JPH11202337A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
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- JPH11202337A JPH11202337A JP1828998A JP1828998A JPH11202337A JP H11202337 A JPH11202337 A JP H11202337A JP 1828998 A JP1828998 A JP 1828998A JP 1828998 A JP1828998 A JP 1828998A JP H11202337 A JPH11202337 A JP H11202337A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 駆動もしくは放置状態における焼き付き現象
を抑制し、駆動可能パルス幅範囲の劣化が少ない優れた
液晶素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 一対の基板の少なくとも一方に配向制御
膜を形成し、該基板間にカイラルスメクチック相を示す
液晶を充填する液晶素子の製造方法において、少なくと
も一方の基板に配向制御膜を形成した後、該配向制御膜
を塩基性溶液で処理する液晶素子の製造方法。
を抑制し、駆動可能パルス幅範囲の劣化が少ない優れた
液晶素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 一対の基板の少なくとも一方に配向制御
膜を形成し、該基板間にカイラルスメクチック相を示す
液晶を充填する液晶素子の製造方法において、少なくと
も一方の基板に配向制御膜を形成した後、該配向制御膜
を塩基性溶液で処理する液晶素子の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータの端
末ディスプレイ、各種フラットパネルディスプレイ等に
用いられる、スメクチック相を利用した液晶素子の製造
方法に関する。
末ディスプレイ、各種フラットパネルディスプレイ等に
用いられる、スメクチック相を利用した液晶素子の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】強誘電性液晶分子の屈折率異方性を利用
して偏光表示装置との組み合わせにより透過光線を制御
する型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガ
ーウオル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている
（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４，３
６７，９２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般
に特定の温度域において、カイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＣ* ）またはＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、この状態
において、加えられる電界に応答して第１の光学的安定
状態と第２の光学的安定状態のいずれかを取り、かつ電
界の印加のないときはその状態を維持する性質、すなわ
ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答も速や
かであり、高速ならびに記憶型の表示素子としての広い
利用が期待されている。
して偏光表示装置との組み合わせにより透過光線を制御
する型の表示素子がクラーク（Ｃｌａｒｋ）およびラガ
ーウオル（Ｌａｇｅｒｗａｌｌ）により提案されている
（特開昭５６−１０７２１６号公報、米国特許第４，３
６７，９２４号明細書等）。この強誘電性液晶は、一般
に特定の温度域において、カイラルスメクチックＣ相
（ＳｍＣ* ）またはＨ相（ＳｍＨ* ）を有し、この状態
において、加えられる電界に応答して第１の光学的安定
状態と第２の光学的安定状態のいずれかを取り、かつ電
界の印加のないときはその状態を維持する性質、すなわ
ち双安定性を有し、また電界の変化に対する応答も速や
かであり、高速ならびに記憶型の表示素子としての広い
利用が期待されている。
【０００３】このようなカイラルスメクチック液晶素子
においては、液晶層構造を「く」の字に折れたシェブロ
ン構造から、各層の傾きが小さく大略平行に配置した本
棚状の構造である、ブックシェルフと呼ばれる層状構
造、あるいはそれに近い構造を形成することにより、ジ
