラル状に形成することができる。

【００１１】近年、従来のＣＤと比較して約５倍の記録
密度であるＤＶＤ（商品名、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓ
ａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）が商品化される等、光記録媒体
の分野では益々高密度記録化の傾向にある。また、一方
では携帯用情報処理装置の進展から、ある程度の情報量
を確保しつつ高密度記録化によりディスクサイズの小型
化を図り、携帯用情報処理装置の更なる小型軽量化も求
められている。例えば、ＣＤのサイズの１／４である外
径３０ｍｍの片面にＣＤと同等の６５０ＭＢの情報量を
記録するためには、ＣＤのトラックピッチ１．６μｍ、
最短ピット長０．８３μｍに対してトラックピッチ０．
４μｍ、最短ピット長０．２０７５μｍにしなければな
らない。

【００１２】このため、露光スポット径を小にする等の
手段により、更に小であるグルーブ１６やピット１５の
形成を可能とする露光技術が求められている。露光スポ
ット径φは、記録光波長λ及び対物レンズ２２の開口数
ＮＡから回折限界（φ＝１．２２×（λ／ＮＡ））にお
いて最小となる。従って、露光スポット径φをより小と
するためには、対物レンズ２２の開口数ＮＡを大とす
る、記録光波長λを小とする、あるいは対物レンズ２２
の開口数ＮＡを大とするとともに記録光波長λを小とす
ることが必要となる。

【００１３】しかしながら、露光装置で使用されている
対物レンズ２２の開口数ＮＡは、一般的に開口数ＮＡの
理論的最大値の１にほぼ同等である０．９〜０．９５の
ものが既に使用されている。また、記録光波長λに関し
てはほぼ３５０ｎｍの紫外光の使用が実用化され始めて
いるが、これよりも短波長である３００ｎｍ以下のもの
を使用する場合にはフォトレジスト膜５ａを始めとして
従来プロセスの大幅な変更の必要性、この波長に対応し
た光学部品の確保の困難性、この波長領域における人体
への悪影響等の問題点がある。また、原盤５に同心円状
あるいはスパイラル状のグルーブ１６及びランド１７あ
るいはピット１５の潜像１８の形成には多くの工数を要
するため、多くの工数を要しない露光方法及び露光装置
も求められている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、記録
密度を大にして光記録媒体の小型且つ大容量化を図ると
ともに、多くの工数を要しない露光方法及びこれを用い
た露光装置、ならびに原盤及び光記録媒体を提供するこ
とである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１の発明の露光方法では、マスクパターンが
形成されたフォトマスクとフォトレジスト膜が形成され
た原盤との間に縮小投影レンズを配設し、原盤上に形成
されたフォトレジスト膜にマスクパターンのｍ／ｎ倍パ
ターン（但し、ｎ，ｍは整数、且つｎ＞ｍ）を一括転写
することを特徴とする。即ち、例えばマスクパターンに
形成された同心円状あるいはスパイラル状のピットやグ
ルーブの１／４倍パターンを、縮小投影レンズを介して
原盤上のフォトレジスト膜に一括転写することを特徴と
する露光方法である。

【００１６】請求項２の発明の露光方法では、マスクパ
ターンが形成されたフォトマスクとフォトレジスト膜が
形成された原盤との間に縮小投影レンズを配設し、原盤
をフォトマスクのマスクパターン形成面の平行方向に移
動させるとともに、フォトレジスト膜にマスクパターン
のｍ／ｎ倍パターン（但し、ｎ，ｍは整数、且つｎ＞
ｍ）の一括転写を複数回行い、フォトレジスト膜に複数
個のｍ／ｎ倍パターンを形成することを特徴とする。即
ち、例えばマスクパターンに形成された同心円状あるい
はスパイラル状のピットやグルーブの１／４倍パターン
の縮小投影レンズを介しての一括転写を、原盤をフォト
マスクのマスクパターン形成面の平行方向に移動させる
とともに複数回行い、原盤上のフォトレジスト膜に複数
個の１／４倍パターンを形成することを特徴とする露光
方法である。

【００１７】また、請求項１または請求項２の露光方法
により作製された原盤と、この原盤を用いて作製された
光記録媒体を特徴とする。

【００１８】請求項９の発明の露光装置では、マスクパ
ターンが形成されたフォトマスクとフォトレジスト膜が
形成された原盤との間に、マスクパターンのｍ／ｎ倍パ
ターン（但し、ｎ，ｍは整数、且つｎ＞ｍ）をフォトレ
ジスト膜に一括転写する縮小投影レンズが配設されてい
ることを特徴とする。即ち、例えばマスクパターンに形
成された同心円状あるいはスパイラル状のピットやグル
ーブの１／４倍パターンを、縮小投影レンズを介して原
盤上のフォトレジスト膜に一括転写することを特徴とす
る露光装置である。

【００１９】請求項１０の発明の露光装置では、マスク
パターンが形成されたフォトマスクとフォトレジスト膜
が形成された原盤との間に配設された縮小投影レンズ
と、原盤をフォトマスクのマスクパターン形成面と平行
方向に移動させる移動手段とを有し、移動手段により原
盤を移動させるとともに、フォトレジスト膜へのマスク
パターンのｍ／ｎ倍パターン（但し、ｎ，ｍは整数、且
つｎ＞ｍ）の一括転写を複数回行い、原盤上のフォトレ
ジスト膜に複数個のｍ／ｎ倍パターンの形成が可能であ
ること特徴とする。即ち、例えばマスクパターンに形成
された同心円状あるいはスパイラル状のピットやグルー
ブの１／４倍パターンの縮小投影レンズを介しての一括
転写を、原盤をフォトマスクのマスクパターン形成面の
平行方向に移動させるとともに複数回行い、原盤上のフ
ォトレジスト膜に複数個の１／４倍パターンの形成が可
能であることを特徴とする露光装置である。

【００２０】また、請求項９または請求項１０の露光装
置により作製された原盤と、この原盤を用いて作製され
た光記録媒体を特徴とする。

【００２１】上述した手段による作用を以下に記す。請
求項１の発明の露光方法によれば、フォトマスクに、例
えばトラックピッチ１．６μｍ、最短ピット長０．８３
μｍのスパイラル状のピットのマスクパターンを形成
し、これを１／４倍の縮小投影レンズを介して原盤上の
フォトレジスト膜に一括転写すれば、原盤上のフォトレ
ジスト膜にはトラックピッチ０．４μｍ、最短ピット長
０．２０７５μｍの小型且つ高密度なスパイラル状のピ
ットパターンを多くの工数を要することなく形成するこ
とができる。

【００２２】請求項２の発明の露光方法によれば、フォ
トマスクに、例えばトラックピッチ１．６μｍ、最短ピ
ット長０．８３μｍのスパイラル状のピットのマスクパ
ターンを形成し、これを１／４倍の縮小投影レンズを介
して原盤上のフォトレジスト膜への一括転写を複数回行
えば、原盤上のフォトレジスト膜にはトラックピッチ
０．４μｍ、最短ピット長０．２０７５μｍの複数個の
小型且つ高密度なスパイラル状のピットパターンを多く
の工数を要することなく形成することができる。

【００２３】請求項９の発明の露光装置によれば、多く
の工数を要することなく小型且つ高密度なスパイラル状
のピットパターンが形成された原盤を得ることができ、
この原盤を用いることにより小型且つ高密度な光記録媒
体の作製が可能となる。また、従来の露光装置のよう
に、原盤を高精度で回転させる手段や露光光学系等を高
精度で原盤の半径方向に移動させる手段は不要であり、
露光装置の簡素化を図ることができる。

【００２４】請求項１０の発明の露光装置によれば、多
くの工数を要することなく複数個の小型且つ高密度なス
パイラル状のピットパターンが形成された原盤を得るこ
とができ、この原盤を用いることにより一工程で複数個
の小型且つ高密度な光記録媒体の作製が可能となる。ま
た、原盤を載置してフォトマスクのマスクパターン形成
面と平行に移動させる手段は必要であるものの、従来の
露光装置のように、原盤を高精度で回転させる機構や露
光光学系を高精度で原盤の半径方向に移動させる機構は
不要であり、露光装置の簡素化を図ることができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】本発明は、原盤上に形成されたフ
ォトレジスト膜に露光光を照射し、少なくとも同心円状
あるいはスパイラル状のピット及びグルーブの何れか一
方を形成する露光方法及びこれを用いた露光装置、なら
びに原盤及び光記録媒体に適用することができる。以
下、本発明を適用した実施例の一例について図１〜図８
を参照して説明する。なお、図中の構成要素で従来の技
術と同様の構造を成しているものについては、同一の参
照符号を付すものとする。