グザグ欠陥を解消すると同時にユニフォーム配向を実現
し、高コントラストを実現する方法がある。ブックシェ
ルフあるいはそれに近い層構造を呈する液晶として、パ
ーフルオロエーテル側鎖をもつ液晶化合物（米国特許
５，２６２，０８２号明細書）等が提案されている。こ
れらの液晶材料によれば、電場等の外部場を用いずとも
ブックシェルフあるいはそれに近い層傾き角の小さな構
造を最適なチルト角で形成することが可能である。
においては、液晶層構造を「く」の字に折れたシェブロ
ン構造から、各層の傾きが小さく大略平行に配置した本
棚状の構造である、ブックシェルフと呼ばれる層状構
造、あるいはそれに近い構造を形成することにより、ジ
グザグ欠陥を解消すると同時にユニフォーム配向を実現
し、高コントラストを実現する方法がある。ブックシェ
ルフあるいはそれに近い層構造を呈する液晶として、パ
ーフルオロエーテル側鎖をもつ液晶化合物（米国特許
５，２６２，０８２号明細書）等が提案されている。こ
れらの液晶材料によれば、電場等の外部場を用いずとも
ブックシェルフあるいはそれに近い層傾き角の小さな構
造を最適なチルト角で形成することが可能である。
【０００４】この双安定性を有する液晶を用いた光学変
調素子が所定の素子特性を発揮するためには、一対の平
行基板間に配列される液晶が、欠陥のない均一な配向状
態であること、及び電界の印加による上記２つの安定状
態間での変換が効率的に起こり、かつ電界を印加してい
ないときはその前の状態を保持するような分子配向状態
であることが必要である。このような均一な配向を得る
ためには、少なくとも一方の基板の液晶と接する界面に
配向処理を施す必要がある。
調素子が所定の素子特性を発揮するためには、一対の平
行基板間に配列される液晶が、欠陥のない均一な配向状
態であること、及び電界の印加による上記２つの安定状
態間での変換が効率的に起こり、かつ電界を印加してい
ないときはその前の状態を保持するような分子配向状態
であることが必要である。このような均一な配向を得る
ためには、少なくとも一方の基板の液晶と接する界面に
配向処理を施す必要がある。
【０００５】かかる配向処理方法には、ラビング法、斜
め蒸着法、イオンビーム法等がある。このうち、ラビン
グ法は、ラビング布で基板表面を一方向に擦る方法で、
工業的に簡便なことから一般に用いられている。これに
より初期分子配列状態を均一にし、欠陥のない良好な配
向状態を得るものである。また、パーフルオロエーテル
側鎖をもつ液晶化合物の場合、コレステリック相を持た
ないため、良好な配向状態を得ることが困難であった
が、配向膜のない基板の表面エネルギーを下げること
で、上下基板間の表面エネルギーの差を大きくし、良好
な配向状態を得ることが可能となった。
め蒸着法、イオンビーム法等がある。このうち、ラビン
グ法は、ラビング布で基板表面を一方向に擦る方法で、
工業的に簡便なことから一般に用いられている。これに
より初期分子配列状態を均一にし、欠陥のない良好な配
向状態を得るものである。また、パーフルオロエーテル
側鎖をもつ液晶化合物の場合、コレステリック相を持た
ないため、良好な配向状態を得ることが困難であった
が、配向膜のない基板の表面エネルギーを下げること
で、上下基板間の表面エネルギーの差を大きくし、良好
な配向状態を得ることが可能となった。
【０００６】この表示素子は、カイラルスメクチック液
晶をマルチプレクシング駆動するための走査電極と信号
電極とで構成したマトリックス電極を備え、走査電極に
は順次走査信号が印加され、該走査信号と同期して信号
電極には情報信号が印加される。
晶をマルチプレクシング駆動するための走査電極と信号
電極とで構成したマトリックス電極を備え、走査電極に
は順次走査信号が印加され、該走査信号と同期して信号
電極には情報信号が印加される。
【０００７】また、駆動可能領域を規格化して相対評価
するパラメータとして、駆動可能パルス幅範囲（Ｍ２マ
ージン）＝［Ｗｃｒ（白波形クロストーク）かＢｃｒ
（黒波形クロストーク）のどちらか小さい方−Ｗｔｈ
（白波形閾値）］／［ＷｃｒかＢｃｒのどちらか小さい
方＋Ｗｔｈ］を定義する。
するパラメータとして、駆動可能パルス幅範囲（Ｍ２マ
ージン）＝［Ｗｃｒ（白波形クロストーク）かＢｃｒ
（黒波形クロストーク）のどちらか小さい方−Ｗｔｈ
（白波形閾値）］／［ＷｃｒかＢｃｒのどちらか小さい
方＋Ｗｔｈ］を定義する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】強誘電性液晶セルで
は、液晶自体が自発分極を持ち、かつ２状態しか取り得
ないユニフォーム配向状態にあるため、電界を切っても
書込状態が保持されるメモリー性を持つ。しかし、２状
態のいずれかの状態に書き込み続けるか、もしくは書き
込んだまま放置した時、セル中のイオンの再配置が生じ
ること等により、双安定性が崩れ、２状態間での書き込
み閾値が異なる、いわゆる焼き付き現象が生じる。その
結果２状態の書込閾値の相対差がセルの駆動可能パルス
幅範囲を大幅に減少させるという問題点があった。
は、液晶自体が自発分極を持ち、かつ２状態しか取り得
ないユニフォーム配向状態にあるため、電界を切っても
書込状態が保持されるメモリー性を持つ。しかし、２状
態のいずれかの状態に書き込み続けるか、もしくは書き
込んだまま放置した時、セル中のイオンの再配置が生じ
ること等により、双安定性が崩れ、２状態間での書き込
み閾値が異なる、いわゆる焼き付き現象が生じる。その
結果２状態の書込閾値の相対差がセルの駆動可能パルス
幅範囲を大幅に減少させるという問題点があった。
【０００９】図３は、本発明による液晶素子と従来の液
晶素子の駆動可能パルス幅範囲の劣化特性を示す図であ
る。図３では、液晶注入直後のセルの駆動特性と２状態
におのおの２０００時間放置した場合の駆動特性を示す
測定結果である。縦軸は駆動可能パルス幅範囲（Ｍ２マ
ージン）の広さを、横軸は経過時間を示し、従来の液晶
素子では経過時間と共に駆動可能パルス幅範囲が減少し
ている。このように焼さ付きが発生することで、駆動可
能パルス幅範囲が狭くなり、パネル面内で反転不良部位
が生じるという問題点があった。
晶素子の駆動可能パルス幅範囲の劣化特性を示す図であ
る。図３では、液晶注入直後のセルの駆動特性と２状態
におのおの２０００時間放置した場合の駆動特性を示す
測定結果である。縦軸は駆動可能パルス幅範囲（Ｍ２マ
ージン）の広さを、横軸は経過時間を示し、従来の液晶
素子では経過時間と共に駆動可能パルス幅範囲が減少し
ている。このように焼さ付きが発生することで、駆動可
能パルス幅範囲が狭くなり、パネル面内で反転不良部位
が生じるという問題点があった。
【００１０】本発明は、この様な従来技術の欠点を改善
するためになされたものであり、駆動もしくは放置状態
における焼き付き現象を抑制し、駆動可能パルス幅範囲
の劣化が少ない優れた液晶素子の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
するためになされたものであり、駆動もしくは放置状態
における焼き付き現象を抑制し、駆動可能パルス幅範囲
の劣化が少ない優れた液晶素子の製造方法を提供するこ
とを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、一対の
基板の少なくとも一方に配向制御膜を形成し、該基板間
にカイラルスメクチック相を示す液晶を充填する液晶素
子の製造方法において、少なくとも一方の基板に配向制
御膜を形成した後、該配向制御膜を塩基性溶液で処理す
ることを特徴とする液晶素子の製造方法である。
基板の少なくとも一方に配向制御膜を形成し、該基板間
にカイラルスメクチック相を示す液晶を充填する液晶素
子の製造方法において、少なくとも一方の基板に配向制
御膜を形成した後、該配向制御膜を塩基性溶液で処理す
ることを特徴とする液晶素子の製造方法である。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の液晶素子の製造方法は、
一対の基板の少なくとも一方に配向制御膜を形成した
後、該配向制御膜を塩基性溶液で処理してセルを作製
し、該セルの一対の基板間にカイラルスメクチック相を
示す液晶を充填することを特徴とする。
一対の基板の少なくとも一方に配向制御膜を形成した
後、該配向制御膜を塩基性溶液で処理してセルを作製
し、該セルの一対の基板間にカイラルスメクチック相を
示す液晶を充填することを特徴とする。
【００１３】次に、図面に基づいて本発明を説明する。
図１は本発明の方法により製造された液晶素子の一例を
示す模式断面図である。まず、ガラス基板１ａとガラス
基板１ｂに低抵抗配線用のＡｌを積層し、ホトリソ工程
によりストライプ状にパターニングして低抵抗配線２ａ
と２ｂを形成し、これを配線基板とする。
図１は本発明の方法により製造された液晶素子の一例を
示す模式断面図である。まず、ガラス基板１ａとガラス
基板１ｂに低抵抗配線用のＡｌを積層し、ホトリソ工程
によりストライプ状にパターニングして低抵抗配線２ａ
と２ｂを形成し、これを配線基板とする。
【００１４】ガラス基板１ａ上の低抵抗配線２ａの間に
はＵＶ感光樹脂３を充填する。次に、ガラス基板１ａの
低抵抗配線２ａの上に透明電極４ａを、ガラス基板１ｂ
の低抵抗配線２ｂの上に透明電極４ｂを形成する。ガラ
ス基板１ａの透明電極４ａ上にポリイミド膜の前駆体を