【００２６】

【実施例】本実施例では、原盤上のフォトレジスト膜に
複数個の縮小一括転写パターンの形成が可能である露光
方法及びこれを用いた露光装置の一例について、概略構
成図である図１を参照して説明する。

【００２７】露光装置は、例えば波長が２４８ｎｍであ
るＫｒＦエキシマレーザ等の光源１と、照明光学系２
と、例えばＮＡ０．６５、フィールドサイズ径３０ｍｍ
の縮小投影レンズ４と、原盤５の移動手段であるＸＹス
テージ６とで概略構成されている。そして、照明光学系
２と縮小投影レンズ４との間には、例えば直径４８ｍｍ
〜１１６ｍｍの範囲内にトラックピッチ１．６μｍ、最
短ピット長０．８３μｍのスパイラル状のピットのマス
クパターン３ａが形成されたフォトマスク３が配設さ
れ、ＸＹステージ６上には、例えば直径２００ｍｍ（８
インチ）、厚さ２ｍｍ〜６ｍｍのガラス板上にフォトレ
ジスト膜５ａが形成された原盤５が載置されている。こ
の場合、ＸＹステージ６に載置された原盤５は、ＸＹス
テージ６により、照明光学系２と縮小投影レンズ４との
間に配設されたフォトマスク３のマスクパターン３ａ形
成面と平行方向のＸＹ方向に移動可能となっている。

【００２８】上記した縮小投影レンズ４のＮＡ値０．６
５であれば、Ｌ／Ｓ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ）の値が
０．２μｍのパターン、即ち、グルーブであればトラッ
クピッチ０．４μｍの解像が可能であり、ピットであれ
ば最短ピット長０．２μｍの解像が可能である。また、
フォトマスク３上に形成されたマスクパターン３ａが、
例えば露光光２ａの干渉を利用するレベンソン型の位相
シフターを積層したものであれば、上記したトラックピ
ッチの更なる微細化が可能であり、例えばトラックピッ
チ０．２μｍのグルーブの形成も可能となる。

【００２９】光源１から出射された光束は、照明光学系
２によりフォトマスク３上に形成されたマスクパターン
３ａ全体をほぼ均等に照射する露光光２ａに変換され、
フォトマスク３を透過した露光光２ａは縮小投影レンズ
４を介して原盤５上のフォトレジスト膜５ａに集光され
る。この場合、フォトレジスト膜５ａに一括転写される
露光パターンは、例えば１／４倍に縮小されており、外
径２９ｍｍの範囲内にトラックピッチ０．４μｍ、最短
ピット長０．２０７５μｍのスパイラル状のピットが一
括転写される。そして、ＸＹステージ６により原盤５を
移動させ、転写パターンが重ならないようにこの一括転
写を複数回行えば、例えば直径２００ｍｍ（８インチ）
の原盤５のフォトレジスト膜５ａには、原盤５の外観斜
視図である図２に示したように、複数個の１／４倍パタ
ーン５ｂを形成することができる。

【００３０】以下、上記した露光装置を用いて作製され
た原盤５を用いて、トラックピッチ０．４μｍ、最短ピ
ット長０．２０７５μｍのスパイラル状のピットによ
り、６５０ＭＢの情報量を有する外径３０ｍｍの光記録
媒体を作製する工程について、概略工程説明図である図
３〜図７及び完成した光記録媒体の概略外観斜視図であ
る図８を参照して説明する。

【００３１】先ず、原盤５をアルカリ現像液を用いて、
例えばフォトレジスト膜５ａがポジ型フォトレジスト膜
であればフォトマスク３のマスクパターン３ａにより遮
光されなかった部分、即ち露光光２ａで露光された露光
部分を除去し、図３に示したように、露光部分が除去さ
れた面にＮｉメッキを用いた電鋳法により、原盤５のレ
プリカであるスタンパ７を作製する。