スピンコート法で形成し、乾燥した後、焼成オーブンに
て加熱焼成処理を施して配向膜５を形成する。
はＵＶ感光樹脂３を充填する。次に、ガラス基板１ａの
低抵抗配線２ａの上に透明電極４ａを、ガラス基板１ｂ
の低抵抗配線２ｂの上に透明電極４ｂを形成する。ガラ
ス基板１ａの透明電極４ａ上にポリイミド膜の前駆体を
スピンコート法で形成し、乾燥した後、焼成オーブンに
て加熱焼成処理を施して配向膜５を形成する。
【００１５】一方、ガラス基板１ｂの透明電極４ｂ上に
アンチモンドープのＳｎＯ2 超微粒子を分散し低抵抗化
したポリマー溶液をスピンナーで塗布し、加熱焼成処理
を施し、焼成後の表面エネルギを２７〜３５ｄｙｎｅ／
ｃｍに調整した配向制御膜６を形成する。このガラス基
板１ａを塩基性溶液、例えばアルカリ性のレジスト剥離
液（ナガセレジストストリップＮ−３２０、ナガセ電子
化学（株）製）に浸漬した後、純水に浸漬し充分水洗し
た後に乾燥する。
アンチモンドープのＳｎＯ2 超微粒子を分散し低抵抗化
したポリマー溶液をスピンナーで塗布し、加熱焼成処理
を施し、焼成後の表面エネルギを２７〜３５ｄｙｎｅ／
ｃｍに調整した配向制御膜６を形成する。このガラス基
板１ａを塩基性溶液、例えばアルカリ性のレジスト剥離
液（ナガセレジストストリップＮ−３２０、ナガセ電子
化学（株）製）に浸漬した後、純水に浸漬し充分水洗し
た後に乾燥する。
【００１６】この配向制御膜６を塩基性溶液で処理した
基板１ｂと、配向膜５に配向処理を施したもう一方の基
板１ａをスペーサー７を介して一定のセル厚を保つよう
貼り合わせてセルを形成した後、カイラルスメクチック
相を示す液晶８を注入し液晶素子を得る。図中、９ａ、
９ｂは偏光板、１０は画素内部、１１は電極部、１２は
画素間部を示す。
基板１ｂと、配向膜５に配向処理を施したもう一方の基
板１ａをスペーサー７を介して一定のセル厚を保つよう
貼り合わせてセルを形成した後、カイラルスメクチック
相を示す液晶８を注入し液晶素子を得る。図中、９ａ、
９ｂは偏光板、１０は画素内部、１１は電極部、１２は
画素間部を示す。
【００１７】本発明においては、図３に示すように、配
向制御膜をアルカリ性のレジスト剥離液やエタノールア
ミンの塩基性溶液により表面改質処理を施したセルは、
駆動可能パルス幅範囲の劣化は未処理のセル（従来セ
ル）に比較して大幅に改善される。
向制御膜をアルカリ性のレジスト剥離液やエタノールア
ミンの塩基性溶液により表面改質処理を施したセルは、
駆動可能パルス幅範囲の劣化は未処理のセル（従来セ
ル）に比較して大幅に改善される。
【００１８】このように、本発明は、配向制御膜の塩基
性溶液による表面改質処理により、書き込み、もしくは
保持された状態での配向制御膜上のイオンの再配置等に
よる焼き付き現象を緩和することで、駆動可能パルス幅
範囲の劣化を抑制し、高速・高コントラスト・高精細・
高輝度な液晶素子を得ることができる。
性溶液による表面改質処理により、書き込み、もしくは
保持された状態での配向制御膜上のイオンの再配置等に
よる焼き付き現象を緩和することで、駆動可能パルス幅
範囲の劣化を抑制し、高速・高コントラスト・高精細・
高輝度な液晶素子を得ることができる。
【００１９】本発明においては、一対の基板において、
一方の基板に一軸配向処理を施した配向膜を設け、他方
の基板に一軸配向処理を施さない配向制御膜を設け、該
他方の基板の配向制御膜を塩基性溶液で処理するのが好
ましい。
一方の基板に一軸配向処理を施した配向膜を設け、他方
の基板に一軸配向処理を施さない配向制御膜を設け、該
他方の基板の配向制御膜を塩基性溶液で処理するのが好
ましい。
【００２０】また、その他の態様として、一対の基板の
両方に一軸配向処理を施した配向制御膜を設け、その一
方または両方を塩基性溶液で処理してもよい。さらに、
一対の基板の一方に配向制御膜を設け、その配向制御膜
を塩基性溶液で処理し、他方の基板には配線基板を用
い、磁場もしくはシアリング（機械的ズレ応力）等によ
って配向させてもよい。
両方に一軸配向処理を施した配向制御膜を設け、その一
方または両方を塩基性溶液で処理してもよい。さらに、
一対の基板の一方に配向制御膜を設け、その配向制御膜
を塩基性溶液で処理し、他方の基板には配線基板を用
い、磁場もしくはシアリング（機械的ズレ応力）等によ
って配向させてもよい。
【００２１】前記配向制御膜を塩基性溶液で処理する方
法はとくに制限されないが、例えば配向制御膜を塩基性
溶液に浸漬するか又は該配向制御膜に塩基性溶液を散布
して処理する方法は好ましい。
法はとくに制限されないが、例えば配向制御膜を塩基性
溶液に浸漬するか又は該配向制御膜に塩基性溶液を散布
して処理する方法は好ましい。
【００２２】また、前記塩基性溶液には、アルカリ性の
レジスト剥離液、エタノールアミン、アンモニア水溶液
等の溶液を用いることができ、塩基性成分としてエタノ
ールアミンを含有するレジスト剥離液（例えば、ナガセ
レジストストリップＮ−３２０、１％水溶液）を使用す
るのがｐＨが比較的低く、洗浄が容易で好ましい。
レジスト剥離液、エタノールアミン、アンモニア水溶液
等の溶液を用いることができ、塩基性成分としてエタノ
ールアミンを含有するレジスト剥離液（例えば、ナガセ
レジストストリップＮ−３２０、１％水溶液）を使用す
るのがｐＨが比較的低く、洗浄が容易で好ましい。
【００２３】本発明において使用されるカイラルスメク
チック相を示す液晶は、少なくとも一つの連鎖中にエー
テル酸素を持つフルオロカーボン末端鎖と、炭化水素末
端鎖からなるフッ素含有液晶化合物であって、該末端鎖
が中心核によって結合され、化合物がスメクチック中間
相あるいは潜在的スメクチック中間相を持つものを含有
する液晶組成物が好ましい。
チック相を示す液晶は、少なくとも一つの連鎖中にエー
テル酸素を持つフルオロカーボン末端鎖と、炭化水素末
端鎖からなるフッ素含有液晶化合物であって、該末端鎖
が中心核によって結合され、化合物がスメクチック中間
相あるいは潜在的スメクチック中間相を持つものを含有
する液晶組成物が好ましい。
【００２４】具体的には、特開平２−１４２７５３号公
報、ＵＳＰ５，０８２，５８７号、国際公開ＷＯ９３／
２２３９６、特表平７−５０６３６８号公報等に記載さ
れている化合物が挙げられる。
報、ＵＳＰ５，０８２，５８７号、国際公開ＷＯ９３／
２２３９６、特表平７−５０６３６８号公報等に記載さ
れている化合物が挙げられる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して具体
的に説明する。
的に説明する。
【００２６】実施例１ 以下の方法により、図１に示す液晶素子を作製した。ガ
ラス基板１ａと基板１ｂの一方の主面側に低抵抗配線用
にＡｌを２μｍ（基板１ａ）または２３０ｎｍ（基板１
ｂ）の厚さで堆積し、１０μｍ幅で１００μｍピッチで
ホトリソ工程を用いてストライプ状にパターニングして
画素配線として低抵抗配線２ａ、２ｂを形成し、これを
配線基板とした。
ラス基板１ａと基板１ｂの一方の主面側に低抵抗配線用
にＡｌを２μｍ（基板１ａ）または２３０ｎｍ（基板１
ｂ）の厚さで堆積し、１０μｍ幅で１００μｍピッチで
ホトリソ工程を用いてストライプ状にパターニングして
画素配線として低抵抗配線２ａ、２ｂを形成し、これを
配線基板とした。
【００２７】ガラス基板１ａ上の低抵抗配線２ａの間に
は型基板を用いたレプリカ成型法によりＵＶ感光樹脂３
を充填した。
は型基板を用いたレプリカ成型法によりＵＶ感光樹脂３
を充填した。
【００２８】次に、ガラス基板１ａの低抵抗配線２ａの
上にスパッタ法を用いてＩＴＯ（インジウム・チン・オ
キサイド、厚さ０．１μｍ）のパタ−ン状の透明電極４
ａを形成した。同様にしてガラス基板１ｂの低抵抗配線
２ｂの上に透明電極４ｂを形成した。
上にスパッタ法を用いてＩＴＯ（インジウム・チン・オ
キサイド、厚さ０．１μｍ）のパタ−ン状の透明電極４
ａを形成した。同様にしてガラス基板１ｂの低抵抗配線
２ｂの上に透明電極４ｂを形成した。
【００２９】この基板１ａの透明電極４ａの上には、ポ
リイミド膜（東レ社製のＬＰ６４）をスピンコート法で
形成した。なおこの膜は、ＬＰ６４を２７００ｒｐｍで
回転しているガラス基板上に垂らし、そのまま２０秒間
回転させ、その後、８０℃で５分間前乾燥を行う。その
後、焼成オーブンに窒素ガスを導入し、２００℃で１．
５時間加熱焼成処理を施し配向膜５を形成した。
リイミド膜（東レ社製のＬＰ６４）をスピンコート法で
形成した。なおこの膜は、ＬＰ６４を２７００ｒｐｍで
回転しているガラス基板上に垂らし、そのまま２０秒間
回転させ、その後、８０℃で５分間前乾燥を行う。その
後、焼成オーブンに窒素ガスを導入し、２００℃で１．
５時間加熱焼成処理を施し配向膜５を形成した。
【００３０】この基板１ｂの透明電極４ｂの上には、ア
ンチモンドープのＳｎＯ2 超微粒子（粒径約１０ｎｍ）
を分散し低抵抗化したポリマー溶液をスピンナーで塗布
し、２００℃で１．５時間加熱焼成処理を施し、焼成後
の表面エネルギを２７〜３５ｄｙｎｅ／ｃｍに調整した
配向制御膜６を形成した。この基板１ｂをアルカリ性の
レジスト剥離液（ナガセ電子化学（株）製のナガセレジ
ストストリップＮ−３２０、１％水溶液）で満たされた
槽に入れ、室温で１分間浸漬する。その後、純水で満た
された槽にこの基板を入れ、充分水洗した後に乾燥す
る。
ンチモンドープのＳｎＯ2 超微粒子（粒径約１０ｎｍ）