【００３２】次に、図４に示したように、一方の金型に
スタンパ７を収納し、この金型に対応する他方の金型か
らポリカーボネート樹脂等の熱可塑性樹脂を注入し、ス
タンパ７のレプリカである基板８を作製する。

【００３３】次に、図５に示したように、基板８のスタ
ンパ７からの転写面に、ＲＡＭ型の光記録媒体であれ
ば、例えばスパッタ成膜法を用いてＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 、
ＧｅＳｂＴｅ、ＺｎＳ−ＳｉＯ₂ 、Ａｌを順次積層した
相変化膜、あるいはＧｄＦｅＣｏ系やＰｔＣｏ系等の光
磁気材料膜（図示せず）である記録層９を形成する。ま
た、図示を省略するが、ＲＯＭ型の光記録媒体であれ
ば、例えば反射層としてＡｌ膜を形成する。

【００３４】次に、図６に示したように、記録層９上全
面に、例えば液状のＵＶレジンをスピンコートした後に
紫外線照射し、例えば層厚が５０μｍの保護層１０を形
成する。

【００３５】次に、図７に示したように、基板８に形成
された個々の１／４倍パターン５ｂを打ち抜く、あるい
は複数の１／４倍パターン５ｂを一括して打ち抜くポン
チ１１を用いて外径３０ｍｍと所定の内径で打ち抜き、
その外周縁に生じたバリ等を除去すれば、図８の概略外
観斜視図に示したようなトラックピッチ０．４μｍ、最
短ピット長０．２０７５μｍのスパイラル状のピットに
より、６５０ＭＢの情報量を有する外径３０ｍｍの光記
録媒体１２の作製を完了する。この場合、基板８に形成
された個々の１／４倍パターン５ｂをレーザ加工機によ
り切断しても良く、その加工方法は限定されない。

【００３６】上記した露光装置ではＸＹステージ６を移
動させて原盤５に複数個の１／４倍パターン５ｂを形成
する事例を示したが、ＸＹステージ６を用いず、１／４
倍パターン５ｂを一個の原盤５に形成する露光装置であ
っても良い。

【００３７】以下、上記した露光方法及びこれを用いた
露光装置により作製される光記録媒体１２として、ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭ及びＲＯＭに適用した場合について記す。Ｄ
ＶＤ−ＲＡＭはＧｅＳｂＴｅ系相変化膜を利用して波長
６５０ｎｍの赤色半導体レーザにより記録再生が可能な
光記録媒体１２であり、直径１２０ｍｍのディスク上に
２．６ＧＢの情報記録容量が収められる。トラックピッ
チは０．７４μｍでランド、グルーブ両方に記録するラ
ンドグルーブ記録を採用している。また、最短マーク長
は０．６１μｍである。そして、このＤＶＤ−ＲＡＭの
記録再生に使用される光学ピックアップ装置の光源であ
る半導体レーザの波長λは６５０ｎｍ、対物レンズのＮ
Ａは０．６であり、集光スポットサイズをλ／ＮＡで近
似すれば１．０８μｍとなる。これを本発明の光記録媒
体１２では、例えば１／４倍パターン５ｂとした場合に
はトラックピッチは０．１８５μｍになる。また、今後
の高密度化の進展を考慮すると、光学ピックアップ装置
における半導体レーザの短波長化、対物レンズの大ＮＡ
化が考えられ、例えば波長４００ｎｍ、対物レンズのＮ
Ａが０．９０であれば集光スポットサイズは０．４４μ
ｍとなり、ＤＶＤ−ＲＡＭのマーク長から単純にこのサ
イズ比の分だけ最短マーク長が縮小されるとすると最短
マーク長は０．２５μｍとなる。以上のトラックピッチ
及び最短マーク長の比較から、例えば１／４倍パターン
５ｂとした場合の本発明の光記録媒体１２は、その面密
度がＤＶＤ−ＲＡＭのほぼ９．１倍となる。また、例え
ば本発明の光記録媒体１２の外径を３０ｍｍとして、記
録エリアがＤＶＤ−ＲＡＭの単純に１／４倍とした場
合、面積比では１／１６倍となり、その情報記録容量は
１．５ＧＢになると推察される。ＤＶＤ−ＲＯＭはＤＶ
Ｄ−ＲＡＭと同様の光学ピックアップ装置で再生され、
トラックピッチ０．７４μｍ、最短ピット長０．４μｍ
で直径１２０ｍｍで４．７ＧＢの情報記録容量を有す
る。これを例えば本発明の光記録媒体１２の外径を３０
ｍｍとして、トラックピッチ０．４μｍ、最短ピット長
０．２μｍとすれば、その面密度はＤＶＤ−ＲＯＭのほ
ぼ３．７倍であり、面積比は１／１６倍であるので、そ
の情報記録容量は１ＧＢになると推察される。