を分散し低抵抗化したポリマー溶液をスピンナーで塗布
し、２００℃で１．５時間加熱焼成処理を施し、焼成後
の表面エネルギを２７〜３５ｄｙｎｅ／ｃｍに調整した
配向制御膜６を形成した。この基板１ｂをアルカリ性の
レジスト剥離液（ナガセ電子化学（株）製のナガセレジ
ストストリップＮ−３２０、１％水溶液）で満たされた
槽に入れ、室温で１分間浸漬する。その後、純水で満た
された槽にこの基板を入れ、充分水洗した後に乾燥す
る。
【００３１】次に基板１ａのポリイミド膜を画素の短辺
方向に平行にナイロン布で擦り、ポリイミド膜に一軸性
を持たせた。その後、純水で満たされた槽にこの基板を
入れ、超音波をかけ３０秒間洗浄し、窒素ブローで水滴
を飛ばしたあと６０℃のオーブンで３０分乾燥した。
方向に平行にナイロン布で擦り、ポリイミド膜に一軸性
を持たせた。その後、純水で満たされた槽にこの基板を
入れ、超音波をかけ３０秒間洗浄し、窒素ブローで水滴
を飛ばしたあと６０℃のオーブンで３０分乾燥した。
【００３２】この基板１ａに直径２．６μｍのシリカビ
ーズをスピンコート散布した。ビーズ密度は約３００個
／ｍｍ2 であった。基板１ｂには、ディスペンサーによ
ってエポキシ系接着剤をゲタ状にシール描画し、両基板
をＩＴＯストライプが直交するように貼り合せた。セル
サイズは、３００ｍｍ×２７０ｍｍである。
ーズをスピンコート散布した。ビーズ密度は約３００個
／ｍｍ2 であった。基板１ｂには、ディスペンサーによ
ってエポキシ系接着剤をゲタ状にシール描画し、両基板
をＩＴＯストライプが直交するように貼り合せた。セル
サイズは、３００ｍｍ×２７０ｍｍである。
【００３３】セルに注入する液晶には、下記のフッ素含
有液晶組成物を用いた。
有液晶組成物を用いた。
【００３４】
【化１】
【００３５】この液晶組成物は２０℃での層傾き角δ＝
０°であり、チルト角は２７°である。この液晶を皿に
盛り１度液体に溶かし脱泡処理を行った。この脱泡済み
の液晶にセルの注入口を含浸し、液晶が等方相（液体
相）に転移する温度に加熱し、転移後加圧槽内圧力が２
ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件で注入し、セル全体をほば均一に
室温まで冷却した。
０°であり、チルト角は２７°である。この液晶を皿に
盛り１度液体に溶かし脱泡処理を行った。この脱泡済み
の液晶にセルの注入口を含浸し、液晶が等方相（液体
相）に転移する温度に加熱し、転移後加圧槽内圧力が２
ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件で注入し、セル全体をほば均一に
室温まで冷却した。
【００３６】図２は、本発明の液晶素子の駆動において
使用する駆動波形図を示す。同図において、Ａは走査選
択信号で、５セグメントの消去パルスの後、２セグメン
ト印加する書き込みパルス、最後に１セグメント印加す
る補助パルスから構成される。Ｂは走査非選択信号で常
に０Ｖである。Ｃは白表示する時の情報信号である。Ｄ
は黒表示する時の情報信号であり、白情報信号Ｃが反転
したものである。同図においてｌＨは一水平走査期間、
△Ｔは選択期間を示している。
使用する駆動波形図を示す。同図において、Ａは走査選
択信号で、５セグメントの消去パルスの後、２セグメン
ト印加する書き込みパルス、最後に１セグメント印加す
る補助パルスから構成される。Ｂは走査非選択信号で常
に０Ｖである。Ｃは白表示する時の情報信号である。Ｄ
は黒表示する時の情報信号であり、白情報信号Ｃが反転
したものである。同図においてｌＨは一水平走査期間、
△Ｔは選択期間を示している。
【００３７】例えば１画素のデータを８分割してバイア
ス比を３．３：１にした場合、図２の波形を用いて、駆
動条件を３０℃でＶ1 ＝１３．９Ｖ、Ｖ2 ＝−１３．９
Ｖ、Ｖ3 ＝６．ｌＶ、Ｖ4 ＝−６．１Ｖ、Ｖ5 ＝６．７
Ｖ、△Ｔ＝１８．０μｓに設定し、表示部を駆動したと
ころ、Ｍ２マージン（ポイント）で０．２５となったと
同時に、表示パネル表示部全面にわたって十分な初期駆
動可能領域を確保できた。
ス比を３．３：１にした場合、図２の波形を用いて、駆
動条件を３０℃でＶ1 ＝１３．９Ｖ、Ｖ2 ＝−１３．９
Ｖ、Ｖ3 ＝６．ｌＶ、Ｖ4 ＝−６．１Ｖ、Ｖ5 ＝６．７
Ｖ、△Ｔ＝１８．０μｓに設定し、表示部を駆動したと
ころ、Ｍ２マージン（ポイント）で０．２５となったと
同時に、表示パネル表示部全面にわたって十分な初期駆
動可能領域を確保できた。
【００３８】さらにこのパネルの表示領域を２分割し、
一方を黒、もう一方を白に書き込んだ後、書き込んだ状
態を保持したまま２０００時間放置した。その後、初期
と同じ条件でＭ２マージン（ポイント）を測定したとこ