【００３８】

【発明の効果】請求項１の発明の露光方法によれば、多
くの工数を要することなく、フォトマスクに形成された
マスクパターンの例えば１／４倍パターンを、原盤上の
フォトレジスト膜に一括転写することができる。

【００３９】請求項２の発明の露光方法によれば、多く
の工数を要することなく、フォトマスクに形成されたマ
スクパターンの例えば１／４倍パターンを、原盤上のフ
ォトレジスト膜に複数個の一括転写１／４倍パターンを
形成することができる。

【００４０】請求項９の発明の露光装置によれば、小型
且つ高容量の光記録媒体原盤を容易に作製することがで
きる。また、従来の露光装置のように、原盤を高精度で
回転させる手段や露光光学系を高精度で原盤の半径方向
に移動させる手段は不要であり、露光装置の機構の簡素
化を図ることができる。

【００４１】請求項１０の発明の露光装置によれば、複
数個の小型且つ高容量である光記録媒体のレプリカであ
る基板を一工程で作成可能な原盤を作製することができ
る。また、原盤を載置してフォトマスクのマスクパター
ン形成面と平行に移動させる移動手段、例えばＸＹステ
ージはマスクパターン形成面と高精度に平行移動させる
機構とする必要があるものの、従来の露光装置のよう
に、原盤を高精度で回転させる手段や露光光学系を高精
度で原盤の半径方向に移動させる手段は不要であり、露
光装置の機構の簡略化を図ることができる。

【００４２】上記した露光方法及びこれを用いた露光装
置により作製された原盤を用いれば、小型且つ高容量の
光記録媒体の作製が可能であり、この小型且つ高容量の
光記録媒体を適用する携帯用光記録再生装置の小型薄型
化及び軽量化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の露光装置の概略構成図である。

【図２】 本発明の原盤の外観斜視図である。

【図３】 本発明の原盤からスタンパ作製までの概略工
程説明図である。

【図４】 本発明のスタンパから基板作製までの概略工
程説明図である。

【図５】 本発明の基板上に記録層を形成する概略工程
説明図である。

【図６】 本発明の記録層上に保護層を形成する概略工
程説明図である。

【図７】 本発明の基板から光記録媒体を作製する概略
工程説明図である。

【図８】 本発明の光記録媒体の概略外観斜視図であ
る。

【図９】 従来の光記録媒体の概略外観斜視図である。

【図１０】 図９における信号記録領域を拡大した概略
拡大図であり、（ａ）はピット、（ｂ）はグルーブの場
合である。

【図１１】 （ａ）〜（ｃ）は、従来の原盤からグルー
ブあるいはピットの潜像を形成するまでの概略工程説明
図である。

【図１２】 （ａ）〜（ｃ）は、従来のグルーブあるい
はピットの潜像が形成された原盤から基板作製までの概
略工程説明図である。

【図１３】 従来の露光装置の概略構成図である。

【符号の説明】

１…光源、２…照明光学系、２ａ…露光光、３…フォト
マスク、３ａ…マスクパターン、４…縮小投影レンズ、
５…原盤、５ａ…フォトレジスト膜、５ｂ…１／４倍パ
ターン、６…ＸＹステージ、７…スタンパ、７ａ…スタ
ンパ前駆体、８…基板、９…記録層、１０…保護層、１
１…ポンチ、１２…光記録媒体、１３…信号記録領域、
１４…読み取り面、１５…ピット、１６…グルーブ、１
７…ランド、１８…潜像、１９…記録光強度制御部、２
０…変調部、２１…ビームエキスパンダ部、２２…対物
レンズ