ろ、白及び黒書込部共通で０．２１となり、全面表示が
可能なレベルであった。
一方を黒、もう一方を白に書き込んだ後、書き込んだ状
態を保持したまま２０００時間放置した。その後、初期
と同じ条件でＭ２マージン（ポイント）を測定したとこ
ろ、白及び黒書込部共通で０．２１となり、全面表示が
可能なレベルであった。
【００３９】このように塩基性溶液で表面改質処理する
手段を設けたことで、駆動可能パルス幅範囲の劣化を抑
制し、長期間にわたって、高速・高コントラスト・高精
細・高輝度な表示をパネル全面で行うための、駆動可能
パルス幅範囲（Ｍ２マージン）が確保される。
手段を設けたことで、駆動可能パルス幅範囲の劣化を抑
制し、長期間にわたって、高速・高コントラスト・高精
細・高輝度な表示をパネル全面で行うための、駆動可能
パルス幅範囲（Ｍ２マージン）が確保される。
【００４０】比較例１ 図１において、基板１ｂの配向制御膜６を塩基性溶液に
よる表面改質処理を省き実施例１と同様にセルを作成し
た。
よる表面改質処理を省き実施例１と同様にセルを作成し
た。
【００４１】液晶を注入後駆動してみると、このセルの
場合、初期駆動可能パルス幅範囲が同じであったにも関
わらず、白及び黒書込部の２０００時間放置後で、クロ
ストークまでの閾値パルス幅が低くなり、白及び黒書込
部共通で駆動可能パルス幅範囲（Ｍ２マージン）が０．
０２と、塩基性溶液による処理を行った場合に較べ大幅
に劣化した。この結果、パネル全面での温度やギャップ
の不均一性を吸収できず、部分的にしか正常なスイッチ
ングを示す領域は無くなってしまった。
場合、初期駆動可能パルス幅範囲が同じであったにも関
わらず、白及び黒書込部の２０００時間放置後で、クロ
ストークまでの閾値パルス幅が低くなり、白及び黒書込
部共通で駆動可能パルス幅範囲（Ｍ２マージン）が０．
０２と、塩基性溶液による処理を行った場合に較べ大幅
に劣化した。この結果、パネル全面での温度やギャップ
の不均一性を吸収できず、部分的にしか正常なスイッチ
ングを示す領域は無くなってしまった。
【００４２】実施例２ 実施例１と同様にして液晶セルを作製した。但し、本実
施例では、アルカリ性のレジスト剥離液（ナガセ電子化
学（株）製のナガセレジストストリップＮ−３２０）の
代わりにエタノールアミン２０％水溶液を使用した。エ
タノールアミン２０％水溶液の使用方法は、実施例１の
レジスト剥離液と同様だが、処理時間を延長し、基板１
ｂ上に配向制御膜６を形成した後、エタノールアミン２
０％水溶液で満たされた槽に基板１ｂを入れ、室温で１
０分間浸漬する。エタノールアミン２０％水溶液での処
理後、純水で満たされた槽にこの基板を入れ、充分水洗
した後に乾燥する。その後、実施例１と同じ手順でセル
を形成した。
施例では、アルカリ性のレジスト剥離液（ナガセ電子化
学（株）製のナガセレジストストリップＮ−３２０）の
代わりにエタノールアミン２０％水溶液を使用した。エ
タノールアミン２０％水溶液の使用方法は、実施例１の
レジスト剥離液と同様だが、処理時間を延長し、基板１
ｂ上に配向制御膜６を形成した後、エタノールアミン２
０％水溶液で満たされた槽に基板１ｂを入れ、室温で１
０分間浸漬する。エタノールアミン２０％水溶液での処
理後、純水で満たされた槽にこの基板を入れ、充分水洗
した後に乾燥する。その後、実施例１と同じ手順でセル
を形成した。
【００４３】液晶注入後、実施例１と同様に、パネルの
表示領域を２分割し、一方を黒、もう一方を白に書き込
んだ後、書き込んだ状態を保持したまま２０００時間放
置した。その後、初期と同じ条件でＭ２マージン（ポイ
ント）を測定したところ、白及び黒書込部共通で０．１
８となり、全面表示が可能なレベルであった。
表示領域を２分割し、一方を黒、もう一方を白に書き込
んだ後、書き込んだ状態を保持したまま２０００時間放
置した。その後、初期と同じ条件でＭ２マージン（ポイ
ント）を測定したところ、白及び黒書込部共通で０．１
８となり、全面表示が可能なレベルであった。
【００４４】このように塩基性溶液で表面改質処理する
手段を設けたことで、駆動可能パルス幅範囲の劣化を抑
制し、長期間にわたって、高速・高コントラスト・高精
細・高輝度な表示をパネル全面で行うための、駆動可能
パルス幅範囲（Ｍ２マージン）が確保される。
手段を設けたことで、駆動可能パルス幅範囲の劣化を抑
制し、長期間にわたって、高速・高コントラスト・高精
細・高輝度な表示をパネル全面で行うための、駆動可能
パルス幅範囲（Ｍ２マージン）が確保される。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板に形成した配向制御膜を塩基性溶液により表面改質
処理する手段を設けたことで、イオンの再配置等による
焼き付き現象が緩和され、長時間の書込放置後の駆動可
能パルス幅範囲（Ｍ２マージン）の劣化が抑制され、良
好な駆動特性を示す効果が得られた。
基板に形成した配向制御膜を塩基性溶液により表面改質
処理する手段を設けたことで、イオンの再配置等による
焼き付き現象が緩和され、長時間の書込放置後の駆動可
能パルス幅範囲（Ｍ２マージン）の劣化が抑制され、良
好な駆動特性を示す効果が得られた。
【図１】本発明の方法により製造された液晶素子の一例
を示す模式断面図である。
を示す模式断面図である。
【図２】本発明の液晶素子の駆動において使用する駆動
波形図である。
波形図である。
【図３】本発明による液晶素子と従来の液晶素子の駆動
可能パルス幅範囲の劣化特性を示す図である。
可能パルス幅範囲の劣化特性を示す図である。
１ａ，１ｂ ガラス基板 ２ａ，２ｂ 低抵抗配線 ３ ＵＶ感光樹脂 ４ａ，４ｂ 透明電極 ５ 配向膜 ６ 配向制御膜 ７ スペーサー ８ 液晶 ９ａ、９ｂ 偏光板 １０ 画素内部 １１ 電極部 １２ 画素間部
Claims (5)
- 【請求項１】 一対の基板の少なくとも一方に配向制御
膜を形成し、該基板間にカイラルスメクチック相を示す
液晶を充填する液晶素子の製造方法において、少なくと
も一方の基板に配向制御膜を形成した後、該配向制御膜
を塩基性溶液で処理することを特徴とする液晶素子の製
造方法。 - 【請求項２】 一方の基板に一軸配向処理を施した配向
膜を設け、他方の基板に一軸配向処理を施さない配向制
御膜を設け、該他方の基板の配向制御膜を塩基性溶液で
処理する請求項１記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記配向制御膜を塩基性溶液に浸漬する
か又は該配向制御膜に塩基性溶液を散布して処理する請
求項１または２記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項４】 前記塩基性溶液に、塩基性成分としてエ
タノールアミンを含有するレジスト剥離液を使用する請
求項１乃至３のいずれかの項に記載の液晶素子の製造方
法。 - 【請求項５】 前記カイラルスメクチック相を示す液晶
が、少なくとも一つの連鎖中にエーテル酸素を持つフル
オロカーボン末端鎖と、炭化水素末端鎖からなるフッ素
含有液晶化合物であって、該末端鎖が中心核によって結
合され、化合物がスメクチック中間相あるいは潜在的ス
メクチック中間相を持つものを含有する液晶組成物から
なる請求項１記載の液晶素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1828998A JPH11202337A (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1828998A JPH11202337A (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11202337A true JPH11202337A (ja) | 1999-07-30 |
Family
ID=11967474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1828998A Pending JPH11202337A (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11202337A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012091109A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 日産化学工業株式会社 | 液晶配向処理剤、液晶配向膜および液晶表示素子 |
-
1998
- 1998-01-16 JP JP1828998A patent/JPH11202337A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012091109A1 (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 日産化学工業株式会社 | 液晶配向処理剤、液晶配向膜および液晶表示素子 |
| JP5874646B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2016-03-02 | 日産化学工業株式会社 | 液晶配向処理剤、液晶配向膜および液晶表示素子 |
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