Claims (16)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マスクパターンが形成されたフォトマス
   クとフォトレジスト膜が形成された原盤との間に縮小投
   影レンズを配設し、 前記フォトレジスト膜に、前記マスクパターンのｍ／ｎ
   倍パターン（但し、ｎ，ｍは整数、且つｎ＞ｍ）を一括
   転写することを特徴とする露光方法。
2. 【請求項２】 マスクパターンが形成されたフォトマス
   クとフォトレジスト膜が形成された原盤との間に縮小投
   影レンズを配設し、 前記原盤を、前記フォトマスクの前記マスクパターン形
   成面の平行方向に移動させるとともに、前記フォトレジ
   スト膜への前記マスクパターンのｍ／ｎ倍パターン（但
   し、ｎ，ｍは整数、且つｎ＞ｍ）の一括転写を複数回行
   い、 前記フォトレジスト膜に、複数個の前記ｍ／ｎ倍パター
   ンを形成することを特徴とする露光方法。
3. 【請求項３】 前記マスクパターンが、少なくとも同心
   円状のピット及びグルーブの何れか一方を形成したもの
   であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
   の露光方法。
4. 【請求項４】 前記マスクパターンが、少なくともスパ
   イラル状のピット及びグルーブの何れか一方を形成した
   ものであることを特徴とする請求項１または請求項２に
   記載の露光方法。
5. 【請求項５】 前記マスクパターンが、露光光の干渉を
   利用する位相シフターを積層して形成したものであるこ
   とを特徴とする請求項１または請求項２に記載の露光方
   法。
6. 【請求項６】 前記原盤が光記録媒体原盤であることを
   特徴とする請求項１または請求項２に記載の露光方法。
7. 【請求項７】 請求項１または請求項２に記載の露光方
   法により作製されたことを特徴とする原盤。
8. 【請求項８】 請求項１または請求項２に記載の露光方
   法により作製された原盤を用いて作製されたことを特徴
   とする光記録媒体。
9. 【請求項９】 マスクパターンが形成されたフォトマス
   クとフォトレジスト膜が形成された原盤との間に、 前記マスクパターンのｍ／ｎ倍パターン（但し、ｎ，ｍ
   は整数、且つｎ＞ｍ）を前記フォトレジスト膜に一括転
   写する縮小投影レンズが配設されていることを特徴とす
   る露光装置。
10. 【請求項１０】 マスクパターンが形成されたフォトマ
    スクとフォトレジスト膜が形成された原盤との間に配設
    された縮小投影レンズと、 前記原盤を、前記フォトマスクの前記マスクパターン形
    成面と平行方向に移動させる移動手段とを有し、 前記移動手段により前記原盤を移動させるとともに、前
    記フォトレジスト膜への前記マスクパターンのｍ／ｎ倍
    パターン（但し、ｎ，ｍは整数、且つｎ＞ｍ）の一括転
    写を複数回行い、 前記フォトレジスト膜に、複数個の前記ｍ／ｎ倍パター
    ンの形成が可能であることを特徴とする露光装置。
11. 【請求項１１】 前記マスクパターンが、少なくとも同
    心円状のピット及びグルーブの何れか一方であることを
    特徴とする請求項９または請求項１０に記載の露光装
    置。
12. 【請求項１２】 前記マスクパターンが、少なくともス
    パイラル状のピット及びグルーブの何れか一方であるこ
    とを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の露光
    装置。
13. 【請求項１３】 前記マスクパターンが、露光光の干渉
    を利用する位相シフターを積層して形成したものである
    ことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の露
    光装置。
14. 【請求項１４】 前記原盤が光記録媒体原盤であること
    を特徴とする請求項９または請求項１０に記載の露光装
    置。
15. 【請求項１５】 請求項９または請求項１０に記載の露
    光装置により作製されたことを特徴とする原盤。
16. 【請求項１６】 請求項９または請求項１０に記載の露
    光装置により作製された原盤を用いて作製されたことを
    特徴とする光記録媒体。